JP6564074B2

JP6564074B2 - 極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ

Info

Publication number: JP6564074B2
Application number: JP2017564724A
Authority: JP
Inventors: 継紅朱; 磊張; 勝亜龍; 俊呉; ▲リャン▼ 艾; 瑞春王
Original assignee: 長飛光繊光纜股▲ふん▼有限公司
Priority date: 2015-07-31
Filing date: 2015-12-01
Publication date: 2019-08-21
Anticipated expiration: 2035-12-01
Also published as: WO2017020456A1; US10151873B2; EP3330755A4; EP3330755A1; JP2018517943A; US20180128967A1; CN104991306A; KR20180008668A

Description

本発明は、光通信技術分野に関し、具体的に光通信システムに用いられる極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバに関する。該光ファイバは、極低損失性能を有し、優れたベンド不敏感特性を有し、モード・フィールド径がＧ６５７．Ａ２標準との互換性がある。

光ファイバ通信は容量が高く、伝送距離が長く、コストも低いため、長距離ネットワーク、メトロポリタン・エリア・ネットワークとアクセスネットワークによく用いられる。光ファイバ通信技術の発展は、より速い伝送速度、より大きい容量とより長い伝送距離を目標とし、光ファイバ性能を上げ、光ファイバ通信技術を向上させつつある。近年ＩＰネットワークデータサービスの著しい発展に伴い、通信ネットワークが持続可能な発展の次世代ネットワークに向け、次世代ネットワークの物理的構成である巨大な伝送容量と距離を有する光ファイバ基盤を作る。光ファイバ通信システムの発展に対する要求を満たすため、光ファイバ通信ネットワークの伝送媒体である光ファイバの関連性能向上が必要になっている。

光ファイバの減衰係数が一つの最も重要な性能パラメータであり、光通信の中継距離が決定的要因である。光ファイバの減衰係数が低いほど、光信号が伝送できる距離が長く、同じ伝送距離の場合、光信号の減衰幅は小さい。減衰係数を下げることで、光通信の光Ｓ/Ｎ比（ＯＳＮＲ）を有効に向上させ、システムの伝送品質と伝送距離を増加できる。長距離光通信において、光信号が中継器を介して伝送され、光ファイバの減衰係数が低いほど、無中継光信号の伝送距離が長く、中継器の間隔を延長でき、中継器の設置を減らし、運営費を軽減できる。よって、システム構造の最適化と運営費削減において、光ファイバ減衰係数を下げることが非常に重要である。一方、近年ＦＴＴＸ（ＦｉｂｅｒｔｏＴｈｅｘ）の発展に伴い、Ｇ６５２光ファイバは、ユーザーの要求する性能を出しにくく、抗曲げ性能を有する光ファイバが要求されるため、Ｇ６５２光ファイバに基づいて、ベンド不敏感の単一モード光ファイバＧ６５７光ファイバが新たに開発された。Ｇ６５７光ファイバは、Ｇ６５２標準との互換性があるＧ６５７．Ａ光ファイバおよびＧ６５２標準との互換性がないＧ６５７．Ｂ光ファイバを含む。Ｇ６５７．Ａ光ファイバはＧ６５２．Ｄ光ファイバとの互換性がよく、Ｇ６５２．Ｄ光ファイバより優れた抗曲げ性能を有するため、Ｇ６５２光ファイバの代わりに用いられる可能性が高いと考えられる。よって、Ｇ６５２標準との互換性があり、極低減衰と比較的に大きいＭＦＤを有する、ベンド不敏感の単一モード光ファイバが光通信分野における研究の中心になっている。

光ファイバ母材ロッドの製造において、光ファイバ減衰を下げる以下の方法が用いられる。外部不純物導入確率を低下させるため、より高純度の材料を利用して、製造環境を改善し、装置の密閉性を向上させる。特許文献１（中国特許出願番号：２０１１１０１７８８３３．３）において、外部不純物導入を低下させるため、光ファイバ母材ロッド堆積工程における不通気性を向上させる。また、大きいサイズの母材ロッドの希釈効果で光ファイバ減衰を低下させる、より大きい外径を有する母材ロッドを製造する方法も用いられている。光ファイバの製造工程において、裸ファイバ表面コーディング層のコーディング工程が光ファイバ減衰性能に影響する重要な要因である。しかしながら、理論または、実際に光ファイバの製造コストと工程制御を考慮すると、光ファイバ減衰を低下させる最も簡単かつ有効な方法は、光ファイバのドーピングを下げて、光ファイバの屈折率分布を最適化することである。一般的に、ドーピング濃度が低いほど、レイリー散乱がもたらす損失が小さい。従来の単一モード光ファイバにおいて、光ファイバの全反射のため、コア層と内部クラッド層との十分な屈折率差が必要で、コア層の相対屈折率が内部クラッド層より遥かに大きい。この設計を保証するため、コア層への大量なゲルマニウム添加またはゲルマニウムとフッ素の共添加が必要である。しかし、従来の光ファイバの屈折率分布設計は、光ファイバの屈折率分布においてレーザエネルギーがガウス分布をして、光ファイバのレーザエネルギーの７０％ぐらいより多くドーピングされたコア層において伝送される。高エネルギー密度のレーザ伝送はレイリー係数が比較的に高い高濃度ドーピングコア層において行われる。合理的な光ファイバの屈折率分布設計で、エネルギーがガウス分布ではない分布をして、高濃度ドーピングコア層におけるエネルギー損失を低下させると、光ファイバの減衰性能を著しく減少できる。

現在、一般的なＧ.６５７光ファイバの屈折率分布設計と製造方法において、最優マクロベンド性能を得るため、コア層へのゲルマニウムとフッ素の共添加が行われた。コア層の相対屈折率が０．３５％以上で、コア層へのゲルマニウム添加が比較的多く、レイリー散乱をもたらして、光ファイバの減衰が増加した。

超低減衰光ファイバの設計が提案された特許文献２（中国特許出願番号：２０１３１０３９４４０４）において、純シリコンコアの設計が採用され、代表的なステップ・インデックス型光ファイバが利用される。ベンド性能向上のための埋め込みクラッド層を利用せず、コア層へのゲルマニウム（ＧＥ素）の添加が行われないから、母材ロッドを製造する時に粘度の不一致が発生し、光ファイバの減衰とベンド性能が比較的に低い。

６００ｎｍ〜１６００ｎｍにおける石英光ファイバの減衰は主にレイリー散乱がもたらし、レイリー散乱による減衰α_Ｒは、以下の方程式により定義される。

λは波長（μｍ）で，Ｒはレイリー散乱係数（ｄＢ／ｋｍ／μｍ^４）で、Ｐは光強度で、Ｂは対応する定数である。レイリー散乱係数Ｒが確定されると、レイリー散乱による減衰α_Ｒ（ｄＢ／ｋｍ）が得られる。レイリ散乱は、密度変動と濃度変動によって生じるので、レイリー散乱係数Ｒは、Ｒ＝Ｒｄ＋Ｒｃにより定義される。

Ｒｄは密度変動によるレイリー散乱係数変動で、Ｒｃは濃度変動によるレイリー散乱係数変動である。Ｒｃは濃度変動因子で、光ファイバのガラス部分のドーピング濃度に影響され、ゲルマニウム（Ｇｅ素）とフッ素、または他のドーピングが少ないほど、Ｒｃは低い。これが、国外メーカーが純石英コア層設計で極低減衰性能を実現する理由である。

しかし、レイリー散乱係数のもう一つパラメータＲｄに注目すべきである。Ｒｄはガラスの仮想温度Ｔ_Ｆに関連し、ガラスの構造変化と温度変化により変化する。ガラスの仮想温度Ｔ_Ｆは、ガラス構造を表す物理パラメータであり、温度Ｔ'から室温までガラスを急速に冷却させてもガラスの構造が変化せず、ある均衡状態になる温度である。Ｔ'＞Ｔ_Ｆ（ガラスの軟化温度）の場合、ガラス粘性が比較的低いため、ガラス構造を調整しやすく、ガラスがいつも均衡状態にあるので、Ｔ_Ｆ＝Ｔ'となる。Ｔ'＜Ｔ_ｇ（ガラスの変換温度）の場合、ガラス粘性が比較的高いため、ガラス構造を調整しにくく、ガラス構造調整が温度変化に遅れるので、Ｔ_Ｆ＞Ｔ'となる。Ｔ_ｇ＜Ｔ'＜Ｔ_Ｆの場合、ガラスの均衡状態になるまでにかかる時間が比較的短く、ガラスの成分と冷却速度に関連するから、Ｔ_Ｆ＞Ｔ'またはＴ_Ｆ＜Ｔ'となる。

純シリコンコア層設計の場合、光ファイバの全反射を保証するには、比較的低い屈折率のフッ素ドーピング内部クラッド層を利用して、コア層と内部クラッド層との十分な屈折率差を確保する。純シリコンコア層部分の粘性が比較的高く、大量のフッ素ドーピングをした内部クラッド層部分の粘性が比較的低いため、光ファイバの構造粘性のマッチングが不均衡になり、純シリコンコア層の光ファイバの仮想温度が急速に上がり、Ｒｄを増加させる。よって、Ｒｃの低下によるメリットを相殺して、光ファイバの減衰を逆に増加させる。

特許文献３は粘度変化で性能を向上させる純シリコンコアファイバを提供する。コア層へフッ素と塩素の添加を行って、コア層の粘度に対してコア層へのフッ素と塩素の添加による寄与量を用いて、光ファイバのレイリー散乱係数を低下させる。特許文献３には、屈折率断面構造分布とゲルマニウム添加は言及されていない。

光ファイバが提案された特許文献４では、より低いレイリー係数を取得するために、純シリコンコアの設計が採用され、コア層へのゲルマニウムとフッ素の共添加が行われず、しかもフッ素を添加したシリカを外部クラッド層とする設計になっている。このような純シリコンコアの設計の場合、光ファイバ内部での複雑な粘度マッチングが必須であり、引っ張り工程での速度を極めて低くし、高速な引っ張りによる光ファイバ内部の不備に起因する損失増加を回避することが要求され、製造工程が極めて複雑である。

従来の極低減衰単一モード光ファイバは、全フッ素ドーピングの外部クラッド層設計を利用している。光ファイバの光学角度から見ると、このような設計は比較的簡単で、外部クラッド層と内部クラッド層との屈折率差を保証する限り、光ファイバの全反射要求を満たすことができる。しかし、極低減衰光ファイバの製造コストを制限する要素は主に三点ある。第一に、主流になっているアルカリ金属工程の製造コストが高く、効率が悪い。第二に、全フッ素ドーピング設計の母材ロッドは、サイズが比較的小さく、線引き工程が複雑である。第三に、全フッ素ドーピング設計の光ファイバは、全フッ素ドーピング工程の製造コストが非常に高い。商品の市場価格で計算すれば、全フッ素ドーピングスリーブの価格は、純シリカスリーブの５〜８倍である。フッ素ドーピング材料コストと純シリカ材料コストとの比率を６倍とする場合、合理的な工程設計で全フッ素ドーピング層の厚さを薄くすれば、光ファイバの製造コストが著しく低下する。光ファイバの径が３０μｍ〜８０μｍの範囲においてはフッ素ドーピング材料を使用して、径が８０μｍ〜１２５μｍの範囲においては汎用シリカを使用する設計は、従来の全フッ素ドーピング材料を使用する極低減衰光ファイバに比べて、コストが４０％低下する。径が３０μｍ〜６０μｍの範囲においてはフッ素ドーピング材料を使用して、径が６０μｍ〜１２５μｍの範囲においては汎用シリカを使用する設計は、コストが６５％低下する。

上記の説明によって、純シリコンコア層と一部のフッ素ドーピングクラッド層で極低減衰光ファイバの設計が可能であるが、上記二つの問題に制限されるため、このような設計における光ファイバパラメータの制御が挑戦である。

フッ素をドープしない純シリコンをクラッド層とする場合、三つの問題がある。

第一に、基本モードのカットオフを抑える。外部クラッド層とコア層材料との屈折率差がとても小さいため、光ファイバの基本モードが外に漏れることがあり、光ファイバの減衰に影響を与える。フッ素をドープしないクラッド層の光ファイバは、外部クラッド層とコア層の中間位置での合理的な屈折率分布設計で、基本モード漏れを抑えることが必要である。

第二に、粘性マッチを考慮する。外部クラッド層に粘性マッチ設計をしないと、内部クラッド層およびコア層との粘性傾斜がマッチしない。

第三に、光学屈折率分布マッチを考慮する。純シリカグラスを外部クラッド層とすると、粘性マッチ設計において、各部分のドーピング濃度が限定される。光ファイバの光学パラメータがＧ．６５２とＧ．６５４光ファイバの要求を満たす。すなわち光ファイバのモードフィールド径（ＭＦＤ）、色分散およびベンド性能が標準の要求を満たし、光学屈折率分布設計をも考慮すべきである。よって、粘性設計の時、光ファイバの総合設計を考慮すべきであるため、工程を実現するのはさらに困難である。

中国特許出願公開第１０２２７６１４４号明細書中国特許出願公開第１０３４５４７１９号明細書米国特許第６９１７７４０号明細書米国特許出願公開第２０１０／０２２５３３号明細書

以下は、本発明に言及される一部の用語の定義と説明である。

ｐｐｍ：百万分率を表す重量単位である。

光ファイバのコア軸線から数え、屈折率の変化に応じて、軸線に最も近い層をコア層、光ファイバの最も外の層、即ち純シリカ層を光ファイバの外部クラッド層と定義する。

光ファイバの各層の相対屈折率Δｎ_ｉは、以下の方程式により定義される。

ここで、ｎ_ｉは、コアの屈折率であり、ｎ_ｃは、クラッド層の屈折率、即ち純シリカの屈折率である。

光ファイバコア層のゲルマニウムドーピングによる屈折率寄与度ΔＧeは、以下の方程式により定義される。

ここで、ｎ_Geは、ゲルマニウム（Ｇｅ）が純石英にドープすることで、コア層の石英ガラスの屈折率の変化量であり、ｎ_ｃは、外部クラッド層の屈折率で、即ち純石英の屈折率である。

ケーブルの遮断波長λ_ｃｃ：
ＩＥＣ（国際電気標準会議）標準６０７９３−１−４４の定義によると、ケーブルの遮断波長λ_ｃｃは、光信号が光ファイバの２２メートルを超える伝搬後にもはや単一モードではない波長である。テストの際に、光ファイバに対し半径１４ｃｍの１巻き、半径４ｃｍの２巻きをしてデータを取得する。

本発明の解決しようとする技術問題は、光ファイバ製造コストが低く、極低減衰係数と優れたベンド性能を有する極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバを提供することである。

本発明は、以上の問題を解決するために、以下の技術手段を採用する。

コア層とクラッド層を含む光ファイバにおいて、前記コア層は、半径ｒ_１が３.０〜３.９μｍであり、相対屈折率差Δｎ_１が−０．０４％〜０．１２％であり、コア層の外部には、内側から外側へ順に、半径ｒ_２が８〜１４μｍ、相対屈折率差Δｎ_２が−０．３５％〜−０．１０％である内部クラッド層、半径ｒ_３が１４〜２０μｍ、相対屈折率差Δｎ_３が−０．６％〜−０．２％である陥没内部クラッド層、半径ｒ_４が３５〜５０μｍ、相対屈折率差Δｎ_４が−０．４％〜−０．１５％である補助的外部クラッド層、及び純シリカガラス層である外部クラッド層が被覆される。

上記技術手段において、光ファイバのコア層は、ゲルマニウム、フッ素とアルカリ金属を共添加したシリカガラス層であるか、ゲルマニウムとアルカリ金属を共添加したシリカガラス層であり、ゲルマニウムの添加寄与量が０.０２％〜０.１０％であり、０.０４％〜０.０８％がより好ましく、アルカリ金属の添加量が５〜３０００ｐｐｍである。

上記技術手段において、アルカリ金属は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウムアルカリ金属イオンのいずれか一種又は複数種を含む。

上記技術手段において、前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおけるモード・フィールド径が８．９〜９．１μｍであり、８．５〜８．８μｍがより好ましい。

上記技術手段において、前記光ファイバは、ケーブリングにおける遮断波長が１２６０ｎｍ以下である。

上記技術手段において、前記光ファイバは、ゼロ分散点が１３００〜１３２４ｎｍで、ゼロ分散スロープが０．０９２以下である。

上記技術手段において、前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおける色分散が１８ｐｓ／ｎｍ＊ｋｍ以下である。

上記技術手段において、前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおける減衰が０．３１４ｄＢ／ｋｍ以下であり、０．３００ｄＢ／ｋｍ以下がより好ましい。

上記技術手段において、前記光ファイバは、波長１５５０ｎｍにおける減衰が０．１７４ｄＢ／ｋｍ以下であり、０．１６４ｄＢ／ｋｍ以下がより好ましい。

上記技術手段において、前記光ファイバは、波長１５５０ｎｍにおいて、１５ｍｍのベンド半径で１０周巻き取ることによるベンド付加損失が０．０３ｄＢ以下であり、１０ｍｍのベンド半径で１周巻き取ることによるベンド付加損失が０．１ｄＢ以下である。

上記技術手段において、コーティングされた前記光ファイバは、直径が２５０μｍまたは２００μｍである。

本発明の利点は、以下である。１）光ファイバのコア層とクラッド層屈折率分布構造設計により、光ファイバ内部の粘度マッチングが合理的に設計され、光ファイバ製造過程の不備を減少させ、光ファイバの減衰パラメータを低下させる。２）アルカリ金属を添加したコア層設計により、光ファイバ内部の粘度マッチングが合理的に設計され、光ファイバ製造過程の不備を減少させる。コア層とクラッド層の異なるフッ素ドーピング濃度でコア層外部のガラス粘度を最適化することで、境界面においての欠如を低減させ、仮想温度を低下させる。３）フッ素を添加した陥没構造と合理的な光ファイバ各コア層とクラッド層設計により、光ファイバはモードフィールド径（ＭＦＤ）が８．４以上である。４）本発明の遮断波長、ベンド損失、色分散などの総合的性能パラメータは、応用波長域で優れ、十分に小さいケーブリング遮断波長により、当該種類の光ファイバのＣ波長域伝送応用で光信号の単一モード状態を保証する。光ファイバの屈折率分布にマルチステップ・インデックス型陥没クラッド構造を有し、広幅の陥没クラッド構造を有して光ファイバのベンド損失に優れた改良作用を有し、Ｇ６５７．Ａ２標準との互換性がある。５）最も外部の層の外部クラッド層構造に純シリカの設計が採用され、フッ素添加ガラスの光ファイバでの割合を低下させることで、光ファイバの生産コストを低減させる。

本発明の１つの実施例における屈折率分布構造分布図である。

以下、実施例を参照して詳細に記載する。

ゲルマニウム、フッ素とアルカリ金属を共添加したシリカガラス層であるか、ゲルマニウムとアルカリ金属を共添加したシリカガラス層であるコア層とクラッド層を含み、コア層の外部には、内側から外側へ順に、内部クラッド層、陥没内部クラッド層、補助的外部クラッド層、及び外部クラッド層が被覆される。外部クラッド層が純シリカガラス層であり、直径が１２５μｍである。アルカリ金属は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウムアルカリ金属イオンのいずれか一種又は複数種を含む。

表１は、本発明の好適な実施例における屈折率分布パラメータであり、ΔＧｅは、コア層におけるＧｅの添加量であり、Ｋはコア層におけるカリウムの含量である。表２は、表１に記載する光ファイバに対応する光伝送特性を示す。

表１：本発明の実施例における光ファイバの屈折率分布パラメータ

表２：本発明の実施例の光ファイバのパラメータ

［付記］
［付記１］
コア層とクラッド層を含む極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバにおいて、
前記コア層は、半径ｒ_１が３.０〜３．９μｍであり、相対屈折率差Δｎ_１が−０．０４％〜０．１２％であり、
コア層の外部には、内側から外側へ順に、
半径ｒ_２が８〜１４μｍ、相対屈折率差Δｎ_２が−０．３５％〜−０．１０％である内部クラッド層、
半径ｒ_３が１４〜２０μｍ、相対屈折率差Δｎ_３が−０．６％〜−０．２％である陥没内部クラッド層、
半径ｒ_４が３５〜５０μｍ、相対屈折率差Δｎ_４が−０．４％〜−０．１５％である補助的外部クラッド層、及び
純シリカガラス層である外部クラッド層、が被覆された、
ことを特徴とする極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記２］
前記光ファイバのコア層は、ゲルマニウム、フッ素とアルカリ金属を共添加したシリカガラス層であるか、ゲルマニウムとアルカリ金属を共添加したシリカガラス層であり、相対屈折率差に対してゲルマニウムの添加寄与量が０.０２％〜０.１０％であり、アルカリ金属の添加量が５〜３０００ｐｐｍである、
ことを特徴とする付記１に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記３］
前記アルカリ金属は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウムアルカリ金属イオンのいずれか一種又は複数種を含む、
ことを特徴とする付記２に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記４］
前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおけるモード・フィールド径が８．４〜９．１μｍである、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記５］
前記光ファイバは、ケーブリングにおける遮断波長が１２６０ｎｍ以下である、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記６］
前記光ファイバは、ゼロ分散点が１３００〜１３２４ｎｍで、ゼロ分散スロープが０．０９２以下である、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記７］
前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおける色分散が１８ｐｓ／ｎｍ＊ｋｍ以下である、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記８］
前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおける減衰が０．３１４ｄＢ／ｋｍ以下である、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記９］
前記光ファイバは、波長１５５０ｎｍにおける減衰が０．１７４ｄＢ／ｋｍ以下である、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

［付記１０］
前記光ファイバは、波長１５５０ｎｍにおいて、１５ｍｍのベンド半径で１０周巻き取ることによるベンド付加損失が０．０３ｄＢ以下であり、１０ｍｍのベンド半径で１周巻き取ることによるベンド付加損失が０．１ｄＢ以下である、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。

Claims

コア層とクラッド層を含む極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバにおいて、
前記コア層は、半径ｒ_１が３.０〜３．９μｍであり、相対屈折率差Δｎ_１が−０．０４％〜０．１２％であり、
コア層の外部には、内側から外側へ順に、
半径ｒ_２が８〜１４μｍ、相対屈折率差Δｎ_２が−０．３５％〜−０．１０％である内部クラッド層、
半径ｒ_３が１４〜２０μｍ、相対屈折率差Δｎ_３が−０．６％〜−０．２％である陥没内部クラッド層、
半径ｒ_４が３５〜５０μｍ、相対屈折率差Δｎ_４が−０．４％〜−０．１５％である補助的外部クラッド層、及び
純シリカガラス層である外部クラッド層、が被覆され、
前記光ファイバのコア層は、ゲルマニウム、フッ素とアルカリ金属を共添加したシリカガラス層であるか、ゲルマニウムとアルカリ金属を共添加したシリカガラス層であり、相対屈折率差に対してゲルマニウムの添加寄与量が０.０２％〜０.１０％であり、アルカリ金属の添加量が５〜３０００ｐｐｍであり、
前記光ファイバは、波長１５５０ｎｍにおける減衰が０．１６１ｄＢ／ｋｍ以下である、
ことを特徴とする極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。
前記アルカリ金属は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウムアルカリ金属イオンのいずれか一種又は複数種を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。
前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおけるモード・フィールド径が８．４〜９．１μｍである、
ことを特徴とする請求項１に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。
前記光ファイバは、ケーブリングにおける遮断波長が１２６０ｎｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。
前記光ファイバは、ゼロ分散点が１３００〜１３２４ｎｍで、ゼロ分散スロープが０．０９２以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。
前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおける色分散が１８ｐｓ／ｎｍ＊ｋｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。
前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおける減衰が０．３１４ｄＢ／ｋｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の極低損失でベンド不敏感の単一モード光ファイバ。