JP6128990B2 - Photocurable nanoimprint composition and pattern formation method - Google Patents

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Description

本発明は、新規な光硬化性ナノインプリント用組成物に関し、さらに、前記光硬化性ナノインプリント用組成物を用いて基板上にパターンを形成する新規なパターン形成方法にも関する。また、本発明は、該組成物の硬化体からなる新規なナノインプリント用レプリカ金型に関する。   The present invention relates to a novel photocurable nanoimprint composition, and further relates to a novel pattern forming method for forming a pattern on a substrate using the photocurable nanoimprint composition. The present invention also relates to a novel nanoimprint replica mold comprising a cured product of the composition.

近年、半導体集積回路は、より微細化され、高精度なものが要求されているが、このような微細加工は、高精度の半導体集積回路の他にも光反射防止性付与やLED基板における光取り出し効率向上等の光学・照明用途や、2次電池、太陽電池、燃料電池等のエネルギー開発、バイオテクノロジー等、多岐の用途において、インプリント技術による微細加工が盛んに検討されている。   In recent years, semiconductor integrated circuits are required to be miniaturized and have high precision, but such microfabrication is not only for high precision semiconductor integrated circuits but also for providing light reflection prevention and light on LED substrates. In various applications such as optical / illumination applications such as taking-out efficiency improvement, energy development of secondary batteries, solar cells, fuel cells, biotechnology, etc., microfabrication by imprint technology has been actively studied.

インプリント技術とは、基板上に形成したいパターンに対応するパターンの凹凸を有する金型を、基板表面に形成された塗膜上に型押し、剥離することにより、所望のパターンを該基板表面に転写する工程からなり、低コストで量産化が可能な微細加工技術として期待されている。
この技術を使用することによって、ナノオーダーの微細なパターンを形成することができる。インプリント技術の中でも、特に、数ナノ〜数百ナノメートル(nm)の超微細なパターンを形成する技術はナノインプリント技術と呼ばれている。
The imprint technology is a method in which a desired pattern is formed on the surface of a substrate by embossing and peeling a mold having a concavo-convex pattern corresponding to the pattern to be formed on the substrate onto the coating film formed on the substrate surface. It consists of a transfer process and is expected as a fine processing technology that can be mass-produced at low cost.
By using this technique, a nano-order fine pattern can be formed. Among the imprint techniques, a technique for forming an ultrafine pattern of several nanometers to several hundred nanometers (nm) is called a nanoimprint technique.

このナノインプリント技術について、その方法は、基板表面に形成する塗膜材の特性により2種類に大別される。その1つは、パターンが転写される塗膜材を加熱して塑性変形させた後、金型を押し付け、冷却して、塗膜材を硬化させることによって、パターンを転写する熱ナノインプリントの方法である。また、他の1つは、金型又は基板の少なくとも一方が光透過性であるものを使用し、基板上に塗膜材として液状の光硬化性組成物を塗布して塗膜を形成し、金型を押し付けて塗膜と接触させ、ついで、金型又は基板を介して光を照射して該塗膜材を硬化させることによって、パターンを転写する方法である。これらの中でも、光照射によりパターンを転写する光ナノインプリントの方法は、高精度のパターンを形成できるものであるため、ナノインプリント技術において広く利用されるようになっており、該方法に好適に用いられる光硬化性組成物の開発が進められている。   The nanoimprint technology is roughly classified into two types depending on the properties of the coating material formed on the substrate surface. One of them is a thermal nanoimprint method in which the pattern is transferred by heating and plastically deforming the coating material to which the pattern is transferred, then pressing the mold, cooling, and curing the coating material. is there. In addition, the other one uses a mold or a substrate in which at least one of the substrates is light transmissive, and forms a coating film by applying a liquid photocurable composition as a coating material on the substrate, In this method, the mold is pressed and brought into contact with the coating film, and then the pattern material is transferred by irradiating light through the mold or the substrate to cure the coating material. Among these, the optical nanoimprint method for transferring a pattern by light irradiation is capable of forming a high-precision pattern, and thus is widely used in nanoimprint technology, and is suitable for use in the method. Development of curable compositions is underway.

ナノインプリント技術においては、基材表面と塗膜を硬化させて得られるパターンとの密着性、および該パターンと金型との離型性が重要になる。金型からの離型性については、金型表面にフッ素系処理剤で表面処理を施して離型性を付与したり、光硬化性組成物と金型の界面にペンタフルオロプロパンガス等のフッ素系ガスを介在させてインプリントする技術が一般的に知られている。一方、基材との密着性は、基材表面を表面処理したり、易接着層を設けたり、光硬化性組成物の組成変更によって改善が試みられている。基板との密着性と金型からの離型性は、相反する特性であるが、生産性を高めるためにより一層の改善が望まれている。
塗膜材自体に、この相反する特性を持たせるために、塗膜材中にフッ素系界面活性剤やシリコーン化合物を添加する提案がなされている(特許文献1参照)。しかしながら、基板との密着性の低下や、表面に添加剤がブリードアウトする等の問題があり、基板との密着性と金型からの離型性の両立という点では、未だ改善の余地があった。
In the nanoimprint technology, the adhesion between the substrate surface and the pattern obtained by curing the coating film and the releasability between the pattern and the mold are important. For mold release from the mold, the mold surface is surface treated with a fluorine treatment agent to provide mold release, or fluorine such as pentafluoropropane gas is provided at the interface between the photocurable composition and the mold. A technique for imprinting with a system gas interposed is generally known. On the other hand, the adhesion to the substrate has been attempted to improve by subjecting the surface of the substrate to surface treatment, providing an easy-adhesion layer, or changing the composition of the photocurable composition. Adhesion with the substrate and mold release from the mold are contradictory properties, but further improvement is desired to increase productivity.
In order to give the coating material itself the contradictory characteristics, a proposal has been made to add a fluorine-based surfactant or a silicone compound to the coating material (see Patent Document 1). However, there are problems such as a decrease in adhesion to the substrate and bleeding out of the additive on the surface, and there is still room for improvement in terms of both adhesion to the substrate and releasability from the mold. It was.

また、ナノインプリント技術は、金型にてパターンを転写し光硬化した塗膜材(以下、硬化膜とする場合もある)を元に、基板に所望のパターンを形成するものである。基板にパターンを形成するには、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等により、硬化膜、及び基板のドライエッチングを行う。このようなドライエッチング処理では、基板を保護するパターンニングされた硬化膜もエッチングされることから、基板と硬化膜とのエッチング速度比が重要となる。そのため、種々のパターンニングを行う上で、上記のガスにエッチングされ難い硬化膜となる光硬化性組成物の開発が数多くなされている。(以下、この特性をエッチング耐性とする場合もある)。   The nanoimprint technique is to form a desired pattern on a substrate based on a coating material (hereinafter sometimes referred to as a cured film) obtained by transferring a pattern with a mold and photocuring. In order to form a pattern on the substrate, dry etching of the cured film and the substrate is performed with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, or the like. In such a dry etching process, the patterned cured film that protects the substrate is also etched, so that the etching rate ratio between the substrate and the cured film is important. Therefore, many photocurable compositions have been developed to form a cured film that is difficult to be etched by the above-described gas when performing various patterning. (Hereafter, this characteristic may be regarded as etching resistance).

LED基板における光取り出し効率を向上させるために、サファイア基板表面上の凹凸加工により、素子からの光の全反射を抑制したり、サファイア基板上に積層するGaN層の結晶欠陥を低下させることが検討されている。サファイア基板表面上に凹凸加工する方法として、マスクを用いてシリカを蒸着し、シリカ蒸着パターンをマスクとしてウエットエッチング処理による方法や、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成し、その後、ハードマスク堆積とリフトオフによってメタルマスクを形成してドライエッチング処理を行う方法が一般的に用いられている。これらの方法で得られる基板は、Patterned Sapphire Substrates(PSS)と言われ、サファイア表面にミクロンオーダーの凹凸パターンを付与している。近年、LED光源のより一層の発光効率向上を目的として、可視光の波長以下の100〜500nm程の凹凸パターンをサファイア表面上に付与し、全反射による横方向への伝播を抑制することが検討されており、その方法として、ナノインプリントにてサファイア基板表面上に硬化膜のパターンを形成し、それをマスクとして、ドライエッチング処理でサファイア表面に凹凸パターンを付与する方法が挙げられる。   In order to improve the light extraction efficiency in the LED substrate, it is considered to suppress the total reflection of light from the element or reduce the crystal defects of the GaN layer stacked on the sapphire substrate by processing the unevenness on the surface of the sapphire substrate. Has been. As a method of processing irregularities on the surface of the sapphire substrate, silica is vapor-deposited using a mask, a resist pattern is formed by photolithography using a silica vapor deposition pattern as a mask, and then by hard mask deposition and lift-off. A method of performing a dry etching process by forming a metal mask is generally used. The substrate obtained by these methods is called Patterned Sapphire Substrates (PSS), and has a micron-order concavo-convex pattern on the sapphire surface. In recent years, for the purpose of further improving the luminous efficiency of LED light sources, it has been studied to provide a concavo-convex pattern of about 100 to 500 nm below the wavelength of visible light on the surface of sapphire to suppress lateral propagation due to total reflection. As such a method, a method of forming a pattern of a cured film on the surface of the sapphire substrate by nanoimprinting and using the mask as a mask to give a concavo-convex pattern to the surface of sapphire by dry etching treatment can be mentioned.

サファイアのドライエッチングに使用するガスとしては、塩素系ガスが一般的で、パターン形成に使用する光硬化性組成物の硬化膜樹脂に塩素エッチング耐性が高いことが求められる。塩素エッチング耐性の向上には、フリーの炭素源が最少にできることから芳香族化合物が有効と考えられている。芳香族系高分子を用いた熱ナノインプリントの方法が有効であるが、工程上、パターンが転写される塗膜材を加熱して塑性変形させた後、金型を押し付け、冷却して、塗膜材を硬化させることによって、パターンを転写するため、生産性に課題があった。生産性の観点から、アリール置換基を有する重合性単量体や樹脂および脂環式化合物を含む光硬化性組成物が提案されている(特許文献2〜4参照)。しかしながら、塩素エッチング耐性を向上させるためには、アリール置換基を有する重合性単量体や樹脂および脂環式化合物のような剛直な骨格を有した単量体を含むことが有効と考えられるが、サファイア基板との密着性や、粘度が高くなるため低圧力でのナノインプリントパターン転写性という点で改善の余地があった。これらの課題を解決するため、本発明者らは、一定量の水を配合し、加水分解させることによる特定の構造を有する有機珪素化合物、(メタ)アクリル基含有珪素化合物、及び金属アルコキシドの部分加水分解物を含む光硬化性ナノインプリント用組成物を提案した(特許文献5参照)。   As a gas used for dry etching of sapphire, a chlorine-based gas is generally used, and a cured film resin of a photocurable composition used for pattern formation is required to have high chlorine etching resistance. Aromatic compounds are considered effective for improving chlorine etching resistance because free carbon sources can be minimized. Thermal nanoimprint method using aromatic polymer is effective, but after the process, the coating material to which the pattern is transferred is heated and plastically deformed, then the mold is pressed, cooled, and the coating film Since the pattern was transferred by curing the material, there was a problem in productivity. From the viewpoint of productivity, photocurable compositions containing a polymerizable monomer or resin having an aryl substituent and an alicyclic compound have been proposed (see Patent Documents 2 to 4). However, in order to improve chlorine etching resistance, it is considered effective to include a monomer having a rigid skeleton such as a polymerizable monomer having an aryl substituent or a resin and an alicyclic compound. In addition, there was room for improvement in terms of adhesion to the sapphire substrate and transferability of the nanoimprint pattern at low pressure because of increased viscosity. In order to solve these problems, the present inventors incorporated a certain amount of water and hydrolyzed the organosilicon compound having a specific structure, a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and a metal alkoxide moiety. The composition for photocurable nanoimprint containing a hydrolyzate was proposed (refer patent document 5).

特開2008−19292号公報JP 2008-19292 A 特開2009−218550号公報JP 2009-218550 A 特開2011−157482号公報JP 2011-157482 A 特開2008−246876号公報JP 2008-246876 A 特開2012−109551号公報JP 2012-109551 A

ところが、本発明者らの検討によれば、特許文献5に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物は、分散性のよい組成物で、生産性や基板密着性に優れ、酸素ガスやフッ素系ガスに対するエッチング耐性も良好であるものの、塩素系ガスに対するエッチング耐性や、長期間保存安定性の向上について、改善の余地があった。
本発明の目的は、パターンの転写性や、パターンと基板との密着性といったナノインプリント用組成物としての特性を実用上問題のない程度に維持しつつ、塩素系ガスのエッチング耐性および、長期間保存安定性に優れた光硬化性ナノインプリント用組成物を提供することにある。
However, according to the study by the present inventors, the photocurable nanoimprint composition described in Patent Document 5 is a highly dispersible composition, excellent in productivity and substrate adhesion, and oxygen gas or fluorine-based gas. However, there is room for improvement in terms of etching resistance to chlorine-based gas and long-term storage stability.
The object of the present invention is to maintain the characteristics as a nanoimprinting composition such as pattern transferability and adhesion between the pattern and the substrate to such an extent that there is no practical problem, while maintaining etching resistance of chlorine-based gas and long-term storage. The object is to provide a photocurable nanoimprint composition having excellent stability.

本発明者は、塩素系ガスのエッチング耐性に優れ、光硬化性ナノインプリント用組成物の長期間保存安定性を向上させるため種々検討を行った。その結果、上記特許文献5とは異なる種類の特定の金属アルコキシドを配合することで、塩素系ガスに対するエッチング耐性が向上することを見出した。   The present inventor has made various studies in order to improve the long-term storage stability of the photocurable nanoimprinting composition, which has excellent etching resistance to chlorine gas. As a result, it has been found that the etching resistance to chlorine-based gas is improved by blending a specific metal alkoxide of a type different from that of Patent Document 5.

一方で、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体と特定の金属アルコキシドを配合した場合は、短時間で、金属アルコキシドの加水分解物に由来すると考えられる沈殿物あるいはゲル化物が生じ、さらには、長時間保存した場合にも時間経過とともに沈殿物・ゲル化物が増加したり変色していく問題が生じた。沈殿物等が生じた場合、これをろ過後に使用することとなるため、使用時の実質的な金属アルコキシド濃度の減少に伴う、塩素系ガスに対するエッチング耐性の悪化や、ろ別しきれずに残存した成分に起因する、基板密着性・転写性の悪化の問題がある。本発明者らは、かかる沈殿物・ゲル化物・変色を抑制するための手段についても種々検討した。その結果、特定の金属アルコキシドとβ−ヒドロキシケトン類を併用することで、金属アルコキシド由来のゲル化物や沈殿物の生成や変色を抑制し、塩素エッチング耐性と長期保存安定性が両立されることを見出し、本発明を完成するに至った。   On the other hand, when a polymerizable monomer having a (meth) acryl group and a specific metal alkoxide are blended, in a short time, a precipitate or gelled product that is considered to be derived from a hydrolyzate of the metal alkoxide is generated, However, even when stored for a long time, there was a problem that the precipitate / gelatin increased or discolored over time. If a precipitate is generated, it will be used after filtration. Therefore, the etching resistance to chlorine gas deteriorates due to a substantial decrease in metal alkoxide concentration at the time of use, and it remains without being filtered. There is a problem of deterioration of substrate adhesion and transferability due to components. The present inventors have also studied various means for suppressing such precipitates, gelled products, and discoloration. As a result, the combined use of specific metal alkoxides and β-hydroxy ketones suppresses the formation and discoloration of gelated products and precipitates derived from metal alkoxides, and ensures that both chlorine etching resistance and long-term storage stability are compatible. The headline and the present invention were completed.

すなわち、本発明は、
(A)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、
(B)下記式(1)
That is, the present invention
(A) a polymerizable monomer having a (meth) acryl group,
(B) The following formula (1)

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、
Mは、タングステンであり、
は、炭素数1〜10のアルキル基であり、同一の基であっても、異なる基であってもよく
は6または5である。)
で示される金属アルコキシド、
(C)β−ヒドロキシケトン類、並びに
(D)光重合開始剤
を含有する光硬化性ナノインプリント用組成物である。
(Where
M is a tungsten down,
R 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same group or different groups ,
p is 6 or 5. )
A metal alkoxide represented by
A photocurable nanoimprinting composition containing (C) β-hydroxy ketones and (D) a photopolymerization initiator.

第二の発明は、
前記光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布し、その後乾燥させ、該組成物からなる塗膜を形成する工程、
パターンが形成された金型のパターン形成面と前記塗膜とを接触させ、その状態で光を照射して塗膜を硬化させる工程、
前記金型を、硬化した塗膜から分離して、前記金型のパターン形成面に形成されているパターンに対応するパターンを基板上に形成する工程
を含むことを特徴とするパターンの形成方法である。
The second invention is
Applying the photocurable nanoimprint composition onto a substrate and then drying to form a coating film comprising the composition;
Contacting the pattern forming surface of the mold on which the pattern is formed with the coating film, and irradiating light in that state to cure the coating film;
Separating the mold from the cured coating film, and forming a pattern corresponding to the pattern formed on the pattern forming surface of the mold on the substrate. is there.

第三の発明は、
基板がサファイア基板であって、前記パターンの形成方法により基板上に形成したパターンをマスクとして、基板表面を塩素系ガスによりドライエッチングして加工することを特徴とする表面加工サファイア基板の製造方法である。
The third invention is
A method of manufacturing a surface-processed sapphire substrate, wherein the substrate is a sapphire substrate, and the substrate surface is processed by dry etching with a chlorine-based gas using the pattern formed on the substrate by the pattern formation method as a mask. is there.

なお、本発明において、(メタ)アクリル基とは、メタクリル基又はアクリル基を意味する。   In the present invention, the (meth) acryl group means a methacryl group or an acryl group.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、パターンの転写性や、パターンと基板との密着性といったナノインプリント用組成物としての特性を実用上問題のない程度に維持しつつ、塩素系ガスのエッチング耐性および、長期間保存安定性に優れる組成物である。   The photocurable nanoimprint composition of the present invention is a chlorine-based gas etching while maintaining the characteristics of the nanoimprint composition such as pattern transferability and adhesion between the pattern and the substrate to such an extent that there is no practical problem. It is a composition excellent in resistance and long-term storage stability.

本発明は、光硬化性ナノインプリント用組成物に関するものであり、
(A)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、
(B)下記式(1)
The present invention relates to a photocurable nanoimprint composition,
(A) a polymerizable monomer having a (meth) acryl group,
(B) The following formula (1)

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、
Mは、タングステンであり、
は、炭素数1〜10のアルキル基であり、同一の基であっても、異なる基であってもよく
は6または5である。)
で示される金属アルコキシド、
(C)β−ヒドロキシケトン類、並びに(D)光重合開始剤を含むものである。
(Where
M is a tungsten down,
R 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same group or different groups ,
p is 6 or 5. )
A metal alkoxide represented by
(C) β-hydroxy ketones and (D) a photopolymerization initiator are included.

なお、本発明において、ナノインプリントとは、5nm以上100μm以下のパターン、更には、5nm以上500nm以下の微細なパターンを良好に形成できるものを指す。ただし、当然のことながら、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、100μmを越えるパターンの形成にも使用できる。   In the present invention, nanoimprint refers to a pattern that can favorably form a pattern of 5 nm to 100 μm, and a fine pattern of 5 nm to 500 nm. However, as a matter of course, the photocurable nanoimprinting composition of the present invention can be used to form a pattern exceeding 100 μm.

以下、順を追って説明する。先ず、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)について説明する。
((メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A))
本発明において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)(以下、単に「重合性単量体(A)」ともいう)は、特に制限されるものではなく、光重合に使用される公知の(メタ)アクリル基を有する重合性単量体を使用することができる。なお、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物には、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、(メタ)アクリル基以外の重合性官能基を有する重合性単量体を含んでいてもよい。この重合性単量体(A)は、後述する(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)を含まない。好ましい化合物としては、(メタ)アクリル基を有し、分子中に珪素原子を含まない重合性単量体が挙げられる。これら重合性単量体(A)は、1分子中に1つの(メタ)アクリル基を有する単官能重合性単量体であってもよいし、1分子中に2つ以上の(メタ)アクリル基を有する多官能重合性単量体であってもよい。さらには、これら単官能重合性単量体および多官能重合性単量体を組み合わせて使用することもできる。
In the following, description will be given in order. First, the polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group will be described.
(Polymerizable monomer having (meth) acrylic group (A))
In the present invention, the polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group (hereinafter also simply referred to as “polymerizable monomer (A)”) is not particularly limited, and is used for photopolymerization. A known polymerizable monomer having a (meth) acryl group can be used. In addition, in the composition for photocurable nanoimprint of the present invention, in addition to the polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, other than the (meth) acryl group, as long as the effects of the present invention are not impaired. A polymerizable monomer having a polymerizable functional group may be included. This polymerizable monomer (A) does not contain an organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group described later. A preferable compound includes a polymerizable monomer having a (meth) acryl group and containing no silicon atom in the molecule. These polymerizable monomers (A) may be monofunctional polymerizable monomers having one (meth) acrylic group in one molecule, or two or more (meth) acrylic in one molecule. It may be a polyfunctional polymerizable monomer having a group. Furthermore, these monofunctional polymerizable monomers and polyfunctional polymerizable monomers can also be used in combination.

重合性単量体(A)の例を具体的に例示すれば、1分子中に1つの(メタ)アクリル基を有する単官能重合性単量体としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、イソミリスチル(メタ)アクリレート、n−ラウリル(メタ)アクリレート、n−ステアリル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート、長鎖アルキル(メタ)アクリレート、n−ブトキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル−ジグリコール(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミド、2−(2−ビニロキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、メトキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、エトキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、プロポキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、メトキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、エトキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、プロポキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、アダマンタン(メタ)アクリレート誘導体、アクリロイルモルホリン等の脂肪族アクリレート;ベンジル(メタ)アクリレート、フェノキシメチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、フェノキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、ヒドロキシフェノキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロフェノキシキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、ヒドロキシフェノキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、アルキルフェノールエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、アルキルフェノールプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、下記式(4)   If the example of a polymerizable monomer (A) is specifically illustrated, as a monofunctional polymerizable monomer which has one (meth) acryl group in 1 molecule, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (Meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) ) Acrylate, isomyristyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, n-stearyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, long chain alkyl (meth) acrylate, n-butoxyethyl (meth) acrylate, Butoxydiethylene glycol (meth) Chrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl-diglycol (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) Acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylamide, 2- (2- Vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, methoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, ethoxyethylene glycol modified (meth) acrylate Relate, propoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, methoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, ethoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, propoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, adamantane (meth) acrylate derivative Aliphatic acrylates such as acryloylmorpholine; benzyl (meth) acrylate, phenoxymethyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, phenoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, hydroxyphenoxyethyl (Meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate Hydro phenolate Kishikishi ethylene glycol-modified (meth) acrylate, hydroxyphenoxy propylene glycol-modified (meth) acrylate, alkyl phenol ethylene glycol-modified (meth) acrylate, alkyl phenol propylene glycol-modified (meth) acrylate, the following formula (4)

Figure 0006128990
Figure 0006128990


(式中、
10は、水素原子、またはメチル基であり、
11は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基であり、qは1〜6の整数である。)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体等の芳香環を有する(メタ)アクリレート等が挙げられる。

(Where
R 10 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 11 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and q is an integer of 1 to 6. And (meth) acrylate having an aromatic ring such as a monomer having an o-phenylphenol group in the molecule.

1分子中に2つの(メタ)アクリル基を有する多官能重合性単量体(2官能重合性単量体)としては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオレフィングリコールジ(メタ)アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−アクリロイロキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジメタクリロキシプロパン、ジオキサングリコールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、2−メチル−1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、ブチルエチルプロパンジオールジ(メタ)アクリレート、3−メチル−1,5−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート等の脂肪族ジ(メタ)アクリレート;エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エトキシ化ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、下記式(5)   As a polyfunctional polymerizable monomer (bifunctional polymerizable monomer) having two (meth) acryl groups in one molecule, for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, Polyolefin glycol di (meth) acrylate, ethoxylated polypropylene glycol di (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-1,3-dimethacryloxypropane, dioxane glycol di (meth) acrylate , Tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (Meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 2-methyl-1,8-octanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, butyl Aliphatic di (meth) acrylates such as ethylpropanediol di (meth) acrylate and 3-methyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate; ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, propoxylated ethoxylated bisphenol A Di (meth) acrylate, ethoxylated bisphenol F di (meth) acrylate, formula (5)

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、
12、R13は、それぞれ独立に水素原子、またはメチル基であり、
14、R15は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、又は下記式(6)で表される基であり、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。)
(Where
R 12 and R 13 are each independently a hydrogen atom or a methyl group,
R 14 and R 15 are an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the following formula (6). Also good. )

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中
16及びR17は、エチレン基、またはプロピレン基であり、nは1〜3の整数である。)
で示されるフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレート等の芳香環を有するジ(メタ)アクリレートが挙げられる。
(In the formula, R 16 and R 17 are an ethylene group or a propylene group, and n is an integer of 1 to 3.)
And di (meth) acrylate having an aromatic ring such as di (meth) acrylate having a fluorene structure represented by

さらに、該多官能重合性単量体において、1分子中に3つ以上の(メタ)アクリレート基を有する重合性単量体としては、エトキシ化グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリアクリレートが挙げられる。   Furthermore, in this polyfunctional polymerizable monomer, as the polymerizable monomer having three or more (meth) acrylate groups in one molecule, ethoxylated glycerin tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meta) ) Acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, Examples include ethoxylated pentaerythritol tetra (meth) acrylate and dipentaerythritol polyacrylate.

上記重合性単量体(A)の中でも、塩素系ガスのエッチング耐性を向上させることができるという点から、芳香環を有する重合性単量体を含むことが好ましく、例えば、ο−フェニルフェノール基を有する単量体、分子内にフルオレン構造を有する単量体や、前記式(4)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する(メタ)アクリレート、前記式(5)で示されるフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレートが挙げられる。   Among the polymerizable monomers (A), it is preferable to include a polymerizable monomer having an aromatic ring from the viewpoint that the etching resistance of chlorine-based gas can be improved. , A monomer having a fluorene structure in the molecule, a (meth) acrylate having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (4), and a fluorene represented by the formula (5) Examples thereof include di (meth) acrylate having a structure.

また、上記重合性単量体(A)は、使用する用途、形成するパターンの形状に応じて、単独でも良いし、複数種類のものを組み合わせて使用しても良い。   In addition, the polymerizable monomer (A) may be used alone or in combination of a plurality of types depending on the intended use and the shape of the pattern to be formed.

式(4)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する(メタ)アクリレートについて説明する。   The (meth) acrylate having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (4) will be described.

下記式(4)   Following formula (4)

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、
10は、水素原子、またはメチル基であり、
11は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基であり、qは1〜6の整数である。)
において、R10は水素原子あるいはメチル基である。これらの中でも水素原子のほうが、光硬化性ナノインプリント用組成物を硬化させる際の光硬化速度が速いので好ましい。
11は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基である。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基等のアルキレン基;1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基、2−ヒドロキシイソブチレン基、3−ヒドロキシイソブチレン基、1−ヒドロキシsec−ブチレン基、2−ヒドロキシsec−ブチレン基、3−ヒドロキシsec−ブチレン基、4−ヒドロキシsec−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシペンチレン基、2−ヒドロキシペンチレン基、3−ヒドロキシペンチレン基、4−ヒドロキシペンチレン基、5−ヒドロキシペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、1−ヒドロキシ−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシヘプチレン基、2−ヒドロキシヘプチレン基、3−ヒドロキシヘプチレン基、4−ヒドロキシヘプチレン基、5−ヒドロキシヘプチレン基、6−ヒドロキシヘプチレン基、7−ヒドロキシヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシオクチレン基、2−ヒドロキシオクチレン基、3−ヒドロキシオクチレン基、4−ヒドロキシオクチレン基、5−ヒドロキシオクチレン基、6−ヒドロキシオクチレン基、7−ヒドロキシオクチレン基、8−ヒドロキシオクチレン基、1−ヒドロキシ−2−オクチレン基、2−ヒドロキシ−2−オクチレン基、3−ヒドロキシ−2−オクチレン基、4−ヒドロキシ−2−オクチレン基、5−ヒドロキシ−2−オクチレン基、6−ヒドロキシ−2−オクチレン基、7−ヒドロキシ−2−オクチレン基、8−ヒドロキシ−2−オクチレン基、1−ヒドロキシ−3−オクチレン基、2−ヒドロキシ−3−オクチレン基、3−ヒドロキシ−3−オクチレ
ン基、4−ヒドロキシ−3−オクチレン基、5−ヒドロキシ−3−オクチレン基、6−ヒドロキシ−3−オクチレン基、7−ヒドロキシ−3−オクチレン基、8−ヒドロキシ−3−オクチレン基、1−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基等のヒドロキシアルキレン基が挙げられる。
(Where
R 10 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 11 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and q is an integer of 1 to 6. )
In the formula, R 10 is a hydrogen atom or a methyl group. Among these, a hydrogen atom is preferable because the photocuring speed when curing the photocurable nanoimprinting composition is high.
R 11 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms. Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-methylbutylene group, 2- Methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3,3-dimethylbutylene Group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group, 2- Methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methylpentylene Group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, Alkylene groups such as 2-propylpentylene group and 2,4,4-trimethylpentylene group; 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group 2-hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group 4-hydroxybutylene group, 1-hydroxyisobutylene group, 2-hydroxyisobutylene group, 3-hydroxyisobutylene group, 1-hydroxysec-butylene group, 2-hydroxysec-butylene group, 3-hydroxysec-butylene group, 4 -Hydroxy sec-butylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 3-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 1-hydroxy-2-methylbutylene group, 2-hydroxy-2-methylbutylene group , 3-hydroxy- 2-methylbutylene group, 4-hydroxy-2-methylbutylene group, 1-hydroxy-2-methyl-2-butylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-butylene Group, 1-hydroxy-3-methylbutylene group, 2-hydroxy-3-methylbutylene group, 3-hydroxy-3-methylbutylene group, 4-hydroxy-3-methylbutylene group, 1-hydroxy-3-methyl- 2-butylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 1-hydroxypentylene group 2-hydroxypentylene group, 3-hydroxypentylene group, 4-hydroxypentylene group, 5-hydroxypentylene group, 1-hydroxy 2-pentylene group, 2-hydroxy-2-pentylene group, 3-hydroxy-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-pentylene group 2-hydroxy-3-pentylene group, 3-hydroxy-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-pentylene group, 1-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 3-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group 2-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 1-hydroxy-3,3 Dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-2-ethylbutylene group, 2-hydroxy 2-ethylbutylene group, 3-hydroxy-2-ethylbutylene group, 4-hydroxy-2-ethylbutylene group, 1-hydroxy-hexylene group, 2-hydroxy-hexylene group, 3-hydroxy-hexylene group, 4- Hydroxy-hexylene group, 5-hydroxy-hexylene group, 6-hydroxy-hexylene group, 1-hydroxy-2-hexylene group, 2-hydroxy-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-hexylene group, 4-hydroxy- 2-hexylene group, 5-hydroxy-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-hexylene group, 1- Hydroxy-3-hexylene group, 2-hydroxy-3-hexylene group, 3-hydroxy-3-hexylene group, 4-hydroxy-3-hexylene group, 5-hydroxy-3-hexylene group, 6-hydroxy-3-hexylene Group, 1-hydroxy-2-methylpentylene group, 2-hydroxy-2-methylpentylene group, 3-hydroxy-2-methylpentylene group, 4-hydroxy-2-methylpentylene group, 5-hydroxy- 2-methylpentylene group, 1-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy- 2-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-pen Len group, 2-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl- 3-pentylene group, 1-hydroxy-3-methylpentylene group, 2-hydroxy-3-methylpentylene group, 3-hydroxy-3-methylpentylene group, 4-hydroxy-3-methylpentylene group, 5 -Hydroxy-3-methylpentylene group, 1-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 4 -Hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-methyl-3-pentylene 2-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-3- Pentylene group, 1-hydroxy-4-methylpentylene group, 2-hydroxy-4-methylpentylene group, 3-hydroxy-4-methylpentylene group, 4-hydroxy-4-methylpentylene group, 5-hydroxy -4-methylpentylene group, 1-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy -4-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group 3-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy- 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,3-dimethyl -3-pentylene group, 1-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group 4-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pe Tylene group, 2-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 1- Hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 1-hydroxyheptylene group, 2-hydroxyheptylene group, 3-hydroxyheptylene group, 4-hydroxyheptylene group, 5-hydroxyheptylene group, 6-hydroxyheptylene group, 7- Hydroxyheptylene group, 1-hydroxy-2-heptylene group, 2-hydroxy-2-heptylene group, 3-hydroxy-2-heptylene group, 4-hydroxy- -Heptylene group, 5-hydroxy-2-heptylene group, 6-hydroxy-2-heptylene group, 7-hydroxy-2-heptylene group, 1-hydroxy-3-heptylene group, 2-hydroxy-3-heptylene group, 3 -Hydroxy-3-heptylene group, 4-hydroxy-3-heptylene group, 5-hydroxy-3-heptylene group, 6-hydroxy-3-heptylene group, 7-hydroxy-3-heptylene group, 1-hydroxy-2- Methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy- 2-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 2-hydroxy-2-methyl-3-he Xylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl- 3-hexylene group, 1-hydroxy-5-methylhexylene group, 2-hydroxy-5-methylhexylene group, 3-hydroxy-5-methylhexylene group, 4-hydroxy-5-methylhexylene group, 5 -Hydroxy-5-methylhexylene group, 6-hydroxy-5-methylhexylene group, 1-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 2-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy -5-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, -Hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy-2-ethylhexylene group, 2-hydroxy-2-ethylhexylene group, 3-hydroxy-2-ethylhexylene group, 4-hydroxy-2 -Ethylhexylene group, 5-hydroxy-2-ethylhexylene group, 6-hydroxy-2-ethylhexylene group, 1-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 2-hydroxy-6-methyl-2 -Heptylene group, 3-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 4-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 5-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 6-hydroxy-6-methyl 2-heptylene group, 7-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 1-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 2-hydroxyl -4-methyl-3-heptylene group, 3-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 4-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 5-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 6 -Hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 1-hydroxyoctylene group, 2-hydroxyoctylene group, 3-hydroxyoctylene group, 4-hydroxyoctylene group, 5-hydroxyoctylene group, 6-hydroxy Octylene group, 7-hydroxyoctylene group, 8-hydroxyoctylene group, 1-hydroxy-2-octylene group, 2-hydroxy-2-octylene group, 3-hydroxy-2-octylene group, 4-hydroxy-2 -Octylene group, 5-hydroxy-2-octylene group, 6-hydroxy-2-octylene group, 7-hydroxy-2-o Cutylene group, 8-hydroxy-2-octylene group, 1-hydroxy-3-octylene group, 2-hydroxy-3-octylene group, 3-hydroxy-3-octylene group, 4-hydroxy-3-octylene group, 5- Hydroxy-3-octylene group, 6-hydroxy-3-octylene group, 7-hydroxy-3-octylene group, 8-hydroxy-3-octylene group, 1-hydroxy-2-propylpentylene group, 2-hydroxy-2 -Propylpentylene group, 3-hydroxy-2-propylpentylene group, 4-hydroxy-2-propylpentylene group, 5-hydroxy-2-propylpentylene group, 1-hydroxy-2,4,4-trimethyl Pentylene group, 2-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 3-hydroxy-2,4,4-trime Rupenchiren groups include hydroxy alkylene groups such as 5-hydroxy-2,4,4-trimethyl pentylene group.

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基または1−ヒドロキシメチレン基、2−ヒドロキシメチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキレン基が好ましい。   Among these, an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, and a butylene group, or a 1-hydroxymethylene group, a 2-hydroxymethylene group, a 1-hydroxypropylene group, 2- Hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, 4 A hydroxyalkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as a hydroxybutylene group is preferred.

式(4)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する(メタ)アクリレートとして、例えば、3−ο−フェニルフェノールメチル(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールエチル(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールプロピル(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールブチル(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールジエトキシ(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールトリエトキシ(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールテトラエトキシ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−ο−フェニルフェノールプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−ο−フェニルフェノールブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ−3−ο−フェニルフェノールプロピル(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Examples of the (meth) acrylate having a ο-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (4) include, for example, 3-ο-phenylphenolmethyl (meth) acrylate, 3-ο-phenylphenolethyl (meth) acrylate, 3 -Ο-phenylphenol propyl (meth) acrylate, 3-ο-phenylphenol butyl (meth) acrylate, 3-ο-phenylphenol diethoxy (meth) acrylate, 3-ο-phenylphenol triethoxy (meth) acrylate, 3 -Ο-phenylphenol tetraethoxy (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-ο-phenylphenolpropyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-ο-phenylphenolbutyl (meth) acrylate, 3-hydroxy-3- ο-Phenylpheno And rupropyl (meth) acrylate.

式(5)で示される分子内にフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレートについて説明する。   The di (meth) acrylate having a fluorene structure in the molecule represented by the formula (5) will be described.

下記式(5)   Following formula (5)

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、
12、R13は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基であり、
14、R15は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、又は下記式(6)で表される基であり、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。)
(Where
R 12 and R 13 are each independently a hydrogen atom or a methyl group,
R 14 and R 15 are an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the following formula (6). Also good. )

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中
16及びR17は、エチレン基、またはプロピレン基であり、nは1〜3の整数である。)
において、R12、R13はそれぞれ独立に水素原子あるいはメチル基である。これらの中でも水素原子のほうが、光硬化性ナノインプリント用組成物を硬化させる際の光硬化速度が速いので好ましい。
(In the formula, R 16 and R 17 are an ethylene group or a propylene group, and n is an integer of 1 to 3.)
In these, R 12 and R 13 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. Among these, a hydrogen atom is preferable because the photocuring speed when curing the photocurable nanoimprinting composition is high.

14、R15は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、又は式(6)で表される基である。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基等のアルキレン基;トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基等のポリメチレン基、1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基、2−ヒドロキシイソブチレン基、3−ヒドロキシイソブチレン基、1−ヒドロキシsec−ブチレン基、2−ヒドロキシsec−ブチレン基、3−ヒドロキシsec−ブチレン基、4−ヒドロキシsec−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシペンチレン基、2−ヒドロキシペンチレン基、3−ヒドロキシペンチレン基、4−ヒドロキシペンチレン基、5−ヒドロキシペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、1−ヒドロキシ−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシヘプチレン基、2−ヒドロキシヘプチレン基、3−ヒドロキシヘプチレン基、4−ヒドロキシヘプチレン基、5−ヒドロキシヘプチレン基、6−ヒドロキシヘプチレン基、7−ヒドロキシヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシオクチレン基、2−ヒドロキシオクチレン基、3−ヒドロキシオクチレン基、4−ヒドロキシオクチレン基、5−ヒドロキシオクチレン基、6−ヒドロキシオクチレン基、7−ヒドロキシオクチレン基、8−ヒドロキシオクチレン基、1−ヒドロキシ−2−オクチレン基、2−ヒドロキシ−2−オクチレン基、3−ヒドロキシ−2−オクチレン基、4−ヒドロキシ−2−オクチレン基、5−ヒドロキシ−2−オクチレン基
、6−ヒドロキシ−2−オクチレン基、7−ヒドロキシ−2−オクチレン基、8−ヒドロキシ−2−オクチレン基、1−ヒドロキシ−3−オクチレン基、2−ヒドロキシ−3−オクチレン基、3−ヒドロキシ−3−オクチレン基、4−ヒドロキシ−3−オクチレン基、5−ヒドロキシ−3−オクチレン基、6−ヒドロキシ−3−オクチレン基、7−ヒドロキシ−3−オクチレン基、8−ヒドロキシ−3−オクチレン基、1−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基等のヒドロキシアルキレン基が挙げられる。
R 14 and R 15 are an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the formula (6). Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-methylbutylene group, 2- Methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3,3-dimethylbutylene Group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group, 2- Methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methylpentylene Group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, Alkylene groups such as 2-propylpentylene, 2,4,4-trimethylpentylene; trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, hexamethylene, heptam Polymethylene groups such as len group, octamethylene group, nonamethylene group, decamethylene group, 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group, 2-hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxy Isopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, 4-hydroxybutylene group, 1-hydroxyisobutylene group, 2- Hydroxyisobutylene group, 3-hydroxyisobutylene group, 1-hydroxysec-butylene group, 2-hydroxysec-butylene group, 3-hydroxysec-butylene group, 4-hydroxysec-butylene group, 1-hydroxy-2,2- Jime Tylpropylene group, 3-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 1-hydroxy-2-methylbutylene group, 2-hydroxy-2-methylbutylene group, 3-hydroxy-2-methylbutylene group, 4-hydroxy- 2-methylbutylene group, 1-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 3-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 1-hydroxy-3-methylbutylene Group, 2-hydroxy-3-methylbutylene group, 3-hydroxy-3-methylbutylene group, 4-hydroxy-3-methylbutylene group, 1-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3 -Methyl-2-butylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-butylene 1-hydroxypentylene group, 2-hydroxypentylene group, 3-hydroxypentylene group, 4-hydroxypentylene group, 5-hydroxypentylene group, 1-hydroxy-2-pentylene group, 2-hydroxy-2 -Pentylene group, 3-hydroxy-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-pentylene group, 2-hydroxy-3-pentylene group, 3 -Hydroxy-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-pentylene group, 1-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene Group, 3-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group 1-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 2-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 1-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group 2-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-2-ethylbutylene group, 2-hydroxy-2-ethylbutylene group 3-hydroxy-2-ethylbutylene group, 4-hydroxy-2-ethylbutylene group, 1-hydroxy-hexylene group, 2-hydroxy-hexylene group, 3-hydroxy-hexylene group, 4-hydroxy-hexylene group, 5 -Hydroxy-hexylene group, 6-hydroxy-hexylene group, 1-hydroxy-2-hexylene group, 2-hydroxy-2 -Hexylene group, 3-hydroxy-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-hexylene group, 5-hydroxy-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-hexylene group, 1-hydroxy-3-hexylene group, 2 -Hydroxy-3-hexylene group, 3-hydroxy-3-hexylene group, 4-hydroxy-3-hexylene group, 5-hydroxy-3-hexylene group, 6-hydroxy-3-hexylene group, 1-hydroxy-2- Methylpentylene group, 2-hydroxy-2-methylpentylene group, 3-hydroxy-2-methylpentylene group, 4-hydroxy-2-methylpentylene group, 5-hydroxy-2-methylpentylene group, 1 -Hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-2 Methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 2-hydroxy- 2-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 1- Hydroxy-3-methylpentylene group, 2-hydroxy-3-methylpentylene group, 3-hydroxy-3-methylpentylene group, 4-hydroxy-3-methylpentylene group, 5-hydroxy-3-methylpentylene Len group, 1-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl 2-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-3 -Methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 1-hydroxy -4-methylpentylene group, 2-hydroxy-4-methylpentylene group, 3-hydroxy-4-methylpentylene group, 4-hydroxy-4-methylpentylene group, 5-hydroxy-4-methylpentylene Group, 1-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4-methyl-2- Pentylene group, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2, 2-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-2,3-dimethyl-3 -Pentylene group, 2-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 1 -Hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pe Tylene group, 4-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 2- Hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-ethyl -3-pentylene group, 2-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 1-hydroxyheptyl Len group, 2-hydroxyheptylene group, 3-hydroxyheptylene group, 4-hydroxyheptylene group, 5-hydroxyheptylene group, 6-hydroxyheptene group Len group, 7-hydroxyheptylene group, 1-hydroxy-2-heptylene group, 2-hydroxy-2-heptylene group, 3-hydroxy-2-heptylene group, 4-hydroxy-2-heptylene group, 5-hydroxy 2-heptylene group, 6-hydroxy-2-heptylene group, 7-hydroxy-2-heptylene group, 1-hydroxy-3-heptylene group, 2-hydroxy-3-heptylene group, 3-hydroxy-3-heptylene group 4-hydroxy-3-heptylene group, 5-hydroxy-3-heptylene group, 6-hydroxy-3-heptylene group, 7-hydroxy-3-heptylene group, 1-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy- 2-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 2-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 3- Hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 1-hydroxy-5-methylhexylene group, 2-hydroxy-5-methylhexylene group, 3-hydroxy-5-methylhexylene group, 4-hydroxy-5-methylhexylene group, 5-hydroxy-5- Methylhexylene group, 6-hydroxy-5-methylhexylene group, 1-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 2-hydroxy-5-methyl- -Hexylene group, 3-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy-5-methyl 2-hexylene group, 1-hydroxy-2-ethylhexylene group, 2-hydroxy-2-ethylhexylene group, 3-hydroxy-2-ethylhexylene group, 4-hydroxy-2-ethylhexylene group, 5-hydroxy-2-ethylhexylene group, 6-hydroxy-2-ethylhexylene group, 1-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 2-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 3- Hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 4-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 5-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group Group, 6-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 7-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 1-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 2-hydroxy-4-methyl-3 -Heptylene group, 3-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 4-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 5-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 6-hydroxy-4-methyl -3-heptylene group, 1-hydroxyoctylene group, 2-hydroxyoctylene group, 3-hydroxyoctylene group, 4-hydroxyoctylene group, 5-hydroxyoctylene group, 6-hydroxyoctylene group, 7- Hydroxyoctylene group, 8-hydroxyoctylene group, 1-hydroxy-2-octylene group, 2-hydroxy-2-octylene group, 3 -Hydroxy-2-octylene group, 4-hydroxy-2-octylene group, 5-hydroxy-2-octylene group, 6-hydroxy-2-octylene group, 7-hydroxy-2-octylene group, 8-hydroxy-2- Octylene group, 1-hydroxy-3-octylene group, 2-hydroxy-3-octylene group, 3-hydroxy-3-octylene group, 4-hydroxy-3-octylene group, 5-hydroxy-3-octylene group, 6- Hydroxy-3-octylene group, 7-hydroxy-3-octylene group, 8-hydroxy-3-octylene group, 1-hydroxy-2-propylpentylene group, 2-hydroxy-2-propylpentylene group, 3-hydroxy 2-propylpentylene group, 4-hydroxy-2-propylpentylene group, 5-hydroxy-2-pro Rupentylene group, 1-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 2-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 3-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 5- Examples include hydroxyalkylene groups such as hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group.

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基又は、1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキレン基、又は式(6)において、R16及びR17がエチレン基であり、かつnが1〜2の基又はR16及びR17がプロピレン基であり、かつnが1〜2の基が好ましい。 Among these, an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group, 2 -Hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, A hydroxyalkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as 4-hydroxybutylene group and 1-hydroxyisobutylene group, or a group of formula (6), wherein R 16 and R 17 are ethylene groups, and n is 1 to 2 or R 16 and R 17 are propylene groups, and n is preferably 1 or 2 groups. Good.

式(5)で示される分子内にフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレートとして、例えば、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシメトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシイソプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシブチルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシエチルエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシイソプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシブチルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエチレングリコキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシプロピレングリコキシ)フェニル]フルオレン等が挙げられる。
(金属アルコキシド(B))
本発明においては、下記式(1)
Examples of the di (meth) acrylate having a fluorene structure in the molecule represented by the formula (5) include 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxymethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis. [4- (2- (meth) acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxypropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2 -(Meth) acryloyloxyisopropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxybutyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth)) Acryloyloxyhydroxyethylethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxy) Roxypropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyhydroxyisopropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyhydroxybutyl) Oxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyethyleneglycoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxypropyleneglycoxy) Phenyl] fluorene and the like.
(Metal alkoxide (B))
In the present invention, the following formula (1)

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、
Mは、タングステンであり、
は、炭素数1〜10のアルキル基であり、同一の基であっても、異なる基であってもよく
は6または5である。)
で示される金属アルコキシド(以下、単に「金属アルコキシド」ともいう)を使用する。該金属アルコキシドは、単独で用いても、該金属アルコキシド同士の混合物であっても良い。
(Where
M is a tungsten down,
R 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same group or different groups ,
p is 6 or 5. )
The metal alkoxide shown below (hereinafter also simply referred to as “metal alkoxide”) is used. The metal alkoxide may be used alone or a mixture of the metal alkoxides.

該金属アルコキシドを使用することで、塩素系ガス、酸素系ガス、フッ素系ガス等に対するエッチング耐性が向上し、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性の優れた硬化膜を形成することができる。そして、金属アルコキシドの使用量で、塩素系ガスのエッチング速度を調整することもできる。   By using the metal alkoxide, etching resistance to chlorine-based gas, oxygen-based gas, fluorine-based gas and the like is improved, and a cured film having particularly excellent etching resistance to chlorine-based gas can be formed. And the etching rate of chlorine gas can also be adjusted with the usage-amount of a metal alkoxide.

前記式(1)において、Mは、より塩素系ガスに対するエッチング耐性を高めるためにはタングステンであることが好ましい。   In the above formula (1), M is preferably tungsten in order to further improve the etching resistance against chlorine gas.

また、酸化タングステンアルコキシド(IV)等の酸化タングステンアルコキシドも本発明の効果を損なわない範囲内で含んでいても良い。   Further, tungsten oxide alkoxides such as tungsten oxide alkoxide (IV) may be included within a range not impairing the effects of the present invention.

本発明において、光硬化性ナノインプリント用組成物の製造方法として、積極的に水を添加するものではないが、大気中や溶剤に含まれる水にて、(B)金属アルコキシドおよび、後述する(E)(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物や(F)有機珪素化合物のアルコキシ基の一部が加水分解された該加水分解物の混合物や、該加水分解物同士の重縮合物を本発明の効果を害さない範囲で含んでいても良い。   In the present invention, water is not actively added as a method for producing a photocurable nanoimprinting composition, but (B) a metal alkoxide and water described later (E ) (Meth) acrylic group-containing organosilicon compound, (F) a mixture of the hydrolyzate obtained by hydrolyzing a part of the alkoxy group of the organosilicon compound, and a polycondensate of the hydrolysates of the present invention. You may include in the range which does not injure an effect.

前記式(1)の金属アルコキシドは、大気中や溶剤に含まれる水、あるいは後述するβーヒドロキシケトン類との反応により、アルコールが生成する場合があるが、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、あるいはその後の乾燥工程で、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましい。 The metal alkoxide of the formula (1) may generate an alcohol by reaction with water or water contained in a solvent or a β-hydroxyketone described later, but can be easily mixed with other components. In particular, R 1 is a methyl group, an ethyl group, or a propyl group. And an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as isopropyl group and butyl group.

好適な金属アルコキシドを例示すれば、ヘキサメチルタングステンアルコキシド、ヘキサエチルタングステンアルコキシド、ヘキサイソプロピルタングステンアルコキシド、ヘキサプロピルタングステンアルコキシド、ヘキサイソブチルタングステンアルコキシド、ヘキサブチルタングステンアルコキシド、ヘキサペンチルタングステンアルコキシド、ヘキサヘキシルタングステンアルコキシド、ヘキサヘプチルタングステンアルコキシド、ヘキサオクチルタングステンアルコキシド、ヘキサノニルタングステンアルコキシド、ヘキサデシルタングステンアルコキシド、ペンタメチルタングステンアルコキシド、ペンタエチルタングステンアルコキシド、ペンタイソプロピルタングステンアルコキシド、ペンタプロピルタングステンアルコキシド、ペンタイソブチルタングステンアルコキシド、ペンタブチルタングステンアルコキシド、ペンタペンチルタングステンアルコキシド、ペンタヘキシルタングステンアルコキシド、ペンタヘプチルタングステンアルコキシド、ペンタオクチルタングステンアルコキシド、ペンタノニルタングステンアルコキシド、ペンタデシルタングステンアルコキシド;ペンタメチルモリブデンアルコキシド、ペンタエチルモリブデンアルコキシド、ペンタイソプロピルモリブデンアルコキシド、ペンタプロピルモリブデンアルコキシド、ペンタイソブチルモリブデンアルコキシド、ペンタブチルモリブデンアルコキシド、ペンタペンチルモリブデンアルコキシド、ペンタヘキシルモリブデンアルコキシド、ペンタヘプチルモリブデンアルコキシド、ペンタオクチルモリブデンアルコキシド、ペンタノニルモリブデンアルコキシド、ペンタデシルモリブデンアルコキシド;ペンタメチルニオブアルコキシド、ペンタエチルニオブアルコキシド、ペンタイソプロピルニオブアルコキシド、ペンタプロピルニオブアルコキシド、ペンタイソブチルニオブアルコキシド、ペンタブチルニオブアルコキシド、ペンタペンチルニオブアルコキシド、ペンタヘキシルニオブアルコキシド、ペンタヘプチルニオブアルコキシド、ペンタオクチルニオブアルコキシド、ペンタノニルニオブアルコキシド、ペンタデシルニオブアルコキシド;テトラメチルスズアルコキシド、テトラエチルスズアルコキシド、テトライソプロピルスズアルコキシド、テトラプロピルスズアルコキシド、テトライソブチルスズアルコキシド、テトラブチルスズアルコキシド、テトラペンチルスズアルコキシド、テトラヘプチルスズアルコキシド、テトラヘキシスズアルコキシド、テトラヘプチルスズアルコキシド、テトラオクチルスズアルコキシド、テトラノニルスズアルコキシド、テトラデシルスズアルコキシド;テトラメチルハフニウムアルコキシド、テトラエチルハフニウムアルコキシド、テトライソプロピルハフニウムアルコキシド、テトラプロピルハフニウムアルコキシド、テトライソブチルハフニウムアルコキシド、テトラブチルハフニウムアルコキシド、テトラペンチルハフニウムアルコキシド、テトラヘプチルハフニウムアルコキシド、テトラヘキシハフニウムアルコキシド、テトラヘプチルハフニウムアルコキシド、テトラオクチルハフニウムアルコキシド、テトラノニルハフニウムアルコキシド、テトラデシルハフニウムアルコキシド;トリメチルインジウムアルコキシド、トリエチルインジウムアルコキシド、トリイソプロピルインジウムアルコキシド、トリプロピルインジウムアルコキシド、トリイソブチルインジウムアルコキシド、トリブチルインジウムアルコキシド、トリペンチルインジウムアルコキシド、トリヘキシルインジウムアルコキシド、トリヘプチルインジウムアルコキシド、トリオクチルインジウムアルコキシド、トリノニルインジウムアルコキシド、トリデシルインジウムアルコキシド;トリメチルアンチモンアルコキシド、トリエチルアンチモンアルコキシド、トリイソプロピルアンチモンアルコキシド、トリプロピルアンチモンアルコキシド、トリイソブチルアンチモンアルコキシド、トリブチルアンチモンアルコキシド、トリペンチルアンチモンアルコキシド、トリヘキシルアンチモンアルコキシド、トリヘプチルアンチモンアルコキシド、トリオクチルアンチモンアルコキシド、トリノニルアンチモンアルコキシド、トリデシルアンチモンアルコキシドが挙げられる。その中でも、ペンタエチルタングステンアルコキシド、ペンタイソプロピルタングステンアルコキシド、ペンタプロピルタングステンアルコキシド、ペンタイソブチルタングステンアルコキシド、ペンタブチルタングステンアルコキシドが好ましい。
(β−ヒドロキシケトン類(C))
本発明において、金属アルコキシドとβ−ヒドロキシケトン類を併用することで、メタ)アクリル基を有する重合性単量体と混合物を作製した際に、金属アルコキシドの加水分解に由来すると思われる沈殿の発生や変色を抑えることができ、結果的に、パターンの転写性や、パターンと基板との密着性といったナノインプリント用組成物としての特性を実用上問題のない程度に維持しつつ、塩素系ガスのエッチング耐性が向上するとともに、長期間保存安定性に優れた本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を得ることができる。βーヒドロキシケトンと構造が類似しているαージケトン類を用いた場合は短時間での安定性は良好ではあるものの、長期間保存安定性は、改善の余地があった。なお、本明細書でいう短時間の安定性は、組成物を調整した後から50℃で7日以内における安定性を意味し、長期間安定性とは組成物を調整後から50℃で21日以上の長期間の安定性を意味する。
Examples of suitable metal alkoxides include hexamethyl tungsten alkoxide, hexaethyl tungsten alkoxide, hexaisopropyl tungsten alkoxide, hexapropyl tungsten alkoxide, hexaisobutyl tungsten alkoxide, hexabutyl tungsten alkoxide, hexapentyl tungsten alkoxide, hexahexyl tungsten alkoxide, hexa Heptyl tungsten alkoxide, hexaoctyl tungsten alkoxide, hexanonyl tungsten alkoxide, hexadecyl tungsten alkoxide, pentamethyl tungsten alkoxide, pentaethyl tungsten alkoxide, pentaisopropyl tungsten alkoxide, pentapropyl tungsten alkoxide Pentapentyl tungsten alkoxide, pentabutyl tungsten alkoxide, pentapentyl tungsten alkoxide, pentahexyl tungsten alkoxide, pentaheptyl tungsten alkoxide, pentaoctyl tungsten alkoxide, pentanonyl tungsten alkoxide, pentadecyl tungsten alkoxide; pentamethyl molybdenum alkoxide, pentaethyl molybdenum Alkoxide, pentaisopropyl molybdenum alkoxide, pentapropyl molybdenum alkoxide, pentaisobutyl molybdenum alkoxide, pentabutyl molybdenum alkoxide, pentapentyl molybdenum alkoxide, pentahexyl molybdenum alkoxide, pentaheptyl molybdenum alkoxide, Taoctyl molybdenum alkoxide, pentanonyl molybdenum alkoxide, pentadecyl molybdenum alkoxide; pentamethyl niobium alkoxide, pentaethyl niobium alkoxide, pentaisopropyl niobium alkoxide, pentapropyl niobium alkoxide, pentaisobutyl niobium alkoxide, pentabutyl niobium alkoxide, pentapentyl niobium alkoxide, Pentahexyl niobium alkoxide, pentaheptyl niobium alkoxide, pentaoctyl niobium alkoxide, pentanonyl niobium alkoxide, pentadecyl niobium alkoxide; tetramethyltin alkoxide, tetraethyltin alkoxide, tetraisopropyltin alkoxide, tetrapropyltin alkoxide, tetraisobutyltin alkoxide Sid, tetrabutyltin alkoxide, tetrapentyltin alkoxide, tetraheptyltin alkoxide, tetrahexyltin alkoxide, tetraheptyltin alkoxide, tetraoctyltin alkoxide, tetranonyltin alkoxide, tetradecyltin alkoxide; tetramethylhafnium alkoxide, tetraethylhafnium alkoxide , Tetraisopropyl hafnium alkoxide, tetrapropyl hafnium alkoxide, tetraisobutyl hafnium alkoxide, tetrabutyl hafnium alkoxide, tetrapentyl hafnium alkoxide, tetraheptyl hafnium alkoxide, tetrahexyl hafnium alkoxide, tetraheptyl hafnium alkoxide, tetraoctyl hafnium alkoxy , Tetranonyl hafnium alkoxide, tetradecyl hafnium alkoxide; trimethyl indium alkoxide, triethyl indium alkoxide, triisopropyl indium alkoxide, tripropyl indium alkoxide, triisobutyl indium alkoxide, tributyl indium alkoxide, tripentyl indium alkoxide, trihexyl indium alkoxide, triheptyl Indium alkoxide, trioctyl indium alkoxide, trinonyl indium alkoxide, tridecyl indium alkoxide; trimethylantimony alkoxide, triethylantimony alkoxide, triisopropylantimony alkoxide, tripropylantimony alkoxide, triisobutylan Mon alkoxides, tributyl antimony alkoxides, tripentyl antimony alkoxides, trihexyl antimony alkoxides, triheptyl antimony alkoxides, trioctyl antimony alkoxides, trinonylamine antimony alkoxides include tridecyl antimony alkoxides. Among these, pentaethyl tungsten alkoxide, pentaisopropyl tungsten alkoxide, pentapropyl tungsten alkoxide, pentaisobutyl tungsten alkoxide, and pentabutyl tungsten alkoxide are preferable.
(Β-hydroxy ketones (C))
In the present invention, by using a metal alkoxide and a β-hydroxyketone in combination, when a mixture of a polymerizable monomer having a meth) acrylic group is produced, the occurrence of precipitation that is thought to be derived from the hydrolysis of the metal alkoxide As a result, etching of chlorine-based gas while maintaining the characteristics of nanoimprinting compositions such as pattern transferability and adhesion between the pattern and the substrate to such a level that there is no practical problem. The composition for photocurable nanoimprinting of the present invention having improved resistance and excellent long-term storage stability can be obtained. When α-diketones having a structure similar to β-hydroxyketone are used, stability in a short time is good, but long-term storage stability has room for improvement. The short-term stability in the present specification means the stability within 7 days at 50 ° C. after adjusting the composition, and the long-term stability is 21 at 50 ° C. after adjusting the composition. Means long-term stability over a day.

(メタ)アクリル基を有する重合性単量体に本願発明の金属アルコキシドを含有させると、短時間で沈殿物、ゲル化物が生じるが、該沈殿物等は、組成物中に後述する(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物や有機珪素化合物が存在しない場合に特に顕著に生じる。
本発明で用いられるβ−ヒドロキシケトン類としては、β−ヒドロキシケトン骨格(O=C-C-C-OH)を有する化合物を意味し、その中でも、下記式(7)で示されるβ−ヒドロキシケトン類が好適である。
When the metal alkoxide of the present invention is contained in a polymerizable monomer having a (meth) acryl group, a precipitate and a gelled product are formed in a short time, and the precipitate is described later in the composition (meth). This is particularly noticeable when there is no organosilicon compound or organosilicon compound having an acrylic group.
The β-hydroxy ketones used in the present invention mean a compound having a β-hydroxy ketone skeleton (O = CCC-OH), and among them, β-hydroxy ketones represented by the following formula (7) are preferable. It is.

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、R18は、置換されていてもよいアルキル基または置換されていても良いアリール基であり、R19〜R22は、水素または置換されていてもよいアルキル基または置換されていても良いアリール基であり、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。)
前記式(7)において置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。また置換基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロピオキシ基、ブトキシ基、ジエチレングリコール基、トリエチレングリコール基、水酸基、ハロゲン等が例示され、なかでも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。前記式(7)において置換されていてもよいアリール基としては、炭素数6〜12のアリール基が好ましい。また置換基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロピオキシ基、ブトキシ基、ジエチレングリコール基、トリエチレングリコール基、フェニル基、水酸基、ハロゲン等が例示され、なかでも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
該β−ヒドロキシケトン類は、単独で用いても、該β−ヒドロキシケトン類同士の混合物であっても良い。本発明で用いられるβ−ヒドロキシケトン類として具体的に例示すると、例えば、4−ヒドロキシ−2−ブタノン、4−ヒドロキシ−5,5−ジメチル−2−ヘキサノン、3−メチル−4−ヒドロキシ−2−ブタノン、3,3’−ジメチル−4−ヒドロキシ−2−ブタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−5−フェニル−2−ペンタノン、3−ヒドロキシ−1,3−ジフェニル−1−プロパノン、3−ヒドロキシ−1−フェニル−3−(4−メトキシフェニル)−1−プロパノン、3−ヒドロキシ−1−(3、4、5−トリメトキシフェニル)−3−フェニル−1−プロパノン、3−ヒドロキシ−1−(3、4−メチレンジオキシフェニル)−3−フェニル−1−プロパノン、3−ヒドロキシ−1−(4−メチルフェニル)−3−フェニル−1−プロパノン、3−ヒドロキシ−1−(3−メトキシフェニル)−3−フェニル−1−プロパノン、4−(2−メチルフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブタノン、4−フェニル−4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン、4−(4−フルオロフェニル)−4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン等を挙げることができる。その中でも、4−ヒドロキシ−2−ブタノン、4−ヒドロキシ−5,5−ジメチル−2−ヘキサノン、3−メチル−4−ヒドロキシ−2−ブタノン、3,3’−ジメチル−4−ヒドロキシ−2−ブタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンが好ましい。
(In the formula, R 18 is an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aryl group, and R 19 to R 22 are hydrogen or an optionally substituted alkyl group or a substituted group. And may be the same or different groups.
The alkyl group which may be substituted in the formula (7) is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the substituent include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a diethylene glycol group, a triethylene glycol group, a hydroxyl group, and a halogen. Of these, a methoxy group and an ethoxy group are preferable. The aryl group which may be substituted in the formula (7) is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Examples of the substituent include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a diethylene glycol group, a triethylene glycol group, a phenyl group, a hydroxyl group, and a halogen. Among them, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.
The β-hydroxy ketones may be used alone or may be a mixture of the β-hydroxy ketones. Specific examples of β-hydroxyketones used in the present invention include, for example, 4-hydroxy-2-butanone, 4-hydroxy-5,5-dimethyl-2-hexanone, 3-methyl-4-hydroxy-2. -Butanone, 3,3'-dimethyl-4-hydroxy-2-butanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, 4-hydroxy-4-methyl-5-phenyl-2-pentanone, 3-hydroxy- 1,3-diphenyl-1-propanone, 3-hydroxy-1-phenyl-3- (4-methoxyphenyl) -1-propanone, 3-hydroxy-1- (3,4,5-trimethoxyphenyl) -3 -Phenyl-1-propanone, 3-hydroxy-1- (3,4-methylenedioxyphenyl) -3-phenyl-1-propanone, 3-hydroxy- -(4-Methylphenyl) -3-phenyl-1-propanone, 3-hydroxy-1- (3-methoxyphenyl) -3-phenyl-1-propanone, 4- (2-methylphenyl) -4-hydroxy- Examples include 2-butanone, 4-phenyl-4-hydroxy-3-methyl-2-butanone, 4- (4-fluorophenyl) -4-hydroxy-3-methyl-2-butanone, and the like. Among them, 4-hydroxy-2-butanone, 4-hydroxy-5,5-dimethyl-2-hexanone, 3-methyl-4-hydroxy-2-butanone, 3,3′-dimethyl-4-hydroxy-2- Butanone and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone are preferred.

β−ヒドロキシケトン類を配合することにより、長期間保存安定性が向上する理由は以下のように推定している。すなわち、アルコキシ基の一部を置換してキレート配位することで、金属アルコキシドの中心金属の正の分極を小さくする効果の他に、β−ヒドロキシケトン類のOH基がアルコキシ基と置換または配位することで、誘起効果が一層高まり、このことにより、(メタ)アクリル基含有重合性単量体中において、金属アルコキシドの加水分解反応が抑制されたからと推定している。   The reason why the long-term storage stability is improved by blending β-hydroxy ketones is estimated as follows. That is, by replacing a part of the alkoxy group and performing chelate coordination, in addition to the effect of reducing the positive polarization of the central metal of the metal alkoxide, the OH group of β-hydroxy ketones is substituted or coordinated with the alkoxy group. It is presumed that the hydrolysis effect of the metal alkoxide was suppressed in the (meth) acrylic group-containing polymerizable monomer due to the increased induction effect.

((メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物)
本発明においては、さらに、(E)下記式(2)
(Organic silicon compound having (meth) acrylic group)
In the present invention, (E) the following formula (2)

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数3〜10のシクロアルキレン基または炭素数2〜20のアルキレンエーテルであり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
またはR として選択された基に含まれる水素原子は、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基で置換されていても良い。lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、その複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。)
で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(以下、単に「(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物」ともいう)を含むことができる。
(Where
R 2 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 3 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms, or an alkylene ether having 2 to 20 carbon atoms,
R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 5 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
A hydrogen atom contained in a group selected as R 3 or R 4 may be substituted with an alkyl group, an aryl group, a halogen, or a hydroxyl group. l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
R 2, R 3, R 4 and R 5 are each, when there are a plurality, the plurality of R 2, R 3, R 4 and R 5 may each be the same or different groups. )
And an organosilicon compound having a (meth) acryl group (hereinafter also referred to simply as “organosilicon compound having a (meth) acryl group”).

この(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物を使用することにより、分散性のよい光硬化性ナノインプリント用組成物が得られ、濾過による精製が容易となり生産性が良好となる。また、光硬化により得られる硬化膜の微細な構造において、無機成分と有機成分とが比較的均質な状態で分散したものとなり(無機成分が極端に凝集したような分散状態とはならない)、基材との密着性も良好となる。その結果、均一な転写パターン、および均一な残膜を形成することができると推定される。また、該(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物は、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体中において、金属アルコキシドと共存させた場合において、上記した金属アルコキシド由来と考えられる沈殿物の生成を抑制することができる。これは、金属アルコキシドと(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物との加水分解反応による反応物の(メタ)アクリレート系重合性単量体に対する溶解性が高いからであると推定している。   By using this organosilicon compound having a (meth) acrylic group, a photocurable nanoimprinting composition with good dispersibility can be obtained, which facilitates purification by filtration and improves productivity. Moreover, in the fine structure of the cured film obtained by photocuring, the inorganic component and the organic component are dispersed in a relatively homogeneous state (the dispersed state is not such that the inorganic component is extremely aggregated). Adhesion with the material is also improved. As a result, it is estimated that a uniform transfer pattern and a uniform residual film can be formed. In addition, the organosilicon compound having a (meth) acryl group is a precipitate that is considered to be derived from the metal alkoxide when coexisting with a metal alkoxide in a polymerizable monomer having a (meth) acryl group. Generation can be suppressed. This is presumed to be because the solubility of the reaction product by the hydrolysis reaction between the metal alkoxide and the organosilicon compound having a (meth) acrylic group in the (meth) acrylate polymerizable monomer is high.

前記式(2)において、Rは水素原子あるいはメチル基である。これらの中でも水素原子のほうが、光硬化性ナノインプリント用組成物を硬化させる際の光硬化速度が速いので好ましい。 In the formula (2), R 2 is a hydrogen atom or a methyl group. Among these, a hydrogen atom is preferable because the photocuring speed when curing the photocurable nanoimprinting composition is high.

は、炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数3〜10のシクロアルキレン基または炭素数2〜20のアルキレンエーテル基である。なお、アルキレンエーテル基とは、−R−O−R−(R及びRはアルキレン基を表す)で表され、酸素原子に2つのアルキレン基が結合した基をいい、アルキレンエーテル基の炭素数は該2つのアルキレン基の炭素数の合計をいう。Rの具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基、デカオクチレン基等のアルキレン基;シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロプロピルメチレン基、シクロペンチルレン基、シクロへキシレン基、シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基;ジメチレンエーテル基、トリメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、トリエチレンエーテル基、ジプロピレンエーテル基、ジイソプロピレンエーテル基、ジブチレンエーテル基、ジオクチレンエーテル基等のアルキレンエーテル基が挙げられる。 R 3 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms, or an alkylene ether group having 2 to 20 carbon atoms. The alkylene ether group is represented by —R X —O—R Y — (R X and R Y represent an alkylene group), and refers to a group in which two alkylene groups are bonded to an oxygen atom. The carbon number of represents the total number of carbon atoms of the two alkylene groups. Specific examples of R 3 include methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, and 2-methylbutylene group. 2-methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3, 3 -Dimethylbutylene group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group 2-methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methyl Tylpentylene group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, Alkylene groups such as 2-propylpentylene group, 2,4,4-trimethylpentylene group, decaoctylene group; cyclopropylene group, cyclobutylene group, cyclopropylene Cycloalkylene groups such as methylene group, cyclopentylylene group, cyclohexylene group, cyclooctylene group; dimethylene ether group, trimethylene ether group, diethylene ether group, triethylene ether group, dipropylene ether group, diisopropylene ether And alkylene ether groups such as a group, a dibutylene ether group and a dioctylene ether group.

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基等の炭素数3〜4のシクロアルキレン基が好ましい。   Among these, C1-C4 alkylene groups, such as a methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, and C3-C4 cycloalkylene groups, such as a cyclopropylene group and a cyclobutylene group, are preferable. .

は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基又は炭素数6〜12のアリール基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基等のシクロアルキル基;フェニル基、ベンジル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、o−メチルナフチル基等のアリール基を挙げることができる。中でも、メチル基、エチル基が好ましい。 R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Specifically, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopropylmethyl group, etc. Cycloalkyl group; aryl groups such as phenyl group, benzyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group and o-methylnaphthyl group can be exemplified. Of these, a methyl group and an ethyl group are preferable.

は、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数3〜4のシクロアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。 R 5 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms. Specifically, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopropylmethyl group, etc. A cycloalkyl group is mentioned.

この−ORで示されるアルコキシ基は、加水分解時にR由来のアルコールを生成するが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、このアルコールを含んでいてもよい。そのため、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましい。 The alkoxy group represented by —OR 5 generates an alcohol derived from R 5 upon hydrolysis, but the photocurable nanoimprinting composition of the present invention may contain this alcohol. Therefore, considering that it becomes an alcohol that can be easily mixed with other components, and that it becomes an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, R 5 represents a methyl group, an ethyl group, It is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group.

また、lは1が好ましく、mは0〜2が好ましく、kは1〜3が好ましい。ただし、l、m、およびkの合計、すなわち、l+m+kは4である。   L is preferably 1, m is preferably 0 to 2, and k is preferably 1 to 3. However, the sum of l, m, and k, that is, l + m + k is 4.

このような(メタ)アクリル基含有珪素化合物を具体的に例示すれば、トリメトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリメトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリメトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルエチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート等が挙げられる。中でも、トリメトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレートが好ましい。   Specific examples of such (meth) acrylic group-containing silicon compounds include trimethoxysilylmethylene (meth) acrylate, trimethoxysilyldimethylene (meth) acrylate, trimethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, triethoxy Silylmethylene (meth) acrylate, triethoxysilyldimethylene (meth) acrylate, triethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, tripropoxysilylmethylene (meth) acrylate, tripropoxysilylethylene (meth) acrylate, tripropoxysilyl trimethylene (Meth) acrylate, Tributoxysilylmethylene (meth) acrylate, Tributoxysilyldimethylene (meth) acrylate, Tributoxysilyltrimethylene (meth) acrylate Triisopropoxysilylmethylene (meth) acrylate, triisopropoxysilyldimethylene (meth) acrylate, triisopropoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, dimethoxymethylsilylmethylene (meth) acrylate, dimethoxymethylsilyldimethylene (meth) acrylate , Dimethoxymethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilylmethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilyldimethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, dimethoxyethylsilylmethylene (meth) Acrylate, dimethoxyethylsilyldimethylene (meth) acrylate, dimethoxyethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, diethoxy Tylsilylmethylene (meth) acrylate, diethoxyethylsilyldimethylene (meth) acrylate, diethoxyethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, methoxydimethylsilylmethylene (meth) acrylate, methoxydimethylsilyldimethylene (meth) acrylate, methoxy Dimethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilylmethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilyldimethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, methoxydiethylsilylmethylene (meth) acrylate, methoxydiethylsilyl Dimethylene (meth) acrylate, methoxydiethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, ethoxydiethylsilylmethylene (Meth) acrylate, ethoxydiethylsilyldimethylene (meth) acrylate, ethoxydiethylsilyltrimethylene (meth) acrylate and the like can be mentioned. Of these, trimethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate and triethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate are preferable.

(有機珪素化合物)
本発明においては、さらに、(F)下記式(3)
(Organic silicon compound)
In the present invention, (F) the following formula (3)

Figure 0006128990
Figure 0006128990

(式中、
、Rは同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基または水素であり、
はアリール基であり、Rはアリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、nは1〜10の整数である。)
で示される有機珪素化合物(以下、単に「有機珪素化合物」ともいう)をさらに含むことができる。この有機珪素化合物を使用することにより、フッ素、酸素、塩素に対するエッチング耐性を向上させることができ、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性を効果的に向上させることができる。特に、該有機珪素化合物は、式(3)に示されているように、芳香環を有する構造である。本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物の分散性をより向上させるためには、前述の重合性単量体(A)の中で、芳香環を有する重合性単量体と有機珪素化合物と組合せて使用することが好ましい。かかる組合せは、エッチング耐性および転写性がより向上するので好ましい。
また、該有機珪素化合物は、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体中にて、金属アルコキシドと共存させた場合において、上記した金属アルコキシド由来と考えられる沈殿物の生成を抑制する効果もある。これは、金属アルコキシドと有機珪素化合物との加水分解反応による反応物の(メタ)アクリレート系重合性単量体に対する溶解性が高いからであると推定している。
(Where
R 6 and R 7 are the same or different alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or hydrogen,
R 8 is an aryl group, R 9 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 10. )
(Hereinafter also referred to simply as “organosilicon compound”). By using this organosilicon compound, etching resistance to fluorine, oxygen and chlorine can be improved, and in particular, etching resistance to chlorine-based gas can be effectively improved. In particular, the organosilicon compound has a structure having an aromatic ring as shown in the formula (3). In order to further improve the dispersibility of the photocurable nanoimprint composition of the present invention, a combination of a polymerizable monomer having an aromatic ring and an organosilicon compound in the polymerizable monomer (A) described above. Are preferably used. Such a combination is preferable because etching resistance and transferability are further improved.
In addition, the organosilicon compound also has an effect of suppressing the formation of a precipitate considered to be derived from the metal alkoxide when coexisting with the metal alkoxide in the polymerizable monomer having a (meth) acryl group. is there. This is presumed to be because the solubility of the reaction product resulting from the hydrolysis reaction between the metal alkoxide and the organosilicon compound in the (meth) acrylate polymerizable monomer is high.

前記式(3)において、R、Rは、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基が挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基が好ましい。−OR、−ORで示されるアルコキシ基は、加水分解時に−OR、−OR由来のアルコールを生成するが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、このアルコールを含んでいてもよい。そのため、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、R、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましい。 In the formula (3), R 6 and R 7 are hydrogen, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, and tert-butyl group. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group and butyl group are preferred. -OR 6, alkoxy group represented by -OR 7 is -OR 6 upon hydrolysis, but produces an alcohol derived from -OR 7, photocurable composition for imprints of the invention, contain the alcohol Also good. Therefore, considering that the alcohol can be easily mixed with other components and that the alcohol can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, R 6 and R 7 are methyl. It is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group.

、Rは、アリール基としては、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等を挙げることができ、中でもフェニル基が好ましい。 In R 8 and R 9 , the aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group, and among them, a phenyl group is preferable.

また、Rは、アルコキシ基としては、メチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基、sec−ブチルアルコキシ基、イソブチルアルコキシ基、tert−ブチルアルコキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、中でもメチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基が好ましい。このRで示されるアルコキシ基は、加水分解時にR由来のアルコールを生成するが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、このアルコールを含んでいてもよい。そのため、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、メチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基、sec−ブチルアルコキシ基、イソブチルアルコキシ基、tert−ブチルアルコキシ基等の炭素数1〜4のアルコキシ基であることが好ましい。該アリール基及びアルコキシ基は、アルキル基、エーテル基、グリコールエーテル基、水酸基、ハロゲン等の置換基を有していても良い。 R 9 represents an alkoxy group such as a methyl alkoxy group, an ethyl alkoxy group, a propyl alkoxy group, an isopropyl alkoxy group, a butyl alkoxy group, a sec-butyl alkoxy group, an isobutyl alkoxy group, a tert-butyl alkoxy group, and the like. Can do. As the alkoxy group, a methyl alkoxy group, an ethyl alkoxy group, a propyl alkoxy group, an isopropyl alkoxy group, and a butyl alkoxy group are particularly preferable. Alkoxy group represented by the R 9 is to produce an alcohol derived from R 9 upon hydrolysis, photocurable composition for imprints of the invention may contain the alcohol. Therefore, considering that it becomes an alcohol that can be easily mixed with other components, and that it becomes an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, a methyl alkoxy group, an ethyl alkoxy group, An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as propylalkoxy group, isopropylalkoxy group, butylalkoxy group, sec-butylalkoxy group, isobutylalkoxy group, tert-butylalkoxy group and the like is preferable. The aryl group and alkoxy group may have a substituent such as an alkyl group, an ether group, a glycol ether group, a hydroxyl group, or a halogen.

なかでも、R、Rは共に炭素数6〜20のアリール基であることがエッチング耐性、特に塩素系ガスのエッチング耐性が良好な硬化膜を形成する点で好ましい。 Among these, R 8 and R 9 are preferably aryl groups having 6 to 20 carbon atoms from the viewpoint of forming a cured film having good etching resistance, in particular, chlorine gas etching resistance.

また、該有機珪素化合物は、前記式(3)において、nが1〜10の整数を満足するものであれば、単一の化合物であってもよいし、nの値が異なる複数の有機珪素化合物の混合物であってもよい。単一の化合物を使用する場合、nの値は、より比較的低い圧力でのパターンの転写性や、100nm以下などの微細パターンの転写を勘案すると、1以上7以下であることが好ましい。また、複数の有機珪素化合物の混合物を使用する場合、nの平均値は、1以上10以下となることが好ましく、さらには、より比較的低い圧力でのパターンの転写性や、100nm以下などの微細パターンの転写を勘案すると、1以上7以下がより好ましい。   The organosilicon compound may be a single compound or a plurality of organosilicons having different values of n as long as n satisfies the integer of 1 to 10 in the formula (3). It may be a mixture of compounds. In the case of using a single compound, the value of n is preferably 1 or more and 7 or less in consideration of transferability of a pattern at a relatively low pressure and transfer of a fine pattern such as 100 nm or less. Further, when a mixture of a plurality of organosilicon compounds is used, the average value of n is preferably 1 or more and 10 or less, and further, the pattern transferability at a relatively lower pressure, 100 nm or less, etc. Considering the transfer of the fine pattern, it is more preferably 1 or more and 7 or less.

これら有機珪素化合物を具体的に例示すれば、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、フェニルトリブトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、ジフェニルジブトキシシラン、およびそれらの重縮合物が挙げられる。中でも、加水分解時に生成するアルコールが、塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールであることや、反応性等の理由から、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、およびそれらの重縮合物が好ましい。
本発明において、金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)は、パターンの転写性や、パターンと基板との密着性といったナノインプリント用組成物としての特性を実用上問題のない程度に維持しつつ、塩素系ガスのエッチング耐性および長期間保存安定性の両立の点から以下の配合量とすることが好ましい。つまり、前述の重合性単量体(A)100質量部に対して、金属アルコキシド(B)0.1質量部〜150質量部、β−ヒドロキシケトン類(C)10質量部〜10,000質量部であることが好ましい。β−ヒドロキシケトン類(C)を上記範囲内で添加することにより、保存安定性の確保のみならず、沈殿物を生じさせない結果として、塩素系ガスのエッチング耐性にも寄与できる。塩素系ガスのエッチング耐性および長期間保存安定性を考慮すると、前述の重合性単量体(A)100質量部に対して、金属アルコキシド(B)の使用量は、0.5質量部〜100質量部であることがより好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、20質量部〜5,000質量部であることがより好ましい。さらには、金属アルコキシド(B)の使用量は、1質量部〜80質量部であることが好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、25質量部〜2,000質量部であることが好ましい。特に、金属アルコキシド(B)の使用量は、3質量部〜50質量部であることが特に好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、30質量部〜1,000質量部であることが特に好ましい。
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物の使用に当たり、前記光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布して使用するが、この場合、β−ヒドロキシケトン類(C)の含有量を上記の好ましい範囲に調整することで、後述する本発明の光硬化性ナノインプリント組成物からなる塗膜の形成を行うことができる。
Specific examples of these organosilicon compounds include phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltripropoxysilane, phenyltributoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, diphenyldipropoxysilane, diphenyldibutoxysilane. And polycondensates thereof. Among them, the alcohol produced during hydrolysis is an alcohol that can be easily removed after forming a coating film, and for reasons such as reactivity, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldi- Ethoxysilane and their polycondensates are preferred.
In the present invention, the metal alkoxide (B) and the β-hydroxyketone (C) maintain the properties as a nanoimprinting composition such as pattern transferability and adhesion between the pattern and the substrate to such an extent that there is no practical problem. However, the following blending amounts are preferable from the viewpoint of achieving both etching resistance of chlorine-based gas and long-term storage stability. That is, with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (A), the metal alkoxide (B) is 0.1 part by mass to 150 parts by mass, and the β-hydroxy ketones (C) are 10 parts by mass to 10,000 parts by mass. Part. Addition of β-hydroxy ketones (C) within the above range can contribute not only to ensuring storage stability but also to etching resistance of chlorine-based gas as a result of not causing precipitation. Considering the etching resistance of chlorine-based gas and long-term storage stability, the metal alkoxide (B) is used in an amount of 0.5 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (A). It is more preferable that it is a mass part, and it is more preferable that the usage-amount of (beta) -hydroxy ketone (C) is 20 mass parts-5,000 mass parts. Furthermore, it is preferable that the usage-amount of a metal alkoxide (B) is 1 mass part-80 mass parts, and the usage-amount of (beta) -hydroxy ketone (C) is 25 mass parts-2,000 mass parts. It is preferable. In particular, the amount of metal alkoxide (B) used is particularly preferably 3 to 50 parts by mass, and the amount of β-hydroxy ketones (C) used is 30 to 1,000 parts by mass. It is particularly preferred.
In using the photocurable nanoimprint composition of the present invention, the photocurable nanoimprint composition is applied on a substrate and used. In this case, the content of β-hydroxy ketones (C) is set to the above-mentioned content. By adjusting to a preferable range, the coating film which consists of the photocurable nanoimprint composition of this invention mentioned later can be formed.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、さらに、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)を含むことができる。(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)を含むことで、分散性のよい光硬化性ナノインプリント用組成物が得られ、濾過による精製が容易となり生産性が良好となり、また、光硬化により得られる硬化膜の微細な構造において、無機成分と有機成分とが比較的均質な状態で分散したものとなり(無機成分が極端に凝集したような分散状態とはならない)、基材との密着性も良好になることから、好ましく添加することができる。前記重合性単量体(A)100質量部に対して、金属アルコキシド(B)0.1質量部〜150質量部であることが好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)10質量部〜10,000質量部であることが好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)は、3質量部〜300質量部であることが好ましい。分散性や基材との密着性を考慮すると、金属アルコキシド(B)の使用量は、0.5質量部〜100質量部であることがより好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、20質量部〜5,000質量部であることがより好ましく、
(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)の使用量は、5質量部〜250質量部であることがより好ましい。さらには、金属アルコキシド(B)の使用量は、1質量部〜80質量部であることが好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、25質量部〜2,000質量部であることが好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)の使用量は、10質量部〜200質量部であることが好ましい。特に、金属アルコキシド(B)の使用量は、3質量部〜50質量部であることが特に好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、30質量部〜1,000質量部であることが特に好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)の使用量は、15質量部〜180質量部であることが特に好ましい。
The photocurable nanoimprinting composition of the present invention can further contain an organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group. By including the organosilicon compound (E) having a (meth) acrylic group, a highly dispersible photocurable nanoimprinting composition is obtained, and purification by filtration is facilitated and productivity is improved. In the fine structure of the resulting cured film, the inorganic and organic components are dispersed in a relatively homogeneous state (the dispersed state does not result in the inorganic component being extremely agglomerated), and adhesion to the substrate Can also be preferably added. The amount of the metal alkoxide (B) is preferably 0.1 to 150 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (A), and the β-hydroxy ketones (C) 10 to 10 parts by mass, It is preferable that it is 000 mass parts, and it is preferable that the organosilicon compound (E) which has a (meth) acryl group is 3 mass parts-300 mass parts. In consideration of dispersibility and adhesion to the substrate, the amount of metal alkoxide (B) used is more preferably 0.5 to 100 parts by weight, and the amount of β-hydroxy ketones (C) used. Is more preferably 20 parts by mass to 5,000 parts by mass,
As for the usage-amount of the organosilicon compound (E) which has a (meth) acryl group, it is more preferable that they are 5 mass parts-250 mass parts. Furthermore, it is preferable that the usage-amount of a metal alkoxide (B) is 1 mass part-80 mass parts, and the usage-amount of (beta) -hydroxy ketone (C) is 25 mass parts-2,000 mass parts. It is preferable that the amount of the organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group be 10 to 200 parts by mass. In particular, the amount of metal alkoxide (B) used is particularly preferably 3 to 50 parts by mass, and the amount of β-hydroxy ketones (C) used is 30 to 1,000 parts by mass. It is particularly preferable that the amount of the organosilicon compound (E) having a (meth) acrylic group be 15 to 180 parts by mass.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)の他に、有機珪素化合物(F)をさらに含むことができる。有機珪素化合物(F)を含むことで、エッチング耐性、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性を向上させることができ、より低圧でのナノインプリントパターン転写性も良好になることから、好ましく添加することができる。前記重合性単量体(A)100質量部に対して、金属アルコキシド(B)0.1質量部〜150質量部であることが好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)10質量部〜10,000質量部であることが好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)は、3質量部〜300質量部であることが好ましく、有機珪素化合物(F)は、10質量部〜400質量部であることが好ましい。分散性や基材との密着性を考慮すると、金属アルコキシド(B)の使用量は、0.5質量部〜100質量部であることがより好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、20質量部〜5,000質量部であることがより好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)の使用量は、5質量部〜250質量部であることがより好ましく、有機珪素化合物(F)は、30質量部〜300質量部であることがより好ましい。さらには、金属アルコキシド(B)の使用量は、1質量部〜80質量部であることが好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、25質量部〜2,000質量部であることが好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)の使用量は、10質量部〜200質量部であることが好ましく、有機珪素化合物(F)の使用量は、50質量部〜250質量部であることが好ましい。特に、金属アルコキシド(B)の使用量は、3質量部〜50質量部であることが特に好ましく、β−ヒドロキシケトン類(C)の使用量は、30質量部〜1,000質量部であることが特に好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)の使用量は、15質量部〜180質量部であることが特に好ましく、有機珪素化合物(F)の使用量は、80質量部〜200質量部であることが特に好ましい。   The photocurable nanoimprint composition of the present invention can further contain an organosilicon compound (F) in addition to the organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group. By including the organosilicon compound (F), etching resistance, particularly etching resistance to chlorine-based gas can be improved, and nanoimprint pattern transferability at a lower pressure is also improved, so that it can be preferably added. The amount of the metal alkoxide (B) is preferably 0.1 to 150 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (A), and the β-hydroxy ketones (C) 10 to 10 parts by mass, The organic silicon compound (E) having a (meth) acryl group is preferably 3 parts by mass to 300 parts by mass, and the organosilicon compound (F) is 10 parts by mass to 400 parts. It is preferable that it is a mass part. In consideration of dispersibility and adhesion to the substrate, the amount of metal alkoxide (B) used is more preferably 0.5 to 100 parts by weight, and the amount of β-hydroxy ketones (C) used. Is more preferably 20 parts by mass to 5,000 parts by mass, and the amount of the organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group is more preferably 5 parts by mass to 250 parts by mass, The organosilicon compound (F) is more preferably 30 parts by mass to 300 parts by mass. Furthermore, it is preferable that the usage-amount of a metal alkoxide (B) is 1 mass part-80 mass parts, and the usage-amount of (beta) -hydroxy ketone (C) is 25 mass parts-2,000 mass parts. The amount of the organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group is preferably 10 parts by mass to 200 parts by mass, and the amount of the organosilicon compound (F) used is 50 parts by mass to It is preferably 250 parts by mass. In particular, the amount of metal alkoxide (B) used is particularly preferably 3 to 50 parts by mass, and the amount of β-hydroxy ketones (C) used is 30 to 1,000 parts by mass. It is particularly preferable that the amount of the organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group is particularly preferably 15 to 180 parts by mass, and the amount of the organosilicon compound (F) used is 80 masses. It is particularly preferable that the amount is from 200 parts by mass to 200 parts by mass.

次に、光重合開始剤(D)について説明する。   Next, the photopolymerization initiator (D) will be described.

(光重合開始剤(D))
本発明において、光重合開始剤(D)は特に制限されるものではなく、重合性単量体(A)を光重合できるものであれば、いかなる光重合開始剤も使用できる。
(Photopolymerization initiator (D))
In the present invention, the photopolymerization initiator (D) is not particularly limited, and any photopolymerization initiator can be used as long as it can photopolymerize the polymerizable monomer (A).

光重合開始剤としては、具体的に、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−ヒドロキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオニル)−ベンジル]−フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モリフォリン−4−イル−フェニル)ブタン−1−オン等のアセトフェノン誘導体;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−ジメトキシベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−ジクロロベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィン酸メチルエステル、2−メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ピバロイルフェニルホスフィン酸イソプロピルエステル、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−4−プロピルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−1−ナフチルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,5,6−トリメチルベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド誘導体;1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)等のO−アシルオキシム誘導体;ジアセチル、アセチルベンゾイル、ベンジル、2,3−ペンタジオン、2,3−オクタジオン、4,4’−ジメトキシベンジル、4,4’−オキシベンジル、カンファーキノン、9,10−フェナンスレンキノン、アセナフテンキノン等のα−ジケトン;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル;2,4−ジエトキシチオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、メチルチオキサンソン等のチオキサンソン誘導体;ベンゾフェノン、p,p’−ジメチルアミノベンゾフェノン、p,p’−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体;ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム等のチタノセン誘導体が好適に使用される。   Specific examples of the photopolymerization initiator include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1- ON, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-1- {4- [4- (2-hydroxy- 2-methylpropionyl) -benzyl] -phenyl} -2-methyl-propan-1-one, phenylglyoxylic acid methyl ester, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane -1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-dimethylamino-2- (4-methylben) Acetophenone derivatives such as (zyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) butan-1-one; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,6-dimethoxybenzoyldiphenylphosphine oxide, 2, 6-dichlorobenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,6-trimethylbenzoylphenylphosphinic acid methyl ester, 2-methylbenzoyldiphenylphosphine oxide, pivaloylphenylphosphinic acid isopropyl ester, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) phenylphosphine oxide Bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -2,5-dimethylphenylphosphine oxide, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -4-propylphenylphosphine oxide, bis (2,6-dichlorobenzoyl) -1-naphthylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide Bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,5-dimethylphenylphosphine oxide, bis- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,5,6-trimethylbenzoyl)- Acylphosphine oxide derivatives such as 2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide; 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9 -Ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, O-acyloxime derivatives such as 1- (O-acetyloxime); diacetyl, acetylbenzoyl, benzyl, 2,3-pentadione, 2,3-octadione, 4,4′-dimethoxybenzyl, 4,4′-oxybenzyl Α-diketones such as camphorquinone, 9,10-phenanthrenequinone, and acenaphthenequinone; benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin propyl ether; 2,4-diethoxythioxanthone, 2 -Thioxanthone derivatives such as chlorothioxanthone and methylthioxanthone; benzophenone derivatives such as benzophenone, p, p'-dimethylaminobenzophenone and p, p'-methoxybenzophenone; bis (η5-2,4-cyclopentadiene-1- Il) -bis (2,6 A titanocene derivative such as -difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium is preferably used.

これら光重合開始剤は、1種あるいは2種以上を混合して使用される。   These photopolymerization initiators are used alone or in combination of two or more.

また、α−ジケトンを用いる場合には、第3級アミン化合物と組み合わせて用いることが好ましい。α−ジケトンと組み合わせて用いることのできる第3級アミン化合物としては、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルアニリン、N,N−ジ−n−ブチルアニリン、N,N−ジベンジルアニリン、N,N−ジメチル−p−トルイジン、N,N−ジエチル−p−トルイジン、N,N−ジメチル−m−トルイジン、p−ブロモ−N,N−ジメチルアニリン、m−クロロ−N,N−ジメチルアニリン、p−ジメチルアミノベンズアルデヒド、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、p−ジメチルアミノ安息香酸アミルエステル、N,N−ジメチルアンスラニリックアシッドメチルエステル、N,N−ジヒドロキシエチルアニリン、N,N−ジヒドロキシエチル−p−トルイジン、p−ジメチルアミノフェネチルアルコール、p−ジメチルアミノスチルベン、N,N−ジメチル-3,5−キシリジン、4−ジメチルアミノピリジン、N,N−ジメチル−α−ナフチルアミン、N,N−ジメチル−β−ナフチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリエチルアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジメチルヘキシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、N,N−ジメチルステアリルアミン、N,N−ジメチルアミノエチルメタクリレート、N,N−ジエチルアミノエチルメタクリレート、2,2’−(n−ブチルイミノ)ジエタノール等が挙げられる。   When α-diketone is used, it is preferably used in combination with a tertiary amine compound. Tertiary amine compounds that can be used in combination with α-diketone include N, N-dimethylaniline, N, N-diethylaniline, N, N-di-n-butylaniline, N, N-dibenzylaniline. N, N-dimethyl-p-toluidine, N, N-diethyl-p-toluidine, N, N-dimethyl-m-toluidine, p-bromo-N, N-dimethylaniline, m-chloro-N, N- Dimethylaniline, p-dimethylaminobenzaldehyde, p-dimethylaminoacetophenone, p-dimethylaminobenzoic acid, p-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, p-dimethylaminobenzoic acid amyl ester, N, N-dimethylanthranic acid methyl Ester, N, N-dihydroxyethylaniline, N, N-dihydroxyethyl-p-toluidine, p Dimethylaminophenethyl alcohol, p-dimethylaminostilbene, N, N-dimethyl-3,5-xylidine, 4-dimethylaminopyridine, N, N-dimethyl-α-naphthylamine, N, N-dimethyl-β-naphthylamine, tri Butylamine, tripropylamine, triethylamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-dimethylhexylamine, N, N-dimethyldodecylamine, N, N-dimethylstearylamine, N, N-dimethylaminoethyl methacrylate N, N-diethylaminoethyl methacrylate, 2,2 ′-(n-butylimino) diethanol, and the like.

本発明においては、アセトフェノン誘導体、アシルホスフィンオキサイド誘導体、O−アシルオキシム誘導体、α−ジケトンを使用することが好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an acetophenone derivative, an acylphosphine oxide derivative, an O-acyloxime derivative, or an α-diketone.

本発明において、上記光重合開始剤の使用量は、前記重合性単量体(A)100質量部に対して、0.1質量部〜10質量部であることが好ましく、0.1質量部〜5質量部であることがエッチング耐性の観点からより好ましい。   In this invention, it is preferable that the usage-amount of the said photoinitiator is 0.1 mass part-10 mass parts with respect to 100 mass parts of said polymerizable monomers (A), 0.1 mass part It is more preferable that it is ˜5 parts by mass from the viewpoint of etching resistance.

(光硬化性ナノインプリント用組成物におけるその他の添加成分)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲でその他の成分を配合することができる。
(Other additive components in photocurable nanoimprint composition)
The photocurable nanoimprint composition of the present invention may contain other components within a range that does not impair the effects of the present invention.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、(C)β−ヒドロキシケトン類の他に溶媒を併用して使用することもできる。使用される溶媒としては、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物が溶解する溶媒であれば、何ら制限なく使用でき、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、トルエン、クロロホルム、酢酸エチルエステル、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、エチレングリコール、エチレングリコールイソプロピルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルラクテート、エチル−3−エトキシプロピオネート、ブチルアセテート、2−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、t−ブチルアルコール、ポリエチレングリコール、その他のアルコール類を挙げることができる
溶媒を使用する場合、使用量は特に制限されず、目的の塗膜の厚みに応じて、適宜選択される。中でも、溶媒および光硬化性ナノインプリント用組成物の合計量を100質量%とすると、該溶媒の濃度が10質量%〜99質量%となる範囲とすることが好ましい。
The photocurable nanoimprinting composition of the present invention can be used in combination with a solvent in addition to (C) β-hydroxy ketones. As the solvent used, any solvent that can dissolve the composition for photocurable nanoimprinting of the present invention can be used without any limitation. For example, acetonitrile, tetrahydrofuran, toluene, chloroform, acetic acid ethyl ester, methyl ethyl ketone, dimethylformamide, Cyclohexanone, ethylene glycol, ethylene glycol isopropyl ether, propylene glycol, propylene glycol methyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl-3-methoxypropionate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl lactate, ethyl-3-ethoxypropio Butyl acetate, 2-heptanone, methyl isobutyl ketone, acetylacetone, t-butyl alcohol, poly When a solvent is used which may be mentioned Ji glycol, other alcohols, the amount is not particularly limited, depending on the thickness of the coating of interest is properly selected. In particular, when the total amount of the solvent and the photocurable nanoimprint composition is 100% by mass, the concentration of the solvent is preferably in the range of 10% by mass to 99% by mass.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物には、その他の公知の添加剤を配合することができる。具体的には、界面活性剤、重合禁止剤、反応性希釈剤等を配合することができる。界面活性剤は塗膜の均一性の点から、重合禁止剤は保存中に重合しないように安定化させるために配合される。   Other well-known additives can be mix | blended with the composition for photocurable nanoimprint of this invention. Specifically, a surfactant, a polymerization inhibitor, a reactive diluent and the like can be blended. From the viewpoint of the uniformity of the coating film, the surfactant is added to stabilize the polymerization inhibitor so that it does not polymerize during storage.

界面活性剤を配合する場合には、重合性単量体(A)100質量部に対して、0.0001質量部〜1質量部、好ましくは、0.001質量部〜0.1質量部の割合で配合することができる。   When the surfactant is blended, 0.0001 parts by mass to 1 part by mass, preferably 0.001 parts by mass to 0.1 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (A). It can mix | blend in a ratio.

界面活性剤としては、フッ素含有界面活性剤、シリコーン含有界面活性剤、脂肪族系界面活性剤を使用できる。中でも、光硬化性ナノインプリント用組成物がシリコンウエハ等の基板へ塗布されるものの場合、はじきを生ずることなく、組成物を均一に塗布し易い点から、脂肪族系界面活性剤を使用することがより好ましい。   As the surfactant, a fluorine-containing surfactant, a silicone-containing surfactant, and an aliphatic surfactant can be used. Among these, in the case where the photocurable nanoimprint composition is applied to a substrate such as a silicon wafer, an aliphatic surfactant may be used from the viewpoint that the composition can be uniformly applied without causing repelling. More preferred.

界面活性剤の例としては、デシル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム等の高級アルコール硫酸エステルの金属塩類、ラウリン酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム等の脂肪族カルボン酸金属塩類、ラウリルアルコールとエチレンオキサイドとの付加物を硫酸化したラウリルエーテル硫酸エステルナトリウム等の高級アルキルエーテル硫酸エステルの金属塩類、スルホコハク酸ナトリウム等のスルホコハク酸ジエステル類、高級アルコールエチレンオキサイド付加物のリン酸エステル塩類等のアニオン性活性剤;ドデシルアンモニウムクロリド等のアルキルアミン塩類およびトリメチルドデシルアンモニウムブロミド等の4級アンモニウム塩類等のカチオン性界面活性剤;ドデシルジメチルアミンオキシド等のアルキルジメチルアミンオキシド類、ドデシルカルボキシベタイン等のアルキルカルボキシベタイン類、ドデシルスルホベタイン等のアルキルスルホベタイン類、ラウラミドプロピルアミンオキシド等のアミドアミノ酸塩等の両性イオン界面活性剤;ポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル類、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレントリベンジルフェニルエーテル類、脂肪酸ポリオキシエチレンラウリルエステル等の脂肪酸ポリオキシエチレンエステル類、ポリオキシエチレンソルビタンラウリルエステル等のポリオキシエチレンソルビタンエステル類等の非イオン性界面活性剤等を挙げることができる。界面活性剤は、それぞれ単独で使用できるだけでなく、必要に応じて、複数の種類を組み合わせて併用することもできる。   Examples of surfactants include metal salts of higher alcohol sulfates such as sodium decyl sulfate and sodium lauryl sulfate, aliphatic carboxylic acid metal salts such as sodium laurate, sodium stearate and sodium oleate, lauryl alcohol and ethylene oxide. Anionic activity such as metal salts of higher alkyl ether sulfates such as sodium lauryl ether sulfate esterified with adducts with sodium, sulfosuccinic diesters such as sodium sulfosuccinate, phosphate esters of higher alcohol ethylene oxide adducts, etc. Agents; Cationic surfactants such as alkylamine salts such as dodecylammonium chloride and quaternary ammonium salts such as trimethyldodecylammonium bromide; such as dodecyldimethylamine oxide Zwitterionic surfactants such as alkyl dimethyl betaines such as alkyl dimethyl amine oxides, alkyl carboxy betaines such as dodecyl carboxy betaine, alkyl sulfo betaines such as dodecyl sulfo betaine, and amide amino acid salts such as lauramido propyl amine oxide; polyoxyethylene lauryl ether, etc. Polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyalkylene alkyl ethers, polyoxyethylene distyrenated phenyl ethers, polyoxyethylene alkyl phenyl ethers such as polyoxyethylene lauryl phenyl ether, polyoxyethylene tribenzylphenyl ethers, Fatty acid polyoxyethylene esters such as fatty acid polyoxyethylene lauryl ester, polio such as polyoxyethylene sorbitan lauryl ester It can be mentioned non-ionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan esters. Surfactants can be used not only independently but also in combination of a plurality of types as required.

重合禁止剤を配合する場合には、重合性単量体(A)100質量部に対して、0.01質量部〜1.0質量部、好ましくは、0.1質量部〜0.5質量部の割合で配合することができる。   When blending a polymerization inhibitor, 0.01 parts by weight to 1.0 parts by weight, preferably 0.1 parts by weight to 0.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymerizable monomer (A). It can mix | blend in the ratio of a part.

重合禁止剤の例としては、公知のものを挙げることができ、例えば、最も代表的なものは、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ハイドロキノン、ブチルヒドロキシトルエン等を挙げることができる。   Examples of the polymerization inhibitor include known ones. For example, the most typical ones include hydroquinone monomethyl ether, hydroquinone, butylhydroxytoluene and the like.

反応性希釈剤としては、N−ビニルピロリドン等の公知のものを挙げることができる。   Examples of the reactive diluent include known ones such as N-vinylpyrrolidone.

反応性希釈剤の添加量は特に制限されず、金型からのパターンの形成に影響を及ぼさない範囲で適宜選択され、重合性単量体(A)100質量部に対して、通常、1質量部〜100質量部の範囲から適宜選択される。その中でも、光硬化性ナノインプリント用組成物の低粘度化、パターンの機械的強度等を勘案すると、5質量部〜50質量部であることが好ましい。   The addition amount of the reactive diluent is not particularly limited and is appropriately selected within a range not affecting the formation of the pattern from the mold, and is usually 1 mass per 100 mass parts of the polymerizable monomer (A). Part to 100 parts by mass. Among these, it is preferable that it is 5-50 mass parts when the viscosity reduction of the composition for photocurable nanoimprint, the mechanical strength of a pattern, etc. are taken into consideration.

また、他の添加成分として、金型(パターン形成面)からの剥離性がよりよくなり、これにより、基板上に、再現性に優れた形状のパターンを形成できることから、パイパーブランチポリマーのような球状微粒子を添加することもできる。この場合、直径は1〜10nm、分子量10,000〜100,000の球状ハイパーブランチポリマーを配合することが好ましい。配合量は、重合性単量体(A)100質量部に対して0.1質量部〜10質量部の量であることが好ましい。   In addition, as another additive component, the releasability from the mold (pattern forming surface) is improved, and thus a pattern having a shape with excellent reproducibility can be formed on the substrate. Spherical fine particles can also be added. In this case, it is preferable to blend a spherical hyperbranched polymer having a diameter of 1 to 10 nm and a molecular weight of 10,000 to 100,000. The blending amount is preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (A).

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、重合性単量体(A)、金属アルコキシド(B)、β−ヒドロキシケトン類(C)、光重合開始剤(D)、および必要に応じて配合するその他の添加成分を混合することによって調製される。これら成分の添加順序は特に制限されるものではない。   The composition for photocurable nanoimprint of the present invention comprises a polymerizable monomer (A), a metal alkoxide (B), a β-hydroxyketone (C), a photopolymerization initiator (D), and if necessary. It is prepared by mixing other additive ingredients. The order of addition of these components is not particularly limited.

次に、この光硬化性ナノインプリント用組成物を使用して、基板上にパターンを形成する方法について説明する。   Next, a method for forming a pattern on a substrate using this photocurable nanoimprint composition will be described.

(光硬化性インプリン用組成物を用いたパターンの形成法)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を用いたパターン形成方法について説明する。
(Pattern formation method using photocurable imprinting composition)
A pattern forming method using the photocurable nanoimprinting composition of the present invention will be described.

先ず、上記方法に従って調製した光硬化性ナノインプリント用組成物を、基材上に公知の方法に従って塗布することにより、塗膜を形成する。   First, the coating film is formed by apply | coating the composition for photocurable nanoimprint prepared according to the said method on a base material according to a well-known method.

該基材としては、特にその形態、材質は制限されるものではなく、基板、シート、フィルム状のものが使用できる。具体的には、シリコンウエハ、石英、ガラス、サファイア、各種金属材料、アルミナ・窒化アルミニウム・炭化珪素・窒化珪素等のセラミックス、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルムのような公知の基板、シート、フィルムを使用することができる。なお、これら基材は、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物よりなる硬化膜との密着性をより改善するために、表面処理を施すこともできる。   The form and material of the substrate are not particularly limited, and substrates, sheets, and films can be used. Specifically, silicon wafer, quartz, glass, sapphire, various metal materials, ceramics such as alumina / aluminum nitride / silicon carbide / silicon nitride, polyethylene terephthalate film, polypropylene film, polycarbonate film, triacetyl cellulose film, cycloolefin resin A known substrate such as a film, a sheet, or a film can be used. In addition, these base materials can also surface-treat in order to improve adhesiveness with the cured film which consists of a composition for photocurable nanoimprint of this invention more.

これら基材上に、スピンコート法、ディッピング法、ディスペンス法、インクジェット法、スプレーコート法、ロールtoロール法のような公知の方法により、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を塗布し、乾燥することによって、塗膜を形成すればよい。塗膜の厚みは、特に制限されるものではなく、目的とする用途に応じて適宜決定すればよいが、通常0.1μm〜5μmであり、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、0.01μm〜0.1μmの厚みの塗膜の形成にも好適に適用できる。   On these substrates, the photocurable nanoimprint composition of the present invention is applied by a known method such as a spin coating method, a dipping method, a dispensing method, an ink jet method, a spray coating method, or a roll-to-roll method, followed by drying. By doing so, a coating film may be formed. The thickness of the coating film is not particularly limited and may be appropriately determined according to the intended use, but is usually 0.1 μm to 5 μm, and the photocurable nanoimprint composition of the present invention is 0 The present invention can also be suitably applied to the formation of a coating film having a thickness of 0.01 μm to 0.1 μm.

乾燥温度は、塗膜が乾燥する温度であれば、特に制限されないが、大気中で揮発分を除去することを勘案すると、通常は、40℃〜200℃の範囲から選択できる。生産性と酸化劣化の抑制を勘案すると、好ましくは、60℃〜190℃、より好ましくは、80℃〜180℃の範囲から選択される。   The drying temperature is not particularly limited as long as it is a temperature at which the coating film dries, but can be usually selected from the range of 40 ° C. to 200 ° C. in consideration of removing volatile components in the air. Considering productivity and suppression of oxidative degradation, the temperature is preferably selected from the range of 60 ° C to 190 ° C, more preferably from 80 ° C to 180 ° C.

乾燥時間は、塗膜が乾燥する時間であれば、特に制限されないが、大気中での酸化劣化の抑制を勘案すると、通常は、10秒〜10分の範囲から選択できる。   The drying time is not particularly limited as long as it is a time for drying the coating film, but can be usually selected from the range of 10 seconds to 10 minutes in consideration of suppression of oxidative deterioration in the air.

薄く塗布するためは、β−ヒドロキシケトン類(C)や、場合により併用する溶媒との含有量で調整し、塗布することが可能であり、溶媒を併用する場合は、用いる溶媒の沸点、揮発性に応じて、乾燥温度や乾燥時間を適宜決定すればよい。   In order to apply thinly, it can be applied by adjusting the content with β-hydroxy ketones (C) and optionally a solvent used together. When using a solvent together, the boiling point and volatilization of the solvent used. What is necessary is just to determine a drying temperature and drying time suitably according to property.

次に、所望のパターンが形成されている金型のパターン形成面を、前記塗膜と接触させる。この際、金型は、光照射を介して、塗布された組成物を硬化させることにより硬化膜を形成できるように、透明な材質、例えば、石英や透明な樹脂フィルムで形成されていることが好ましい。本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、金型を押し付ける際に比較的低圧でパターンを転写することができる。この際の圧力は、特に制限されるものではないが、0.01MPa〜1MPaの圧力でパターンを転写できる。なお、当然のことながら、上記圧力の上限値以上の圧力でもパターンの転写は可能である。   Next, the pattern forming surface of the mold on which a desired pattern is formed is brought into contact with the coating film. At this time, the mold may be formed of a transparent material such as quartz or a transparent resin film so that a cured film can be formed by curing the applied composition through light irradiation. preferable. The photocurable nanoimprinting composition of the present invention can transfer a pattern at a relatively low pressure when pressing a mold. The pressure at this time is not particularly limited, but the pattern can be transferred at a pressure of 0.01 MPa to 1 MPa. As a matter of course, the pattern can be transferred even at a pressure higher than the upper limit of the pressure.

その後、金型のパターン形成面と塗膜とを接触させた状態のまま、光を照射して、塗膜を硬化させる。照射する光は、波長が500nm以下で、光の照射時間は、0.1秒〜300秒の範囲から選択される。塗膜の厚み等にもよるが、通常、1秒〜60秒である。   Thereafter, the coating film is cured by irradiating light while keeping the pattern forming surface of the mold in contact with the coating film. The light to be irradiated has a wavelength of 500 nm or less, and the light irradiation time is selected from the range of 0.1 seconds to 300 seconds. Although it depends on the thickness of the coating film, etc., it is usually 1 second to 60 seconds.

光重合時の雰囲気として、大気下でも重合可能であるが、光重合反応を促進する上で、酸素阻害の少ない雰囲気下での光重合が好ましい。例えば、窒素ガス雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、フッ素系ガス雰囲気下、真空雰囲気下等が好ましい。   The atmosphere during photopolymerization can be polymerized even in the air, but in order to promote the photopolymerization reaction, photopolymerization in an atmosphere with little oxygen inhibition is preferred. For example, a nitrogen gas atmosphere, an inert gas atmosphere, a fluorine gas atmosphere, a vacuum atmosphere, or the like is preferable.

光硬化後、硬化した塗膜から金型を分離することにより、基板上に硬化した塗膜(硬化膜)によりパターンが形成された積層体が得られる。   After photocuring, a laminate in which a pattern is formed by a cured coating film (cured film) on the substrate is obtained by separating the mold from the cured coating film.

(基板へのパターン形成:硬化膜によりパターンを形成した積層体のエッチング)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、形成される硬化膜が優れたエッチング耐性を示す。そのため、該硬化膜より形成されるパターンは、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等によるエッチング耐性が非常に良好となり、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等によるエッチングによってナノスケールの凹凸構造を有する基材を製造する際のマスクとして好適に用いることができる。特に、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物から得られる硬化膜は、サファイア基板を加工するための塩素系ガスに対するエッチング耐性に優れていることから、サファイア基板を表面加工する際のマスクとして用いるのに適している。なお、塩素系ガスとしては、反応性イオンエッチングに用いられる公知のガスを使用することができる。具体的には、塩素、三塩化ホウ素、四塩化炭素を挙げることができ、必要に応じて、酸素ガス、フッ素系ガス等を混合して使用することもできる。
(Pattern formation on the substrate: Etching of the laminate with the pattern formed by the cured film)
In the photocurable nanoimprint composition of the present invention, the formed cured film exhibits excellent etching resistance. Therefore, the pattern formed from the cured film has very good etching resistance with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, etc., and nanoscale irregularities are formed by etching with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, etc. It can be suitably used as a mask for producing a substrate having a structure. In particular, the cured film obtained from the photocurable nanoimprinting composition of the present invention is excellent in etching resistance to chlorine-based gas for processing a sapphire substrate, and is therefore used as a mask for surface processing of a sapphire substrate. Suitable for As the chlorine-based gas, a known gas used for reactive ion etching can be used. Specific examples include chlorine, boron trichloride, and carbon tetrachloride. If necessary, oxygen gas, fluorine-based gas, and the like can be mixed and used.

上記したようにして得た、金型にてパターンを転写した硬化膜を表面に有する基板(硬化膜によりパターンを形成した積層体)に、硬化膜のパターンに基づくパターンを形成する方法としては、先ず、硬化膜の肉薄部分(残膜)をドライエッチングにより除去し、基板表面を出す。さらに、残膜を除去した部分の基板のドライエッチングを行う。硬化膜の肉厚部分により覆われた基板は硬化膜の肉厚部分がマスクとなり全てはドライエッチングされない。最後に残った硬化膜の肉厚部分を除去することにより、基板表面をドライエッチング加工した基板を得ることができる。硬化膜の肉厚部分の除去方法としては、ドライエッチングや、ウエットエッチングによって除去することができ、なかでもサファイア基板へのパターン形成の場合、フッ素系ガスによるドライエッチングが好適に用いられる。
硬化膜の肉薄部分(残膜)をドライエッチングにより除去した後、残膜を除去した部分の基板表面に金属を蒸着することもできる。
As a method of forming a pattern based on the pattern of the cured film on the substrate (laminate formed with the pattern by the cured film) having a cured film having a pattern transferred by a mold on the surface obtained as described above, First, the thin part (residual film) of the cured film is removed by dry etching to expose the substrate surface. Further, dry etching is performed on the substrate from which the residual film has been removed. The substrate covered with the thick part of the cured film is not dry-etched entirely using the thick part of the cured film as a mask. By removing the thick part of the cured film remaining at the end, a substrate obtained by dry etching the substrate surface can be obtained. As a method for removing the thick portion of the cured film, it can be removed by dry etching or wet etching. In particular, in the case of pattern formation on a sapphire substrate, dry etching with a fluorine-based gas is preferably used.
After the thin part (residual film) of the cured film is removed by dry etching, metal can be deposited on the substrate surface where the residual film has been removed.

以下、本発明を実施例および比較例を掲げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

(1)硬化膜の基板密着性の評価
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、160℃において2分間乾燥した後、UV照射して、光硬化性ナノインプリント用組成物による硬化膜を作製し、ニチバン(株)製15mm幅セロハンテープ405を用い(長さ5cm)、指圧にて3往復密着させたのち剥離して、
硬化膜が全く剥がれなかったもの :5
剥離面積が10%未満のも :4
剥離面積が10%以上50%未満のもの :3
剥離面積が50%以上100%未満のもの:2
剥離面積が100%(全面剥離)のもの :1
として評価した。
(1) Evaluation of substrate adhesion of cured film The obtained composition for photocurable nanoimprint was applied on a sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, plane orientation C surface). After spin coating at 3000 rpm for 30 seconds and drying at 160 ° C. for 2 minutes, UV irradiation was performed to prepare a cured film of the photocurable nanoimprinting composition, and a 15 mm wide cellophane tape 405 manufactured by Nichiban Co., Ltd. was used ( 5cm long), peeled after 3 reciprocal contact with finger pressure,
The cured film was not removed at all: 5
The peeled area is less than 10%: 4
Exfoliation area of 10% or more and less than 50%: 3
Exfoliation area 50% or more and less than 100%: 2
With peeling area of 100% (full peeling): 1
As evaluated.

(2)転写性の評価
(光硬化性ナノインプリント用組成物の塗布)
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、シリコンウエハ(P型、片鏡面、酸化膜なし)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、160℃において2分間乾燥して、光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜をコーティングしたシリコンウエハを得た。
(2) Evaluation of transferability (Application of photocurable nanoimprint composition)
The obtained photocurable nanoimprint composition was spin-coated on a silicon wafer (P-type, single mirror surface, no oxide film) at 3000 rpm for 30 seconds, and dried at 160 ° C. for 2 minutes to give a photocurable nanoimprint. A silicon wafer coated with a coating film of the composition was obtained.

(パターンの形成:積層体の製造)
200nmライン/スペースの石英モールドを用い、ナノインプリント装置(三明電子産業(株)製、ImpFlex-Essential)において、上記のようにして得られた光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜を有するシリコンウエハに、圧力1MPaをかけLED365nm光源から光を60秒間照射して、光ナノインプリントを行った。なお、用いた石英モールドは、あらかじめフッ素系表面処理(ダイキン工業(株)製、オプツールHD−1100TH)で離型処理を施した。
(Pattern formation: Manufacture of laminate)
Using a 200 nm line / space quartz mold, in a nanoimprint apparatus (ImpFlex-Essential, manufactured by Sanmei Electronics Co., Ltd.), a silicon wafer having a coating film of the photocurable nanoimprint composition obtained as described above Then, light nanoimprinting was performed by applying a pressure of 1 MPa and irradiating light from an LED 365 nm light source for 60 seconds. The quartz mold used was previously subjected to a mold release treatment by fluorine-based surface treatment (manufactured by Daikin Industries, Ltd., OPTOOL HD-1100TH).

走査型電子顕微鏡(SEM)観察により、光硬化性ナノインプリント用組成物を用いてサファイア基板上に形成したパターンの形状転写性を評価した。転写性の評価は、計100本の幅200nmラインが全て転写できているものを「○」とし、一部にパターン形状の不良が見られるものを△とし、全てのパターンが転写できていないものを「×」として評価した。   The shape transferability of the pattern formed on the sapphire substrate using the photocurable nanoimprint composition was evaluated by observation with a scanning electron microscope (SEM). In the evaluation of transferability, “100” indicates that all 100 lines with a width of 200 nm have been transferred, and “△” indicates that some of the pattern shapes are defective, and all patterns cannot be transferred. Was evaluated as “×”.

(3)エッチング耐性の評価
(サファイア基板のエッチング)
サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)を反応性イオンエッチング装置を用いて、以下の条件にて塩素ガスによるドライエッチングを行い、一定時間でのエッチング量(サファイア基板の減少厚み)を触針式段差測定器で測定した。
<塩素ガスによるドライエッチング条件>
塩素ガス流量:20sccm
アンテナパワー:400W
バイアスパワー:80W
基板冷却温度:5℃
(硬化膜のエッチング)
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、シリコンウエハ(P型、片鏡面、酸化膜なし)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、160℃において2分間乾燥した後、UV照射して、光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜でコーティングしたシリコンウエハを得た。得られた硬化膜の厚みを電子顕微鏡(SEM)にて観察した。得られた硬化膜でコーティングしたシリコンウエハを、サファイア基板の塩素ガスによるドライエッチングと同じ条件にてドライエッチングを行い、一定時間での硬化膜の減少した塗膜厚みを触針式段差測定器で測定した。
(3) Evaluation of etching resistance (etching of sapphire substrate)
A sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, plane orientation C plane) is dry-etched with chlorine gas under the following conditions using a reactive ion etching apparatus, and is performed for a certain period of time. The etching amount (reduced thickness of the sapphire substrate) was measured with a stylus type step difference measuring device.
<Dry etching conditions with chlorine gas>
Chlorine gas flow rate: 20sccm
Antenna power: 400W
Bias power: 80W
Substrate cooling temperature: 5 ° C
(Etching cured film)
The obtained photocurable nanoimprint composition was spin-coated on a silicon wafer (P-type, single mirror surface, no oxide film) at 3000 rpm for 30 seconds, dried at 160 ° C. for 2 minutes, and then irradiated with UV. A silicon wafer coated with a cured film of the photocurable nanoimprinting composition was obtained. The thickness of the obtained cured film was observed with an electron microscope (SEM). The silicon wafer coated with the resulting cured film is dry etched under the same conditions as dry etching with chlorine gas on a sapphire substrate, and the thickness of the cured film that has decreased over a certain period of time is measured with a stylus type step gauge. It was measured.

(サファイア選択比の算出)
サファイア基板のみでのサファイア基板の一定時間でのエッチング量(サファイア基板の減少厚み)と光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜の一定時間での硬化膜の減少した塗膜厚みとの比(サファイア基板の一定時間でのエッチング量(サファイア基板の減少厚み)/光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜の一定時間での硬化膜の減少した塗膜厚み)を算出し、これを光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜のサファイア選択比とした。サファイア選択比の値が高いほど、光硬化性ナノインプリント用組成物による硬化膜はサファイア基板と比較して、塩素ガスによるエッチングを受け難く、サファイア基板を用いた場合における塩素エッチング耐性が良いことになる。
(Calculation of sapphire selectivity)
Ratio of etching amount of sapphire substrate only for sapphire substrate in a certain time (reduced thickness of sapphire substrate) and reduced coating thickness of cured film in a certain time of cured film of photocurable nanoimprint composition (sapphire Calculate the etching amount of the substrate in a certain time (reduced thickness of the sapphire substrate) / the cured film thickness of the cured film of the composition for photocurable nanoimprinting that has decreased in a certain time), and calculate this photocurable nanoimprint It was set as the sapphire selectivity of the cured film of the composition for use. The higher the sapphire selectivity value, the harder the cured film of the photocurable nanoimprinting composition is to be less susceptible to etching by chlorine gas than the sapphire substrate, and the better the chlorine etching resistance when using a sapphire substrate. .

(4)長期間保存安定性の評価
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物をサンプル瓶に入れて蓋で密封し、50℃に保った恒温オーブン中に入れて、長期間保存安定性の評価を行った。
連続21日間以上、流動性や外観(沈殿、ゲル化、色)に変化が見られなかったものを「○」とし、8日〜20日で流動性や外観(沈殿、ゲル化、色)に変化が見られたものを「△」とし、0日〜7日で流動性や外観(沈殿、ゲル化、色)に変化が見られたものを「×」とした。
(4) Evaluation of long-term storage stability The obtained photocurable nanoimprint composition was put in a sample bottle, sealed with a lid, and placed in a constant temperature oven kept at 50 ° C. to evaluate long-term storage stability. Went.
If no change in fluidity or appearance (precipitation, gelation, color) was observed for 21 consecutive days or more, “○” was given, and fluidity and appearance (precipitation, gelation, color) were observed in 8 to 20 days. A change was observed as “Δ”, and a change in fluidity and appearance (precipitation, gelation, color) was observed as “x” from 0 to 7 days.

実施例1
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Example 1
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)0.2gを使用した。   As the metal alkoxide (B), 0.2 g of tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) was used.

β−ヒドロキシケトン類(C)として、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン9.8gを使用した。   As β-hydroxy ketones (C), 9.8 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)とを均一に混合し、金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液を得た。
上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを採取し、上記で得られた金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液2.0gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
The metal alkoxide (B) and β-hydroxy ketones (C) were uniformly mixed to obtain a mixed solution composed of the metal alkoxide (B) and β-hydroxy ketones (C).
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. 2.0 g of a mixture consisting of the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, a photopolymerization initiator (D) and a polymerization inhibitor was collected, and the metal alkoxide (B) and β obtained above were collected. -The composition for photocurable nanoimprint was obtained by adding 2.0 g of mixed solutions which consist of hydroxy ketones (C), and stirring for 15 minutes at room temperature.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

実施例2
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Example 2
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)0.2gを使用した。   As the metal alkoxide (B), 0.2 g of tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) was used.

β−ヒドロキシケトン類(C)として、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン4.8gを使用した。   As β-hydroxy ketones (C), 4.8 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)とを均一に混合し、金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液を得た。
上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを採取し、上記で得られた金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液1.0gおよび溶剤としてアセチルアセトン1.0gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。
The metal alkoxide (B) and β-hydroxy ketones (C) were uniformly mixed to obtain a mixed solution composed of the metal alkoxide (B) and β-hydroxy ketones (C).
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. 2.0 g of a mixture consisting of the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, a photopolymerization initiator (D) and a polymerization inhibitor was collected, and the metal alkoxide (B) and β obtained above were collected. -1.0 g of mixed solution which consists of hydroxy ketones (C) and 1.0 g of acetylacetone as a solvent were added, and the composition for photocurable nanoimprint was obtained by stirring for 15 minutes at room temperature.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.
The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

実施例3
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Example 3
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)0.2gを使用した。   As the metal alkoxide (B), 0.2 g of tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) was used.

β−ヒドロキシケトン類(C)として、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン9.8gを使用した。   As β-hydroxy ketones (C), 9.8 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)として、トリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5gを使用した。   As the organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used.

上記金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)を均一に混合し、金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)からなる混合溶液を得た。
上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを採取し、上記で得られた金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)からなる混合溶液2.0gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
The metal alkoxide (B), the β-hydroxy ketones (C), and the organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group are uniformly mixed, and the metal alkoxide (B), the β-hydroxy ketones (C) and A mixed solution comprising an organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group was obtained.
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. 2.0 g of a mixture consisting of the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, a photopolymerization initiator (D) and a polymerization inhibitor was collected, and the metal alkoxide (B) and β obtained above were collected. -A photocurable nanoimprinting composition was obtained by adding 2.0 g of a mixed solution composed of hydroxy ketones (C) and an organosilicon compound (E) having a (meth) acrylic group and stirring at room temperature for 15 minutes. .
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

実施例4
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Example 4
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)0.2gを使用した。   As the metal alkoxide (B), 0.2 g of tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) was used.

β−ヒドロキシケトン類(C)として、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン9.8gを使用した。   As β-hydroxy ketones (C), 9.8 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)として、トリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5gを使用した。   As the organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used.

有機珪素化合物(F)として、ジフェニルジメトキシシラン(東京化成工業(株)製)5.4gを使用した。   As the organosilicon compound (F), 5.4 g of diphenyldimethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was used.

上記金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)と有機珪素化合物(F)を均一に混合し、金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)と有機珪素化合物(F)からなる混合溶液を得た。
上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを採取し、上記で得られた金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(E)と有機珪素化合物(F)からなる混合溶液2.0gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
The above metal alkoxide (B), β-hydroxyketone (C), organosilicon compound (E) having (meth) acrylic group and organosilicon compound (F) are uniformly mixed, and the metal alkoxide (B) and β- A mixed solution consisting of hydroxy ketones (C), an organosilicon compound (E) having a (meth) acryl group and an organosilicon compound (F) was obtained.
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. 2.0 g of a mixture consisting of the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, a photopolymerization initiator (D) and a polymerization inhibitor was collected, and the metal alkoxide (B) and β obtained above were collected. -Photocurability by adding 2.0 g of a mixed solution composed of hydroxyketone (C), organosilicon compound (E) having (meth) acrylic group and organosilicon compound (F) and stirring at room temperature for 15 minutes A composition for nanoimprinting was obtained.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

実施例5
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)0.1gを使用し、β−ヒドロキシケトン類(C)として、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン19.9gを使用した。実施例1で得られた(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを採取し、上記で得られた金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液4.0gを添加したこと以外は、実施例1と同様にして、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
Example 5
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As metal alkoxide (B), 0.1 g of tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) is used, and 19.9 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone is used as β-hydroxy ketones (C). did. 2.0 g of a mixture of the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group obtained in Example 1, a photopolymerization initiator (D), and a polymerization inhibitor was collected, and the metal obtained above was collected. A photocurable nanoimprinting composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 4.0 g of a mixed solution composed of alkoxide (B) and β-hydroxyketone (C) was added.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

実施例6
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ポリエチレングリコールジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−200)5.0g、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−DCP)5.0gを使用した。上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを採取したこと以外は、実施例1と同様にして、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
Example 6
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, 5.0 g of polyethylene glycol diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-200), tricyclodecane dimethanol diacrylate (new) 5.0 g of Nakamura Chemical Co., Ltd. (NK ester A-DCP) was used. In the same manner as in Example 1, except that 2.0 g of a mixture composed of the polymerizable monomer (A) having the (meth) acrylic group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor was collected. A curable nanoimprinting composition was obtained.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

実施例7
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Example 7
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)1.2gを使用した。   As the metal alkoxide (B), 1.2 g of tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) was used.

β−ヒドロキシケトン類(C)として、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン38.8gを使用した。   As the β-hydroxy ketones (C), 38.8 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)とを均一に混合し、金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液を得た。
上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを採取し、上記で得られた金属アルコキシド(B)とβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液8.0gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
The metal alkoxide (B) and β-hydroxy ketones (C) were uniformly mixed to obtain a mixed solution composed of the metal alkoxide (B) and β-hydroxy ketones (C).
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. 2.0 g of a mixture consisting of the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, a photopolymerization initiator (D) and a polymerization inhibitor was collected, and the metal alkoxide (B) and β obtained above were collected. -8.0 g of mixed solution which consists of hydroxy ketones (C) was added, and the composition for photocurable nanoimprint was obtained by stirring for 15 minutes at room temperature.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

比較例1
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Comparative Example 1
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)を使用した。   As the metal alkoxide (B), tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物5.0gを採取し、上記金属アルコキシド(B)0.1gを添加し、室温で15分間攪拌したところ、白色の沈殿物が析出した。光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
得られた白色の沈殿物が析出した光硬化性ナノインプリント用組成物に溶剤としてアセチルアセトン5.0gを添加し、0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. 5.0 g of a mixture composed of the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, a photopolymerization initiator (D) and a polymerization inhibitor was sampled, and 0.1 g of the metal alkoxide (B) was added. When the mixture was stirred at room temperature for 15 minutes, a white precipitate was deposited. A photocurable nanoimprinting composition was obtained. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.
As a solvent, 5.0 g of acetylacetone was added as a solvent to the resulting photocurable nanoimprinting composition on which the white precipitate was deposited, followed by filtration through a 0.2 μmφ hole diameter syringe filter.

ろ過した光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   Using the filtered composition for photo-curable nanoimprint, the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability were evaluated. The results are shown in Tables 2-4.

比較例2
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Comparative Example 2
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)を使用した。   As the metal alkoxide (B), tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記金属アルコキシド(B)0.1gと溶剤としてアセチルアセトン4.9gを均一に混合し、金属アルコキシド(B)とアセチルアセトンからなる混合溶液を得た。   0.1 g of the metal alkoxide (B) and 4.9 g of acetylacetone as a solvent were uniformly mixed to obtain a mixed solution composed of the metal alkoxide (B) and acetylacetone.

上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物5.0gを、上記で得られた金属アルコキシド(B)とアセチルアセトンからなる混合溶液に添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. A mixture of the polymerizable monomer (A) having the (meth) acrylic group (A), the photopolymerization initiator (D), and a polymerization inhibitor is mixed with the metal alkoxide (B) obtained above and acetylacetone. It added to the mixed solution and stirred for 15 minutes at room temperature to obtain a photocurable nanoimprinting composition.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

比較例3
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Comparative Example 3
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシド(B)として、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)を使用した。   As the metal alkoxide (B), tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物5.0gを採取し、上記金属アルコキシド(B)0.1gと溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテル4.9gを添加し、室温で15分間攪拌したところ、白色の沈殿物が析出した光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
得られた白色の沈殿物が析出した光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. 5.0 g of a mixture consisting of the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, a photopolymerization initiator (D) and a polymerization inhibitor was collected, and 0.1 g of the metal alkoxide (B) and a solvent were used. When 4.9 g of propylene glycol monomethyl ether was added and stirred for 15 minutes at room temperature, a photocurable nanoimprinting composition with a white precipitate was obtained. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.
The resulting photocurable nanoimprinting composition on which the white precipitate was deposited was filtered through a 0.2 μmφ hole diameter syringe filter.

ろ過した光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   Using the filtered composition for photo-curable nanoimprint, the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability were evaluated. The results are shown in Tables 2-4.

比較例4
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ポリエチレングリコールジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−200)5.0g、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−DCP)5.0gを使用した。
Comparative Example 4
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, 5.0 g of polyethylene glycol diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-200), tricyclodecane dimethanol diacrylate (new) 5.0 g of Nakamura Chemical Co., Ltd. (NK ester A-DCP) was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを溶剤としてアセチルアセトン2.0gで希釈し、該希釈した混合物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。   The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. The mixture of the polymerizable monomer (A) having the (meth) acrylic group, the photopolymerization initiator (D), and a polymerization inhibitor is diluted with 2.0 g of acetylacetone as a solvent, and the diluted mixture is diluted. It filtered with the syringe filter of 0.2 micrometer (phi) hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

比較例5
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Comparative Example 5
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (A) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

金属アルコキシドとして、85質量%ジルコニウムブトキシド(テトラブチルジルコニウムアルコキシド)の1−ブタノール溶液0.3gを使用した。   As a metal alkoxide, 0.3 g of 1-butanol solution of 85% by mass zirconium butoxide (tetrabutylzirconium alkoxide) was used.

β−ヒドロキシケトン類(C)として、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン9.7gを使用した。   As β-hydroxy ketones (C), 9.7 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記金属アルコキシドとβ−ヒドロキシケトン類(C)とを均一に混合し、金属アルコキシドとβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液を得た。
上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、混合物を得た。該(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(A)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤からなる混合物2.0gを採取し、上記で得られた金属アルコキシドとβ−ヒドロキシケトン類(C)からなる混合溶液2.0gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1に示した。
The metal alkoxide and β-hydroxy ketone (C) were uniformly mixed to obtain a mixed solution consisting of the metal alkoxide and β-hydroxy ketone (C).
The polymerizable monomer (A) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed to obtain a mixture. 2.0 g of a mixture comprising the polymerizable monomer (A) having a (meth) acrylic group, a photopolymerization initiator (D) and a polymerization inhibitor was collected, and the metal alkoxide and β-hydroxyketone obtained above were collected. A mixed solution 2.0 g of the mixture (C) was added and stirred at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. The blending ratio of this photocurable nanoimprint composition is shown in Table 1.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、転写性、硬化膜厚み、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表2〜表4に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion of the cured film, transferability, cured film thickness, sapphire selectivity, and long-term storage stability. The results are shown in Tables 2-4.

実施例8
(表面加工サファイア基板の製造)
実施例7で得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、160℃において2分間乾燥して、光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜が約0.2μmの厚みでコーティングしたサファイア基板を得た。
Example 8
(Manufacture of surface processed sapphire substrates)
The photocurable nanoimprint composition obtained in Example 7 was spin-coated on a sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, plane orientation C plane) at 3000 rpm for 30 seconds. And dried at 160 ° C. for 2 minutes to obtain a sapphire substrate on which the coating film of the photocurable nanoimprinting composition was coated with a thickness of about 0.2 μm.

直径230nm、深さ200nmのホールパターンの樹脂性モールドを用い、ミカドテクノス(株)製 真空加圧UV硬化装置(VS005−200C−UV)を用い、上記のようにして得られた光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜を有するサファイア基板に、圧力3MPaをかけメタルハライドランプにて光を60秒間照射して、光ナノインプリントを行った。樹脂モールドを剥離し、サファイア基板上にピラーパターンが転写したサンプルを得た。   A photocurable nanoimprint obtained as described above using a resin mold having a hole pattern with a diameter of 230 nm and a depth of 200 nm and a vacuum pressure UV curing apparatus (VS005-200C-UV) manufactured by Mikado Technos Co., Ltd. An optical nanoimprint was performed by applying a pressure of 3 MPa to a sapphire substrate having a coating film of the composition for irradiation and irradiating light with a metal halide lamp for 60 seconds. The resin mold was peeled off to obtain a sample in which the pillar pattern was transferred onto the sapphire substrate.

反応性イオンエッチング装置を用いて、上記サンプルを塩素ガスによるドライエッチング条件にて、転写パターンをマスクとして、サファイア基板のドライエッチングによるサファイア基板の表面加工を行った。得られたサンプルをSEM観察したところ、サファイア基板表面がエッチングされ、表面加工できていることを確認した。   Using a reactive ion etching apparatus, surface treatment of the sapphire substrate was performed by dry etching of the sapphire substrate, using the above sample as a mask under dry etching conditions using chlorine gas. When the obtained sample was observed by SEM, it was confirmed that the surface of the sapphire substrate was etched and the surface was processed.

Figure 0006128990
Figure 0006128990

Figure 0006128990
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Figure 0006128990
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Figure 0006128990
Figure 0006128990

Claims (8)

(A)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、
(B)下記式(1)
Figure 0006128990
(式中、
Mは、タングステンであり、
は、炭素数1〜10のアルキル基であり、同一の基であっても、異なる基であってもよく
は6または5である。)
で示される金属アルコキシド、
(C)β−ヒドロキシケトン類、並びに
(D)光重合開始剤
を含有する光硬化性ナノインプリント用組成物。
(A) a polymerizable monomer having a (meth) acryl group,
(B) The following formula (1)
Figure 0006128990
(Where
M is a tungsten down,
R 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same group or different groups ,
p is 6 or 5. )
A metal alkoxide represented by
A photocurable nanoimprinting composition comprising (C) β-hydroxy ketones and (D) a photopolymerization initiator.
前記(A)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体が(a)(メタ)アクリル基及び芳香環を有する重合性単量体を含むことを特徴とする請求項1に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。   2. The photocuring according to claim 1, wherein the polymerizable monomer having the (A) (meth) acrylic group includes a polymerizable monomer having (a) a (meth) acrylic group and an aromatic ring. Nanoimprint composition. さらに、(E)下記式(2)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。
Figure 0006128990

(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数3〜10のシクロアルキレン基または炭素数2〜20のアルキレンエーテルであり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
またはR として選択された基に含まれる水素原子は、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基で置換されていても良い。lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、その複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。)
Furthermore, (E) The organosilicon compound which has a (meth) acryl group shown by following formula (2) is included, The composition for photocurable nanoimprint of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
Figure 0006128990

(Where
R 2 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 3 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms, or an alkylene ether having 2 to 20 carbon atoms,
R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 5 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
A hydrogen atom contained in a group selected as R 3 or R 4 may be substituted with an alkyl group, an aryl group, a halogen, or a hydroxyl group. l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
R 2, R 3, R 4 and R 5 are each, when there are a plurality, the plurality of R 2, R 3, R 4 and R 5 may each be the same or different groups. )
さらに、(F)下記式(3)で示される有機珪素化合物を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。
Figure 0006128990

(式中、
、Rは同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基または水素であり、Rはアリール基であり、Rはアリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、nは1〜10の整数である。)
Furthermore, (F) the organosilicon compound shown by following formula (3) is included, The composition for photocurable nanoimprint in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
Figure 0006128990

(Where
R 6 and R 7 are the same or different alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or hydrogen, R 8 is an aryl group, R 9 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and n is It is an integer of 1-10. )
サファイア基板表面加工用である請求項1〜4のいずれかに記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。   It is for sapphire substrate surface processing, The composition for photocurable nanoimprints in any one of Claims 1-4. 少なくとも下記(A)〜(D)成分を混合してなることを特徴とする光硬化性ナノインプリント用組成物。
(A)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、
(B)下記式(1)
Figure 0006128990
(式中、
Mは、タングステンであり、
は、炭素数1〜10のアルキル基であり、同一の基であっても、異なる基であってもよく
は6または5である。)
で示される金属アルコキシド、
(C)β−ヒドロキシケトン類、並びに
(D)光重合開始剤
A photocurable nanoimprint composition comprising at least the following components (A) to (D):
(A) a polymerizable monomer having a (meth) acryl group,
(B) The following formula (1)
Figure 0006128990
(Where
M is a tungsten down,
R 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same group or different groups ,
p is 6 or 5. )
A metal alkoxide represented by
(C) β-hydroxy ketones and (D) photopolymerization initiator
請求項1〜6のいずれか1項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布し、その後乾燥させ、該組成物からなる塗膜を形成する工程、
パターンが形成された金型のパターン形成面と前記塗膜とを接触させ、その状態で光を照射して塗膜を硬化させる工程、
前記金型を、硬化した塗膜から分離して、前記金型のパターン形成面に形成されているパターンに対応するパターンを基板上に形成する工程
を含むことを特徴とするパターンの形成方法。
The process of apply | coating the composition for photocurable nanoimprint of any one of Claims 1-6 on a board | substrate, and drying after that, and forming the coating film which consists of this composition,
Contacting the pattern forming surface of the mold on which the pattern is formed with the coating film, and irradiating light in that state to cure the coating film;
A method for forming a pattern, comprising: separating the mold from a cured coating film, and forming a pattern corresponding to a pattern formed on a pattern forming surface of the mold on a substrate.
基板がサファイア基板であって、請求項7記載のパターンの形成方法により基板上に形
成したパターンをマスクとして、基板表面を塩素系ガスによりドライエッチングして加工
することを特徴とする表面加工サファイア基板の製造方法。
8. A surface-processed sapphire substrate, characterized in that the substrate surface is processed by dry etching with chlorine-based gas using the pattern formed on the substrate by the pattern forming method according to claim 7 as a mask. Manufacturing method.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6099539B2 (en) * 2013-10-09 2017-03-22 株式会社トクヤマ Pattern formation method
WO2020066978A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 富士フイルム株式会社 Curable composition for imprinting, method for producing curable composition for imprinting, cured article, method for producing pattern and method for producing semiconductor
CN115477865B (en) * 2021-05-31 2024-04-05 京东方科技集团股份有限公司 Ultraviolet light curing nano imprinting material, preparation method thereof and imprinting template

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0327002A (en) * 1989-06-23 1991-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Production of optical waveguide
JPH06293879A (en) * 1993-04-09 1994-10-21 Hitachi Chem Co Ltd Coating liquid for forming oxide coating film and production of oxide coating film
DE10217151A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-30 Clariant Gmbh Nanoimprint resist
JP4270806B2 (en) * 2002-05-24 2009-06-03 大日本印刷株式会社 Method for producing antireflection article by sol-gel method
JP2008202022A (en) * 2007-01-23 2008-09-04 Fujifilm Corp Curable composition for optical nano imprint lithography, and pattern forming method using the same
JP5189772B2 (en) * 2007-02-09 2013-04-24 昭和電工株式会社 Fine pattern transfer material
JP5065209B2 (en) * 2007-11-02 2012-10-31 富士フイルム株式会社 Curable composition for nanoimprint, cured product and method for producing the same
JP2009206196A (en) * 2008-02-26 2009-09-10 Fujifilm Corp Curable composition for nanoimprint, cured body using the same and manufacturing method thereof, and member for liquid crystal display
JP5101343B2 (en) * 2008-03-03 2012-12-19 株式会社ダイセル Manufacturing method of fine structure
JP2010006870A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Fujifilm Corp Curable composition for nanoimprinting, cured product and method for producing the same
JP2011074128A (en) * 2009-09-29 2011-04-14 Showa Denko Kk Photocurable composition
WO2011148890A1 (en) * 2010-05-24 2011-12-01 昭和電工株式会社 Organotantalum complex compound and method for producing same
AU2011270548B2 (en) * 2010-06-23 2013-12-05 Nippon Soda Co., Ltd. Process for production of replica mold for imprinting use
KR101615795B1 (en) * 2010-07-02 2016-04-26 가부시끼가이샤 도꾸야마 Photocurable composition for imprint and method for formation of pattern using the composition
WO2012053543A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 株式会社トクヤマ Photo-curable nanoimprint composition, method for forming pattern using the composition, and nanoimprint replica mold comprising cured product of composition
JP5762245B2 (en) * 2010-10-20 2015-08-12 株式会社トクヤマ Composition for photo-curable nanoimprint, pattern formation method using the composition, and replica mold for nanoimprint having a cured product of the composition
JP5970933B2 (en) * 2011-09-15 2016-08-17 Jsr株式会社 Pattern formation method

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