JP2014065853A - Composition for photocurable nanoimprint and method of forming pattern - Google Patents

Composition for photocurable nanoimprint and method of forming pattern Download PDF

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秀喜 梅川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for photocurable nanoimprint excellent in etching resistance of chlorine-based gas, productivity and long term storage stability, and further capable of easily transferring patterns even in the case of pushing a mold at relatively low pressure, and good in nanoimprint pattern transferring properties such as good in adhesion with base materials of the patterns and good in releasability from a mold.SOLUTION: A composition for photocurable nanoimprint contains (A) an organosilicon compound having a (meth)acrylic group, (B) heteropolyacid, (C) a polymerizable monomer having a (meth)acrylic group, and (D) a photoinitiator. (E) an organosilicon compound and/or (F) a fluorinated organosilicon compound may be contained.

Description

本発明は、新規な光硬化性ナノインプリント用組成物に関し、さらに、前記光硬化性ナノインプリント用組成物を用いて基板上にパターンを形成する新規なパターン形成方法に関する。また、本発明は、該組成物の硬化体からなる新規なナノインプリント用レプリカ金型に関する。   The present invention relates to a novel photocurable nanoimprint composition, and further relates to a novel pattern formation method for forming a pattern on a substrate using the photocurable nanoimprint composition. The present invention also relates to a novel nanoimprint replica mold comprising a cured product of the composition.

近年、半導体集積回路は、より微細化され、高精度なものが要求されているが、このような微細加工は、高精度の半導体集積回路の他にも光反射防止性付与やLED基板における光取り出し効率向上等の光学・照明用途や、2次電池、太陽電池、燃料電池等のエネルギー開発、バイオテクノロジー等、多岐の用途において、インプリント技術による微細加工が盛んに検討されている。   In recent years, semiconductor integrated circuits are required to be miniaturized and have high precision, but such microfabrication is not only for high precision semiconductor integrated circuits but also for providing light reflection prevention and light on LED substrates. In various applications such as optical / illumination applications such as taking-out efficiency improvement, energy development of secondary batteries, solar cells, fuel cells, biotechnology, etc., microfabrication by imprint technology has been actively studied.

インプリント技術とは、基板上に形成したいパターンに対応するパターンの凹凸を有する金型を、基板表面に形成された塗膜上に型押し、剥離することにより、所望のパターンを該基板表面に転写する工程からなり、低コストで量産化が可能な微細加工技術として期待されている。
この技術を使用することによって、ナノオーダーの微細なパターンを形成することができる。インプリント技術の中でも、特に、数ナノ〜数百ナノメートル(nm)の超微細なパターンを形成する技術はナノインプリント技術と呼ばれている。
The imprint technology is a method in which a desired pattern is formed on the surface of a substrate by embossing and peeling a mold having a concavo-convex pattern corresponding to the pattern to be formed on the substrate onto the coating film formed on the substrate surface. It consists of a transfer process and is expected as a fine processing technology that can be mass-produced at low cost.
By using this technique, a nano-order fine pattern can be formed. Among the imprint techniques, a technique for forming an ultrafine pattern of several nanometers to several hundred nanometers (nm) is called a nanoimprint technique.

このナノインプリント技術について、その方法は、基板表面に形成する塗膜材の特性により2種類に大別される。その1つは、パターンが転写される塗膜材を加熱して塑性変形させた後、金型を押し付け、冷却して、塗膜材を硬化させることによって、パターンを転写する熱ナノインプリントの方法である。また、他の1つは、金型又は基板の少なくとも一方が光透過性であるものを使用し、基板上に塗膜材として液状の光硬化性組成物を塗布して塗膜を形成し、金型を押し付けて塗膜と接触させ、ついで、金型又は基板を介して光を照射して該塗膜材を硬化させることによって、パターンを転写する方法である。これらの中でも、光照射によりパターンを転写する光ナノインプリントの方法は、高精度のパターンを形成できるものであるため、ナノインプリント技術において広く利用されるようになっており、該方法に好適に用いられる光硬化性組成物の開発が進められている。   The nanoimprint technology is roughly classified into two types depending on the properties of the coating material formed on the substrate surface. One of them is a thermal nanoimprint method in which the pattern is transferred by heating and plastically deforming the coating material to which the pattern is transferred, then pressing the mold, cooling, and curing the coating material. is there. In addition, the other one uses a mold or a substrate in which at least one of the substrates is light transmissive, and forms a coating film by applying a liquid photocurable composition as a coating material on the substrate, In this method, the mold is pressed and brought into contact with the coating film, and then the pattern material is transferred by irradiating light through the mold or the substrate to cure the coating material. Among these, the optical nanoimprint method for transferring a pattern by light irradiation is capable of forming a high-precision pattern, and thus is widely used in nanoimprint technology, and is suitable for use in the method. Development of curable compositions is underway.

ナノインプリント技術においては、基材表面と塗膜を硬化させて得られるパターンとの密着性、および該パターンと金型との離型性が重要になる。金型からの離型性については、金型表面にフッ素系処理剤で表面処理を施して離型性を付与したり、光硬化性組成物と金型の界面にペンタフルオロプロパンガス等のフッ素系ガスを介在させてインプリントする技術が一般的に知られている。一方、基材との密着性は、基材表面を表面処理したり、易接着層を設けたり、光硬化性組成物の組成変更によって改善が試みられている。基板との密着性と金型からの離型性は、相反する特性であるが、生産性を高めるためにより一層の改善が望まれている。
塗膜材自体に、この相反する特性を持たせるために、塗膜材中にフッ素系界面活性剤やシリコーン化合物を添加する提案がなされている(特許文献1参照)。しかしながら、基板との密着性の低下や、表面に添加剤がブリードアウトする等の問題があり、基板との密着性と金型からの離型性の両立という点では、未だ改善の余地があった。
In the nanoimprint technology, the adhesion between the substrate surface and the pattern obtained by curing the coating film and the releasability between the pattern and the mold are important. For mold release from the mold, the mold surface is surface treated with a fluorine treatment agent to provide mold release, or fluorine such as pentafluoropropane gas is provided at the interface between the photocurable composition and the mold. A technique for imprinting with a system gas interposed is generally known. On the other hand, the adhesion to the substrate has been attempted to improve by subjecting the surface of the substrate to surface treatment, providing an easy-adhesion layer, or changing the composition of the photocurable composition. Adhesion with the substrate and mold release from the mold are contradictory properties, but further improvement is desired to increase productivity.
In order to give the coating material itself the contradictory characteristics, a proposal has been made to add a fluorine-based surfactant or a silicone compound to the coating material (see Patent Document 1). However, there are problems such as a decrease in adhesion to the substrate and bleeding out of the additive on the surface, and there is still room for improvement in terms of both adhesion to the substrate and releasability from the mold. It was.

また、ナノインプリント技術は、金型にてパターンを転写し光硬化した塗膜材(以下、硬化膜とする場合もある)を元に、基板に所望のパターンを形成するものである。基板にパターンを形成するには、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等により、硬化膜、及び基板のドライエッチングを行う。このようなドライエッチング処理では、基板を保護するパターンニングされた硬化膜もエッチングされることから、基板と硬化膜とのエッチング速度比が重要となる。そのため、種々のパターンニングを行う上で、上記のガスにエッチングされ難い硬化膜となる光硬化性組成物の開発が数多くなされている。(以下、この特性をエッチング耐性とする場合もある)。   The nanoimprint technique is to form a desired pattern on a substrate based on a coating material (hereinafter sometimes referred to as a cured film) obtained by transferring a pattern with a mold and photocuring. In order to form a pattern on the substrate, dry etching of the cured film and the substrate is performed with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, or the like. In such a dry etching process, the patterned cured film that protects the substrate is also etched, so that the etching rate ratio between the substrate and the cured film is important. Therefore, many photocurable compositions have been developed to form a cured film that is difficult to be etched by the above-described gas when performing various patterning. (Hereafter, this characteristic may be regarded as etching resistance).

LED基板における光取り出し効率を向上させるために、サファイア基板表面上の凹凸加工により、素子からの光の全反射を抑制したり、サファイア基板上に積層するGaN層の結晶欠陥を低下させることが検討されている。サファイア基板表面上に凹凸加工する方法として、マスクを用いてシリカを蒸着し、シリカ蒸着パターンをマスクとしてウエットエッチング処理による方法や、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成し、その後、ハードマスク堆積とリフトオフによってメタルマスクを形成してドライエッチング処理を行う方法が一般的に用いられている。これらの方法で得られる基板は、Patterned Sapphire Substrates(PSS)と言われ、サファイア表面にミクロンオーダーの凹凸パターンを付与している。近年、LED光源のより一層の発光効率向上を目的として、可視光の波長以下の100〜500nm程の凹凸パターンをサファイア表面上に付与し、全反射による横方向への伝播を抑制することが検討されており、その方法として、ナノインプリントにてサファイア基板表面上に硬化膜のパターンを形成し、それをマスクとして、ドライエッチング処理でサファイア表面に凹凸パターンを付与する方法が挙げられる。   In order to improve the light extraction efficiency in the LED substrate, it is considered to suppress the total reflection of light from the element or reduce the crystal defects of the GaN layer stacked on the sapphire substrate by processing the unevenness on the surface of the sapphire substrate. Has been. As a method of processing irregularities on the surface of the sapphire substrate, silica is vapor-deposited using a mask, a resist pattern is formed by photolithography using a silica vapor deposition pattern as a mask, and then by hard mask deposition and lift-off. A method of performing a dry etching process by forming a metal mask is generally used. The substrate obtained by these methods is called Patterned Sapphire Substrates (PSS), and has a micron-order concavo-convex pattern on the sapphire surface. In recent years, for the purpose of further improving the luminous efficiency of LED light sources, it has been studied to provide a concavo-convex pattern of about 100 to 500 nm below the wavelength of visible light on the surface of sapphire to suppress lateral propagation due to total reflection. As such a method, a method of forming a pattern of a cured film on the surface of the sapphire substrate by nanoimprinting and using the mask as a mask to give a concavo-convex pattern to the surface of sapphire by dry etching treatment can be mentioned.

サファイアのドライエッチングに使用するガスとしては、塩素系ガスが一般的で、パターン形成に使用する光硬化性組成物の硬化膜樹脂に塩素エッチング耐性が高いことが求められる。塩素エッチング耐性の向上には、フリーの炭素源が最少にできることから芳香族化合物が有効と考えられている。芳香族系高分子を用いた熱ナノインプリントの方法が有効であるが、工程上、パターンが転写される塗膜材を加熱して塑性変形させた後、金型を押し付け、冷却して、塗膜材を硬化させることによって、パターンを転写するため、生産性に課題があった。生産性の観点から、アリール置換基を有する重合性単量体や樹脂および脂環式化合物を含む光硬化性組成物が提案されている(特許文献2〜4参照)。しかしながら、塩素エッチング耐性を向上させるためには、アリール置換基を有する重合性単量体や樹脂および脂環式化合物のような剛直な骨格を有した単量体を含むことが有効と考えられるが、サファイア基板との密着性や、粘度が高くなるため低圧力でのナノインプリントパターン転写性という点で改善の余地があった。これらの課題を解決するため、本発明者らは、特定の構造を有する有機珪素化合物、(メタ)アクリル基含有珪素化合物、金属アルコキシドを特定の量の水で加水分解した部分加水分解物を配合した光硬化性ナノインプリント用組成物を提案した(特許文献5参照)。   As a gas used for dry etching of sapphire, a chlorine-based gas is generally used, and a cured film resin of a photocurable composition used for pattern formation is required to have high chlorine etching resistance. Aromatic compounds are considered effective for improving chlorine etching resistance because free carbon sources can be minimized. Thermal nanoimprint method using aromatic polymer is effective, but after the process, the coating material to which the pattern is transferred is heated and plastically deformed, then the mold is pressed, cooled, and the coating film Since the pattern was transferred by curing the material, there was a problem in productivity. From the viewpoint of productivity, photocurable compositions containing a polymerizable monomer or resin having an aryl substituent and an alicyclic compound have been proposed (see Patent Documents 2 to 4). However, in order to improve chlorine etching resistance, it is considered effective to include a monomer having a rigid skeleton such as a polymerizable monomer having an aryl substituent or a resin and an alicyclic compound. In addition, there was room for improvement in terms of adhesion to the sapphire substrate and transferability of the nanoimprint pattern at low pressure because of increased viscosity. In order to solve these problems, the present inventors blended an organosilicon compound having a specific structure, a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and a partial hydrolyzate obtained by hydrolyzing a metal alkoxide with a specific amount of water. A photocurable nanoimprint composition was proposed (see Patent Document 5).

特開2008−19292号公報JP 2008-19292 A 特開2009−218550号公報JP 2009-218550 A 特開2011−157482号公報JP 2011-157482 A 特開2008−246876号公報JP 2008-246876 A 特開2012−109551号公報JP 2012-109551 A

ところが、本発明者らの検討によれば、特許文献5に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物は、分散性のよい組成物で、生産性や基板密着性や転写性に優れ、酸素ガスやフッ素系ガスに対するエッチング耐性も良好であるものの、塩素系ガスに対するエッチング耐性について、改善の余地があった。   However, according to the study by the present inventors, the photocurable nanoimprint composition described in Patent Document 5 is a highly dispersible composition, excellent in productivity, substrate adhesion and transferability, oxygen gas and Although etching resistance to fluorine-based gas is good, there is room for improvement in etching resistance to chlorine-based gas.

また、特許文献5に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物は、金属アルコキシドを水存在下において保存しているため、金属アルコキシドの加水分解反応に基づくゲル化物、沈殿物が生じ、長期間保存安定性に改善の余地があった。このように、金属アルコキシドは、エッチング耐性を向上させるのに有効な成分であるものの、長期間保存安定性を悪くする一要因となっていた。このような観点から、長期間保存安定性が良好であると同時に、エッチング耐性、特に塩素に対するエッチング耐性の高い光硬化性ナノインプリント用組成物が求められていた。   Moreover, since the composition for photocurable nanoimprint described in Patent Document 5 stores the metal alkoxide in the presence of water, a gelled product and a precipitate are generated based on the hydrolysis reaction of the metal alkoxide, and is stable for long-term storage. There was room for improvement in sex. As described above, the metal alkoxide is an effective component for improving the etching resistance, but has been one factor that deteriorates the long-term storage stability. From such a point of view, there has been a demand for a photocurable nanoimprint composition that has good long-term storage stability, and at the same time has high etching resistance, particularly etching resistance to chlorine.

本発明の目的は、パターンと基材との密着性や転写性が良いという従来技術の物性を維持しつつ、塩素系ガスのエッチング耐性に優れ、長期間保存安定性に優れた光硬化性ナノインプリント用組成物を提供することにある。   The purpose of the present invention is a photo-curable nanoimprint that is excellent in etching resistance of chlorine-based gas and has excellent long-term storage stability while maintaining the physical properties of the prior art such as good adhesion and transferability between the pattern and the substrate. It is to provide a composition for use.

本発明者は、塩素系ガスのエッチング耐性、及び長期間保存安定性に優れ、ナノインプリントパターン転写性を向上させるため、種々検討を行った。その結果、ヘテロポリ酸を用いることによって、長期間保存安定性を良好に保ちつつ、塩素系ガスに対するエッチング耐性を向上できることを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventor has made various studies in order to improve etching resistance of chlorine-based gas and long-term storage stability and to improve nanoimprint pattern transferability. As a result, it has been found that by using a heteropolyacid, the etching resistance to a chlorine-based gas can be improved while maintaining good storage stability for a long period of time, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、
(A)下記式(1)
That is, the present invention
(A) The following formula (1)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物、
(B)ヘテロポリ酸、
(C)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、および
(D)光重合開始剤
を含有する光硬化性ナノインプリント用組成物であり、
さらに、
(E)下記式(2)
(Where
R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 2 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
R 1, R 2, R 3 and R 4 respectively, when there are a plurality, the plurality of R 1, R 2, R 3 and R 4, respectively, may be the same or different groups) An organosilicon compound having the (meth) acrylic group shown,
(B) a heteropolyacid,
(C) a polymerizable monomer having a (meth) acryl group, and (D) a photocurable nanoimprint composition containing a photopolymerization initiator,
further,
(E) The following formula (2)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
、Rは同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基または水素であり、
はアリール基であり、Rはアリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、
nは1〜10の整数である。)
で示される有機珪素化合物を含有することが好ましく、
(F)下記式(3)
(Where
R 5 and R 6 are the same or different alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or hydrogen,
R 7 is an aryl group, R 8 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms,
n is an integer of 1-10. )
It is preferable to contain an organosilicon compound represented by
(F) Formula (3) below

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
、およびR11は、それぞれ、炭素数1〜10のアルキル基、または炭素数3〜10のシクロアルキル基であり;R10は、炭素数1〜100の含フッ素アルキル基、含フッ素シクロアルキル基、または含フッ素アルコキシエーテル基であり;aは1〜3の整数であり、bは、0〜2の整数であり、ただし、a+b=1〜3であり;R、R10およびR11がそれぞれ複数存在する場合には、複数のR、R10およびR11は、それぞれ同一であっても、異なる基であってもよい。)で示されるフッ素化有機シラン化合物を含有しても良い。
(Where
R 9 and R 11 are each an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms; R 10 is a fluorine-containing alkyl group having 1 to 100 carbon atoms or a fluorine-containing cyclo group. An alkyl group or a fluorine-containing alkoxy ether group; a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 2, provided that a + b = 1 to 3; R 9 , R 10 and R When a plurality of 11 are present, the plurality of R 9 , R 10 and R 11 may be the same or different. You may contain the fluorinated organosilane compound shown by this.

第二の発明は、
前記光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布し、該組成物からなる塗膜を形成する工程、
パターンが形成された金型のパターン形成面と前記塗膜とを接触させ、その状態で光を照射して塗膜を硬化させる工程、
前記金型を、硬化した塗膜から分離して、前記金型のパターン形成面に形成されているパターンに対応するパターンを基板上に形成する工程
を含むことを特徴とするパターンの形成方法である。
The second invention is
Applying the photocurable nanoimprint composition onto a substrate to form a coating film comprising the composition;
Contacting the pattern forming surface of the mold on which the pattern is formed with the coating film, and irradiating light in that state to cure the coating film;
Separating the mold from the cured coating film, and forming a pattern corresponding to the pattern formed on the pattern forming surface of the mold on the substrate. is there.

第三の発明は、
基板がサファイア基板であって、前記パターンの形成方法により基板上に形成したパターンをマスクとして、基板表面を塩素系ガスによりドライエッチングして加工することを特徴とする表面加工サファイア基板の製造方法である。
The third invention is
A method for producing a surface-processed sapphire substrate, wherein the substrate is a sapphire substrate, and the substrate surface is processed by dry etching with a chlorine-based gas using the pattern formed on the substrate by the pattern formation method as a mask. is there.

なお、本発明において、(メタ)アクリル基とは、メタクリル基又はアクリル基を意味する。   In the present invention, the (meth) acryl group means a methacryl group or an acryl group.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、分散性が良く、該組成物を塗膜とし硬化させた後の硬化膜の基材密着性、及び転写性が良好という従来技術の物性を維持しつつ、塩素系ガスのエッチング耐性に優れた硬化膜を形成するのに、好適で、且つ長期間保存安定性にも優れる組成物である。さらに、フッ素化有機シラン化合物を含有させることで、上記効果に加えて、金型との離型性に優れた組成物となる。   The photocurable nanoimprint composition of the present invention has good dispersibility, and maintains the physical properties of the prior art that the cured film has a base film adhesion and transferability after being cured as a coating film. On the other hand, the composition is suitable for forming a cured film having excellent etching resistance to chlorine gas and is excellent in long-term storage stability. Furthermore, by containing a fluorinated organosilane compound, in addition to the above effects, a composition having excellent releasability from the mold is obtained.

本発明は、光硬化性ナノインプリント用組成物に関するものであり、
(A)下記式(1)
The present invention relates to a photocurable nanoimprint composition,
(A) The following formula (1)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物、(B)ヘテロポリ酸、(C)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(以下、単に、(C)重合性単量体ともいう)、並びに(D)光重合開始剤を含むものである。
(Where
R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 2 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
R 1, R 2, R 3 and R 4 respectively, when there are a plurality, the plurality of R 1, R 2, R 3 and R 4, respectively, may be the same or different groups) (B) heteropolyacid, (C) polymerizable monomer having (meth) acrylic group (hereinafter, also simply referred to as (C) polymerizable monomer) And (D) a photopolymerization initiator.

なお、本発明において、ナノインプリントとは、5nm以上100μm以下のパターン、更には、5nm以上500nm以下の微細なパターンを良好に形成できるものを指す。ただし、当然のことながら、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、100μmを越えるパターンの形成にも使用できる。   In the present invention, nanoimprint refers to a pattern that can favorably form a pattern of 5 nm to 100 μm, and a fine pattern of 5 nm to 500 nm. However, as a matter of course, the photocurable nanoimprinting composition of the present invention can be used to form a pattern exceeding 100 μm.

以下、順を追って説明する。先ず、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)について説明する。   In the following, description will be given in order. First, the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group will be described.

((メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物)
本発明においては、下記式(1)
(A)下記式(1)
(Organic silicon compound having (meth) acrylic group)
In the present invention, the following formula (1)
(A) The following formula (1)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい)
で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(以下、単に「(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物」ともいう)(A)を使用する。
(Where
R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 2 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
R 1, R 2, R 3 and R 4 respectively, when there are a plurality, the plurality of R 1, R 2, R 3 and R 4 may each be the same or different groups)
The organosilicon compound having a (meth) acryl group (hereinafter also referred to simply as “organosilicon compound having a (meth) acryl group”) (A) is used.

この(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物を使用することにより、分散性のよい光硬化性ナノインプリント用組成物が得られ、濾過による精製が容易となり生産性が良好となる。また、光硬化により得られる硬化膜の微細な構造において、基材との密着性が良好となる他に、無機成分と有機成分とが比較的均質な状態で分散したものとなる(無機成分が極端に凝集したような分散状態とはならない)。その結果、均一な転写パターン、および均一な残膜を形成することができるものと推定される。   By using this organosilicon compound having a (meth) acrylic group, a photocurable nanoimprinting composition with good dispersibility can be obtained, which facilitates purification by filtration and improves productivity. Moreover, in the fine structure of the cured film obtained by photocuring, in addition to good adhesion to the substrate, the inorganic component and the organic component are dispersed in a relatively homogeneous state (the inorganic component is It will not be in a dispersed state that is extremely agglomerated). As a result, it is estimated that a uniform transfer pattern and a uniform residual film can be formed.

前記式(1)において、Rは水素原子あるいはメチル基である。これらの中でも水素原子のほうが、光硬化性ナノインプリント用組成物を硬化させる際の光硬化速度が速いので好ましい。 In the formula (1), R 1 is a hydrogen atom or a methyl group. Among these, a hydrogen atom is preferable because the photocuring speed when curing the photocurable nanoimprinting composition is high.

は、炭素数1〜20のアルキレン基又は炭素数3〜10のシクロアルキレン基である。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基、デカオクチレン基等のアルキレン基;シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロプロピルメチレン基、シクロペンチルレン基、シクロへキシレン基、シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基が挙げられる。 R 2 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms. Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-methylbutylene group, 2- Methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3,3-dimethylbutylene Group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group, 2- Methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methylpentylene Group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, Alkylene groups such as 2-propylpentylene group, 2,4,4-trimethylpentylene group, decaoctylene group; cyclopropylene group, cyclobutylene group, cyclopropylmethylene , Cyclopentyl alkylene group, cyclohexylene group, and a cycloalkylene group such as a cyclooctylene group.

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基等の炭素数3〜4のシクロアルキレン基が好ましい。   Among these, C1-C4 alkylene groups, such as a methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, and C3-C4 cycloalkylene groups, such as a cyclopropylene group and a cyclobutylene group, are preferable. .

は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基又は炭素数6〜12のアリール基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基等のシクロアルキル基;フェニル基、ベンジル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、o−メチルナフチル基等のアリール基を挙げることができる。中でも、メチル基、エチル基が好ましい。 R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Specifically, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopropylmethyl group, etc. Cycloalkyl group; aryl groups such as phenyl group, benzyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group and o-methylnaphthyl group can be exemplified. Of these, a methyl group and an ethyl group are preferable.

は、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数3〜4のシクロアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。 R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms. Specifically, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopropylmethyl group, etc. A cycloalkyl group is mentioned.

この−ORで示されるアルコキシ基は、加水分解時にR由来のアルコールを生成するが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、このアルコールを含んでいてもよい。そのため、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましい。 The alkoxy group represented by -OR 4 generates an alcohol derived from R 4 upon hydrolysis, but the photocurable nanoimprinting composition of the present invention may contain this alcohol. Therefore, considering that it becomes an alcohol that can be easily mixed with other components, and that it becomes an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, R 4 represents a methyl group, an ethyl group, It is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group.

また、lは1が好ましく、mは0〜2が好ましく、kは1〜3が好ましい。ただし、l、m、およびkの合計、すなわち、l+m+kは4である。   L is preferably 1, m is preferably 0 to 2, and k is preferably 1 to 3. However, the sum of l, m, and k, that is, l + m + k is 4.

このような(メタ)アクリル基含有珪素化合物を具体的に例示すれば、トリメトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリメトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリメトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルエチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート等が挙げられる。中でも、トリメトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレートが好ましい。   Specific examples of such (meth) acrylic group-containing silicon compounds include trimethoxysilylmethylene (meth) acrylate, trimethoxysilyldimethylene (meth) acrylate, trimethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, triethoxy Silylmethylene (meth) acrylate, triethoxysilyldimethylene (meth) acrylate, triethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, tripropoxysilylmethylene (meth) acrylate, tripropoxysilylethylene (meth) acrylate, tripropoxysilyl trimethylene (Meth) acrylate, Tributoxysilylmethylene (meth) acrylate, Tributoxysilyldimethylene (meth) acrylate, Tributoxysilyltrimethylene (meth) acrylate Triisopropoxysilylmethylene (meth) acrylate, triisopropoxysilyldimethylene (meth) acrylate, triisopropoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, dimethoxymethylsilylmethylene (meth) acrylate, dimethoxymethylsilyldimethylene (meth) acrylate , Dimethoxymethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilylmethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilyldimethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, dimethoxyethylsilylmethylene (meth) Acrylate, dimethoxyethylsilyldimethylene (meth) acrylate, dimethoxyethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, diethoxy Tylsilylmethylene (meth) acrylate, diethoxyethylsilyldimethylene (meth) acrylate, diethoxyethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, methoxydimethylsilylmethylene (meth) acrylate, methoxydimethylsilyldimethylene (meth) acrylate, methoxy Dimethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilylmethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilyldimethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, methoxydiethylsilylmethylene (meth) acrylate, methoxydiethylsilyl Dimethylene (meth) acrylate, methoxydiethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, ethoxydiethylsilylmethylene (Meth) acrylate, ethoxydiethylsilyldimethylene (meth) acrylate, ethoxydiethylsilyltrimethylene (meth) acrylate and the like can be mentioned. Of these, trimethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate and triethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate are preferable.

(ヘテロポリ酸)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、ヘテロポリ酸を配合することにより、塩素系ガスに対するエッチング耐性を向上させることができる。前記した通り、特許文献5において使用していたジルコニウムアルコキシド等の金属アルコキシドは、エッチング耐性向上効果はあるものの、長期間保存安定性を悪化させる一要因であった。本発明では金属アルコキシドを用いない場合でも、エッチング耐性を良好に保つことが可能であるため、金属アルコキシドを含有させない場合については、塩素系ガスに対するエッチング耐性に優れるという効果に加え長期間保存安定性を良好にすることが可能となる。もちろん、本発明では、ヘテロポリ酸に加え金属アルコキシドを併用することを除外するものではない。
(Heteropoly acid)
The composition for photocurable nanoimprinting of the present invention can improve etching resistance to chlorine gas by blending a heteropolyacid. As described above, the metal alkoxide such as zirconium alkoxide used in Patent Document 5 is one factor that deteriorates the long-term storage stability although it has an effect of improving etching resistance. In the present invention, even when a metal alkoxide is not used, it is possible to maintain good etching resistance. Therefore, in the case where a metal alkoxide is not included, in addition to the effect of excellent etching resistance against chlorine gas, long-term storage stability Can be improved. Of course, the present invention does not exclude the use of a metal alkoxide in addition to the heteropolyacid.

本発明の(B)ヘテロポリ酸とは、ある種のオキソ酸の周りに、別種のオキソ酸が重合した化合物の総称である。また、ヘテロポリ酸は無水物であってもよく、結晶水を含有した水和物であってもよい。なお、本発明では単にヘテロポリ酸と表記した場合は、ヘテロポリ酸の無水物及びヘテロポリ酸の水和物を含む概念であり、同様に例えば、ヘテロポリ酸の下位概念であるケイタングステン酸と表記した場合はケイタングステン酸の無水物及びケイタングステン酸の水和物を含む。   The (B) heteropolyacid of the present invention is a general term for compounds in which another kind of oxo acid is polymerized around one kind of oxo acid. Further, the heteropolyacid may be an anhydride or a hydrate containing crystal water. In addition, in the present invention, when simply expressed as heteropolyacid, it is a concept including heteropolyacid anhydride and heteropolyacid hydrate, and similarly, for example, when expressed as silicotungstic acid, which is a subordinate concept of heteropolyacid. Includes silicotungstic acid anhydride and silicotungstic acid hydrate.

本発明では、(B)ヘテロポリ酸は、下記一般式(4)で表される化合物であることが好ましい。
x[Mm・M'nr ]・yHO (4)
(式中、Mはケイ素、リン、ホウ素より選ばれる一種又は二種の元素から成るヘテロ元素を表し、M’はタングステン、モリブデン、ニオブ、バナジウムより選ばれる一種以上のポリ元素を表し、rは10〜100の整数、mは1〜10の整数、nは6〜40の整数、xは1〜10の整数、yは0〜50の整数を表す。)
式(4)においてHは水素原子、Oは酸素原子、HOは水分子を表す。Mはケイ素、リン、ホウ素より選ばれる一種又は二種の元素から成るヘテロ元素を表す。すなわち、mが1であれば、一種のヘテロ元素Mからなるが、mが2以上であれば、一種又は二種のヘテロ元素Mからなる。例えばmが2であれば、2つのMの双方がケイ素であってもよいし、2つのMのうち1つのMがケイ素であり、残りの1つのMがリン、又はホウ素であってもよい。
In the present invention, the (B) heteropolyacid is preferably a compound represented by the following general formula (4).
H x [M m · M ' n O r] · yH 2 O (4)
(In the formula, M represents a hetero element composed of one or two elements selected from silicon, phosphorus, and boron, M ′ represents one or more poly elements selected from tungsten, molybdenum, niobium, and vanadium; (An integer of 10-100, m is an integer of 1-10, n is an integer of 6-40, x is an integer of 1-10, y represents an integer of 0-50.)
In Formula (4), H represents a hydrogen atom, O represents an oxygen atom, and H 2 O represents a water molecule. M represents a hetero element composed of one or two elements selected from silicon, phosphorus and boron. That is, if m is 1, it consists of a kind of heteroelement M, but if m is 2 or more, it consists of one or two kinds of heteroelement M. For example, if m is 2, both of the two Ms may be silicon, one of the two Ms may be silicon, and the remaining one M may be phosphorus or boron. .

M’はタングステン、モリブデン、ニオブ、バナジウムより選ばれる一種以上のポリ元素を表す。例えばnが12であれば、その12個のM'の全てがタングステンであってもよいし、12個のM'の一部がモリブデン、ニオブ又はバナジウムであってもよい。   M ′ represents one or more poly elements selected from tungsten, molybdenum, niobium, and vanadium. For example, if n is 12, all of the 12 M ′ may be tungsten, or a part of the 12 M ′ may be molybdenum, niobium or vanadium.

好適なヘテロポリ酸を例示すれば、ケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸、リンモリブデン酸、リンモリブドタングステン酸、ケイモリブドタングステン酸、リンバナドタングステン酸、ケイバナドタングステン酸、ケイバナドモリブデン酸、ホウタングステン酸、ホウモリブデン酸、ホウモリブドタングステン酸が好ましい。   Examples of suitable heteropolyacids include silicotungstic acid, phosphotungstic acid, silicomolybdic acid, phosphomolybdic acid, phosphomolybdotungstic acid, phosphomolybdotungstic acid, phosphovanadotungstic acid, caivanadotungstic acid, and caivanadomolybdenum. Acid, borotungstic acid, boromolybdic acid, and boromolybdotungstic acid are preferred.

これらの中でも、ケイタングステン酸が、本発明の組成物の分散性や塩素系ガスに対するエッチング耐性を考慮するとより好ましい。   Among these, silicotungstic acid is more preferable in consideration of the dispersibility of the composition of the present invention and the etching resistance to chlorine-based gas.

上記式(4)において、xは2〜6の整数が好ましく、3又は4がより好ましい。また、mは1〜3が好ましく、1がより好ましい。nは8〜12の整数が好ましく、12がより好ましい。rは20〜60が好ましく、35〜45がより好ましく、40が特に好ましい。yは10〜40の整数が好ましく、20〜30の整数がより好ましい。   In the above formula (4), x is preferably an integer of 2 to 6, and more preferably 3 or 4. M is preferably 1 to 3, and more preferably 1. n is preferably an integer of 8 to 12, and more preferably 12. r is preferably 20 to 60, more preferably 35 to 45, and particularly preferably 40. y is preferably an integer of 10 to 40, and more preferably an integer of 20 to 30.

好ましいヘテロポリ酸を上記式(4)に基づいて、例示すると、H[PW(n)Mo(12-n)40]yHO、H[PV(12-n)(n)40]yHO、H[SiW(n)Mo(12−n)40]yHO、H[SiV(12-n)(n)40]yHO、H[SiW1240]yHO(但し、nは8〜12以下の整数であり、yは20〜30の整数であり、Hは水素原子、Pはリン原子、Siはケイ素原子、Moはモリブデン原子、Vはバナジウム原子、Wはタングステン原子、Oは酸素原子を表す。)で表されるヘテロポリ酸が好ましく、特にH[SiW1240]24HOで表されるケイタングステン酸が好ましい。 Examples of preferred heteropolyacids based on the above formula (4) are H 3 [PW (n) Mo (12-n) O 40 ] yH 2 O, H 3 [PV (12-n) W (n) O 40] yH 2 O, H 4 [SiW (n) Mo (12-n) O 40] yH 2 O, H 4 [SiV (12-n) W (n) O 40] yH 2 O, H 4 [SiW 12 O 40 ] yH 2 O (where n is an integer of 8-12 or less, y is an integer of 20-30, H is a hydrogen atom, P is a phosphorus atom, Si is a silicon atom, Mo is a molybdenum atom) , V represents a vanadium atom, W represents a tungsten atom, and O represents an oxygen atom), and a silicotungstic acid represented by H 4 [SiW 12 O 40 ] 24H 2 O is particularly preferable.

特に、H[SiW1240]24HO(別表記は、SiO・12WO・26HO;ケイタングステン酸26水)で表されるケイタングステン酸は、光硬化性ナノインプリント用組成物の分散性や塩素系ガスに対するエッチング耐性を良好にする観点から好ましい。 In particular, silicotungstic acid represented by H 4 [SiW 12 O 40 ] 24H 2 O (another notation is SiO 2 · 12WO 3 · 26H 2 O; silicotungstic acid 26 water) is a photocurable nanoimprinting composition. From the viewpoint of improving the dispersibility of the metal and the etching resistance to chlorine-based gas.

また、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物の分散性や塩素系ガスに対するエッチング耐性を良好にする観点から、ヘテロポリ酸は、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)100質量部に対して、0.1〜50質量部とすることが好ましく、0.2〜40質量部とすることがより好ましく、1〜20質量部にすることが特に好ましい。   In addition, from the viewpoint of improving the dispersibility of the photocurable nanoimprinting composition of the present invention and the etching resistance to chlorine gas, the heteropolyacid is a polymerizable monomer (C) having a (meth) acryl group of 100 mass. It is preferable to set it as 0.1-50 mass parts with respect to a part, It is more preferable to set it as 0.2-40 mass parts, It is especially preferable to set it as 1-20 mass parts.

次に、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)について説明する。
((メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C))
本発明において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)(以下、単に「重合性単量体(C)」ともいう)は、特に制限されるものではなく、光重合に使用される公知の(メタ)アクリル基を有する重合性単量体を使用することができる。なお、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物には、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、(メタ)アクリル基以外の重合性官能基を有する重合性単量体を含んでいてもよい。この重合性単量体(C)は、前記式(1)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物を含まない。好ましい化合物としては、(メタ)アクリル基を有し、分子中に珪素原子を含まない重合性単量体が挙げられる。これら重合性単量体(C)は、1分子中に1つの(メタ)アクリル基を有する単官能重合性単量体であってもよいし、1分子中に2つ以上の(メタ)アクリル基を有する多官能重合性単量体であってもよい。さらには、これら単官能重合性単量体および多官能重合性単量体を組み合わせて使用することもできる。
Next, the polymerizable monomer (C) having a (meth) acryl group will be described.
(Polymerizable monomer having (meth) acrylic group (C))
In the present invention, the polymerizable monomer (C) having a (meth) acryl group (hereinafter also simply referred to as “polymerizable monomer (C)”) is not particularly limited, and is used for photopolymerization. A known polymerizable monomer having a (meth) acryl group can be used. In addition, in the composition for photocurable nanoimprints of the present invention, in addition to the polymerizable monomer (C) having a (meth) acryl group, other than the (meth) acryl group, as long as the effects of the present invention are not impaired. A polymerizable monomer having a polymerizable functional group may be included. This polymerizable monomer (C) does not contain an organosilicon compound having a (meth) acryl group represented by the formula (1). A preferable compound includes a polymerizable monomer having a (meth) acryl group and containing no silicon atom in the molecule. These polymerizable monomers (C) may be monofunctional polymerizable monomers having one (meth) acrylic group in one molecule, or two or more (meth) acrylic in one molecule. It may be a polyfunctional polymerizable monomer having a group. Furthermore, these monofunctional polymerizable monomers and polyfunctional polymerizable monomers can also be used in combination.

重合性単量体(C)の例を具体的に例示すれば、1分子中に1つの(メタ)アクリル基を有する単官能重合性単量体としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、イソミリスチル(メタ)アクリレート、n−ラウリル(メタ)アクリレート、n−ステアリル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート、長鎖アルキル(メタ)アクリレート、n−ブトキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル−ジグリコール(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミド、2−(2−ビニロキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、メトキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、エトキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、プロポキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、メトキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、エトキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、プロポキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、アダマンタン(メタ)アクリレート誘導体、アクリロイルモルホリン等の脂肪族アクリレート;
ベンジル(メタ)アクリレート、フェノキシメチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、フェノキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、ヒドロキシフェノキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロフェノキシキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、ヒドロキシフェノキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、アルキルフェノールエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、アルキルフェノールプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、下記式(5)
If the example of a polymerizable monomer (C) is specifically illustrated, as a monofunctional polymerizable monomer which has one (meth) acryl group in 1 molecule, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (Meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) ) Acrylate, isomyristyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, n-stearyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, long chain alkyl (meth) acrylate, n-butoxyethyl (meth) acrylate, Butoxydiethylene glycol (meth) Chrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl-diglycol (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) Acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylamide, 2- (2- Vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, methoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, ethoxyethylene glycol modified (meth) acrylate Relate, propoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, methoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, ethoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, propoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, adamantane (meth) acrylate derivative Aliphatic acrylates such as acryloylmorpholine;
Benzyl (meth) acrylate, phenoxymethyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, phenoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, hydroxyphenoxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxy- 3-phenoxypropyl (meth) acrylate, hydrophenoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, hydroxyphenoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, alkylphenol ethylene glycol modified (meth) acrylate, alkylphenol propylene glycol modified (meth) acrylate, the following formula (5)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
12は、水素原子、またはメチル基であり、
13は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基であり、qは1〜6の整数である。)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体等の芳香環を有する(メタ)アクリレート等が挙げられる。
(Where
R 12 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 13 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and q is an integer of 1 to 6. And (meth) acrylate having an aromatic ring such as a monomer having an o-phenylphenol group in the molecule.

1分子中に2つの(メタ)アクリル基を有する多官能重合性単量体(2官能重合性単量体)としては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオレフィングリコールジ(メタ)アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−アクリロイロキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジメタクリロキシプロパン、ジオキサングリコールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、2−メチル−1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、ブチルエチルプロパンジオールジ(メタ)アクリレート、3−メチル−1,5−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート等の脂肪族ジ(メタ)アクリレート;エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エトキシ化ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、下記式(6)   As a polyfunctional polymerizable monomer (bifunctional polymerizable monomer) having two (meth) acryl groups in one molecule, for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, Polyolefin glycol di (meth) acrylate, ethoxylated polypropylene glycol di (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-1,3-dimethacryloxypropane, dioxane glycol di (meth) acrylate , Tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (Meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 2-methyl-1,8-octanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, butyl Aliphatic di (meth) acrylates such as ethylpropanediol di (meth) acrylate and 3-methyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate; ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, propoxylated ethoxylated bisphenol A Di (meth) acrylate, ethoxylated bisphenol F di (meth) acrylate, formula (6)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
14、R15は、それぞれ独立に水素原子、またはメチル基であり、
16、R17は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、又は下記式(7)で表される基であり、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。
(Where
R 14 and R 15 are each independently a hydrogen atom or a methyl group,
R 16 and R 17 are an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the following formula (7). Also good.

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、R18及びR19は、エチレン基、またはプロピレン基であり、nは1〜3の整数である。)
で示されるフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレート等の芳香環を有するジ(メタ)アクリレートが挙げられる。
(In the formula, R 18 and R 19 are an ethylene group or a propylene group, and n is an integer of 1 to 3.)
And di (meth) acrylate having an aromatic ring such as di (meth) acrylate having a fluorene structure represented by

さらに、該多官能重合性単量体において、1分子中に3つ以上の(メタ)アクリレート基を有する重合性単量体としては、エトキシ化グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリアクリレートが挙げられる。   Furthermore, in this polyfunctional polymerizable monomer, as the polymerizable monomer having three or more (meth) acrylate groups in one molecule, ethoxylated glycerin tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meta) ) Acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, Examples include ethoxylated pentaerythritol tetra (meth) acrylate and dipentaerythritol polyacrylate.

上記重合性単量体(C)の中でも、塩素系ガスのエッチング耐性を向上させることができるという点から、分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体、分子内にフルオレン構造を有する単量体が好ましく、前記式(5)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する(メタ)アクリレート、前記式(6)で示されるフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレートが好ましい。   Among the polymerizable monomers (C), a monomer having a ο-phenylphenol group in the molecule and a monomer having a fluorene structure in the molecule can improve the etching resistance of chlorine gas. A dimer is preferable, and a (meth) acrylate having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (5) and a di (meth) acrylate having a fluorene structure represented by the formula (6) are preferable.

また、上記重合性単量体(C)は、使用する用途、形成するパターンの形状に応じて、単独でも良いし、複数種類のものを組み合わせて使用しても良い。   Moreover, the said polymerizable monomer (C) may be individual according to the use to be used and the shape of the pattern to form, and may be used combining several types.

式(5)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する(メタ)アクリレートについて説明する。   The (meth) acrylate having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (5) will be described.

下記式(5)   Following formula (5)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
12は、水素原子、またはメチル基であり、
13は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基であり、qは1〜6の整数である。)
において、R12は水素原子あるいはメチル基である。これらの中でも水素原子のほうが、光硬化性ナノインプリント用組成物を硬化させる際の光硬化速度が速いので好ましい。
(Where
R 12 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 13 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and q is an integer of 1 to 6. )
In the formula, R 12 is a hydrogen atom or a methyl group. Among these, a hydrogen atom is preferable because the photocuring speed when curing the photocurable nanoimprinting composition is high.

13は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基である。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基等のアルキレン基;1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基、2−ヒドロキシイソブチレン基、3−ヒドロキシイソブチレン基、1−ヒドロキシsec−ブチレン基、2−ヒドロキシsec−ブチレン基、3−ヒドロキシsec−ブチレン基、4−ヒドロキシsec−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシペンチレン基、2−ヒドロキシペンチレン基、3−ヒドロキシペンチレン基、4−ヒドロキシペンチレン基、5−ヒドロキシペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、1−ヒドロキシ−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシヘプチレン基、2−ヒドロキシヘプチレン基、3−ヒドロキシヘプチレン基、4−ヒドロキシヘプチレン基、5−ヒドロキシヘプチレン基、6−ヒドロキシヘプチレン基、7−ヒドロキシヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシオクチレン基、2−ヒドロキシオクチレン基、3−ヒドロキシオクチレン基、4−ヒドロキシオクチレン基、5−ヒドロキシオクチレン基、6−ヒドロキシオクチレン基、7−ヒドロキシオクチレン基、8−ヒドロキシオクチレン基、1−ヒドロキシ−2−オクチレン基、2−ヒドロキシ−2−オクチレン基、3−ヒドロキシ−2−オクチレン基、4−ヒドロキシ−2−オクチレン基、5−ヒドロキシ−2−オクチレン基、6−ヒドロキシ−2−オクチレン基、7−ヒドロキシ−2−オクチレン基、8−ヒドロキシ−2−オクチレン基、1−ヒドロキシ−3−オクチレン基、2−ヒドロキシ−3−オクチレン基、3−ヒドロキシ−3−オクチ
レン基、4−ヒドロキシ−3−オクチレン基、5−ヒドロキシ−3−オクチレン基、6−ヒドロキシ−3−オクチレン基、7−ヒドロキシ−3−オクチレン基、8−ヒドロキシ−3−オクチレン基、1−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基等のヒドロキシアルキレン基が挙げられる。
R 13 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms. Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-methylbutylene group, 2- Methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3,3-dimethylbutylene Group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group, 2- Methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methylpentylene Group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, Alkylene groups such as 2-propylpentylene group and 2,4,4-trimethylpentylene group; 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group 2-hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group 4-hydroxybutylene group, 1-hydroxyisobutylene group, 2-hydroxyisobutylene group, 3-hydroxyisobutylene group, 1-hydroxysec-butylene group, 2-hydroxysec-butylene group, 3-hydroxysec-butylene group, 4 -Hydroxy sec-butylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 3-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 1-hydroxy-2-methylbutylene group, 2-hydroxy-2-methylbutylene group , 3-hydroxy- 2-methylbutylene group, 4-hydroxy-2-methylbutylene group, 1-hydroxy-2-methyl-2-butylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-butylene Group, 1-hydroxy-3-methylbutylene group, 2-hydroxy-3-methylbutylene group, 3-hydroxy-3-methylbutylene group, 4-hydroxy-3-methylbutylene group, 1-hydroxy-3-methyl- 2-butylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 1-hydroxypentylene group 2-hydroxypentylene group, 3-hydroxypentylene group, 4-hydroxypentylene group, 5-hydroxypentylene group, 1-hydroxy 2-pentylene group, 2-hydroxy-2-pentylene group, 3-hydroxy-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-pentylene group 2-hydroxy-3-pentylene group, 3-hydroxy-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-pentylene group, 1-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 3-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group 2-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 1-hydroxy-3,3 Dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-2-ethylbutylene group, 2-hydroxy 2-ethylbutylene group, 3-hydroxy-2-ethylbutylene group, 4-hydroxy-2-ethylbutylene group, 1-hydroxy-hexylene group, 2-hydroxy-hexylene group, 3-hydroxy-hexylene group, 4- Hydroxy-hexylene group, 5-hydroxy-hexylene group, 6-hydroxy-hexylene group, 1-hydroxy-2-hexylene group, 2-hydroxy-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-hexylene group, 4-hydroxy- 2-hexylene group, 5-hydroxy-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-hexylene group, 1- Hydroxy-3-hexylene group, 2-hydroxy-3-hexylene group, 3-hydroxy-3-hexylene group, 4-hydroxy-3-hexylene group, 5-hydroxy-3-hexylene group, 6-hydroxy-3-hexylene Group, 1-hydroxy-2-methylpentylene group, 2-hydroxy-2-methylpentylene group, 3-hydroxy-2-methylpentylene group, 4-hydroxy-2-methylpentylene group, 5-hydroxy- 2-methylpentylene group, 1-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy- 2-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-pen Len group, 2-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl- 3-pentylene group, 1-hydroxy-3-methylpentylene group, 2-hydroxy-3-methylpentylene group, 3-hydroxy-3-methylpentylene group, 4-hydroxy-3-methylpentylene group, 5 -Hydroxy-3-methylpentylene group, 1-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 4 -Hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-methyl-3-pentylene 2-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-3- Pentylene group, 1-hydroxy-4-methylpentylene group, 2-hydroxy-4-methylpentylene group, 3-hydroxy-4-methylpentylene group, 4-hydroxy-4-methylpentylene group, 5-hydroxy -4-methylpentylene group, 1-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy -4-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group 3-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy- 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,3-dimethyl -3-pentylene group, 1-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group 4-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pe Tylene group, 2-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 1- Hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 1-hydroxyheptylene group, 2-hydroxyheptylene group, 3-hydroxyheptylene group, 4-hydroxyheptylene group, 5-hydroxyheptylene group, 6-hydroxyheptylene group, 7- Hydroxyheptylene group, 1-hydroxy-2-heptylene group, 2-hydroxy-2-heptylene group, 3-hydroxy-2-heptylene group, 4-hydroxy- -Heptylene group, 5-hydroxy-2-heptylene group, 6-hydroxy-2-heptylene group, 7-hydroxy-2-heptylene group, 1-hydroxy-3-heptylene group, 2-hydroxy-3-heptylene group, 3 -Hydroxy-3-heptylene group, 4-hydroxy-3-heptylene group, 5-hydroxy-3-heptylene group, 6-hydroxy-3-heptylene group, 7-hydroxy-3-heptylene group, 1-hydroxy-2- Methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy- 2-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 2-hydroxy-2-methyl-3-he Xylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl- 3-hexylene group, 1-hydroxy-5-methylhexylene group, 2-hydroxy-5-methylhexylene group, 3-hydroxy-5-methylhexylene group, 4-hydroxy-5-methylhexylene group, 5 -Hydroxy-5-methylhexylene group, 6-hydroxy-5-methylhexylene group, 1-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 2-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy -5-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, -Hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy-2-ethylhexylene group, 2-hydroxy-2-ethylhexylene group, 3-hydroxy-2-ethylhexylene group, 4-hydroxy-2 -Ethylhexylene group, 5-hydroxy-2-ethylhexylene group, 6-hydroxy-2-ethylhexylene group, 1-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 2-hydroxy-6-methyl-2 -Heptylene group, 3-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 4-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 5-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 6-hydroxy-6-methyl 2-heptylene group, 7-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 1-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 2-hydroxyl -4-methyl-3-heptylene group, 3-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 4-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 5-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 6 -Hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 1-hydroxyoctylene group, 2-hydroxyoctylene group, 3-hydroxyoctylene group, 4-hydroxyoctylene group, 5-hydroxyoctylene group, 6-hydroxy Octylene group, 7-hydroxyoctylene group, 8-hydroxyoctylene group, 1-hydroxy-2-octylene group, 2-hydroxy-2-octylene group, 3-hydroxy-2-octylene group, 4-hydroxy-2 -Octylene group, 5-hydroxy-2-octylene group, 6-hydroxy-2-octylene group, 7-hydroxy-2-o Cutylene group, 8-hydroxy-2-octylene group, 1-hydroxy-3-octylene group, 2-hydroxy-3-octylene group, 3-hydroxy-3-octylene group, 4-hydroxy-3-octylene group, 5- Hydroxy-3-octylene group, 6-hydroxy-3-octylene group, 7-hydroxy-3-octylene group, 8-hydroxy-3-octylene group, 1-hydroxy-2-propylpentylene group, 2-hydroxy-2 -Propylpentylene group, 3-hydroxy-2-propylpentylene group, 4-hydroxy-2-propylpentylene group, 5-hydroxy-2-propylpentylene group, 1-hydroxy-2,4,4-trimethyl Pentylene group, 2-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 3-hydroxy-2,4,4-trime Rupenchiren groups include hydroxy alkylene groups such as 5-hydroxy-2,4,4-trimethyl pentylene group.

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基または1−ヒドロキシメチレン基、2−ヒドロキシメチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキレン基が好ましい。   Among these, an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, and a butylene group, or a 1-hydroxymethylene group, a 2-hydroxymethylene group, a 1-hydroxypropylene group, 2- Hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, 4 A hydroxyalkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as a hydroxybutylene group is preferred.

式(5)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する(メタ)アクリレートとして、例えば、3−ο−フェニルフェノールメチル(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールエチル(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールプロピル(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールブチル(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールジエトキシ(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールトリエトキシ(メタ)アクリレート、3−ο−フェニルフェノールテトラエトキシ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−ο−フェニルフェノールプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−ο−フェニルフェノールブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ−3−ο−フェニルフェノールプロピル(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Examples of the (meth) acrylate having a ο-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (5) include 3-ο-phenylphenol methyl (meth) acrylate, 3-ο-phenylphenol ethyl (meth) acrylate, 3 -Ο-phenylphenol propyl (meth) acrylate, 3-ο-phenylphenol butyl (meth) acrylate, 3-ο-phenylphenol diethoxy (meth) acrylate, 3-ο-phenylphenol triethoxy (meth) acrylate, 3 -Ο-phenylphenol tetraethoxy (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-ο-phenylphenolpropyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-ο-phenylphenolbutyl (meth) acrylate, 3-hydroxy-3- ο-Phenylpheno And rupropyl (meth) acrylate.

式(6)で示される分子内にフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレートについて説明する。   The di (meth) acrylate having a fluorene structure in the molecule represented by the formula (6) will be described.

下記式(6)   Following formula (6)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
14、R15は、それぞれ独立に水素原子、またはメチル基であり、
16、R17は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、又は下記式(7)で表される基であり、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。)
(Where
R 14 and R 15 are each independently a hydrogen atom or a methyl group,
R 16 and R 17 are an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the following formula (7). Also good. )

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、R18及びR19は、エチレン基、またはプロピレン基であり、nは1〜3の整数である。)
において、R14、R15はそれぞれ独立に水素原子あるいはメチル基である。これらの中でも水素原子のほうが、光硬化性ナノインプリント用組成物を硬化させる際の光硬化速度が速いので好ましい。
(In the formula, R 18 and R 19 are an ethylene group or a propylene group, and n is an integer of 1 to 3.)
, R 14 and R 15 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. Among these, a hydrogen atom is preferable because the photocuring speed when curing the photocurable nanoimprinting composition is high.

16、R17は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、又は式(7)で表される基である。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基等のアルキレン基;トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基等のポリメチレン基、1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基、2−ヒドロキシイソブチレン基、3−ヒドロキシイソブチレン基、1−ヒドロキシsec−ブチレン基、2−ヒドロキシsec−ブチレン基、3−ヒドロキシsec−ブチレン基、4−ヒドロキシsec−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシペンチレン基、2−ヒドロキシペンチレン基、3−ヒドロキシペンチレン基、4−ヒドロキシペンチレン基、5−ヒドロキシペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、1−ヒドロキシ−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシヘプチレン基、2−ヒドロキシヘプチレン基、3−ヒドロキシヘプチレン基、4−ヒドロキシヘプチレン基、5−ヒドロキシヘプチレン基、6−ヒドロキシヘプチレン基、7−ヒドロキシヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシオクチレン基、2−ヒドロキシオクチレン基、3−ヒドロキシオクチレン基、4−ヒドロキシオクチレン基、5−ヒドロキシオクチレン基、6−ヒドロキシオクチレン基、7−ヒドロキシオクチレン基、8−ヒドロキシオクチレン基、1−ヒドロキシ−2−オクチレン基、2−ヒドロキシ−2−オクチレン基、3−ヒドロキシ−2−オクチレン基、4−ヒドロキシ−2−オクチレン基、5−ヒドロキシ−2−オクチレン基
、6−ヒドロキシ−2−オクチレン基、7−ヒドロキシ−2−オクチレン基、8−ヒドロキシ−2−オクチレン基、1−ヒドロキシ−3−オクチレン基、2−ヒドロキシ−3−オクチレン基、3−ヒドロキシ−3−オクチレン基、4−ヒドロキシ−3−オクチレン基、5−ヒドロキシ−3−オクチレン基、6−ヒドロキシ−3−オクチレン基、7−ヒドロキシ−3−オクチレン基、8−ヒドロキシ−3−オクチレン基、1−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基等のヒドロキシアルキレン基等、エチレングリコール基、ジエチレングリコール基、トリエチレングリコール基、テトラエチレングリコール基、ペンタエチレングリコール基等のポリエチレングリコール基、プロピレングリコール基、ジプロピレングリコール基、トリプロピレングリコール基、テトラプロピレングリコール基等のポリプロピレングリコール基が挙げられる。
R 16 and R 17 are an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the formula (7). Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-methylbutylene group, 2- Methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3,3-dimethylbutylene Group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group, 2- Methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methylpentylene Group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, Alkylene groups such as 2-propylpentylene, 2,4,4-trimethylpentylene; trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, hexamethylene, heptam Polymethylene groups such as len group, octamethylene group, nonamethylene group, decamethylene group, 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group, 2-hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxy Isopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, 4-hydroxybutylene group, 1-hydroxyisobutylene group, 2- Hydroxyisobutylene group, 3-hydroxyisobutylene group, 1-hydroxysec-butylene group, 2-hydroxysec-butylene group, 3-hydroxysec-butylene group, 4-hydroxysec-butylene group, 1-hydroxy-2,2- Jime Tylpropylene group, 3-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 1-hydroxy-2-methylbutylene group, 2-hydroxy-2-methylbutylene group, 3-hydroxy-2-methylbutylene group, 4-hydroxy- 2-methylbutylene group, 1-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 3-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 1-hydroxy-3-methylbutylene Group, 2-hydroxy-3-methylbutylene group, 3-hydroxy-3-methylbutylene group, 4-hydroxy-3-methylbutylene group, 1-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3 -Methyl-2-butylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-butylene 1-hydroxypentylene group, 2-hydroxypentylene group, 3-hydroxypentylene group, 4-hydroxypentylene group, 5-hydroxypentylene group, 1-hydroxy-2-pentylene group, 2-hydroxy-2 -Pentylene group, 3-hydroxy-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-pentylene group, 2-hydroxy-3-pentylene group, 3 -Hydroxy-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-pentylene group, 1-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene Group, 3-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group 1-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 2-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 1-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group 2-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-2-ethylbutylene group, 2-hydroxy-2-ethylbutylene group 3-hydroxy-2-ethylbutylene group, 4-hydroxy-2-ethylbutylene group, 1-hydroxy-hexylene group, 2-hydroxy-hexylene group, 3-hydroxy-hexylene group, 4-hydroxy-hexylene group, 5 -Hydroxy-hexylene group, 6-hydroxy-hexylene group, 1-hydroxy-2-hexylene group, 2-hydroxy-2 -Hexylene group, 3-hydroxy-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-hexylene group, 5-hydroxy-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-hexylene group, 1-hydroxy-3-hexylene group, 2 -Hydroxy-3-hexylene group, 3-hydroxy-3-hexylene group, 4-hydroxy-3-hexylene group, 5-hydroxy-3-hexylene group, 6-hydroxy-3-hexylene group, 1-hydroxy-2- Methylpentylene group, 2-hydroxy-2-methylpentylene group, 3-hydroxy-2-methylpentylene group, 4-hydroxy-2-methylpentylene group, 5-hydroxy-2-methylpentylene group, 1 -Hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-2 Methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 2-hydroxy- 2-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 1- Hydroxy-3-methylpentylene group, 2-hydroxy-3-methylpentylene group, 3-hydroxy-3-methylpentylene group, 4-hydroxy-3-methylpentylene group, 5-hydroxy-3-methylpentylene Len group, 1-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl 2-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-3 -Methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 1-hydroxy -4-methylpentylene group, 2-hydroxy-4-methylpentylene group, 3-hydroxy-4-methylpentylene group, 4-hydroxy-4-methylpentylene group, 5-hydroxy-4-methylpentylene Group, 1-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4-methyl-2- Pentylene group, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2, 2-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-2,3-dimethyl-3 -Pentylene group, 2-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 1 -Hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pe Tylene group, 4-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 2- Hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-ethyl -3-pentylene group, 2-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 1-hydroxyheptyl Len group, 2-hydroxyheptylene group, 3-hydroxyheptylene group, 4-hydroxyheptylene group, 5-hydroxyheptylene group, 6-hydroxyheptene group Len group, 7-hydroxyheptylene group, 1-hydroxy-2-heptylene group, 2-hydroxy-2-heptylene group, 3-hydroxy-2-heptylene group, 4-hydroxy-2-heptylene group, 5-hydroxy 2-heptylene group, 6-hydroxy-2-heptylene group, 7-hydroxy-2-heptylene group, 1-hydroxy-3-heptylene group, 2-hydroxy-3-heptylene group, 3-hydroxy-3-heptylene group 4-hydroxy-3-heptylene group, 5-hydroxy-3-heptylene group, 6-hydroxy-3-heptylene group, 7-hydroxy-3-heptylene group, 1-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy- 2-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 2-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 3- Hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 1-hydroxy-5-methylhexylene group, 2-hydroxy-5-methylhexylene group, 3-hydroxy-5-methylhexylene group, 4-hydroxy-5-methylhexylene group, 5-hydroxy-5- Methylhexylene group, 6-hydroxy-5-methylhexylene group, 1-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 2-hydroxy-5-methyl- -Hexylene group, 3-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy-5-methyl 2-hexylene group, 1-hydroxy-2-ethylhexylene group, 2-hydroxy-2-ethylhexylene group, 3-hydroxy-2-ethylhexylene group, 4-hydroxy-2-ethylhexylene group, 5-hydroxy-2-ethylhexylene group, 6-hydroxy-2-ethylhexylene group, 1-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 2-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 3- Hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 4-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 5-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group Group, 6-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 7-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 1-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 2-hydroxy-4-methyl-3 -Heptylene group, 3-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 4-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 5-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 6-hydroxy-4-methyl -3-heptylene group, 1-hydroxyoctylene group, 2-hydroxyoctylene group, 3-hydroxyoctylene group, 4-hydroxyoctylene group, 5-hydroxyoctylene group, 6-hydroxyoctylene group, 7- Hydroxyoctylene group, 8-hydroxyoctylene group, 1-hydroxy-2-octylene group, 2-hydroxy-2-octylene group, 3 -Hydroxy-2-octylene group, 4-hydroxy-2-octylene group, 5-hydroxy-2-octylene group, 6-hydroxy-2-octylene group, 7-hydroxy-2-octylene group, 8-hydroxy-2- Octylene group, 1-hydroxy-3-octylene group, 2-hydroxy-3-octylene group, 3-hydroxy-3-octylene group, 4-hydroxy-3-octylene group, 5-hydroxy-3-octylene group, 6- Hydroxy-3-octylene group, 7-hydroxy-3-octylene group, 8-hydroxy-3-octylene group, 1-hydroxy-2-propylpentylene group, 2-hydroxy-2-propylpentylene group, 3-hydroxy 2-propylpentylene group, 4-hydroxy-2-propylpentylene group, 5-hydroxy-2-pro Rupentylene group, 1-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 2-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 3-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 5- Hydroxyalkylene group such as hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, etc., ethylene glycol group, diethylene glycol group, triethylene glycol group, tetraethylene glycol group, polyethylene glycol group such as pentaethylene glycol group, propylene glycol group, Examples thereof include polypropylene glycol groups such as dipropylene glycol group, tripropylene glycol group, and tetrapropylene glycol group.

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基又は、1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキレン基、又は、式(7)においてR18、R19がエチレン基であり、かつnが1〜2の基、またはR18、R19がプロピレン基であり、かつnが1〜2の基が好ましい。
式(6)で示される分子内にフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレートとして、例えば、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシメトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシイソプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシブチルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシエチルエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシイソプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシブチルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエチレングリコキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシプロピレングリコキシ)フェニル]フルオレン等が挙げられる。
Among these, an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group, 2 -Hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, A hydroxyalkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as 4-hydroxybutylene group and 1-hydroxyisobutylene group, or a group of formula (7) wherein R 18 and R 19 are ethylene groups and n is 1 to 2; or R 18, R 19 is a propylene group, and the group of n is 1-2 Masui.
Examples of the di (meth) acrylate having a fluorene structure in the molecule represented by the formula (6) include 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxymethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis. [4- (2- (meth) acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxypropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2 -(Meth) acryloyloxyisopropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxybutyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth)) Acryloyloxyhydroxyethylethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxy) Roxypropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyhydroxyisopropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyhydroxybutyl) Oxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyethyleneglycoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxypropyleneglycoxy) Phenyl] fluorene and the like.

次に、光重合開始剤(D)について説明する。   Next, the photopolymerization initiator (D) will be described.

(光重合開始剤(D))
本発明において、光重合開始剤(D)は特に制限されるものではなく、重合性単量体(C)を光重合できるものであれば、いかなる光重合開始剤も使用できる。
(Photopolymerization initiator (D))
In the present invention, the photopolymerization initiator (D) is not particularly limited, and any photopolymerization initiator can be used as long as it can photopolymerize the polymerizable monomer (C).

光重合開始剤としては、具体的に、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−ヒドロキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオニル)−ベンジル]−フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モリフォリン−4−イル−フェニル)ブタン−1−オン等のアセトフェノン誘導体;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−ジメトキシベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−ジクロロベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィン酸メチルエステル、2−メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ピバロイルフェニルホスフィン酸イソプロピルエステル、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−4−プロピルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−1−ナフチルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,5,6−トリメチルベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド誘導体;1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)等のO−アシルオキシム誘導体;ジアセチル、アセチルベンゾイル、ベンジル、2,3−ペンタジオン、2,3−オクタジオン、4,4’−ジメトキシベンジル、4,4’−オキシベンジル、カンファーキノン、9,10−フェナンスレンキノン、アセナフテンキノン等のα−ジケトン;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル;2,4−ジエトキシチオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、メチルチオキサンソン等のチオキサンソン誘導体;ベンゾフェノン、p,p’−ジメチルアミノベンゾフェノン、p,p’−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体;ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム等のチタノセン誘導体が好適に使用される。   Specific examples of the photopolymerization initiator include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1- ON, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-1- {4- [4- (2-hydroxy- 2-methylpropionyl) -benzyl] -phenyl} -2-methyl-propan-1-one, phenylglyoxylic acid methyl ester, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane -1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-dimethylamino-2- (4-methylben) Acetophenone derivatives such as (zyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) butan-1-one; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,6-dimethoxybenzoyldiphenylphosphine oxide, 2, 6-dichlorobenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,6-trimethylbenzoylphenylphosphinic acid methyl ester, 2-methylbenzoyldiphenylphosphine oxide, pivaloylphenylphosphinic acid isopropyl ester, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) phenylphosphine oxide Bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -2,5-dimethylphenylphosphine oxide, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -4-propylphenylphosphine oxide, bis (2,6-dichlorobenzoyl) -1-naphthylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide Bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,5-dimethylphenylphosphine oxide, bis- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,5,6-trimethylbenzoyl)- Acylphosphine oxide derivatives such as 2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide; 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9 -Ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, O-acyloxime derivatives such as 1- (O-acetyloxime); diacetyl, acetylbenzoyl, benzyl, 2,3-pentadione, 2,3-octadione, 4,4′-dimethoxybenzyl, 4,4′-oxybenzyl Α-diketones such as camphorquinone, 9,10-phenanthrenequinone, and acenaphthenequinone; benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin propyl ether; 2,4-diethoxythioxanthone, 2 -Thioxanthone derivatives such as chlorothioxanthone and methylthioxanthone; benzophenone derivatives such as benzophenone, p, p'-dimethylaminobenzophenone and p, p'-methoxybenzophenone; bis (η5-2,4-cyclopentadiene-1- Il) -bis (2,6 A titanocene derivative such as -difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium is preferably used.

これら光重合開始剤は、1種あるいは2種以上を混合して使用される。   These photopolymerization initiators are used alone or in combination of two or more.

また、α−ジケトンを用いる場合には、第3級アミン化合物と組み合わせて用いることが好ましい。α−ジケトンと組み合わせて用いることのできる第3級アミン化合物としては、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルアニリン、N,N−ジ−n−ブチルアニリン、N,N−ジベンジルアニリン、N,N−ジメチル−p−トルイジン、N,N−ジエチル−p−トルイジン、N,N−ジメチル−m−トルイジン、p−ブロモ−N,N−ジメチルアニリン、m−クロロ−N,N−ジメチルアニリン、p−ジメチルアミノベンズアルデヒド、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、p−ジメチルアミノ安息香酸アミルエステル、N,N−ジメチルアンスラニリックアシッドメチルエステル、N,N−ジヒドロキシエチルアニリン、N,N−ジヒドロキシエチル−p−トルイジン、p−ジメチルアミノフェネチルアルコール、p−ジメチルアミノスチルベン、N,N−ジメチル-3,5−キシリジン、4−ジメチルアミノピリジン、N,N−ジメチル−α−ナフチルアミン、N,N−ジメチル−β−ナフチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリエチルアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジメチルヘキシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、N,N−ジメチルステアリルアミン、N,N−ジメチルアミノエチルメタクリレート、N,N−ジエチルアミノエチルメタクリレート、2,2’−(n−ブチルイミノ)ジエタノール等が挙げられる。   When α-diketone is used, it is preferably used in combination with a tertiary amine compound. Tertiary amine compounds that can be used in combination with α-diketone include N, N-dimethylaniline, N, N-diethylaniline, N, N-di-n-butylaniline, N, N-dibenzylaniline. N, N-dimethyl-p-toluidine, N, N-diethyl-p-toluidine, N, N-dimethyl-m-toluidine, p-bromo-N, N-dimethylaniline, m-chloro-N, N- Dimethylaniline, p-dimethylaminobenzaldehyde, p-dimethylaminoacetophenone, p-dimethylaminobenzoic acid, p-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, p-dimethylaminobenzoic acid amyl ester, N, N-dimethylanthranic acid methyl Ester, N, N-dihydroxyethylaniline, N, N-dihydroxyethyl-p-toluidine, p Dimethylaminophenethyl alcohol, p-dimethylaminostilbene, N, N-dimethyl-3,5-xylidine, 4-dimethylaminopyridine, N, N-dimethyl-α-naphthylamine, N, N-dimethyl-β-naphthylamine, tri Butylamine, tripropylamine, triethylamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-dimethylhexylamine, N, N-dimethyldodecylamine, N, N-dimethylstearylamine, N, N-dimethylaminoethyl methacrylate N, N-diethylaminoethyl methacrylate, 2,2 ′-(n-butylimino) diethanol, and the like.

本発明においては、アセトフェノン誘導体、アシルホスフィンオキサイド誘導体、O−アシルオキシム誘導体、α−ジケトンを使用することが好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an acetophenone derivative, an acylphosphine oxide derivative, an O-acyloxime derivative, or an α-diketone.

本発明において、上記光重合開始剤の使用量は、前記重合性単量体(C)100質量部に対して、0.1〜10質量部であることが好ましく、0.1〜5質量部であることがエッチング耐性の観点からより好ましい。   In this invention, it is preferable that the usage-amount of the said photoinitiator is 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of said polymerizable monomers (C), and 0.1-5 mass parts It is more preferable from the viewpoint of etching resistance.

(有機珪素化合物)
本発明においては、下記式(2)
(E)下記式(2)
(Organic silicon compound)
In the present invention, the following formula (2)
(E) The following formula (2)

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
、Rは同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基または水素であり、
はアリール基であり、Rはアリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、
nは1〜10の整数である。)で示される有機珪素化合物(以下、単に「有機珪素化合物」ともいう)(E)を含有することが好ましく、この有機珪素化合物を使用することにより、塩素系ガス、酸素系ガス、フッ素系ガス等に対するエッチング耐性が向上し、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性を向上させることができる。
(Where
R 5 and R 6 are the same or different alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or hydrogen,
R 7 is an aryl group, R 8 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms,
n is an integer of 1-10. ) (E) is preferably contained, and by using this organosilicon compound, a chlorine-based gas, an oxygen-based gas, a fluorine-based gas is contained. Etching resistance with respect to etc. improves, and especially etching resistance with respect to chlorine gas can be improved.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、水の有無は特に制限されない。水を配合しない場合は、長期間保存安定性の点で効果があるが、若干ではあるが転写性が劣る場合がある。しかしながら、水を加えない場合でも、前記式(2)の有機珪素化合物を用いることにより、転写性を改善することが可能となる。   The presence or absence of water is not particularly limited in the photocurable nanoimprint composition of the present invention. When water is not blended, there is an effect in terms of long-term storage stability, but there are cases where the transferability is inferior to some extent. However, even when water is not added, the transferability can be improved by using the organosilicon compound of the formula (2).

前記式(2)において、R5、R6は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基が挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基が好ましい。本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、アルコールを含んでいてもよい。そのため、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、R5、R6は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましい。 In the formula (2), R 5 and R 6 are hydrogen, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, and tert-butyl group. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group and butyl group are preferred. The photocurable nanoimprinting composition of the present invention may contain an alcohol. Therefore, considering that it becomes an alcohol that can be easily mixed with other components, and that it becomes an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, R 5 and R 6 are methyl. It is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group.

、Rは、アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等のアリール基を挙げることができ、中でもフェニル基が好ましい。 In R 7 and R 8 , examples of the aryl group include aryl groups such as a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group, and among them, a phenyl group is preferable.

また、Rは、アルコキシ基としては、メチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基、sec−ブチルアルコキシ基、イソブチルアルコキシ基、tert−ブチルアルコキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、中でもメチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基が好ましい。このRで示されるアルコキシ基は、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、メチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基、sec−ブチルアルコキシ基、イソブチルアルコキシ基、tert−ブチルアルコキシ基等の炭素数1〜4のアルコキシ基であることが好ましい。該アリール基及びアルコキシ基は、アルキル基、エーテル基、グリコールエーテル基、水酸基、ハロゲン等の置換基を有していても良い。 R 8 represents an alkoxy group such as methyl alkoxy group, ethyl alkoxy group, propyl alkoxy group, isopropyl alkoxy group, butyl alkoxy group, sec-butyl alkoxy group, isobutyl alkoxy group, tert-butyl alkoxy group, and the like. Can do. As the alkoxy group, a methyl alkoxy group, an ethyl alkoxy group, a propyl alkoxy group, an isopropyl alkoxy group, and a butyl alkoxy group are particularly preferable. Considering that the alkoxy group represented by R 8 becomes an alcohol that can be easily mixed with other components, and that it becomes an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, It is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl alkoxy group, an ethyl alkoxy group, a propyl alkoxy group, an isopropyl alkoxy group, a butyl alkoxy group, a sec-butyl alkoxy group, an isobutyl alkoxy group, or a tert-butyl alkoxy group. . The aryl group and alkoxy group may have a substituent such as an alkyl group, an ether group, a glycol ether group, a hydroxyl group, or a halogen.

なかでも、R、Rはアリール基であることがエッチング耐性、特に塩素系ガスのエッチング耐性が良好な硬化膜を形成する点で好ましい。 Among these, R 7 and R 8 are preferably aryl groups from the viewpoint of forming a cured film having good etching resistance, in particular, etching resistance to chlorine gas.

また、該有機珪素化合物は、前記式(2)において、nが1〜10の整数を満足するものであれば、単一の化合物であってもよいし、nの値が異なる複数の有機珪素化合物の混合物であってもよい。単一の化合物を使用する場合、nの値は、より比較的低い圧力でのパターンの転写性や、100nm以下などの微細パターンの転写を勘案すると、1以上7以下であることが好ましい。また、複数の有機珪素化合物の混合物を使用する場合、nの平均値は、1以上10以下となることが好ましく、さらには、より比較的低い圧力でのパターンの転写性や、100nm以下などの微細パターンの転写を勘案すると、1以上7以下がより好ましい。   The organosilicon compound may be a single compound or a plurality of organosilicons having different values of n as long as n satisfies an integer of 1 to 10 in the formula (2). It may be a mixture of compounds. In the case of using a single compound, the value of n is preferably 1 or more and 7 or less in consideration of transferability of a pattern at a relatively low pressure and transfer of a fine pattern such as 100 nm or less. Further, when a mixture of a plurality of organosilicon compounds is used, the average value of n is preferably 1 or more and 10 or less, and further, the pattern transferability at a relatively lower pressure, 100 nm or less, etc. Considering the transfer of the fine pattern, it is more preferably 1 or more and 7 or less.

これら有機珪素化合物を具体的に例示すれば、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、フェニルトリブトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、ジフェニルジブトキシシラン、およびそれらの重縮合物が挙げられる。中でも、加水分解時に生成するアルコールが、塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールであることや、反応性等の理由から、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、およびそれらの重縮合物が好ましい。   Specific examples of these organosilicon compounds include phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltripropoxysilane, phenyltributoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, diphenyldipropoxysilane, diphenyldibutoxysilane. And polycondensates thereof. Among them, the alcohol produced during hydrolysis is an alcohol that can be easily removed after forming a coating film, and for reasons such as reactivity, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldioxydioxide. Ethoxysilanes and their polycondensates are preferred.

(フッ素化有機シラン化合物)
本発明においては、下記式(3)
(F)下記式(3)
(Fluorinated organosilane compound)
In the present invention, the following formula (3)
(F) Formula (3) below

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、
、およびR11は、それぞれ、炭素数1〜10のアルキル基、または炭素数3〜10のシクロアルキル基であり;R10は、炭素数1〜100の含フッ素アルキル基、含フッ素シクロアルキル基、または含フッ素アルコキシエーテル基であり;aは1〜3の整数であり、bは、0〜2の整数であり、ただし、a+b=1〜3であり;R、R10およびR11がそれぞれ複数存在する場合には、複数のR、R10およびR11は、それぞれ同一であっても、異なる基であってもよい。)で示されるフッ素化有機シラン化合物(以下、単に「フッ素化有機シラン化合物」ともいう)(F)をさらに含むことができる。このフッ素化有機シラン化合物を使用することにより、パターンの基板との密着性を損なわずに金型からの離型性を向上することができる。
(Where
R 9 and R 11 are each an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms; R 10 is a fluorine-containing alkyl group having 1 to 100 carbon atoms or a fluorine-containing cyclo group. An alkyl group or a fluorine-containing alkoxy ether group; a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 2, provided that a + b = 1 to 3; R 9 , R 10 and R When a plurality of 11 are present, the plurality of R 9 , R 10 and R 11 may be the same or different. ) (F) can be further included (hereinafter also referred to simply as “fluorinated organosilane compound”). By using this fluorinated organosilane compound, the releasability from the mold can be improved without impairing the adhesion of the pattern to the substrate.

前記式(3)において、RおよびR11は、炭素数1〜10のアルキル基、または炭素数3〜10のシクロアルキル基であり、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、ter−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基が挙げられる。前記式(3)の−ORからなるアルコキシ基は、他成分と容易に混合できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基であることがより好ましい。
10は、含フッ素アルキル基、含フッ素シクロアルキル基、または含フッ素アルコキシエーテル基である。ここで含フッ素アルキル基とは、アルキル基の1又は2以上の水素原子をフッ素原子に置換したものを意味し、その他の含フッ素シクロアルキル基、または含フッ素アルコキシエーテル基も同様にそれぞれシクロアルキル基、アルコキシエーテル基の1又は2以上の水素原子をフッ素原子に置換したものを意味する。含フッ素アルキル基の炭素数は1〜10が好ましく、含フッ素シクロアルキル基の炭素数は3〜10が好ましい。また、本発明における含フッ素アルコキシエーテル基は、下記式(8)で表されるアルコキシエーテル基において1又は2以上の水素原子をフッ素原子に置換したものである。
In the formula (3), R 9 and R 11 are an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group. C1-C4 alkyl groups, such as butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, ter-butyl group. In consideration of the fact that the alkoxy group composed of —OR 9 in the formula (3) becomes an alcohol that can be easily mixed with other components, specifically, R 9 is a methyl group, an ethyl group, or a propyl group. Is more preferable.
R 10 is a fluorine-containing alkyl group, a fluorine-containing cycloalkyl group, or a fluorine-containing alkoxy ether group. Here, the fluorine-containing alkyl group means one in which one or more hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms, and other fluorine-containing cycloalkyl groups or fluorine-containing alkoxy ether groups are each similarly cycloalkyl. Group, an alkoxy ether group in which one or more hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. The fluorine-containing alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and the fluorine-containing cycloalkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms. In addition, the fluorine-containing alkoxy ether group in the present invention is obtained by substituting one or more hydrogen atoms with fluorine atoms in the alkoxy ether group represented by the following formula (8).

Figure 2014065853
Figure 2014065853

(式中、Xは1以上の整数であり、Yは2以上の整数である)
上記式(8)において、Xは1〜6、Yは5〜50が好ましい。
また、R、R10、およびR11がそれぞれ複数存在する場合には、その複数のR、R10、およびR11は、同一であっても、異なる基であってもよい。
(In the formula, X is an integer of 1 or more, and Y is an integer of 2 or more)
In the above formula (8), X is preferably 1 to 6, and Y is preferably 5 to 50.
Also, if R 9, R 10, and the R 11 are present in plural, the plurality of R 9, R 10, and R 11 are identical or may be different groups.

これらフッ素化有機シラン化合物を具体的に例示すれば、(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロデシル)−トリエトキシシラン、(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロデシル)−トリメトキシシラン、ノナフルオロヘキシルトリエトキシシラン、ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン、(トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル)−トリエトキシシラン、(トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル)−トリメトキシシラン、ペンタフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロペンチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロペンチルトリメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)ジメチルエトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)ジメチルメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)メチルジエトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)メチルジメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリエトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン、パーフルオロプロピルトリエトキシシラン、パーフルオロプロピルトリメトキシシラン、5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−トリデカフルオロ−2−(トリデカフルオロヘキシル)デシルトリエトキシシラン、5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−トリデカフルオロ−2−(トリデカフルオロヘキシル)デシルトリメトキシシラン、パーフルオロドデシル−1H,1H,2H,2H−トリエトキシシラン、パーフルオロドデシル−1H,1H,2H,2H−トリメトキシシラン、パーフルオロテトラデシル−1H,1H,2H,2H−トリエトキシシラン、パーフルオロテトラデシル−1H,1H,2H,2H−トリメトキシシラン、3−(パーフルオロシクロヘキシルオキシ)プロピルトリメトキシシラン等が挙げられ、上記式(8)で表されるアルコキシエーテル基において1又は2以上の水素原子をフッ素原子に置換した含フッ素アルコキシエーテル基を有するフッ素化有機シラン化合物の例としては、商品名としては、例えば、ダイキン工業株式会社製オプツールHD−1100THが挙げられる。これらの中でも、分子同士の相互作用が比較的弱く分子配列構造の乱れから表面剥離性に有利と思われる点や前記式(3)の−ORからなるアルコキシ基の加水分解のし易さを考慮すると、(トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル)−トリメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシランが好ましい。 Specific examples of these fluorinated organosilane compounds are (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) -triethoxysilane, (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl). ) -Trimethoxysilane, nonafluorohexyltriethoxysilane, nonafluorohexyltrimethoxysilane, (tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl) -triethoxysilane, (tridecafluoro-1,1, 2,2-tetrahydrooctyl) -trimethoxysilane, pentafluoro-1,1,2,2-tetrahydropentyltriethoxysilane, pentafluoro-1,1,2,2-tetrahydropentyltrimethoxysilane, (3,3 , 3-trifluoropropyl) dimethylethoxysilane, (3,3, -Trifluoropropyl) dimethylmethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) methyldiethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) methyldimethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) ) Triethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane, perfluoropropyltriethoxysilane, perfluoropropyltrimethoxysilane, 5,5,6,6,7,7,8,8, 9,9,10,10,10-tridecafluoro-2- (tridecafluorohexyl) decyltriethoxysilane, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10 , 10-tridecafluoro-2- (tridecafluorohexyl) decyltrimethoxysilane, perfluorododecyl-1H, 1H, 2 , 2H-triethoxysilane, perfluorododecyl-1H, 1H, 2H, 2H-trimethoxysilane, perfluorotetradecyl-1H, 1H, 2H, 2H-triethoxysilane, perfluorotetradecyl-1H, 1H, 2H , 2H-trimethoxysilane, 3- (perfluorocyclohexyloxy) propyltrimethoxysilane and the like, and in the alkoxy ether group represented by the above formula (8), one or more hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. As an example of a fluorinated organosilane compound having a fluorine-containing alkoxy ether group, a trade name includes, for example, OPTOOL HD-1100TH manufactured by Daikin Industries, Ltd. Among these, the interaction between molecules is relatively weak, and the disorder of the molecular arrangement structure seems to be advantageous for surface releasability, and the ease of hydrolysis of the alkoxy group consisting of —OR 9 in the above formula (3). In consideration, (tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl) -trimethoxysilane and (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane are preferable.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造方法)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、前記(A)〜(D)成分、及びこれらに加えて、必要に応じて(E)、(F)成分、その他添加剤等を混合してなるものである。
(Method for producing photocurable nanoimprint composition)
The composition for photocurable nanoimprint of the present invention is obtained by mixing the components (A) to (D) and, in addition to the components (E) and (F), other additives and the like as necessary. Is.

本発明において、光硬化性ナノインプリント用組成物を構成する前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)と前記ヘテロポリ酸(B)は、以下の配合量とすることが好ましい。つまり、光硬化性ナノインプリント用組成物は、重合性単量体(C)100質量部に対して、前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)3〜300質量部、前記ヘテロポリ酸(B)0.1〜50質量部、及び前記光重合開始剤(D)0.1〜10質量部を含むことが好ましい。   In the present invention, the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group and the heteropolyacid (B) constituting the photocurable nanoimprint composition are preferably blended in the following amounts. That is, the composition for photocurable nanoimprint is used in an amount of 3 to 300 parts by mass of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group, 100 parts by mass of the polymerizable monomer (C), the heteropolyacid ( B) It is preferable that 0.1-50 mass parts and the said photoinitiator (D) 0.1-10 mass parts are included.

(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)とヘテロポリ酸(B)の配合量が前記範囲を満足することにより、分散性が良く、塗膜外観の良好な光硬化性ナノインプリント用組成物となり、濾過による精製が容易で生産性を向上することができる。さらに、塩素エッチング耐性、基材密着性が特に良好となる。また、比較的低圧でのナノインプリントが可能となるため、使用するモールドの寿命を長くすることもできる。分散性や比較的低圧でのナノインプリントを考慮すると、重合性単量体(C)100質量部に対して、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の配合量は、5〜250質量部であることがより好ましく、ヘテロポリ酸(B)の配合量は、0.2〜40質量部であることがより好ましい。   When the blending amount of the organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group and the heteropolyacid (B) satisfies the above range, the composition for photo-curable nanoimprint having good dispersibility and good coating appearance is obtained. Purification by filtration is easy and productivity can be improved. Furthermore, chlorine etching resistance and substrate adhesion are particularly good. Moreover, since nanoimprinting at a relatively low pressure is possible, the life of the mold to be used can be extended. In consideration of dispersibility and nanoimprint at a relatively low pressure, the blending amount of the organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group is 5 to 250 masses with respect to 100 mass parts of the polymerizable monomer (C). The amount of the heteropolyacid (B) is more preferably 0.2 to 40 parts by mass.

さらには、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の配合量(A)は、8〜200質量部であることが特に好ましく、ヘテロポリ酸(B)の配合量は、0.5〜30質量部であることが特に好ましい。(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の配合量は、10〜180質量部であることが最も好ましく、ヘテロポリ酸(B)の配合量は、1〜20質量部であることが最も好ましい。   Furthermore, the blending amount (A) of the organosilicon compound having a (meth) acryl group is particularly preferably 8 to 200 parts by weight, and the blending amount of the heteropolyacid (B) is 0.5 to 30 parts by weight. It is particularly preferred that The amount of the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group is most preferably 10 to 180 parts by mass, and the amount of the heteropolyacid (B) is most preferably 1 to 20 parts by mass. preferable.

本発明において、光硬化性ナノインプリント用組成物を構成する前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)と前記ヘテロポリ酸(B)にさらに、有機珪素化合物(E)を含むことができる。有機珪素化合物(E)を含むことで、エッチング耐性、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性を向上させることができる。
有機珪素化合物(E)の使用量は、下記に詳述する重合性単量体(C)100質量部に対して有機珪素化合物(E)を10〜400質量部とするのが好ましい。
下記に詳述する重合性単量体(C)100質量部に対して、有機珪素化合物(E)の使用量は、20〜350質量部であることがより好ましく、さらには、有機珪素化合物(E)の使用量は、30〜300質量部であることが特に好ましく、有機珪素化合物(E)の使用量は40〜250質量部であることが最も好ましい。
In the present invention, the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group and the heteropolyacid (B) constituting the photocurable nanoimprint composition may further contain an organosilicon compound (E). By including the organosilicon compound (E), it is possible to improve etching resistance, particularly etching resistance against chlorine-based gas.
The amount of the organosilicon compound (E) used is preferably 10 to 400 parts by mass of the organosilicon compound (E) with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (C) described in detail below.
The amount of the organosilicon compound (E) used is more preferably 20 to 350 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (C) described in detail below. The amount of E) used is particularly preferably 30 to 300 parts by mass, and the amount of the organosilicon compound (E) used is most preferably 40 to 250 parts by mass.

本発明において、光硬化性ナノインプリント用組成物を構成する前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)と前記ヘテロポリ酸(B)にさらに、フッ素化有機シラン化合物(F)を含むことができる。フッ素化有機シラン化合物(F)を含むことで、パターンの基板との密着性を損なわずに金型からの離型性を向上することができる。フッ素化有機シラン化合物(F)の使用量は、下記に詳述する重合性単量体(B)100質量部に対して、フッ素化有機シラン化合物(F)0.001〜4質量部とすることが好ましい。
下記に詳述する重合性単量体(B)100質量部に対して、フッ素化有機シラン化合物(F)の使用量は、0.01〜3質量部であることがより好ましく、さらには、フッ素化有機シラン化合物(F)の使用量は、0.03〜2質量部であることが特に好ましく、フッ素化有機シラン化合物(F)の使用量は0.05〜1質量部であることが最も好ましい。
In the present invention, the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group constituting the photocurable nanoimprint composition and the heteropolyacid (B) may further contain a fluorinated organosilane compound (F). it can. By including the fluorinated organic silane compound (F), the releasability from the mold can be improved without impairing the adhesion of the pattern to the substrate. The usage-amount of a fluorinated organosilane compound (F) shall be 0.001-4 mass parts of fluorinated organosilane compounds (F) with respect to 100 mass parts of polymerizable monomers (B) explained in full detail below. It is preferable.
The amount of the fluorinated organosilane compound (F) used is more preferably 0.01 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B) described in detail below. The amount of the fluorinated organosilane compound (F) used is particularly preferably 0.03 to 2 parts by mass, and the amount of the fluorinated organosilane compound (F) used is 0.05 to 1 part by mass. Most preferred.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造方法:使用する水、およびその量)
本発明では、光硬化性ナノインプリント用組成物を構成する(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)、さらに、有機珪素化合物(E)、および/または、フッ素化有機シラン化合物(F)は、加水分解の有無は特に制限されないが、ヘテロポリ酸の組成物中での溶解性や、転写性の観点から、加水分解により、アルコキシ基の一部分が部分的に加水分解された状態が好ましい。
(Method for producing photocurable nanoimprint composition: water used and its amount)
In the present invention, the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group constituting the photocurable nanoimprinting composition, the organosilicon compound (E), and / or the fluorinated organosilane compound (F) The presence or absence of hydrolysis is not particularly limited, but from the viewpoint of solubility in the composition of the heteropolyacid and transferability, a state in which a part of the alkoxy group is partially hydrolyzed by hydrolysis is preferable.

加水分解に新たに添加する水の量は、長期保存安定性を考慮すると一定の量にすることが好ましい。すなわち、添加する水の量は、全アルコキシ基のモル数に対して、0倍モル以上2.0倍モル未満から好ましく選択でき、より好ましくは、全アルコキシ基のモル数に対して、0倍モル以上1.2倍モル未満である。なお、全アルコキシ基のモル数とは、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の使用モル数と該(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)1分子中に存在するアルコキシ基の数との積と、有機珪素化合物(E)を使用する場合には、有機珪素化合物(E)の使用モル数と該有機珪素化合物(E)1分子中に存在するアルコキシ基の数との積、フッ素化有機シラン化合物(F)を使用する場合には、フッ素化有機シラン化合物(F)の使用モル数と該フッ素化有機シラン化合物1分子中に存在するアルコキシ基の数との積を加えたものである。   The amount of water newly added to the hydrolysis is preferably a constant amount in consideration of long-term storage stability. That is, the amount of water to be added can be preferably selected from 0-fold mol to less than 2.0-fold mol with respect to the number of moles of all alkoxy groups, and more preferably 0-fold with respect to the number of moles of all alkoxy groups. It is more than mol and less than 1.2 times mol. The number of moles of all alkoxy groups means the number of moles of the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group and the alkoxy present in one molecule of the organosilicon compound (A) having the (meth) acryl group. When the product of the number of groups and the organosilicon compound (E) are used, the number of moles of the organosilicon compound (E) used and the number of alkoxy groups present in one molecule of the organosilicon compound (E) Product, the product of the number of moles of the fluorinated organic silane compound (F) used and the number of alkoxy groups present in one molecule of the fluorinated organic silane compound. Is added.

本発明において、ヘテロポリ酸(B)が加水分解で使用される酸となるが、ヘテロポリ酸(B)の他にも酸を使用してもよい。使用する酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の無機酸、有機リン酸、蟻酸、酢酸、無水酢酸、クロロ酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、クエン酸、グルコン酸、コハク酸、酒石酸、乳酸、フマル酸、リンゴ酸、イタコン酸、シュウ酸、ムチン酸、尿酸、バルビツル酸、p−トルエンスルホン酸等の有機酸、酸性陽イオン交換樹脂が挙げられる。酸を使用する場合には、特に制限されるものではないが、その使用量は、全アルコキシ基のモル数に対して、水素イオンが0.0001倍モル以上0.01倍モル以下となる量とすることが好ましい。また、この酸はそのまま使用することもできるが、酸水溶液、又は水に分散させた状態のものを使用することが好ましい。この場合、0.1〜6Nの濃度のものを使用することが好ましい。この場合、使用した水は、上記水の使用量に含まれるものとする。   In the present invention, the heteropolyacid (B) is an acid used for hydrolysis, but an acid may be used in addition to the heteropolyacid (B). Acids used include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, organic phosphoric acid, formic acid, acetic acid, acetic anhydride, chloroacetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, citric acid, gluconic acid, Examples thereof include organic acids such as succinic acid, tartaric acid, lactic acid, fumaric acid, malic acid, itaconic acid, oxalic acid, mucinic acid, uric acid, barbituric acid, and p-toluenesulfonic acid, and acidic cation exchange resins. When an acid is used, it is not particularly limited, but the amount used is an amount such that the amount of hydrogen ions is 0.0001 times to 0.01 times mol relative to the number of moles of all alkoxy groups. It is preferable that The acid can be used as it is, but it is preferable to use an acid aqueous solution or a solution dispersed in water. In this case, it is preferable to use one having a concentration of 0.1 to 6N. In this case, the used water is included in the amount of water used.

本発明において、光硬化性ナノインプリント用組成物は、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)(有機珪素化合物(E)および/またはフッ素化有機シラン化合物(F)を用いる場合は有機珪素化合物(E)および/フッ素化有機シラン化合物(F)も含む)とポリヘテロ酸とを混合する。
ポリヘテロ酸以外の酸や水を添加する場合の方法としては、例えば、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)に所定量の酸や水を添加し加水分解することや、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)と有機珪素化合物(E)の混合物に所定量の酸や水を添加し加水分解することや、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)と有機珪素化合物(E)とフッ素化有機シラン化合物(F)の混合物に所定量の酸や水を添加し加水分解することや、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)とフッ素化有機シラン化合物(F)の混合物に所定量の水や酸を添加し加水分解した後、さらに、有機珪素化合物(E)を添加し、所定量の酸や水を添加し加水分解することが挙げられる。
In the present invention, the photocurable nanoimprinting composition comprises an organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group (organosilicon in the case of using an organosilicon compound (E) and / or a fluorinated organosilane compound (F)). Compound (E) and / or fluorinated organosilane compound (F) are also mixed with polyheteroacid.
Examples of the method for adding an acid other than polyheteroacid or water include, for example, adding a predetermined amount of acid or water to an organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group and hydrolyzing, or (meth) A predetermined amount of acid or water is added to the mixture of the organic silicon compound (A) having the acrylic group and the organic silicon compound (E) for hydrolysis, or the organic silicon compound (A) having the (meth) acryl group and the organic Hydrolysis by adding a predetermined amount of acid or water to a mixture of the silicon compound (E) and the fluorinated organosilane compound (F), or an organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group and the fluorinated organosilane After adding a predetermined amount of water or acid to the mixture of the compound (F) for hydrolysis, an organosilicon compound (E) is further added, and a predetermined amount of acid or water is added for hydrolysis.

また、加水分解させる成分と水との混合は、5℃以上60℃以下の温度にて実施すればよい。この際、加水分解を容易に進行させるため、希釈溶媒を使用することもできる。希釈溶媒としては、炭素数1〜4のアルコールが好ましく、特に、エタノールを使用することが好ましい。希釈溶媒の使用量は、加水分解させる成分の種類により適宜決定すればよいが、加水分解させる成分の混合物100質量部に対して、50〜400質量部であることが好ましい。   Moreover, what is necessary is just to implement mixing of the component to hydrolyze and water at the temperature of 5 to 60 degreeC. At this time, a diluting solvent may be used to facilitate the hydrolysis. As a dilution solvent, a C1-C4 alcohol is preferable and it is preferable to use ethanol especially. Although the usage-amount of a dilution solvent should just be suitably determined with the kind of component to hydrolyze, it is preferable that it is 50-400 mass parts with respect to 100 mass parts of mixtures of the component to hydrolyze.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造方法:加水分解条件)
本発明において、加水分解における反応温度は、特に制限されないが、通常は、5℃〜60℃の範囲から選択される。反応時間は、前記反応温度との兼ね合いで適宜選択すれば良く、通常は、10分〜12時間の範囲から選択される。
(Production method of photocurable nanoimprint composition: hydrolysis conditions)
In the present invention, the reaction temperature in the hydrolysis is not particularly limited, but is usually selected from the range of 5 ° C to 60 ° C. The reaction time may be appropriately selected in consideration of the reaction temperature, and is usually selected from the range of 10 minutes to 12 hours.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の使用方法、物性)
上記の方法に従い、光硬化性ナノインプリント用組成物を準備することができる。加水分解時にアルコキシ基に由来するアルコールを生じる。本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、加水分解時に副生するアルコール及び加水分解に使用した水を含むこともできる。さらには、加水分解を容易に進めるために使用した希釈溶媒を含むこともできる。
(Usage and physical properties of photocurable nanoimprint composition)
According to said method, the composition for photocurable nanoimprint can be prepared. An alcohol derived from an alkoxy group is produced during hydrolysis. The composition for photocurable nanoimprinting of the present invention can also contain alcohol produced as a by-product during hydrolysis and water used for hydrolysis. Furthermore, the diluent solvent used in order to advance a hydrolysis easily can also be included.

光硬化性ナノインプリント用組成物は、他の成分との混合のし易さ、光硬化性ナノインプリント用組成物の生産性等を考慮すると、25℃における粘度が0.1〜100mPa・secであることが好ましい。なお、この粘度の値は、音叉式粘度計:AND VIBRO VISCOMETER SV-1Aにより測定した値であり、副生したアルコール、使用した水、および希釈のために使用した希釈溶媒を含む状態で用いる場合には、これらを含んだものを測定した際の値である。   In consideration of ease of mixing with other components, productivity of the photocurable nanoimprint composition, etc., the photocurable nanoimprint composition has a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 100 mPa · sec. Is preferred. This viscosity value is a value measured with a tuning fork viscometer: AND VIBRO VISCOMETER SV-1A. When used in a condition containing by-produced alcohol, water used, and dilution solvent used for dilution. Is a value obtained by measuring those including these.

(光硬化性ナノインプリント用組成物におけるその他の添加成分)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲でその他の成分を配合することができる。
(Other additive components in photocurable nanoimprint composition)
The photocurable nanoimprint composition of the present invention may contain other components within a range that does not impair the effects of the present invention.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物の使用に当たり、前記光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布して使用するが、この場合、光硬化性ナノインプリント用組成物を溶媒で希釈して使用することもできる。また、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を安定化させる目的、又は、その他の目的で溶媒や安定剤やその他公知の添加剤を配合することもできる。使用される溶媒としては、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物が溶解する溶媒であれば、何ら制限なく使用でき、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、トルエン、クロロホルム、酢酸エチルエステル、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、エチレングリコール、エチレングリコールイソプロピルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルラクテート、エチル−3−エトキシプロピオネート、ブチルアセテート、2−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、ジアセトンアルコール、アセチルアセトン、t−ブチルアルコール、ポリエチレングリコール、その他のアルコール類を挙げることができる。溶媒を使用する場合、使用量は特に制限されず、目的の塗膜の厚みに応じて、適宜選択される。中でも、溶媒および光硬化性ナノインプリント用組成物の合計量を100質量%とすると、該溶媒の濃度が10〜99質量%となる範囲とすることが好ましい。   In use of the photocurable nanoimprint composition of the present invention, the photocurable nanoimprint composition is used by being applied onto a substrate. In this case, the photocurable nanoimprint composition is diluted with a solvent and used. You can also Moreover, a solvent, a stabilizer, and other well-known additives can also be mix | blended for the objective of stabilizing the composition for photocurable nanoimprint of this invention, or another objective. As the solvent used, any solvent that can dissolve the composition for photocurable nanoimprinting of the present invention can be used without any limitation. For example, acetonitrile, tetrahydrofuran, toluene, chloroform, acetic acid ethyl ester, methyl ethyl ketone, dimethylformamide, Cyclohexanone, ethylene glycol, ethylene glycol isopropyl ether, propylene glycol, propylene glycol methyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl-3-methoxypropionate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl lactate, ethyl-3-ethoxypropio Nate, butyl acetate, 2-heptanone, methyl isobutyl ketone, diacetone alcohol, acetylacetone, t- Chill alcohol, and polyethylene glycol, other alcohols. When using a solvent, the amount used is not particularly limited and is appropriately selected according to the thickness of the target coating film. In particular, when the total amount of the solvent and the photocurable nanoimprint composition is 100% by mass, the concentration of the solvent is preferably in the range of 10 to 99% by mass.

使用される安定化剤としては、ゾルゲル成分の安定化剤として一般的に知られているものであれば、何ら制限なく使用でき、例えば、メトキシ酢酸などのα―ヒドロキシカルボン酸アルキルエーテル;グリコール酸、乳酸、シュウ酸、マンデル酸、2−ヒドロキシイソ酪酸などのα―ヒドロキシカルボン酸;ジエタノールアミンなどのエタノールアミン類;ジアセチル、2,5−ヘキサンジオン、アセチルアセトン、メチルプロピルジケトン、ジメドンなどのジケトン類が挙げられる。安定剤を使用する場合、使用量は特に制限されないが、ゾルゲル成分量に応じて、使用量を調節することが好ましい。   The stabilizer used can be used without any limitation as long as it is generally known as a stabilizer for sol-gel components. For example, α-hydroxycarboxylic acid alkyl ether such as methoxyacetic acid; glycolic acid Α-hydroxycarboxylic acids such as lactic acid, oxalic acid, mandelic acid, 2-hydroxyisobutyric acid; ethanolamines such as diethanolamine; diketones such as diacetyl, 2,5-hexanedione, acetylacetone, methylpropyl diketone, and dimedone Can be mentioned. When a stabilizer is used, the amount used is not particularly limited, but it is preferable to adjust the amount used according to the amount of the sol-gel component.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物には、その他の公知の添加剤を配合することができる。具体的には、界面活性剤、重合禁止剤、反応性希釈剤等を配合することができる。界面活性剤は塗膜の均一性の点から、重合禁止剤は保存中に重合しないように安定化させるために配合される。   Other well-known additives can be mix | blended with the composition for photocurable nanoimprint of this invention. Specifically, a surfactant, a polymerization inhibitor, a reactive diluent and the like can be blended. From the viewpoint of the uniformity of the coating film, the surfactant is added to stabilize the polymerization inhibitor so that it does not polymerize during storage.

界面活性剤を配合する場合には、重合性単量体(C)100質量部に対して、0.0001〜0.1質量部、好ましくは、0.0005〜0.01質量量部の割合で配合することができる。   When blending the surfactant, the proportion of 0.0001 to 0.1 parts by weight, preferably 0.0005 to 0.01 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the polymerizable monomer (C). Can be blended.

界面活性剤としては、フッ素含有界面活性剤、シリコーン含有界面活性剤、脂肪族系界面活性剤を使用できる。中でも、光硬化性ナノインプリント用組成物がシリコンウエハ等の基板へ塗布されるものの場合、はじきを生ずることなく、組成物を均一に塗布し易い点から、脂肪族系界面活性剤を使用することがより好ましい。
界面活性剤の例としては、デシル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム等の高級アルコール硫酸エステルの金属塩類、ラウリン酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム等の脂肪族カルボン酸金属塩類、ラウリルアルコールとエチレンオキサイドとの付加物を硫酸化したラウリルエーテル硫酸エステルナトリウム等の高級アルキルエーテル硫酸エステルの金属塩類、スルホコハク酸ナトリウム等のスルホコハク酸ジエステル類、高級アルコールエチレンオキサイド付加物のリン酸エステル塩類等のアニオン性活性剤;ドデシルアンモニウムクロリド等のアルキルアミン塩類およびトリメチルドデシルアンモニウムブロミド等の4級アンモニウム塩類等のカチオン性界面活性剤;ドデシルジメチルアミンオキシド等のアルキルジメチルアミンオキシド類、ドデシルカルボキシベタイン等のアルキルカルボキシベタイン類、ドデシルスルホベタイン等のアルキルスルホベタイン類、ラウラミドプロピルアミンオキシド等のアミドアミノ酸塩等の両性イオン界面活性剤;ポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル類、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレントリベンジルフェニルエーテル類、脂肪酸ポリオキシエチレンラウリルエステル等の脂肪酸ポリオキシエチレンエステル類、ポリオキシエチレンソルビタンラウリルエステル等のポリオキシエチレンソルビタンエステル類等の非イオン性界面活性剤等を挙げることができる。界面活性剤は、それぞれ単独で使用できるだけでなく、必要に応じて、複数の種類を組み合わせて併用することもできる。
As the surfactant, a fluorine-containing surfactant, a silicone-containing surfactant, and an aliphatic surfactant can be used. Among these, in the case where the photocurable nanoimprint composition is applied to a substrate such as a silicon wafer, an aliphatic surfactant may be used from the viewpoint that the composition can be uniformly applied without causing repelling. More preferred.
Examples of surfactants include metal salts of higher alcohol sulfates such as sodium decyl sulfate and sodium lauryl sulfate, aliphatic carboxylic acid metal salts such as sodium laurate, sodium stearate and sodium oleate, lauryl alcohol and ethylene oxide. Anionic activity such as metal salts of higher alkyl ether sulfates such as sodium lauryl ether sulfate esterified with adducts with sodium, sulfosuccinic diesters such as sodium sulfosuccinate, phosphate esters of higher alcohol ethylene oxide adducts, etc. Agents; Cationic surfactants such as alkylamine salts such as dodecylammonium chloride and quaternary ammonium salts such as trimethyldodecylammonium bromide; such as dodecyldimethylamine oxide Zwitterionic surfactants such as alkyl dimethyl betaines such as alkyl dimethyl amine oxides, alkyl carboxy betaines such as dodecyl carboxy betaine, alkyl sulfo betaines such as dodecyl sulfo betaine, and amide amino acid salts such as lauramido propyl amine oxide; polyoxyethylene lauryl ether, etc. Polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyalkylene alkyl ethers, polyoxyethylene distyrenated phenyl ethers, polyoxyethylene alkyl phenyl ethers such as polyoxyethylene lauryl phenyl ether, polyoxyethylene tribenzylphenyl ethers, Fatty acid polyoxyethylene esters such as fatty acid polyoxyethylene lauryl ester, polio such as polyoxyethylene sorbitan lauryl ester It can be mentioned non-ionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan esters. Surfactants can be used not only independently but also in combination of a plurality of types as required.

重合禁止剤を配合する場合には、重合性単量体(C)100質量部に対して、0.01〜1.0質量部、好ましくは、0.1〜0.5質量部の割合で配合することができる。   When blending a polymerization inhibitor, it is 0.01 to 1.0 part by weight, preferably 0.1 to 0.5 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polymerizable monomer (C). Can be blended.

重合禁止剤の例としては、公知のものを挙げることができ、例えば、最も代表的なものは、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ハイドロキノン、ブチルヒドロキシトルエン等を挙げることができる。   Examples of the polymerization inhibitor include known ones. For example, the most typical ones include hydroquinone monomethyl ether, hydroquinone, butylhydroxytoluene and the like.

反応性希釈剤としては、N−ビニルピロリドン等の公知のものを挙げることができる。   Examples of the reactive diluent include known ones such as N-vinylpyrrolidone.

反応性希釈剤の添加量は特に制限されず、金型からのパターンの形成に影響を及ぼさない範囲で適宜選択され、重合性単量体(C)100質量部に対して、通常、1〜100質量部の範囲から適宜選択される。その中でも、光硬化性ナノインプリント用組成物の低粘度化、パターンの機械的強度等を勘案すると、5〜50質量部であることが好ましい。   The addition amount of the reactive diluent is not particularly limited, is appropriately selected within a range that does not affect the formation of the pattern from the mold, and is usually 1 to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (C). It is suitably selected from the range of 100 parts by mass. Among these, it is preferable that it is 5-50 mass parts, when the viscosity reduction of the composition for photocurable nanoimprint, the mechanical strength of a pattern, etc. are taken into consideration.

また、他の添加成分として、金型(パターン形成面)からの剥離性がよりよくなり、これにより、基板上に、再現性に優れた形状のパターンを形成できることから、パイパーブランチポリマーのような球状微粒子を添加することもできる。この場合、直径は1〜10nm、分子量10,000〜100,000の球状ハイパーブランチポリマーを配合することが好ましい。配合量は、重合性単量体(C)100質量部に対して0.1〜10質量部の量であることが好ましい。   In addition, as another additive component, the releasability from the mold (pattern forming surface) is improved, and thus a pattern having a shape with excellent reproducibility can be formed on the substrate. Spherical fine particles can also be added. In this case, it is preferable to blend a spherical hyperbranched polymer having a diameter of 1 to 10 nm and a molecular weight of 10,000 to 100,000. The blending amount is preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (C).

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)、ヘテロポリ酸(B)、重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、必要に応じて配合する有機珪素化合物(E)、必要に応じて配合するフッ素化有機シラン化合物(F)、その他の添加成分を混合することにより得られてなるものである。これら成分の添加順序は特に制限されるものではない。   The composition for photocurable nanoimprinting of the present invention is an organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group, a heteropolyacid (B), a polymerizable monomer (C), a photopolymerization initiator (D), and necessary. It is obtained by mixing the organosilicon compound (E) blended as needed, the fluorinated organosilane compound (F) blended as needed, and other additive components. The order of addition of these components is not particularly limited.

次に、この光硬化性ナノインプリント用組成物を使用して、基板上にパターンを形成する方法について説明する。   Next, a method for forming a pattern on a substrate using this photocurable nanoimprint composition will be described.

(光硬化性インプリン用組成物を用いたパターンの形成法)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を用いたパターン形成方法について説明する。
(Pattern formation method using photocurable imprinting composition)
A pattern forming method using the photocurable nanoimprinting composition of the present invention will be described.

先ず、上記方法に従って調製した光硬化性ナノインプリント用組成物を、基材上に公知の方法に従って塗布することにより、塗膜を形成する。   First, the coating film is formed by apply | coating the composition for photocurable nanoimprint prepared according to the said method on a base material according to a well-known method.

該基材としては、特にその形態、材質は制限されるものではなく、基板、シート、フィルム状のものが使用できる。具体的には、シリコンウエハ、石英、ガラス、サファイア、各種金属材料、アルミナ・窒化アルミニウム・炭化珪素・窒化珪素等のセラミックス、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルムのような公知の基板、シート、フィルムを使用することができる。なお、これら基材は、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物よりなる硬化膜との密着性をより改善するために、表面処理を施すこともできる。   The form and material of the substrate are not particularly limited, and substrates, sheets, and films can be used. Specifically, silicon wafer, quartz, glass, sapphire, various metal materials, ceramics such as alumina / aluminum nitride / silicon carbide / silicon nitride, polyethylene terephthalate film, polypropylene film, polycarbonate film, triacetyl cellulose film, cycloolefin resin A known substrate such as a film, a sheet, or a film can be used. In addition, these base materials can also surface-treat in order to improve adhesiveness with the cured film which consists of a composition for photocurable nanoimprint of this invention more.

これら基材上に、スピンコート法、ディッピング法、ディスペンス法、インクジェット法、スプレーコート法、ロールtoロール法のような公知の方法により、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を塗布し、乾燥することによって、塗膜を形成すればよい。塗膜の厚みは、特に制限されるものではなく、目的とする用途に応じて適宜決定すればよいが、通常0.1〜5μmであり、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、0.01〜0.1μmの厚みの塗膜の形成にも好適に適用できる。   On these substrates, the photocurable nanoimprint composition of the present invention is applied by a known method such as a spin coating method, a dipping method, a dispensing method, an ink jet method, a spray coating method, or a roll-to-roll method, followed by drying. By doing so, a coating film may be formed. The thickness of the coating film is not particularly limited, and may be appropriately determined according to the intended use, but is usually 0.1 to 5 μm, and the photocurable nanoimprint composition of the present invention is 0. The present invention can also be suitably applied to the formation of a coating film having a thickness of 0.01 to 0.1 μm.

乾燥温度は、塗膜が乾燥する温度として、適宜決定すれば良く、通常は40℃〜150℃の範囲から選択できる。薄く塗布するためは、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を有機溶媒にて希釈して塗布することも可能であり、その場合は、用いる有機溶媒の沸点、揮発性に応じて、乾燥温度を適宜決定すればよい。   What is necessary is just to determine a drying temperature suitably as temperature which a coating film dries, and it can select normally from the range of 40 to 150 degreeC. In order to apply thinly, it is also possible to apply the photocurable nanoimprinting composition of the present invention diluted with an organic solvent, in which case the drying temperature depends on the boiling point and volatility of the organic solvent used. May be determined as appropriate.

次に、所望のパターンが形成されている金型のパターン形成面を、前記塗膜と接触させる。この際、金型は、光照射を介して、塗布された組成物を硬化させることにより硬化膜を形成できるように、透明な材質、例えば、石英や透明な樹脂フィルムで形成されていることが好ましい。本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、金型を押し付ける際に比較的低圧でパターンを転写することができる。この際の圧力は、特に制限されるものではないが、0.01MPa〜1MPaの圧力でパターンを転写できる。なお、当然のことながら、上記圧力の上限値以上の圧力でもパターンの転写は可能である。   Next, the pattern forming surface of the mold on which a desired pattern is formed is brought into contact with the coating film. At this time, the mold may be formed of a transparent material such as quartz or a transparent resin film so that a cured film can be formed by curing the applied composition through light irradiation. preferable. The photocurable nanoimprinting composition of the present invention can transfer a pattern at a relatively low pressure when pressing a mold. The pressure at this time is not particularly limited, but the pattern can be transferred at a pressure of 0.01 MPa to 1 MPa. As a matter of course, the pattern can be transferred even at a pressure higher than the upper limit of the pressure.

その後、金型のパターン形成面と塗膜とを接触させた状態のまま、光を照射して、塗膜を硬化させる。照射する光は、波長が500nm以下で、光の照射時間は、0.1〜300秒の範囲から選択される。塗膜の厚み等にもよるが、通常、1〜60秒である。   Thereafter, the coating film is cured by irradiating light while keeping the pattern forming surface of the mold in contact with the coating film. The light to be irradiated has a wavelength of 500 nm or less, and the light irradiation time is selected from the range of 0.1 to 300 seconds. Although it depends on the thickness of the coating film, etc., it is usually 1 to 60 seconds.

光重合時の雰囲気として、大気下でも重合可能であるが、光重合反応を促進する上で、酸素阻害の少ない雰囲気下での光重合が好ましい。例えば、窒素ガス雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、フッ素系ガス雰囲気下、真空雰囲気下等が好ましい。   The atmosphere during photopolymerization can be polymerized even in the air, but in order to promote the photopolymerization reaction, photopolymerization in an atmosphere with little oxygen inhibition is preferred. For example, a nitrogen gas atmosphere, an inert gas atmosphere, a fluorine gas atmosphere, a vacuum atmosphere, or the like is preferable.

光硬化後、硬化した塗膜から金型を分離することにより、基板上に硬化した塗膜(硬化膜)によりパターンが形成された積層体が得られる。   After photocuring, a laminate in which a pattern is formed by a cured coating film (cured film) on the substrate is obtained by separating the mold from the cured coating film.

(基板へのパターン形成:硬化膜によりパターンを形成した積層体のエッチング)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、形成される硬化膜が優れたエッチング耐性を示す。そのため、該硬化膜より形成されるパターンは、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等によるエッチング耐性が非常に良好となり、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等によるエッチングによってナノスケールの凹凸構造を有する基材を製造する際のマスクとして好適に用いることができる。特に、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物から得られる硬化膜は、サファイア基板を加工するための塩素系ガスに対するエッチング耐性に優れていることから、サファイア基板を表面加工する際のマスクとして用いるのに適している。なお、塩素系ガスとしては、反応性イオンエッチングに用いられる公知のガスを使用することができる。具体的には、塩素、三塩化ホウ素、四塩化炭素を挙げることができ、必要に応じて、酸素ガス、フッ素系ガス等を混合して使用することもできる。
(Pattern formation on the substrate: Etching of the laminate with the pattern formed by the cured film)
In the photocurable nanoimprint composition of the present invention, the formed cured film exhibits excellent etching resistance. Therefore, the pattern formed from the cured film has very good etching resistance with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, etc., and nanoscale irregularities are formed by etching with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, etc. It can be suitably used as a mask for producing a substrate having a structure. In particular, the cured film obtained from the photocurable nanoimprinting composition of the present invention is excellent in etching resistance to chlorine-based gas for processing a sapphire substrate, and is therefore used as a mask for surface processing of a sapphire substrate. Suitable for As the chlorine-based gas, a known gas used for reactive ion etching can be used. Specific examples include chlorine, boron trichloride, and carbon tetrachloride. If necessary, oxygen gas, fluorine-based gas, and the like can be mixed and used.

上記したようにして得た、金型にてパターンを転写した硬化膜を表面に有する基板(硬化膜によりパターンを形成した積層体)に、硬化膜のパターンに基づくパターンを形成する方法としては、先ず、硬化膜の肉薄部分(残膜)をドライエッチングにより除去し、基板表面を出す。さらに、残膜を除去した部分の基板のドライエッチングを行う。硬化膜の肉厚部分により覆われた基板は硬化膜の肉厚部分がマスクとなり全てはドライエッチングされない。最後に残った硬化膜の肉厚部分を除去することにより、基板表面をドライエッチング加工した基板を得ることができる。硬化膜の肉厚部分の除去方法としては、ドライエッチングや、ウエットエッチングによって除去することができ、なかでもサファイア基板へのパターン形成の場合、フッ素系ガスによるドライエッチングが好適に用いられる。
硬化膜の肉薄部分(残膜)をドライエッチングにより除去した後、残膜を除去した部分の基板表面に金属を蒸着することもできる。
As a method of forming a pattern based on the pattern of the cured film on the substrate (laminate formed with the pattern by the cured film) having a cured film having a pattern transferred by a mold on the surface obtained as described above, First, the thin part (residual film) of the cured film is removed by dry etching to expose the substrate surface. Further, dry etching is performed on the substrate from which the residual film has been removed. The substrate covered with the thick part of the cured film is not dry-etched entirely using the thick part of the cured film as a mask. By removing the thick part of the cured film remaining at the end, a substrate obtained by dry etching the substrate surface can be obtained. As a method for removing the thick portion of the cured film, it can be removed by dry etching or wet etching. In particular, in the case of pattern formation on a sapphire substrate, dry etching with a fluorine-based gas is preferably used.
After the thin part (residual film) of the cured film is removed by dry etching, metal can be deposited on the substrate surface where the residual film has been removed.

サファイア基板表面を加工することにより、LEDの光取り出し効率の向上や結晶転移の少ない均質なGaN成長やGaN層のクラック防止が期待される。   By processing the surface of the sapphire substrate, improvement of LED light extraction efficiency, homogeneous GaN growth with little crystal transition, and prevention of cracks in the GaN layer are expected.

(硬化膜によりパターンを形成した積層体の使用(レプリカ金型として使用))
上記方法によりエッチングすることにより基板にパターンを形成できるが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、優れた性能を有するため、その他の用途にも使用できる。例えば、該光硬化性ナノインプリント用組成物よりなる硬化膜は、無機成分の分散状態がよいため、優れた硬度を有する。そのため、基板上に硬化膜よりなるパターンが形成された積層体は、ナノインプリント用のレプリカ金型として使用することもできる。
(Use of laminates with patterns formed from cured films (used as replica molds))
Although a pattern can be formed on a substrate by etching by the above method, the photocurable nanoimprint composition of the present invention has excellent performance and can be used for other applications. For example, a cured film made of the photocurable nanoimprint composition has excellent hardness because the inorganic component is well dispersed. Therefore, the laminated body in which the pattern which consists of a cured film was formed on the board | substrate can also be used as a replica metal mold | die for nanoimprint.

このナノインプリント用レプリカ金型として使用する場合には、上記積層体の表面に、フッ素を含有するシランカップリング剤を反応させることが好ましい。該シランカップリング剤を反応させることにより、積層体表面と他物質との離型性を向上させることができる。該硬化膜には、アルコキシ基が残存していると考えられ、化学的に該シランカップリング剤と結合できるものと考えられる。そのため、該シランカップリング剤を反応させて得られる積層体は、より一層、離型性の優れたものとなる。   When used as this nanoimprint replica mold, it is preferable to react a fluorine-containing silane coupling agent on the surface of the laminate. By reacting the silane coupling agent, the releasability between the laminate surface and another substance can be improved. It is considered that alkoxy groups remain in the cured film and can be chemically bonded to the silane coupling agent. Therefore, the laminate obtained by reacting the silane coupling agent is further excellent in releasability.

該シランカップリング剤は、離型性を向上できるフッ素原子を含有するシランカップリング剤であれば、公知のものを使用できる。具体的には、トリハロゲン化有機シラン分子やトリアルコキシ有機シラン分子のアルキル鎖の水素の一部ないし全部をフッ素に置換したものが挙げられる。   As the silane coupling agent, a known silane coupling agent can be used as long as it is a silane coupling agent containing a fluorine atom capable of improving releasability. Specific examples include those in which part or all of hydrogen in the alkyl chain of a trihalogenated organosilane molecule or trialkoxyorganosilane molecule is substituted with fluorine.

該シランカップリング剤と該積層体との反応は、特に制限されるものではないが、加湿条件下で行うことが好ましい。具体的には、相対湿度40〜100%の条件下で反応させることが好ましい。上記湿度下でシランカップリング剤と積層体とを接触させることにより、両者を反応させることができる。反応させる際の温度は、特に制限されるものではないが、40〜80℃であることが好ましい。また、接触させる方法は、液状のシランカップリング剤においては、パターンが形成された面を液に浸漬させたり、ディップコート、スピンコート、スプレートート等、公知の方法にて表面に塗布すればよい。反応させる際の時間は、温度と相対湿度により適宜選択することができる。   The reaction between the silane coupling agent and the laminate is not particularly limited, but is preferably performed under humidified conditions. Specifically, the reaction is preferably performed under conditions of a relative humidity of 40 to 100%. Both can be made to react by making a silane coupling agent and a laminated body contact under the said humidity. Although the temperature at the time of making it react is not restrict | limited in particular, It is preferable that it is 40-80 degreeC. In addition, in the case of a liquid silane coupling agent, the surface on which the pattern is formed may be immersed in the liquid, or applied to the surface by a known method such as dip coating, spin coating, or splatte. . The time for the reaction can be appropriately selected depending on the temperature and relative humidity.

このような方法により該シランカップリング剤と反応させた積層体は、ハイドロフルオロエーテル等のフッ素系溶剤やアルコール等により洗浄した後、乾燥すればよい。得られた積層体は、離型性能の優れたものとなり、ナノインプリント用レプリカ金型として使用できる。   The laminated body reacted with the silane coupling agent by such a method may be dried after washing with a fluorine-based solvent such as hydrofluoroether or alcohol. The obtained laminate has excellent mold release performance and can be used as a replica mold for nanoimprint.

以下、本発明を実施例および比較例を掲げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

(1)硬化膜の基板密着性の評価
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物をアセチルアセトンにて希釈して、サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、120℃において2分間乾燥した後、UV照射して、厚み約1μmの光硬化性ナノインプリント用組成物による硬化膜を作製し、ニチバン(株)製15mm幅セロハンテープ405を用い(長さ5cm)、指圧にて3往復密着させたのち剥離して、
硬化膜が全く剥がれなかったもの :5
剥離面積が10%未満のも :4
剥離面積が10%以上50%未満のもの :3
剥離面積が50%以上100%未満のもの:2
剥離面積が100%(全面剥離)のもの :1
として評価した。
(1) Evaluation of substrate adhesion of cured film The obtained photocurable nanoimprint composition was diluted with acetylacetone, and a sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, plane orientation) C surface) was spin-coated at 3000 rpm for 30 seconds, dried at 120 ° C. for 2 minutes, and then irradiated with UV to prepare a cured film of a photocurable nanoimprint composition having a thickness of about 1 μm. ) Using 15 mm wide cellophane tape 405 (length: 5 cm), peeled after 3 reciprocations with finger pressure,
The cured film was not removed at all: 5
The peeled area is less than 10%: 4
Exfoliation area of 10% or more and less than 50%: 3
Exfoliation area 50% or more and less than 100%: 2
With peeling area of 100% (full peeling): 1
As evaluated.

(2)金型との離型性評価
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物をアセチルアセトンにて希釈して、シリコンウエハ(P型、片鏡面、酸化膜なし)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、120℃において2分間乾燥して、厚み約1μmの光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜がコーティングされたシリコンウエハを得た。金型として縦20mm・横20mmの平面形状の石英板を用い、ナノインプリント装置(三明電子産業(株)製、ImpFlex Essential)において、上記で得られたシリコンウエハに、圧力0.25MPaをかけLED光源365nmの光を10秒間照射して光インプリントを行った。硬化膜から石英板を引き剥がす際の応力(離型力)を測定し、金型との離型性を評価した。
(2) Evaluation of releasability from molds The obtained photocurable composition for nanoimprinting was diluted with acetylacetone, and on a silicon wafer (P-type, one mirror surface, no oxide film) at 3000 rpm for 30 seconds. It spin-coated and dried at 120 degreeC for 2 minute (s), and the silicon wafer with which the coating film of the photocurable nanoimprinting composition about 1 micrometer thick was coated was obtained. Using a 20 mm long and 20 mm wide flat quartz plate as a mold, a nanoimprinting device (ImpFlex Essential, manufactured by Sanmei Electronics Co., Ltd.) applies a pressure of 0.25 MPa to the obtained silicon wafer to produce an LED light source. Photoimprinting was performed by irradiation with 365 nm light for 10 seconds. The stress (release force) at the time of peeling the quartz plate from the cured film was measured, and the release property from the mold was evaluated.

(3)転写性の評価
(光硬化性ナノインプリント用組成物の塗布)
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、アセチルアセトンにて希釈し、希釈した光硬化性ナノインプリント用組成物を、シリコンウエハ(P型、片鏡面、酸化膜なし)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、120℃において2分間乾燥して、光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜が約1μmの厚みでコーティングしたシリコンウエハを得た。
(3) Evaluation of transferability (application of photocurable nanoimprint composition)
The obtained photocurable nanoimprint composition was diluted with acetylacetone, and the diluted photocurable nanoimprint composition was applied to a silicon wafer (P-type, single mirror surface, no oxide film) at 3000 rpm for 30 seconds. It spin-coated and dried at 120 degreeC for 2 minute (s), and the silicon wafer with which the coating film of the photocurable nanoimprinting composition was coated with the thickness of about 1 micrometer was obtained.

(パターンの形成:積層体の製造)
200nmライン/スペースの石英モールドを用い、ナノインプリント装置(三明電子産業(株)製、ImpFlex-Essential)において、上記のようにして得られた光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜を有するシリコンウエハに、圧力1MPaをかけLED365nm光源から光を10秒間照射して、光ナノインプリントを行った。なお、用いた石英モールドは、あらかじめフッ素系表面処理(ダイキン工業(株)製、オプツールHD−1100TH)で離型処理を施した。
(Pattern formation: Manufacture of laminate)
Using a 200 nm line / space quartz mold, in a nanoimprint apparatus (ImpFlex-Essential, manufactured by Sanmei Electronics Co., Ltd.), a silicon wafer having a coating film of the photocurable nanoimprint composition obtained as described above Then, light nanoimprinting was performed by applying a pressure of 1 MPa and irradiating light from an LED 365 nm light source for 10 seconds. The quartz mold used was previously subjected to a mold release treatment by a fluorine-based surface treatment (manufactured by Daikin Industries, Ltd., OPTOOL HD-1100TH).

走査型電子顕微鏡(SEM)観察により、光硬化性ナノインプリント用組成物を用いてサファイア基板上に形成したパターンの形状転写性を評価した。転写性の評価は、計100本の幅200nmラインが全て転写できているものを「○」とし、一部にパターン形状の不良が見られるものを△とし、全てのパターンが転写できていないものを「×」として評価した。   The shape transferability of the pattern formed on the sapphire substrate using the photocurable nanoimprint composition was evaluated by observation with a scanning electron microscope (SEM). In the evaluation of transferability, “100” indicates that all 100 lines with a width of 200 nm have been transferred, and “△” indicates that some of the pattern shapes are defective, and all patterns cannot be transferred. Was evaluated as “×”.

(4)エッチング耐性の評価
(サファイア基板のエッチング)
サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)を反応性イオンエッチング装置を用いて、以下の条件にて塩素ガスによるドライエッチングを行い、一定時間でのエッチング量(サファイア基板の減少厚み)を段差測定器で測定した。
<塩素ガスによるドライエッチング条件>
塩素ガス流量:20sccm
アンテナパワー:400W
バイアスパワー:80W
基板冷却温度:5℃
(4) Evaluation of etching resistance (etching of sapphire substrate)
A sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, plane orientation C plane) is dry-etched with chlorine gas under the following conditions using a reactive ion etching apparatus, and is performed for a certain period of time. The etching amount (reduced thickness of the sapphire substrate) was measured with a level difference measuring instrument.
<Dry etching conditions with chlorine gas>
Chlorine gas flow rate: 20sccm
Antenna power: 400W
Bias power: 80W
Substrate cooling temperature: 5 ° C

(硬化膜のエッチング)
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物をアセチルアセトンにて希釈して、シリコンウエハ(P型、片鏡面、酸化膜なし)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、120℃において2分間乾燥した後、UV照射して、厚み約1μmの光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜でコーティングしたシリコンウエハを得た。得られた硬化膜でコーティングしたシリコンウエハを、サファイア基板の塩素ガスによるドライエッチングと同じ条件にてドライエッチングを行い、一定時間での硬化膜の減少した塗膜厚みを段差測定器で測定した。
(Etching cured film)
The obtained photocurable nanoimprinting composition was diluted with acetylacetone, spin-coated on a silicon wafer (P-type, single mirror surface, no oxide film) at 3000 rpm for 30 seconds, and dried at 120 ° C. for 2 minutes. Thereafter, UV irradiation was performed to obtain a silicon wafer coated with a cured film of a photocurable nanoimprinting composition having a thickness of about 1 μm. The silicon wafer coated with the obtained cured film was subjected to dry etching under the same conditions as dry etching with chlorine gas on a sapphire substrate, and the thickness of the coating film with the reduced cured film in a certain time was measured with a level difference measuring instrument.

(サファイア選択比の算出)
サファイア基板のみでのサファイア基板の一定時間でのエッチング量(サファイア基板の減少厚み)と光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜の一定時間での硬化膜の減少した塗膜厚みとの比(サファイア基板の一定時間でのエッチング量(サファイア基板の減少厚み)/光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜の一定時間での硬化膜の減少した塗膜厚み)を算出し、これを光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜のサファイア選択比とした。サファイア選択比の値が高いほど、光硬化性ナノインプリント用組成物による硬化膜はサファイア基板と比較して、塩素ガスによるエッチングを受け難く、サファイア基板を用いた場合における塩素エッチング耐性が良いことになる。
(Calculation of sapphire selectivity)
Ratio of etching amount of sapphire substrate only for sapphire substrate in a certain time (reduced thickness of sapphire substrate) and reduced coating thickness of cured film in a certain time of cured film of photocurable nanoimprint composition (sapphire Calculate the etching amount of the substrate in a certain time (reduced thickness of the sapphire substrate) / the cured film thickness of the cured film of the composition for photocurable nanoimprinting that has decreased in a certain time), and calculate this photocurable nanoimprint It was set as the sapphire selectivity of the cured film of the composition for use. The higher the sapphire selectivity value, the harder the cured film of the photocurable nanoimprinting composition is to be less susceptible to etching by chlorine gas than the sapphire substrate, and the better the chlorine etching resistance when using a sapphire substrate. .

(5)長期間保存安定性の評価
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物をサンプル瓶に入れて蓋で密封し、50℃に保った恒温オーブン中に入れて、長期間保存安定性の評価を行った。
連続21日間以上、流動性や外観(沈殿、透明性)に変化が見られなかったものを「○」とし、8日〜20日で流動性や外観(沈殿、透明性)に変化が見られたものを「△」とし、0日〜7日で流動性や外観(沈殿、透明性)に変化が見られたものを「×」とした。
(5) Evaluation of long-term storage stability The obtained photocurable nanoimprinting composition was put in a sample bottle, sealed with a lid, and placed in a constant temperature oven maintained at 50 ° C. to evaluate long-term storage stability. Went.
A change in fluidity and appearance (precipitation, transparency) was observed from 8 to 20 days when no change in fluidity or appearance (precipitation, transparency) was observed for 21 consecutive days or more. “Δ” was defined as “Δ”, and “x” was defined as a change in fluidity and appearance (precipitation, transparency) from 0 to 7 days.

(6)使用した化合物とその略称
〈メタアクリル基を有する有機珪素化合物(A)〉
トリメトキシシリルトリメチレンアクリレート;KBM−5103
〈ヘテロポリ酸(B)〉
4[SiW1240]24HO(別表記は、SiO・12WO・26HO;ケイタングステン酸26水)
〈(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)〉
ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート;A−LEN−10
9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン;A−BPEF
ポリエチレングリコールジアクリレート;A−200
トリメチロールプロパントリアクリレート;A−TMPT
トリシクロデカンジメタノールジアクリレート;A−DCP
〈光重合開始剤(D)〉
2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン;379EG
〈有機珪素化合物(E)〉
ジフェニルジメトキシシラン;DPDMS
ジフェニルシランジオール;DPSDO
トリメトキシフェニルシラン;TMPS
テトラエトキシシラン;TEOS
〈フッ素化有機シラン化合物(F)〉
(3,3,3,−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン;TFPS
〈金属アルコキシド〉
ジルコニウムブトキシド
(6) Used compounds and their abbreviations <Organic silicon compound having a methacrylic group (A)>
Trimethoxysilyl trimethylene acrylate; KBM-5103
<Heteropolyacid (B)>
H 4 [SiW 12 O 40 ] 24H 2 O (another notation is SiO 2 · 12WO 3 · 26H 2 O; silicotungstic acid 26 water)
<Polymerizable monomer (C) having (meth) acrylic group>
Hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate; A-LEN-10
9,9-bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene; A-BPEF
Polyethylene glycol diacrylate; A-200
Trimethylolpropane triacrylate; A-TMPT
Tricyclodecane dimethanol diacrylate; A-DCP
<Photopolymerization initiator (D)>
2-Dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one; 379EG
<Organic silicon compound (E)>
Diphenyldimethoxysilane; DPDMS
Diphenylsilanediol; DPSDO
Trimethoxyphenylsilane; TMPS
Tetraethoxysilane; TEOS
<Fluorinated organosilane compound (F)>
(3,3,3, -trifluoropropyl) trimethoxysilane; TFPS
<Metal alkoxide>
Zirconium butoxide

実施例1
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、エタノール9.6g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5g、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.5gとを混合した。この混合物を大気雰囲気、室温下1時間攪拌し、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)とヘテロポリ酸(B)の混合物を得た。
Example 1
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In a glove box substituted with nitrogen gas, 9.6 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group Then, silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.5 g was mixed as the heteropolyacid (B). This mixture was stirred at room temperature for 1 hour in an air atmosphere to obtain a mixture of an organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group and a heteropolyacid (B).

(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。   As a polymerizable monomer (C) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、その混合物を1.0g分取した。該混合物1.0gに、前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)とヘテロポリ酸(B)の混合物1.0gとアセチルアセトン2.5gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   The polymerizable monomer (C) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed, and 1.0 g of the mixture was collected. To 1.0 g of the mixture, 1.0 g of the mixture of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group and the heteropolyacid (B) and 2.5 g of acetylacetone are added, and the mixture is stirred for 15 minutes at room temperature. A curable nanoimprinting composition was obtained. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例2
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、エタノール9.6g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5g、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.5g、有機珪素化合物(E)としてジフェニルジメトキシシラン(東京化成工業(株)製)5.8gとを混合した。この混合物を大気雰囲気、室温下1時間攪拌し、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の混合物を得た。
Example 2
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In a glove box substituted with nitrogen gas, 9.6 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group Then, 0.5 g of silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) as heteropolyacid (B) and 5.8 g of diphenyldimethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as organic silicon compound (E) were mixed. This mixture was stirred at room temperature for 1 hour in an air atmosphere to obtain a mixture of an organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group, a heteropolyacid (B), and an organosilicon compound (E).

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の混合物1.2gとアセチルアセトン2.8gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 1.2 g of the mixture of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group, the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) and 2.8 g of acetylacetone, the mixture is stirred and mixed at room temperature for 15 minutes, A photocurable nanoimprinting composition was obtained. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例3
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、エタノール8.5g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5g、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.5g、有機珪素化合物(E)としてジフェニルジメトキシシラン(東京化成工業(株)製)5.8gとを混合した。
この混合物を攪拌混合しながら、エタノール2.0g/水0.6g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.5g/水0.1gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物を得た。
Example 3
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In a glove box substituted with nitrogen gas, 8.5 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group Then, 0.5 g of silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was mixed as the heteropolyacid (B), and 5.8 g of diphenyldimethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was mixed as the organosilicon compound (E).
While stirring and mixing the mixture, a 2.0N ethanol / water 0.6g / 2N-HCl 0.03 g 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of 0.5 g of ethanol / 0.1 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour. And a hydrolyzate of organosilicon compound (E) was obtained.

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物4.6gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) 4.6 g of a mixture containing the hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group and the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) is added to The mixture was stirred and mixed to obtain a photocurable nanoimprint composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例4
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Example 4
As the polymerizable monomer (C) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.05gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) Manufactured by IRGACURE (registered trademark) 379 EG) 0.05 g was used.

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、その混合物を1.0g分取した。該混合物1.0gに、実施例3で得られた(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物4.6gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   The polymerizable monomer (C) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed, and 1.0 g of the mixture was collected. The hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group obtained in Example 3 and the hydrolyzate of the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) obtained in Example 3 are included in 1.0 g of the mixture. 4.6 g of the mixture was added and stirred at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例5
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
Example 5
As the polymerizable monomer (C) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.4gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan K.K.) Manufactured by IRGACURE (registered trademark) 379 EG) 0.4 g was used.

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)と光重合開始剤(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、その混合物を1.0g分取した。該混合物1.0gに、実施例3で得られた(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物4.6gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   The polymerizable monomer (C) having the (meth) acryl group, the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor were uniformly mixed, and 1.0 g of the mixture was collected. The hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group obtained in Example 3 and the hydrolyzate of the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) obtained in Example 3 are included in 1.0 g of the mixture. 4.6 g of the mixture was added and stirred at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例6
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、フッ素化有機シラン化合物(F)として(3,3,3,−トリフルオロプロピル)トリメトキシシランを固形分1%となるようエタノールで希釈した溶液0.14g、エタノール2.0g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール0.6g/水0.2g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.5gを混合し、フッ素化有機シラン化合物(F)の加水分解物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)を含む混合物を得た。
Example 6
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In a glove box substituted with nitrogen gas, 0.14 g of a solution obtained by diluting (3,3,3, -trifluoropropyl) trimethoxysilane with ethanol to a solid content of 1% as the fluorinated organosilane compound (F) , 2.0 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyltrimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is mixed as the organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group, and this mixture is mixed by stirring. Then, a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution of ethanol 0.6 g / water 0.2 g / 2N-HCl 0.03 g was gradually added dropwise at room temperature. Furthermore, 0.5 g of silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) as a heteropolyacid (B) is mixed, and a hydrolyzate of the fluorinated organosilane compound (F) and an organosilicon compound having a (meth) acryl group A mixture containing the hydrolyzate of (A) and the heteropolyacid (B) was obtained.

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記フッ素化有機シラン化合物(F)の加水分解物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)を含む混合物5.0gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) 5.0 g of a mixture containing the hydrolyzate of the fluorinated organosilane compound (F), the hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group and the heteropolyacid (B) is added at room temperature. The mixture was stirred and mixed for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例7
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、フッ素化有機シラン化合物(F)として(3,3,3,−トリフルオロプロピル)トリメトキシシランを固形分1%となるようエタノールで希釈した溶液0.14g、エタノール6.5g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール2.0g/水0.2g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.5g、有機珪素化合物(E)としてジフェニルジメトキシシラン(東京化成工業(株)製)5.8gを混合した。
この混合物を攪拌混合しながら、エタノール2.0g/水0.4gのエタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.5g/水0.1gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、フッ素化有機シラン化合物(F)の加水分解物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物を得た。
Example 7
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In a glove box substituted with nitrogen gas, 0.14 g of a solution obtained by diluting (3,3,3, -trifluoropropyl) trimethoxysilane with ethanol to a solid content of 1% as the fluorinated organosilane compound (F) 6.5 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group, and this mixture is stirred and mixed While stirring, a 2.0N ethanol / water 0.2g / 2N-HCl 0.03 g 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Furthermore, silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.5 g was mixed as the heteropolyacid (B), and diphenyldimethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 5.8 g was mixed as the organosilicon compound (E).
While stirring and mixing this mixture, an ethanol mixed aqueous solution of ethanol 2.0 g / water 0.4 g was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of 0.5 g of ethanol / 0.1 g of water is gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to hydrolyze the fluorinated organosilane compound (F) and an organosilicon compound having a (meth) acryl group. A mixture containing the hydrolyzate of (A) and the hydrolyzate of heteropolyacid (B) and organosilicon compound (E) was obtained.

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記フッ素化有機シラン化合物(F)の加水分解物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物4.7gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) The hydrolyzate of the fluorinated organosilane compound (F), the hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group, the hydrolyzate of the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) After adding 4.7 g of the mixture, the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例8
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、エタノール8.5g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)7.8g、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.1g、有機珪素化合物(E)としてジフェニルジメトキシシラン(東京化成工業(株)製)2.2gとを混合した。
この混合物を攪拌混合しながら、エタノール2.0g/水0.6g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.5g/水0.1gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物を得た。
Example 8
In a glove box substituted with nitrogen gas, 8.5 g of ethanol and 7.8 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group In addition, 0.1 g of silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) as heteropoly acid (B) and 2.2 g of diphenyldimethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as organic silicon compound (E) were mixed.
While stirring and mixing the mixture, a 2.0N ethanol / water 0.6g / 2N-HCl 0.03 g 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of 0.5 g of ethanol / 0.1 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour. And a hydrolyzate of organosilicon compound (E) was obtained.

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物4.6gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) 4.6 g of a mixture containing the hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group and the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) is added to The mixture was stirred and mixed to obtain a photocurable nanoimprint composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例9
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)として、ポリエチレングリコールジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−200)5.0g、トリメチロールプロパントリアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−TMPT)5.0g、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−DCP)15.0gを使用した。
Example 9
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As the polymerizable monomer (C) having a (meth) acrylic group, 5.0 g of polyethylene glycol diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-200), trimethylolpropane triacrylate (Shin-Nakamura Chemical) Industrial Co., Ltd., NK ester A-TMPT (5.0 g) and tricyclodecane dimethanol diacrylate (Shin Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-DCP) 15.0 g were used.

光重合開始剤(D)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モリフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.5gを使用した。   As a photopolymerization initiator (D), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (manufactured by BASF Japan Ltd.) , IRGACURE (registered trademark) 379 EG) 0.5 g was used.

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.0375g、ブチルヒドロキシトルエン0.005gを使用した。   As a polymerization inhibitor, hydroquinone monomethyl ether 0.0375 g and butylhydroxytoluene 0.005 g were used.

上記(C)と(D)と重合禁止剤とを均一に混合し、その混合物を1.0g分取した。該混合物1.0gに、実施例3で得られた(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物
8.2gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。
Said (C), (D), and the polymerization inhibitor were mixed uniformly, and 1.0g of the mixture was fractionated. The hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group obtained in Example 3 and the hydrolyzate of the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) obtained in Example 3 are included in 1.0 g of the mixture. 8.2 g of the mixture was added and stirred at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例10
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、フッ素化有機シラン化合物(F)として(3,3,3,−トリフルオロプロピル)トリメトキシシランを固形分1%となるようエタノールで希釈した溶液0.14g、エタノール6.5g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール2.2g/水0.1g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.5g、有機珪素化合物(E)としてジフェニルシランジオール(東京化成工業(株)製)5.2gとを混合した。
この混合物を室温下1時間攪拌し、フッ素化有機シラン化合物(F)の加水分解物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)を含む混合物を得た。
Example 10
In a glove box substituted with nitrogen gas, 0.14 g of a solution obtained by diluting (3,3,3, -trifluoropropyl) trimethoxysilane with ethanol to a solid content of 1% as the fluorinated organosilane compound (F) 6.5 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group, and this mixture is stirred and mixed Then, a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution of ethanol 2.2 g / water 0.1 g / 2N-HCl 0.03 g was gradually added dropwise at room temperature. Furthermore, silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.5 g was mixed as the heteropolyacid (B), and diphenylsilanediol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 5.2 g was mixed as the organosilicon compound (E). .
This mixture is stirred at room temperature for 1 hour, hydrolyzate of fluorinated organosilane compound (F), hydrolyzate of organosilicon compound (A) having (meth) acrylic group, heteropolyacid (B) and organosilicon compound. A mixture containing (E) was obtained.

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記フッ素化有機シラン化合物(F)の加水分解物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)を含む混合物3.8gと、アセチルアセトン5.0gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) 2. A mixture comprising a hydrolyzate of the fluorinated organosilane compound (F), a hydrolyzate of an organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group, a heteropolyacid (B), and an organosilicon compound (E). After adding 8 g and 5.0 g of acetylacetone, the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition.
The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例11
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、エタノール6.8g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5g、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.5g、有機珪素化合物(E)としてトリメトキシフェニルシラン(東京化成工業(株)製)4.7gとを混合した。
この混合物を攪拌混合しながら、エタノール1.6g/水0.6g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.8g/水0.1gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物を得た。
Example 11
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In a glove box substituted with nitrogen gas, 6.8 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group , 0.5 g of silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) as heteropoly acid (B) and 4.7 g of trimethoxyphenylsilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as organic silicon compound (E) were mixed. .
While this mixture was stirred and mixed, a 1.6 N ethanol / 0.6 g water / 2 0.03 g 2N HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of 0.8 g of ethanol / 0.1 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to hydrolyze the organosilicon compound (A) having a (meth) acrylic group and the heteropolyacid (B). And a hydrolyzate of organosilicon compound (E) was obtained.

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物とヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物3.9gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) 3.9 g of a mixture containing the hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group and the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) is added to The mixture was stirred and mixed to obtain a photocurable nanoimprint composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

比較例1
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、エタノール8.5g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5g、有機珪素化合物(E)としてジフェニルジメトキシシラン(東京化成工業(株)製)5.8gとを混合した。
この混合物を攪拌混合しながら、エタノール2.0g/水0.6g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.5g/水0.1gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物を得た。
Comparative Example 1
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In a glove box substituted with nitrogen gas, 8.5 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group Then, 5.8 g of diphenyldimethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was mixed as the organosilicon compound (E).
While stirring and mixing the mixture, a 2.0N ethanol / water 0.6g / 2N-HCl 0.03 g 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of 0.5 g of ethanol / 0.1 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to hydrolyze an organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group and an organosilicon compound (E ) Was obtained.

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)の加水分解物と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物4.5gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) 4.5 g of the mixture containing the hydrolyzate of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group and the hydrolyzate of the organosilicon compound (E) is added to the mixture, followed by stirring and mixing at room temperature for 15 minutes, and photocuring A nano-imprinting composition was obtained. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

比較例2
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
窒素ガスで置換したグローブボックス内で、エタノール6.8g、ヘテロポリ酸(B)としてケイタングステン酸26水(和光純薬工業製)0.5g、有機珪素化合物(E)としてジフェニルジメトキシシラン(東京化成工業(株)製)5.8gとを混合した。
この混合物を攪拌混合しながら、エタノール1.6g/水0.6g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.4g/水0.1gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、 ヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物を得た。
Comparative Example 2
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In a glove box substituted with nitrogen gas, ethanol 6.8 g, silicotungstic acid 26 water (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.5 g as heteropolyacid (B), diphenyldimethoxysilane (Tokyo Kasei) as organosilicon compound (E) 5.8 g (manufactured by Kogyo Co., Ltd.) was mixed.
While this mixture was stirred and mixed, a 1.6 N ethanol / 0.6 g water / 2 0.03 g 2N HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Furthermore, ethanol aqueous solution of ethanol 0.4g / water 0.1g was dripped gradually, and it stirred at room temperature for 1 hour, and obtained the mixture containing the hydrolyzate of heteropoly acid (B) and organosilicon compound (E).

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記ヘテロポリ酸(B)と有機珪素化合物(E)の加水分解物を含む混合物4.8gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) 4.8 g of a mixture containing a hydrolyzate of the heteropolyacid (B) and the organosilicon compound (E) was added to the mixture, followed by stirring and mixing at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprint composition. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

比較例3
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
エタノール13.6g、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)としてトリメトキシシリルプロピルアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてエチルシリケート40(コルコール(株)製 テトラエトキシシランの平均5量体物)6.8g、金属アルコキシドとして85質量%ジルコニウムブトキシド(テトラブチルジルコニウムアルコキシド)の1−ブタノール溶液1.7gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.25g/水0.85g/2N−HCl 0.16gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1g/水0.46gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)と有機珪素化合物と金属アルコキシドの加水分解物を含む混合物を得た。
Comparative Example 3
(Production of photocurable nanoimprint composition)
13.6 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilylpropyl acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group, and ethyl silicate 40 (corcol ( Co., Ltd. Tetraethoxysilane average pentamer) 6.8 g, and 1-butanol solution of 85 mass% zirconium butoxide (tetrabutylzirconium alkoxide) as metal alkoxide was mixed with stirring, and this mixture was stirred and mixed. Then, ethanol 4.25g / water 0.85g / 2N-HCl 0.16g 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of ethanol 1 g / water 0.46 g was gradually dropped and stirred at room temperature for 1 hour, and a hydrolyzate of an organosilicon compound (A) having a (meth) acryl group, an organosilicon compound, and a metal alkoxide was added. A mixture containing was obtained.

実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(C)、光重合開始剤(D)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)と有機珪素化合物と金属アルコキシドの加水分解物を含む混合物3.6gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ穴径のシリンジフィルターにてろ過した。この光硬化性ナノインプリント用組成物の、組成、配合割合を表1、及び表2に示した。   After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (C), the photopolymerization initiator (D), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 3.6 g of the mixture containing the organomethanoic compound (A) having the (meth) acrylic group and the hydrolyzate of the organosilicon compound and the metal alkoxide, the mixture is stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to form a photocurable nanoimprint composition. I got a thing. The obtained composition for photocurable nanoimprint was filtered with a syringe filter having a 0.2 μmφ hole diameter. Tables 1 and 2 show the compositions and blending ratios of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、硬化膜の基板密着性、離型性、転写性、サファイア選択比、長期間保存安定性を評価した。その結果を表3に示した。   The obtained photocurable nanoimprint composition was used to evaluate the substrate adhesion, release property, transferability, sapphire selectivity, and long-term storage stability of the cured film. The results are shown in Table 3.

実施例12
(表面加工サファイア基板の製造)
実施例3で得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、アセチルアセトンにて10重量%となるよう希釈した。希釈した光硬化性ナノインプリント用組成物を、サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、120℃において2分間乾燥して、光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜が約100nmの厚みでコーティングしたサファイア基板を得た。
Example 12
(Manufacture of surface processed sapphire substrates)
The photocurable nanoimprinting composition obtained in Example 3 was diluted with acetylacetone to 10% by weight. The diluted photocurable nanoimprint composition was spin-coated on a sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, plane orientation C plane) at 3000 rpm for 30 seconds, and at 120 ° C. It dried for 2 minutes and the sapphire board | substrate with which the coating film of the composition for photocurable nanoimprint was coated with the thickness of about 100 nm was obtained.

直径230nm、深さ200nmのホールパターンの樹脂性モールドを用い、ミカドテクノス(株)製 真空加圧UV硬化装置(VS005−200C−UV)を用い、上記のようにして得られた光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜を有するサファイア基板に、圧力1MPaをかけメタルハライドランプにて光を60秒間照射して、光ナノインプリントを行った。樹脂モールドを剥離し、サファイア基板上にピラーパターンが転写したサンプルを得た。   A photocurable nanoimprint obtained as described above using a resin mold having a hole pattern with a diameter of 230 nm and a depth of 200 nm and a vacuum pressure UV curing apparatus (VS005-200C-UV) manufactured by Mikado Technos Co., Ltd. An optical nanoimprint was performed by applying a pressure of 1 MPa to a sapphire substrate having a coating film of the composition for irradiation and irradiating light with a metal halide lamp for 60 seconds. The resin mold was peeled off to obtain a sample in which the pillar pattern was transferred onto the sapphire substrate.

反応性イオンエッチング装置を用いて、上記サンプルを塩素ガスによるドライエッチング条件にて、転写パターンをマスクとして、サファイア基板のドライエッチングによるサファイア基板の表面加工を行った。得られたサンプルをSEM観察したところ、サファイア基板表面がエッチングされ、表面加工できていることを確認した。   Using a reactive ion etching apparatus, surface treatment of the sapphire substrate was performed by dry etching of the sapphire substrate, using the above sample as a mask under dry etching conditions using chlorine gas. When the obtained sample was observed by SEM, it was confirmed that the surface of the sapphire substrate was etched and the surface was processed.

実施例13
(ナノンプリント用レプリカ金型)
実施例3で得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、易接着表面処理した厚み188μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に0.5ml滴下し、300mPaで70℃において3分間乾燥して揮発成分を蒸発させた。得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を有するポリエチレンテレフタレートフィルム上に、ミカドテクノス(株)製 真空加圧UV硬化装置(VS005−200C−UV)において、最小パターン80nmの石英モールド(NTT−ATナノファブリケーション(株)製、80L RESO)を用い、圧力1MPaをかけメタルハライドランプにて光を30秒間照射して、光ナノインプリントを行い、硬化膜よりなるパターンが形成されたポリエチレンテレフタレートフィルム(積層体)を得た。用いた石英モールドは、あらかじめフッ素系表面処理(ダイキン工業(株)製、オプツールHD−1100TH)で離型処理を施した。硬化膜よりなるパターンが形成されたポリエチレンテレフタレートフィルム(積層体)をナノインプリント用レプリカ金型とするため、パターンを中心にして20mm×20mmの大きさにカットした。次いで、離型処理を施すための前処理として、加湿条件下でパターン表面の加水分解処理を行った。該加水分解処理は、上記のカットしたポリエチレンテレフタレートフィルム(積層体)を水の入った容器に入れ、この容器を加熱オーブン中で70℃で2時間加熱処理を行うことにより実施した。その後、処理した積層体のパターン面をフッ素系表面処理剤(ダイキン工業(株)製、オプツールHD−1100TH)と接触させて離型処理を施し、レプリカ金型を作製した。
Example 13
(Replica mold for Nanon print)
0.5 ml of the photocurable nanoimprinting composition obtained in Example 3 was dropped on a 188 μm-thick polyethylene terephthalate film that had been subjected to easy adhesion surface treatment, and dried at 300 mPa and 70 ° C. for 3 minutes to evaporate volatile components. It was. On a polyethylene terephthalate film having the obtained photocurable nanoimprint composition, a quartz mold (NTT-AT nano) with a minimum pattern of 80 nm was used in a vacuum pressure UV curing apparatus (VS005-200C-UV) manufactured by Mikado Technos. Fabrication Co., Ltd., 80L RESO), polyethylene terephthalate film (laminate) on which a pattern made of a cured film is formed by irradiating light with a metal halide lamp for 30 seconds under a pressure of 1 MPa and performing light nanoimprinting Got. The used quartz mold was previously subjected to mold release treatment by fluorine-based surface treatment (Daikin Industries, Ltd., OPTOOL HD-1100TH). In order to use a polyethylene terephthalate film (laminated body) on which a pattern made of a cured film was formed as a replica mold for nanoimprinting, it was cut into a size of 20 mm × 20 mm around the pattern. Next, as a pretreatment for performing the mold release treatment, the pattern surface was hydrolyzed under humidified conditions. The hydrolysis treatment was carried out by placing the cut polyethylene terephthalate film (laminated body) in a container containing water and heating the container at 70 ° C. for 2 hours in a heating oven. Thereafter, the patterned surface of the treated laminate was brought into contact with a fluorine-based surface treatment agent (manufactured by Daikin Industries, Ltd., OPTOOL HD-1100TH) to perform a mold release treatment, thereby producing a replica mold.

フッ素処理した転写パターン面に、実施例1で製造した(C)と(D)と重合禁止剤からなる混合物を滴下し、石英板で挟んだ後、ナノインプリント装置(エンジニアリング・システム(株)製EUN−4200)において、圧力0.3MPaをかけLED 375nm光源で石英板側から、光を60秒間照射し、光インプリントを行った。石英板を剥離後、得られたパターン面のSEM観察を行い、使用したモールドと同じパターンに転写できていることを確認した。   A mixture of (C) and (D) produced in Example 1 and a polymerization inhibitor was dropped onto the transfer pattern surface treated with fluorine, and sandwiched between quartz plates. Then, a nanoimprint apparatus (EUN manufactured by Engineering System Co., Ltd.) was used. -4200), light imprinting was performed by applying light at a pressure of 0.3 MPa for 60 seconds from the quartz plate side with an LED 375 nm light source. After peeling off the quartz plate, the obtained pattern surface was observed with an SEM, and it was confirmed that it was transferred to the same pattern as the mold used.

Figure 2014065853
Figure 2014065853

Figure 2014065853
Figure 2014065853

Figure 2014065853
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Claims (12)

(A)下記式(1)
Figure 2014065853
(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物、
(B)ヘテロポリ酸、
(C)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、並びに
(D)光重合開始剤
を含有する光硬化性ナノインプリント用組成物。
(A) The following formula (1)
Figure 2014065853
(Where
R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 2 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
R 1, R 2, R 3 and R 4 respectively, when there are a plurality, the plurality of R 1, R 2, R 3 and R 4, respectively, may be the same or different groups) An organosilicon compound having the (meth) acrylic group shown,
(B) a heteropolyacid,
(C) A photocurable nanoimprinting composition containing a polymerizable monomer having a (meth) acrylic group and (D) a photopolymerization initiator.
前記(B)ヘテロポリ酸が下記式(4)で表されることを特徴とする請求項1記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。
x[Mm・M'nr ]・yH2O (4)
(式中、Mはケイ素、リン、ホウ素より選ばれる一種又は二種の元素から成るヘテロ元素を表し、M'はタングステン、モリブデン、ニオブ、バナジウムより選ばれる一種以上のポリ元素を表し、rは10〜100の整数、mは1〜10の整数、nは6〜40の整数、xは1〜10の整数、yは0〜50の整数を示す。)
The composition for photocurable nanoimprint according to claim 1, wherein the (B) heteropolyacid is represented by the following formula (4).
H x [M m · M ' n O r] · yH 2 O (4)
(In the formula, M represents a hetero element composed of one or two elements selected from silicon, phosphorus, and boron, M ′ represents one or more poly elements selected from tungsten, molybdenum, niobium, and vanadium; An integer of 10 to 100, m is an integer of 1 to 10, n is an integer of 6 to 40, x is an integer of 1 to 10, and y is an integer of 0 to 50.)
前記(B)ヘテロポリ酸がケイタングステン酸であることを特徴とする請求項1記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。   2. The photocurable nanoimprint composition according to claim 1, wherein the (B) heteropolyacid is silicotungstic acid. 前記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)100質量部に対して、前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)3〜300質量部、前記ヘテロポリ酸(B)0.1〜50質量部、及び前記光重合開始剤(D)0.1〜10質量部を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。   3 to 300 parts by mass of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group, 100 parts by mass of the heteropolyacid (B) 0 with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (C) having the (meth) acrylic group. The composition for photocurable nanoimprint according to any one of claims 1 to 3, comprising 0.1 to 50 parts by mass and 0.1 to 10 parts by mass of the photopolymerization initiator (D). . さらに、(E)下記式(2)で示される有機珪素化合物を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。
Figure 2014065853
(式中、R、Rは同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基または水素であり、Rはアリール基であり、Rはアリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、nは1〜10の整数である。)
Furthermore, (E) The organosilicon compound shown by following formula (2) is contained, The composition for photocurable nanoimprints of any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
Figure 2014065853
(In the formula, R 5 and R 6 are the same or different alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or hydrogen, R 7 is an aryl group, and R 8 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. And n is an integer of 1 to 10.)
前記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)100質量部に対して、前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)3〜300質量部、前記ヘテロポリ酸(B)0.1〜50質量部、前記有機珪素化合物(E)10〜400質量部、及び前記光重合開始剤(D)0.1〜10質量部を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。   3 to 300 parts by mass of the organosilicon compound (A) having the (meth) acrylic group, 100 parts by mass of the heteropolyacid (B) 0 with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (C) having the (meth) acrylic group. 1 to 50 parts by mass, 10 to 400 parts by mass of the organosilicon compound (E), and 0.1 to 10 parts by mass of the photopolymerization initiator (D). The photocurable nanoimprinting composition according to claim 1. さらに、下記式(3)で示されるフッ素化有機シラン化合物(F)を含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。
Figure 2014065853
(式中、
、およびR11は、それぞれ、炭素数1〜10のアルキル基、または炭素数3〜10のシクロアルキル基であり;R10は、炭素数1〜100の含フッ素アルキル基、含フッ素シクロアルキル基、または含フッ素アルコキシエーテル基であり;aは1〜3の整数であり、bは、0〜2の整数であり、ただし、a+b=1〜3であり;R、R10およびR11がそれぞれ複数存在する場合には、複数のR、R10およびR11は、それぞれ同一であっても、異なる基であってもよい。)
Furthermore, the fluorinated organosilane compound (F) shown by following formula (3) is contained, The composition for photocurable nanoimprints of any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned.
Figure 2014065853
(Where
R 9 and R 11 are each an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms; R 10 is a fluorine-containing alkyl group having 1 to 100 carbon atoms or a fluorine-containing cyclo group. An alkyl group or a fluorine-containing alkoxy ether group; a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 2, provided that a + b = 1 to 3; R 9 , R 10 and R When a plurality of 11 are present, the plurality of R 9 , R 10 and R 11 may be the same or different. )
前記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(C)100質量部に対して、前記フッ素化有機シラン化合物(F)0.001〜4質量部、前記(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(A)3〜300質量部、前記ヘテロポリ酸(B)0.1〜50質量部、前記有機珪素化合物(E)10〜400質量部、及び前記光重合開始剤(D)0.1〜10質量部を含むことを特徴とする請求項7記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。   0.001 to 4 parts by mass of the fluorinated organosilane compound (F) and organosilicon having the (meth) acrylic group with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (C) having the (meth) acrylic group. 3 to 300 parts by mass of the compound (A), 0.1 to 50 parts by mass of the heteropolyacid (B), 10 to 400 parts by mass of the organosilicon compound (E), and 0.1 to 0.1 of the photopolymerization initiator (D). The composition for photocurable nanoimprint according to claim 7, comprising 10 parts by mass. 少なくとも下記(A)〜(D)成分を混合することにより得られてなる光硬化性ナノインプリント用組成物。
(A)下記式(1)
Figure 2014065853
(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物、
(B)ヘテロポリ酸、
(C)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、並びに
(D)光重合開始剤。
A photocurable nanoimprinting composition obtained by mixing at least the following components (A) to (D).
(A) The following formula (1)
Figure 2014065853
(Where
R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 2 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
R 1, R 2, R 3 and R 4 respectively, when there are a plurality, the plurality of R 1, R 2, R 3 and R 4, respectively, may be the same or different groups) An organosilicon compound having the (meth) acrylic group shown,
(B) a heteropolyacid,
(C) A polymerizable monomer having a (meth) acryl group, and (D) a photopolymerization initiator.
請求項1〜9のいずれか1項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布し、該組成物からなる塗膜を形成する工程、
パターンが形成された金型のパターン形成面と前記塗膜とを接触させ、その状態で光を照射して塗膜を硬化させる工程、
前記金型を、硬化した塗膜から分離して、前記金型のパターン形成面に形成されているパターンに対応するパターンを基板上に形成する工程
を含むことを特徴とするパターンの形成方法。
The process of apply | coating the composition for photocurable nanoimprint of any one of Claims 1-9 on a board | substrate, and forming the coating film which consists of this composition,
Contacting the pattern forming surface of the mold on which the pattern is formed with the coating film, and irradiating light in that state to cure the coating film;
A method for forming a pattern, comprising: separating the mold from a cured coating film, and forming a pattern corresponding to a pattern formed on a pattern forming surface of the mold on a substrate.
基板がサファイア基板であって、請求項10記載のパターンの形成方法により基板上に形成したパターンをマスクとして、基板表面を塩素系ガスによりドライエッチングして加工することを特徴とする表面加工サファイア基板の製造方法。   A surface-processed sapphire substrate, wherein the substrate is a sapphire substrate, and the substrate surface is processed by dry etching with a chlorine-based gas using the pattern formed on the substrate by the pattern forming method according to claim 10 as a mask Manufacturing method. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化体を有するナノインプリント用レプリカ金型。   A replica mold for nanoimprinting, comprising a cured product of the photocurable nanoimprinting composition according to claim 1.
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