JP5968041B2 - Photocurable nanoimprint composition and pattern formation method - Google Patents

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Description

本発明は、新規な光硬化性ナノインプリント用組成物に関し、さらに、前記光硬化性ナノインプリント用組成物を用いて基板上にパターンを形成する新規なパターン形成方法にも関する。   The present invention relates to a novel photocurable nanoimprint composition, and further relates to a novel pattern forming method for forming a pattern on a substrate using the photocurable nanoimprint composition.

近年、半導体集積回路は、より微細化され、高精度なものが要求されているが、このような微細加工は、高度の半導体集積回路の他にも光反射防止付与やLED基板における光取り出し効率向上等の光学・照明用途や、2次電池、太陽電池、燃料電池等のエネルギー開発、バイオテクノロジー等、多岐の用途において、インプリント技術による微細加工が盛んに検討されている。   In recent years, semiconductor integrated circuits are required to be miniaturized and highly accurate, but such microfabrication is not only applied to advanced semiconductor integrated circuits, but also provides antireflection and light extraction efficiency in LED substrates. In various applications such as optical / illumination applications such as improvement, energy development of secondary batteries, solar cells, fuel cells, biotechnology, etc., fine processing by imprint technology has been actively studied.

インプリント技術とは、基板上に形成したいパターンに対応するパターンの凹凸を有する金型を、基板表面に形成された塗膜上に型押し、剥離することにより所望のパターンを該基板表面に転写する工程からなり、低コストで量産化が可能な微細加工技術として期待されている。   The imprint technology is to transfer a desired pattern onto the substrate surface by pressing and peeling a mold having irregularities in the pattern corresponding to the pattern to be formed on the substrate onto the coating film formed on the substrate surface. It is expected to be a fine processing technology that can be mass-produced at low cost.

この技術を使用することによって、ナノオーダーの微細なパターンを形成することができる。インプリント技術の中でも、特に、数ナノ〜数百ナノメートル(nm)の超微細なパターンを形成する技術はナノインプリント技術と呼ばれている。   By using this technique, a nano-order fine pattern can be formed. Among the imprint techniques, a technique for forming an ultrafine pattern of several nanometers to several hundred nanometers (nm) is called a nanoimprint technique.

このインプリント技術について、その方法は、基板表面に形成する塗膜材の特性により2種類に大別される。その1つは、パターンが転写される塗膜材を加熱して塑性変形させた後、金型を押し付け、冷却して、塗膜材を硬化させることによって、パターンを転写する熱ナノインプリントの方法である。また、他の1つは、金型又は基板の少なくとも一方が光透過性であるものを使用し、基板上に塗膜材として液状の光硬化性組成物を塗布して塗膜を形成し、金型を押し付けて塗膜と接触させ、ついで、金型又は基板を介して光を照射して該塗膜材を硬化させることによって、パターンを転写する方法である。これらの中でも、光照射によりパターンを転写する光インプリントの方法は、高精度のパターンを形成できるものであるため、ナノインプリント技術において広く利用されるようになっており、該方法に好適に用いられる光硬化性組成物の開発が進められている。   Regarding this imprint technique, the method is roughly classified into two types according to the characteristics of the coating material formed on the substrate surface. One of them is a thermal nanoimprint method in which the pattern is transferred by heating and plastically deforming the coating material to which the pattern is transferred, then pressing the mold, cooling, and curing the coating material. is there. In addition, the other one uses a mold or a substrate in which at least one of the substrates is light transmissive, and forms a coating film by applying a liquid photocurable composition as a coating material on the substrate, In this method, the mold is pressed and brought into contact with the coating film, and then the pattern material is transferred by irradiating light through the mold or the substrate to cure the coating material. Among these, the method of optical imprint that transfers a pattern by light irradiation is capable of forming a highly accurate pattern, and thus has been widely used in nanoimprint technology, and is suitably used for the method. Development of photocurable compositions is underway.

ナノインプリント技術においては、基材表面と塗膜を硬化させて得られるパターンとの密着性、および該パターンと金型との離型性が重要になる。金型からの離型性については、金型表面にフッ素系処理剤で表面処理を施しで離型性を付与したり、光硬化性組成物と金型の界面にペンタフルオロプロパンガス等のフッ素系ガスを介在させてインプリントする技術が一般的に知られている。一方、基材との密着性は、基材表面を処理したり、昜接着層を設けたり、光硬化性組成物の組成によって改善が試みられている。基板との密着性と金型からの離型性は、相反する特性であるが、生産性を高めるためにより一層の改善が望まれている。   In the nanoimprint technology, the adhesion between the substrate surface and the pattern obtained by curing the coating film and the releasability between the pattern and the mold are important. For mold release from the mold, the mold surface is surface treated with a fluorine treatment agent to provide mold release, or fluorine such as pentafluoropropane gas is provided at the interface between the photocurable composition and the mold. A technique for imprinting with a system gas interposed is generally known. On the other hand, improvement of the adhesion to the substrate has been attempted by treating the surface of the substrate, providing an adhesive layer, or the composition of the photocurable composition. Adhesion with the substrate and mold release from the mold are contradictory properties, but further improvement is desired to increase productivity.

例えば特許文献1においては、加水分解縮合物のみのナノインプリント用組成物での、(1)膜の弾性率が高すぎるために膜が割れる現象(クラック)が発生する、(2)膜表面のタッキネス(粘着性)が発現しない、(3)モールドのパターンの痕跡(パターン痕)が膜に残りにくい、という課題を解決するために、加水分解縮合物に、重合性単量体、光重合開始剤を加えた光硬化性組成物が提案されている。   For example, in Patent Document 1, in a composition for nanoimprinting using only a hydrolyzed condensate, (1) a phenomenon in which the film breaks (crack) occurs because the elastic modulus of the film is too high, (2) tackiness of the film surface In order to solve the problem that (adhesiveness) does not develop, (3) traces of mold pattern (pattern marks) are not easily left on the film, a hydrolysis monomer, a polymerizable monomer, a photopolymerization initiator A photocurable composition to which is added has been proposed.

また、ナノインプリント技術は、金型にてパターンを転写した塗膜材(以下、硬化膜ともいう)を元に、基板に所望のパターンを形成するものである。基板にパターンを形成するには、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等により、硬化膜、及び基板のドライエッチングを行う。このようなドライエッチング処理では、基板を保護するパターニングされた硬化膜もエッチングされることから、基板と硬化膜とのエッチング速度比が重要となる。そのため、種々のパターンニングを行う上で、上記ガスにエッチングされ難い硬化膜となる光硬化性組成物の開発が数多くなされている(以下、この特性をエッチング耐性ともいう)。   The nanoimprint technique forms a desired pattern on a substrate based on a coating material (hereinafter also referred to as a cured film) having a pattern transferred by a mold. In order to form a pattern on the substrate, dry etching of the cured film and the substrate is performed with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, or the like. In such a dry etching process, the patterned cured film that protects the substrate is also etched, so the etching rate ratio between the substrate and the cured film is important. Therefore, many photocurable compositions have been developed to form a cured film that is difficult to be etched by the above-described gas for various patterning (hereinafter, this characteristic is also referred to as etching resistance).

このエッチング耐性を改良するために、アリール置換基を有する重合性単量体を含む光硬化性組成物が提案されている(例えば、特許文献2参照)。   In order to improve this etching resistance, a photocurable composition containing a polymerizable monomer having an aryl substituent has been proposed (for example, see Patent Document 2).

しかしながら、本発明者等の検討によると、特許文献2に記載の光硬化性組成物においても、以下の点で改善の余地があることが判明した。   However, according to the study by the present inventors, it has been found that the photocurable composition described in Patent Document 2 has room for improvement in the following points.

特許文献2に記載された光硬化性組成物は、粘度が高く、基材に塗膜する時に薄膜を作製しづらい。また、有機化合物のみを使用しているためと考えられるが、基材密着性が悪く、インプリント時に基材から硬化体が剥がれる場合があり、改善の余地があった。   The photocurable composition described in Patent Document 2 has a high viscosity, and it is difficult to produce a thin film when coating on a substrate. Moreover, although it is thought that it uses only an organic compound, the base material adhesion is poor, and the cured product may be peeled off from the base material during imprinting, and there is room for improvement.

なお、サファイア基板のドライエッチングには、一般的に塩素系ガスの使用がよく検討されている。エッチング耐性を改良するためにアリール基置換基を含有する化合物を含むことが知られているが、塩素系ガスのエッチング耐性を持つ光硬化性ナノインプリント用組成物は、開示されていない。   In general, the use of chlorine-based gas is well studied for dry etching of sapphire substrates. In order to improve etching resistance, it is known to contain a compound containing an aryl group substituent, but a photocurable nanoimprinting composition having etching resistance to chlorine-based gas is not disclosed.

特開2010−251434号公報JP 2010-251434 A 特開2009−218550号公報JP 2009-218550 A

本発明の目的は、塩素系ガスのエッチング耐性に優れ、生産性に優れた光硬化性ナノインプリント用組成物を提供することにある。また、比較的低い圧力で金型を押し当てた場合でも、パターンの転写が容易にでき、且つ、該パターンの基材との密着性が良く、金型からの離型性が良い等、パターン転写性が良好な光硬化性ナノインプリント用組成物を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a photocurable nanoimprinting composition which is excellent in etching resistance of a chlorine-based gas and excellent in productivity. In addition, even when the mold is pressed at a relatively low pressure, the pattern can be easily transferred, the adhesion of the pattern to the base material is good, and the mold release property is good. The object is to provide a photocurable nanoimprinting composition having good transferability.

本発明者は、塩素系ガスのエッチング耐性や生産性に優れ、パターン転写性を向上させるため、アリール置換基を有する有機珪素化合物と重合性単量体の組み合わせについて、種々検討を行った。その結果、前述の組み合わせに加えて、アクリルシラン加水分解物を加えることによって、ナノインプリントパターン転写性とエッチング耐性、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性とが両立することを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventor has made various studies on combinations of an organosilicon compound having an aryl substituent and a polymerizable monomer in order to improve the etching resistance and productivity of chlorine gas and improve the pattern transferability. As a result, in addition to the above-mentioned combination, it was found that nanoimprint pattern transferability and etching resistance, particularly etching resistance to chlorine-based gas, can be achieved by adding acrylsilane hydrolyzate, and the present invention has been completed. It was.

すなわち、本発明は、
(A)下記式(1)
That is, the present invention
(A) The following formula (1)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
、Rは同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基であり、
はアリール基であり、
はアリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、
nは1〜10の整数である。)で示される有機珪素化合物の加水分解物、および
下記式(2)
(Where
R 1 and R 2 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms,
R 3 is an aryl group;
R 4 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms,
n is an integer of 1-10. And a hydrolyzate of an organosilicon compound represented by the following formula (2)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、R、およびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、R、およびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってよい)
で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物、
(B)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、並びに
(C)光重合開始剤
含有し、
前記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)100質量部に対して、
前記式(1)で示される有機珪素化合物10〜400質量部、および前記式(2)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物3〜300質量部を含む加水分解成分混合物を加水分解して得られる加水分解物混合物(A)、並びに
前記光重合開始剤(C)0.1〜10質量部
を含むことを特徴とする光硬化性ナノインプリント用組成物である。
(Where
R 5 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 6 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 7 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
When R 5, R 6, R 7 , and where R 8 each, there are a plurality, the plurality of R 5, R 6, R 7 , and R 8 each may be the same or different groups)
A hydrolyzate mixture containing a hydrolyzate of an organosilicon compound having a (meth) acryl group represented by:
(B) a polymerizable monomer having a (meth) acryl group, and (C) a photopolymerization initiator ,
For 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B) having the (meth) acryl group,
Hydrolyzing a hydrolysis component mixture containing 10 to 400 parts by mass of the organosilicon compound represented by the formula (1) and 3 to 300 parts by mass of the organosilicon compound having a (meth) acryl group represented by the formula (2) Hydrolyzate mixture (A) obtained by
0.1-10 parts by mass of the photopolymerization initiator (C)
It is a photocurable nanoimprinting composition characterized by including .

第二の発明は、
前記光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布し、該組成物からなる塗膜を形成する工程、
パターンが形成された金型のパターン形成面と前記塗膜とを接触させ、その状態で光を照射して塗膜を硬化させる工程、
前記金型を、硬化した塗膜から分離して、前記金型のパターン形成面に形成されているパターンに対応するパターンを基板上に形成する工程
を含むことを特徴とするパターンの形成方法である。
The second invention is
Applying the photocurable nanoimprint composition onto a substrate to form a coating film comprising the composition;
Contacting the pattern forming surface of the mold on which the pattern is formed with the coating film, and irradiating light in that state to cure the coating film;
Separating the mold from the cured coating film, and forming a pattern corresponding to the pattern formed on the pattern forming surface of the mold on the substrate. is there.

第三の発明は、
基板がサファイア基板であって、前記パターンの形成方法により形成したパターンをマスクとして基板表面を塩素系ガスによりエッチングすることを特徴とするサファイア基板の表面加工方法である。
The third invention is
The substrate is a sapphire substrate, and the surface of the substrate is etched with a chlorine-based gas using the pattern formed by the pattern forming method as a mask.

なお、本発明において、(メタ)アクリル基とは、メタクリル基又はアクリル基を意味する。   In the present invention, the (meth) acryl group means a methacryl group or an acryl group.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、分散性が良く、該組成物を塗膜とし硬化させた後の硬化膜の基材密着性が良好で、パターン転写性・生産性に優れている。しかも従来の光硬化性ナノインプリント用組成物では、エッチング耐性、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性に改善の余地があるのに対し、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、パターン転写性が優れており、エッチング耐性、特に塩素系ガスのエッチング耐性を有する硬化膜を形成するのに、好適な組成物である。   The photocurable nanoimprint composition of the present invention has good dispersibility, good adhesion to the substrate of the cured film after curing the composition as a coating film, and excellent pattern transferability and productivity. . Moreover, the conventional photocurable nanoimprint composition has room for improvement in etching resistance, particularly etching resistance to chlorine-based gas, whereas the photocurable nanoimprint composition of the present invention has excellent pattern transferability. Therefore, it is a composition suitable for forming a cured film having etching resistance, particularly chlorine gas etching resistance.

また金属アルコキシドの加水分解物を配合した光硬化性ナノインプリント用組成物は、塩素系ガスに対するエッチング耐性がより向上する。   Moreover, the photocurable nanoimprinting composition containing a hydrolyzate of metal alkoxide further improves the etching resistance to chlorine gas.

本発明は、光硬化性ナノインプリント用組成物に関するものであり、
(A)下記式(1)
The present invention relates to a photocurable nanoimprint composition,
(A) The following formula (1)

Figure 0005968041
(式中、
、Rは同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基であり、
はアリール基であり、
はアリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、
nは1〜10の整数である)
で示される有機珪素化合物の加水分解物、および
下記式(2)
Figure 0005968041
(Where
R 1 and R 2 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms,
R 3 is an aryl group;
R 4 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms,
n is an integer of 1 to 10)
A hydrolyzate of an organosilicon compound represented by formula (2):

Figure 0005968041
(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい)
で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の加水分解物、を含む加水分解物混合物(以下、単に、「加水分解物混合物(A)」ともいう)、(B)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(以下、単に、「重合性単量体(B)」ともいう)、並びに(C)光重合性開始剤を含むものである。
Figure 0005968041
(Where
R 5 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 6 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 7 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
When the R 5, R 6, R 7 and R 8 are each, there are a plurality, the plurality of R 5, R 6, R 7 and R 8 may each be the same or different groups)
A hydrolyzate mixture (hereinafter also referred to simply as “hydrolyzate mixture (A)”), (B) (meth) acrylic group, And a polymerizable monomer (hereinafter, also simply referred to as “polymerizable monomer (B)”), and (C) a photopolymerizable initiator.

なお、本発明において、ナノインプリントとは、5nm以上100μm以下のパターン、更には、5nm以上500nm以下の微細なパターンを良好に形成できるものを指す。ただし、当然のことながら、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、100μmを越えるパターンの形成にも使用できる。   In the present invention, nanoimprint refers to a pattern that can favorably form a pattern of 5 nm to 100 μm, and a fine pattern of 5 nm to 500 nm. However, as a matter of course, the photocurable nanoimprinting composition of the present invention can be used to form a pattern exceeding 100 μm.

以下、順を追って説明する。先ず、加水分解物混合物(A)について説明する。   In the following, description will be given in order. First, the hydrolyzate mixture (A) will be described.

(加水分解物混合物(A))
本発明において、加水分解物混合物(A)は、前記式(1)で示される有機珪素化合物の加水分解物、前記式(2)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物である。該前記式(1)で示される有機珪素化合物の加水分解物、該前記式(2)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物の加水分解の度合いは、アルコキシ基が全て加水分解されていても良く、アルコキシ基の一部分が加水分解されていてものでも良い。
(Hydrolysate mixture (A))
In the present invention, the hydrolyzate mixture (A) is a hydrolyzate of an organosilicon compound represented by the above formula (1) and a hydrolyzate of an organosilicon compound having a (meth) acrylic group represented by the above formula (2). It is a hydrolyzate mixture containing a product. The degree of hydrolysis of the hydrolyzate including the hydrolyzate of the organosilicon compound represented by the formula (1) and the hydrolyzate of the organosilicon compound having a (meth) acrylic group represented by the formula (2) The alkoxy group may be completely hydrolyzed, or a part of the alkoxy group may be hydrolyzed.

(有機珪素化合物)
本発明においては、下記式(1)
(Organic silicon compound)
In the present invention, the following formula (1)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
、Rは同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基であり、
はアリール基であり、
はアリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、
nは1〜10の整数である。)
で示される有機珪素化合物(以下、単に「有機珪素化合物」ともいう)の加水分解物を使用する。
(Where
R 1 and R 2 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms,
R 3 is an aryl group;
R 4 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms,
n is an integer of 1-10. )
A hydrolyzate of an organosilicon compound represented by the following (hereinafter also simply referred to as “organosilicon compound”) is used.

この有機珪素化合物の加水分解物を使用することにより、エッチング耐性、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性に優れた硬化膜を形成することができる光硬化性のナノインプリント用組成物が得られる。   By using the hydrolyzate of the organosilicon compound, a photocurable nanoimprinting composition capable of forming a cured film excellent in etching resistance, particularly etching resistance to chlorine-based gas is obtained.

前記式(1)において、R、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基が挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基が好ましい。−OR、−ORで示されるアルコキシ基は、加水分解時に−OR、−OR由来のアルコールを生成するが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、このアルコールを含んでいてもよい。そのため、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、R、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましい。 In the formula (1), R 1 and R 2 are methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, and tert-butyl group. Among them, methyl group, Ethyl group, propyl group, isopropyl group and butyl group are preferred. -OR 1, alkoxy group represented by -OR 2 is -OR 1 upon hydrolysis, but produces an alcohol from -OR 2, photocurable composition for imprints of the invention, contain the alcohol Also good. Therefore, considering that it becomes an alcohol that can be easily mixed with other components, and that it becomes an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, R 1 and R 2 are methyl. It is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group.

は、アリール基としては、フェニル基、ベンジル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等のアリール基を挙げることができ、中でもフェニル基が好ましい。該アリール基はアルキル基、エーテル基、グリコールエーテル基、水酸基、ハロゲン等の置換基を有していても良い。 In R 3 , examples of the aryl group include aryl groups such as a phenyl group, a benzyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group, and among them, a phenyl group is preferable. The aryl group may have a substituent such as an alkyl group, an ether group, a glycol ether group, a hydroxyl group, or a halogen.

は、アルコキシ基としては、メチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基、sec−ブチルアルコキシ基、イソブチルアルコキシ基、tert−ブチルアルコキシ基等が挙げられ、アリール基としては、フェニル基、ベンジル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等を挙げることができる。該アルコキシ基及びアリール基は、アルキル基、エーテル基、グリコールエーテル基、水酸基、ハロゲン等の置換基を有していても良い。アルコキシ基、アリール基としては、中でもメチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基、フェニル基が好ましい。この−Rで示されるアルコキシ基は、加水分解時にR由来のアルコールを生成するが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、このアルコールを含んでいてもよい。そのため、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、Rがアルコキシ基の場合、メチルアルコキシ基、エチルアルコキシ基、プロピルアルコキシ基、イソプロピルアルコキシ基、ブチルアルコキシ基、sec−ブチルアルコキシ基、イソブチルアルコキシ基、tert−ブチルアルコキシ基等の炭素数1〜4のアルコキシ基であることが好ましい。 Examples of the alkoxy group of R 4 include a methyl alkoxy group, an ethyl alkoxy group, a propyl alkoxy group, an isopropyl alkoxy group, a butyl alkoxy group, a sec-butyl alkoxy group, an isobutyl alkoxy group, a tert-butyl alkoxy group, and the like. Examples of the group include a phenyl group, a benzyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group. The alkoxy group and aryl group may have a substituent such as an alkyl group, an ether group, a glycol ether group, a hydroxyl group, or a halogen. Among the alkoxy groups and aryl groups, a methyl alkoxy group, an ethyl alkoxy group, a propyl alkoxy group, an isopropyl alkoxy group, a butyl alkoxy group, and a phenyl group are preferable. The alkoxy group represented by —R 4 generates an alcohol derived from R 4 upon hydrolysis, but the photocurable nanoimprinting composition of the present invention may contain this alcohol. Therefore, in consideration of becoming an alcohol that can be easily mixed with other components, and an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, when R 4 is an alkoxy group, It is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl alkoxy group, an ethyl alkoxy group, a propyl alkoxy group, an isopropyl alkoxy group, a butyl alkoxy group, a sec-butyl alkoxy group, an isobutyl alkoxy group, or a tert-butyl alkoxy group. .

なかでも、Rが炭素数6〜12のアリール基であることがエッチング耐性、特に塩素系ガスのエッチング耐性が良好な硬化膜を形成する点で好ましい。 Among these, R 4 is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms from the viewpoint of forming a cured film having good etching resistance, in particular, chlorine gas etching resistance.

また、該有機珪素化合物は、前記式(1)において、nが1〜10の整数を満足するものであれば、単一の化合物であってもよいし、nの値が異なる複数の有機珪素化合物の混合物であってもよい。単一の化合物を使用する場合、nの値は、より比較的低い圧力でのパターンの転写性や、100nm以下などの微細パターンの転写を勘案すると、1以上7以下が好ましい。また、複数の有機珪素化合物の混合物を使用する場合、nの平均値は、1.1以上10以下となることが好ましく、さらには、より比較的低い圧力でのパターンの転写性や、100nm以下などの微細パターンの転写を勘案すると、1.1以上7以下がより好ましい。   The organosilicon compound may be a single compound or a plurality of organosilicons having different values of n as long as n satisfies an integer of 1 to 10 in the formula (1). It may be a mixture of compounds. In the case of using a single compound, the value of n is preferably 1 or more and 7 or less in consideration of transferability of a pattern at a relatively low pressure and transfer of a fine pattern such as 100 nm or less. When a mixture of a plurality of organosilicon compounds is used, the average value of n is preferably 1.1 or more and 10 or less, and further, the pattern transferability at a relatively lower pressure, or 100 nm or less. Taking into account the transfer of a fine pattern such as 1.1 to 7 is more preferable.

これら有機珪素化合物を具体的に例示すれば、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、フェニルトリブトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、ジフェニルジブトキシシラン、およびそれらの重縮合物が挙げられる。中でも、加水分解時に生成するアルコールが、塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールであることや、反応性等の理由から、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、およびそれらの重縮合物が好ましい。   Specific examples of these organosilicon compounds include phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltripropoxysilane, phenyltributoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, diphenyldipropoxysilane, diphenyldibutoxysilane. And polycondensates thereof. Among them, the alcohol produced during hydrolysis is an alcohol that can be easily removed after forming a coating film, and for reasons such as reactivity, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldioxydioxide. Ethoxysilanes and their polycondensates are preferred.

((メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物)
本発明においては、下記式(2)
(Organic silicon compound having (meth) acrylic group)
In the present invention, the following formula (2)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、RおよびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、RおよびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。)
で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(以下、単に「(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物」ともいう)の加水分解物を使用する。
(Where
R 5 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 6 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 7 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
R 5, R 6, R 7 and R 8 are each, when there are a plurality, the plurality of R 5, R 6, R 7 and R 8 each may be the same or different groups. )
A hydrolyzate of an organosilicon compound having a (meth) acryl group represented by the following (hereinafter also simply referred to as “organosilicon compound having a (meth) acryl group”) is used.

この(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物を使用することにより、分散性のよい光硬化性ナノインプリント用組成物が得られ、濾過による精製が容易となり生産性が良好となる。また、光硬化により得られる硬化膜の微細な構造において、無機成分と有機成分とが比較的均質な状態で分散したものとなる(無機成分が極端に凝集したような分散状態とはならない)。その結果、均一な転写パターン、および均一な残膜を形成することができるものと推定される。   By using this organosilicon compound having a (meth) acrylic group, a photocurable nanoimprinting composition with good dispersibility can be obtained, which facilitates purification by filtration and improves productivity. Moreover, in the fine structure of the cured film obtained by photocuring, the inorganic component and the organic component are dispersed in a relatively homogeneous state (the dispersed state is not such that the inorganic component is extremely aggregated). As a result, it is estimated that a uniform transfer pattern and a uniform residual film can be formed.

前記式(2)において、Rは水素原子あるいはメチル基である。これらの中でも水素原子のほうが、光硬化性ナノインプリント用組成物を硬化させる際の光硬化速度が速いので好ましい。 In the formula (2), R 5 is a hydrogen atom or a methyl group. Among these, a hydrogen atom is preferable because the photocuring speed when curing the photocurable nanoimprinting composition is high.

は、炭素数1〜20のアルキレン基又は炭素数3〜10のシクロアルキレン基である。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基、2−メチルヘプチレン基、3−メチルヘプチレン基、4−メチルヘプチレン基、2,2,4−トリメチルペンチレン基、2,2,3−トリメチルペンチレン基、2,3,4−トリメチルペンチレン基、2,3,3−トリメチルペンチレン基、3,3−ジメチルへキシレン基、3,4−ジメチルへキシレン基、2,3−ジメチルへキシレン基、2,4−ジメチルへキシレン基、2,2−ジメチルへキシレン基、2,5−ジメチルへキシレン基、2,2,3,3−テトラメチルブチレン基、3−エチル−2−メチルペンチレン基、3−エチルへキシレン基、3−エチル−3−メチルペンチレン基、ノニレン基、2,3,4−トリメチルへキシレン基、3,4−ジメチルへキシレン、3,5−ジメチルへキシレン基、3,3−ジメチルへキシレン基、3,3−ジエチルペンチレン基、4,4−ジメチルへキシレン基、3−エチル−2,4−ジメチルペンチレン基、2,3,5−トリメチルへキシレン基、2,2,4,4−テトラメチルペンチレン基、2,2−ジメチルヘプチレン基、2,6−ジメチルヘプチレン基、2,5−ジメチルヘプチレン基、2,4−ジメチルヘプチレン基、4−エチルヘプチレン基、3−メチルオクチレン基、4−メチルオクチレン基、2,3,ジメチルヘプチレン基、4−エチル2−メチルへキシレン基、3−エチル−4−メチルへキシレン基、2−メチルオクチレン基、2,2,5−トリメチルへキシレン基、3,3−ジメチルヘプチレン基、2,2,3,3−テトラメチルペンチレン基、3−エチルヘプチレン基、2,2,3−トリメチルヘキシレン基、2,2,4−トリメチルヘキシレン基、2,3,3−トリメチルヘキシレン基、2,4,4−トリメチルヘキシレン基、3,3,4−トリメチルヘキシレン基、3−エチル−2,2−ジメチルペンチレン基、2,3,3,4−テトラメチルペンチレン基、3−エチル−2−メチル−ヘキシレン基、デキレン基、2−メチルノニレン基、2,2,5,5−テトラメチルヘキシレン基、2,7−ジメチルオクチレン基、2,2,6−トリメチルヘプチレン基、2,6−ジメチルオクチレン基、2,4,6−トリメチルヘプチレン基、4−プロピル−ヘプチレン基、2,4,4−トリメチルヘプチレン基、2,3,6−トリメチルヘプチレン基、2,4−ジメチルオクチレン基、3,3−ジメチルオクチレン基、3,3,4,4−テトラメチルヘキシレン基、3−エチルオクチレン基、3−メチルノニレン基、2,3−ジメチルオクチレン基、3,3,5−トリメチルヘプチレン基、3−エチル−2,4−ジメチルヘキシレン基、2,2,3,3−テトラメチルヘキシレン基、3−エチル−2−メチルヘプチレン基、2,2,4−トリメチルヘプチレン基、5−メチルノニレン基、4−エチルオクチレン基、2,2−ジメチルオクチレン基、3,5−ジメチルオクチレン基、3,6−ジメチルオクチレン基、4,4−ジメチルオクチレン基、2,2,4,5−テトラメチルヘキシレン基、4−メチルノニレン基、3−エチル−3−メチル−ヘプチレン基、3,3−ジメチルヘキシレン基、4−エチル−4−メチルペンチレン基、3,4−ジエチルヘキシレン基、2,4,5−トリメチルヘプチレン基、3,4,4−トリメチルヘプチレン基、3−エチル−2,2−ジメチルヘキシレン基、2,2,5−トリメチルヘプチレン基、2,2,4,4−テトラメチルヘキシレン基、4−(1−メチルエチル)−ヘプチレン基、4−エチル−2−メチルヘプチレン基、4−エチル−3−メチルヘプチレン基、3−エチル−4−メチルヘプチレン基、2,2,3−トリメチルヘプチレン基、2,3,3−トリメチルヘプチレン基、2,3,4−トリメチルヘプチレン基、3−エチル−2,3−ジメチルヘキシレン基、4−エチル−2,4−ジメチルヘキシレン基、3−エチル−2,5−ジメチルヘキシレン基、4−エチル−3,3−ジメチルヘキシレン基、3−エチル−3,4−ジメチルヘキシレン基、2,2,3,4−テトラメチルへキシレン基、2,2,3,5−テトラメチルへキシレン基、2,3,3,4−テトラメチルへキシレン基、2,3,3,5−テトラメチルへキシレン基、2,3,4,4−テトラメチルへキシレン基、2,3,4,5−テトラメチルへキシレン基、3,3−ジメチル−2−メチルペンチレン基、ジメチルオクチレン基、ウンデシレン基、4−メチルデキシレン基、3−(1,1−ジメチルエチル)−2,2−ジメチルペンチレン基、4−エチルノニレン基、5,5−ジメチルノニレン基、2−メチル−3−(1−メチルエチル)−ヘプチレン基、2−メチルデキレン基、3−メチルデキレン、2,2,3,5,5−ペンタメチルヘキシレン基、3−エチルノニレン基、5−エチルノニレン基、4−プロピルオクチレン基、2,2−ジメチルノニレン基、3,3−ジメチルノニレン基、3−エチル−3−メチルオクチレン基、3,3−ジエチル−ヘプチレン基、4,4−ジメチルノニレン基、4−エチル−4−メチルオクチレン基、4−メチル−4−プロピルヘプチレン基、4,4−ジエチルヘプチレン基、3,4−ジメチルノニレン基、2,4−ジメチルノニレン基、3,5−ジメチルノニレン基、4,6−ジメチルノニレン基、2,7−ジメチルノニレン基、2,8−ジメチルノニレン基、3,6−ジメチルノニレン基、2,2,4−トリメチルオクチレン基、2,2,6,6−テトラメチルヘプチレン基、2,3,5,6−テトラメチルヘプチレン基、2,3,3,4,5−ペンタメチル−ヘキシレン基、4−(1,1−ジメチルエチル)−ヘプチレン基、2,2,4,4,5−ペンタメチル−ヘキシレン基、2,2,3,3,4,4−ヘキサメチルペンチレン基、3,3−ジメチル−2,2−ジメチルペンチレン基、3−エチル−2,3−ジメチルペンチレン基、4−エチル−2,3−ジメチルペンチレン基、5−エチル−2,3−ジメチルペンチレン基、3−エチル−2,4−ジメチルペンチレン基、4−エチル−2,4−ジメチルペンチレン基、5−エチル−2,4−ジメチルペンチレン基、3−エチル−2,5−ジメチルペンチレン基、4−エチル−2,5−ジメチルペンチレン基、5−エチル−2,5−ジメチルペンチレン基、3−エチル−2,6−ジメチルペンチレン基、4−エチル−2,6−ジメチルペンチレン基、4−エチル−3,3−ジメチルペンチレン基、5−エチル−3,3−ジメチルペンチレン基、3−エチル−3,4−ジメチルペンチレン基、4−エチル−3,4−ジメチルペンチレン基、3−エチル−4,5−ジメチルペンチレン基、3−エチル−3,5−ジメチルペンチレン基、4−エチル−3,5−ジメチルペンチレン基、3−エチル−4,4−ジメチルペンチレン基、2,2,3,3−テトラメチルヘプチレン基、2,2,3,4−テトラメチルヘプチレン基、2,2,3,5−テトラメチルヘプチレン基、2,2,3,6−テトラメチルヘプチレン基、2,2,4,4−テトラメチルヘプチレン基、2,2,4,5−テトラメチルヘプチレン基、2,2,4,6−テトラメチルヘプチレン基、2,2,5,5−テトラメチルヘプチレン基、2,2,5,6−テトラメチルヘプチレン基、2,3,3,4−テトラメチルヘプチレン基、2,3,3,5−テトラメチルヘプチレン基、2,3,3,6−テトラメチルヘプチレン基、2,3,4,4−テトラメチルヘプチレン基、2,3,4,5−テトラメチルヘプチレン基、2,3,4,6−テトラメチルヘプチレン基、2,3,5,5−テトラメチルヘプチレン基、2,4,4,5−テトラメチルヘプチレン基、2,4,4,6−テトラメチルヘプチレン基、2,4,5,5−テトラメチルヘプチレン基、3,3,4,4−テトラメチルヘプチレン基、3,3,4,5−テトラメチルヘプチレン基、3,3,5,5−テトラメチルヘプチレン基、3,4,4,5−テトラメチルヘプチレン基、2,2−ジメチル−3−(1−メチルエチル)ヘキシレン基、2,3−ジメチル−3−(1−メチルエチル)ヘキシレン基、2,4−ジメチル−3−(1−メチルエチル)ヘキシレン基、2,5−ジメチル−3−(1−メチルエチル)ヘキシレン基、3,3−ジメチル−2−メチルヘキシレン基、3,4−ジメチル−2−メチルヘキシレン基、4,4−ジメチル−2−メチルヘキシレン基、3,4−ジメチル−3−メチルヘキシレン基、3,3−ジメチル−4−メチルヘキシレン基、3−エチル−2,2,3−トリメチルへキシレン基、4−エチル−2,2,3−トリメチルへキシレン基、3−エチル−2,2,4−トリメチルへキシレン基、4−エチル−2,2,4−トリメチルへキシレン基、3−エチル−2,2,5−トリメチルへキシレン基、4−エチル−2,2,5−トリメチルへキシレン基、4−エチル−2,3,3−トリメチルへキシレン基、3−エチル−2,3,4−トリメチルへキシレン基、4−エチル−2,3,4−トリメチルへキシレン基、3−エチル−2,3,5−トリメチルへキシレン基、3−エチル−2,4,5−トリメチルへキシレン基、3−エチル−2,4,4−トリメチルへキシレン基、3−エチル−3,4,4−トリメチルへキシレン基、2,2,3,3,4−ペンタメチルヘキシレン基、2,2,3,3,5−ペンタメチルヘキシレン基、2,2,3,4,4−ペンタメチルヘキシレン基、2,2,3,4,5−ペンタメチルヘキシレン基、2,3,4−トリメチル−3−(1−メチルエチル)ペンチレン基、3,3−ジメチル−2,4−ジメチルペンチレン基、3−エチル−2,2,3,4−テトラメチルペンチレン基、3,5,5−トリメチルオクチレン基、4,4,5−トリメチルオクチレン基、2−メチル−4−プロピルヘプチレン基、3−メチル−4−プロピルヘプチレン基、2−メチル−4−(1−メチルエチル)ヘプチレン基、3−メチル−4−(1−メチルエチル)ヘプチレン基、4−メチル−4−(1−メチルエチル)ヘプチレン基、3,4−ジメチル−ヘプチレン基、3,5−ジメチル−ヘプチレン基、3−エチル−2,2−ジメチルヘプチレン基、4−(1−メチルエチル)オクチレン基、3−エチル−2−メチルオクチレン基、4−エチル−2−メチルオクチレン基、4−エチル−3−メチルオクチレン基、5−エチル−3−メチルオクチレン基、3−エチル−6−メチルオクチレン基、3−エチル−4−メチルオクチレン基、4−エチル−5−メチルオクチレン基、3−エチル−5−メチルオクチレン基、2,2,3−トリメチルオクチレン基、2,2,5−トリメチルオクチレン基、2,2,7−トリメチルオクチレン基、2,3,3−トリメチルオクチレン基、2,3,4−トリメチルオクチレン基、2,3,5−トリメチルオクチレン基、2,
4,4−トリメチルオクチレン基、2,4,5−トリメチルオクチレン基、2,4,7−トリメチルオクチレン基、2,5,5−トリメチルオクチレン基、3,3,4−トリメチルオクチレン基、3,3,5−トリメチルオクチレン基、3,3,6−トリメチルオクチレン基、3,4,4−トリメチルオクチレン基、2,4,5−トリメチルオクチレン基、3,4,6−トリメチルオクチレン基、4−エチル−2,2−ジメチルヘプチレン基、5−エチル−2,2−ジメチルヘプチレン基、ドデキレン基、4−エチル−2,6−ジメチルオクチレン基、3−イソプロピル−2,2,3,4−テトラメチルペンチレン基、3−イソプロピル−2,2,4,4−テトラメチルペンチレン基、トリデキレン、2−メチルドデキレン基、4−メチルドデキレン基、2,4,6,8−テトラメチルノニレン基、2,6−ジメチルウンデキレン基、4,7−ジメチルウンデキレン基、3−メチルドデキレン基、4−プロピルデキレン基、3,3−ジエチルノニレン基、4−エチル−4−プロピルオクチレン基、4,4−ジプロピルヘプチレン基、4,4−ジエチルノニレン基、2,2,4,4,6,6−ヘキサメチルヘプチレン基、3−(1,1−ジメチルエチル)−2,2,4,4−テトラメチルペンチレン基、3,3,7,7−テトラメチルノニレン基、3,5,7−トリメチルデキレン基、4,5,7−トリメチルデキレン基、5−メチルドデキレン基、6−メチルドデキレン基、2,2,3,5,6,6−ヘキサメチルヘプチレン基、4−(1,1−ジメチルエチル)−2,6−ジメチルヘプチレン基、2,2,3−トリメチルデキレン基、4,4,6,6−テトラメチルノニレン基、3,5−ジエチル−3,5−ジメチルヘプチレン基、2,3,4,5,6−ペンタメチルオクチレン基、3,3,4,5,6−ペンタメチルオクチレン基、3,3−ジメチル−2,2,4,4−テトラメチルペンチレン基、2,2,3,4,4−ペンタメチル−3−(1−メチルエチル)−ペンチレン基、メチルドデキレン基、3−エチル−3−メチル−4−プロピルヘプチレン基、テトラデキシン基、2−メチルトリデキレン基、3,3,4,4−テトラエチルヘキシレン基、2,3−ジメチルドデキレン基、2,4−ジメチルドデキレン基、5−ブチルデキレン基、2,6,10−トリメチルウンデキレン基、4−プロピルウンデキレン基、2,11−ジメチルドデキレン基、6−メチルトリデキレン基、5−エチルドデキレン基、6−メチルトリデキレン基、5−エチルドデキレン基、6,7−ジメチルドデキレン基、6−エチル−5−メチルウンデキレン基、4−メチル−5−プロピルノニレン基、4,5−ジプロピルオクチレン基、2,2,3,5,5−ペンタメチル−3−(1−メチルエチル)へキシレン基、2,5,6,9−テトラメチルデキレン基、3,6−ジエチル−4,5−ジメチルオクチレン基、2,2,4,5,7,7−ヘキサメチルオクチレン基、3−(1,1−ジメチルエチル)−2,2,5,5−テトラメチルヘキシレン基、2,2−ジメチルドデキレン基、4−エチル−2,2,4,6,6−ペンタメチルヘプチレン基、5−エチル−4−プロピルノニレン基、5−メチル−4−プロピルデキレン基、5−エチル−6−メチルウンデキレン基、3−メチルトリデキレン基、4−メチルトリデキレン基、5−メチルトリデキレン基、5,5,6,6−テトラメチルデキレン基、3−エチルドデキレン基、4,6,8−トリメチルウンデキレン基、2,2,6,6−テトラメチル−4−(1−メチルエチル)ヘプチレン基、2,6−ジメチルドデキレン基、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタメチルヘキシレン基、2,4,7,9−テトラメチルデキレン基、2,6,9−トリメチルウンデキレン基、2,4,4,5,5,7−ヘキサメチルオクチレン基、5,5−ジメチルドデキレン基、3,7−ジメチルドデキレン基、3,3,8,8−テトラメチルデキレン基、3,4,7,8−テトラメチルデキレン基、5,8−ドデキレン基、6−エチルドデキレン基、4−エチルドデキレン基、5−プロピルウンデキレン基、2,5−ジメチル−3,4−ビス(1-メチルエチル)ヘキシレン基、ペンタデキレン基、2−メチルテトラデキレン基、2,6,10−テトラメチルドデキレン基、2,2,3−テトラメチルドデキレン基、7−メチルテトラデキレン基、2,3−ジメチルトリデキレン基、4−メチルテトラデキレン基、5−メチルテトラデキレン基、6−メチルテトラデキレン基、6,8−ジメチルトリデキレン基、2,6,11−テトラメチルドデキレン基、3−メチルテトラデキレン基、4−(1,1−ジメチルエチル)−2,2,6,6−テトラメチルヘプチレン基、3−(1,1−ジメチルエチル)−2,2,3,5,5−ペンタメチルヘプチレン基、2,2−ジメチルトリデキレン基、4−エチル−3−メチルドデキレン基、6−エチルトリデキレン基、2,3,5,7,8−ヘキサメチルノニレン基、2,4,8,10−テトラメチルウンデキレン基、5−エチルトリデキレン基、5,5,7,7−テトラメチルウンデキレン基、4,6−ジエチル−4,6−ジメチルノニレン基、2,2,5,5,8,8−ヘキサメチルノニレン基、3,5,7−トリエチルノニレン基、5,9−ジメチルトリデキレン基、ヘキサデキレン基、2−メチルペンタデキレン基、7,8−ジメチルテトラデキレン基、3−メチルペンタデキレン基、2,6,10−テトラメチルトリデキレン基、2,2,4,4,6,8,8−ヘプタメチルノニレン基、2,2,4,4,5,5,7,7−オクタメチルオクチレン基、5−ブチルドデキレン基、7−メチルペンタデキレン基、2,3−ジメチルテトラデキレン基、8−メチルペンタデキレン基、2,4,6,8,10−ペンタメチルウンデキレン基、2,5,8,11−テトラメチルドデキレン基、4−メチルペンタデキレン基、5−メチルペンタデキレン基、6−メチルペンタデキレン基、3,7,11−トリメチルトリデキレン基、2,5,5,6,6,9−ヘキサメチルデキレン基、2,2−ジメチルテトラデキレン基、4,6,7,9−テトラメチルデキレン基、6−エチルテトラデキレン基、2,2,3,8,9,9−ヘキサメチルデキレン基、3−エチルテトラデキレン基、2,2,4,7,9,9−ヘキサメチルデキレン基、3,3,6,6−テトラエチルデキレン基、2,6,9,10−テトラメチルドデキレン基、6−エチル−2,10−ジメチルドデキレン基、5,7−ジエチルドデキレン基、2,5,9−トリメチルトリデキレン基、7−エチルテトラデキレン基、5−エチルテトラデキレン基、6−ブチルドデキレン基、4−メチル−9−プロピルドデキレン基、ヘプタデキレン基、3,3−ビス(1,1−ジメチルエチル)−2,2,4,4−テトラメチルペンチレン基、5,5−ジブチルノニレン基、3−メチルヘキサデキレン基、4−メチルヘキサデキレン基、5−メチルヘキサデキレン基、6−メチルヘキサデキレン基、7−メチルヘキサデキレン基、8−メチルヘキサデキレン基、2,2,4,4,6,6,8,8−オクタメチルノニレン基、3,7,11−テトラメチルテトラデキレン基、2,6−ジメチルペンタデキレン基、6−エチルペンタデキレン基、3,8−ジメチルペンタデキレン基、2,3,10−テトラメチルペンタデキレン基、6,10−ジメチルペンタデキレン基、7−エチル−3,11−ジメチル−トリデキレン基、6,7−ジエチルトリデキレン基、2,5,9−トリメチルテトラデキレン基、2,5,9,12−テトラメチルトリデキレン基、オクタデキレン基、2−メチルヘプタデキレン基、3−メチルヘプタデキレン基、4−メチルヘプタデキレン基、5−メチルヘプタデキレン基、6−メチルヘプタデキレン基、7−メチルヘプタデキレン基、8−メチルヘプタデキレン基、2,15−ジメチルヘキサデキレン基、2,6,10−トリメチルペンタデキレン基、9−メチルヘプタデキレン基、2,2−ジメチルヘキサデキレン基、3,7,11−トリメチルペンタデキレン基、5,6−ジエチル−2,5,6,9−テトラメチルデキレン基、3,4−ビス(1,1−ジメチルエチル)−2,2,5,5−テトラメチルヘキシレン基、6−エチルヘキサデキレン基、3,5,7,8−テトラメチルテトラデキレン基、2,6,9,13−テトラメチルテトラデキレン基、2,5−ジメチルヘキサデキレン基、4,6−ジプロピルドデキレン基、5,7−ジメトキシヘキサデキレン基、トリメチルペンタデキレン基、7,10−ジメトキシヘキサデキレン基、2,2,5,5,10,10−ヘキサメチルドデキレン基、ノナデキレン基、2−メチルオクタデキレン基、3−メチルオクタデキレン基、4−メチルオクタデキレン基、5−メチルオクタデキレン基、6−メチルオクタデキレン基、7−メチルオクタデキレン基、8−メチルオクタデキレン基、9−メチルオクタデキレン基、2,16−ジメチルヘプタデキレン基、2,6,10,10−テトラメチルペンタデキレン基、2,6,10,14−テトラメチルペンタデキレン基、2,4,6,10−テトラメチルペンタデキレン基、3−エチルヘプタデキレン基、3、7、11−トリエチルヘキサデキレン基、2,2−ジメチルヘプタデキレン基、2,6−ジメチルヘプタデキレン基、2,10,14−トリメチルヘキサデキレン基、2,6,14−トリメチルヘキサデキレン基、6−エチルヘプタデキレン基、2,4,6,8,10,11−ヘキサメチルトリデキレン基、2,4,6,8,9,12−ヘキサメチルトリデキレン基、5−エチルヘプタデキレン基、2,4,6,8,10,12−ヘキサメチルトリデキレン基、9−エチルヘプタデキレン基、2,3,10−トリメチルヘキサデキレン基、6,10−ジメチルヘプタデキレン基、エイコシレン基、2,6,11,15−テトラメチルヘキサデキレン基、2,6,10,14−テトラメチルヘキサデキレン基、2−メチルノナデキレン基、3−メチルノナデキレン基、4−メチルノナデキレン基、5−メチルノナデキレン基、6−メチルノナデキレン基、7−メチルノナデキレン基、8−メチルノナデキレン基、9−メチルノナデキレン基、10−メチルノナデキレン基、3−エチルオクタデキレン基、2,6,11,15−テトラメチルヘキサデキレン基、2,6,10,14−テトラメチルヘキサデキレン基、6,6,11,11−テトラメチルヘキサデキレン基、2,6,7,8,8,12−ヘキサメチルテトラデキレン基、2,17−ジメチルオクタデキレン基、5,5,11,11−テトラメチルオクタデキレン基、2,2,15,15−テトラメチルオクタデキレン基、9,10−ジメチルオクタデキレン基、8,11−ジメチルオクタデキレン基、2,4−ジメチルオクタデキレン基、7,11−ジメチルオクタデキレン基、2,4,6,9,11,13−ヘキサメチルテトラデキレン基、2,4,6,8,11,12−ヘキサメチルテトラデキレン基、2,6−ジメチルオクタデキレン基、5,6−ジブチル−5,6−ジメチルデキレン基、2,6,10−トリメチル−7−(3−メチルブチル)ドデキレン基、6−ペンチル−7−プロピルドデキレン基、4,6,8−トリプロピルウンデキレン基、7,10−ジメチルオクタデキレン基、6,10−ジメチルオクタデキレン基等のアルキレン基;シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロプロピルメチレン基、シクロペンチルレン基、シクロへキシレン基、シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基が挙げられる。
R 6 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms. Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-methylbutylene group, 2- Methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3,3-dimethylbutylene Group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group, 2- Methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methylpentylene Group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, 2-propylpentylene group, 2,4,4-trimethylpentylene group, 2-methylheptylene group, 3-methylheptylene group, 4-methylheptylene group, 2,2,4-trimethyl Nylene group, 2,2,3-trimethylpentylene group, 2,3,4-trimethylpentylene group, 2,3,3-trimethylpentylene group, 3,3-dimethylhexylene group, 3,4-dimethyl Hexylene group, 2,3-dimethylhexylene group, 2,4-dimethylhexylene group, 2,2-dimethylhexylene group, 2,5-dimethylhexylene group, 2,2,3,3-tetramethyl Butylene group, 3-ethyl-2-methylpentylene group, 3-ethylhexylene group, 3-ethyl-3-methylpentylene group, nonylene group, 2,3,4-trimethylhexylene group, 3,4- Dimethylhexylene, 3,5-dimethylhexylene group, 3,3-dimethylhexylene group, 3,3-diethylpentylene group, 4,4-dimethylhexylene group, 3-ethyl-2,4-dimethylpentyl 2,3,5-trimethylhexylene group, 2,2,4,4-tetramethylpentylene group, 2,2-dimethylheptylene group, 2,6-dimethylheptylene group, 2, 5-dimethylheptylene group, 2,4-dimethylheptylene group, 4-ethylheptylene group, 3-methyloctylene group, 4-methyloctylene group, 2,3 dimethylheptylene group, 4-ethyl 2-methylhexylene group, 3-ethyl-4-methylhexylene group, 2-methyloctylene group, 2,2,5-trimethylhexylene group, 3,3-dimethylheptylene group, 2,2, 3,3-tetramethylpentylene group, 3-ethylheptylene group, 2,2,3-trimethylhexylene group, 2,2,4-trimethylhexylene group, 2,3,3-trimethylhexylene group, 2, 4,4-trimethylhe Silene group, 3,3,4-trimethylhexylene group, 3-ethyl-2,2-dimethylpentylene group, 2,3,3,4-tetramethylpentylene group, 3-ethyl-2-methyl-hexylene Group, dexylene group, 2-methylnonylene group, 2,2,5,5-tetramethylhexylene group, 2,7-dimethyloctylene group, 2,2,6-trimethylheptylene group, 2,6-dimethyl group Octylene group, 2,4,6-trimethylheptylene group, 4-propyl-heptylene group, 2,4,4-trimethylheptylene group, 2,3,6-trimethylheptylene group, 2,4 -Dimethyloctylene group, 3,3-dimethyloctylene group, 3,3,4,4-tetramethylhexylene group, 3-ethyloctylene group, 3-methylnonylene group, 2,3-dimethyloctylene group, 3, 3, 5 Trimethylheptylene, 3-ethyl-2,4-dimethylhexylene, 2,2,3,3-tetramethylhexylene, 3-ethyl-2-methylheptylene, 2,2,4-trimethyl Putylene group, 5-methylnonylene group, 4-ethyloctylene group, 2,2-dimethyloctylene group, 3,5-dimethyloctylene group, 3,6-dimethyloctylene group, 4,4-dimethyloctylene Group, 2,2,4,5-tetramethylhexylene group, 4-methylnonylene group, 3-ethyl-3-methyl-heptylene group, 3,3-dimethylhexylene group, 4-ethyl-4-methylpentylene Group, 3,4-diethylhexylene group, 2,4,5-trimethylheptylene group, 3,4,4-trimethylheptylene group, 3-ethyl-2,2-dimethylhexylene group, 2, 2, 5-trimethylheptylene group, 2,2,4,4-tetramethylhexylene group, 4- (1-methylethyl) -heptylene group, 4-ethyl-2-methylheptylene group, 4-ethyl-3-methylheptylene group Group, 3-ethyl-4-methylheptylene group, 2,2,3-trimethylheptylene group, 2,3,3-trimethylheptylene group, 2,3,4-trimethylheptylene group, 3-ethyl -2,3-dimethylhexylene group, 4-ethyl-2,4-dimethylhexylene group, 3-ethyl-2,5-dimethylhexylene group, 4-ethyl-3,3-dimethylhexylene group, 3 -Ethyl-3,4-dimethylhexylene group, 2,2,3,4-tetramethylhexylene group, 2,2,3,5-tetramethylhexylene group, 2,3,4,4-tetramethyl Hexylene, 2, , 3,5-tetramethylhexylene group, 2,3,4,4-tetramethylhexylene group, 2,3,4,5-tetramethylhexylene group, 3,3-dimethyl-2-methylpentylene Group, dimethyloctylene group, undecylene group, 4-methyldexylene group, 3- (1,1-dimethylethyl) -2,2-dimethylpentylene group, 4-ethylnonylene group, 5,5-dimethylnonylene group 2-methyl-3- (1-methylethyl) -heptylene group, 2-methyldexylene group, 3-methyldexylene, 2,2,3,5,5-pentamethylhexylene group, 3-ethylnonylene group, 5-ethylnonylene Group, 4-propyloctylene group, 2,2-dimethylnonylene group, 3,3-dimethylnonylene group, 3-ethyl-3-methyloctylene group, 3,3-diethyl-heptile Group, 4,4-dimethylnonylene group, 4-ethyl-4-methyloctylene group, 4-methyl-4-propylheptylene group, 4,4-diethylheptylene group, 3,4-dimethylnonyl group Len group, 2,4-dimethylnonylene group, 3,5-dimethylnonylene group, 4,6-dimethylnonylene group, 2,7-dimethylnonylene group, 2,8-dimethylnonylene group, 3, 6-dimethylnonylene group, 2,2,4-trimethyloctylene group, 2,2,6,6-tetramethylheptylene group, 2,3,5,6-tetramethylheptylene group, 2, 3,3,4,5-pentamethyl-hexylene group, 4- (1,1-dimethylethyl) -heptylene group, 2,2,4,4,5-pentamethyl-hexylene group, 2,2,3,3 4,4-hexamethylpentylene group, 3,3-dimethyl-2, 2-dimethylpentylene group, 3-ethyl-2,3-dimethylpentylene group, 4-ethyl-2,3-dimethylpentylene group, 5-ethyl-2,3-dimethylpentylene group, 3-ethyl- 2,4-dimethylpentylene group, 4-ethyl-2,4-dimethylpentylene group, 5-ethyl-2,4-dimethylpentylene group, 3-ethyl-2,5-dimethylpentylene group, 4- Ethyl-2,5-dimethylpentylene group, 5-ethyl-2,5-dimethylpentylene group, 3-ethyl-2,6-dimethylpentylene group, 4-ethyl-2,6-dimethylpentylene group, 4-ethyl-3,3-dimethylpentylene group, 5-ethyl-3,3-dimethylpentylene group, 3-ethyl-3,4-dimethylpentylene group, 4-ethyl-3,4-dimethylpentylene Group, 3-ethyl 4,5-dimethylpentylene group, 3-ethyl-3,5-dimethylpentylene group, 4-ethyl-3,5-dimethylpentylene group, 3-ethyl-4,4-dimethylpentylene group, 2, 2,3,3-tetramethylheptylene group, 2,2,3,4-tetramethylheptylene group, 2,2,3,5-tetramethylheptylene group, 2,2,3,6 -Tetramethylheptylene group, 2,2,4,4-tetramethylheptylene group, 2,2,4,5-tetramethylheptylene group, 2,2,4,6-tetramethylheptyl group Len group, 2,2,5,5-tetramethylheptylene group, 2,2,5,6-tetramethylheptylene group, 2,3,4,4-tetramethylheptylene group, 2, 3,3,5-tetramethylheptylene group, 2,3,3,6-tetramethylheptylene group, 2, , 4,4-tetramethylheptylene group, 2,3,4,5-tetramethylheptylene group, 2,3,4,6-tetramethylheptylene group, 2,3,5,5- Tetramethylheptylene group, 2,4,4,5-tetramethylheptylene group, 2,4,4,6-tetramethylheptylene group, 2,4,5,5-tetramethylheptylene Group, 3,3,4,4-tetramethylheptylene group, 3,3,4,5-tetramethylheptylene group, 3,3,5,5-tetramethylheptylene group, 3,4 , 4,5-tetramethylheptylene group, 2,2-dimethyl-3- (1-methylethyl) hexylene group, 2,3-dimethyl-3- (1-methylethyl) hexylene group, 2,4- Dimethyl-3- (1-methylethyl) hexylene group, 2,5-dimethyl-3- (1-methylethyl) Hexylene group, 3,3-dimethyl-2-methylhexylene group, 3,4-dimethyl-2-methylhexylene group, 4,4-dimethyl-2-methylhexylene group, 3,4-dimethyl-3- Methylhexylene group, 3,3-dimethyl-4-methylhexylene group, 3-ethyl-2,2,3-trimethylhexylene group, 4-ethyl-2,2,3-trimethylhexylene group, 3- Ethyl-2,2,4-trimethylhexylene group, 4-ethyl-2,2,4-trimethylhexylene group, 3-ethyl-2,2,5-trimethylhexylene group, 4-ethyl-2,2 , 5-trimethylhexylene, 4-ethyl-2,3,3-trimethylhexylene, 3-ethyl-2,3,4-trimethylhexylene, 4-ethyl-2,3,4-trimethyl Xylene group, 3-ethyl 2,3,5-trimethylhexylene group, 3-ethyl-2,4,5-trimethylhexylene group, 3-ethyl-2,4,4-trimethylhexylene group, 3-ethyl-3,4,4 -Trimethylhexylene group, 2,2,3,3,4-pentamethylhexylene group, 2,2,3,3,5-pentamethylhexylene group, 2,2,3,4,4-pentamethyl Hexylene group, 2,2,3,4,5-pentamethylhexylene group, 2,3,4-trimethyl-3- (1-methylethyl) pentylene group, 3,3-dimethyl-2,4-dimethyl Pentylene group, 3-ethyl-2,2,3,4-tetramethylpentylene group, 3,5,5-trimethyloctylene group, 4,4,5-trimethyloctylene group, 2-methyl-4- Propylheptylene group, 3-methyl-4-propylhe A tylene group, a 2-methyl-4- (1-methylethyl) heptylene group, a 3-methyl-4- (1-methylethyl) heptylene group, a 4-methyl-4- (1-methylethyl) heptylene group, 3, 4-dimethyl-heptylene group, 3,5-dimethyl-heptylene group, 3-ethyl-2,2-dimethylheptylene group, 4- (1-methylethyl) octylene group, 3-ethyl-2-methyloctylene Group, 4-ethyl-2-methyloctylene group, 4-ethyl-3-methyloctylene group, 5-ethyl-3-methyloctylene group, 3-ethyl-6-methyloctylene group, 3-ethyl- 4-methyloctylene group, 4-ethyl-5-methyloctylene group, 3-ethyl-5-methyloctylene group, 2,2,3-trimethyloctylene group, 2,2,5-trimethyloctylene group 2 , 2,7-trimethyloctylene group, 2,3,3-trimethyloctylene group, 2,3,4-trimethyloctylene group, 2,3,5-trimethyloctylene group, 2,
4,4-trimethyloctylene group, 2,4,5-trimethyloctylene group, 2,4,7-trimethyloctylene group, 2,5,5-trimethyloctylene group, 3,3,4-trimethyloctylene Len group, 3,3,5-trimethyloctylene group, 3,3,6-trimethyloctylene group, 3,4,4-trimethyloctylene group, 2,4,5-trimethyloctylene group, 3,4 , 6-Trimethyloctylene group, 4-ethyl-2,2-dimethylheptylene group, 5-ethyl-2,2-dimethylheptylene group, dodecylene group, 4-ethyl-2,6-dimethyloctylene Group, 3-isopropyl-2,2,3,4-tetramethylpentylene group, 3-isopropyl-2,2,4,4-tetramethylpentylene group, tridexylene, 2-methyldodexylene group, 4-methyldo Xylene group, 2,4,6,8-tetramethylnonylene group, 2,6-dimethylundexylene group, 4,7-dimethylundexylene group, 3-methyldodexylene group, 4-propyldexylene group, 3,3 -Diethylnonylene group, 4-ethyl-4-propyloctylene group, 4,4-dipropylheptylene group, 4,4-diethylnonylene group, 2,2,4,4,6,6-hexa Methylheptylene group, 3- (1,1-dimethylethyl) -2,2,4,4-tetramethylpentylene group, 3,3,7,7-tetramethylnonylene group, 3,5,7 -Trimethyl dexylene group, 4,5,7-trimethyl dexylene group, 5-methyldodexylene group, 6-methyldodexylene group, 2,2,3,5,6,6-hexamethylheptylene group, 4- (1 , 1-Dimethylethyl) -2,6-dimethyl Heptylene group, 2,2,3-trimethyldexylene group, 4,4,6,6-tetramethylnonylene group, 3,5-diethyl-3,5-dimethylheptylene group, 2,3,4, 5,6-pentamethyloctylene group, 3,3,4,5,6-pentamethyloctylene group, 3,3-dimethyl-2,2,4,4-tetramethylpentylene group, 2,2, 3,4,4-pentamethyl-3- (1-methylethyl) -pentylene group, methyldodexylene group, 3-ethyl-3-methyl-4-propylheptylene group, tetradexine group, 2-methyltridexylene group, 3 , 3,4,4-tetraethylhexylene group, 2,3-dimethyldodexylene group, 2,4-dimethyldodexylene group, 5-butyldexylene group, 2,6,10-trimethylundexylene group, 4- Propyl undecylene group 2,11-dimethyldodexylene group, 6-methyltridexylene group, 5-ethyldodexylene group, 6-methyltridexylene group, 5-ethyldodexylene group, 6,7-dimethyldodexylene group, 6-ethyl-5 -Methylundexylene group, 4-methyl-5-propylnonylene group, 4,5-dipropyloctylene group, 2,2,3,5,5-pentamethyl-3- (1-methylethyl) hexylene group 2,5,6,9-tetramethyldexylene group, 3,6-diethyl-4,5-dimethyloctylene group, 2,2,4,5,7,7-hexamethyloctylene group, 3- (1,1-dimethylethyl) -2,2,5,5-tetramethylhexylene group, 2,2-dimethyldodexylene group, 4-ethyl-2,2,4,6,6-pentamethylhexene Peptylene group, 5-ethyl-4-propyl Nylene group, 5-methyl-4-propyldexylene group, 5-ethyl-6-methylundexylene group, 3-methyltridexylene group, 4-methyltridexylene group, 5-methyltridexylene group, 5, 5, 6,6-tetramethyldexylene group, 3-ethyldodexylene group, 4,6,8-trimethylundexylene group, 2,2,6,6-tetramethyl-4- (1-methylethyl) heptylene group, 2, 6-dimethyldodexylene group, 2,2,3,3,4,4,5,5-octamethylhexylene group, 2,4,7,9-tetramethyldexylene group, 2,6,9- Trimethylundexylene group, 2,4,4,5,5,7-hexamethyloctylene group, 5,5-dimethyldodexylene group, 3,7-dimethyldodexylene group, 3,3,8,8 -Tetramethyldexylene group, 3,4,7,8- Tramethyldexylene group, 5,8-dodexene group, 6-ethyldodexylene group, 4-ethyldodexylene group, 5-propylundexylene group, 2,5-dimethyl-3,4-bis (1-methylethyl) hexylene group, Pentadexylene group, 2-methyltetradexylene group, 2,6,10-tetramethyldodexylene group, 2,2,3-tetramethyldodexylene group, 7-methyltetradexylene group, 2,3-dimethyl Tridexylene group, 4-methyltetradexylene group, 5-methyltetradexylene group, 6-methyltetradexylene group, 6,8-dimethyltridexylene group, 2,6,11-tetramethyldodexylene group, 3-methyltetradexylene group, 4- (1,1-dimethylethyl) -2,2,6,6-tetramethylheptylene group, 3- (1,1-dimethylethyl) -2,2,3 5,5-pentamethylheptylene group, 2,2-dimethyltridexylene group, 4-ethyl-3-methyldodexylene group, 6-ethyltridexylene group, 2,3,5,7,8-hexamethylnonylene Group, 2,4,8,10-tetramethylundexylene group, 5-ethyltridexylene group, 5,5,7,7-tetramethylundexylene group, 4,6-diethyl-4,6-dimethylnonylene Group, 2,2,5,5,8,8-hexamethylnonylene group, 3,5,7-triethylnonylene group, 5,9-dimethyltridexylene group, hexadexylene group, 2-methylpentadexylene group 7,8-dimethyltetradexylene group, 3-methylpentadexylene group, 2,6,10-tetramethyltridexylene group, 2,2,4,4,6,8,8-heptamethylnonylene group , 2, 2, 4, 4 5,5,7,7-octamethyloctylene group, 5-butyldodexylene group, 7-methylpentadexylene group, 2,3-dimethyltetradexylene group, 8-methylpentadexylene group, 2,4,6 , 8,10-pentamethylundecylene group, 2,5,8,11-tetramethyldodexylene group, 4-methylpentadexylene group, 5-methylpentadexylene group, 6-methylpentadexylene group, 3,7,11-trimethyltridexene group, 2,5,5,6,6,9-hexamethyldexylene group, 2,2-dimethyltetradexylene group, 4,6,7,9-tetramethyldexylene Len group, 6-ethyltetradexylene group, 2,2,3,8,9,9-hexamethyldexylene group, 3-ethyltetradexylene group, 2,2,4,7,9,9-hexa Methyl dexylene group, 3,3,6,6-te Traethyldexylene group, 2,6,9,10-tetramethyldodexylene group, 6-ethyl-2,10-dimethyldodexylene group, 5,7-diethyldodexylene group, 2,5,9 -Trimethyltridexene group, 7-ethyltetradexylene group, 5-ethyltetradexylene group, 6-butyldodexylene group, 4-methyl-9-propyldodexylene group, heptadexylene group, 3,3-bis (1, 1-dimethylethyl) -2,2,4,4-tetramethylpentylene group, 5,5-dibutylnonylene group, 3-methylhexadexylene group, 4-methylhexadexylene group, 5-methylhexadexene Len group, 6-methylhexadexylene group, 7-methylhexadexene group, 8-methylhexadexylene group, 2,2,4,4,6,6,8,8-octamethylnonylene group, 3 , 7,11-teto Methyltetradexylene group, 2,6-dimethylpentadexylene group, 6-ethylpentadexylene group, 3,8-dimethylpentadexylene group, 2,3,10-tetramethylpentadexylene group, 6,10 -Dimethylpentadexylene group, 7-ethyl-3,11-dimethyl-tridexene group, 6,7-diethyltridexylene group, 2,5,9-trimethyltetradexylene group, 2,5,9,12-tetra Methyltridexylene group, octadexylene group, 2-methylheptadexylene group, 3-methylheptadexylene group, 4-methylheptadexylene group, 5-methylheptadexylene group, 6-methylheptadexylene group, 7- Methylheptadexylene group, 8-methylheptadexylene group, 2,15-dimethylhexadexylene group, 2,6,10-trimethylpentadexylene group, 9-mes Ruheptadexylene group, 2,2-dimethylhexadexene group, 3,7,11-trimethylpentadexylene group, 5,6-diethyl-2,5,6,9-tetramethyldexylene group, 3,4-bis (1,1-dimethylethyl) -2,2,5,5-tetramethylhexylene group, 6-ethylhexadexylene group, 3,5,7,8-tetramethyltetradexylene group, 2,6, 9,13-tetramethyltetradexylene group, 2,5-dimethylhexadexene group, 4,6-dipropyldodexylene group, 5,7-dimethoxyhexadexylene group, trimethylpentadexylene group, 7, 10-dimethoxyhexadexene group, 2,2,5,5,10,10-hexamethyldodexylene group, nonadexylene group, 2-methyloctadexylene group, 3-methyloctadexylene group, 4-methyloctane Tadexylene group, 5-methyloctadexylene group, 6-methyloctadexylene group, 7-methyloctadexylene group, 8-methyloctadexylene group, 9-methyloctadexylene group, 2,16-dimethylheptadex Len group, 2,6,10,10-tetramethylpentadexylene group, 2,6,10,14-tetramethylpentadexylene group, 2,4,6,10-tetramethylpentadexylene group, 3- Ethylheptadexylene group, 3,7,11-triethylhexadexylene group, 2,2-dimethylheptadexylene group, 2,6-dimethylheptadexylene group, 2,10,14-trimethylhexadexylene group, 2,6,14-trimethylhexadexylene group, 6-ethylheptadexylene group, 2,4,6,8,10,11-hexamethyltridexylene group, 2,4,6,8,9, 2-hexamethyltridexylene group, 5-ethylheptadexylene group, 2,4,6,8,10,12-hexamethyltridexylene group, 9-ethylheptadexylene group, 2,3,10-trimethylhexa Dexylene group, 6,10-dimethylheptadexylene group, eicosylene group, 2,6,11,15-tetramethylhexadexylene group, 2,6,10,14-tetramethylhexadexylene group, 2-methyl Nonadexylene group, 3-methylnonadexylene group, 4-methylnonadexylene group, 5-methylnonadexylene group, 6-methylnonadexylene group, 7-methylnonadexylene group, 8-methylnonadexylene Len group, 9-methylnonadexylene group, 10-methylnonadexylene group, 3-ethyloctadexylene group, 2,6,11,15-tetramethylhexadexylene group, 2,6,10 14-tetramethylhexadexene group, 6,6,11,11-tetramethylhexadexene group, 2,6,7,8,8,12-hexamethyltetradexylene group, 2,17-dimethyloctadexylene Len group, 5,5,11,11-tetramethyloctadexylene group, 2,2,15,15-tetramethyloctadexylene group, 9,10-dimethyloctadexylene group, 8,11-dimethyloctadexylene Len group, 2,4-dimethyloctadexylene group, 7,11-dimethyloctadexylene group, 2,4,6,9,11,13-hexamethyltetradexylene group, 2,4,6,8, 11,12-hexamethyltetradexylene group, 2,6-dimethyloctadexylene group, 5,6-dibutyl-5,6-dimethyldexylene group, 2,6,10-trimethyl-7- (3-methylbutyl ) Alkylene groups such as dodecylene group, 6-pentyl-7-propyldodecylene group, 4,6,8-tripropylundecylene group, 7,10-dimethyloctadexylene group, 6,10-dimethyloctadexylene group A cycloalkylene group such as a cyclopropylene group, a cyclobutylene group, a cyclopropylmethylene group, a cyclopentylylene group, a cyclohexylene group, and a cyclooctylene group;

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基等の炭素数3〜4のシクロアルキレン基が好ましい。   Among these, C1-C4 alkylene groups, such as a methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, and C3-C4 cycloalkylene groups, such as a cyclopropylene group and a cyclobutylene group, are preferable. .

は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基又は炭素数6〜12のアリール基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基等のシクロアルキル基;フェニル基、ベンジル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、o−メチルナフチル基等のアリール基を挙げることができる。中でも、メチル基、エチル基が好ましい。 R 7 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Specifically, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopropylmethyl group, etc. Cycloalkyl group; aryl groups such as phenyl group, benzyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group and o-methylnaphthyl group can be exemplified. Of these, a methyl group and an ethyl group are preferable.

は、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数3〜4のシクロアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。 R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms. Specifically, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopropylmethyl group, etc. A cycloalkyl group is mentioned.

この−ORで示されるアルコキシ基は、加水分解時にR由来のアルコールを生成するが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、このアルコールを含んでいてもよい。そのため、他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましい。 Alkoxy group represented by the -OR 8, which produces an alcohol derived from R 8 upon hydrolysis, photocurable composition for imprints of the invention may contain the alcohol. Therefore, considering that it becomes an alcohol that can be easily mixed with other components, and that it becomes an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on a substrate, specifically, R 8 is a methyl group, an ethyl group, It is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group.

また、lは1が好ましく、mは0〜2が好ましく、kは1〜3が好ましい。ただし、l、m、およびnの合計、すなわち、l+m+nは4である。   L is preferably 1, m is preferably 0 to 2, and k is preferably 1 to 3. However, the sum of l, m, and n, that is, l + m + n is 4.

このような(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物を具体的に例示すれば、トリメトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリメトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリメトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルエチレン(メタ)アクリレート、トリプロポキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリブトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルジメチレン(メタ)アクリレート、トリイソプロポキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジメトキシエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、ジエトキシエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジメチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、メトキシジエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルジメチレン(メタ)アクリレート、エトキシジエチルシリルトリメチレン(メタ)アクリレート等が挙げられる。中でも、トリメトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレート、トリエトキシシリルトリメチレン(メタ)アクリレートが好ましい。   Specific examples of such an organosilicon compound having a (meth) acryl group include trimethoxysilylmethylene (meth) acrylate, trimethoxysilyldimethylene (meth) acrylate, trimethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, Triethoxysilylmethylene (meth) acrylate, triethoxysilyldimethylene (meth) acrylate, triethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, tripropoxysilylmethylene (meth) acrylate, tripropoxysilylethylene (meth) acrylate, tripropoxysilyl Trimethylene (meth) acrylate, tributoxysilylmethylene (meth) acrylate, tributoxysilyldimethylene (meth) acrylate, tributoxysilyltrimethylene (meth) acrylate Rate, triisopropoxysilylmethylene (meth) acrylate, triisopropoxysilyldimethylene (meth) acrylate, triisopropoxysilyltrimethylene (meth) acrylate, dimethoxymethylsilylmethylene (meth) acrylate, dimethoxymethylsilyldimethylene (meth) ) Acrylate, dimethoxymethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilylmethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilyldimethylene (meth) acrylate, diethoxymethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, dimethoxyethylsilylmethylene ( (Meth) acrylate, dimethoxyethylsilyldimethylene (meth) acrylate, dimethoxyethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, di Toxiethylsilylmethylene (meth) acrylate, diethoxyethylsilyldimethylene (meth) acrylate, diethoxyethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, methoxydimethylsilylmethylene (meth) acrylate, methoxydimethylsilyldimethylene (meth) acrylate, Methoxydimethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilylmethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilyldimethylene (meth) acrylate, ethoxydimethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, methoxydiethylsilylmethylene (meth) acrylate, methoxydiethyl Silyldimethylene (meth) acrylate, methoxydiethylsilyltrimethylene (meth) acrylate, ethoxydiethylsilyl Examples include methylene (meth) acrylate, ethoxydiethylsilyldimethylene (meth) acrylate, and ethoxydiethylsilyltrimethylene (meth) acrylate. Of these, trimethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate and triethoxysilyltrimethylene (meth) acrylate are preferable.

(その他の加水分解物成分(金属アルコキシド))
本発明においては、加水分解物混合物(A)は、さらに、下記式(3)
(Other hydrolyzate components (metal alkoxide))
In the present invention, the hydrolyzate mixture (A) is further represented by the following formula (3):

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
Mは、タングステン、スズ、インジウム、ハフニウム、アンチモンであり、
は、炭素数1〜10のアルキル基であり、同種又は異種の基であってもよく、
Mがタングステンの場合、pは5であり、
Mがスズ、ハフニウムの場合、pは4であり、
Mがインジウム、アンチモンの場合、pは3である。)
で示される金属アルコキシド(以下、単に「金属アルコキシド」ともいう)の加水分解物を含むことができる。
(Where
M is tungsten, tin, indium, hafnium, antimony,
R 9 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same or different group,
When M is tungsten, p is 5,
When M is tin or hafnium, p is 4,
When M is indium or antimony, p is 3. )
A hydrolyzate of a metal alkoxide represented by (hereinafter also simply referred to as “metal alkoxide”).

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、エッチング耐性、特に塩素系ガスに対するエッチング耐性の優れた硬化膜を形成することができるが、この金属アルコキシドを使用することにより、塩素系ガスに対するエッチング耐性をさらに向上させることができる。そして、金属アルコキシドの加水分解物の使用量で、塩素系ガスのエッチング速度を調整することもできる。   The photocurable nanoimprint composition of the present invention can form a cured film having excellent etching resistance, particularly etching resistance to chlorine-based gas. By using this metal alkoxide, etching resistance to chlorine-based gas can be formed. Can be further improved. And the etching rate of chlorine gas can also be adjusted with the usage-amount of the hydrolyzate of a metal alkoxide.

前記式(3)において、Mは、より塩素系ガスに対するエッチング耐性を高めるためにはタングステンであることが好ましい。   In the above formula (3), M is preferably tungsten in order to further improve the etching resistance against chlorine gas.

また、酸化タングステンアルコキシド(IV)等の酸化タングステンアルコキシドも本発明の効果を損なわない範囲内で含んでいても良い。   Further, tungsten oxide alkoxides such as tungsten oxide alkoxide (IV) may be included within a range not impairing the effects of the present invention.

またRは、適度な加水分解速度という点から炭素数2〜4のアルキル基がより好ましい。この−ORで示されるアルコキシ基も、上記の有機珪素化合物等と同じく、加水分解時にR由来のアルコールを生成するが、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、このアルコールを含んでいてもよい。そのため、−ORが他成分と容易に混合できるアルコールとなること、および基板上に塗膜を形成した後、容易に除去できるアルコールとなることを考慮すると、具体的には、Rは、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数2〜4のアルキル基であることが好ましい。 R 9 is more preferably an alkyl group having 2 to 4 carbon atoms from the viewpoint of an appropriate hydrolysis rate. The alkoxy group represented by -OR 9 also produces an alcohol derived from R 9 upon hydrolysis as in the case of the organosilicon compound and the like. However, the photocurable nanoimprint composition of the present invention contains this alcohol. May be. Therefore, considering that —OR 9 becomes an alcohol that can be easily mixed with other components and that it becomes an alcohol that can be easily removed after forming a coating film on the substrate, specifically, R 9 is: An alkyl group having 2 to 4 carbon atoms such as an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group is preferable.

好適な金属アルコキシドを例示すれば、ペンタメチルタングステンアルコキシド、ペンタエチルタングステンアルコキシド、ペンタイソプロピルタングステンアルコキシド、ペンタプロピルタングステンアルコキシド、ペンタイソブチルタングステンアルコキシド、ペンタブチルタングステンアルコキシド、ペンタペンチルタングステンアルコキシド、ペンタヘキシルタングステンアルコキシド、ペンタヘプチルタングステンアルコキシド、ペンタオクチルタングステンアルコキシド、ペンタノニルタングステンアルコキシド、ペンタデシルタングステンアルコキシド;テトラメチルスズアルコキシド、テトラエチルスズアルコキシド、テトライソプロピルスズアルコキシド、テトラプロピルスズアルコキシド、テトライソブチルスズアルコキシド、テトラブチルスズアルコキシド、テトラペンチルスズアルコキシド、テトラヘプチルスズアルコキシド、テトラヘキシスズアルコキシド、テトラヘプチルスズアルコキシド、テトラオクチルスズアルコキシド、テトラノニルスズアルコキシド、テトラデシルスズアルコキシド;テトラメチルハフニウムアルコキシド、テトラエチルハフニウムアルコキシド、テトライソプロピルハフニウムアルコキシド、テトラプロピルハフニウムアルコキシド、テトライソブチルハフニウムアルコキシド、テトラブチルハフニウムアルコキシド、テトラペンチルハフニウムアルコキシド、テトラヘプチルハフニウムアルコキシド、テトラヘキシハフニウムアルコキシド、テトラヘプチルハフニウムアルコキシド、テトラオクチルハフニウムアルコキシド、テトラノニルハフニウムアルコキシド、テトラデシルハフニウムアルコキシド;トリメチルインジウムアルコキシド、トリエチルインジウムアルコキシド、トリイソプロピルインジウムアルコキシド、トリプロピルインジウムアルコキシド、トリイソブチルインジウムアルコキシド、トリブチルインジウムアルコキシド、トリペンチルインジウムアルコキシド、トリヘキシルインジウムアルコキシド、トリヘプチルインジウムアルコキシド、トリオクチルインジウムアルコキシド、トリノニルインジウムアルコキシド、トリデシルインジウムアルコキシド;トリメチルアンチモンアルコキシド、トリエチルアンチモンアルコキシド、トリイソプロピルアンチモンアルコキシド、トリプロピルアンチモンアルコキシド、トリイソブチルアンチモンアルコキシド、トリブチルアンチモンアルコキシド、トリペンチルアンチモンアルコキシド、トリヘキシルアンチモンアルコキシド、トリヘプチルアンチモンアルコキシド、トリオクチルアンチモンアルコキシド、トリノニルアンチモンアルコキシド、トリデシルアンチモンアルコキシドが挙げられる。その中でも、ペンタエチルタングステンアルコキシド、ペンタイソプロピルタングステンアルコキシド、ペンタプロピルタングステンアルコキシド、ペンタイソブチルタングステンアルコキシド、ペンタブチルタングステンアルコキシドが好ましい。   Examples of suitable metal alkoxides include pentamethyl tungsten alkoxide, pentaethyl tungsten alkoxide, pentaisopropyl tungsten alkoxide, pentapropyl tungsten alkoxide, pentaisobutyl tungsten alkoxide, pentabutyl tungsten alkoxide, pentapentyl tungsten alkoxide, pentahexyl tungsten alkoxide, penta Heptyl tungsten alkoxide, pentaoctyl tungsten alkoxide, pentanonyl tungsten alkoxide, pentadecyl tungsten alkoxide; tetramethyltin alkoxide, tetraethyltin alkoxide, tetraisopropyltin alkoxide, tetrapropyltin alkoxide, tetraisobutyltin alkoxide Sid, tetrabutyltin alkoxide, tetrapentyltin alkoxide, tetraheptyltin alkoxide, tetrahexyltin alkoxide, tetraheptyltin alkoxide, tetraoctyltin alkoxide, tetranonyltin alkoxide, tetradecyltin alkoxide; tetramethylhafnium alkoxide, tetraethylhafnium alkoxide , Tetraisopropyl hafnium alkoxide, tetrapropyl hafnium alkoxide, tetraisobutyl hafnium alkoxide, tetrabutyl hafnium alkoxide, tetrapentyl hafnium alkoxide, tetraheptyl hafnium alkoxide, tetrahexyl hafnium alkoxide, tetraheptyl hafnium alkoxide, tetraoctyl hafnium alkoxide , Tetranonyl hafnium alkoxide, tetradecyl hafnium alkoxide; trimethyl indium alkoxide, triethyl indium alkoxide, triisopropyl indium alkoxide, tripropyl indium alkoxide, triisobutyl indium alkoxide, tributyl indium alkoxide, tripentyl indium alkoxide, trihexyl indium alkoxide, tri Heptylindium alkoxide, trioctylindium alkoxide, trinonylindium alkoxide, tridecylindium alkoxide; trimethylantimony alkoxide, triethylantimony alkoxide, triisopropylantimony alkoxide, tripropylantimony alkoxide, triisobutylan Timon alkoxide, tributyl antimony alkoxide, tripentyl antimony alkoxide, trihexyl antimony alkoxide, triheptyl antimony alkoxide, trioctyl antimony alkoxide, trinonyl antimony alkoxide, tridecyl antimony alkoxide. Among these, pentaethyl tungsten alkoxide, pentaisopropyl tungsten alkoxide, pentapropyl tungsten alkoxide, pentaisobutyl tungsten alkoxide, and pentabutyl tungsten alkoxide are preferable.

(加水分解物混合物(A)の製造方法)
本発明において、加水分解物混合物(A)を構成する有機珪素化合物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物は、以下の配合量とすることが好ましい。つまり、加水分解物混合物(A)は、下記に詳述する重合性単量体(B)100質量部に対して、有機珪素化合物を10〜400質量部、および(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物を3〜300質量部含む加水分解成分混合物を加水分解したものであることが好ましい。加水分解により、アルコキシ基が全て加水分解されていても良く、一部分が部分的に加水分解された状態でも良い。加水分解に使用する水の量は、特に制限はないが、塗膜の濡れ性やより良好なナノインプリントパターン転写性を勘案すると、上記混合物の全アルコキシ基のモル数に対して、0.1倍モル以上2.0倍モル以下から好ましく選択できる。
(Production method of hydrolyzate mixture (A))
In the present invention, the organosilicon compound constituting the hydrolyzate mixture (A) and the organosilicon compound having a (meth) acryl group are preferably used in the following amounts. That is, the hydrolyzate mixture (A) is an organic compound having 10 to 400 parts by mass of an organosilicon compound and (meth) acrylic group with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B) described in detail below. It is preferable to hydrolyze a hydrolysis component mixture containing 3 to 300 parts by mass of a silicon compound. All the alkoxy groups may be hydrolyzed by hydrolysis, or a part of the alkoxy group may be partially hydrolyzed. The amount of water used for the hydrolysis is not particularly limited, but considering the wettability of the coating film and better nanoimprint pattern transferability, it is 0.1 times the number of moles of all alkoxy groups in the mixture. It can be preferably selected from a mole of 2.0 or more and 2.0 moles or less.

有機珪素化合物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物との配合量が前記範囲を満足することにより、加水分解物混合物の分散性の良い光硬化性ナノインプリント用組成物となり、濾過による精製が容易で生産性を向上することができる。また、比較的低圧でのナノインプリントが可能となるため、使用するモールドの寿命を長くすることもできる。加水分解物混合物の分散性や比較的低圧でのナノインプリントを考慮すると、重合性単量体(B)100質量部に対して、有機珪素化合物の使用量は、30〜300質量部であることがより好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の使用量は、5〜250質量部であることがより好ましい。さらには、有機珪素化合物の使用量は、30〜200質量部であることが好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の使用量は、10〜200質量部であることが好ましく、有機珪素化合物の使用量は、35〜140質量部であることが特に好ましく、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の使用量は、15〜180質量部であることが特に好ましい。   When the blending amount of the organosilicon compound and the organosilicon compound having a (meth) acrylic group satisfies the above range, the hydrolyzate mixture has a highly dispersible photocurable nanoimprint composition and is easily purified by filtration. Can improve productivity. Moreover, since nanoimprinting at a relatively low pressure is possible, the life of the mold to be used can be extended. Considering the dispersibility of the hydrolyzate mixture and nanoimprinting at a relatively low pressure, the amount of the organosilicon compound used may be 30 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B). More preferably, the amount of the organosilicon compound having a (meth) acryl group is more preferably 5 to 250 parts by mass. Furthermore, the amount of the organic silicon compound used is preferably 30 to 200 parts by mass, and the amount of the organic silicon compound having a (meth) acryl group is preferably 10 to 200 parts by mass. The amount of the compound used is particularly preferably 35 to 140 parts by mass, and the amount of the organosilicon compound having a (meth) acryl group is particularly preferably 15 to 180 parts by mass.

本発明において、加水分解物混合物(A)は、さらに、金属アルコキシドの加水分解物を含むことができる。金属アルコキシドの加水分解物を含むことで、硬化膜の塩素系ガスに対するエッチング耐性をさらに向上させることができる。金属アルコキシドは、以下の配合量とすることが好ましい。つまり、上記加水分解成分混合物を、下記に詳述する重合性単量体(B)100質量部に対して、さらに、金属アルコキシドを0.1〜150質量部を含む加水分解成分混合物とし、該加水分解成分混合物を加水分解したものであることが好ましい。   In the present invention, the hydrolyzate mixture (A) can further contain a hydrolyzate of a metal alkoxide. By including the hydrolyzate of a metal alkoxide, the etching resistance with respect to the chlorine-type gas of a cured film can further be improved. The metal alkoxide is preferably used in the following amount. That is, with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B) described below in detail, the hydrolysis component mixture is further made into a hydrolysis component mixture containing 0.1 to 150 parts by mass of a metal alkoxide, It is preferable to hydrolyze the hydrolysis component mixture.

(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物と金属アルコキシドの配合量が前記範囲を満足することにより、加水分解混合物の分散性の良い光硬化性ナノインプリント用組成物となり、より良好なパターン転写性、濾過による精製が容易で生産性を向上することができる。また、比較的低圧でのナノインプリントが可能となるため、使用するモールドの寿命も長くすることができる。さらに金属アルコキシドの加水分解物を配合することにより、エッチング耐性、特に塩素系ガスのエッチング耐性が向上する。加水分解混合物の分散性や比較的低圧でのナノインプリント等を考慮すると、重合性単量体(B)100質量部に対して、金属アルコキシドの使用量は0.5〜100質量部、であることがより好ましい。さらには、金属アルコキシドの使用量は1〜80質量部であることがより好ましく、3〜50質量部であることが特に好ましい。   When the blending amount of the organosilicon compound having a (meth) acrylic group and the metal alkoxide satisfies the above range, it becomes a photocurable nanoimprinting composition having good dispersibility of the hydrolysis mixture, and more favorable pattern transferability and filtration. Purification is easy and productivity can be improved. Moreover, since nanoimprinting at a relatively low pressure is possible, the life of the mold to be used can be extended. Further, by adding a hydrolyzate of metal alkoxide, etching resistance, particularly etching resistance of chlorine-based gas is improved. Considering the dispersibility of the hydrolysis mixture and nanoimprinting at a relatively low pressure, the amount of metal alkoxide used is 0.5 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B). Is more preferable. Furthermore, it is more preferable that the usage-amount of a metal alkoxide is 1-80 mass parts, and it is especially preferable that it is 3-50 mass parts.

また、金属アルコキシドは、有機珪素化合物と(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物との合計100質量部に対して、0.2〜50質量部であることが好ましい。金属アルコキシドの使用量を前記範囲とすることにより、塩素系ガスによるエッチング耐性が特に改善される。そのため、金属アルコキシドの使用量は、より好ましくは1〜40質量部であり、さらに好ましくは2〜30質量部である。   Moreover, it is preferable that a metal alkoxide is 0.2-50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of an organosilicon compound and the organosilicon compound which has a (meth) acryl group. By setting the amount of metal alkoxide used within the above range, the etching resistance due to the chlorine-based gas is particularly improved. Therefore, the usage-amount of a metal alkoxide becomes like this. More preferably, it is 1-40 mass parts, More preferably, it is 2-30 mass parts.

(加水分解物混合物(A)の製造方法:加水分解に使用する水、およびその量)
本発明において、加水分解混合物(A)を得るために使用する水の量は、特に制限されないが、全アルコキシド基のモル数に対して、0.1倍モル以上2.0倍モル以下の量であることが塗膜の濡れ性やより良好なナノインプリントナノインプリントパターン転写性の点から好ましい。
(Production method of hydrolyzate mixture (A): water used for hydrolysis and its amount)
In the present invention, the amount of water used to obtain the hydrolysis mixture (A) is not particularly limited, but is an amount of 0.1 to 2.0 times the mole of the total number of alkoxide groups. From the viewpoint of wettability of the coating film and better nanoimprint nanoimprint pattern transferability.

なお、全アルコキシ基のモル数とは、(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の使用モル数と該(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物1分子中に存在するアルコキシ基の数との積と、金属アルコキシドの使用モル数と該金属アルコキシド1分子中に存在するアルコキシ基の数との積、さらに有機珪素化合物を使用する場合には、有機珪素化合物の使用モル数と該有機珪素化合物1分子中に存在するアルコキシ基の数との積を加えたものである。   The number of moles of all alkoxy groups is the product of the number of moles of the organosilicon compound having a (meth) acryl group and the number of alkoxy groups present in one molecule of the organosilicon compound having the (meth) acryl group. And the number of moles of metal alkoxide used and the number of alkoxy groups present in one molecule of the metal alkoxide, and when an organosilicon compound is used, the mole number of organosilicon compound used and the organosilicon compound 1 It is the product of the number of alkoxy groups present in the molecule.

水の量が、0.1倍モル未満の場合には、縮合が不十分となり、塗膜を形成する際に濡れ性が悪くハジキが発生し易くなるため好ましくない。一方、2.0倍モル以上となる場合には、比較的低い圧力でのナノインプリントナノインプリントパターン転写性が低下し、モールドの破損等の要因となることがある。縮合の程度や比較的低圧力でのパターン形成を考慮すると、水の量は、上記混合物の全アルコキシド基のモル数に対して、好ましくは0.2倍モル以上1.5倍モル以下、さらに0.5倍モル以上1.2倍モル以下であることが好ましい。   When the amount of water is less than 0.1 times mol, the condensation becomes insufficient, and the wettability is poor when forming a coating film, and repelling is likely to occur. On the other hand, when the amount is 2.0 times or more, the nanoimprint nanoimprint pattern transferability at a relatively low pressure is lowered, which may cause damage to the mold. In consideration of the degree of condensation and pattern formation at a relatively low pressure, the amount of water is preferably 0.2 to 1.5 times the mole of the total number of alkoxide groups in the mixture, It is preferable that they are 0.5 times mole or more and 1.2 times mole or less.

本発明において、前記水には、酸が含まれてもよい。使用する酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の無機酸、有機リン酸、蟻酸、酢酸、無水酢酸、クロロ酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、クエン酸、グルコン酸、コハク酸、酒石酸、乳酸、フマル酸、リンゴ酸、イタコン酸、シュウ酸、ムチン酸、尿酸、バルビツル酸、p−トルエンスルホン酸等の有機酸、酸性陽イオン交換樹脂が挙げられる。酸を使用する場合には、特に制限されるものではないが、その使用量は、全アルコキシ基のモル数に対して、水素イオンが0.0001倍モル以上0.01倍モル以下となる量とすることが好ましい。また、この酸はそのまま使用することもできるが、酸水溶液、又は水に分散させた状態のものを使用することが好ましい。この場合、0.1〜6Nの濃度のものを使用することが好ましい。この場合、使用した水は、上記水の使用量に含まれるものとする。   In the present invention, the water may contain an acid. Acids used include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, organic phosphoric acid, formic acid, acetic acid, acetic anhydride, chloroacetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, citric acid, gluconic acid, Examples thereof include organic acids such as succinic acid, tartaric acid, lactic acid, fumaric acid, malic acid, itaconic acid, oxalic acid, mucinic acid, uric acid, barbituric acid, and p-toluenesulfonic acid, and acidic cation exchange resins. When an acid is used, it is not particularly limited, but the amount used is an amount such that the amount of hydrogen ions is 0.0001 times to 0.01 times mol relative to the number of moles of all alkoxy groups. It is preferable that The acid can be used as it is, but it is preferable to use an acid aqueous solution or a solution dispersed in water. In this case, it is preferable to use one having a concentration of 0.1 to 6N. In this case, the used water is included in the amount of water used.

本発明において、加水分解物混合物(A)は、加水分解させる成分(アリール基を有する有機珪素化合物、及び(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物(金属アルコキシドを用いる場合には金属アルコキシドも含む))を、前記量の水と混合する。水と混合する方法は、特に制限されるものではないが、均一な光硬化性ナノインプリント用組成物を製造するためには、加水分解させる成分を最初に混合して加水分解成分混合物とした後、該加水分解成分混合物に水を加えて加水分解を実施することが好ましい。   In the present invention, the hydrolyzate mixture (A) is a component to be hydrolyzed (an organosilicon compound having an aryl group and an organosilicon compound having a (meth) acryl group (including a metal alkoxide when a metal alkoxide is used)). ) With the above amount of water. The method of mixing with water is not particularly limited, but in order to produce a uniform photocurable nanoimprint composition, the components to be hydrolyzed are first mixed to form a hydrolyzed component mixture, It is preferable to carry out hydrolysis by adding water to the hydrolysis component mixture.

加水分解させる成分と水との混合は、5℃以上60℃以下の温度にて実施すればよい。この際、加水分解を容易に進行させるため、希釈溶媒を使用することもできる。希釈溶媒としては、炭素数1〜4のアルコールが好ましく、特に、エタノールを使用することが好ましい。希釈溶媒の使用量は、前記加水分解成分混合物100質量部に対して、50〜400質量部であることが好ましい。   What is necessary is just to implement mixing with the component to hydrolyze and water at the temperature of 5 to 60 degreeC. At this time, a diluting solvent may be used to facilitate the hydrolysis. As a dilution solvent, a C1-C4 alcohol is preferable and it is preferable to use ethanol especially. It is preferable that the usage-amount of a dilution solvent is 50-400 mass parts with respect to 100 mass parts of the said hydrolysis component mixture.

(加水分解混合物(A)の製造方法:加水分解条件)
本発明において、加水分解における反応温度は、特に制限されないが、通常は、5〜60℃の範囲から選択される。反応時間は、前記反応温度との兼ね合いで適宜選択すれば良く、通常は、10分〜12時間の範囲から選択される。
(Production method of hydrolysis mixture (A): hydrolysis conditions)
In the present invention, the reaction temperature in the hydrolysis is not particularly limited, but is usually selected from the range of 5 to 60 ° C. The reaction time may be appropriately selected in consideration of the reaction temperature, and is usually selected from the range of 10 minutes to 12 hours.

(加水分解物混合物(A)の使用方法、物性)
上記の方法に従い、加水分解物混合物(A)を準備することができる。本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、前記加水分解物混合物(A)の他に、加水分解時に副生するアルコール及び加水分解に使用した水を含むこともできる。さらには、加水分解を容易に進めるために使用した希釈溶媒を含むこともできる。
(Method of using hydrolyzate mixture (A), physical properties)
A hydrolyzate mixture (A) can be prepared according to the above method. In addition to the hydrolyzate mixture (A), the photocurable nanoimprinting composition of the present invention can also contain alcohol produced as a by-product during hydrolysis and water used for hydrolysis. Furthermore, the diluent solvent used in order to advance a hydrolysis easily can also be included.

得られる加水分解物混合物(A)は、他の成分との混合のし易さ、光硬化性ナノインプリント用組成物の生産性等を考慮すると、25℃における粘度が0.1〜100mPa・secであることが好ましい。なお、この粘度の値は、音叉式粘度計:AND VIBRO VISCOMETER SV-1Aにより測定した値であり、副生したアルコール、使用した水、および希釈のために使用した希釈溶媒を含む状態で用いる場合には、これらを含んだものを測定した際の値である。   The hydrolyzate mixture (A) obtained has a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 100 mPa · sec, considering the ease of mixing with other components and the productivity of the photocurable nanoimprint composition. Preferably there is. This viscosity value is a value measured with a tuning fork viscometer: AND VIBRO VISCOMETER SV-1A. When used in a condition containing by-produced alcohol, water used, and dilution solvent used for dilution. Is a value obtained by measuring those including these.

また、加水分解物混合物(A)は、製造後、直に、他の成分と混合して光硬化性ナノインプリント用組成物とすることが好ましい。ただし、そうすることができない場合には、製造後、経時変化させないため、−30℃〜15℃以下の温度で保存しておくことが好ましい。この場合も、加水分解物混合物(A)の粘度は、前記範囲を満足していることが好ましい。   Moreover, it is preferable to mix a hydrolyzate mixture (A) with another component immediately after manufacture to make a composition for photocurable nanoimprint. However, if this is not possible, it is preferably stored at a temperature of −30 ° C. to 15 ° C. or lower in order not to change with time after production. Also in this case, it is preferable that the viscosity of the hydrolyzate mixture (A) satisfies the above range.

次に、上記方法で得られた加水分解物混合物(A)と併用して使用する(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)について説明する。   Next, the polymerizable monomer (B) having a (meth) acryl group used in combination with the hydrolyzate mixture (A) obtained by the above method will be described.

((メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B))
本発明において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)(以下、単に「重合性単量体(B)」ともいう)は、特に制限されるものではなく、光重合に使用される公知の重合性単量体を使用することができる。この重合性単量体(B)は、前記式(2)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物を含まない。好ましい化合物としては、(メタ)アクリル基を有し、分子中に珪素原子を含まない重合性単量体が挙げられる。これら重合性単量体(B)は、1分子中に1つの(メタ)アクリル基を有する単官能重合性単量体であってもよいし、1分子中に2つ以上の(メタ)アクリル基を有する多官能重合性単量体であってもよい。さらには、これら単官能重合性単量体および多官能重合性単量体を組み合わせて使用することもできる。
(Polymerizable monomer having (meth) acrylic group (B))
In the present invention, the polymerizable monomer (B) having a (meth) acryl group (hereinafter, also simply referred to as “polymerizable monomer (B)”) is not particularly limited, and is used for photopolymerization. Any known polymerizable monomer can be used. This polymerizable monomer (B) does not contain an organosilicon compound having a (meth) acryl group represented by the formula (2). A preferable compound includes a polymerizable monomer having a (meth) acryl group and containing no silicon atom in the molecule. These polymerizable monomers (B) may be monofunctional polymerizable monomers having one (meth) acrylic group in one molecule, or two or more (meth) acrylic in one molecule. It may be a polyfunctional polymerizable monomer having a group. Furthermore, these monofunctional polymerizable monomers and polyfunctional polymerizable monomers can also be used in combination.

重合性単量体(B)の例を具体的に例示すれば、1分子中に1つの(メタ)アクリル基を有する単官能重合性単量体としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、イソミリスチル(メタ)アクリレート、n−ラウリル(メタ)アクリレート、n−ステアリル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート、長鎖アルキル(メタ)アクリレート、n−ブトキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル−ジグリコール(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミド、2−(2−ビニロキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、メトキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、エトキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、プロポキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、メトキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、エトキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、プロポキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、アダマンタン(メタ)アクリレート誘導体、アクリロイルモルホリン等の脂肪族アクリレート;ベンジル(メタ)アクリレート、フェノキシメチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、フェノキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、ヒドロキシフェノキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロフェノキシキシエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、ヒドロキシフェノキシプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、フェノキシポリアルキレングリコールアクリレート、アルキルフェノールエチレングリコール変性(メタ)アクリレート、アルキルフェノールプロピレングリコール変性(メタ)アクリレート、エトキシ化o−フェニルフェノール(メタ)アクリレート、下記式(4)   If the example of a polymerizable monomer (B) is specifically illustrated, as a monofunctional polymerizable monomer which has one (meth) acryl group in 1 molecule, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (Meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) ) Acrylate, isomyristyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, n-stearyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, long chain alkyl (meth) acrylate, n-butoxyethyl (meth) acrylate, Butoxydiethylene glycol (meth) Chrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl-diglycol (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) Acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylamide, 2- (2- Vinyloxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, methoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, ethoxyethylene glycol modified (meth) acrylate Relate, propoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, methoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, ethoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, propoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, adamantane (meth) acrylate derivative Aliphatic acrylates such as acryloylmorpholine; benzyl (meth) acrylate, phenoxymethyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, phenoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, hydroxyphenoxyethyl (Meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate Hydrophenoxyethylene glycol modified (meth) acrylate, hydroxyphenoxypropylene glycol modified (meth) acrylate, phenoxy polyalkylene glycol acrylate, alkylphenol ethylene glycol modified (meth) acrylate, alkylphenol propylene glycol modified (meth) acrylate, ethoxylated o-phenyl Phenol (meth) acrylate, following formula (4)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
10は、水素原子、またはメチル基であり、
11は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基であり、
qは1〜10の整数である。)
で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体等の芳香環を有する(メタ)アクリレート等が挙げられる。
(Where
R 10 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 11 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
q is an integer of 1-10. )
And (meth) acrylates having an aromatic ring such as a monomer having an o-phenylphenol group in the molecule.

1分子中に2つの(メタ)アクリル基を有する多官能重合性単量体(2官能重合性単量体)としては、例えば、分子内にアルキレンオキサイド結合を有する単量体が好ましく、具体的には、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、下記式(5)   As a polyfunctional polymerizable monomer having two (meth) acryl groups in one molecule (bifunctional polymerizable monomer), for example, a monomer having an alkylene oxide bond in the molecule is preferable. Include ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, the following formula (5)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
12、R13、R14およびR15は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基であり、
a、およびbは、それぞれ、0以上の整数、ただし、a+bの平均値は2〜25である)
で示されるポリオレフィングリコールジ(メタ)アクリレートが挙げられる。
(Where
R 12 , R 13 , R 14 and R 15 are each independently a hydrogen atom or a methyl group;
a and b are each an integer of 0 or more, provided that the average value of a + b is 2 to 25)
And polyolefin glycol di (meth) acrylate represented by

なお、上記式(5)で示されるポリオレフィングリコールジ(メタ)アクリレートは、通常、分子量の異なる分子の混合物で得られる。そのため、a+bの値は平均値となる。本発明の効果がより発揮されるためには、a+bの平均値は2〜15であることが好ましく、特に、2〜10であることが好ましい。   The polyolefin glycol di (meth) acrylate represented by the above formula (5) is usually obtained from a mixture of molecules having different molecular weights. Therefore, the value of a + b is an average value. In order for the effect of the present invention to be more exerted, the average value of a + b is preferably 2 to 15, and particularly preferably 2 to 10.

また、その他の2官能重合性単量体としては、2−ヒドロキシ−3−アクリロイロキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジメタクリロキシプロパン、ジオキサングリコールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、2−メチル−1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、ブチルエチルプロパンジオールジ(メタ)アクリレート、3−メチル−1,5−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート等の脂肪族ジ(メタ)アクリレート;エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、工トキシ化ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、下記式(7)   Other bifunctional polymerizable monomers include 2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-1,3-dimethacryloxypropane, dioxane glycol di (meth) acrylate, tricyclode Candimethanol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate 1,10-decanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 2-methyl-1,8-octanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, Butylethylpropanediol di (meth) acrylate, 3 -Aliphatic di (meth) acrylates such as methyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate; ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, propoxylated ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, engineered bisphenol F di (meth) acrylate, following formula (7)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
16、R17は、それぞれ独立に水素原子、またはメチル基であり、
18、R19は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、炭素数2〜10の(ポリ)エチレングリコール基、または炭素数3〜12の(ポリ)プロピレングリコール基であり、それぞれ、同種又は異種の基であってもよい。)
で示されるフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレート等の芳香環を有するジ(メタ)アクリレートが挙げられる。
(Where
R 16 and R 17 are each independently a hydrogen atom or a methyl group,
R 18 and R 19 are an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a (poly) ethylene glycol group having 2 to 10 carbon atoms, or (poly) propylene having 3 to 12 carbon atoms. It is a glycol group, and each may be the same or different group. )
And di (meth) acrylate having an aromatic ring such as di (meth) acrylate having a fluorene structure represented by

さらに、該多官能重合性単量体において、1分子中に3つ以上の(メタ)アクリレート基を有する重合性単量体としては、エトキシ化グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリアクリレートが挙げられる。   Furthermore, in this polyfunctional polymerizable monomer, as the polymerizable monomer having three or more (meth) acrylate groups in one molecule, ethoxylated glycerin tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meta) ) Acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, Examples include ethoxylated pentaerythritol tetra (meth) acrylate and dipentaerythritol polyacrylate.

上記重合性単量体(B)の中でも、塩素系ガスのエッチング耐性を向上させることができるという点から、分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体、分子内にフルオレン構造を有する単量体が好ましく、具体的にはエトキシ化o−フェニルフェノール(メタ)アクリレート、前記式(4)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体、前記式(7)で示されるフルオレン構造を有するジ(メタ)アクリレートが好ましい。   Among the polymerizable monomers (B), a monomer having a ο-phenylphenol group in the molecule and a monomer having a fluorene structure in the molecule from the point that the etching resistance of chlorine gas can be improved. A mer is preferable, specifically, an ethoxylated o-phenylphenol (meth) acrylate, a monomer having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (4), and the formula (7). Di (meth) acrylate having a fluorene structure is preferred.

本発明において、これら重合性単量体(B)は、使用する用途、形成するパターンの形状に応じて、単独で使用することも、複数種類のものを組み合わせて使用することもできる。   In the present invention, these polymerizable monomers (B) can be used alone or in combination of a plurality of types depending on the intended use and the shape of the pattern to be formed.

式(4)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体について説明する。   A monomer having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (4) will be described.

下記式(4)   Following formula (4)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
10は、水素原子、またはメチル基であり、
11は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基である。)
において、R10は水素原子あるいはメチル基である。
(Where
R 10 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 11 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms. )
In the formula, R 10 is a hydrogen atom or a methyl group.

11は、炭素数1〜10のアルキレン基または炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基である。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基、2−メチルヘプチレン基、3−メチルヘプチレン基、4−メチルヘプチレン基、2,2,4−トリメチルペンチレン基、2,2,3−トリメチルペンチレン基、2,3,4−トリメチルペンチレン基、2,3,3−トリメチルペンチレン基、3,3−ジメチルへキシレン基、3,4−ジメチルへキシレン基、2,3−ジメチルへキシレン基、2,4−ジメチルへキシレン基、2,2−ジメチルへキシレン基、2,5−ジメチルへキシレン基、2,2,3,3−テトラメチルブチレン基、3−エチル−2−メチルペンチレン基、3−エチルへキシレン基、3−エチル−3−メチルペンチレン基、ノニレン基、2,3,4−トリメチルへキシレン基、3,4−ジメチルへキシレン、3,5−ジメチルへキシレン基、3,3−ジメチルへキシレン基、3,3−ジエチルペンチレン基、4,4−ジメチルへキシレン基、3−エチル−2,4−ジメチルペンチレン基、2,3,5−トリメチルへキシレン基、2,2,4,4−テトラメチルペンチレン基、2,2−ジメチルヘプチレン基、2,6−ジメチルヘプチレン基、2,5−ジメチルヘプチレン基、2,4−ジメチルヘプチレン基、4−エチルヘプチレン基、3−メチルオクチレン基、4−メチルオクチレン基、2,3,ジメチルヘプチレン基、4−エチル2−メチルへキシレン基、3−エチル−4−メチルへキシレン基、2−メチルオクチレン基、2,2,5−トリメチルへキシレン基、3,3−ジメチルヘプチレン基、2,2,3,3−テトラメチルペンチレン基、3−エチルヘプチレン基、2,2,3−トリメチルヘキシレン基、2,2,4−トリメチルヘキシレン基、2,3,3−トリメチルヘキシレン基、2,4,4−トリメチルヘキシレン基、3,3,4−トリメチルヘキシレン基、3−エチル−2,2−ジメチルペンチレン基、2,3,3,4−テトラメチルペンチレン基、3−エチル−2−メチル−ヘキシレン基、デキレン基、2−メチルノニレン基、2,2,5,5−テトラメチルヘキシレン基、2,7−ジメチルオクチレン基、2,2,6−トリメチルヘプチレン基、2,6−ジメチルオクチレン基、2,4,6−トリメチルヘプチレン基、4−プロピル−ヘプチレン基、2,4,4−トリメチルヘプチレン基、2,3,6−トリメチルヘプチレン基、2,4−ジメチルオクチレン基、3,3−ジメチルオクチレン基、3,3,4,4−テトラメチルヘキシレン基、3−エチルオクチレン基、3−メチルノニレン基、2,3−ジメチルオクチレン基、3,3,5−トリメチルヘプチレン基、3−エチル−2,4−ジメチルヘキシレン基、2,2,3,3−テトラメチルヘキシレン基、3−エチル−2−メチルヘプチレン基、2,2,4−トリメチルヘプチレン基、5−メチルノニレン基、4−エチルオクチレン基、2,2−ジメチルオクチレン基、3,5−ジメチルオクチレン基、3,6−ジメチルオクチレン基、4,4−ジメチルオクチレン基、2,2,4,5−テトラメチルヘキシレン基、4−メチルノニレン基、3−エチル−3−メチル−ヘプチレン基、3,3−ジメチルヘキシレン基、4−エチル−4−メチルペンチレン基、3,4−ジエチルヘキシレン基、2,4,5−トリメチルヘプチレン基、3,4,4−トリメチルヘプチレン基、3−エチル−2,2−ジメチルヘキシレン基、2,2,5−トリメチルヘプチレン基、2,2,4,4−テトラメチルヘキシレン基、4−(1−メチルエチル)−ヘプチレン基、4−エチル−2−メチルヘプチレン基、4−エチル−3−メチルヘプチレン基、3−エチル−4−メチルヘプチレン基、2,2,3−トリメチルヘプチレン基、2,3,3−トリメチルヘプチレン基、2,3,4−トリメチルヘプチレン基、3−エチル−2,3−ジメチルヘキシレン基、4−エチル−2,4−ジメチルヘキシレン基、3−エチル−2,5−ジメチルヘキシレン基、4−エチル−3,3−ジメチルヘキシレン基、3−エチル−3,4−ジメチルヘキシレン基、2,2,3,4−テトラメチルへキシレン基、2,2,3,5−テトラメチルへキシレン基、2,3,3,4−テトラメチルへキシレン基、2,3,3,5−テトラメチルへキシレン基、2,3,4,4−テトラメチルへキシレン基、2,3,4,5−テトラメチルへキシレン基、3,3−ジメチル−2−メチルペンチレン基、ジメチルオクチレン基等のアルキレン基;トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基等のポリメチレン基;1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基、2−ヒドロキシイソブチレン基、3−ヒドロキシイソブチレン基、1−ヒドロキシsec−ブチレン基、2−ヒドロキシsec−ブチレン基、3−ヒドロキシsec−ブチレン基、4−ヒドロキシsec−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシペンチレン基、2−ヒドロキシペンチレン基、3−ヒドロキシペンチレン基、4−ヒドロキシペンチレン基、5−ヒドロキシペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、1−ヒドロキシ−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、1−
ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシヘプチレン基、2−ヒドロキシヘプチレン基、3−ヒドロキシヘプチレン基、4−ヒドロキシヘプチレン基、5−ヒドロキシヘプチレン基、6−ヒドロキシヘプチレン基、7−ヒドロキシヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシオクチレン基、2−ヒドロキシオクチレン基、3−ヒドロキシオクチレン基、4−ヒドロキシオクチレン基、5−ヒドロキシオクチレン基、6−ヒドロキシオクチレン基、7−ヒドロキシオクチレン基、8−ヒドロキシオクチレン基、1−ヒドロキシ−2−オクチレン基、2−ヒドロキシ−2−オクチレン基、3−ヒドロキシ−2−オクチレン基、4−ヒドロキシ−2−オクチレン基、5−ヒドロキシ−2−オクチレン基、6−ヒドロキシ−2−オクチレン基、7−ヒドロキシ−2−オクチレン基、8−ヒドロキシ−2−オクチレン基、1−ヒドロキシ−3−オクチレン基、2−ヒドロキシ−3−オクチレン基、3−ヒドロキシ−3−オクチレン基、4−ヒドロキシ−3−オクチレン基、5−ヒドロキシ−3−オクチレン基、6−ヒドロキシ−3−オクチレン基、7−ヒドロキシ−3−オクチレン基、8−ヒドロキシ−3−オクチレン基、1−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基等のヒドロキシアルキレン基が挙げられる。
R 11 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms. Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-methylbutylene group, 2- Methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3,3-dimethylbutylene Group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group, 2- Methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methylpentylene Group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, 2-propylpentylene group, 2,4,4-trimethylpentylene group, 2-methylheptylene group, 3-methylheptylene group, 4-methylheptylene group, 2,2,4-trimethyl Nylene group, 2,2,3-trimethylpentylene group, 2,3,4-trimethylpentylene group, 2,3,3-trimethylpentylene group, 3,3-dimethylhexylene group, 3,4-dimethyl Hexylene group, 2,3-dimethylhexylene group, 2,4-dimethylhexylene group, 2,2-dimethylhexylene group, 2,5-dimethylhexylene group, 2,2,3,3-tetramethyl Butylene group, 3-ethyl-2-methylpentylene group, 3-ethylhexylene group, 3-ethyl-3-methylpentylene group, nonylene group, 2,3,4-trimethylhexylene group, 3,4- Dimethylhexylene, 3,5-dimethylhexylene group, 3,3-dimethylhexylene group, 3,3-diethylpentylene group, 4,4-dimethylhexylene group, 3-ethyl-2,4-dimethylpentyl 2,3,5-trimethylhexylene group, 2,2,4,4-tetramethylpentylene group, 2,2-dimethylheptylene group, 2,6-dimethylheptylene group, 2, 5-dimethylheptylene group, 2,4-dimethylheptylene group, 4-ethylheptylene group, 3-methyloctylene group, 4-methyloctylene group, 2,3 dimethylheptylene group, 4-ethyl 2-methylhexylene group, 3-ethyl-4-methylhexylene group, 2-methyloctylene group, 2,2,5-trimethylhexylene group, 3,3-dimethylheptylene group, 2,2, 3,3-tetramethylpentylene group, 3-ethylheptylene group, 2,2,3-trimethylhexylene group, 2,2,4-trimethylhexylene group, 2,3,3-trimethylhexylene group, 2, 4,4-trimethylhe Silene group, 3,3,4-trimethylhexylene group, 3-ethyl-2,2-dimethylpentylene group, 2,3,3,4-tetramethylpentylene group, 3-ethyl-2-methyl-hexylene Group, dexylene group, 2-methylnonylene group, 2,2,5,5-tetramethylhexylene group, 2,7-dimethyloctylene group, 2,2,6-trimethylheptylene group, 2,6-dimethyl group Octylene group, 2,4,6-trimethylheptylene group, 4-propyl-heptylene group, 2,4,4-trimethylheptylene group, 2,3,6-trimethylheptylene group, 2,4 -Dimethyloctylene group, 3,3-dimethyloctylene group, 3,3,4,4-tetramethylhexylene group, 3-ethyloctylene group, 3-methylnonylene group, 2,3-dimethyloctylene group, 3, 3, 5 Trimethylheptylene, 3-ethyl-2,4-dimethylhexylene, 2,2,3,3-tetramethylhexylene, 3-ethyl-2-methylheptylene, 2,2,4-trimethyl Putylene group, 5-methylnonylene group, 4-ethyloctylene group, 2,2-dimethyloctylene group, 3,5-dimethyloctylene group, 3,6-dimethyloctylene group, 4,4-dimethyloctylene Group, 2,2,4,5-tetramethylhexylene group, 4-methylnonylene group, 3-ethyl-3-methyl-heptylene group, 3,3-dimethylhexylene group, 4-ethyl-4-methylpentylene Group, 3,4-diethylhexylene group, 2,4,5-trimethylheptylene group, 3,4,4-trimethylheptylene group, 3-ethyl-2,2-dimethylhexylene group, 2, 2, 5-trimethylheptylene group, 2,2,4,4-tetramethylhexylene group, 4- (1-methylethyl) -heptylene group, 4-ethyl-2-methylheptylene group, 4-ethyl-3-methylheptylene group Group, 3-ethyl-4-methylheptylene group, 2,2,3-trimethylheptylene group, 2,3,3-trimethylheptylene group, 2,3,4-trimethylheptylene group, 3-ethyl -2,3-dimethylhexylene group, 4-ethyl-2,4-dimethylhexylene group, 3-ethyl-2,5-dimethylhexylene group, 4-ethyl-3,3-dimethylhexylene group, 3 -Ethyl-3,4-dimethylhexylene group, 2,2,3,4-tetramethylhexylene group, 2,2,3,5-tetramethylhexylene group, 2,3,4,4-tetramethyl Hexylene, 2, , 3,5-tetramethylhexylene group, 2,3,4,4-tetramethylhexylene group, 2,3,4,5-tetramethylhexylene group, 3,3-dimethyl-2-methylpentylene Group, alkylene group such as dimethyloctylene group; polymethylene group such as trimethylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, heptamethylene group, octamethylene group, nonamethylene group, decamethylene group; 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group, 2-hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group , 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group 4-hydroxybutylene group, 1-hydroxyisobutylene group, 2-hydroxyisobutylene group, 3-hydroxyisobutylene group, 1-hydroxysec-butylene group, 2-hydroxysec-butylene group, 3-hydroxysec-butylene group, 4- Hydroxy sec-butylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 3-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 1-hydroxy-2-methylbutylene group, 2-hydroxy-2-methylbutylene group, 3-hydroxy-2-methylbutylene group, 4-hydroxy-2-methylbutylene group, 1-hydroxy-2-methyl-2-butylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-2-methyl 2-butylene group, 1-hydroxy-3-methylbutylene group, 2-hydroxy Droxy-3-methylbutylene group, 3-hydroxy-3-methylbutylene group, 4-hydroxy-3-methylbutylene group, 1-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2 -Butylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 1-hydroxypentylene group, 2-hydroxypentylene group, 3-hydroxypentylene group 4-hydroxypentylene group, 5-hydroxypentylene group, 1-hydroxy-2-pentylene group, 2-hydroxy-2-pentylene group, 3-hydroxy-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-pentylene group 5-hydroxy-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-pentylene group, 2-hydroxy-3-pentylene group, 3- Droxy-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-pentylene group, 1-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group 3-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 2-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group 4-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 1-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3,3 -Dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-2-ethylbutylene group, 2-hydroxy-2-ethylbutylene group, 3-hydroxy-2-ethyl Tylene group, 4-hydroxy-2-ethylbutylene group, 1-hydroxy-hexylene group, 2-hydroxy-hexylene group, 3-hydroxy-hexylene group, 4-hydroxy-hexylene group, 5-hydroxy-hexylene group, 6- Hydroxy-hexylene group, 1-hydroxy-2-hexylene group, 2-hydroxy-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-hexylene group, 5-hydroxy-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-hexylene group, 1-hydroxy-3-hexylene group, 2-hydroxy-3-hexylene group, 3-hydroxy-3-hexylene group, 4-hydroxy-3-hexylene group, 5-hydroxy-3 -Hexylene group, 6-hydroxy-3-hexylene group, 1-hydroxy-2-methylpen Tylene group, 2-hydroxy-2-methylpentylene group, 3-hydroxy-2-methylpentylene group, 4-hydroxy-2-methylpentylene group, 5-hydroxy-2-methylpentylene group, 1-hydroxy 2-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 5 -Hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group 4-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-3-methylpentylene 2-hydroxy-3-methylpentylene group, 3-hydroxy-3-methylpentylene group, 4-hydroxy-3-methylpentylene group, 5-hydroxy-3-methylpentylene group, 1-hydroxy-3 -Methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy -3-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 4 -Hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-4-methylpentylene group, 2 Hydroxy-4-methylpentylene group, 3-hydroxy-4-methylpentylene group, 4-hydroxy-4-methylpentylene group, 5-hydroxy-4-methylpentylene group, 1-hydroxy-4-methyl- 2-pentylene group, 2-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4- Methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group Group, 5-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2, 3-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 1-
Hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,4 -Dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-4,4-dimethyl-2- Pentylene group, 3-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy- 3-ethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 1-hydroxyhept Len group, 2-hydroxyheptylene group, 3-hydroxyheptylene group, 4-hydroxyheptylene group, 5-hydroxyheptylene group, 6-hydroxyheptylene group, 7-hydroxyheptylene group 1-hydroxy-2-heptylene group, 2-hydroxy-2-heptylene group, 3-hydroxy-2-heptylene group, 4-hydroxy-2-heptylene group, 5-hydroxy-2-heptylene group, 6-hydroxy- 2-heptylene group, 7-hydroxy-2-heptylene group, 1-hydroxy-3-heptylene group, 2-hydroxy-3-heptylene group, 3-hydroxy-3-heptylene group, 4-hydroxy-3-heptylene group, 5-hydroxy-3-heptylene, 6-hydroxy-3-heptylene, 7-hydroxy-3-heptylene, 1-hydroxy 2-methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 6 -Hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 2-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group 4-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 1-hydroxy-5-methylhexylene group 2-hydroxy-5-methylhexylene group, 3-hydroxy-5-methylhexylene group, 4-hydroxy-5-methylhexylene group, 5-hydroxy -5-methylhexylene group, 6-hydroxy-5-methylhexylene group, 1-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 2-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy-5 -Methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy 2-ethylhexylene group, 2-hydroxy-2-ethylhexylene group, 3-hydroxy-2-ethylhexylene group, 4-hydroxy-2-ethylhexylene group, 5-hydroxy-2-ethylhexylene group Group, 6-hydroxy-2-ethylhexylene group, 1-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 2-hydroxy-6-methyl-2-heptyl group Group, 3-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 4-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 5-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 6-hydroxy-6-methyl- 2-heptylene group, 7-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 1-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 2-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 3-hydroxy-4- Methyl-3-heptylene group, 4-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 5-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 6-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 1-hydroxyoctyl Len, 2-hydroxyoctylene, 3-hydroxyoctylene, 4-hydroxyoctylene, 5-hydroxyoctylene, 6-hydroxy Octylene group, 7-hydroxyoctylene group, 8-hydroxyoctylene group, 1-hydroxy-2-octylene group, 2-hydroxy-2-octylene group, 3-hydroxy-2-octylene group, 4-hydroxy-2- Octylene group, 5-hydroxy-2-octylene group, 6-hydroxy-2-octylene group, 7-hydroxy-2-octylene group, 8-hydroxy-2-octylene group, 1-hydroxy-3-octylene group, 2- Hydroxy-3-octylene group, 3-hydroxy-3-octylene group, 4-hydroxy-3-octylene group, 5-hydroxy-3-octylene group, 6-hydroxy-3-octylene group, 7-hydroxy-3-octylene Group, 8-hydroxy-3-octylene group, 1-hydroxy-2-propylpentylene group, 2-hydro Xyl-2-propylpentylene group, 3-hydroxy-2-propylpentylene group, 4-hydroxy-2-propylpentylene group, 5-hydroxy-2-propylpentylene group, 1-hydroxy-2,4, 4-trimethylpentylene group, 2-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 3-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 5-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene And hydroxyalkylene groups such as groups.

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基または炭素数3〜4のポリメチレン基;またはヒドロキシメチレン基、1−ヒドロキシメチレン基、2−ヒドロキシメチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキレン基であることが好ましい。   Among these, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, a butylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, etc., a C1-C4 alkylene group or a C3-C4 polymethylene group; or a hydroxymethylene group 1-hydroxymethylene group, 2-hydroxymethylene group, 1-hydroxypropylene group, 2-hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene It is preferably a hydroxyalkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as a group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, 4-hydroxybutylene group.

式(4)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体の中でも、好適な化合物としては、3−O−フェニルフェノールエチルアクリレート、3−O−フェニルフェノールプロピルアクリレート、3−O−フェニルフェノールブチルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−O−フェニルフェノールプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−O−フェニルフェノールブチルアクリレート、3−ヒドロキシ−3−O−フェニルフェノールプロピルアクリレート等が挙げられる。   Among the monomers having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (4), preferred compounds include 3-O-phenylphenol ethyl acrylate, 3-O-phenylphenol propyl acrylate, 3-O -Phenylphenol butyl acrylate, 2-hydroxy-3-O-phenylphenol propyl acrylate, 2-hydroxy-3-O-phenylphenol butyl acrylate, 3-hydroxy-3-O-phenylphenol propyl acrylate and the like.

式(7)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体について説明する。   A monomer having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (7) will be described.

下記式(7)   Following formula (7)

Figure 0005968041
Figure 0005968041

(式中、
16、R17は、水素原子、またはメチル基であり、
18、R19は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、炭素数1〜10の(ポリ)エチレングリコール、炭素数1〜12の(ポリ)プロピレングリコールである。)
において、R16、R17は水素原子、またはメチル基である。
(Where
R 16 and R 17 are a hydrogen atom or a methyl group,
R 18 and R 19 are an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, (poly) ethylene glycol having 1 to 10 carbon atoms, and (poly) propylene glycol having 1 to 12 carbon atoms. is there. )
In the formula, R 16 and R 17 are a hydrogen atom or a methyl group.

18、R19は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキレン基、炭素数1〜10の(ポリ)エチレングリコール、または炭素数1〜12の(ポリ)プロピレングリコールである。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、2,2−ジメチルプロピレン基、2−メチルブチレン基、2−メチル−2−ブチレン基、3−メチルブチレン基、3−メチル−2−ブチレン基、ペンチレン基、2−ペンチレン基、3−ペンチレン基、3−ジメチル−2−ブチレン基、3,3−ジメチルブチレン基、3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−エチルブチレン基、ヘキシレン基、2−ヘキシレン基、3−ヘキシレン基、2−メチルペンチレン基、2−メチル−2−ペンチレン基、2−メチル−3−ペンチレン基、3−メチルペンチレン基、3−メチル−2−ペンチレン基、3−メチル−3−ペンチレン基、4−メチルペンチレン基、4−メチル−2−ペンチレン基、2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−エチル−3−ペンチレン基、ヘプチレン基、2−ヘプチレン基、3−ヘプチレン基、2−メチル−2−ヘキシレン基、2−メチル−3−ヘキシレン基、5−メチルヘキシレン基、5−メチル−2−ヘキシレン基、2−エチルヘキシレン基、6−メチル−2−ヘプチレン基、4−メチル−3−ヘプチレン基、オクチレン基、2−オクチレン基、3−オクチレン基、2−プロピルペンチレン基、2,4,4−トリメチルペンチレン基等のアルキレン基;トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基等のポリメチレン基、1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基、2−ヒドロキシイソブチレン基、3−ヒドロキシイソブチレン基、1−ヒドロキシsec−ブチレン基、2−ヒドロキシsec−ブチレン基、3−ヒドロキシsec−ブチレン基、4−ヒドロキシsec−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ2−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシペンチレン基、2−ヒドロキシペンチレン基、3−ヒドロキシペンチレン基、4−ヒドロキシペンチレン基、5−ヒドロキシペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、3−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチルブチレン基、1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、4−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルブチレン基、1−ヒドロキシ−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチルペンチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4−ジメチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、3−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−2−ペンチレン基、1−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、2−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、4−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、5−ヒドロキシ−3−エチル−3−ペンチレン基、1−ヒドロキシヘプチレン基、2−ヒドロキシヘプチレン基、3−ヒドロキシヘプチレン基、4−ヒドロキシヘプチレン基、5−ヒドロキシヘプチレン基、6−ヒドロキシヘプチレン基、7−ヒドロキシヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−メチル−3−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、2−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、3−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、4−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、5−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、6−ヒドロキシ−5−メチル−2−ヘキシレン基、1−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、2−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、3−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、4−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、5−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、6−ヒドロキシ−2−エチルヘキシレン基、1−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、7−ヒドロキシ−6−メチル−2−ヘプチレン基、1−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、2−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、3−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、4−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、5−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、6−ヒドロキシ−4−メチル−3−ヘプチレン基、1−ヒドロキシオクチレン基、2−ヒドロキシオクチレン基、3−ヒドロキシオクチレン基、4−ヒドロキシオクチレン基、5−ヒドロキシオクチレン基、6−ヒドロキシオクチレン基、7−ヒドロキシオクチレン基、8−ヒドロキシオクチレン基、1−ヒドロキシ−2−オクチレン基、2−ヒドロキシ−2−オクチレン基、3−ヒドロキシ−2−オクチレン
基、4−ヒドロキシ−2−オクチレン基、5−ヒドロキシ−2−オクチレン基、6−ヒドロキシ−2−オクチレン基、7−ヒドロキシ−2−オクチレン基、8−ヒドロキシ−2−オクチレン基、1−ヒドロキシ−3−オクチレン基、2−ヒドロキシ−3−オクチレン基、3−ヒドロキシ−3−オクチレン基、4−ヒドロキシ−3−オクチレン基、5−ヒドロキシ−3−オクチレン基、6−ヒドロキシ−3−オクチレン基、7−ヒドロキシ−3−オクチレン基、8−ヒドロキシ−3−オクチレン基、1−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、4−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2−プロピルペンチレン基、1−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、2−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、3−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基、5−ヒドロキシ−2,4,4−トリメチルペンチレン基等のヒドロキシアルキレン基、エチレングリコール基、ジエチレングリコール基、トリエチレングリコール基、テトラエチレングリコール基、ペンタエチレングリコール基等のポリエチレングリコール基、プロピレングリコール基、ジプロピレングリコール基、トリプロピレングリコール基、テトラプロピレングリコール基等のポリプロピレングリコール基が挙げられる。
R 18 and R 19 are each an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms, (poly) ethylene glycol having 1 to 10 carbon atoms, or (poly) propylene glycol having 1 to 12 carbon atoms. It is. Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-methylbutylene group, 2- Methyl-2-butylene group, 3-methylbutylene group, 3-methyl-2-butylene group, pentylene group, 2-pentylene group, 3-pentylene group, 3-dimethyl-2-butylene group, 3,3-dimethylbutylene Group, 3,3-dimethyl-2-butylene group, 2-ethylbutylene group, hexylene group, 2-hexylene group, 3-hexylene group, 2-methylpentylene group, 2-methyl-2-pentylene group, 2- Methyl-3-pentylene group, 3-methylpentylene group, 3-methyl-2-pentylene group, 3-methyl-3-pentylene group, 4-methylpentylene Group, 4-methyl-2-pentylene group, 2,2-dimethyl-3-pentylene group, 2,3-dimethyl-3-pentylene group, 2,4-dimethyl-3-pentylene group, 4,4-dimethyl 2-pentylene group, 3-ethyl-3-pentylene group, heptylene group, 2-heptylene group, 3-heptylene group, 2-methyl-2-hexylene group, 2-methyl-3-hexylene group, 5-methylhexene Xylene group, 5-methyl-2-hexylene group, 2-ethylhexylene group, 6-methyl-2-heptylene group, 4-methyl-3-heptylene group, octylene group, 2-octylene group, 3-octylene group, Alkylene groups such as 2-propylpentylene, 2,4,4-trimethylpentylene; trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, hexamethylene, heptam Polymethylene groups such as len group, octamethylene group, nonamethylene group, decamethylene group, 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group, 2-hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxy Isopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, 4-hydroxybutylene group, 1-hydroxyisobutylene group, 2- Hydroxyisobutylene group, 3-hydroxyisobutylene group, 1-hydroxysec-butylene group, 2-hydroxysec-butylene group, 3-hydroxysec-butylene group, 4-hydroxysec-butylene group, 1-hydroxy-2,2- Jime Tylpropylene group, 3-hydroxy-2,2-dimethylpropylene group, 1-hydroxy-2-methylbutylene group, 2-hydroxy-2-methylbutylene group, 3-hydroxy-2-methylbutylene group, 4-hydroxy- 2-methylbutylene group, 1-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 3-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy 2-methyl-2-butylene group, 1-hydroxy-3-methylbutylene Group, 2-hydroxy-3-methylbutylene group, 3-hydroxy-3-methylbutylene group, 4-hydroxy-3-methylbutylene group, 1-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3 -Methyl-2-butylene group, 3-hydroxy-3-methyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-butylene 1-hydroxypentylene group, 2-hydroxypentylene group, 3-hydroxypentylene group, 4-hydroxypentylene group, 5-hydroxypentylene group, 1-hydroxy-2-pentylene group, 2-hydroxy-2 -Pentylene group, 3-hydroxy-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-pentylene group, 2-hydroxy-3-pentylene group, 3 -Hydroxy-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-pentylene group, 1-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 2-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene Group, 3-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3-dimethyl-2-butylene group 1-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 2-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethylbutylene group, 1-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group 2-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 4-hydroxy-3,3-dimethyl-2-butylene group, 1-hydroxy-2-ethylbutylene group, 2-hydroxy-2-ethylbutylene group 3-hydroxy-2-ethylbutylene group, 4-hydroxy-2-ethylbutylene group, 1-hydroxy-hexylene group, 2-hydroxy-hexylene group, 3-hydroxy-hexylene group, 4-hydroxy-hexylene group, 5 -Hydroxy-hexylene group, 6-hydroxy-hexylene group, 1-hydroxy-2-hexylene group, 2-hydroxy-2 -Hexylene group, 3-hydroxy-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-hexylene group, 5-hydroxy-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-hexylene group, 1-hydroxy-3-hexylene group, 2 -Hydroxy-3-hexylene group, 3-hydroxy-3-hexylene group, 4-hydroxy-3-hexylene group, 5-hydroxy-3-hexylene group, 6-hydroxy-3-hexylene group, 1-hydroxy-2- Methylpentylene group, 2-hydroxy-2-methylpentylene group, 3-hydroxy-2-methylpentylene group, 4-hydroxy-2-methylpentylene group, 5-hydroxy-2-methylpentylene group, 1 -Hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-2 Methyl-2-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 2-hydroxy- 2-methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-pentylene group, 1- Hydroxy-3-methylpentylene group, 2-hydroxy-3-methylpentylene group, 3-hydroxy-3-methylpentylene group, 4-hydroxy-3-methylpentylene group, 5-hydroxy-3-methylpentylene Len group, 1-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl 2-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-3 -Methyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-methyl-3-pentylene group, 1-hydroxy -4-methylpentylene group, 2-hydroxy-4-methylpentylene group, 3-hydroxy-4-methylpentylene group, 4-hydroxy-4-methylpentylene group, 5-hydroxy-4-methylpentylene Group, 1-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 2-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4-methyl-2- Pentylene group, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4-methyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2, 2-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,2-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-2,3-dimethyl-3 -Pentylene group, 2-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,3-dimethyl-3-pentylene group, 1 -Hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 2-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 3-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pe Tylene group, 4-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-2,4-dimethyl-3-pentylene group, 1-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 2- Hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 3-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 5-hydroxy-4,4-dimethyl-2-pentylene group, 1-hydroxy-3-ethyl -3-pentylene group, 2-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 4-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 5-hydroxy-3-ethyl-3-pentylene group, 1-hydroxyheptyl Len group, 2-hydroxyheptylene group, 3-hydroxyheptylene group, 4-hydroxyheptylene group, 5-hydroxyheptylene group, 6-hydroxyheptene group Len group, 7-hydroxyheptylene group, 1-hydroxy-2-heptylene group, 2-hydroxy-2-heptylene group, 3-hydroxy-2-heptylene group, 4-hydroxy-2-heptylene group, 5-hydroxy 2-heptylene group, 6-hydroxy-2-heptylene group, 7-hydroxy-2-heptylene group, 1-hydroxy-3-heptylene group, 2-hydroxy-3-heptylene group, 3-hydroxy-3-heptylene group 4-hydroxy-3-heptylene group, 5-hydroxy-3-heptylene group, 6-hydroxy-3-heptylene group, 7-hydroxy-3-heptylene group, 1-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 3-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy- 2-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl-2-hexylene group, 1-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 2-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 3- Hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 4-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 5-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 6-hydroxy-2-methyl-3-hexylene group, 1-hydroxy-5-methylhexylene group, 2-hydroxy-5-methylhexylene group, 3-hydroxy-5-methylhexylene group, 4-hydroxy-5-methylhexylene group, 5-hydroxy-5- Methylhexylene group, 6-hydroxy-5-methylhexylene group, 1-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 2-hydroxy-5-methyl- -Hexylene group, 3-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 4-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 5-hydroxy-5-methyl-2-hexylene group, 6-hydroxy-5-methyl 2-hexylene group, 1-hydroxy-2-ethylhexylene group, 2-hydroxy-2-ethylhexylene group, 3-hydroxy-2-ethylhexylene group, 4-hydroxy-2-ethylhexylene group, 5-hydroxy-2-ethylhexylene group, 6-hydroxy-2-ethylhexylene group, 1-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 2-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 3- Hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 4-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 5-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group Group, 6-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 7-hydroxy-6-methyl-2-heptylene group, 1-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 2-hydroxy-4-methyl-3 -Heptylene group, 3-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 4-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 5-hydroxy-4-methyl-3-heptylene group, 6-hydroxy-4-methyl -3-heptylene group, 1-hydroxyoctylene group, 2-hydroxyoctylene group, 3-hydroxyoctylene group, 4-hydroxyoctylene group, 5-hydroxyoctylene group, 6-hydroxyoctylene group, 7- Hydroxyoctylene group, 8-hydroxyoctylene group, 1-hydroxy-2-octylene group, 2-hydroxy-2-octylene group, 3 -Hydroxy-2-octylene group, 4-hydroxy-2-octylene group, 5-hydroxy-2-octylene group, 6-hydroxy-2-octylene group, 7-hydroxy-2-octylene group, 8-hydroxy-2- Octylene group, 1-hydroxy-3-octylene group, 2-hydroxy-3-octylene group, 3-hydroxy-3-octylene group, 4-hydroxy-3-octylene group, 5-hydroxy-3-octylene group, 6- Hydroxy-3-octylene group, 7-hydroxy-3-octylene group, 8-hydroxy-3-octylene group, 1-hydroxy-2-propylpentylene group, 2-hydroxy-2-propylpentylene group, 3-hydroxy 2-propylpentylene group, 4-hydroxy-2-propylpentylene group, 5-hydroxy-2-pro Rupentylene group, 1-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 2-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 3-hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, 5- Hydroxyalkylene group such as hydroxy-2,4,4-trimethylpentylene group, ethylene glycol group, diethylene glycol group, triethylene glycol group, tetraethylene glycol group, polyethylene glycol group such as pentaethylene glycol group, propylene glycol group, di Examples include polypropylene glycol groups such as propylene glycol group, tripropylene glycol group, and tetrapropylene glycol group.

これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基又は、1−ヒドロキシエチレン基、2−ヒドロキシエチレン基、1−ヒドロキシプロピレン基、2−ヒドロキシプロピレン基、3−ヒドロキシプロピレン基、1−ヒドロキシイソプロピレン基、2−ヒドロキシイソプロピレン基、3−ヒドロキシイソプロピレン基、1−ヒドロキシブチレン基、2−ヒドロキシブチレン基、3−ヒドロキシブチレン基、4−ヒドロキシブチレン基、1−ヒドロキシイソブチレン基等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキレン基、又は、エチレングリコール基、ジエチレングリコール基等の炭素数2〜4のポリエチレングリコール基又は、プロピレングリコールの炭素数3のポリプロピレングリコール基が好ましい。   Among these, an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, 1-hydroxyethylene group, 2-hydroxyethylene group, 1-hydroxypropylene group, 2 -Hydroxypropylene group, 3-hydroxypropylene group, 1-hydroxyisopropylene group, 2-hydroxyisopropylene group, 3-hydroxyisopropylene group, 1-hydroxybutylene group, 2-hydroxybutylene group, 3-hydroxybutylene group, C1-C4 hydroxyalkylene group such as 4-hydroxybutylene group and 1-hydroxyisobutylene group, C2-C4 polyethylene glycol group such as ethylene glycol group and diethylene glycol group, or propylene glycol carbon number 3 Polypropylene Glycol groups are preferred.

式(7)で示される分子内にο−フェニルフェノール基を有する単量体の中でも、好適な化合物としては、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシメトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシイソプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシブチルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシエチルエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシイソプロピルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシヒドロキシブチルオキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエチレングリコキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシプロピレングリコキシ)フェニル]フルオレン等が挙げられる。   Among monomers having an o-phenylphenol group in the molecule represented by the formula (7), 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxymethoxy) phenyl] fluorene is preferable as a suitable compound. 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxypropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9- Bis [4- (2- (meth) acryloyloxyisopropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxybutyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyhydroxyethylethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyl) Oxyhydroxypropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyhydroxyisopropyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyhydroxy) Butyloxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyethyleneglycoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxypropyleneglycoxy) ) Phenyl] fluorene and the like.

次に、光重合開始剤(C)について説明する。   Next, the photopolymerization initiator (C) will be described.

(光重合開始剤(C))
本発明において、光重合開始剤(C)は特に制限されるものではなく、重合性単量体(B)を光重合できるものであれば、いかなる光重合開始剤も使用できる。
(Photopolymerization initiator (C))
In the present invention, the photopolymerization initiator (C) is not particularly limited, and any photopolymerization initiator can be used as long as it can photopolymerize the polymerizable monomer (B).

光重合開始剤としては、具体的に、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−ヒドロキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオニル)−ベンジル]−フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モリフォリン−4−イル−フェニル)ブタン−1−オン等のアセトフェノン誘導体;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−ジメトキシベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−ジクロロベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,6−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィン酸メチルエステル、2−メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ピバロイルフェニルホスフィン酸イソプロピルエステル、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−4−プロピルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジクロロベンゾイル)−1−ナフチルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス−(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,5−ジメチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス−(2,5,6−トリメチルベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド誘導体;1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)等のO−アシルオキシム誘導体;ジアセチル、アセチルベンゾイル、ベンジル、2,3−ペンタジオン、2,3−オクタジオン、4,4’−ジメトキシベンジル、4,4’−オキシベンジル、カンファーキノン、9,10−フェナンスレンキノン、アセナフテンキノン等のα−ジケトン;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル;2,4−ジエトキシチオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、メチルチオキサンソン等のチオキサンソン誘導体;ベンゾフェノン、p,p’−ジメチルアミノベンゾフェノン、p,p’−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体;ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム等のチタノセン誘導体が好適に使用される。   Specific examples of the photopolymerization initiator include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1- ON, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-1- {4- [4- (2-hydroxy- 2-methylpropionyl) -benzyl] -phenyl} -2-methyl-propan-1-one, phenylglyoxylic acid methyl ester, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane -1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-dimethylamino-2- (4-methylben) Acetophenone derivatives such as (zyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) butan-1-one; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,6-dimethoxybenzoyldiphenylphosphine oxide, 2, 6-dichlorobenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,6-trimethylbenzoylphenylphosphinic acid methyl ester, 2-methylbenzoyldiphenylphosphine oxide, pivaloylphenylphosphinic acid isopropyl ester, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) phenylphosphine oxide Bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -2,5-dimethylphenylphosphine oxide, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -4-propylphenylphosphine oxide, bis (2,6-dichlorobenzoyl) -1-naphthylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide Bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,5-dimethylphenylphosphine oxide, bis- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,5,6-trimethylbenzoyl)- Acylphosphine oxide derivatives such as 2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide; 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9 -Ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, O-acyloxime derivatives such as 1- (O-acetyloxime); diacetyl, acetylbenzoyl, benzyl, 2,3-pentadione, 2,3-octadione, 4,4′-dimethoxybenzyl, 4,4′-oxybenzyl Α-diketones such as camphorquinone, 9,10-phenanthrenequinone, and acenaphthenequinone; benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin propyl ether; 2,4-diethoxythioxanthone, 2 -Thioxanthone derivatives such as chlorothioxanthone and methylthioxanthone; benzophenone derivatives such as benzophenone, p, p'-dimethylaminobenzophenone and p, p'-methoxybenzophenone; bis (η5-2,4-cyclopentadiene-1- Il) -bis (2,6 A titanocene derivative such as -difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium is preferably used.

これら光重合開始剤は、1種あるいは2種以上を混合して使用される。   These photopolymerization initiators are used alone or in combination of two or more.

また、α−ジケトンを用いる場合には、第3級アミン化合物と組み合わせて用いることが好ましい。α−ジケトンと組み合わせて用いることのできる第3級アミン化合物としては、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルアニリン、N,N−ジ−n−ブチルアニリン、N,N−ジベンジルアニリン、N,N−ジメチル−p−トルイジン、N,N−ジエチル−p−トルイジン、N,N−ジメチル−m−トルイジン、p−ブロモ−N,N−ジメチルアニリン、m−クロロ−N,N−ジメチルアニリン、p−ジメチルアミノベンズアルデヒド、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、p−ジメチルアミノ安息香酸アミルエステル、N,N−ジメチルアンスラニリックアシッドメチルエステル、N,N−ジヒドロキシエチルアニリン、N,N−ジヒドロキシエチル−p−トルイジン、p−ジメチルアミノフェネチルアルコール、p−ジメチルアミノスチルベン、N,N−ジメチル-3,5−キシリジン、4−ジメチルアミノピリジン、N,N−ジメチル−α−ナフチルアミン、N,N−ジメチル−β−ナフチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリエチルアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジメチルヘキシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、N,N−ジメチルステアリルアミン、N,N−ジメチルアミノエチルメタクリレート、N,N−ジエチルアミノエチルメタクリレート、2,2’−(n−ブチルイミノ)ジエタノール等が挙げられる。   When α-diketone is used, it is preferably used in combination with a tertiary amine compound. Tertiary amine compounds that can be used in combination with α-diketone include N, N-dimethylaniline, N, N-diethylaniline, N, N-di-n-butylaniline, N, N-dibenzylaniline. N, N-dimethyl-p-toluidine, N, N-diethyl-p-toluidine, N, N-dimethyl-m-toluidine, p-bromo-N, N-dimethylaniline, m-chloro-N, N- Dimethylaniline, p-dimethylaminobenzaldehyde, p-dimethylaminoacetophenone, p-dimethylaminobenzoic acid, p-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, p-dimethylaminobenzoic acid amyl ester, N, N-dimethylanthranic acid methyl Ester, N, N-dihydroxyethylaniline, N, N-dihydroxyethyl-p-toluidine, p Dimethylaminophenethyl alcohol, p-dimethylaminostilbene, N, N-dimethyl-3,5-xylidine, 4-dimethylaminopyridine, N, N-dimethyl-α-naphthylamine, N, N-dimethyl-β-naphthylamine, tri Butylamine, tripropylamine, triethylamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-dimethylhexylamine, N, N-dimethyldodecylamine, N, N-dimethylstearylamine, N, N-dimethylaminoethyl methacrylate N, N-diethylaminoethyl methacrylate, 2,2 ′-(n-butylimino) diethanol, and the like.

本発明においては、アセトフェノン誘導体、アシルホスフィンオキサイド誘導体、O−アシルオキシム誘導体、α−ジケトンを使用することが好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an acetophenone derivative, an acylphosphine oxide derivative, an O-acyloxime derivative, or an α-diketone.

本発明において、上記光重合開始剤の使用量は、前記重合性単量体(B)100質量部に対して、0.1〜10質量部であることが好ましく、0.1〜5質量部であることがエッチング耐性の観点からより好ましい。   In this invention, it is preferable that the usage-amount of the said photoinitiator is 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of said polymerizable monomers (B), and 0.1-5 mass parts It is more preferable from the viewpoint of etching resistance.

(光硬化性ナノインプリント用組成物におけるその他の添加成分)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲でその他の成分を配合することができる。
(Other additive components in photocurable nanoimprint composition)
The photocurable nanoimprint composition of the present invention may contain other components within a range that does not impair the effects of the present invention.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物の使用に当たり、前記光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布して使用するが、この場合、光硬化性ナノインプリント用組成物を溶媒で希釈して使用することもできる。また、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を安定化させる目的、又は、その他の目的で溶媒を配合することもできる。使用される溶媒としては、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物が溶解する溶媒であれば、何ら制限なく使用でき、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、トルエン、クロロホルム、酢酸エチルエステル、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、エチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルラクテート、エチル−3−エトキシプロピオネート、ブチルアセテート、2−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、ジアセトンアルコール、ポリエチレングリコール、水、アルコールを挙げることができる。なお、水、アルコールは、新たに配合することもできるし、加水分解物混合物(A)を製造した際に使用した水、副生したアルコールであってもよい。また、加水分解物混合物(A)を製造する際に希釈溶媒として使用した溶媒が、上記溶媒に含まれてもよい。   In use of the photocurable nanoimprint composition of the present invention, the photocurable nanoimprint composition is used by being applied onto a substrate. In this case, the photocurable nanoimprint composition is diluted with a solvent and used. You can also Moreover, a solvent can also be mix | blended for the objective which stabilizes the composition for photocurable nanoimprint of this invention, or the other objective. As the solvent used, any solvent that can dissolve the composition for photocurable nanoimprinting of the present invention can be used without any limitation. For example, acetonitrile, tetrahydrofuran, toluene, chloroform, acetic acid ethyl ester, methyl ethyl ketone, dimethylformamide, Cyclohexanone, ethylene glycol, propylene glycol, propylene glycol methyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl-3-methoxypropionate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl lactate, ethyl-3-ethoxypropionate, butyl acetate, Examples include 2-heptanone, methyl isobutyl ketone, acetylacetone, diacetone alcohol, polyethylene glycol, water, and alcohol. It is possible. In addition, water and alcohol can also be newly blended, and may be water used when the hydrolyzate mixture (A) is produced, and alcohol by-produced. Moreover, the solvent used as a dilution solvent when manufacturing a hydrolyzate mixture (A) may be contained in the said solvent.

溶媒を使用する場合、使用量は特に制限されず、目的の塗膜の厚みに応じて、適宜選択される。中でも、溶媒および光硬化性ナノインプリント用組成物の合計量を100質量%とすると、該溶媒の濃度が10〜99質量%となる範囲とすることが好ましい。   When using a solvent, the amount used is not particularly limited and is appropriately selected according to the thickness of the target coating film. In particular, when the total amount of the solvent and the photocurable nanoimprint composition is 100% by mass, the concentration of the solvent is preferably in the range of 10 to 99% by mass.

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物には、その他の公知の添加剤を配合することができる。具体的には、界面活性剤、重合禁止剤、反応性希釈剤等を配合することができる。界面活性剤は塗膜の均一性の点から、重合禁止剤は保存中に重合しないように安定化させるために配合される。   Other well-known additives can be mix | blended with the composition for photocurable nanoimprint of this invention. Specifically, a surfactant, a polymerization inhibitor, a reactive diluent and the like can be blended. From the viewpoint of the uniformity of the coating film, the surfactant is added to stabilize the polymerization inhibitor so that it does not polymerize during storage.

界面活性剤を配合する場合には、重合性単量体(B)100質量部に対して、0.0001〜0.1質量部、好ましくは、0.0005〜0.01質量量部の割合で配合することができる。   When blending the surfactant, the proportion of 0.0001 to 0.1 parts by weight, preferably 0.0005 to 0.01 parts by weight, per 100 parts by weight of the polymerizable monomer (B). Can be blended.

界面活性剤としては、フッ素含有界面活性剤、シリコーン含有界面活性剤、脂肪族系界面活性剤を使用できる。中でも、光硬化性ナノインプリント用組成物がシリコンウエハ等の基板へ塗布されるものの場合、はじきを生ずることなく、組成物を均一に塗布し易い点から、脂肪族系界面活性剤を使用することがより好ましい。   As the surfactant, a fluorine-containing surfactant, a silicone-containing surfactant, and an aliphatic surfactant can be used. Among these, in the case where the photocurable nanoimprint composition is applied to a substrate such as a silicon wafer, an aliphatic surfactant may be used from the viewpoint that the composition can be uniformly applied without causing repelling. More preferred.

界面活性剤の例としては、デシル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム等の高級アルコール硫酸エステルの金属塩類、ラウリン酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム等の脂肪族カルボン酸金属塩類、ラウリルアルコールとエチレンオキサイドとの付加物を硫酸化したラウリルエーテル硫酸エステルナトリウム等の高級アルキルエーテル硫酸エステルの金属塩類、スルホコハク酸ナトリウム等のスルホコハク酸ジエステル類、高級アルコールエチレンオキサイド付加物のリン酸エステル塩類等のアニオン性活性剤;ドデシルアンモニウムクロリド等のアルキルアミン塩類およびトリメチルドデシルアンモニウムブロミド等の4級アンモニウム塩類等のカチオン性界面活性剤;ドデシルジメチルアミンオキシド等のアルキルジメチルアミンオキシド類、ドデシルカルボキシベタイン等のアルキルカルボキシベタイン類、ドデシルスルホベタイン等のアルキルスルホベタイン類、ラウラミドプロピルアミンオキシド等のアミドアミノ酸塩等の両性イオン界面活性剤;ポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル類、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレントリベンジルフェニルエーテル類、脂肪酸ポリオキシエチレンラウリルエステル等の脂肪酸ポリオキシエチレンエステル類、ポリオキシエチレンソルビタンラウリルエステル等のポリオキシエチレンソルビタンエステル類等の非イオン性界面活性剤等を挙げることができる。界面活性剤は、それぞれ単独で使用できるだけでなく、必要に応じて、複数の種類を組み合わせて併用することもできる。   Examples of surfactants include metal salts of higher alcohol sulfates such as sodium decyl sulfate and sodium lauryl sulfate, aliphatic carboxylic acid metal salts such as sodium laurate, sodium stearate and sodium oleate, lauryl alcohol and ethylene oxide. Anionic activity such as metal salts of higher alkyl ether sulfates such as sodium lauryl ether sulfate esterified with adducts with sodium, sulfosuccinic diesters such as sodium sulfosuccinate, phosphate esters of higher alcohol ethylene oxide adducts, etc. Agents; Cationic surfactants such as alkylamine salts such as dodecylammonium chloride and quaternary ammonium salts such as trimethyldodecylammonium bromide; such as dodecyldimethylamine oxide Zwitterionic surfactants such as alkyl dimethyl betaines such as alkyl dimethyl amine oxides, alkyl carboxy betaines such as dodecyl carboxy betaine, alkyl sulfo betaines such as dodecyl sulfo betaine, and amide amino acid salts such as lauramido propyl amine oxide; polyoxyethylene lauryl ether, etc. Polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyalkylene alkyl ethers, polyoxyethylene distyrenated phenyl ethers, polyoxyethylene alkyl phenyl ethers such as polyoxyethylene lauryl phenyl ether, polyoxyethylene tribenzylphenyl ethers, Fatty acid polyoxyethylene esters such as fatty acid polyoxyethylene lauryl ester, polio such as polyoxyethylene sorbitan lauryl ester It can be mentioned non-ionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan esters. Surfactants can be used not only independently but also in combination of a plurality of types as required.

重合禁止剤を配合する場合には、重合性単量体(B)100質量部に対して、0.01〜1.0質量部、好ましくは、0.1〜0.5質量部の割合で配合することができる。   When blending a polymerization inhibitor, it is 0.01 to 1.0 part by weight, preferably 0.1 to 0.5 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polymerizable monomer (B). Can be blended.

重合禁止剤の例としては、公知のものを挙げることができ、例えば、最も代表的なものは、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ハイドロキノン、ブチルヒドロキシトルエン等を挙げることができる。   Examples of the polymerization inhibitor include known ones. For example, the most typical ones include hydroquinone monomethyl ether, hydroquinone, butylhydroxytoluene and the like.

反応性希釈剤としては、N−ビニルピロリドン等の公知のものを挙げることができる。   Examples of the reactive diluent include known ones such as N-vinylpyrrolidone.

反応性希釈剤の添加量は特に制限されず、金型からのパターンの形成に影響を及ぼさない範囲で適宜選択され、重合性単量体(B)100質量部に対して、通常、1〜50質量部の範囲から適宜選択される。その中でも、光硬化性ナノインプリント用組成物の低粘度化、パターンの機械的強度等を勘案すると、5〜30質量部であることが好ましい。   The addition amount of the reactive diluent is not particularly limited and is appropriately selected within a range not affecting the formation of the pattern from the mold, and is usually 1 to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B). It is suitably selected from the range of 50 parts by mass. Among these, it is preferable that it is 5-30 mass parts, when low viscosity of the composition for photocurable nanoimprint, the mechanical strength of a pattern, etc. are considered.

また、他の添加成分として、パイパーブランチポリマーのような球状微粒子を添加することもできる。この場合、直径は1〜10nm、分子量10,000〜100,000の球状ハイパーブランチポリマーを配合することが好ましい。配合量は、重合性単量体(B)100質量部に対して0.1〜10質量部の量であることが好ましい。   In addition, spherical fine particles such as a piper branch polymer can be added as another additive component. In this case, it is preferable to blend a spherical hyperbranched polymer having a diameter of 1 to 10 nm and a molecular weight of 10,000 to 100,000. The blending amount is preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B).

本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、加水分解物混合物(A)、重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および必要に応じて配合するその他の添加成分を混合することによって調製される。これら成分の添加順序は特に制限されるものではない。   The photocurable nanoimprint composition of the present invention is a mixture of a hydrolyzate mixture (A), a polymerizable monomer (B), a photopolymerization initiator (C), and other additive components blended as necessary. To be prepared. The order of addition of these components is not particularly limited.

次に、この光硬化性ナノインプリント用組成物を使用して、基板上にパターンを形成する方法について説明する。   Next, a method for forming a pattern on a substrate using this photocurable nanoimprint composition will be described.

(光硬化性インプリン用組成物を用いたパターンの形成法)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を用いたパターン形成方法について説明する。
(Pattern formation method using photocurable imprinting composition)
A pattern forming method using the photocurable nanoimprinting composition of the present invention will be described.

先ず、上記方法に従って調製した光硬化性ナノインプリント用組成物を、基材上に公知の方法に従って塗布することにより、塗膜を形成する。   First, the coating film is formed by apply | coating the composition for photocurable nanoimprint prepared according to the said method on a base material according to a well-known method.

該基材としては、特にその形態、材質は制限されるものではなく、基板、シート、フィルム状のものが使用できる。具体的には、シリコンウエハ、石英、ガラス、サファイア、各種金属材料、アルミナ・窒化アルミニウム・炭化珪素・窒化珪素等のセラミックス、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルムのような公知の基板、シート、フィルムを使用することができる。なお、これら基材は、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物よりなる硬化膜との密着性をより改善するために、表面処理を施すこともできる。   The form and material of the substrate are not particularly limited, and substrates, sheets, and films can be used. Specifically, silicon wafer, quartz, glass, sapphire, various metal materials, ceramics such as alumina / aluminum nitride / silicon carbide / silicon nitride, polyethylene terephthalate film, polypropylene film, polycarbonate film, triacetyl cellulose film, cycloolefin resin A known substrate such as a film, a sheet, or a film can be used. In addition, these base materials can also surface-treat in order to improve adhesiveness with the cured film which consists of a composition for photocurable nanoimprint of this invention more.

これら基材上に、スピンコート法、ディッピング法、ディスペンス法、インクジェット法、スプレーコート法、ロールtoロール法のような公知の方法により、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を塗布することによって、塗膜を形成すればよい。塗膜の厚みは、特に制限されるものではなく、目的とする用途に応じて適宜決定すればよいが、通常0.1〜5μmであり、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、0.01〜0.1μmの厚みの塗膜の形成にも好適に適用できる。   By applying the photocurable nanoimprint composition of the present invention on these substrates by a known method such as a spin coating method, a dipping method, a dispensing method, an ink jet method, a spray coating method, or a roll-to-roll method. What is necessary is just to form a coating film. The thickness of the coating film is not particularly limited, and may be appropriately determined according to the intended use, but is usually 0.1 to 5 μm, and the photocurable nanoimprint composition of the present invention is 0. The present invention can also be suitably applied to the formation of a coating film having a thickness of 0.01 to 0.1 μm.

乾燥温度は、塗膜が乾燥する温度であれば、特に制限されないが、通常は、40℃〜150℃の範囲から選択できる。   The drying temperature is not particularly limited as long as the coating film is dried. Usually, the drying temperature can be selected from a range of 40 ° C to 150 ° C.

薄く塗布するためは、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物を有機溶媒にて希釈して塗布することも可能であり、その場合は、用いる有機溶媒の沸点、揮発性に応じて、乾燥温度を適宜決定すればよい。   In order to apply thinly, it is also possible to apply the photocurable nanoimprinting composition of the present invention diluted with an organic solvent, in which case the drying temperature depends on the boiling point and volatility of the organic solvent used. May be determined as appropriate.

次に、所望のパターンが形成されている金型のパターン形成面を、前記塗膜と接触させる。この際、金型は、光照射を介して、塗布された組成物を硬化させることにより硬化膜を形成できるように、透明な材質、例えば、石英や透明な樹脂フィルムで形成されていることが好ましい。本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、金型を押し付ける際に比較的低圧でパターンを転写することができる。この際の圧力は、特に制限されるものではないが、0.01MPa〜1MPaの圧力でパターンを転写できる。なお、当然のことながら、上記圧力の上限値以上の圧力でもパターンの転写は可能である。   Next, the pattern forming surface of the mold on which a desired pattern is formed is brought into contact with the coating film. At this time, the mold may be formed of a transparent material such as quartz or a transparent resin film so that a cured film can be formed by curing the applied composition through light irradiation. preferable. The photocurable nanoimprinting composition of the present invention can transfer a pattern at a relatively low pressure when pressing a mold. The pressure at this time is not particularly limited, but the pattern can be transferred at a pressure of 0.01 MPa to 1 MPa. As a matter of course, the pattern can be transferred even at a pressure higher than the upper limit of the pressure.

その後、金型のパターン形成面と塗膜とを接触させた状態のまま、光を照射して、塗膜を硬化させる。照射する光は、波長が500nm以下で、光の照射時間は、0.1〜300秒の範囲から選択される。塗膜の厚み等にもよるが、通常、1〜60秒である。   Thereafter, the coating film is cured by irradiating light while keeping the pattern forming surface of the mold in contact with the coating film. The light to be irradiated has a wavelength of 500 nm or less, and the light irradiation time is selected from the range of 0.1 to 300 seconds. Although it depends on the thickness of the coating film, etc., it is usually 1 to 60 seconds.

光重合時の雰囲気として、大気下でも重合可能であるが、光重合反応を促進する上で、酸素阻害の少ない雰囲気下での光重合が好ましい。例えば、窒素ガス雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、フッ素系ガス雰囲気下、真空雰囲気下等が好ましい。   The atmosphere during photopolymerization can be polymerized even in the air, but in order to promote the photopolymerization reaction, photopolymerization in an atmosphere with little oxygen inhibition is preferred. For example, a nitrogen gas atmosphere, an inert gas atmosphere, a fluorine gas atmosphere, a vacuum atmosphere, or the like is preferable.

光硬化後、硬化した塗膜から金型を分離することにより、基板上に硬化した塗膜(硬化膜)によりパターンが形成された積層体が得られる。   After photocuring, a laminate in which a pattern is formed by a cured coating film (cured film) on the substrate is obtained by separating the mold from the cured coating film.

(基板へのパターン形成:硬化膜によりパターンを形成した積層体のエッチング)
本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物は、形成される硬化膜が優れたエッチング耐性を示す。そのため、該硬化膜より形成されるパターンは、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等によるエッチング耐性が非常に良好となり、酸素ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス等によるエッチングによってナノスケールの凹凸構造を有する基材を製造する際のマスクとして好適に用いることができる。特に、本発明の光硬化性ナノインプリント用組成物から得られる硬化膜は、サファイア基板を加工するための塩素系ガスに対するエッチング耐性に優れていることから、サファイア基板を表面加工する際のマスクとして用いるのに適している。なお、塩素系ガスとしては、反応性イオンエッチングに用いられる公知のガスを使用することができる。具体的には、塩素、三塩化ホウ素、四塩化炭素を挙げることができ、必要に応じて、酸素ガス、フッ素系ガス等を混合して使用することもできる。
(Pattern formation on the substrate: Etching of the laminate with the pattern formed by the cured film)
In the photocurable nanoimprint composition of the present invention, the formed cured film exhibits excellent etching resistance. Therefore, the pattern formed from the cured film has very good etching resistance with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, etc., and nanoscale irregularities are formed by etching with oxygen gas, fluorine-based gas, chlorine-based gas, etc. It can be suitably used as a mask for producing a substrate having a structure. In particular, the cured film obtained from the photocurable nanoimprinting composition of the present invention is excellent in etching resistance to chlorine-based gas for processing a sapphire substrate, and is therefore used as a mask for surface processing of a sapphire substrate Suitable for As the chlorine-based gas, a known gas used for reactive ion etching can be used. Specific examples include chlorine, boron trichloride, and carbon tetrachloride. If necessary, oxygen gas, fluorine-based gas, and the like can be mixed and used.

上記したようにして得た、金型にてパターンを転写した硬化膜を表面に有する基板(硬化膜によりパターンを形成した積層体)に、硬化膜のパターンに基づくパターンを形成する方法としては、先ず、硬化膜の肉薄部分(残膜)をドライエッチングにより除去し、基板表面を出す。さらに、残膜を除去した部分の基板のドライエッチングを行う。硬化膜の肉厚部分により覆われた基板は硬化膜の肉厚部分がマスクとなり全てドライエッチングされない。最後に残った硬化膜の肉厚部分を除去することにより、基板表面をドライエッチング加工した基板を得ることができる。硬化膜の肉厚部分の除去方法としては、ドライエッチングや、ウエットエッチングによって除去することができ、なかでもサファイア基板へのパターン形成の場合、フッ素系ガスによるドライエッチングが好適に用いられる。   As a method of forming a pattern based on the pattern of the cured film on the substrate (laminate formed with the pattern by the cured film) having a cured film having a pattern transferred by a mold on the surface obtained as described above, First, the thin part (residual film) of the cured film is removed by dry etching to expose the substrate surface. Further, dry etching is performed on the substrate from which the residual film has been removed. The substrate covered with the thick part of the cured film is not dry etched using the thick part of the cured film as a mask. By removing the thick part of the cured film remaining at the end, a substrate obtained by dry etching the substrate surface can be obtained. As a method for removing the thick portion of the cured film, it can be removed by dry etching or wet etching. In particular, in the case of pattern formation on a sapphire substrate, dry etching with a fluorine-based gas is preferably used.

硬化膜の肉薄部分(残膜)をドライエッチングにより除去した後、残膜を除去した部分の基板表面に金属を蒸着することもできる。   After the thin part (residual film) of the cured film is removed by dry etching, metal can be deposited on the substrate surface where the residual film has been removed.

サファイア基板表面を加工することにより、LEDの光取り出し効率の向上や結晶転移の少ない均質なGaN成長が期待される。   By processing the surface of the sapphire substrate, it is expected that the light extraction efficiency of the LED is improved and the homogeneous GaN growth with little crystal transition is expected.

以下、本発明を実施例および比較例を掲げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

(1)ろ過性の評価
以下の実施例、比較例で得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を0.2μmφ孔径、直径25mmのシリンジフィルターおよび10mlシリンジにて、手で10mlをろ過した際、20sec以内にろ過できたものを○、1min以内にろ過できたものを△、途中で目詰まりしてろ過できなかったものを×とした。
(1) Evaluation of filterability When 10 ml of the composition for photocurable nanoimprint obtained in the following Examples and Comparative Examples was filtered by hand with a 0.2 μmφ pore diameter, a 25 mm diameter syringe filter and a 10 ml syringe, Those that could be filtered within 20 sec were marked with ◯, those that could be filtered within 1 minute were marked with Δ, and those that were clogged in the middle and could not be filtered were marked with x.

(2)硬化膜の基板密着性の評価
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、1−メトキシ−2−プロパノールにて希釈し、サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、110℃において2分間乾燥した後、UV照射して、厚み約1μmの光硬化性ナノインプリント用組成物による光硬化膜を作製し、ニチバン(株)製15mm幅セロハンテープ405を用い(長さ5cm)、指圧にて3往復密着させたのち剥離して、
硬化膜が全く剥がれなかったもの :5
剥離面積が10%未満のも :4
剥離面積が10%以上50%未満のもの :3
剥離面積が50%以上100%未満のもの:2
剥離面積が100%(全面剥離)のもの :1
として評価した。
(2) Evaluation of substrate adhesion of cured film The obtained composition for photocurable nanoimprint was diluted with 1-methoxy-2-propanol, and a sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, surface orientation C surface), spin-coated at 3000 rpm for 30 seconds, dried at 110 ° C. for 2 minutes, and then irradiated with UV to form a photocured film by a photocurable nanoimprint composition having a thickness of about 1 μm , Using Nichiban Co., Ltd. 15mm width cellophane tape 405 (length 5cm), peeled after 3 reciprocal contact with finger pressure,
The cured film was not removed at all: 5
The peeled area is less than 10%: 4
Exfoliation area of 10% or more and less than 50%: 3
Exfoliation area 50% or more and less than 100%: 2
With peeling area of 100% (full peeling): 1
As evaluated.

(3)転写性の評価
(光硬化性ナノインプリント用組成物の塗布)
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、1−メトキシ−2−プロパノールにて60重量%となるよう希釈した。希釈した光硬化性ナノインプリント用組成物を、シリコンウエハ(P型、片鏡面、酸化膜なし)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、110℃において2分間乾燥して、光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜が約1μmの厚みでコーティングしたシリコンウエハを得た。
(3) Evaluation of transferability (application of photocurable nanoimprint composition)
The obtained composition for photocurable nanoimprint was diluted with 1-methoxy-2-propanol to 60 wt%. The diluted photocurable nanoimprint composition is spin-coated on a silicon wafer (P-type, single mirror surface, no oxide film) at 3000 rpm for 30 seconds and dried at 110 ° C. for 2 minutes to be used for photocurable nanoimprint A silicon wafer having a coating film of the composition coated to a thickness of about 1 μm was obtained.

(パターンの形成:積層体の製造)
200nmライン/スペースの石英モールドを用い、ナノインプリント装置(三明電子産業(株)製、ImpFlex-Essential)において、上記のようにして得られた光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜を有するシリコンウエハに、圧力0.5MPaをかけLED365nm光源から光を10秒間照射して、光ナノインプリントを行った。なお、用いた石英モールドは、あらかじめフッ素系表面処理(ダイキン工業(株)製、オプツールHD−1100DH)で離型処理を施した。
(Pattern formation: Manufacture of laminate)
Using a 200 nm line / space quartz mold, in a nanoimprint apparatus (ImpFlex-Essential, manufactured by Sanmei Electronics Co., Ltd.), a silicon wafer having a coating film of the photocurable nanoimprint composition obtained as described above Then, light nanoimprinting was performed by applying a pressure of 0.5 MPa and irradiating light from an LED 365 nm light source for 10 seconds. The quartz mold used was previously subjected to mold release treatment by fluorine-based surface treatment (manufactured by Daikin Industries, Ltd., OPTOOL HD-1100DH).

走査型電子顕微鏡(SEM)観察により、光硬化性ナノインプリント用組成物を用いてサファイア基板(基材)上に形成したパターンの形状転写性を評価した。転写性の評価は、計100本の幅200nmラインが200nmの間隔で形成されたパターンが全て転写できているものを「○」とし、一部にパターン形状の不良が見られるものを△とし、全てのパターンが転写できていないものを「×」として評価した。   The shape transferability of the pattern formed on the sapphire substrate (base material) using the photocurable nanoimprint composition was evaluated by observation with a scanning electron microscope (SEM). In the evaluation of transferability, “◯” indicates that all the patterns formed with a total of 100 lines having a width of 200 nm at intervals of 200 nm can be transferred, and “△” indicates that the pattern shape is partially defective. The case where all the patterns were not transferred was evaluated as “x”.

(4)エッチング耐性の評価
(サファイア基板へのエッチング)
サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)を反応性イオンエッチング装置を用いて、以下の条件にて塩素ガスによるドライエッチングを行い、一定時間でのエッチング量(サファイア基板の減少質量)を測定した。
<塩素ガスによるドライエッチング条件>
塩素ガス流量:20sccm
バイアスパワー:80W
基板冷却温度:5℃
(硬化膜のエッチング)
得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を1−メトキシ−2−プロパノールにて希釈して、シリコンウエハ(P型、片鏡面、酸化膜なし)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、110℃において2分間乾燥した後、UV照射して、厚み約1μmの光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜でコーティングしたシリコンウエハを得た。得られた硬化膜でコーティングしたシリコンウエハを、サファイア基板の塩素ガスによるドライエッチングと同じ条件にてドライエッチングを行い、一定時間での硬化膜の減少質量を測定した。
(4) Evaluation of etching resistance (Etching to sapphire substrate)
A sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, plane orientation C plane) is dry-etched with chlorine gas under the following conditions using a reactive ion etching apparatus, and is performed for a certain period of time. The etching amount (reduced mass of the sapphire substrate) was measured.
<Dry etching conditions with chlorine gas>
Chlorine gas flow rate: 20sccm
Bias power: 80W
Substrate cooling temperature: 5 ° C
(Etching cured film)
The obtained photocurable nanoimprinting composition was diluted with 1-methoxy-2-propanol and spin-coated on a silicon wafer (P-type, one mirror surface, no oxide film) at 3000 rpm for 30 seconds, 110 After drying for 2 minutes at ° C., UV irradiation was performed to obtain a silicon wafer coated with a cured film of a photocurable nanoimprint composition having a thickness of about 1 μm. The silicon wafer coated with the obtained cured film was dry-etched under the same conditions as dry etching with a chlorine gas on a sapphire substrate, and the reduced mass of the cured film over a certain time was measured.

(サファイア選択比の算出)
サファイア基板のみでのサファイア基板の減少質量と光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜の減少質量との比(サファイア基板の減少質量/光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜の減少質量)を算出し、これを光硬化性ナノインプリント用組成物の硬化膜のサファイア選択比とした。サファイア選択比の値が高いほど、光硬化性ナノインプリント用組成物による硬化膜はサファイア基板と比較して、塩素ガスによるエッチングを受け難く、サファイア基板を用いた場合における塩素エッチング耐性が良いことになる。
(Calculation of sapphire selectivity)
Calculate the ratio of the reduced mass of the sapphire substrate to the reduced mass of the cured film of the photocurable nanoimprint composition (the reduced mass of the sapphire substrate / the reduced mass of the cured film of the photocurable nanoimprint composition). This was used as the sapphire selectivity of the cured film of the photocurable nanoimprint composition. The higher the sapphire selectivity value, the harder the cured film of the photocurable nanoimprinting composition is to be less susceptible to etching by chlorine gas than the sapphire substrate, and the better the chlorine etching resistance when using a sapphire substrate. .

実施例1
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール13.6g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてフェニルトリメトシキシラン(東京化成工業(株)製)9.2gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.3g/水1.3g/2N−HCl 0.2gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.0g/水0.6gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物、および(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物の混合物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 1
(Production of hydrolyzate mixture (A))
13.6 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and phenyltrimethoxysilane (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as an organosilicon compound )) 9.2 g was mixed, and while stirring and mixing this mixture, ethanol 4.3 g / water 1.3 g / 2 N-HCl 0.2 g 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. . Further, an ethanol aqueous solution of 1.0 g of ethanol / 0.6 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to mix a hydrolyzate of an organosilicon compound and a hydrolyzate of a (meth) acryl group-containing silicon compound. A hydrolyzate mixture (A) containing was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−LEN−10)5.0g、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−BPEF)5.0gを使用した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As a polymerizable monomer (B) having a (meth) acryl group, hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-LEN-10) 5.0 g, 9,9 5.0 g of -bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPEF) was used.

光重合開始剤(C)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(BASFジャパン(株)製、IRGACURE(登録商標)379 EG)0.2gを使用した。   As a photopolymerization initiator (C), 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (BASF Japan Ltd.) 0.2 g of IRGACURE (registered trademark) 379 EG).

重合禁止剤として、ハイドロキノンモノメチルエーテル0.015g、ブチルヒドロキシトルエン0.002gを使用した。   As the polymerization inhibitor, 0.015 g of hydroquinone monomethyl ether and 0.002 g of butylhydroxytoluene were used.

上記重合性単量体(B)と光重合開始剤(C)と重合禁止剤とを均一に混合し、その混合物を1.0g分取した。該混合物1.0gに、得られた加水分解物混合物(A)4.1gを添加し、室温で15分間攪拌することにより光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。   The polymerizable monomer (B), photopolymerization initiator (C), and polymerization inhibitor were uniformly mixed, and 1.0 g of the mixture was collected. 4.1 g of the obtained hydrolyzate mixture (A) was added to 1.0 g of the mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例2
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール13.6g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)11.0gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.3g/水0.9g/2N−HCl 0.2gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.0g/水0.5gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 2
(Production of hydrolyzate mixture (A))
13.6 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 manufactured by LS-5300) was mixed, and while stirring and mixing the mixture, ethanol 4.3 g / water 0.9 g / 2 N-HCl 0.2 g 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added at room temperature. It was dripped. Further, an ethanol aqueous solution of 1.0 g of ethanol / 0.5 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour, so A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.2gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例3
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の操作を行い、加水分解物混合物(A)を得た。
Example 3
(Production of hydrolyzate mixture (A))
The same operation as in Example 2 was performed to obtain a hydrolyzate mixture (A).

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)1.1gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 1.1 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例4
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の方法で加水分解物混合物(A)を得た。
Example 4
(Production of hydrolyzate mixture (A))
A hydrolyzate mixture (A) was obtained in the same manner as in Example 2.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)10.0gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 10.0 g of the hydrolyzate mixture (A) to the mixture, the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprint composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例5
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール13.6g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)11.0gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.3g/水1.4g/2N−HCl 0.2gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.0g/水0.7gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 5
(Production of hydrolyzate mixture (A))
13.6 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 (manufactured by LS-5300) was mixed, and while stirring this mixture, 4.3 g of ethanol / 1.4 g of water / 2 N-HCl 0.2 g of a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added at room temperature. It was dripped. Further, an ethanol aqueous solution of 1.0 g of ethanol / 0.7 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to obtain a hydrolyzate containing a hydrolyzate of an organosilicon compound and a hydrolyzate of a (meth) acryl group-containing silicon compound. A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)1.2gを添加後、室温で15分間攪拌混合し(?)、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 1.2 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes (?) To obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例6
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例5と同様の方法で加水分解物混合物(A)を得た。
Example 6
(Production of hydrolyzate mixture (A))
A hydrolyzate mixture (A) was obtained in the same manner as in Example 5.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.4gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.4 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例7
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール13.6g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)11.0gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.3g/水0.7g/2N−HCl 0.1gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.0g/水0.4gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 7
(Production of hydrolyzate mixture (A))
13.6 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 (manufactured by LS-5300) was mixed, and while stirring this mixture, 4.3 g of ethanol / 0.7 g of water / 2 N-HCl 0.1 g of a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added at room temperature. It was dripped. Further, an ethanol aqueous solution of 1.0 g of ethanol / 0.4 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to prepare a hydrolyzate containing a hydrolyzate of an organosilicon compound and a hydrolyzate of a (meth) acryl group-containing silicon compound. A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.2gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例8
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール11.8g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)11.0gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール3.7g/水2.7g/2N−HCl 0.5gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.9g/水1.5gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 8
(Production of hydrolyzate mixture (A))
11.8 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 (manufactured by LS-5300) was mixed and the mixture was stirred and mixed. It was dripped. Further, an ethanol aqueous solution of 0.9 g of ethanol / 1.5 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour, so A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.3gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.3 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例9
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の操作を行い、加水分解物混合物(A)を得た。
Example 9
(Production of hydrolyzate mixture (A))
The same operation as in Example 2 was performed to obtain a hydrolyzate mixture (A).

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体として、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレンの代わりにエトキシ化ビスフェノールAジアクリレート(新中村化学(株)製、ABE -300)5.0gを用い、加水分解物混合物(A)4.3gを添加したこと以外は実施例1と同様にして光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In Example 1, as a polymerizable monomer having a (meth) acryl group, ethoxylated bisphenol A diacrylate (Shin Nakamura Chemical Co., Ltd.) was used instead of 9,9-bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene. A photocurable nanoimprinting composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 5.0 g of ABE-300 manufactured by Co., Ltd. was used and 4.3 g of the hydrolyzate mixture (A) was added. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例10
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール13.6g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)5.5g、フェニルトリエトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-4800)5.4gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.2g/水0.9g/2N−HCl 0.2gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.0g/水0.5gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 10
(Production of hydrolyzate mixture (A))
13.6 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 manufactured by LS-5300) and 5.4 g phenyltriethoxysilane (LS-4800 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were mixed, and while stirring and mixing the mixture, 4.2 g ethanol / 0.9 g water / 2N-HCl 0.2 g of a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of 1.0 g of ethanol / 0.5 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour, so A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.2gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例11
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール13.6g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)7.3g、フェニルトリエトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-4800)3.6gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.3g/水0.9g/2N−HCl 0.2gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.0g/水0.5gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 11
(Production of hydrolyzate mixture (A))
13.6 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 (manufactured by LS-5300) and 3.6 g of phenyltriethoxysilane (LS-4800 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were mixed. While stirring and mixing the mixture, 4.3 g of ethanol / 0.9 g / water 2N-HCl 0.2 g of a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of 1.0 g of ethanol / 0.5 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour, so A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.2gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例12
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール8.4g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)5.3g、タングステン(V)エトキシド(Alfa Aesar製)1.6gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール2.6g/水0.6g/2N−HCl 0.1gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.6g/水0.3gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物、(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物および金属アルコキシドの加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 12
(Production of hydrolyzate mixture (A))
8.4 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 (manufactured by LS-5300) and 1.6 g of tungsten (V) ethoxide (manufactured by Alfa Aesar) were mixed. While stirring and mixing the mixture, ethanol 2.6 g / water 0.6 g / 2N-HCl 1 g of a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of ethanol 0.6 g / water 0.3 g was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to hydrolyze an organosilicon compound, a hydrolyzate of a (meth) acryl group-containing silicon compound, and a metal alkoxide. A hydrolyzate mixture (A) containing the hydrolyzate was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.2gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例13
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール8.4g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)1.5g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)5.8g、タングステン(V)エトキシ(Alfa Aesar製)ド0.8gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール2.6g/水0.5g/2N−HCl 0.1の2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.6g/水0.3gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物、(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物および金属アルコキシドの加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 13
(Production of hydrolyzate mixture (A))
8.4 g of ethanol, 1.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 (manufactured by LS-5300) and 0.8 g of tungsten (V) ethoxy (manufactured by Alfa Aesar) were mixed. While stirring and mixing the mixture, ethanol 2.6 g / water 0.5 g / 2N-HCl 0 0.1 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of ethanol 0.6 g / water 0.3 g was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to hydrolyze an organosilicon compound, a hydrolyzate of a (meth) acryl group-containing silicon compound, and a metal alkoxide. A hydrolyzate mixture (A) containing the hydrolyzate was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.9gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表1、2に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.9 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 1 and 2 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例14
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール14.8g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)11.0g、エチルシリケート40(コルコール(株)製 テトラエトキシシランの平均5量体物)1.0gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.6g/水1.1g/2N−HCl 0.1の2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.1g/水0.5gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 14
(Production of hydrolyzate mixture (A))
14.8 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 manufactured by LS-5300) and 1.0 g of ethyl silicate 40 (average pentamer of tetraethoxysilane manufactured by Corcor Co., Ltd.) were mixed and 4.6 g of ethanol / water was stirred and mixed. 1.1 g / 2N-HCl 0.1 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Furthermore, an ethanol aqueous solution of 1.1 g of ethanol / 0.5 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour, so that a hydrolyzate containing a hydrolyzate of an organosilicon compound and a hydrolyzate of a (meth) acrylic group-containing silicon compound was obtained. A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.1gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.1 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例15
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール13.4g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)7.8g、エチルシリケート40(コルコール(株)製 テトラエトキシシランの平均5量体物)2.9gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.2g/水1.1g/2N−HCl 0.2の2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.00g/水0.6gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 15
(Production of hydrolyzate mixture (A))
13.4 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 manufactured by LS-5300) and 2.9 g of ethyl silicate 40 (average pentamer of tetraethoxysilane manufactured by Corcor Co., Ltd.), and while stirring and mixing the mixture, 4.2 g of ethanol / water 1.1 g / 2N-HCl 0.2 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of 1.00 g of ethanol / 0.6 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour. A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)3.8gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 3.8 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例16
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の操作を行い、加水分解物混合物(A)を得た。
Example 16
(Production of hydrolyzate mixture (A))
The same operation as in Example 2 was performed to obtain a hydrolyzate mixture (A).

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)として、ヒドロキシエチル化o−フェニルフェノールアクリレートの量を2.0gにし、更にトリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−DCP)3.0gを添加したものを用い、加水分解物混合物(A)4.2gを添加したこと以外は実施例1と同様にして室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In Example 1, as the polymerizable monomer (B) having a (meth) acrylic group, the amount of hydroxyethylated o-phenylphenol acrylate was adjusted to 2.0 g, and tricyclodecane dimethanol diacrylate (Shin Nakamura Chemical Co., Ltd.). Stirring was performed at room temperature for 15 minutes in the same manner as in Example 1 except that 3.0 g of NK ester A-DCP (produced by Kogyo Co., Ltd.) was added and 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A) was added. By mixing, a photocurable nanoimprinting composition was obtained. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例17
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール24.1g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)21.1gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール7.5g/水1.8g/2N−HCl 0.2gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.8g/水0.9gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 17
(Production of hydrolyzate mixture (A))
24.1 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the (meth) acrylic group-containing silicon compound, diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organosilicon compound LS-5300 (manufactured by LS-5300) was mixed, and while stirring this mixture, 7.5 g of ethanol / 1.8 g of water / 2 N-HCl 0.2 g of a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added at room temperature. It was dripped in. Further, an ethanol aqueous solution of 1.8 g of ethanol / 0.9 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to prepare a hydrolyzate containing a hydrolyzate of an organosilicon compound and a hydrolyzate of a (meth) acryl group-containing silicon compound. A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.3gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.3 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例18
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール3.0g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)0.8gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール1.0g/水0.4g/2N−HCl 0.2gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.0g/水0.2gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Example 18
(Production of hydrolyzate mixture (A))
3.0 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and diphenyldimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organosilicon compound LS-5300 (manufactured by LS-5300) was mixed, and while stirring this mixture, 1.0 g of ethanol / 0.4 g of water / 2 g of 2N HCl 0.2 g of 2N HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added at room temperature. It was dripped in. Further, an ethanol aqueous solution of 1.0 g of ethanol / 0.2 g of water was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour. A decomposition product mixture (A) was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.2gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例19
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の方法で加水分解物混合物(A)を得た。
Example 19
(Production of hydrolyzate mixture (A))
A hydrolyzate mixture (A) was obtained in the same manner as in Example 2.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)としてアクリレート系フルオレン誘導体(大阪ガスケミカル(株)製、オグゾールEA-F5503)10.0gを用い、加水分解物混合物(A)4.2gを添加したこと以外は実施例1と同様にして室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In Example 1, 10.0 g of an acrylate fluorene derivative (Ogsol EA-F5503, manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.) was used as the polymerizable monomer (B) having a (meth) acryl group, and a hydrolyzate mixture ( A) A photocurable nanoimprinting composition was obtained by stirring and mixing at room temperature for 15 minutes in the same manner as in Example 1 except that 4.2 g was added. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例20
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の方法で加水分解物混合物(A)を得た。
Example 20
(Production of hydrolyzate mixture (A))
A hydrolyzate mixture (A) was obtained in the same manner as in Example 2.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)としてアクリレート系フルオレン誘導体(大阪ガスケミカル(株)製、オグゾールEA-F5003)10.0gを用い、加水分解物混合物(A)4.2gを添加したこと以外は実施例1と同様にして室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In Example 1, 10.0 g of an acrylate fluorene derivative (Ogsol EA-F5003, manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.) was used as the polymerizable monomer (B) having a (meth) acryl group, and a hydrolyzate mixture ( A) A photocurable nanoimprinting composition was obtained by stirring and mixing at room temperature for 15 minutes in the same manner as in Example 1 except that 4.2 g was added. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例21
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の方法で加水分解物混合物(A)を得た。
Example 21
(Production of hydrolyzate mixture (A))
A hydrolyzate mixture (A) was obtained in the same manner as in Example 2.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)として、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレンの代わりにアクリレート系フルオレン誘導体(大阪ガスケミカル(株)製、オグゾールEA-F5503)5.0gを用い、加水分解物混合物(A)4.2gを添加したこと以外は実施例1と同様にして室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In Example 1, as a polymerizable monomer (B) having a (meth) acryl group, an acrylate fluorene derivative (Osaka Gas) was used instead of 9,9-bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene. Photocuring was performed by stirring and mixing at room temperature for 15 minutes in the same manner as in Example 1 except that 5.0 g of Ogsol EA-F5503 manufactured by Chemical Co., Ltd. and 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A) were added. A nano-imprinting composition was obtained. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例22
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の方法で加水分解物混合物(A)を得た。
Example 22
(Production of hydrolyzate mixture (A))
A hydrolyzate mixture (A) was obtained in the same manner as in Example 2.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
光重合開始剤(C)として、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン0.05gを用い、加水分解物混合物(A)4.2gを添加したこと以外は実施例1と同様にして、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
As the photopolymerization initiator (C), 0.05 g of 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one was used, A photocurable nanoimprinting composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A) was added. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例23
(加水分解物混合物(A)の製造)
実施例2と同様の方法で加水分解物混合物(A)を得た。
Example 23
(Production of hydrolyzate mixture (A))
A hydrolyzate mixture (A) was obtained in the same manner as in Example 2.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1において、(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)として、ポリエチレングリコール#200ジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−200)5.0g、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−DCP)5.0gを用い、加水分解物混合物(A)4.2gを添加したこと以外は実施例1と同様にして室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
In Example 1, as a polymerizable monomer (B) having a (meth) acryl group, polyethylene glycol # 200 diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-200) 5.0 g, tricyclo Example 1 was used except that 5.0 g of decanedimethanol diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-DCP) was added and 4.2 g of the hydrolyzate mixture (A) was added. The mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

比較例1
(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
加水分解物混合物(A)を添加しなかった以外は実施例1と同様にして、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
Comparative Example 1
(Production of photocurable nanoimprint composition)
A photocurable nanoimprinting composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the hydrolyzate mixture (A) was not added. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

比較例2
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール4.3g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)4.5gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール1.4g/水0.4g/2N−HCl 0.07gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.4g/水0.3gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Comparative Example 2
(Production of hydrolyzate mixture (A))
4.3 g of ethanol and 4.5 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a (meth) acrylic group-containing silicon compound are mixed, and the mixture is stirred and mixed with ethanol 1 0.4 g / water 0.4 g / 2N-HCl 0.07 g of a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of ethanol 0.4 g / water 0.3 g was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to obtain a hydrolyzate mixture (A) containing a hydrolyzate of a (meth) acryl group-containing silicon compound. It was.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.3gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.3 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。塗膜の硬化収縮が大きく、表面に凹凸状の突起が見られたため、サファイア選択比は算出できなかった。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6. The cure shrinkage of the coating film was large, and uneven projections were seen on the surface, so the sapphire selectivity could not be calculated.

比較例3
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール3.1g、有機珪素化合物としてジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業(株)製LS-5300)3.0gとを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール1.0g/水0.2g/2N−HCl 0.03gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール0.2g/水0.1gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Comparative Example 3
(Production of hydrolyzate mixture (A))
3.1 g of ethanol and 3.0 g of diphenyldimethoxysilane (LS-5300 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an organic silicon compound were mixed, and 1.0 g of ethanol / 0.2 g / water of water was stirred and mixed. 2N-HCl 0.03 g of a 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Furthermore, ethanol aqueous solution of ethanol 0.2g / water 0.1g was gradually dripped, and it stirred at room temperature for 1 hour, and obtained the hydrolyzate mixture (A) containing the hydrolyzate of an organosilicon compound.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.4gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.4 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。光硬化性ナノインプリント用組成物は光硬化性が不十分で、パターンの形成が出来なかった。また、光硬化性が不十分なため、サファイア選択比は算出できなかった。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6. The photocurable nanoimprint composition was insufficient in photocurability and could not form a pattern. In addition, the sapphire selectivity could not be calculated due to insufficient photocurability.

比較例4
(加水分解物混合物(A)の製造)
エタノール13.6g、(メタ)アクリル基含有珪素化合物としてトリメトキシシリルトリメチレンアクリレート(信越化学工業(株)製KBM-5103)3.0g、有機珪素化合物としてテトラエトキシシラン(東京化成工業(株)製)9.4gを混合し、この混合物を攪拌混合しながら、エタノール4.3g/水1.2g/2N−HCl 0.2gの2N−HCl/エタノール混合水溶液を室温下、徐々に滴下した。さらに、エタノール1.0g/水0.6gのエタノール水溶液を徐々に滴下し、室温下1時間攪拌し、有機珪素化合物の加水分解物と(メタ)アクリル基含有珪素化合物の加水分解物および金属アルコキシドの加水分解物を含む加水分解物混合物(A)を得た。
Comparative Example 4
(Production of hydrolyzate mixture (A))
13.6 g of ethanol, 3.0 g of trimethoxysilyl trimethylene acrylate (KBM-5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the (meth) acrylic group-containing silicon compound, and tetraethoxysilane (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as the organosilicon compound 9.4 g) was mixed, and while stirring and mixing this mixture, ethanol 4.3 g / water 1.2 g / 2 N-HCl 0.2 g 2N-HCl / ethanol mixed aqueous solution was gradually added dropwise at room temperature. Further, an ethanol aqueous solution of ethanol 1.0 g / water 0.6 g was gradually added dropwise and stirred at room temperature for 1 hour to hydrolyze an organosilicon compound, a hydrolyzate of a (meth) acrylic group-containing silicon compound, and a metal alkoxide. A hydrolyzate mixture (A) containing the hydrolyzate was obtained.

(光硬化性ナノインプリント用組成物の製造)
実施例1で使用したのと同じ種類、同量の重合性単量体(B)、光重合開始剤(C)、および重合禁止剤とを混合した後、同じ量の混合物(1.0g)に前記加水分解物混合物(A)4.1gを添加後、室温で15分間攪拌混合し、光硬化性ナノインプリント用組成物を得た。この光硬化性ナノインプリント用組成物の配合割合を表3、4に示した。
(Production of photocurable nanoimprint composition)
After mixing the same type, the same amount of the polymerizable monomer (B), the photopolymerization initiator (C), and the polymerization inhibitor as used in Example 1, the same amount of the mixture (1.0 g) After adding 4.1 g of the hydrolyzate mixture (A), the mixture was stirred and mixed at room temperature for 15 minutes to obtain a photocurable nanoimprinting composition. Tables 3 and 4 show the blending ratio of the photocurable nanoimprint composition.

得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を用い、ろ過性、硬化膜の基板密着性、転写性、サファイア選択比を評価した。その結果を表5、6に示した。   Using the obtained composition for photo-curable nanoimprint, filterability, substrate adhesion of a cured film, transferability, and sapphire selectivity were evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

実施例24
(表面加工サファイア基板の製造)
実施例2で得られた光硬化性ナノインプリント用組成物を、1−メトキシ−2−プロパノールにて10重量%となるよう希釈した。希釈した光硬化性ナノインプリント用組成物を、サファイア基板(片鏡面、厚さ430μm、表面粗さRa≦0.1nm、面方位C面)上に、3000rpm、30秒間でスピンコートし、110℃において2分間乾燥して、光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜が約100nmの厚みでコーティングしたサファイア基板を得た。
Example 24
(Manufacture of surface processed sapphire substrates)
The photocurable nanoimprinting composition obtained in Example 2 was diluted with 1-methoxy-2-propanol to 10 wt%. The diluted photocurable nanoimprint composition was spin-coated on a sapphire substrate (single mirror surface, thickness 430 μm, surface roughness Ra ≦ 0.1 nm, plane orientation C plane) at 3000 rpm for 30 seconds, and at 110 ° C. It dried for 2 minutes and the sapphire board | substrate with which the coating film of the composition for photocurable nanoimprint was coated with the thickness of about 100 nm was obtained.

直径230nm、深さ200nmのホールパターンの樹脂性モールドを用い、ミカドテクノス(株)製 真空加圧UV硬化装置(VS005−200C−UV)を用い、上記のようにして得られた光硬化性ナノインプリント用組成物の塗膜を有するサファイア基板に、圧力1MPaをかけメタルハライドランプにて光を60秒間照射して、光ナノインプリントを行った。樹脂モールドを剥離し、サファイア基板上にピラーパターンが転写したサンプルを得た。   A photocurable nanoimprint obtained as described above using a resin mold having a hole pattern with a diameter of 230 nm and a depth of 200 nm and a vacuum pressure UV curing apparatus (VS005-200C-UV) manufactured by Mikado Technos Co., Ltd. An optical nanoimprint was performed by applying a pressure of 1 MPa to a sapphire substrate having a coating film of the composition for irradiation and irradiating light with a metal halide lamp for 60 seconds. The resin mold was peeled off to obtain a sample in which the pillar pattern was transferred onto the sapphire substrate.

反応性イオンエッチング装置を用いて、上記サンプルを塩素ガスによるドライエッチング条件にて、転写パターンをマスクとして、サファイア基板のドライエッチングによるサファイア基板の表面加工を行った。得られたサンプルをSEM観察したところ、サファイア基板表面がエッチングされ、表面加工できていることを確認した。   Using a reactive ion etching apparatus, surface treatment of the sapphire substrate was performed by dry etching of the sapphire substrate, using the above sample as a mask under dry etching conditions using chlorine gas. When the obtained sample was observed by SEM, it was confirmed that the surface of the sapphire substrate was etched and the surface was processed.

Figure 0005968041
Figure 0005968041

Figure 0005968041
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Figure 0005968041
Figure 0005968041

Figure 0005968041
Figure 0005968041

Claims (6)

(A)下記式(1)
Figure 0005968041
(式中、
、R同種又は異種の炭素数1〜4のアルキル基であり、
アリール基であり、
アリール基または炭素数1〜4のアルコキシ基であり、
nは1〜10の整数である)で示される有機珪素化合物の加水分解物、および
下記式(2)
Figure 0005968041
(式中、
は、水素原子、またはメチル基であり、
は、炭素数1〜20のアルキレン基または炭素数3〜10のシクロアルキレン基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜4のシクロアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基であり、
は、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数3〜4のシクロアルキル基であり、
lは1〜3の整数であり、mは0〜2の整数であり、kは1〜3の整数であり、
l+m+kは4であり、
、R、R、およびRがそれぞれ、複数存在する場合には、複数のR、R、R、およびRは、それぞれ、同種又は異種の基であってよい)
で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の加水分解物を含む加水分解物混合物、
(B)(メタ)アクリル基を有する重合性単量体、並びに
(C)光重合開始剤
含有し、
前記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)100質量部に対して、
前記式(1)で示される有機珪素化合物10〜400質量部、および前記式(2)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物3〜300質量部を含む加水分解成分混合物を加水分解して得られる加水分解物混合物(A)、並びに
前記光重合開始剤(C)0.1〜10質量部
を含むことを特徴とする光硬化性ナノインプリント用組成物。
(A) The following formula (1)
Figure 0005968041
(Where
R 1 and R 2 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms,
R 3 is an aryl group;
R 4 is an aryl group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms,
n is an integer of 1 to 10) and a hydrolyzate of an organosilicon compound represented by the following formula (2)
Figure 0005968041
(Where
R 5 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 6 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms,
R 7 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 4 carbon atoms,
l is an integer of 1 to 3, m is an integer of 0 to 2, k is an integer of 1 to 3,
l + m + k is 4,
When R 5, R 6, R 7 , and where R 8 each, there are a plurality, the plurality of R 5, R 6, R 7 , and R 8 each may be the same or different groups)
A hydrolyzate mixture containing a hydrolyzate of an organosilicon compound having a (meth) acryl group represented by:
(B) a polymerizable monomer having a (meth) acryl group, and (C) a photopolymerization initiator ,
For 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B) having the (meth) acryl group,
Hydrolyzing a hydrolysis component mixture containing 10 to 400 parts by mass of the organosilicon compound represented by the formula (1) and 3 to 300 parts by mass of the organosilicon compound having a (meth) acryl group represented by the formula (2) Hydrolyzate mixture (A) obtained by
0.1-10 parts by mass of the photopolymerization initiator (C)
The composition for photocurable nanoimprint characterized by including this.
前記加水分解物混合物(A)が、さらに下記式(3)
Figure 0005968041
(式中、
Mは、タングステン、スズ、インジウム、アンチモンまたはハフニウムであり、
は、炭素数1〜10のアルキル基であり、同種又は異種の基であってもよく、
pは、Mがタングステンの場合5であり、Mがスズ、ハフニウムの場合4であり、Mがインジウム、アンチモンの場合3である)
で示される金属アルコキシドの加水分解物を含むことを特徴とする請求項1記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。
The hydrolyzate mixture (A) is further represented by the following formula (3)
Figure 0005968041
(Where
M is tungsten, tin, indium, antimony or hafnium;
R 9 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be the same or different group,
p is 5 when M is tungsten, 4 when M is tin or hafnium, and 3 when M is indium or antimony)
In photocurable composition for imprints of claim 1, characterized in that it comprises a hydrolyzate of a metal alkoxide represented.
前記(メタ)アクリル基を有する重合性単量体(B)100質量部に対して、
前記式(1)で示される有機珪素化合物10〜400質量部、前記式(2)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物3〜300質量部、および前記式(3)で示される金属アルコキシド0.1〜150質量部を含む加水分解成分混合物を加水分解して得られる加水分解物混合物(A)、並びに
前記光重合開始剤(C)0.1〜10質量部
を含むことを特徴とする請求項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。
For 100 parts by mass of the polymerizable monomer (B) having the (meth) acryl group,
10 to 400 parts by weight of an organic silicon compound represented by the formula (1), represented by the formula (2) (meth) organosilicon compound having an acrylic group 3 to 300 parts by weight, and the formula (3) Hydrolyzate mixture (A) obtained by hydrolyzing a hydrolysis component mixture containing 0.1 to 150 parts by mass of metal alkoxide, and
It contains 0.1-10 mass parts of said photoinitiators (C), The composition for photocurable nanoimprints of Claim 2 characterized by the above-mentioned.
前記加水分解物混合物(A)が、前記式(1)で示される有機珪素化合物、および前記式(2)で示される(メタ)アクリル基を有する有機珪素化合物の合計100質量部に対して、前記式(3)で示される金属アルコキシドを0.2〜50質量部含む加水分解成分混合物を加水分解して得られる加水分解物混合物であることを特徴とする請求項に記載の光硬化性ナノインプリント用組成物。 The hydrolyzate mixture (A), an organic silicon compound represented by the formula (1), and the total 100 parts by weight of the formula organosilicon compound having a (meth) acrylic group represented by (2) photocuring of claim 3, characterized in that the above formula (3) hydrolyzate mixture obtained by hydrolysis component mixture is hydrolyzed comprising 0.2 to 50 parts by mass of the metal alkoxide represented by Nanoimprint composition. 請求項1〜のいずれかに記載の光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布し、該組成物からなる塗膜を形成する工程、
パターンが形成された金型パターン形成面と前記塗膜とを接触させ、その状態で光を照射して塗膜を硬化させる工程、
前記金型を、硬化した塗膜から分離して、前記金型のパターン形成面に形成されているパターンに対応するパターンを基板上に形成する工程
を含むことを特徴とするパターンの形成方法。
The process of apply | coating the composition for photocurable nanoimprint in any one of Claims 1-4 on a board | substrate, and forming the coating film which consists of this composition,
A step of bringing the mold pattern forming surface on which the pattern is formed into contact with the coating film and irradiating light in that state to cure the coating film;
A method for forming a pattern, comprising: separating the mold from a cured coating film, and forming a pattern corresponding to a pattern formed on a pattern forming surface of the mold on a substrate.
基板がサファイア基板であって、請求項記載のパターンの形成方法により基板上に形成したパターンをマスクとして、基板表面を塩素系ガスによりドライエッチングして加工することを特徴とする表面加工サファイア基板の製造方法。 6. A surface-processed sapphire substrate, characterized in that the substrate surface is a sapphire substrate, and the substrate surface is processed by dry etching with a chlorine-based gas using the pattern formed on the substrate by the pattern forming method according to claim 5 as a mask. Manufacturing method.
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