JP6124981B2 - Substrate processing method and substrate processing system - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェーハ等の基板に処理液を供給して当該基板を処理する基板処理方法及びその方法に従って前記基板を処理する基板処理システムに関する。   The present invention relates to a substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer and a substrate processing system for processing the substrate according to the method.

従来、特許文献１に開示されるような基板表面処理装置が知られている。この基板処理装置では、半導体等の基板を処理する処理装置（スピンナ）に処理液が供給され、その処理廃液が回収されて当該基板の処理に再利用される構成となっている。そして、回収された処理廃液の液中の成分濃度の変化に応じて新たな処理液を補給している。例えば、臭化水素酸を含むエッチング処理液を処理液として用いる場合、処理廃液中の臭化水素酸濃度が減少したことを導電率計により検出して、その処理廃液よりも臭化水素酸濃度の高いエッチング処理液の原液が補給される。また、エッチングにより溶解した物質、例えば、溶解インジウム濃度が増大したことを吸光光度計により検出して、インジウムが含まれていないエッチング処理液の原液が補給される。   Conventionally, a substrate surface processing apparatus as disclosed in Patent Document 1 is known. In this substrate processing apparatus, a processing liquid is supplied to a processing apparatus (spinner) for processing a substrate such as a semiconductor, and the processing waste liquid is collected and reused for processing the substrate. And the new process liquid is replenished according to the change of the component density | concentration in the liquid of the collect | recovered process waste liquid. For example, when an etching treatment liquid containing hydrobromic acid is used as the treatment liquid, the decrease in the hydrobromic acid concentration in the treatment waste liquid is detected by a conductivity meter, and the hydrobromic acid concentration is higher than that in the treatment waste liquid. A stock solution of a high etching treatment solution is replenished. In addition, a substance dissolved by etching, for example, an increase in the concentration of dissolved indium is detected by an absorptiometer, and a stock solution of an etching treatment solution that does not contain indium is supplied.

このような基板表面処理装置によれば、回収した処理廃液中の成分濃度の変化に応じて処理液の原液が補給されるようになるので、基板の処理に処理液を繰り返し利用しても、ある程度その性能を維持することができるようになる。   According to such a substrate surface treatment apparatus, since the stock solution of the treatment liquid is replenished according to the change in the component concentration in the collected treatment waste liquid, even if the treatment liquid is repeatedly used for the treatment of the substrate, The performance can be maintained to some extent.

特開２０００−３３８６８４号公報JP 2000-338684 A

前述した従来の基板表面処理装置では、エッチング処理に繰り返し利用されたエッチング処理液に溶解している基板成分の濃度が高くなったときに、当該エッチング処理液の原液を補給することによりエッチング処理液中の溶解物質（基板成分）の濃度を相対的に低下させている。しかしながら、例えば、グラインダーやCMP（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）に代えてエッチング処理だけで基板を薄化させる場合等、エッチング処理液中に多量の基板成分が出てしまう場合、エッチング処理液の原液の補給だけでは、エッチング処理液の有効な回収再利用が難しい。   In the conventional substrate surface processing apparatus described above, when the concentration of the substrate component dissolved in the etching processing solution repeatedly used for the etching processing becomes high, the etching processing solution is supplied by replenishing the stock solution of the etching processing solution. The concentration of dissolved substance (substrate component) is relatively lowered. However, for example, when a large amount of substrate components are produced in the etching solution, such as when the substrate is thinned only by etching instead of a grinder or CMP (Chemical Mechanical Polishing), the etching solution It is difficult to effectively recover and reuse the etching solution only by replenishing the stock solution.

本発明は、エッチング処理液の有効な回収再利用が可能となる基板処理方法及び基板処理システムを提供するものである。 The present invention provides a substrate processing method and a substrate processing system that enable effective recovery and reuse of an etching processing solution .

本発明に係る基板処理方法は、
基板処理機構において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理機構において前記基板の処理に用いられた使用後処理液を回収する処理液回収ステップと、
回収された前記使用後処理液を前記基板処理機構に新たな処理液として戻す処理液戻しステップと、
回収された前記使用後処理液が、前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにおいて有効と判定されたことを条件に、回収された前記使用後処理液に処理液の一または複数の成分を追加して前記使用後処理液の成分濃度を調整する処理液濃度調整ステップとを有し、
前記判定ステップにおいて有効でないと判定されたときに、前記使用後処理液中に溶解している前記基板の成分を除去する基板成分除去ステップを有することを特徴とする。 The substrate processing method according to the present invention comprises:
A substrate processing method for processing a substrate using a processing liquid in a substrate processing mechanism,
A processing liquid recovery step of recovering a post-use processing liquid used for processing the substrate in the substrate processing mechanism;
A treatment liquid return step for returning the recovered post-use treatment liquid to the substrate processing mechanism as a new treatment liquid;
A determination step of determining whether the recovered post-use processing liquid is effective as a processing liquid for processing the substrate;
Treatment liquid concentration adjustment that adjusts the component concentration of the post-use treatment liquid by adding one or more components of the treatment liquid to the collected post-use treatment liquid on the condition that it is judged to be effective in the judgment step And having steps
A substrate component removing step of removing a component of the substrate dissolved in the post-use processing solution when it is determined that the determination step is not effective .

本発明に係る基板処理システムは、
処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
前記基板処理機構において前記基板の処理に用いられた使用後処理液を回収する処理液回収機構と、
回収された前記使用後処理液を前記基板処理機構に新たな処理液として戻す処理液戻し機構と、
回収された前記使用後処理液が、前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段において有効と判定されたことを条件に、回収された前記使用後処理液に処理液の一又は複数の成分を追加して前記使用後処理液の成分濃度を調整する処理液濃度調整手段とを有し、
前記判定手段において有効でないと判定されたときに、前記使用後処理液中に溶解している前記基板の成分を除去する基板成分除去機構を有することを特徴とする。 A substrate processing system according to the present invention includes:
A substrate processing mechanism for processing a substrate using a processing liquid;
A processing liquid recovery mechanism for recovering a post-use processing liquid used for processing the substrate in the substrate processing mechanism;
A treatment liquid return mechanism for returning the collected post-use treatment liquid to the substrate treatment mechanism as a new treatment liquid;
Determination means for determining whether the recovered post-use processing liquid is effective as a processing liquid for processing the substrate;
Treatment liquid concentration adjustment that adjusts the component concentration of the post-use treatment liquid by adding one or more components of the treatment liquid to the collected post-use treatment liquid on the condition that the judgment means determines that it is effective Means ,
It has a substrate component removal mechanism for removing the component of the substrate dissolved in the post-use processing liquid when it is determined that the determination means is not effective .

本発明に係る基板処理方法及び基板処理システムによれば、エッチング処理液の有効な回収再利用が可能となる。 According to the substrate processing method and the substrate processing system according to the present invention, it is possible to effectively recover and reuse the etching processing solution .

本発明の実施の一形態に係る基板処理システムの基本的な構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a basic configuration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの詳細な構成例を示す配管経路図である。FIG. 2 is a piping route diagram showing a detailed configuration example of a processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにてなされるエッチング処理の手順（その１）を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure (the 1) of the etching process performed with the substrate processing system shown in FIG. 図１に示す基板処理システムでなされるエッチング処理の手順（その２）を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure (the 2) of the etching process performed with the substrate processing system shown in FIG. 図１に示す基板処理システムでなされるエッチング処理の手順（その３）を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure (the 3) of the etching process performed with the substrate processing system shown in FIG. 図１に示す基板処理システムでなされるエッチング処理におけるシリコン除去に係る処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the process which concerns on the silicon removal in the etching process made with the substrate processing system shown in FIG. 図１に示す基板処理システムでなされるエッチング処理における電極シリコン除去に係る処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the process which concerns on the electrode silicon removal in the etching process made with the substrate processing system shown in FIG. 図１に示す基板処理システムでなされるエッチング処理の手順（その４）を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure (the 4) of the etching process performed with the substrate processing system shown in FIG. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１）を示す動作状態図である。FIG. 2 is an operation state diagram showing an operation state (No. 1) of a processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その２）を示す動作状態図である。FIG. 6 is an operation state diagram showing an operation state (No. 2) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その３）を示す動作状態図である。FIG. 6 is an operation state diagram showing an operation state (No. 3) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その４）を示す動作状態図である。FIG. 6 is an operation state diagram showing an operation state (No. 4) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その５）を示す動作状態図である。FIG. 7 is an operation state diagram showing an operation state (No. 5) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その６）を示す動作状態図である。FIG. 10 is an operation state diagram showing an operation state (No. 6) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その７）を示す動作状態図である。FIG. 8 is an operation state diagram showing an operation state (No. 7) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その８）を示す動作状態図である。FIG. 8 is an operation state diagram showing an operation state (No. 8) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その９）を示す動作状態図である。FIG. 10 is an operation state diagram showing an operation state (No. 9) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１０）を示す動作状態図である。FIG. 10 is an operation state diagram showing an operation state (No. 10) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１１）を示す動作状態図である。FIG. 12 is an operation state diagram showing an operation state (No. 11) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１２）を示す動作状態図である。FIG. 12 is an operation state diagram showing an operation state (No. 12) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１３）を示す動作状態図である。FIG. 14 is an operation state diagram showing an operation state (No. 13) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１４）を示す動作状態図である。FIG. 14 is an operation state diagram showing an operation state (No. 14) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１５）を示す動作状態図である。FIG. 17 is an operation state diagram showing an operation state (No. 15) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１６）を示す動作状態図である。FIG. 16 is an operation state diagram showing an operation state (No. 16) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１７）を示す動作状態図である。FIG. 18 is an operation state diagram showing an operation state (No. 17) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１８）を示す動作状態図である。FIG. 22 is an operation state diagram showing an operation state (No. 18) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その１９）を示す動作状態図である。FIG. 22 is an operation state diagram showing an operation state (No. 19) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その２０）を示す動作状態図である。FIG. 21 is an operation state diagram showing an operation state (No. 20) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その２１）を示す動作状態図である。FIG. 22 is an operation state diagram showing an operation state (No. 21) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1. 図１に示す基板処理システムにおける処理液供給ユニットの動作状態（その２２）を示す動作状態図である。FIG. 22 is an operation state diagram showing an operation state (No. 22) of the processing liquid supply unit in the substrate processing system shown in FIG. 1.

本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明の実施の一形態に係る基板処理システムは、図１に示すように構成される。この基板処理システムは、シリコン製半導体ウェーハ（シリコン製基板）のエッチング処理を行う。   A substrate processing system according to an embodiment of the present invention is configured as shown in FIG. This substrate processing system performs an etching process on a silicon semiconductor wafer (silicon substrate).

図１において、この基板処理システムは、スピン処理装置１０（基板処理機構）、処理液供給ユニット２０、処理液回収機構３０及び制御ユニット４０を有している。スピン処理装置１０は、カップ体１１内でシリコン製半導体ウェーハ（以下、単にシリコンウェーハという）Ｗを支持するウェーハチャック１３がモータ１２によって回転する構造となっている。そして、後述するように処理液供給ユニット２０から供給されるエッチング処理液がシリコンウェーハＷの上方に配置されたノズル１４から当該シリコンウェーハＷに供給される。このエッチング処理液によってウェーハチャック１３の回転により回転するシリコンウェーハＷの表面のエッチング処理がなされる。   In FIG. 1, the substrate processing system includes a spin processing apparatus 10 (substrate processing mechanism), a processing liquid supply unit 20, a processing liquid recovery mechanism 30, and a control unit 40. The spin processing apparatus 10 has a structure in which a wafer chuck 13 that supports a silicon semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a silicon wafer) W in a cup body 11 is rotated by a motor 12. Then, as will be described later, the etching processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 20 is supplied to the silicon wafer W from the nozzle 14 disposed above the silicon wafer W. The etching process liquid etches the surface of the silicon wafer W rotated by the rotation of the wafer chuck 13.

処理液回収機構３０は、スピン処理装置１０から排出される使用後のエッチング処理液（廃液）を回収して処理液供給ユニット２０に供給する機構であって、スピン処理装置１０のカップ体１１から排出される使用後のエッチング処理液を貯めるドレインタンク３１と、ドレインタンク３１に溜まった使用後のエッチング処理液を処理液供給ユニット２０に供給するポンプ３２とを有している。制御ユニット４０は、スピン処理装置１０のモータ１２、処理液回収機構３０のポンプ３２及び処理液供給ユニット２０における各種弁及びポンプ（詳細な構成については後述する）の駆動制御を行う。   The processing liquid recovery mechanism 30 is a mechanism that recovers the used etching processing liquid (waste liquid) discharged from the spin processing apparatus 10 and supplies it to the processing liquid supply unit 20, from the cup body 11 of the spin processing apparatus 10. It has a drain tank 31 for storing the used etching processing liquid discharged and a pump 32 for supplying the used etching processing liquid stored in the drain tank 31 to the processing liquid supply unit 20. The control unit 40 controls the drive of the motor 12 of the spin processing apparatus 10, the pump 32 of the processing liquid recovery mechanism 30, and various valves and pumps (details of which will be described later) in the processing liquid supply unit 20.

処理液供給ユニット２０は、図２に示すように構成される。   The processing liquid supply unit 20 is configured as shown in FIG.

図２において、処理液供給ユニット２０は、回収タンク２１、第１供給タンク２２、第２供給タンク２３、及びシリコン除去タンク２４を有している。回収タンク２１には前述した処理液回収機構３０（図１参照）によってスピン処理装置１０から回収された使用後のエッチング処理液が流入し（ＩＮ）、その使用後のエッチング処理液が回収タンク２１に貯められる。回収タンク２１は、第１供給タンク２２及び第２供給タンク２３に送通管によって並列的に結合されており、ポンプＰ１の動作によって、回収タンク２１に貯められた使用後のエッチング処理液を、調節弁Ｖｃ１を通して第１供給タンク２２に、調節弁Ｖｃ２を通して第２供給タンク２３にそれぞれ供給することができる。   In FIG. 2, the processing liquid supply unit 20 includes a recovery tank 21, a first supply tank 22, a second supply tank 23, and a silicon removal tank 24. The used etching processing liquid recovered from the spin processing apparatus 10 by the processing liquid recovery mechanism 30 (see FIG. 1) flows into the recovery tank 21 (IN), and the used etching processing liquid flows into the recovery tank 21. Can be stored. The recovery tank 21 is connected in parallel to the first supply tank 22 and the second supply tank 23 by a feed pipe. By the operation of the pump P1, the used etching treatment liquid stored in the recovery tank 21 is changed. It can be supplied to the first supply tank 22 through the control valve Vc1 and to the second supply tank 23 through the control valve Vc2.

第１供給タンク２２には、薬液供給ユニット（図示略）が送通管群によって結合されており、薬液供給ユニットから調節弁群ＳＶｃ１を通して、エッチング処理液を調合するための各薬液であるフッ酸（HF）、硝酸（HNO3）、酢酸（CH3COOH）及び純水（H2O）のそれぞれを第１供給タンク２２に供給することができる。第２供給タンク２３にもまた、前記薬液供給ユニットが送通管群によって結合されており、前記薬液供給ユニットから調節弁群ＳＶｃ２を通して前記各薬液を第２供給タンク２３に供給することができる。   A chemical solution supply unit (not shown) is coupled to the first supply tank 22 by a delivery tube group, and hydrofluoric acid as each chemical solution for preparing an etching treatment solution from the chemical solution supply unit through the control valve group SVc1. Each of (HF), nitric acid (HNO3), acetic acid (CH3COOH) and pure water (H2O) can be supplied to the first supply tank 22. The chemical supply unit is also coupled to the second supply tank 23 by a delivery pipe group, and the chemicals can be supplied from the chemical supply unit to the second supply tank 23 through the control valve group SVc2.

第１供給タンク２２は、送通管によってスピン処理装置１０（図１参照）に結合しており、ポンプＰ３の動作により、第１供給タンク２２内のエッチング処理液を、調節弁Ｖｃ３を通してスピン処理装置１０（ノズル１４）に供給すること（ＯＵＴ）ができる。また、第２供給タンク２３も、送通管によってスピン処理装置１０（図１参照）に結合しており、ポンプＰ３の動作により、第２供給タンク２３内のエッチング処理液を、調節弁Ｖｃ４を通してスピン処理装置１０（ノズル１４）に供給すること（ＯＵＴ）ができる。   The first supply tank 22 is coupled to the spin processing apparatus 10 (see FIG. 1) by a feed pipe, and the etching process liquid in the first supply tank 22 is spun through the control valve Vc3 by the operation of the pump P3. It can be supplied (OUT) to the device 10 (nozzle 14). Further, the second supply tank 23 is also coupled to the spin processing apparatus 10 (see FIG. 1) by a feed pipe, and the etching processing liquid in the second supply tank 23 is passed through the control valve Vc4 by the operation of the pump P3. It can be supplied (OUT) to the spin processing apparatus 10 (nozzle 14).

更に、第１供給タンク２２は、送通管によってシリコン除去タンク２４に結合しており、ポンプＰ４の動作によって、第１供給タンク２２内のエッチング処理液を、開閉弁Ｖ１、Ｖ３を通してシリコン除去タンク２４に移送することができる。また、第２供給タンク２３も、送通管によってシリコン除去タンク２４に結合しており、ポンプＰ４の動作によって、第２供給タンク２３内のエッチング処理液を、開閉弁Ｖ２、Ｖ３を通してシリコン除去タンク２４に移送することができる。   Further, the first supply tank 22 is coupled to the silicon removal tank 24 by a feed pipe, and the etching treatment liquid in the first supply tank 22 is passed through the on-off valves V1 and V3 by the operation of the pump P4. 24. The second supply tank 23 is also connected to the silicon removal tank 24 by a transmission pipe, and the etching processing liquid in the second supply tank 23 is passed through the on-off valves V2 and V3 by the operation of the pump P4. 24.

シリコン除去タンク２４内には、エッチング処理液を電気分解する際に用いられる電極２５ａ、２５ｂが配置されている。そして、シリコン除去タンク２４は、送通管によって第１供給タンク２２及び第２供給タンク２３と並列的に結合されており、ポンプＰ２の動作によって、シリコン除去タンク２４内のシリコン除去済みのエッチング処理液を、調節弁Ｖｃ５を通して第１供給タンク２２に、調節弁Ｖｃ６を通して第２供給タンク２３にそれぞれ供給することができる。また、シリコン除去タンク２４には、前記薬液供給ユニット（図示略）が送通管群ＳＶｃ３によって結合されており、前記薬液供給ユニットから調節弁群ＳＶｃ３を通して、エッチング処理液を調合するための各薬液であるフッ酸（HF）、硝酸（HNO3）、酢酸（CH3COOH）及び純水（H2O）のそれぞれをシリコン除去タンク２４に供給することができる。また、シリコン除去タンク２４内のエッチング処理液は、ポンプＰ２の動作によって、調節弁Ｖｃ７を通して循環させることができる。   In the silicon removal tank 24, electrodes 25a and 25b used for electrolyzing the etching solution are disposed. The silicon removal tank 24 is connected in parallel with the first supply tank 22 and the second supply tank 23 by a transmission pipe, and the etching process in which the silicon is removed in the silicon removal tank 24 by the operation of the pump P2. The liquid can be supplied to the first supply tank 22 through the control valve Vc5 and to the second supply tank 23 through the control valve Vc6. Further, the chemical solution supply unit (not shown) is coupled to the silicon removal tank 24 by a delivery tube group SVc3, and each chemical solution for preparing an etching treatment solution from the chemical solution supply unit through the control valve group SVc3. Each of hydrofluoric acid (HF), nitric acid (HNO3), acetic acid (CH3COOH), and pure water (H2O) can be supplied to the silicon removal tank 24. Further, the etching processing liquid in the silicon removal tank 24 can be circulated through the control valve Vc7 by the operation of the pump P2.

第１供給タンク２２内のエッチング処理液は、ポンプＰ４の動作によって、開閉弁Ｖ１、Ｖ５を通して排出でき（Drain）、第２供給タンク２３内のエッチング処理液も、ポンプＰ４の動作によって、開閉弁Ｖ２、Ｖ５を通して排出（Drain）できる。また、回収タンク２１には調節弁Ｖｃ８を通して希釈用の水（純水）を供給することができ、回収タンク２１に貯められた使用後のエッチング処理液を、開閉弁Ｖ６を通して排出（Drain）することができる。更に、シリコン除去タンク２４に貯められた処理液は、開閉弁Ｖ４を通して排出（Drain）することができる。   The etching solution in the first supply tank 22 can be drained through the on-off valves V1 and V5 by the operation of the pump P4 (Drain), and the etching solution in the second supply tank 23 can also be discharged by the operation of the pump P4. Draining is possible through V2 and V5. Further, dilution water (pure water) can be supplied to the recovery tank 21 through the control valve Vc8, and the used etching solution stored in the recovery tank 21 is drained through the on-off valve V6. be able to. Further, the processing liquid stored in the silicon removal tank 24 can be drained through the on-off valve V4.

制御ユニット４０は、回収タンク２１、第１供給タンク２２、第２供給タンク２３及びシリコン除去タンク２４に貯められているエッチング処理液の量を、センサ（図示略）等により監視することができる。そして、制御ユニット４０は、各タンク２１〜２４に貯められているエッチング処理液の量に関する情報や、スピン処理装置１０での処理時間及びエッチング処理したシリコンウェーハＷの枚数等の処理に係る情報に基づいて、スピン処理装置１０における駆動モータ１２及び処理液回収機構３０におけるポンプ３２の駆動制御、処理液供給ユニット２０における各ポンプＰ１〜Ｐ４の駆動制御、各開閉弁Ｖ１〜Ｖ６の開閉制御、各調節弁Ｖｃ１〜Ｖｃ８及び各調節弁群ＳＶｃ１〜ＳＶｃ３の開度調整制御、及びシリコン除去タンク２４における電極２５ａ、２５ｂを用いた電気分解の制御を行う。   The control unit 40 can monitor the amount of the etching processing liquid stored in the recovery tank 21, the first supply tank 22, the second supply tank 23, and the silicon removal tank 24 by a sensor (not shown) or the like. Then, the control unit 40 includes information on the amount of the etching processing solution stored in each of the tanks 21 to 24 and information on processing such as the processing time in the spin processing apparatus 10 and the number of etched silicon wafers W. Based on the drive motor 12 in the spin processing device 10 and the drive control of the pump 32 in the processing liquid recovery mechanism 30, the drive control of the pumps P1 to P4 in the processing liquid supply unit 20, the open / close control of the on-off valves V1 to V6, The opening adjustment control of the control valves Vc1 to Vc8 and the control valve groups SVc1 to SVc3 and the electrolysis control using the electrodes 25a and 25b in the silicon removal tank 24 are performed.

以下、前述した構成の基板処理システムにおいてなされるシリコンウェーハＷのエッチング処理について説明する。   Hereinafter, the etching process of the silicon wafer W performed in the substrate processing system having the above-described configuration will be described.

制御ユニット４０の制御のもと、処理液供給ユニット２０は、図３〜図８に示す手順に従って動作する。   Under the control of the control unit 40, the processing liquid supply unit 20 operates according to the procedure shown in FIGS.

図３において、薬液供給ユニットから、フッ酸（HF）、硝酸（HNO3）、酢酸（CH3COOH）及び純水（H2O）の各薬液が、図９の太線で示すように、調節弁群ＳＶｃ１を通して流量が調節されつつ第１供給タンク２２に供給され、調節弁群ＳＶｃ２を通して流量が調節されつつ第２供給タンク２３に供給される。そして、第１供給タンク２２及び第２供給タンク２３のそれぞれにおいて、フッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）が酢酸（CH3COOH）及び純水（H2O）により希釈され、フッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）の濃度が所定値に調整された新たなエッチング処理液が生成される（Ｓ１１）。その後、調節弁群ＳＶｃ１及びＳＶｃ２が閉鎖されて、各薬液の供給の止められた第１供給タンク２２及び第２供給タンク２３のそれぞれにおいて、図１０に示すように、エッチング処理液が所定温度に調整されつつ循環され（Ｓ１２）、エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。   In FIG. 3, each chemical solution of hydrofluoric acid (HF), nitric acid (HNO3), acetic acid (CH3COOH) and pure water (H2O) flows from the chemical solution supply unit through the control valve group SVc1 as shown by the thick line in FIG. Is supplied to the first supply tank 22 while being adjusted, and is supplied to the second supply tank 23 while adjusting the flow rate through the adjustment valve group SVc2. Then, in each of the first supply tank 22 and the second supply tank 23, hydrofluoric acid (HF) and nitric acid (HNO3) are diluted with acetic acid (CH3COOH) and pure water (H2O) to obtain hydrofluoric acid (HF) and nitric acid ( A new etching process liquid in which the concentration of HNO3) is adjusted to a predetermined value is generated (S11). Thereafter, the control valve groups SVc1 and SVc2 are closed, and the etching treatment liquid is brought to a predetermined temperature in each of the first supply tank 22 and the second supply tank 23 in which the supply of each chemical liquid is stopped, as shown in FIG. It is circulated while being adjusted (S12), and the concentration of the etching treatment liquid is made uniform.

上記のようにして第１供給タンク２２及び第２供給タンク２３において濃度が均一化されたたエッチング処理液が貯められると、処理液供給ユニット２０（図１参照）からスピン処理装置１０にエッチング処理液が供給されて（Ｓ１３）、スピン処理装置１０では、供給されるエッチング処理液によってシリコンウェーハＷのエッチング処理がなされる。エッチング処理液のスピン処理装置１０への供給は、具体的に、次のようになされる。   When the etching process liquid having a uniform concentration is stored in the first supply tank 22 and the second supply tank 23 as described above, an etching process is performed from the process liquid supply unit 20 (see FIG. 1) to the spin processing apparatus 10. The liquid is supplied (S13), and in the spin processing apparatus 10, the silicon wafer W is etched by the supplied etching processing liquid. Specifically, the etching process liquid is supplied to the spin processing apparatus 10 as follows.

調節弁Ｖｃ３が所定の開度に制御された状態でポンプＰ３が動作し、図１１の太線で示すように、第１供給タンク２２から調節弁Ｖｃ３の開度に応じた流量にてエッチング処理液がスピン処理装置１０（ＳＰＭ）に供給される（Ｓ１３１）。スピン処理装置１０では、処理液供給ユニット２０（第１供給タンク２２）から供給されるエッチング処理液がノズル１４から回転するシリコンウェーハＷに吹きかけられ、エッチング処理液（フッ酸HF、硝酸HNO3を含む）がシリコンウェーハＷ（Si）と反応し、シリコンウェーハＷの表面が順次エッチングされる。スピン処理装置１０でのエッチング処理の過程で使用されるエッチング処理液には、シリコン（Si）が溶解する（H2SiF6の状態）。   The pump P3 operates in a state where the control valve Vc3 is controlled to a predetermined opening, and as shown by a thick line in FIG. 11, the etching processing liquid is flowed from the first supply tank 22 at a flow rate corresponding to the opening of the control valve Vc3. Is supplied to the spin processing apparatus 10 (SPM) (S131). In the spin processing apparatus 10, the etching processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 20 (first supply tank 22) is sprayed on the rotating silicon wafer W from the nozzle 14, and includes the etching processing liquid (hydrofluoric acid HF, nitric acid HNO 3). ) Reacts with the silicon wafer W (Si), and the surface of the silicon wafer W is sequentially etched. Silicon (Si) is dissolved in the etching solution used in the course of the etching process in the spin processing apparatus 10 (state of H2SiF6).

スピン処理装置１０においてシリコンウェーハＷのエッチング処理がなされている過程で排出されるシリコン（Si）の溶解したエッチング処理液は、処理液回収機構３０（図１参照）によって回収されて処理液供給ユニット２０における回収タンク２１に貯められる（処理液回収ステップ）。そして、図１２の太線で示すように、回収タンク２１から使用後のエッチング処理液が、ポンプＰ１の動作により、調節弁Ｖｃ１の開度に応じた流量にて第１供給タンク２２に供給される（Ｓ１３２）。更に、第１供給タンク２２からポンプＰ３の動作によって調節弁Ｖｃ３の開度に応じた流量にて使用後のエッチング処理液がスピン処理装置１０に戻される（処理液戻しステップ、処理液戻し機構）。以後、図３に示すステップＳ１３（ステップ１３１及びステップ１３２）の動作が継続して行われることにより（図１２に示す状態）、第１供給タンク２２からエッチング処理液がスピン処理装置１０に供給されつつ、スピン処理装置１０から回収される使用後のエッチング処理液が回収タンク２１を介して第１供給タンク２２に戻される状態が継続される。   The silicon (Si) -dissolved etching processing liquid discharged during the etching process of the silicon wafer W in the spin processing apparatus 10 is recovered by the processing liquid recovery mechanism 30 (see FIG. 1) and processed into a processing liquid supply unit. 20 is stored in the recovery tank 21 (processing liquid recovery step). Then, as shown by the thick line in FIG. 12, the used etching treatment liquid is supplied from the recovery tank 21 to the first supply tank 22 at a flow rate corresponding to the opening of the control valve Vc1 by the operation of the pump P1. (S132). Further, the used etching processing liquid is returned from the first supply tank 22 to the spin processing apparatus 10 at a flow rate corresponding to the opening of the control valve Vc3 by the operation of the pump P3 (processing liquid return step, processing liquid return mechanism). . Thereafter, the operation of step S13 (step 131 and step 132) shown in FIG. 3 is continuously performed (state shown in FIG. 12), so that the etching processing liquid is supplied from the first supply tank 22 to the spin processing apparatus 10. Meanwhile, the state where the used etching processing liquid recovered from the spin processing apparatus 10 is returned to the first supply tank 22 via the recovery tank 21 is continued.

前述したようにスピン処理装置１０と処理液供給ユニット２０とをエッチング処理液が循環している状態でスピン処理装置１０においてシリコンウェーハＷのエッチング処理がなされている間、制御ユニット４０は、処理液供給ユニット２０におけるポンプＰ１、Ｐ３及び調節弁Ｖｃ１、Ｖｃ３の駆動制御（図１２参照）等を行いつつ、それと並行して、図４に示す手順に従って処理を行っている。   As described above, while the etching processing liquid is circulating between the spin processing apparatus 10 and the processing liquid supply unit 20, while the silicon wafer W is being etched in the spin processing apparatus 10, the control unit 40 While performing drive control (see FIG. 12) of the pumps P1 and P3 and the control valves Vc1 and Vc3 in the supply unit 20, processing is performed in accordance with the procedure shown in FIG.

図４において、制御ユニット４０は、スピン処理装置１０でのエッチング処理が終了したか否か（Ｓ２１）、スピン処理装置１０での処理時間、シリコンウェーハＷの処理枚数等に基づいて前述したように循環して利用されるエッチング処理液のライフタイムが満了したか否か、即ち、利用されるエッチング処理液がシリコンウェーハＷを処理するエッチング処理液として有効であるか否か（Ｓ２２：判定手段、判定ステップ）、また、スピン処理装置１０でのシリコンウェーハＷの処理枚数及び処理時間等に基づいて利用されるエッチング処理液のエッチングレートの低下を補償すべきタイミングであるか否か（Ｓ２３）を繰り返し判定している。その過程で、エッチングレートの低下を補償すべきタイミングであると判定すると（Ｓ２３でＹＥＳ）、制御ユニット４０は、更に、現在エッチング処理液を供給しているのが第１供給タンク２２及び第２供給タンク２３のいずれであるかを判定する（Ｓ２４）。   In FIG. 4, the control unit 40, as described above, based on whether or not the etching process in the spin processing apparatus 10 is completed (S21), the processing time in the spin processing apparatus 10, the number of processed silicon wafers W, and the like. It is determined whether or not the lifetime of the etching processing solution used in circulation has expired, that is, whether or not the used etching processing solution is effective as an etching processing solution for processing the silicon wafer W (S22: determination means, (Determination step), and whether or not it is time to compensate for a decrease in the etching rate of the etching processing solution used based on the number of processed silicon wafers W and the processing time in the spin processing apparatus 10 (S23). Judgment is repeated. In the process, if it is determined that it is time to compensate for the decrease in the etching rate (YES in S23), the control unit 40 further supplies the etching solution at the first supply tank 22 and the second supply. It is determined which of the supply tanks 23 (S24).

ここで、第１供給タンク２２からエッチング処理液が供給されていると判定すると（Ｓ２４において第１供給タンク）、制御ユニット４０は、エッチングレートの低下を補償するための量のフッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）と、エッチング処理液の回収率が１００％より低いことを起因したエッチング処理液の目減り分を補償するための量のエッチング処理液（HF、HNO3、CH3COOH、H2O）とを第１供給タンク２２に供給するように、調節弁群ＳＶｃ１の開度及び駆動制御を行う（Ｓ２５）。これにより、処理液供給ユニット２０では、図１３の太線で示すように、スピン処理装置１０から回収される使用後のエッチング処理液が回収タンク２１から第１供給タンク２２に供給されつつ、第１供給タンク２２からエッチング処理液がスピン処理装置１０に供給される状態において、薬液供給ユニットから各薬液（HF、HNO3、CH3COOH、H2O）が、制御される調節弁群ＳＶｃ１を通して、前記エッチングレート低下を補償し、また、前記エッチング処理液の目減り分を補償する量だけ前記第１供給タンク２２に供給される。   Here, if it is determined that the etching solution is supplied from the first supply tank 22 (first supply tank in S24), the control unit 40 uses an amount of hydrofluoric acid (HF) to compensate for the decrease in the etching rate. And nitric acid (HNO3) and an amount of the etching treatment solution (HF, HNO3, CH3COOH, H2O) to compensate for the loss of the etching treatment solution due to the recovery rate of the etching treatment solution being lower than 100%. The opening degree and drive control of the regulating valve group SVc1 are performed so as to be supplied to the one supply tank 22 (S25). As a result, in the processing liquid supply unit 20, as shown by the thick line in FIG. 13, the used etching processing liquid recovered from the spin processing apparatus 10 is supplied from the recovery tank 21 to the first supply tank 22, In a state where the etching processing liquid is supplied from the supply tank 22 to the spin processing apparatus 10, each of the chemical liquids (HF, HNO3, CH3COOH, H2O) from the chemical liquid supply unit reduces the etching rate through the controlled control valve group SVc1. In addition, the first supply tank 22 is supplied to the first supply tank 22 in an amount that compensates for the loss of the etching solution.

以後、スピン処理装置１０と処理液供給ユニット２０とをエッチング処理液が循環している状態で、スピン処理装置１０において当該エッチング処理液によるシリコンウェーハＷのエッチング処理がなされる。その過程で、制御ユニット４０は、上述したようにスピン処理装置１０でのエッチング処理が終了したか否か（Ｓ２１）、当該エッチング処理液のライフタイムが満了したか否か（Ｓ２２）、また、当該エッチング処理液のエッチングレートの低下を補償すべきタイミングであるか否か（Ｓ２３）を繰り返し判定する。ここで、制御ユニット４０は、前記循環するエッチング処理液のライフタイムが満了したと判定すると（Ｓ２２でＹＥＳ）、ポンプＰ１、Ｐ３を停止させて調節弁Ｖｃ１及びＶｃ３を閉じ、回収タンク２１から第１供給タンク２２への使用後のエッチング処理液の供給を停止させるとともに、第１供給タンク２２からスピン処理装置１０へのエッチング処理液の供給を停止させる。   Thereafter, the etching process liquid is circulated through the spin processing apparatus 10 and the processing liquid supply unit 20, and the silicon wafer W is etched by the etching process liquid in the spin processing apparatus 10. In the process, the control unit 40 determines whether or not the etching process in the spin processing apparatus 10 has been completed as described above (S21), whether or not the lifetime of the etching process liquid has expired (S22), It is repeatedly determined whether or not it is time to compensate for the decrease in the etching rate of the etching treatment liquid (S23). If the control unit 40 determines that the lifetime of the circulating etching processing solution has expired (YES in S22), the control unit 40 stops the pumps P1 and P3, closes the control valves Vc1 and Vc3, and starts the recovery tank 21 from the recovery tank 21. The supply of the etching processing liquid after use to the one supply tank 22 is stopped, and the supply of the etching processing liquid from the first supply tank 22 to the spin processing apparatus 10 is stopped.

スピン処理装置１０でのシリコンウェーハＷのエッチング処理により、前記エッチング処理液（HF、HNO3を含む）中にシリコン（Si）が溶解して（H2SiF6の状態）、当該エッチング処理液の処理能力が低下する。例えば、循環するエッチング処理液が、シリコンウェーハＷをエッチング処理する処理液として有効でなくなると見込まれるほどエッチング処理に利用されたと、そのシリコンウェーハＷの処理枚数や処理時間に基づいて判断されると、当該エッチング処理液のライフタイムが満了したと判断することができる。   By etching the silicon wafer W in the spin processing apparatus 10, silicon (Si) is dissolved in the etching solution (including HF and HNO3) (in the state of H2SiF6), and the processing capability of the etching solution is reduced. To do. For example, if it is determined based on the number of processed silicon wafers W and the processing time that the circulating etching processing liquid has been used for the etching processing so as to be ineffective as the processing liquid for etching the silicon wafer W, It can be determined that the lifetime of the etching treatment solution has expired.

上記のように第１供給タンク２２からのエッチング処理液のライフタイムが満了したとの判定に基づいて第１供給タンク２２からスピン処理装置１０への当該エッチング処理液の供給が停止されると、制御ユニット４０は、図５に示す処理及び図６に示す処理を並行して開始する。図５に示す処理では、第２供給タンク２３から新たにエッチング処理液がスピン処理装置１０に供給される（Ｓ３１）。具体的には、制御ユニット４０は、ポンプＰ３を動作させて調節弁Ｖｃ４を所定の開度に制御する。これにより、図１４の太線で示すように、第１供給タンク２２に代えて、第２供給タンク２３から調節弁Ｖｃ４の開度に応じた流量にてエッチング処理液がスピン処理装置１０に供給される（Ｓ３１１）。また、制御ユニット４０は、ポンプＰ１を動作させて調節弁Ｖｃ２を所定の開度に制御する。これにより、回収タンク２１から使用後のエッチング処理液がポンプＰ１の動作により調節弁Ｖｃ２の開度に応じた流量にて第２供給タンク２３に供給される（Ｓ３１２：図１４参照）。   When the supply of the etching process liquid from the first supply tank 22 to the spin processing apparatus 10 is stopped based on the determination that the lifetime of the etching process liquid from the first supply tank 22 has expired as described above. The control unit 40 starts the process shown in FIG. 5 and the process shown in FIG. 6 in parallel. In the process shown in FIG. 5, an etching process liquid is newly supplied from the second supply tank 23 to the spin processing apparatus 10 (S31). Specifically, the control unit 40 operates the pump P3 to control the adjustment valve Vc4 to a predetermined opening. Accordingly, as shown by the thick line in FIG. 14, instead of the first supply tank 22, the etching process liquid is supplied from the second supply tank 23 to the spin processing apparatus 10 at a flow rate corresponding to the opening of the control valve Vc 4. (S311). Further, the control unit 40 operates the pump P1 to control the adjustment valve Vc2 to a predetermined opening. Thereby, the used etching processing liquid is supplied from the collection tank 21 to the second supply tank 23 at a flow rate corresponding to the opening of the control valve Vc2 by the operation of the pump P1 (S312: see FIG. 14).

このようにして、スピン処理装置１０と処理液供給ユニット２０（第１供給タンク２２から第２供給タンク２３に切り換えられた状態）との間のエッチング処理液の循環が維持され、スピン処理装置１０では、エッチング処理液によりシリコンウェーハＷのエッチング処理が継続される。   In this way, the circulation of the etching processing liquid between the spin processing apparatus 10 and the processing liquid supply unit 20 (the state where the first supply tank 22 is switched to the second supply tank 23) is maintained, and the spin processing apparatus 10 is maintained. Then, the etching process of the silicon wafer W is continued with the etching process liquid.

上記のような第１供給タンク２２から第２供給タンク２３への切り換えと並行して、制御ユニット４０は、図６に従って処理を行う。制御ユニット４０は、例えば、現在使用されているエッチング処理液に対する後述するようなシリコン除去の回数等に基づいて、現在のエッチング処理液がシリコン除去により有効なエッチング処理液として再生し得るか否か、即ち、現在使用されているエッチング処理液に対するシリコン除去が有効であるか否かを判定する（Ｓ４１）。現在使用されているエッチング処理液に対するシリコン除去が有効であると判定すると（Ｓ４１でＹＥＳ）、制御ユニット４０は、開閉弁Ｖ１、Ｖ３を開放してポンプＰ４を動作させる。これにより、図１５の太線で示されるように、第１供給タンク２２から使用後のエッチング処理液が開閉弁Ｖ１、Ｖ３を通してシリコン除去タンク２４（電気分解機器）に移送される（Ｓ４２）。   In parallel with the switching from the first supply tank 22 to the second supply tank 23 as described above, the control unit 40 performs processing according to FIG. The control unit 40 determines whether or not the current etching processing solution can be regenerated as an effective etching processing solution by removing the silicon based on, for example, the number of times of silicon removal described later with respect to the etching processing solution currently used. That is, it is determined whether or not silicon removal for the currently used etching treatment solution is effective (S41). If it is determined that the silicon removal for the currently used etching solution is effective (YES in S41), the control unit 40 opens the on-off valves V1 and V3 and operates the pump P4. As a result, as shown by the thick line in FIG. 15, the used etching treatment liquid is transferred from the first supply tank 22 to the silicon removal tank 24 (electrolysis apparatus) through the on-off valves V1 and V3 (S42).

第１供給タンク２２からシリコン除去タンク２４への使用後のエッチング処理液の移送が完了すると、制御ユニット４０は、開閉弁Ｖ１、Ｖ３を閉じてポンプＰ４を停止させた後、調節弁Ｖｃ７を所定の開度に制御してポンプＰ２を動作させる。そして、制御ユニット４０は、シリコン除去タンク２４内の電極２５ａ、２５ｂ（電気分解機器）に所定の電圧を印加する。ここれにより、シリコン除去タンク２４に貯められたシリコン（Si）の溶解したエッチング処理液が、図１６の太線で示すように、調節弁Ｖｃ７の開度に応じた流量にて循環し、その状態で、電気分解される（Ｓ４３）。このエッチング処理液の電気分解により、エッチング処理液中に溶解しているシリコン（Si）が析出されて陽極（＋）側電極（例えば、電極２５ａ）に付着し、エッチング処理液からシリコン（Si）が除去される。   When the transfer of the etching solution after use from the first supply tank 22 to the silicon removal tank 24 is completed, the control unit 40 closes the on-off valves V1 and V3 and stops the pump P4, and then sets the control valve Vc7 to a predetermined value. The pump P2 is operated under the control of the opening degree. Then, the control unit 40 applies a predetermined voltage to the electrodes 25a and 25b (electrolysis equipment) in the silicon removal tank 24. As a result, the etching treatment solution in which silicon (Si) dissolved in the silicon removal tank 24 is circulated at a flow rate corresponding to the opening degree of the control valve Vc7 as shown by the thick line in FIG. Then, electrolysis is performed (S43). By this electrolysis of the etching treatment solution, silicon (Si) dissolved in the etching treatment solution is deposited and adheres to the anode (+) side electrode (for example, the electrode 25a), and the silicon (Si) from the etching treatment solution is deposited. Is removed.

シリコン除去タンク２４内でのエッチング処理液の電気分解が所定時間なされると、制御ユニット４０は、当該電気分解を終了させ、図１７に示すように、シリコン除去タンク２４に設けられた濃度計（図示略）によりエッチング処理液の薬液（HF、HNO3を含む）濃度を測定する（Ｓ４４）。そして、制御ユニット４０は、不足した薬液を追加するため、調整弁群ＳＶｃ３の開度を制御する。これにより、薬液供給ユニットからの各薬液が、図１８の太線で示すように、調節得弁群ＳＶｃ３を通して流量が調整されつつ、エッチング処理液が循環しているシリコン除去タンク２４に供給される（Ｓ４５）。   When the electrolysis of the etching treatment liquid in the silicon removal tank 24 is performed for a predetermined time, the control unit 40 ends the electrolysis, and as shown in FIG. 17, a concentration meter ( The concentration of the chemical solution (including HF and HNO3) in the etching processing solution is measured by (not shown) (S44). And the control unit 40 controls the opening degree of the regulating valve group SVc3 in order to add the insufficient chemical solution. As a result, each chemical solution from the chemical solution supply unit is supplied to the silicon removal tank 24 in which the etching processing solution is circulated while the flow rate is adjusted through the adjustment valve group SVc3 as indicated by the thick line in FIG. S45).

制御ユニット４０は、図１９に示すように、シリコン除去タンク２４内のエッチング処理液中の薬液（HF、HNO3）濃度を再度測定し、その薬液濃度が正常であることを確認すると（Ｓ４６）、調整弁Ｖｃ７を閉鎖して調整弁Ｖｃ５を所定の開度に制御する。それにより、図２０の太線で示すように、シリコン除去タンク２４内のシリコン（Si）の除去されたエッチング処理液が、ポンプＰ２の動作により、調整弁Ｖｃ５の開度に応じた流量にて第１供給タンク２２に移送される（Ｓ４７）。第１供給タンク２２内にシリコン除去済みのエッチング処理液が満たされると、制御ユニット４０は、調節弁Ｖｃ５を閉鎖してポンプＰ２を停止させ、その後、開閉弁Ｖ４を開放する。これにより、図２１の太線で示すように、シリコン除去タンク２４に残ったシリコン除去済みのエッチング処理液が開閉弁Ｖ４を通して排出（Drain）される（Ｓ４８）。   As shown in FIG. 19, the control unit 40 again measures the chemical solution (HF, HNO3) concentration in the etching treatment solution in the silicon removal tank 24 and confirms that the chemical solution concentration is normal (S46). The regulating valve Vc7 is closed and the regulating valve Vc5 is controlled to a predetermined opening degree. As a result, as shown by the thick line in FIG. 20, the etching treatment liquid from which the silicon (Si) in the silicon removal tank 24 has been removed is changed by the operation of the pump P2 at a flow rate corresponding to the opening of the adjustment valve Vc5. 1 is transferred to the supply tank 22 (S47). When the etching process liquid from which silicon has been removed is filled in the first supply tank 22, the control unit 40 closes the control valve Vc5 to stop the pump P2, and then opens the on-off valve V4. As a result, as shown by the bold line in FIG. 21, the silicon-removed etching solution remaining in the silicon removal tank 24 is drained through the on-off valve V4 (S48).

上述したように、電気分解によるエッチング処理液中のシリコン（Si）の除去が終了すると、制御ユニット４０は、図２２に示すように、開閉弁Ｖ４を閉鎖する。そして、制御ユニット４０は、図７に示す手順に従って、エッチング処理液から析出して電極２５ａ（陽極側電極）に付着したシリコンを除去するための処理を行う。   As described above, when the removal of silicon (Si) in the etching solution by electrolysis is completed, the control unit 40 closes the on-off valve V4 as shown in FIG. Then, the control unit 40 performs processing for removing silicon deposited from the etching processing solution and attached to the electrode 25a (anode side electrode) according to the procedure shown in FIG.

制御ユニット４０は、図２３の太線で示すように、調節弁群ＳＶｃ３の開度を調整する。これにより、薬液供給ユニットからエッチング処理液の各薬液（HF、HNO3、CH3COOH、H2O）が調節弁ＳＶｃ３の開度応じた流量にてシリコン除去タンク２４に投入される（Ｓ５１）。電極２５ａ、２５ｂが十分浸る程度にエッチング処理液がシリコン除去タンク２４に満たされると、調整弁群ＳＶｃ３が閉鎖されて薬液供給ユニットからの各薬液の供給が止められる。そして、制御ユニット４０は、調節弁Ｖｃ７の開度を制御してポンプＰ２を動作させる。これにより、図２４の太線で示すように、シリコン除去タンク２４内のエッチング処理液が循環する（Ｓ５２）。エッチング処理液がシリコン除去タンク２４内で循環する過程で、電極２５ａ（陽極側電極）に付着したシリコン（Si）がエッチングにより除去されていく。   The control unit 40 adjusts the opening degree of the control valve group SVc3 as indicated by the thick line in FIG. As a result, each chemical solution (HF, HNO3, CH3COOH, H2O) of the etching processing solution is supplied from the chemical solution supply unit to the silicon removal tank 24 at a flow rate corresponding to the opening of the control valve SVc3 (S51). When the etching solution is filled in the silicon removal tank 24 to such an extent that the electrodes 25a and 25b are sufficiently immersed, the adjustment valve group SVc3 is closed and the supply of each chemical solution from the chemical solution supply unit is stopped. And the control unit 40 controls the opening degree of the control valve Vc7, and operates the pump P2. Thereby, as shown by the thick line in FIG. 24, the etching solution in the silicon removal tank 24 circulates (S52). In the process in which the etching treatment liquid circulates in the silicon removal tank 24, silicon (Si) adhering to the electrode 25a (anode side electrode) is removed by etching.

そして、シリコン除去タンク２４内のエッチング処理液の循環が開始されてから、電極２５ａ（陽極側電極）に付着したシリコン（Si）が全て剥がれる（除去される）と見込まれる時間が経過すると、制御ユニット４０は、図２５に示すように、調節弁Ｖｃ７を閉鎖してポンプＰ２を停止させた後、開閉弁Ｖ４を開放する。これにより、図２６に示すように、シリコン除去タンク２４内のエッチング処理液が排出される（Drain）（Ｓ５３）。そして、シリコン除去タンク２４内のエッチング処理液の排出が終了すると、制御ユニット４０は、開閉弁Ｖ４を閉鎖する。   Then, after the circulation of the etching treatment liquid in the silicon removal tank 24 is started, when a time when it is expected that all of the silicon (Si) attached to the electrode 25a (anode side electrode) is peeled off (removed) has passed, the control is performed. As shown in FIG. 25, the unit 40 closes the control valve Vc7 to stop the pump P2, and then opens the on-off valve V4. As a result, as shown in FIG. 26, the etching solution in the silicon removal tank 24 is discharged (Drain) (S53). Then, when the discharge of the etching treatment liquid in the silicon removal tank 24 is completed, the control unit 40 closes the on-off valve V4.

このようにして、図２７に示すように、第１供給タンク２２にシリコン（Si）の除去されたエッチング処理液が貯められ、その状態で、第２供給タンク２３からエッチング処理液が継続的にスピン処理装置１０に供給される。   In this way, as shown in FIG. 27, the etching process liquid from which silicon (Si) has been removed is stored in the first supply tank 22, and in this state, the etching process liquid is continuously supplied from the second supply tank 23. It is supplied to the spin processing device 10.

図６に示す処理において、制御ユニット４０は、例えば、現在のエッチング処理液（第１供給タンク２２内）に対するシリコン除去の回数が所定数を越えて、現在のエッチング処理液がシリコン除去により有効なエッチング処理液として再生し得ないと判定すると（Ｓ４１でＮＯ）、前述した電気分解によるシリコン除去の処理（図６及び図７参照）に代えて、図８に示す手順に従って、第１供給タンク２２に新たなエッチング処理液を貯める。   In the process shown in FIG. 6, for example, the control unit 40 determines that the number of times of silicon removal with respect to the current etching processing liquid (in the first supply tank 22) exceeds a predetermined number, and the current etching processing liquid is effective for removing silicon. If it is determined that it cannot be regenerated as an etching solution (NO in S41), the first supply tank 22 is replaced by the procedure shown in FIG. 8 in place of the above-described silicon removal process by electrolysis (see FIGS. 6 and 7). Store a new etching solution.

制御ユニット４０は、スピン処理装置１０に対するエッチング処理液の供給を第１供給タンク２２から第２供給タンク２３に切り換えた（図１４参照）後、第２供給タンク２３からスピン処理装置１０へのエッチング処理液の供給を維持しつつ、開閉弁Ｖ１、Ｖ５を開放してポンプＰ４を動作させる。これにより、図２８に示すように、第１供給タンク２２内のエッチング処理液は、前述したシリコン除去タンク２４に移送されるのではなく、排出される（Drain）（Ｓ６１）。第１供給タンク２２内のエッチング処理液の排出が終了すると、制御ユニット４０は、開閉弁Ｖ１、Ｖ５を閉鎖してポンプＰ４を停止させた後、調節弁群ＳＶｃ１の開度を制御する。これにより、薬液供給ユニットから、エッチング処理液の各薬液（HF、HNO3、CH3COOH、H2O）が、図２９の太線で示すように、調節弁群ＳＶｃ１を通して流量が調整されつつ第１供給タンク２２に供給され、第１供給タンク２２において新たなエッチング処理液が調合される（Ｓ６２）。その後、調節弁群ＳＶｃ１が閉鎖されて、各薬液の供給の止められた第１供給タンク２２において、図３０に示すように、エッチング処理液が所定温度に調整されつつ循環され（Ｓ６３）、エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。 The control unit 40 switches the supply of the etching processing liquid to the spin processing apparatus 10 from the first supply tank 22 to the second supply tank 23 (see FIG. 14), and then etches from the second supply tank 23 to the spin processing apparatus 10. While maintaining the supply of the processing liquid, the on-off valves V1 and V5 are opened to operate the pump P4. As a result, as shown in FIG. 28, the etching solution in the first supply tank 22 is not transferred to the silicon removal tank 24 described above, but is drained (Drain) (S61). When the discharge of the etching processing liquid in the first supply tank 22 is finished, the control unit 40 closes the on-off valves V1 and V5 and stops the pump P4, and then controls the opening degree of the control valve group SVc1. As a result, the chemical solution (HF, HNO 3 , CH 3 COOH, H 2 O) from the chemical solution supply unit is adjusted while the flow rate is adjusted through the control valve group SVc1, as shown by the thick line in FIG. 1 is supplied to the first supply tank 22, and a new etching processing solution is prepared in the first supply tank 22 (S62). Thereafter, the control valve group SVc1 is closed, and in the first supply tank 22 from which the supply of each chemical solution is stopped, as shown in FIG. 30, the etching treatment liquid is circulated while being adjusted to a predetermined temperature (S63). The concentration of the treatment liquid can be made uniform.

このようにして、第１供給タンク２２に新たなエッチング処理液が貯められた状態（図３０参照）で、第２供給タンク２３からエッチング処理液が継続的にスピン処理装置１０に供給される。   In this way, with the new etching processing solution stored in the first supply tank 22 (see FIG. 30), the etching processing solution is continuously supplied from the second supply tank 23 to the spin processing apparatus 10.

上記のようにして、第１供給タンク２２内のエッチング処理液のライフタイムが満了した際に、第１供給タンク２２内のエッチング処理液に対してシリコン（Si）除去の処理が施され（図６及び図７参照）、または、第１供給タンク２２にて新たなエッチング処理液が調合される（図８参照）。その後、制御ユニット４０は、図４に示す処理に戻る。以後、第１供給タンク２２にシリコン（Si）の除去されたエッチング処理液、または、新たなエッチング処理液が貯められた状態で、回収タンク２１から第２供給タンク２３に使用後のエッチング処理液が供給されつつ、第２供給タンク２３からエッチング処理液がポンプＰ３の動作によって調節弁Ｖｃ４の開度に応じた流量にてスピン処理装置１０に供給される（図５におけるＳ３１（Ｓ３１１、Ｓ３１２）、及び図２７参照）。そして、このような状態が維持されつつ、制御ユニット４０は、スピン処理装置１０でのエッチング処理が終了したか否か（Ｓ２１）、当該エッチング処理液のライフタイムが満了したか否か（Ｓ２２）、また、当該エッチング処理液のエッチングレートの低下を補償すべきタイミングであるか否か（Ｓ２３）を繰り返し判定する。   As described above, when the lifetime of the etching solution in the first supply tank 22 expires, the silicon (Si) removal process is performed on the etching solution in the first supply tank 22 (see FIG. 6 and FIG. 7) or a new etching solution is prepared in the first supply tank 22 (see FIG. 8). Thereafter, the control unit 40 returns to the process shown in FIG. Thereafter, after the etching process liquid from which silicon (Si) has been removed or a new etching process liquid is stored in the first supply tank 22, the used etching process liquid is transferred from the recovery tank 21 to the second supply tank 23. Is supplied from the second supply tank 23 to the spin processing apparatus 10 at a flow rate corresponding to the opening of the control valve Vc4 by the operation of the pump P3 (S31 (S311 and S312 in FIG. 5)). And FIG. 27). While such a state is maintained, the control unit 40 determines whether or not the etching process in the spin processing apparatus 10 has been completed (S21) and whether or not the lifetime of the etching process liquid has expired (S22). In addition, it is repeatedly determined whether or not it is time to compensate for the decrease in the etching rate of the etching treatment liquid (S23).

その過程で、第２供給タンク２３内のエッチング処理液のエッチングレートの低下を補償すべきタイミングであると判定される（Ｓ２３でＹＥＳ）毎に、前述した第１供給タンク２２の場合と同様に、第２供給タンク２３に対して、エッチングレートの低下を補償するための所定量のフッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）及び、エッチング処理液の回収率が１００％より低いことを起因したエッチング処理液の目減り分を補償するための所定量のエッチング処理液（HF、HNO3、CH3COOH、H2O）が第２供給タンク２３に供給される（Ｓ２６）。   In the process, every time it is determined that it is time to compensate for the decrease in the etching rate of the etching processing solution in the second supply tank 23 (YES in S23), as in the case of the first supply tank 22 described above. Etching due to the fact that the recovery rate of the predetermined amount of hydrofluoric acid (HF) and nitric acid (HNO3) and the etching treatment solution for the second supply tank 23 is lower than 100% to compensate for the lowering of the etching rate. A predetermined amount of the etching processing liquid (HF, HNO3, CH3COOH, H2O) for compensating for the decrease in the processing liquid is supplied to the second supply tank 23 (S26).

また、第２供給タンク２３内のエッチング処理液のライフタイムが満了したと判定されると（Ｓ２２でＹＥＳ）、スピン処理装置１０へのエッチング処理液の供給が第２供給タンク２３から第１供給タンク２２に切り換えられる（図３におけるＳ１３の処理に進む）。そして、図６に示す手順に従って、第１供給タンク２２の場合と同様に、シリコン除去タンク２４での電気分解により、第２供給タンク２３内のエッチング処理液のシリコン（Si）が除去される（Ｓ４１〜Ｓ４８）。そして、図７に示す手順に従って前記電気分解により析出されて電極２５ａ（陽極側電極）に付着したシリコンの除去がなされる（Ｓ５１〜Ｓ５３）。なお、第２供給タンク２３内のエッチング処理液が、電気分解によるシリコン除去が有効でないものと判定された場合には（図６におけるＳ４１でＮＯ）、第１供給タンク２２の場合と同様に、今まで繰り返し使用され、また、繰り返しシリコン除去のなされたエッチング処理液が排出され、新たなエッチング処理液が第２供給タンク２３に貯められる。   If it is determined that the lifetime of the etching process liquid in the second supply tank 23 has expired (YES in S22), the supply of the etching process liquid to the spin processing apparatus 10 is supplied from the second supply tank 23 to the first supply. It is switched to the tank 22 (proceeds to the process of S13 in FIG. 3). Then, according to the procedure shown in FIG. 6, the silicon (Si) of the etching processing liquid in the second supply tank 23 is removed by electrolysis in the silicon removal tank 24 as in the case of the first supply tank 22 ( S41-S48). Then, the silicon deposited by the electrolysis and attached to the electrode 25a (anode side electrode) is removed according to the procedure shown in FIG. 7 (S51 to S53). If it is determined that the silicon removal by electrolysis is not effective in the second supply tank 23 (NO in S41 in FIG. 6), as in the case of the first supply tank 22, The etching treatment liquid that has been repeatedly used up to now and the silicon removed repeatedly is discharged, and a new etching treatment liquid is stored in the second supply tank 23.

上述したようにして、スピン処理装置１０へのエッチング処理液の供給が第１供給タンク２２と第２供給タンク２３とで切り換えられながら、スピン処理装置１０において、順次供給、セットされるシリコンウェーハＷのエッチング処理が繰り返し行われる。そして、その過程で、制御ユニット４０は、スピン処理装置１０からの終了信号を入力すると（図４におけるＳ２１でＹＥＳ）、処理を終了させる。   As described above, the supply of the etching processing liquid to the spin processing apparatus 10 is switched between the first supply tank 22 and the second supply tank 23, and the silicon wafers W that are sequentially supplied and set in the spin processing apparatus 10. The etching process is repeated. And in the process, if the control unit 40 inputs the completion | finish signal from the spin processing apparatus 10 (it is YES at S21 in FIG. 4), it will complete | finish a process.

上述したような基板処理システムでは、スピン処理装置１０と処理液供給ユニット２０との間でエッチング処理液（HF、HNO3）が循環しつつ、スピン処理装置１０においてシリコンウェーハＷがエッチング処理液によりエッチング処理される過程で、そのエッチング処理液のライフタイムが満了したと判定されると、使用されていたエッチング処理液がシリコン除去タンク２４において電気分解され、そのエッチング処理液から溶解したシリコン（Si）が除去される。そして、そのシリコン（Si）の除去されたエッチング処理液が、再び、スピン処理装置１０でのシリコンウェーハＷのエッチング処理に供される。このように、ライフタイムが満了したと判定されるエッチング処理液が、スピン処理装置１０に戻される前に、そのエッチング処理液からシリコンウェーハＷの成分であるシリコン（Si）が除去されるので、使用後のエッチング処理液中に溶解しているシリコン（Si）の濃度が高くなっても、使用されるエッチング処理液中におけるシリコン（Si）の絶対的な濃度を低く維持することができ、エッチング処理液の有効な回収再利用が可能となる。   In the substrate processing system as described above, the etching processing liquid (HF, HNO3) is circulated between the spin processing apparatus 10 and the processing liquid supply unit 20, and the silicon wafer W is etched by the etching processing liquid in the spin processing apparatus 10. If it is determined in the process that the lifetime of the etching solution has expired, the used etching solution is electrolyzed in the silicon removal tank 24, and silicon (Si) dissolved from the etching solution is dissolved. Is removed. Then, the etching processing liquid from which the silicon (Si) has been removed is again subjected to the etching processing of the silicon wafer W in the spin processing apparatus 10. Thus, before the etching process liquid determined to have expired is returned to the spin processing apparatus 10, silicon (Si), which is a component of the silicon wafer W, is removed from the etching process liquid. Even if the concentration of silicon (Si) dissolved in the etching solution after use becomes high, the absolute concentration of silicon (Si) in the etching solution used can be kept low. Effective recovery and reuse of the processing liquid becomes possible.

また、シリコン除去タンク２４におけるエッチング処理液の電気分解（シリコン除去）が終了すると、電極２５ａ（陽極側電極）に付着したシリコン（Si）が新たなエッチング処理液により除去されるので、電気分解機器としてのシリコン除去タンク２４において、電極２５ａ、２５ｂをシリコンの付着が無い状態に維持することができる。その結果、シリコン除去タンク２４及び電極２５ａ、２５ｂによる電気分解機器としての正常な機能をより長く維持させることができる。   Further, when the electrolysis (silicon removal) of the etching solution in the silicon removal tank 24 is completed, the silicon (Si) adhering to the electrode 25a (anode side electrode) is removed by the new etching solution, so that the electrolysis apparatus In the silicon removal tank 24, the electrodes 25a and 25b can be maintained in a state where no silicon adheres. As a result, the normal function as an electrolysis apparatus using the silicon removal tank 24 and the electrodes 25a and 25b can be maintained for a longer time.

更に、スピン処理装置１０でのシリコンウェーハＷの処理枚数及び処理時間等に基づいて、循環利用されるエッチング処理液のエッチングレートの低下を補償すべきタイミングであると判定されたときに、エッチングレート低下の補償用のフッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）とともに、エッチング処理液の目減り分に対応するエッチング処理液（HF、HNO3、CH3COOH、H2O）を追加するようにしているので、スピン処理装置１０において、安定したエッチングレートにてより多くの枚数のシリコンウェーハＷのエッチング処理が可能になる。   Further, the etching rate is determined when it is determined that it is time to compensate for the decrease in the etching rate of the circulating etching processing solution based on the number of processed silicon wafers W and the processing time in the spin processing apparatus 10. Along with hydrofluoric acid (HF) and nitric acid (HNO3) to compensate for the decrease, an etching treatment liquid (HF, HNO3, CH3COOH, H2O) corresponding to the reduced amount of the etching treatment liquid is added. 10, a larger number of silicon wafers W can be etched at a stable etching rate.

なお、処理の対象は、シリコンウェーハＷに限定されず、表面を処理すべき基板であれば特に限定されない。その場合、エッチング処理によりエッチング処理液中に出てきた基板成分が除去され、その基板成分が除去された状態でエッチング処理液が再び基板のエッチング処理に供される。   The target of processing is not limited to the silicon wafer W, and is not particularly limited as long as it is a substrate whose surface is to be processed. In that case, the substrate component that has come out in the etching treatment liquid is removed by the etching treatment, and the etching treatment solution is again subjected to the etching treatment of the substrate with the substrate component removed.

１０ スピン処理装置（基板処理機構）
１１ カップ体
１２ モータ
１３ ウェーハチャック
１４ ノズル
２０ 処理液供給ユニット
２１ 回収タンク
２２ 第１供給タンク
２３ 第２供給タンク
２４ シリコン除去タンク
３０ 処理液回収機構
３１ ドレインタンク
３２ ポンプ
４０ 制御ユニット 10 Spin processing equipment (substrate processing mechanism)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Cup body 12 Motor 13 Wafer chuck 14 Nozzle 20 Process liquid supply unit 21 Recovery tank 22 1st supply tank 23 2nd supply tank 24 Silicon removal tank 30 Process liquid recovery mechanism 31 Drain tank 32 Pump 40 Control unit

Claims (8)

基板処理機構において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理機構において前記基板の処理に用いられた使用後処理液を回収する処理液回収ステップと、
回収された前記使用後処理液を前記基板処理機構に新たな処理液として戻す処理液戻しステップと、
回収された前記使用後処理液が、前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにおいて有効と判定されたことを条件に、回収された前記使用後処理液に処理液の一または複数の成分を追加して前記使用後処理液の成分濃度を調整する処理液濃度調整ステップとを有し、
前記判定ステップにおいて有効でないと判定されたときに、前記使用後処理液中に溶解している前記基板の成分を除去する基板成分除去ステップを有することを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate using a processing liquid in a substrate processing mechanism,
A processing liquid recovery step of recovering a post-use processing liquid used for processing the substrate in the substrate processing mechanism;
A treatment liquid return step for returning the recovered post-use treatment liquid to the substrate processing mechanism as a new treatment liquid;
A determination step of determining whether the recovered post-use processing liquid is effective as a processing liquid for processing the substrate;
Treatment liquid concentration adjustment that adjusts the component concentration of the post-use treatment liquid by adding one or more components of the treatment liquid to the collected post-use treatment liquid on the condition that it is judged to be effective in the judgment step And having steps
A substrate processing method comprising: a substrate component removal step of removing a component of the substrate dissolved in the post-use processing liquid when it is determined that the determination step is not effective . 前記処理液はエッチング処理液であり、
前記基板処理機構は、前記基板を前記エッチング処理液を用いてエッチング処理するものであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。 The treatment liquid is an etching treatment liquid,
The substrate processing method according to claim 1 , wherein the substrate processing mechanism performs an etching process on the substrate using the etching processing solution. 前記基板はシリコン製基板であり、
前記処理液はフッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）を含むエッチング処理液であることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。 The substrate is a silicon substrate;
The treatment liquid substrate processing method according to claim 1 or 2, characterized in that the etching solution containing hydrofluoric acid (HF) and nitric acid (HNO3). 前記基板成分除去ステップは、使用後の前記エッチング処理液を電気分解して前記エッチング処理液中のシリコンを析出させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板エッチング処理方法。 4. The substrate etching method according to claim 1, wherein the substrate component removing step electrolyzes the used etching treatment liquid to deposit silicon in the etching treatment liquid. 処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
前記基板処理機構において前記基板の処理に用いられた使用後処理液を回収する処理液回収機構と、
回収された前記使用後処理液を前記基板処理機構に新たな処理液として戻す処理液戻し機構と、
回収された前記使用後処理液が、前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段において有効と判定されたことを条件に、回収された前記使用後処理液に処理液の一又は複数の成分を追加して前記使用後処理液の成分濃度を調整する処理液濃度調整手段とを有し、
前記判定手段において有効でないと判定されたときに、前記使用後処理液中に溶解している前記基板の成分を除去する基板成分除去機構を有することを特徴とする基板処理システム。 A substrate processing mechanism for processing a substrate using a processing liquid;
A processing liquid recovery mechanism for recovering a post-use processing liquid used for processing the substrate in the substrate processing mechanism;
A treatment liquid return mechanism for returning the collected post-use treatment liquid to the substrate treatment mechanism as a new treatment liquid;
Determination means for determining whether the recovered post-use processing liquid is effective as a processing liquid for processing the substrate;
Treatment liquid concentration adjustment that adjusts the component concentration of the post-use treatment liquid by adding one or more components of the treatment liquid to the collected post-use treatment liquid on the condition that the judgment means determines that it is effective Means ,
A substrate processing system comprising a substrate component removal mechanism that removes a component of the substrate dissolved in the post-use processing liquid when it is determined that the determination means is not effective . 前記処理液はエッチング処理液であり、
前記基板処理機構は、前記基板を前記エッチング処理液を用いてエッチング処理するものであることを特徴とする請求項５に記載の基板処理システム。 The treatment liquid is an etching treatment liquid,
The substrate processing system according to claim 5 , wherein the substrate processing mechanism performs an etching process on the substrate using the etching processing liquid. 前記基板はシリコン製基板であり、
前記処理液はフッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）を含むエッチング処理液であることを特徴とする請求項５または６に記載の基板処理システム。 The substrate is a silicon substrate;
The treatment liquid substrate processing system according to claim 5 or 6, characterized in that an etching treatment solution containing hydrofluoric acid (HF) and nitric acid (HNO3). 前記基板成分除去機構は、使用後の前記エッチング処理液を電気分解して前記エッチング処理液中のシリコンを析出させることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 5, wherein the substrate component removal mechanism electrolyzes the used etching processing solution to deposit silicon in the etching processing solution.
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