JP6122136B2 - 膜形成装置 - Google Patents
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Description
本発明は、膜形成装置及び膜形成方法に関する。
例えば、バリア層（barrier layer）のようなコンフォーマルコーティング（conformal coating）の形成や、電界発光ディスプレイ、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）または電気泳動などで要求されることがある可撓性ディスプレイコーティング、ＲＦＩＤ（radio frequency identification）、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）、光学コーティング、可撓性基板上の電子部品、可撓性基板上の薄膜、エレクトロクロミック及び光電気力分野などを含んだ多様な分野では、多様な種類の膜を形成する技術が要求されることがある。
本発明は、膜形成装置及び膜形成方法を提供する。
本発明は、基板を移送することができるように設置された一つ以上のガイドロールを含む移送システムと、移送される前記基板の表面に前駆体の層を形成するように設置された第１処理領域と、を含み、前記処理領域は、第１チャンバ及び前記第１チャンバの上部または下部に配置された第２チャンバを含み、前記第１チャンバには、前記第１チャンバの上部または下部側から基板が前記第２チャンバに導入されるように貫通部が形成されており、前記ガイドロールは、第１チャンバ及び第２チャンバ内に各々一つ以上存在し、前記基板が前記第１チャンバを経由した後に前記貫通部を通して前記第２チャンバを経由することができる経路を形成するように設置されている膜形成装置を提供する。
本発明では、基板、例えば、プラスチックフィルム、纎維性または金属性ウェブやフィルムのような可撓性基板を移送しながら前記基板の表面に膜を形成することができる装置またはその装置を使用した膜形成方法が提供される。前記装置によると、多様な種類の前駆体の膜を基板に形成することができる。
本発明は、移送される基板上に膜を形成することができるように構成された膜形成装置に関する。前記装置は、いわゆるロールツーロール（roll to roll）膜形成装置で呼称される装置であることができる。
膜形成装置は、基板を移送することができるように設置された一つ以上のガイドロールを含む移送システムと、移送される前記基板の表面に前駆体の層を形成することができるように設置された第１処理領域と、を含むことができる。
前記処理領域は、第１チャンバ及び前記第１チャンバの上部または下部に配置された第２チャンバを含み、前記第１チャンバには、前記第１チャンバの上部または下部側から基板が前記第２チャンバに導入されるように貫通部が形成されていることができる。一つの例示で、前記第２チャンバは、前記第１チャンバの上部または下部で前記第１チャンバと接触した状態で配置されている。
移送システムの前記ガイドロールは、前記第１チャンバ及び第２チャンバ内に各々一つ以上存在することができる。また、前記ガイドロールは、前記基板が前記第１チャンバを経由した後に前記貫通部を通して前記第２チャンバを経由することができる経路を形成するように設置されている。この過程で前記貫通部を通過して第２チャンバに導入された基板が更に同一な貫通部を通して第２チャンバの外部に流出させることができる。
前記第１チャンバまたは第２チャンバには、通路、例えば、後述する流れ制限通路が形成されており、基板は前記通路を通して第１チャンバまたは第２チャンバに導入されるかそれから流出されることが可能である。
一つの例示で、前期膜形成層値は、いわゆるＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）方式により膜を形成する原子層蒸着装置、例えば、ロールツーロール（roll to roll）原子層蒸着装置であることができる。
本発明は、膜形成方法、例えば、前記膜形成装置を使用して膜を形成する方法に関する。
本発明の膜形成装置は、移送システム及び前記移送システムにより移送される基板上に膜を形成することができる少なくとも処理領域（以下、後述する他の処理領域との区別のために第１処理領域と称することができる。）を含むことができる。
移送システムは、基板を移送させることができるように形成されており、基板の移送が可能であれば、いかなる形態でも形成することができる。一つの例示で、前記膜形成装置は、いわゆるロールツーロール（roll to roll）装置とすることができ、このような場合に、前記移送システムは、ガイドロールを一つ以上含むことができる。移送システムのガイドロールは、基板が処理領域を通過するように経路を形成していることが可能である。
第１処理領域は、移送システムにより基板が導入されて膜を形成するための処理が実行される領域である。後述のように、処理領域で基板の表面に前駆体の層が形成される場合に、前記処理領域は、前駆体が収容されるように形成することができる。本明細書で用語「前駆体」は、膜を形成することができる材料として、前記材料自体が前記膜を形成するか、あるいは一応基板の表面に形成された前記材料が後続する自体的な反応あるいは他の材料との反応を通して目的とする材料の膜を形成することができる材料をいずれも含むことができる。前記前駆体の形態は、特に限定されず、気体、液体または固体（例えば、微細粉末状など）とすることができる。
処理領域で前記前駆体の層が形成されるメカニズムは、特に限定されない。膜を形成する方法は、例えば、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）、ＣＶＤまたはスパッタリング（sputtering）など多様に知られており、処理領域で膜が形成されるメカニズムは、前記方式のうちの採用される方式によって該当方式で適切なメカニズムを適用することができる。
処理領域は、第１チャンバと第２チャンバとを含むことができ、各チャンバ内に前記前駆体を収容することができる。第１チャンバと第２チャンバに収容される前駆体の種類は、互いに同一であるかまたは相異なっているものとすることができる。
処理領域で、第２チャンバは、第１チャンバの上部または下部に配置することができる。図１は、前記のような第１チャンバ１０１と第２チャンバ２０１が積層されている形態を例示的に示す。図１において、第２チャンバ２０１と第１チャンバ１０１は、互いに接触されているが、前記チャンバ１０１、２０１は、互いに所定間隔が離れていることも可能である。図２は、図１の構造の処理領域を第１チャンバ１０１側から見た場合を例示的に示す。
図２に示したように、第１チャンバ１０１には、貫通部１０１１が形成されており、ガイドロール３００は、基板が第１チャンバ１０１を経由した後、前記貫通部１０１１を通して第２チャンバ２０１に導入された後に流出されるようにする経路を形成するように設置されている。図３は、図１の構造を前記のような方式で基板４００が移動するように経路を形成しているガイドロール３００を例示的に示す。
膜形成装置は、必要に応じて、前記第１処理領域に第２処理領域をさらに含むことができる。第２処理領域は、第１処理領域のように基板上に前駆体の膜を形成することができる領域であるか、あるいは不活性ガスなどにより基板をパージング（purging）するパージング領域とすることができる。第２処理領域は、例えば、一般的なチャンバで形成することができる。このような場合、ガイドロールは、第１チャンバを経由した基板が前記第２処理領域を経由した後に更に前記第１チャンバの貫通部を通して第２チャンバを経由することができる経路を形成するように設置されることが可能である。
図４は、前記のように第２処理領域５００をさらに含む装置の例示として、ガイドロール３００は、第１チャンバ１０１を経由した基板４００が前記第２処理領域５００を経由した後に更に前記第１チャンバ１０１の貫通部１０１１を通して第２チャンバ２０１を経由するように経路を形成している。このような場合にガイドロールは、第２処理領域にも存在することができる。
膜処理装置で前記第１処理領域及び第２処理領域は、他の領域（以下、第３処理領域）により互いに分割されていることが可能である。第３処理領域は、第１処理領域のように基板上に前駆体の膜を形成することができる領域であるか、あるいは不活性ガスなどにより基板をパージング（purging）するパージング領域とすることができる。第１処理領域、第２処理領域、及び第３処理領域がいずれも前駆体の層を形成する領域の場合に、各領域に存在する前駆体の種類は、互いに同一であるか相異なっていることが可能である。このような場合に移送システムのガイドロールは、第１チャンバ、第３処理領域、第２処理領域及び第２チャンバまたは第２チャンバ、第３処理領域、第２処理領域及び第１チャンバの手順で基板を通過させることができるように形成されている。
図４は、前記のように第１処理領域１０１、２０１と第２処理領域５００が第３処理領域６００により分割されている例示を示す。
図４に示したように、移送システムのガイドロール３００は、第１チャンバ１０１、第３処理領域６００、第２処理領域５００及び第２チャンバ２０１、または第２チャンバ２０１、第３処理領域６００、第２処理領域５００及び第１チャンバ１０１の手順で基板４００を通過させることができるように形成されている。
上述した構造で第２チャンバは、第１チャンバの方向に形成された凸部を含むことができる。このような場合に凸部は、第１チャンバの前記貫通部に挿入されていることが可能であるが、これに限定されるものではない。また、このような構造で第２チャンバのガイドロールは、前記第２チャンバの凸部に存在することができるが、必ずしも凸部にガイドロールが存在する必要はない。
図５は、前記のように凸部２０１１が形成された第２チャンバ２０１を例示的に示した図であり、図６は、図４の装置と同一の形態であるが、第２チャンバ２０１として凸部２０１１が形成された形態のチャンバを使用した場合を例示した図である。第２チャンバ２０１に凸部２０１１が形成されていること以外は、上述の内容を同様に適用することができる。
前記構造で第１チャンバの貫通部は、第２チャンバの凸部が前記貫通部に挿入されると、前記凸部の外部を取り囲むことができるサイズで形成されている。このような場合に前記貫通部は、前記凸部と大体同一のサイズで形成されるか、あるいはそれより大きいサイズで形成されることが可能である。
上述した構造は、少なくとも２個のチャンバ、例えば、前記第１チャンバ及び第２チャンバが交差配置され、一つのチャンバ、例えば、前記第１チャンバは、両側面が連結されており、他のチャンバ、例えば、前記第２チャンバは、上部が連結されている形態である。このような構造を通して膜の形成過程で一層多様な種類の前駆体を供給することができる構造が具現される。
このような構造は、多様に応用されて一層多様な種類の前駆体を供給することができる構造で活用することができる。例えば、図１〜図６の構造において、第２チャンバ２０１が水平方向に２個以上に分割されているか、同一の形態の第２チャンバ２０１を第１チャンバ１０１の上部または下部に２個以上複数個を配置すれば、一層多様な種類の前駆体を供給することが可能である。
他の例示で、図面に示した第２処理領域５００も二つのチャンバを使用して第１処理領域のように具現することができる。
例えば、前記第２処理領域は、第１処理領域のように第３チャンバ及び前記第３チャンバの上部または下部に存在する第４チャンバを含み、前記第３チャンバには、上部または下部から基板が前記第４チャンバに導入されるように貫通部が形成されている。このような場合に前記ガイドロールは、第１チャンバを経由した基板が前記第３チャンバを経由した後に前記第１チャンバの貫通部を通して前記第２チャンバを経由し、更に前記第３チャンバの貫通部を通して前記第４チャンバを経由するようにする経路を形成するように設置されている。
上述したように、このような場合にも第１及び第２処理領域は、第３処理領域、例えば、不活性ガスを収容するように形成されたパージングチャンバにより分割されていることが可能である。
前記第３及び第４チャンバに対する具体的な内容は、上述した第１チャンバ及び第２チャンバに対する内容と同様に適用することができる。
第１処理領域の第１チャンバ及び第２チャンバ、前記第２処理領域及び第３処理領域、第３チャンバ及び第４チャンバなどには、各々一つ以上の通路が形成されている。前記通路を通して移送システムにより移送される基板は各領域またはチャンバに導入されるか流出されることが可能である。前記通路は、一つの例示で、流れ制限通路とすることができる。本明細書で用語「流れ制限通路」は、その通路を通して基板を移動することができ、外部への流出が適切ではない物質、例えば、前駆体は漏出されないように形成されたすべての種類の通路を含む概念で使うことができる。例えば、前記各領域は、前記流れ制限通路を通して導入される前記基板の表面に前駆体を蒸着させて層を形成するように設置されている。
移送システムのガイドロールは、第１チャンバ及び第２チャンバ内に各々少なくとも一つ存在することができる。ガイドロールは、第２処理領域、例えば、第３チャンバ及び第４チャンバにも各々一つ以上存在することができる。このようなガイドロールは、基板が前記通路、例えば、流れ制限通路を通して前記各領域またはチャンバを各々少なくとも１回通過できるようにする経路を形成している。
膜形成装置で前記領域またはチャンバ内に各々少なくとも一つ存在するガイドロールのうちの少なくとも一つは、前記基板に向けて前記前駆体を供給するように設置された前駆体供給ロールとすることができる。例えば、第１チャンバに供給ロールが存在すれば、第１チャンバを経由する過程で基板に第１前駆体が供給ロールにより供給されて第１前駆体の層、例えば、第１単層（monolayer）が形成され、第２チャンバに供給ロールが存在すれば、第２チャンバを基板が経由する過程で第２前駆体の層、例えば、第２単層（monolayer）が形成されることが可能である。供給ロールは、第１チャンバ及び第２チャンバなどにいずれも存在することができる。供給ロールがない領域には、該当領域に前駆体を供給することができる公知の他の手段が存在することが可能である。このような方式は、例えば、原子層蒸着方式に適合可能であり、このように供給ロールまたは他の手段により基板上に第１単層及び第２単層、あるいは追加的な他の単層が繰り返して形成される過程を通して目的とする膜が基板に形成されることが可能である。第１前駆体及び第２前駆体は、互いに同一なあるいは相異なっている種類であることが可能であり、必要な場合に、目的とする厚さを考慮して、前記第１単層及び第２単層の形成過程が複数回繰り返されることが可能である。また、前記装置の第２処理領域または第３処理領域では、第３前駆体により第３単層が形成されるか不活性ガスによるパージング（purging）が実行されることが可能である。
膜形成装置で、移送システムは、基板を装置に供給する入力手段をさらに含むことができる。移送システムは、処理が終わった基板を回収する回収手段をさらに含むことができる。前記入力手段と回収手段の種類は、特に限定されない。例えば、入力手段は、ロール形態で巻かれている基板を解きながら供給するように設置された巻取ロールであることが可能であり、回収手段は、基板を巻いて回収する巻取ロールであることが可能である。
移送システムのガイドロールのうち少なくとも一つは、移送される基板に向けて前駆体を供給するように設置された前駆体供給ロール（以下、単純に供給ロールと称することができる。）であることが可能である。
すなわち、ガイドロールには、前駆体の供給のための前駆体供給手段が導入されていることが可能である。後述のように、前駆体供給ロールは、中央部の直径に比べて末端部の直径が大きいか、あるいは中央部がない構造を有することができる。このような構造で、前駆体供給手段の形成位置は、特に限定されず、例えば、ロールの中央部から前駆体が供給されるように中央部に位置されるか、末端部の内部側面に形成されることが可能である。
一つの例示で、供給ロールは、両末端部及び中央部を含み、前記両末端部は、基板と接触されて前記基板を移送させることができるように設置されており、前記中央部は、基板の移送過程で基板と接触しないように前記両末端部に比べて小さい直径を有するか、存在しないことが可能である。
図７は、ガイドロールが供給ロールの形態の場合を例示的に示した。図７に示したように、供給ローは、基板４００と接触される両末端部２１０と、基板４００と接触しない中央部２２０と、を含むことができる。供給ロールで中央部２２０の直径（Ｒｃ）に対する末端部２１０の直径（Ｒｅ）の割合（Ｒｃ／Ｒｅ）は、特に限定されず、適切な基板移送が可能であり、供給される前駆体が効率的に基板１０１上に単層（monolayer）を形成することができる程度の距離が確保されるように調節されれば、関係ない。例えば、前記割合（Ｒｃ／Ｒｅ）は、０．９以下程度であることが可能である。中央部が存在しない場合、前記の割合（Ｒｃ／Ｒｅ）は、０である。
基板の移送方向と垂直する方向で測定される供給ロールの長さ（Ｌ）及び中央部２２０の長さ（Ｌｃ）、中央部２２０がない場合の末端部間の間隔（Ｌｃ）の割合（Ｌｃ／Ｌ）も移送過程で基板を適切に固定することができる程度の末端部２１０が確保される限り、特に限定されない。例えば、前記割合（Ｌｃ／Ｌ）は、０．７〜０．９程度とすることができる。
前駆体が液体または気体の場合に、図７に示したように、供給ロールの中央部２２０には、前記供給手段として、基板４００に向けて前駆体を噴射するように設置された噴射口２３０が存在することができる。例えば、供給ロールの側面から前駆体が注入され、注入された前駆体が噴射口２３０を通して基板４００に向けて噴射されるように設置されることが可能である。図示しなかったが、前記噴射口は、例えば、末端部２１０の内部側壁、すなわち中央部２２０に向いた末端部２１０の側壁に形成されていることが可能である。
供給ロールの噴射口２３０は、特別な制限なしに公知の方式で形成することができ、例えば、噴射ノズルなどで形成することができる。噴射口は、例えば、図７のように、供給ロールの中央部２２０に設置することができ、図示しなかったが、末端部２１０の内側面に設置することができる。図７では、突出した構造の噴射口２３０が図示されたが、前記噴射口は、陥没した構造で形成されてもよい。噴射口の数は、供給ロールの長さ及び処理面の程度によって適切に調節することができる。
供給ロールではないガイドロールも噴射口２３０が形成されないこと以外は、前記供給ロールと同一の形状を有することができる。また、前記装置のガイドロールは必ずしも供給ロールである必要はなくて、ガイドロールが全て供給ロールではない形態で存在することもできる。本明細書で記述する供給ロールの構造に対する事項のうち噴射口の設置に関する事項以外は、供給ロールではないガイドロールや、前記入力及び回収手段に対しても適用することができる。
一つの例示で、供給ロールの末端部には、移送過程で基板を固定するように形成された突出部が存在することができる。突出部により移送過程で基板が固定され、基板の離脱やスライドなどが防止されることが可能である。供給ロールは、中央部は存在しないで、両末端部のみが存在する形態を有する場合に、前駆体供給手段は、末端部の二つの内部側面のうちのいずれかの一つに形成されるか、あるいは二つの側面で互いに対向するように形成されることが可能である。
供給ロールの両末端部は、例えば、基板の移送過程で前記移送方向と約７０度〜１１０度の範囲内のいずれかの一つの角度を成す方向、例えば、垂直方向に基板に張力を印加しながら基板を固定するように形成することができる。例えば、前記末端部は、基板の移送方向と約７０〜１１０度の範囲内のいずれかの一つの角度を成す方向、例えば、垂直方向に前記基板を引っ張るように移動が可能に形成されることが可能である。他の例示では、末端部またはその末端部に存在する突出部のパターンが、基板が移送されながら同時に引っ張られるようにする形状を有することができる。
図８〜図１１は、前記のような構造を例示的に示した図である。
図８のように、供給ロールは、両末端部２１０のみが存在する形態を有することができる。このような構造で、両末端部２１０の突出部３１０に基板４００を固定し、前記両末端部２１０を外側に水平移動させて基板４００に張力を印加しながら移送することができる。
図８のような構造は、図９に示したように、中央部２２０が存在する供給ロールに対しても具現することができる。
図１０は、基板４００に張力を印加しながら移送できる他の形態を示した図である。図１１のように、突出部３１０を所定パターンで形成することで、前記のような構造を具現することができる。この場合、突出部３１０のパターンの形態は、特に限定されない。例えば、前記突出パターンは、基板の進行方向（移送方向）と０度を超過し、９０度未満の範囲内でいずれかの一つの角度を成す線形状を含むことができる。このような形態は、例えば、櫛形態、すなわち、図１０に示したような形態であることが可能である。このような形態で張力を印加しながら基板４００を移送することができる構造を具現することができる。
図１１は、供給ロールの他の形態を例示している。図１１のように、末端部２１０をテーパー（tapered）形態で形成する場合にも張力を印加しながら基板４００を移送することができる構造を具現することができる。このような構造により基板４００の移送時に末端部２１０が基板を両側に引っ張る効果を示すことができる。
以上、膜形成装置に含むことができるガイドロールの特異的な形態に対して説明したが、前記装置の具現様態が前記に限定されるものではなくて、前記のような特異的な構造ではない一般的な形態のロールによっても前記装置は具現されることが可能である。
膜形成装置の移送システム、例えば、ガイドロールは、基板を前記第１チャンバ及び第２チャンバなどを複数回通過させることができるように設置されている。第２処理領域または第３処理領域のような他の領域が存在する場合には、前記移送システム、例えば、ガイドロールは、基板を前記他の領域を毎回経由しながら第１チャンバ及び第２チャンバを複数回通過させることができるように設置されていることが可能である。
移送システムは、第１チャンバ内に存在する複数の第１ガイドロール及び第２チャンバ内に存在する複数の第２ガイドロールを含むことができる。第１ガイドロールのうちの少なくとも一部は、他の領域側に基板の経路を変化させるように形成されており、同様に第２ガイドロールのうちの少なくとも一部は、他の領域側に基板の経路を変化させるように形成されている。
上述した装置では、基板は移送システムにより各領域を経由し、その領域で前駆体が蒸着されて単層が形成されるか、あるいはパージング（purging）されることが可能である。前駆体は、上述した前駆体供給ロールや他の供給手段により供給されることが可能である。前記他の供給手段は、各領域の内部または外部に設置される前駆体ソースを含むことができ、追加的に、前駆体を領域に供給するための配管、ポンプ、バルブ、タンク及び他の必要な公知の手段を含むことができる。
前記膜形成装置で、各チャンバまたは領域などは、上述の排気手段による排気または前駆体または非活性ガスの導入圧力などを通して内部の圧力が制御されることが可能である。前記チャンバなどは、工程の進行の制御などのための他の処理モジュールまたは装備などとインターフェースされることが可能である。
膜形成装置では、各領域に存在する基板に未吸着の前駆体が他の領域のガスと混合されることなどにより発生することがある不適切な反応、例えば、非−ＡＬＤ反応などを防止するために、各領域の前駆体が他の領域に移動することを抑制する必要がある。これによって、各領域は、上述した流れ制限通路により連結されているか、追加的に内部圧力が調節されることが可能である。流れ制限通路を構成する方法は、特に限定されず、公知の手法を採用することができる。例えば、各通路は、その通路を通過する基板の厚さ及び幅より少しだけ厚くてさらに入れる大きさを有するスリットとすることができる。通路は、基板が通過する際に非常に小さい余裕空間のみを許容し、基板が通路の各面と引っかかりなしに通路を通過するように設置されることが可能である。例えば、前記余裕空間は、数マイクロン〜数ミリメートルの間の範囲内で規定することができる。また、通路は、基板が通過できる細長いトンネルを含んで形成することができ、必要な場合には、通路を通したガスの流れを追加で制限するためのワイパーを含むことができる。また、通路は、延長された一連の長くて狭小な通路で形成することができる。
前駆体の混合を防止するために、各領域の間には、圧力差が存在することが可能である。例えば、各処理領域が他の領域、例えば、前記言及した第３処理領域などに分割される場合に、処理領域の圧力より大きい圧力で非活性ガスを前記第３処理領域に注入することで、ガスの混合などを防止することができる。例えば、ガスの排出流れをスロットルするか手動排出して圧力を制御することができる。他の例示では、ポンプまたは他の吸入ソースを利用して領域にポンピングすることで、圧力差を生成することができる。例えば、ポンプはすべての領域に連結されており、各領域の圧力を調節して圧力差を生成するように制御することができる。また、前駆体の移動は、流れ制御バルブまたは他の流れ制御デバイスを使用して、ガスの相対的流れ速度及びポンピング速度を制御することで防止することができる。また、圧力センサーに応答する制御装置を使用してガス注入及び排出の流れ速度を制御することで、希望する圧力差を維持することを補助することができる。
また、本発明は、膜の形成方法に関する。膜形成方法は、例えば、原子層蒸着方法とすることができる。このような方法は、例えば、上述した膜形成装置を使用して実行することができる。例えば、前記装置の移送システムのガイドロールを使用して第１チャンバを経由させて第１前駆体の層を形成し、更に前記基板を第１チャンバの貫通部を通して第２チャンバに経由させて第２前駆体の層を形成する過程を含むことができる。前記過程は、希望する厚さを得るために、２回以上繰り返すことができ、必要な場合に、一つ以上の他の領域を上述したように含ませて第１単層及び第２単層の形成の間にパージング工程を実行するか、あるいは第１単層及び第２単層とは異なる材質の第３単層を形成することを実行することができる。
前記方法で使用される基板の種類は、特に限定されず、例えば、ガラス、プラスチックフィルム、金属性ウェブまたは纎維性フィルムなどとすることができる。また、前記方法により基板に形成することができる膜の種類は、原子層蒸着方法などにより形成することができるもので、公知か予測できるすべての種類の膜が含まれ、例えば、バリア層、導電層、誘電体層、絶縁体層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層または正孔輸送層などとすることができる。
このような膜を形成するために使用できる前駆体の種類も特に限定されず、例えば、原子層蒸着に適用されて上述した各種類の膜を形成することができるもので、公知のすべての種類を含むことができる。
本発明による装置によると、多様な種類の前駆体の膜を基板に形成することができる。
１０１ 第１チャンバ（第１処理領域）
２０１ 第２チャンバ（第１処理領域）
３００ ガイドロール
４００ 基板
５００ 第２処理領域
６００ 第３処理領域
１０１１ 貫通部
２０１ 第２チャンバ（第１処理領域）
３００ ガイドロール
４００ 基板
５００ 第２処理領域
６００ 第３処理領域
１０１１ 貫通部
Claims (7)
- 基板を移送することができるように設置された一つ以上のガイドロールを含む移送システムと、
移送される前記基板の表面に前駆体の層を形成するように設置された第１の処理領域と、
移送される基板上に前駆体の層を形成することができるか、あるいは不活性ガスによるパージング工程を実行することができる第２処理領域と、
を含み、
前記第１の処理領域は、第１チャンバ及び前記第１チャンバの上部または下部に配置された第２チャンバを含み、前記第１チャンバには、前記第１チャンバの上部または下部側から基板が前記第２チャンバに導入されるように貫通部が形成されており、
前記ガイドロールは、第１チャンバ及び第２チャンバ内に各々一つ以上存在し、前記基板が前記第１チャンバを経由した後に前記貫通部を通して前記第２チャンバを経由することができる経路を形成するように設置されており、
第２チャンバは、第１チャンバの方向に形成された凸部を含み、
第２チャンバの凸部が第１チャンバの貫通部に挿入されており、
第１チャンバの貫通部は、第２チャンバの凸部が前記貫通部に挿入されると、前記凸部の外部を取り囲むことができるサイズで形成されており、
第１処理領域及び第２処理領域は、基板上に前駆体の層を形成することができるか、あるいは不活性ガスによるパージング工程を実行することができる第３処理領域により分割されており、
前記移送システムは、第１チャンバ、第３処理領域、第２処理領域、及び第２チャンバの順序で通過させることができるように、或いは第２チャンバ、第３処理領域、第２処理領域、及び第１チャンバの順序で基板を通過させることができるように形成されていることを特徴とする膜形成装置。 - 原子層蒸着により膜を形成することができるように設置されていることを特徴とする請求項１に記載の膜形成装置。
- 第２チャンバは、第１チャンバの上部または下部で前記第１チャンバと接触した状態で配置されていることを特徴とする請求項１に記載の膜形成装置。
- ガイドロールは、第１チャンバを経由した基板が前記第２処理領域を経由した後に更に前記第１チャンバの貫通部を通して第２チャンバを経由することができる経路を形成するように設置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜形成装置。
- 第２処理領域は、第３チャンバ及び前記第３チャンバの上部または下部に存在する第４チャンバを含み、前記第３チャンバには、上部または下部から基板が前記第４チャンバに導入されるように貫通部が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜形成装置。
- ガイドロールは、第１チャンバを経由した基板が第３チャンバを経由した後に前記第１チャンバの貫通部を通して前記第２チャンバを経由し、更に前記第３チャンバの貫通部を通して前記第４チャンバを経由する経路を形成するように設置されていることを特徴とする請求項５に記載の膜形成装置。
- 前記一つ以上のガイドロールのうちのいくつかのガイドロールは、前記前駆体を供給するための複数の噴射口と、基板と接触する一対の先細末端部とを備える供給ロールであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の膜形成装置。
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