JP6107387B2 - 電子ビーム照射処理の終点検出装置、終点検出方法及び電子ビーム照射処理装置 - Google Patents
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Description
特に、半導体デバイスの分野では、回路パターンを数nm〜数十nmレベルでの微細な加工を施す場面で、電子ビーム照射装置が多く用いられる。この回路パターンは、近年の大規模集積回路の高集積化に伴ってますます微細化が求められているため、回路原版であるフォトマスク上に、より微細かつ正確な回路パターンを形成する技術が要求されている。
また、前記処理領域の長さを十nmオーダから百nmオーダとしてもよい。これにより、微細な処理領域の修正処理をより高精度に行うことができる。
本発明に係る電子ビーム照射処理装置のある態様として、前記いずれかの電子ビーム照射処理の終点検出装置と、前記算出された処理領域への電子ビーム照射処理の終点に基づいて、前記第一の電子ビーム照射装置の電子ビーム照射処理を停止させる制御装置とを有することとした。これにより、処理領域の修正処理を高精度に加工処理できる電子ビーム照射処理装置を提供できる。
また終点検出用領域の形状が処理領域の形状に相似して拡大形成されているので、これら各領域に電子ビームを照射した際の二次電子等の強度に関しては、終点検出用領域の方が処理領域よりも大きくなる。そして、処理領域への電子ビームの照射タイミングと同期して終点検出用領域へ電子ビームを照射するとともに、終点検出用領域への照射処理の終点が検出された時点を処理領域への照射処理の終点として算出する。よって、電子ビーム照射処理における装置の構成及び操作を複雑とすることなく、処理の終点を高精度に検出できる。
本発明の実施形態に係る終点検出装置は、図1に示すように、第一の電子ビーム照射装置12を有し、第一の電子ビーム照射装置12はフォトマスク6上の回路パターン中の黒欠陥部13(図3参照)に電子ビーム2を照射する。また終点検出装置は、第二の電子ビーム照射装置12´を有し、第二の電子ビーム照射装置12´はフォトマスク6上において、前記回路パターンの周縁部位に形成された、終点検出用領域の中のプログラム欠陥部17(図4参照)に電子ビームを照射する。さらに終点検出装置は、第一の電子ビーム照射装置12の移動方向を制御する第一のXY移動ステージ11と、第二の電子ビーム照射装置12´の移動方向を制御する第二のXY移動ステージ11´とを有する。さらに終点検出装置は、黒欠陥部への電子ビーム照射によって生じる二次電子8又は/及び後方散乱電子9を捕捉して二次電子等の強度を電気信号に変換する第一の捕捉装置10を有する。また終点検出装置は、プログラム欠陥部への電子ビーム照射によって生じる二次電子8´又は/及び後方散乱電子9´を、同様に捕捉する第二の捕捉装置10´を有する。さらに終点検出装置は、この第二の捕捉装置10´によって補足された二次電子等の強度に基づいて、黒欠陥部への電子ビーム照射処理の終点を検出する算出装置20(図2参照)を有する。
第一の捕捉装置10と第二の捕捉装置10´は各々、図1に示すように、フォトマスク6に対して同じ角度及び同じ離間距離で配置されている。
次に、第二の電子ビーム照射装置12´によって電子ビーム2´が照射されるプログラム欠陥部の作製方法の一例を説明する。プログラム欠陥部は、フォトマスク6上に本来の回路パターンを形成する際、同時に形成されるものである。以下に詳細を述べる。
まず基板となる6インチの石英基板15に、スパッタリングを用い遮光層であるMoSi合金14を数十nm程度成膜する。その後、同じく遮光層であるCrを数十nm成膜した上にポジレジストまたはネガレジストを数百nmコーティングして、フォトマスクブランクスを得る。
次に、第一の電子ビーム照射装置12と第二の電子ビーム照射装置12´の連動について説明する。
第一の電子ビーム照射装置12は、例えばラスタ走査方式の場合、まず、回路パターン中のSパターンのライン上の一つの角を開始位置(図3中「1LOOPの開始位置」で示す)とする。そしてここから、図中の一点鎖線で示すように、電子ビーム2の走査照射を開始する。具体的には、第一の電子ビーム照射装置12は、黒欠陥部13の位置に到達するまでは電子ビーム2の照射位置を移動させる。そして黒欠陥部13の位置に到達すると、黒欠陥部13に電子ビーム2を走査照射する。その後、黒欠陥部13の位置を通過した後は、終了位置(図3中「1LOOPの終了位置」で示す)に至るまで電子ビーム2の照射位置を移動させる。このように黒欠陥部13の位置においてのみ電子ビーム2は走査照射される。
次に、図6を用いて、本実施形態を用いた終点検出方法を、電子ビーム2を照射して黒欠陥部13を修正するという修正処理の動作を通じて説明する。
上記のとおり製造され、黒欠陥部13及びプログラム欠陥部17を有するフォトマスク6を第一のXYステージ11にセットする(STEP1)。次に、電子銃1、コンデンサレンズ3、対物レンズ4、偏光器5、アシストガス、電子ビーム2の照射開始位置、照射終了位置等の条件を、処理における修正条件として設定する。そして設定された値を、外部入力機器であるキーボードを用いて、2つの電子ビーム照射装置12、12´に入力する(STEP2)。
そして、第二の捕捉装置10´から入力された信号が閾値以上であると判定されると、黒欠陥部13の修正処理の終点が算出される。その後、算出装置20に黒欠陥部13の修正処理の終点が算出されたことをモニター19に表示させる。このようにして、黒欠陥部13の修正処理の終点を検出する方法が構成される。
本実施形態に係る終点検出装置によれば、本来の回路パターンにおける黒欠陥部への電子ビームの照射処理と、プログラム欠陥部への電子ビームの照射処理とを、同じチャンバー内の雰囲気で、かつ同じ一枚のフォトマスク上にて行う。よって、2つの照射処理間で一致する条件を増加させてこれらを同期させるので、より正確に処理の終点を検出することができる。
また黒欠陥部の長さが十nmオーダから百nmオーダの場合、黒欠陥部に電子ビームを照射した場合に、得られる二次電子等の強度が極端に小さくなることが多い。よって黒欠陥部の形状を所定の比率で拡大した形状のプログラム欠陥部を形成し、これを終点検出用として用いれば、黒欠陥部の修正精度を向上させることができる。
なお、本実施形態に係る終点検出装置に、前記検出された黒欠陥部における終点の検出に基づいて第一の電子ビーム照射装置の電子ビーム照射処理を停止させるように構成された制御装置をさらに備えた電子ビーム照射処理装置としてもよい。これにより、終点の検出から電子ビーム照射処理の停止までの工程を、オペレータの手を介さずに自動化することができるので、効率的に黒欠陥部の修正処理を行うことができる。そして、フォトマスクの基板のオーバーエッチングや遮光層のサイドエッチングを抑制した高精細のフォトマスクを製造できる。
また、本実施形態に係る電子ビーム照射処理装置においては、第一の捕捉装置と第二の捕捉装置とが、フォトマスクに対して同じ角度及び距離で離間配置されているので、各々が捕捉する二次電子等の信号が互いに干渉しない。これにより、より正確に処理の終点を検出することができる。
2 電子ビーム
3 コンデンサレンズ
4 対物レンズ
5 偏光器
6 フォトマスク
7 ガスノズル
8 二次電子
9 後方散乱電子
10 第一の捕捉装置
10′ 第二の捕捉装置
11 第二のXYステージ
11′ 第一のXYステージ
12 第一の電子ビーム照射装置
12′ 第二の電子ビーム照射装置
13 黒欠陥部
14 MoSi合金
15 石英基板
17 プログラム欠陥
18 プログラム欠陥
19 モニター
20 算出装置
Claims (6)
- 電子ビームを照射して加工処理を施す対象物である被処理物上の処理領域に電子ビームを照射する第一の電子ビーム照射装置と、
前記処理領域の形状に相似して拡大された形状の終点検出用領域に、前記第一の電子ビーム照射装置の電子ビームの照射タイミングと同期して電子ビームを照射する第二の電子ビーム照射装置と、
前記終点検出用領域から生じる二次電子又は後方散乱電子を捕捉する捕捉装置と、
前記捕捉された二次電子又は後方散乱電子の強度に基づいて、前記終点検出用領域への電子ビーム照射処理の終点を算出するとともに、当該終点を算出した時点を前記処理領域への電子ビーム照射処理の終点として算出する算出装置とを有する電子ビーム照射処理の終点検出装置。 - 前記被処理物をフォトマスクとし、前記処理領域をフォトマスク上に形成された回路パターンに生じた黒欠陥部とすることを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム照射処理の終点検出装置。
- 前記処理領域の長さが十nmオーダから百nmオーダであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子ビーム照射処理の終点検出装置。
- 前記処理領域の形状が、ホール形状、ドット形状、突起形状、欠け形状、ブリッジ形状、ミスホール形状またはこれら複数の形状を組み合わせた形状のいずれかであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子ビーム照射処理の終点検出装置。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子ビーム照射処理の終点検出装置と、
前記算出された処理領域への電子ビーム照射処理の終点に基づいて、前記第一の電子ビーム照射装置の電子ビーム照射を停止させる制御装置とを有する電子ビーム照射処理装置。 - 電子ビームを照射して加工処理を施す対象物である被処理物上の処理領域に電子ビームを照射する電子ビーム照射処理の終点を検出する方法であって、
前記処理領域の形状に相似して拡大された形状の終点検出用領域に、前記処理領域への電子ビームの照射タイミングと同期して電子ビームを照射し、当該終点検出用領域への電子ビームの照射によって生じる二次電子又は後方散乱電子を捕捉し、当該捕捉された二次電子又は後方散乱電子の強度に基づいて前記終点検出用領域への電子ビーム照射処理の終点を算出し、当該終点を算出した時点を前記処理領域への電子ビーム照射処理の終点として算出することを特徴とする電子ビーム照射処理の終点検出方法。
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