JP6100745B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は有機電界発光素子に関する。

有機電界発光素子（以下、「素子」、「有機ＥＬ素子」ともいう）は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから活発に研究開発が行われている。有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。

近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。また、発光材料をホスト材料中にドープした発光層を用いるドープ型素子が広く採用されている。
例えば、特許文献１には、燐光発光材料として特定の構造を有する白金錯体を用いることにより、発光効率及び耐久性を向上させた有機電界発光素子が提案されている。また、特許文献２には、燐光材料として白金錯体を用い、ホスト材料としてトリフェニレン化合物を用いた有機発光層が提案されている。

しかしながら、これら特許文献には発光素子の駆動劣化時の電圧変動に関しては記載されていない。有機EL素子は一定の電流密度で連続駆動させた際、輝度が低下していくとともに有機層の抵抗が上昇することによる電圧の上昇が一般的に生じる。この現象により、素子の電力効率は駆動時間とともに低下する事が課題とされていた。

特許第４３９９４２９号 特開２００９−１４７３２４号公報

本発明の目的は、連続駆動劣化時の電圧上昇を抑えることの可能な有機電解発光素子を提供することである。
また、本発明の別の目的は、上述の有機電界発光素子を含む発光装置及び照明装置を提供することである。

本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、下記の知見を得た。即ち、発光層に平板状のホスト化合物を有し、発光層内のホスト材料の結晶状態でのラマンスペクトルピークが１３００ｃｍ^−１〜１６００ｃｍ^−１の範囲にあり、該発光層のラマンスペクトルピークが該ピーク±２ｃｍ^−１の範囲であるような有機電解発光素子が、上記課題を解決することを見出した。
しかし、先行特許文献１〜３のいずれにも、上述の発光層の組成を有する発光層が特異的に連続駆動時の電圧上昇を抑えられることは開示されていない。
すなわち、本発明は下記の手段により達成された。
〔１〕
基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を含む有機層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層に下記一般式（Ｃ−１）で表される化合物と平板状ホストとを有し、該平板状ホスト材料の結晶状態でのラマンスペクトルピークの範囲が１３００〜１６００ｃｍ^−１であり、かつ該発光層のラマンスペクトルピークの範囲が該ピーク±２ｃｍ^−１であることを特徴とする有機電解発光素子。
（式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。）
〔２〕
前記平板状ホスト材料がトリフェニレン構造を有することを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔３〕
前記一般式（Ｃ−１）で表される化合物が、下記一般式（Ｃ−５）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電解発光素子。
（一般式（Ｃ−５）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^５１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｙ及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｚ又はＹが、窒素原子である。）
〔４〕
前記一般式（Ｃ−１）で表される化合物が、下記一般式（Ｃ−５−１）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の有機電解発光素子。
(一般式（Ｃ−５−１）中、Ｘ，Ｙ，及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子であり、Ｙが窒素原子のときは、Ｘは、炭素原子である。ｍ、ｎ、ｐ及び、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_４はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、ｍ、ｎ、ｐ、及びｑが２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。)
〔５〕
前記平板状ホスト材料が下記一般式（Ｔ−Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の有機電解発光素子。
（一般式（Ｔ−Ｉ）において、Ｒ_Ｔは、Ｒ_Ｔ ^１−、Ｒ_Ｔ ^１−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^１−ＣＯ−Ｏ−又はＲ_Ｔ ^１−Ｏ−ＣＯ−を表す。Ｒ_Ｔ ^１は、アルキル基、アリール基、アルキル基にフェニレン基、シクロヘキシレン基の環が組み合わされたもの、又はアルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたものを表す。）
〔６〕
前記平板状ホスト材料が、下記一般式（Ｔ−ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の有機電解発光素子。
（上記一般式（Ｔ−ＩII）において、Ｒ_Ｔは、Ｒ_Ｔ ^１−、Ｒ_Ｔ ^１−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^１−ＣＯ−Ｏ−又はＲ_Ｔ ^１−Ｏ−ＣＯ−を表す。Ｒ_Ｔ ^１としては、アルキル基、アリール基、アルキル基にフェニレン基又はシクロヘキシレン基の環が組み合わされたもの、又はアルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたものを表す。）
〔７〕
前記一般式（Ｃ−１）で表される化合物の分子量Ｍ（Ｐｔ）と、前記平板状ホスト材料の分子量Ｍ（Ｈ）の比Ｍ（Ｐｔ）/Ｍ（Ｈ）の範囲が０．６〜１．４であることを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔８〕
〔１〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
〔９〕
〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。

本発明によれば、連続駆動劣化時において、電圧上昇の小さい有機電界発光素子を提供することができる。

本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示す概略図である。 本発明に係る発光装置の一例を示す概略図である。 本発明に係る照明装置の一例を示す概略図である。

本発明において、置換基群Ａ、置換基群Ｂ、置換基Ｚを下記のように定義する。
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。
（置換基群Ｂ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、シアノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、前記置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。
（置換基Ｚ）
炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、フェニル基、炭素数５〜１０の芳香族ヘテロ環基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェノキシ基、フルオロ基、シリル基、アミノ基、シアノ基又はこれらを組み合わせて成る基を表す。複数の置換基Ｚは互いに連結して芳香族炭化水素環を形成しても良い。

下記、一般式（Ｔ−Ｉ）の説明における水素原子は同位体（重水素原子等）も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
本発明において、「置換基」というとき、その置換基は置換されていてもよい。例えば、本発明で「アルキル基」と言う時、フッ素原子で置換されたアルキル基（例えばトリフルオロメチル基）やアリール基で置換されたアルキル基（例えばトリフェニルメチル基）なども含むが、「炭素数１〜６のアルキル基」と言うとき、置換されたものも含めた全ての基として炭素数が１〜６であることを示す。

本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を含む有機層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層に下記一般式（Ｃ−１）で表される化合物と平板状ホストとを有し、該平板状ホスト材料の結晶状態でのラマンスペクトルピークの範囲が１３００ｃｍ^−１〜１６００ｃｍ^−１であり、かつ該発光層のラマンスペクトルピークの範囲が該ピーク±２ｃｍ^−１であることを特徴とする有機電解発光素子である。

発光層のラマンピークがホスト材料の結晶状態でのピーク±２ｃｍ^−１の範囲に観測される場合、発光層内でのホスト分子の相対配置が結晶状態に近い規則性を持つこと、すなわち、層内の平板状ホスト分子が面方向に近い状態で配列している事を意味する。
発光層が結晶状態に近い場合、面内での電荷移動度が均一になり、連続駆動時における移動度が高い部分の失活を防ぐことが可能になり、結果として連続駆動劣化時の電圧上昇を抑えることが可能になる。

〔一般式（Ｃ−１）で表される化合物〕
白金錯体として好ましくは、下記一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体である。

（式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−１）について説明する。Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。この時、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４中のＰｔに結合する原子の内、少なくとも一つが炭素原子であることが好ましく、二つが炭素原子であることがより好ましく、二つが炭素原子で、二つが窒素原子であることが特に好ましい。
炭素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、アニオン性の配位子でも中性の配位子でもよく、アニオン性の配位子としてはビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントレン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。中性の配位子としてはカルベン配位子が挙げられる。
窒素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としては含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサゾール配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））、アミン配位子、ニトリル配位子、イミン配位子が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アミノ配位子、イミノ配位子、含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピロール配位子、イミダゾール配位子、トリアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えはインドール配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））が挙げられる。
酸素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはエーテル配位子、ケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子、含酸素ヘテロ環配位子（フラン配位子、オキサゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾオキサゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子などが挙げられる。
硫黄原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはチオエーテル配位子、チオケトン配位子、チオエステル配位子、チオアミド配位子、含硫黄ヘテロ環配位子（チオフェン配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子などが挙げられる。
リン原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはホスフィン配位子、リン酸エステル配位子、亜リン酸エステル配位子、含リンヘテロ環配位子（ホスフィニン配位子など）が挙げられ、アニオン性の配位子としては、ホスフィノ配位子、ホスフィニル配位子、ホスホリル配位子などが挙げられる。
Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４で表される基は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い（Ｑ^３とＱ^４が連結した場合、環状四座配位子のＰｔ錯体になる）。

Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４で表される基として好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、より好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アリールオキシ配位子であり、さらに好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子である。

Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は二価の連結基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、又はこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、さらに置換基を有していてもよい。Ｒ及びＲ’はそれぞれ独立に、置換基を表す。
錯体の安定性及び発光量子収率の観点から、Ｌ^２及びＬ^３として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、さらに好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基であり、さらに好ましくは、単結合、メチレン基、フェニレン基であり、さらに好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基であり、最も好ましくは単結合である。

Ｌ^１として好ましくはアルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくはアルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、さらに好ましくはアルキレン基、イミノ基であり、さらに好ましくはメチレン基、イミノ基である。これらは置換基を有していてもよく、該置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ｌ^１としてさらに好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基、アリールイミノ基であり、さらに好ましくはジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基、フェニルイミノ基、４−ｔ−ブチルフェニルイミノ基、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニルイミノ基であり、特に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニルイミノ基である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましくは下記一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体である。

（式中、Ｌ^２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^２１、Ａ^２２、Ｂ^２１、Ｂ^２２はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表すが、２つ以上が窒素原子を表す。Ｚ^２１、Ｚ^２２はそれぞれ独立にベンゼン環又は含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２３、Ｚ^２４はそれぞれ独立にベンゼン環又は含窒素芳香族ヘテロ環を表す。）

一般式（Ｃ−２）について説明する。Ｌ^２１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^２１、Ａ^２２、Ｂ^２１、Ｂ^２２はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表すが、２つ以上が窒素原子を表し、２つ又は３つが窒素原子を表すことが好ましく、２つが窒素原子を表すことがより好ましい。錯体の安定性の観点からＡ^２１及びＡ^２２窒素原子を表す、またはＢ^２１及びＢ^２２が窒素原子であることを表すことが好ましい。

Ｚ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４は、それぞれ独立にベンゼン環又は含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４で表される含窒素芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、などが挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点からＺ^２３、Ｚ^２４で表される環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラゾール環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。

前記Ｚ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４で表されるベンゼン環、含窒素芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては前記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては前記置換基群Ｂが適用できる。

炭素上の置換基として好ましくはアルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、シアノ基、又はハロゲン原子であり、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、又はハロゲン原子がより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子、又はシアノ基が更に好ましい。

前記アルキル基としては、炭素数１〜２０の置換又は無置換のアルキル基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルキル基としては、炭素数１〜１２が好ましく、例えば、メチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、ｓ−ブチル基などが挙げられる。
前記アリール基としては、炭素数６〜１０の置換又は無置換のアリール基を表し、縮環していてもよく、例えば、フェニル基、トルイル基、ナフチル基などが挙げられる。
前記トリフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基が好ましい。
前記アルコキシ基としては、炭素数１〜２０の置換又は無置換のアルコキシ基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルコキシ基としては、炭素数１〜１２が好ましく、例えば、メトキシ基、ブチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ｓ−オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基などが挙げられる。
前記へテロ環基としては、炭素数６〜１０の置換又は無置換の含窒素芳香族へテロ環基を表し、縮環していてもよく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、カルバゾール環などが挙げられ、カルバゾール環が好ましい。
前記ジアリールアミノ基としては、炭素数６〜１０の置換又は無置換のジアリールアミノ基を表し、縮環していてもよく、ジフェニルアミノ基、ジトルイルアミノ基、ジナフチルアミノ基などが挙げられる。
前記ジアルキルアミノ基としては、炭素数１〜２０の置換又は無置換のアルキル基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記ジアルキルアミノ基としては、炭素数１〜１２が好ましく、具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジデシルアミノ基、ジドデシルアミノ基、ジｔ−ブチルアミノ基、ジｔ−アミルアミノ基、ジｓ−ブチルアミノ基などが挙げられる。
前記アリールオキシ基としては、炭素数６〜１０の置換又は無置換のアリールオキシ基を表し、縮環していてもよく、フェニルオキシ基、トルイルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。
前記シリル基としては、炭素数３〜２４の炭素原子で置換されたシリル基を表し、トリアルキルシリル基、アリールジアルキルシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基のいずれであってもよい。前記シリル基としては、炭素数３〜１８が好ましく、具体的には、例えば、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

これらの中でも、アスペクト比の観点で、直鎖状アルキル基及び直鎖状アルキル基を置換基として有する前記置換基が好ましい。
置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、長波長化させる場合には電子供与性基、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリール基、芳香族ヘテロ環基などが選択される。また短波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばフッ素基、シアノ基、トリフルオロアルキル基などが選択される。

窒素原子上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、又は芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、又はアリール基が好ましい。

前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−３）で表される白金錯体である。

（式中、Ａ^３０１〜Ａ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^３１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｙ，Ｚ、Ｍは、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子である。）

一般式（Ｃ−３）について説明する。
Ｌ^３１は一般式（Ｃ−２）におけるＬ^２１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^３０１〜Ａ^３０６はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ａ^３０１〜Ａ^３０６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ^３０１〜Ａ^３０６がＣ−Ｒである場合に、Ａ^３０２、Ａ^３０５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、シアノ基、又はハロゲン原子であり、水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、又はハロゲン原子がより好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシアノ基が更に好ましく、水素原子が特に好ましい。。該アルキル基、及びアリール基はさらに置換基を有しても良く、該置換基としてはアルキル基、アリール基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基（好ましくはトリフルオロメチル基）であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）である。Ａ^３０２、Ａ^３０５がＣ−Ｒである場合、該Ａ^３０２、Ａ^３０５のＲとしては、素子の耐久性向上の観点からはアリール基が好ましく、発光波長が短いという観点では水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、フッ素基、シアノ基が好ましい。
Ａ^３０１、Ａ^３０３、Ａ^３０４、Ａ^３０６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましくは水素原子である。

Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して縮環構造を形成してもよい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ^３０８が窒素原子であることが好ましい。

一般式（Ｃ−３）において２つの炭素原子とＡ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０から形成される６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環が挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。前記６員環が、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環（特に好ましくはピリジン環）であることにより、ベンゼン環と比較して、金属−炭素結合を形成する位置に存在する水素原子の酸性度が向上する為、より金属錯体を形成しやすくなる点で有利である。

Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３のうち少なくとも一つは窒素原子であることが好ましく、特にＡ^３１１が窒素原子であることが好ましい。

一般式（Ｃ−３）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−３−１）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−３−１）中、Ｘ，Ｙ，Ｚ、Ｍはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子であり、Ｙが窒素原子のときは、Ｘは、炭素原子である。ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_３及びＲ_３０はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑが２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。Ｑはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子である。）

一般式（Ｃ−３−１）について説明する。
ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。これらの中でも、ｍは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。ｎは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。ｐは、０〜２が好ましく、１〜２がより好ましい。ｑは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。
Ａｒが表すアリール基としては、フェニル基、ナフチル基を挙げることができ、フェニル基であることが好ましい。Ａｒが表すアリール基はさらに置換基を有しても良く、該置換基としてはアルキル基、アリール基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基（好ましくはトリフルオロメチル基）であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）である。これらの中でも、アスペクト比の観点で、直鎖状アルキル基及びアルキル基を置換基として有する前記置換基が好ましい。
Ａｒとしてより好ましくは、フェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル基を挙げることができる。
Ｒ_１〜Ｒ_３及びＲ_３０として好ましくは、一般式（Ｃ−３）におけるＲと同様のものを挙げることができ、好ましくは、Ｒ_１〜Ｒ_２は、アルキル基、アリール基、フッ素原子、シアノ基、シリル基を表す。Ｒ_３は、トリフルオロアルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子が好ましく、トリフルオロアルキル基が更に好ましい。Ｒ_３０はトリフルオロアルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子が好ましく、ハロゲン原子が更に好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、が２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−４）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−４）中、Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^４１は単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−４）について説明する。
Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。
またはＲで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ａ^４０１〜Ａ^４０６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ^４０１〜Ａ^４０６がＣ−Ｒである場合に、Ａ^４０２、Ａ^４０５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素基である。Ａ^４０１、Ａ^４０３、Ａ^４０４、Ａ^４０６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。
Ｌ^４１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^４０７〜Ａ^４１４としては、Ａ^４０７〜Ａ^４１０とＡ^４１１〜Ａ^４１４のそれぞれにおいて、Ｎ（窒素原子）の数は、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ^４０８及びＡ^４１２のいずれかがＮ原子であることが好ましく、Ａ^４０８とＡ^４１２が共にＮ原子であることがさらに好ましい。
Ａ^４０７〜Ａ^４１４がＣ−Ｒを表す場合に、Ａ^４０８、Ａ^４１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、トリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくは、水素原子、フェニル基、トリフルオロアルキル基、シアノ基である。Ａ^４０７、Ａ^４０９、Ａ^４１１、Ａ^４１３のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、トリフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、フェニル基、フッ素基である。Ａ^４１０、Ａ^４１４のＲとして好ましくは水素原子、フッ素基であり、より好ましくは水素原子である。Ａ^４０７〜Ａ^４０９、Ａ^４１１〜Ａ^４１３のいずれかがＣ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−５）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−５）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^５１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｙ及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｚ又はＹが、窒素原子である）

一般式（Ｃ−５）について説明する。Ａ^５０１〜Ａ^５０６及びＬ^５１は、前記一般式（Ｃ−４）におけるＡ^４０１〜Ａ^４０６及びＬ^４１と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ａ^５０７、Ａ^５０８、Ａ^５０９、Ａ^５１０、Ａ^５１１及びＡ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^５０７、Ａ^５０８、Ａ^５０９、Ａ^５１０、Ａ^５１１及びＡ^５１２がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。Ａ^５０７、Ａ^５０８、Ａ^５０９、Ａ^５１０、Ａ^５１１及びＡ^５１２のうち少なくとも一つはＮであることが好ましく、特にＡ^５１０又はＡ^５０７がＮであることが好ましい。

一般式（Ｃ−５）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−５−１）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−５−１）中、Ｘ、Ｙ、及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子であり、Ｙが窒素原子のときは、Ｘは、炭素原子である。ｍ、ｎ、ｐ及び、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_４はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、ｍ、ｎ、ｐ、及びｑが２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。）

Ｒ_１及びＲ_２は、前記一般式（Ｃ−４）におけるＡ^４０１〜Ａ^４０６及びＬ^４１と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ_３及びＲ_４として好ましくは、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
Ａｒは一般式（Ｃ−３−１）におけるＡｒと同義であり好ましいものも同様である。
ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。これらの中でも、ｍは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。ｎは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。ｐは、０〜２が好ましく、１がより好ましい。ｑは、０〜２が好ましく、１がより好ましい。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−６）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−６）中、Ｘ，Ｙ，及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子であり、Ｙが窒素原子のときは、Ｘは、炭素原子である。ｒ、ｓ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ_５〜Ｒ_８はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、ｒ、ｓ、ｔ、及びｕが２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。Ｗ_１及びＷ_２はそれぞれ独立に、アルキル基を表し、互いに結合して環状構造を形成してもよい。）

ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。これらの中でも、ｒは、０〜２が好ましく、０又は１がより好ましい。ｓは、０〜２が好ましく、０又は１がより好ましい。ｔは、０又は１が好ましく、ｕは、０又は１が好ましい。
Ｒ_５及びＲ_６として好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、トリフルオロアルキル基、ハロゲン原子であり、該アリール基はアルキル基を置換基として有していてもよい。
Ｒ_７及びＲ_８として好ましくは、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、アリール基が好ましく、該アリール基はアルキル基を置換基として有していてもよい。
Ｗ_１及びＷ_２として好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができ、メチル基が好ましい。また、該アルキル基は、互いに連結して環状構造（例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、好ましくはシクロプロパン）を形成してもよい。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましい別の態様は下記一般式（Ｃ−７）で表される白金錯体である。

（式中、Ｌ^６１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^６１はＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｚ^６１、Ｚ^６２はそれぞれ独立に含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^６３はベンゼン環又は芳香族ヘテロ環を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）

一般式（Ｃ−７）について説明する。Ｌ^６１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^６１は炭素原子又は窒素原子を表す。錯体の安定性の観点及び錯体の発光量子収率の観点からＡ^６１は炭素原子であることが好ましい。

Ｚ^６１、Ｚ^６２は、それぞれ前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ^２１、Ｚ^２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ^６３は、前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ^２３と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。非環状配位子とはＰｔに結合する原子が配位子の状態で環を形成していないものである。Ｙ中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、窒素原子、酸素原子がより好ましく、酸素原子が最も好ましい。
炭素原子でＰｔに結合するＹとしてはビニル配位子が挙げられる。窒素原子でＰｔに結合するＹとしてはアミノ配位子、イミノ配位子が挙げられる。酸素原子でＰｔに結合するＹとしては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子、カルボキシル配位子、リン酸配位子、スルホン酸配位子などが挙げられる。硫黄原子でＰｔに結合するＹとしては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子、チオカルボン酸配位子などが挙げられる。
Ｙで表される配位子は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い。

Ｙで表される配位子として好ましくは酸素原子でＰｔに結合する配位子であり、より好ましくはアシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、さらに好ましくはアシルオキシ配位子である。

一般式（Ｃ−７）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−８）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−８）中、Ａ^７０１〜Ａ^７１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^７１は単結合又は二価の連結基を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）

一般式（Ｃ−８）について説明する。Ｌ^７１は、前記一般式（Ｃ−６）中のＬ^６１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａ^７０１〜Ａ^７１０は一般式（Ｃ−４）におけるＡ^４０１〜Ａ^４１０と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙは一般式（Ｃ−６）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、別の好ましい態様の１つとして下記一般式（Ｃ−９）で表される白金錯体が挙げられる。

（一般式（Ｃ−９）中、Ｒ_９〜Ｒ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、シリル基、ヘテロ環基を表し、Ｒ_９とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１０、Ｒ_１４とＲ_１５、Ｒ_１３とＲ_１６はそれぞれ独立に、互いに結合して環状構造を形成してもよい。）

Ｒ_９とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１０、Ｒ_１４とＲ_１５、Ｒ_１３とＲ_１６はそれぞれ独立に、互いに結合して環状構造を形成することが好ましい。Ｒ_９とＲ_１１、Ｒ_１２とＲ_１０、Ｒ_１４とＲ_１５、及びＲ_１３とＲ_１６がそれぞれ独立に、互いに結合して環状構造を形成することがより好ましい。
Ｒ_９とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１０、Ｒ_１４とＲ_１５、Ｒ_１３とＲ_１６が、互いに結合して形成する環状構造としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環が挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、又はナフタレン環である。
また、Ｒ_１４とＲ_１５、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１３とＲ_１６が互いに結合して環状構造を形成することが好ましい。
該環状構造は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用でき、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基がより好ましく、炭素数５〜１５のアルキル基、炭素数５〜１５のアルコキシ基が更に好ましい。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体として具体的には、特開２００５−３１０７３３号公報の〔０１４３〕〜〔０１５２〕、〔０１５７〕〜〔０１５８〕、〔０１６２〕〜〔０１６８〕に記載の化合物、特開２００６−２５６９９９号公報の〔００６５〕〜〔００８３〕に記載の化合物、特開２００６−９３５４２号公報の〔００６５〕〜〔００９０〕に記載の化合物、特開２００７−７３８９１号公報の〔００６３〕〜〔００７１〕に記載の化合物、特開２００７−３２４３０９号公報の〔００７９〕〜〔００８３〕に記載の化合物、特開２００６−９３５４２号公報の〔００６５〕〜〔００９０〕に記載の化合物、特開２００７−９６２５５号公報の〔００５５〕〜〔００７１〕に記載の化合物、特開２００６−３１３７９６号公報の〔００４３〕〜〔００４６〕が挙げられ、その他以下に例示する白金錯体が挙げられる。なお、例示化合物におけるアルキル基及びアルキル基は直鎖アルキル基、分岐アルキル基、シクロアルキル基を含むものとし、好ましくは直鎖アルキル基である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体化合物は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ５３，７８６，（１９８８）、Ｇ．Ｒ．Ｎｅｗｋｏｍｅ ｅｔ ａｌ．）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法及びその組み合わせ、Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ １１３，２７４９（１９８０）、Ｈ．Ｌｅｘｙほか）の、２７５２頁、２６行〜３５行に記載の方法等、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキシド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。

本発明の発光層における一般式（Ｃ−１）で表される化合物の含有量は発光層中２〜３０質量％であることが好ましく、５〜２０質量％であることがより好ましく、７〜１５質量％であることがさらに好ましい。
本発明の発光層における一般式（Ｃ−１）で表される化合物の分子量は３００〜２０００であることが好ましく、４００〜１２００であることがより好ましく、４５０〜９００であることがさらに好ましい。また、平板状ホストの分子量は２５０〜２０００であることが好ましく、３００〜１５００であることがより好ましく、４００〜１２００であることがさらに好ましい。分子量が４００以上であれば良質なアモルファス薄膜が形成でき、分子量が１２００以下であると溶媒への溶解性や昇華及び蒸着適性の面で好ましい。
本発明の発光層における一般式（Ｃ−１）で表される化合物の分子量Ｍ（Ｐｔ）と平板状ホストの分子量Ｍ（Ｈ）の比Ｍ（Ｐｔ）/Ｍ（Ｈ）が０．５〜１．５の間にあることが好ましく、０．７〜１．２の間にあることがより好ましく、０．８〜１．２の間にあることがさらに好ましい。

本発明の有機電界発光素子は、発光層に平板状のホストを有し、発光層内のホスト材料の結晶状態でのラマンスペクトルピークが１３００ｃｍ^−１〜１６００ｃｍ^−１の範囲にあり、該発光層のラマンスペクトルピークが該ピーク±２ｃｍ^−１の範囲にある。

〔平板状ホスト〕
本発明の平板状ホストについて詳細に説明する。
平板状とは、分子計算モデルにおいて、共役平面を共有する部分をコア部と呼び、コア部の最も長い部分がｘ軸上にあると仮定したときのｘ軸方向のコア部長さをＬｘとし、その状態でｙ軸方向のコア部長さが最大になるようにｙ軸を規定した場合のコア部長さをＬｙとし、ｚ軸方向のコア部長さをＬｚとしたとき、Ｌｘ/Ｌｙが１〜１．５の間にあり、尚且つＬｘ/Ｌｚが５以上であるものである。
さらに、本発明の発光層に使用されるホスト材料としては、平板状ホスト化合物の中でも以下に対応するディスコティック液晶性ホスト化合物が好ましい。

〔ディスコティック液晶性ホスト化合物〕
前記ディスコティック液晶性ホスト材料は、平面性の高い円盤状の分子からなる液晶相を形成する。

前記ディスコティック液晶性ホスト化合物としては、分子中心の母核に対して、直鎖のアルキル基、アルコキシ基、置換ベンゾイルオキシ基が母核の側鎖として放射線状に置換した構造の化合物も含まれる。分子又は分子の集合体が、回転対称性を有し、一定の配向を付与できる化合物であることが好ましい。

［１］液晶性を示すトリフェニレン誘導体
液晶性を示すトリフェニレン誘導体としては、従来から知られているディスコティック液晶性のトリフェニレン誘導体を使用できるが、例えば下記一般式（Ｔ−Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体を挙げることができる。液晶性を示すトリフェニレン誘導体としては、良好なモノドメイン性を示すディスコティックネマチック相（Ｎ_Ｄ相）を発現するトリフェニレン誘導体であることが好ましい。発光層における液晶性を示すトリフェニレン誘導体は、ホスト材料として機能する。液晶性を示すトリフェニレン誘導体は、高輝度で駆動させたときにも結晶化しにくい。また液晶性を示すトリフェニレン誘導体は配向しており、液晶性を示さないトリフェニレン誘導体と比較して、有機溶媒に対する溶解性が高い。

上記一般式（Ｔ−Ｉ）において、Ｒ_Ｔは、Ｒ_Ｔ ^１−、Ｒ_Ｔ ^１−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^１−ＣＯ−Ｏ−又はＲ_Ｔ ^１−Ｏ−ＣＯ−を意味する。これら基を持つ化合物が全てディスコティック液晶性ではないが、公知技術等に基づきディスコティック液晶性となる適切な基を選択して使用することが出来る。Ｒ_Ｔ ^１としては、アルキル基、アリール基、アルキル基にフェニレン基やシクロヘキシレン基等の環が組み合わされたもの、アルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたもの等がある。

Ｒ_Ｔとしては、具体的には、Ｒ_Ｔ ^２−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）_ｎＴ−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｒ_Ｔ ^３−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−が挙げられる。ここで、Ｒ_Ｔ ^２は重合性基を有していてもよいアルキル基を表し、Ｒ_Ｔ ^３はアルキレン基を表し、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｎ_Ｔ、は−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）−の繰り返し数であり、１以上の整数を表す。

Ｒ_Ｔ ^２は重合性基を有していてもよいアルキル基を表し、重合性基を有する場合、アルキル基の最末端に重合性基を有することがＮ_Ｄ相の発現性の観点で好ましい。重合性基としては、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基、クロトン酸エステル基、エポキシ基等が挙げられ、重合の速度、合成の容易性及びコストの点で、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基が好ましく、アクリル酸エステル基がより好ましい。
Ｒ_Ｔ ^２で表される重合性基を有していてもよいアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１５の範囲であり、更に好ましくは３〜１０の範囲である。
Ｒ_Ｔ ^３で表されるアルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１５の範囲であり、更に好ましくは３〜１０の範囲である。
Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、有していてもよい置換基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基などが挙げられ、Ｎ_Ｄ相の発現性の観点で、アルキル基が好ましい。置換基としてのアルキル基、アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１０の範囲であり、更に好ましくは１〜６の範囲である。
ｎ_Ｔは、−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）−の繰り返し数であり、１以上の整数を表す。ｎ_Ｔは好ましくは１〜１０の整数であり、より好ましくは１〜６の整数であり、更に好ましくは１〜３の整数である。

Ｒ_Ｔとしては、Ｎ_Ｄ相の発現性の観点で、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）_ｎＴ−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−が好ましく、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−が更に好ましい。

上記一般式（Ｔ−Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体は、Ｎ_Ｄ相を発現するという点で、下記一般式（Ｔ−ＩＩ）で表されるトリフェニレン誘導体であることが好ましい。

上記一般式（Ｔ−ＩＩ）において、Ｒ_Ｔ’は、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）_ｎＴ−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯ−、又はＲ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ−を表す。Ｒ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔの定義は、前記一般式（Ｔ−Ｉ）におけるＲ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔと同義である。また上記一般式（Ｔ−ＩＩ）におけるＲ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔの具体例及び好ましい範囲も、前記一般式（Ｔ−Ｉ）におけるものと同様である。

Ｒ_Ｔ’は、Ｎ_Ｄ相の発現が良好であることから、以下の一般式（Ｔ−ＩＩ−１）〜（Ｔ−ＩＩ−５）のいずれかで表されることがより好ましい。

上記一般式（Ｔ−ＩＩ−１）〜（Ｔ−ＩＩ−５）中、ｎ及びｎ’はそれぞれ独立に、１以上の整数を表す。
Ｘ_Ｔは、重合性基を表す。

ｎは、１以上の整数を表す。ｎは、好ましくは１〜２０の整数であり、より好ましくは１〜１５の整数であり、更に好ましくは３〜１０の整数である。
ｎ’は、１以上の整数を表す。ｎ’は、好ましくは１〜１０の整数であり、より好ましくは１〜６の整数であり、更に好ましくは１〜３の整数である。
Ｘ_Ｔは、重合性基を表し、その具体例及び好ましい範囲は、前記一般式（Ｔ−Ｉ）においてＲ_Ｔ ^２で表されるアルキル基が有していてもよい重合性基の具体例及び好ましい範囲と同様である。

本発明における液晶性を示すトリフェニレン誘導体の中でも、液晶相を２０℃〜３００℃の範囲で発現させるものが好ましい。より好ましくは４０℃〜２８０℃であり、更に好ましくは６０℃〜２５０℃である。ここで２０℃〜３００℃で液晶相を発現するとは、液晶温度範囲が２０℃をまたぐ場合（例えば、１０℃〜２２℃）や、３００℃をまたぐ場合（例えば、２９８℃〜３１０℃）も含む。４０℃〜２８０℃と６０℃〜２５０℃に関しても同様である。

本発明の発光層における液晶性を示すトリフェニレン誘導体の含有量は、発光層中１５〜９７質量％であることが好ましく、３０〜９５質量％であることがより好ましく、５０〜９０質量％であることが更に好ましい。

上記一般式（Ｔ−Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体は、電気的酸化に強いという点で、下記一般式（Ｔ−ＩＩＩ）で表されるトリフェニレン誘導体であることもまた好ましい。

上記一般式（Ｔ−Ｉ）において、Ｒ_Ｔは、Ｒ_Ｔ ^１−、Ｒ_Ｔ ^１−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^１−ＣＯ−Ｏ−又はＲ_Ｔ ^１−Ｏ−ＣＯ−を意味する。Ｒ_Ｔ ^１としては、アルキル基、アリール基、アルキル基にフェニレン基やシクロヘキシレン基等の環が組み合わされたもの、アルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたもの等がある。Ｒ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔの定義は、前記一般式（Ｔ−Ｉ）におけるＲ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔと同義である。また上記一般式（Ｔ−ＩＩ）におけるＲ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔの具体例及び好ましい範囲も、前記一般式（Ｔ−Ｉ）におけるものと同様である。

本発明において、一般式（Ｔ−Ｉ）で表される化合物は、発光層に含有されることが好ましいが、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に更に含有されてもよい。一般式（Ｔ−Ｉ）で表される化合物の導入層としては、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれかを挙げることができる。
一般式（Ｔ−Ｉ）は発光層の全質量に対して０．１〜９９質量％含ませることが好ましく、１〜９５質量％含ませることがより好ましく、１０〜９５質量％含ませることがより好ましい。一般式（Ｔ−Ｉ）を発光層以外の層に更に含有させる場合は、７０〜１００質量％含まれることが好ましく、８５〜１００質量％含まれることがより好ましい。

以下に、液晶性を示す平板状ホストの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

〔有機電界発光素子〕
本発明の素子について詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を含む有機層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層に下記一般式（Ｃ−１）で表される化合物と平板状ホストとを有し、該平板状ホスト材料の結晶状態でのラマンスペクトルピークの範囲が１３００〜１６００ｃｍ^−１であり、かつ該発光層のラマンスペクトルピークの範囲が該ピーク±２ｃｍ^−１である。

本発明の有機電界発光素子において、発光層は有機層であり、発光層と陰極の間に少なくとも一層の有機層を含み、発光層と陰極の間に発光層に隣接する有機層を有するほか、更に複数の有機層を有していてもよい。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。
図１は、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示している。図１に示される本発明に係る有機電界発光素子１０は、支持基板２上において、陽極３と陰極９との間に発光層６が挟まれている。具体的には、陽極３と陰極９との間に正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、正孔ブロック層７、及び電子輸送層８がこの順に積層されている。

＜有機層の構成＞
前記有機層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機層の形状、大きさ、及び厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
有機電界発光素子の素子構成、基板、陰極及び陽極については、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。

＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。

基板、陽極、陰極については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔００７０〕〜〔００８９〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。

〔有機層の形成〕
本発明の有機電界発光素子において、各有機層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、スピンコート法、バーコート法等の溶液塗布プロセスのいずれによっても好適に形成することができる。有機層の少なくとも１層が溶液塗布プロセスにより形成されたことが好ましい。

＜発光層＞
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明は、有機電界発光素子用材料を含有する発光層にも関する。本発明の発光層は有機電界発光素子に用いることができる。 本発明の発光層は、前記燐光性有機金属錯体の他、少なくとも一種のホスト材料を更に含むことが好ましい。ホスト材料としては、正孔輸送性ホスト材料であっても、電子輸送性ホスト材料であってもよいが、両電荷輸送性ホスト材料が好ましい。

基板、陽極、陰極、有機層、発光層については、例えば、特開２００８−２７０７３６、特開２００７−２６６４５８に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。してもよい。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。

＜発光材料＞
本発明における発光材料としては、燐光性発光材料、蛍光性発光材料等いずれも用いることができる。
本発明における発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために２種類以上の発光材料を含有することができる。本発明の素子は発光層に、更に少なくとも１つの燐光性金属錯体を含有することが好ましい。
本発明における発光材料は、更に前記ホスト材料との間で、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たすことが駆動耐久性の観点で好ましい。ここで、△Ｉｐは、ホスト材料と発光材料のＩｐ値の差を、△Ｅａはホスト材料と発光材料のＥａ値の差を意味する。
蛍光発光材料、燐光発光材料については、例えば、特開２００８−２７０７３６の段落番号〔０１００〕〜〔０１６４〕、特開２００７−２６６４５８の段落番号〔００８８〕〜〔００９０〕に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。

一般式（Ｃ−１）で表される化合物は、発光層に含有される。

発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。

本発明の素子における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは一種であっても二種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は一層であっても二層以上の多層であってもよい。また、それぞれの発光層が異なる発光色で発光してもよい。

＜ホスト材料＞
本発明に用いられるホスト材料は、一般式（Ｔ−Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（Ｔ−Ｉ）で表される化合物は、正孔と電子の両電荷を輸送可能な化合物である。

本発明に用いられるホスト材料として、一般式（Ｔ−Ｉ）で表される化合物の他、以下の化合物を含有していても良い。
ホスト材料は電子輸送材料及びホール輸送性材料を挙げることができ、電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
例えば、ピロール、インドール、カルバゾール（例えばＣＢＰ（４，４’−ジ（９−カルバゾイル）ビフェニル））、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、トリフェニレンなどの縮環炭化水素芳香族化合物、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。

本発明における発光層において、前記ホスト材料三重項最低励起エネルギー（Ｔ_１エネルギー）が、前記燐光発光材料のＴ_１エネルギーより高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。

また、本発明におけるホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。
本発明の有機電界発光素子は、前記発光層と陰極との間に前記少なくとも有機層を有し、該有機層に平板状ホストを含有することが好ましい。
平板状ホストは発光層と陰極の間の発光層に隣接する有機層に含有されることがより好ましいが、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に更に含有されてもよい。本発明にかかる平板状ホストの導入層としては、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有することができる。
平板状ホストが含有される発光層と陰極の間の発光層に隣接する有機層は電荷ブロック層又は電子輸送層であることが好ましく、電子輸送層であることがより好ましい。

平板状ホストは合成容易さの観点から炭素原子と水素原子のみからなることがよい。
平板状ホストを発光層以外の層に含有させる場合は、７０〜１００質量％含まれることが好ましく、８５〜１００質量％含まれることがより好ましい。芳香族炭化水素化合物を発光層に含有させる場合は、発光層の全質量に対して０．１〜９９質量％含ませることが好ましく、１〜９５質量％含ませることがより好ましく、１０〜９５質量％含ませることがより好ましい。

平板状ホストとしては、下記一般式（Ｔ−Ｉ）で表される炭化水素化合物（以下単に「炭化水素化合物」と称する場合がある）が好ましい。
一般式（Ｔ−Ｉ）で表される平板状ホストは炭素原子と水素原子のみからなり、化学的安定性の点で優れるため、駆動耐久性が高く、高輝度駆動時の各種変化がおきにくいという効果を奏する。

（電荷輸送層）
電荷輸送層とは、有機電界発光素子に電圧を印加した際に電荷移動が起こる層をいう。
具体的には正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層又は電子注入層が挙げられる。好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層である。塗布法により形成される電荷輸送層が正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層であれば、低コストかつ高効率な有機電界発光素子の製造が可能となる。また、電荷輸送層として、より好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロック層である。

（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
本発明に関し、有機層として、電子受容性ドーパントを含有する正孔注入層又は正孔輸送層を含むことが好ましい。

（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。

正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層については、例えば、特開２００８−２７０７３６、特開２００７−２６６４５８に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６５〕〜〔０１６７〕に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。

（正孔ブロック層）
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、本発明における一般式（Ｔ−Ｉ）で表される化合物のほか、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノレート（Ａｌｕｍｉｎｕｍ （ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

（電子ブロック層）
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

（保護層）
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
保護層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６９〕〜〔０１７０〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

（封止容器）
本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
封止容器については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１７１〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。

（駆動）
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書等に記載の駆動方法を適用することができる。

本発明の有機電界発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、７％以上がより好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、若しくは、２０℃で素子を駆動したときの１００〜３００ｃｄ／ｍ^２付近での外部量子効率の値を用いることができる。

本発明の有機電界発光素子の内部量子効率は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上が更に好ましく、７０％以上が更に好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能である。

本発明の有機電界発光素子は、３５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下に極大発光波長（発光スペクトルの最大強度波長）を有するものが好ましく、より好ましくは４５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、更に好ましくは４７０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下、特に好ましくは４９０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である_。

（本発明の発光素子の用途）
本発明の発光素子は、発光装置、ピクセル、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、又は光通信等に好適に利用できる。特に、照明装置、表示装置等の発光輝度が高い領域で駆動されるデバイスに好ましく用いられる。

（発光装置）
次に、図２を参照して本発明の発光装置について説明する。
本発明の発光装置は、前記有機電界発光素子を用いてなる。
図２は、本発明の発光装置の一例を概略的に示した断面図である。
図２の発光装置２０は、透明基板（支持基板）２、有機電界発光素子１０、封止容器１１等により構成されている。

有機電界発光素子１０は、基板２上に、陽極（第一電極）３、有機層１１、陰極（第二電極）９が順次積層されて構成されている。また、陰極９上には、保護層１２が積層されており、更に、保護層１２上には接着層１４を介して封止容器１６が設けられている。なお、各電極３、９の一部、隔壁、絶縁層等は省略されている。
ここで、接着層１４としては、エポキシ樹脂等の光硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いることができ、例えば熱硬化性の接着シートを用いることもできる。

本発明の発光装置の用途は特に制限されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。

（照明装置）
次に、図３を参照して本発明の実施形態に係る照明装置について説明する。
図３は、本発明の実施形態に係る照明装置の一例を概略的に示した断面図である。
本発明の実施形態に係る照明装置４０は、図３に示すように、前述した有機ＥＬ素子１０と、光散乱部材３０とを備えている。より具体的には、照明装置４０は、有機ＥＬ素子１０の基板２と光散乱部材３０とが接触するように構成されている。
光散乱部材３０は、光を散乱できるものであれば特に制限されないが、図３においては、透明基板３１に微粒子３２が分散した部材とされている。透明基板３１としては、例えば、ガラス基板を好適に挙げることができる。微粒子３２としては、透明樹脂微粒子を好適に挙げることができる。ガラス基板及び透明樹脂微粒子としては、いずれも、公知のものを使用できる。このような照明装置４０は、有機電界発光素子１０からの発光が散乱部材３０の光入射面３０Ａに入射されると、入射光を光散乱部材３０により散乱させ、散乱光を光出射面３０Ｂから照明光として出射するものである。

以下、参考例により本発明を更に詳細に説明する。特に、置換基の有無は本発明の効果に殆ど影響を与えず、以下に示す参考例で用いられる化合物に置換基を有していても同様の効果が得られる。なお、以下に記載される「実施例」は「参考例」と読み替えることとする。

〔Ａ．実施例Ａ−１〜Ａ−４及び比較例Ａ−１〜Ａ−３ （発光素子の作製）〕
（実施例Ａ−１）
＜正孔輸送層形成用塗布液Ａの調製＞
化合物Ａ１を電子工業用キシレンに溶解させ、全固形分濃度０．４質量％とし、これを０．２２μｍのポアサイズを有するＰＴＦＥフィルターでろ過して、正孔輸送層形成用塗布液Ａを調製した。

＜発光層形成用塗布液Ａの調製＞
８５質量％のホスト化合物Ｈ−１と、１５質量％の発光材料Ｐｔ−１とを、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解させ、固形分濃度１．０質量％とし、これを０．２２μｍのポアサイズを有するＰＴＦＥフィルターでろ過して、発光層形成用塗布液Ａを調製した。

＜素子作製＞
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚みで蒸着し成膜したものを透明支持基板とした。この透明支持基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
このＩＴＯ付ガラス基板上に、下記構造式で表されるＰＴＰＤＥＳ（重量平均分子量Ｍｗ＝１３，１００、ケミプロ化成製。ｎは括弧内の構造の繰り返し数を意味し、整数である。）２質量部を電子工業用シクロヘキサノン（関東化学製）９８質量部に溶解し、厚みが約４０ｎｍとなるようにスピンコート（２５００ｒｐｍ、２０秒間）した後、１２０℃で１０分間乾燥と１６０℃で６０分間アニール処理することで、正孔注入層を成膜した。

前記正孔注入層上に、上記のように調整した正孔輸送層形成用塗布液Ａを、厚みが約１０ｎｍとなるようにスピンコート（１５００ｒｐｍ、２０秒間）した後、１２０℃で３０分間乾燥させることで、正孔輸送層を成膜した。

前記正孔輸送層上に上記のように調整した発光層形成用塗布液Ａをグローブボックス（露点−６８度、酸素濃度１０ｐｐｍ）内で厚みが約３０ｎｍとなるようにスピンコート（１５００ｒｐｍ、２０秒間）し、発光層とした。
次いで、発光層上に、電子輸送層として、下記構造式で表されるＢＡｌｑ（ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニル−フェノラト）−アルミニウム（ＩＩＩ））を、厚みが４０ｎｍとなるように真空蒸着法にて形成した。

前記電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、厚みが１ｎｍとなるように真空蒸着法にて形成した。更に金属アルミニウムを７０ｎｍ蒸着し、陰極とした。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止することで、実施例Ａ−１の有機電界発光素子を作製した。

（実施例Ａ−２、実施例Ａ−３））
実施例Ａ−１における発光層形成用塗布液Ａの調製において、以下の表１に記載の材料を使用した以外は、実施例Ａ−１と同様にして実施例Ａ−２及び実施例Ａ−３の有機電界発光素子を得た。

（実施例Ａ−４）
実施例Ａ−１の素子の作製において、発光層形成用塗布液Ａを使用して塗布により発光層を形成する代わりに、８５質量％のホスト化合物Ｈ−１と、１５質量％の発光材料Ｐｔ−１とを真空蒸着法にて蒸着することにより、膜厚３０ｎｍの発光層を形成した以外は実施例Ａ−１と同様にして、実施例Ａ−４の素子を得た。

（比較例Ａ−１、比較例Ａ−２）
実施例Ａ−１における発光層形成用塗布液Ａの調製において、以下の表１に記載の材料を使用した以外は、実施例Ａ−１と同様にして比較例Ａ−１及び比較例Ａ−２の有機電界発光素子を得た。

（比較例Ａ−３）
比較例Ａ−１の素子の作製において、発光層形成用塗布液Ａを使用して塗布により発光層を形成する代わりに、８５質量％のホスト化合物Ｈ−１と、１５質量％の発光材料Ｉｒ−１とを真空蒸着法にて蒸着することにより、膜厚３０ｎｍの発光層を形成した以外は比較例Ａ−１と同様にして、比較例Ａ−３の素子を得た。

（駆動電圧比の測定方法）
有機電界発光表示装置（ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製ソースメジャーユニット２４００型）を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させた。 各素子の直流電流密度０．２５ｍＡ／ｃｍ^２で駆動させた際の初期電圧Ｖ１と、輝度が５０％に達した際の電圧Ｖ２を測定し、比Ｖ２／Ｖ１の値を表２に示した。この値は小さいほど好ましい。
結果を表１に示す。

〔Ｂ．実施例Ｂ−１、実施例Ｂ−２及び比較例Ｂ−１〜Ｂ−３ （赤発光素子の作製）〕（実施例Ｂ−１）
＜発光層形成用塗布液Ｂの調製＞
９５質量％のホスト化合物Ｈ−３と、５質量％の発光材料Ｐｔ−３とを、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解させ、固形分濃度１．０質量％とし、これを０．２２μｍのポアサイズを有するＰＴＦＥフィルターでろ過して、発光層形成用塗布液Ｂを調製した。

＜素子作製＞
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚みで蒸着し成膜したものを透明支持基板とした。この透明支持基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
このＩＴＯ付ガラス基板上に、下記構造式で表される化合物Ａ（ＵＳ２００８／０２２０２６５記載）０．５質量部をシクロヘキサノン９９．５質量部に溶解し、厚みが約５ｎｍとなるようにスピンコート（４０００ｒｐｍ、３０秒間）した後、２００℃で３０分間乾燥することで、正孔注入層を成膜した。

前記正孔注入層上に、実施例Ａ−１で用いた正孔輸送層形成用塗布液Ａを、厚みが約１０ｎｍとなるようにスピンコート（１５００ｒｐｍ、２０秒間）した後、１２０℃で３０分間乾燥することで、正孔輸送層を成膜した。

前記正孔輸送層上に上記のように調整した発光層形成用塗布液Ｂをグローブボックス（露点−６８度、酸素濃度１０ｐｐｍ）内で厚みが約３０ｎｍとなるようにスピンコート（１５００ｒｐｍ、２０秒間）し、発光層とした。
次いで、発光層上に、実施例Ａ−１と同様に、電子輸送層としてＢＡｌｑ、電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、陰極として金属アルミニウムを成膜した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止することで、実施例Ｂ−１の有機電界発光素子を作製した。

（実施例Ｂ−２）
実施例Ｂ−１の素子の作製において、発光層形成用塗布液Ｂを使用して塗布により発光層を形成する代わりに、８５質量％のホスト化合物Ｈ−３と、１５質量％の発光材料Ｐｔ−３とを真空蒸着法にて蒸着することにより、膜厚３０ｎｍの発光層を形成した以外は実施例Ｂ−１と同様にして、実施例Ｂ−２の素子を得た。

（比較例Ｂ−１、比較例Ｂ−２）
実施例Ｂ−１における発光層形成用塗布液Ｂの調製において、以下の表２に記載の材料を使用した以外は、実施例Ｂ−１と同様にして比較例Ｂ−１及び比較例Ｂ−２の有機電界発光素子を得た。

（比較例Ｂ−３）
比較例Ｂ−１の素子の作製において、発光層形成用塗布液Ｂを使用して塗布により発光層を形成する代わりに、８５質量％のホスト化合物Ｈ−５と、１５質量％の発光材料Ｐｔ−３とを真空蒸着法にて蒸着することにより、膜厚３０ｎｍの発光層を形成した以外は比較例Ｂ−１と同様にして、比較例Ｂ−３の素子を得た。

以上のようにして得た各素子を、実施例Ａ−１と同様に評価し、その結果を表２に示す。

実施例で使用した上記以外の化合物の構造を以下に記載する。

〔ラマンピーク及びピーク波長差の測定方法〕
ラマン装置（東京インスツルメンツ社製分光装置、Ｎａｎｏｆｉｎｄｅｒ３０）を用い、励起光をＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）、回折格子を格子周波数１，８００本／ｍｍ、中心波長６７５ｎｍの条件とし、ラマンピーク及びピーク波長差の測定を行った。
測定データの波数間隔を０．５ｃｍ^−１とし、ラマンピークの読取りは、スペクトル解析ソフトウェアを用いて実測ピークをガウス関数にフィッティングし、点間隔を０．０３ｃｍ^−１に補間して行った。
発光層の形成に用いるホスト材料の結晶状態の確認は、市販の粉末Ｘ線回折装置（リガク社製、ＲＩＮＴ２５００）で行った。蒸着前の粉末状態において明確なＸ線回折ピークが観測される場合は、粉末状態を結晶状態とみなし、粉末でＸ線回折ピークが観測されない場合は、別途多結晶を調整した。なお、結晶の最大ラマンピークは、前記ラマン装置を用いて、結晶に照射される励起レーザー光のスポットを約直径約１μｍに絞って測定している。
なお、有機電界発光素子におけるラマンピーク測定は、表に示す実施例、比較例におけるとは別に、前記ＩＴＯ付きガラス基板上に、前記ホスト材料と前記ゲスト材料とを蒸着することにより厚み１００ｎｍ〜５００ｎｍで発光層を有機層として単膜で形成し、該発光層上に前記Ａｌを蒸着して形成したものを用いた。結果を下記表３に示す。

２・・・基板
３・・・陽極
４・・・正孔注入層
５・・・正孔輸送層
６・・・発光層
７・・・正孔ブロック層
８・・・電子輸送層
９・・・陰極
１０・・・有機電界発光素子
１１・・・有機層
１２・・・保護層
１４・・・接着層
１６・・・封止容器
２０・・・発光装置
３０・・・光散乱部材
３０Ａ・・・光入射面
３０Ｂ・・・光出射面 ３１・・・透明基板
３２・・・微粒子
４０・・・照明装置

Claims (9)

1. 基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を含む有機層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層に下記一般式（Ｃ−２）で表される化合物と平板状ホストとを有し、結晶状態の該平板状ホスト材料および該発光層に波長６３２．８ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーを照射したときに観測されるラマンスペクトルにおいて、前記平板状ホスト材料の最大ラマンスペクトルピークが１３００〜１６００ｃｍ^−１の範囲にあり、かつ前記発光層の最大ラマンスペクトルピークが前記平板状ホスト材料の最大ラマンスペクトルピークの波数±２ｃｍ^−１の範囲にあることを特徴とする有機電界発光素子。
   （式中、Ｌ^２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^２１、Ａ^２２、Ｂ^２１、Ｂ^２２はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表すが、Ａ^２１、Ａ^２２、Ｂ^２１、Ｂ^２２の２つ以上は窒素原子を表す。Ｚ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４はそれぞれ独立にベンゼン環又は含窒素芳香族ヘテロ環を表す。）
   （ただし、前記平板状ホストがトリフェニレン構造を有するとき、前記一般式（Ｃ−２）で表される化合物は、下記一般式（Ｃ−４）又は（Ｃ−５）で表される化合物ではない。）
   （一般式（Ｃ−４）中、Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^４１は単結合又は二価の連結基を表す。）
   （一般式（Ｃ−５）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^５１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｙ及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｚ又はＹが、窒素原子である）
2. 前記平板状ホスト材料がトリフェニレン構造を有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
3. 前記一般式（Ｃ−２）で表される化合物が、下記一般式（Ｃ−５）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
   （一般式（Ｃ−５）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^５１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｙ及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｚ又はＹが、窒素原子である。）
4. 前記一般式（Ｃ−２）で表される化合物が、下記一般式（Ｃ−５−１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１又は３に記載の有機電界発光素子。
   (一般式（Ｃ−５−１）中、Ｘ，Ｙ，及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子であり、Ｙが窒素原子のときは、Ｘは、炭素原子である。ｍ、ｎ、ｐ及び、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_４はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、ｍ、ｎ、ｐ、及びｑが２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。)
5. 前記平板状ホスト材料が下記一般式（Ｔ−Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
   （一般式（Ｔ−Ｉ）において、Ｒ_Ｔは、Ｒ_Ｔ１−、Ｒ_Ｔ１−Ｏ−、Ｒ_Ｔ１−ＣＯ−Ｏ−又はＲ_Ｔ１−Ｏ−ＣＯ−を表す。Ｒ_Ｔ１は、アルキル基、アリール基、アルキル基にフェニレン基、シクロヘキシレン基の環が組み合わされたもの、又はアルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたものを表す。）
6. 前記平板状ホスト材料が、下記一般式（Ｔ−ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
   （上記一般式（Ｔ−III）において、Ｒ_Ｔは、Ｒ_Ｔ１−、Ｒ_Ｔ１−Ｏ−、Ｒ_Ｔ１−ＣＯ−Ｏ−又はＲ_Ｔ１−Ｏ−ＣＯ−を表す。Ｒ_Ｔ１としては、アルキル基、アリール基、アルキル基にフェニレン基又はシクロヘキシレン基の環が組み合わされたもの、アルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたものを表す。）
7. 前記一般式（Ｃ−２）で表される化合物の分子量Ｍ（Ｐｔ）と、前記平板状ホスト材料の分子量Ｍ（Ｈ）の比Ｍ（Ｐｔ）/Ｍ（Ｈ）の範囲が０．６〜１．４であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。