JP6095088B2 - Mask manufacturing method, thin film pattern forming method, and organic EL display device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、基板上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成するためのマスクの製造方法に関し、特に高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るマスクの製造方法、薄膜パターン形成方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に係るものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a mask for forming a thin film pattern having a fixed shape on a substrate, and more particularly, a mask manufacturing method, a thin film pattern forming method, and an organic EL capable of easily forming a high-definition thin film pattern. The present invention relates to a method for manufacturing a display device.
従来、この種の薄膜パターン形成方法は、所定の成膜パターンに対応した複数の開口が設けられた強磁性体から成るメタルマスクを基板の一面を覆うように基板に密着させると共に、基板の他面側に配置された磁石の磁力を利用して固定され、真空蒸着装置の真空槽内で上記開口を通して基板の一面に蒸着材料を付着させ、薄膜パターンを形成するようになっていた（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, this type of thin film pattern forming method is such that a metal mask made of a ferromagnetic material provided with a plurality of openings corresponding to a predetermined film formation pattern is adhered to the substrate so as to cover one surface of the substrate, and It was fixed using the magnetic force of the magnet arranged on the surface side, and the deposition material was attached to one surface of the substrate through the opening in the vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus to form a thin film pattern (for example, Patent Document 1).
しかし、このような従来の薄膜パターン形成方法において使用されるマスクは、一般に、数十μｍ〜数ｍｍの厚みの金属板に薄膜パターンに対応した開口を例えばエッチング等により形成されるので、金属板の厚みが厚い場合には開口を高精度に形成することが困難であり、又金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で例えば３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。 However, since the mask used in such a conventional thin film pattern forming method is generally formed by opening, for example, etching or the like corresponding to the thin film pattern in a metal plate having a thickness of several tens of μm to several mm. When the thickness of the metal plate is thick, it is difficult to form the opening with high precision, and it is difficult to form a high-definition thin film pattern of, for example, 300 dpi or more due to the influence of misalignment or warpage due to thermal expansion of the metal plate. It was.
また、マスク用金属板の厚みを３０μｍ程度まで薄くした場合には、３００ｄｐｉに相当する開口を形成することは可能となるものの、開口を形成した部分の金属板が極めて薄いためよじれやたわみが生じ、開口の形状及び位置を精度よく保持することが困難である。したがって、基板上の薄膜パターン形成領域にマスクの開口を精度よく位置合わせすることができず、それ故、ただ単に、マスク用金属板の厚みを薄くしただけでは、３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンを形成することは困難である。 In addition, when the thickness of the mask metal plate is reduced to about 30 μm, an opening corresponding to 300 dpi can be formed, but the metal plate in the portion where the opening is formed is extremely thin, so that kinking and deflection occur. It is difficult to accurately maintain the shape and position of the opening. Accordingly, the opening of the mask cannot be accurately aligned with the thin film pattern formation region on the substrate. Therefore, a high-definition thin film pattern of 300 dpi or more is obtained simply by reducing the thickness of the mask metal plate. Is difficult to form.
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るマスクの製造方法、薄膜パターン形成方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention addresses such problems and provides a mask manufacturing method, a thin film pattern forming method, and an organic EL display manufacturing method capable of easily forming a high-definition thin film pattern. And
上記目的を達成するために、第１の発明によるマスクの製造方法は、基板上に薄膜パターンを成膜形成するためのマスクの製造方法であって、可視光を透過するフィルムの一面に感光性材料を塗布するステップと、前記感光性材料を露光現像して前記薄膜パターンの形成領域（以下、「薄膜パターン形成領域」という）に対応した部分に前記薄膜パターンよりも形状の大きい島パターンを形成するステップと、前記フィルムの前記島パターンの周辺領域に磁性体膜をメッキ形成するステップと、前記島パターンを剥離して前記磁性体膜に前記島パターンに対応する開口部を設けてマスク用部材を形成するステップと、前記マスク用部材を保持手段の平坦面に前記磁性体膜側から吸着して保持するステップと、磁気チャック上に保持された前記基板の前記薄膜パターン形成領域が前記開口部内に位置するように前記基板と前記マスク用部材とを位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスク用部材を前記保持手段から前記基板上に移すステップと、前記開口部内の前記薄膜パターン形成領域に対応した前記フィルムの部分に開口パターンを形成するステップと、を行うものである。 In order to achieve the above object, a mask manufacturing method according to a first invention is a mask manufacturing method for forming a thin film pattern on a substrate, and is photosensitive on one surface of a film that transmits visible light. Applying the material; and exposing and developing the photosensitive material to form an island pattern having a shape larger than the thin film pattern in a portion corresponding to the thin film pattern formation region (hereinafter referred to as “thin film pattern formation region”) A step of plating a magnetic film on a peripheral region of the island pattern of the film; and a mask member by peeling the island pattern and providing an opening corresponding to the island pattern in the magnetic film Forming a mask, adsorbing and holding the mask member on the flat surface of the holding means from the magnetic film side, and holding the mask member on the magnetic chuck After aligning the substrate and the mask member so that the thin film pattern forming region of the plate is positioned in the opening, the magnetic member film is attracted by the magnetic chuck to hold the mask member. And a step of forming an opening pattern in a portion of the film corresponding to the thin film pattern forming region in the opening.
また、第２の発明による薄膜パターン形成方法は、上記方法によって製造されたマスクを使用して基板上に薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、フィルムの一面に磁性体膜を被着し、前記基板の薄膜パターン形成領域に対応して前記フィルムに貫通する開口パターンを形成した前記マスクの前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持するステップと、前記マスクの前記開口パターンを、磁気チャック上に載置された前記基板の前記薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを介して前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成するステップと、を行うものである。 A thin film pattern forming method according to the second invention is a thin film pattern forming method for forming a thin film pattern on a substrate using the mask manufactured by the above method, wherein a magnetic film is formed on one surface of the film. Adhering and holding the magnetic film side of the mask formed with an opening pattern penetrating the film corresponding to the thin film pattern forming region of the substrate by adhering to the flat surface of the holding means; and the mask Aligning the opening pattern with the thin film pattern forming region of the substrate placed on the magnetic chuck, and adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck to remove the mask from the holding means. And forming a thin film pattern on the thin film pattern formation region on the substrate through the opening pattern of the mask. A step, and performs.
さらに、第３の発明による薄膜パターン形成方法は、上記方法によって製造されたマスクを使用して基板上に複数種の薄膜パターンを順次成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、フィルムの一面に磁性体膜を被着し、前記基板の一の薄膜パターン形成領域に対応して前記フィルムに貫通する開口パターンを形成した前記マスクの前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持するステップと、前記マスクの前記開口パターンを、磁気チャック上に載置された前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを介して前記基板上の前記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成するステップと、前記マスクの前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記基板上から前記保持手段に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを前記基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを介して前記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、を行うものである。 Furthermore, a thin film pattern forming method according to a third invention is a thin film pattern forming method in which a plurality of types of thin film patterns are sequentially formed on a substrate using the mask manufactured by the above method. A magnetic film is deposited, and the magnetic film side of the mask having an opening pattern penetrating the film corresponding to one thin film pattern forming region of the substrate is attracted to and held by a flat surface of a holding means. Aligning the opening pattern of the mask with the one thin film pattern forming region of the substrate placed on the magnetic chuck, and adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck Transferring the mask from the holding means onto the substrate, and forming the thin film pattern forming region on the substrate through the opening pattern of the mask; Forming a thin film pattern; adsorbing the magnetic film side of the mask to a flat surface of a holding means; and transferring the mask from the substrate to the holding means; and After aligning the opening pattern with another thin film pattern forming region of the substrate, adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck and transferring the mask from the holding means onto the substrate; and the opening of the mask Forming a film on the other thin film pattern forming region through a pattern and forming another thin film pattern.
そして、第４の発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記方法によって製造されたマスクを使用して有機ＥＬ表示用のＴＦＴ基板上に３色対応有機ＥＬ層を順次形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、フィルムの一面に磁性体膜を被着し、前記ＴＦＴ基板の第１の有機ＥＬ層形成領域に対応して前記フィルムに貫通する開口パターンを形成した前記マスクの前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持するステップと、前記マスクの前記開口パターンを、磁気チャック上に載置された前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせするステップと、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを介して前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に第１の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、前記マスクの前記磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記保持手段に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第２の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを介して前記第２の有機ＥＬ層形成領域に第２の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、前記マスクの前記磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記保持手段に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第３の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの前記開口パターンを介して前記第３の有機ＥＬ層形成領域に第３の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、を含む工程を実行するものである。 And the manufacturing method of the organic EL display device by 4th invention uses the mask manufactured by the said method, forms a 3 color corresponding | compatible organic EL layer on the TFT substrate for organic EL display one by one, and organic EL display A method of manufacturing an apparatus, comprising: applying a magnetic film on one surface of a film; and forming an opening pattern penetrating the film corresponding to a first organic EL layer forming region of the TFT substrate. The step of adsorbing and holding the magnetic film side to the flat surface of the holding means, and the opening pattern of the mask in the first organic EL layer forming region of the TFT substrate placed on the magnetic chuck A step of aligning, a step of attracting the magnetic film by the magnetic chuck and transferring the mask from the holding means onto the TFT substrate, and an opening pattern of the mask. And vacuum-depositing the first organic EL layer on the first organic EL layer forming region of the TFT substrate, adsorbing the magnetic film side of the mask to the flat surface of the holding means, Moving the mask from the TFT substrate to the holding means, aligning the opening pattern of the mask with the second organic EL layer forming region of the TFT substrate, and then adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck And transferring the mask from the holding means onto the TFT substrate, and vacuum-depositing a second organic EL layer on the second organic EL layer formation region through the opening pattern of the mask; Adsorbing the magnetic film side of the mask to the flat surface of the holding means, and transferring the mask from the TFT substrate to the holding means; and the opening pattern of the mask Aligning the mask with the third organic EL layer forming region of the TFT substrate, adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck, and transferring the mask from the holding means onto the TFT substrate; and And vacuum depositing a third organic EL layer in the third organic EL layer forming region through the opening pattern.
本発明によれば、基板上の薄膜パターン形成領域に対応して開口パターンを形成したフィルムの一面に磁性体膜を設けて構成されたマスクの磁性体膜側を平坦面を有する保持手段に吸着して保持しているので、厚みが３０μｍ程度の薄いフィルムに高精細な開口パターンが形成されていても、マスクによじれやたわみが生じることがなく、開口パターンの形状及び位置を精度よく保持することができる。 According to the present invention, the magnetic film side of a mask formed by providing a magnetic film on one surface of a film having an opening pattern corresponding to a thin film pattern forming region on a substrate is attracted to a holding means having a flat surface. Therefore, even if a high-definition opening pattern is formed on a thin film having a thickness of about 30 μm, the shape and position of the opening pattern can be accurately maintained without causing kinking or deflection by the mask. be able to.
また、薄膜パターン形成時には、保持手段に保持されたマスクを磁気チャック上に載置された基板に対して位置合わせした後、磁気チャックによりマスクの磁性体膜を吸着してマスクを保持手段から基板上に移すようにしているので、マスクの開口パターンの形状及び位置をそのまま維持することができる。したがって、マスクの開口パターンを基板の薄膜パターン形成領域上に位置精度よく合致させることができ、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行なうことができる。これにより、３００ｄｐｉ以上の高精細な有機ＥＬ表示装置の製造も可能となる。 When forming a thin film pattern, the mask held by the holding means is aligned with the substrate placed on the magnetic chuck, and then the magnetic film of the mask is attracted by the magnetic chuck to bring the mask from the holding means to the substrate. Since it is moved upward, the shape and position of the opening pattern of the mask can be maintained as they are. Therefore, the opening pattern of the mask can be aligned with the thin film pattern formation region of the substrate with high positional accuracy, and a high-definition thin film pattern can be easily formed. As a result, it becomes possible to manufacture a high-definition organic EL display device of 300 dpi or more.
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による薄膜パターン形成方法の実施形態を示す工程図である。この薄膜パターン形成方法は、基板上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成するものであり、保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクを基板に対して位置合わせする第１ステップと、マスクを保持手段から基板上に移す第２ステップと、薄膜パターンを形成する第３ステップとを含んで構成されている。 Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a process diagram showing an embodiment of a thin film pattern forming method according to the present invention. The thin film pattern forming method is to form a thin film pattern having a fixed shape on a substrate, and a first step of aligning a mask held by suction on a flat surface of a holding unit with respect to the substrate; A second step of transferring the mask from the holding means onto the substrate and a third step of forming a thin film pattern are included.
先ず、第１ステップにおいては、図１（ａ）に示すように、可視光を透過し一面に磁性体膜１を被着した例えばポリイミドやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂製のフィルム２に薄膜パターンの形成領域に対応して該薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターン３を形成し、上記磁性体膜１側を保持手段としての例えば電磁石５を備えて構成された第１の磁気チャック６の平坦に形成された吸着面６ａに、電磁石５により磁性体膜１を吸着して保持されたマスク４（図２参照）の開口パターン３を、同図（ｂ）に示すように、第２の磁気チャック１０上に載置された基板９の薄膜パターン形成領域１１に位置合わせする。この場合、マスク４の開口パターン３と基板９の薄膜パターン形成領域１１との位置合わせは、マスク４に予め形成したマスク側アライメントマーク８と基板９に予め形成した図示省略の基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整して行われる。なお、第１の磁気チャック６の吸着面６ａは、ガラスや緻密なセラミック等の硬質材料により平坦に形成されるとよい。これにより、吸着面６ａを滑らかに形成することができ、マスク４を吸着面６ａ全面で均一に吸着して保持することができる。この場合、上記硬質材料（例えばガラス２２）の厚みは、基板９上に載置されたマスク４の磁性体膜１に作用する第１及び第２の磁気チャック６，１０の磁力の大きさが略等しくなるように決められるのが望ましい。 First, in the first step, as shown in FIG. 1 (a), a thin film is formed on a resin film 2, such as polyimide or polyethylene terephthalate (PET), which transmits visible light and has a magnetic film 1 deposited on one surface. A first magnetic chuck 6 having an opening pattern 3 penetrating in the same shape as the thin film pattern corresponding to the pattern formation region and having, for example, an electromagnet 5 as a holding means on the magnetic film 1 side. The opening pattern 3 of the mask 4 (see FIG. 2) held by adsorbing the magnetic film 1 by the electromagnet 5 on the flatly formed attracting surface 6a, as shown in FIG. To the thin film pattern forming region 11 of the substrate 9 placed on the magnetic chuck 10. In this case, alignment between the opening pattern 3 of the mask 4 and the thin film pattern formation region 11 of the substrate 9 is performed by using a mask-side alignment mark 8 previously formed on the mask 4 and a substrate-side alignment mark (not shown) previously formed on the substrate 9. While observing with a microscope, both marks are adjusted so as to have a certain positional relationship. The attracting surface 6a of the first magnetic chuck 6 is preferably formed flat by a hard material such as glass or dense ceramic. Thereby, the suction surface 6a can be formed smoothly, and the mask 4 can be uniformly sucked and held on the entire suction surface 6a. In this case, the thickness of the hard material (for example, glass 22) is determined by the magnitude of the magnetic force of the first and second magnetic chucks 6 and 10 acting on the magnetic film 1 of the mask 4 placed on the substrate 9. It is desirable to be determined to be approximately equal.
ここで、保持手段は、一定電圧を印加可能に構成され、フィルム２を静電吸着する静電チャックでもよいが、以下の説明においては、保持手段が磁気チャックの場合について述べる。なお、図２において、符号７は磁性体膜１に設けられた開口部７を示す。また、以下の説明において、磁気チャックの図中黒く塗りつぶした電磁石５は「オン状態」を示し、白抜きの電磁石５は「オフ状態」を示す。 Here, the holding means may be an electrostatic chuck configured to be able to apply a constant voltage and electrostatically attract the film 2. However, in the following description, the case where the holding means is a magnetic chuck will be described. In FIG. 2, reference numeral 7 denotes an opening 7 provided in the magnetic film 1. In the following description, the black electromagnet 5 in the drawing of the magnetic chuck indicates an “on state” and the white electromagnet 5 indicates an “off state”.
次に、第２ステップにおいては、図１（ｃ）に示すように第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０により磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６から基板９上に移す。 Next, in the second step, as shown in FIG. 1C, the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned on and the electromagnet 5 of the first magnetic chuck 6 is turned off. Thus, the magnetic film 1 is attracted to move the mask 4 from the first magnetic chuck 6 onto the substrate 9.
次いで、第３ステップにおいては、図１（ｄ）に示すように、基板９をマスク４と一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、蒸着材料をマスク４の開口パターン３を介して基板９に被着させ、基板９上の薄膜パターン形成領域１１に薄膜パターン１２を形成する。 Next, in the third step, as shown in FIG. 1D, the substrate 9 is held in the second magnetic chuck 10 integrally with the mask 4, for example, in a vacuum chamber of a vacuum deposition apparatus, The vapor deposition material is applied to the substrate 9 through the opening pattern 3 of the mask 4, and the thin film pattern 12 is formed in the thin film pattern forming region 11 on the substrate 9.
ここで、上記マスク４は次のようにして作製することができる。以下、図３〜図５を参照してマスク４の作製方法を説明する。
先ず、図３（ａ）に示すように、平坦面を有する図示省略のステージ上に例えば静電吸着して保持された可視光を透過する厚みが１０μｍ〜３０μｍ程度の、例えばポリイミドのフィルム２の一面２ａに、同図（ｂ）に示すようにスパッタリング等の公知の成膜技術により５０ｎｍ程度の厚みの例えばニッケル（Ｎｉ）等からなる磁性体膜の下地層１３を被着する。この場合、下地層１３は、磁性体膜に限られず、良電導体の非磁性金属膜であってもよい。
Here, the mask 4 can be manufactured as follows. Hereinafter, a method for manufacturing the mask 4 will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 3A, for example, a polyimide film 2 having a thickness of about 10 μm to 30 μm that transmits visible light, for example, electrostatically attracted and held on a stage (not shown) having a flat surface. As shown in FIG. 2B, a base layer 13 of a magnetic film made of, for example, nickel (Ni) having a thickness of about 50 nm is deposited on the surface 2a by a known film forming technique such as sputtering. In this case, the underlayer 13 is not limited to a magnetic film, and may be a non-magnetic metal film of a good conductor.
次に、図３（ｃ）に示すように、下地層１３上に３０μｍ程度の厚みのレジスト１４（感光性材料）を例えばスピンコートする。 Next, as shown in FIG. 3C, a resist 14 (photosensitive material) having a thickness of about 30 μm is spin-coated on the base layer 13, for example.
次いで、図３（ｄ）に示すように、フォトマスク１５を使用して露光し、同図（ｅ）に示すように現像して、基板９上の薄膜パターン形成領域１１に対応した部分に薄膜パターン１２よりも形状の大きいレジスト１４の島パターン１６を形成する。この場合、レジスト１４がネガ型であるときには、使用するフォトマスク１５は、基板９上の薄膜パターン形成領域１１に対応した部分に開口を形成したものであり、レジスト１４がポジ型であるときには、フォトマスク１５は、基板９上の薄膜パターン形成領域１１に対応した部分を遮光するものである。 Next, as shown in FIG. 3 (d), exposure is performed using a photomask 15, and development is performed as shown in FIG. 3 (e). A thin film is formed on a portion corresponding to the thin film pattern formation region 11 on the substrate 9. An island pattern 16 of the resist 14 having a shape larger than that of the pattern 12 is formed. In this case, when the resist 14 is a negative type, the photomask 15 to be used is an opening formed in a portion corresponding to the thin film pattern formation region 11 on the substrate 9, and when the resist 14 is a positive type, The photomask 15 shields light from a portion corresponding to the thin film pattern formation region 11 on the substrate 9.
続いて、図３（ｆ）に示すように、フィルム２の上記島パターン１６の周辺領域にニッケル（Ｎｉ）等の磁性体膜１を３０μｍ程度の厚みにメッキ形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 3 (f), the magnetic film 1 such as nickel (Ni) is formed in a thickness of about 30 μm in the peripheral region of the island pattern 16 of the film 2 by plating.
さらに、図３（ｇ）に示すように、上記島パターン１６を剥離して磁性体膜１に島パターン１６に対応する開口部７を形成した後、同図（ｈ）に示すように、開口部７内の下地層１３をエッチングして除去し、マスク用部材１７を形成する。なお、マスク用部材１７の予め定められた位置には、磁性体膜１により基板９との位置合わせをするためのマスク側アライメントマーク８が形成される。 Further, as shown in FIG. 3G, after the island pattern 16 is peeled to form the opening 7 corresponding to the island pattern 16 in the magnetic film 1, the opening is formed as shown in FIG. The base layer 13 in the portion 7 is removed by etching, and a mask member 17 is formed. A mask-side alignment mark 8 for alignment with the substrate 9 is formed by the magnetic film 1 at a predetermined position of the mask member 17.
このように形成されたマスク用部材１７は、図４（ａ）に示すように吸着面６ａが平坦面に形成された第１の磁気チャック６によって磁性体膜１側を吸着して保持される。 As shown in FIG. 4A, the mask member 17 formed in this way is held by adsorbing the magnetic film 1 side by the first magnetic chuck 6 having the attraction surface 6a formed on a flat surface. .
次に、図４（ｂ）に示すように、吸着面１０ａが平坦面に形成された第２の磁気チャック１０上に載置された基板９（例えば有機ＥＬ表示用ＴＦＴ基板）の上方にマスク用部材１７を位置付け、基板９に予め形成された図示省略の基板側アライメントマークとマスク用部材１７に予め形成されたマスク側アライメントマーク８とを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整して、同図（ｃ）に示すように薄膜パターン形成領域１１（例えばアノード電極上の領域）が上記開口部７内に位置するように基板９とマスク用部材１７とを位置合わせした後、基板９上にフィルム２を密着させる。その後、同図（ｄ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０により磁性体膜１を吸着してマスク用部材１７を第１の磁気チャック６から基板９上に移す。 Next, as shown in FIG. 4B, a mask is placed above the substrate 9 (for example, an organic EL display TFT substrate) placed on the second magnetic chuck 10 with the attracting surface 10a formed on a flat surface. While positioning the member 17 and observing with a microscope the substrate-side alignment mark (not shown) formed in advance on the substrate 9 and the mask-side alignment mark 8 formed in advance on the masking member 17, both marks are in a certain positional relationship. The substrate 9 and the mask member 17 are adjusted so that the thin film pattern formation region 11 (for example, the region on the anode electrode) is located in the opening 7 as shown in FIG. After the alignment, the film 2 is brought into close contact with the substrate 9. Thereafter, as shown in FIG. 4D, the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned on, the electromagnet 5 of the first magnetic chuck 6 is turned off, and the magnetic film 1 is formed by the second magnetic chuck 10. By sucking, the mask member 17 is transferred from the first magnetic chuck 6 onto the substrate 9.
続いて、波長が４００ｎｍ以下の、例えばＫｒＦ２４８ｎｍのエキシマレーザを使用して、図５（ａ）に示すように、マスク用部材１７の開口部７内の薄膜パターン形成領域に対応したフィルム２の部分にエネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２〜２０Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌを照射し、底に薄い層を残して一定深さの凹部２０を形成する。次いで、同図（ｂ）に示すように、公知のプラズマ処理装置内でプラズマ処理し、上記凹部２０の底の薄い層を除去して貫通する開口パターン３を形成する。これにより、マスク４が作製される。 Subsequently, using an excimer laser having a wavelength of 400 nm or less, for example, KrF248 nm, a portion of the film 2 corresponding to the thin film pattern formation region in the opening 7 of the mask member 17 as shown in FIG. Is irradiated with a laser beam L having an energy density of 0.1 J / cm 2 to 20 J / cm 2 to form a recess 20 having a constant depth, leaving a thin layer at the bottom. Next, as shown in FIG. 2B, plasma processing is performed in a known plasma processing apparatus, and a thin layer at the bottom of the recess 20 is removed to form an opening pattern 3 penetrating therethrough. Thereby, the mask 4 is produced.
次に、上記マスク４上に第１の磁気チャック６が置かれる。そして、図５（ｃ）に示すように、第１の磁気チャック６の電磁石５をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石５をオフし、第１の磁気チャック６により磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６に移す。以後、マスク４は第１の磁気チャック６に保持された状態で保管される。 Next, the first magnetic chuck 6 is placed on the mask 4. Then, as shown in FIG. 5C, the electromagnet 5 of the first magnetic chuck 6 is turned on and the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned off, and the magnetic film 1 is formed by the first magnetic chuck 6. The mask 4 is moved to the first magnetic chuck 6 by suction. Thereafter, the mask 4 is stored while being held by the first magnetic chuck 6.
なお、続けて、基板９上に薄膜パターン１２（例えば有機ＥＬ層）を成膜形成する場合には、図５（ｂ）においてマスク４が形成されると、基板９をマスク４と一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク４の開口パターン３を介して蒸着材料を真空蒸着し、薄膜パターン１２を形成してもよい。 If the thin film pattern 12 (for example, an organic EL layer) is subsequently formed on the substrate 9, the substrate 9 is integrated with the mask 4 when the mask 4 is formed in FIG. For example, the thin film pattern 12 may be formed by placing the second magnetic chuck 10 in a vacuum chamber of a vacuum deposition apparatus and vacuum depositing a deposition material through the opening pattern 3 of the mask 4.
次に、上記マスク４を使用して、ＴＦＴ基板１８上に一定形状の複数種の薄膜パターン１２としてのＲ（赤色）有機ＥＬ層、Ｇ（緑色）有機ＥＬ層及びＢ（青色）有機ＥＬ層を形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法について説明する。
最初に、図６及び図７を参照してＴＦＴ基板１８上に正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してＲ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図６（ａ）に示すように、第１の磁気チャック６に吸着して保持されたマスク４を第２の磁気チャック１０上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク８とＲ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク４とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上にフィルム２を密着させる。これにより、マスク４の開口パターン３がＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９Ｒ上に位置付けられることになる。
Next, using the mask 4, an R (red) organic EL layer, a G (green) organic EL layer, and a B (blue) organic EL layer as a plurality of types of thin film patterns 12 having a fixed shape on the TFT substrate 18. A method of manufacturing the organic EL display device by forming the substrate will be described.
First, referring to FIG. 6 and FIG. 7, the organic EL layer is sequentially formed on the TFT substrate 18 so as to have a laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, an R light emitting layer, an electron transport layer, and the like. The case where a layer is formed will be described. In this case, first, as shown in FIG. 6A, the mask 4 attracted and held by the first magnetic chuck 6 is positioned above the TFT substrate 18 placed on the second magnetic chuck 10. As shown in FIG. 5B, while observing the mask side alignment mark 8 and the R substrate side alignment mark with a microscope, the marks 4 and TFT substrate are adjusted so that both marks are in a fixed positional relationship. Then, the film 2 is brought into close contact with the TFT substrate 18. As a result, the opening pattern 3 of the mask 4 is positioned on the R corresponding anode electrode 19R of the TFT substrate 18.
その後、図６（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０によりマスク４の磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６からＴＦＴ基板１８上に移す。 After that, as shown in FIG. 6C, the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned on and the electromagnet 5 of the first magnetic chuck 6 is turned off. The film 1 is attracted and the mask 4 is transferred from the first magnetic chuck 6 onto the TFT substrate 18.
次に、図７（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク４とを一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で図示省略の真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク４の開口パターン３を介してＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９上のＲ有機ＥＬ層形成領域にＲ有機ＥＬ層２１Ｒを真空蒸着する。 Next, as shown in FIG. 7A, the TFT substrate 18 and the mask 4 are integrally held by the second magnetic chuck 10 and placed in a vacuum chamber of a vacuum vapor deposition apparatus (not shown). The R organic EL layer 21 </ b> R is vacuum-deposited on the R organic EL layer forming region on the R corresponding anode electrode 19 of the TFT substrate 18 through the opening pattern 3 of 4.
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック１０を取り出し、図７（ｂ）に示すように、マスク４上に第１の磁気チャック６を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック６の電磁石５をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石５をオフし、マスク４の磁性体膜１を第１の磁気チャック６により吸着してマスク４をＴＦＴ基板１８側から第１の磁気チャック６側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９Ｒ上にＲ有機ＥＬ層２１Ｒが形成される。 Next, the second magnetic chuck 10 is taken out from the vacuum chamber, the first magnetic chuck 6 is placed on the mask 4 as shown in FIG. 7B, and the first magnetic chuck 6 is placed as shown in FIG. The electromagnet 5 of the magnetic chuck 6 is turned on and the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned off. The magnetic film 1 of the mask 4 is attracted by the first magnetic chuck 6 and the mask 4 is moved from the TFT substrate 18 side. 1 to the magnetic chuck 6 side. Thereby, the R organic EL layer 21R is formed on the R corresponding anode electrode 19R of the TFT substrate 18.
次に、図８及び図９を参照してＴＦＴ基板１８上にＧ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図８（ａ）に示すように、第１の磁気チャック６に吸着して保持されたマスク４を第２の磁気チャック１０上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク８とＧ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク４とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上にフィルム２を密着させる。これにより、マスク４の開口パターン３がＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上に位置付けられることになる。 Next, a case where a G organic EL layer is formed on the TFT substrate 18 will be described with reference to FIGS. In this case, first, as shown in FIG. 8A, the mask 4 attracted and held by the first magnetic chuck 6 is positioned above the TFT substrate 18 placed on the second magnetic chuck 10. As shown in FIG. 5B, while observing the mask side alignment mark 8 and the G substrate side alignment mark with a microscope, the marks 4 and TFT substrate are adjusted so that the marks are in a fixed positional relationship. Then, the film 2 is brought into close contact with the TFT substrate 18. As a result, the opening pattern 3 of the mask 4 is positioned on the G corresponding anode electrode 19G of the TFT substrate 18.
その後、図８（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０によりマスク４の磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６からＴＦＴ基板１８上に移す。 After that, as shown in FIG. 8C, the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned on and the electromagnet 5 of the first magnetic chuck 6 is turned off. The film 1 is attracted and the mask 4 is transferred from the first magnetic chuck 6 onto the TFT substrate 18.
次に、図９（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク４とを一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク４の開口パターン３を介してＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上のＧ有機ＥＬ層形成領域にＧ有機ＥＬ層２１Ｇを真空蒸着する。 Next, as shown in FIG. 9A, the TFT substrate 18 and the mask 4 are integrally held in the second magnetic chuck 10 and installed in a vacuum chamber of a vacuum evaporation apparatus, and the opening of the mask 4 is opened. The G organic EL layer 21G is vacuum-deposited on the G organic EL layer forming region on the G corresponding anode electrode 19G of the TFT substrate 18 through the pattern 3.
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック１０を取り出し、図９（ｂ）に示すようにマスク４上に第１の磁気チャック６を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック６の電磁石５をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石５をオフし、マスク４の磁性体膜１を第１の磁気チャック６により吸着してマスク４をＴＦＴ基板１８側から第１の磁気チャック６側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上にＧ有機ＥＬ層２１Ｇが形成される。 Next, the second magnetic chuck 10 is taken out from the vacuum chamber, the first magnetic chuck 6 is placed on the mask 4 as shown in FIG. 9B, and the first magnetic chuck 6 is placed as shown in FIG. The electromagnet 5 of the chuck 6 is turned on and the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned off, and the magnetic film 1 of the mask 4 is attracted by the first magnetic chuck 6 to bring the mask 4 from the TFT substrate 18 side to the first. To the magnetic chuck 6 side. As a result, the G organic EL layer 21G is formed on the G corresponding anode electrode 19G of the TFT substrate 18.
次に、図１０及び図１１を参照してＴＦＴ基板１８上にＢ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図１０（ａ）に示すように、第１の磁気チャック６に吸着して保持されたマスク４を第２の磁気チャック１０上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク８とＢ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク４とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上にフィルム２を密着させる。これにより、マスク４の開口パターン３がＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上に位置付けられることになる。 Next, a case where the B organic EL layer is formed on the TFT substrate 18 will be described with reference to FIGS. In this case, first, as shown in FIG. 10A, the mask 4 attracted and held by the first magnetic chuck 6 is positioned above the TFT substrate 18 placed on the second magnetic chuck 10. As shown in FIG. 5B, while observing the mask side alignment mark 8 and the B substrate side alignment mark with a microscope, the marks 4 and TFT substrate are adjusted so that both marks are in a certain positional relationship. Then, the film 2 is brought into close contact with the TFT substrate 18. Thereby, the opening pattern 3 of the mask 4 is positioned on the B corresponding anode electrode 19 </ b> B of the TFT substrate 18.
その後、図１０（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０によりマスク４の磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６からＴＦＴ基板１８上に移す。 Thereafter, as shown in FIG. 10C, the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned on and the electromagnet 5 of the first magnetic chuck 6 is turned off. The film 1 is attracted and the mask 4 is transferred from the first magnetic chuck 6 onto the TFT substrate 18.
次に、図１１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク４とを一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク４の開口パターン３を介してＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上のＢ有機ＥＬ層形成領域にＢ有機ＥＬ層２１Ｂを真空蒸着する。 Next, as shown in FIG. 11 (a), the TFT substrate 18 and the mask 4 are integrally held in the second magnetic chuck 10 and installed in a vacuum chamber of a vacuum evaporation apparatus, and the opening of the mask 4 is opened. The B organic EL layer 21B is vacuum-deposited on the B organic EL layer forming region on the B corresponding anode electrode 19B of the TFT substrate 18 through the pattern 3.
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック１０を取り出し、図１１（ｂ）に示すように、マスク４上に第１の磁気チャック６を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック６の電磁石５をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石５をオフし、マスク４の磁性体膜１を第１の磁気チャック６により吸着してマスク４をＴＦＴ基板１８上から第１の磁気チャック６側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上にＢ有機ＥＬ層２１Ｂが形成される。 Next, the second magnetic chuck 10 is taken out from the vacuum chamber, the first magnetic chuck 6 is placed on the mask 4 as shown in FIG. 11B, and the first magnetic chuck 6 is placed as shown in FIG. The electromagnet 5 of the magnetic chuck 6 is turned on and the electromagnet 5 of the second magnetic chuck 10 is turned off, and the magnetic film 1 of the mask 4 is attracted by the first magnetic chuck 6 to bring the mask 4 from the TFT substrate 18 into the first position. 1 to the magnetic chuck 6 side. Thereby, the B organic EL layer 21B is formed on the B corresponding anode electrode 19B of the TFT substrate 18.
その後、ＴＦＴ基板１８の各有機ＥＬ層２１上には、公知の技術を使用してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の透明導電膜が形成され、さらにその上に透明な保護基板９が接着されて有機ＥＬ表示装置が製造される。 Thereafter, a transparent conductive film of ITO (Indium Tin Oxide) is formed on each organic EL layer 21 of the TFT substrate 18 by using a known technique, and a transparent protective substrate 9 is further adhered to the organic conductive layer to form an organic layer. An EL display device is manufactured.
一方、マスク４は、上述と同様にして第１の磁気チャック６側から第２の磁気チャック１０側に移され、プラズマ処理装置内でプラズマ処理してマスク４上に付着した有機ＥＬ蒸着材料が除去される。そして、このようにして洗浄されたマスク４は、再び第１の磁気チャック６に移されて第１の磁気チャック６に保持された状態で、又は第２の磁気チャック１０に保持されたままで保管される。したがって、マスク４がよじれたり撓んだりして開口パターン３の形状が崩れたり位置がずれたりするおそれがない。 On the other hand, the mask 4 is moved from the first magnetic chuck 6 side to the second magnetic chuck 10 side in the same manner as described above, and the organic EL vapor deposition material deposited on the mask 4 by plasma processing in the plasma processing apparatus is obtained. Removed. The mask 4 cleaned in this way is transferred to the first magnetic chuck 6 and held in the first magnetic chuck 6 or stored in the second magnetic chuck 10. Is done. Therefore, there is no possibility that the shape of the opening pattern 3 is broken or the position is shifted due to the mask 4 being twisted or bent.
なお、上記Ｒ有機ＥＬ層２１Ｒ、Ｇ有機ＥＬ層２１Ｇ及びＢ有機ＥＬ層２１Ｂの形成工程は、同一のマスク４を使用して一連の工程として実行することができる。 The R organic EL layer 21R, G organic EL layer 21G, and B organic EL layer 21B can be formed as a series of steps using the same mask 4.
１…磁性体膜
２…フィルム
３…開口パターン
４…マスク
６…第１の磁気チャック（保持手段）
６ａ…第１の磁気チャックの吸着面
７…開口部
９…基板
１０…第２の磁気チャック（磁気チャック）
１０ａ…第２の磁気チャックの吸着面
１１…薄膜パターン形成領域
１２…薄膜パターン
１３…下地層（金属膜）
１４…レジスト（感光性材料）
１６…島パターン
１８…ＴＦＴ基板
２１Ｒ…Ｒ有機ＥＬ層
２１Ｇ…Ｇ有機ＥＬ層
２１Ｂ…Ｂ有機ＥＬ層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Magnetic material film 2 ... Film 3 ... Opening pattern 4 ... Mask 6 ... 1st magnetic chuck (holding means)
6a ... Adsorption surface of first magnetic chuck 7 ... Opening 9 ... Substrate 10 ... Second magnetic chuck (magnetic chuck)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10a ... Adsorption surface of 2nd magnetic chuck 11 ... Thin film pattern formation area 12 ... Thin film pattern 13 ... Underlayer (metal film)
14 ... Resist (photosensitive material)
16 ... Island pattern 18 ... TFT substrate 21R ... R organic EL layer 21G ... G organic EL layer 21B ... B organic EL layer
Claims (5)
可視光を透過するフィルムの一面に感光性材料を塗布するステップと、
前記感光性材料を露光現像して前記薄膜パターンの形成領域（以下、「薄膜パターン形成領域」という）に対応した部分に前記薄膜パターンよりも形状の大きい島パターンを形成するステップと、
前記フィルムの前記島パターンの周辺領域に磁性体膜をメッキ形成するステップと、
前記島パターンを剥離して前記磁性体膜に前記島パターンに対応する開口部を設けてマスク用部材を形成するステップと、
前記マスク用部材を保持手段の平坦面に前記磁性体膜側から吸着して保持するステップと、
磁気チャック上に保持された前記基板の前記薄膜パターン形成領域が前記開口部内に位置するように前記基板と前記マスク用部材とを位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスク用部材を前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記開口部内の前記薄膜パターン形成領域に対応した前記フィルムの部分に開口パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とするマスクの製造方法。 A method of manufacturing a mask for forming a thin film pattern on a substrate,
Applying a photosensitive material to one side of the film that transmits visible light;
Exposing and developing the photosensitive material to form an island pattern having a shape larger than the thin film pattern in a portion corresponding to the thin film pattern formation region (hereinafter referred to as “thin film pattern formation region”);
Plating a magnetic film on a peripheral region of the island pattern of the film;
Peeling the island pattern and providing an opening corresponding to the island pattern in the magnetic film to form a mask member;
Adsorbing and holding the mask member from the magnetic film side on the flat surface of the holding means;
After aligning the substrate and the mask member so that the thin film pattern forming region of the substrate held on the magnetic chuck is positioned in the opening, the magnetic film is attracted by the magnetic chuck. Transferring the mask member from the holding means onto the substrate;
Forming an opening pattern in a portion of the film corresponding to the thin film pattern forming region in the opening; and
A method for manufacturing a mask, characterized in that:
フィルムの一面に磁性体膜を被着し、前記基板の薄膜パターン形成領域に対応して前記フィルムに貫通する開口パターンを形成した前記マスクの前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持するステップと、
前記マスクの前記開口パターンを、磁気チャック上に載置された前記基板の前記薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを介して前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。 A thin film pattern forming method for forming a thin film pattern on a substrate using the mask manufactured by the method according to claim 1,
A magnetic film is deposited on one surface of the film, and the magnetic film side of the mask formed with an opening pattern penetrating the film corresponding to the thin film pattern forming region of the substrate is adsorbed to the flat surface of the holding means. Holding and
Aligning the opening pattern of the mask with the thin film pattern forming region of the substrate placed on a magnetic chuck;
Adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck and transferring the mask from the holding means onto the substrate;
Forming a thin film pattern on the substrate through the opening pattern of the mask, forming a thin film pattern;
A thin film pattern forming method comprising:
フィルムの一面に磁性体膜を被着し、前記基板の一の薄膜パターン形成領域に対応して前記フィルムに貫通する開口パターンを形成した前記マスクの前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持するステップと、
前記マスクの前記開口パターンを、磁気チャック上に載置された前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを介して前記基板上の前記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成するステップと、
前記マスクの前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを前記基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを介して前記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。 A thin film pattern forming method for sequentially forming a plurality of types of thin film patterns on a substrate using the mask manufactured by the method according to claim 1,
A magnetic film is deposited on one surface of the film, and an opening pattern penetrating the film corresponding to one thin film pattern forming region of the substrate is formed on the flat surface of the holding means on the magnetic film side of the mask. Adsorbing and holding, and
Aligning the opening pattern of the mask with the one thin film pattern forming region of the substrate placed on a magnetic chuck;
Adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck and transferring the mask from the holding means onto the substrate;
Depositing the thin film pattern forming region on the substrate through the opening pattern of the mask to form a thin film pattern;
Adsorbing the magnetic film side of the mask to a flat surface of a holding means, and transferring the mask from the substrate to the holding means;
After aligning the opening pattern of the mask with another thin film pattern forming region of the substrate, adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck and transferring the mask from the holding means onto the substrate;
Forming the other thin film pattern formation region through the opening pattern of the mask and forming another thin film pattern;
A thin film pattern forming method comprising:
フィルムの一面に磁性体膜を被着し、前記ＴＦＴ基板の第１の有機ＥＬ層形成領域に対応して前記フィルムに貫通する開口パターンを形成した前記マスクの前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持するステップと、
前記マスクの前記開口パターンを、磁気チャック上に載置された前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを介して前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に第１の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、
前記マスクの前記磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第２の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを介して前記第２の有機ＥＬ層形成領域に第２の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、
前記マスクの前記磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第３の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの前記開口パターンを介して前記第３の有機ＥＬ層形成領域に第３の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、
を含む工程を実行することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。 A method of manufacturing an organic EL display device by sequentially forming an organic EL layer corresponding to three colors on a TFT substrate for organic EL display using the mask manufactured by the method according to claim 1,
A magnetic film is deposited on one surface of the film, and an opening pattern penetrating the film corresponding to the first organic EL layer forming region of the TFT substrate is formed on the magnetic film side of the mask. Adsorbing and holding on a flat surface;
Aligning the opening pattern of the mask with the first organic EL layer forming region of the TFT substrate placed on a magnetic chuck;
Adsorbing the magnetic film by the magnetic chuck and transferring the mask from the holding means onto the TFT substrate;
Vacuum depositing a first organic EL layer on the first organic EL layer forming region of the TFT substrate through the opening pattern of the mask;
Adsorbing the magnetic film side of the mask to the flat surface of the holding means, and transferring the mask from the TFT substrate to the holding means;
After the opening pattern of the mask is aligned with the second organic EL layer forming region of the TFT substrate, the magnetic film is attracted by the magnetic chuck and the mask is transferred from the holding means onto the TFT substrate. Steps,
Vacuum-depositing a second organic EL layer on the second organic EL layer formation region through the opening pattern of the mask;
Adsorbing the magnetic film side of the mask to the flat surface of the holding means, and transferring the mask from the TFT substrate to the holding means;
After the opening pattern of the mask is aligned with the third organic EL layer formation region of the TFT substrate, the magnetic film is attracted by the magnetic chuck and the mask is transferred from the holding means onto the TFT substrate. Steps,
Vacuum-depositing a third organic EL layer on the third organic EL layer forming region through the opening pattern of the mask;
The manufacturing method of the organic electroluminescence display characterized by performing the process containing these.
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