JP6083644B2 - 集積型半導体光源 - Google Patents
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Description
図7に示す集積型半導体光源100は、InP基板101上に作製された素子共振器の中央に位相シフト領域を有するλ/4シフト回折格子を配する分布帰還型(Distributed FeedBack, DFB)レーザ102と、その光出力を再度DFBレーザ102へ帰還するために該InP基板101上に作製されたリング状光導波路103とを備える。本構成ではDFBレーザ102の両端からの出力光を自身へ帰還できる構造となっている。従来技術の図2に示すアイソレータ6を挿入することで片側端からの出力光のみを帰還する構成に比べて、本構成では、共振器の共振特性を大きく向上することができる。このためリング状光導波路の長さを短縮化でき、半導体基板101へ集積可能なサイズとすることができる。本集積型半導体光源100では、光出力導波路104を更に配備し、本導波路104とリング状光導波路103を光合分波器105により結合することで光出力導波路104から光出力を得る構成となっている。光出力導波路104の両端、集積型半導体光源100の両光出力端面は発振光の反射による不安定動作を防止するために反射防止膜106が形成されている。DFBレーザ102は、電極107からの電流注入で発振を行う。DFBレーザ102の発振光はリング状光導波路103を伝搬し、再び自身に戻ってくる構成となり、DFBレーザ102及びリング状光導波路103が本光源の共振器を構成することとなる。このため長共振器構成が実現できる。
1.n-InP基板101上にn-InPバッファー層及びn-InPクラッド層を、有機金属化学気相蒸着法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)を用いて成長する。
2.次に1.2μm組成InGaAsP分離閉込(Separate Confinement Heterostructure, SCH)層(厚さ5nm)を成長し、その上に1.3μm組成のInGaAsP障壁層(厚さ10nm)及びInGaAs井戸層(厚さ5nm)を順次成長する。障壁層は7層、井戸層は6層とした。
3.さらに1.2μm組成InGaAsP SCH層(厚さ5nm)、1.1μm組成p-InGaAsP回折格子形成層(厚さ100nm)、p-InPクラッド層(厚さ20nm)を成長する。工程2及び本工程3でDFBレーザ部102の活性層を形成する。
4.基板を成長装置から取り出し、電子ビーム描画装置でDFBレーザ部102のみに周期220nmの回折格子パターンを描画し、ドライエッチングにより回折格子を形成する。
5.再度結晶成長装置へ基板を戻し、p-InPクラッド層(厚さ500nm)、1.3μm組成p-InGaAsPコンタクト層(厚さ50nm)を、順次成長する。
6.DFBレーザ部102をSiO2膜でカバーし、それ以外の1.2μm組成InGaAsP SCH層までの結晶をエッチングで除去する。
7.結晶を除去した部分へ、1.2μm組成InGaAsP SCH層(厚さ5nm)、1.3μm組成InGaAsP光導波層(厚さ100nm)、1.2μm組成InGaAsP SCH層(厚さ5nm)、1.1μm組成p-InGaAsP層(厚さ100nm)、p-InPクラッド層を順次バットジョイント成長し、リング状光導波路部103の光導波層を形成する。
11.素子ストライプ構造を電子ビーム描画装置で描画し、ドライエッチングによりメサストライプを形成する。
12.エッチングにより除去したDFBレーザ102領域に、電流狭窄用埋込層として、半絶縁(Semi-insulating, SI)InPを成長し、埋め込み構造を有する素子を形成する。
13.他のリング状光導波路部103は素子平坦化のため及び光導波路側壁保護のため、誘電体材料Benzocyclobutene(BCB)で埋め込む。
14.基板側に素子の共通n-電極、DFBレーザ部102上にp-電極を形成する。
15.チップを劈開により取り出し、素子出射端面に反射防止膜106を形成する。
図8に示す集積型半導体光源110は、DFBレーザとして波長可変半導体レーザをInP基板101上に集積することで構成されている。製造工程は第1の実施例と同様である。ここでは非特許文献7に報告されている電極を分離した多電極構造DFBレーザ111を集積した集積型半導体光源に関して記載する。分割された電流注入電極112へ注入する電流量の比を調整することで、本レーザ111の発振光波長は制御可能となっている。リング状光導波路103により構成されるリング共振器ではその共振器長に起因した飛び飛びの光周波数のみが存在できる。この様子をリング状光導波路103の透過光強度の光周波数依存性として図9に示す。この飛び飛びの光周波数の間隔(Free Spectral Range; FSR)は以下の式で表される。
nを3.4、Lを1.8mm程度としたとき、FSRを50GHzに設定することができる。本集積型半導体光源110では、波長可変半導体レーザ111の波長を変えようとした場合、このリング共振器に存在可能な光周波数の発振光のみが存在できるため、本光源の発振光の光周波数は50GHz間隔の飛び飛びの値となる。つまり本構成の光源で、発振光周波数間隔が一定な状態で波長を切り替えることのできる波長可変光源が実現できる。また、発振スペクトルの測定から、スペクトル線幅が10kHzとなっていることが確認できた。
2 励起用1480nm半導体レーザ
3 偏波保持ファイバ
4 偏波保持WDMカプラ
5 偏波保持カプラ
6 偏波保持光アイソレータ
7 光バンドパスフィルタ
8 光出力
9 λ/4シフト分布帰還(DFB)レーザ
10 λ/4シフト分布帰還(DFB)レーザモジュール
11 レンズ
12 半導体利得媒体
13 バルク回折格子
14 光アイソレータ
15 光ファイバ
16 先球テーパーレンズ付ファイバブラッグ回折格子
17 導波路型回折格子
18 3段リングフィルタ
19 Siプラットフォーム
100 本発明第1の実施例による集積型半導体光源
101 InP基板
102 λ/4シフト回折格子DFBレーザ
103 リング状光導波路
104 光出力導波路
105 光合分波器
106 反射防止膜
107 電流注入電極
110 本発明第2の実施例による集積型半導体光源
111 多電極DFBレーザ
112 分割された電流注入電極
Claims (7)
- 単一モード半導体レーザとリング状半導体光導波路と光合分波器と光出力導波路とを同一の半導体基板上に集積した集積型半導体光源であって、
前記単一モード半導体レーザは2つの出射端から発振光を出射し、
前記リング状半導体光導波路の一端は前記2つの出射端の一方に接続され、前記リング状半導体光導波路の他端は前記2つの出射端の他方に接続され、
前記2つの出射端からの発振光が互いに逆方向に前記リング状半導体光導波路を周回して前記2つの出射端の両端から前記単一モード半導体レーザに帰還し、
前記光合分波器は、前記リング状半導体光導波路を周回した発振光を、前記光出力導波路に光学的に結合し、
前記光出力導波路を伝搬し前記光出力導波路の両端から出力される発振光を、前記半導体基板の2つの端面からそれぞれ出力する集積型半導体光源。 - 前記半導体基板をInP基板とした請求項1に記載の集積型半導体光源。
- 前記単一モード半導体レーザを分布帰還型半導体レーザとした請求項1または2に記載の集積型半導体光源。
- 前記分布帰還型半導体レーザを、共振器の中央で位相がπだけ変化した回折格子を具備したλ/4シフト回折格子分布帰還型半導体レーザとした請求項3に記載の集積型半導体光源。
- 前記単一モード半導体レーザを、波長可変半導体レーザとした請求項1または2に記載の集積型半導体光源。
- 前記波長可変半導体レーザを、多電極構造半導体レーザとした請求項5に記載の集積型半導体光源。
- 前記波長可変半導体レーザを、分布反射鏡型半導体レーザとした請求項5に記載の集積型半導体光源。
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