JP6082843B2 - Conductive paste and connection structure - Google Patents

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Description

本発明は、複数のはんだ粒子を含む導電ペーストに関する。また、本発明は、上記導電ペーストを用いた接続構造体に関する。   The present invention relates to a conductive paste including a plurality of solder particles. The present invention also relates to a connection structure using the conductive paste.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。   Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。   In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.

上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。   For example, when electrically connecting the electrode of the flexible printed circuit board and the electrode of the glass epoxy substrate by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. To do. Next, a flexible printed circuit board is laminated, and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.

上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献1には、導電性粒子と、該導電性粒子の融点で硬化が完了しない樹脂成分とを含む異方性導電材料が記載されている。上記導電性粒子としては、具体的には、錫(Sn)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、カドミウム(Cd)、ガリウム(Ga)、銀(Ag)及びタリウム(Tl)等の金属や、これらの金属の合金が挙げられている。   As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 described below describes an anisotropic conductive material including conductive particles and a resin component that cannot be cured at the melting point of the conductive particles. Specifically, the conductive particles include tin (Sn), indium (In), bismuth (Bi), silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), lead (Pb), cadmium (Cd ), Gallium (Ga), silver (Ag), thallium (Tl), and the like, and alloys of these metals.

特許文献1では、上記導電性粒子の融点よりも高く、かつ上記樹脂成分の硬化が完了しない温度に、異方性導電樹脂を加熱する樹脂加熱ステップと、上記樹脂成分を硬化させる樹脂成分硬化ステップとを経て、電極間を電気的に接続することが記載されている。また、特許文献1には、特許文献1の図8に示された温度プロファイルで実装を行うことが記載されている。特許文献1では、異方性導電樹脂が加熱される温度にて硬化が完了しない樹脂成分内で、導電性粒子が溶融する。   In Patent Document 1, a resin heating step for heating the anisotropic conductive resin to a temperature higher than the melting point of the conductive particles and at which the curing of the resin component is not completed, and a resin component curing step for curing the resin component The electrical connection between the electrodes is described. Patent Document 1 describes that mounting is performed with the temperature profile shown in FIG. In Patent Document 1, the conductive particles melt in a resin component that is not completely cured at a temperature at which the anisotropic conductive resin is heated.

下記の特許文献2には、熱硬化性樹脂を含む樹脂層と、はんだ粉と、硬化剤とを含み、上記はんだ粉と上記硬化剤とが上記樹脂層中に存在する接着テープが開示されている。この接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。   Patent Document 2 below discloses an adhesive tape that includes a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, and the solder powder and the curing agent are present in the resin layer. Yes. This adhesive tape is in the form of a film, not a paste.

また、特許文献2では、上記接着テープを用いた接着方法が開示されている。具体的には、第一基板、接着テープ、第二基板、接着テープ、及び第三基板を下からこの順に積層して、積層体を得る。このとき、第一基板の表面に設けられた第一電極と、第二基板の表面に設けられた第二電極とを対向させる。また、第二基板の表面に設けられた第二電極と第三基板の表面に設けられた第三電極とを対向させる。そして、積層体を所定の温度で加熱して接着する。これにより、接続構造体を得る。   Patent Document 2 discloses an adhesion method using the adhesive tape. Specifically, a first substrate, an adhesive tape, a second substrate, an adhesive tape, and a third substrate are laminated in this order from the bottom to obtain a laminate. At this time, the first electrode provided on the surface of the first substrate is opposed to the second electrode provided on the surface of the second substrate. Moreover, the 2nd electrode provided in the surface of the 2nd board | substrate and the 3rd electrode provided in the surface of the 3rd board | substrate are made to oppose. Then, the laminate is heated and bonded at a predetermined temperature. Thereby, a connection structure is obtained.

下記の特許文献3には、導電性粒子が絶縁性バインダーに分散されている異方性導電材料が開示されている。この異方性導電材料の最低溶融粘度[η]は1.0×10〜1.0×10mPa・secである。この異方性導電材料では、1<[η]/[η]≦3([η]は異方性導電材料の最低溶融粘度、[η]は最低溶融粘度を示す温度Tより30℃低い温度Tにおける溶融粘度)を満足する。Patent Document 3 below discloses an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an insulating binder. The minimum melt viscosity [η 0 ] of this anisotropic conductive material is 1.0 × 10 2 to 1.0 × 10 6 mPa · sec. In this anisotropic conductive material, 1 <[η 1 ] / [η 0 ] ≦ 3 ([η 0 ] is the minimum melt viscosity of the anisotropic conductive material, and [η 1 ] is the temperature T 0 indicating the minimum melt viscosity. (Melt viscosity at a temperature T 1 lower by 30 ° C.).

下記の特許文献4,5には、熱硬化性バインダーと、融点が180℃以下又は160℃以下であるはんだ粒子と、フラックス成分とを含む異方性導電材料が開示されている。上記フラックス成分としては、下記式(101)又は(102)で示される化合物が用いられている。また、特許文献4に記載の異方性導電材料は、上記熱硬化性バインダーとして、エポキシ樹脂と、カチオン硬化開始剤とを必須で含む。また、特許文献4,5には、フラックス成分とはんだ粒子とがキレート配位することが記載されている。   The following Patent Documents 4 and 5 disclose an anisotropic conductive material including a thermosetting binder, solder particles having a melting point of 180 ° C. or lower or 160 ° C. or lower, and a flux component. As the flux component, a compound represented by the following formula (101) or (102) is used. Moreover, the anisotropic conductive material of patent document 4 contains an epoxy resin and a cation hardening initiator essential as the said thermosetting binder. Patent Documents 4 and 5 describe that the flux component and the solder particles are coordinated by chelate.

Figure 0006082843
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Figure 0006082843
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上記式(101)及び上記式(102)中、R〜Rは、水素原子、アルキル基又は水酸基を示し、Xは金属が配位可能な孤立電子対又は二重結合性π電子を有する原子団を示し、Yは主鎖骨格を形成する原子又は原子団を示す。なお、特許文献5では、上記式(101)及び上記式(102)中のYは、アルキル基である。In the above formula (101) and the above formula (102), R 1 to R 4 represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a hydroxyl group, and X has a lone electron pair or a double bond π electron that can coordinate with a metal. Represents an atomic group, and Y represents an atom or atomic group forming a main chain skeleton. In Patent Document 5, Y in the above formula (101) and the above formula (102) is an alkyl group.

下記の特許文献6には、炭素数が10〜25でありかつカルボキシル基を有する少なくとも2種類の有機酸で表面を被覆したはんだボールが開示されている。このはんだボールでは、上記有機酸のカルボキシル基が、上記はんだボールの表面とキレート配位している。   The following Patent Document 6 discloses a solder ball having a surface coated with at least two kinds of organic acids having 10 to 25 carbon atoms and having a carboxyl group. In this solder ball, the carboxyl group of the organic acid is chelated with the surface of the solder ball.

下記の特許文献7には、脂肪酸及びジカルボン酸の少なくとも一方を表面に化学結合させて被覆したはんだ粉が開示されている。また、特許文献7には、上記はんだ粉と、樹脂と、硬化剤とを含む導電性接着剤(異方性導電材料)が開示されている。   Patent Document 7 below discloses a solder powder in which at least one of a fatty acid and a dicarboxylic acid is chemically bonded to the surface and coated. Patent Document 7 discloses a conductive adhesive (anisotropic conductive material) containing the solder powder, a resin, and a curing agent.

下記の特許文献8には、はんだを導電性の表面に有し、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合している導電性粒子が開示されている。   Patent Document 8 below discloses conductive particles having solder on a conductive surface, and a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder.

特開2004−260131号公報JP 2004-260131 A WO2008/023452A1WO2008 / 023452A1 特開2009−32657号公報JP 2009-32657 A 特開2011−63727号公報JP 2011-63727 A WO2009/001448A1WO2009 / 001448A1 特開2008−272779号公報JP 2008-272779 A 特開2010−126719号公報JP 2010-126719 A WO2013/125517A1WO2013 / 125517A1

従来のはんだ粉や、はんだ層を表面に有する導電性粒子を含む異方性導電ペーストでは、はんだ粉又は導電性粒子が電極(ライン)上に効率的に配置されないことがある。従来のはんだ粉又は導電性粒子では、はんだ粉又は導電性粒子の電極上への移動速度が遅いことがある。   In the case of conventional anisotropic conductive paste containing solder powder or conductive particles having a solder layer on the surface, the solder powder or conductive particles may not be efficiently disposed on the electrodes (lines). In the conventional solder powder or conductive particles, the moving speed of the solder powder or conductive particles onto the electrode may be slow.

また、特許文献1に記載の異方性導電材料を用いて、特許文献1に記載の方法で電極間を電気的に接続すると、はんだを含む導電性粒子が電極(ライン)上に効率的に配置されないことがある。また、特許文献1の実施例では、はんだの融点以上の温度で、はんだを十分に移動させるために、一定温度に保持しており、接続構造体の製造効率が低くなる。特許文献1の図8に示された温度プロファイルで実装を行うと、接続構造体の製造効率が低くなる。   Further, when the electrodes are electrically connected by the method described in Patent Document 1 using the anisotropic conductive material described in Patent Document 1, conductive particles including solder are efficiently formed on the electrodes (lines). May not be placed. Moreover, in the Example of patent document 1, in order to move a solder fully at the temperature more than melting | fusing point of solder, it is hold | maintained at fixed temperature, and the manufacturing efficiency of a connection structure becomes low. When mounting is performed with the temperature profile shown in FIG. 8 of Patent Document 1, the manufacturing efficiency of the connection structure is lowered.

また、特許文献2に記載の接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。このため、はんだ粉を電極(ライン)上に効率的に配置することは困難である。例えば、特許文献2に記載の接着テープでは、はんだ粉の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)にも配置されやすい。電極が形成されていない領域に配置されたはんだ粉は、電極間の導通に寄与しない。   Moreover, the adhesive tape of patent document 2 is a film form, and is not a paste form. For this reason, it is difficult to efficiently arrange the solder powder on the electrodes (lines). For example, in the adhesive tape described in Patent Document 2, a part of the solder powder is easily placed in a region (space) where no electrode is formed. Solder powder disposed in a region where no electrode is formed does not contribute to conduction between the electrodes.

なお、特許文献2では、異方性導電材料に用いる導電性粒子については、具体的な記載がない。特許文献3の実施例では、樹脂粒子の表面上に銅層が形成されており、該銅層の表面にはんだ層が形成されている導電性粒子が用いられている。この導電性粒子の中心部分は、樹脂粒子により構成されている。また、特許文献2,3に記載の異方性導電材料を用いると、導電性粒子が電極(ライン)上に効率的に配置され難く、接続されるべき上下の電極間の位置ずれが生じたりすることがある。   In Patent Document 2, there is no specific description of the conductive particles used for the anisotropic conductive material. In the Example of patent document 3, the copper layer is formed on the surface of the resin particle, and the electroconductive particle in which the solder layer is formed on the surface of this copper layer is used. The central part of the conductive particles is composed of resin particles. In addition, when the anisotropic conductive material described in Patent Documents 2 and 3 is used, the conductive particles are difficult to be efficiently disposed on the electrodes (lines), and a positional shift between the upper and lower electrodes to be connected may occur. There are things to do.

また、特許文献7では、脂肪酸及びジカルボン酸の少なくとも一方を表面に化学結合させている。また、特許文献7では、はんだ粉を得るために、触媒を用いずに、40〜60℃で反応させている。従って、脂肪酸及びジカルボン酸は、はんだ粉の表面に共有結合しない。このような特許文献7に記載のはんだ粉を用いたとしても、脂肪酸又はジカルボン酸がはんだ粉の表面から取れやすく、電極間の接続抵抗が高くなったり、ボイドの発生を十分に抑制できなかったりすることがある。   In Patent Document 7, at least one of fatty acid and dicarboxylic acid is chemically bonded to the surface. Moreover, in patent document 7, in order to obtain solder powder, it is made to react at 40-60 degreeC, without using a catalyst. Therefore, fatty acids and dicarboxylic acids are not covalently bonded to the surface of the solder powder. Even if such a solder powder described in Patent Document 7 is used, fatty acid or dicarboxylic acid can be easily removed from the surface of the solder powder, the connection resistance between the electrodes becomes high, or the generation of voids cannot be sufficiently suppressed. There are things to do.

本発明の目的は、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の位置ずれを防ぐことができ、電極間の導通信頼性を高めることができる導電ペーストを提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性ペーストを用いた接続構造体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a conductive paste capable of efficiently arranging solder particles on electrodes, preventing positional displacement between the electrodes, and improving conduction reliability between the electrodes. is there. Moreover, the objective of this invention is providing the connection structure using the said electrically conductive paste.

本発明の広い局面によれば、複数のはんだ粒子と、バインダーとを含み、前記はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面のいずれもがはんだである粒子であり、前記はんだ粒子のはんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は下記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が共有結合しており、前記はんだの融点−10℃以上、前記はんだの融点以下の温度領域における導電ペーストの粘度の最小値が100mPa・s以上であり、前記はんだの融点−10℃以上、前記はんだの融点以下の温度領域における導電ペーストの粘度の最大値が2000mPa・s以下である、導電ペーストが提供される。   According to a wide aspect of the present invention, the solder particles include a plurality of solder particles and a binder, and the solder particles are particles in which both the center portion and the outer surface of the conductive portion are solder, A group having at least one carboxyl group is covalently bonded to the surface via an ether bond, an ester bond or a group represented by the following formula (X), and the melting point of the solder is −10 ° C. or higher. The minimum value of the viscosity of the conductive paste in the temperature region below the melting point is 100 mPa · s or more, and the maximum value of the viscosity of the conductive paste in the temperature region of the solder melting point −10 ° C. or more and the melting point of the solder or less is 2000 mPa · s. A conductive paste is provided that is:

Figure 0006082843
Figure 0006082843

本発明に係る導電性ペーストのある特定の局面では、前記バインダーが、前記はんだ粒子の融点で硬化が完了しない。   In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the binder is not completely cured at the melting point of the solder particles.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子のはんだの表面に、前記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が共有結合している。   In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, a group having at least one carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder of the solder particle via the group represented by the formula (X). .

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記バインダーが、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the said binder contains a thermosetting compound and a thermosetting agent.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、結晶性熱硬化性化合物を含む。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the said thermosetting compound contains a crystalline thermosetting compound.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子の平均粒子径が1μm以上、40μm以下である。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the average particle diameter of the said solder particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less.

本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、導電ペースト100重量%中、前記はんだ粒子の含有量が10重量%以上、90重量%以下である。   On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, content of the said solder particle is 10 to 90 weight% in 100 weight% of electrically conductive paste.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電ペーストであり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記はんだ粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the A connection portion connecting the second connection target member, wherein the material of the connection portion is the conductive paste described above, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by the solder particles. A connection structure is provided which is connected in a connected manner.

本発明に係る導電ペーストは、複数のはんだ粒子と、バインダーとを含み、上記はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面のいずれもがはんだである粒子であり、上記はんだ粒子のはんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は上記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が共有結合しており、上記はんだの融点−10℃以上、上記はんだの融点以下の温度領域における導電ペーストの粘度の最小値が100mPa・s以上であり、上記はんだの融点−10℃以上、上記はんだの融点以下の温度領域における導電ペーストの粘度の最大値が2000mPa・s以下であるので、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の位置ずれを防ぐことができ、電極間の導通信頼性を高めることができる。   The conductive paste according to the present invention includes a plurality of solder particles and a binder, and the solder particles are particles in which both the central portion and the outer surface of the conductive portion are solder, and the solder surface of the solder particles A group having at least one carboxyl group is covalently bonded via an ether bond, an ester bond or a group represented by the above formula (X), and the melting point of the solder is −10 ° C. or higher and the melting point of the solder. The minimum value of the viscosity of the conductive paste in the following temperature region is 100 mPa · s or more, and the maximum value of the viscosity of the conductive paste in the temperature region of the melting point of the solder is −10 ° C. or more and the melting point of the solder or less is 2000 mPa · s or less. Therefore, the solder particles can be efficiently arranged on the electrodes, the positional displacement between the electrodes can be prevented, and the conduction reliability between the electrodes can be improved. Can.

図1は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive paste according to an embodiment of the present invention. 図2(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて、接続構造体を製造する方法の一例の各工程を説明するための断面図である。2A to 2C are cross-sectional views for explaining each step of an example of a method of manufacturing a connection structure using the conductive paste according to the embodiment of the present invention. 図3は、接続構造体の変形例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modification of the connection structure.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

(導電ペースト)
本発明に係る導電ペーストは、複数のはんだ粒子と、バインダーとを含む。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面のいずれもがはんだである粒子である。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面のいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子のはんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は下記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が共有結合している。上記はんだの融点−10℃(はんだの融点よりも10℃低い温度)以上、上記はんだの融点以下の温度領域Rにおける導電ペーストの粘度の最小値が100mPa・s以上であり、上記はんだの融点−10℃以上、上記はんだの融点以下の温度領域Rにおける導電ペーストの粘度の最大値が2000mPa・s以下である。なお、下記式(X)において、右端部及び左端部は結合部位を表す。
(Conductive paste)
The conductive paste according to the present invention includes a plurality of solder particles and a binder. The solder particles are particles in which both the central portion and the outer surface of the conductive portion are solder. In the solder particles, both the central portion and the outer surface of the conductive portion are formed of solder. A group having at least one carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder of the solder particle via an ether bond, an ester bond or a group represented by the following formula (X). The minimum value of the viscosity of the conductive paste in the temperature region R above the melting point of the solder −10 ° C. (temperature lower by 10 ° C. than the melting point of the solder) and below the melting point of the solder is 100 mPa · s or more. The maximum value of the viscosity of the conductive paste in the temperature region R of 10 ° C. or higher and lower than the melting point of the solder is 2000 mPa · s or lower. In the following formula (X), the right end and the left end represent a binding site.

Figure 0006082843
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上記はんだ粒子は、カルボキシル基を有する化合物によって、はんだ粒子を単に被覆処理した粒子とは異なる。上記はんだ粒子では、はんだの表面にカルボキシル基が存在しているだけでなく、はんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が結合している。また、上記はんだ粒子は、カルボキシル基を有する化合物が、はんだの表面にキレート配位(配位結合)しているはんだ粒子とも異なる。   The solder particles are different from particles obtained by simply coating the solder particles with a compound having a carboxyl group. In the solder particles, not only a carboxyl group is present on the surface of the solder, but also at least one carboxyl group is present on the surface of the solder via an ether bond, an ester bond or a group represented by the formula (X). The group it has is bonded. The solder particles are also different from solder particles in which a compound having a carboxyl group has a chelate coordination (coordination bond) on the surface of the solder.

本発明では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続した場合に、複数のはんだ粒子が、上下の対向した電極間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。本発明では、対向する電極間に位置していないはんだ粒子を、対向する電極間に効率的に移動させることができる。従って、電極間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。更に、電極間の位置ずれを防ぐことができる。本発明では、導電ペーストを塗布した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせた際に、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とのアライメントがずれた状態で、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とが重ね合わされた場合でも、そのずれを補正して、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とを接続させることができる(セルフアライメント効果)。このような効果を得るために、特定のはんだ粒子を用い、かつそのはんだ粒子の融点を考慮して導電ペーストの粘度を特定の範囲に制御することは、大きく寄与する。   In the present invention, since the above-described configuration is provided, when the electrodes are electrically connected, the plurality of solder particles are likely to gather between the upper and lower electrodes, and the plurality of solder particles are separated into electrodes (lines). Can be efficiently placed on top. Moreover, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. In the present invention, it is possible to efficiently move the solder particles that are not located between the opposing electrodes between the opposing electrodes. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability. Furthermore, it is possible to prevent positional deviation between the electrodes. In the present invention, when the second connection target member is superimposed on the first connection target member to which the conductive paste is applied, the alignment of the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member is performed. Even when the first connection target member and the second connection target member are overlapped with each other in a state of being shifted, the shift is corrected, and the electrodes of the first connection target member and the second connection target member are corrected. The electrode can be connected (self-alignment effect). In order to obtain such an effect, using specific solder particles and controlling the viscosity of the conductive paste within a specific range in consideration of the melting point of the solder particles greatly contributes.

なお、上記はんだ粒子ではなく、はんだにより形成されていない基材粒子と基材粒子の表面上に配置されたはんだ層とを備える導電性粒子を用いた場合には、電極上に導電性粒子が集まり難くなり、導電性粒子同士のはんだ接合性が低いために、電極上に移動した導電性粒子が電極外に移動しやすくなる。このため、電極間の位置ずれの抑制効果も低くなる。本発明では、基材粒子と基材粒子の表面上に配置されたはんだ層とを備える導電性粒子ではなく、はんだ粒子を用いることも、対向する電極間に効率的にはんだ粒子を移動させるために大きく寄与する。   In addition, when using conductive particles including base particles not formed of solder and a solder layer disposed on the surface of the base particles, the conductive particles are not formed on the electrodes. It becomes difficult to gather, and since the solder bonding property between the conductive particles is low, the conductive particles that have moved onto the electrode easily move out of the electrode. For this reason, the effect of suppressing the displacement between the electrodes is also reduced. In the present invention, it is also possible to use solder particles instead of conductive particles including base particles and solder layers arranged on the surfaces of the base particles in order to efficiently move the solder particles between the opposing electrodes. Greatly contributes.

上記はんだ粒子では、はんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が共有結合しているので、得られた接続構造体におけるボイドの発生を抑制することもできる。ボイドの発生を抑制できる結果、接続構造体における接続信頼性が高くなる。更に、ボイドに起因する接続構造体における接続抵抗の上昇を抑制できる。また、はんだの表面に酸化膜が形成され難くなり、更に電極間の接続時に電極の表面の酸化膜を効果的に排除できる。   In the solder particles, a group having at least one carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder via an ether bond, an ester bond or a group represented by the formula (X). Generation of voids in the body can also be suppressed. As a result of suppressing the generation of voids, connection reliability in the connection structure is increased. Furthermore, an increase in connection resistance in the connection structure due to the void can be suppressed. Further, it becomes difficult to form an oxide film on the surface of the solder, and the oxide film on the surface of the electrodes can be effectively eliminated when connecting the electrodes.

また、はんだ粒子をバインダー中に分散させる前に、上記はんだ粒子におけるはんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が結合していることが好ましい。はんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が結合しているはんだ粒子をバインダー中に分散させて、導電ペーストを得ることが好ましい。はんだ粒子をバインダー中に分散させる前に、上記はんだ粒子におけるはんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が結合していることで、導電ペースト中にフラックスを配合しなくても、又は導電ペースト中に添加するフラックスの量が少なくても、はんだの表面及び電極の表面の酸化膜を効果的に排除できる。フラックスを配合しなかったり、フラックスの使用量を少なくしたりすることで、接続構造体におけるボイドの発生をより一層抑制できる。   Further, before dispersing the solder particles in the binder, a group having at least one carboxyl group is formed on the surface of the solder in the solder particles via an ether bond, an ester bond or a group represented by the formula (X). Bonding is preferred. Solder particles in which a group having at least one carboxyl group is bonded to the surface of the solder via an ether bond, an ester bond or a group represented by the formula (X) are dispersed in a binder, and a conductive paste is obtained. It is preferable to obtain. Before dispersing the solder particles in the binder, a group having at least one carboxyl group is bonded to the surface of the solder in the solder particles via an ether bond, an ester bond or a group represented by the formula (X). Therefore, the oxide film on the surface of the solder and the surface of the electrode can be effectively eliminated even if the flux is not blended in the conductive paste or the amount of the flux added to the conductive paste is small. Generation | occurrence | production of the void in a connection structure can be suppressed further by not mix | blending a flux or reducing the usage-amount of a flux.

上記はんだ粒子では、はんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が結合している被覆部の厚みを厚くすることができる。このことによって、はんだ粒子及び電極の表面の酸化膜を効果的に排除することができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。また、上記はんだ粒子では、上記の基の導入によってはんだ粒子の表面の水酸基を減らすことで、はんだ粒子の表面の電荷を小さくすることができる。この結果、導電接続時に、はんだ粒子が効率的に集まりやすくなる。   In the above solder particles, the thickness of the covering portion in which a group having at least one carboxyl group is bonded to the surface of the solder via an ether bond, an ester bond or a group represented by the formula (X) is increased. Can do. As a result, the solder particles and the oxide film on the surface of the electrode can be effectively eliminated, and the connection resistance between the electrodes can be reduced. Moreover, in the said solder particle, the electric charge of the surface of a solder particle can be made small by reducing the hydroxyl group of the surface of a solder particle by introduction | transduction of said group. As a result, solder particles are easily collected efficiently during conductive connection.

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記式(X)で表される基は、ウレタン結合を構成していることが好ましい。   In order to arrange the solder particles on the electrode more efficiently, the group represented by the above formula (X) preferably constitutes a urethane bond.

本発明の効果を効果的に発揮する観点から、上記バインダーは、上記はんだ粒子の融点で硬化が完了しないことが好ましい。なお、はんだ粒子の融点で硬化が完了しないとは、はんだ粒子の融点で、バインダーが流動性を有する状態であることを意味する。   From the viewpoint of effectively exhibiting the effects of the present invention, it is preferable that the binder is not completely cured at the melting point of the solder particles. The phrase “curing is not completed at the melting point of the solder particles” means that the binder has a fluidity at the melting point of the solder particles.

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記温度領域Rにおける導電ペーストの粘度の最小値は好ましくは150mPa・s以上、より好ましくは200mPa・s以上である。はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記温度領域Rにおける導電ペーストの粘度の最大値は好ましくは1500mPa・s以下、より好ましくは1000mPa・s以下である。   In order to arrange the solder particles on the electrode more efficiently, the minimum value of the viscosity of the conductive paste in the temperature region R is preferably 150 mPa · s or more, more preferably 200 mPa · s or more. In order to arrange the solder particles more efficiently on the electrode, the maximum value of the viscosity of the conductive paste in the temperature region R is preferably 1500 mPa · s or less, more preferably 1000 mPa · s or less.

上記温度領域Rにおける導電ペーストの粘度は、EOLOGICA社製「STRESSTECH」を用いて、ローター直径20mm、オシレーション歪み制御、及び23℃から昇温速度10℃/分の条件で測定される。   The viscosity of the conductive paste in the temperature region R is measured using “STRESSTECH” manufactured by EOLOGICA, under conditions of a rotor diameter of 20 mm, oscillation strain control, and a temperature increase rate from 23 ° C. to 10 ° C./min.

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点から、上記導電ペーストの25℃での粘度は好ましくは100Pa・s以上、より好ましくは150Pa・s以上、好ましくは600Pa・s以下、より好ましくは500Pa・s以下である。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrodes, more effectively suppressing the displacement between the electrodes, and further improving the conduction reliability and the insulation reliability between the electrodes, The viscosity is preferably 100 Pa · s or higher, more preferably 150 Pa · s or higher, preferably 600 Pa · s or lower, more preferably 500 Pa · s or lower.

上記導電ペーストの25℃での粘度は、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定される。   The viscosity of the conductive paste at 25 ° C. is measured under the conditions of 25 ° C. and 5 rpm using an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電ペーストは、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電ペーストは、回路接続材料であることが好ましい。   The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive paste is preferably used for electrical connection of electrodes. The conductive paste is preferably a circuit connection material.

上記導電ペースト及び上記バインダーは、熱可塑性成分又は熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電ペースト及び上記バインダーは、熱可塑性成分を含んでいてもよく、熱硬化性成分を含んでいてもよい。上記導電ペースト及び上記バインダーは、熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電ペースト及び上記バインダーは、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。   The conductive paste and the binder preferably contain a thermoplastic component or a thermosetting component. The said electrically conductive paste and the said binder may contain the thermoplastic component and may contain the thermosetting component. The conductive paste and the binder preferably include a thermosetting component. The conductive paste and the binder preferably contain a thermosetting compound and a thermosetting agent.

以下、上記導電ペーストに含まれる各成分を説明する。   Hereinafter, each component contained in the conductive paste will be described.

(はんだ粒子)
上記はんだ粒子は、はんだを導電部の外表面に有する。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面とのいずれもがはんだである粒子である。
(Solder particles)
The solder particles have solder on the outer surface of the conductive part. The solder particles are particles in which both the central portion and the outer surface of the conductive portion are solder.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、はんだの表面に、エーテル結合又はエステル結合を介してカルボキシル基を含む基が共有結合していることが好ましい。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder via an ether bond or an ester bond. It is preferable.

はんだの表面に水酸基が存在する。この水酸基とカルボキシル基を含む基とを共有結合させることにより、他の配位結合(キレート配位)等にて結合させる場合よりも強い結合を形成できるため、電極間の接続抵抗を低くし、かつボイドの発生を抑えることが可能なはんだ粒子が得られる。   Hydroxyl groups exist on the surface of the solder. By covalently bonding this hydroxyl group and a group containing a carboxyl group, a stronger bond can be formed than in the case of bonding by other coordination bond (chelate coordination) or the like, so the connection resistance between the electrodes is reduced, And the solder particle which can suppress generation | occurrence | production of a void is obtained.

上記はんだ粒子では、はんだの表面と、カルボキシル基を含む基との結合形態に、配位結合が含まれていなくてもよく、キレート配位による結合が含まれていなくてもよい。   In the solder particles, the bonding form between the surface of the solder and the group containing a carboxyl group may not include a coordination bond, and may not include a bond due to a chelate coordination.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記はんだ粒子は、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物(以下、化合物Xと記載することがある)を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることにより得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記化合物Xにおける上記水酸基と反応可能な官能基とを反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができ、はんだの表面にエーテル結合又はエステル結合を介してカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を得ることもできる。上記はんだの表面の水酸基に上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることで、はんだの表面に、上記化合物Xを共有結合の形態で化学結合させることができる。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the solder particles are compounds having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group and a carboxyl group (hereinafter referred to as Compound X). Is preferably obtained by reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group. In the above reaction, a covalent bond is formed. By reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X, solder particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained. It is also possible to obtain solder particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder via an ether bond or an ester bond. By reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group, the compound X can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

上記水酸基と反応可能な官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エステル基及びカルボニル基等が挙げられる。水酸基又はカルボキシル基が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。   Examples of the functional group capable of reacting with the hydroxyl group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an ester group, and a carbonyl group. A hydroxyl group or a carboxyl group is preferred. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be a hydroxyl group or a carboxyl group.

水酸基と反応可能な官能基を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、5−ケトヘキサン酸、3−ヒドロキシプロピオン酸、4−アミノ酪酸、3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトイソブチル酸、3−メチルチオプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、3−フェニルイソブチル酸、4−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、9−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、(9,12,15)−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は、カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物であることが好ましい。   Examples of the compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group include levulinic acid, glutaric acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, hexadecanoic acid, Examples include 9-hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, (9,12,15) -linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid, and dodecanedioic acid. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. Only 1 type may be used for the compound which has the functional group which can react with the said hydroxyl group, and 2 or more types may be used together. The compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group is preferably a compound having at least one carboxyl group.

上記化合物Xは、フラックス作用を有することが好ましく、上記化合物Xは、はんだの表面に結合した状態でフラックス作用を有することが好ましい。フラックス作用を有する化合物は、はんだの表面の酸化膜及び電極の表面の酸化膜を除去可能である。カルボキシル基はフラックス作用を有する。   The compound X preferably has a flux action, and the compound X preferably has a flux action in a state of being bonded to the solder surface. The compound having a flux action can remove the oxide film on the surface of the solder and the oxide film on the surface of the electrode. The carboxyl group has a flux action.

フラックス作用を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、コハク酸、5−ケトヘキサン酸、3−ヒドロキシプロピオン酸、4−アミノ酪酸、3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトイソブチル酸、3−メチルチオプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、3−フェニルイソブチル酸及び4−フェニル酪酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記フラックス作用を有する化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the compound having a flux action include levulinic acid, glutaric acid, succinic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, and 3-methylthiopropionic acid. , 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid and 4-phenylbutyric acid. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. As for the compound which has the said flux effect | action, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記化合物Xにおける上記水酸基と反応可能な官能基が、水酸基又はカルボキシル基であることが好ましい。上記化合物Xにおける上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。上記水酸基と反応可能な官能基がカルボキシル基である場合には、上記化合物Xは、カルボキシル基を少なくとも2個有することが好ましい。カルボキシル基を少なくとも2個有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基に反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子が得られる。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X is preferably a hydroxyl group or a carboxyl group. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X may be a hydroxyl group or a carboxyl group. When the functional group capable of reacting with the hydroxyl group is a carboxyl group, the compound X preferably has at least two carboxyl groups. By reacting a part of the carboxyl groups of the compound having at least two carboxyl groups with a hydroxyl group on the surface of the solder, solder particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be obtained.

上記はんだ粒子の製造方法は、例えば、はんだ粒子を用いて、該はんだ粒子、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、触媒及び溶媒を混合する工程を備える。上記はんだ粒子の製造方法では、上記混合工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができる。   The solder particle manufacturing method includes, for example, a step of using solder particles to mix the solder particles, a compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group and a carboxyl group, a catalyst, and a solvent. In the method for producing solder particles, solder particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained by the mixing step.

また、上記はんだ粒子の製造方法では、はんだ粒子を用いて、該はんだ粒子、上記水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、上記触媒及び上記溶媒を混合し、加熱することが好ましい。混合及び加熱工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子をより一層容易に得ることができる。   In the method for producing solder particles, it is preferable that the solder particles are used to mix and heat the solder particles, a compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group and a carboxyl group, the catalyst, and the solvent. . By the mixing and heating process, solder particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be obtained more easily.

上記溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール溶媒や、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、トルエンであることがより好ましい。上記溶媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol and butanol, acetone, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, toluene and xylene. The solvent is preferably an organic solvent, and more preferably toluene. As for the said solvent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記触媒としては、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及び10−カンファースルホン酸等が挙げられる。上記触媒は、p−トルエンスルホン酸であることが好ましい。上記触媒は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the catalyst include p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid and 10-camphorsulfonic acid. The catalyst is preferably p-toluenesulfonic acid. As for the said catalyst, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記混合時に加熱することが好ましい。加熱温度は好ましくは90℃以上、より好ましくは100℃以上、好ましくは130℃以下、より好ましくは110℃以下である。   It is preferable to heat at the time of the mixing. The heating temperature is preferably 90 ° C or higher, more preferably 100 ° C or higher, preferably 130 ° C or lower, more preferably 110 ° C or lower.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記はんだ粒子は、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネートを反応させる工程を経て得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記イソシアネート化合物とを反応させることで、はんだの表面に、上記式イソシアネート基に由来する基の窒素原子が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができる。上記はんだの表面の水酸基に上記イソシアネート化合物を反応させることで、はんだの表面に、上記イソシアネート基に由来する基を共有結合の形態で化学結合させることができる。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the solder particles are a step of reacting the isocyanate with a hydroxyl group on the surface of the solder using an isocyanate compound. It is preferable that it is obtained through this. In the above reaction, a covalent bond is formed. By reacting the hydroxyl group on the surface of the solder with the isocyanate compound, it is possible to easily obtain solder particles in which the nitrogen atom of the group derived from the above-mentioned formula isocyanate group is covalently bonded to the surface of the solder. By reacting the isocyanate compound with a hydroxyl group on the surface of the solder, a group derived from the isocyanate group can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

また、イソシアネート基に由来する基には、シランカップリング剤を容易に反応させることができる。上記はんだ粒子を容易に得ることができるので、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が、カルボキシル基を有するシランカップリング剤を用いた反応により導入されているか、又は、シランカップリング剤を用いた反応の後に、シランカップリング剤に由来する基にカルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物を反応させることで導入されていることが好ましい。上記はんだ粒子は、上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。   Moreover, a silane coupling agent can be easily reacted with a group derived from an isocyanate group. Since the solder particles can be easily obtained, the group having at least one carboxyl group is introduced by a reaction using a silane coupling agent having a carboxyl group, or a silane coupling agent is used. After the reaction, it is preferably introduced by reacting a group having at least one carboxyl group with a group derived from a silane coupling agent. The solder particles are preferably obtained by reacting the isocyanate compound with a hydroxyl group on the surface of the solder using the isocyanate compound and then reacting a compound having at least one carboxyl group.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物が、カルボキシル基を複数有することが好ましい。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the compound having at least one carboxyl group preferably has a plurality of carboxyl groups.

上記イソシアネート化合物としては、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート(MDI)、ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)、トルエンジイソシアネート(TDI)及びイソホロンジイソシアネート(IPDI)等が挙げられる。これら以外のイソシアネート化合物を用いてもよい。この化合物をはんだの表面に反応させた後、残イソシアネート基と、その残イソシアネート基と反応性を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだ表面に式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。   Examples of the isocyanate compound include diphenylmethane-4,4'-diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), toluene diisocyanate (TDI), and isophorone diisocyanate (IPDI). Isocyanate compounds other than these may be used. After reacting this compound on the surface of the solder, the residual isocyanate group, and a compound having reactivity with the residual isocyanate group and having a carboxyl group are reacted, and expressed on the solder surface by the formula (X). A carboxyl group can be introduced through the group.

上記イソシアネート化合物としては、不飽和二重結合を有し、かつイソシアネート基を有する化合物を用いてもよい。例えば、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート及び2−イソシアナトエチルメタクリレートが挙げられる。この化合物のイソシアネート基をはんだの表面に反応させた後、残存している不飽和二重結合に対し反応性を有する官能基を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだ表面に式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。   As said isocyanate compound, you may use the compound which has an unsaturated double bond and has an isocyanate group. Examples include 2-acryloyloxyethyl isocyanate and 2-isocyanatoethyl methacrylate. After reacting the isocyanate group of this compound on the surface of the solder, the surface of the solder is reacted with a compound having a functional group having reactivity with the remaining unsaturated double bond and having a carboxyl group. A carboxyl group can be introduced through the group represented by the formula (X).

上記シランカップリング剤としては、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン(信越化学工業社製「KBE−9007」)、及び3−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン(MOMENTIVE社製「Y−5187」)等が挙げられる。上記シランカップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the silane coupling agent include 3-isocyanatopropyltriethoxysilane (“KBE-9007” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane (“Y-5187” manufactured by MOMENTIVE). . As for the said silane coupling agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、5−ケトヘキサン酸、3−ヒドロキシプロピオン酸、4−アミノ酪酸、3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトイソブチル酸、3−メチルチオプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、3−フェニルイソブチル酸、4−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、9−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、(9,12,15)−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸、アジピン酸又はグリコール酸が好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the compound having at least one carboxyl group include levulinic acid, glutaric acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3 -Mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, hexadecanoic acid, 9 -Hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, (9,12,15) -linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid and dodecanedioic acid. Glutaric acid, adipic acid or glycolic acid is preferred. As for the compound which has at least 1 said carboxyl group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を複数有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基と反応させることで、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基を残存させることができる。   After reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the surface of the solder using the isocyanate compound, the carboxyl group of the compound having a plurality of carboxyl groups is reacted with the hydroxyl group on the surface of the solder. A group having at least one of can be left.

上記はんだ粒子の製造方法では、はんだ粒子を用いて、かつ、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物を反応させて、はんだの表面に、上記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が結合しているはんだ粒子を得る。上記はんだ粒子の製造方法では、上記の工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が導入されたはんだ粒子を容易に得ることができる。   In the method for producing solder particles, using the solder particles and using an isocyanate compound, after reacting the isocyanate compound with a hydroxyl group on the surface of the solder, reacting a compound having at least one carboxyl group. Solder particles in which a group having at least one carboxyl group is bonded to the surface of the solder via the group represented by the above formula (X) are obtained. In the method for producing solder particles, solder particles in which a group containing a carboxyl group is introduced on the surface of the solder can be easily obtained by the above-described steps.

上記はんだ粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒にはんだ粒子を分散させ、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を添加する。その後、はんだ粒子のはんだ表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、はんだ表面にシランカップリング剤を共有結合させる。次に、シランカップリング剤の珪素原子に結合しているアルコキシ基を加水分解することで、水酸基を生成させる。生成した水酸基に、カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物のカルボキシル基を反応させる。   Specific methods for producing the solder particles include the following methods. Solder particles are dispersed in an organic solvent, and a silane coupling agent having an isocyanate group is added. Thereafter, a silane coupling agent is covalently bonded to the solder surface using a reaction catalyst between a hydroxyl group and an isocyanate group on the solder surface of the solder particles. Next, a hydroxyl group is generated by hydrolyzing the alkoxy group bonded to the silicon atom of the silane coupling agent. The produced hydroxyl group is reacted with a carboxyl group of a compound having at least one carboxyl group.

また、上記はんだ粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒にはんだ粒子を分散させ、イソシアネート基と不飽和二重結合を有する化合物を添加する。その後、はんだ粒子のはんだ表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、共有結合を形成させる。その後、導入された不飽和二重結合に対して、不飽和二重結合、及びカルボキシル基を有する化合物を反応させる。   Moreover, the following method is mentioned as a specific manufacturing method of the said solder particle. Solder particles are dispersed in an organic solvent, and a compound having an isocyanate group and an unsaturated double bond is added. Thereafter, a covalent bond is formed using a reaction catalyst between a hydroxyl group and an isocyanate group on the solder surface of the solder particles. Thereafter, the unsaturated double bond introduced is reacted with a compound having an unsaturated double bond and a carboxyl group.

はんだ粒子のはんだ表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒としては、錫系触媒(ジブチル錫ジラウリレート等)、アミン系触媒(トリエチレンジアミン等)、カルボキシレート触媒(ナフテン酸鉛、酢酸カリウム等)、及びトリアルキルホスフィン触媒(トリエチルホスフィン等)等が挙げられる。   As reaction catalysts for hydroxyl groups and isocyanate groups on the solder surface of solder particles, tin-based catalysts (dibutyltin dilaurate, etc.), amine-based catalysts (triethylenediamine, etc.), carboxylate catalysts (lead naphthenate, potassium acetate, etc.), and And trialkylphosphine catalysts (triethylphosphine, etc.).

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物は、下記式(1)で表される化合物であることが好ましい。下記式(1)で表される化合物は、フラックス作用を有する。また、下記式(1)で表される化合物は、はんだの表面に導入された状態でフラックス作用を有する。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the compound having at least one carboxyl group is a compound represented by the following formula (1): Is preferred. The compound represented by the following formula (1) has a flux action. Moreover, the compound represented by following formula (1) has a flux effect | action in the state introduced into the surface of solder.

Figure 0006082843
Figure 0006082843

上記式(1)中、Xは、水酸基と反応可能な官能基を表し、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。該有機基は、炭素原子と水素原子と酸素原子とを含んでいてもよい。該有機基は炭素数1〜5の2価の炭化水素基であってもよい。上記有機基の主鎖は2価の炭化水素基であることが好ましい。該有機基では、2価の炭化水素基にカルボキシル基や水酸基が結合していてもよい。上記式(1)で表される化合物には、例えばクエン酸が含まれる。   In said formula (1), X represents the functional group which can react with a hydroxyl group, R represents a C1-C5 bivalent organic group. The organic group may contain a carbon atom, a hydrogen atom, and an oxygen atom. The organic group may be a divalent hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms. The main chain of the organic group is preferably a divalent hydrocarbon group. In the organic group, a carboxyl group or a hydroxyl group may be bonded to a divalent hydrocarbon group. Examples of the compound represented by the above formula (1) include citric acid.

上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物は、下記式(1A)又は下記式(1B)で表される化合物であることが好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物は、下記式(1A)で表される化合物であることが好ましく、下記式(1B)で表される化合物であることがより好ましい。   The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A) or the following formula (1B). The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A), and more preferably a compound represented by the following formula (1B).

Figure 0006082843
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上記式(1A)中、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。上記式(1A)中のRは上記式(1)中のRと同様である。   In said formula (1A), R represents a C1-C5 bivalent organic group. R in the above formula (1A) is the same as R in the above formula (1).

Figure 0006082843
Figure 0006082843

上記式(1B)中、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。上記式(1B)中のRは上記式(1)中のRと同様である。   In said formula (1B), R represents a C1-C5 bivalent organic group. R in the above formula (1B) is the same as R in the above formula (1).

はんだの表面に、下記式(2A)又は下記式(2B)で表される基が結合していることが好ましい。はんだの表面に、下記式(2A)で表される基が結合していることが好ましく、下記式(2B)で表される基が結合していることがより好ましい。なお、下記式(2A)において、左端部は結合部位を表す。   A group represented by the following formula (2A) or the following formula (2B) is preferably bonded to the surface of the solder. A group represented by the following formula (2A) is preferably bonded to the surface of the solder, and more preferably a group represented by the following formula (2B) is bonded. In the following formula (2A), the left end represents a binding site.

Figure 0006082843
Figure 0006082843

上記式(2A)中、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。上記式(2A)中のRは上記式(1)中のRと同様である。なお、下記式(2B)において、左端部は結合部位を表す。   In said formula (2A), R represents a C1-C5 bivalent organic group. R in the above formula (2A) is the same as R in the above formula (1). In the following formula (2B), the left end represents a binding site.

Figure 0006082843
Figure 0006082843

上記式(2B)中、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。上記式(2B)中のRは上記式(1)中のRと同様である。   In said formula (2B), R represents a C1-C5 bivalent organic group. R in the above formula (2B) is the same as R in the above formula (1).

はんだの表面の濡れ性を高める観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物の分子量は、好ましくは10000以下、より好ましくは1000以下、更に好ましくは500以下である。   From the viewpoint of improving the wettability of the solder surface, the molecular weight of the compound having at least one carboxyl group is preferably 10,000 or less, more preferably 1000 or less, and even more preferably 500 or less.

上記分子量は、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物が重合体ではない場合、及び上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。   The molecular weight means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the compound having at least one carboxyl group is not a polymer and when the structural formula of the compound having at least one carboxyl group can be specified. Further, when the compound having at least one carboxyl group is a polymer, it means a weight average molecular weight.

電極上にはんだ粒子を効率的に集める観点からは、上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスであることが好ましい。但し、本発明では、上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスでなくてもよい。   From the viewpoint of efficiently collecting the solder particles on the electrode, the zeta potential on the surface of the solder particles is preferably positive. However, in the present invention, the zeta potential of the surface of the solder particle may not be positive.

ゼータ電位は以下のようにして測定される。   The zeta potential is measured as follows.

ゼータ電位の測定方法:
はんだ粒子0.05gを、メタノール10gに入れ、超音波処理等をすることで、均一に分散させて、分散液を得る。この分散液を用いて、かつBeckman Coulter社製「Delsamax PRO」を用いて、電気泳動測定法にて、ゼータ電位を測定することができる。
Zeta potential measurement method:
0.05 g of solder particles are put in 10 g of methanol and subjected to ultrasonic treatment or the like to uniformly disperse to obtain a dispersion. The zeta potential can be measured by electrophoretic measurement using this dispersion and “Delsamax PRO” manufactured by Beckman Coulter.

はんだ粒子のゼータ電位は好ましくは0mV以上、より好ましくは0mVを超え、好ましくは10mV以下、より好ましくは5mV以下、より一層好ましくは1mV以下、更に好ましくは0.7mV以下、特に好ましくは0.5mV以下である。ゼータ電位が上記上限以下であると、導電接続時にはんだ粒子が集まりやすい。ゼータ電位が0mV未満であると、実装時に電極上へのはんだ粒子の凝集が不十分なことがある。   The zeta potential of the solder particles is preferably 0 mV or more, more preferably more than 0 mV, preferably 10 mV or less, more preferably 5 mV or less, even more preferably 1 mV or less, still more preferably 0.7 mV or less, particularly preferably 0.5 mV. It is as follows. If the zeta potential is less than or equal to the above upper limit, solder particles tend to collect during conductive connection. When the zeta potential is less than 0 mV, the aggregation of solder particles on the electrode may be insufficient during mounting.

上記はんだは、融点が450℃以下である金属(低融点金属)であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が450℃以下である金属粒子(低融点金属粒子)であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは300℃以下、より好ましくは160℃以下である。また、上記はんだ粒子は錫を含む。上記はんだ粒子に含まれる金属100重量%中、錫の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。   The solder is preferably a metal (low melting point metal) having a melting point of 450 ° C. or lower. The solder particles are preferably metal particles (low melting point metal particles) having a melting point of 450 ° C. or lower. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. The solder particles include tin. In 100% by weight of the metal contained in the solder particles, the content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more. When the content of tin in the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the connection reliability between the solder portion and the electrode is further enhanced.

なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定可能である。   The tin content is determined using a high frequency inductively coupled plasma optical emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). It can be measured.

上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。   By using the solder particles, the solder is melted and joined to the electrodes, and the solder portion conducts between the electrodes. For example, since the solder portion and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of solder particles increases the bonding strength between the solder portion and the electrode. As a result, peeling between the solder portion and the electrode is further less likely to occur, and the conduction reliability and the connection reliability are effectively increased.

上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。   The low melting point metal constituting the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. The low melting point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy because of its excellent wettability with respect to the electrode. More preferred are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.

上記はんだ粒子は、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウム等を含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫−インジウム系(117℃共晶)、又は錫−ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。   The solder particles are preferably a filler material having a liquidus line of 450 ° C. or lower based on JIS Z3001: welding terms. Examples of the composition of the solder particles include metal compositions containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. A tin-indium system (117 ° C eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C eutectic) that has a low melting point and is free of lead is preferable. That is, the solder particles preferably do not contain lead, and preferably contain tin and indium, or contain tin and bismuth.

上記はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度を更に一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。   In order to further increase the bonding strength between the solder part and the electrode, the solder particles include nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium. Further, it may contain a metal such as molybdenum and palladium. Moreover, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder particles preferably contain nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder part and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight in 100% by weight of the solder particles. % Or less.

上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、更に好ましくは3μm以上、特に好ましくは5μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは40μm以下、より一層好ましくは30μm以下、更に好ましくは20μm以下、特に好ましくは15μm以下、最も好ましくは10μm以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、3μm以上、30μm以下であることが特に好ましい。   The average particle diameter of the solder particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, still more preferably 3 μm or more, particularly preferably 5 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 40 μm or less, and even more preferably 30 μm. Hereinafter, it is more preferably 20 μm or less, particularly preferably 15 μm or less, and most preferably 10 μm or less. When the average particle diameter of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles can be more efficiently arranged on the electrode. The average particle diameter of the solder particles is particularly preferably 3 μm or more and 30 μm or less.

上記はんだ粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。   The “average particle diameter” of the solder particles indicates a number average particle diameter. The average particle diameter of the solder particles is obtained, for example, by observing 50 arbitrary solder particles with an electron microscope or an optical microscope, calculating an average value, or performing laser diffraction particle size distribution measurement.

上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、好ましくは5%以上、より好ましくは10%以上、好ましくは40%以下、より好ましくは30%以下である。上記粒子径の変動係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、5%未満であってもよい。   The coefficient of variation of the particle diameter of the solder particles is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, preferably 40% or less, more preferably 30% or less. When the variation coefficient of the particle diameter is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles can be more efficiently arranged on the electrode. However, the coefficient of variation of the particle diameter of the solder particles may be less than 5%.

上記変動係数(CV値)は下記式で表される。   The coefficient of variation (CV value) is expressed by the following equation.

CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Dn:はんだ粒子の粒子径の平均値
CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle diameter of solder particles Dn: Average value of particle diameter of solder particles

上記はんだ粒子の形状は特に限定されない。上記はんだ粒子の形状は、球状であってもよく、扁平状などの球形状以外の形状であってもよい。   The shape of the solder particles is not particularly limited. The solder particles may have a spherical shape or a shape other than a spherical shape such as a flat shape.

上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、更に好ましくは10重量%以上、特に好ましくは20重量%以上、最も好ましくは30重量%以上、好ましくは90重量%以下、より好ましくは80重量%以下、更に好ましくは60重量%以下、特に好ましくは50重量%以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだ粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。   The content of the solder particles in 100% by weight of the conductive paste is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, and most preferably 30%. % By weight or more, preferably 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less, still more preferably 60% by weight or less, and particularly preferably 50% by weight or less. When the content of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to more efficiently arrange the solder particles on the electrodes, and it is easy to arrange many solder particles between the electrodes, The conduction reliability is further increased. From the viewpoint of further improving the conduction reliability, it is preferable that the content of the solder particles is large.

(熱可塑性成分)
上記熱可塑性成分は、熱可塑性化合物であることが好ましい。上記熱可塑性化合物としては、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermoplastic component)
The thermoplastic component is preferably a thermoplastic compound. Examples of the thermoplastic compound include phenoxy resin, urethane resin, (meth) acrylic resin, polyester resin, polyimide resin, and polyamide resin. As for the said thermoplastic compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記導電ペースト100重量%中、上記熱可塑性化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは98重量%以下、更に好ましくは90重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性成分の含有量は多い方が好ましい。   The content of the thermoplastic compound in 100% by weight of the conductive paste is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, preferably 99% by weight or less, more preferably It is 98 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less, Most preferably, it is 80 weight% or less. From the viewpoint of further improving the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting component is large.

(熱硬化性化合物:熱硬化性成分)
上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。導電ペーストの硬化性及び硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物が好ましい。
(Thermosetting compound: thermosetting component)
The thermosetting compound is a compound that can be cured by heating. Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. From the viewpoint of further improving the curability and curability and viscosity of the conductive paste and further improving the connection reliability, an epoxy compound is preferable.

はんだ粒子を電極上に効率的に配置し、電極間の位置ずれを効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点から、上記熱硬化性化合物は、結晶性熱硬化性化合物を含むことが好ましい。   From the viewpoint of efficiently arranging the solder particles on the electrodes, effectively suppressing misalignment between the electrodes, and further improving the conduction reliability and insulation reliability between the electrodes, the thermosetting compound is crystalline. It is preferable that a thermosetting compound is included.

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物は、25℃で固体であることが好ましい。   From the viewpoint of arranging solder particles more efficiently on the electrodes, more effectively suppressing displacement between the electrodes, and further improving the conduction reliability and insulation reliability between the electrodes, the above crystalline thermosetting The active compound is preferably solid at 25 ° C.

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の融点は好ましくは80℃以上、より好ましくは85℃以上、好ましくは150℃以下、より好ましくは140℃以下である。   From the viewpoint of arranging solder particles more efficiently on the electrodes, more effectively suppressing displacement between the electrodes, and further improving the conduction reliability and insulation reliability between the electrodes, the above crystalline thermosetting The melting point of the functional compound is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 85 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or lower, more preferably 140 ° C. or lower.

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の分子量は好ましくは300以上、より好ましくは350以上、好ましくは500以下、より好ましくは400以下である。   From the viewpoint of arranging solder particles more efficiently on the electrodes, more effectively suppressing misalignment between the electrodes, and further improving the conduction reliability and insulation reliability between the electrodes, the above crystalline thermosetting The molecular weight of the functional compound is preferably 300 or more, more preferably 350 or more, preferably 500 or less, more preferably 400 or less.

上記分子量は、上記熱硬化性化合物が重合体ではない場合、及び上記熱硬化性化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記熱硬化性化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。   The molecular weight means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the thermosetting compound is not a polymer and when the structural formula of the thermosetting compound can be specified. Moreover, when the said thermosetting compound is a polymer, a weight average molecular weight is meant.

上記結晶性熱硬化性化合物としては、エポキシ化合物、及び(メタ)アクリル化合物等が挙げられる。   Examples of the crystalline thermosetting compound include epoxy compounds and (meth) acrylic compounds.

上記エポキシ化合物としては、芳香族エポキシ化合物が挙げられる。レゾルシノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ベンゾフェノン型エポキシ化合物等の結晶性エポキシ化合物が好ましい。はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物及び上記結晶性エポキシ化合物は、レゾルシノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物又はベンゾフェノン型エポキシ化合物であることが好ましく、ベンゾフェノン化合物であることがより好ましく、2,4−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノン、又は4,4’−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノンであることが最も好ましい。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により、加速度が付与された際に、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との位置ずれを抑制することができ、なおかつ、硬化時の熱により、導電ペーストの粘度を大きく低下させることができ、はんだ粒子の凝集を効率よく進行させることができる。   An aromatic epoxy compound is mentioned as said epoxy compound. Crystalline epoxy compounds such as resorcinol-type epoxy compounds, naphthalene-type epoxy compounds, biphenyl-type epoxy compounds, and benzophenone-type epoxy compounds are preferred. From the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrodes, more effectively suppressing the displacement between the electrodes, and further improving the conduction reliability and the insulation reliability between the electrodes, the epoxy compound and the above The crystalline epoxy compound is preferably a resorcinol type epoxy compound, a naphthalene type epoxy compound, a biphenyl type epoxy compound or a benzophenone type epoxy compound, more preferably a benzophenone compound, and 2,4-bis (glycidyloxy) benzophenone. Or 4,4′-bis (glycidyloxy) benzophenone. By using the above-mentioned preferable epoxy compound, the first connection target member and the second connection are high when the connection target member is pasted and when the viscosity is high and acceleration is applied by impact such as conveyance. The positional deviation with respect to the target member can be suppressed, and the viscosity of the conductive paste can be greatly reduced by the heat at the time of curing, and the aggregation of the solder particles can be efficiently advanced.

上記結晶性熱硬化性化合物における「結晶性」とは、分子鎖が規則正しく配列している状態を意味し、上記結晶性熱硬化性化合物はガラス転移温度及び融点を有する。   “Crystallinity” in the crystalline thermosetting compound means a state in which molecular chains are regularly arranged, and the crystalline thermosetting compound has a glass transition temperature and a melting point.

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物は、ベンゾフェノン型エポキシ化合物であることが特に好ましく、2,4−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノン、又は4,4’−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノンであることが最も好ましい。   From the viewpoint of arranging solder particles more efficiently on the electrodes, more effectively suppressing displacement between the electrodes, and further improving the conduction reliability and insulation reliability between the electrodes, the above crystalline thermosetting The functional compound is particularly preferably a benzophenone type epoxy compound, and most preferably 2,4-bis (glycidyloxy) benzophenone or 4,4′-bis (glycidyloxy) benzophenone.

上記(メタ)アクリル化合物は、(メタ)アクリロイル基を有する化合物である。上記(メタ)アクリル化合物としては、エポキシ(メタ)アクリレート化合物が挙げられる。エポキシ化合物に(メタ)アクリル酸等で、(メタ)アクリロイル基を導入した化合物が好ましい。   The (meth) acrylic compound is a compound having a (meth) acryloyl group. Examples of the (meth) acrylic compound include epoxy (meth) acrylate compounds. A compound in which a (meth) acryloyl group is introduced into the epoxy compound with (meth) acrylic acid or the like is preferable.

上記導電ペースト100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは98重量%以下、更に好ましくは90重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性成分の含有量は多い方が好ましい。   In 100% by weight of the conductive paste, the content of the thermosetting compound is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and preferably 99% by weight or less. Is 98% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less. From the viewpoint of further improving the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting component is large.

上記導電ペースト100重量%中、上記結晶性熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは98重量%以下、更に好ましくは90重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。   In 100% by weight of the conductive paste, the content of the crystalline thermosetting compound is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, preferably 99% by weight or less. More preferably, it is 98 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less, Most preferably, it is 80 weight% or less.

また、熱硬化性化合物の全体100重量%中、上記結晶性熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上、好ましくは100重量%以下である。   The content of the crystalline thermosetting compound is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably in 100% by weight of the total thermosetting compound. Is 70% by weight or more, preferably 100% by weight or less.

(熱硬化剤:熱硬化性成分)
上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤等のチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン開始剤(熱カチオン硬化剤)及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting agent: thermosetting component)
The thermosetting agent thermosets the thermosetting compound. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and other thiol curing agents, acid anhydrides, thermal cation initiators (thermal cation curing agents), and thermal radical generators. It is done. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。   An imidazole curing agent, a thiol curing agent, or an amine curing agent is preferred because the conductive paste can be cured more rapidly at a low temperature. Moreover, since a storage stability becomes high when the curable compound curable by heating and the thermosetting agent are mixed, a latent curing agent is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent thiol curing agent, or a latent amine curing agent. In addition, the said thermosetting agent may be coat | covered with polymeric substances, such as a polyurethane resin or a polyester resin.

上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。   The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.

上記チオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。   The thiol curing agent is not particularly limited, and examples thereof include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .

上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。   The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.

上記熱カチオン開始剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−p−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。   Examples of the thermal cation initiator include iodonium cation curing agents, oxonium cation curing agents, and sulfonium cation curing agents. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.

上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−tert−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。   The thermal radical generator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds and organic peroxides. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN). Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下、更に好ましくは150℃以下、特に好ましくは140℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。   The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50 ° C or higher, more preferably 70 ° C or higher, still more preferably 80 ° C or higher, preferably 250 ° C or lower, more preferably 200 ° C or lower, still more preferably 150 ° C or lower, Especially preferably, it is 140 degrees C or less. When the reaction start temperature of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことが更に好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably higher than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5 ° C. or more, more preferably 10 It is more preferable that the temperature is higher than ° C.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、DSCでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。   The reaction start temperature of the thermosetting agent means a temperature at which the exothermic peak of DSC starts to rise.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、更に好ましくは75重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。   The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound. Part or less, more preferably 75 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is at least the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive paste. When the content of the thermosetting agent is not more than the above upper limit, it is difficult for an excess thermosetting agent that did not participate in curing after curing to remain, and the heat resistance of the cured product is further enhanced.

(フラックス)
上記導電ペーストは、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだを電極上により一層効果的に配置することができる。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(flux)
The conductive paste preferably contains a flux. By using flux, the solder can be more effectively placed on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for soldering or the like can be used. Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin. Etc. As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

導電ペーストの保存安定性を効果的に高くし、電極間の接続時にはんだ粒子を除く成分をより一層流れ難くする観点からは、上記フラックスは、25℃で固体であることが好ましい。   From the viewpoint of effectively increasing the storage stability of the conductive paste and making it difficult for components other than solder particles to flow during connection between the electrodes, the flux is preferably solid at 25 ° C.

上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   Examples of the molten salt include ammonium chloride. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin. The flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups, pine resin. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or pine resin. By using an organic acid having two or more carboxyl groups, pine resin, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   The rosin is a rosin composed mainly of abietic acid. The flux is preferably rosins, and more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

上記フラックスの活性温度(融点)は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、好ましくは200℃以下、より好ましくは190℃以下、より一層好ましくは160℃以下、更に好ましくは150℃以下、更に一層好ましくは140℃以下である。上記フラックスの活性温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記フラックスの活性温度(融点)は80℃以上、190℃以下であることが好ましい。上記フラックスの活性温度(融点)は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。   The active temperature (melting point) of the flux is preferably 50 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher, further preferably 80 ° C. or higher, preferably 200 ° C. or lower, more preferably 190 ° C. or lower, even more preferably 160 ° C. or lower. More preferably, it is 150 ° C. or less, and still more preferably 140 ° C. or less. When the activation temperature of the flux is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the flux effect is more effectively exhibited, and the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. The active temperature (melting point) of the flux is preferably 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower. The activation temperature (melting point) of the flux is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.

フラックスの活性温度(融点)が80℃以上、190℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸(融点186℃)、グルタル酸(融点96℃)、アジピン酸(融点152℃)、ピメリン酸(融点104℃)、スベリン酸(融点142℃)等のジカルボン酸、安息香酸(融点122℃)、リンゴ酸(融点130℃)等が挙げられる。   The flux having an active temperature (melting point) of 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower includes succinic acid (melting point 186 ° C.), glutaric acid (melting point 96 ° C.), adipic acid (melting point 152 ° C.), pimelic acid (melting point) 104 ° C.), dicarboxylic acids such as suberic acid (melting point 142 ° C.), benzoic acid (melting point 122 ° C.), malic acid (melting point 130 ° C.) and the like.

また、上記フラックスの沸点は200℃以下であることが好ましい。   The boiling point of the flux is preferably 200 ° C. or lower.

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことが更に好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the melting point of the solder in the solder particles, preferably 5 ° C or higher, more preferably 10 ° C or higher. Is more preferable.

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことが更に好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the reaction start temperature of the thermosetting agent, more preferably 5 ° C or higher, more preferably 10 ° C or higher. More preferably.

上記フラックスは、導電ペースト中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。   The said flux may be disperse | distributed in the electrically conductive paste and may adhere on the surface of the solder particle.

上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。   The flux is preferably a flux that releases cations by heating. By using a flux that releases cations upon heating, the solder particles can be arranged more efficiently on the electrode.

上記導電ペースト100重量%中、上記フラックスの含有量は好ましくは0.5重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは25重量%以下である。上記導電ペーストは、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、更に、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。   In 100% by weight of the conductive paste, the content of the flux is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less. The conductive paste may not contain a flux. When the flux content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it becomes more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode is more effective. Can be removed.

(フィラー)
上記導電ペーストには、フィラーを添加してもよい。フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。フィラーの添加により、はんだ粒子の凝集する距離を抑制し、基板の全電極上に対して、はんだ粒子を均一に凝集させることができる。
(Filler)
A filler may be added to the conductive paste. The filler may be an organic filler or an inorganic filler. By adding the filler, the distance at which the solder particles aggregate can be suppressed, and the solder particles can be uniformly aggregated on all the electrodes of the substrate.

上記導電ペースト100重量%中、上記フィラーの含有量は好ましくは0重量%以上、好ましくは5重量%以下、より好ましくは2重量%以下、更に好ましくは1重量%以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。   The content of the filler in 100% by weight of the conductive paste is preferably 0% by weight or more, preferably 5% by weight or less, more preferably 2% by weight or less, and further preferably 1% by weight or less. When the content of the filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles are more efficiently arranged on the electrode.

(他の成分)
上記導電ペーストは、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
(Other ingredients)
If necessary, the conductive paste is, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, and a lubricant. In addition, various additives such as an antistatic agent and a flame retardant may be included.

(接続構造体及び接続構造体の製造方法)
本発明に係る接続構造体は、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と、上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電ペーストである。上記接続部が、上述した導電ペーストにより形成されている。上記接続部は、上記導電ペーストの硬化物である。本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極と上記第2の電極とが、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている。
(Connection structure and method of manufacturing connection structure)
A connection structure according to the present invention includes a first connection target member having at least one first electrode on the surface, a second connection target member having at least one second electrode on the surface, and the first The connection object member and the connection part which has connected the said 2nd connection object member are provided. In the connection structure according to the present invention, the material of the connection portion is the conductive paste described above. The connection part is formed of the conductive paste described above. The connection part is a cured product of the conductive paste. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.

本発明に係る接続構造体の製造方法は、上述した導電ペーストを用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、上記導電ペーストを配置する工程と、上記導電ペーストの上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向するように配置する工程と、上記はんだ粒子の融点以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成し、かつ、上記第1の電極と上記第2の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える。好ましくは、上記熱硬化性成分の硬化温度以上に上記導電ペーストを加熱する。   The manufacturing method of the connection structure according to the present invention includes the step of disposing the conductive paste on the surface of the first connection target member having at least one first electrode on the surface using the conductive paste described above. The second connection target member having at least one second electrode on the surface of the conductive paste opposite to the first connection target member side is provided with the first electrode and the second connection target. A step of arranging the electrodes to face each other, and a connection for connecting the first connection target member and the second connection target member by heating the conductive paste to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles. Forming a portion with the conductive paste, and electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion. Preferably, the conductive paste is heated above the curing temperature of the thermosetting component.

本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法では、特定の導電ペーストを用いているので、複数のはんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、第1の電極と第2の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。   In the connection structure according to the present invention and the method for manufacturing the connection structure according to the present invention, since a specific conductive paste is used, a plurality of solder particles are likely to gather between the first electrode and the second electrode. A plurality of solder particles can be efficiently arranged on the electrode (line). Moreover, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability.

また、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくするためには、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いる必要があることを、本発明者は見出した。   In addition, it is necessary to use a conductive paste instead of a conductive film in order to efficiently arrange a plurality of solder particles on an electrode and to considerably reduce the amount of solder particles arranged in a region where no electrode is formed. The present inventor has found that

本発明では、複数のはんだ粒子を電極間に効率的に集める他の方法を更に採用してもよい。複数のはんだ粒子を電極間に効率的に集める方法としては、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との間の導電ペーストに、熱を付与した際、熱により導電ペーストの粘度が低下することで、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との間の導電ペーストの対流を発生させる方法等が挙げられる。この方法において、接続対象部材の表面の電極とそれ以外の表面部材との熱容量の差異により対流を発生させる方法、接続対象部材の水分を、熱により水蒸気として対流を発生させる方法、並びに第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との温度差により対流を発生させる方法等が挙げられる。これにより、導電ペースト中のはんだ粒子を、電極の表面に効率的に移動させることができる。   In the present invention, another method of efficiently collecting a plurality of solder particles between the electrodes may be further employed. As a method for efficiently collecting a plurality of solder particles between electrodes, when heat is applied to the conductive paste between the first connection target member and the second connection target member, the viscosity of the conductive paste by heat is applied. The method of generating the convection of the electrically conductive paste between a 1st connection object member and a 2nd connection object member etc. is mentioned because it falls. In this method, a method of generating convection due to a difference in heat capacity between the electrode on the surface of the connection target member and the other surface member, a method of generating convection as water vapor from the heat of the connection target member, and the first Examples include a method of generating convection due to a temperature difference between the connection target member and the second connection target member. Thereby, the solder particles in the conductive paste can be efficiently moved to the surface of the electrode.

本発明では、電極の表面に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法を更に採用してもよい。電極の表面に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法としては、溶融したはんだ粒子の濡れ性がよい電極材質と、溶融したはんだ粒子の濡れ性の悪いその他の表面材質とにより形成された接続対象部材を選択し、電極の表面に到達した溶融したはんだ粒子を選択的に電極に付着させ、その溶融したはんだ粒子に対し、別のはんだ粒子を溶融させて付着させる方法、熱伝導性がよい電極材質と、熱伝導性が悪いその他の表面材質とにより形成された接続対象部材を選択し、熱を付与した際に、電極の温度を他の表面部材に対し高くすることで、選択的に電極上ではんだを溶融させる方法、金属により形成された電極上に存在するマイナスの電荷に対して、プラスの電荷を持つように処理されたはんだ粒子を用いて、電極に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法、並びに、親水性の金属表面を有する電極に対して、導電ペースト中のはんだ粒子以外の樹脂を疎水性とすることで、電極に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法等が挙げられる。   In the present invention, a method of selectively aggregating solder particles on the surface of the electrode may be further employed. As a method of selectively agglomerating solder particles on the surface of the electrode, there is a connection target member formed by an electrode material having good wettability of molten solder particles and another surface material having poor wettability of molten solder particles. A method of selectively adhering molten solder particles that have reached the surface of the electrode to the electrode and then melting and adhering another solder particle to the molten solder particles, and an electrode material with good thermal conductivity And other surface materials with poor thermal conductivity are selected, and when heat is applied, the temperature of the electrode is raised relative to the other surface members to selectively In this method, the solder particles are selectively agglomerated on the electrodes by using solder particles that have been treated so as to have a positive charge with respect to the negative charges existing on the electrode formed of metal. Method of, and, the electrode having a hydrophilic metal surface, the resin other than the solder particles in the conductive paste by a hydrophobic, a method to aggregate selectively solder particles on the electrode, and the like.

電極間でのはんだ部の厚みは、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下である。電極の表面上のはんだ濡れ面積(電極の露出した面積100%中のはんだが接している面積、上記接続部を形成する前の上記第1の電極と上記第1の電極と電気的に接続される上記第2の電極との露出した面積100%に対する、上記接続部を形成した後の上記はんだ部が接している面積)は、好ましくは50%以上、より好ましくは60%以上、更に好ましくは70%以上、好ましくは100%以下である。   The thickness of the solder part between the electrodes is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less. Solder wet area on the surface of the electrode (area where the solder is in contact with 100% of the exposed area of the electrode, electrically connected to the first electrode and the first electrode before forming the connecting portion) The area where the solder part is in contact with the second electrode with respect to the exposed area of 100% is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and still more preferably 70% or more, preferably 100% or less.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わるか、又は、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程の内の少なくとも一方において、加圧を行い、かつ、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程の双方において、加圧の圧力が1MPa未満であることが好ましい。1MPa以上の加圧の圧力を加えないことで、はんだ粒子の凝集がかなり促進される。接続対象部材の反りを抑える観点からは、本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程の内の少なくとも一方において、加圧を行い、かつ、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程の双方において、加圧の圧力が1MPa未満であってもよい。加圧を行う場合に、上記第2の接続対象部材を配置する工程のみにおいて、加圧を行ってもよく、上記接続部を形成する工程のみにおいて、加圧を行ってもよく、上記第2の接続対象部材を配置する工程と上記接続部を形成する工程との双方において、加圧を行ってもよい。加圧の圧力が1MPa未満には、加圧していない場合が含まれる。加圧を行う場合に、加圧の圧力は、好ましくは0.9MPa以下、より好ましくは0.8MPa以下である。加圧の圧力が0.8MPa以下である場合に、加圧の圧力が0.8MPaを超える場合と比べて、はんだ粒子の凝集がより一層顕著に促進される。   In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the second connection is applied to the conductive paste. The weight of the target member is added, or pressure is applied in at least one of the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, and the second connection target member It is preferable that the pressure of pressurization is less than 1 MPa in both the step of disposing and the step of forming the connecting portion. By not applying a pressure of 1 MPa or more, the aggregation of solder particles is considerably promoted. From the viewpoint of suppressing the warpage of the connection target member, in the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, at least one of the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion is performed. The pressure of pressurization may be less than 1 MPa in both the step of performing pressure and arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion. When pressurization is performed, the pressurization may be performed only in the step of arranging the second connection target member, or the pressurization may be performed only in the step of forming the connection portion. Pressurization may be performed in both the step of arranging the connection target member and the step of forming the connection portion. The case where the pressure is less than 1 MPa includes the case where no pressure is applied. When pressurizing, the pressure of pressurization is preferably 0.9 MPa or less, more preferably 0.8 MPa or less. When the pressure of the pressurization is 0.8 MPa or less, the aggregation of the solder particles is further promoted more remarkably than when the pressure of the pressurization exceeds 0.8 MPa.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わることが好ましく、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。これらの場合には、複数のはんだ部において、はんだ量の均一性をより一層高めることができる。更に、はんだ部の厚みをより一層効果的に厚くすることができ、複数のはんだ粒子が電極間に多く集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上により一層効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をより一層少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続をより一層防ぐことができ、絶縁信頼性をより一層高めることができる。   In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the second connection is applied to the conductive paste. The weight of the target member is preferably added, and in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, the conductive paste exceeds the weight force of the second connection target member. It is preferable that no pressure is applied. In these cases, the uniformity of the amount of solder can be further enhanced in the plurality of solder portions. Furthermore, the thickness of the solder part can be increased more effectively, and a plurality of solder particles can be easily collected between the electrodes, and the plurality of solder particles can be arranged more efficiently on the electrodes (lines). it can. Moreover, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be arranged in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles arranged in a region where no electrode is formed can be further reduced. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be further enhanced. In addition, the electrical connection between the laterally adjacent electrodes that should not be connected can be further prevented, and the insulation reliability can be further improved.

更に、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストに、上記第2の接続対象部材の重量が加われば、接続部が形成される前に電極が形成されていない領域(スペース)に配置されていたはんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間により一層集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上により一層効率的に配置することができることも、本発明者は見出した。本発明では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いるという構成と、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わるようにするという構成とを組み合わせて採用することには、本発明の効果をより一層高いレベルで得るために大きな意味がある。   Furthermore, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, if the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure, the connection portion is Solder particles arranged in a region (space) where no electrode is formed before being formed are more easily collected between the first electrode and the second electrode, and a plurality of solder particles are separated into electrodes (lines). The inventor has also found that the arrangement can be made more efficient. In the present invention, a configuration in which a conductive paste is used instead of a conductive film and a configuration in which the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure are used in combination. This has a great meaning in order to obtain the effects of the present invention at a higher level.

なお、WO2008/023452A1では、はんだ粉を電極表面に押し流して効率よく移動させる観点からは、接着時に所定の圧力で加圧するとよいことが記載されており、加圧圧力は、はんだ領域を更に確実に形成する観点では、例えば、0MPa以上、好ましくは1MPa以上とすることが記載されており、更に、接着テープに意図的に加える圧力が0MPaであっても、接着テープ上に配置された部材の自重により、接着テープに所定の圧力が加わってもよいことが記載されている。WO2008/023452A1では、接着テープに意図的に加える圧力が0MPaであってもよいことは記載されているが、0MPaを超える圧力を付与した場合と0MPaとした場合との効果の差異については、何ら記載されていない。また、WO2008/023452A1では、フィルム状ではなく、ペースト状の導電ペーストを用いることの重要性についても何ら認識されていない。   In addition, WO2008 / 023452A1 describes that it is preferable to pressurize with a predetermined pressure at the time of bonding from the viewpoint of efficiently moving the solder powder to the electrode surface, and the pressurizing pressure further ensures the solder area. For example, it is described that the pressure is set to 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more. Further, even if the pressure intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, the member disposed on the adhesive tape It is described that a predetermined pressure may be applied to the adhesive tape by its own weight. In WO2008 / 023452A1, it is described that the pressure applied intentionally to the adhesive tape may be 0 MPa, but there is no difference between the effect when the pressure exceeding 0 MPa is applied and when the pressure is set to 0 MPa. Not listed. In addition, WO2008 / 023452A1 recognizes nothing about the importance of using a paste-like conductive paste instead of a film.

また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだ粒子の凝集が阻害されるという問題がある。   Moreover, if a conductive paste is used instead of a conductive film, it becomes easy to adjust the thickness of the connection part and the solder part depending on the amount of the conductive paste applied. On the other hand, in the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connection portion, it is necessary to prepare a conductive film having a different thickness or to prepare a conductive film having a predetermined thickness. There is. In addition, the conductive film has a problem that the melt viscosity of the conductive film cannot be sufficiently lowered at the melting temperature of the solder, and the aggregation of the solder particles is hindered.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive paste according to an embodiment of the present invention.

図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材3と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4とを備える。接続部4は、上述した導電ペーストにより形成されている。本実施形態では、上記導電ペーストは、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを含む。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 is a connection that connects a first connection target member 2, a second connection target member 3, and the first connection target member 2 and the second connection target member 3. Part 4. The connection part 4 is formed by the conductive paste described above. In this embodiment, the said electrically conductive paste contains the said thermosetting compound and the said thermosetting agent.

接続部4は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部4Aと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部4Bとを有する。   The connection portion 4 includes a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined to each other, and a cured product portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured.

第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材3は表面(下面)に、複数の第2の電極3aを有する。第1の電極2aと第2の電極3aとが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。従って、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。なお、接続部4において、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだは存在しない。はんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだ部4Aと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)に、はんだが存在していてもよい。   The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on the surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on the surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by the solder portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A. In the connection portion 4, no solder exists in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In an area different from the solder part 4A (hardened product part 4B part), there is no solder separated from the solder part 4A. If the amount is small, the solder may be present in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a.

図1に示すように、接続構造体1では、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部4Aが形成されている。このため、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接触面積が大きくなる。このため、接続構造体1における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電ペーストは、フラックスを含んでいてもよい。フラックスを用いた場合には、加熱により、一般にフラックスは次第に失活する。   As shown in FIG. 1, in the connection structure 1, a plurality of solder particles gather between the first electrode 2 a and the second electrode 3 a, and after the plurality of solder particles melt, After the electrode surface wets and spreads, it solidifies to form the solder portion 4A. For this reason, the connection area of 4 A of solder parts and the 1st electrode 2a, and 4 A of solder parts, and the 2nd electrode 3a becomes large. That is, by using the solder particles, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder portion are compared with the case where the conductive outer surface is made of a metal such as nickel, gold or copper. The contact area between 4A and the second electrode 3a increases. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability and connection reliability in the connection structure 1 become high. Note that the conductive paste may contain a flux. When the flux is used, the flux is generally deactivated gradually by heating.

なお、図1に示す接続構造体1では、はんだ部4Aの全てが、第1,第2の電極2a,3a間の対向している領域に位置している。図3に示す変形例の接続構造体1Xは、接続部4Xのみが、図1に示す接続構造体1と異なる。接続部4Xは、はんだ部4XAと硬化物部4XBとを有する。接続構造体1Xのように、はんだ部4XAの多くが、第1,第2の電極2a,3aの対向している領域に位置しており、はんだ部4XAの一部が第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部4XAは、はんだ部4XAの一部であり、はんだ部4XAから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。   In addition, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all the solder parts 4A are located in the area | region which the 1st, 2nd electrodes 2a and 3a oppose. The connection structure 1X of the modification shown in FIG. 3 is different from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in the connection portion 4X. The connection part 4X has the solder part 4XA and the hardened | cured material part 4XB. As in the connection structure 1X, most of the solder portions 4XA are located in regions where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed to each other, and a part of the solder portion 4XA is first and second. You may protrude to the side from the area | region which electrode 2a, 3a has opposed. The solder part 4XA protruding laterally from the region where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed is a part of the solder part 4XA and is not a solder separated from the solder part 4XA. In the present embodiment, the amount of solder away from the solder portion can be reduced, but the solder away from the solder portion may exist in the cured product portion.

はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体1を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体1Xを得ることが容易になる。   If the amount of solder particles used is reduced, the connection structure 1 can be easily obtained. If the amount of the solder particles used is increased, it becomes easy to obtain the connection structure 1X.

導通信頼性をより一層高める観点からは、上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上(より好ましくは60%以上、更に好ましくは70%以上、特に好ましくは80%以上、最も好ましくは90%以上)に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen. Sometimes, 50% or more (more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more, particularly preferably 80% or more) out of 100% of the area where the first electrode and the second electrode face each other. , Most preferably 90% or more), the solder portion in the connection portion is preferably disposed.

導通信頼性をより一層高める観点からは、上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の70%以上(より好ましくは80%以上、更に好ましくは90%以上、特に好ましくは95%以上、最も好ましくは99%以上)が配置されていることが好ましい。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the first electrode and the second electrode are opposed to each other in a direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode. When the matching portion is viewed, the portion where the first electrode and the second electrode face each other is 70% or more (more preferably 80% or more, more preferably 90%) of the solder portion in the connection portion. In particular, it is preferable that 95% or more, most preferably 99% or more) is disposed.

次に、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて、接続構造体1を製造する方法の一例を説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the connection structure 1 using the conductive paste according to the embodiment of the present invention will be described.

先ず、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、図2(a)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上に、熱硬化性成分11Bと、複数のはんだ粒子11Aとを含む導電ペースト11を配置する(第1の工程)。第1の接続対象部材2の第1の電極2aが設けられた表面上に、導電ペースト11を配置する。導電ペースト11の配置の後に、はんだ粒子11Aは、第1の電極2a(ライン)上と、第1の電極2aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。   First, the 1st connection object member 2 which has the 1st electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2A, a conductive paste 11 including a thermosetting component 11B and a plurality of solder particles 11A is disposed on the surface of the first connection target member 2 (first Process). The conductive paste 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is provided. After the conductive paste 11 is disposed, the solder particles 11A are disposed both on the first electrode 2a (line) and on a region (space) where the first electrode 2a is not formed.

導電ペースト11の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。   The arrangement method of the conductive paste 11 is not particularly limited, and examples thereof include application with a dispenser, screen printing, and ejection with an inkjet device.

また、第2の電極3aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材3を用意する。次に、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上の導電ペースト11において、導電ペースト11の第1の接続対象部材2側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材3を配置する(第2の工程)。導電ペースト11の表面上に、第2の電極3a側から、第2の接続対象部材3を配置する。このとき、第1の電極2aと第2の電極3aとを対向させる。   Moreover, the 2nd connection object member 3 which has the 2nd electrode 3a on the surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2B, in the conductive paste 11 on the surface of the first connection target member 2, on the surface of the conductive paste 11 opposite to the first connection target member 2 side, The 2nd connection object member 3 is arrange | positioned (2nd process). On the surface of the conductive paste 11, the second connection target member 3 is disposed from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

次に、はんだ粒子11Aの融点以上に導電ペースト11を加熱する(第3の工程)。好ましくは、熱硬化性成分11B(バインダー)の硬化温度以上に導電ペースト11を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子11Aは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まる(自己凝集効果)。本実施形態では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いているために、更に導電ペーストが特定の組成を有するために、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。また、はんだ粒子11Aは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分11Bは熱硬化する。この結果、図2(c)に示すように、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4を、導電ペースト11により形成する。導電ペースト11により接続部4が形成され、複数のはんだ粒子11Aが接合することによってはんだ部4Aが形成され、熱硬化性成分11Bが熱硬化することによって硬化物部4Bが形成される。はんだ粒子11Aが十分に移動すれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に位置していないはんだ粒子11Aの移動が開始してから、第1の電極2aと第2の電極3aとの間にはんだ粒子11Aの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。   Next, the conductive paste 11 is heated above the melting point of the solder particles 11A (third step). Preferably, the conductive paste 11 is heated above the curing temperature of the thermosetting component 11B (binder). At the time of this heating, the solder particles 11A that existed in the region where no electrode is formed gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). In this embodiment, since the conductive paste is used instead of the conductive film, the conductive paste further has a specific composition, so that the solder particles 11A are disposed between the first electrode 2a and the second electrode 3a. To gather effectively. Also, the solder particles 11A are melted and joined together. Further, the thermosetting component 11B is thermoset. As a result, as shown in FIG. 2C, the connection portion 4 connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed with the conductive paste 11. The connection part 4 is formed by the conductive paste 11, the solder part 4A is formed by joining a plurality of solder particles 11A, and the cured part 4B is formed by thermosetting the thermosetting component 11B. If the solder particles 11A are sufficiently moved, the first electrode 2a and the second electrode are moved after the movement of the solder particles 11A not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts. It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A is completed.

本実施形態では、上記第2の工程及び上記第3の工程において、加圧を行わない方が好ましい。この場合には、導電ペースト11には、第2の接続対象部材3の重量が加わる。このため、接続部4の形成時に、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。なお、上記第2の工程及び上記第3の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。このことは、本発明者によって見出された。   In the present embodiment, it is preferable that no pressure is applied in the second step and the third step. In this case, the weight of the second connection target member 3 is added to the conductive paste 11. For this reason, when the connection part 4 is formed, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In addition, if pressure is applied in at least one of the second step and the third step, the action of the solder particles trying to collect between the first electrode and the second electrode is hindered. The tendency to become higher. This has been found by the inventor.

ただし、第1の電極と第2の電極との間隔を確保できれば、加圧を行ってもよい。電極間の間隔を確保する手段として、例えば、所望の電極間の間隔に相当するスペーサーを添加し、少なくとも1個、好ましくは3個以上のスペーサーが電極間に配置されるようにすればよい。スペーサーとしては、無機粒子、有機粒子が挙げられる。スペーサーは絶縁性粒子であることが好ましい。   However, pressurization may be performed as long as the interval between the first electrode and the second electrode can be secured. As a means for ensuring the gap between the electrodes, for example, a spacer corresponding to the desired gap between the electrodes may be added so that at least one, preferably three or more spacers are arranged between the electrodes. Examples of the spacer include inorganic particles and organic particles. The spacer is preferably an insulating particle.

また、本実施形態では、加圧を行っていないため、導電ペーストを塗布した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせた際に、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極のアライメントがずれた状態で、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とが重ね合わされた場合でも、そのずれを補正して、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材との電極を接続させることができる(セルフアライメント効果)。これは、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極との間に自己凝集した溶融したはんだが、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極との間のはんだと導電ペーストのその他の成分とが接する面積が最小となる方がエネルギー的に安定になるため、その最小の面積となる接続構造であるアライメントのあった接続構造にする力が働くためである。この際、導電ペーストが硬化していないこと、及び、その温度、時間にて、導電ペーストのはんだ粒子以外の成分の粘度が十分低いことが望ましい。   Moreover, in this embodiment, since pressurization is not performed, when the second connection target member is superimposed on the first connection target member to which the conductive paste is applied, the electrode of the first connection target member Even when the first connection target member and the second connection target member are overlapped in a state where the alignment of the electrodes of the second connection target member is shifted, the shift is corrected and the first connection target member is corrected. Can be connected to the electrode of the second connection target member (self-alignment effect). This is because the molten solder self-aggregated between the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member is the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member. As the area where the solder and the other components of the conductive paste are in contact with each other is minimized, the area becomes more stable in terms of energy. Because. At this time, it is desirable that the conductive paste is not cured and that the viscosity of components other than the solder particles of the conductive paste is sufficiently low at that temperature and time.

このようにして、図1に示す接続構造体1が得られる。なお、上記第2の工程と上記第3の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第2の工程を行った後に、得られる第1の接続対象部材2と導電ペースト11と第2の接続対象部材3との積層体を、加熱部に移動させて、上記第3の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。   In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. The second step and the third step may be performed continuously. Moreover, after performing the said 2nd process, the laminated body of the obtained 1st connection object member 2, the electrically conductive paste 11, and the 2nd connection object member 3 is moved to a heating part, and said 3rd said You may perform a process. In order to perform the heating, the laminate may be disposed on a heating member, or the laminate may be disposed in a heated space.

上記第3の工程における上記加熱温度は、好ましくは140℃以上、より好ましくは160℃以上、好ましくは450℃以下、より好ましくは250℃以下、更に好ましくは200℃以下である。   The heating temperature in the third step is preferably 140 ° C. or higher, more preferably 160 ° C. or higher, preferably 450 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and further preferably 200 ° C. or lower.

なお、上記第3の工程の後に、位置の修正や製造のやり直しを目的として、第1の接続対象部材又は第2の接続対象部材を、接続部から剥離することができる。この剥離を行うための加熱温度は、好ましくははんだ粒子の融点以上、より好ましくははんだ粒子の融点(℃)+10℃以上である。この剥離を行うための加熱温度は、はんだ粒子の融点(℃)+100℃以下であってもよい。   In addition, after the said 3rd process, a 1st connection object member or a 2nd connection object member can be peeled from a connection part for the purpose of correction of a position or re-production. The heating temperature for performing this peeling is preferably not lower than the melting point of the solder particles, more preferably not lower than the melting point (° C.) of the solder particles + 10 ° C. The heating temperature for performing this peeling may be the melting point (° C.) of the solder particles + 100 ° C. or less.

上記第3の工程における加熱方法としては、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。   As the heating method in the third step, a method of heating the entire connection structure using a reflow furnace or an oven above the melting point of the solder particles and the curing temperature of the thermosetting component, or a connection structure The method of heating only the connection part of a body locally is mentioned.

局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。   As a tool used for the method of heating locally, a hot plate, a heat gun for applying hot air, a soldering iron, an infrared heater, and the like can be given.

また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。   In addition, when heating locally with a hot plate, the metal directly under the connection is made of a metal with high thermal conductivity, and other places where heating is not preferred are made of a material with low thermal conductivity such as a fluororesin. The upper surface of the hot plate is preferably formed.

上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、LEDチップ、LEDパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第1,第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。   The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specifically as said 1st, 2nd connection object member, electronic components, such as a semiconductor chip, a semiconductor package, LED chip, LED package, a capacitor | condenser, a diode, and a resin film, a printed circuit board, a flexible printed circuit board, flexible Examples thereof include electronic components such as circuit boards such as flat cables, rigid flexible boards, glass epoxy boards, and glass boards. The first and second connection target members are preferably electronic components.

上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方が、半導体チップ、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブル基板又はフレキシブルフラットケーブルであることが好ましく、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることがより好ましい。上記第2の接続対象部材が、半導体チップ、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブル基板又はフレキシブルフラットケーブルであることが好ましく樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることがより好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだ粒子が電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、導電ペーストを用いることで、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだ粒子を電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を充分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップ等の他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。   At least one of the first connection target member and the second connection target member is preferably a semiconductor chip, a resin film, a flexible printed circuit board, a rigid flexible circuit board, or a flexible flat cable. A substrate, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate is more preferable. The second connection target member is preferably a semiconductor chip, a resin film, a flexible printed board, a rigid flexible board, or a flexible flat cable, and more preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. preferable. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have the property of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used for connection of such a connection object member, there exists a tendency for a solder particle not to gather on an electrode. On the other hand, by using a conductive paste, even if a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board is used, it is possible to efficiently collect the solder particles on the electrodes, thereby ensuring conduction reliability between the electrodes. The nature can be sufficiently enhanced. When using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board, compared to the case of using other connection target members such as a semiconductor chip, the conduction reliability between the electrodes by not applying pressure is improved. The improvement effect can be obtained more effectively.

上記接続対象部材の形態にはペリフェラルやエリアアレイ等が存在する。各部材の特徴として、ペリフェラル基板では、電極が基板の外周部のみに存在する。エリアアレイ基板では、面内に電極が存在する。   Peripherals, area arrays, and the like exist in the form of the connection target member. As a feature of each member, in the peripheral substrate, the electrodes are present only on the outer peripheral portion of the substrate. In the area array substrate, there are electrodes in the plane.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、SUS電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, a SUS electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

熱硬化性化合物1:2,4−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノン(結晶性熱硬化性化合物、融点:94℃、分子量362)   Thermosetting compound 1: 2,4-bis (glycidyloxy) benzophenone (crystalline thermosetting compound, melting point: 94 ° C., molecular weight 362)

2,4−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノンの合成:
3つ口フラスコに、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン27g、エピクロルヒドリン230g、n−ブタノール70g、及びテトラエチルベンジルアンモニウムクロライド1gを入れ、室温にて撹拌、溶解させた。その後、窒素雰囲気下、撹拌下にて、70℃に昇温し、減圧還流下、水酸化ナトリウム水溶液(濃度48重量%)45gを滴下した。滴下は、4時間かけて行った。その後、70℃にて、ディーンスターク管を用い、水分を除去しながら2時間反応させた。その後、減圧下で、未反応のエピクロルヒドリンを除去した。
Synthesis of 2,4-bis (glycidyloxy) benzophenone:
In a three-necked flask, 27 g of 2,4-dihydroxybenzophenone, 230 g of epichlorohydrin, 70 g of n-butanol and 1 g of tetraethylbenzylammonium chloride were added and stirred and dissolved at room temperature. Thereafter, the temperature was raised to 70 ° C. under stirring in a nitrogen atmosphere, and 45 g of an aqueous sodium hydroxide solution (concentration: 48 wt%) was added dropwise under reduced pressure. The dropping was performed over 4 hours. Then, it was made to react at 70 degreeC for 2 hours, using a Dean-Stark tube, removing a water | moisture content. Thereafter, unreacted epichlorohydrin was removed under reduced pressure.

得られた反応生成物を、MEK(メチルエチルケトン):n−ブタノール=3:1(重量比)の混合溶剤400gに溶解し、水酸化ナトリウム水溶液(濃度10重量%)5gを添加し、80℃で2時間加熱した。   The obtained reaction product was dissolved in 400 g of a mixed solvent of MEK (methyl ethyl ketone): n-butanol = 3: 1 (weight ratio), and 5 g of an aqueous sodium hydroxide solution (concentration: 10% by weight) was added at 80 ° C. Heated for 2 hours.

その後、室温に冷却し、純水により、洗液が中性になるまで洗浄を行った。有機層をろ過しながら分取し、減圧下にて、残水分及び混合溶媒を除去し、反応生成物を得た。   Then, it cooled to room temperature and wash | cleaned with the pure water until the washing | cleaning liquid became neutral. The organic layer was collected by filtration, and the remaining water and the mixed solvent were removed under reduced pressure to obtain a reaction product.

n−ヘキサンを用い、上記反応生成物34gを再結晶により精製し、真空乾燥により残溶剤分を除去した。   Using n-hexane, 34 g of the reaction product was purified by recrystallization, and the residual solvent was removed by vacuum drying.

得られたエポキシ化合物:DSCによる融点は94℃、エポキシ当量は176g/eq.、マススペクトルによる分子量は362、150℃での溶融粘度は5mPa・sであった。   Obtained epoxy compound: melting point by DSC was 94 ° C., epoxy equivalent was 176 g / eq. According to the mass spectrum, the molecular weight was 362, and the melt viscosity at 150 ° C. was 5 mPa · s.

・示差走査熱量測定(DSC)測定装置及び測定条件
装置;日立ハイテクサイエンス社製「X−DSC7000」、サンプル量;3mg、温度条件;10℃/min
-Differential scanning calorimetry (DSC) measuring device and measuring conditions Device: “X-DSC7000” manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., sample amount: 3 mg, temperature condition: 10 ° C./min

・150℃における溶融粘度:ASTM D4287に準拠し、エムエスティーエンジニアリング社製のICIコーンプレート粘度計を用いて測定   -Melt viscosity at 150 ° C .: Measured using an ICI cone plate viscometer manufactured by MST Engineering in accordance with ASTM D4287

・エポキシ当量の測定:JIS K7236:2001に準拠して測定   ・ Measurement of epoxy equivalent: Measured according to JIS K7236: 2001

・分子量の測定:GC−MS装置(日本電子社製「JMS K−9」)を用いて測定   Measurement of molecular weight: Measured using a GC-MS apparatus (“JMS K-9” manufactured by JEOL Ltd.)

熱硬化性化合物2:4,4’−ビス(グリジジルオキシ)ベンゾフェノン(結晶性熱硬化性化合物、融点:132℃、分子量362)   Thermosetting compound 2: 4,4'-bis (glycidyloxy) benzophenone (crystalline thermosetting compound, melting point: 132 ° C, molecular weight 362)

4,4’−ビス(グリジジルオキシ)ベンゾフェノンの合成:
3つ口フラスコに、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン27g、エピクロルヒドリン230g、n−ブタノール70g、及びテトラエチルベンジルアンモニウムクロライド1gを入れ、室温にて撹拌、溶解させた。その後、窒素雰囲気下、撹拌下にて、70℃に昇温し、減圧還流下、水酸化ナトリウム水溶液(濃度48重量%)45gを滴下した。滴下は、4時間かけて行った。その後。70℃にて、ディーンスターク管を用い、水分を除去しながら2時間反応させた。その後、減圧下で、未反応のエピクロルヒドリンを除去した。
Synthesis of 4,4′-bis (glycidyloxy) benzophenone:
In a three-necked flask, 27 g of 4,4′-dihydroxybenzophenone, 230 g of epichlorohydrin, 70 g of n-butanol, and 1 g of tetraethylbenzylammonium chloride were stirred and dissolved at room temperature. Thereafter, the temperature was raised to 70 ° C. under stirring in a nitrogen atmosphere, and 45 g of an aqueous sodium hydroxide solution (concentration: 48 wt%) was added dropwise under reduced pressure. The dropping was performed over 4 hours. after that. The reaction was carried out at 70 ° C. for 2 hours using a Dean-Stark tube while removing moisture. Thereafter, unreacted epichlorohydrin was removed under reduced pressure.

得られた反応生成物を、MEK(メチルエチルケトン):n−ブタノール=3:1(重量比)の混合溶剤400gに溶解し、水酸化ナトリウム水溶液(濃度10重量%)5gを添加し、80℃で2時間加熱した。   The obtained reaction product was dissolved in 400 g of a mixed solvent of MEK (methyl ethyl ketone): n-butanol = 3: 1 (weight ratio), and 5 g of an aqueous sodium hydroxide solution (concentration: 10% by weight) was added at 80 ° C. Heated for 2 hours.

その後、室温に冷却し、純水により、洗液が中性になるまで洗浄を行った。有機層をろ過しながら分取し、減圧下にて、残水分及び混合溶媒を除去し、反応生成物を得た。   Then, it cooled to room temperature and wash | cleaned with the pure water until the washing | cleaning liquid became neutral. The organic layer was collected by filtration, and the remaining water and the mixed solvent were removed under reduced pressure to obtain a reaction product.

n−ヘキサンを用い、上記反応生成物34gを再結晶により精製し、真空乾燥により残溶剤分を除去した。   Using n-hexane, 34 g of the reaction product was purified by recrystallization, and the residual solvent was removed by vacuum drying.

得られたエポキシ化合物:DSCによる融点は135℃、エポキシ当量は176g/eq.、マススペクトルによる分子量は362、150℃での溶融粘度は12mPa・sであった。   Obtained epoxy compound: melting point by DSC: 135 ° C., epoxy equivalent: 176 g / eq. According to the mass spectrum, the molecular weight was 362, and the melt viscosity at 150 ° C. was 12 mPa · s.

熱硬化性化合物3:エポキシ基含有アクリルポリマー、日油社製「MARPROOF G−0150M」   Thermosetting compound 3: Epoxy group-containing acrylic polymer, “MARPROOF G-0150M” manufactured by NOF Corporation

熱硬化剤1:ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)、昭和電工社製「カレンズMT PE1」   Thermosetting agent 1: pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), “Karenz MT PE1” manufactured by Showa Denko KK

潜在性エポキシ熱硬化剤1:T&K TOKA社製「フジキュア7000」   Latent epoxy thermosetting agent 1: “Fujicure 7000” manufactured by T & K TOKA

フラックス1:グルタル酸、和光純薬工業社製、融点(活性温度)152℃   Flux 1: glutaric acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., melting point (activation temperature) 152 ° C.

はんだ粒子1〜3の作製方法:
はんだ粒子1:
SnBiはんだ粒子(三井金属社製「DS−10」、平均粒径(メディアン径)12μm)と、グルタル酸(2つのカルボキシル基を有する化合物、和光純薬工業社製「グルタル酸」)とを、触媒であるp−トルエンスルホン酸を用いて、トルエン溶媒中90℃で脱水しながら8時間攪拌することにより、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子1を得た。
Method for producing solder particles 1-3:
Solder particles 1:
SnBi solder particles (“DS-10” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle size (median diameter) 12 μm) and glutaric acid (a compound having two carboxyl groups, “glutaric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) By using p-toluenesulfonic acid as a catalyst and stirring for 8 hours while dehydrating in a toluene solvent at 90 ° C., solder particles 1 in which a carboxyl group-containing group is covalently bonded to the surface of the solder were obtained.

得られたはんだ粒子1では、CV値20%、表面のゼータ電位1.2mV、表面を構成しているポリマーの分子量Mw=2000であった。   In the obtained solder particles 1, the CV value was 20%, the surface zeta potential was 1.2 mV, and the molecular weight Mw of the polymer constituting the surface was 2000.

はんだ粒子2:
SnBiはんだ粒子(三井金属社製「DS−10」、平均粒径(メディアン径)12μm)200g、イソシアネート基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBE−9007」)10g、アセトン70gを3つ口フラスコに秤量した。室温で撹拌しながら、はんだ粒子表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒であるジブチルスズジラウレート0.25gを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下にて60℃で30分加熱した。その後、メタノールを50g添加し、撹拌下、窒素雰囲気下にて、60℃で10分間加熱した。
Solder particles 2:
200 g of SnBi solder particles (“DS-10” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle size (median diameter) 12 μm), 10 g of a silane coupling agent having an isocyanate group (“KBE-9007” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and 70 g of acetone. Weighed into a three-necked flask. While stirring at room temperature, 0.25 g of dibutyltin dilaurate, which is a reaction catalyst for the hydroxyl group and isocyanate group on the surface of the solder particles, was added, and the mixture was heated at 60 ° C. for 30 minutes under stirring in a nitrogen atmosphere. Thereafter, 50 g of methanol was added, and the mixture was heated at 60 ° C. for 10 minutes under stirring in a nitrogen atmosphere.

その後、室温まで冷却し、ろ紙ではんだ粒子を濾過し、真空乾燥にて、室温で1時間脱溶剤を行った。   Then, it cooled to room temperature, the solder particle was filtered with the filter paper, and solvent removal was performed at room temperature for 1 hour by vacuum drying.

上記はんだ粒子を、3つ口フラスコに入れ、アセトン70g、アジピン酸モノエチル30g、エステル交換反応触媒であるモノブチルスズオキサイド0.5gを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下で60℃で1時間反応させた。   Put the solder particles in a three-necked flask, add 70 g of acetone, 30 g of monoethyl adipate, and 0.5 g of monobutyltin oxide which is a transesterification reaction catalyst, and let it react at 60 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere with stirring. It was.

これにより、シランカップリング剤由来のシラノール基に対して、アジピン酸モノエチルのエステル基をエステル交換反応により反応させ、共有結合させた。   Thereby, the ester group of the monoethyl adipate was made to react with the silanol group derived from a silane coupling agent by the transesterification, and was covalently bonded.

その後、アジピン酸を10g追加し、60℃で1時間反応させることで、アジピン酸モノエチルのシラノール基と反応していない残エチルエステル基に対して、アジピン酸を付加させた。   Thereafter, 10 g of adipic acid was added and reacted at 60 ° C. for 1 hour, whereby adipic acid was added to the residual ethyl ester group not reacted with the silanol group of monoethyl adipate.

その後、室温まで冷却し、ろ紙ではんだ粒子をろ過し、ろ紙上でヘキサンにてはんだ粒子を洗浄し、未反応、及びはんだ粒子の表面に非共有結合にて付着している、残アジピン酸モノエチル、アジピン酸を除去したのち、真空乾燥にて、室温で1時間脱溶剤を行った。   Then, cool to room temperature, filter the solder particles with filter paper, wash the solder particles with hexane on the filter paper, unreacted, and adhere to the surface of the solder particles by non-covalent bonds, residual monoethyl adipate After removing adipic acid, the solvent was removed by vacuum drying at room temperature for 1 hour.

得られたはんだ粒子をボールミルで解砕した後、所定のCV値となるように篩を選択した。   After the obtained solder particles were crushed with a ball mill, a sieve was selected so as to obtain a predetermined CV value.

はんだ表面に形成されたポリマーの分子量は、0.1Nの塩酸を用い、はんだを溶解後、ポリマーを濾過により回収し、GPCにより重量平均分子量を求めた。   The molecular weight of the polymer formed on the solder surface was determined by using 0.1N hydrochloric acid, dissolving the solder, collecting the polymer by filtration, and determining the weight average molecular weight by GPC.

これにより、はんだ粒子2を得た。得られたはんだ粒子2では、CV値20%、表面のゼータ電位0.9mV、表面を構成しているポリマーの分子量Mw=9800であった。   Thereby, solder particles 2 were obtained. In the obtained solder particles 2, the CV value was 20%, the surface zeta potential was 0.9 mV, and the molecular weight Mw of the polymer constituting the surface was 9800.

はんだ粒子3:
上記はんだ粒子2を得る工程にて、アジピン酸モノエチルをグルタル酸モノエチルに変更し、アジピン酸をグルタル酸に変更したこと以外は同様にしてはんだ粒子3を得た。
Solder particles 3:
In the step of obtaining the solder particles 2, the solder particles 3 were obtained in the same manner except that monoethyl adipate was changed to monoethyl glutarate and adipic acid was changed to glutaric acid.

得られたはんだ粒子3では、CV値20%、表面のゼータ電位0.92mV、表面を構成しているポリマーの分子量Mw=9600であった。   In the obtained solder particles 3, the CV value was 20%, the surface zeta potential was 0.92 mV, and the molecular weight Mw of the polymer constituting the surface was 9600.

はんだ粒子A:SnBiはんだ粒子(三井金属社製「DS−10」、平均粒径(メディアン径)12μm)   Solder particles A: SnBi solder particles (“DS-10” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter (median diameter) 12 μm)

(ゼータ電位測定)
得られたはんだ粒子0.05gを、メタノール10gに入れ、超音波処理をすることで、均一に分散させて、分散液を得た。この分散液を用いて、かつBeckman Coulter社製「Delsamax PRO」を用いて、電気泳動測定法にて、ゼータ電位を測定した。
(Zeta potential measurement)
0.05 g of the obtained solder particles were put in 10 g of methanol and subjected to ultrasonic treatment to uniformly disperse, thereby obtaining a dispersion. The zeta potential was measured by electrophoretic measurement using this dispersion and “Delsamax PRO” manufactured by Beckman Coulter.

(はんだ粒子の粒子径のCV値)
CV値を、レーザー回折式粒度分布測定装置(堀場製作所社製「LA−920」)にて、測定した。
(CV value of particle diameter of solder particles)
The CV value was measured with a laser diffraction particle size distribution analyzer (“LA-920” manufactured by Horiba, Ltd.).

導電性粒子1:樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み3μmのはんだ層(錫:ビスマス=42重量%:58重量%)が形成されている導電性粒子   Conductive particles 1: A copper layer having a thickness of 1 μm is formed on the surface of the resin particles, and a solder layer having a thickness of 3 μm (tin: bismuth = 42 wt%: 58 wt%) is formed on the surface of the copper layer. Conductive particles

導電性粒子1の作製方法:
平均粒子径10μmのジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−210」)を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ0.1μmの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ1μmの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ3μmのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み3μmのはんだ層(錫:ビスマス=42重量%:58重量%)が形成されている導電性粒子1を作製した。
Production method of conductive particles 1:
Divinylbenzene resin particles having an average particle diameter of 10 μm (“Micropearl SP-210” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were subjected to electroless nickel plating to form a base nickel plating layer having a thickness of 0.1 μm on the surface of the resin particles. Next, the resin particles on which the base nickel plating layer was formed were subjected to electrolytic copper plating to form a 1 μm thick copper layer. Furthermore, electrolytic plating was performed using an electrolytic plating solution containing tin and bismuth to form a solder layer having a thickness of 3 μm. In this way, a 1 μm thick copper layer is formed on the surface of the resin particles, and a 3 μm thick solder layer (tin: bismuth = 42 wt%: 58 wt%) is formed on the surface of the copper layer. Conductive particles 1 were prepared.

(実施例1〜4,6,、参考例5及び比較例1〜3)
(1)異方性導電ペーストの作製
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。
(Examples 1 to 4, 6, 7 , Reference Example 5 and Comparative Examples 1 to 3)
(1) Preparation of anisotropic conductive paste The components shown in Table 1 below were blended in the blending amounts shown in Table 1 to obtain anisotropic conductive paste.

(2)第1の接続構造体(L/S=50μm/50μm)の作製
L/Sが50μm/50μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが50μm/50μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。
(2) Production of first connection structure (L / S = 50 μm / 50 μm) Glass epoxy substrate having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 12 μm) having an L / S of 50 μm / 50 μm and an electrode length of 3 mm on the upper surface (FR-4 substrate) (first connection target member) was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (thickness of a copper electrode 12 micrometers) of L / S 50 micrometers / 50 micrometers and electrode length 3mm on the lower surface was prepared.

ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、1.5cm×3mmとし、接続した電極数は75対とした。   The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board was 1.5 cm × 3 mm, and the number of connected electrodes was 75 pairs.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを、ガラスエポキシ基板の電極上で厚さ100μmとなるように、メタルマスクを用い、スクリーン印刷にて塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。このとき、加圧を行わなかった。異方性導電ペースト層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その後、異方性導電ペースト層の温度が190℃となるように加熱しながら、はんだを溶融させ、かつ異方性導電ペースト層を190℃及び10秒で硬化させ、第1の接続構造体を得た。   On the upper surface of the glass epoxy substrate, the anisotropic conductive paste immediately after production is applied by screen printing using a metal mask so that the thickness is 100 μm on the electrode of the glass epoxy substrate, and anisotropic conductive A paste layer was formed. Next, the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. At this time, no pressure was applied. The weight of the flexible printed board is added to the anisotropic conductive paste layer. Thereafter, while heating the anisotropic conductive paste layer to 190 ° C., the solder is melted, and the anisotropic conductive paste layer is cured at 190 ° C. for 10 seconds. Obtained.

(3)第2の接続構造体(L/S=75μm/75μm)の作製
L/Sが75μm/75μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが75μm/75μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。
(3) Production of second connection structure (L / S = 75 μm / 75 μm) Glass epoxy substrate having a L / S of 75 μm / 75 μm and an electrode length of 3 mm on a copper electrode pattern (copper electrode thickness 12 μm) on the upper surface (FR-4 substrate) (first connection target member) was prepared. In addition, a flexible printed circuit board (second connection target member) having a L / S of 75 μm / 75 μm and an electrode length of 3 mm on the lower surface of a copper electrode pattern (copper electrode thickness 12 μm) was prepared.

L/Sが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第1の接続構造体の作製と同様にして、第2の接続構造体を得た。   A second connection structure was obtained in the same manner as the production of the first connection structure except that the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board having different L / S were used.

(4)第3の接続構造体(L/S=100μm/100μm)の作製
L/Sが100μm/100μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが100μm/100μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。
(4) Production of third connection structure (L / S = 100 μm / 100 μm) Glass epoxy substrate having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 12 μm) with L / S of 100 μm / 100 μm and electrode length of 3 mm on the upper surface (FR-4 substrate) (first connection target member) was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (thickness of copper electrode 12 micrometers) of L / S of 100 micrometers / 100 micrometers and electrode length 3mm on the lower surface was prepared.

L/Sが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第1の接続構造体の作製と同様にして、第3の接続構造体を得た。   A third connection structure was obtained in the same manner as the production of the first connection structure except that the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board having different L / S were used.

(評価)
(1)粘度1
異方性導電ペーストの25℃での粘度(η25)を、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定した。
(Evaluation)
(1) Viscosity 1
The viscosity (η25) at 25 ° C. of the anisotropic conductive paste was measured using an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) at 25 ° C. and 5 rpm.

(2)粘度2
はんだの融点−10℃以上、はんだの融点以下の温度領域(mp−10〜mp)における導電ペーストの粘度の最小値及び最大値を測定した。具体的には、レオメーター(EOLOGICA社製「STRESSTECH」)等を用いて、ローター直径20mm、オシレーション歪み制御、及び昇温速度10℃/分の条件で測定を行った。
(2) Viscosity 2
The minimum value and the maximum value of the viscosity of the conductive paste were measured in a temperature range (mp-10 to mp) from the melting point of the solder to −10 ° C. or more and below the melting point of the solder. Specifically, measurement was performed using a rheometer (“STRESSTECH” manufactured by EOLOGICA) under the conditions of a rotor diameter of 20 mm, oscillation strain control, and a temperature rising rate of 10 ° C./min.

(3)はんだ部の厚み
得られた第1の接続構造体を断面観察することにより、上下の電極間に位置しているはんだ部の厚みを評価した。
(3) Thickness of solder part By observing a cross section of the obtained first connection structure, the thickness of the solder part located between the upper and lower electrodes was evaluated.

(4)電極上のはんだの配置精度1
得られた第1,第2,第3の接続構造体において、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Xを評価した。電極上のはんだの配置精度1を下記の基準で判定した。
(4) Solder placement accuracy on electrode 1
In the obtained first, second, and third connection structures, a portion where the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is provided. When viewed, the ratio X of the area where the solder portion in the connection portion is arranged in the area of 100% of the portion where the first electrode and the second electrode face each other was evaluated. The solder placement accuracy 1 on the electrode was determined according to the following criteria.

[電極上のはんだの配置精度1の判定基準]
○○:割合Xが70%以上
○:割合Xが60%以上、70%未満
△:割合Xが50%以上、60%未満
×:割合Xが50%未満
[Criteria for solder placement accuracy 1 on electrode]
○○: Ratio X is 70% or more ○: Ratio X is 60% or more and less than 70% Δ: Ratio X is 50% or more and less than 60% X: Ratio X is less than 50%

(5)電極上のはんだの配置精度2
得られた第1,第2,第3の接続構造体において、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向と直交する方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、接続部中のはんだ部100%中、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分に配置されている接続部中のはんだ部の割合Yを評価した。電極上のはんだの配置精度2を下記の基準で判定した。
(5) Solder placement accuracy on electrode 2
In the obtained first, second, and third connection structures, the first electrode and the second electrode are opposed to each other in a direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode. When looking at the mating part, the ratio Y of the solder part in the connecting part arranged in the part where the first electrode and the second electrode face each other in 100% of the solder part in the connecting part was evaluated. . The solder placement accuracy 2 on the electrode was determined according to the following criteria.

[電極上のはんだの配置精度2の判定基準]
○○:割合Yが99%以上
○:割合Yが90%以上、99%未満
△:割合Yが70%以上、90%未満
×:割合Yが70%未満
[Criteria for solder placement accuracy 2 on electrode]
◯: Ratio Y is 99% or more ○: Ratio Y is 90% or more and less than 99% △: Ratio Y is 70% or more and less than 90% X: Ratio Y is less than 70%

(6)上下の電極間の導通信頼性
得られた第1,第2,第3の接続構造体(n=15個)において、上下の電極間の1接続箇所当たりの接続抵抗をそれぞれ、4端子法により、測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
(6) Conduction reliability between upper and lower electrodes In the obtained first, second, and third connection structures (n = 15), the connection resistance per connection portion between the upper and lower electrodes is 4 respectively. It was measured by the terminal method. The average value of connection resistance was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The conduction reliability was determined according to the following criteria.

[導通信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が50mΩ以下
○:接続抵抗の平均値が50mΩを超え、70mΩ以下
△:接続抵抗の平均値が70mΩを超え、100mΩ以下
×:接続抵抗の平均値が100mΩを超える、又は接続不良が生じている
[Judgment criteria for conduction reliability]
◯: Average connection resistance is 50 mΩ or less ○: Average connection resistance exceeds 50 mΩ, 70 mΩ or less △: Average connection resistance exceeds 70 mΩ, 100 mΩ or less ×: Average connection resistance exceeds 100 mΩ Or there is a bad connection

(7)横方向に隣接する電極間の絶縁信頼性
得られた第1,第2,第3の接続構造体(n=15個)において、85℃、湿度85%の雰囲気中に100時間放置後、横方向に隣接する電極間に、5Vを印加し、抵抗値を25箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
(7) Insulation reliability between adjacent electrodes in the horizontal direction The obtained first, second and third connection structures (n = 15) were left in an atmosphere of 85 ° C. and 85% humidity for 100 hours. Then, 5V was applied between the electrodes adjacent to the horizontal direction, and the resistance value was measured at 25 locations. Insulation reliability was judged according to the following criteria.

[絶縁信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が10Ω以上
○:接続抵抗の平均値が10Ω以上、10Ω未満
△:接続抵抗の平均値が10Ω以上、10Ω未満
×:接続抵抗の平均値が10Ω未満
[Criteria for insulation reliability]
◯: Average value of connection resistance is 10 7 Ω or more ○: Average value of connection resistance is 10 6 Ω or more, less than 10 7 Ω △: Average value of connection resistance is 10 5 Ω or more, less than 10 6 Ω ×: Connection The average resistance is less than 10 5 Ω

(8)上下の電極間の位置ずれ
得られた第1,第2,第3の接続構造体において、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極の中心線と第2の電極の中心線とが揃っているか否か、並びに位置ずれの距離を評価した。上下の電極間の位置ずれを下記の基準で判定した。
(8) Position shift between upper and lower electrodes In the obtained first, second, and third connection structures, the first electrode and the second electrode are stacked in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode. Whether the center line of the first electrode and the center line of the second electrode were aligned when the portion facing the two electrodes was viewed, and the distance of the positional deviation were evaluated. The positional deviation between the upper and lower electrodes was determined according to the following criteria.

[上下の電極間の位置ずれの判定基準]
○○:位置ずれが15μm未満
○:位置ずれが15μm以上、25μm未満
△:位置ずれが25μm以上、40μm未満
×:位置ずれが40μm以上
[Criteria for misregistration between upper and lower electrodes]
○: Misalignment is less than 15 μm ○: Misalignment is 15 μm or more and less than 25 μm Δ: Misalignment is 25 μm or more and less than 40 μm ×: Misalignment is 40 μm or more

詳細及び結果を下記の表1に示す。   Details and results are shown in Table 1 below.

Figure 0006082843
Figure 0006082843

フレキシブルプリント基板にかえて、樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の傾向が見られた。   The same tendency was observed when a resin film, a flexible flat cable, and a rigid flexible board were used instead of the flexible printed board.

1,1X…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3…第2の接続対象部材
3a…第2の電極
4,4X…接続部
4A,4XA…はんだ部
4B,4XB…硬化物部
11…導電ペースト
11A…はんだ粒子
11B…熱硬化性成分
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1X ... Connection structure 2 ... 1st connection object member 2a ... 1st electrode 3 ... 2nd connection object member 3a ... 2nd electrode 4, 4X ... Connection part 4A, 4XA ... Solder part 4B, 4XB ... Cured part 11 ... Conductive paste 11A ... Solder particles 11B ... Thermosetting component

Claims (8)

複数のはんだ粒子と、バインダーとを含み、
前記はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面のいずれもがはんだである粒子であり、
前記はんだ粒子のはんだの表面に、エーテル結合、エステル結合又は下記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が共有結合しており、
前記はんだの融点−10℃以上、前記はんだの融点以下の温度領域における導電ペーストの粘度の最小値が100mPa・s以上であり、前記はんだの融点−10℃以上、前記はんだの融点以下の温度領域における導電ペーストの粘度の最大値が1500mPa・s以下である、導電ペースト。
Figure 0006082843
Including a plurality of solder particles and a binder,
The solder particles are particles in which both the central portion and the outer surface of the conductive portion are solder,
A group having at least one carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder of the solder particles via an ether bond, an ester bond or a group represented by the following formula (X),
The minimum value of the viscosity of the conductive paste in the temperature region of the solder melting point −10 ° C. or higher and the solder melting point or lower is 100 mPa · s or higher, and the solder melting point −10 ° C. or higher and the solder melting point or lower. The conductive paste in which the maximum value of the viscosity of the conductive paste is 1500 mPa · s or less.
Figure 0006082843
前記バインダーが、前記はんだ粒子の融点で硬化が完了しない、請求項1に記載の導電ペースト。   The conductive paste according to claim 1, wherein the binder is not completely cured at the melting point of the solder particles. 前記はんだ粒子のはんだの表面に、前記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも1つ有する基が共有結合している、請求項1又は2に記載の導電ペースト。   3. The conductive paste according to claim 1, wherein a group having at least one carboxyl group is covalently bonded to a surface of the solder of the solder particle via a group represented by the formula (X). 前記バインダーが、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of any one of Claims 1-3 in which the said binder contains a thermosetting compound and a thermosetting agent. 前記熱硬化性化合物が、結晶性熱硬化性化合物を含む、請求項4に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of Claim 4 in which the said thermosetting compound contains a crystalline thermosetting compound. 前記はんだ粒子の平均粒子径が1μm以上、40μm以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of any one of Claims 1-5 whose average particle diameter of the said solder particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less. 導電ペースト100重量%中、前記はんだ粒子の含有量が10重量%以上、80重量%以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電ペースト。   The electrically conductive paste of any one of Claims 1-6 whose content of the said solder particle is 10 to 80 weight% in 100 weight% of electrically conductive paste. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電ペーストであり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記はんだ粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection object member having a first electrode on its surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The material of the connection part is the conductive paste according to any one of claims 1 to 7,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the solder particles.
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