JP6055399B2 - プラズマジェットプラグ - Google Patents
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Description
G2+E1/3>G1…(1)
E2/3>G1…(2)
を満たす。
絶縁体の表面を経路として火花放電させる場合の絶縁抵抗は、気体中を経路として火花放電させる場合の絶縁抵抗の3分の1程度である。この形態のプラズマジェットプラグでは、上記の関係式(1)を満たすので、第2の経路から第3の経路に沿って火花放電させる場合の絶縁抵抗が、第1の経路に沿って火花放電させる場合の絶縁抵抗よりも大きくなる。さらに、この形態のプラズマジェットプラグでは、上記の関係式(2)を満たすので、第4の経路に沿って火花放電させる場合の絶縁抵抗が、第1の経路に沿って火花放電させる場合の絶縁抵抗よりも大きくなる。したがって、この形態のプラズマジェットプラグによれば、第2の経路から第3の経路に沿った火花放電及び第4の経路に沿った火花放電の発生を抑制し、第1の経路に沿った正常な火花放電を発生させることができ、耐久性能を向上させることができる。
B>A…(3)
B>C…(4)
をさらに満たしてもよい。
この形態のプラズマジェットプラグによれば、中心電極の小径部の先端と接地電極の孔とを結んだ直線上に、絶縁体の蓋部が存在しないので、火花放電によって絶縁体の蓋部にチャネリングが発生するのを抑制することができる。
この形態のプラズマジェットプラグによれば、中心電極の小径部の先端と接地電極の孔とを結んだ直線上に、絶縁体の蓋部が存在しないので、火花放電によって絶縁体の蓋部にチャネリングが発生するのを抑制することができる。
この形態のプラズマジェットプラグによれば、耐久性能をさらに向上させることができる。
この形態のプラズマジェットプラグによれば、絶縁体の蓋部の強度が十分に確保されるので、絶縁体の蓋部の割れを抑制することができる。
この形態のプラズマジェットプラグによれば、窪み部が形成されていない構成と比べて、第2の経路から第3の経路に沿って火花放電させる場合の絶縁抵抗が大きくなるとともに、第4の経路に沿って火花放電させる場合の絶縁抵抗が大きくなるので、第2の経路から第3の経路に沿った火花放電の発生及び第4の経路に沿った火花放電の発生をさらに抑制することができる。
A.第1実施形態:
B.第2実施形態:
C.第3実施形態:
D.実験例:
D1.フレーム噴出試験1:
D2.チャネリングの有無の評価:
D3.フレーム噴出試験2:
D4.フレーム噴出試験3:
D5.絶縁碍子の蓋部のクラック試験:
E.変形例:
図1は本発明の一実施形態としてのプラズマジェットプラグ100の全体の構成を示す説明図である。図1の軸線COより右側には、プラズマジェットプラグ100の外観が図示され、軸線COの左側には、軸線COを含む面で切断した断面が示されている。また、図1の右下には、プラズマジェットプラグ100の一部を拡大した断面図が示されている。
[経路L1に沿った火花放電]
経路L1=中心電極20の小径部26の先端26aから、絶縁碍子10の蓋部11の開口部11aまでを最短距離で結んだ経路
[経路L2から経路L3に沿った火花放電]
経路L2=中心電極20の小径部26の先端26aから、絶縁碍子10の軸孔12の内周面までを最短距離で結んだ経路
経路L3=第2の経路L2と絶縁碍子10の軸孔12の内周面との接点P1から、絶縁碍子10の蓋部11の開口部11aまでの、絶縁碍子10の表面に沿った経路
[経路L4に沿った火花放電]
経路L4=中心電極20の大径部27の先端27aに最も近い絶縁碍子10の軸孔12の内周面上の点P2から、絶縁碍子10の蓋部11の開口部11aまでの、絶縁碍子10の表面に沿った経路
G2+E1/3>G1…(1)
E2/3>G1 …(2)
このようにすれば、[経路L2から経路L3に沿った火花放電]及び[経路L4に沿った火花放電]の発生を抑制し、[経路L1に沿った火花放電]を発生させることができる。この理由は、以下のとおりである。
B>A …(3)
B>C …(4)
図4は、第2実施形態としてのプラズマジェットプラグ100bの先端近傍の断面を拡大して示す説明図である。図3に示した第1実施形態との違いは、絶縁碍子10の軸孔12の内周面のうち、中心電極20の小径部26の先端26aに対向する位置には、他の位置の内周面よりも窪んだ窪み部14が形成されている点であり、他の構成は第1実施形態と同じである。本実施形態では、絶縁碍子10の窪み部14の形状は、軸線COを含む断面において、半円弧形状である。
図5は、第3実施形態としてのプラズマジェットプラグ100cの先端近傍の断面を拡大して示す説明図である。図4に示した第2実施形態との違いは、窪み部14cの形状が異なっている点であり、他の構成は第2実施形態と同じである。具体的には、絶縁碍子10の窪み部14cの形状は、軸線COを含む断面において、矩形である。
図6は、13種類のプラズマジェットプラグのサンプルの詳細及び後述する各試験の結果を表形式で示す説明図である。13種類のプラズマジェットプラグのサンプルは、蓋部11の有無や、各種の寸法等がそれぞれ異なっている。
フレーム噴出試験1では、まず、各サンプルに対して、30Hzで火花放電を発生させる耐久試験を1時間行なった。耐久試験の条件は以下のとおりである。
[耐久試験の条件]
雰囲気 :大気
圧力 :0.4MPa
火花放電頻度:30Hz
試験時間:1時間
上記の耐久試験の後に、各サンプルのキャビティを分解し、絶縁碍子10に沿面放電によるチャネリング(溝)が残っていないかを調べた。具体的には、各タイプ毎に、10個のサンプルの中からランダムに選択された5個のサンプルを調査し、チャネリングが5個のサンプル全てに発生しなかったタイプを「A」と評価し、チャネリングが1個以上のサンプルに発生したタイプを「C」と評価した。
フレーム噴出試験2は、耐久試験の時間が10時間である点のみが上記のフレーム噴出試験1とは異なっており、他の試験方法及び評価基準は、フレーム噴出試験1と同じである。
フレーム噴出試験3は、耐久試験の時間が30時間である点のみが上記のフレーム噴出試験1とは異なっており、他の試験方法及び評価基準は、フレーム噴出試験1と同じである。
プラズマジェットプラグの各サンプルに対して下記の条件の耐久試験を行なった後、絶縁碍子10の蓋部11にクラックが発生しているか否かを判定した。
[耐久試験の条件]
雰囲気 :大気
圧力 :0.4MPa
火花放電頻度:30Hz
試験時間:30時間
なお、この発明は上記の実施形態や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
上記実施形態では、接地電極30と絶縁碍子10の先端面16との間に、微小な隙間(例えば、0.05mm以下の隙間)が形成されている(図1)。これに対して、変形例では、接地電極30は、絶縁碍子10の先端面16に接していてもよい。
上記実施形態において、絶縁碍子10の蓋部11の一部は、テーパ状になっていてもよい。この場合には、蓋部11のうち、最も内径が小さい位置における軸線COに沿った方向の厚さLが、0.3mm以上であることが好ましい。
上記実施形態において、製造時の誤差等により、中心電極20の小径部26の中心軸と、絶縁碍子10の軸孔12の中心軸とが一致しない場合がある。この中心電極20の位置ずれも考慮すると、絶縁碍子10の蓋部11の開口部11aの径方向の幅Bは、中心電極20の小径部26の径方向の幅Cよりも十分に大きいことが好ましい。このようにすれば、中心電極20が位置ずれした場合であっても、絶縁碍子10の蓋部11及び中心電極20の小径部26を軸線COに沿った方向から見た場合に、中心電極20の小径部26の外周の全てが、絶縁碍子10の蓋部11の開口部11aの内周側に位置することになる。この結果、中心電極20が位置ずれした場合であっても、中心電極20の小径部26の先端26aと接地電極30の孔31とを結んだ直線上に、絶縁碍子10の蓋部11が存在しないので(図3参照)、火花放電によって絶縁碍子10の蓋部11にチャネリングが発生するのを抑制することができる。
上記実施形態において、中心電極20の先端には、イリジウム等の貴金属によって形成されたチップが、レーザー溶接等によって接合されていてもよい。この場合には、このチップも含んだ中心電極20が、上記実施形態における中心電極20に相当する。
上記各実施形態において、プラズマジェットプラグは、上記の関係式(3)及び(4)を満たしていなくてもよい。また、プラズマジェットプラグのキャビティCVの容積Vは、15mm3以下であってもよい。また、絶縁碍子10の蓋部11の軸線COに沿った方向の厚さLは、0.3mm未満であってもよい。
5…ガスケット
6…リング部材
7…リング部材
8…板パッキン
9…タルク
10…絶縁碍子
11…蓋部
11a…開口部
11b…内周部
12…軸孔
13…脚長部
15…段部
16…先端面
17…先端側胴部
18…後端側胴部
19…鍔部
20…中心電極
21…電極母材
25…芯材
26…小径部
26a…先端
27…大径部
27a…先端
30…接地電極
31…孔(オリフィス)
32…先端面
40…端子金具
50…主体金具
51…工具係合部
52…ネジ部
53…加締部
54…鍔部
55…座面
56…段部
57…先端面
57A…溝部
58…座屈部
59…ネジ首
100…プラズマジェットプラグ
100b…プラズマジェットプラグ
100c…プラズマジェットプラグ
Claims (5)
- 軸線に沿って延びる軸孔と、前記軸孔の内径よりも小さい内径の開口部を有する蓋部と、を有する絶縁体と、
前記絶縁体の前記軸孔の内部に配置され、前記軸線に沿って延びる棒状の中心電極と、
前記絶縁体の外周に配置された主体金具と、
前記主体金具に電気的に接続された状態で前記絶縁体の先端に配置され、前記軸線上に開口する孔を有する接地電極と
を備え、
前記中心電極の先端が、前記絶縁体の前記蓋部の前記開口部よりも後端側に位置することによって、前記絶縁体の前記軸孔、前記蓋部の内周部及び前記中心電極で形成されるキャビティを有するプラズマジェットプラグであって、
前記中心電極は、小径部と、前記小径部よりも後端側に位置し、自身の外径と前記絶縁体の前記軸孔の内径との径差が0.1mm以下である大径部とを有し、
前記中心電極の前記小径部の先端から、前記絶縁体の前記蓋部の前記開口部までを最短距離で結んだ第1の経路の長さをG1(mm)と定義し、
前記中心電極の前記小径部の先端から、前記絶縁体の前記軸孔の内周面までを最短距離で結んだ第2の経路の長さをG2(mm)と定義し、
前記第2の経路と前記絶縁体の前記軸孔の前記内周面との接点から、前記絶縁体の前記蓋部の前記開口部までの、前記絶縁体の表面に沿った第3の経路の長さをE1(mm)と定義し、
前記中心電極の前記大径部の先端に最も近い前記絶縁体の前記軸孔の内周面上の点から、前記絶縁体の前記蓋部の前記開口部までの、前記絶縁体の表面に沿った第4の経路の長さをE2(mm)と定義した場合において、
関係式
G2+E1/3>G1…(1)
E2/3>G1 …(2)
を満たし、さらに
前記接地電極の前記孔の径方向の幅をA(mm)と定義し、
前記絶縁体の前記蓋部の前記開口部の径方向の幅をB(mm)と定義し、
前記中心電極の前記小径部の径方向の幅をC(mm)と定義した場合において、
関係式
B>A …(3)
B>C …(4)
を満たすことを特徴とする、プラズマジェットプラグ。 - 請求項1に記載のプラズマジェットプラグであって、
前記絶縁体の前記蓋部及び前記中心電極の前記小径部を前記軸線に沿った方向から見た場合に、
前記中心電極の前記小径部の外周の全ては、前記蓋部の前記開口部の内周側に位置していることを特徴とする、プラズマジェットプラグ。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマジェットプラグであって、
前記キャビティの容積は、15mm3より大きいことを特徴とする、プラズマジェットプラグ。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のプラズマジェットプラグであって、
前記絶縁体の前記蓋部のうち、最も内径が小さい位置における前記軸線に沿った方向の厚さは、0.3mm以上であることを特徴とする、プラズマジェットプラグ。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のプラズマジェットプラグであって、
前記絶縁体の前記軸孔の前記内周面のうち、前記中心電極の前記小径部の先端に対向する位置には、他の位置の内周面よりも窪んだ窪み部が形成されていることを特徴とする、プラズマジェットプラグ。
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