JP6050013B2 - プロセスフィールドバスの冗長パワーコンディショナのdinレール装着式ベース - Google Patents

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Description

本発明は、1つ又は複数のホスト装置(分散制御システム)、センサ及び/又はアクチュエータで構成された2線式プロセスフィールドバスネットワーク、に冗長で絶縁され調整された電力を提供するパワーコンディショナのベースに関する。
プロセスフィールドバスの従来のパワーコンディショナのベースは、積層されてDINレールに装着されている。電力バスは、フィールドバスを動作させるために、ベースを通って延在し、リモート電源に接続されて各ベースに電力を供給する。
各ベースは、中空のプラスチック本体と、本体内の電子部品とを有する。本体内の部品は、電力モジュール、フィールドバス配線、電源リード線、及びDINレールに装着された隣接するベースなどの外装部品と電気接続する。
外装部品と電気接続するために、回路部品が適切な位置に相互に近接して取り付けられたコンパクトなプロセスフィールドバスが必要とされている。
開示されるベースは、2つの電力絶縁モジュールに対する装着及び接続性を提供する。ベースは、2つの電力バス、2つのホスト装置、センサ及びアクチュエータ用の1本の幹線、継電器アラームループ、及びアースのためのフィールド線端子ブロックと、2つの電力絶縁モジュールを受けるドッキングコネクタと、隣接するベース間に電力及びアラームバスを提供する電力バス及び継電器アラームループのためのカードエッジ接続部とを有する。フィールド線端子ブロックは、各配線にプラグ接続可能である。電力絶縁モジュールは通電運転中にスワップすることができ(ホットスワップ可能)、これによってプロセスフィールドバスネットワークの運転を損なわずに、一度に1つのモジュールを交換することができる。ブリッジコネクタを、ベース間のカードエッジ電力及び継電器アラーム接続部に設置して、複数のベース及びプロセスフィールドバスネットワークで構成される設置において、大容量DC電力及び継電器アラームループの配線を容易にすることができる。
ベースは、2回路基板アセンブリを収容する中空のプラスチック本体で構成される。電気部品及びフィールド線端子ブロックを回路基板アセンブリに装着する。さらに、ベースは、ベースをDINレールに嵌合及び嵌合解除する機構と、各プロセスフィールドバスネットワークにラベルを貼るユーザが使用可能なプラスチックマーカを装着する手段とを提供する。
回路基板アセンブリ内の回路基板の縁部は、シェルの内面に形成された内装溝に嵌め込まれて、アセンブリを本体内で垂直に位置決めする。シェル内の溝に設けられた位置合わせリブは、アセンブリ全体を本体内で長手方向に位置決めするために、溝内の回路基板縁部に形成された凹部内に延在する。位置合わせ溝及びリブを使用して本体内でアセンブリを位置決めすると、本体内でアセンブリ上に部品を密集状態で正確に位置決めすることができる。これによって、ベースがコンパクトになり、回路基板アセンブリ上の電気部品が、確実に外装部品との電気接続部を形成するために適切に位置決めされる。
DINレールに装着されたベースの側面図である。 DINレールに装着された3つのベースの上面図である。 図2の線3−3に沿って切り取った断面図である。 ベースの組立分解斜視図である。 図4の線5−5に沿って切り取った図である。 図5の部分Aの拡大図である。 図4の線7−7に沿って切り取った図である。 図4の線8−8に沿って切り取った回路基板アセンブリの側面図である。 図8の線9−9に沿って切り取った断面図である。 図8の上面図である。
図1及び図2は、DINレール12に装着された、同様のプロセスフィールドバスベース10を示す。2つの絶縁モジュール14が、各ベース10に着脱自在に装着される。絶縁モジュール14は、図1では具象的に示されている。
各ベース10は、成形プラスチックシェル18と20を相互に接合することによって形成された中空のプラスチック本体16を含む。ユニットの回路基板アセンブリ22が、シェル18と20の間で本体16内に正確に位置決めされる。本体16は、2つの横に並んだ絶縁モジュール14を受けるために上方向に面したモジュールの凹部24を画定する。DINレールのフック26及びDINレールのラッチ28が各ベース10の底部に設けられ、これによってベース10をレール12上に着脱自在に取り付けることができる。
回路基板アセンブリ22は、本体16の奥行方向長さに延在する細長い下部回路基板30と、基板30から上にわずかな距離離隔され、凹部24の下に位置決めされた短い方の上部回路基板32とを含む。回路基板32は、基板32の一端では2つのスペーサ留め具34によって、基板32の反対端では1つのスペーサ留め具36によって回路基板30に装着される。基板32は、2つの横に並んだ多接点電気コネクタ38を支持し、これはシェル18及び20内の開口40及び42を通ってモジュール凹部24に通じる上端を有する。端子テール部44が、コネクタ38から基板30上のパッドへと下方向に延在する。
図10に示すように、プロセスフィールドバスネットワークの主幹線への接続は、端子46aで実行される。ケーブルシールドの接続は端子46bで実行される。アースへの任意選択の接続は、端子46cで実行される。継電器アラームループへの入出力接続、及び電力絶縁モジュールのバイパス接続は、端子47によって提供される。2対の電力接点ピン54が、図10に示す基板40の右端に装着される。
2対の電力接点パッド56が、接続回路経路で下部基板30の各側に設けられる。図9を参照されたい。隣接するアセンブリ上の電力接点パッド56は、従来のブリッジコネクタ(図示せず)によって接続され、積層されたベースに沿って延在する2つの電力バス57を形成する。各電力バスは、各ベース10の1対の電力ピン54に接続される。パッド56は、シェル18及び20内の開口58及び60の内側に位置決めされる。
ブリッジコネクタ(図示せず)を使用することによって、DINレール12に装着された隣接するベース10を通して延在するアラーム回路ループを形成するために、基板30の各側にピン46に隣接して2つの継電器接点パッド62を設ける。パッド62は、シェル18及び20の開口64及び66の内側に位置決めされる。
2つの減結合インダクタ68を、ピン47と上部回路基板32の間で下部基板30の上部に装着する。絶縁モジュール14及びインダクタ68を通して、電力バス57をピン46に接続する。
図5及び図7は、それぞれシェル20及び18の内部側壁を示す。各シェル18、20の内部側壁は、凹部24の下で端部52に隣接して位置決めされた水平の上部回路基板溝70を含む。溝70の下に位置決めされた水平の下部回路基板溝72は、端部48と52の間に延在し、幾つかの離隔された溝区画74を含む。
2つの対向する位置合わせ突起又はリブ76が、上部溝70に設けられる。図5、図6及び図7を参照されたい。回路基板アセンブリ22がプラスチック本体16に装着されると、リブ76が上部回路基板32の対向する縁部上の凹部78に嵌り、回路基板アセンブリ22を本体内で長手方向に位置決めする。
離隔された連動突起80及び82がシェル18の外側から外方向に延在する。離隔された連動凹部84及び86がシェル20の外側に延在する。1つのアセンブリ10から延在する突起80及び82が、隣接するアセンブリ10の凹部84及び86に嵌り、DINレール12上でアセンブリを相互にロックする。凹部84は僅かに細長い。突起80及び82は凹部84及び86にぴったり嵌る。突起80は、凹部86内に対して長手方向の隙間嵌めにされ、寸法の公差に対応する。
幾つかのロックポスト88がシェル20の内縁部から外方向に延在する。対応するロック凹部90がシェル18の内縁部に設けられる。
上下回路基板30及び32の隣接する縁部が、それぞれ溝70及び72内に位置し、溝70内のリブ又は突起76が上部回路基板32の隣接する側の凹部78内に延在する状態で、回路基板アセンブリ22の一方側をシェル18又は20の一方の内部に配置することによって、シェル18及び20及びアセンブリ22を一緒にして、ベース10を形成する。
回路基板アセンブリがシェルの一方の溝内の所定の位置にある状態で、他方のシェルが移動して回路基板アセンブリ22の露出した側と係合し、2つの回路基板のうち他方側を他方のシェルの溝70及び72に嵌める。上部回路基板32上の凹部78が、第2のシェルの溝70内にあるリブ76に対向して位置決めされる。次に、2つのシェルが一緒に移動し、回路基板30及び32の縁部が溝70及び72に嵌って、突起76が凹部78内に入り、シェルの内縁部が相互に突き当たって本体16を形成する状態で、ポスト88を凹部90内にロックする。
図3及び図4に示すように、回路基板アセンブリ22はプラスチック本体16の内部を完全に占有する。回路基板は本体の幅全体に延在する。回路基板30は、本体の内側端部間に延在する。アセンブリの一方端の最も外側のピン46、47、及び基板の反対端の最も外側のピン50、51及び54のためのハウジングが、本体の内側端部に位置決めされる。すなわち、回路基板30が下部溝70内で水平に正確に位置決めされることが極めて重要である。
スペーサ留め具34及び36は、上下回路基板32及び30を長手方向及び垂直方向に相互に適正な関係で正確に位置決めする。アセンブリ22がプラスチック本体16内に配置されると、リブ76が上部回路基板32を長手方向に正確に位置決めし、したがってシェルの成形、回路基板の製造、及び回路基板上への部品の製造及び装着の際に本来的に生じるわずかな寸法公差にかかわらず、下部回路基板の端部、及び下部回路基板に装着された部品が本体16内で締まり嵌めのための所定の位置にある状態で、下部回路基板30が本体内の適切な長手方向位置にある。
各ベース10は、ピン対46及び50に接続されたプロセスフィールドバスを駆動する。一方の接地バス57がベース上の1つの絶縁モジュール14にDC電流を供給する。他方のDCバス57がベース上の他方の絶縁モジュールにDC電流を供給する。絶縁バス57は、DINレールに装着されたベース10の全てを通って延在する。DC電力は、1つのベース10内にある2対の電力接点ピン54に接続された線を通してこれらのバスに供給される。バス57によって供給される電力のDC電圧は変動することがあり、通常は約18ボルトから約30ボルトの範囲内である。この電圧は、フィールドバスの外部の要因により変動する。モジュール14は入力電圧を絶縁して、調整し、約28ボルトの安定したDC出力電圧を生成する。2つのモジュール14の出力電圧が組み合わされ、正の電圧出力は減結合インダクタ68を通って供給され、接地又は負の出力は他方の減結合インダクタ68を通って給電される。次に、これらの出力は、フィールドバス配線に接続されたピン46及び50に給電される。
ベース上の各絶縁モジュール14は、ベース上の他方の絶縁モジュールに関係なく、ベース10に接続されたフィールドバスへとフルに電力を送るのに十分な容量を有する。すなわち、ベース10上の2つの絶縁モジュール14のうち一方が故障しても、ベースによって駆動されるフィールドバスの運転に影響しない。他方の絶縁モジュールが自動的に電力を供給してフィールドバスを動作させる。また、モジュール14はホットスワップ可能である。
各モジュール14は、常閉型障害中継器を含み、これはベース10上の他方のモジュールの中継器、及びDINレール12に装着された他のベース10に装着されたモジュール内の同様の中継器に接続される。中継器間の接続は中継器接点パッド62を通して実行され、ブリッジコネクタが隣接するベース10のパッド62を接合する。
絶縁モジュール14が故障し、一方の障害中継器が開いた場合、ベース10上の残りのモジュールがフィールドバスを駆動し続け、アラームが起動してオペレータに故障の警報を発し、故障したモジュール14の調査及び交換を開始する。警報は、操作盤上又は制御局にある照明又は表示器の点滅の形態を取ることができる。

Claims (9)

  1. プロセスフィールドバスのベースであって、
    対向する側部を有する細長い内部空間と、前記対向する側部に沿って延在する1対の対向して平行な上部回路基板溝(70)と、該上部回路基板溝(70)の下で前記対向する側部に沿って延在する1対の対向して平行な下部回路基板溝(72)と、を有する本体を形成する1対の対向する部材と、
    上部回路基板(32)、該上部回路基板(32)の下にある下部回路基板(30)、該上部回路基板(32)と該下部回路基板(30)とを相互に固定するスペーサ(34)を備えるユニット回路基板アセンブリ(22)であって、前記上部回路基板溝(70)内に前記上部回路基板(32)の縁部が位置し、前記下部回路基板溝(72)内に前記下部回路基板(30)の縁部が位置し、前記上部回路基板(32)の縁部と前記下部回路基板(30)の縁部が対向して平行な、ユニット回路基板アセンブリ(22)と、
    前記上部回路基板(32)の縁部の一つに又は前記下部回路基板(30)の縁部の一つにある第1の位置合わせ部材(78)と、
    前記上部回路基板溝(70)の一つに又は前記下部回路基板溝(72)の一つにあり、前記第1の位置合わせ部材(78)と相互に係合する第2の位置合わせ部材(76)と、
    プロセスフィールドバスと電気接続を確立するために、前記ユニット回路基板アセンブリ(22)上にある第1の接点要素と、
    前記プロセスフィールドバスのDC電源との電気接続部を確立するために、前記ユニット回路基板アセンブリ(22)上にある第2の接点要素とを備え、
    前記上部回路基板溝(70)および下部回路基板溝(72)が前記本体内で前記ユニット回路基板アセンブリを垂直方向に位置合わせし、前記第1および第2の位置合わせ部材(78、76)が、前記本体内で前記ユニット回路基板アセンブリ(22)を水平方向に位置合わせする、ベース。
  2. 前記スペーサが前記上部及び下部回路基板に接合され、前記上部及び下部回路基板を相互に離隔して平行で固定された関係に維持する、請求項1に記載のベース。
  3. 前記第1の接点要素と前記第2の接点要素の間に減結合インダクタを含む、請求項1に記載のベース。
  4. 前記第1及び第2の接点要素が、前記下部回路基板上にある、請求項1に記載のベース。
  5. 前記第2の接点要素から前記第1の接点要素に供給される電力を調整する少なくとも1つの絶縁モジュールを含む、請求項1に記載のベース。
  6. DINレールフック及びDINレールラッチを含む、請求項1に記載のベース。
  7. 前記1対の対向する部材の各々が中空のシェルである、請求項1に記載のベース。
  8. 前記位置合わせ部材が第1の切り欠き及び第1のリブを備え、該第1のリブが前記第1の切り欠き内に延在する、請求項1に記載のベース。
  9. 前記上部回路基板の縁部にある第2の切り欠きと、前記上部回路基板の前記縁部を受ける前記一対の上部回路基板溝の一つにある第2のリブとを含み、該第2のリブが前記第2の切り欠き内に延在する、請求項8に記載のベース。
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