JP6042453B2 - Manufacturing method of glass substrate for information recording medium - Google Patents

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Description

本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a glass substrate for an information recording medium.

コンピューターなどの情報記録装置には、情報記録媒体が搭載される。一般的に、情報記録媒体を製造するためにはガラス基板が用いられる。ガラス基板上には、磁気薄膜層が形成される。磁気薄膜層を磁気ヘッドで磁化することにより、磁気薄膜層に情報を記録することができる。近年、情報記録媒体の記録密度は高まる傾向にある。たとえば、2.5インチの情報記録媒体1枚で、500GBの記録容量を有するものも開発されており、より高い表面品質を有する情報記録媒体用ガラス基板が求められている。   An information recording medium is mounted on an information recording device such as a computer. In general, a glass substrate is used to manufacture an information recording medium. A magnetic thin film layer is formed on the glass substrate. Information can be recorded in the magnetic thin film layer by magnetizing the magnetic thin film layer with a magnetic head. In recent years, the recording density of information recording media tends to increase. For example, one 2.5 inch information recording medium having a recording capacity of 500 GB has been developed, and a glass substrate for an information recording medium having higher surface quality is required.

情報記録媒体用ガラス基板を製造する際、ガラス基板の表面を研磨するために両面研磨装置が用いられる。ガラス基板は、たとえば特開2008−006526号公報(特許文献1)に開示されるようなキャリア(研磨キャリアともいう)に保持される。ガラス基板がキャリアに保持された状態で、ガラス基板の表面は両面研磨装置の研磨パッドによって研磨される。   When manufacturing a glass substrate for information recording media, a double-side polishing apparatus is used to polish the surface of the glass substrate. The glass substrate is held by a carrier (also referred to as a polishing carrier) as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-006526 (Patent Document 1). With the glass substrate held by the carrier, the surface of the glass substrate is polished by the polishing pad of the double-side polishing apparatus.

特開2008−006526号公報JP 2008-006526 A

本発明は、より高い表面品質を有する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the manufacturing method of the glass substrate for information recording media which has higher surface quality.

本発明の第1局面に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、研磨用のキャリアおよびガラス基板を両面研磨機の定盤上に配置する第1セット工程と、サンギアおよびインターナルギアの双方の歯面に上記キャリアの外周を噛合させた状態で上記サンギアおよび上記インターナルギアを用いて上記キャリアを回転させ、研磨パッドの研磨面に対して上記ガラス基板を摺接させて上記ガラス基板の表面を研磨する第1摺動工程と、上記キャリアおよび他のキャリアのうちの一方のキャリアならびに他のガラス基板を上記両面研磨機の上記定盤上に配置する第2セット工程と、上記サンギアおよび上記インターナルギアの双方の歯面に上記一方のキャリアの外周を噛合させた状態で上記サンギアおよび上記インターナルギアを用いて上記一方のキャリアを回転させ、上記研磨パッドの上記研磨面に対して上記他のガラス基板を摺接させて上記他のガラス基板の表面を研磨する第2摺動工程と、上記第1摺動工程よりも後であって上記第2摺動工程よりも前に行なわれ、上記サンギアの軸方向に対して平行な方向の位置を高さという場合、上記サンギアの歯面のうちの上記第1摺動工程において上記キャリアが噛合していた部分を第1箇所とし、上記サンギアの歯面のうちの上記第2摺動工程において上記一方のキャリアが噛合するべき部分を第2箇所とし、上記インターナルギアの歯面のうちの上記第1摺動工程において上記キャリアが噛合していた部分を第3箇所とし、上記インターナルギアの歯面のうちの上記第2摺動工程において上記一方のキャリアが噛合するべき部分を第4箇所とすると、上記サンギアの歯面内における上記第2箇所の高さ方向の位置を上記第1箇所と異ならせること、および、上記インターナルギアの歯面内における上記第4箇所の高さ方向の位置を上記第3箇所と異ならせること、のうちの少なくともいずれかを有する高さ変更工程と、を備え、上記高さ変更工程においては、上記サンギアおよび上記インターナルギアが上記軸方向において上下反転されるThe method for manufacturing a glass substrate for information recording medium according to the first aspect of the present invention includes a first set step of arranging a polishing carrier and a glass substrate on a surface plate of a double-side polishing machine, and both a sun gear and an internal gear. The carrier is rotated using the sun gear and the internal gear in a state where the outer periphery of the carrier is engaged with the tooth surface, and the glass substrate is slidably contacted with the polishing surface of the polishing pad so that the surface of the glass substrate is touched. A first sliding step for polishing, a second setting step for placing one of the carrier and the other carrier and another glass substrate on the surface plate of the double-side polishing machine, the sun gear and the internal Using the sun gear and the internal gear with the outer circumference of the one carrier engaged with both tooth surfaces of the gear. A second sliding step in which the other glass substrate is slidably contacted with the polishing surface of the polishing pad to polish the surface of the other glass substrate, and the first sliding step. If the position in the direction parallel to the axial direction of the sun gear is referred to as height after the second sliding step, the first sliding of the tooth surfaces of the sun gear is performed. The portion where the carrier meshed in the process is a first location, and the portion of the tooth surface of the sun gear where the one carrier should mesh in the second sliding step is the second location, and the internal gear The portion of the tooth surface where the carrier meshed in the first sliding step is defined as a third location, and the one carrier should mesh in the second sliding step of the tooth surface of the internal gear. Part If there are four locations, the height direction position of the second location in the tooth surface of the sun gear is different from the first location, and the height direction of the fourth location in the tooth surface of the internal gear. And a height changing step having at least one of the position of the third position, and in the height changing step, the sun gear and the internal gear are turned upside down in the axial direction. Is done .

好ましくは、上記第1摺動工程よりも後であって上記高さ変更工程よりも前に行なわれ、上記サンギアの歯面およびまたは上記インターナルギアの歯面に形成された凹溝の深さを測定する測定工程をさらに備え、上記凹溝は、上記第1摺動工程において上記サンギアおよび上記インターナルギアの双方の歯面に上記キャリアの外周が噛合した状態で上記キャリアが回転したことによって形成されたものであり、上記測定工程において測定される上記凹溝の深さが上記キャリアの外径に対して百分率で0.14以上となるまで、上記第1セット工程および上記第1摺動工程は繰り返されるPreferably, the depth of the groove formed on the tooth surface of the sun gear and / or the tooth surface of the internal gear is set after the first sliding step and before the height changing step. A measuring step for measuring, wherein the concave groove is formed by rotating the carrier in a state where the outer periphery of the carrier is engaged with both tooth surfaces of the sun gear and the internal gear in the first sliding step. The first setting step and the first sliding step are performed until the depth of the concave groove measured in the measurement step is 0.14 or more in percentage with respect to the outer diameter of the carrier. Repeated .

本発明の第2局面に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、研磨用のキャリアおよびガラス基板を両面研磨機の定盤上に配置する第1セット工程と、サンギアおよびインターナルギアの双方の歯面に上記キャリアの外周を噛合させた状態で上記サンギアおよび上記インターナルギアを用いて上記キャリアを回転させ、研磨パッドの研磨面に対して上記ガラス基板を摺接させて上記ガラス基板の表面を研磨する第1摺動工程と、上記キャリアおよび他のキャリアのうちの一方のキャリアならびに他のガラス基板を上記両面研磨機の上記定盤上に配置する第2セット工程と、上記サンギアおよび上記インターナルギアの双方の歯面に上記一方のキャリアの外周を噛合させた状態で上記サンギアおよび上記インターナルギアを用いて上記一方のキャリアを回転させ、上記研磨パッドの上記研磨面に対して上記他のガラス基板を摺接させて上記他のガラス基板の表面を研磨する第2摺動工程と、上記第1摺動工程よりも後であって上記第2摺動工程よりも前に行なわれ、上記サンギアの軸方向に対して平行な方向の位置を高さという場合、上記サンギアの歯面のうちの上記第1摺動工程において上記キャリアが噛合していた部分を第1箇所とし、上記サンギアの歯面のうちの上記第2摺動工程において上記一方のキャリアが噛合するべき部分を第2箇所とし、上記インターナルギアの歯面のうちの上記第1摺動工程において上記キャリアが噛合していた部分を第3箇所とし、上記インターナルギアの歯面のうちの上記第2摺動工程において上記一方のキャリアが噛合するべき部分を第4箇所とすると、上記サンギアの歯面内における上記第2箇所の高さ方向の位置を上記第1箇所と異ならせること、および、上記インターナルギアの歯面内における上記第4箇所の高さ方向の位置を上記第3箇所と異ならせること、のうちの少なくともいずれかを有する高さ変更工程と、を備え、上記第1摺動工程よりも後であって上記高さ変更工程よりも前に行なわれ、上記サンギアの歯面およびまたは上記インターナルギアの歯面に形成された凹溝の深さを測定する測定工程をさらに備え、上記凹溝は、上記第1摺動工程において上記サンギアおよび上記インターナルギアの双方の歯面に上記キャリアの外周が噛合した状態で上記キャリアが回転したことによって形成されたものであり、上記測定工程において測定される上記凹溝の深さが上記キャリアの外径に対して百分率で0.14以上となるまで、上記第1セット工程および上記第1摺動工程は繰り返される According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium, comprising: a first setting step of arranging a polishing carrier and a glass substrate on a surface plate of a double-side polishing machine; and both a sun gear and an internal gear. The carrier is rotated using the sun gear and the internal gear in a state where the outer periphery of the carrier is engaged with the tooth surface, and the glass substrate is slidably contacted with the polishing surface of the polishing pad so that the surface of the glass substrate is touched. A first sliding step for polishing, a second setting step for placing one of the carrier and the other carrier and another glass substrate on the surface plate of the double-side polishing machine, the sun gear and the internal Using the sun gear and the internal gear with the outer circumference of the one carrier engaged with both tooth surfaces of the gear. A second sliding step in which the other glass substrate is slidably contacted with the polishing surface of the polishing pad to polish the surface of the other glass substrate, and the first sliding step. If the position in the direction parallel to the axial direction of the sun gear is referred to as height after the second sliding step, the first sliding of the tooth surfaces of the sun gear is performed. The portion where the carrier meshed in the process is a first location, and the portion of the tooth surface of the sun gear where the one carrier should mesh in the second sliding step is the second location, and the internal gear The portion of the tooth surface where the carrier meshed in the first sliding step is defined as a third location, and the one carrier should mesh in the second sliding step of the tooth surface of the internal gear. Part If there are four locations, the height direction position of the second location in the tooth surface of the sun gear is different from the first location, and the height direction of the fourth location in the tooth surface of the internal gear. And a height changing step having at least one of the position of the third position, and after the first sliding step and before the height changing step. And a measuring step of measuring a depth of the sun gear tooth surface and / or a groove groove formed in the tooth surface of the internal gear, wherein the groove groove is formed in the first sliding step. The depth of the concave groove measured in the measuring step is formed by rotating the carrier with the outer periphery of the carrier meshing with both tooth surfaces of the internal gear. The first setting step and the first sliding step are repeated until the percentage becomes 0.14 or more with respect to the outer diameter of the carrier .

好ましくは、上記高さ変更工程においては、上記サンギアと上記サンギアを支持する部材との間、および上記インターナルギアと上記インターナルギアを支持する部材との間にスペーサー部材がそれぞれ設けられるPreferably, in the height changing step, spacer members are respectively provided between the sun gear and the member supporting the sun gear and between the internal gear and the member supporting the internal gear .

好ましくは、上記高さ変更工程が行われた直後の上記第2セット工程および上記第2摺動工程においては、未使用状態にある上記他のキャリアが上記一方のキャリアとして用いられる。   Preferably, in the second setting step and the second sliding step immediately after the height changing step, the other carrier in an unused state is used as the one carrier.

本発明によれば、より高い表面品質を有する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を得ることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the glass substrate for information recording media which has higher surface quality can be obtained.

実施の形態1における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を使用して製造された情報記録媒体用ガラス基板を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a glass substrate for information recording medium manufactured using the method for manufacturing a glass substrate for information recording medium in Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を使用して製造された情報記録媒体用ガラス基板を備える磁気ディスク(情報記録媒体)を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a magnetic disk (information recording medium) including a glass substrate for information recording medium manufactured using the method for manufacturing a glass substrate for information recording medium in Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を示すフロー図である。FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the glass substrate for information recording medium in the first embodiment. 実施の形態1における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に含まれる第2ポリッシュ工程S18の詳細を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the detail of 2nd polishing process S18 contained in the manufacturing method of the glass substrate for information recording media in Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における第2ポリッシュ工程S18で用いられる両面研磨装置を示す側面図である。It is a side view which shows the double-side polish apparatus used by 2nd polishing process S18 in Embodiment 1. FIG. 図5中のVI−VI線に沿った矢視断面図である。It is arrow sectional drawing along the VI-VI line in FIG. 図6中のVII線で囲まれる領域を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the area | region enclosed by the VII line in FIG. 図7中のVIII−VIII線に沿った矢視断面図である。It is arrow sectional drawing along the VIII-VIII line in FIG. 実施の形態1における第2ポリッシュ工程S18で用いられる両面研磨装置が研磨加工を行っている時の様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode when the double-side polish apparatus used by 2nd polishing process S18 in Embodiment 1 is performing the polishing process. 図9に示す両面研磨装置に用いられるインターナルギアの歯面にキャリアの噛合歯を噛合させた状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which made the meshing tooth of the carrier mesh | engaged with the tooth | gear surface of the internal gear used for the double-side polish apparatus shown in FIG. 図10中の矢印XI方向からインターナルギアの歯面を見た時の様子を模式的に示す図(歯面を周方向に展開した図)である。FIG. 11 is a diagram schematically showing a state when the tooth surface of the internal gear is viewed from the direction of arrow XI in FIG. 10 (a diagram in which the tooth surface is developed in the circumferential direction). 図10に示すインターナルギアの使用後の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state after use of the internal gear shown in FIG. 図12中の矢印XIII方向からインターナルギアの歯面を見た時の様子を模式的に示す図(歯面を周方向に展開した図)である。FIG. 13 is a diagram schematically showing a state when the tooth surface of the internal gear is viewed from the direction of arrow XIII in FIG. 12 (a diagram in which the tooth surface is developed in the circumferential direction). 図13に示すインターナルギアの使用後の状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the state after use of the internal gear shown in FIG. 図14に示すインターナルギアの使用後の状態を模式的に示す図(歯面を周方向に展開した図)である。It is a figure which shows the state after use of the internal gear shown in FIG. 14 (figure which developed the tooth surface in the circumferential direction). 図15に示すインターナルギアの使用後の状態を模式的に示す図(歯面を周方向に展開した図)である。FIG. 16 is a diagram schematically illustrating a state after use of the internal gear illustrated in FIG. 15 (a diagram in which a tooth surface is developed in a circumferential direction). 実施の形態1における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に含まれる高さ変更工程が行われた後の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state after the height change process included in the manufacturing method of the glass substrate for information recording media in Embodiment 1 was performed. 実施の形態1における第2ポリッシュ工程S18で用いられる両面研磨装置が研磨加工を行っている時の他の様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other mode when the double-side polish apparatus used by 2nd polish process S18 in Embodiment 1 is grinding | polishing. 実施の形態2における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に含まれる高さ変更工程が行われた後の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state after the height change process included in the manufacturing method of the glass substrate for information recording media in Embodiment 2 was performed. 実施の形態3における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に含まれる第2ポリッシュ工程S18Aの詳細を示すフロー図である。FIG. 11 is a flowchart showing details of a second polishing step S18A included in the method for manufacturing a glass substrate for information recording medium in the third embodiment. 実験例に係る実験条件を示す図である。It is a figure which shows the experimental condition which concerns on an experiment example. 実験例に係る実験結果を示す図である。It is a figure which shows the experimental result which concerns on an experiment example.

本発明に基づいた各実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。各実施の形態の説明において、個数および量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数およびその量などに限定されない。各実施の形態の説明において、同一の部品および相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。   Embodiments based on the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of each embodiment, when referring to the number, amount, and the like, the scope of the present invention is not necessarily limited to the number, the amount, and the like unless otherwise specified. In the description of each embodiment, the same parts and corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description may not be repeated.

[実施の形態1]
図1および図2を参照して、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を使用して製造されたガラス基板1G、およびガラス基板1Gを備えた磁気ディスク1(情報記録媒体)について説明する。
[Embodiment 1]
1 and 2, a glass substrate 1G manufactured using the method for manufacturing a glass substrate for information recording medium according to the present embodiment, and a magnetic disk 1 including the glass substrate 1G (information recording medium) ).

(ガラス基板1G)
図1に示すように、磁気ディスク1(図2参照)に用いられるガラス基板1G(情報記録媒体用ガラス基板)は、中心に孔11が形成された円盤形状を有している。ガラス基板1Gは、表主表面14、裏主表面15、内周端面13、および外周端面12を含んでいる。内周端面13の表主表面14側の部分には、テーパー形状を有するチャンファ面13aが設けられ、内周端面13の裏主表面15側の部分には、テーパー形状を有するチャンファ面13b(図2参照)が設けられている。
(Glass substrate 1G)
As shown in FIG. 1, a glass substrate 1G (glass substrate for information recording medium) used for a magnetic disk 1 (see FIG. 2) has a disk shape with a hole 11 formed in the center. Glass substrate 1 </ b> G includes front main surface 14, back main surface 15, inner peripheral end surface 13, and outer peripheral end surface 12. A chamfer surface 13a having a tapered shape is provided on a portion of the inner peripheral end surface 13 on the front main surface 14 side, and a chamfer surface 13b having a tapered shape is provided on a portion on the back main surface 15 side of the inner peripheral end surface 13 (see FIG. 2).

ガラス基板1Gは、たとえば0.8インチ、1.0インチ、1.8インチ、2.5インチ、または3.5インチの大きさを有している。ガラス基板1Gの厚さは、たとえば0.30mm〜2.2mmである。本実施の形態におけるガラス基板1Gは、約65mmの外径と、約20mmの内径と、約0.8mmの厚さとを有している。ガラス基板1Gの厚さとは、ガラス基板1G上の点対称となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。   The glass substrate 1G has a size of, for example, 0.8 inch, 1.0 inch, 1.8 inch, 2.5 inch, or 3.5 inch. The thickness of the glass substrate 1G is, for example, 0.30 mm to 2.2 mm. Glass substrate 1G in the present embodiment has an outer diameter of about 65 mm, an inner diameter of about 20 mm, and a thickness of about 0.8 mm. The thickness of the glass substrate 1G is a value calculated by averaging the values measured at a plurality of arbitrary points that are point-symmetric on the glass substrate 1G.

(磁気ディスク1)
図2に示すように、磁気ディスク1は、ガラス基板1Gと、表主表面14上に成膜された磁気薄膜層16(磁気記録層)とを備えている。本実施の形態における磁気薄膜層16は、表主表面14上にのみ形成されているが、裏主表面15上にさらに形成されていてもよい。磁気薄膜層16は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板1Gの表主表面14上にスピンコートすることによって形成される(スピンコート法)。磁気薄膜層16は、スパッタリング法または無電解めっき法等を使用して形成されていてもよい。
(Magnetic disk 1)
As shown in FIG. 2, the magnetic disk 1 includes a glass substrate 1 </ b> G and a magnetic thin film layer 16 (magnetic recording layer) formed on the front main surface 14. The magnetic thin film layer 16 in the present embodiment is formed only on the front main surface 14, but may be further formed on the back main surface 15. The magnetic thin film layer 16 is formed by spin-coating a thermosetting resin in which magnetic particles are dispersed on the front main surface 14 of the glass substrate 1G (spin coating method). The magnetic thin film layer 16 may be formed using a sputtering method or an electroless plating method.

ガラス基板1Gの表主表面14に形成される磁気薄膜層16の膜厚は、スピンコート法の場合は約0.3μm〜約1.2μm、スパッタリング法の場合は約0.04μm〜約0.08μm、無電解めっき法の場合は約0.05μm〜約0.1μmである。磁気薄膜層16の成膜に用いる磁性材料としては、結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNiやCrを加えたCo系合金などを用いるとよい。熱アシスト記録に好適な磁性材料として、FePt系の材料が用いられてもよい。   The film thickness of the magnetic thin film layer 16 formed on the front main surface 14 of the glass substrate 1G is about 0.3 μm to about 1.2 μm in the case of the spin coating method, and about 0.04 μm to about 0.00 in the case of the sputtering method. In the case of the electroless plating method, the thickness is about 0.05 μm to about 0.1 μm. As the magnetic material used for forming the magnetic thin film layer 16, it is preferable to use Co having a high crystal anisotropy and a Co-based alloy with Ni or Cr added for the purpose of adjusting the residual magnetic flux density. An FePt-based material may be used as a magnetic material suitable for heat-assisted recording.

磁気ヘッドに対する滑りをよくするために、磁気薄膜層16の表面に薄い潤滑剤をコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえばパーフロロポリエーテル(PFPE)をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。必要に応じて下地層や保護層を設けてもよい。   In order to improve the sliding with respect to the magnetic head, a thin lubricant may be coated on the surface of the magnetic thin film layer 16. Examples of the lubricant include those obtained by diluting perfluoropolyether (PFPE) with a freon-based solvent. You may provide a base layer and a protective layer as needed.

下地層は、磁性膜の種類に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、およびNiなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。下地層は、単層構造を有していてもよく、同一または異種の層を積層した複数層構造を有していてもよい。複数層構造としては、たとえば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等が挙げられる。   The underlayer is selected according to the type of magnetic film. Examples of the material for the underlayer include at least one material selected from nonmagnetic metals such as Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, B, Al, and Ni. The underlayer may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which the same or different layers are stacked. Examples of the multilayer structure include Cr / Cr, Cr / CrMo, Cr / CrV, NiAl / Cr, NiAl / CrMo, and NiAl / CrV.

磁気薄膜層16の摩耗や腐食を防止する保護層としては、たとえば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層およびシリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。これらの保護層は、単層構造を有していてもよく、同一または異種の層を積層した複数層構造を有していてもよい。   Examples of the protective layer that prevents wear and corrosion of the magnetic thin film layer 16 include a Cr layer, a Cr alloy layer, a carbon layer, a hydrogenated carbon layer, a zirconia layer, and a silica layer. These protective layers can be formed continuously with an in-line type sputtering apparatus, such as an underlayer and a magnetic film. These protective layers may have a single layer structure, or may have a multilayer structure in which the same or different layers are stacked.

上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に替えて、テトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散してCr層の上に塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素(SiO)層をその上に形成してもよい。Another protective layer may be formed on the protective layer or instead of the protective layer. For example, instead of the protective layer, while tetraalkoxysilane is diluted with an alcohol solvent, colloidal silica fine particles are dispersed and applied onto the Cr layer, and further baked to form a silicon oxide (SiO 2 ) layer. You may form on it.

(ガラス基板1Gの製造方法)
図3を参照して、本実施の形態に係るガラス基板1Gの製造方法を説明する。当該製造方法は、工程S10〜S19を備える。ガラス溶融工程S10においては、ガラス素材が溶融される。成形工程S11においては、上型および下型を用いて溶融ガラス素材がプレス成形される。成形により、ガラス基板が得られる。ガラス基板は、板ガラスから切り出して作製してもよい。ガラス基板の組成は、たとえばアルミノシリケートガラスである。
(Manufacturing method of glass substrate 1G)
With reference to FIG. 3, the manufacturing method of the glass substrate 1G which concerns on this Embodiment is demonstrated. The manufacturing method includes steps S10 to S19. In the glass melting step S10, the glass material is melted. In the molding step S11, the molten glass material is press-molded using the upper mold and the lower mold. A glass substrate is obtained by molding. The glass substrate may be cut out from the plate glass. The composition of the glass substrate is, for example, aluminosilicate glass.

第1ラップ工程S12においては、遊星歯車機構を有する両面ラッピング装置を用いて、ガラス基板の両主表面にラッピング加工が施される。ガラス基板に対して上下方向からラップ定盤が押圧され、砥粒および研削液をガラス基板の両主表面上に供給しながら、ガラス基板とラップ定盤とが相対的に移動される。砥粒としては、アルミナ等が使用される。ラッピング加工により、おおよそ平坦な面形状を有するガラス基板が得られる。   In the first lapping step S12, both main surfaces of the glass substrate are lapped using a double-sided lapping device having a planetary gear mechanism. The lap platen is pressed from above and below against the glass substrate, and the glass substrate and the lap platen are relatively moved while supplying abrasive grains and grinding liquid onto both main surfaces of the glass substrate. As the abrasive, alumina or the like is used. By the lapping process, a glass substrate having a substantially flat surface shape is obtained.

コアリング工程S13においては、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ガラス基板の中心部に孔が形成される。ダイヤモンド砥石を用いて、ガラス基板の内周端面および外周端面に面取り加工が施される。第2ラップ工程S14においては、ガラス基板の両主表面に、第1ラップ工程S12と同様なラッピング加工が施される。両主表面に形成された微細な凹凸形状は除去される。   In the coring step S13, a hole is formed in the center of the glass substrate using a cylindrical diamond drill. Using a diamond grindstone, chamfering is performed on the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface of the glass substrate. In 2nd lapping process S14, the lapping process similar to 1st lapping process S12 is given to both main surfaces of a glass substrate. Fine irregularities formed on both main surfaces are removed.

外周/内周研磨工程S15においては、ブラシを用いて、ガラス基板の外周端面および内周端面に鏡面研磨加工が施される。研磨砥粒としては、たとえば酸化セリウム砥粒を含むスラリーが用いられる。第1ポリッシュ工程S16においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置を用いて、ガラス基板の両主表面が研磨される。研磨剤としては、たとえば約1μmの平均粒径を有する酸化セリウム砥粒が用いられる。第1および第2ラップ工程(S12,S14)において両主表面に残留したキズや反りは矯正される。   In the outer periphery / inner periphery polishing step S15, mirror polishing is performed on the outer peripheral end surface and the inner peripheral end surface of the glass substrate using a brush. As the abrasive grains, for example, a slurry containing cerium oxide abrasive grains is used. In the first polishing step S16, both main surfaces of the glass substrate are polished using a double-side polishing apparatus having a planetary gear mechanism. As the abrasive, for example, cerium oxide abrasive grains having an average particle diameter of about 1 μm are used. In the first and second lapping steps (S12, S14), scratches and warpage remaining on both main surfaces are corrected.

化学強化工程S17においては、ガラス基板の両主表面に圧縮応力層が形成される。硝酸カリウム(70%)と硝酸ナトリウム(30%)との混合溶液を300℃に加熱し、混合溶液中に、ガラス基板が約30分間浸漬される。圧縮応力層が形成され、ガラス基板の両主表面および両端面が強化される。   In the chemical strengthening step S17, compressive stress layers are formed on both main surfaces of the glass substrate. A mixed solution of potassium nitrate (70%) and sodium nitrate (30%) is heated to 300 ° C., and the glass substrate is immersed in the mixed solution for about 30 minutes. A compressive stress layer is formed, and both main surfaces and both end surfaces of the glass substrate are strengthened.

第2ポリッシュ工程S18においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置を用いて、ガラス基板の両主表面に精密研磨加工が施される。研磨剤としては、たとえば平均粒径が約20nmのコロイダルシリカが用いられる。両主表面に残存している微小欠陥等は解消され、両主表面は鏡面状に仕上げられる。微細な反りも解消され、両主表面は所望の平坦度を有することとなる。第2ポリッシュ工程S18の更なる詳細については、図4等を参照して後述する。   In the second polishing step S18, precision polishing is performed on both main surfaces of the glass substrate using a double-side polishing apparatus having a planetary gear mechanism. As the abrasive, for example, colloidal silica having an average particle diameter of about 20 nm is used. The micro-defects remaining on both main surfaces are eliminated, and both main surfaces are finished in a mirror shape. Fine warpage is also eliminated, and both main surfaces have a desired flatness. Further details of the second polishing step S18 will be described later with reference to FIG.

最終洗浄工程S19においては、ガラス基板の両主表面および両端面が洗浄され、その後、ガラス基板は適宜乾燥される。本実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、以上のように構成される。このガラス基板の製造方法を用いることで、図1に示すガラス基板1Gが得られる。上述のとおり、ガラス基板1Gに磁気薄膜層を形成することによって、図2に示す磁気ディスク1が得られる。   In the final cleaning step S19, both the main surface and both end surfaces of the glass substrate are cleaned, and then the glass substrate is appropriately dried. The manufacturing method of the glass substrate for information recording media in this Embodiment is comprised as mentioned above. The glass substrate 1G shown in FIG. 1 is obtained by using this glass substrate manufacturing method. As described above, the magnetic disk 1 shown in FIG. 2 is obtained by forming the magnetic thin film layer on the glass substrate 1G.

(第2ポリッシュ工程S18)
図4〜図18を参照して、第2ポリッシュ工程S18の詳細について説明する。図4に示すように、第2ポリッシュ工程S18は、工程S181〜S187を備える。上述のとおり、第2ポリッシュ工程S18においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置を用いて、ガラス基板の両主表面に精密研磨加工が施される。
(Second polishing step S18)
With reference to FIGS. 4-18, the detail of 2nd polishing process S18 is demonstrated. As shown in FIG. 4, the second polishing step S18 includes steps S181 to S187. As described above, in the second polishing step S18, precision polishing is performed on both main surfaces of the glass substrate using a double-side polishing apparatus having a planetary gear mechanism.

図5〜図8を参照して、第2ポリッシュ工程S18で用いられる両面研磨装置100について説明する。図5は、両面研磨装置100を示す側面図である。図6は、図5中のVI−VI線に沿った矢視断面図である。図7は、図6中のVII線で囲まれる領域を拡大して示す図である。図8は、図7中のVIII−VIII線に沿った矢視断面図である。   The double-side polishing apparatus 100 used in the second polishing step S18 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a side view showing the double-side polishing apparatus 100. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG. FIG. 7 is an enlarged view showing a region surrounded by the line VII in FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.

図5に示すように、両面研磨装置100は、上定盤20、上研磨パッド21、下定盤30および下研磨パッド31を備える。上定盤20および下定盤30は、円柱状の形状を有する。上研磨パッド21は、上定盤20の下定盤30に対向する側(ガラス基板側)の下面に装着されている。下研磨パッド31は、下定盤30の上定盤20に対向する側(ガラス基板側)の上面に装着されている。上定盤20の下面および下定盤30の上面は、相互に平行であり、相互に逆向きに回転する。   As shown in FIG. 5, the double-side polishing apparatus 100 includes an upper surface plate 20, an upper polishing pad 21, a lower surface plate 30, and a lower polishing pad 31. The upper surface plate 20 and the lower surface plate 30 have a cylindrical shape. The upper polishing pad 21 is mounted on the lower surface on the side (glass substrate side) facing the lower surface plate 30 of the upper surface plate 20. The lower polishing pad 31 is mounted on the upper surface on the side (glass substrate side) facing the upper surface plate 20 of the lower surface plate 30. The lower surface of the upper surface plate 20 and the upper surface of the lower surface plate 30 are parallel to each other and rotate in opposite directions.

上研磨パッド21および下研磨パッド31は、ガラス基板の両主表面を研磨するための加工部材である。上研磨パッド21および下研磨パッド31としては、たとえばポリウレタン製のスウェードパッドが用いられる。下定盤30と対向する上研磨パッド21の表面は、上研磨面22を形成する。上定盤20と対向する下研磨パッド31の表面は、下研磨面32を形成する。   The upper polishing pad 21 and the lower polishing pad 31 are processed members for polishing both main surfaces of the glass substrate. For example, a polyurethane suede pad is used as the upper polishing pad 21 and the lower polishing pad 31. A surface of the upper polishing pad 21 facing the lower surface plate 30 forms an upper polishing surface 22. The surface of the lower polishing pad 31 facing the upper surface plate 20 forms a lower polishing surface 32.

図6および図7に示すように、下研磨面32(図6参照)の上には、円盤状の形状を有する研磨用のキャリア60が複数配置される。キャリア60は、複数の円孔を有する保持部61(図7参照)を備え、キャリア60の外周には、複数の噛合歯62が設けられる。キャリア60の厚さは、たとえば650μmである。   As shown in FIGS. 6 and 7, a plurality of polishing carriers 60 having a disk shape are disposed on the lower polishing surface 32 (see FIG. 6). The carrier 60 includes a holding portion 61 (see FIG. 7) having a plurality of circular holes, and a plurality of meshing teeth 62 are provided on the outer periphery of the carrier 60. The thickness of the carrier 60 is, for example, 650 μm.

ガラス基板1Gは、保持部61(図7参照)に設けられた円孔の中に配置される。ガラス基板1Gの厚さは、たとえば810μmである。下定盤30(図6参照)の中央部には、サンギア40が設けられる。下定盤30(図6参照)の周縁部には、インターナルギア50がサンギア40と同軸状に設けられる。サンギア40の回転軸に対して平行な方向において、サンギア40およびインターナルギア50は、キャリア60よりも厚い厚さを有している。   The glass substrate 1G is disposed in a circular hole provided in the holding unit 61 (see FIG. 7). The thickness of the glass substrate 1G is, for example, 810 μm. A sun gear 40 is provided at the center of the lower surface plate 30 (see FIG. 6). An internal gear 50 is provided coaxially with the sun gear 40 at the periphery of the lower surface plate 30 (see FIG. 6). The sun gear 40 and the internal gear 50 are thicker than the carrier 60 in a direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40.

キャリア60がサンギア40とインターナルギア50との間に配置された状態において、キャリア60の噛合歯62は、サンギア40の歯面42およびインターナルギア50の歯面52の双方に噛合する。キャリア60は、サンギア40およびインターナルギア50を用いて回転される。本実施の形態においては、サンギア40が回転駆動されることによって、キャリア60は自転しながらサンギア40の周りを公転する。   In a state where the carrier 60 is disposed between the sun gear 40 and the internal gear 50, the meshing teeth 62 of the carrier 60 mesh with both the tooth surface 42 of the sun gear 40 and the tooth surface 52 of the internal gear 50. The carrier 60 is rotated using the sun gear 40 and the internal gear 50. In the present embodiment, when the sun gear 40 is driven to rotate, the carrier 60 revolves around the sun gear 40 while rotating.

図8に示すように、キャリア60に保持されたガラス基板1Gの裏主表面は、下研磨パッド31の下研磨面32に接触している。この状態で、上定盤20は、下定盤30側に向かって鉛直方向に沿って下降移動する(白抜き矢印参照)。その後、上研磨パッド21の上研磨面22は、キャリア60に保持されたガラス基板1Gの表主表面に接触する。   As shown in FIG. 8, the back main surface of the glass substrate 1 </ b> G held by the carrier 60 is in contact with the lower polishing surface 32 of the lower polishing pad 31. In this state, the upper surface plate 20 moves downward along the vertical direction toward the lower surface plate 30 (see the white arrow). Thereafter, the upper polishing surface 22 of the upper polishing pad 21 comes into contact with the front main surface of the glass substrate 1 </ b> G held by the carrier 60.

図9に示すように、ガラス基板1Gは、上研磨パッド21および下研磨パッド31の間に挟み込まれる。上定盤20および下定盤30によって、ガラス基板1Gにはその厚さ方向に所定の応力が加えられる。ガラス基板1Gの両主表面は、上研磨面22および下研磨面32に押圧される。   As shown in FIG. 9, the glass substrate 1 </ b> G is sandwiched between the upper polishing pad 21 and the lower polishing pad 31. The upper surface plate 20 and the lower surface plate 30 apply a predetermined stress to the glass substrate 1G in the thickness direction. Both main surfaces of the glass substrate 1G are pressed against the upper polishing surface 22 and the lower polishing surface 32.

この状態で、コロイダルシリカなどの研磨液を供給しつつ、ガラス基板1Gの表主表面に対して上研磨面22が相対移動し、ガラス基板1Gの裏主表面に対して下研磨面32が相対移動する。上研磨面22がガラス基板1Gの表主表面に対して摺接することにより、ガラス基板1Gの表主表面が研磨される。下研磨面32がガラス基板1Gの裏主表面に対して摺接することにより、ガラス基板1Gの裏主表面が研磨される。ガラス基板の両主表面は、同時に研磨される。   In this state, while supplying a polishing liquid such as colloidal silica, the upper polishing surface 22 moves relative to the front main surface of the glass substrate 1G, and the lower polishing surface 32 moves relative to the back main surface of the glass substrate 1G. Moving. When the upper polishing surface 22 is in sliding contact with the front main surface of the glass substrate 1G, the front main surface of the glass substrate 1G is polished. When the lower polishing surface 32 is in sliding contact with the back main surface of the glass substrate 1G, the back main surface of the glass substrate 1G is polished. Both main surfaces of the glass substrate are polished simultaneously.

図4を再び参照して、工程S181〜S187について具体的に説明する。第1セット工程S181においては、複数のガラス基板1G(図6参照)が準備され、キャリア60に固定される。複数のガラス基板1Gを保持したキャリア60は、サンギア40とインターナルギア50との間に配置される。この構成に限られず、サンギア40とインターナルギア50との間に既に配置されているキャリア60の円孔の中に、複数のガラス基板1Gを配置してもよい。この場合には、キャリア60はガラス基板1Gを固定する必要はなく、ガラス基板1Gと円孔の内周面との間にクリアランスが確保されていてもよい。   With reference to FIG. 4 again, steps S181 to S187 will be specifically described. In the first setting step S181, a plurality of glass substrates 1G (see FIG. 6) are prepared and fixed to the carrier 60. The carrier 60 holding the plurality of glass substrates 1G is disposed between the sun gear 40 and the internal gear 50. Without being limited to this configuration, a plurality of glass substrates 1G may be disposed in the circular holes of the carrier 60 that are already disposed between the sun gear 40 and the internal gear 50. In this case, the carrier 60 does not need to fix the glass substrate 1G, and a clearance may be secured between the glass substrate 1G and the inner peripheral surface of the circular hole.

図10は、インターナルギア50の歯面52にキャリア60の噛合歯62を噛合させた状態を示す斜視図である。この状態においては、インターナルギア50の歯面52の歯先53は、ごく緩やかな円筒面の平坦な面形状を有し、サンギア40(図7参照)の回転軸に対して平行な方向に沿って延びている。図11は、図10中の矢印XI方向からインターナルギア50の歯面52を見た時の様子を模式的に示す図(歯面52を周方向に展開した図)である。図10および図11に示す噛合状態は、サンギア40(図7参照)とキャリア60との間においても同様である。サンギア40の歯面42の歯先も、平坦な面形状を有し、サンギア40(図7参照)の回転軸に対して平行な方向に沿って延びている。   FIG. 10 is a perspective view showing a state in which the meshing teeth 62 of the carrier 60 are meshed with the tooth surfaces 52 of the internal gear 50. In this state, the tooth tip 53 of the tooth surface 52 of the internal gear 50 has a flat surface shape with a very gentle cylindrical surface, and is along a direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40 (see FIG. 7). It extends. FIG. 11 is a diagram schematically showing a state when the tooth surface 52 of the internal gear 50 is viewed from the direction of the arrow XI in FIG. 10 (a diagram in which the tooth surface 52 is developed in the circumferential direction). The meshing state shown in FIGS. 10 and 11 is the same between the sun gear 40 (see FIG. 7) and the carrier 60. The tooth tip of the tooth surface 42 of the sun gear 40 also has a flat surface shape and extends along a direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40 (see FIG. 7).

第1摺動工程S182(図4参照)においては、サンギア40の歯面42およびインターナルギア50の歯面52の双方にキャリア60の噛合歯62を噛合させた状態で、ガラス基板1G(図8および図9参照)が上研磨パッド21および下研磨パッド31の間に挟み込まれる。サンギア40およびインターナルギア50を用いて、キャリア60が回転される。上研磨パッド21の上研磨面22および下研磨パッド31の下研磨面32に対してガラス基板1Gの両主表面が摺接される。ガラス基板1Gの両主表面が研磨される。   In the first sliding step S182 (see FIG. 4), the glass substrate 1G (FIG. 8) is used with the meshing teeth 62 of the carrier 60 meshed with both the tooth surface 42 of the sun gear 40 and the tooth surface 52 of the internal gear 50. 9) is sandwiched between the upper polishing pad 21 and the lower polishing pad 31. The carrier 60 is rotated using the sun gear 40 and the internal gear 50. Both main surfaces of the glass substrate 1G are brought into sliding contact with the upper polishing surface 22 of the upper polishing pad 21 and the lower polishing surface 32 of the lower polishing pad 31. Both main surfaces of the glass substrate 1G are polished.

取出工程S183(図4参照)においては、両面研磨装置100からガラス基板1Gが取り出される。第1摺動工程S182の完了後、ガラス基板1Gは、キャリア60に保持されている場合もあるし、上研磨パッド21の上研磨面22に貼り付いている場合もあるし、下研磨パッド31の下研磨面32に貼り付いている場合もある。両面研磨装置100からガラス基板1Gを取り外す場合には、キャリア60、上研磨パッド21または下研磨パッド31からガラス基板1Gを取り外すことを含んでいる。   In the extraction step S183 (see FIG. 4), the glass substrate 1G is extracted from the double-side polishing apparatus 100. After completion of the first sliding step S182, the glass substrate 1G may be held by the carrier 60, may be attached to the upper polishing surface 22 of the upper polishing pad 21, or the lower polishing pad 31. In some cases, it is attached to the lower polished surface 32. When the glass substrate 1G is removed from the double-side polishing apparatus 100, the method includes removing the glass substrate 1G from the carrier 60, the upper polishing pad 21, or the lower polishing pad 31.

第2ポリッシュ工程S18(図4参照)を行なうべきガラス基板1Gが他にも残っている場合には、換言すると、ガラス溶融工程S10から化学強化工程S17までが行なわれたガラス基板1Gが他にも残っている場合には、第1セット工程S181、第1摺動工程S182および取出工程S183は、それらのガラス基板1Gに対して繰り返し行われるとよい。   When other glass substrates 1G to be subjected to the second polishing step S18 (see FIG. 4) remain, in other words, other glass substrates 1G subjected to the glass melting step S10 to the chemical strengthening step S17 In the case of remaining, the first setting step S181, the first sliding step S182, and the removing step S183 may be repeatedly performed on the glass substrates 1G.

図12は、第1セット工程S181、第1摺動工程S182および取出工程S183が複数回繰り返し行われた後の、若しくは、1回の第1セット工程S181、第1摺動工程S182および取出工程S183が行なわれた後のインターナルギア50の歯面52を示す斜視図である。図13は、図12中の矢印XIII方向からインターナルギア50の歯面52を見た時の様子を模式的に示す図(歯面52を周方向に展開した図)である。   FIG. 12 shows the first setting step S181, the first sliding step S182, and the removing step after the first setting step S181, the first sliding step S182, and the removing step S183 are repeated a plurality of times or once. It is a perspective view which shows the tooth surface 52 of the internal gear 50 after S183 was performed. FIG. 13 is a diagram schematically showing a state when the tooth surface 52 of the internal gear 50 is viewed from the direction of arrow XIII in FIG. 12 (a diagram in which the tooth surface 52 is developed in the circumferential direction).

図12および図13に示すように、上記の第1摺動工程S182においてインターナルギア50の歯面52にキャリア60の噛合歯62が噛合した状態でキャリア60が回転することによって、歯面52には凹溝70が形成される。凹溝70は、歯面52の摩耗によって形成されるものであり、歯面52の歯先53から、インターナルギア50の径方向の外側に向かって凹む形状を有している。インターナルギア50を繰り返し使用すると、凹溝70は徐々に成長する。   As shown in FIGS. 12 and 13, the carrier 60 rotates in a state where the meshing teeth 62 of the carrier 60 are engaged with the tooth surface 52 of the internal gear 50 in the first sliding step S <b> 182, so that the tooth surface 52 A concave groove 70 is formed. The concave groove 70 is formed by wear of the tooth surface 52, and has a shape that is recessed from the tooth tip 53 of the tooth surface 52 toward the radially outer side of the internal gear 50. When the internal gear 50 is used repeatedly, the groove 70 gradually grows.

図14を参照して、インターナルギア50の使用状態によっては、凹溝70は歯面52の歯元54まで成長することもある。インターナルギア50を使用し続けると、凹溝70は、さらに成長する。図15を参照して、インターナルギア50をさらに使用し続けると、複数の凹溝70(図14参照)は、繋がって一本の連続した環状凹溝71を形成する。サンギア40の回転軸に対して平行な方向(図15紙面上下方向)において、環状凹溝71の幅寸法H71は、キャリア60の噛合歯62の厚さの値に略等しい。本実施の形態では、凹溝70が歯面52の歯先の側から成長する例を示しているが、キャリア60の噛合歯62の形状とインターナルギア50の歯面52の形状との相互関係によっては、凹溝70は歯面52の側面側の部分または歯面52の歯元から成長する場合もある。   Referring to FIG. 14, depending on the use state of internal gear 50, concave groove 70 may grow to tooth root 54 of tooth surface 52. If the internal gear 50 is continuously used, the groove 70 further grows. Referring to FIG. 15, when the internal gear 50 is further used, the plurality of concave grooves 70 (see FIG. 14) are connected to form one continuous annular concave groove 71. In the direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40 (the vertical direction in FIG. 15), the width dimension H71 of the annular groove 71 is substantially equal to the thickness value of the meshing teeth 62 of the carrier 60. In this embodiment, an example in which the groove 70 grows from the tooth tip side of the tooth surface 52 is shown, but the correlation between the shape of the meshing tooth 62 of the carrier 60 and the shape of the tooth surface 52 of the internal gear 50 is shown. Depending on the case, the groove 70 may grow from a portion on the side surface side of the tooth surface 52 or a tooth root of the tooth surface 52.

図16を参照して、インターナルギア50をさらに使用し続けると、環状凹溝71は成長し、環状凹溝72を形成する。環状凹溝72は、サンギア40の回転軸に対して平行な方向において上下にうねる形状を有する。環状凹溝72の幅寸法H72は、環状凹溝71の幅寸法H71(図15参照)よりも大きい。この状態に至ると、インターナルギア50の歯面52はもはや劣化した状態を形成し、インターナルギア50の歯面52は、キャリア60の噛合歯62に適切に噛合しにくくなる。図12〜図16で説明したことについては、サンギア40についても同様である。サンギア40の歯面42には、凹溝73(図17参照)が形成される。   Referring to FIG. 16, when the internal gear 50 is further used, the annular groove 71 grows to form the annular groove 72. The annular groove 72 has a shape that undulates vertically in a direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40. A width dimension H72 of the annular groove 72 is larger than a width dimension H71 of the annular groove 71 (see FIG. 15). When this state is reached, the tooth surface 52 of the internal gear 50 no longer forms a deteriorated state, and the tooth surface 52 of the internal gear 50 becomes difficult to properly mesh with the meshing teeth 62 of the carrier 60. The same applies to the sun gear 40 as described with reference to FIGS. A concave groove 73 (see FIG. 17) is formed in the tooth surface 42 of the sun gear 40.

図16に示すように、キャリア60は、サンギア40の回転軸に対して直交する平面に対して傾いた状態でサンギア40およびインターナルギア50に噛合する場合もある。キャリア60が傾いた状態でガラス基板1Gに研磨が行われると、上研磨パッド21の上研磨面22および下研磨パッド31の下研磨面32は、傾いたキャリア60との接触によって損傷する。損傷した上研磨パッド21および下研磨パッド31を用いて研磨が行われた場合、ガラス基板1Gの両主表面には微細なピットまたは付着物が欠陥として形成される。この欠陥は、ガラス基板1Gが磁気ディスク1として用いられた時に、リード/ライトエラーおよびヘッドクラッシュなどを誘発する。   As shown in FIG. 16, the carrier 60 may mesh with the sun gear 40 and the internal gear 50 while being inclined with respect to a plane orthogonal to the rotation axis of the sun gear 40. When the glass substrate 1 </ b> G is polished with the carrier 60 tilted, the upper polishing surface 22 of the upper polishing pad 21 and the lower polishing surface 32 of the lower polishing pad 31 are damaged by contact with the tilted carrier 60. When polishing is performed using the damaged upper polishing pad 21 and lower polishing pad 31, fine pits or deposits are formed as defects on both main surfaces of the glass substrate 1G. This defect induces read / write errors and head crashes when the glass substrate 1G is used as the magnetic disk 1.

(高さ変更工程S184)
本実施の形態の第2ポリッシュ工程S18においては、キャリア60が傾くことを防止するために、高さ変更工程S184(図4参照)が行なわれる。高さ変更工程S184は、一定回数の第1摺動工程S182が行なわれた後、第1摺動工程S182における延べ研磨時間が所定の時間(たとえば50時間)に到達した後、または一定の期間(1ケ月など)が経過した後等に行なわれるとよい。高さ変更工程S184は、後述する第2摺動工程S186よりも前に行なわれる。
(Height change process S184)
In the second polishing step S18 of the present embodiment, a height changing step S184 (see FIG. 4) is performed to prevent the carrier 60 from tilting. The height changing step S184 is performed after a predetermined number of times of the first sliding step S182, after the total polishing time in the first sliding step S182 reaches a predetermined time (for example, 50 hours), or for a certain period of time. It should be done after (e.g. 1 month) has passed. The height changing step S184 is performed before a second sliding step S186 described later.

図17を参照して、本実施の形態の高さ変更工程S184においては、サンギア40とサンギア40を支持する部材48との間にスペーサー部材46が設けられ、インターナルギア50とインターナルギア50を支持する部材58との間にスペーサー部材56が設けられる。サンギア40およびインターナルギア50は、いわゆる嵩上げされた状態となる。図17中の点線は、サンギア40およびインターナルギア50が嵩上げされる前に配置されていた位置を示している。   Referring to FIG. 17, in the height changing step S184 of the present embodiment, a spacer member 46 is provided between the sun gear 40 and the member 48 that supports the sun gear 40 to support the internal gear 50 and the internal gear 50. A spacer member 56 is provided between the first member 58 and the second member 58. The sun gear 40 and the internal gear 50 are in a so-called raised state. A dotted line in FIG. 17 indicates a position where the sun gear 40 and the internal gear 50 are arranged before being raised.

サンギア40の歯先43に形成されていた凹溝73の位置は、サンギア40の回転軸に対して平行な方向において、上方向に変更される。インターナルギア50の歯先53に形成されていた凹溝70の位置も、サンギア40の回転軸に対して平行な方向において、上方向に変更される。   The position of the groove 73 formed in the tooth tip 43 of the sun gear 40 is changed upward in a direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40. The position of the groove 70 formed in the tooth tip 53 of the internal gear 50 is also changed upward in a direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40.

サンギア40の軸方向(回転軸)に対して直交する仮想平面90を描き、仮想平面90から軸方向における任意の位置までの寸法を高さとする。嵩上げ前に高さ位置H40を有していたサンギア40は、嵩上げ後には高さ位置H41を有することとなる。嵩上げ前に高さ位置H50を有していたインターナルギア50は、嵩上げ後には高さ位置H51を有することとなる。   A virtual plane 90 orthogonal to the axial direction (rotation axis) of the sun gear 40 is drawn, and a dimension from the virtual plane 90 to an arbitrary position in the axial direction is defined as a height. The sun gear 40 having the height position H40 before raising the height has a height position H41 after raising the height. The internal gear 50 having the height position H50 before the raising is provided with the height position H51 after the raising.

すなわち、サンギア40の軸方向に対して平行な方向を高さ方向という場合、サンギア40の歯面42のうち、第1摺動工程S182においてキャリア60が噛合していた部分を第1箇所Aとし、サンギア40の歯面42のうち、第2摺動工程S186においてキャリア60が噛合するべき部分を第2箇所Bとすると、サンギア40の歯面42内における第2箇所Bの高さ方向の位置は、サンギア40の歯面42内における第1箇所Aの高さ方向の位置と異なる位置である。サンギア40の歯面42内での第2箇所Bの高さ方向における位置は、サンギア40の歯面42内での第1箇所Aの高さ方向における位置から、高さ変更工程S184を経ることによって変更されている。   That is, when a direction parallel to the axial direction of the sun gear 40 is referred to as a height direction, a portion of the tooth surface 42 of the sun gear 40 where the carrier 60 is engaged in the first sliding step S182 is defined as a first location A. If the portion of the tooth surface 42 of the sun gear 40 that the carrier 60 should mesh with in the second sliding step S186 is the second location B, the height position of the second location B within the tooth surface 42 of the sun gear 40 Is a position different from the position in the height direction of the first location A within the tooth surface 42 of the sun gear 40. The position in the height direction of the second location B within the tooth surface 42 of the sun gear 40 is subjected to a height changing step S184 from the position in the height direction of the first location A within the tooth surface 42 of the sun gear 40. Has been changed by.

インターナルギア50についても同様に、インターナルギア50の歯面52のうち、第1摺動工程S182においてキャリア60が噛合していた部分を第3箇所Cとし、インターナルギア50の歯面52のうち、第2摺動工程S186においてキャリア60が噛合するべき部分を第4箇所Dとすると、インターナルギア50の歯面52内における第4箇所Dの高さ方向の位置は、インターナルギア50の歯面52内における第3箇所Cの高さ方向の位置と異なる位置である。インターナルギア50の歯面52内での第4箇所Dの高さ方向における位置は、インターナルギア50の歯面52内での第3箇所Cの高さ方向における位置から、高さ変更工程S184を経ることによって変更されている。   Similarly for the internal gear 50, the portion of the tooth surface 52 of the internal gear 50 where the carrier 60 is engaged in the first sliding step S182 is defined as the third location C, and the tooth surface 52 of the internal gear 50 includes: If the portion where the carrier 60 should mesh in the second sliding step S186 is the fourth location D, the position in the height direction of the fourth location D within the tooth surface 52 of the internal gear 50 is the tooth surface 52 of the internal gear 50. It is a position different from the position of the third location C in the height direction. The position in the height direction of the fourth location D within the tooth surface 52 of the internal gear 50 is the height change step S184 from the position in the height direction of the third location C within the tooth surface 52 of the internal gear 50. Has changed by going through.

サンギア40の下方にスペーサー部材46を設けるタイミングと、インターナルギア50の下方にスペーサー部材56を設けるタイミングとは、好ましくは一致しているとよい。これらのタイミングは、サンギア40に形成される凹溝73の成長具合およびインターナルギア50に形成される凹溝70の成長具合に応じて、適宜最適化されるとよい。   The timing at which the spacer member 46 is provided below the sun gear 40 and the timing at which the spacer member 56 is provided below the internal gear 50 are preferably matched. These timings may be optimized as appropriate according to the growth condition of the groove 73 formed in the sun gear 40 and the growth condition of the groove 70 formed in the internal gear 50.

サンギア40について、好適には、サンギア40に形成される凹溝73の深さD73がキャリア60の外径に対して百分率で0.14以上(たとえば深さD73が0.6mm以上)となった時点で、サンギア40の下方にスペーサー部材46を設けるとよい。ここで言う凹溝73の深さD73とは、歯面42の歯先43から、凹溝73のうちのサンギア40の径方向の最も内側に位置する部分までの距離である。   For the sun gear 40, the depth D73 of the groove 73 formed in the sun gear 40 is preferably 0.14 or more (for example, the depth D73 is 0.6 mm or more) as a percentage of the outer diameter of the carrier 60. At that time, a spacer member 46 may be provided below the sun gear 40. The depth D73 of the concave groove 73 referred to here is a distance from the tooth tip 43 of the tooth surface 42 to a portion of the concave groove 73 located on the innermost side in the radial direction of the sun gear 40.

インターナルギア50についても同様に、好適には、インターナルギア50に形成される凹溝70の深さD70がキャリア60の外径に対して百分率で0.14以上(たとえば深さD70が0.6mm以上)となった時点で、インターナルギア50の下方にスペーサー部材56を設けるとよい。ここで言う凹溝70の深さD70とは、歯面52の歯先53から、凹溝70のうちのインターナルギア50の径方向の最も外側に位置する部分までの距離である。   Similarly, for the internal gear 50, the depth D70 of the concave groove 70 formed in the internal gear 50 is preferably 0.14 or more as a percentage of the outer diameter of the carrier 60 (for example, the depth D70 is 0.6 mm). At this point, the spacer member 56 may be provided below the internal gear 50. The depth D70 of the concave groove 70 referred to here is a distance from the tooth tip 53 of the tooth surface 52 to a portion of the concave groove 70 positioned on the outermost side in the radial direction of the internal gear 50.

図18を参照して、高さ変更工程S184が完了した後、第2セット工程S185が行なわれる。第2セット工程S185においては、他のガラス基板1Hが、一方のキャリアとしてのキャリア60に固定される。ここでは、キャリア60を用いる替わりに、未使用状態にある他のキャリアが一方のキャリアとして用いられてもよい。第1セット工程S181が繰り返し行なわれた後には、キャリア60の噛合歯62も劣化している場合があるためである。   Referring to FIG. 18, after the height changing step S184 is completed, a second setting step S185 is performed. In the second setting step S185, another glass substrate 1H is fixed to a carrier 60 as one carrier. Here, instead of using the carrier 60, another carrier in an unused state may be used as one carrier. This is because the meshing teeth 62 of the carrier 60 may be deteriorated after the first setting step S181 is repeatedly performed.

ここで言う他のガラス基板1Hとは、第1摺動工程S182が実施されていないガラス基板を意味し、第1摺動工程S182が実施されたガラス基板1G(図9参照)とは異なるものである。ここで言う未使用状態の他のキャリアとは、両面研磨装置100における研磨加工に一度も使用されていない、いわゆる新品状態のキャリアのことを意味する。   The other glass substrate 1H mentioned here means a glass substrate on which the first sliding step S182 has not been performed, and is different from the glass substrate 1G (see FIG. 9) on which the first sliding step S182 has been performed. It is. The other carrier in this unused state means a so-called new carrier that has never been used for polishing in the double-side polishing apparatus 100.

他のガラス基板1Hを保持したキャリア60は、嵩上げされたサンギア40と嵩上げされたインターナルギア50との間に配置される。この構成に限られず、嵩上げされたサンギア40と嵩上げされたインターナルギア50との間に既に配置されたキャリア60に、複数の他のガラス基板1Hを配置してもよい。   The carrier 60 holding another glass substrate 1H is disposed between the raised sun gear 40 and the raised internal gear 50. Without being limited to this configuration, a plurality of other glass substrates 1H may be disposed on the carrier 60 that is already disposed between the raised sun gear 40 and the raised internal gear 50.

サンギア40の歯面42(歯先43)のうち、次述する第2摺動工程S186においてキャリア60の噛合歯62が噛合する部分(第2箇所B)は、平坦な面形状を有し、サンギア40の回転軸に対して平行な方向に沿って延びている。同様に、インターナルギア50の歯面52(歯先53)のうち、次述する第2摺動工程S186においてキャリア60の噛合歯62が噛合する部分(第4箇所D)は、平坦な面形状を有し、サンギア40の回転軸に対して平行な方向に沿って延びている。   Of the tooth surface 42 (tooth tip 43) of the sun gear 40, the portion (second location B) where the meshing teeth 62 of the carrier 60 mesh in the second sliding step S186 described below has a flat surface shape. It extends along a direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40. Similarly, in the tooth surface 52 (tooth tip 53) of the internal gear 50, the portion (fourth place D) where the meshing teeth 62 of the carrier 60 mesh in the second sliding step S186 described below is a flat surface shape. And extends along a direction parallel to the rotation axis of the sun gear 40.

第2摺動工程S186(図4参照)においても、サンギア40の歯面42およびインターナルギア50の歯面52の双方にキャリア60の噛合歯62を噛合させた状態で、ガラス基板1H(図18参照)が上研磨パッド21および下研磨パッド31の間に挟み込まれる。サンギア40およびインターナルギア50を用いて、キャリア60が回転される。上研磨パッド21の上研磨面22および下研磨パッド31の下研磨面32に対してガラス基板1Hの両主表面が摺接される。ガラス基板1Hの両主表面が研磨される。   Also in the second sliding step S186 (see FIG. 4), the glass substrate 1H (FIG. 18) is used with the meshing teeth 62 of the carrier 60 engaged with both the tooth surface 42 of the sun gear 40 and the tooth surface 52 of the internal gear 50. Is sandwiched between the upper polishing pad 21 and the lower polishing pad 31. The carrier 60 is rotated using the sun gear 40 and the internal gear 50. Both main surfaces of the glass substrate 1H are brought into sliding contact with the upper polishing surface 22 of the upper polishing pad 21 and the lower polishing surface 32 of the lower polishing pad 31. Both main surfaces of the glass substrate 1H are polished.

取出工程S187(図4参照)においては、両面研磨装置100からガラス基板1Hが取り出される。第2摺動工程S186の完了後、ガラス基板1Hは、キャリア60に保持されている場合もあるし、上研磨パッド21の上研磨面22に貼り付いている場合もあるし、下研磨パッド31の下研磨面32に貼り付いている場合もある。両面研磨装置100からガラス基板1Hを取り外す場合には、キャリア60、上研磨パッド21または下研磨パッド31からガラス基板1Hを取り外すことを含んでいる。   In the extraction step S187 (see FIG. 4), the glass substrate 1H is extracted from the double-side polishing apparatus 100. After completion of the second sliding step S186, the glass substrate 1H may be held by the carrier 60, may be attached to the upper polishing surface 22 of the upper polishing pad 21, or the lower polishing pad 31. In some cases, it is attached to the lower polished surface 32. The removal of the glass substrate 1H from the double-side polishing apparatus 100 includes removing the glass substrate 1H from the carrier 60, the upper polishing pad 21 or the lower polishing pad 31.

第2ポリッシュ工程S18(図4参照)を行なうべきガラス基板1Hが他にも残っている場合には、換言すると、ガラス溶融工程S10から化学強化工程S17までが行なわれたガラス基板1Hが他にも残っている場合には、第2セット工程S185、第2摺動工程S186および取出工程S187は、それらのガラス基板1Hに対して繰り返し行われるとよい。   When other glass substrates 1H to be subjected to the second polishing step S18 (see FIG. 4) remain, in other words, other glass substrates 1H that have been subjected to the glass melting step S10 to the chemical strengthening step S17. In the case where the second substrate remains, the second setting step S185, the second sliding step S186, and the removing step S187 are preferably performed repeatedly on the glass substrates 1H.

サンギア40およびインターナルギア50の各歯面42,52のうち、第2摺動工程S186において使用される部分(箇所A,C)には、全くまたはほとんど凹溝が形成されていないため、キャリア60の回転時にキャリア60が傾くことは効果的に抑制することができる。上研磨パッド21の上研磨面22および下研磨パッド31の下研磨面32に傷が付くことも全くまたはほとんど無く、ガラス基板1Hの両主表面に微細なピットまたは付着物が欠陥として形成されることも効果的に抑制されている。したがって、本実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および製造装置によって製造された情報記録媒体用ガラス基板は、より高い表面品質を有することとなる。   Of the tooth surfaces 42 and 52 of the sun gear 40 and the internal gear 50, the portions (locations A and C) used in the second sliding step S186 have no or almost no concave grooves. It is possible to effectively suppress the tilt of the carrier 60 during the rotation. There is no or almost no scratch on the upper polishing surface 22 of the upper polishing pad 21 and the lower polishing surface 32 of the lower polishing pad 31, and fine pits or deposits are formed as defects on both main surfaces of the glass substrate 1H. This is also effectively suppressed. Therefore, the glass substrate for information recording media manufactured by the manufacturing method and manufacturing apparatus for the information recording medium glass substrate in the present embodiment has higher surface quality.

[実施の形態2]
図19を参照して、高さ変更工程S184(図4参照)においては、スペーサー部材を用いる替わりに、サンギア40およびまたはインターナルギア50を、サンギア40の軸方向に対して上下反転させてもよい。当該上下反転動作は、スペーサー部材を用いた上でさらに行なわれてもよい。
[Embodiment 2]
Referring to FIG. 19, in the height changing step S184 (see FIG. 4), the sun gear 40 and / or the internal gear 50 may be turned upside down with respect to the axial direction of the sun gear 40 instead of using the spacer member. . The upside down operation may be further performed using a spacer member.

当該構成によっても、サンギア40の軸方向に対して平行な方向を高さ方向という場合、サンギア40の歯面42のうち、第1摺動工程S182においてキャリア60が噛合していた部分を第1箇所Aとし、サンギア40の歯面42のうち、第2摺動工程S186においてキャリア60が噛合するべき部分を第2箇所Bとすると、サンギア40の歯面42内における第2箇所Bの高さ方向の位置は、サンギア40の歯面42内における第1箇所Aの高さ方向の位置と異なる位置である。サンギア40の歯面42内での第2箇所Bの高さ方向における位置は、サンギア40の歯面42内での第1箇所Aの高さ方向における位置から、高さ変更工程S184を経ることによって変更されている。   Even in this configuration, when the direction parallel to the axial direction of the sun gear 40 is referred to as the height direction, the portion of the tooth surface 42 of the sun gear 40 where the carrier 60 is engaged in the first sliding step S182 is the first. If the portion A and the portion of the tooth surface 42 of the sun gear 40 that the carrier 60 should mesh with in the second sliding step S186 is the second portion B, the height of the second portion B in the tooth surface 42 of the sun gear 40 The position in the direction is a position different from the position in the height direction of the first location A in the tooth surface 42 of the sun gear 40. The position in the height direction of the second location B within the tooth surface 42 of the sun gear 40 is subjected to a height changing step S184 from the position in the height direction of the first location A within the tooth surface 42 of the sun gear 40. Has been changed by.

インターナルギア50についても同様に、インターナルギア50の歯面52のうち、第1摺動工程S182においてキャリア60が噛合していた部分を第3箇所Cとし、インターナルギア50の歯面52のうち、第2摺動工程S186においてキャリア60が噛合するべき部分を第4箇所Dとすると、インターナルギア50の歯面52内における第4箇所Dの高さ方向の位置は、インターナルギア50の歯面52内における第3箇所Cの高さ方向の位置と異なる位置である。インターナルギア50の歯面52内での第4箇所Dの高さ方向における位置は、インターナルギア50の歯面52内での第3箇所Cの高さ方向における位置から、高さ変更工程S184を経ることによって変更されている。   Similarly for the internal gear 50, the portion of the tooth surface 52 of the internal gear 50 where the carrier 60 is engaged in the first sliding step S182 is defined as the third location C, and the tooth surface 52 of the internal gear 50 includes: If the portion where the carrier 60 should mesh in the second sliding step S186 is the fourth location D, the position in the height direction of the fourth location D within the tooth surface 52 of the internal gear 50 is the tooth surface 52 of the internal gear 50. It is a position different from the position of the third location C in the height direction. The position in the height direction of the fourth location D within the tooth surface 52 of the internal gear 50 is the height change step S184 from the position in the height direction of the third location C within the tooth surface 52 of the internal gear 50. Has changed by going through.

[実施の形態3]
図20に示す第2ポリッシュ工程S18Aは、測定工程S188bをさらに備えている。測定工程S188bは、第1摺動工程S182よりも後であって、高さ変更工程S184よりも前に行なわれる。工程S188aにおいて測定工程に移る条件が満足していると判断された後、測定工程S188bにおいては、サンギア40の歯面42に形成された凹溝、およびまたは、インターナルギア50の歯面52に形成された凹溝の深さが測定される。これらの凹溝とは、上述の実施の形態1で述べたように、第1摺動工程S182において、サンギア40およびインターナルギア50の双方の歯面42,52にキャリア60の噛合歯62が噛合した状態でキャリア60が回転したことによって形成されたものである。
[Embodiment 3]
The second polishing step S18A shown in FIG. 20 further includes a measurement step S188b. The measurement step S188b is performed after the first sliding step S182 and before the height changing step S184. After it is determined in step S188a that the conditions for moving to the measurement process are satisfied, in the measurement process S188b, a concave groove formed in the tooth surface 42 of the sun gear 40 and / or a tooth surface 52 of the internal gear 50 is formed. The depth of the recessed groove formed is measured. As described in the first embodiment, these concave grooves mean that the meshing teeth 62 of the carrier 60 mesh with the tooth surfaces 42 and 52 of both the sun gear 40 and the internal gear 50 in the first sliding step S182. In this state, the carrier 60 is rotated.

測定工程S188bは、一定回数の第1摺動工程S182が行なわれた後、第1摺動工程S182における延べ研磨時間が所定の時間に到達した後、または一定の期間(1ケ月など)が経過した後等に行なわれるとよい。本実施の形態においては、測定工程S188bの後に、凹溝の深さがキャリア60の外径に対して百分率で0.14以上(一例として0.6mm以上)か否かが判定される(工程S189)。サンギア40に形成される凹溝73の深さD73がキャリア60の外径に対して百分率で0.14以上であると判定された時点、および、インターナルギア50に形成される凹溝70の深さD70がキャリア60の外径に対して百分率で0.14以上(一例として0.6mm以上)であると判定された時点のうちの、いずれか早い方を迎えた時点で、高さ変更工程S184が行なわれる。測定工程S188bにおいて測定される凹溝の深さがキャリア60の外径に対して百分率で0.14(一例として0.6mm以上)となるまで、第1セット工程S181、第1摺動工程S182および取出工程S183が繰り返し行われる。   In the measurement step S188b, after a predetermined number of times of the first sliding step S182 is performed, the total polishing time in the first sliding step S182 reaches a predetermined time, or a certain period (such as one month) elapses. It is good to be done after. In the present embodiment, after measurement step S188b, it is determined whether or not the depth of the groove is 0.14 or more (as an example, 0.6 mm or more) as a percentage with respect to the outer diameter of carrier 60 (step). S189). When the depth D73 of the concave groove 73 formed in the sun gear 40 is determined to be 0.14 or more with respect to the outer diameter of the carrier 60, and the depth of the concave groove 70 formed in the internal gear 50 The height changing step is performed when the earlier one of the time points at which the height D70 is determined to be 0.14 or more (0.6 mm or more as an example) with respect to the outer diameter of the carrier 60, whichever comes first. S184 is performed. The first setting step S181 and the first sliding step S182 until the depth of the groove measured in the measuring step S188b is 0.14 (0.6 mm or more as an example) as a percentage with respect to the outer diameter of the carrier 60. And extraction process S183 is performed repeatedly.

測定工程S188bを実施して、定期的かつ積極的に凹溝の深さを検査することにより、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および製造装置によって製造された情報記録媒体用ガラス基板は、より高い表面品質を有することとなる。   By carrying out the measurement step S188b and periodically and actively inspecting the depth of the groove, the information recording medium glass substrate manufactured by the method and apparatus for manufacturing the information recording medium glass substrate is more It will have high surface quality.

[実験例]
図21および図22を参照して、上述の各実施の形態(第2ポリッシュ工程S18)に関連して行なった実験例について説明する。当該実験例は、実施例および比較例を含むものとした。実施例は、上述の第1摺動工程、測定工程、高さ変更工程、および第2摺動工程を有しているものとした。比較例は、上述の第1摺動工程を有しているものとした。
[Experimental example]
With reference to FIG. 21 and FIG. 22, the experiment example performed in relation to each above-mentioned embodiment (2nd polishing process S18) is demonstrated. The experimental examples included examples and comparative examples. The example has the above-described first sliding step, measuring step, height changing step, and second sliding step. The comparative example has the first sliding step described above.

いずれの例においても、ピッチ円直径が約423mmで厚さが650μmのキャリアと、外径が65mmで厚さが810μmのガラス基板とを準備した。1回の第1摺動工程においては、5枚のキャリアを用い、それぞれのキャリアは20枚のガラス基板を保持したものとし、合計で100枚のガラス基板に対して同時に研磨処理を行なうものとした。   In each example, a carrier having a pitch circle diameter of about 423 mm and a thickness of 650 μm and a glass substrate having an outer diameter of 65 mm and a thickness of 810 μm were prepared. In one first sliding step, five carriers are used, and each carrier holds 20 glass substrates, and a total of 100 glass substrates are simultaneously polished. did.

図21に示すように、研磨パッドに発生する経時的な摩耗が実験結果に影響することを抑制するため、上下両定盤上に貼り付けられた研磨パッドを交換するものとした。研磨パッドは初期時刻に新規品の貼り付けを行い、研磨パッドを交換するタイミングは、実験開始の初期時刻から研磨処理の延べ加工時間で180時間毎とした。研磨装置には浜井産業株式会社製の16B型両面研磨機を用いた。   As shown in FIG. 21, in order to suppress the time-dependent wear generated in the polishing pad from affecting the experimental results, the polishing pad attached on both the upper and lower surface plates was replaced. The polishing pad was affixed with a new product at an initial time, and the timing for exchanging the polishing pad was set at every 180 hours from the initial time when the experiment was started. A 16B double-side polishing machine manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd. was used as the polishing apparatus.

第1摺動工程が実施される毎に得られる100枚のガラス基板の2回分、200枚に対して、収率を計測した。収率の計測は、洗浄後のガラス基板に対して両主表面上のディフェクトを計測し良品と不良品とを判別するものであり、SSI−640(He−Neレーザー光源を用いた表面検査装置、システム精工社製)を使用するものとした。更に、SSI−640で不良品と判定された基板について、Candela(登録商標)6300(表面検査装置、KLA−Tenkor社製)でディフェクトの詳細を確認するものとした。   Yield was measured for 200 pieces of the 100 glass substrates obtained every time the first sliding step was performed. Yield is measured by measuring defects on both main surfaces of the cleaned glass substrate to discriminate between good and defective products. SSI-640 (surface inspection device using He-Ne laser light source Manufactured by System Seiko Co., Ltd.). Further, the details of the defect were confirmed with a Candela (registered trademark) 6300 (surface inspection apparatus, manufactured by KLA-Tencor) for the substrate determined to be defective by SSI-640.

測定工程を行ない、各ギアの歯面に形成された凹溝の深さを測定した。測定のタイミングは、実験開始の初期時刻から研磨処理の延べ加工時間で90時間後を最初のタイミングとし、それ以降は、研磨処理の延べ加工時間で180時間毎とした。実施例では、凹溝の深さが、研磨処理の延べ加工時間が約810時間に到達した時点で0.6mmを超えていることが確認されたため、この時点で高さ変更工程を行なった。それ以降は、実施例においては第2摺動工程が実施された。   The measurement process was performed and the depth of the groove formed in the tooth surface of each gear was measured. The measurement timing was 90 hours after the initial processing start time for the polishing processing total processing time as the first timing, and thereafter, the polishing processing total processing time was set every 180 hours. In the example, since it was confirmed that the depth of the concave groove exceeded 0.6 mm when the total processing time of the polishing process reached about 810 hours, the height changing step was performed at this point. Thereafter, in the example, the second sliding step was performed.

実施例において高さ変更工程が行なわれた時、キャリアも未使用状態にある他のキャリアに交換した。未使用状態にある他のキャリアへの交換は、実施例および比較例の双方において行ない、交換するタイミングも実施例および比較例において同じタイミングとした。   When the height changing step was performed in the example, the carrier was also replaced with another carrier that was not used. Replacement with another carrier in an unused state was performed in both the example and the comparative example, and the replacement timing was the same in the example and the comparative example.

図22に示されるように、実施例および比較例の双方について、第1摺動工程が行なわれる毎に得られるガラス基板の収率は、延べ加工時間が長くなるにつれて徐々に低下することが分かった。一方で実施例においては、高さ変更工程が行なわれることにより、第2摺動工程で得られるガラス基板の収率は、比較例のそれに対して十分に回復していることが分かった。比較例での収率低下は、ピットの発生が主要因である事が分かった。   As shown in FIG. 22, for both the example and the comparative example, it can be seen that the yield of the glass substrate obtained each time the first sliding step is performed gradually decreases as the total processing time becomes longer. It was. On the other hand, in the examples, it was found that the yield of the glass substrate obtained in the second sliding step was sufficiently recovered compared with that in the comparative example by performing the height changing step. It was found that the decrease in yield in the comparative example was mainly caused by pits.

したがって、上述の各実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および製造装置によって製造された情報記録媒体用ガラス基板は、より高い表面品質を有するものとなることがわかった。   Therefore, it was found that the glass substrate for information recording medium manufactured by the method and apparatus for manufacturing the glass substrate for information recording medium in each of the above embodiments has higher surface quality.

以上、本発明に基づいた各実施の形態および実施例について説明したが、今回開示された各実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   As mentioned above, although each embodiment and Example based on this invention were described, each embodiment and Example disclosed this time are illustrations in all the points, Comprising: It is not restrictive. The technical scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 磁気ディスク、1G,1H ガラス基板、11 孔、12 外周端面、13 内周端面、13a,13b チャンファ面、14 表主表面、15 裏主表面、16 磁気薄膜層、20 上定盤、21 上研磨パッド、22 上研磨面、30 下定盤、31 下研磨パッド、32 下研磨面、40 サンギア、42,52 歯面、43,53 歯先、46,56 スペーサー部材、48,58 部材、50 インターナルギア、54 歯元、60 キャリア、61 保持部、62 噛合歯、70,73 凹溝、71,72 環状凹溝、90 仮想平面、100 両面研磨装置、A 第1箇所、B 第2箇所、C 第3箇所、D 第4箇所、D70,D73 深さ、H40,H41,H50,H51 位置、H71,H72 幅寸法、S10 ガラス溶融工程、S11 プレス成形工程、S12 第1ラップ工程、S13 コアリング工程、S14 第2ラップ工程、S15 外周/内周研磨工程、S16 第1ポリッシュ工程、S17 化学強化工程、S18,S18A 第2ポリッシュ工程、S19 最終洗浄工程、S181 第1セット工程、S182 第1摺動工程、S183,S187 取出工程、S184 高さ変更工程、S185 第2セット工程、S186 第2摺動工程、S188a 工程、S188b 測定工程。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Magnetic disk, 1G, 1H glass substrate, 11 holes, 12 Outer peripheral end surface, 13 Inner peripheral end surface, 13a, 13b Chamfer surface, 14 Front main surface, 15 Back main surface, 16 Magnetic thin film layer, 20 Upper surface plate, 21 Upper Polishing pad, 22 Upper polishing surface, 30 Lower surface plate, 31 Lower polishing pad, 32 Lower polishing surface, 40 Sun gear, 42,52 Tooth surface, 43,53 Tooth tip, 46,56 Spacer member, 48,58 member, 50 Internal Lugear, 54 tooth base, 60 carrier, 61 holding part, 62 meshing tooth, 70, 73 concave groove, 71, 72 annular concave groove, 90 virtual plane, 100 double-side polishing device, A 1st place, B 2nd place, C 3rd place, D 4th place, D70, D73 depth, H40, H41, H50, H51 position, H71, H72 width dimension, S10 glass melting step, S11 Press forming step, S12 first lapping step, S13 coring step, S14 second lapping step, S15 outer / inner peripheral polishing step, S16 first polishing step, S17 chemical strengthening step, S18, S18A second polishing step, S19 final Cleaning step, S181 first setting step, S182 first sliding step, S183, S187 removal step, S184 height changing step, S185 second setting step, S186 second sliding step, S188a step, S188b measuring step.

Claims (5)

研磨用のキャリアおよびガラス基板を両面研磨機の定盤上に配置する第1セット工程と、
サンギアおよびインターナルギアの双方の歯面に前記キャリアの外周を噛合させた状態で前記サンギアおよび前記インターナルギアを用いて前記キャリアを回転させ、研磨パッドの研磨面に対して前記ガラス基板を摺接させて前記ガラス基板の表面を研磨する第1摺動工程と、
前記キャリアおよび他のキャリアのうちの一方のキャリアならびに他のガラス基板を前記両面研磨機の前記定盤上に配置する第2セット工程と、
前記サンギアおよび前記インターナルギアの双方の歯面に前記一方のキャリアの外周を噛合させた状態で前記サンギアおよび前記インターナルギアを用いて前記一方のキャリアを回転させ、前記研磨パッドの前記研磨面に対して前記他のガラス基板を摺接させて前記他のガラス基板の表面を研磨する第2摺動工程と、
前記第1摺動工程よりも後であって前記第2摺動工程よりも前に行なわれ、前記サンギアの軸方向に対して平行な方向の位置を高さという場合、前記サンギアの歯面のうちの前記第1摺動工程において前記キャリアが噛合していた部分を第1箇所とし、前記サンギアの歯面のうちの前記第2摺動工程において前記一方のキャリアが噛合するべき部分を第2箇所とし、前記インターナルギアの歯面のうちの前記第1摺動工程において前記キャリアが噛合していた部分を第3箇所とし、前記インターナルギアの歯面のうちの前記第2摺動工程において前記一方のキャリアが噛合するべき部分を第4箇所とすると、前記サンギアの歯面内における前記第2箇所の高さ方向の位置を前記第1箇所と異ならせること、および、前記インターナルギアの歯面内における前記第4箇所の高さ方向の位置を前記第3箇所と異ならせること、のうちの少なくともいずれかを有する高さ変更工程と、を備え、
前記高さ変更工程においては、前記サンギアおよび前記インターナルギアが前記軸方向において上下反転される、
情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
A first setting step of disposing a polishing carrier and a glass substrate on a surface plate of a double-side polishing machine;
The carrier is rotated using the sun gear and the internal gear while the outer periphery of the carrier is engaged with the tooth surfaces of both the sun gear and the internal gear, and the glass substrate is brought into sliding contact with the polishing surface of the polishing pad. A first sliding step for polishing the surface of the glass substrate;
A second setting step of arranging one of the carrier and the other carrier and another glass substrate on the surface plate of the double-side polishing machine;
The one carrier is rotated using the sun gear and the internal gear in a state where the outer circumference of the one carrier is engaged with the tooth surfaces of both the sun gear and the internal gear, and the polishing surface of the polishing pad is rotated. A second sliding step in which the other glass substrate is slidably contacted to polish the surface of the other glass substrate;
When the position in the direction parallel to the axial direction of the sun gear is referred to as height after the first sliding step and before the second sliding step, the tooth surface of the sun gear The portion where the carrier meshes in the first sliding step is defined as a first location, and the portion of the tooth surface of the sun gear where the one carrier is meshed in the second sliding step is a second location. A portion where the carrier meshes in the first sliding step of the tooth surface of the internal gear is a third location, and in the second sliding step of the tooth surface of the internal gear, If the portion where one carrier should mesh is the fourth location, the height position of the second location in the tooth surface of the sun gear is different from the first location, and the teeth of the internal gear E Bei making the position in the height direction of the fourth point in the inner different from the third location, the height changing step having at least one of, a,
In the height changing step, the sun gear and the internal gear are turned upside down in the axial direction.
A method for producing a glass substrate for an information recording medium.
前記第1摺動工程よりも後であって前記高さ変更工程よりも前に行なわれ、前記サンギアの歯面およびまたは前記インターナルギアの歯面に形成された凹溝の深さを測定する測定工程をさらに備え、Measurement that is performed after the first sliding step and before the height changing step, and measures the depth of the concave surface formed on the tooth surface of the sun gear and / or the tooth surface of the internal gear. A further process,
前記凹溝は、前記第1摺動工程において前記サンギアおよび前記インターナルギアの双方の歯面に前記キャリアの外周が噛合した状態で前記キャリアが回転したことによって形成されたものであり、The concave groove is formed by rotating the carrier in a state where the outer periphery of the carrier meshes with the tooth surfaces of both the sun gear and the internal gear in the first sliding step,
前記測定工程において測定される前記凹溝の深さが前記キャリアの外径に対して百分率で0.14以上となるまで、前記第1セット工程および前記第1摺動工程は繰り返される、The first setting step and the first sliding step are repeated until the depth of the concave groove measured in the measurement step is 0.14 or more as a percentage with respect to the outer diameter of the carrier.
請求項1に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。The manufacturing method of the glass substrate for information recording media of Claim 1.
研磨用のキャリアおよびガラス基板を両面研磨機の定盤上に配置する第1セット工程と、A first setting step of disposing a polishing carrier and a glass substrate on a surface plate of a double-side polishing machine;
サンギアおよびインターナルギアの双方の歯面に前記キャリアの外周を噛合させた状態で前記サンギアおよび前記インターナルギアを用いて前記キャリアを回転させ、研磨パッドの研磨面に対して前記ガラス基板を摺接させて前記ガラス基板の表面を研磨する第1摺動工程と、The carrier is rotated using the sun gear and the internal gear while the outer periphery of the carrier is engaged with the tooth surfaces of both the sun gear and the internal gear, and the glass substrate is brought into sliding contact with the polishing surface of the polishing pad. A first sliding step for polishing the surface of the glass substrate;
前記キャリアおよび他のキャリアのうちの一方のキャリアならびに他のガラス基板を前記両面研磨機の前記定盤上に配置する第2セット工程と、A second setting step of arranging one of the carrier and the other carrier and another glass substrate on the surface plate of the double-side polishing machine;
前記サンギアおよび前記インターナルギアの双方の歯面に前記一方のキャリアの外周を噛合させた状態で前記サンギアおよび前記インターナルギアを用いて前記一方のキャリアを回転させ、前記研磨パッドの前記研磨面に対して前記他のガラス基板を摺接させて前記他のガラス基板の表面を研磨する第2摺動工程と、The one carrier is rotated using the sun gear and the internal gear in a state where the outer circumference of the one carrier is engaged with the tooth surfaces of both the sun gear and the internal gear, and the polishing surface of the polishing pad is rotated. A second sliding step in which the other glass substrate is slidably contacted to polish the surface of the other glass substrate;
前記第1摺動工程よりも後であって前記第2摺動工程よりも前に行なわれ、前記サンギアの軸方向に対して平行な方向の位置を高さという場合、前記サンギアの歯面のうちの前記第1摺動工程において前記キャリアが噛合していた部分を第1箇所とし、前記サンギアの歯面のうちの前記第2摺動工程において前記一方のキャリアが噛合するべき部分を第2箇所とし、前記インターナルギアの歯面のうちの前記第1摺動工程において前記キャリアが噛合していた部分を第3箇所とし、前記インターナルギアの歯面のうちの前記第2摺動工程において前記一方のキャリアが噛合するべき部分を第4箇所とすると、前記サンギアの歯面内における前記第2箇所の高さ方向の位置を前記第1箇所と異ならせること、および、前記インターナルギアの歯面内における前記第4箇所の高さ方向の位置を前記第3箇所と異ならせること、のうちの少なくともいずれかを有する高さ変更工程と、を備え、When the position in the direction parallel to the axial direction of the sun gear is referred to as height after the first sliding step and before the second sliding step, the tooth surface of the sun gear The portion where the carrier meshes in the first sliding step is defined as a first location, and the portion of the tooth surface of the sun gear where the one carrier is meshed in the second sliding step is a second location. A portion where the carrier meshes in the first sliding step of the tooth surface of the internal gear is a third location, and in the second sliding step of the tooth surface of the internal gear, If the portion where one carrier should mesh is the fourth location, the height position of the second location in the tooth surface of the sun gear is different from the first location, and the teeth of the internal gear Causing the position in the height direction of the fourth point in the inner different from the third location, and a height changing step having at least one of,
前記第1摺動工程よりも後であって前記高さ変更工程よりも前に行なわれ、前記サンギアの歯面およびまたは前記インターナルギアの歯面に形成された凹溝の深さを測定する測定工程をさらに備え、Measurement that is performed after the first sliding step and before the height changing step, and measures the depth of the concave surface formed on the tooth surface of the sun gear and / or the tooth surface of the internal gear. A further process,
前記凹溝は、前記第1摺動工程において前記サンギアおよび前記インターナルギアの双方の歯面に前記キャリアの外周が噛合した状態で前記キャリアが回転したことによって形成されたものであり、The concave groove is formed by rotating the carrier in a state where the outer periphery of the carrier meshes with the tooth surfaces of both the sun gear and the internal gear in the first sliding step,
前記測定工程において測定される前記凹溝の深さが前記キャリアの外径に対して百分率で0.14以上となるまで、前記第1セット工程および前記第1摺動工程は繰り返される、The first setting step and the first sliding step are repeated until the depth of the concave groove measured in the measurement step is 0.14 or more as a percentage with respect to the outer diameter of the carrier.
情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。A method for producing a glass substrate for an information recording medium.
前記高さ変更工程においては、前記サンギアと前記サンギアを支持する部材との間、および前記インターナルギアと前記インターナルギアを支持する部材との間にスペーサー部材がそれぞれ設けられる、In the height changing step, a spacer member is provided between the sun gear and the member that supports the sun gear, and between the internal gear and the member that supports the internal gear, respectively.
請求項3に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。The manufacturing method of the glass substrate for information recording media of Claim 3.
前記高さ変更工程が行われた直後の前記第2セット工程および前記第2摺動工程においては、未使用状態にある前記他のキャリアが前記一方のキャリアとして用いられる、
請求項1から4のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
In the second setting step and the second sliding step immediately after the height changing step, the other carrier in an unused state is used as the one carrier.
The manufacturing method of the glass substrate for information recording media in any one of Claim 1 to 4.
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