JP6039193B2 - 電力変換用途用のバスバー - Google Patents

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Description

本発明は、一般にバスバー設計に関し、より詳細には電力変換用途に用いるための改良されたバスバーに関する。
現在の電力変換用途は、ますますより高速な電力モジュール(たとえば半導体)を有する。この電力変換アセンブリの増加する電力および速度に伴う目標は、システム内の相互接続全体にわたるインダクタンスを最小にして電圧オーバシュートを低減することである。リングアップまたは電力スパイクの大きさを減少することによってシステムを稼働するのに必要な電力が少なくなり、最終的に結果としてより効率的なシステムをもたらす。
したがって、その中のバスバー設計を含む、電力変換アセンブリのための全体的なシステム効率の向上に継続的な必要性がある。
米国特許第6757175号明細書
本発明は、改良されたバスバー設計を提供することによって上述の欠点の少なくとも一部を克服する。より具体的には本発明は、バスバー、および低減されたインダクタンスおよび改善されたシステム効率を結果として生じるバスバー設計を組み入れた電力変換アセンブリを対象とする。
したがって本発明の一態様によれば、バスバーは、複数の端子位置を有する第1の平面導体と、複数の端子位置を有する第2の平面導体と、第1の平面導体と第2の平面導体の間に配置された第1の平面絶縁体と、第1の平面導体に電気的に接続された第1のインピーダンス素子であって、第1の平面導体とは同一平面上にない平面内に延びる、第1のインピーダンス素子と、第2の平面導体に電気的に接続された第2のインピーダンス素子であって、第2の平面導体とは同一平面上にない平面内に延び、さらに第1のインピーダンス素子および第2のインピーダンス素子は、それらの間に間隙を画定するように構成される、第2のインピーダンス素子と、間隙内に配置された第2の平面絶縁体とを備える。
本発明の他の態様によれば、電力変換アセンブリは、バスバーであって、複数の端子位置を有する第1の平面導体と、複数の端子位置を有する第2の平面導体と、第1の平面導体と第2の平面導体の間に配置された第1の平面絶縁体と、第1の平面導体に電気的に接続された第1のインピーダンス素子であり、第1の平面導体とは同一平面上にない平面内に延びる、第1のインピーダンス素子と、第2の平面導体に電気的に接続された第2のインピーダンス素子であり、第2の平面導体とは同一平面上にない平面内に延び、さらに第1のインピーダンス素子および第2のインピーダンス素子が、それらの間に間隙を画定するように構成される、第2のインピーダンス素子と、間隙内に配置された第2の平面絶縁体とを備えるバスバーと、バスバーに接続されたエネルギー源と、バスバーに接続された電力スイッチとを備える。
本発明の様々な他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および図面から明らかになるであろう。
図面は、本発明を実施するための現在企図される一実施形態を示す。
本発明の態様によるバスバーの分解組立図で表した正面斜視図である。 本発明の態様によるバスバーの一部分の拡大上面図である。 本発明の態様による図2のバスバーの一部分の側面図である。 本発明の態様による図2のバスバーの一部分の正面図である。 本発明の態様による電力変換アセンブリの一部分の概略図である。 本発明の態様による電力変換アセンブリの概略図である。 本発明の態様による、単一接続のベースラインバスバーに対するQ3D Extractor電流密度解析の上面図である。 本発明の態様による、Mod1を有するバスバーに対するQ3D Extractor電流密度解析の上面図である。 本発明の態様による、Mod2を有するバスバーに対するQ3D Extractor電流密度解析の上面図である。 本発明の態様による、ソースおよびシンク端子のラベルが付けられた、Q3D Extractorからの有限要素モデルの正面斜視図である。 本発明の態様による、第1の変更(Mod1)を有するバスバーに対するQ3D Extractorからの有限要素モデルの正面斜視図である。 本発明の態様による図11AからのMod1の拡大図である。 本発明の態様による、第2の変更(Mod2)を有するバスバーに対するQ3D Extractorからの有限要素モデルの正面斜視図である。 本発明の態様による図12AからのMod2の拡大図である。
本発明の態様が従来のバスバーに対して利点をもたらすこと、および前記バスバーを使用した電力変換アセンブリについて示した。バスバー導体は、電圧オーバシュートを低減するようにインダクタンスを最小化するのに役立つインピーダンス素子を含む。最終的にバスバー全体にわたるインダクタンスは低減され、結果として改良されたバスバーを用いた電力変換アセンブリの性能および効率が改善される。
図1を参照すると、本発明の態様によるバスバー10の分解組立図で表した正面斜視図が示される。図示のようにバスバー10は、第1の平面絶縁体40がそれらの間に配置された、2つのほぼ平面の導体20、30を備えることができる。第2の平面絶縁体45は、図を見やすくするためにのみ省いている(たとえば、図2〜5を参照)。第1の平面導体20は下部導体を構成することができ、第2の平面導体30は上部導体を構成することができる。第1の平面導体すなわち下部平面導体20は、1つまたは複数の電力スイッチ(たとえば図6参照)に接続するための複数の端子コネクタ22を含むことができる。同様に第2の平面導体すなわち上部平面導体30は、1つまたは複数の電力スイッチ(たとえば図6参照)に接続するための複数の端子コネクタ32を含むことができる。上部導体30および下部導体20はそれぞれさらに、バスバー10を1つまたは複数のエネルギー源(たとえば図6参照)にさらに接続するための複数の端子コネクタ32、22を含む。このようにしてバスバー10は、電力変換アセンブリ100(図6)を構成するために、複数の電力スイッチ70(図6)および複数のエネルギー源60(図6)に接続可能となるように適切に組み立てられる。
下部導体20はさらに、下部導体20に電気的に接続するように構成された、第1のインピーダンス素子24を備えることができる。第1のインピーダンス素子24は、下部導体20の平面から離れて平面的に延びることができる。たとえば第1のインピーダンス素子24は、下部導体20の平面にほぼ垂直になるように延びることができる。第1のインピーダンス素子24は、下部導体20に固定することができ、または他の実施形態では下部導体20に着脱可能に取り付けることができる。一実施形態では図示のように第1のインピーダンス素子24は、L字形とすることができる。
同様に第2の導体30はさらに、上部導体30に電気的に接続するように構成された第2のインピーダンス素子34を備えることができる。第2のインピーダンス素子34は、上部導体30の平面から離れて平面的に延びることができる。たとえば第2のインピーダンス素子34は、上部導体30の平面にほぼ垂直になるように延びることができる。第2のインピーダンス素子34は、上部導体30に固定することができ、または他の実施形態では上部導体30に着脱可能に取り付けることができる。一実施形態では図示のように第2のインピーダンス素子34は、L字形とすることができる。第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34は、他の形状、たとえば湾曲形、直線などとすることができる。
第1の導体20および第2の導体30は、適当な導電率および/または低い電気抵抗特性をもたらす任意の適当な材料または材料の組み合わせから構成することができる。たとえば第1の導体20および第2の導体30は、銅、アルミニウム、銀、金、それらの合金、金属、およびそれらの組み合わせの少なくとも1つを含むことができる。同様に第1の導体20と第2の導体30の間に挟まれた第1の平面絶縁体40は、第1の導体20と第2の導体30の間に適当な電気絶縁特性をもたらす任意の適当な材料または材料の組み合わせを含むことができる。たとえば第1の平面絶縁体40は、ポリイミド、エポキシガラス(たとえばFR4)、ポリテトラフルオロエチレン、その他の非導電性絶縁体(たとえばアイソレータ)などを含むことができる。同様に第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34は、適当な導電率および/または低い電気抵抗をもたらす任意の適当な材料または材料の組み合わせから構成することができる。
当業者には、本発明の意図から逸脱せずに、図1に示すもの以外の形状、サイズ、および構成を使用できることが明らかであろう。例のみとして図示のバスバー10は、3つの電力スイッチおよび3つのエネルギー源に接続するための端子接続22、32を有するが、明らかに、バスバー10は、他の数量およびタイプのデバイスに接続するように構成することができる。
いずれにしても図2を参照すると、バスバー10の端子接続領域の1つの拡大図が示される。バスバー10は、第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34がほぼ隣接し、それによってそれらの間に間隙50を画定するように構成される。一実施形態では、第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34がほぼ平行になるように構成される。このようにしてインピーダンスは、バスバー10全体にわたってさらに低下される。
第2の平面絶縁体45は、間隙50内に配置される。第1の平面絶縁体40のように、第2の平面絶縁体45は、ポリイミド(たとえばカプトン)、エポキシガラス(たとえばFR4)、ポリテトラフルオロエチレン(たとえばテフロン(登録商標))、その他の非導電性絶縁体(たとえばアイソレータ)などを含むことができる。
また図3および4を参照すると端面図および正面図は、第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34と、それらの間の間隙50との関係を示す。間隙50は、実施形態に応じて約5ミルから約50ミルの範囲内とすることができる間隔dを有する。他の実施形態では間隙50の間隔dは、約1ミルから約70ミルとすることができる。第2の平面絶縁体45は間隙50内に配置され、部分的にまたは全体に間隙50を満たすことができる。
第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34の高さは、第1の平面導体20および第2の平面導体30の平面からの任意の適当な高さとすることができる。例としてのみおよび非限定的に、第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34の高さは、約0.25インチから約1.0インチの範囲内とすることができる。明らかに、本発明から逸脱せずに他の適当なサイズを用いることができる。
図5は、本発明によるバスバー10の一部分の概略図を示す。図示のように少なくとも1つの電力スイッチ70が、バスバー10に接続される。さらに少なくとも1つの電流ソース60が、バスバー10に接続される。第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34は、それらの間に間隙50を画定するように構成される。第2の平面絶縁体45は間隙50内に配置される。さらに第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34は、間隙50が、少なくとも1つの電力スイッチ70と少なくとも1つの電流ソース60の間のほぼ電流経路75の近くおよび/または電流経路75内に位置するように構成される。第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34の総平面領域、および間隙50およびそれらの間の第2の平面絶縁体45の両方が、バスバー10全体にわたるインピーダンスに影響を与える。このようにして諸素子を、バスバー10全体にわたるインピーダンスが大幅に低減されるように構成することができる。
図6は、電力変換アセンブリすなわちアセンブリ100を示し、アセンブリ100は、共にバスバー10に電気的に接続された、複数の電力スイッチ70および複数のエネルギー源60を備える。複数の電力スイッチ70はさらに負荷80に接続される。負荷80は、多相電気モータ(たとえばリニアまたはロータリ)、DC電気モータ(たとえばリニアまたはロータリ)および/または、DC電力、AC電力または電流を必要とする電気負荷(たとえば、電流は必要であるが電力は大きくないMRI傾斜磁場コイル)などの、任意の適当な電気負荷とすることができる。図示のように、複数の第1のインピーダンス素子24および第2のインピーダンス素子34は、ほぼ、複数の電力スイッチ70と複数のエネルギー源60の間の電流経路内にあるように構成される。このようにしてバスバー10全体にわたるインダクタンスは効果的に低減され、それに伴ってアセンブリ100の全体的な効率および性能が改善される。
当業者には本発明の態様から逸脱せずに、図6に示すもの以外の実施形態が明らかであろう。たとえばアセンブリ100において、3つの電力スイッチ70および3つのエネルギー源60とは異なる数量を用いることができる。バスバーに接続された電力スイッチ70およびエネルギー源60の数量は、1つから任意の複数とする(たとえばn個で、nは無限に近い数量に近付く)ことができる。任意の機械的素子および任意の固体素子を含む、任意の適当なタイプの電力スイッチ70を用いることができる。適当な電力スイッチ70には、たとえば単一スイッチ、6個パック、複数スイッチデバイス、電力モジュール、ハーフブリッジなどが含まれる。同様にたとえばコンデンサ、電気化学電池などを含む、任意の適当なエネルギー源60を用いることができる。
一実施形態では、バスバーのサイズは、ヒートシンク上の電力モジュールの幅(たとえば、3)、およびモジュールの正および負端子とコンデンサ上の電気的接続との間の距離によって確定することができる。バスバー内のインダクタンスを低減するには、正および負プレートの間に絶縁材料の薄い層を有することが望ましい。適当な絶縁材料は、たとえば0.005インチの厚さのカプトン材料などの誘電材料とすることができる。
正および負電圧プレートは、モジュール端子およびコンデンサ上の接続点の近傍に沿面距離を組み入れるように設計することができる。解析は、寄生インダクタンスを計算するためにAnsoft Q3D Extractorを用いて行った。バスバー上の計算を行うために、解析には電力モジュールおよびコンデンサは含まれない。ソースおよびシンク位置を特定し、コンデンサ端子は短絡した。
図7はA相のソースおよびシンク端子の解析結果を示し、銅の正および負電圧プレート内のベースライン電流密度を示す。ベースライン構成は、下部および上部導体においてそれぞれの第1および第2のインピーダンス素子を除く。B相およびC相構成の解析も行われた。図10はソースおよびシンク端子のラベルが付けられた、Q3D Extractorからの有限要素モデルの正面斜視図を示す。
第1の変更(すなわちMod1)は、モジュール端子位置にて、垂直に(バスバーの平面にほぼ垂直に)延びる平行な導電経路を形成した。図8は、銅の正および負電圧プレート内の電流密度を示す解析結果を示している。図11Aおよび11Bはそれぞれ、第1の変更(Mod1)を有するバスバーに対するQ3D Extractorからの有限要素モデルの正面斜視図および拡大図を示す。
第2の変更(すなわちMod2)は、モジュール端子位置にて、直角(たとえばL字形)に垂直に(バスバーの平面にほぼ垂直に)延びる平行な導電経路を形成した。図9は、銅の正および負電圧プレート内の電流密度を示す解析結果を示している。図12Aおよび12Bはそれぞれ、第2の変更(Mod2)を有するバスバーに対するQ3D Extractorからの有限要素モデルの正面斜視図および拡大図を示す。
表1は、行ったすべての解析に対する、計算されたインダクタンスおよび抵抗を要約している。
試験したアセンブリの一実施形態は、3個の1200V、450Aのカスタム電力モジュールのそれぞれの正および負端子をDCリンクコンデンサ(たとえば、3個のElectronic Concepts UL31ポリプロピレンコンデンサ)に相互接続するための積層されたバスバーを組み込んだ電力増幅器を含む。3つの幾何学的構成について解析した。正電圧端子からコンデンサまで、および負電圧に戻るまでのループインダクタンスは、3つの構成に対してそれぞれ、10.95nH、7.75nH、および6.72nHであった。
一実施形態では電力増幅器設計またはアセンブリは、3つの450A、1200Vハーフブリッジモジュール、ヒートシンク、バスバー、DCリンクコンデンサ、ゲート駆動カード、およびコントローラカードを組み込む。モジュールは、一体化された液体冷却用の1mm×3mmの深さの流路を有するアルミニウム−シリコン(AlSi)金属基複合材料(metal matrix composite:MMC)ベースプレートを含む。電力モジュールは、3つのハーフブリッジモジュールへのマニホルドおよび液圧相互接続を組み込んだアルミニウムA16061−T6ヒートシンクに取り付けられる。バスバーは、モジュールおよびDCリンクコンデンサに取り付けられる。ゲート駆動カードは、電力モジュールとゲート駆動カードの間に配置されたバスバーによって、各1200V、450Aモジュールの上に直接取り付けられる。コントローラカードは、ゲート駆動カードの上に取り付けられる。
したがって本発明の一実施形態によれば、バスバーは、複数の端子位置を有する第1の平面導体と、複数の端子位置を有する第2の平面導体と、第1の平面導体と第2の平面導体の間に配置された第1の平面絶縁体と、第1の平面導体に電気的に接続された第1のインピーダンス素子であって、第1の平面導体とは同一平面上にない平面内に延びる、第1のインピーダンス素子と、第2の平面導体に電気的に接続された第2のインピーダンス素子であって、第2の平面導体とは同一平面上にない平面内に延び、さらに第1のインピーダンス素子および第2のインピーダンス素子はそれらの間に間隙を画定するように構成される、第2のインピーダンス素子と、間隙内に配置された第2の平面絶縁体とを備える。
本発明の他の実施形態によれば、電力変換アセンブリは、バスバーであって、複数の端子位置を有する第1の平面導体と、複数の端子位置を有する第2の平面導体と、第1の平面導体と第2の平面導体の間に配置された第1の平面絶縁体と、第1の平面導体に電気的に接続された第1のインピーダンス素子であって、第1の平面導体とは同一平面上にない平面内に延びる、第1のインピーダンス素子と、第2の平面導体に電気的に接続された第2のインピーダンス素子であって、第2の平面導体とは同一平面上にない平面内に延び、さらに第1のインピーダンス素子および第2のインピーダンス素子はそれらの間に間隙を画定するように構成される、第2のインピーダンス素子と、間隙内に配置された第2の平面絶縁体とを備えるバスバーと、バスバーに接続されたエネルギー源と、バスバーに接続された電力スイッチとを備える。
本発明について好ましい実施形態によって説明してきたが、明示的に述べたものとは別に等価物、代替形態、変更形態が可能であり、添付の特許請求の範囲に含まれることを理解されたい。
10 バスバー
20 第1の平面導体
22 端子コネクタ
24 第1のインピーダンス素子
30 第2の平面導体
32 端子コネクタ
34 第2のインピーダンス素子
40 第1の平面絶縁体
45 第2の平面絶縁体
50 間隙
60 エネルギー源
70 電力スイッチ
75 電流経路
80 負荷
100 電力変換アセンブリ

Claims (10)

  1. 複数の第1の端子位置(22)を有する第1の平面導体(20)と、
    複数の第2の端子位置(32)を有する第2の平面導体(30)と、
    前記第1の平面導体(20)と前記第2の平面導体(30)の間に配置された第1の平面絶縁体(40)と、
    前記第1の平面導体(20)に電気的に接続された第1のインピーダンス素子(24)であって、前記第1の平面導体(20)とは同一平面上にない平面内に延びる、第1のインピーダンス素子(24)と、
    前記第2の平面導体(30)に電気的に接続された第2のインピーダンス素子(34)であって、前記第2の平面導体(30)とは同一平面上にない平面内に延び、さらに前記第1のインピーダンス素子(24)および前記第2のインピーダンス素子(34)は、それらの間に間隙(50)を画定するように構成される、第2のインピーダンス素子(34)と、
    前記間隙(50)内に配置された第2の平面絶縁体(45)と
    を備え、
    前記第1のインピーダンス素子(24)および前記第2のインピーダンス素子(34)が前記第1の平面導体(20)とは同一平面上にない2つの平面内に延びるL字形であり、
    前記第2の平面絶縁体(45)が前記第1のインピーダンス素子(24)と同一面にある
    バスバー(10)。
  2. 前記間隙(50)が約1ミルから約70ミルの範囲内である、請求項1記載のバスバー(10)。
  3. 前記第1のインピーダンス素子(24)の第1の部分と前記第2のインピーダンス素子(34)の第1の部分と、前記第2の平面絶縁体(45)の第1の部分とがほぼ平行であり、
    前記第1のインピーダンス素子(24)の第2の部分と前記第2のインピーダンス素子(34)の第2の部分と、前記第2の平面絶縁体(45)の第2の部分とがほぼ平行である、請求項1または2に記載のバスバー(10)。
  4. 前記第1の平面絶縁体(40)および前記第2の平面絶縁体(45)の1つが、ポリイミド、エポキシガラス、およびポリテトラフルオロエチレンからなる、請求項1乃至3のいずれか記載のバスバー(10)。
  5. 前記第1のインピーダンス素子(24)および前記第2のインピーダンス素子(34)は、前記間隙(50)が、前記第1の端子位置(22)の1つと前記第2の端子位置(32)の1つとの間に位置するように配置される、請求項1乃至4のいずれか記載のバスバー(10)。
  6. 前記第1のインピーダンス素子(24)および前記第2のインピーダンス素子(34)の1つが、前記第1の平面導体(20)および前記第2の平面導体(30)にほぼ垂直である、請求項1乃至5のいずれか記載のバスバー(10)。
  7. 前記第1及び第2の端子位置(22、32)が、エネルギー源(60)および電力スイッチ(70)の1つに接続するように構成された、請求項1乃至6のいずれか記載のバスバー(10)。
  8. 前記エネルギー源(60)が、コンデンサおよび電気化学電池の1つを備える、請求項記載のバスバー(10)。
  9. 実質的に前記第1の平面導体(20)および前記第2の平面導体(30)の電流経路(75)内で、前記第1のインピーダンス素子(24)および前記第2のインピーダンス素子(34)が、前記第1の平面導体(20)および前記第2の平面導体(30)に接続される、請求項1乃至8のいずれか記載のバスバー(10)。
  10. 請求項1乃至9のいずれかに記載のバスバー(10)と、
    前記複数の第1の端子位置(22)及び前記複数の第2の端子位置(32)の一方と負荷との間に電気的に接続された、複数の電力スイッチ(70)と、
    を備え、
    前記複数の第1の端子位置(22)及び前記複数の第2の端子位置(32)の他方に複数のエネルギー源(60)が電気的に接続され、
    前記バスバー(10)が複数の第1及び第2のインピーダンス素子(24、34)の組を備え、
    前記複数の第1及び第2のインピーダンス素子(24、34)の組の各々が、対応する電力スイッチ(70)と対応するエネルギー源(60)の間の電流経路内にあるように配置される、電力変換アセンブリ。
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