JP6019042B2 - レーザ液滴プラズマ照明器による光学結像システム - Google Patents
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Description
ウェハ140に直接送られ、そのとき、オブスキュレーションは非常にわずかな量に過ぎず、また、対物レンズ130のほぼ全体が結像のために利用可能である。
Claims (25)
- 装置であって、
光源を備え、前記光源は、
フィード材の液滴のシーケンスを吐出する液滴発生器と、
前記フィード材の液滴に向けられる励起光を生成するレーザとを備え、前記励起光と前記フィード材の液滴との相互作用は、前記液滴をイオン化させ、それにより、照明光を放出するプラズマを形成し、前記照明光は、約40ナノメートル〜約200ナノメートルのスペクトル領域内の光を含み、前記照明光は、40ナノメートル〜55ナノメートルのスペクトル範囲内で少なくとも10W/mm 2 −srの放射強度を有し、前記照明光は、試料を照明するために使用可能である装置。 - 前記励起光は、1ナノ秒と40ナノ秒との間のパルス持続期間を有する固体レーザによって生成される請求項1に記載の装置。
- 前記励起光の波長は約1ミクロンである請求項2に記載の装置。
- 前記固体レーザによって生成されるパルスのエネルギーは、1ミリジュールと20ミリジュールとの間にある請求項2に記載の装置。
- 前記固体レーザは、イッテルビウム(Yb)ベース固体レーザおよびネオジウム(Nd)ベース固体レーザからなる群から取得される請求項2に記載の装置。
- 前記フィード材は、希ガス、アルカリ金属、および金属ハロゲン化物の任意のものを含む請求項1に記載の装置。
- 前記プラズマは、8エレクトロンボルトと20エレクトロンボルトとの間の温度に達する請求項1に記載の装置。
- 前記照明光は、100ナノメートル〜200ナノメートルのスペクトル範囲内で少なくとも10W/mm2−srの放射強度を有する請求項1に記載の装置。
- 前記フィード材は、水素化物分子組成物または酸化物分子組成物内にGa、In、C、Si、Zn、Cu、およびOのうちの任意のものを含む請求項8に記載の装置。
- 前記フィード材は、SiH4、SiO2、O2、CH4、H2O、およびCO2から取得される請求項8に記載の装置。
- 前記プラズマは、4エレクトロンボルトと10エレクトロンボルトとの間の温度に達する請求項8に記載の装置。
- 前記試料を照明するために使用可能である前記プラズマによって放出される前記照明光を採取する集光器と、
前記試料に入射する前記照明光に応答して前記試料から放出される被収集光を採取し拡大し、前記被収集光を検出器に向ける対物レンズとをさらに備える請求項1に記載の装置。 - 前記対物レンズは、前記照明光を前記試料に向け、前記照明光および前記被収集光は、前記対物レンズの瞳面内で空間的に分離された領域を占める請求項12に記載の装置。
- 前記対物レンズは、前記照明光を前記試料に向け、前記照明光および前記被収集光は、前記対物レンズの瞳面内で空間的にオーバラップした領域を占める請求項12に記載の装置。
- 前記照明光を前記集光器から前記試料に向ける少なくとも1つの照明光学部品(optics)をさらに備え、前記対物レンズの瞳面は、被収集光だけを含む請求項12に記載の装置。
- 前記照明光を前記集光器から、不均一プロファイルを有する前記対物レンズの少なくとも1つの反射要素に向ける少なくとも1つの照明光学部品をさらに備え、前記要素の第1の部分は、前記照明光を前記試料に反射させ、前記要素の第2の部分は、前記照明光に応答して前記試料から放出される前記被収集光を採取する請求項12に記載の装置。
- 前記検出器は、シリコン時間遅延および積分(TDI)センサである請求項12に記載の装置。
- 前記試料は、パターン付き半導体ウェハである請求項1に記載の装置。
- 前記プラズマの幾何学的形状は、前記対物レンズのエタンデュに実質的に一致するサイズに作られる請求項12に記載の装置。
- 半導体ウェハ検査のためのシステムであって、
光源であって、
フィード材の液滴のシーケンスを吐出する液滴発生器、および、
前記フィード材の液滴に向けられる励起光を生成するレーザを備え、前記励起光と前記フィード材の液滴との相互作用は、前記液滴をイオン化させて、照明光を放出するプラズマを形成する、光源と、
試料に入射する前記照明光に応答して前記試料から放出される被収集光を採取し拡大し、前記被収集光を検出器に向ける対物レンズとを備え、前記照明光は、40ナノメートル〜55ナノメートルのスペクトル範囲内で少なくとも10W/mm 2 −srの放射強度を有するシステム。 - 前記対物レンズは、前記被収集光の光学経路内に複数の反射要素を備え、前記複数の反射要素は、MgF2でオーバコートされたアルミニウムで構築される請求項20に記載のシステム。
- 前記照明光は、100ナノメートル〜200ナノメートルのスペクトル範囲内で少なくとも10W/mm2−srの放射強度を有する請求項20に記載の装置。
- 前記対物レンズは、前記被収集光の光学経路内に複数の反射要素を備え、前記複数の反射要素は、Sc/Si材料対でコーティングされ、ブラッグミラー配置で構成される請求項22に記載の装置。
- 半導体ウェハを検査する方法であって、
フィード材の液滴のシーケンスを吐出すること、
レーザによって生成される励起光を前記フィード材の液滴にフォーカスすることであって、それにより、照明光を放出するプラズマを点火させる、フォーカスすること、および、
前記照明光によって照明される半導体ウェハから反射される光を検出することを含み、前記照明光は、40ナノメートル〜55ナノメートルのスペクトル範囲内で少なくとも10W/mm 2 −srの放射強度を有する方法。 - 方法であって、
フィード材の液滴のシーケンスを吐出すること、および、
レーザによって生成される励起光を前記フィード材の液滴にフォーカスすることであって、それにより、40ナノメートル〜55ナノメートルのスペクトル範囲内で少なくとも10W/mm2−srの放射強度を有する照明光を放出するプラズマを点火させる、フォーカスすることを含む方法。
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