JP6012541B2 - 光電気複合パッケージ、光電複合パッケージシステム - Google Patents

Description

本発明は、光信号が伝搬する構造を有する光電気複合パッケージ、光素子等が搭載された光電複合パッケージシステムに関するものである。

従来、パッケージ基板に光信号を通過させるため、基板に貫通孔を空けて光導波路を形成していた。これら光導波路は、例えば、セラミック基板を用いた場合、光を透過させるため、貫通孔（貫通光スルーホール部分）を樹脂で埋めていた（特許文献１〜３参照）。

特開２００８−２４１９５６号公報 特開２０１０−１３４２９９号公報 特開２０１２−１７７８４８号公報

しかし、この貫通光スルーホールは、加工による位置ズレや、基板の熱収縮による光軸ズレから、光結合効率を低下させる。また、光スルーホール部分は、液状の樹脂を埋め、硬化させて作成されている。しかし、回路動作時の熱収縮/熱膨張の繰り返しにより、固定されている樹脂部分（光スルーホール部分）に、クラック等の破壊や剥離が生じる。光スルーホールにクラックや剥離が発生することで、光スルーホールの位置ずれ等が起こり、光電気複合パッケージの性能を大きく低下させる。更に、光電気複合パッケージに搭載される素子等の半導体チップは、昨今、更に狭ピッチ化が進んでいるため、光結合の位置ズレ許容度を抑制する必要がある。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、光結合効率を向上させた光電気複合パッケージ、光素子付き光電複合パッケージシステムを提供することにある。

その手段は、内壁面と外側面とを備えた枠体と、矩形の板状をなし、表面から裏面へ第１のビア導体を有し、少なくとも一方の面に、配線層を備え、枠体の内壁面に接合材を介して接合されるガラス部材と、前記ガラス部材の少なくとも一方の面に設けられ、内部に第２のビア導体、内部配線層及び光導波路の光導入路が係合する係合部を有する樹脂配線層と、を備えた光電気複合パッケージである。
ガラス部材（ガラスインタポーザ）は、樹脂より熱膨張率が小さいため、位置ズレによる光結合効率低下を抑制できる。光の透過率だけを考えれば、本来、光電気複合パッケージをガラス部材で形成するが好ましいが、ガラス自体は脆いため、ガラス部材（ガラスインターポーザ）を、他の枠体で囲えば、ガラス部材を保護することができる。

また、ガラス部材をガラスインターポーザとして用いれば、パッケージ基板に光信号を通過させるため、貫通孔を空けて光導波路を形成する必要がなく、貫通孔を空けて光導波路を設けた場合のような加工による位置ズレや、基板等の熱収縮による光軸ズレから、光結合効率の低下が起こらない。
また、ガラスは樹脂に比べて熱膨張率が小さいので、枠体とガラス部材の境界でクラック等の破断を抑制できる。そして、半導体チップ等の素子は、更に狭ピッチ化が進んでいるが、光結合の位置ズレが生じにくい。ガラスは光素子との熱膨張差が少なく、ガラスは樹脂よりも熱膨張率が小さいので、ガラス部材であれば、熱膨張による変形を緩和し、光結合効率を向上させることができる。

また、枠体との接合と相俟って、ガラス部材の反りを低減し、光結合効率を改善するとともに、光素子、半導体素子との接続信頼性を向上させることができる。
枠体が、内壁面と外側面とを備え、矩形の板状であれば、作業性も扱いも容易である。
また、枠体内に配置されるガラス部材の表面から裏面へ第１のビア導体を有しているので、表面と裏面との電気的接続が容易である。
樹脂配線層が、ガラス部材の少なくとも一方の面に設けられ、その内部に第２のビア導体及び内部配線層を有するため、これらのビア導体等によって、電気的信号、電源の供給が容易となる。

また、ガラス部材は破損し易く、光信号を伝送させる光導波路との位置あわせ機構を設けることは困難であるが、樹脂配線層に、光導波路の光導入路が係合する係合部を有するため、容易に、光導波路の光導入路が係合でき、ガラス部材を介して、光素子からの光信号の送信又は、光素子への光信号の受信が可能である。
枠体が、セラミック又は樹脂からなることが好ましい。セラミック又は樹脂は、ガラス部材より、脆くなく、ガラス部材を適切に保護できる。
枠体とガラス部材とを接合する接合材が、樹脂からなることが好ましい。樹脂であれば、容易に接合できる。また、接合材として用いられる樹脂は、枠体に用いられる材料よりも弾性率が小さいことが好ましい。これにより、ガラス部材と枠体の熱膨張差が大きい場合でも接合材が緩衝材としての役割を果たし、熱膨張による応力を緩和できる。
枠体の厚みが、ガラス部材より厚いことが好ましい。ガラスの厚み方向が全て、枠体で覆われることにより、ガラス部材の破損等を容易に防止できる。そして、枠体を厚くしても、光伝送損失を増大させることなく、光電気複合パッケージの剛性を向上し、反りを防止することができる。

ガラス部材の厚みが、２００μｍ以下であることが好ましい。光信号をガラス部材に損失なく通過させるためには、ガラス部材を薄くする必要がある。一方、非常に薄いガラス部材は、その取り扱い、加工が困難で、また、ガラス部材は、配線を形成のために樹脂を積層する場合は、その樹脂の積層数や、基板面内を占める配線（信号層、電源層、グランド層等）の占める割合の違いにより、反りが起こり、その反りによる基板の変形は、光軸ズレなどの位置ズレを引き起こし、光信号の伝送効率を低下させる。そのため、ガラス部材の厚みは、破損、反りを考慮し、少なくとも３０μｍ以上であることが好ましい。

枠体の厚みが、４００μｍ以上であることが好ましい。枠体の厚みを、４００μｍ以上にすることにより、枠体自体の強度も確保でき、薄いガラス部材を十分保護できる。また厚みの上限に関しては、パッケージはマザーボード上に実装される。本発明の枠体は４００μｍ以上の範囲で適宜設定できるが、多数のボード設置するサーバコンピュータによっては、ボード間隔が数ｃｍ程度と狭いため、枠体の厚みは最大２ｍｍ程度に設定されることが好ましい。

ガラス部材の透過率が、波長８５０ｎｍ〜１３００ｎｍの光に対して、８０％以上であることが好ましい。透過率が８０％以上であれば、光の透過性を十分確保できる。
前記ガラス部材に、直接的に又は間接的にＬＳＩ、光素子等の素子を実装するためのバンプを備えることが、好ましい。そのバンプを介して、直接的に又は間接的にＬＳＩ、光素子等の素子が搭載でき、光電気複合パッケージシステムとすることができる。
樹脂配線層の前記係合部に、光導波路の光導入路が係合されることが好ましい。係合部により、光導波路の光導入路が容易に係合でき、ガラス部材を介して、光素子からの光信号の送信又は、光素子への光信号の受信が可能である。

また、ガラス部材において、樹脂配線層とは、反対面に、樹脂層を形成することもできる。その樹脂層には、ビア導体、内部の配線を適宜設けることでき、その上にバンプを設け、ＬＳＩ、光素子等の素子の搭載をすることができる。

実施例１の光電気複合パッケージを示す概略断面図 実施例１の光電気複合パッケージの製造工程示す説明図（その１） 実施例１の光電気複合パッケージの製造工程示す説明図（その２） 実施例２の光電気複合パッケージを示す概略断面図 実施例３の光電気複合パッケージシステムを示す概略断面図 実施例４の光電気複合パッケージシステムを示す概略断面図 実施例５の光電気複合パッケージ及び光電気複合パッケージシステムを示す概略断面図 光電気複合パッケージの係合部と光導波路の光導入路との嵌め合う前の状態を示す斜視図（模式図） 光電気複合パッケージの概略平面図

以下、本発明の実施形態について説明する。
（１）枠体２
枠体２の大きさとして、例えば、外周（５０ｍｍ×５０ｍｍ）、内周（３０ｍｍ×３０ｍｍ）で厚さ０．４ｍｍの平面視矩形の枠体２を使用することができる。そして、枠体の材料として、セラミック、樹脂等が使用できる。例えば、セラミックを使用する場合には、ラミネート成形したセラミック成形用グリーンシートを枠体形状にパンチング加工し、焼成し、得られる。樹脂を使用する場合には、プリプレグを使用してもよい。
（２）ガラス部材３
インターポーザとして機能するガラス部材３の大きさとして、例えば、外周（２９ｍｍ×２９ｍｍ）で、厚さ０．２ｍｍの平面視矩形のガラスを使用することができる。枠体２とガラス部材３の間隙は１ｍｍ以下に設定される。そして、ガラス部材３の材料として、アルカリガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルカリホウケイ酸ガラス、無アルカリホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス等が使用できる。

（３）ガラス部材３の第１のビア導体３１
第１のビア導体ビア３１は、ガラス部材３にレーザを照射することにより、穴をあけて、その穴を埋めるように、メッキを施して、作成することができる。この第１のビア導体３１は、このメッキとしては、例えば、銅（Ｃu）を無電解メッキにより、得られる。
この第１のビア導体３１は、ガラス部材３の表面から裏面へ貫通するように形成する。
（４）ガラス３部材の少なくとも一方の面に設けられる配線層３２
この配線層３２は、前記の第１のビア導体３１を設けてから、形成するのが好ましい。第１のビア導体３１と、配線層３２とが電気的に接続されるためである。その配線層３２は、無電解めっき膜を形成し、フォトリソグラフィーにより開口したフォトレジストから露出する無電解めっき膜に電解めっきを施し、レジスト除去、無電解めっき膜除去で配線を形成する（セミアディティブ法）。もしくは、電解めっきを全面に形成した後、フォトリソグラフィー、エッチングで配線を形成してもよい（サブトラクティブ法）のように形成される。配線層３２の厚みは、１０μｍ程度である。

（５）枠体２とガラス部材３との接合
枠体２及び配線層３２を備えたガラス部材３を、樹脂からなる接合材９で接合する。樹脂からなる接合材９として、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系などである。また、有機フィラーや無機フィラーを樹脂材料に含有させた接合材を用いてもよい。接合方法は、枠体２の内周面２１に、予め接合材９を塗布しておき、そこにガラス部材３を嵌め込み、熱処理することにより、接合する。また、ガラス部材３の外周に接合材９を塗布し、枠体２に嵌め込んでも良い。別の接合方法としては、ガラス部材３を枠体２の内側に設置した後、ディスペンサや圧入で間隙を接合材９で埋めてもよい。その場合の間隙は１ｍｍ以下であることが望ましい。ガラス部材３のクラック等の破損を防止するためには、枠体２の厚みをガラス部材３より厚くして、ガラス部材３が枠体２の内周面２１の中に収まるように接合するのがよい。また、後述する樹脂配線層４を、ガラス部材３及び枠体２に跨って設ける場合には、樹脂配線層４を設ける側は、段差がつかないように、ガラス部材３と枠体２が連続して、同一の面を形成するように接合するのがよい。

（６）ガラス部材３の少なくとも一方の面に設けられる樹脂配線層４
この樹脂配線層４は、内部に第２のビア導体４１、内部配線層４２及び光導波路５の光導入路５１が係合する係合部４３を有する。
（ａ） 樹脂配線層４は、前記配線層３２を設けた側に形成する場合もあるし、設けていない側に形成する場合がある。
（ｂ） 樹脂配線層４を形成する樹脂は、エポキシ、ポリイミドなどの透過性樹脂を使用できる。
（ｃ） 樹脂配線層４は、樹脂をガラス部材３上に設け、レーザ若しくはフォトリソグラフィーにより第２のビア導体が埋まる穴を形成し、その上に無電解めっき膜を形成する。次に配線となる部分をフォトリソグラフィーによりフォトレジストを開口し、露出する無電解めっき膜に電解めっきで第２のビア導体４１と配線を形成した後、レジスト除去と無電解めっき膜を除去して、内部配線層４２を形成する（いわゆるセミアディティブ法）。また、内部配線層４２となる部分以外をフォトリソグラフィーにより、エッチングすることにより内部配線層４２を作成してもよい（サブトラクティブ法）。必要に応じ、これらを繰り返し、積層する。
また、樹脂配線層４は、ガラス部材３上に配線層３２を形成後、その上に、形成してもよい。
（ｄ） 樹脂配線層４に形成する光導波路５の光導入路５１が係合する係合部４３は、例えば、凹部形状で作成する。樹脂配線層４は、エポキシ、ポリイミドなどの透過性樹脂で作成されているため、ガラス部材３における樹脂配線層４を設ける反対面側の光素子７’等の実装配線をアライメントマークとし、フォトリソグラフィーで凹部（係合部）４３を作製でき、形状としては、角形状、楕円形状が可能である。
また、レーザ等によりエッチング加工することで、凹部（係合部）４３を作製できる。樹脂配線層４（ビルドアップ層）は樹脂材料であるため、レーザの出力を調整することにより、ガラス部材３の表面でエッチングがストップし、安定した形状の係合部（凹部）４３を形成することができる。凹部の形状に合わせ、光導波路５のクラッドに凸部５１を形成し、固定する。反対面に搭載される光素子等７と凹部との位置合わせは、樹脂配線層４とガラス部材３が透明あるため、容易である。

（７）ガラス部材３に設けるバンプ８
バンプ８は、ガラス部材３に直接的に設けてもよく、樹脂４’を介して間接的に設けることができる。バンプ８は、例えば、半田材料にて形成する。そして、ＬＳＩ６、光素子７’等の素子７が搭載でき、光電気複合パッケージシステム１０とすることができる。
ここで、樹脂配線層４に形成する光導波路５の光導入路５１が係合する係合部４３は、ＬＳＩ６、光素子７’等の素子７の搭載後に、光素子７’の受発光点を観察しながら形成することもできる。
以下、本発明の実施例について説明する。

（実施例 １）
その構造を、図１に示すように、ガラス部材３の一方の面に第１の樹脂層４’及び他方の面側に樹脂配線層４を有する光電気複合パッケージ（１）である。
光電気複合パッケージ（１）は、内壁面（２１）と外側面（２２）とを備えたアルミナセラミック製の枠体（２）と、矩形の板状をなし、表面から裏面へ第１の銅（Ｃｕ）からなるビア導体（３１）を有し、少なくとも一方の面に、銅（Ｃｕ）からなる配線層（３２）を備え、枠体（２）の内壁面（２１）にエポキシ系の樹脂からなる接合材（９）を介して接合されるアルカリガラス製のガラス部材（３）と、前記ガラス部材（３）の一方の面に設けられ、第２の銅（Ｃｕ）からなるビア導体（４１）、銅（Ｃｕ）からなる内部配線層（４２）及び光導波路（５）の光導入路（５１）である凸部が係合する係合部（４３）である凹部を有するエポキシ系の樹脂配線層（４）と、樹脂配線層（４）の反対側の面に、ビア導体（４１’）を有する第１の樹脂層４’と、を備える。
そして、その作り方を図２と図３により、説明する。

（ａ）先ず、平面視矩形のガラス部材３（外周：２９ｍｍ×２９ｍｍ、厚さ：０．２ｍｍ）を準備して、ガラス部材３にレーザを照射することにより、スルーホール（３３）を形成する。
（ｂ）そのスルーホール（３３）を埋めるように、銅（Ｃu）の無電解メッキを行い、ガラス部材３の表面から裏面へ貫通するように第１のビア導体ビア３１ができる。
（ｃ）配線層３２は、銅（Ｃu）の無電解めっき膜を形成し、フォトリソグラフィーによりフォトレジストを開口し露出する無電解めっき膜に開口したフォトレジストから露出する無電解めっき膜に電解めっきを施し、レジスト除去、無電解めっき膜除去で配線を形成する（セミアディティブ法）。そして、その上に、第１の樹脂層４’を形成する。
この第１の樹脂層４’としては、フィラー含有量が少なく、波長８５０ｎｍ〜１３００ｎｍの光に対して、透過率が８０％以上のポリイミド樹脂をガラス部材３上に設け、フォトリソグラフィーによりビア導体４１’が埋まる穴を形成し、その上に銅（Ｃu）の無電解めっきを施し、ビア導体４１’とする。ビア導体４１’には、配線層３２と接続されるもの、第１のビア導体ビア３１に接続されるものがある。

（ｄ）プレス成形で作成したアルミナセラミックからなる平面視矩形の枠体２（外周：５０ｍｍ×５０ｍｍ、内周：３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ：０．４ｍｍ）を準備する。そして、ガラス部材３を枠体２の内側に設置した後、ディスペンサ用いて、エポキシ系の接合材９を、隙間に埋めて接合する。また、後述する樹脂配線層４が、ガラス部材３及び枠体２に跨って設けるため、樹脂配線層４を設ける側は、段差がつかないように、ガラス部材３と枠体２が連続して、同一の面を形成するように接合した。

（ｅ）ガラス部材３の第１の樹脂層４’が形成されていない面側に、樹脂配線層４を形成する。
その前に、先ず、前記と同様な手法で、ガラス部材３上に配線層３２を形成後、その上に、樹脂配線層４を形成する。
樹脂配線層４は、エポキシ樹脂をガラス部材３上に設け、フォトリソグラフィーにより第２のビア導体４１が埋まる穴を形成し、その上に銅（Ｃｕ）の無電解めっき膜を形成する。次に配線となる部分をフォトリソグラフィーによりフォトレジストを開口し露出する無電解めっき膜に銅（Ｃｕ）の電解めっきで第２のビア導体４１と配線を形成した後、レジスト除去と無電解めっき膜を除去して、内部配線層４２を形成する（いわゆるセミアディティブ法）。また、内部配線層４２となる部分以外をフォトリソグラフィーにより、エッチングすることにより内部配線層４２を作成してもよい（サブトラクティブ法）。必要に応じ、これらを繰り返し、積層する。

次に、光導波路５の光導入路５１が係合する係合部４３は、凹部形状で作成した。樹脂配線層４は、透過性のエポキシ樹脂で作成されているため、ガラス部材３における樹脂配線層４を設ける反対面側の光素子７’等の（図示していない）実装配線をアライメントマークとし、フォトリソグラフィーで凹部形状４３を作製し、形状は、角形状とした。
次に、樹脂配線層４側に、マザーボード等に接続するためのバンプ８’を設ける。バンプ８’は、第２のビア導体４１と接続している。

（ｆ） 次に、第１の樹脂層４’側に、ＬＳＩ６、光素子７’等の素子７等に接続するためのバンプ８を設ける。バンプ８は、必要に応じて、表面層４４を介して、ビア導体４１’と接続している。表面配線層４４は、内部配線層４２と同様な手法で形成できる。
そして、次に、樹脂配線層４に、光導波路５の光導入路５１（凸形状）を、係合部４３（凹部形状）に嵌め合わせる。

（実施例 ２）
その光電気複合パッケージの構造を、図４に示す。（実施例 １）との構造上の違いは、ガラス部材３の一方の面に第１の樹脂層４’がない点である。その構造上の違いにより、バンプ８が、第１のビア導体３１に直接接合するように、形成される。

（実施例 ３）
図５に示すように、（実施例 １）の光電気複合パッケージの樹脂４’側のバンプ８に、ＬＳＩ６、光素子７’等の素子７等を接続し、光電気複合パッケージシステム１０とする。光素子７は、送受信部は、光導入路５１（係合部４３）と位置合わせされている。

（実施例 ４）
図６に示すように、（実施例 ２）の光電気複合パッケージの樹脂４’側のバンプ８に、ＬＳＩ６、光素子７’等の素子７等を接続し、光電気複合パッケージシステム１０とする。光素子７は、送受信部は、光導入路５１（係合部４３）と位置合わせされている。

（実施例 ５）
光電気複合パッケージ１及びそれにＬＳＩ６、光素子７’等の素子７等を搭載した光電気複合パッケージシステム１０の構造を、図７に示す。その光電気複合パッケージ１に関し、（実施例 １）との構造上の違いは、（１）第１の樹脂層４’の上に、さらに第２の樹脂層４’’が形成されている点、（２）光素子７’が第２の樹脂層４’’へ埋め込まれている点、（３）光素子７’の送受信部とガラス部材３との間に空間４３’がある点、である。

（１）「第１の樹脂層４’の上にさらに第２の樹脂層４’’が形成されている点」
複数の第２の樹脂層４’’はビア導体４１’’と内部に配線層４２’’を有している。光電気複合パッケージに搭載される、ＬＳＩ６、素子７等が極端に狭ピッチである場合、第２の樹脂層４’’の配線の引き回しにより、ピッチを広げることができる。
（２）「光素子７’が第２の樹脂層４’’へ埋め込まれている点」
第１の樹脂層４’の上に複数の第２の樹脂層４’’を積層する場合、光素子７’からの光信号の通過距離を短く設定するために、光素子７’が第２の樹脂層４’’へ埋め込まれている。
（３）「光素子７’の送受信部とガラス部材３との間に空間４３’がある点」
光素子７’の送受信部とガラス部材３との間に空間４３’を設けることで、光素子７’からの光を空間４３’の屈折率よりもガラス部材の屈折率の方が大きいので、光導波路５の係合部４３方向に光素子７’からの光が集光する方向に屈折させることができる。

（作り方）
光電気複合パッケージ１に、係合部４３をアライメントマークとし、少なくとも一部が係合部４３と対向する位置にレーザを照射することにより第１の樹脂層４’に空間４３’を形成する。そして、第１の樹脂層４’上に、空間４３’と光素子７の送受信部とが対向するように、光素子７‘をバンプ８を介して実装する。
その後、エポキシ樹脂を第１の樹脂層４’上に設け、セミアディティブ法または、サブトラクティブ法等を用いてエポキシ樹脂にビア導体４１’’及び内部配線層４２’’を形成する。必要に応じ、これらを繰り返し、積層し第２の樹脂層４’’を形成する。そして、第２の樹脂層４’’上にバンプ８を介してＬＳＩ６、素子７等を接続する。

（その他）
図８に、光電気複合パッケージの係合部と光導波路の光導入路との嵌め合う前の状態を示す斜視図（模式図）を示す。そして、図９は、光電気複合パッケージの概略平面図で、図１から図９のうち、概略断面図は、図９のＡ−Ａの断面を示すものである。
本発明は、上述した実施の形態、実施例に限定されるわけではなく、その他種々の変更が可能である。

１ ：光電気複合パッケージ
２ ：枠体（セラミック）
２１：枠体の内壁面
２２：枠体の外側面
３ ：ガラス部材
３１：第１のビア導体
３２：配線層
３３：スルーホール
４ ：樹脂配線層
４１：第２のビア導体
４２：内部配線層
４３：係合部
４４：表面配線層
４’：樹脂層
４１’：ビア導体
４’’：第２の樹脂層
４１’’：第２のビア導体
４２’’：第２の内部配線層
５ ：光導波路
５１：光導入路
６ ：ＬＳＩ
７ ：素子
７’：光素子
８ ：バンプ
８’：バンプ
９ ：接合材（樹脂）
１０ ：光電気複合パッケージシステム

Claims (11)

1. 内壁面と外側面とを備えた枠体と、
   矩形の板状をなし、表面から裏面へ第１のビア導体を有し、少なくとも一方の面に、配線層を備え、枠体の内壁面に接合材を介して接合されるガラス部材と、
   前記ガラス部材の少なくとも一方の面に設けられ、内部に第２のビア導体、内部配線層及び光導波路の光導入路が係合する係合部を有する樹脂配線層と、を備えた光電気複合パッケージ。
2. 前記枠体が、セラミック又は樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の光電気複合パッケージ。
3. 前記接合材が、樹脂からなることを特徴とする請求項１又は２記載の光電気複合パッケージ。
4. 前記枠体の厚みが、前記ガラス部材より厚いこと、を特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電気複合パッケージ。
5. 前記ガラス部材の厚みが、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光電気複合パッケージ。
6. 前記枠体の厚みが、４００μｍ以上であることを特徴とする請求項５に記載の光電気複合パッケージ。
7. 前記ガラス部材の透過率が、８０％以上であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光電気複合パッケージ。
8. 前記ガラス部材に、直接的に又は間接的にＬＳＩ、光素子等の素子を実装するためのバンプを備えたことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光電気複合パッケージ。
9. 前記バンプを介して、ＬＳＩ、光素子等の素子が実装されたことを特徴とする請求項８に記載の光電気複合パッケージシステム。
10. 請求項１から８のいずれか１項に記載の光電気複合パッケージの前記係合部に、光導波路の光導入路が係合されたことを特徴とする光電気複合パッケージ。
11. 請求項９に記載の光電気複合パッケージシステムの前記係合部に、光導波路の光導入路が係合されたことを特徴とする光電気複合パッケージシステム。
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    

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