JP6007806B2 - CMOS comparator - Google Patents

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Description

本発明は、チャタリングの発生を防止したCMOSコンパレータに関する。   The present invention relates to a CMOS comparator that prevents chattering from occurring.

コンパレータは、2つの入力を比較し、一般には高電圧(H)と低電圧(L)の2値を出力する回路である。この2つの入力が微小な差であっても、増幅されて、出力では高電圧(H)と低電圧(L)の差が大きな値となっている。差動増幅器は増幅度が極大で、さらにコンパレータでは出力を負帰還しない。このため、チャッタリングが起こりやすい。したがって、コンパレータのチャタリング防止は極めて重要な事項である。従来、コンパレータにはヒステリシス機能を付与することで対応しており、これが必須である。2つの入力のうち、一方を入力電圧とし、他方を基準電圧として利用するのが一般的であるが、ヒステリシスを確保していないコンパレータは基準電圧もしくは入力電圧が(1)外部ノイズ、(2)他のブロックからのノイズにより、電位ゆれが発生する。その電位ゆれが要因で図9に示すように、コンパレータの出力にチャタリングが発生する。   The comparator is a circuit that compares two inputs and generally outputs a binary value of a high voltage (H) and a low voltage (L). Even if these two inputs are very small, they are amplified and the difference between the high voltage (H) and the low voltage (L) is a large value at the output. The differential amplifier has a maximum amplification level, and the comparator does not negatively feed back the output. For this reason, chattering is likely to occur. Therefore, preventing chattering of the comparator is an extremely important matter. Conventionally, a comparator is provided with a hysteresis function, which is essential. Of the two inputs, one is generally used as an input voltage and the other is used as a reference voltage. However, a comparator that does not ensure hysteresis has a reference voltage or input voltage of (1) external noise, (2) Potential fluctuations occur due to noise from other blocks. The potential fluctuation causes chattering in the output of the comparator as shown in FIG.

図9は、従来のCMOSコンパレータの一例を示した説明図で、図9(a)は、反転入力INNと、非反転入力INPを有する差動増幅回路によるCMOSコンパレータ、図9(b)は、ノイズによる電位ゆれを起こした入力電圧Vinと、それによるチャタリングが発生したコンパレータの出力電圧Voutを時間経過で示す。反転入力INNに印加された入力電圧Vinの電圧ゆれによる、基準電圧Vrefに対する上下の変化が、出力電圧Voutの立ち上がり、立下りの変化となり、チャタリングが発生する様子を示している。   FIG. 9 is an explanatory diagram showing an example of a conventional CMOS comparator. FIG. 9A shows a CMOS comparator using a differential amplifier circuit having an inverting input INN and a non-inverting input INP, and FIG. An input voltage Vin causing a potential fluctuation due to noise and an output voltage Vout of a comparator in which chattering has occurred are shown over time. The figure shows how chattering occurs due to the up and down changes with respect to the reference voltage Vref due to the fluctuation of the input voltage Vin applied to the inverting input INN as the rise and fall of the output voltage Vout.

図10(a)は、チャタリングを防止した従来のCMOSコンパレータの一例を示した説明図である。図10(b)は、入力電圧Vinと、出力電圧Voutとの間でおこるヒステリシス現象を模式的に示した説明図である。前記のようなチャタリングを防止するため、入力電圧Vinと非反転入力INP間に抵抗R1を挿入し、非反転入力INPと出力Voutとの間に抵抗R2を挿入して成るヒステリシス回路を追加している。   FIG. 10A is an explanatory diagram showing an example of a conventional CMOS comparator that prevents chattering. FIG. 10B is an explanatory diagram schematically showing a hysteresis phenomenon that occurs between the input voltage Vin and the output voltage Vout. In order to prevent such chattering, a hysteresis circuit is added in which a resistor R1 is inserted between the input voltage Vin and the non-inverting input INP, and a resistor R2 is inserted between the non-inverting input INP and the output Vout. Yes.

図10(a)、(b)で、コンパレータの入力電圧が低電圧Lから高電圧Hに変わるときの、入力電圧Vinの検知電圧(閾値)をVth、高電圧Hから低電圧Lに変わるときの、入力電圧Vinの検知電圧(閾値)をVtlとする。入力端子より抵抗R1に流れる電流をIとすれば、差動増幅器の入力インピーダンスが極大であることから、抵抗R2に流れる電流もIとなる。また、増幅度が極大であることから、非反転入力INPは、基準電圧Vrefとなる。   In FIGS. 10A and 10B, when the input voltage of the comparator changes from the low voltage L to the high voltage H, the detection voltage (threshold value) of the input voltage Vin changes from Vth and from the high voltage H to the low voltage L. The detection voltage (threshold value) of the input voltage Vin is Vtl. If the current flowing from the input terminal to the resistor R1 is I, the input impedance of the differential amplifier is maximal, so the current flowing to the resistor R2 is also I. In addition, since the amplification degree is maximum, the non-inverting input INP becomes the reference voltage Vref.

コンパレータが低電圧Lから高電圧Hに変わるときの、直前に流れる電流は、抵抗R1、抵抗R2について、それぞれ
I=(Vth−Vref)/R1=(Vref−L)/R2
となる。したがって、
Vth=(1+R1/R2)Vref−(R1/R2)L
となる。
When the comparator changes from the low voltage L to the high voltage H, the currents that flow immediately before are I = (Vth−Vref) / R1 = (Vref−L) / R2 for the resistors R1 and R2, respectively.
It becomes. Therefore,
Vth = (1 + R1 / R2) Vref− (R1 / R2) L
It becomes.

同様に、コンパレータが高電圧Hから低電圧Lに変わるときの、直前に流れる電流は、抵抗R1、抵抗R2について、それぞれ
I=(Vtl−Vref)/R1=(Vref−H)/R2
となる。したがって、
Vtl=(1+R1/R2)Vref−(R1/R2)H
これから、ヒステリシス幅は、
(Vth−Vtl)=(R1/R2)(H−L)
となる。
Similarly, the current that flows immediately before the comparator changes from the high voltage H to the low voltage L is as follows: I = (Vtl−Vref) / R1 = (Vref−H) / R2 for the resistors R1 and R2.
It becomes. Therefore,
Vtl = (1 + R1 / R2) Vref− (R1 / R2) H
From now on, the hysteresis width is
(Vth−Vtl) = (R1 / R2) (HL)
It becomes.

これを用いて、具体的に算出するために、図10(a)のコンパレータのVDD(上記のHと等しい)=3.00V、VSS(上記のLと等しい)=0.00V、Vref=1.50V、R1=1kΩ、R2=10kΩと例示する。
コンパレータのヒステリシス電圧幅は、
ヒステリシス電圧幅=R1/R2*(VDD−VSS)
より算出し、0.3Vとなる。また、”Low”⇒”Hi”、 ”Hi”⇒”Low”の検知電圧はそれぞれ、
”Low”⇒”Hi”の検知電圧=Vref+0.3V/2=1.65V
”Hi”⇒”Low”の検知電圧=Vref−0.3V/2=1.35V
となる。
Using this, in order to calculate specifically, VDD of the comparator in FIG. 10A (equal to the above H) = 3.00V, VSS (equal to the above L) = 0.00V, Vref = 1 .50V, R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ.
The hysteresis voltage width of the comparator is
Hysteresis voltage width = R1 / R2 * (VDD−VSS)
Calculated to be 0.3V. The detection voltage of “Low” → “Hi” and “Hi” → “Low”
“Low” → “Hi” detection voltage = Vref + 0.3V / 2 = 1.65V
“Hi” → “Low” detection voltage = Vref−0.3V / 2 = 1.35V
It becomes.

特開平5−291899号公報JP-A-5-291899

このように、図10に示すコンパレータではLow”⇒”Hi”、”Hi”⇒”Low”の検知(閾値)電圧が異なる(ヒステリシス幅を持っている)為、ヒステリシスを確保しつつ、検知電圧をLow”⇒”Hi”、”Hi”⇒”Low”で同じ値に設定したい場合には使用出来ない。   Thus, in the comparator shown in FIG. 10, the detection (threshold) voltage of Low ”→“ Hi ”and“ Hi ”→“ Low ”is different (has a hysteresis width), so that the detection voltage is secured while ensuring hysteresis. Cannot be used if you want to set the same value for Low "⇒" Hi "and" Hi "⇒" Low ".

また、コンパレータの基準電圧もしくは入力電圧の電位ゆれ幅を想定するのは難しく設計者の長年の経験により電位ゆれ幅を推定し、コンパレータのヒステリシス電圧幅を設定する場合が多い。その為、想定より電位ゆれ幅が大きい場合は、図11に示すようにヒステリシス電圧幅を超えるとチャタリングを起こしてしまい、回路修正/レイアウト修正が必要となり、CMOSウェハプロセス用のマスクの修正まで必要となる為設計費用が増加する。   In addition, it is difficult to assume the potential fluctuation width of the reference voltage or input voltage of the comparator, and the hysteresis fluctuation width of the comparator is often set by estimating the potential fluctuation width based on many years of experience of designers. Therefore, when the potential fluctuation range is larger than expected, if the hysteresis voltage width is exceeded as shown in FIG. 11, chattering occurs, circuit correction / layout correction is necessary, and mask correction for the CMOS wafer process is necessary. As a result, the design cost increases.

本発明のCMOSコンパレータは、このような問題を解決するもので、検知電圧が同じで、チャッタリングのないCMOSコンパレータを提供することを課題とする。   The CMOS comparator of the present invention solves such a problem, and an object thereof is to provide a CMOS comparator having the same detection voltage and no chattering.

本発明は係る課題に鑑みなされたものであり、請求項1の発明は、
反転入力と、非反転入力を有する差動増幅回路を含むCMOSコンパレータにおいて、非反転入力には、プルアップ素子と、出力電圧の高低に対応してOFF、ONするスイッチを介して入力信号の端子とが接続され、反転入力には、プルダウン素子と、出力電圧の高低に対応してOFF、ONするスイッチを介して基準電圧端子と、が接続されたことを特徴とするCMOSコンパレータとしたものである。
The present invention has been made in view of the problems, and the invention of claim 1
In a CMOS comparator including a differential amplifier circuit having an inverting input and a non-inverting input, the non-inverting input has a terminal for an input signal via a pull-up element and a switch that is turned OFF and ON corresponding to the output voltage level. The inverting input is a CMOS comparator characterized in that a pull-down element and a reference voltage terminal are connected via a switch that is turned OFF and ON corresponding to the level of the output voltage. is there.

本発明の請求項2の発明は、
反転入力と、非反転入力を有する差動増幅回路を含むCMOSコンパレータにおいて、非反転入力には、プルダウン素子と、出力電圧の高低に対応してON、OFFするスイッチを介して入力信号の端子とが接続され、反転入力には、プルアップ素子と、出力電圧の高
低に対応してON、OFFするスイッチを介して基準電圧端子と、が接続されたことを特徴とするCMOSコンパレータとしたものである。
The invention of claim 2 of the present invention
In a CMOS comparator including a differential amplifier circuit having an inverting input and a non-inverting input, the non-inverting input includes a pull-down element and a terminal of an input signal through a switch that is turned ON / OFF corresponding to the output voltage level. The inverting input is a CMOS comparator characterized in that a pull-up element and a reference voltage terminal are connected via a switch that is turned ON / OFF corresponding to the output voltage level. is there.

本発明の請求項3の発明は、
差動増幅回路の定電流MOSトランジスタが、活性化信号でONとなるNMOSトランジスタ素子を経由して接地に接続され、出力端子が、反転活性化信号でONとなるNMOSトランジスタ素子を経由して接地に接続されたことを特徴とする請求項1に記載のCMOSコンパレータとしたものである。
The invention of claim 3 of the present invention
The constant current MOS transistor of the differential amplifier circuit is connected to the ground via an NMOS transistor element that is turned on by an activation signal, and the output terminal is grounded via an NMOS transistor element that is turned on by an inverted activation signal. The CMOS comparator according to claim 1, wherein the CMOS comparator is connected to.

本発明の請求項4の発明は、
差動増幅回路の定電流MOSトランジスタが、活性化信号でONとなるNMOSトランジスタ素子を経由して接地に接続され、出力端子が、反転活性化信号でONとなるPMOSトランジスタ素子を経由して電源に接続されたことを特徴とする請求項2に記載のCMOSコンパレータとしたものである。
The invention of claim 4 of the present invention
The constant current MOS transistor of the differential amplifier circuit is connected to the ground via an NMOS transistor element that is turned on by an activation signal, and the output terminal is powered via a PMOS transistor element that is turned on by an inverted activation signal. The CMOS comparator according to claim 2, wherein the CMOS comparator is connected to.

本発明の請求項5発明は、
請求項3に記載のCMOSコンパレータと、請求項4に記載のCMOSコンパレータと、を有し、両CMOSコンパレータの入力信号と基準電圧とはそれぞれ同じ信号とし、活性化信号はそれぞれ異なる信号とすることを特徴とするCMOSコンパレータとしたものである。
Claim 5 of the present invention
A CMOS comparator according to claim 3 and a CMOS comparator according to claim 4, wherein the input signal and the reference voltage of both CMOS comparators are the same signal, and the activation signals are different signals. This is a CMOS comparator characterized by the above.

本発明の請求項6の発明は、
プルアップ素子とプルダウン素子とが、抵抗素子であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のCMOSコンパレータとしたものである。
The invention of claim 6 of the present invention
6. The CMOS comparator according to claim 1, wherein the pull-up element and the pull-down element are resistance elements.

本発明の請求項7の発明は、
プルアップ素子とプルダウン素子とが、出力電圧または反転出力電圧でONとなるMOSトランジスタ素子であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のCMOSコンパレータとしたものである。
The invention of claim 7 of the present invention
6. The CMOS comparator according to claim 1, wherein the pull-up element and the pull-down element are MOS transistor elements that are turned on at an output voltage or an inverted output voltage.

本発明の請求項8の発明は、
スイッチが、NMOSトランジスタ素子とPMOSトランジスタ素子とを並列接続したトランスファゲートであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のCMOSコンパレータとしたものである。
The invention of claim 8 of the present invention
8. The CMOS comparator according to claim 1, wherein the switch is a transfer gate in which an NMOS transistor element and a PMOS transistor element are connected in parallel.

本発明の請求項9の発明は、
差動増幅回路に換えて、オペアンプを用いたことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のCMOSコンパレータとしたものである。
The invention of claim 9 of the present invention
9. The CMOS comparator according to claim 1, wherein an operational amplifier is used instead of the differential amplifier circuit.

本発明のCMOSコンパレータは、このような構成であるので、検知電圧が同じで、チャッタリングのないCMOSコンパレータとすることができる。   Since the CMOS comparator of the present invention has such a configuration, it can be a CMOS comparator having the same detection voltage and no chattering.

本発明のCMOSコンパレータの第一の実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows 1st embodiment of the CMOS comparator of this invention. 本発明の第一の実施形態の回路の動作を説明する図で、図(a)は、入力電圧の時間変化、(b)は出力電圧の時間変化を示す。2A and 2B are diagrams for explaining the operation of the circuit according to the first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A shows the time change of the input voltage, and FIG. 2B shows the time change of the output voltage. 本発明のCMOSコンパレータの第二の実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows 2nd embodiment of the CMOS comparator of this invention. 本発明の第一の実施形態のCMOSコンパレータのプルアップ素子、プルダウン素子の例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the example of the pull-up element of the CMOS comparator of 1st embodiment of this invention, and a pull-down element. 本発明のCMOSコンパレータの第三の実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows 3rd embodiment of the CMOS comparator of this invention. 本発明のCMOSコンパレータの第四の実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows 4th embodiment of the CMOS comparator of this invention. 本発明のCMOSコンパレータの第五の実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows 5th embodiment of the CMOS comparator of this invention. 図7に示すコンパレータの動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows operation | movement of the comparator shown in FIG. 従来のCMOSコンパレータの一例を示した説明図で、(a)は、差動増幅回路によるCMOSコンパレータ、(b)は、入力電圧と、チャタリングが発生したコンパレータの出力電圧を時間経過で示す説明図である。It is explanatory drawing which showed an example of the conventional CMOS comparator, (a) is a CMOS comparator by a differential amplifier circuit, (b) is explanatory drawing which shows an input voltage and the output voltage of the comparator in which chattering generate | occur | produced in time passage. It is. チャタリングを防止した従来のCMOSコンパレータの一例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed an example of the conventional CMOS comparator which prevented chattering. ヒステリシス電圧幅を超えて発生したチャタリングの一例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed an example of the chattering which generate | occur | produced exceeding the hysteresis voltage width.

以下本発明を実施するための形態につき説明する。   Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described.

本発明のCMOSコンパレータは、反転入力と、非反転入力を有する基本の差動増幅回路を含む。   The CMOS comparator of the present invention includes a basic differential amplifier circuit having an inverting input and a non-inverting input.

図1は、本発明のCMOSコンパレータの第一の実施形態を示す説明図である。図で、非反転入力のノードAには、プルアップ素子(図ではプルアップ抵抗)R1と、出力電圧Voutの高低に対応してOFF、ONするスイッチSW1を介して入力信号Vinの端子と、が接続され、反転入力のノードBには、プルダウン素子(図ではプルダウン抵抗)R2と、出力電圧Voutの高低に対応してOFF、ONするスイッチSW2を介して基準電圧Vrefの端子と、が接続されている。スイッチとしては、NMOSトランジスタ素子とPMOSトランジスタ素子とを並列接続したトランスファゲートを例示できる。図1(b)に示すように、PMOSトランジスタ素子に出力電圧を印加し、NMOSトランジスタ素子にインバータを経由して出力電圧を印加することで、出力電圧Voutの高低に対応してOFF、ONするスイッチとすることができる。   FIG. 1 is an explanatory view showing a first embodiment of the CMOS comparator of the present invention. In the figure, a node A of a non-inverting input has a pull-up element (pull-up resistor in the figure) R1, a terminal of an input signal Vin via a switch SW1 that is turned OFF and ON according to the level of the output voltage Vout, The node B of the inverting input is connected to the pull-down element (pull-down resistor in the figure) R2 and the terminal of the reference voltage Vref via the switch SW2 that is turned off and on in accordance with the level of the output voltage Vout. Has been. An example of the switch is a transfer gate in which an NMOS transistor element and a PMOS transistor element are connected in parallel. As shown in FIG. 1B, an output voltage is applied to the PMOS transistor element, and an output voltage is applied to the NMOS transistor element via the inverter, so that the output voltage Vout is turned on and off according to the level of the output voltage Vout. It can be a switch.

第一の実施形態の回路の動作を説明する。図2はこの回路の入出力の時間変化を示した説明図で、図(a)は、入力電圧の時間変化、(b)は出力電圧の時間変化を示す。入力電圧Vinが低電圧で、基準電圧Vrefよりも低い場合(図の動作タイミング(1)Vin≦Vrefの場合)、出力電圧Voutも低電圧であるから両スイッチSW1、SW2共、ON状態である。このため、ノードAには入力電圧Vinが供給され、ノードBには基準電圧Vrefが供給される。この状態から図2(a)に示すように、入力電圧Vinが上昇した場合、入力電圧Vinが基準電圧Vrefを超えた時点で、出力電圧Voutは高電圧VDDとなる。一旦このように状態が変化すると、出力電圧Voutが高電圧VDDであるから両スイッチSW1、SW2共、OFF状態となり、切断する。そして、ノードAにはプルアップ抵抗が接続されているので、高電圧状態が保たれ、ノードBはプルダウン抵抗が接続されているので、基準電圧以下の電圧が保たれている。したがってこの状態では、図2(a)に示すように、入力電圧や基準電圧が変動しチャタリングを起こ
しても、出力電圧は高電圧VDDが保たれる。
The operation of the circuit of the first embodiment will be described. 2A and 2B are explanatory diagrams showing the time change of the input / output of this circuit. FIG. 2A shows the time change of the input voltage, and FIG. 2B shows the time change of the output voltage. When the input voltage Vin is low and lower than the reference voltage Vref (when the operation timing (1) Vin ≦ Vref in the figure), the output voltage Vout is also low, so both the switches SW1 and SW2 are in the ON state. . Therefore, the input voltage Vin is supplied to the node A, and the reference voltage Vref is supplied to the node B. As shown in FIG. 2A, when the input voltage Vin rises from this state, the output voltage Vout becomes the high voltage VDD when the input voltage Vin exceeds the reference voltage Vref. Once the state changes in this way, since the output voltage Vout is the high voltage VDD, both the switches SW1 and SW2 are turned off and disconnected. Since a pull-up resistor is connected to the node A, a high voltage state is maintained, and since a pull-down resistor is connected to the node B, a voltage equal to or lower than the reference voltage is maintained. Therefore, in this state, as shown in FIG. 2A, even if the input voltage or the reference voltage fluctuates and chattering occurs, the output voltage is kept at the high voltage VDD.

第一の実施形態では、入力電圧が低電圧から高電圧に変化する場合に検知可能であるが、第二の実施形態は入力電圧が高電圧から低電圧に変化する場合に検知可能である。図3は、本発明のCMOSコンパレータの第二の実施形態を示す説明図である。図で、非反転入力のノードAには、プルダウン素子(図ではプルダウン抵抗)R3と、出力電圧Voutの高低に対応してON、OFFするスイッチSW3を介して入力信号Vinの端子と、が接続され、反転入力のノードBには、プルアップ素子(図ではプルアップ抵抗)R4と、出力電圧Voutの高低に対応してON、OFFするスイッチSW4を介して基準電圧Vrefの端子と、が接続されている。スイッチとしては、NMOSトランジスタ素子とPMOSトランジスタ素子とを並列接続したトランスファゲートを例示できる。図3(b)に示すように、NMOSトランジスタ素子に出力電圧を印加し、PMOSトランジスタ素子にインバータを経由して出力電圧を印加することで、出力電圧Voutの高低に対応してON、OFFするスイッチとすることができる。   In the first embodiment, it can be detected when the input voltage changes from a low voltage to a high voltage, but the second embodiment can be detected when the input voltage changes from a high voltage to a low voltage. FIG. 3 is an explanatory view showing a second embodiment of the CMOS comparator of the present invention. In the figure, a node A of a non-inverting input is connected to a pull-down element (pull-down resistor in the figure) R3 and a terminal of an input signal Vin via a switch SW3 that is turned on and off according to the level of the output voltage Vout. The node B of the inverting input is connected to the pull-up element (pull-up resistor in the figure) R4 and the terminal of the reference voltage Vref via the switch SW4 that is turned on and off according to the level of the output voltage Vout. Has been. An example of the switch is a transfer gate in which an NMOS transistor element and a PMOS transistor element are connected in parallel. As shown in FIG. 3B, an output voltage is applied to the NMOS transistor element, and an output voltage is applied to the PMOS transistor element via the inverter, so that the output voltage Vout is turned on and off according to the level of the output voltage Vout. It can be a switch.

第二の実施形態の回路の動作を説明する。入力電圧Vinが高電圧で、基準電圧Vrefよりも高い場合、出力電圧Voutも高電圧であるから両スイッチSW3、SW4共、ON状態である。このため、ノードAには入力電圧Vinが供給され、ノードBには基準電圧Vrefが供給される。この状態から、入力電圧Vinが下降した場合、入力電圧Vinが基準電圧Vrefより低下した時点で、出力電圧Voutは低電圧VSSとなる。一旦このように状態が変化すると、出力電圧Voutが低電圧VSSであるから両スイッチSW3、SW4共、OFF状態となり、切断する。そして、ノードAにはプルダウン抵抗が接続されているので、低電圧状態が保たれ、ノードBはプルアップ抵抗が接続されているので、高電圧が保たれている。したがってこの状態では、入力電圧や基準電圧が変動しチャタリングを起こしても、出力電圧は低電圧が保たれる。   The operation of the circuit of the second embodiment will be described. When the input voltage Vin is high and higher than the reference voltage Vref, both the switches SW3 and SW4 are in the ON state because the output voltage Vout is also high. Therefore, the input voltage Vin is supplied to the node A, and the reference voltage Vref is supplied to the node B. When the input voltage Vin drops from this state, the output voltage Vout becomes the low voltage VSS when the input voltage Vin drops below the reference voltage Vref. Once the state changes in this way, the output voltage Vout is the low voltage VSS, so both the switches SW3 and SW4 are turned off and disconnected. Since a pull-down resistor is connected to the node A, a low voltage state is maintained, and since a pull-up resistor is connected to the node B, a high voltage is maintained. Therefore, in this state, even if the input voltage or the reference voltage fluctuates and chattering occurs, the output voltage is kept low.

以上の実施形態中のプルアップ素子、プルダウン素子としては、プルアップ抵抗や、プルダウン抵抗を例示して説明したが、出力電圧または反転出力電圧でONとなるMOSトランジスタ素子を使用することもできる。これを以下に例示する。   As the pull-up element and the pull-down element in the above embodiment, the pull-up resistor and the pull-down resistor have been described as examples. However, a MOS transistor element that is turned on at the output voltage or the inverted output voltage can also be used. This is illustrated below.

図4は、第一の実施形態のCMOSコンパレータのプルアップ素子、プルダウン素子を、それぞれMOSトランジスタ素子MOS2、MOS3で構成した回路である。プルアップ素子としてのMOSトランジスタ素子MOS2は、ゲートに出力電圧を反転した信号を入力している。これは、スイッチSW1が、出力電圧が高電圧になったときに切断するので、そのときMOS2をプルアップし、出力電圧が低電圧のときは、MOS2は、非活性OFFとなる構成としている。プルダウン素子としてのMOSトランジスタ素子MOS3は、ゲートに出力電圧を入力している。これは、スイッチSW2が、出力電圧が高電圧になったときに切断するので、そのときMOS3をプルダウンし、出力電圧が低電圧のときは、MOS3は、非活性OFFとなる構成としている。したがって、スイッチSW1、SW2がONのときに、余分な電流が流れず、抵抗を利用したときよりも有利である。第二の実施形態でも、同様に利用できる。   FIG. 4 is a circuit in which the pull-up element and the pull-down element of the CMOS comparator of the first embodiment are constituted by MOS transistor elements MOS2 and MOS3, respectively. The MOS transistor element MOS2 as a pull-up element receives a signal obtained by inverting the output voltage at the gate. This is because the switch SW1 is disconnected when the output voltage becomes high, so that the MOS2 is pulled up at that time, and when the output voltage is low, the MOS2 is inactive OFF. The MOS transistor element MOS3 as a pull-down element has an output voltage input to the gate. This is because the switch SW2 is disconnected when the output voltage becomes high, so that the MOS3 is pulled down at that time, and when the output voltage is low, the MOS3 is inactive OFF. Therefore, when the switches SW1 and SW2 are ON, no excess current flows, which is more advantageous than when a resistor is used. The second embodiment can be used similarly.

図5は、本発明のCMOSコンパレータの第三の実施形態を示す説明図である。本実施形態は、第一の実施形態のCMOSコンパレータに対し、差動増幅回路の定電流MOSトランジスタMOS1が、活性化信号EN1でONとなるNMOSトランジスタ素子MOS4を経由して接地VSSに接続され、出力端子Vout1が、反転活性化信号でONとなるNMOSトランジスタ素子MOS5を経由して接地VSSに接続されている。CMOSコンパレータのプルアップ素子、プルダウン素子は、それぞれMOSトランジスタ素子MOS2、MOS3で構成されている。   FIG. 5 is an explanatory diagram showing a third embodiment of the CMOS comparator of the present invention. In the present embodiment, the constant current MOS transistor MOS1 of the differential amplifier circuit is connected to the ground VSS via the NMOS transistor element MOS4 that is turned ON by the activation signal EN1, with respect to the CMOS comparator of the first embodiment. The output terminal Vout1 is connected to the ground VSS via the NMOS transistor element MOS5 that is turned ON by the inversion activation signal. The pull-up element and pull-down element of the CMOS comparator are composed of MOS transistor elements MOS2 and MOS3, respectively.

このような回路で、活性化信号EN1を入力すると、NMOSトランジスタ素子MOS4、MOS5がそれぞれON、OFFとなり、第一の実施形態の回路と等しくなるので、入力電圧Vinが低電圧から高電圧に変化して出力電圧Vout1が高電圧に変化する機能を有するようになる。入力電圧と出力電圧が高電圧になってから、反転活性化信号を入力、すなわち活性化信号EN1を反転すると、NMOSトランジスタ素子MOS4、MOS5がそれぞれOFF、ONとなり、出力電圧Vout1が接地電圧VSSに低下する。また、定電流源が切り離され、差動対が浮いた状態になる。スイッチSW1、SW2がON状態となり、リセットされた状態になる。したがって、再び活性化信号EN1の入力により、低電圧から高電圧に変化して出力電圧V1が高電圧に変化する機能を有するようになる。   When the activation signal EN1 is input in such a circuit, the NMOS transistor elements MOS4 and MOS5 are turned on and off, respectively, and are equal to the circuit of the first embodiment, so that the input voltage Vin changes from a low voltage to a high voltage. Thus, the output voltage Vout1 has a function of changing to a high voltage. When the inverted activation signal is input after the input voltage and the output voltage become high voltage, that is, when the activation signal EN1 is inverted, the NMOS transistor elements MOS4 and MOS5 are turned off and on, respectively, and the output voltage Vout1 becomes the ground voltage VSS. descend. Also, the constant current source is disconnected and the differential pair is in a floating state. The switches SW1 and SW2 are turned on and reset. Therefore, when the activation signal EN1 is input again, the output voltage V1 changes from a low voltage to a high voltage and the output voltage V1 changes to a high voltage.

このように本実施形態では、活性化信号により、スタンバイ⇒アクティブ状態、アクティブ状態⇒スタンバイ状態に切り替え可能となる。すなわち、コンパレータの検知電圧がいつでも初期状態に戻す事が可能となる。   Thus, in the present embodiment, the activation signal can be switched from standby to active state and active state to standby state. That is, the detection voltage of the comparator can be returned to the initial state at any time.

図6は、本発明のCMOSコンパレータの第四の実施形態を示す説明図である。本実施形態は、第二の実施形態のCMOSコンパレータに対し、差動増幅回路の定電流MOSトランジスタMOS6が、活性化信号EN2でONとなるNMOSトランジスタ素子MOS9を経由して接地VSSに接続され、出力端子Vout2が、反転活性化信号でONとなるPMOSトランジスタ素子MOS10を経由して電源VDDに接続されている。CMOSコンパレータのプルアップ素子、プルダウン素子は、それぞれMOSトランジスタ素子MOS8、MOS7で構成されている。   FIG. 6 is an explanatory diagram showing a fourth embodiment of the CMOS comparator of the present invention. In the present embodiment, the constant current MOS transistor MOS6 of the differential amplifier circuit is connected to the ground VSS via the NMOS transistor element MOS9 that is turned on by the activation signal EN2, with respect to the CMOS comparator of the second embodiment. The output terminal Vout2 is connected to the power supply VDD via the PMOS transistor element MOS10 that is turned ON by the inversion activation signal. The pull-up element and pull-down element of the CMOS comparator are composed of MOS transistor elements MOS8 and MOS7, respectively.

このような回路で、活性化信号EN2を入力すると、NMOSトランジスタ素子MOS9がそれぞれON、PMOSトランジスタ素子MOS10がOFFとなり、第二の実施形態の回路と等しくなるので、入力電圧が高電圧から低電圧に変化して出力電圧が低電圧に変化する機能を有するようになる。入力電圧と出力電圧が低電圧になってから、反転活性化信号を入力、すなわち活性化信号EN2を反転すると、NMOSトランジスタ素子MOS9がOFF、PMOSトランジスタ素子MOS10がONとなり、出力電圧が電源電圧VDDに昇圧する。また、定電流源が切り離され、差動対が浮いた状態になる。スイッチSW3、SW4がON状態となり、リセットされた状態になる。したがって、再び活性化信号EN2の入力により、高電圧から低電圧に変化して出力電圧Vout2が低電圧に変化する機能を有するようになる。   In such a circuit, when the activation signal EN2 is input, the NMOS transistor element MOS9 is turned on, and the PMOS transistor element MOS10 is turned off, which is equal to the circuit of the second embodiment, so that the input voltage is changed from a high voltage to a low voltage. So that the output voltage changes to a low voltage. When the inverted activation signal is input after the input voltage and the output voltage become low, that is, when the activation signal EN2 is inverted, the NMOS transistor element MOS9 is turned off and the PMOS transistor element MOS10 is turned on, and the output voltage is set to the power supply voltage VDD. Boost to. Also, the constant current source is disconnected and the differential pair is in a floating state. The switches SW3 and SW4 are turned on and reset. Accordingly, the input of the activation signal EN2 again has a function of changing from a high voltage to a low voltage and changing the output voltage Vout2 to a low voltage.

このように本実施形態では、第三の実施形態と同様に、活性化信号により、スタンバイ⇒アクティブ状態、アクティブ状態⇒スタンバイ状態に切り替え可能となる。すなわち、コンパレータの検知電圧がいつでも初期状態に戻す事が可能となる。   Thus, in the present embodiment, as in the third embodiment, the activation signal can be switched from standby to active state and active state to standby state. That is, the detection voltage of the comparator can be returned to the initial state at any time.

図7は、本発明のCMOSコンパレータの第五の実施形態を示す説明図である。本実施形態のCMOSコンパレータは、第三の実施形態のCMOSコンパレータ(1)と、第四の実施形態のCMOSコンパレータ(2)と、を有し、両CMOSコンパレータの入力信号Vinと基準電圧Vrefとはそれぞれ同じ信号とし、活性化信号EN1、EN2はそれぞれ異なる信号とする構成である。   FIG. 7 is an explanatory view showing a fifth embodiment of the CMOS comparator of the present invention. The CMOS comparator of this embodiment has the CMOS comparator (1) of the third embodiment and the CMOS comparator (2) of the fourth embodiment, and the input signal Vin and the reference voltage Vref of both CMOS comparators are Are the same signals, and the activation signals EN1 and EN2 are different signals.

本願発明の実施形態一〜四の例では、コンパレータの入力電圧が片側(Low⇒HiもしくはHi⇒Low)のみ検知可能である。本実施形態は、図7で例示するように2つのコンパレータ(1)、(2)を有することにより、両側検知が可能となる。   In the first to fourth embodiments of the present invention, the comparator input voltage can be detected only on one side (Low → Hi or Hi → Low). As shown in FIG. 7, the present embodiment has two comparators (1) and (2), so that both sides can be detected.

本実施形態のコンパレータの動作を説明する。図7に示すコンパレータの動作を図8に示す。   The operation of the comparator of this embodiment will be described. The operation of the comparator shown in FIG. 7 is shown in FIG.

まず、第三の実施形態のCMOSコンパレータ(1)と、第四の実施形態のCMOSコンパレータ(2)とに入力されるそれぞれの活性化信号EN1、EN2を共に低電圧VSSとする。   First, the activation signals EN1 and EN2 input to the CMOS comparator (1) of the third embodiment and the CMOS comparator (2) of the fourth embodiment are both set to the low voltage VSS.

このとき、CMOSコンパレータ(1)では、MOS4がOFFで、差動対が浮き、MOS5がONで出力電圧Vout1が低電圧VSSとなる。この結果スイッチSW1、SW2は共にONとなり、ノードAは、入力電圧Vinが接続され、低電圧、ノードBは基準電圧Vrefとなっている。   At this time, in the CMOS comparator (1), the MOS 4 is OFF, the differential pair is floated, the MOS 5 is ON, and the output voltage Vout1 becomes the low voltage VSS. As a result, both the switches SW1 and SW2 are turned on, the node A is connected to the input voltage Vin, and the low voltage and the node B are at the reference voltage Vref.

CMOSコンパレータ(2)では、MOS9がOFFで、差動対が浮き、MOS10がONで出力電圧Vout2が高電圧となる。この結果スイッチSW3、SW4は共にONとなり、ノードCは、入力電圧Vinが接続され、低電圧、ノードDは基準電圧Vrefとなっている。   In the CMOS comparator (2), the MOS 9 is OFF, the differential pair is floated, the MOS 10 is ON, and the output voltage Vout2 is high. As a result, the switches SW3 and SW4 are both turned on, the node C is connected to the input voltage Vin, and the node D is at the reference voltage Vref.

次に、CMOSコンパレータ(1)の活性化信号EN1を高電圧とし、アクティブ状態とする。その後入力電圧Vinを上昇させる。CMOSコンパレータ(1)では、低電圧から高電圧への移行状態で、第三の実施形態と同様の動作となり、入力電圧Vin、ノードAがVrefを超えた時点で出力電圧Vout1が高電圧となる。ノードBは、プルダウン素子のトランジスタMO3がONし、基準電圧から低電圧となる。ノードAは、プルアップ素子MOS2により高電圧が維持される。CMOSコンパレータ(2)では、活性化信号EN2は低電圧のままであるので、ノードCが入力電圧Vinの変化にしたがって、高電圧となるが、コンパレータとしてはまだ非活性状態でスタンバイ状態である。
次に、活性化信号EN1を反転して低電圧にし、活性化信号EN2を高電圧にし、入力電圧を低下し始める。CMOSコンパレータ(1)は、直ちにスタンバイ状態になり、MOS4がOFFで、差動対が浮き、MOS5がONで出力電圧Vout1が低電圧VSSとなる。スイッチSW1、SW2は共にONとなり、ノードAは、入力電圧Vinが接続され、低電圧、ノードBは基準電圧Vrefに戻る。CMOSコンパレータ(2)はアクティブ状態となり、MOS9がONで、差動対が接続され、MOS10がOFFで出力電圧Vout2が高電圧を維持される。この結果スイッチSW3、SW4は共にONと維持される。この状態でノードCは、入力電圧Vinが接続されているので、徐々に低電圧となり、基準電圧を下回った時に出力電圧Vout2は低電圧となる。ノードDはプルアップされ、高電圧となっている。
Next, the activation signal EN1 of the CMOS comparator (1) is set to a high voltage to make it active. Thereafter, the input voltage Vin is increased. In the CMOS comparator (1), the operation is the same as that of the third embodiment in the transition state from the low voltage to the high voltage, and the output voltage Vout1 becomes a high voltage when the input voltage Vin and the node A exceed Vref. . In node B, the pull-down element transistor MO3 is turned ON, and the voltage drops from the reference voltage. The node A is maintained at a high voltage by the pull-up element MOS2. In the CMOS comparator (2), since the activation signal EN2 remains at a low voltage, the node C becomes a high voltage according to the change of the input voltage Vin, but the comparator is still in an inactive state and is in a standby state.
Next, the activation signal EN1 is inverted to a low voltage, the activation signal EN2 is set to a high voltage, and the input voltage starts to decrease. The CMOS comparator (1) immediately enters the standby state, the MOS4 is OFF, the differential pair is floated, the MOS5 is ON, and the output voltage Vout1 becomes the low voltage VSS. The switches SW1 and SW2 are both turned ON, the node A is connected to the input voltage Vin, and the low voltage, and the node B returns to the reference voltage Vref. The CMOS comparator (2) is in the active state, the MOS 9 is ON, the differential pair is connected, the MOS 10 is OFF, and the output voltage Vout2 is maintained at a high voltage. As a result, the switches SW3 and SW4 are both kept ON. In this state, since the input voltage Vin is connected to the node C, the voltage gradually becomes low, and when the voltage falls below the reference voltage, the output voltage Vout2 becomes low. Node D is pulled up to a high voltage.

次に、活性化信号EN2を低電圧にすることにより、前記の最初の状態に戻る。   Next, the activation signal EN2 is set to a low voltage to return to the initial state.

このように、入力が立ち上がり(”Low”⇒”Hi”)に対しては、出力電圧Vout1を、立下り(”Hi”⇒”Low”)に対しては出力電圧Vout2を採用することにより入力電圧の立ち上がり、立下り変化(”Low”⇒”Hi”、 ”Hi”⇒”Low”)に対応するCMOSコンパレータとすることができる。   Thus, the input voltage Vout1 is adopted when the input rises (“Low” → “Hi”), and the output voltage Vout2 is adopted for the fall (“Hi” → “Low”). A CMOS comparator corresponding to voltage rising and falling changes (“Low” → “Hi”, “Hi” → “Low”) can be provided.

本発明のCMOSコンパレータは、以上に例示したように、プルアップ素子とプルダウン素子とを、抵抗素子とすることができる。また、出力電圧または反転出力電圧でONとなるMOSトランジスタ素子とすることもできる。この場合は、スタンバイ状態ではプルアップ素子とプルダウン素子への電流が遮断され、優位である。   In the CMOS comparator of the present invention, as exemplified above, the pull-up element and the pull-down element can be used as resistance elements. Alternatively, a MOS transistor element that is turned on at the output voltage or the inverted output voltage can be used. In this case, in the standby state, the current to the pull-up element and the pull-down element is cut off, which is advantageous.

また、本願発明のCMOSコンパレータでは、以上のような作用、効果は、差動増幅器に換えて、オペアンプを用いた構成にしても得られる。   Further, in the CMOS comparator of the present invention, the above operation and effect can be obtained by using a configuration using an operational amplifier instead of the differential amplifier.

以上のように本願のCMOSコンパレータは、入力の立ち上がり(”Low”⇒”Hi
”)、立下り(”Low”⇒”Hi”)、あるいは両変化(”Low”⇒”Hi”、 ”Hi”⇒”Low”)に対してチャタリングを防止できる。また、基準電圧を検知電圧とすることができるので、入力の立ち上がり(”Low”⇒”Hi”)、立下り(”Low”⇒”Hi”)、あるいは両変化(”Low”⇒”Hi”、 ”Hi”⇒”Low”)の検知電圧を同じ値とすることができる。
As described above, the CMOS comparator of the present application has the input rising edge (“Low” → “Hi”).
“)”, Falling (“Low” → “Hi”), or both changes (“Low” → “Hi”, “Hi” → “Low”) can be prevented from chattering. The rise of the input ("Low" ⇒ "Hi"), the fall ("Low" ⇒ "Hi"), or both changes ("Low" ⇒ "Hi", "Hi" ⇒ "Low The detection voltage of “)” can be set to the same value.

Vin・・・入力電圧
Vref・・・基準電圧
Vout・・・出力電圧
Vbias・・・定電流用バイアス電圧
INP・・・非反転入力
INN・・・反転入力
VDD・・・電源電圧
VSS・・・接地
R1、R2・・・抵抗
SW1、SW2・・・スイッチ
Vin ... Input voltage Vref ... Reference voltage Vout ... Output voltage Vbias ... Bias voltage INP for constant current ... Non-inverting input INN ... Inverting input VDD ... Power supply voltage VSS ... Grounding R1, R2 ... Resistor SW1, SW2 ... Switch

Claims (9)

反転入力と、非反転入力を有する差動増幅回路を含むCMOSコンパレータにおいて、
非反転入力には、プルアップ素子と、出力電圧の高低に対応してOFF、ONするスイッチを介して入力信号の端子とが接続され、反転入力には、プルダウン素子と、出力電圧の高低に対応してOFF、ONするスイッチを介して基準電圧端子と、が接続されたことを特徴とするCMOSコンパレータ。
In a CMOS comparator including a differential amplifier circuit having an inverting input and a non-inverting input,
The non-inverting input is connected to a pull-up element and a terminal of an input signal through a switch that is turned OFF and ON corresponding to the output voltage level. The inverting input is connected to a pull-down element and the output voltage level. A CMOS comparator characterized in that a reference voltage terminal is connected via a corresponding switch that is turned OFF and ON.
反転入力と、非反転入力を有する差動増幅回路を含むCMOSコンパレータにおいて、
非反転入力には、プルダウン素子と、出力電圧の高低に対応してON、OFFするスイッチを介して入力信号の端子とが接続され、反転入力には、プルアップ素子と、出力電圧の高低に対応してON、OFFするスイッチを介して基準電圧端子と、が接続されたことを特徴とするCMOSコンパレータ。
In a CMOS comparator including a differential amplifier circuit having an inverting input and a non-inverting input,
The non-inverting input is connected to a pull-down element and a terminal of an input signal through a switch that is turned ON / OFF corresponding to the output voltage level, and the inverting input is connected to a pull-up element and the output voltage level. A CMOS comparator characterized in that a reference voltage terminal is connected via a corresponding switch that is turned on and off.
差動増幅回路の定電流MOSトランジスタが、活性化信号でONとなるNMOSトランジスタ素子を経由して接地に接続され、出力端子が、反転活性化信号でONとなるNMOSトランジスタ素子を経由して接地に接続されたことを特徴とする請求項1に記載のCMOSコンパレータ。   The constant current MOS transistor of the differential amplifier circuit is connected to the ground via an NMOS transistor element that is turned on by an activation signal, and the output terminal is grounded via an NMOS transistor element that is turned on by an inverted activation signal. The CMOS comparator according to claim 1, wherein the CMOS comparator is connected to the CMOS comparator. 差動増幅回路の定電流MOSトランジスタが、活性化信号でONとなるNMOSトランジスタ素子を経由して接地に接続され、出力端子が、反転活性化信号でONとなるPMOSトランジスタ素子を経由して電源に接続されたことを特徴とする請求項2に記載のCMOSコンパレータ。   The constant current MOS transistor of the differential amplifier circuit is connected to the ground via an NMOS transistor element that is turned on by an activation signal, and the output terminal is powered via a PMOS transistor element that is turned on by an inverted activation signal. The CMOS comparator according to claim 2, wherein the CMOS comparator is connected to. 請求項3に記載のCMOSコンパレータと、請求項4に記載のCMOSコンパレータと、を有し、両CMOSコンパレータの入力信号と基準電圧とはそれぞれ同じ信号とし、活性化信号はそれぞれ異なる信号とすることを特徴とするCMOSコンパレータ。   A CMOS comparator according to claim 3 and a CMOS comparator according to claim 4, wherein the input signal and the reference voltage of both CMOS comparators are the same signal, and the activation signals are different signals. CMOS comparator characterized by プルアップ素子とプルダウン素子とが、抵抗素子であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のCMOSコンパレータ。   The CMOS comparator according to claim 1, wherein the pull-up element and the pull-down element are resistance elements. プルアップ素子とプルダウン素子とが、出力電圧または反転出力電圧でONとなるMOSトランジスタ素子であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のCMOSコンパレータ。   6. The CMOS comparator according to claim 1, wherein the pull-up element and the pull-down element are MOS transistor elements that are turned on at an output voltage or an inverted output voltage. スイッチが、NMOSトランジスタ素子とPMOSトランジスタ素子とを並列接続したトランスファゲートであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のCMOSコンパレータ。   8. The CMOS comparator according to claim 1, wherein the switch is a transfer gate in which an NMOS transistor element and a PMOS transistor element are connected in parallel. 差動増幅回路に換えて、オペアンプを用いたことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のCMOSコンパレータ。   9. The CMOS comparator according to claim 1, wherein an operational amplifier is used instead of the differential amplifier circuit.
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