JP6004921B2 - スパッタリング装置、薄膜製造方法 - Google Patents
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Description
リチウムイオン電池では、安全性の面や、小型化の面から、電解液を固体化する技術が研究されており、全固体薄膜リチウム二次電池の固体電解質膜には、窒素置換リン酸リチウム(LiPON)の固体電解質膜が実用化されている。
これらの差により、ターゲットの消耗量が異なるため、交換頻度に差を生じたり、ターゲットの使用効率が低下する等の問題も発生する。
薄膜リチウム二次電池の固体電解質膜は、次の参考文献に記載されている。
また、本発明は、前記制御装置は、最大のバイアス電圧値以外のバイアス電圧値の前記ターゲットに接続された前記交流電源の前記電源位相を変化させるスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記ターゲットはLiを含有し、前記ターゲットのスパッタリングにより、成膜対象物の表面にLiを含有する固体電解質膜を形成するスパッタリング装置である。
また、本発明は、真空槽内に配置された複数のターゲットにそれぞれ個別に接続された交流電源から交流電圧をそれぞれ出力させ、各前記ターゲット上にプラズマを形成して各前記ターゲットをスパッタリングして、成膜対象物の表面に薄膜を形成する薄膜製造方法であって、各前記ターゲットの電圧を検出してバイアス電圧の値であるバイアス電圧値をそれぞれ求め、前記バイアス電圧値が大きくなるように、前記交流電圧の位相である電源位相を変化させる薄膜製造方法である。
また、本発明は、前記電源位相を変化させる前記交流電源は、最大のバイアス電圧値以外のバイアス電圧値の前記ターゲットに接続された前記交流電源の中から選択する薄膜製造方法である。
また、本発明は、各前記ターゲットの前記バイアス電圧値が所定の電圧一致関係になったと判断した後、前記成膜対象物の表面への前記薄膜の形成を開始する薄膜製造方法である。
また、本発明は、前記成膜対象物の表面に前記薄膜を形成している間は、前記バイアス電圧値が大きくなるように、前記交流電源の前記電源位相を変化させる薄膜製造方法である。
また、本発明は、前記電圧一致関係になったと判断した後、前記電源位相の変化を停止する薄膜製造方法である。
また、本発明は、前記電源位相の変化を停止した後も、前記ターゲットの電圧を測定して前記バイアス電圧値を求め、求めた前記バイアス電圧値が所定の電圧増加制御再開関係になると、前記電源位相を変化させ、前記バイアス電圧値を大きくする薄膜製造方法である。
また、本発明は、前記電圧一致関係と判断された状態で、各前記交流電源の動作状態を記憶しておき、各前記交流電源を停止して前記プラズマを消滅させた後、各前記交流電源を起動し、各前記交流電源を記憶された前記動作状態で動作させ、各前記交流電源を前記電圧一致関係にする薄膜製造方法である。
各ターゲットのバイアス電圧が等しくなると、各ターゲットのスパッタリング状態が同じになり、均一な成膜を行うことができる。また、バイアス電圧が大きくなるので、各ターゲットのスパッタリング速度が速くなる。
これは、交流電源とカソード電極との間のインピーダンスは交流電源毎に異なることがあり、交流電源の出力端子で交流電圧の位相が一致していても、各ターゲットでは、交流電圧の位相は一致していないことになる。
以下で説明する工程は、制御装置によって制御されている。
制御装置には、電圧センサが検出した複数のターゲットの電圧の電圧値が入力されている。制御装置は、入力された電圧値を電圧が検出された時刻と関連付けることができるので、制御装置は、電圧値と検出した時刻の関係から、電圧変化が分かる。
また、ターゲット位相を求めなくても、電圧センサが検出した電圧の電圧値と、検出した時刻から、ターゲット位相の位相差を求めることができる。
そして、位相差が小さくなって位相差が予め設定された同期関係になると、ターゲット位相は同期したものとして、基板表面への固体電解質膜の成膜を開始する。
各ターゲット表面のスパッタリングが行われることにより、各ターゲットと交流電源との間のインピーダンスの値は変化するため、基板表面への薄膜形成中も、制御装置は、ターゲット位相の位相差を求め、位相差が小さくなるように、交流電源の電源位相を変化させると、ターゲット位相の同期関係は維持される。
この場合でも、電圧センサによる電圧検出は継続して行い、検出された電圧に基づいて位相差を継続して求め、位相差が所定の位相制御再開関係になったと判断したときに、位相差を小さくするための電源位相の制御を再開することができる。
位相差を求めずに、電源位相を制御する方法を説明する。
ターゲットに交流電圧を印加して、ターゲット上にプラズマを形成すると、プラズマ中の正電荷粒子と負電荷粒子(電子)の移動度の差に起因して、ターゲットには、直流の負電圧であるバイアス電圧が発生する。このバイアス電圧の値は、ターゲットのスパッタリング状態を反映しており、複数のターゲットを隣接させてスパッタリングする場合には、各ターゲットのバイアス電圧が同じ値になったときに、各ターゲットのスパッタ状態が同じになり、各ターゲットが均一にスパッタリングできようになることが分かった。また、各ターゲットのバイアス電圧が同じ値になったときには、バイアス電圧は最大値になっているから、各ターゲットのスパッタリング速度が向上することが分かった。
従って、位相差を求めることに替え、各ターゲットのバイアス電圧値(バイアス電圧の値の絶対値)を求め、各ターゲットのバイアス電圧が増加するように、電源位相を変化させると、各ターゲットのバイアス電圧を最大値にすることができる。各交流電源が出力する交流電圧の周波数は等しく、電圧値も等しいので、各ターゲットのバイアス電圧値がそれぞれ最大値のときは、各ターゲットのバイアス電圧値は互いに等しくなるので、スパッタリング速度は速く、また、各ターゲットのスパッタリング状態が一致して、ターゲット間で均一なスパッタリングが行われる。
但し、選択した調整対象電源の電源位相を変化させてバイアス電圧を増大させると、選択した調整対象電源以外の交流電源が交流電圧を出力するターゲットのバイアス電圧値が低下することがある。
そして、バイアス電圧値を増加させることにより、各電圧センサが検出するバイアス電圧値が所定の電圧一致関係になったときに、各ターゲットのバイアス電圧値がそれぞれ最大値になったものとして、基板表面への成膜を開始する。
ここでも、最大値よりも小さいバイアス電圧を出力している交流電源を選択するとよい。
電源位相の制御を停止する場合は、予め、電圧増加制御再開関係を設定しておき、ターゲットの電圧を検出してバイアス電圧を継続して求め、制御装置が、測定した各バイアス電圧値が、電圧増加制御再開関係になったと判断したときに、上記と同じく、各調整電源の電源位相を変化させ、バイアス電圧の増加を再開させる。
なお、プラズマを一旦消滅させて、スパッタリングを停止する場合であっても、交流電源とカソード電極との間の配線を変更しなければ、そのインピーダンスは変化しない。
<スパッタリング装置>
先ず、本発明のスパッタリング装置を説明する。
本発明のスパッタリング装置2の図1、2の概略図を参照し、このスパッタリング装置2は真空槽20を有しており、真空槽20の内部には、複数台(ここでは3台)のスパッタ源221〜223が配置されている。
真空槽20の底面には、レール42が、各スパッタ源221〜223が並べられた方向に沿って伸びるように配置されている。符号40は、基板41を配置するキャリアを示しており、キャリア40の下端には移動装置47(ここでは車輪等のローラ)が設けられており、キャリア40は基板41を配置する配置面を鉛直にして、移動装置47がレール42上に乗せられて、キャリア40がレール42上を移動するように構成されている。レール42上を移動するキャリア40は、各スパッタ源221〜223と順番に対面する。
筺体31は、金属から成り、筺体31の両端の開口のうち、一方の開口は、キャリア40が通過する経路29に向けられており、揺動機構28は、筺体31の内部の他方の開口付近に配置されている。
この電気回路50は、真空槽20の外部に配置された交流電源391〜393と、制御装置38とを有している。
ターゲット21は、バッキングプレート35に接着されて固定されており、鉛直に設けられ、又は、鉛直から小角度傾いて設けられており、各ターゲット21は、バッキングプレート35の、キャリア40に向く面に対して、平行にされている。
磁石装置27は、外側磁石25と、外側磁石25によって取り囲まれている直線状の中央磁石24と、外側磁石25と中央磁石24とが配置されたヨーク23とで構成されている。
制御装置38の内部には、測定装置54と位相シフター36とが配置されている。
各交流電源391〜393は位相シフター36に接続されており、制御装置38は、その内部の位相シフター36から位相制御信号を各交流電源391〜393にそれぞれ個別に出力し、各交流電源391〜393が出力する交流電圧の位相(電源位相)を決定するように構成されている。
また、各電圧センサ531〜533の検出結果から、バッキングプレート35の直流電圧成分を求めて、求めた値を、ターゲット21のバイアス電圧とすることもできる。
<薄膜製造方法>
次に、本発明の薄膜製造方法を説明する。
[プラズマ形成工程]
真空槽20の内部を真空排気装置44によって真空排気し、真空槽20内が所定の圧力になった後、ガス供給装置43から真空槽内にスパッタリングガスを供給する。
各交流電源391〜393を起動して交流電圧を出力すると、各スパッタ源221〜223のバッキングプレート35を介して、ターゲット21にそれぞれ交流電圧が印加され、各ターゲット21の表面にスパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット21のスパッタリングが開始される。
位相測定動作では、スパッタリングが開始されると、制御装置38は、電圧センサ531〜533によって繰り返し電圧を検出し、各スパッタ源221〜223のバッキングプレート35からターゲット21のターゲット位相の位相差を求めることを開始する。
バッキングプレート35を介して検出される各スパッタ源221〜223のターゲット21の電圧の値は、電圧センサ531〜533によって検出され続け、制御装置38に出力されており、制御装置38は、位相差を繰り返し算出し、各ターゲット位相が同期したかどうかを判断する。
キャリア40に配置された基板41は、一定速度で、各スパッタ源221〜223のターゲット21と順番に対面しながら、真空槽20内部を通過し、表面にターゲット材料の薄膜が形成される。
固体電解質膜が形成された基板41は、真空槽20から搬出され、次工程の装置内に移動する。
ターゲット位相は同期していると、各ターゲット21上のプラズマに投入される電力は互いに等しくなっており、各ターゲット21が出力する電力の合計値は最大値になる。
複数の基板表面に薄膜を形成する間にも、各ターゲット21の電圧は、電圧センサ531〜533によって、バッキングプレート35を介して検出されており、各スパッタ源221〜223のターゲット21のターゲット位相の位相差は、制御装置38によって求められており、制御装置38は、ターゲット21間の位相差が小さくなるように電源位相を制御して、位相差の同期関係を維持している。
一旦、位相差が、予め設定された同期関係になった後は、基板41の表面への薄膜形成中でも、電源位相の制御を停止することもできる。
各交流電源391〜393には、制御装置38が出力する位相制御信号が入力されており、各交流電源391〜393は、入力された位相制御信号の内容に応じた電源位相の交流電圧を出力するように構成されている。
位相制御信号を記憶又は記録しなくても、交流電源391〜393を再起動したときに、同期関係にあったときの電源位相で各交流電源391〜393を動作させることができればよい。
なお、本発明では、電圧センサ531〜533と制御装置38内の測定装置54とが、ターゲット位相を測定していたが、ターゲット位相の位相差を求めることができれば、電圧センサ531〜533を用いることに限定されるものではない。
以上は、位相差の値に基づいて、電源位相を変化させたが、位相差を求めずに、電圧センサ531〜533によって、各ターゲット21のバイアス電圧をバッキングプレート35を介して測定し、バイアス電圧を増加させるように、電源位相を制御するバイアス電圧測定動作を行う本発明の第二例でも、均一なスパッタリングを行うことができる。
本発明の第二例を説明すると、先ず、上記プラズマ形成工程で説明したように、プラズマを形成する。
バイアス電圧測定動作では、各交流電源391〜393にそれぞれ接続された電圧センサ531〜533が動作を開始して、各スパッタ源221〜223のターゲット21の交流電圧を、バッキングプレート35を介して検出し、検出結果を制御装置38に出力すると、制御装置38は、各ターゲット21のバイアス電圧を求める。
制御装置38は、各ターゲット21のバイアス電圧を継続して測定し、選択した交流電源391〜393の電源位相を変化させ、選択した交流電源391〜393が交流電圧を出力するターゲット21のバイアス電圧を増加させ、バイアス電圧値が制御装置38に予め設定された電圧一致関係になると、各バイアス電圧が等しくなったものとして、真空槽20内に、キャリア40の配置面に配置された基板41を、キャリア40と共に搬入し、レール42上の走行を開始させ、第一例と同様に、薄膜成長工程を行う。
複数の基板表面に固体電解質膜を形成する間にも、制御装置38によって、各ターゲット21のバイアス電圧は継続して測定し、制御装置38は、交流電源391〜393のうち、バイアス電圧値が最大のターゲットに接続された交流電源以外の交流電源を選択し、選択した交流電源のバイアス電圧値が増大するように、選択した交流電源の電源位相を変化させると、各ターゲット21のバイアス電圧の電圧一致関係は維持される。
一旦、各ターゲット21のバイアス電圧が電圧一致関係になった後は、基板41の表面への薄膜形成中でも、各交流電源391〜393の電源位相の制御を停止することもできる。
この場合、制御装置38は、電源位相の制御を停止しても、バイアス電圧は継続して求め、測定結果であるバイアス電圧値が、制御装置38に予め設定された電圧増加制御再開関係になったと制御装置38が判断すると、交流電源391〜393の中から一台を選択して電源位相を変更し、選択した交流電源391〜393が交流電圧を出力するターゲット21のバイアス電圧値を大きくする。
調整対象電源から一台の交流電源391〜393の選択と、最大値電源の変更を繰り返し行う。
また、一旦交流電源391〜393を停止し、プラズマを消滅させる場合には、上述した第一の制御再開工程のように、プラズマの形成中に、バイアス電圧が電圧一致関係にある状態での各交流電源391〜393に出力された位相制御信号の内容を記憶又は記録しておき、交流電源391〜393を停止してプラズマを消滅させた後、交流電源391〜393を再起動する際には、制御装置38から交流電源391〜393に記憶又は記録された位相制御信号を出力して、各交流電源391〜393から、記憶又は記録したときの電源位相で交流電圧を出力させるようにしてもよい。配線のインピーダンス変化が小さければ、電圧一致関係が再現できる。電圧一致関係が再現できなくても、電源位相の制御を開始することで、短時間で電圧一致関係にすることができる。
なお、上記第一、第二の例では、固体電解質膜の製造に本発明を適用したが、本発明によって、固体電解質膜以外の薄膜を製造することも可能である。
上記スパッタリング装置2は、三個のスパッタ源221〜223を有していたが、2個以上のスパッタ源を有するスパッタリング装置は本発明に含まれる。
また、上記第二例では、調整対象電源を順番に選択したが、ランダムに選択する場合や、他の規則に従って選択する場合も含まれる。
上記のスパッタリング装置2の各ターゲット21に、Li3PO4の焼結体ターゲット110mm×1040mm×5tを用い、スパッタリングガスには、N2ガス23sccm、0.25Paを用い、各交流電源391〜393から、それぞれ2.5kW(13.56MHz)の交流電圧を出力し、あらかじめ下部電極膜(Pt/Ti)が形成された0.5mmtのガラス基板から成る基板41の表面に、LiPONから成る固体電解質膜を1μmの膜厚で形成した。
各ターゲット21のバイアス電圧とターゲット位相は、バッキングプレート35を介して、電圧センサ531〜533で検出した電圧値から求めた。
それに対し、電源位相を制御せずに、固定電解質膜を形成した比較例の値を、表2に示す。
この原因は、電源ケーブルの長さやブスバーの形状の違い、また、ターゲット21の掘れ量の違い等により生じたインピーダンスの差に起因すると考えられる。
図5〜図7は、本発明の実施例のFT−IRのスペクトルであり、図8〜図10は、比較例のFT−IRのスペクトルである。各図は、横軸は波数、縦軸は強度のグラフである。
他方、図8〜図10の比較例では、PO4(1030cm-1)及びP−O−P(933cm-1)のピークは小さなものになっており、電源位相の制御をしない場合には良好な膜質が得られないことが分かる。
20……真空槽
21……ターゲット
38……制御装置
391〜393……交流電源
531〜533……電圧センサ
Claims (10)
- 真空槽と、
前記真空槽内に配置された複数のターゲットと、
各前記ターゲットに電気的にそれぞれ接続され交流電圧を出力する交流電源と、
各前記ターゲットにそれぞれ印加される交流電圧を検出する電圧センサと、
前記電圧センサの検出結果から、各前記ターゲットに印加される交流電圧のバイアス電圧の値であるバイアス電圧値を求める制御装置と、
を有し、
前記交流電源は、出力する前記交流電圧の位相である電源位相を所望の値に変更できるように構成され、
前記制御装置は、前記バイアス電圧値を大きくするように、前記電源位相を変化させるスパッタリング装置。 - 前記制御装置は、最大のバイアス電圧値以外のバイアス電圧値の前記ターゲットに接続された前記交流電源の前記電源位相を変化させる請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲットはLiを含有し、
前記ターゲットのスパッタリングにより、成膜対象物の表面にLiを含有する固体電解質膜を形成する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のスパッタリング装置。 - 真空槽内に配置された複数のターゲットにそれぞれ個別に接続された交流電源から交流電圧をそれぞれ出力させ、各前記ターゲット上にプラズマを形成して各前記ターゲットをスパッタリングして、成膜対象物の表面に薄膜を形成する薄膜製造方法であって、
各前記ターゲットの電圧を検出してバイアス電圧の値であるバイアス電圧値をそれぞれ求め、
前記バイアス電圧値が大きくなるように、前記交流電圧の位相である電源位相を変化させる薄膜製造方法。 - 前記電源位相を変化させる前記交流電源は、最大のバイアス電圧値以外のバイアス電圧値の前記ターゲットに接続された前記交流電源の中から選択する請求項4記載の薄膜製造方法。
- 各前記ターゲットの前記バイアス電圧値が所定の電圧一致関係になったと判断した後、前記成膜対象物の表面への前記薄膜の形成を開始する請求項5記載の薄膜製造方法。
- 前記成膜対象物の表面に前記薄膜を形成している間は、前記バイアス電圧値が大きくなるように、前記交流電源の前記電源位相を変化させる請求項6記載の薄膜製造方法。
- 前記電圧一致関係になったと判断した後、前記電源位相の変化を停止する請求項6記載の薄膜製造方法。
- 前記電源位相の変化を停止した後も、前記ターゲットの電圧を測定して前記バイアス電圧値を求め、
求めた前記バイアス電圧値が所定の電圧増加制御再開関係になると、前記電源位相を変化させ、前記バイアス電圧値を大きくする請求項8記載の薄膜製造方法。 - 前記電圧一致関係と判断された状態で、各前記交流電源の動作状態を記憶しておき、
各前記交流電源を停止して前記プラズマを消滅させた後、各前記交流電源を起動し、各前記交流電源を記憶された前記動作状態で動作させ、各前記交流電源を前記電圧一致関係にする請求項6乃至請求項9のいずれか1項記載の薄膜製造方法。
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