JP5996129B2 - 不揮発性半導体マスメモリを安全に消去するための方法、コンピュータシステム、及びコンピュータプログラム - Google Patents
不揮発性半導体マスメモリを安全に消去するための方法、コンピュータシステム、及びコンピュータプログラム Download PDFInfo
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Description
CS コンピュータシステム
D1〜DN ファイル
D1*〜D3* ファイル
DV データ接続部
DVV データ処理機器
HMS 半導体マスメモリ
HP マザーボード
SB1 メモリ領域
SB2 メモリ領域
SC1〜SC6 ステップ
SP メモリ
SS インタフェース
V 方法
Claims (7)
- 不揮発性半導体マスメモリを安全に消去するための方法であって、前記半導体マスメモリが、前記半導体マスメモリのインタフェースを通してアドレス指定されることができる第1のメモリ領域又は前記インタフェースを通してアドレス指定されることができない第2のメモリ領域のいずれかに割り当てられる複数の物理的メモリユニットと、前記第1のメモリ領域及び前記第2のメモリ領域に対する前記メモリユニットの割り当てを、前記第1のメモリ領域に割り当てられたメモリユニットに上書きする命令を前記インタフェースを通して受け取ると、ウェアレベリングをもたらすためのアルゴリズムに従って変更するように設定される制御器とを有し、当該方法が、
・消去のために全体のアドレス指定可能な前記第1のメモリ領域を標示するステップと、
・前記インタフェースを通して前記制御器に解放命令、特にTRIM命令を発行するステップと、
・前記解放命令が受け取られた後で、前記制御器により書き込まれるために前記第1のメモリ領域に割り当てられた前記物理的メモリユニットを解放するステップと、
・所定の第1のビットパターンを有するデータブロックを全体の前記第1のメモリ領域に書き込むために前記インタフェースを通して前記制御器に少なくとも1つの第1の書き込み命令を発行するステップと、
・以前に書き込まれた前記データブロックの少なくとも1つの所定部分に前記第1のビットパターンと異なる第2のビットパターンによって上書きするために前記インタフェースを通して前記制御器に少なくとも1つの第2の書き込み命令を発行するステップであって、前記第2のメモリ領域に割り当てられた前記物理的メモリユニットが前記ウェアレベリングをもたらすためのアルゴリズムに従って書き込まれる、ステップとを有する、方法。 - 前記標示するステップにおいて、前記半導体マスメモリが所定のファイルシステムによってフォーマットされ、前記第1の書き込み命令を発行するステップ及び前記第2の書き込み命令を発行するステップにおいて、前記ファイルシステムのブロック及び/又はクラスタのサイズの整数倍に対応するファイルサイズを有するファイルが書き込まれる、請求項1に記載の方法。
- 前記ファイルシステムが、メタファイルを有していないファイルシステム、特にFAT16又はFAT32である、請求項2に記載の方法。
- 前記ファイルが、コンテナを利用しないファイルを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第1のビットパターンが、16進値“0xFF”を含む、請求項1に記載の方法。
- 不揮発性半導体マスメモリを有するコンピュータシステムであって、前記半導体マスメモリが、制御器と、前記制御器を通して前記半導体マスメモリの第1のメモリ領域にアクセスするためのインタフェースとを有し、
・前記インタフェースが、オペレーティングシステム又はBIOSから命令を受け取るとともに、前記制御器に命令を送るように設定され、
・当該コンピュータシステムが、請求項1に記載の方法を実行するように設定される、コンピュータシステム。 - 実行可能プログラムコードを含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムコードがデータ処理機器、特にプロセッサにより実行される場合に、請求項1に記載の方法が実行される、コンピュータプログラム。
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