JP5995130B1 - スピネル粒子およびその製造方法、並びに前記スピネル粒子を含む組成物および成形物 - Google Patents

スピネル粒子およびその製造方法、並びに前記スピネル粒子を含む組成物および成形物 Download PDF

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Abstract

従来、スピネルは、上記のように宝石類、触媒担体、吸着剤、光触媒、光学材料、耐熱絶縁材料等の用途に適用されているが、熱伝導性を有する無機フィラーとしての用途は想定されていない。そこで、本発明は、熱伝導性に優れるスピネル粒子を提供することを目的とする。マグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子を含むスピネルと、前記スピネルの表面および/または内部に配置されるモリブデンと、を含み、前記スピネルの[311]面の結晶子径が、100nm以上である、スピネル粒子。

Description

本発明は、スピネル粒子およびその製造方法、並びに前記スピネル粒子を含む組成物および成形物に関する。
従来、機器の小型軽量化、高性能化が求められ、これに伴い半導体デバイスの高集積化、大容量化が進んでいる。このため、機器の構成部材に生じる発熱量が増大しており、機器の放熱機能の向上が求められている。
機器の放熱機能を向上させる方法としては、例えば、絶縁部材に熱伝導性を付与する方法、より具体的には、絶縁部材となる樹脂に無機フィラーを添加する方法が知られている。この際、使用される無機フィラーとしては、アルミナ(酸化アルミニウム)、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。
近年、機器の小型軽量化、高性能化はますます進んでおり、高い熱伝導性を有する無機フィラーが求められている。
ところで、スピネルは、一般に、MgAlの化学組成で表される鉱物であり、宝石類として使用される他、その多孔構造や修飾容易性の観点から、触媒担体、吸着剤、光触媒、光学材料、耐熱絶縁材料等の用途に適用されている。
例えば、特許文献1には、比表面積が80m/g以上のMgAlスピネル粉末に係る発明が記載されている。この際、前記スピネル粉末は、平均粒子径が3〜20μmであることを特徴としている。特許文献1に記載のスピネル粉末によれば、比表面積を80cm/以上とすることで、主に吸蔵還元型触媒担体として高い触媒活性が得られることが記載されている。また、平均粒子径を3〜20μmとすることで、塗布し易く、かつ剥離し難く、亀裂が発生しない被覆層が得られることが記載されている。
なお、特許文献1に記載のスピネル粉末は、水酸化アルミニウムを酸に溶解させて調製したアルミニウム塩と水酸化マグネシウムを酸に溶解させて調製したマグネシウム塩とを用いて合成し焼成して得たMgAlスピネル粉末を粉砕して得られることが記載されている。具体的には、前記水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウムを用いて複合水酸化物の沈殿物を合成し、前記沈殿物を熱処理して得たMgAlスピネル粉末を粉砕する、いわゆる共沈法が記載されている。
特開2001−48529号公報
従来、スピネルは、上記のように宝石類、触媒担体、吸着剤、光触媒、光学材料、耐熱絶縁材料等の用途に適用されているが、熱伝導性を有する無機フィラーとしての用途は想定されていない。この理由は、コストの観点から、従来アルミナがよく使用されており、前記アルミナよりも熱伝導性が低いものとして知られていたスピネルは熱伝導性の無機フィラーとしての使用が想定されなかったためである。
そこで、本発明は、熱伝導性に優れるスピネル粒子を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、スピネル粒子の所定の結晶面の結晶子径を大きくすることで上記課題が解決されうることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、マグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子を含むスピネルと、前記スピネルの表面および/または内部に配置されるモリブデンと、を含み、前記スピネルの[311]面の結晶子径が、100nm以上である、スピネル粒子に関する。
本発明によれば、熱伝導性に優れるスピネル粒子が提供される。
実施例1で得た粉末サンプルのX線回折パターンである。 実施例1で得た粉末サンプルのラマンスペクトルである。 実施例1で製造したスピネル粒子のSEM画像である。 実施例3で製造したスピネル粒子のSEM画像である。 比較例1で製造したスピネル粒子のSEM画像である。
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
<スピネル粒子>
本発明の一形態によれば、スピネル粒子は、マグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子を含むスピネルと、前記スピネルの表面および/または内部に配置されるモリブデンと、を含む。この際、前記スピネルの[311]面の結晶子径は、100nm以上である。
なお、本明細書において、「スピネル粒子」とは、スピネルおよびモリブデンを含む粒子全体を含むものである。また、「スピネル」とは、結晶それ自体を示すものである。この際、後述するようにモリブデンがスピネルの表面に配置される場合には、スピネルの結晶にはモリブデンが構成要素として含まれないため、スピネル粒子とスピネルとは異なることとなる。一方で、モリブデンがスピネルの内部に配置される場合には、モリブデンがスピネル結晶の成分として結晶格子に含まれることから、スピネル粒子とスピネルとは同じものを意味することとなる。なお、モリブデンがスピネルの表面および内部に配置される場合、モリブデンを構成要素として含むスピネルと、当該スピネル表面に配置されるモリブデンを含むことになるため、スピネル粒子はスピネルとは異なることとなる。
当該モリブデンは、スピネルの表面および/または内部に配置される。ここで、「表面に配置される」とは、スピネル表面にモリブデンが付着、被覆、結合、その他これに類する形態で存在することを意味する。他方、「内部に配置される」とは、モリブデンがスピネルに組み込まれること、および/またはモリブデンがスピネルの空間に存在することを意味する。この際、「モリブデンがスピネルに組み込まれる」とは、スピネルを構成する原子の少なくとも一部が、モリブデンに置換し、当該モリブデンがスピネル結晶の一部として包含されることを意味する。なお、置換されるスピネルの原子としては、特に制限されず、マグネシウム原子、アルミニウム原子、酸素原子、他の原子のいずれであってもよい。また、「モリブデンがスピネルの空間に存在する」とは、スピネルの結晶内部に存在しうる空間にモリブデンが配置されることを意味する。なお、スピネルの空間に存在するモリブデンは結晶内部に配置されるため、表面に配置されるモリブデンと異なり、例えば、洗浄による除去がされにくい。
スピネル粒子の形状としては、多面体状、球状、楕円状、円柱状、多角柱状、針状、棒状、板状、円板状、薄片状、鱗片状等が挙げられる。これらのうち、樹脂に分散しやすいことから多面体状、球状、楕円状、板状であることが好ましく、多面体状、球状であることがより好ましい。なお、本明細書において、「多面体状」とは、通常、6面体以上、好ましくは8面体以上、より好ましくは10〜30面体であることを意味する。
スピネル粒子の平均粒径は、0.1〜1000μmであることが好ましく、0.2〜100μmであることがより好ましく、0.3〜80μmであることがさらに好ましく、0.4〜60μmであることが特に好ましい。スピネル粒子の平均粒径が0.1μm以上であると、樹脂と混合して得られる組成物の粘度が過度に大きくならないことから好ましい。一方、スピネル粒子の平均粒径が1000μm以下であると、樹脂と混合して得られた組成物を成形した場合、得られる成形物の表面が平滑になりうる、成形物の機械物性が優れる等の観点から好ましい。なお、本明細書において、「平均粒径」とは、任意の100個の粒子の粒径を走査型電子顕微鏡(SEM)により得られたイメージから測定、算出された値を意味する。この際、「粒径」とは、粒子の輪郭線上の2点間の距離のうち、最大の長さを意味する。
スピネル粒子の比表面積は、10m/g以下であることが好ましく、0.001〜8m/gであることがより好ましく、0.01〜5m/gであることがさらに好ましい。スピネル粒子の比表面積が10m/g以下であると、粒子表面の平滑性が高く、樹脂等に好適に分散できることから好ましい。なお、本明細書において「比表面積」はBET比表面積を意味し、窒素ガス吸着/脱着法で得られた値を採用するものとする。
スピネル粒子の熱伝導率は、10W/(m・K)以上であることが好ましく、20W/(m・K)以上であることがより好ましく、35W/(m・K)以上であることがさらに好ましい。スピネル粒子の熱伝導率が10W/(m・K)以上であると、樹脂コンパウンドとしてより高熱伝導性を達成できることから好ましい。
[スピネル]
本発明においてスピネルは、マグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子を含み、一般的には、MgAlの組成で表される。その他、他の原子および後述するモリブデンが含まれていてもよい。
スピネルの[311]面の結晶子径は、100nm以上であり、好ましくは120nm以上であり、より好ましくは150nm以上であり、さらに好ましくは200nm以上である。ここで、[311]面はスピネルの主要な結晶ドメインであり、当該[311]面の結晶ドメインの大きさが[311]面の結晶子径に相当する。当該結晶子径が大きいほど粒子の緻密性および結晶性が高く、フォノンの散乱が起こる乱れ部分がないことを意味するため、熱伝導性が高いということができる。なお、スピネルの[311]面の結晶子径は、後述する製造方法の条件を適宜設定することで制御することができる。また、本明細書において「[311]面の結晶子径」の値は、X線回析法(XRD)を用いて測定された[311]面に帰属されるピーク(2θ=36.9度付近に出現するピーク)の半値幅からシェラー式を用いて算出された値を採用するものとする。
(マグネシウム原子)
スピネル中のマグネシウム原子の含有量は、特に制限されないが、スピネルの構造式をMgAlで表す場合、xは(y−1.2)〜(y−0.8)の範囲であることが好ましく、(y−1.1)〜(y−0.9)の範囲であることがより好ましい。一実施形態において、前記yの具体例が2とした場合、前記xの具体例としては、0.8〜1.2であることが好ましく、0.9〜1.1であることがより好ましい。なお、本明細書において、スピネル中のマグネシウム原子の含有量は蛍光X線元素分析法(XRF)により測定された値を採用するものとする。
(アルミニウム原子)
スピネル中のマグネシウム原子の含有量は、特に制限されないが、スピネルの構造式をMgAlで表す場合、yは(x+0.8)〜(x+1.2)の範囲であることが好ましく、(x+0.9)〜(x+1.1)の範囲であることがより好ましい。一実施形態において、前記xの具体例が1とした場合、前記yの具体例としては、1.8〜2.2であることが好ましく、1.9〜2.1であることがより好ましい。なお、本明細書において、スピネル中のアルミニウム原子の含有量は蛍光X線元素分析法(XRF)により測定された値を採用するものとする。
(酸素原子)
スピネル中の酸素原子の含有量は、特に制限されないが、スピネルの構造式をMgAlで表す場合、zは(x+y+0.8)〜(x+y+1.2)の範囲であることが好ましく、(x+y+0.9)〜(x+y+1.1)の範囲であることがより好ましい。一実施形態において、前記xとyの具体例がそれぞれ1と2とした場合、前記zの具体例としては、3.8〜4.2であることが好ましく、3.9〜4.1であることがより好ましい。
(他の原子)
他の原子としては、本発明の効果を阻害しない範囲においてスピネル中に包含されうる。具体例としては、亜鉛、コバルト、ニッケル、鉄、マンガン、チタン、ジルコニウム、カルシウム、ストロンチウム、イットリウム等が挙げられる。これらの他の原子は単独で含まれていても、2種以上を混合して含まれていてもよい。
スピネル中の他の原子の含有量は、10mol%以下であることが好ましく、5mol%以下であることがより好ましく、2mol%以下であることがさらに好ましい。
<モリブデン>
モリブデンは、後述する製造方法に起因して含有されうる。
当該モリブデンは、スピネルの表面および/または内部に配置される。
なお、前記モリブデンには、後述するモリブデン含有化合物中のモリブデンを含む。
スピネル粒子中のモリブデンの含有量は、特に制限されないが、スピネル粒子の高熱伝導性の観点から、スピネルに対して、20mol%以下であることが好ましく、10mol%以下であることがより好ましく、5mol%以下であることがさらに好ましい。なお、本明細書において、スピネル中のモリブデンの含有量は蛍光X線分析装置により測定された値を採用するものとする。
<スピネル粒子の製造方法>
スピネル粒子の製造方法は、モリブデン酸マグネシウムおよびアルミニウム化合物を含む第1の混合物を焼成する焼成工程と、前記焼成工程で得られた焼成体を冷却する冷却工程と、を含む。その他、必要に応じて、モリブデン化合物およびマグネシウム化合物を含む第2の混合物を焼成して、前記モリブデン酸マグネシウムを調製する前駆体調製工程をさらに含んでいてもよい。
一実施形態において、好ましくは、前駆体調製工程と、焼成工程と、冷却工程と、をこの順で含む。
[前駆体調製工程]
前駆体調製工程は、モリブデン化合物およびマグネシウム化合物を含む第2の混合物を焼成して、モリブデン酸マグネシウムを調製する工程である。
(第2の混合物)
第2の混合物は、モリブデン化合物およびマグネシウム化合物を含む。
モリブデン化合物
モリブデン化合物としては、特に制限されないが、金属モリブデン、酸化モリブデン、硫化モリブデン、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム、モリブデン酸カルシウム、モリブデン酸アンモニウム、HPMo1240、HSiMo1240等のモリブデン化合物が挙げられる。この際、前記モリブデン化合物は、異性体を含む。例えば、酸化モリブデンは、二酸化モリブデン(IV)(MoO)であっても、三酸化モリブデン(VI)(MoO)であってもよい。これらのうち、三酸化モリブデン、二酸化モリブデン、モリブデン酸アンモニウムであることが好ましく、三酸化モリブデンであることがより好ましい。
なお、上述のモリブデン化合物は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記マグネシウム化合物のマグネシウム元素に対するモリブデン化合物のモリブデン元素のモル比(モリブデン元素/マグネシウム元素)は、0.01〜10であることが好ましく、0.1〜6であることがより好ましい。前記モル比が0.01以上であると、結晶成長が好適に進行しうることから好ましい。一方、前記モル比が10以下であると、後述する焼成工程において副反応物であるα化度の高いアルミナの生成を抑制または防止できることから好ましい。
マグネシウム化合物
マグネシウム化合物としては、特に制限されないが、金属マグネシウム;酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、過酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、塩化マグネシウム、臭化マグネシウム、ヨウ化マグネシウム、水素化マグネシウム、二ホウ化マグネシウム、窒化マグネシウム、硫化マグネシウム等のマグネシウム誘導体;炭酸マグネシウム、炭酸カルシウムマグネシウム、硝酸マグネシウム、硫酸マグネシウム、亜硫酸マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、リン酸三マグネシウム等、過マンガン酸マグネシウム、リン酸マグネシウム等のマグネシウムオキソ酸塩;酢酸マグネシウム、クエン酸マグネシウム、リンゴ酸マグネシウム、グルタミン酸マグネシウム、安息香酸マグネシウム、ステアリン酸マグネシウム、アクリル酸マグネシウム、メタクリル酸マグネシウム、グルコン酸マグネシウム、ナフテン酸マグネシウム、サリチル酸マグネシウム、乳酸マグネシウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム等のマグネシウム有機塩;スピネル、スピネル前駆体(結晶性が低いがスピネルの組成を有するものであり、通常水酸基を有する)、アルミン酸マグネシウム、ハイドロタルサイト、マグネシウムアルミニウムイソプロポキシド等のアルミニウム−マグネシウム含有化合物;およびこれらの水和物等が挙げられる。これらのうち、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、スピネル前駆体、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、硝酸マグネシウム、硫酸マグネシウムであることが好ましく、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、スピネル前駆体、酢酸マグネシウムであることがより好ましい。
なお、上述のマグネシウム化合物は単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
マグネシウム化合物は市販品を使用しても、自ら調製してもよい。
(焼成)
マグネシウム化合物およびモリブデン化合物を焼成することで、モリブデン酸マグネシウムを得ることができる。
この際、焼成温度は、モリブデン酸マグネシウムを得ることができれば特に制限されないが、200〜2000℃であることが好ましく、300〜1500℃であることがより好ましく、400〜1000℃であることがさらに好ましい。焼成温度が200℃以上であると、モリブデン化合物とマグネシウム化合物と効率よく反応できることから好ましい。一方、焼成温度が2000℃以下であると、工業的に実施し易いことから好ましい。
焼成時間についても特に制限されないが、0.1〜100時間であることが好ましく、1〜20時間であることがより好ましい。
焼成後は、いったん冷却してモリブデン酸マグネシウムを単離してもよいし、そのまま後述する焼成工程を行ってもよい。
(モリブデン酸マグネシウム)
モリブデン酸マグネシウムは、後述する焼成工程において、モリブデンの蒸気の発生源となるとともに、アルミニウム化合物のアルミニウム原子と結晶を形成するマグネシウム原子を提供する機能を有する。
モリブデン酸マグネシウムは、マグネシウム原子、モリブデン原子、および酸素原子を含み、一般的には、MgMoOで表される。
ただし、その他の組成を有していてもよく、例えば、上述するマグネシウム元素に対するモリブデン元素のモル比が1:1以外である場合は、焼成後過剰な未反応のマグネシウム化合物またはモリブデン化合物が存在する場合がある。この場合、モリブデン酸マグネシウムとマグネシウム化合物との混合物、またはモリブデン化合物とマグネシウム化合物との混合物となりうる。
なお、モリブデン酸マグネシウムには他の原子が含まれていてもよい。
[焼成工程]
モリブデン酸マグネシウムおよびアルミニウム化合物を含む第1の混合物を焼成する工程である。
金属成分を複数有するスピネルでは、焼成過程において、欠陥構造等が生じ易いため、結晶構造を精密に制御することが困難である。しかしながら、モリブデン酸マグネシウムおよびアルミニウム化合物を焼成することにより、酸化モリブデンがフラックス剤として機能しつつ、マグネシウム、アルミニウム、および酸素を含むスピネル結晶構造を精密に制御することができる。その結果、[311]面の結晶子径が大きくなり、熱伝導性に優れるスピネル粒子を製造することができる。
また、従来、スピネル粒子の合成は、通常、高温で焼成するものであることから、粒子成長との兼ね合いを考慮すると、高い熱伝導性を有しつつ、平均粒径が1000μm以下、特に100μm以下のスピネル粒子を得ることは困難であった。このため、従来の製造方法では、大きなスピネル粒子を合成し、次いでこれを粉砕して粉末化する必要があった。これに対し、本実施形態に係る製造方法によれば、モリブデン酸マグネシウムを使用することで、高い熱伝導性を有しつつ、平均粒径が1000μm以下、特に100μm以下のスピネル粒子を製造することができる。
なお、スピネル粒子の結晶子径は、主にフラックス剤であるモリブデンの添加量、具体的には、上述のマグネシウム元素に対するモリブデン元素のモル比(モリブデン元素/マグネシウム元素)により制御することができる。例えば、マグネシウム元素に対するモリブデン元素(モリブデン元素/マグネシウム元素)のモル比を増加させるにつれて、得られたスピネル粒子の結晶子径が大きくなる傾向がある。この理由は、モリブデン酸マグネシウムとアルミニウム化合物とが反応および/または固溶化することによりスピネルの結晶化が進行するためである。より詳細には、モリブデン酸マグネシウムとアルミニウム化合物との反応および/または固溶により、まず酸化モリブデンが生成し、当該酸化モリブデンがマグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子を含むスピネルの結晶化においてフラックスとして機能する。この際、フラックスの量を増加すると、[311]面の結晶子径が大きいスピネル粒子を得ることができる。
また、スピネル粒子の平均粒径についても、主にフラックスであるモリブデンの添加量、具体的には、上述のマグネシウム元素に対するモリブデン元素のモル比(モリブデン元素/マグネシウム元素)により制御することができる。この理由も、先述の結晶子径の制御と同様にモリブデンがフラックスとして機能するため、使用量を増加させることで、平均粒子径の大きいスピネル粒子を得ることができる。
(第1の混合物)
第1の混合物は、モリブデン酸マグネシウムおよびアルミニウム化合物を含む。
モリブデン酸マグネシウム
モリブデン酸マグネシウムは上述の前駆体調製工程によって調製されたものを使用しても、市販品を使用してもよい。
アルミニウム化合物
アルミニウム化合物としては、特に制限されないが、金属アルミニウム、アルミナ(酸化アルミニウム)、水酸化アルミニウム、硫化アルミニウム、窒化アルミニウム、フッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム等のアルミニウム誘導体;硫酸アルミニウム、硫酸ナトリウムアルミニウム、硫酸カリウムアルミニウム、硫酸アンモニウムアルミニウム、硝酸アルミニウム、過塩素酸アルミニウム、アルミン酸アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、リン酸アルミニウム等のアルミニウムオキソ酸塩;酢酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、ラウリン酸アルミニウム、ステアリン酸アルミニウム、シュウ酸アルミニウム等のアルミニウム有機塩;アルミニウムプロポキシド、アルミニウムブトキシド等のアルコキシアルミニウム;スピネル、スピネル前駆体、アルミン酸マグネシウム、ハイドロタルサイト、マグネシウムアルミニウムイソプロポキシド等のアルミニウム−マグネシウム含有化合物;およびこれらの水和物等が挙げられる。これらのうち、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、およびこれらの水和物を用いることが好ましく、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、スピネル前駆体を用いることがより好ましい。
なお、上述のアルミニウム化合物は単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記アルミニウム化合物のアルミニウム元素に対するモリブデン酸マグネシウムのマグネシウム元素のモル比(アルミニウム元素/マグネシウム元素)は、2.2〜1.8の範囲であることが好ましく、2.1〜1.9の範囲であることがより好ましい。前記モル比が2.2〜1.8の範囲であると、[311]面の結晶子径の大きい高熱伝導率のスピネル粒子合成できることから好ましい。
(焼成)
モリブデン酸マグネシウムおよびアルミニウム化合物を焼成することで、スピネル粒子を得ることができる。
本発明において、焼成によりモリブデン酸マグネシウムとアルミニウム化合物とが反応および/または固溶化することで酸化モリブデンが生成し、当該酸化モリブデンがマグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子を含むスピネルの結晶化においてフラックスとして機能することでスピネル粒子が形成される。スピネル粒子を形成した後に、殆どのモリブデン化合物は酸化モリブデンとして昇華するが、昇華しきれないモリブデンは、形成されるスピネルの表面および/または内部に配置されうる。スピネル粒子中のモリブデンの含有量は焼成温度/焼成時間に依存する傾向がある。例えば、高温および/または長時間の焼成を行った場合には、モリブデンの含有量は低下する傾向がなる。
焼成温度は、所望のスピネル粒子を得ることができれば特に制限されないが、800〜2000℃であることが好ましく、1200〜1600℃であることがより好ましい。焼成温度が800℃以上であると、短時間で[311]面の結晶子径の大きいなスピネル粒子を得ることができるため好ましい。一方、焼成温度が2000℃以下であると、スピネルの粒径制御が容易となることから好ましい。
焼成時間は、特に制限されないが、0.1〜1000時間であることが好ましく、3〜100時間であることがより好ましい。焼成時間が0.1時間以上であると、[311]面の結晶子径の大きいなスピネル粒子を得ることができるため好ましい。一方、焼成時間が1000時間以内であると、製造コストが低くなり得ることから好ましい。
焼成雰囲気は、空気雰囲気であっても、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気であっても、酸素雰囲気であっても、アンモニアガス雰囲気であっても、二酸化炭素雰囲気であってもよい。この際、製造コストの観点からは空気雰囲気であることが好ましい。また、スピネル粒子の表面改質等を同時に行う場合には、アンモニアガス雰囲気であることが好ましい。
焼成時の圧力についても特に制限されず、常圧下であっても、加圧下であっても、減圧下であってもよいが、製造コストの観点から常圧下で行う事が好ましい。
加熱手段としては、特に制限されないが、焼成炉を用いることが好ましい。この際使用されうる焼成炉としては、トンネル炉、ローラーハース炉、ロータリーキルン、マッフル炉等が挙げられる。
[前駆体調製−焼成工程]
本発明の一実施形態によれば、モリブデン酸マグネシウムの調製と、前記モリブデン酸マグネシウムを用いた焼成工程とを同時に行うことができる。
具体的には、前駆体調製−焼成工程は、マグネシウム化合物と、モリブデン化合物と、アルミニウム化合物と、を含む第3の混合物を焼成して、スピネル粒子を製造する工程である。
第3の混合物を焼成すると、まずマグネシウム化合物およびモリブデン化合物が反応し、モリブデン酸マグネシウムが合成される。そして、得られるモリブデン酸マグネシウムが、同じ系に存在するアルミニウム化合物と反応して、スピネル粒子が製造される。
前記前駆体調製−焼成工程によれば、モリブデン酸マグネシウムを別途調製し、必要に応じて精製し、次いでアルミニウム化合物を添加するという工程が省略されうることから好ましい。
なお、第3の混合物を焼成した際、場合により、モリブデンおよびアルミニウム化合物が反応することにより、モリブデン酸アルミニウムが調製される可能性がある。しかしながら、焼成温度を好ましくは800℃以上、より好ましくは950℃以上にすることにより、モリブデン酸アルミニウムは高温でより安定なモリブデン酸マグネシウムに変換され、所望のスピネル粒子を得ることができる。
また、マグネシウム化合物であり、かつ、アルミニウム化合物であるアルミニウム−マグネシウム含有化合物を使用する場合、第3の混合物は、アルミニウム−マグネシウム含有化合物およびモリブデン化合物を含むこととなる。アルミニウム−マグネシウム含有化合物を用いた場合においても、上記の通り、モリブデン酸マグネシウムの高い高温安定性により、モリブデン酸マグネシウムおよびアルミニウムが共存する環境となり、結果として所望のスピネルを得ることができる。例えば、アルミニウム−マグネシウム含有化合物としてスピネルを用いた場合、すでにスピネルの構造を有するものの、前駆体調製−焼成工程により、高温環境下でモリブデン酸マグネシウムを経由した後、スピネルに再度結晶化されることで、所望のスピネルを得ることができる。
[焼成時の混合状態]
焼成工程または前駆体調製−焼成工程において、スピネルを合成する際、スピネル源となるアルミニウム元素およびマグネシウム元素の反応性が高くなるように混合されていることが好ましい。
具体的な混合状態としては、物理混合、含浸、および共沈が挙げられる。
前記物理混合は、2種の原料、すなわち、マグネシウム元素を含む化合物(モリブデン酸マグネシウムまたはマグネシウム化合物)およびアルミニウム元素を含む化合物(アルミニウム化合物)を単純に混合するものである。
また、前記含侵は、2種の原料を含浸させるものである。その結果、マグネシウム元素を含む化合物がアルミニウム元素を含む化合物に担持される、またはアルミニウム元素を含む化合物がマグネシウム元素を含む化合物に担持されることとなる。
さらに、前記共沈は、2種の原料を共沈させるものである。その結果、マグネシウム元素を含む化合物およびアルミニウム元素を含む化合物が1つの化合物(スピネル前駆体)を構成することとなる。
これらのうち、反応性が高い観点から、含浸(担持形態)および共沈(マグネシウム元素を含む化合物とアルミニウム元素を含む化合物が1つの化合物中に存する形態)であることが好ましく、共沈(マグネシウム元素を含む化合物とアルミニウム元素を含む化合物が1つの化合物中に存する形態)であることがより好ましい。原子が近接した環境下で焼成することにより、結晶成長が起こりやすくなりうる。
[冷却工程]
冷却工程は、焼成工程において結晶成長したスピネル粒子を冷却し、結晶化して粒子状とする工程である。
冷却速度についても特に制限されないが、1〜1000℃/時間であることが好ましく、5〜500℃/時間であることがより好ましく、50〜100℃/時間であることがさらに好ましい。冷却速度が1℃/時間以上であると、製造時間が短縮されうることから好ましい。一方、冷却速度が1000℃/時間以下であると、焼成容器がヒートショックで割れることが少なく、長く使用できることから好ましい。
冷却方法は特に制限されず、自然放冷であっても、冷却装置を使用してもよい。
<組成物>
本発明の一形態によれば、スピネル粒子と、樹脂とを含む、組成物が提供される。この際、前記組成物は、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤、硬化触媒、粘度調節剤、可塑剤等をさらに含んでいてもよい。
(スピネル粒子)
スピネル粒子としては、上述したものが用いられうることからここでは説明を省略する。
なお、前記スピネル粒子は、表面処理されたものを用いることができる。
また、スピネル粒子は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
さらに、スピネル粒子と他のフィラーとを組み合わせて使用してもよい。
スピネル粒子の含有量は、組成物の質量に対して、10〜95質量%であることが好ましく、30〜90質量%であることがより好ましい。スピネル粒子の含有量が10質量%以上であると、スピネル粒子の高熱伝導性を効率的に発揮できることから好ましい。一方、スピネル粒子の含有量が95質量%以下であると、成形性に優れた樹脂組成物を得ることができることから好ましい。
(樹脂)
樹脂としては、特に制限されず、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂が挙げられる。
前記熱可塑性樹脂としては、特に制限されず、成形材料等に使用される公知慣用の樹脂が用いられうる。具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリアミノビスマレイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、フッ化樹脂、液晶ポリマー、オレフィン−ビニルアルコール共重合体、アイオノマー樹脂、ポリアリレート樹脂、アクリロニトリル−エチレン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体などが挙げられる。
前記熱硬化性樹脂としては、加熱または放射線や触媒などの手段によって硬化される際に実質的に不溶かつ不融性に変化し得る特性を持った樹脂であり、一般的には、成形材料等に使用される公知慣用の樹脂が用いられうる。具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂;ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂;脂肪鎖変性ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂、ポリアルキレングルコール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂;ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂;(メタ)アクリル樹脂やビニルエステル樹脂等のビニル樹脂:不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。
上述の樹脂は単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。この際、熱可塑性樹脂を2種以上使用してもよいし、熱硬化性樹脂を2種以上使用してもよいし、熱可塑性樹脂を1種以上および熱硬化性樹脂を1種以上使用してもよい。
樹脂の含有量は、組成物の質量に対して、5〜90質量%であることが好ましく、10〜70質量%であることがより好ましい。樹脂の含有量が5質量%以上であると、樹脂組成物に優れた成形性を付与できることから好ましい。一方、樹脂の含有量が90質量%以下であると、成形してコンパウンドとして高熱伝導性を得ることができることから好ましい。
(硬化剤)
硬化剤としては、特に制限されず、公知のものが使用されうる。
具体的には、アミン系化合物、アミド系化合物、酸無水物系化合物、フェノ−ル系化合物などが挙げられる。
前記アミン系化合物としては、ジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、イミダゾ−ル、BF−アミン錯体、グアニジン誘導体等が挙げられる。
前記アミド系化合物としては、ジシアンジアミド、リノレン酸の2量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂等が挙げられる。
酸無水物系化合物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
フェノール系化合物としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール付加型樹脂、フェノールアラルキル樹脂(ザイロック樹脂)、レゾルシンノボラック樹脂に代表される多価ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒドから合成される多価フェノールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリメチロールメタン樹脂、テトラフェニロールエタン樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ナフトール−フェノール共縮ノボラック樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック樹脂、ビフェニル変性フェノール樹脂(ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価フェノール化合物)、ビフェニル変性ナフトール樹脂(ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価ナフトール化合物)、アミノトリアジン変性フェノール樹脂(メラミン、ベンゾグアナミンなどでフェノール核が連結された多価フェノール化合物)やアルコキシ基含有芳香環変性ノボラック樹脂(ホルムアルデヒドでフェノール核およびアルコキシ基含有芳香環が連結された多価フェノール化合物)等の多価フェノール化合物が挙げられる。
上述硬化剤は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(硬化促進剤)
硬化促進剤は、組成物を硬化する際に硬化を促進させる機能を有する。
前記硬化促進剤としては、特に制限されないが、リン系化合物、第3級アミン、イミダゾール、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等が挙げられる。
上述の硬化促進剤は単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(硬化触媒)
硬化触媒は、前記硬化剤の代わりに、エポキシ基を有する化合物の硬化反応を進行させる機能を有する。
硬化触媒としては、特に制限されず、公知慣用の熱重合開始剤や活性エネルギー線重合開始剤が用いられうる。
なお、硬化触媒は単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(粘度調節剤)
粘度調節剤は、組成物の粘度を調整する機能を有する。
粘度調節剤としては、特に制限されず、有機ポリマー、ポリマー粒子、無機粒子等が用いられうる。
なお、粘度調節剤は単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(可塑剤)
可塑剤は、熱可塑性合成樹脂の加工性、柔軟性、耐候性を向上させる機能を有する。
可塑剤としては、特に制限されず、フタル酸エステル、アジピン酸エステル、リン酸エステル、トリメリット酸エステル、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサン等が用いられうる。
なお、上述の可塑剤は単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(用途)
本発明の一実施形態によれば、本形態に係る組成物は、熱伝導性材料に使用される。
上述の通り、熱伝導性材料としては、コストの観点からアルミナがよく使用されており、その他、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム等が使用されていた。これに対し、スピネル粒子は、熱伝導性がアルミナよりも劣ることが知られていたため、あえてアルミナに代えてスピネル粒子を用いるという思想はなかった。
これに対し、本形態に係るスピネル粒子は、[311]面の結晶子径が大きいため熱伝導性能に優れている。特に、スピネル粒子の熱伝導率は、アルミナの熱伝導率よりも高い。したがって、本形態に係る組成物は熱伝導性材料に好適に使用される。
また、一実施形態によれば、上記製造方法によって得られるスピネル粒子はミクロンオーダーの粒径(1000μm以下)かつ結晶子径が大きいことから、樹脂中への分散性に優れるため、組成物としていっそう優れた熱伝導性を発揮しうる。
さらに別の実施形態によれば、上記製造方法によって得られるスピネル粒子は、フラックス法で合成した自形を持つ多面体状粒子であり、無定形の粒子を粉砕して得たものではないことから、平滑性に優れ、樹脂中への分散性に優れる。このため、組成物として、非常に高い熱伝導性を有しうる。
その他、スピネル粒子は、宝石類、触媒担体、吸着剤、光触媒、光学材料、耐熱絶縁材料、基板、センサー等の用途にも使用することができる。
<成形物>
本発明の一形態によれば、上述の組成物を成形してなる成形物が提供される。
成形物に含有されるスピネル粒子は熱伝導性に優れることから、当該成形物は、好ましくは絶縁放熱部材として使用される。これにより、機器の放熱機能を向上させることができ、機器の小型軽量化、高性能化に寄与することができる。
また、本発明の別の一実施形態によれば、前記成形物は、低誘電部材等にも使用することができる。スピネル粒子が低誘電率であることにより、高周波回路において通信機能の高機能化に寄与することができる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[実施例1]
(スピネル粒子の製造)
純水62.4gに酢酸マグネシウム四水和物(和光純薬工業株式会社製)6.9gを溶かし、酢酸マグネシウム水溶液を調製した。
次いで、100℃で一晩乾燥させた水酸化アルミニウム(和光純薬工業株式会社製)5gを、前記酢酸マグネシウム水溶液に含浸させた後、90℃で72時間乾燥させて、スピネル前駆体(マグネシウム化合物が担持されたアルミニウム化合物)を得た。
アルミナるつぼにスピネル前駆体1.00g(マグネシウム元素:3.3mmol、アルミニウム元素:6.6mmol)、三酸化モリブデン(和光純薬工業社製)0.48g(モリブデン元素:3.3mmol)を仕込み、空気雰囲気下、昇温速度10℃/分で1200℃まで昇温した。次いで、1200℃で12時間加熱し、自然放冷により常温まで冷却することで、粉末サンプルを得た。
得られたサンプルを、10%アンモニア水、次いで水で洗浄して、スピネル粒子表面に残存するモリブデン酸マグネシウムを除去することで、スピネル粒子を製造した。
(評価)
前記粉末サンプルおよび製造したスピネル粒子について、以下の評価を行った。
<結晶構造の解析>
粉末サンプルについて、X線回折法(XRD)により結晶構造を解析した。
具体的には、広角X線回折装置であるRint−TT II(株式会社リガク製)を用いて解析を行った。この際、測定方法は2θ/θ法を用いた。また、測定条件として、スキャンスピードは2.0度/分であり、スキャン範囲は5〜70度であり、ステップは0.02度である。
その結果、粉末サンプルはMgAl24の組成を有し、高い結晶性を有し、立方晶系に属するスピネル結晶であった。
なお、測定したX線回折パターンを図1に示す。
<表面状態の測定>
粉末サンプルについて、ラマン測定により表面状態を測定した。
具体的には、顕微ラマン分光装置であるLabRAM HR−800(株式会社堀場製作所製)を用いて測定を行った。この際、測定条件として、励起レーザーは633nm(HeNe)であり、対物レンズは100倍であり、回折格子は600gr/mmであり、波数範囲は1000〜100cm−1であり、波長校正は試料測定前にシリコンの結晶由来のピークを520±1cm−1に合わせた。
その結果、スピネル粒子に含まれるモリブデン酸マグネシウムに帰属されるピークが観察された。
なお、測定したラマンスペクトルを図2に示す。
<平均粒径の測定>
製造したスピネル粒子について、走査型電子顕微鏡観察(SEM)により平均粒径を測定した。
具体的には、表面観察装置であるVE−9800(株式会社キーエンス製)を用いて、平均粒径を測定した。
その結果、平均粒径は10μmであった。
なお、得られたスピネル粒子のSEM画像を図3に示す。
<モリブデン含有量の測定>
製造したスピネル粒子について、蛍光X線測定(XRF)によりモリブデン含有量を測定した。
具体的には、蛍光X線分析装置であるZSX100e(株式会社リガク製)を用いて測定を行った。この際、測定方法はFP(ファンクションポイント)法を用いた。また、測定条件として、EZスキャンを用い、測定範囲はB〜Uであり、測定径は10mmであり、試料重量は50mgである。なお、粉末のまま測定を行い、この際、飛散防止のためポリプロピレン(PP)フィルムを使用した。
その結果、スピネル粒子のモリブデン含有量は0.45mol%であった。
<比表面積の測定>
製造したスピネル粒子について、BET比表面積を測定した。
具体的には、Tris 3000型装置(マイクロメリティクス社製)を用いて測定を行った。この際、測定方法は窒素ガス吸着/脱着法を用いた。
その結果、スピネル粒子の比表面積は0.2m/gであった。
<結晶子径の測定>
製造したスピネル粒子について、[311]面の結晶子径を測定した。
具体的には、X線回折装置であるSmartLab(株式会社リガク製)を用い、検出器として高強度・高分解能結晶アナライザ(CALSA)を用い、解析ソフトとしてPDXLを用いて測定を行った。この際、測定方法は2θ/θ法であり、解析は2θ=36.85°付近に出現するピークの半値幅からシェラー式を用いて算出した。なお、測定条件として、スキャンスピードは0.05度/分であり、スキャン範囲は5〜70度であり、ステップは0.002度であり、装置標準幅は0.027°(Si)である。
その結果、スピネル粒子の[311]面の結晶子径は、353nmであった。
[実施例2]
(スピネル粒子の製造)
アルミナるつぼに酸化アルミニウム(和光純薬工業株式会社製)1.00g(アルミニウム元素:19.6mmol)、酸化マグネシウム(和光純薬工業株式会社製)0.40g(マグネシウム元素:9.8mmol)、および三酸化モリブデン(和光純薬工業株式会社製)1.42g(モリブデン元素:9.8mmol)を仕込み、空気雰囲気下、昇温速度10℃/分で1500℃まで昇温した。次いで、1500℃で12時間加熱し、自然放冷により常温まで冷却することで、粉末サンプルを得た。
得られたサンプルを、10%アンモニア水、次いで水で洗浄して、スピネル粒子の表面に残存するモリブデン酸マグネシウムを除去することで、スピネル粒子を製造した。
(評価)
実施例1と同様の方法で、平均粒径の測定、モリブデン含有量の測定、比表面積の測定、および結晶子径の測定を行った。その結果、平均粒径は12μmであり、モリブデン含有量は0.30mol%であり、比表面積は0.1m/gであり、[311]面の結晶子径は196nmであった。
[実施例3]
(スピネル粒子の製造)
三酸化モリブデンの添加量を1.85g(モリブデン元素:12.9mmol)に変更したことを除いては、実施例2と同様の方法でスピネル粒子を製造した。
(評価)
実施例1と同様の方法で、平均粒径の測定、モリブデン含有量の測定、比表面積の測定、および結晶子径の測定を行った。その結果、平均粒径は25μmであり、モリブデン含有量は0.30mol%であり、比表面積は0.1m/gであり、[311]面の結晶子径は176nmであった。
なお、得られたスピネル粒子のSEM画像を図4に示す。
[実施例4]
(スピネル粒子の製造)
三酸化モリブデンの添加量を2.43g(モリブデン元素:16.9mmol)に変更したことを除いては、実施例2と同様の方法でスピネル粒子を製造した。
(評価)
実施例1と同様の方法で、平均粒径の測定、モリブデン含有量の測定、比表面積の測定、および結晶子径の測定を行った。その結果、平均粒径は100μmであり、モリブデン含有量は0.30mol%であり、比表面積は0.1m/gであり、[311]面の結晶子径は330nm以上であった。
[実施例5]
(スピネル粒子の製造)
三酸化モリブデンの添加量を8.57g(モリブデン元素:59.5mmol)に変更したことを除いては、実施例2と同様の方法でスピネル粒子を製造した。
(評価)
実施例1と同様の方法で、平均粒径の測定、モリブデン含有量の測定、比表面積の測定、および結晶子径の測定を行った。その結果、平均粒径は500μmであり、モリブデン含有量は0.30mol%であり、比表面積は0.1m/gであり、[311]面の結晶子径は330nm以上であった。
[実施例6]
(スピネル粒子の製造)
酸化アルミニウム(和光純薬工業株式会社製)1.00gに代えて、水酸化アルミニウム(和光純薬工業株式会社製)1.53g(アルミニウム元素:9.8mmol)を用いたことを除いては、実施例2と同様の方法でスピネル粒子を製造した。
(評価)
実施例1と同様の方法で、平均粒径の測定、モリブデン含有量の測定、比表面積の測定、および結晶子径の測定を行った。その結果、平均粒径は10μmであり、モリブデン含有量は0.15mol%であり、比表面積は0.1m/gであり、[311]面の結晶子径は273nmであった。
[実施例7]
(スピネル粒子の製造)
純水50gに酢酸マグネシウム四水和物(和光純薬工業株式会社製)1.41gと硝酸アルミニウム九水和物(和光純薬工業株式会社製)4.95gを溶かし、マグネシウム化合物とアルミニウム化合物とからなる水溶液を調製した。
次いで、5%のアンモニア水100gに、先のマグネシウム化合物とアルミニウム化合物とからなる水溶液を滴下し、白色の沈殿物を得た。この沈殿物を吸引ろ過による回収、および水洗、乾燥を行い、スピネル前駆体(マグネシウムとアルミニウムとを含む水酸化物)を得た。
アルミナるつぼにスピネル前駆体0.74g(マグネシウム元素:3.3mmol、アルミニウム元素:6.6mmol)、三酸化モリブデン(和光純薬工業社製)0.48g(モリブデン元素:3.3mmol)を仕込み、空気雰囲気下、昇温速度10℃/分で1500℃まで昇温した。次いで、1500℃で12時間加熱し、自然放冷により常温まで冷却することで、粉末サンプルを得た。
得られたサンプルを、10%アンモニア水、次いで水で洗浄して、スピネル粒子を製造した。
(評価)
実施例1と同様の方法で、平均粒径の測定、モリブデン含有量の測定、比表面積の測定、および結晶子径の測定を行った。その結果、平均粒径は8μmであり、モリブデン含有量は0.3mol%であり、比表面積は0.2m/gであり、[311]面の結晶子径は278nmであった。
[比較例1]
(スピネル粒子の製造)
三酸化モリブデンを添加せず、10%アンモニア水および水を用いた洗浄を行わなかったことを除いては、実施例1と同様の方法で粉末サンプル(スピネル粒子)を製造した。
(評価)
実施例1と同様の方法で結晶構造の解析を行ったところ、粉末サンプルはMgAl24の組成を有するが、結晶化度が低いスピネル結晶であった。
また、実施例1と同様の方法で表面状態の測定を行ったところ、サンプルにはモリブデンが検出されなかった。
さらに、実施例1と同様の方法で、比表面積の測定および結晶子径の測定を行った。その結果、比表面積は10.1m/gであり、結晶子径は73nmであった。
なお、得られたスピネル粒子のSEM画像を図4に示す。得られたスピネル粒子の形状は不定形であることが分かる。
実施例1〜7および比較例1の原料配合量を下記表1に示す。
Figure 0005995130
また、実施例1〜7および比較例1の評価結果を下記表2に示す。
Figure 0005995130
表2からも明らかなように、実施例1〜7のスピネル粒子は、[311]面の結晶子径の値が著しく大きいことが分かる。その結果、熱伝導性に優れることが理解される。

Claims (9)

  1. マグネシウム原子、アルミニウム原子、および酸素原子を含むスピネルと、
    前記スピネルの表面および/または内部に配置されるモリブデンと、
    を含み、
    前記スピネルの[311]面の結晶子径が、100nm以上である、スピネル粒子。
  2. 平均粒径が、0.1〜1000μmである、請求項1に記載のスピネル粒子。
  3. モリブデン酸マグネシウムおよびアルミニウム化合物を含む第1の混合物を焼成する焼成工程と、
    前記焼成工程で得られた焼成体を冷却する冷却工程と、
    を含む、請求項1に記載のスピネル粒子の製造方法。
  4. モリブデン化合物およびマグネシウム化合物を含む第2の混合物を焼成して、前記モリブデン酸マグネシウムを調製する前駆体調製工程をさらに含む、請求項3に記載の製造方法。
  5. 前記マグネシウム化合物のマグネシウム元素に対する前記モリブデン化合物のモリブデン元素のモル比(モリブデン元素/マグネシウム元素)が0.01〜10である、請求項4に記載の製造方法。
  6. 請求項1または2に記載のスピネル粒子と、樹脂と、を含む、組成物。
  7. さらに硬化剤を含む、請求項6に記載の組成物。
  8. 熱伝導性材料である、請求項6または7に記載の組成物。
  9. 請求項6〜8のいずれか1項に記載の組成物を成形してなる、成形物。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018056349A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 Dic株式会社 表面処理スピネル粒子、その製造方法、樹脂組成物及び成形物
WO2018056350A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 Dic株式会社 熱可塑性樹脂組成物、樹脂成形体、放熱材料及び放熱部材
US11214494B2 (en) * 2017-05-11 2022-01-04 Dic Corporation Spinel compound oxide particle, method for producing the same, resin composition including spinel compound oxide particle, and molded article

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102070215B1 (ko) * 2015-09-16 2020-01-29 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 알루미나계 열 전도성 산화물 및 그의 제조 방법
EP3476805B1 (en) * 2016-06-23 2021-06-16 DIC Corporation Spinel particles, method for producing same, and composition and molded article including spinel particles
JP6836730B2 (ja) * 2017-04-21 2021-03-03 Dic株式会社 スピネル粒子の製造方法、樹脂組成物の製造方法および成形物の製造方法
JP6547868B1 (ja) * 2018-03-27 2019-07-24 日立金属株式会社 難燃性樹脂組成物及び絶縁電線
WO2020145341A1 (ja) * 2019-01-11 2020-07-16 Dic株式会社 樹脂組成物、成形物、組成物、グリーンシート、焼成物及びガラスセラミックス基板
WO2020145343A1 (ja) * 2019-01-11 2020-07-16 Dic株式会社 板状スピネル粒子及びその製造方法
US11959011B2 (en) * 2020-08-07 2024-04-16 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University High-temperature thermochemical energy storage materials using doped magnesium-transition metal spinel oxides
TW202406850A (zh) * 2022-07-28 2024-02-16 日商Dic股份有限公司 鋅尖晶石粒子及其製造方法、樹脂組成物及成形物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0374335A (ja) * 1989-07-20 1991-03-28 Dow Chem Co:The モリブデン酸塩触媒組成物を用いた脂肪族炭化水素の酸化法
JP2003267777A (ja) * 2002-03-15 2003-09-25 Kyocera Corp フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア
JP2004027177A (ja) * 2001-12-25 2004-01-29 Tateho Chem Ind Co Ltd 酸化マグネシウム粉末を含む樹脂組成物
JP2007070608A (ja) * 2005-08-11 2007-03-22 Techno Polymer Co Ltd 樹脂配合用酸化マグネシウムフィラー及びそれを含む熱伝導性樹脂組成物
WO2013039103A1 (ja) * 2011-09-13 2013-03-21 Dic株式会社 無機フィラー複合体、熱伝導性樹脂組成物、及び成形体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3320036A (en) * 1964-10-26 1967-05-16 Bendix Corp Ductile molybdenum composition containing a spinel dispersion
US3493430A (en) * 1967-10-02 1970-02-03 North American Rockwell Single crystal molybdenum on insulating substrates
DE3063533D1 (en) * 1979-11-12 1983-07-07 Emi Plc Thorn An electrically conducting cermet, its production and use
US4790982A (en) * 1986-04-07 1988-12-13 Katalistiks International, Inc. Metal-containing spinel composition and process of using same
JP4622010B2 (ja) 1999-08-04 2011-02-02 株式会社豊田中央研究所 スピネル粉末およびスピネルスラリー
US7431825B2 (en) * 2003-12-05 2008-10-07 Intercat, Inc. Gasoline sulfur reduction using hydrotalcite like compounds
SG119379A1 (en) * 2004-08-06 2006-02-28 Nippon Catalytic Chem Ind Resin composition method of its composition and cured formulation
DE102008041055A1 (de) * 2008-08-06 2010-02-18 Carl Zeiss Smt Ag Transmittierendes optisches Element aus Magnesium-Aluminium-Spinell
CN103191720B (zh) * 2013-04-26 2015-10-21 神华集团有限责任公司 一种镁铝尖晶石负载的耐硫甲烷化催化剂
CN103396140B (zh) * 2013-08-07 2014-08-27 武汉钢铁(集团)公司 高温步进式加热炉炉梁与立柱隔热衬防粘渣涂抹料

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0374335A (ja) * 1989-07-20 1991-03-28 Dow Chem Co:The モリブデン酸塩触媒組成物を用いた脂肪族炭化水素の酸化法
JP2004027177A (ja) * 2001-12-25 2004-01-29 Tateho Chem Ind Co Ltd 酸化マグネシウム粉末を含む樹脂組成物
JP2003267777A (ja) * 2002-03-15 2003-09-25 Kyocera Corp フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア
JP2007070608A (ja) * 2005-08-11 2007-03-22 Techno Polymer Co Ltd 樹脂配合用酸化マグネシウムフィラー及びそれを含む熱伝導性樹脂組成物
WO2013039103A1 (ja) * 2011-09-13 2013-03-21 Dic株式会社 無機フィラー複合体、熱伝導性樹脂組成物、及び成形体

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018056349A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 Dic株式会社 表面処理スピネル粒子、その製造方法、樹脂組成物及び成形物
WO2018056350A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 Dic株式会社 熱可塑性樹脂組成物、樹脂成形体、放熱材料及び放熱部材
JPWO2018056350A1 (ja) * 2016-09-21 2019-08-15 Dic株式会社 熱可塑性樹脂組成物、樹脂成形体、放熱材料及び放熱部材
US11279830B2 (en) 2016-09-21 2022-03-22 Dic Corporation Surface-treated spinel particles, method for producing the same, resin composition, and molded article
US11214494B2 (en) * 2017-05-11 2022-01-04 Dic Corporation Spinel compound oxide particle, method for producing the same, resin composition including spinel compound oxide particle, and molded article

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