JP5979615B2 - Manufacturing method of plating material - Google Patents

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本発明はめっき材料とその製造方法に関し、詳しくは、Cu(銅)等の導電性基材上に設けられた下地めっき層と、Sn(錫)やSn合金からなる表面めっき層との間に形成される合金層(金属間化合物層)の成長速度を遅くしためっき材料とその製造方法に関する。   The present invention relates to a plating material and a manufacturing method thereof, and more specifically, between a base plating layer provided on a conductive substrate such as Cu (copper) and a surface plating layer made of Sn (tin) or an Sn alloy. The present invention relates to a plating material in which the growth rate of an alloy layer (intermetallic compound layer) to be formed is slow and a method for producing the same.

CuやCu合金からなる導電性基材の表面にSnやSn合金からなるめっき層(Snめっき層)を設けた材料は、基材の優れた導電性や強度と、Snめっき層の優れた電気接触特性、耐食性、はんだ付け性(はんだ濡れ性)とを兼ね備えた高性能導体として知られており、各種の端子やコネクタ等に広く用いられている。   A material in which a plating layer (Sn plating layer) made of Sn or Sn alloy is provided on the surface of a conductive substrate made of Cu or Cu alloy is a material having excellent conductivity and strength of the substrate and excellent electric power of the Sn plating layer. It is known as a high-performance conductor having both contact characteristics, corrosion resistance, and solderability (solder wettability), and is widely used for various terminals and connectors.

このようなSnめっき材料の製造において、基材上に直接Snめっき層を設けた場合、時間の経過に伴い、Snと基材金属とが合金化し成長することにより、めっき層の厚さが減少する。そして、このめっき層の厚さの減少に伴い、はんだ濡れ性などの必要性能が低下し、製品不良の原因になり得る。そこで、従来より、基材の上に、Snめっき層表面の平滑性(外観)や、母材が黄銅であった場合に亜鉛の表面への拡散を防ぐことを目的として、CuまたはNi(ニッケル)の下地めっき層を設け、その上にSnめっき層を設け、さらにSnめっき層におけるウィスカー抑制と長期保管性(合金化抑制)を目的として、リフローと言われる加熱処理が行われている。   In the production of such Sn plating material, when the Sn plating layer is provided directly on the base material, the thickness of the plating layer decreases as Sn and the base metal alloy and grow with the passage of time. To do. As the thickness of the plating layer is reduced, the required performance such as solder wettability is lowered, which may cause product defects. Therefore, conventionally, Cu or Ni (nickel) is used on the base material for the purpose of preventing the Sn plating layer surface from being smooth (appearance) and preventing the diffusion of zinc to the surface when the base material is brass. ), An Sn plating layer is provided thereon, and heat treatment called reflow is performed for the purpose of whisker suppression and long-term storage (alloying suppression) in the Sn plating layer.

リフロー処理により、下地めっき層とSnめっき層の間に薄い合金層が形成され、この合金層は、リフロー処理によらない自然に形成される合金層よりは成長速度が遅いため、合金化の遅延、抑制が可能で、はんだ濡れ性の維持に有利であると考えられている(特許文献7、8)。   Due to the reflow treatment, a thin alloy layer is formed between the base plating layer and the Sn plating layer, and this alloy layer has a slower growth rate than a naturally formed alloy layer that does not depend on the reflow treatment. It is considered that it can be suppressed and is advantageous in maintaining solder wettability (Patent Documents 7 and 8).

しかし、このようなリフロー処理によっても、合金層は時間の経過と共に徐々に成長して厚くなり、Snめっき層や下地めっき層の厚さを減少させて、はんだ濡れ性や挿抜性を低下させるため、長期間に亘って、Snめっき層の厚さを維持して、はんだ濡れ性の低下を抑制するには、まだ充分とは言えなかった。   However, even with such a reflow process, the alloy layer gradually grows and thickens over time, and the thickness of the Sn plating layer and the base plating layer is reduced, so that the solder wettability and insertion / removability are reduced. In order to maintain the thickness of the Sn plating layer over a long period of time and suppress the decrease in solder wettability, it has not been sufficient yet.

このため、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度をより遅くして、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持して、はんだ濡れ性の低下を抑制することが求められており、以下に示すような種々の技術が検討、提案されている。   For this reason, the alloying of Sn and the base plating metal and the growth rate of the alloy layer are made slower, and the thickness of the Sn plating layer is maintained over a long period of time, thereby suppressing the decrease in solder wettability. Various techniques as described below have been studied and proposed.

即ち、特許文献1には、導電性基材の表面に、周期律表第4〜9族に含まれる金属やその合金からなる下地めっき層を形成させ、その後、CuやCu合金からなる中間めっき層、SnやSn合金からなる表面めっき層を順次形成させることにより、高温環境下においてもSnめっき層と基材や下地めっき層との間の合金化を遅くさせる技術が開示されている。   That is, in Patent Document 1, a base plating layer made of a metal or an alloy thereof included in Groups 4 to 9 of the periodic table is formed on the surface of a conductive substrate, and then an intermediate plating made of Cu or a Cu alloy. A technique for slowing alloying between the Sn plating layer and the base material or the base plating layer even in a high-temperature environment by sequentially forming a layer, a surface plating layer made of Sn or Sn alloy is disclosed.

また、特許文献2には、特許文献1と同様の構成で各層を形成した後、加熱処理などにより、中間めっき層を消失させて、Sn−Cu金属間化合物からなる層を形成させることにより、高温環境下においてもSnめっき層と基材や下地めっき層との間の拡散反応を遅くさせる技術が開示されている。   Moreover, in patent document 2, after forming each layer by the structure similar to patent document 1, an intermediate plating layer is lose | disappeared by heat processing etc., and forming the layer which consists of a Sn-Cu intermetallic compound, A technique for slowing the diffusion reaction between the Sn plating layer and the base material or the base plating layer even in a high temperature environment is disclosed.

また、特許文献3には、CuやCu合金からなる下地めっき層とSnめっき層との間に、NiまたはNi合金からなる層を形成させる際に、NiまたはNi合金層とSnめっき層との間にCuとSnを主成分とする拡散層またはCuとNiとSnを主成分とする拡散層を1層以上形成させ、Snめっき層に接する拡散層につき、その厚さやCu、Niの含有量を制御することにより、はんだ濡れ性やその他の特性を保持する技術が開示されている。   Further, in Patent Document 3, when a layer made of Ni or Ni alloy is formed between a base plating layer made of Cu or Cu alloy and an Sn plating layer, the Ni or Ni alloy layer and the Sn plating layer One or more diffusion layers mainly composed of Cu and Sn or Cu, Ni and Sn are formed between the diffusion layers in contact with the Sn plating layer, and the thickness and the contents of Cu and Ni. A technique for maintaining solder wettability and other characteristics by controlling the above is disclosed.

また、特許文献4には、導電性基材の表面に、FeまたはFe合金、NiまたはNi合金、CoまたはCo合金のいずれか1種からなる下地めっき層を形成させ、その後、SnまたはSn合金からなる第1中間めっき層、CuまたはCu合金からなる第2中間めっき層、SnやSn合金からなる表面めっき層を順次形成させることにより、高温環境下においてもSnめっき層と基材や下地めっき層との間の拡散反応を遅くさせる技術が開示されている。   Further, in Patent Document 4, a base plating layer made of any one of Fe or Fe alloy, Ni or Ni alloy, Co or Co alloy is formed on the surface of the conductive substrate, and then Sn or Sn alloy is formed. By sequentially forming a first intermediate plating layer made of Cu, a second intermediate plating layer made of Cu or Cu alloy, and a surface plating layer made of Sn or Sn alloy, the Sn plating layer, the base material, and the base plating are formed even in a high temperature environment. Techniques for slowing the diffusion reaction between layers are disclosed.

また、特許文献5、6には、CuまたはCu合金の母材上に、中間層としてリンとCuを含有する合金めっきを行った後、Snめっき層を設けることにより、はんだ濡れ性の低下を抑制すると共に、耐熱性と挿抜性(めっき材料を使用する際の抜き差しのし易さ)を向上させる技術が開示されている。   Further, Patent Documents 5 and 6 show that solder wettability is reduced by providing an Sn plating layer after performing an alloy plating containing phosphorus and Cu as an intermediate layer on a Cu or Cu alloy base material. A technique for improving heat resistance and insertion / removability (ease of insertion / removal when using a plating material) is disclosed.

しかしながら、これらの技術は、通常の、下地めっき層と表面Snめっき層から構成される2層構造のめっきではなく、別の金属からなるめっき層を1層追加したり、さらにはその上で加熱等の処理を施したりしている。あるいは、複雑な組成の中間層を形成後、熱処理により中間層と表層の間に拡散層を形成している。   However, these technologies are not the usual two-layer plating composed of a base plating layer and a surface Sn plating layer, but a single plating layer made of another metal is added, and further heating is performed thereon. Etc. are applied. Alternatively, after forming an intermediate layer having a complicated composition, a diffusion layer is formed between the intermediate layer and the surface layer by heat treatment.

このため、これらの技術においては、めっきや熱処理等の工程を増加させる必要があり、加工時間が増加する。また、追加されためっき層や拡散層についての管理項目、例えば、めっき層の厚さの管理等も増加する。その結果、これらは、製品のコストアップを招く。   For this reason, in these techniques, it is necessary to increase processes, such as plating and heat processing, and processing time increases. In addition, management items for the added plating layer and diffusion layer, for example, the management of the thickness of the plating layer, and the like increase. As a result, these increase the cost of the product.

特開2008−223143号公報JP 2008-223143 A 特開2005−344188号公報JP 2005-344188 A 特開2003−293187号公報JP 2003-293187 A 特開2003−318157号公報JP 2003-318157 A 特開2001−169995号公報JP 2001-169995 A 特開2001−16996号公報JP 2001-16996 A 特開平4−235292号公報JP-A-4-235292 特開平4−329891号公報JP-A-4-329891

本発明は、上記の問題に鑑み、製造コストの増加を招くことなく、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度を今まで以上に遅くして、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持し、めっき材料のはんだ濡れ性の低下を抑制することが可能なSnめっき材料の製造方法を提供することを課題とする。   In view of the above problems, the present invention reduces the alloying rate of Sn and the base plating metal and the growth rate of the alloy layer more slowly than before without increasing the manufacturing cost, thereby reducing the thickness of the Sn plating layer. It is an object of the present invention to provide a method for producing an Sn plating material that can be maintained over a long period of time and can suppress a decrease in solder wettability of the plating material.

本発明者は、上記の課題を解決するために、種々の実験を行い、鋭意検討した結果、めっき材料の製造過程において従来より行われていたリフロー処理を従来よりも強く行うことにより、下地めっき層と表面Snめっき層から構成される2層構造のめっきであっても、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度を、従来に比べて大幅に遅くできることを見出し、本発明を完成するに至った。以下、詳しく説明する。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor conducted various experiments and intensively studied. As a result, the reflow process that has been conventionally performed in the process of manufacturing the plating material is more strongly performed than the conventional plating. It has been found that even with a two-layer plating composed of a layer and a surface Sn plating layer, the alloying of Sn and the underlying plating metal and the growth rate of the alloy layer can be significantly slowed compared to the prior art. It came to complete. This will be described in detail below.

前記した通り、従来より、めっき材料の製造過程においては、Snめっき層におけるウィスカーの生成を抑制するための加熱処理として、リフロー処理が行われていたが、リフロー処理はウィスカーの生成が抑制される範囲で行い、合金層は厚く形成されないようにすることが好ましいと、一般的に考えられていた。   As described above, conventionally, in the production process of the plating material, the reflow treatment has been performed as the heat treatment for suppressing the formation of whiskers in the Sn plating layer. However, the reflow treatment suppresses the formation of whiskers. It was generally considered that it was preferable to perform the process within a range so that the alloy layer was not formed thick.

しかし、本発明者が実験を行ったところ、リフロー処理において形成される合金層の厚さが厚くなると、その後の時間の経過に伴う合金層の成長速度が遅くなることが分かった。   However, as a result of experiments by the present inventors, it has been found that as the thickness of the alloy layer formed in the reflow process increases, the growth rate of the alloy layer with the passage of time thereafter decreases.

そこで、本発明者は、従来の考え方とは逆に、従来より強くリフロー処理を施して従来より厚い合金層を形成させることにより、時間の経過に伴う合金層の成長を抑制して、結果的に、Snめっき層の厚さを長期間に亘って一定の厚さに維持することができ、一方、厚い合金層を形成することによるSnめっき層や下地めっき層の厚さの減少については、予めこれらの減量を見込んで各めっき層を厚く設けておけば、はんだ濡れ性や挿抜性に大きな悪影響を与えないとの考えに至った。   Therefore, contrary to the conventional idea, the present inventor suppresses the growth of the alloy layer over time by forming a thicker alloy layer by performing a reflow treatment stronger than before, resulting in a result. In addition, the thickness of the Sn plating layer can be maintained at a constant thickness over a long period of time, while the reduction of the thickness of the Sn plating layer and the base plating layer by forming a thick alloy layer, It has been thought that if each plating layer is provided thick in anticipation of these weight reductions, the solder wettability and insertion / extraction properties will not be adversely affected.

そして、前記の考え方に従い、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持して、はんだ濡れ性や挿抜性の低下を招くことがない、具体的な、Snめっき層、下地めっき層および合金層の厚さについて種々の実験と検討を行った。   Then, in accordance with the above concept, the thickness of the Sn plating layer is maintained over a long period of time, and specific Sn plating layer, base plating layer, and alloy that do not cause deterioration of solder wettability and insertion / extraction property Various experiments and studies were conducted on the layer thickness.

その結果、合金層の成長速度は、合金層の厚さと密接に関係しているだけでなく、形成される合金の平均粒子径とも密接に関係しており、以下の各技術に具体的に示すめっき材料であれば、下地めっき層と表面Snめっき層から構成される2層構造のめっき材料であっても、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度を大幅に遅くして、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持でき、めっき材料のはんだ濡れ性や挿抜性の低下を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result, the growth rate of the alloy layer is not only closely related to the thickness of the alloy layer, but also closely related to the average particle diameter of the alloy formed, and is specifically shown in the following technologies. In the case of a plating material, even if the plating material has a two-layer structure composed of a base plating layer and a surface Sn plating layer, the alloying of Sn and the base plating metal and the growth rate of the alloy layer are greatly reduced. The present inventors have found that the thickness of the Sn plating layer can be maintained over a long period of time, and that deterioration of solder wettability and insertability of the plating material can be suppressed, and the present invention has been completed.

そして、このような本発明は、加熱条件が異なるだけで、従来のリフロー設備をそのまま使用できるため、製造コストの増加を招くこともない。   And since this invention can use the conventional reflow equipment as it is only by changing heating conditions, it does not cause an increase in manufacturing cost.

以下に本発明に関連する第1〜12の技術について説明する。以下に示す各技術の内、第1〜6の技術はCuまたはCu合金からなる下地めっき層を採用した技術であり、第7〜12の技術はNiまたはNi合金からなる下地めっき層を採用した技術である。   The first to twelfth techniques related to the present invention will be described below. Among the technologies shown below, the first to sixth technologies employ a base plating layer made of Cu or Cu alloy, and the seventh to twelfth technologies employ a base plating layer made of Ni or Ni alloy. Technology.

本発明に関連する第1の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、CuまたはCu合金からなる下地めっき層が形成され、さらにSnまたはSn合金からなる表面めっき層が形成されており、さらに加熱処理することにより前記下地めっき層と表面めっき層との間にCuとSnの合金層が形成されているめっき材料であって
前記下地めっき層の厚さは、0.5〜2.0μmであり、
前記表面めっき層の厚さは、0.5〜3.0μmであり、
前記CuとSnの合金層の厚さは、0.8〜2.0μmであり、
さらに、前記CuとSnの合金層を形成する合金の平均粒子径は、4〜10μmである
ことを特徴とするめっき材料である。
The first technique related to the present invention is:
A base plating layer made of Cu or Cu alloy is formed on a base material made of Cu or Cu alloy, and a surface plating layer made of Sn or Sn alloy is further formed, and the base plating layer is further subjected to heat treatment. And a plating material in which an alloy layer of Cu and Sn is formed between the surface plating layer, and the thickness of the base plating layer is 0.5 to 2.0 μm,
The surface plating layer has a thickness of 0.5 to 3.0 μm,
The Cu and Sn alloy layer has a thickness of 0.8 to 2.0 μm,
Furthermore, the average particle diameter of the alloy which forms the said alloy layer of Cu and Sn is a plating material characterized by 4-10 micrometers.

前記の考え方に基づく実験の結果、基材上に厚さ0.5〜2.0μmの下地めっき層を設け、さらに厚さ0.5〜3.0μmの表面めっき層を設けためっき材料を加熱処理することにより、厚さ0.8〜2.0μm、平均粒子径4〜10μmの合金層が形成されためっき材料は、下地めっき層と表面Snめっき層から構成される2層構造のめっき材料でありながら、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度が従来以上に遅く、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持でき、めっき材料のはんだ濡れ性や挿抜性の低下が抑制されることが分かった。   As a result of the experiment based on the above-mentioned concept, a plating material having a base plating layer having a thickness of 0.5 to 2.0 μm provided on a substrate and further having a surface plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 μm is heated. The plating material on which the alloy layer having a thickness of 0.8 to 2.0 μm and an average particle diameter of 4 to 10 μm is formed by processing is a plating material having a two-layer structure composed of a base plating layer and a surface Sn plating layer However, the alloying of Sn and the underlying plating metal and the growth rate of the alloy layer are slower than before, the thickness of the Sn plating layer can be maintained over a long period of time, and the solder wettability and insertability of the plating material can be maintained. It was found that the decrease was suppressed.

本発明に関連する第2の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、CuまたはCu合金からなる下地めっき層が形成され、さらにSnまたはSn合金からなる表面めっき層が形成されており、さらに加熱処理することにより前記下地めっき層と表面めっき層との間にCuとSnの合金層が形成されているめっき材料であって
前記下地めっき層の厚さは、0.5〜2.0μmであり、
前記表面めっき層の厚さは、0.5〜3.0μmであり、
前記CuとSnの合金層を形成する合金の平均粒子径は4〜10μmであり、
さらに、150℃における前記CuとSnの合金層の成長速度が、0.2μm/√日以下であることを特徴とするめっき材料である。
The second technique related to the present invention is:
A base plating layer made of Cu or Cu alloy is formed on a base material made of Cu or Cu alloy, and a surface plating layer made of Sn or Sn alloy is further formed, and the base plating layer is further subjected to heat treatment. And a plating material in which an alloy layer of Cu and Sn is formed between the surface plating layer, and the thickness of the base plating layer is 0.5 to 2.0 μm,
The surface plating layer has a thickness of 0.5 to 3.0 μm,
The average particle size of the alloy forming the alloy layer of Cu and Sn is 4 to 10 μm,
Further, the plating material is characterized in that a growth rate of the Cu and Sn alloy layer at 150 ° C. is 0.2 μm / √day or less.

基材上に厚さ0.5〜2.0μmの下地めっき層を設け、さらに厚さ0.5〜3.0μmの表面めっき層を設けためっき材料を加熱処理して、平均粒子径4〜10μmの合金層が形成されためっき材料は、150℃における合金層の成長速度が0.2μm/√日以下となり、下地めっき層と表面Snめっき層から構成される2層構造のめっき材料でありながら、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度が従来以上に遅く、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持でき、めっき材料のはんだ濡れ性や挿抜性の低下が抑制される。   A plating material provided with a base plating layer having a thickness of 0.5 to 2.0 μm on the substrate and further provided with a surface plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 μm is heat-treated, and an average particle size of 4 to The plating material on which the 10 μm alloy layer is formed is a plating material having a two-layer structure in which the growth rate of the alloy layer at 150 ° C. is 0.2 μm / √day or less, and is composed of a base plating layer and a surface Sn plating layer. However, the alloying rate of Sn and the base plating metal and the growth rate of the alloy layer are slower than before, the thickness of the Sn plating layer can be maintained over a long period of time, and the solder wettability and insertability of the plating material are reduced. It is suppressed.

本発明に関連する第3の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、CuまたはCu合金からなる下地めっき層が形成され、さらにSnまたはSn合金からなる表面めっき層が形成されており、さらに加熱処理することにより前記下地めっき層と表面めっき層との間にCuとSnの合金層が形成されているめっき材料であって
前記下地めっき層の厚さは、0.5〜2.0μmであり、
前記表面めっき層の厚さは、0.5〜3.0μmであり、
前記加熱処理は、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理
であることを特徴とするめっき材料である。
The third technique related to the present invention is:
A base plating layer made of Cu or Cu alloy is formed on a base material made of Cu or Cu alloy, and a surface plating layer made of Sn or Sn alloy is further formed, and the base plating layer is further subjected to heat treatment. And a plating material in which an alloy layer of Cu and Sn is formed between the surface plating layer, and the thickness of the base plating layer is 0.5 to 2.0 μm,
The surface plating layer has a thickness of 0.5 to 3.0 μm,
The heat treatment is a plating material characterized in that the heat treatment is performed in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C. for 30 to 180 seconds.

基材上に厚さ0.5〜2.0μmの下地めっき層を設け、さらに厚さ0.5〜3.0μmの表面めっき層を設けためっき材料を、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を施すことにより形成されためっき材料は、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度が従来以上に遅く、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持でき、めっき材料のはんだ濡れ性や挿抜性の低下が抑制される。   A plating material provided with a base plating layer having a thickness of 0.5 to 2.0 μm on a substrate and further having a surface plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 μm is placed in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C. The plating material formed by performing the heat treatment for up to 180 seconds has a slower alloying rate between Sn and the base plating metal and the growth rate of the alloy layer than before, and the thickness of the Sn plating layer over a long period of time. And the decrease in solder wettability and insertability of the plating material is suppressed.

本発明に関連する第4の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.5〜2.0μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ0.5〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The fourth technique related to the present invention is:
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 0.5 to 3.0 μm on the base plating layer,
Furthermore, it is a method for producing a plating material, characterized in that a heat treatment is performed for 30 to 180 seconds in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C., and an alloy layer is formed between the base plating layer and the surface plating layer. .

基材上に厚さ0.5〜2.0μmの下地めっき層を設け、さらに厚さ0.5〜3.0μmの表面めっき層を設けた後、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を施すことにより形成されためっき材料は、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度が従来以上に遅く、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持でき、めっき材料のはんだ濡れ性や挿抜性の低下が抑制される。   A base plating layer having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is provided on the base material, and further a surface plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 μm is provided, and then a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C. is applied to 30 to 180 ° C. The plating material formed by heat treatment for 2 seconds keeps the Sn plating layer thickness over a long period of time, with the alloying of Sn and the underlying plating metal and the growth rate of the alloy layer being slower than before. It is possible to suppress a decrease in solder wettability and insertability of the plating material.

本発明に関連する第5の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.5〜2.0μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ0.5〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に、平均粒子径4〜10μmのCuとSnの合金からなる厚さ0.8〜2.0μmの合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The fifth technique related to the present invention is:
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 0.5 to 3.0 μm on the base plating layer,
Further, a heat treatment is performed for 30 to 180 seconds in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C., and the thickness is made of an alloy of Cu and Sn having an average particle diameter of 4 to 10 μm between the base plating layer and the surface plating layer. It is a manufacturing method of the plating material characterized by forming an alloy layer of 0.8-2.0 micrometers.

基材上に厚さ0.5〜2.0μmの下地めっき層を設け、さらに厚さ0.5〜3.0μmの表面めっき層を設けた後、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を施すことにより、厚さ0.8〜2.0μm、平均粒子径4〜10μmの合金層が形成されためっき材料は、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度が従来以上に遅く、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持でき、めっき材料のはんだ濡れ性や挿抜性の低下が抑制される。   A base plating layer having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is provided on the base material, and further a surface plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 μm is provided, and then a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C. is applied to 30 to 180 ° C. The plating material in which an alloy layer having a thickness of 0.8 to 2.0 μm and an average particle diameter of 4 to 10 μm is formed by performing a heat treatment for 2 seconds is used for alloying of Sn and a base plating metal or an alloy layer. The growth rate is slower than before, the thickness of the Sn plating layer can be maintained over a long period of time, and the decrease in solder wettability and insertability of the plating material is suppressed.

本発明に関連する第6の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.5〜2.0μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ0.5〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に、平均粒子径4〜10μmのCuとSnの合金からなり、150℃における成長速度が0.2μm/√日以下である合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The sixth technique related to the present invention is:
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 0.5 to 3.0 μm on the base plating layer,
Further, heat treatment is performed for 30 to 180 seconds in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C., and an alloy of Cu and Sn having an average particle diameter of 4 to 10 μm is formed between the base plating layer and the surface plating layer. It is a method for producing a plating material, characterized in that an alloy layer having a growth rate of 0.2 μm / √day or less at 0 ° C. is formed.

基材上に厚さ0.5〜2.0μmの下地めっき層を設け、さらに厚さ0.5〜3.0μmの表面めっき層を設けた後、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を施すことにより、平均粒子径4〜10μmの合金層が形成されためっき材料は、150℃における合金層の成長速度が0.2μm/√日以下となり、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度が従来以上に遅く、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持でき、めっき材料のはんだ濡れ性や挿抜性の低下が抑制される。   A base plating layer having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is provided on the base material, and further a surface plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 μm is provided, and then a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C. is applied to 30 to 180 ° C. The plating material on which the alloy layer having an average particle diameter of 4 to 10 μm is formed by performing the heat treatment for 2 seconds, the growth rate of the alloy layer at 150 ° C. is 0.2 μm / √day or less, and Sn and the base plating metal And the growth rate of the alloy layer are slower than before, the thickness of the Sn plating layer can be maintained over a long period of time, and the decrease in solder wettability and insertability of the plating material is suppressed.

なお、第1〜6の技術において、好ましい範囲は、下地めっき層の厚さについては0.8〜1.2μm、表面めっき層の厚さについては1.0〜2.5μm、CuとSnの合金層の厚さについては0.9〜1.2μm、CuとSnの合金の平均粒子径については5〜8μmである。また、加熱処理については、260〜320℃の温度雰囲気に60〜120秒保持する加熱処理が好ましい。   In the first to sixth techniques, preferable ranges are 0.8 to 1.2 μm for the thickness of the base plating layer, 1.0 to 2.5 μm for the thickness of the surface plating layer, and Cu and Sn. The thickness of the alloy layer is 0.9 to 1.2 μm, and the average particle size of the alloy of Cu and Sn is 5 to 8 μm. Moreover, about heat processing, the heat processing hold | maintained for 60 to 120 second in a 260-320 degreeC temperature atmosphere is preferable.

本発明者は、さらに、上記と同様の考え方に従って、NiまたはNi合金からなる下地めっき層について実験を行い、好ましい条件を求めた。以下に示す各技術は、上記した第1〜6の技術に対応するNiまたはNi合金下地の場合の技術である。   The present inventor further conducted an experiment on a base plating layer made of Ni or a Ni alloy according to the same concept as described above, and obtained preferable conditions. Each technique shown below is a technique in the case of Ni or Ni alloy base corresponding to the above first to sixth techniques.

即ち、本発明に関連する第7の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、NiまたはNi合金からなる下地めっき層が形成され、さらにSnまたはSn合金からなる表面めっき層が形成されており、さらに加熱処理することにより前記下地めっき層と表面めっき層との間にNiとSnの合金層が形成されているめっき材料であって
前記下地めっき層の厚さは、0.5〜2.0μmであり、
前記表面めっき層の厚さは、0.5〜3.0μmであり、
前記NiとSnの合金層の厚さは、0.5〜2.0μmであり、
さらに、前記NiとSnの合金層を形成する合金の平均粒子径は、0.6〜1.2μmである
ことを特徴とするめっき材料である。
That is, the seventh technique related to the present invention is:
A base plating layer made of Ni or Ni alloy is formed on a base material made of Cu or Cu alloy, and a surface plating layer made of Sn or Sn alloy is further formed, and the base plating layer is further subjected to heat treatment. And a plating material in which an alloy layer of Ni and Sn is formed between the surface plating layer, and the thickness of the base plating layer is 0.5 to 2.0 μm,
The surface plating layer has a thickness of 0.5 to 3.0 μm,
The thickness of the alloy layer of Ni and Sn is 0.5 to 2.0 μm,
Furthermore, the average particle diameter of the alloy forming the alloy layer of Ni and Sn is 0.6 to 1.2 μm.

本発明に関連する第8の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、NiまたはNi合金からなる下地めっき層が形成され、さらにSnまたはSn合金からなる表面めっき層が形成されており、さらに加熱処理することにより前記下地めっき層と表面めっき層との間にNiとSnの合金層が形成されているめっき材料であって
前記下地めっき層の厚さは、0.5〜2.0μmであり、
前記表面めっき層の厚さは、0.5〜3.0μmであり、
前記NiとSnの合金層を形成する合金の平均粒子径は0.6〜1.2μmであり、
さらに、150℃における前記NiとSnの合金層の成長速度が、0.2μm/√日以下であることを特徴とするめっき材料である。
The eighth technique related to the present invention is:
A base plating layer made of Ni or Ni alloy is formed on a base material made of Cu or Cu alloy, and a surface plating layer made of Sn or Sn alloy is further formed, and the base plating layer is further subjected to heat treatment. And a plating material in which an alloy layer of Ni and Sn is formed between the surface plating layer, and the thickness of the base plating layer is 0.5 to 2.0 μm,
The surface plating layer has a thickness of 0.5 to 3.0 μm,
The average particle diameter of the alloy forming the alloy layer of Ni and Sn is 0.6 to 1.2 μm,
Furthermore, the plating material is characterized in that the growth rate of the alloy layer of Ni and Sn at 150 ° C. is 0.2 μm / √day or less.

本発明に関連する第9の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、NiまたはNi合金からなる下地めっき層が形成され、さらにSnまたはSn合金からなる表面めっき層が形成されており、さらに加熱処理することにより前記下地めっき層と表面めっき層との間にNiとSnの合金層が形成されているめっき材料であって
前記下地めっき層の厚さは、0.5〜2.0μmであり、
前記表面めっき層の厚さは、0.5〜3.0μmであり、
前記加熱処理は、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理
であることを特徴とするめっき材料である。
The ninth technique related to the present invention is:
A base plating layer made of Ni or Ni alloy is formed on a base material made of Cu or Cu alloy, and a surface plating layer made of Sn or Sn alloy is further formed, and the base plating layer is further subjected to heat treatment. And a plating material in which an alloy layer of Ni and Sn is formed between the surface plating layer, and the thickness of the base plating layer is 0.5 to 2.0 μm,
The surface plating layer has a thickness of 0.5 to 3.0 μm,
The heat treatment is a plating material characterized in that the heat treatment is performed in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C. for 30 to 180 seconds.

本発明に関連する第10の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.5〜2.0μmのNiまたはNi合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ0.5〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The tenth technique related to the present invention is:
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Ni or Ni alloy having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 0.5 to 3.0 μm on the base plating layer,
Furthermore, it is a method for producing a plating material, characterized in that a heat treatment is performed for 30 to 180 seconds in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C., and an alloy layer is formed between the base plating layer and the surface plating layer. .

本発明に関連する第11の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.5〜2.0μmのNiまたはNi合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ0.5〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に、平均粒子径0.6〜1.2μmのNiとSnの合金からなる厚さ0.5〜2.0μmの合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The eleventh technology related to the present invention is:
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Ni or Ni alloy having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 0.5 to 3.0 μm on the base plating layer,
Furthermore, a heat treatment is performed for 30 to 180 seconds in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C., and an alloy of Ni and Sn having an average particle diameter of 0.6 to 1.2 μm is provided between the base plating layer and the surface plating layer. An alloy layer having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is formed.

本発明に関連する第12の技術は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.5〜2.0μmのNiまたはNi合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ0.5〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、230〜400℃の温度雰囲気に30〜180秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に、平均粒子径0.6〜1.2μmのNiとSnの合金からなり、150℃における成長速度が0.2μm/√日以下である合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The twelfth technique related to the present invention is:
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Ni or Ni alloy having a thickness of 0.5 to 2.0 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 0.5 to 3.0 μm on the base plating layer,
Furthermore, a heat treatment is performed for 30 to 180 seconds in a temperature atmosphere of 230 to 400 ° C., and an alloy of Ni and Sn having an average particle diameter of 0.6 to 1.2 μm is provided between the base plating layer and the surface plating layer. And an alloy layer having a growth rate at 150 ° C. of 0.2 μm / √day or less is formed.

なお、第7〜12の技術において、好ましい範囲は、下地めっき層の厚さについては1.0〜1.3μm、表面めっき層の厚さについては1.0〜2.5μm、NiとSnの合金層の厚さについては0.7〜1.0μm、NiとSnの合金の平均粒子径については0.6〜0.8μmである。また、加熱処理については、260〜320℃の温度雰囲気に60〜120秒保持する加熱処理が好ましい。   In the seventh to twelfth techniques, preferable ranges are 1.0 to 1.3 μm for the thickness of the base plating layer, 1.0 to 2.5 μm for the thickness of the surface plating layer, and Ni and Sn. The thickness of the alloy layer is 0.7 to 1.0 μm, and the average particle size of the alloy of Ni and Sn is 0.6 to 0.8 μm. Moreover, about heat processing, the heat processing hold | maintained for 60 to 120 second in a 260-320 degreeC temperature atmosphere is preferable.

本発明は上記の各技術に基いてなされたものであり、請求項1に記載の発明は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.8〜1.2μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ2.0〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、260〜320℃の温度雰囲気に60〜120秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The present invention has been made on the basis of the above-described technologies, and the invention according to claim 1
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.8 to 1.2 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 2.0 to 3.0 μm on the base plating layer,
Furthermore, it is a method for producing a plating material, characterized in that heat treatment is performed for 60 to 120 seconds in a temperature atmosphere of 260 to 320 ° C., and an alloy layer is formed between the base plating layer and the surface plating layer. .

また、請求項に記載の発明は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.8〜1.2μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ2.0〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、260〜320℃の温度雰囲気に60〜120秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に、平均粒子径5〜8μmのCuとSnの合金からなる厚さ0.9〜1.2μmの合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The invention according to claim 2
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.8 to 1.2 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 2.0 to 3.0 μm on the base plating layer,
Furthermore, a heat treatment is performed for 60 to 120 seconds in a temperature atmosphere of 260 to 320 ° C., and the thickness is made of an alloy of Cu and Sn having an average particle diameter of 5 to 8 μm between the base plating layer and the surface plating layer. It is a manufacturing method of the plating material characterized by forming an alloy layer of 0.9 to 1.2 μm.

また、請求項に記載の発明は、
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.8〜1.2μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ2.0〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、260〜320℃の温度雰囲気に60〜120秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に、平均粒子径5〜8μmのCuとSnの合金からなり、150℃における成長速度が0.2μm/√日以下である合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法である。
The invention according to claim 3
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.8 to 1.2 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 2.0 to 3.0 μm on the base plating layer,
Further, heat treatment is performed for 60 to 120 seconds in a temperature atmosphere of 260 to 320 ° C., and an alloy of Cu and Sn having an average particle diameter of 5 to 8 μm is formed between the base plating layer and the surface plating layer. It is a method for producing a plating material, characterized in that an alloy layer having a growth rate of 0.2 μm / √day or less at 0 ° C. is formed.

なお、本発明における下地めっき層および表面めっき層の厚さに関する数値範囲は、実用性を加味して規定されたものであり、求められる用途に応じて調整され、それに合わせて、合金層の厚さや平均粒子径も調整される。   In addition, the numerical range regarding the thickness of the base plating layer and the surface plating layer in the present invention is specified in consideration of practicality, and is adjusted according to the required use, and accordingly, the thickness of the alloy layer is adjusted. The average particle diameter is also adjusted.

本発明により、製造コストの増加を招くことなく、Snと下地めっき金属との合金化や合金層の成長速度を今まで以上に遅くして、Snめっき層の厚さを長期間に亘って維持し、めっき材料のはんだ濡れ性の低下を抑制することが可能なSnめっき材料の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, the thickness of the Sn plating layer can be maintained over a long period of time without causing an increase in manufacturing cost by lowering the alloying rate between the Sn and the base plating metal and the growth rate of the alloy layer. And the manufacturing method of Sn plating material which can suppress the fall of the solder wettability of plating material can be provided.

実施例1の試験片の層構造を、概念的に示す断面図である。2 is a sectional view conceptually showing the layer structure of a test piece of Example 1. FIG. 実施例1と比較サンプル1〜4の経過時間とCu−Sn合金層の成長した厚さとの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the elapsed time of Example 1, and comparative samples 1-4, and the thickness which the Cu-Sn alloy layer grew. 実施例2、比較サンプル6におけるNi−Sn合金層のSEM写真である。4 is a SEM photograph of a Ni—Sn alloy layer in Example 2 and Comparative Sample 6. 実施例2、比較サンプル5、6の経過時間とNi−Sn合金層の成長した厚さとの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the elapsed time of Example 2, the comparative samples 5 and 6, and the thickness which the Ni-Sn alloy layer grew.

以下、本発明を実施の形態に基づいて説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、以下の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。   Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments. Note that the present invention is not limited to the following embodiments. Various modifications can be made to the following embodiments within the same and equivalent scope as the present invention.

[1]銅合金製の基材にCu下地めっき後、Snめっきを施した例
1.Snめっき試験片の作製
(実施例1)
(1)基材およびめっき
黄銅製の基材に厚さ0.8〜1.2μmのCu下地めっきをし、その上に厚さ2〜3μmの無光沢Snめっきを施した。
[1] Example in which Sn plating was applied to a copper alloy substrate after Cu base plating. Preparation of Sn plating test piece (Example 1)
(1) Base material and plating Cu base plating with a thickness of 0.8 to 1.2 μm was applied to a base material made of brass, and then matte Sn plating with a thickness of 2 to 3 μm was applied thereon.

(2)リフロー処理
次に、無光沢めっきをした試験片を赤外線イメージ炉を用いて加熱温度260℃で60秒間加熱する強リフロー処理を行い、実施例1とした。
(2) Reflow treatment Next, a strong reflow treatment was performed in which the matte-plated test piece was heated at a heating temperature of 260 ° C. for 60 seconds using an infrared image furnace to obtain Example 1.

参考までに上記により作製した試験片の層構造を示す。図1は実施例1の試験片の層構造を、概念的に示す断面図である。図1において、10は基材であり、20はCu下地めっき層であり、40は無光沢Snめっき層であり、24はCu−Sn合金層である。   For reference, the layer structure of the test piece prepared as described above is shown. 1 is a cross-sectional view conceptually showing the layer structure of the test piece of Example 1. FIG. In FIG. 1, 10 is a base material, 20 is a Cu base plating layer, 40 is a matte Sn plating layer, and 24 is a Cu-Sn alloy layer.

(比較例)
(1)比較例1
Cu下地めっきが施された黄銅製の基材の上に厚さ約1.2μmの無光沢Snめっきが施され、さらに従来のリフロー処理が施された市販品を比較例1(比較サンプル1)とした。
(Comparative example)
(1) Comparative Example 1
Comparative Example 1 (Comparative Sample 1) is a commercially available product in which a matte Sn plating with a thickness of about 1.2 μm is applied on a base material made of brass to which a Cu base plating is applied, and further subjected to a conventional reflow treatment. It was.

(2)比較例2
Cu下地めっきが施されたコルソン系銅合金製の基材の上に厚さ約1.3μmの無光沢Snめっきが施され、さらに従来のリフロー処理が施された市販品を比較例2(比較サンプル2)とした。
(2) Comparative Example 2
Comparative Example 2 (comparative example) is a commercially available product in which a matte Sn plating with a thickness of about 1.3 μm is applied on a substrate made of a Corson copper alloy to which a Cu base plating is applied, and further subjected to a conventional reflow treatment. Sample 2).

(3)比較例3
Cu下地めっきが施された黄銅製の基材の上に厚さ約1.1μmの無光沢Snが施され、さらに従来のリフロー処理が施された市販品を比較例3(比較サンプル3)とした。
(3) Comparative Example 3
Comparative example 3 (comparative sample 3) and a commercially available product in which matte Sn having a thickness of about 1.1 μm was applied on a base material made of brass subjected to Cu base plating and further subjected to a conventional reflow treatment were used. did.

(4)比較例4
基材側から順にNi下地めっきおよびCu下地めっきが施された黄銅製の基材の上に厚さ1〜3μmの無光沢Snめっきが施され、さらに従来のリフロー処理が施された3層リフローめっきの市販品を比較例4(比較サンプル4)とした。
(4) Comparative Example 4
Three-layer reflow in which matte Sn plating with a thickness of 1 to 3 μm is applied on a brass base material that has been subjected to Ni base plating and Cu base plating in order from the base material side, and further subjected to conventional reflow processing A commercially available plating product was used as Comparative Example 4 (Comparative Sample 4).

2.リフロー処理後の合金層の厚さおよび平均粒子径の測定
イ.測定方法
a.合金層の厚さ
合金層の厚さは、蛍光X線膜厚計により測定した。
2. Measurement of thickness and average particle diameter of alloy layer after reflow treatment Measuring method a. Alloy Layer Thickness The alloy layer thickness was measured with a fluorescent X-ray film thickness meter.

b.平均粒子径
実施例1および比較例1〜4の各々をp-ニトロフェノールを含むアルカリ性水溶液に浸漬してSnめっき層を剥離し、合金層表面を露出させた。露出した各合金層表面を、SEM(走査型電子顕微鏡)により、1000〜10000倍で観察し、合金層粒子のSEM写真を得た。得られたSEM写真を粒子解析ソフト「Quick Grain」(イノテック社製)にて解析し、平均粒子径を求めた。
b. Average particle diameter Each of Example 1 and Comparative Examples 1 to 4 was immersed in an alkaline aqueous solution containing p-nitrophenol to peel off the Sn plating layer to expose the surface of the alloy layer. The exposed surface of each alloy layer was observed with a scanning electron microscope (SEM) at a magnification of 1000 to 10000 to obtain SEM photographs of alloy layer particles. The obtained SEM photograph was analyzed with particle analysis software “Quick Grain” (manufactured by Innotech) to determine the average particle size.

ロ.測定結果
実施例1および比較例1〜4の測定結果をまとめて表1に示す。
B. Measurement Results Table 1 summarizes the measurement results of Example 1 and Comparative Examples 1 to 4.

表1より、強リフロー処理を行った実施例1は、従来のリフロー処理を行った比較例(比較サンプル)1〜3に比べて、充分な厚さの合金層が形成されており、その平均粒子径も充分に大きいことが分かる。なお、比較例4については、3層リフロー処理品であり、めっき層の構成が他と異なるため、平均粒子径の測定は行っていない。   From Table 1, in Example 1 in which the strong reflow treatment was performed, an alloy layer having a sufficient thickness was formed as compared with Comparative Examples (comparative samples) 1 to 3 in which the conventional reflow treatment was performed. It can be seen that the particle size is also sufficiently large. In addition, about the comparative example 4, since it is a 3 layer reflow process goods and the structure of a plating layer differs from others, the measurement of an average particle diameter is not performed.

3.Cu−Sn合金層の成長速度
イ.測定方法
150℃に加熱した下での加速試験によりCu−Sn合金層の成長速度を測定した。実施例1、比較例1〜4を150℃の恒温槽に投入し、120時間経過するまで合金層の厚さの成長量を測定した。
3. Growth rate of Cu-Sn alloy layer a. Measuring method The growth rate of the Cu-Sn alloy layer was measured by an acceleration test under heating to 150 ° C. Example 1 and Comparative Examples 1 to 4 were placed in a thermostatic bath at 150 ° C., and the growth amount of the thickness of the alloy layer was measured until 120 hours passed.

ロ.測定結果
測定結果を図2に示す。図2は実施例1と比較例1〜4の経過時間とCu−Sn合金層の成長した厚さとの関係を示す図であり、横軸は経過時間の平方根(√日)であり、縦軸は合金層の成長した厚さ(μm)である。
B. Measurement results The measurement results are shown in FIG. FIG. 2 is a graph showing the relationship between the elapsed time of Example 1 and Comparative Examples 1 to 4 and the grown thickness of the Cu—Sn alloy layer, and the horizontal axis is the square root (√ days) of the elapsed time. Is the grown thickness (μm) of the alloy layer.

図2より、実施例1における合金層の成長速度は、その直線の傾きから約0.12μm/√日であり、従来のリフロー処理を行った比較例(比較サンプル)1〜3に比べてSnめっきと下地めっき層の金属との合金層の成長速度が遅いことが分かる。   From FIG. 2, the growth rate of the alloy layer in Example 1 is about 0.12 μm / √day from the slope of the straight line, and it is Sn compared with Comparative Examples (Comparative Samples) 1 to 3 subjected to the conventional reflow treatment. It can be seen that the growth rate of the alloy layer of the plating and the metal of the base plating layer is slow.

また、比較例(比較サンプル)4の場合、基材の直上にNi層が設けられることにより、リフロー時やその後において、基材に由来するCuの拡散が抑制されるため、経時劣化に大きな効果があるとされているが、実施例1の合金層の成長速度は比較例4よりも遅く、比較例4の場合よりも経時劣化に大きな効果があることが分かる。   Moreover, in the case of the comparative example (comparative sample) 4, since the Ni layer is provided immediately above the base material, the diffusion of Cu derived from the base material is suppressed at the time of reflowing and thereafter, so that it has a great effect on deterioration over time. Although the growth rate of the alloy layer of Example 1 is slower than that of Comparative Example 4, it can be seen that there is a greater effect on deterioration with time than that of Comparative Example 4.

このように、実施例1において合金層の成長の抑制に対して大きな効果を発揮するのは、合金層は粒界拡散によって成長するが、強リフロー処理を行って合金層を厚くすることによって、粒界の数が減少してSnとCuが拡散する経路が減って、合金層の成長が抑制されたためと推測される。   As described above, in Example 1, the great effect for suppressing the growth of the alloy layer is that the alloy layer grows by grain boundary diffusion, but by performing a strong reflow treatment to thicken the alloy layer, It is presumed that the number of grain boundaries is reduced, the number of paths through which Sn and Cu diffuse is reduced, and the growth of the alloy layer is suppressed.

4.Cu−Sn合金層の厚さと平均粒子径および成長速度との関係
表1および図1における実施例1および比較例1〜3の測定結果より、Cu下地の場合、合金層の種類が同じCu−Sn合金層の系内では、リフロー加熱の強弱、即ち合金層の厚さが、平均粒子径の大小と対応しており、さらに、成長速度の抑制とも対応していることが分かる。
4). Relationship between thickness of Cu—Sn alloy layer and average particle diameter and growth rate From the measurement results of Example 1 and Comparative Examples 1 to 3 in Table 1 and FIG. In the Sn alloy layer system, it can be seen that the strength of reflow heating, that is, the thickness of the alloy layer corresponds to the average particle size, and also corresponds to the suppression of the growth rate.

即ち、合金層が厚くなると、合金層の平均粒子径も大きくなり、合金層の成長速度がより抑制される。   That is, as the alloy layer becomes thicker, the average particle diameter of the alloy layer also increases, and the growth rate of the alloy layer is further suppressed.

[2]銅合金製の基材にNi下地めっき後、Snめっきを施した例
1.Snめっき試験片の作製
(実施例2)
(1)基材およびめっき
黄銅製の基材に厚さ1〜1.3μmのNi下地めっきをし、その上に厚さ2μmの無光沢Snめっきを施した。
[2] Example in which Sn plating was applied to a copper alloy base material after Ni base plating. Preparation of Sn plating test piece (Example 2)
(1) Base material and plating Ni base plating with a thickness of 1 to 1.3 μm was applied to a brass base material, and then matte Sn plating with a thickness of 2 μm was applied thereon.

(2)リフロー処理
次に、実施例1と同じ方法で強リフロー処理を行った。
(2) Reflow process Next, the strong reflow process was performed by the same method as Example 1. FIG.

(比較例)
(1)比較例5
厚さ1〜2μmのNi下地めっきが施されたコルソン系銅合金製の基材の上に厚さ2〜2.5μmの無光沢Snめっきが施され、さらに従来のリフロー処理が施された市販品を比較例5(比較サンプル5)とした。
(Comparative example)
(1) Comparative Example 5
Commercially available substrate with a non-glossy Sn plating with a thickness of 2 to 2.5 μm and a conventional reflow treatment on a Corson copper alloy base material with a Ni base plating with a thickness of 1 to 2 μm The product was designated as Comparative Example 5 (Comparative Sample 5).

(2)比較例6
厚さ1〜2μmのNi下地めっきが施された黄銅製の基材の上に厚さ1〜3μmの無光沢Snめっきが施され、さらに従来のリフロー処理が施された市販品を比較例6(比較サンプル6)とした。
(2) Comparative Example 6
Comparative Example 6 is a commercially available product in which matte Sn plating with a thickness of 1 to 3 μm is applied on a brass base material with a Ni base plating with a thickness of 1 to 2 μm and further subjected to a conventional reflow treatment. (Comparative sample 6).

2.リフロー処理後の合金層の厚さの測定
イ.測定方法
実施例1と同じ方法で合金層の厚さを測定した。
2. Measurement of thickness of alloy layer after reflow treatment Measurement Method The thickness of the alloy layer was measured by the same method as in Example 1.

ロ.測定結果
実施例2および比較例5、6の測定結果をまとめて表2に示す。
B. Measurement Results Table 2 summarizes the measurement results of Example 2 and Comparative Examples 5 and 6.

表2より、強リフロー処理を行った実施例2は、従来のリフロー処理を行った比較例(比較サンプル)5、6に比べて、充分な厚さの合金層が形成されていることが分かる。   From Table 2, it can be seen that in Example 2 where the strong reflow treatment was performed, an alloy layer having a sufficient thickness was formed as compared with Comparative Examples 5 and 6 where the conventional reflow treatment was performed. .

3.Ni−Sn合金層の平均粒子径
合金層の平均粒子径については、実施例1と同じ方法にて合金層粒子のSEM写真を得たが、SnとNiの金属間化合物は元来粒子径が小さいため、実施例1の場合のような粒子解析ソフトによる解析ができず、写真から寸法を読みとることとした。
3. Average particle diameter of Ni—Sn alloy layer As for the average particle diameter of the alloy layer, SEM photographs of alloy layer particles were obtained by the same method as in Example 1. Because of the small size, analysis by particle analysis software as in Example 1 was not possible, and the dimensions were read from the photograph.

具体的には、実施例2および比較例6について、それぞれの合金層のSEM写真を撮り、写真から平均粒子径を読みとった。得られたSEM写真を図3に示す。図3において、(a)は実施例2に基づくSEM写真であり、(b)は比較例6に基づくSEM写真である。   Specifically, for Example 2 and Comparative Example 6, SEM photographs of the respective alloy layers were taken, and the average particle diameter was read from the photographs. The obtained SEM photograph is shown in FIG. 3A is an SEM photograph based on Example 2, and FIG. 3B is an SEM photograph based on Comparative Example 6. In FIG.

図3に示す写真より、合金層の成長速度が遅い実施例2における平均粒子径は約1μmであり、合金層の成長速度が速い比較例6における平均粒子径は0.4μm以下であることが分かった。   From the photograph shown in FIG. 3, the average particle size in Example 2 where the growth rate of the alloy layer is slow is about 1 μm, and the average particle size in Comparative Example 6 where the growth rate of the alloy layer is fast is 0.4 μm or less. I understood.

4.Ni−Sn合金層の成長速度
イ.測定方法
実施例1と同じ方法でNi−Sn合金層の成長速度を測定した。
4). Growth rate of Ni—Sn alloy layer a. Measurement Method The growth rate of the Ni—Sn alloy layer was measured by the same method as in Example 1.

ロ.測定結果
測定結果を図4に示す。図4は、実施例2、比較例5、6、即ちNi下地めっきの場合の、経過時間とNi−Sn合金層の成長した厚さとの関係を示す図である。
B. Measurement results The measurement results are shown in FIG. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the elapsed time and the grown thickness of the Ni—Sn alloy layer in Example 2 and Comparative Examples 5 and 6, that is, in the case of Ni base plating.

図4より、Ni下地めっきの場合も、強リフロー処理を行った実施例2の試験片は、従来のリフロー処理を行った比較例5、6に比べてSnめっきと下地めっき層の金属との合金層の成長速度が遅いことが分かる。   From FIG. 4, also in the case of Ni undercoating, the test piece of Example 2 subjected to the strong reflow treatment was compared with the Sn plating and the metal of the undercoating layer as compared with Comparative Examples 5 and 6 subjected to the conventional reflow treatment. It can be seen that the growth rate of the alloy layer is slow.

そして、150℃での加速試験における実施例2の合金層の成長速度は、図4における直線の傾きから約0.2μm/√日であり、充分にはんだ濡れ性の維持に必要な成長速度以下に抑制されていることが分かる。   Then, the growth rate of the alloy layer of Example 2 in the accelerated test at 150 ° C. is about 0.2 μm / √day from the slope of the straight line in FIG. 4, and is not higher than the growth rate necessary for maintaining sufficient solder wettability. It can be seen that it is suppressed.

5.Ni−Sn合金層の厚さと平均粒子径および成長速度との関係
前記した通り、Cu下地の場合、合金層の種類が同じCu−Sn合金層の系内では、リフロー加熱の強弱、即ち合金層の厚さが、平均粒子径の大小と対応しており、さらに、成長速度の抑制とも対応している。
5. Relationship between Ni—Sn Alloy Layer Thickness, Average Particle Diameter, and Growth Rate As described above, in the case of a Cu underlayer, the strength of reflow heating, that is, the alloy layer, is within the same Cu—Sn alloy layer system. The thickness corresponds to the average particle size, and also corresponds to the suppression of the growth rate.

同様に、Ni下地の場合においても、表2および図3、4における実施例2および比較例6(比較サンプル6)の測定結果より、合金層の種類が同じNi−Sn合金層の系内では、リフロー加熱の強弱、即ち合金層の厚さが、平均粒子径の大小と対応しており、さらに、成長速度の抑制とも対応していることが分かる。   Similarly, even in the case of Ni base, from the measurement results of Example 2 and Comparative Example 6 (Comparative Sample 6) in Table 2 and FIGS. It can be seen that the strength of the reflow heating, that is, the thickness of the alloy layer corresponds to the average particle size, and also corresponds to the suppression of the growth rate.

[3]はんだ濡れ性について
合金化していないSnのみの層が0.3μm以上あれば、はんだ濡れが良好であることが分かっている。このため、厚さ2〜3μmのSnめっき層を有し、合金層の成長速度が0.12μm/√日と遅い実施例1の場合、Snめっき層の厚さを長期間に亘って0.3μm以上に維持することができ、良好なはんだ濡れ性を発揮できることが予想される。
[3] Solder wettability It is known that solder wettability is good when the layer of only Sn that is not alloyed is 0.3 μm or more. For this reason, in Example 1 which has a Sn plating layer having a thickness of 2 to 3 μm and the growth rate of the alloy layer is as low as 0.12 μm / √day, the thickness of the Sn plating layer is set to 0. It can be maintained at 3 μm or more, and it is expected that good solder wettability can be exhibited.

また、厚さ2μmのSnめっき層を有し、合金層の成長速度が0.2μm/√日と遅い実施例2の場合も同様に、Snめっき層の厚さを長期間に亘って0.3μm以上に維持することができるため、良好なはんだ濡れ性を発揮できることが予想される。   Similarly, in the case of Example 2 which has a Sn plating layer having a thickness of 2 μm and the growth rate of the alloy layer is as low as 0.2 μm / √day, the thickness of the Sn plating layer is set to 0. Since it can be maintained at 3 μm or more, it is expected that good solder wettability can be exhibited.

[4]Cu下地めっきを行い、リフロー条件を変えて処理を行った例
以下では、黄銅製の基材の表面に厚さが0.8〜1.2μmのCu下地めっき後、厚さ1〜3μmのSnの表面めっきを施した後、加熱温度、加熱時間について種々の条件でリフロー処理を行い、合金層の厚さおよび平均粒子径を測定している。
[4] Example of performing Cu base plating and changing reflow conditions In the following, after the Cu base plating with a thickness of 0.8 to 1.2 μm on the surface of a brass base material, After the surface plating of 3 μm of Sn, reflow treatment is performed under various conditions for the heating temperature and the heating time, and the thickness and average particle diameter of the alloy layer are measured.

(1)試料の作製
表3に示す加熱温度(℃)および加熱時間(秒)でリフロー処理を行い、実施例3および比較例7〜11の試料を作製した。
(1) Preparation of sample The reflow process was performed with the heating temperature (degreeC) and heating time (second) which are shown in Table 3, and the sample of Example 3 and Comparative Examples 7-11 was produced.

(2)合金層厚さおよび平均粒子径の測定
実施例1と同じ方法により、各試料の合金層の厚さおよび平均粒子径を測定した。測定結果を表3に示す。
(2) Measurement of alloy layer thickness and average particle size By the same method as in Example 1, the thickness and average particle size of the alloy layer of each sample were measured. Table 3 shows the measurement results.

表3に示すように、Cu下地めっきの場合、加熱温度260℃、加熱時間60秒の強リフロー処理を行なった場合(実施例3)、厚さ1.05μm、平均粒子径5.49μmの合金層が形成されている。これに対し、各比較例においては、通常のリフロー処理であるため、厚さ、平均粒子径のいずれも、実施例3に比べ小さくなっている。   As shown in Table 3, in the case of Cu base plating, when a strong reflow treatment was performed at a heating temperature of 260 ° C. and a heating time of 60 seconds (Example 3), an alloy having a thickness of 1.05 μm and an average particle size of 5.49 μm A layer is formed. On the other hand, in each comparative example, since it is a normal reflow process, both the thickness and the average particle diameter are smaller than those in Example 3.

前記した通り、合金層の種類が同じCu−Sn合金層の系内では、リフロー加熱の強弱、即ち合金層の厚さが、平均粒子径の大小と対応しており、さらに、成長速度の抑制とも対応している。このため、充分な厚さの合金層が形成された実施例3の場合についても、充分に、合金層の成長を抑制できると予測できる。   As described above, in the system of Cu-Sn alloy layers with the same type of alloy layer, the strength of reflow heating, that is, the thickness of the alloy layer corresponds to the average particle size, and further suppresses the growth rate. Both correspond. For this reason, it can be predicted that the growth of the alloy layer can be sufficiently suppressed in the case of Example 3 in which a sufficiently thick alloy layer is formed.

[5]Ni下地めっきを行い、リフロー条件を変えて処理を行った例
以下では、黄銅製の基材の表面に厚さが1〜1.3μmのNi下地めっき後、厚さ1〜3μmのSnの表面めっきを施した後、加熱温度、加熱時間について種々の条件でリフロー処理を行い、合金層の厚さを測定している。
[5] Example of performing Ni base plating and changing reflow conditions In the following, after Ni base plating with a thickness of 1 to 1.3 μm on the surface of a brass base material, with a thickness of 1 to 3 μm After the surface plating of Sn, the reflow treatment is performed under various conditions for the heating temperature and the heating time, and the thickness of the alloy layer is measured.

(1)試料の作製
表4に示す加熱温度(℃)および加熱時間(秒)でリフロー処理を行い、実施例4および比較例12、13の試料を作製した。
(1) Preparation of sample The reflow process was performed with the heating temperature (degreeC) and heating time (second) which are shown in Table 4, and the sample of Example 4 and Comparative Examples 12 and 13 was produced.

(2)合金層厚さの測定
実施例2と同じ方法により、各試料の合金層の厚さを測定すると共に、実施例4および比較例12について平均粒子径を測定した。測定結果を表4に示す。
(2) Measurement of alloy layer thickness By the same method as Example 2, while measuring the thickness of the alloy layer of each sample, the average particle diameter was measured about Example 4 and Comparative Example 12. Table 4 shows the measurement results.

表4に示すように、Ni下地めっきの場合、加熱温度260℃、加熱時間60秒の強リフロー処理を行なった場合(実施例4)、厚さ0.69μm、平均粒子径1μmの合金層が形成されている。これに対し、各比較例においては、通常のリフロー処理であるため、厚さ、平均粒子径のいずれも、実施例4に比べ小さくなっている。   As shown in Table 4, in the case of Ni base plating, when a strong reflow treatment is performed at a heating temperature of 260 ° C. and a heating time of 60 seconds (Example 4), an alloy layer having a thickness of 0.69 μm and an average particle diameter of 1 μm is formed. Is formed. On the other hand, since each comparative example is a normal reflow process, both the thickness and the average particle diameter are smaller than those in Example 4.

前記した通り、合金層の種類が同じNi−Sn合金の系内では、リフロー加熱の強弱、即ち合金層の厚さが、平均粒子径の大小と対応しており、さらに、成長速度の抑制とも対応している。このため、充分な厚さの合金層が形成された実施例4の場合についても、充分に、合金層の成長を抑制できると予測できる。   As described above, in the Ni-Sn alloy system in which the kind of the alloy layer is the same, the strength of the reflow heating, that is, the thickness of the alloy layer corresponds to the average particle size, and further, the growth rate is suppressed. It corresponds. For this reason, it can be predicted that the growth of the alloy layer can be sufficiently suppressed in the case of Example 4 in which the alloy layer having a sufficient thickness is formed.

本発明は、Snめっき層の機能の経時劣化が少ない低コストのSnめっき製品や低コストでSnめっき製品のめっき層の機能の経時劣化を防止できる技術を提供できるため、はんだ付けのためにSnめっき製品が必要不可欠である電気、電子関連の産業等に利用可能である。   The present invention can provide a low-cost Sn-plated product with little deterioration of the Sn plating layer function over time and a technology that can prevent deterioration of the function of the plating layer of Sn-plating product with time at a low cost. It can be used in electrical and electronic industries where plating products are indispensable.

10 基材
20 Cu下地めっき層
24 Cu−Sn合金層
40 無光沢Snめっき層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base material 20 Cu base plating layer 24 Cu-Sn alloy layer 40 Matte Sn plating layer

Claims (3)

CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.8〜1.2μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ2.0〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、260〜320℃の温度雰囲気に60〜120秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法。
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.8 to 1.2 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 2.0 to 3.0 μm on the base plating layer,
Furthermore, the heat processing hold | maintained for 60 to 120 second in the temperature atmosphere of 260-320 degreeC are performed, and the alloy layer is formed between the said foundation | substrate plating layer and a surface plating layer, The manufacturing method of the plating material characterized by the above-mentioned.
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.8〜1.2μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ2.0〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、260〜320℃の温度雰囲気に60〜120秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に、平均粒子径5〜8μmのCuとSnの合金からなる厚さ0.9〜1.2μmの合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法。
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.8 to 1.2 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 2.0 to 3.0 μm on the base plating layer,
Furthermore, a heat treatment is performed for 60 to 120 seconds in a temperature atmosphere of 260 to 320 ° C., and the thickness is made of an alloy of Cu and Sn having an average particle diameter of 5 to 8 μm between the base plating layer and the surface plating layer. A method for producing a plating material, comprising forming an alloy layer of 0.9 to 1.2 μm.
CuまたはCu合金からなる基材上に、厚さ0.8〜1.2μmのCuまたはCu合金からなる下地めっき層を形成し、
前記下地めっき層上に、厚さ2.0〜3.0μmのSnまたはSn合金からなる表面めっき層を形成した後、
さらに、260〜320℃の温度雰囲気に60〜120秒保持する加熱処理を行い、前記下地めっき層と表面めっき層との間に、平均粒子径5〜8μmのCuとSnの合金からなり、150℃における成長速度が0.2μm/√日以下である合金層を形成する
ことを特徴とするめっき材料の製造方法。
On the base material made of Cu or Cu alloy, a base plating layer made of Cu or Cu alloy having a thickness of 0.8 to 1.2 μm is formed,
After forming a surface plating layer made of Sn or Sn alloy having a thickness of 2.0 to 3.0 μm on the base plating layer,
Further, heat treatment is performed for 60 to 120 seconds in a temperature atmosphere of 260 to 320 ° C., and an alloy of Cu and Sn having an average particle diameter of 5 to 8 μm is formed between the base plating layer and the surface plating layer. A method for producing a plating material, comprising forming an alloy layer having a growth rate of 0.2 μm / √day or less at 0 ° C.
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