JP5978071B2

JP5978071B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP5978071B2
Application number: JP2012191285A
Authority: JP
Inventors: 仁司中井
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2012-08-31
Filing date: 2012-08-31
Publication date: 2016-08-24
Anticipated expiration: 2032-08-31
Also published as: JP2014049606A

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、多種類の基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。また、エッチング処理の終了後、基板上のレジストを除去したり基板を洗浄する処理も行われる。 Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”), various types of processing are performed on the substrate using various types of substrate processing apparatuses. For example, by supplying a chemical solution to a substrate having a resist pattern formed on the surface, a process such as etching is performed on the surface of the substrate. In addition, after the etching process is completed, a process of removing the resist on the substrate or cleaning the substrate is also performed.

特許文献１の装置では、リンス液によりウエハ上の現像液等を洗い流した後、ウエハの乾燥が行われる。具体的には、リンス処理部にウエハが搬入されてウェハ吸着部により吸着され、リンス処理部の開口がシャッタにて閉塞された後、リンス処理部の内部空間の排気が行われる。そして、減圧雰囲気となった内部空間において、ウエハをウエハ吸着部と共に低速回転させつつリンス液が供給され、その後、ウエハを高速回転することによりウエハの乾燥が行われる。 In the apparatus of Patent Document 1, the wafer is dried after the developer on the wafer is washed away with a rinse liquid. Specifically, the wafer is carried into the rinsing unit and is adsorbed by the wafer adsorbing unit. After the opening of the rinsing unit is closed by a shutter, the internal space of the rinsing unit is evacuated. Then, the rinsing liquid is supplied while rotating the wafer at a low speed together with the wafer adsorbing portion in the reduced-pressure atmosphere, and then the wafer is dried by rotating the wafer at a high speed.

特開平９−２４６１５６号公報JP-A-9-246156

ところで、密閉チャンバ内にて液体を用いる処理を行うと、チャンバ蓋部の下面に付着した液体が基板に落下する虞がある。一方、チャンバ蓋部の下面に付着した液体を除去する機構を別途設けると、チャンバが大型化する。チャンバが大型化すると、処理に使用されるガスの量が増大したり、装置の占有面積が大きくなってしまう。 By the way, when the process using the liquid is performed in the sealed chamber, the liquid attached to the lower surface of the chamber lid may fall onto the substrate. On the other hand, if a separate mechanism for removing the liquid adhering to the lower surface of the chamber lid is provided, the chamber becomes larger. When the chamber is increased in size, the amount of gas used for processing increases and the area occupied by the apparatus increases.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、簡単な構造でチャンバ内部に付着した液体の基板への落下を防止することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to prevent a liquid adhering to the inside of a chamber from dropping onto a substrate with a simple structure.

請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、密閉された内部空間を形成するチャンバと、前記チャンバの上部を含むチャンバ蓋部を他の部位に対して相対的に昇降するチャンバ開閉機構と、前記チャンバ内に配置され、水平状態で基板を保持する基板保持部と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板保持部と共に回転する基板回転機構と、前記基板上に処理液を供給する処理液供給部と、前記中心軸に垂直な板状であり、前記中心軸を中心として回転可能に前記チャンバ蓋部に取り付けられ、前記チャンバが密閉された前記内部空間を形成する状態で、前記中心軸を中心とする周方向において前記基板保持部と係合するトッププレートとを備え、前記処理液供給部が、前記トッププレートと前記基板保持部とが係合する状態で、前記トッププレートの中央から処理液を吐出することにより、前記トッププレートと前記基板との間に処理液を供給するノズルを含む。 The invention described in claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein a chamber forming a sealed internal space and a chamber lid including an upper portion of the chamber are relatively disposed with respect to other portions. A chamber opening / closing mechanism that moves up and down, a substrate holding unit that is disposed in the chamber and holds the substrate in a horizontal state, and a substrate rotating mechanism that rotates the substrate together with the substrate holding unit about a central axis that faces in the vertical direction; A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid onto the substrate, and a plate shape perpendicular to the central axis, is attached to the chamber lid so as to be rotatable about the central axis, and the chamber is sealed while forming an internal space, and a top plates for engaging with said substrate holder in the circumferential direction around the central axis, the processing liquid supply unit, said top plate and said substrate holding A state where the parts engaged, by ejecting the processing liquid from the center of the top plate includes a nozzle for supplying a processing liquid between said top plate and said substrate.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記トッププレートと前記基板保持部とが係合する状態で、前記トッププレートと前記基板との間にガスを供給するガス供給部をさらに備える。 According to a second aspect of the invention, there is provided a substrate processing apparatus according to claim 1, in a state in which said top plate and the substrate holder engages, the gas between the top plate and the substrate A gas supply unit is further provided.

請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記チャンバの周囲に位置するカップ部をさらに備え、前記チャンバ蓋部の前記他の部位に対する相対移動により前記基板の周囲に環状開口が形成された状態で、前記カップ部が、前記環状開口の径方向外側に位置し、回転する前記基板から飛散する処理液を受ける。
請求項４に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、密閉された内部空間を形成するチャンバと、前記チャンバの上部を含むチャンバ蓋部を他の部位に対して相対的に昇降するチャンバ開閉機構と、前記チャンバ内に配置され、水平状態で基板を保持する基板保持部と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板保持部と共に回転する基板回転機構と、前記基板上に処理液を供給する処理液供給部と、前記中心軸に垂直な板状であり、前記中心軸を中心として回転可能に前記チャンバ蓋部に取り付けられ、前記チャンバが密閉された前記内部空間を形成する状態で、前記中心軸を中心とする周方向において前記基板保持部と係合するトッププレートと、前記チャンバの周囲に位置するカップ部とを備え、前記チャンバ蓋部の前記他の部位に対する相対移動により前記基板の周囲に環状開口が形成された状態で、前記カップ部が、前記環状開口の径方向外側に位置し、回転する前記基板から飛散する処理液を受ける。 A third aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect , further comprising a cup portion positioned around the chamber, wherein the chamber lid portion is moved relative to the other portion. In a state where the annular opening is formed around the substrate, the cup portion is positioned on the radially outer side of the annular opening and receives the processing liquid scattered from the rotating substrate.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein a chamber forming a sealed internal space and a chamber lid including an upper portion of the chamber are relatively disposed with respect to other parts. A chamber opening / closing mechanism that moves up and down, a substrate holding unit that is disposed in the chamber and holds the substrate in a horizontal state, and a substrate rotating mechanism that rotates the substrate together with the substrate holding unit about a central axis that faces in the vertical direction; A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid onto the substrate, and a plate shape perpendicular to the central axis, is attached to the chamber lid so as to be rotatable about the central axis, and the chamber is sealed A top plate that engages with the substrate holding portion in a circumferential direction centered on the central axis in a state of forming an internal space, and a cup portion positioned around the chamber, A treatment liquid in which the cup portion is located radially outside the annular opening and splashes from the rotating substrate in a state where the annular opening is formed around the substrate by relative movement of the lid portion with respect to the other part. Receive.

請求項５に記載の発明は、請求項３または４に記載の基板処理装置であって、前記トッププレートが、前記チャンバ蓋部との間の距離が変更可能な状態で前記チャンバ蓋部に取り付けられており、前記チャンバ蓋部と前記チャンバの前記他の部位との間の距離が第１の距離の場合に、前記トッププレートが、前記周方向において前記基板保持部と係合し、前記チャンバ蓋部と前記チャンバの前記他の部位との間の距離が前記第１の距離よりも大きい第２の距離の場合に、前記トッププレートと前記基板保持部とが離間する。 A fifth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the third or fourth aspect, wherein the top plate is attached to the chamber lid in a state where a distance between the top plate and the chamber lid can be changed. And the top plate engages with the substrate holder in the circumferential direction when the distance between the chamber lid and the other part of the chamber is a first distance, and the chamber When the distance between the lid portion and the other portion of the chamber is a second distance that is larger than the first distance, the top plate and the substrate holding portion are separated from each other.

請求項６に記載の発明は、請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記カップ部を昇降することにより、前記カップ部を、前記環状開口の径方向外側の位置と、当該位置よりも下方の他の位置との間で移動するカップ昇降機構をさらに備える。 A sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the third to fifth aspects , wherein the cup portion is moved to a position radially outside the annular opening by raising and lowering the cup portion. And a cup elevating mechanism that moves between other positions below the position.

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の基板処理装置であって、前記チャンバの径方向外側に位置する他のカップ部をさらに備え、前記カップ昇降機構により前記カップ部が昇降することにより、前記カップ部が前記基板からの処理液を受ける状態と、前記他のカップ部が前記基板からの処理液を受ける状態とが切り替わる。 A seventh aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the sixth aspect, further comprising another cup portion positioned radially outside the chamber, wherein the cup portion is moved up and down by the cup lifting mechanism. Thereby, the state in which the cup part receives the processing liquid from the substrate and the state in which the other cup part receives the processing liquid from the substrate are switched.

請求項８に記載の発明は、請求項３ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記カップ部が前記基板から飛散する処理液を受ける状態において、前記カップ部の上部と前記チャンバの前記上部とが近接する、または、接する。 Invention of Claim 8 is a substrate processing apparatus in any one of Claim 3 thru | or 7, Comprising: In the state which receives the process liquid which the said cup part scatters from the said board | substrate, the said upper part and the said The upper part of the chamber is close to or in contact with the upper part.

請求項９に記載の発明は、請求項３ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理液供給部が、前記基板に純水と薬液とを供給し、前記チャンバ内が密閉された状態で、前記チャンバが、前記基板から飛散するＩＰＡまたは水を受け、前記環状開口が形成された状態で、前記カップ部が前記基板から飛散する薬液を受ける。 A ninth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the third to eighth aspects, wherein the processing liquid supply unit supplies pure water and a chemical solution to the substrate, and the inside of the chamber In a sealed state, the chamber receives IPA or water splashing from the substrate, and in a state where the annular opening is formed, the cup portion receives a chemical solution splashing from the substrate.

本発明では、簡単な構造でチャンバ内部に付着した液体の基板への落下を防止することができる。 In the present invention, it is possible to prevent the liquid adhering to the inside of the chamber from dropping onto the substrate with a simple structure.

第１の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. 処理液供給部と液回収部とを示すブロック図である。It is a block diagram which shows a process liquid supply part and a liquid collection | recovery part. 液受け部近傍の拡大図である。It is an enlarged view of a liquid receiving part vicinity. 基板処理装置の動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of operation | movement of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 第２の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus.

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１は、略円板状の半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）に処理液を供給して基板９を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。 FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that supplies a processing liquid to a substantially disk-shaped semiconductor substrate 9 (hereinafter simply referred to as “substrate 9”) to process the substrates 9 one by one.

基板処理装置１は、チャンバ１２と、チャンバ開閉機構１３１と、基板保持部１４と、基板回転機構１５と、液受け部１６と、カバー１７とを備える。 The substrate processing apparatus 1 includes a chamber 12, a chamber opening / closing mechanism 131, a substrate holding unit 14, a substrate rotating mechanism 15, a liquid receiving unit 16, and a cover 17.

チャンバ１２は、チャンバ本体１２１と、チャンバ蓋部１２２と、トッププレート１２３とを備える。チャンバ本体１２１は非磁性体により形成される。チャンバ本体１２１は、チャンバ底部２１と、チャンバ側壁部２２とを備える。チャンバ底部２１は、略円板状の中央部２１１と、中央部２１１の外縁部から下方に延びる筒状の内側壁部２１２と、内側壁部２１２から径方向外方へと広がるベース部２１３とを備える。基板保持部１４に基板９が保持された場合、基板９の下面９２は、中央部２１１の上面と対向する。チャンバ側壁部２２は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、ベース部２１３から上方へと突出する。チャンバ側壁部２２を形成する部材は、後述するように、液受け部１６の一部を兼ねる。 The chamber 12 includes a chamber body 121, a chamber lid part 122, and a top plate 123. The chamber body 121 is made of a nonmagnetic material. The chamber main body 121 includes a chamber bottom 21 and a chamber side wall 22. The chamber bottom 21 includes a substantially disc-shaped central portion 211, a cylindrical inner wall portion 212 extending downward from an outer edge portion of the central portion 211, and a base portion 213 extending radially outward from the inner wall portion 212. Is provided. When the substrate 9 is held by the substrate holding unit 14, the lower surface 92 of the substrate 9 faces the upper surface of the central portion 211. The chamber side wall portion 22 has an annular shape centering on a central axis J <b> 1 that faces in the vertical direction, and protrudes upward from the base portion 213. The member forming the chamber side wall portion 22 also serves as a part of the liquid receiving portion 16 as described later.

チャンバ蓋部１２２は中心軸Ｊ１に垂直な略円盤状であり、チャンバ１２の上部を含む。チャンバ蓋部１２２は、チャンバ本体１２１の上部開口を閉塞する。図１では、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間した状態を示す。チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１の上部開口を閉塞する際には、チャンバ蓋部１２２の外縁部がチャンバ側壁部２２の上部と接する。 The chamber lid 122 has a substantially disk shape perpendicular to the central axis J1 and includes the upper portion of the chamber 12. The chamber lid 122 closes the upper opening of the chamber body 121. FIG. 1 shows a state where the chamber lid 122 is separated from the chamber main body 121. When the chamber lid 122 closes the upper opening of the chamber main body 121, the outer edge of the chamber lid 122 contacts the upper portion of the chamber side wall 22.

トッププレート１２３は、中心軸Ｊ１に垂直な略円盤板状である。トッププレート１２３は中央に開口を有する。基板９が基板保持部１４に保持されると、基板９の上面９１は、トッププレート１２３の下面と対向する。トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２から吊り下がるようにチャンバ蓋部１２２に取り付けられる。より正確には、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２との間の距離が変更可能な状態でチャンバ蓋部１２２に取り付けられる。トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２に対して、中心軸Ｊ１を中心として回転も可能である。 The top plate 123 has a substantially disk shape perpendicular to the central axis J1. The top plate 123 has an opening at the center. When the substrate 9 is held by the substrate holding part 14, the upper surface 91 of the substrate 9 faces the lower surface of the top plate 123. The top plate 123 is attached to the chamber lid 122 so as to hang from the chamber lid 122. More precisely, the top plate 123 is attached to the chamber lid 122 in a state in which the distance from the chamber lid 122 can be changed. The top plate 123 can also rotate around the central axis J1 with respect to the chamber lid 122.

チャンバ開閉機構１３１は、チャンバ１２の可動部であるチャンバ蓋部１２２を、チャンバ１２の他の部位に対して相対的に昇降する。以下、チャンバ開閉機構１３１を「蓋部昇降機構１３１」と呼ぶ。チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１と接し、さらに、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１に向かって押圧されることにより、チャンバ１２内に密閉された内部空間１２０（図７参照）が形成される。 The chamber opening / closing mechanism 131 raises and lowers the chamber lid portion 122 that is a movable portion of the chamber 12 relative to other portions of the chamber 12. Hereinafter, the chamber opening / closing mechanism 131 is referred to as a “lid raising / lowering mechanism 131”. The chamber lid 122 is in contact with the chamber main body 121, and the chamber lid 122 is pressed toward the chamber main body 121, thereby forming an internal space 120 (see FIG. 7) sealed in the chamber 12.

基板保持部１４は、中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、基板９の外縁部を保持する。基板保持部１４はチャンバ１２内に配置され、水平状態の基板９を保持する。すなわち、基板９は、上面９１を中心軸Ｊ１に垂直に上側を向く状態で基板保持部１４により保持される。基板保持部１４が基板９を保持するチャック機構としては、様々なものが利用されてよい。 The substrate holding part 14 has an annular shape centered on the central axis J1 and holds the outer edge part of the substrate 9. The substrate holder 14 is disposed in the chamber 12 and holds the substrate 9 in a horizontal state. That is, the substrate 9 is held by the substrate holding part 14 with the upper surface 91 facing upward in the direction perpendicular to the central axis J1. Various chuck mechanisms may be used as the chuck mechanism for holding the substrate 9 by the substrate holding unit 14.

基板回転機構１５は、いわゆる中空モータである。基板回転機構１５は、中心軸Ｊ１を中心とする環状のステータ部１５１と、環状のロータ部１５２とを備える。ロータ部１５２は、略円環状の永久磁石を含む。永久磁石の表面は、PTFE樹脂にてモールドされる。ロータ部１５２は、内側壁部２１２とチャンバ側壁部２２との間の有底の環状空間内に配置される。ロータ部１５２は基板保持部１４と接続部材を介して接続される。 The substrate rotation mechanism 15 is a so-called hollow motor. The substrate rotation mechanism 15 includes an annular stator portion 151 centered on the central axis J1 and an annular rotor portion 152. The rotor portion 152 includes a substantially annular permanent magnet. The surface of the permanent magnet is molded with PTFE resin. The rotor part 152 is disposed in a bottomed annular space between the inner wall part 212 and the chamber side wall part 22. The rotor unit 152 is connected to the substrate holding unit 14 via a connection member.

ステータ部１５１は、チャンバ１２外（すなわち、内部空間１２０の外側）においてロータ部１５２の径方向外側に配置される。本実施の形態では、ステータ部１５１は、ベース部２１３に固定され、液受け部１６の下方に位置する。ステータ部１５１は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向に配列された複数のコイルを含む。 The stator portion 151 is disposed outside the chamber 12 (that is, outside the internal space 120) and radially outside the rotor portion 152. In the present embodiment, the stator portion 151 is fixed to the base portion 213 and is located below the liquid receiving portion 16. Stator portion 151 includes a plurality of coils arranged in the circumferential direction about central axis J1.

ステータ部１５１に電流が供給されることにより、ステータ部１５１とロータ部１５２との間に、中心軸Ｊ１を中心とする回転力が発生する。これにより、ロータ部１５２が、中心軸Ｊ１を中心として水平状態で回転する。ステータ部１５１とロータ部１５２との間に働く磁力により、ロータ部１５２は、チャンバ１２内において直接的にも間接的にもチャンバ１２に接触することなく浮遊し、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板保持部１４と共に回転する。 When current is supplied to the stator portion 151, a rotational force about the central axis J1 is generated between the stator portion 151 and the rotor portion 152. Thereby, the rotor part 152 rotates in a horizontal state around the central axis J1. Due to the magnetic force acting between the stator portion 151 and the rotor portion 152, the rotor portion 152 floats in the chamber 12 without contacting the chamber 12 directly or indirectly, and the substrate 9 is centered on the central axis J1. Is rotated together with the substrate holder 14.

液受け部１６は、第１カップ部１６１と、第１カップ昇降機構１６２と、第２カップ部１６３と、第２カップ昇降機構１６４とを備える。既述のように、チャンバ側壁部２２を形成する部材の一部は液受け部１６に含まれる。第２カップ部１６３は中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、チャンバ側壁部２２の径方向外側に位置する。第１カップ部１６１も環状であり、第２カップ部１６３の径方向外側に位置する。第１カップ昇降機構１６２は第１カップ部１６１を上下に移動する。第２カップ昇降機構１６４は第２カップ部１６３を上下に移動する。 The liquid receiving part 16 includes a first cup part 161, a first cup lifting mechanism 162, a second cup part 163, and a second cup lifting mechanism 164. As described above, a part of the member forming the chamber side wall portion 22 is included in the liquid receiving portion 16. The second cup portion 163 has an annular shape centered on the central axis J <b> 1 and is located on the radially outer side of the chamber side wall portion 22. The first cup portion 161 is also annular and is located on the radially outer side of the second cup portion 163. The first cup lifting mechanism 162 moves the first cup portion 161 up and down. The second cup lifting mechanism 164 moves the second cup portion 163 up and down.

第２カップ部１６３の内周部の下部は、チャンバ側壁部２２の外側に位置する環状の第２凹部１６６内に位置する。第１カップ部１６１の下部は、第２凹部１６６の外側に位置する環状の第１凹部１６５内に位置する。第１凹部１６５および第２凹部１６６を形成する部材は、チャンバ側壁部２２を形成する部材と連続する。 The lower part of the inner peripheral part of the second cup part 163 is located in an annular second recessed part 166 located outside the chamber side wall part 22. The lower portion of the first cup portion 161 is located in an annular first recess 165 located outside the second recess 166. The member forming the first recess 165 and the second recess 166 is continuous with the member forming the chamber sidewall 22.

チャンバ蓋部１２２の中央には上部ノズル１８１が固定される。上部ノズル１８１は、トッププレート１２３の中央の開口と対向する。チャンバ底部２１の中央部２１１の中央には、下部ノズル１８２が取り付けられる。第１凹部１６５の底部は、第１排出路１９１に接続される。第２凹部１６６の底部は、第２排出路１９２に接続される。内側壁部２１２とチャンバ側壁部２２との間の凹部の底部は、第３排出路１９３に接続される。なお、これら上部ノズル１８１、下部ノズル１８２の設置位置は必ずしも中央部分に限らず、例えば基板９の周縁部に対向する位置であってもよい。 An upper nozzle 181 is fixed at the center of the chamber lid 122. The upper nozzle 181 is opposed to the central opening of the top plate 123. A lower nozzle 182 is attached to the center of the center portion 211 of the chamber bottom 21. The bottom of the first recess 165 is connected to the first discharge path 191. The bottom of the second recess 166 is connected to the second discharge path 192. The bottom of the recess between the inner wall portion 212 and the chamber side wall portion 22 is connected to the third discharge path 193. Note that the installation positions of the upper nozzle 181 and the lower nozzle 182 are not necessarily limited to the central portion, and may be positions facing the peripheral edge of the substrate 9, for example.

カバー１７は、チャンバ１２の上方および側方を覆う。カバー１７の上部には、多孔部１７１が配置される。多孔部１７１に形成された多数の孔からエアが流出することにより、カバー１７内にダウンフローが発生する。これにより、液受け部１６やチャンバ底部２１から基板９へとパーティクルが上昇することが防止される。 The cover 17 covers the upper side and the side of the chamber 12. A porous portion 171 is disposed on the upper portion of the cover 17. Downflow occurs in the cover 17 as air flows out from a large number of holes formed in the porous portion 171. This prevents particles from rising from the liquid receiver 16 or the chamber bottom 21 to the substrate 9.

図２は、基板処理装置１が備える処理液供給部１８と、液回収部１９とを示すブロック図である。処理液供給部１８は、上述の上部ノズル１８１および下部ノズル１８２に加えて、第１処理液供給部１８３と、第２処理液供給部１８４と、第３処理液供給部１８５とを備える。第１処理液供給部１８３、第２処理液供給部１８４および第３処理液供給部１８５は、それぞれ弁を介して上部ノズル１８１に接続される。下部ノズル１８２は、それぞれ弁を介して第１処理液供給部１８３および第２処理液供給部１８４に接続される。上部ノズル１８１は、ガス供給部１８６にも接続される。上部ノズル１８１は中央に液吐出口を有し、その周囲にガス噴出口を有する。したがって、正確には、上部ノズル１８１の一部は基板９にガスを供給する広義のガス供給部の一部である。下部ノズル１８２は中央に液吐出口を有する。 FIG. 2 is a block diagram illustrating the processing liquid supply unit 18 and the liquid recovery unit 19 included in the substrate processing apparatus 1. The processing liquid supply unit 18 includes a first processing liquid supply unit 183, a second processing liquid supply unit 184, and a third processing liquid supply unit 185 in addition to the upper nozzle 181 and the lower nozzle 182 described above. The 1st processing liquid supply part 183, the 2nd processing liquid supply part 184, and the 3rd processing liquid supply part 185 are connected to upper nozzle 181 via a valve, respectively. The lower nozzle 182 is connected to the first processing liquid supply unit 183 and the second processing liquid supply unit 184 via valves. The upper nozzle 181 is also connected to the gas supply unit 186. The upper nozzle 181 has a liquid discharge port in the center and a gas jet port around it. Therefore, to be exact, a part of the upper nozzle 181 is a part of a broad gas supply part that supplies gas to the substrate 9. The lower nozzle 182 has a liquid discharge port in the center.

チャンバ１２には、チャンバ１２が密閉された際にチャンバ１２の内部空間１２０を加圧する加圧部１８７が接続される。加圧部１８７により内部空間１２０が大気圧よりも高い加圧雰囲気となる。なお、ガス供給部１８６が加圧部を兼ねてもよい。加圧処理が不要な場合は、加圧部１８７は省略されてよい。 A pressurizing unit 187 that pressurizes the internal space 120 of the chamber 12 when the chamber 12 is sealed is connected to the chamber 12. Due to the pressurizing unit 187, the internal space 120 becomes a pressurized atmosphere higher than atmospheric pressure. The gas supply unit 186 may also serve as the pressurizing unit. When the pressurizing process is unnecessary, the pressurizing unit 187 may be omitted.

液受け部１６の第１凹部１６５に接続される第１排出路１９１は、廃液路に接続される。第２凹部１６６に接続される第２排出路１９２は、第１回収部１９４に接続される。チャンバ底部２１に接続される第３排出路１９３は、第２回収部１９５に接続される。第１回収部１９４および第２回収部１９５は、減圧部１９６に接続される。減圧部１９６が駆動されることにより、第１回収部１９４および第２回収部１９５にて処理液が回収される。また、チャンバ１２が密閉されている場合は、減圧部１９６により内部空間１２０が減圧され、大気圧よりも低い減圧雰囲気となる。第１回収部１９４および第２回収部１９５は、廃液路にも接続され、第２排出路１９２および第３排出路１９３から廃液も可能である。 The first discharge path 191 connected to the first recess 165 of the liquid receiving part 16 is connected to the waste liquid path. The second discharge path 192 connected to the second recess 166 is connected to the first recovery unit 194. The third discharge path 193 connected to the chamber bottom 21 is connected to the second recovery unit 195. The first recovery unit 194 and the second recovery unit 195 are connected to the decompression unit 196. When the decompression unit 196 is driven, the processing liquid is recovered by the first recovery unit 194 and the second recovery unit 195. Further, when the chamber 12 is sealed, the internal space 120 is decompressed by the decompression unit 196, and a decompressed atmosphere lower than the atmospheric pressure is obtained. The first recovery part 194 and the second recovery part 195 are also connected to the waste liquid path, and waste liquid is also possible from the second discharge path 192 and the third discharge path 193.

第１処理液供給部１８３、第２処理液供給部１８４、第３処理液供給部１８５、ガス供給部１８６、加圧部１８７、第１回収部１９４、第２回収部１９５、減圧部１９６および各種弁は、制御部１０により制御される。蓋部昇降機構１３１、基板保持部１４、基板回転機構１５、第１カップ昇降機構１６２および第２カップ昇降機構１６４も制御部１０により制御される。 A first processing liquid supply unit 183, a second processing liquid supply unit 184, a third processing liquid supply unit 185, a gas supply unit 186, a pressurization unit 187, a first recovery unit 194, a second recovery unit 195, a decompression unit 196, and The various valves are controlled by the control unit 10. The lid lifting mechanism 131, the substrate holding unit 14, the substrate rotating mechanism 15, the first cup lifting mechanism 162 and the second cup lifting mechanism 164 are also controlled by the control unit 10.

本実施の形態では、第１処理液供給部１８３から供給される第１処理液は、フッ酸や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液である。第２処理液供給部１８４から供給される第２処理液は、純水（ＤＩＷ：ＤｅｉｏｎｉｚｅｄＷａｔｅｒ）である。第３処理液供給部１８５から供給される第３処理液は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。また、ガス供給部１８６は、チャンバ１２内に窒素（Ｎ_２）ガスを供給する。 In the present embodiment, the first processing liquid supplied from the first processing liquid supply unit 183 is an etching liquid such as hydrofluoric acid or a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. The second processing liquid supplied from the second processing liquid supply unit 184 is pure water (DIW: Deionized Water). The third processing liquid supplied from the third processing liquid supply unit 185 is isopropyl alcohol (IPA). The gas supply unit 186 supplies nitrogen (N ₂ ) gas into the chamber 12.

図３は液受け部１６近傍の拡大図である。チャンバ蓋部１２２の外縁部の下部には、２つの環状のリップシール２３１，２３２が設けられる。リップシール２３１は、第２カップ部１６３の上端部の上方に位置する。リップシール２３２は、チャンバ側壁部２２の上端部の上方に位置する。チャンバ蓋部１２２が下降し、第２カップ部１６３が上昇すると、リップシール２３１と第２カップ部１６３の上端部とが接する。チャンバ蓋部１２２がチャンバ側壁部２２まで下降すると、リップシール２３２とチャンバ側壁部２２の上端部とが接する。 FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the liquid receiving portion 16. Two annular lip seals 231 and 232 are provided at the lower part of the outer edge of the chamber lid 122. The lip seal 231 is located above the upper end portion of the second cup portion 163. The lip seal 232 is located above the upper end of the chamber side wall 22. When the chamber lid part 122 is lowered and the second cup part 163 is raised, the lip seal 231 and the upper end part of the second cup part 163 come into contact with each other. When the chamber lid part 122 is lowered to the chamber side wall part 22, the lip seal 232 contacts the upper end part of the chamber side wall part 22.

チャンバ１２の上部であるチャンバ蓋部１２２の外縁部の下部には、全周に亘って上方かつ径方向内方へと窪む凹部２３３が設けられる。チャンバ蓋部１２２が下降し、第１カップ部１６１が上昇すると、第１カップ部１６１の上端部と凹部２３３とが上下方向に関して接する。これらは近接するのみでもよい。第２カップ部１６３が下降すると、チャンバ側壁部２２の上部と第２カップ部１６３の上端部とが接する。 A recess 233 that is recessed upward and radially inward over the entire circumference is provided at the lower portion of the outer edge of the chamber lid 122 that is the upper portion of the chamber 12. When the chamber lid portion 122 is lowered and the first cup portion 161 is raised, the upper end portion of the first cup portion 161 and the concave portion 233 are in contact with each other in the vertical direction. These may only be close. When the second cup part 163 descends, the upper part of the chamber side wall part 22 comes into contact with the upper end part of the second cup part 163.

トッププレート１２３の外縁部の下面には、複数の第１係合部２４１が周方向に配列される。基板保持部１４の上面には、複数の第２係合部２４２が周方向に配列される。これらの係合部は３組以上設けられることが好ましく、本実施の形態では４組設けられる。第１係合部２４１の下部には上方に向かって窪む凹部が設けられる。第２係合部２４２は基板保持部１４から上方に向かって突出する。 A plurality of first engaging portions 241 are arranged in the circumferential direction on the lower surface of the outer edge portion of the top plate 123. A plurality of second engaging portions 242 are arranged on the upper surface of the substrate holding portion 14 in the circumferential direction. It is preferable that three or more sets of these engaging portions are provided, and four sets are provided in the present embodiment. A concave portion that is recessed upward is provided at the lower portion of the first engaging portion 241. The second engaging portion 242 protrudes upward from the substrate holding portion 14.

チャンバ蓋部１２２が下降すると、第１係合部２４１の凹部に第２係合部２４２が嵌る。これにより、トッププレート１２３は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向において基板保持部１４と係合する。この状態で基板回転機構１５により基板保持部１４が回転すると、トッププレート１２３も回転する。トッププレート１２３が下降する際には、第１係合部２４１と第２係合部２４２とが嵌り合うように基板保持部１４の回転位置が制御される。 When the chamber lid part 122 is lowered, the second engaging part 242 is fitted into the concave part of the first engaging part 241. Thereby, the top plate 123 engages with the substrate holding part 14 in the circumferential direction around the central axis J1. When the substrate holding mechanism 14 is rotated by the substrate rotating mechanism 15 in this state, the top plate 123 is also rotated. When the top plate 123 descends, the rotational position of the substrate holding part 14 is controlled so that the first engaging part 241 and the second engaging part 242 are fitted.

次に、制御部１０の制御による基板処理装置１における基板９の処理の流れを図４を参照しつつ説明する。図４の処理は、一例に過ぎず、基板処理装置１では、様々な処理を様々な順序で行うことができる。基板処理装置１では、まず、チャンバ蓋部１２２が図１に示すように上方に位置する状態で、基板９が搬送されて基板保持部１４により保持される（ステップＳ１１）。チャンバ蓋部１２２は下降し、図５に示すように、トッププレート１２３が基板保持部１４と係合する。チャンバ蓋部１２２とチャンバ側壁部２２とは離間しており、基板９の周囲（すなわち、径方向外側）において、チャンバ蓋部１２２とチャンバ側壁部２２との間に環状開口８１が形成される。 Next, the flow of processing of the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 under the control of the control unit 10 will be described with reference to FIG. The process of FIG. 4 is merely an example, and the substrate processing apparatus 1 can perform various processes in various orders. In the substrate processing apparatus 1, first, the substrate 9 is transported and held by the substrate holding unit 14 in a state where the chamber lid portion 122 is positioned upward as shown in FIG. 1 (step S 11). The chamber lid 122 is lowered, and the top plate 123 is engaged with the substrate holder 14 as shown in FIG. The chamber lid part 122 and the chamber side wall part 22 are separated from each other, and an annular opening 81 is formed between the chamber lid part 122 and the chamber side wall part 22 around the substrate 9 (that is, radially outside).

第２カップ部１６３は上昇し、環状開口８１の径方向外側に位置する。このように、第２カップ昇降機構１６４は、第２カップ部１６３を環状開口８１の径方向外側の位置と、当該位置よりも下方の位置との間で移動する。第２カップ部１６３の上端部はリップシール２３１に接する。これにより、チャンバ１２内の基板９周辺は密閉空間が形成されることになり、上方からパーティクルが下降したとしても、第２カップ部１６３内に進入することが防止される。なお、第１カップ部１６１の上端部もチャンバ蓋部１２２に接し、第１カップ部１６１内にパーティクルが進入することも防止される。以下、環状開口８１が形成されるチャンバ１２の状態を「半オープン状態」と呼ぶ。また、図１の状態を「オープン状態」と呼ぶ。 The second cup portion 163 rises and is located on the radially outer side of the annular opening 81. As described above, the second cup lifting mechanism 164 moves the second cup portion 163 between a position on the radially outer side of the annular opening 81 and a position below the position. The upper end portion of the second cup portion 163 is in contact with the lip seal 231. As a result, a sealed space is formed around the substrate 9 in the chamber 12, and even if particles descend from above, entry into the second cup portion 163 is prevented. Note that the upper end portion of the first cup portion 161 is also in contact with the chamber lid portion 122, and particles are prevented from entering the first cup portion 161. Hereinafter, the state of the chamber 12 in which the annular opening 81 is formed is referred to as a “semi-open state”. Further, the state of FIG. 1 is referred to as an “open state”.

次に、基板回転機構１５により、基板保持部１４および基板９の高速回転が開始される。また、図示を省略するヒータにより、基板９が加熱される。第１処理液供給部１８３（図２参照）からの第１処理液が上部ノズル１８１から基板９の上面９１の中央部に供給される。第１処理液は、基板９の回転により外周部へと拡がり、上面９１全体が第１処理液により被覆される（ステップＳ１２）。 Next, the substrate rotation mechanism 15 starts high-speed rotation of the substrate holder 14 and the substrate 9. Further, the substrate 9 is heated by a heater (not shown). The first processing liquid from the first processing liquid supply unit 183 (see FIG. 2) is supplied from the upper nozzle 181 to the central portion of the upper surface 91 of the substrate 9. The first processing liquid spreads to the outer peripheral portion by the rotation of the substrate 9, and the entire upper surface 91 is covered with the first processing liquid (step S12).

下部ノズル１８２からも基板９の下面９２の中央部に第１処理液が供給され、基板９の回転により外周部へと拡がる。基板９の上面９１および下面９２から飛散する第１処理液は、環状開口８１を介して第２カップ部１６３にて受けられ、第２回収部１９５により回収される。回収された第１処理液が再利用可能である場合は、フィルタ等を介して第１処理液から不純物等が除去された後、再利用される。トッププレート１２３の外縁部は、径方向外方に向かうに従って僅かに下方に向かうように傾斜する。トッププレート１２３の外縁部にて処理液が案内されることにより、処理液は環状開口８１を介して液受け部１６にて適切に受けられる。 The first processing liquid is also supplied from the lower nozzle 182 to the central portion of the lower surface 92 of the substrate 9, and spreads to the outer peripheral portion by the rotation of the substrate 9. The first processing liquid splashed from the upper surface 91 and the lower surface 92 of the substrate 9 is received by the second cup portion 163 through the annular opening 81 and recovered by the second recovery portion 195. When the collected first processing liquid is reusable, impurities are removed from the first processing liquid through a filter or the like and then reused. The outer edge portion of the top plate 123 is inclined so as to slightly move downward as it goes outward in the radial direction. When the processing liquid is guided at the outer edge portion of the top plate 123, the processing liquid is appropriately received by the liquid receiving portion 16 through the annular opening 81.

第１処理液によるエッチングが完了すると、第１処理液の供給が停止され、上部ノズル１８１が窒素ガスを噴出し、基板９の回転により、基板９から第１処理液が除去される。トッププレート１２３は基板保持部１４と共に回転するため、トッププレート１２３の下面に第１処理液はほとんど残存せず、トッププレート１２３から第１処理液が落下することはない。 When the etching with the first processing liquid is completed, the supply of the first processing liquid is stopped, the upper nozzle 181 ejects nitrogen gas, and the first processing liquid is removed from the substrate 9 by the rotation of the substrate 9. Since the top plate 123 rotates together with the substrate holder 14, the first processing liquid hardly remains on the lower surface of the top plate 123, and the first processing liquid does not fall from the top plate 123.

次に、チャンバ１２が半オープン状態のまま第２カップ部１６３が下降し、図６に示すように第１カップ部１６１が環状開口８１の径方向外側に位置する。すなわち、第２カップ昇降機構１６４により、第２カップ部１６３が基板９からの処理液を受ける状態と、第１カップ部１６１が基板９からの処理液を受ける状態とが切り替わる。第２カップ部１６３の上端部はチャンバ側壁部２２の上部と接し、チャンバ１２内部と第２カップ部１６３の内側の空間とは分離する。第１カップ部１６１の上端部とチャンバ蓋部１２２とは接する状態である。 Next, the second cup portion 163 descends while the chamber 12 is in a semi-open state, and the first cup portion 161 is positioned radially outside the annular opening 81 as shown in FIG. That is, the second cup lifting mechanism 164 switches between a state in which the second cup portion 163 receives the processing liquid from the substrate 9 and a state in which the first cup portion 161 receives the processing liquid from the substrate 9. The upper end portion of the second cup portion 163 is in contact with the upper portion of the chamber side wall portion 22 so that the interior of the chamber 12 and the space inside the second cup portion 163 are separated. The upper end portion of the first cup portion 161 and the chamber lid portion 122 are in contact with each other.

トッププレート１２３と基板保持部１４とが係合する状態で、トッププレート１２３の中央に位置する上部ノズル１８１が純水である第２処理液を連続的に吐出することにより、回転中の基板９の上面９１の中央部に第２処理液が供給される。第２処理液は、基板９の回転により外周部へと拡がり、基板９の外周縁から外側へと飛散する。下部ノズル１８２からは基板９の下面９２の中央部に第２処理液が供給され、基板９の回転により外周部へと拡がる。基板９から飛散する第２処理液である使用後の水は、第２カップ部１６３にて受けられ、廃棄される（ステップＳ１３）。第２処理液による基板９のリンスでは、途中で下面９２への第２処理液の供給が停止され、基板９の回転速度が減少する。これにより、トッププレート１２３と基板９との間が第２処理液で満たされる。すなわち、基板９上に純水をパドリングした状態となる。 In a state where the top plate 123 and the substrate holding portion 14 are engaged, the upper nozzle 181 located at the center of the top plate 123 continuously discharges the second processing liquid that is pure water, whereby the rotating substrate 9 is rotated. The second treatment liquid is supplied to the central portion of the upper surface 91 of the first. The second processing liquid spreads to the outer peripheral portion by the rotation of the substrate 9 and scatters from the outer peripheral edge of the substrate 9 to the outside. The second processing liquid is supplied from the lower nozzle 182 to the central portion of the lower surface 92 of the substrate 9 and spreads to the outer peripheral portion by the rotation of the substrate 9. The used water, which is the second treatment liquid scattered from the substrate 9, is received by the second cup portion 163 and discarded (step S13). In rinsing the substrate 9 with the second processing liquid, the supply of the second processing liquid to the lower surface 92 is stopped halfway, and the rotation speed of the substrate 9 decreases. Thereby, the space between the top plate 123 and the substrate 9 is filled with the second processing liquid. That is, the pure water is padded on the substrate 9.

次に、第２処理液の供給が停止され、上部ノズル１８１のみからＩＰＡである第３処理液が基板９の上面９１に供給される。トッププレート１２３と基板９との間は第３処理液により満たされ、第３処理液の供給が停止する。これにより、基板９上において純水がＩＰＡに置換される（ステップＳ１４）。その後、図７に示すように、チャンバ蓋部１２２および第１カップ部１６１が下降する。チャンバ蓋部１２２のリップシール２３２とチャンバ側壁部２２の上部とが接する。これにより、チャンバ１２は密閉された内部空間１２０を形成する。トッププレート１２３はチャンバ蓋部１２２に対して相対的に上下方向に移動可能であることから、トッププレート１２３と基板保持部１４との間の係合状態は維持される。チャンバ１２が密閉された状態では、基板９および基板保持部１４は、チャンバ１２の側壁と直接対向し、これらの間に他の液受け部は存在しない。なお、チャンバ１２の密閉は、ステップＳ１４の前に行われてもよい。なお、これらステップＳ１３，Ｓ１４において、ここではトッププレート１２３と基板９との間を処理液で満たして液密状態で処理しているが、トッププレート１２３の高さをこれよりも高くして、トッププレート１２３と基板９との間が処理液で満たされない状態で処理することもできる。 Next, the supply of the second processing liquid is stopped, and the third processing liquid that is IPA is supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 only from the upper nozzle 181. The space between the top plate 123 and the substrate 9 is filled with the third processing liquid, and the supply of the third processing liquid is stopped. Thereby, pure water is replaced with IPA on the substrate 9 (step S14). Thereafter, as shown in FIG. 7, the chamber lid part 122 and the first cup part 161 are lowered. The lip seal 232 of the chamber lid part 122 is in contact with the upper part of the chamber side wall part 22. As a result, the chamber 12 forms a sealed internal space 120. Since the top plate 123 can move in the vertical direction relative to the chamber lid portion 122, the engaged state between the top plate 123 and the substrate holding portion 14 is maintained. In a state where the chamber 12 is sealed, the substrate 9 and the substrate holder 14 are directly opposed to the side wall of the chamber 12, and there is no other liquid receiving portion therebetween. The chamber 12 may be sealed before step S14. In these steps S13 and S14, the space between the top plate 123 and the substrate 9 is filled with the processing liquid and processed in a liquid-tight state. However, the height of the top plate 123 is set higher than this, It is also possible to perform processing in a state where the space between the top plate 123 and the substrate 9 is not filled with the processing liquid.

密閉空間内にて基板９が高速回転するとともに上部ノズル１８１から窒素ガスが噴出され、第３処理液が基板９から除去される。基板９から飛散する第３処理液は、チャンバ側壁部２２にて受けられ、第２回収部１９５にて回収される。このとき、減圧部１９６によりチャンバ１２の内部空間１２０が減圧され、基板９の乾燥が促進される（ステップＳ１５）。第２回収部１９５にて回収された第３処理液を再利用する場合は、第３処理液から不純物等の除去が行われる。基板９の乾燥が完了すると、基板９の回転が停止する。 The substrate 9 rotates at high speed in the sealed space, and nitrogen gas is ejected from the upper nozzle 181 to remove the third processing liquid from the substrate 9. The third processing liquid scattered from the substrate 9 is received by the chamber side wall portion 22 and recovered by the second recovery portion 195. At this time, the internal space 120 of the chamber 12 is decompressed by the decompression unit 196, and drying of the substrate 9 is promoted (step S15). When the third treatment liquid collected by the second collection unit 195 is reused, impurities and the like are removed from the third treatment liquid. When the drying of the substrate 9 is completed, the rotation of the substrate 9 is stopped.

なお、乾燥時に基板９が加熱されてもよい。また、減圧前に加圧部１８７により内部空間１２０が加圧されてもよい。これにより、第３処理液を基板９上にパターン内に容易に進入させることができる。 The substrate 9 may be heated during drying. Further, the internal space 120 may be pressurized by the pressurizing unit 187 before decompression. Thereby, the third processing liquid can easily enter the pattern on the substrate 9.

その後、内部空間１２０が常圧に戻され、チャンバ蓋部１２２が図１に示すように上昇する。トッププレート１２３は基板保持部１４と共に回転するため、トッププレート１２３の下面に液体はほとんど残存せず、チャンバ蓋部１２２の上昇時にトッププレート１２３から液体が落下することはない。基板９は外部の搬送機構により搬出される（ステップＳ１６）。チャンバ蓋部１２２の上昇時には、トッププレート１２３の上部の下面に設けられた環状の溝部２４３に、チャンバ蓋部１２２に設けられた複数の突起２４４が嵌ることにより、チャンバ蓋部１２２に対してトッププレート１２３が調芯される。なお、調芯構造として他の構造が採用されてもよい。 Thereafter, the internal space 120 is returned to normal pressure, and the chamber lid 122 is raised as shown in FIG. Since the top plate 123 rotates together with the substrate holding part 14, almost no liquid remains on the lower surface of the top plate 123, and no liquid falls from the top plate 123 when the chamber lid part 122 is raised. The substrate 9 is unloaded by an external transfer mechanism (step S16). When the chamber lid 122 is raised, a plurality of protrusions 244 provided on the chamber lid 122 are fitted into an annular groove 243 provided on the lower surface of the top of the top plate 123, so that the top of the chamber lid 122 is The plate 123 is aligned. Other structures may be adopted as the alignment structure.

基板処理装置１の処理液供給部１８には、図８に示すように、スキャンノズル１８８が追加されてもよい。スキャンノズル１８８が利用される際には、チャンバ蓋部１２２はチャンバ本体１２１から上方に大きく離間し、トッププレート１２３が基板保持部１４から離間するオープン状態となる。したがって、トッププレート１２３は回転しない。このように、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２とチャンバ１２の他の部位との間の距離が第１の距離の場合に、周方向に関して基板保持部１４と係合し、当該距離が第１の距離よりも大きい第２の距離の場合に、トッププレート１２３と基板保持部１４とが離間する。チャンバ蓋部１２２とチャンバ本体１２１との間に、チャンバ１２外部からスキャンノズル１８８が挿入され、基板９上へと移動する。スキャンノズル１８８は、二流体ノズルであり、例えば、ＳＣ１処理後の純水洗浄を行う。スキャンノズル１８８は二流体ノズル以外のタイプのノズルであってもよい。スキャンノズル１８８が水平方向に揺動しつつ基板９の上面９１に処理液が供給される。スキャンノズル１８８は他の処理用の他の種類のノズルであってもよい。スキャンノズル１８８として二流体ノズルを用いる際には、カバー１７内に図示しない排気設備を接続して、発生する処理液ミストを充分排出できるようにすることが望ましい。 As shown in FIG. 8, a scan nozzle 188 may be added to the processing liquid supply unit 18 of the substrate processing apparatus 1. When the scan nozzle 188 is used, the chamber lid 122 is largely separated upward from the chamber body 121 and the top plate 123 is separated from the substrate holder 14. Therefore, the top plate 123 does not rotate. Thus, the top plate 123 engages with the substrate holding part 14 in the circumferential direction when the distance between the chamber lid part 122 and the other part of the chamber 12 is the first distance, and the distance is In the case of the second distance larger than the distance 1, the top plate 123 and the substrate holding part 14 are separated from each other. A scan nozzle 188 is inserted from the outside of the chamber 12 between the chamber lid 122 and the chamber body 121 and moves onto the substrate 9. The scan nozzle 188 is a two-fluid nozzle and performs, for example, pure water cleaning after the SC1 treatment. Scan nozzle 188 may be a type of nozzle other than a two-fluid nozzle. The processing liquid is supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 while the scan nozzle 188 swings in the horizontal direction. The scan nozzle 188 may be another type of nozzle for other processing. When using a two-fluid nozzle as the scan nozzle 188, it is desirable to connect exhaust equipment (not shown) in the cover 17 so that the generated processing liquid mist can be sufficiently discharged.

スキャンノズル１８８からの処理液が廃棄される場合は、第１カップ部１６１が上昇し、第２カップ部１６３が下降する。基板９の外縁部と第１カップ部１６１とが径方向に対向する。処理液を回収して再利用する場合は、第１カップ部１６１および第２カップ部１６３が上昇する。基板９の外縁部と第２カップ部１６３とが径方向に対向する。 When the processing liquid from the scan nozzle 188 is discarded, the first cup portion 161 is raised and the second cup portion 163 is lowered. The outer edge portion of the substrate 9 and the first cup portion 161 face each other in the radial direction. When the processing liquid is collected and reused, the first cup portion 161 and the second cup portion 163 are raised. The outer edge portion of the substrate 9 and the second cup portion 163 face each other in the radial direction.

以上に説明したように、基板処理装置１では、チャンバ１２を密閉した状態で行う処理（以下、「密閉処理」という。）、および、半オープン状態またはオープン状態で行う処理（以下、「オープン処理」という。）の双方を行うことができる。すなわち、従来に比べて様々な処理を１つの装置で行うことができる。特に、減圧や加圧を伴う密閉処理とオープン処理と連続して行うことができる。スキャンノズル１８８が設けられる場合は、スキャンノズル１８８を用いる処理も密閉処理と連続して行うことができる。また、液受け部１６はチャンバ１２の外部に配置されるため、処理液の回収を効率よく行えるとともに、チャンバ１２を小型化、小容積化することができ、これにより、加圧や減圧を伴う処理を容易かつ効率よくおこなうことができ、またチャンバ１２に充填されるガスの量を削減することができる。また、半オープン状態にあっても、チャンバ１２内の基板９の周囲をほぼ密閉することができるので、カバー１７内の不所望な雰囲気のチャンバ１２内への流入を阻止できる。例えば上述のステップＳ１２において、図５に示す半オープンの状態で上部ノズル１８１から窒素ガスを噴出しつつ第１処理液を基板９に供給することで、チャンバ１２内の基板９の周囲を窒素雰囲気とし、不所望な酸素や薬液雰囲気を排除し、低酸素雰囲気の状態で処理を行うことができる。このような低酸素雰囲気での処理は、例えば銅配線が形成された基板のポリマー除去処理などにおいて銅配線の酸化を防止したい場合などに有用である。 As described above, in the substrate processing apparatus 1, processing performed in a state where the chamber 12 is sealed (hereinafter referred to as “sealing processing”) and processing performed in a semi-open state or an open state (hereinafter referred to as “open processing”). ")"). That is, various processes can be performed by one apparatus as compared with the prior art. In particular, the sealing process and the open process with decompression and pressurization can be performed continuously. When the scan nozzle 188 is provided, the process using the scan nozzle 188 can be performed continuously with the sealing process. In addition, since the liquid receiving part 16 is disposed outside the chamber 12, the processing liquid can be efficiently collected, and the chamber 12 can be reduced in size and volume, which is accompanied by pressurization and decompression. Processing can be performed easily and efficiently, and the amount of gas filled in the chamber 12 can be reduced. Even in the semi-open state, the periphery of the substrate 9 in the chamber 12 can be almost sealed, so that an undesired atmosphere in the cover 17 can be prevented from flowing into the chamber 12. For example, in step S12 described above, the first treatment liquid is supplied to the substrate 9 while blowing nitrogen gas from the upper nozzle 181 in the half-open state shown in FIG. Then, it is possible to remove the undesired oxygen and chemical atmosphere and perform the treatment in a low oxygen atmosphere. Such treatment in a low oxygen atmosphere is useful, for example, when it is desired to prevent oxidation of the copper wiring in the polymer removal processing of the substrate on which the copper wiring is formed.

液受け部１６には第１カップ部１６１および第２カップ部１６３が設けられるため、複数種類の処理液を分離して回収することができる。密閉処理時の処理液とオープン処理時の処理液も分離して回収することができる。これにより、チャンバの内壁のみで複数種類の処理液を受けて多連バルブで分離回収する場合に比べて、処理液の回収効率を高めることができ、処理液のライフタイムを延ばすことができる。さらに、異種の処理液が混ざることによる、パーティクルの発生、発熱、発煙等も容易に防止することができる。 Since the liquid receiving part 16 is provided with the first cup part 161 and the second cup part 163, a plurality of types of processing liquids can be separated and collected. The treatment liquid at the time of the sealing treatment and the treatment liquid at the time of the open treatment can be separated and recovered. Thereby, compared with the case where a plurality of types of processing liquid is received only by the inner wall of the chamber and separated and recovered by the multiple valve, the recovery efficiency of the processing liquid can be increased, and the lifetime of the processing liquid can be extended. Furthermore, generation of particles, heat generation, smoke generation, and the like due to mixing of different kinds of processing liquids can be easily prevented.

チャンバ１２では密閉状態で純水が基板９に供給されてもよい。密閉状態でチャンバ１２が基板９から飛散する使用後の水やＩＰＡを受け、処理液が基板９に化学反応を与える薬液の場合に半オープン状態で処理液がカップ部に受けられることにより、チャンバ１２内の汚れが低減される。このように、チャンバ１２の内壁や各カップ部を特定の処理液の専用の液受け部とすることにより、高純度でロスの少ない処理液の回収が可能となる。 In the chamber 12, pure water may be supplied to the substrate 9 in a sealed state. When the chamber 12 receives the used water or IPA that is scattered from the substrate 9 in a sealed state, and the processing liquid is a chemical that gives a chemical reaction to the substrate 9, the processing liquid is received in the cup portion in a semi-open state. The dirt in 12 is reduced. As described above, by using the inner wall and each cup portion of the chamber 12 as a dedicated liquid receiving portion for a specific processing liquid, it is possible to recover the processing liquid with high purity and little loss.

また、全てのカップ部が昇降可能であるため、基板９の搬入時の基板９のハンドリングを容易に行うことができる。 Moreover, since all the cup parts can be moved up and down, the substrate 9 can be easily handled when the substrate 9 is loaded.

基板処理装置１では、トッププレート１２３により、簡単な構造で、チャンバ内部に付着した液体の基板への落下を防止することができる。処理時には、トッププレート１２３と基板保持部１４とが係合する状態で、トッププレート１２３が基板９に近接するため、基板９の上面９１を処理液で覆う際に必要な処理液の量を削減することができる。トッププレート１２３と基板９との間に供給するガスの量も削減することができる。 In the substrate processing apparatus 1, the top plate 123 can prevent the liquid adhering to the inside of the chamber from dropping onto the substrate with a simple structure. At the time of processing, since the top plate 123 is close to the substrate 9 in a state where the top plate 123 and the substrate holding portion 14 are engaged, the amount of processing liquid required for covering the upper surface 91 of the substrate 9 with the processing liquid is reduced. can do. The amount of gas supplied between the top plate 123 and the substrate 9 can also be reduced.

トッププレート１２３はチャンバ蓋部１２２に対して上下方向に移動可能であるため、密閉状態でも半オープン状態でもトッププレート１２３を基板保持部１４と共に回転することができる。また、半オープン状態からチャンバ蓋部１２２を少しだけ上昇させることにより、トッププレート１２３と基板保持部１４との係合を解除することができる。このようなオープン状態で上部ノズル１８１から処理液を吐出して処理を行うことも可能である。 Since the top plate 123 is movable in the vertical direction with respect to the chamber lid part 122, the top plate 123 can be rotated together with the substrate holding part 14 in a sealed state or a semi-open state. Further, by slightly raising the chamber lid portion 122 from the semi-open state, the engagement between the top plate 123 and the substrate holding portion 14 can be released. It is also possible to perform processing by discharging the processing liquid from the upper nozzle 181 in such an open state.

基板処理装置１では、ロータ部１５２が密閉可能な内部空間１２０に配置され、ステータ部１５１がチャンバ１２外に配置される。これにより、高い密閉性を有する内部空間１２０を容易に形成することができる。その結果、密閉された内部空間１２０における基板９の枚葉処理を容易に実現することができる。また、モータをチャンバ底部の下方に設ける装置に比べて、チャンバ底部２１に下部ノズル１８２等の様々な構造を容易に設けることができる。 In the substrate processing apparatus 1, the rotor unit 152 is disposed in the sealable internal space 120, and the stator unit 151 is disposed outside the chamber 12. Thereby, the internal space 120 having a high hermeticity can be easily formed. As a result, the single wafer processing of the substrate 9 in the sealed internal space 120 can be easily realized. Further, various structures such as the lower nozzle 182 can be easily provided on the chamber bottom 21 as compared with an apparatus in which a motor is provided below the chamber bottom.

基板回転機構１５では、ロータ部１５２が内部空間１２０において浮遊状態にて回転する。このため、ロータ部１５２を支持する構造を内部空間１２０に設ける必要がなく、基板処理装置１の小型化および装置構造の簡素化が実現される。ロータ部１５２と支持構造との摩擦により粉塵等が発生することがないため、内部空間１２０の清浄性を向上することができる。さらに、支持構造による摩擦抵抗がロータ部１５２に作用しないため、ロータ部１５２の高速回転を容易に実現することができる。 In the substrate rotation mechanism 15, the rotor portion 152 rotates in a floating state in the internal space 120. For this reason, it is not necessary to provide the structure which supports the rotor part 152 in the internal space 120, and size reduction of the substrate processing apparatus 1 and simplification of an apparatus structure are implement | achieved. Since dust or the like is not generated due to friction between the rotor portion 152 and the support structure, the cleanliness of the internal space 120 can be improved. Further, since the frictional resistance due to the support structure does not act on the rotor portion 152, high-speed rotation of the rotor portion 152 can be easily realized.

図９ないし図１３は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１ａの断面図である。図９は、基板９の搬出入の際の装置の状態を示す。図１０は、半オープン状態で基板９から飛散する処理液を第２カップ部１６３にて受ける状態を示す。図１１は、半オープン状態で基板９から飛散する処理液を第１カップ部１６１にて受ける状態を示す。図１２は、密閉処理が行われる状態を示す。図１３は、スキャンノズル１８８を用いて処理が行われる状態を示す。 9 to 13 are cross-sectional views of the substrate processing apparatus 1a according to the second embodiment. FIG. 9 shows the state of the apparatus when the substrate 9 is carried in and out. FIG. 10 shows a state in which the second cup portion 163 receives the processing liquid scattered from the substrate 9 in the semi-open state. FIG. 11 shows a state in which the first cup portion 161 receives the processing liquid scattered from the substrate 9 in the semi-open state. FIG. 12 shows a state where the sealing process is performed. FIG. 13 shows a state where processing is performed using the scan nozzle 188.

図９に示すように、基板処理装置１ａでは、カバー１７に仕切板１７２が設けられる。仕切板１７２は、チャンバ１２から径方向外方へと広がる。仕切板１７２から径方向内方へと連続する部位、すなわち、仕切板１７２を含む部材の内周部は、下方に突出し、チャンバ１２の一部を構成する。以下、この部位を「チャンバ固定部１２４」と呼ぶ。さらに換言すれば、仕切板１７２は、チャンバ固定部１２４から外側へと広がる。仕切板１７２は、第１カップ部１６１および第２カップ部１６３の上方に位置する。仕切板１７２により、半オープン状態においてチャンバ１２内に気流が入ることが防止される。 As shown in FIG. 9, in the substrate processing apparatus 1 a, a partition plate 172 is provided on the cover 17. The partition plate 172 extends radially outward from the chamber 12. A portion continuous radially inward from the partition plate 172, that is, an inner peripheral portion of a member including the partition plate 172 protrudes downward and constitutes a part of the chamber 12. Hereinafter, this portion is referred to as “chamber fixing portion 124”. In other words, the partition plate 172 extends outward from the chamber fixing portion 124. The partition plate 172 is located above the first cup portion 161 and the second cup portion 163. The partition plate 172 prevents airflow from entering the chamber 12 in the semi-open state.

チャンバ１２の下部を含む部位であってチャンバ固定部１２４よりも下側の部位１２５は、チャンバ昇降機構１３２により昇降する。後述するように、半オープン状態と密閉状態とはチャンバ昇降機構１３２により実現されるため、本実施の形態では、チャンバ昇降機構１３２がチャンバ開閉機構として機能する。以下、部位１２５を「チャンバ可動部」と呼ぶ。チャンバ蓋部１２２はチャンバ固定部１２４の上側に位置する。なお、第１の実施の形態と同様に、蓋部昇降機構１３１もチャンバ開閉機構として捉えられてよい。 A portion 125 including the lower portion of the chamber 12 and below the chamber fixing portion 124 is moved up and down by the chamber lifting mechanism 132. As will be described later, since the semi-open state and the sealed state are realized by the chamber lifting mechanism 132, in this embodiment, the chamber lifting mechanism 132 functions as a chamber opening / closing mechanism. Hereinafter, the part 125 is referred to as a “chamber movable part”. The chamber lid part 122 is located above the chamber fixing part 124. As in the first embodiment, the lid lifting mechanism 131 may be regarded as a chamber opening / closing mechanism.

第１カップ部１６１は上端部が仕切板１７２に近接する状態で位置が固定される。第２カップ部１６３は第２カップ昇降機構１６４により昇降する。基板回転機構１５ａは、軸回転型のモータであり、基板保持部１４は板状である。基板回転機構１５ａの回転軸は、基板保持部１４の中央に接続される。下部ノズル１８２は、基板回転機構１５ａの上端に設けられる。他の構成は、第１の実施の形態とほぼ同様である。処理動作の例も第１の実施の形態と同様である。 The position of the first cup portion 161 is fixed in a state where the upper end portion is close to the partition plate 172. The second cup portion 163 is moved up and down by the second cup lifting mechanism 164. The substrate rotation mechanism 15a is a shaft rotation type motor, and the substrate holding part 14 is plate-shaped. The rotation axis of the substrate rotation mechanism 15 a is connected to the center of the substrate holding unit 14. The lower nozzle 182 is provided at the upper end of the substrate rotation mechanism 15a. Other configurations are substantially the same as those of the first embodiment. An example of the processing operation is the same as in the first embodiment.

チャンバ蓋部１２２の外縁部には、環状のリップシール２３４が設けられる。図１０に示すように、半オープン状態では、チャンバ蓋部１２２のリップシール２３４は仕切板１７２に接する。一方、チャンバ可動部１２５は仕切板１７２から離間する。これにより、チャンバ可動部１２５と仕切板１７２との間に環状開口８１が形成される。環状開口８１は、基板９の周囲に位置する。図１０では、第２カップ部１６３が環状開口８１の径方向外側に位置する。回転する基板９から飛散する処理液は、第１の実施の形態と同様に、第２カップ部１６３を介して第１回収部１９４（図２参照）にて回収される。 An annular lip seal 234 is provided on the outer edge of the chamber lid 122. As shown in FIG. 10, in the semi-open state, the lip seal 234 of the chamber lid 122 is in contact with the partition plate 172. On the other hand, the chamber movable part 125 is separated from the partition plate 172. Thereby, an annular opening 81 is formed between the chamber movable portion 125 and the partition plate 172. The annular opening 81 is located around the substrate 9. In FIG. 10, the second cup portion 163 is located on the radially outer side of the annular opening 81. The processing liquid splashed from the rotating substrate 9 is recovered by the first recovery part 194 (see FIG. 2) via the second cup part 163, as in the first embodiment.

図１１では、チャンバ１２は半オープンの状態であり、図１０に示す状態から第２カップ部１６３が下降することにより、第１カップ部１６１が環状開口８１の径方向外側に位置する。このように、第１の実施の形態と同様に、第２カップ昇降機構１６４は、第２カップ部１６３を、環状開口８１の径方向外側の位置と、当該位置よりも下方の位置との間で移動する。これにより、第２カップ部１６３が基板９からの処理液を受ける状態と、第１カップ部１６１が基板９からの処理液を受ける状態とが切り替わる。基板９から飛散する処理液は、第１カップ部１６１にて受けられ、廃棄される。 In FIG. 11, the chamber 12 is in a semi-open state, and the first cup 161 is positioned on the radially outer side of the annular opening 81 as the second cup 163 descends from the state shown in FIG. 10. As described above, as in the first embodiment, the second cup lifting mechanism 164 has the second cup portion 163 between the position radially outside the annular opening 81 and the position below the position. Move with. As a result, the state in which the second cup portion 163 receives the processing liquid from the substrate 9 and the state in which the first cup portion 161 receives the processing liquid from the substrate 9 are switched. The processing liquid splashed from the substrate 9 is received by the first cup portion 161 and discarded.

図１２では、チャンバ可動部１２５が上昇して仕切板１７２と接する。これにより、チャンバ１２内に密閉された内部空間１２０が形成される。基板９から飛散する処理液は、チャンバ可動部１２５の外周部であるチャンバ側壁部２２ａにて受けられ、第２回収部１９５にて回収される。 In FIG. 12, the chamber movable part 125 rises and comes into contact with the partition plate 172. As a result, a sealed internal space 120 is formed in the chamber 12. The processing liquid splashed from the substrate 9 is received by the chamber side wall portion 22 a that is the outer peripheral portion of the chamber movable portion 125, and is recovered by the second recovery portion 195.

図１３に示すように、スキャンノズル１８８が使用される場合は、チャンバ蓋部１２２が仕切板１７２から離間し、チャンバ蓋部１２２と仕切板１７２との間にスキャンノズル１８８が挿入される。チャンバ可動部１２５も仕切板１７２から離間し、環状開口８１が形成される。回転する基板９から飛散する処理液は、環状開口８１の径方向外側に位置するカップ部にて受けられる。図１３の場合、環状開口８１の径方向外側に、第１カップ部１６１が位置する。もちろん、環状開口８１の径方向外側に第２カップ部１６３が位置してもよい。 As shown in FIG. 13, when the scan nozzle 188 is used, the chamber lid 122 is separated from the partition plate 172, and the scan nozzle 188 is inserted between the chamber lid 122 and the partition plate 172. The chamber movable portion 125 is also separated from the partition plate 172 and an annular opening 81 is formed. The processing liquid that scatters from the rotating substrate 9 is received by a cup portion that is located radially outside the annular opening 81. In the case of FIG. 13, the first cup portion 161 is located outside the annular opening 81 in the radial direction. Of course, the second cup portion 163 may be located on the radially outer side of the annular opening 81.

第１の実施の形態と同様に、半オープン状態および密閉状態では、トッププレート１２３は基板保持部１４と周方向に係合し、基板保持部１４と共に回転する。これにより、処理液および処理ガスの使用量が削減される。図１３の場合、トッププレート１２３は回転しない。 Similar to the first embodiment, in the semi-open state and the sealed state, the top plate 123 engages with the substrate holding unit 14 in the circumferential direction and rotates together with the substrate holding unit 14. Thereby, the usage-amount of a process liquid and process gas is reduced. In the case of FIG. 13, the top plate 123 does not rotate.

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible.

基板処理装置１では、他の様々な処理が行われてよい。例えば、ＳＰＭ（硫酸・過酸化水素水混合液）による処理が行われてもよい。オープン状態、半オープン状態、密閉状態にて行われる処理の順序や処理内容も様々に変更可能である。 In the substrate processing apparatus 1, various other processes may be performed. For example, treatment with SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture) may be performed. The order and contents of processing performed in the open state, semi-open state, and sealed state can be variously changed.

液受け部１６のカップ部にて受けた処理液は、全て廃液されてもよい。逆に、全て回収されてもよい。チャンバ１２にて受けた処理液も、廃液されても回収されてもよい。カップ部の数は１でも３以上でもよい。複数のカップ部が同時に昇降してもよい。処理液の多少の混合により問題が生じない場合は、各カップ部が複数種類の処理液を受けてもよい。この場合、カップ部からの排液路に多連バルブが設けられてもよい。 All of the processing liquid received in the cup part of the liquid receiving part 16 may be drained. Conversely, all may be recovered. The processing liquid received in the chamber 12 may be discarded or recovered. The number of cup parts may be 1 or 3 or more. A plurality of cup parts may be raised and lowered simultaneously. When no problem occurs due to some mixing of the processing liquid, each cup portion may receive a plurality of types of processing liquid. In this case, a multiple valve may be provided in the drainage path from the cup portion.

上部ノズル１８１や下部ノズル１８２の形状は、突出する形状には限定されない。処理液を吐出する吐出口を有する部位であれば全て本実施の形態のノズルの概念に含まれる。 The shapes of the upper nozzle 181 and the lower nozzle 182 are not limited to protruding shapes. Any part having a discharge port for discharging the processing liquid is included in the concept of the nozzle of the present embodiment.

チャンバ開閉機構は、チャンバ１２を様々な態様にて開閉する機構であってよく、チャンバ１２の上部または下部を含むチャンバ可動部を他の部位に対して相対的に昇降する機構であればよい。チャンバ可動部の移動により、基板９の周囲に環状開口８１が形成される。 The chamber opening / closing mechanism may be a mechanism that opens / closes the chamber 12 in various modes, and may be any mechanism that raises / lowers the chamber movable portion including the upper portion or the lower portion of the chamber 12 relative to other portions. An annular opening 81 is formed around the substrate 9 by the movement of the chamber movable portion.

トッププレート１２３と基板保持部１４との周方向における係合は、他の構造が採用されてもよい。例えば、トッププレート１２３から下方に突出する突起と、基板保持部１４から上方に突出する突起とが周方向に接するのみでもよい。 Other structures may be employed for the engagement of the top plate 123 and the substrate holding portion 14 in the circumferential direction. For example, the protrusion that protrudes downward from the top plate 123 and the protrusion that protrudes upward from the substrate holding portion 14 may only contact each other in the circumferential direction.

図１に示す基板回転機構１５の構造は、様々に変更されてよい。ロータ部１５２は、必ずしも浮遊状態にて回転する必要はなく、チャンバ１２の内部空間１２０にロータ部１５２を機械的に支持するガイド等の構造が設けられ、当該ガイドに沿ってロータ部１５２が回転してもよい。 The structure of the substrate rotation mechanism 15 shown in FIG. 1 may be variously changed. The rotor unit 152 is not necessarily rotated in a floating state, and a structure such as a guide for mechanically supporting the rotor unit 152 is provided in the internal space 120 of the chamber 12, and the rotor unit 152 rotates along the guide. May be.

液受け部１６が省かれ、密閉処理のみが行われる装置にチャンバ蓋部１２２およびトッププレート１２３の構造が採用されてもよい。 The structure of the chamber lid 122 and the top plate 123 may be adopted in an apparatus in which the liquid receiver 16 is omitted and only the sealing process is performed.

基板処理装置１にて処理される基板は半導体基板には限定されず、ガラス基板や他の基板であってもよい。 The substrate processed by the substrate processing apparatus 1 is not limited to a semiconductor substrate, and may be a glass substrate or another substrate.

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。 The configurations in the above-described embodiments and modifications may be combined as appropriate as long as they do not contradict each other.

１，１ａ基板処理装置
９基板
１２チャンバ
１４基板保持部
１５，１５ａ基板回転機構
１８処理液供給部
８１環状開口
１２０内部空間
１２１チャンバ本体
１２２チャンバ蓋部
１２３トッププレート
１３１蓋部昇降機構
１６１第１カップ部
１６３第２カップ部
１６４第２カップ昇降機構
１８１上部ノズル
１８６ガス供給部
Ｊ１中心軸 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1a Substrate processing apparatus 9 Substrate 12 Chamber 14 Substrate holding part 15, 15a Substrate rotation mechanism 18 Processing liquid supply part 81 Annular opening 120 Internal space 121 Chamber body 122 Chamber lid part 123 Top plate 131 Lid raising / lowering mechanism 161 First cup Part 163 Second cup part 164 Second cup lifting mechanism 181 Upper nozzle 186 Gas supply part J1 Central axis

Claims

A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A chamber forming a sealed interior space;
A chamber opening / closing mechanism that raises and lowers the chamber lid including the upper portion of the chamber relative to other parts;
A substrate holding part disposed in the chamber and holding the substrate in a horizontal state;
A substrate rotation mechanism that rotates the substrate together with the substrate holding portion about a central axis that faces the vertical direction;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid onto the substrate;
The plate is perpendicular to the central axis, is attached to the chamber lid so as to be rotatable around the central axis, and the chamber forms the sealed internal space, with the central axis as the center A top plate that engages with the substrate holder in a circumferential direction;
Equipped with a,
The processing liquid supply unit discharges the processing liquid from the center of the top plate in a state where the top plate and the substrate holding unit are engaged with each other, thereby causing the processing liquid to flow between the top plate and the substrate. A substrate processing apparatus comprising a nozzle for supply .

The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
A substrate processing apparatus, further comprising: a gas supply unit configured to supply a gas between the top plate and the substrate in a state where the top plate and the substrate holding unit are engaged with each other.

The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
A cup part located around the chamber;
In a state where an annular opening is formed around the substrate by the relative movement of the chamber lid with respect to the other part , the cup portion is located radially outside the annular opening and scatters from the rotating substrate. A substrate processing apparatus receiving a processing liquid.

A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A chamber forming a sealed interior space;
A chamber opening / closing mechanism that raises and lowers the chamber lid including the upper portion of the chamber relative to other parts;
A substrate holding part disposed in the chamber and holding the substrate in a horizontal state;
A substrate rotation mechanism that rotates the substrate together with the substrate holding portion about a central axis that faces the vertical direction;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid onto the substrate;
The plate is perpendicular to the central axis, is attached to the chamber lid so as to be rotatable around the central axis, and the chamber forms the sealed internal space, with the central axis as the center A top plate that engages with the substrate holder in a circumferential direction;
A cup located around the chamber;
Equipped with a,
In a state where an annular opening is formed around the substrate by the relative movement of the chamber lid with respect to the other part, the cup portion is located radially outside the annular opening and scatters from the rotating substrate. A substrate processing apparatus receiving a processing liquid .

The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein
The top plate is attached to the chamber lid in a state where the distance between the top plate and the chamber lid is changeable,
When the distance between the chamber lid part and the other part of the chamber is a first distance, the top plate engages with the substrate holding part in the circumferential direction,
The top plate and the substrate holding part are separated when a distance between the chamber lid part and the other part of the chamber is a second distance larger than the first distance. Substrate processing apparatus.

A substrate processing apparatus according to any one of claims 3 to 5 ,
And a cup raising / lowering mechanism for moving the cup part between a position radially outside the annular opening and another position below the position by raising and lowering the cup part, Substrate processing apparatus.

The substrate processing apparatus according to claim 6,
Further comprising another cup portion located radially outside the chamber;
The cup part is moved up and down by the cup lifting mechanism, so that the state in which the cup part receives the processing liquid from the substrate and the state in which the other cup part receives the processing liquid from the substrate are switched. A substrate processing apparatus.

A substrate processing apparatus according to any one of claims 3 to 7,
An apparatus for processing a substrate, wherein the upper part of the cup part and the upper part of the chamber are close to or in contact with each other in a state in which the cup part receives a processing liquid scattered from the substrate.

A substrate processing apparatus according to any one of claims 3 to 8,
The processing liquid supply unit supplies pure water and chemicals to the substrate,
With the inside of the chamber sealed, the chamber receives IPA or water splashing from the substrate,
The substrate processing apparatus, wherein the cup portion receives a chemical solution scattered from the substrate in a state where the annular opening is formed.