JP5977197B2 - 温度制御回路、恒温槽型圧電発振器、および温度制御方法 - Google Patents
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Description
水晶発振器に用いられている水晶振動子(圧電振動子)は温度特性を有し、温度に対して出力周波数が変化してしまうため、その温度特性をキャンセルするような制御を行う必要がある。
また、温度補償型水晶発振器においては、半導体集積回路を用いることで水晶振動子以外の外付け部品は必要なく、出力周波数は半導体集積回路内の調整回路により簡単に調整可能となっている。
前記温度検出回路を複数有し、前記温度検出回路は、前記パッケージ内の前記発熱回路の近傍と前記パッケージ内の前記発熱回路から離れた位置とに配置されるものであってよい。
本発明の他の態様は、上記態様のうちのいずれかに記載の温度制御回路(例えば図1に示す、半導体集積回路IC)と、感温素子(例えば図1に示す、振動子SS)と、を含むことを特徴とする恒温槽型圧電発振器、である。
図1は、本発明を適用した恒温槽型圧電発振器1の一例を示すブロック図である。
図1における恒温槽型圧電発振器1は、同一パッケージPKG内に、半導体集積回路ICと、温度に対して周波数が変動する振動子SSと、を備える。半導体集積回路ICには発熱回路Hと、少なくとも1個以上の温度検出回路TSと、発熱回路Hの発熱量を制御する制御回路CCと、振動子SSを発振させるための発振回路OSCと、発振回路OSCからの信号を受けて所望の波形および振幅レベルを出力する発振信号出力回路FOと、を備える。なお、発振回路OSCは、内部および外部信号によって、当該発振回路OSCの発振器等価容量CLを変えることで出力周波数を調整する機能を有していてもよい。
図2は、図1中の制御回路CCの一例を示すブロック図である。
制御回路CCは、図2に示すように、同一パッケージPKG内の半導体集積回路ICと振動子SSとの配置位置間の距離における熱伝導特性を反映して制御信号を調整する調整回路ACと、調整回路ACの出力に基づいて発熱回路Hへの制御信号を出力する制御信号出力回路CCOと、を備える。
図3に示すように、調整回路ACは、半導体集積回路ICの発熱回路Hにおける消費電力を検出する消費電力検出回路PDCと、消費電力検出回路PDCの出力に基づいて、制御信号出力回路CCOへの調整信号を出力する調整信号出力回路ACOと、を備える。
つまり、図3に示す調整回路ACは、消費電力検出回路PDCを備え、消費電力検出回路PDCの出力信号に基づいて調整信号を生成するようにしているが、図4に示す調整回路ACは、消費電力検出回路PDCに代えて温度差分検出回路TDIFを設け、温度差分検出回路TDIFの出力に基づいて、制御信号出力回路CCOへの調整信号を生成するものである。
図5(a)に示すように、半導体集積回路ICとパッケージPKGの外部との間には熱抵抗θjaがある。また、半導体集積回路ICと振動子SSとの間には熱抵抗θjxがあり、振動子SSとパッケージPKGの外部との間には熱抵抗θxaが存在する。
なお、熱抵抗θja、θjx、θxaは、パッケージの構造やパッケージ内部の半導体集積回路ICおよび振動子SSの配置より熱伝導率を基に計算から取得してもよい。また、発熱回路Hでの発熱量として2つ以上の発熱量を条件設定し、条件設定した発熱量それぞれについて、発熱回路Hでの発熱量が条件設定した発熱量であるときの、半導体集積回路ICのIC温度Tj(温度検出回路TSで検出)と振動子SSの温度Tx(振動子SSの温度特性より算出(例えばATカットされた水晶振動子は3次の温度特性を有し、その発振周波数より温度を算出することは可能))をそれぞれ取得し、取得した各種情報を用いて図5(b)の熱回路図に基づいて計算から取得してもよい。
図6において、発熱回路Hは、電源VDDおよびVSS接地間に、直列に接続されたPMOS素子(P型MOSFET)HPおよび抵抗素子HRを含んで構成される。
また、調整回路ACは、PMOS素子(P型MOSFET)PDCPによって発熱回路Hでの消費電流をカレントミラーによって検出することで消費電力PW相当の情報を得ることが可能な消費電力検出回路PDCと、電源電圧と熱抵抗θja、θjx、θxaとの関係を可変抵抗素子RACで調整することで温度差のオフセット量を補正する調整信号出力回路ACOと、を備える。調整信号出力回路ACOは、具体的には、可変抵抗素子RACを、電源電圧とPMOS素子HPおよびPMOS素子PDCPのカレントミラー比と熱抵抗の関係(θja×θjx)/(θja+θjx+θxa)の積に基づいて調整することにより、オフセット量を補正する。また前記可変抵抗素子RACの調整は半導体集積回路ICの記憶回路によって、モジュールに組立てた後でも、基盤に実装した後でも調整可能である。
この調整回路ACから出力される調整信号と温度検出回路TSの温度データとが等しくなるように、制御回路CCにて発熱回路Hを制御することで、振動子SSの温度を設定温度で一定に保つことが可能となる。つまり、図6に示すように、制御信号出力回路CCOに含まれるオペアンプOPCの「+入力」にオペアンプOPAの出力信号を入力し、オペアンプOPCの「−入力」にn個の温度検出回路TSの検出信号を入力し、オペアンプOPCの出力信号を、消費電力検出回路PDCのPMOS素子PDCPおよび発振回路HのPMOS素子HPのゲートに入力する。
ここで、図6では、図3に示す消費電力検出回路PDCを含む調整回路ACにより、発熱回路Hを制御するようにした半導体集積回路ICの一例を示したが、図6に示す構成に限らず、以下のような別の構成も適用することができる。
またオペアンプOPCの極性を変え、図6において電源VDDとVSSとを上下入れ換え、PMOS素子HPの代わりにNMOS素子やNPN素子を用いてもよい。
また、発熱回路Hにおいて、PMOS素子HPにより十分に発熱が可能であるならば抵抗素子HRを設けなくてもよい。
以上は、消費電力検出回路PDCを備えた調整回路ACを用いて、発熱回路Hを制御する場合の説明である。
次に、図4に示す、温度差分検出回路TDIFを備えた調整回路ACを用いて、発熱回路Hを制御する場合について説明する。
図7(a)に示すように、半導体集積回路ICとパッケージPKGの外部との間には、熱抵抗θja1およびθja2があり、発熱回路H(温度検出回路TS1)と温度検出回路TS2との間には熱抵抗θicがあり、半導体集積回路ICと振動子SSとの間には熱抵抗θjxがあり、振動子SSとパッケージPKGの外部と間には熱抵抗θxaが存在する。
図7(b)より、温度検出回路TS1、TS2により検出されるIC温度Tj1、Tj2と振動子温度Txと環境温度Taとの間には、熱抵抗θja1、θja2、θic、θjx、θxaおよび消費電力PWを用いて、次式(4)〜(6)に示す関係式が成り立つ。
なお、熱抵抗θja1、θja2、θic、θjx、θxaは、パッケージの構造やパッケージ内部の半導体集積回路ICおよび振動子SSの配置より熱伝導率を基に計算から取得してもよい。また、発熱回路Hでの発熱量として2つ以上の発熱量を条件設定し、条件設定した発熱量それぞれについて、発熱回路Hでの発熱量が条件設定した発熱量であるときの、半導体集積回路ICの発熱回路H近傍のIC温度Tj1(温度検出回路TS1で検出)および発熱回路Hから離れた箇所の温度Tj2(温度検出回路TS2で検出)と振動子SSの温度Tx(振動子SSの温度特性より算出(例えばATカットされた水晶振動子は3次の温度特性を有し、その発振周波数より温度を算出することは可能))をそれぞれ取得し、取得した各種情報を用いて図7(b)の熱回路図に基づいた計算から取得してもよい。
図8は、パッケージPKG、振動子SS、および半導体集積回路ICを備え、温度差分検出回路TDIFを備えた調整回路ACを用いて、発熱回路Hを制御するようにしたモジュールにおいて、温度検出回路TSを2個以上備えるモジュール内における熱抵抗を用いた熱的な結合を示したものであって、図8(a)はモデル図、図8(b)は熱回路図である。
図8(b)よりIC温度Tj11〜Tj1m、Tj21〜Tj2nと振動子温度Txと環境温度Taの間には、熱抵抗θja1、θja21〜θja2n、θic21〜θic2n、θjx、θxaを用いて以下のような関係式(8)〜(10)が成り立つ。すなわち、基本的には前記(5)式および(6)式のような関係式が成り立つ。
そして、算出した環境温度Taを用いて(8)式から、半導体集積回路ICと振動子SSとの間の温度差を算出して、この温度差を半導体集積回路IC内で補正するように半導体集積回路ICの温度Tj1を制御することで、振動子SSの温度Txを一定に保つことが可能となる。
図9において、発熱回路HはPMOS素子HPと抵抗素子HRとを含んで構成される。
また調整回路ACは、発熱回路Hの近傍に配置された少なくともm=1以上の温度検出回路TS1と、発熱回路Hから離れた箇所に配置される少なくともn=1以上の温度検出回路TS2と、の温度差を検出する温度差分検出回路TDIFを備え、さらに熱抵抗θjx、θxaの関係を可変抵抗素子Rjx、Rxaで調整する調整信号出力回路ACOを備える。
調整信号出力回路ACOは、オペアンプOPAを備え、オペアンプOPAの「+入力(正転入力側)」に振動子SSの設定温度相当のTx設定信号TxCTRLを入力し、「−入力(反転入力側)」に温度差分検出回路TDIFの出力信号を入力することで、振動子SSを加熱するために必要な半導体集積回路ICの発熱量相当の信号が調整回路ACから出力される。なお、オペアンプOPAの「−入力(反転入力側)」には、可変抵抗Rxaを介して温度差分検出回路TDIFの出力信号が入力される。また、オペアンプOPSの「−入力(反転入力側)」と出力端との間には、可変抵抗Rjxが入力される。
図9に示す、温度差分検出回路TDIFを備えた調整回路ACを有する半導体集積回路ICにおいて、以下のような別の構成も考えることができる。
またオペアンプOPCの極性を変え、電源VDDとVSSを上下入れ換え、PMOS素子HPの代わりにNMOS素子やNPN素子を用いてもよい。
またPMOS素子HPにより十分に発熱が可能であるならば抵抗HRを設けなくてもよい。
図10は、図3に示す、消費電力検出回路PDCを用いて発熱回路Hの温度制御を行う場合の、温度制御調整シーケンスの一例を示すフローチャート図である。
図10を参照しながら、消費電力検出回路PDCを用いて温度制御を行う際の手順について説明する。
またIC設定温度よりIC温度が高い場合には、ステップS105からステップS108をへてステップS109に移行し、発熱回路Hでの消費電力を減少させる。これによって、発熱回路Hの発熱量が減少し(ステップS110)、その結果、振動子SSの温度が低下して一定温度に近づく。一方、IC設定温度よりIC温度が低くもなく、高くもない場合には、ステップS105からステップS108を経てステップS102に戻る。つまり、発熱回路Hの発熱量の調整は行わない。
図11は、図3に示す、温度差分検出回路TDIFを用いて発熱回路Hの温度制御を行う場合の、温度制御調整シーケンスの一例を示すフローチャート図である。図11を参照しながら、温度差分検出回路TDIFを用いて温度制御を行う際の手順について説明する。
この熱伝導特性は、例えば、パッケージの構造やパッケージ内部の半導体集積回路ICおよび振動子SSの配置より熱伝導率を基に計算から取得しても良い。また、発熱回路Hでの発熱量として、2つ以上の発熱量を条件設定し、条件設定した発熱量それぞれについて、発熱回路Hでの発熱量が条件設定した発熱量であるときの、半導体集積回路ICの発熱回路H近傍のIC温度Tj11〜Tj1m(温度検出回路TS11〜TS1mで検出)および発熱回路Hから離れた箇所の温度Tj21〜Tj2n(温度検出回路TS21〜TS2nで検出)と振動子SSの温度Tx(振動子SSの温度特性より算出(例えばATカットされた水晶振動子は3次の温度特性を有し、その発振周波数より温度を算出することは可能))をそれぞれ取得し、取得した各種情報を用いて図8(b)の熱回路図に基づいた計算から取得する。
温度制御のシーケンスとしてはまず、半導体集積回路IC内の少なくとも2箇所以上の温度検出回路TSの温度を検出する(ステップS202)。温度検出回路TSの温度の検出結果すなわち、半導体集積回路IC内部の温度から環境温度Taを算出する(ステップS203)。環境温度Taから半導体集積回路ICと振動子SSとの間の温度差を算出し(ステップS204)、算出した温度差から振動子SSの温度を一定に保つための半導体集積回路ICのIC設定温度を算出する(ステップS205)。
また、IC温度がIC設定温度よりも高い場合には、ステップS206からステップS209を経てステップS210に移行し、発熱回路Hの消費電力を減少させる。これによって、発熱回路Hの発熱量が減少し(ステップS211)、振動子SSの温度が低下して一定温度に近づく。
また、振動子SSは、発熱回路Hの発熱量を制御回路CCによって調整することで、振動子SSの温度に対する出力周波数の変化が最小となる温度(例えばATカットやSCカットされた水晶振動子におけるゼロ温度係数(ZTC:Zero Temperature Coefficient)点となる温度)に調整される。
図12に示す発振回路OSCは、例えば、振動子SSと並列に、抵抗Rfbと反転信号を出力する増幅器Aとが接続されてなり、さらに、並列に接続された振動子SS、抵抗Rfb、増幅器Aの両端のそれぞれと接地との間に、可変容量C1およびC2が接続されてなる。
また、感温素子は、振動子に限らず、発振子、および圧電素子であってもよい。
IC 半導体集積回路
OSC 発振回路
FO 発振信号出力回路
H 発熱回路
TS、TS1、TS2、TS11〜TS1m、TS21〜TS2n 温度検出回路
CC 制御回路
CCO 制御信号出力回路
AC 調整回路
ACO 調整信号出力回路
PDC 消費電力検出回路
TDIF 温度差分検出回路
θjx 半導体集積回路−振動子間の熱抵抗
θxa 振動子−パッケージ間の熱抵抗
θja、θja1、θja2、θja21〜θja2n 半導体集積回路−パッケージ間の熱抵抗
θic、θic21〜θic2n 発熱回路−温度検出回路TS2間の熱抵抗
Ta 環境温度
Tx 振動子温度
Tj、Tj1、Tj11〜Tj1m 発熱回路近傍の温度
Tj2、Tj21〜Tj2n 発熱回路から離れた箇所の温度
OPC、OPA、OPTDIF オペアンプ
HP 発熱用P型MOSFET
HR 発熱用抵抗
TxCTRL 振動子温度設定
RAC、Ric、Rja2、Rxa、Rjx、Rfb 抵抗
C1、C2 容量
A 増幅器
Claims (8)
- 温度変化により特性が変動する感温素子がパッケージ内に実装されたモジュールの温度制御回路であって、
前記パッケージ内に実装された発熱回路と、
前記パッケージ内温度を検出するn個(n≧1 nは整数)の温度検出回路と、
前記温度検出回路の1つ以上の出力および前記パッケージ内の熱伝導特性に基づき前記発熱回路の発熱量を制御して前記感温素子の温度を調整する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、前記発熱回路の消費電力を検出する消費電力検出回路を有し、前記消費電力と前記熱伝導特性とに基づき前記発熱量を制御することを特徴とする温度制御回路。 - 温度変化により特性が変動する感温素子がパッケージ内に実装されたモジュールの温度制御回路であって、
前記パッケージ内に実装された発熱回路と、
前記パッケージ内温度を検出するn個(n≧1 nは整数)の温度検出回路と、
前記温度検出回路の1つ以上の出力および前記パッケージ内の熱伝導特性に基づき前記発熱回路の発熱量を制御して前記感温素子の温度を調整する制御回路と、
を備え、
前記温度検出回路を複数有し、
前記制御回路は、前記温度検出回路の複数の検出信号の差分値を検出する温度差分検出回路を備え、前記差分値と前記熱伝導特性とに基づき前記発熱量を制御することを特徴とする温度制御回路。 - 少なくとも1つの前記温度検出回路は、前記パッケージ内の前記発熱回路の近傍に配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の温度制御回路。
- 前記温度検出回路を複数有し、
前記温度検出回路は、前記パッケージ内の前記発熱回路の近傍と前記パッケージ内の前記発熱回路から離れた位置とに配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の温度制御回路。 - 前記感温素子は振動子、発振子、および圧電素子のいずれかであって、
前記感温素子を発振させる発振回路と、
前記発振回路の発振周波数を出力する発振信号出力回路と、を備えることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の温度制御回路。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の温度制御回路と、感温素子と、を含むことを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
- 温度変化により特性が変動する感温素子と発熱回路と温度検出回路とがパッケージ内に
実装されたモジュールにおいて、前記感温素子の温度を調整する温度制御方法であって、
前記パッケージ内の熱伝導特性を取得するステップと、
前記発熱回路の消費電力を検出するステップと、
検出した消費電力と前記熱伝導特性とに基づき、前記温度検出回路の温度検出値に基づくパッケージ内温度と前記感温素子周囲の温度との温度差を算出するステップと、
算出した前記温度差に基づき、前記感温素子の温度を調整するための、前記パッケージ内温度の目標温度を算出するステップと、
前記パッケージ内温度が前記目標温度よりも低い場合には前記発熱回路での消費電力を増加させ、
前記パッケージ内温度が前記目標温度よりも高い場合には前記発熱回路での消費電力を減少させるステップと、
を備えることを特徴とする温度制御方法。 - 温度変化により特性が変動する感温素子と発熱回路と複数の温度検出回路とがパッケージ内に実装されたモジュールにおいて、前記感温素子の温度を調整する温度制御方法であって、
前記パッケージ内の熱伝導特性を取得するステップと、
前記複数の温度検出回路による温度検出値と前記熱伝導特性とに基づき、前記パッケージ周囲の環境温度を算出するステップと、
前記環境温度からパッケージ内温度と前記感温素子周囲の温度差を算出するステップと、
算出した前記温度差に基づき、前記感温素子の温度を調整するための、前記パッケージ内温度の目標温度を算出するステップと、
前記パッケージ内温度が前記目標温度よりも低い場合には前記発熱回路での消費電力を増加させ、
前記パッケージ内温度が前記目標温度よりも高い場合には前記発熱回路での消費電力を減少させるステップと、
を備えることを特徴とする温度制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013109918A JP5977197B2 (ja) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 温度制御回路、恒温槽型圧電発振器、および温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013109918A JP5977197B2 (ja) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 温度制御回路、恒温槽型圧電発振器、および温度制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014230201A JP2014230201A (ja) | 2014-12-08 |
JP5977197B2 true JP5977197B2 (ja) | 2016-08-24 |
Family
ID=52129648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013109918A Active JP5977197B2 (ja) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 温度制御回路、恒温槽型圧電発振器、および温度制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5977197B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11356057B2 (en) | 2019-10-17 | 2022-06-07 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Temperature control circuit, oscillation control circuit, and temperature control method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117148124B (zh) * | 2023-11-01 | 2024-02-20 | 杭州高坤电子科技有限公司 | 一种集成电路热阻测试方法、系统及存储介质 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06350339A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Nec Corp | デジタル温度補償型圧電発振器 |
US6127661A (en) * | 1999-04-07 | 2000-10-03 | Cts Corporation | Dynamic thermal control for ovenized oscillators |
JP5640418B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 温度制御回路及び恒温型圧電発振器 |
US9257993B2 (en) * | 2010-10-11 | 2016-02-09 | Imec | Control of multi-temperature micro-oven for MEMS devices |
US20120305542A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Imec | Oven Controlled MEMS Oscillator Device |
-
2013
- 2013-05-24 JP JP2013109918A patent/JP5977197B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11356057B2 (en) | 2019-10-17 | 2022-06-07 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Temperature control circuit, oscillation control circuit, and temperature control method |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014230201A (ja) | 2014-12-08 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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