JP5923442B2 - 再生リング共振器 - Google Patents

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Description

〔関連出願への相互参照〕
本出願は、2009年3月27日出願の米国特許出願第12/413,341号明細書の一部継続出願である2010年3月16日出願の米国特許出願第12/724,681号明細書の利益を請求し、かつ2009年3月27日出願の米国特許仮出願第61/164,297号明細書の利益も請求するものである。これらの出願の両方は、引用により本明細書に全体が組み込まれる。
開示する主題は、ガス放電レーザのような高電力レーザシステムの再循環リング共振器に関する。
ガス放電レーザは、半導体集積回路を製造するためにフォトリソグラフィに使用される。半導体製造が進化して特徴部の更なる小型化(すなわち、集積回路を製作するのに使用される最小特徴部サイズ)を必要とするので、これらのレーザの設計及び性能が改善されてきた。例えば、ガス放電レーザは、高解像度化をサポートするためにより短い波長及びより狭い帯域幅をもたらし、高収量化を可能にするために高電力化をもたらし、かつ線量、波長、及び帯域幅のような性能パラメータを安定させるために設計し直される。
エキシマレーザは、低減されたスペクトル帯域幅のナノ秒パルスを生成するために高い平均出力電力を用いて紫外線(UV)スペクトル領域内で作動させることができるフォトリソグラフィに使用されるガス放電レーザの1つのタイプである。
一部の場合には、これらのレーザは、狭いスペクトル帯域幅をもたらす機能と高い平均出力パルスエネルギを生成する機能を分離するために第1及び第2のチャンバを有する2重チャンバ設計で設計される。第1のチャンバは、シードレーザビームを供給する主発振器(MO)と呼ばれ、第2のチャンバは、電力増幅器(PA)、電力発振器(PO)、又は電力リング増幅器(PRA)と呼ばれ、かつMOからシードレーザビームを受け取る。MOチャンバは、比較的低い出力パルスエネルギでの中心波長及び帯域幅のようなパラメータの微調整を可能にする。電力増幅器は、主発振器から出力を受け取り、フォトリソグラフィに使用する出力に対して必要な電力を得るためにこの出力を増幅する。2重チャンバ設計は、第2のチャンバがどのように使用されるかにより、MOPA、MOPO、又はMOPRAと呼ぶことができる。
米国特許出願第12/413,341号明細書 米国特許出願第12/724,681号明細書 米国特許仮出願第61/164,297号明細書
一部の一般的な態様では、レーザは、電極及びレーザビームを生成するための電極間の利得媒体を有する増幅器放電チャンバと、光カプラと、レーザビームの経路内のビーム修正光学システムとを含む再生リング共振器を含む。光カプラは、増幅器放電チャンバから光カプラに衝突するレーザビームの少なくとも一部が反射されて増幅器放電チャンバを通って戻り、増幅器放電チャンバから光カプラに衝突するレーザビームの少なくとも一部が光カプラを通って伝達されるように部分反射性である。ビーム修正光学システムは、近視野レーザビームプロフィールがレーザ内の各開口を均一に満たすように、かつ再生リング共振器の内側の光学要素に熱レンズを誘起する電力でレーザを作動させる時に再生リング共振器が条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まるように、レーザビームのプロフィールを横断方向に拡張する。
ビーム修正光学システムは、一部が高い可能性がある様々な平均電力にわたってガス放電レーザ増幅器の作動から生じる出力ビームサイズの変動を低減する。
実施は、以下の特徴の1つ又はそれよりも多くを含むことができる。例えば、ビーム修正光学システムは、光カプラと、光カプラに面する側と反対の放電チャンバの側に設けられたビーム回転光学要素との間に存在することができる。ビーム修正光学システムは、再生リング共振器を出るレーザビームに再生リング共振器に入るレーザビームの横断方向プロフィールのサイズと同じか又はそれよりも大きい横断方向プロフィールのサイズを持たせるように構成することができる。
ビーム修正光学システムは、再生リング共振器内で循環するレーザビームの波面に負曲率を付与するように構成することができる。ビーム修正光学システムは、横断方向に沿って負に曲率を変えることができる。ビーム修正光学システムは、高反射性ミラーを含むことができる。高反射性ミラーは、凸面とすることができる。凸面高反射性ミラーは、約50mと約170mの間の曲率半径を有することができる。
レーザはまた、光学システムに面する側の反対の放電チャンバの側のレーザビームの経路にある放電チャンバの外部のビーム回転光学要素を含むことができる。
再生リング共振器は、レーザビームが再生リング共振器の一部を通って進行する時にレーザビームの横断方向プロフィールのサイズが増加するが、レーザビーム横断方向プロフィールサイズが、光カプラを通って再生リング共振器から減結合される前には再生リング共振器内の光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えない場合には、僅かに不安定なままに留まるとすることができる。
ビーム修正光学システムは、1組のプリズムを含むことができる。プリズムの組は、第1と第3のプリズムが、ビーム修正光学システムを通って第1の方向に沿って進行するレーザビームのプロフィールの横断方向サイズを低減し、第3と第2のプリズムが、ビーム修正光学システムを通って第2の方向に沿って進行するレーザビームのプロフィールの横断方向サイズを増大させるように構成かつ配置された第1、第2、及び第3のプリズムを含むことができる。1つ又はそれよりも多くの第1、第2、及び第3のプリズムは、ビーム修正光学システムを通って第2の方向に沿って進行してプリズムの組を出るレーザビームのプロフィールの横断方向サイズが、光カプラからプリズムの組まで第1の方向に沿って進行するレーザビームのプロフィールの横断方向サイズよりも大きいように調節することができる。
再生リング共振器からのレーザビーム出力は、少なくとも約5W/cm2の平均放射照度を有することができる。他の実施では、再生リング共振器からのレーザビーム出力は、少なくとも約10W/cm2の平均放射照度を有することができる。一部の実施では、再生リング共振器からのレーザビーム出力のピーク放射照度は、30mJ/cm2未満とすることができる。
他の一般的な態様では、放電ガスレーザのレーザビームは、再生リング共振器の光カプラに通してレーザビームを誘導し、放電チャンバから光カプラに衝突する光の少なくとも一部が反射されて放電チャンバを通って戻り、かつ放電チャンバから光カプラに衝突する光の少なくとも一部が光カプラを通って伝達されるように、光カプラを通過するレーザビームを放電チャンバに通って光カプラに戻るように誘導し、かつ近視野レーザビームプロフィールがレーザ内の各開口を均一に満たすように、かつ再生リング共振器内に要素の熱レンズ化を引き起こす電力でレーザを作動させる時に再生リング共振器が条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まるようにレーザビームのプロフィールを横断方向に拡張することによって修正される。
実施は、以下の特徴の1つ又はそれよりも多くを含むことができる。例えば、レーザビームのプロフィールは、放電チャンバに通してレーザビームを誘導する前に光カプラからレーザビームにプリズムの組の第1と第3のプリズムを通過させることによってレーザビームのプロフィールを圧縮し、かつ光カプラに到達する前にレーザビームにプリズムの組の第3のプリズムと第2のプリズムを通過させることによって放電チャンバを通過した後のレーザビームのプロフィールを拡張することにより、横断方向に拡張することができる。レーザビームプロフィールは、レーザビームプロフィールをプリズムの組に入るレーザビームのプロフィールよりも大きいサイズに拡張することによって拡張することができる。
再生リング共振器は、レーザビームが再生リング共振器の一部を通って進行する時にレーザビームの横断方向プロフィールのサイズは増加するが、レーザビーム横断方向プロフィールサイズが、光カプラを通って再生リング共振器から減結合される前には再生リング共振器内の光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えない場合には、僅かに不安定なままに留まるとすることができる。
レーザビームのプロフィールは、再生リング共振器内で循環するレーザビームの波面に負曲率を付与することによって横断方向に拡張することができる。
他の一般的な態様では、レーザビームの経路にある再生リング共振器は、電極及び電極間の利得媒体を有する放電チャンバと、放電チャンバから光カプラに衝突する光の少なくとも一部が反射されて放電チャンバを通って戻り、かつ放電チャンバから光カプラに衝突する光の少なくとも一部が光カプラ通って伝達されるように部分反射性である光カプラと、レーザビームの経路内のビーム修正光学システムとを含む。ビーム修正光学システムは、近視野レーザビームプロフィールが共振器内の各開口を均一に満たすように、かつ再生リング共振器の内側の要素の熱レンズ化を引き起こす電力でレーザを作動させる時に再生リング共振器が条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まるようにレーザビームのプロフィールを横断方向に拡張するように構成される。
実施は、以下の特徴の1つ又はそれよりも多くを含むことができる。ビーム修正光学システムは、光カプラと、光カプラに面する側と反対の放電チャンバの側に設けられたビーム回転光学要素との間に存在することができる。
ビーム修正光学システムは、再生リング共振器内で循環するレーザビームの波面に負曲率を付与するように構成することができる。ビーム修正光学システムは、高反射性凸面ミラーを含むことができる。
再生リング共振器は、レーザビームが再生リング共振器の一部を通って進行する時にレーザビームの横断方向プロフィールのサイズは増加するが、レーザビーム横断方向プロフィールサイズが、光カプラを通って再生リング共振器から減結合される前には再生リング共振器内の光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えない場合には、僅かに不安定なままに留まるとすることができる。
ビーム修正光学システムは、1組のプリズムを含むことができる。プリズムの組は、第1と第3のプリズムが、ビーム修正光学システムを通って第1の方向に沿って進行するレーザビームのプロフィールの横断方向サイズを低減し、かつ第3と第2のプリズムが、ビーム修正光学システムを通って第2の方向に沿って進行するレーザビームのプロフィールの横断方向サイズを増大させるように構成かつ配置された第1、第2、及び第3のプリズムを含むことができる。1つ又はそれよりも多くの第1、第2、及び第3のプリズムは、第2の方向に沿って進行してプリズムの組を出るレーザビームのプロフィールの横断方向サイズが、光カプラからプリズムの組まで第1の方向に沿って進行するレーザビームのプロフィールの横断方向サイズよりも大きいように調節することができる。
リソグラフィ機械に入力を供給する高平均電力レーザシステムのブロック図である。 図1のレーザシステムの電力リング増幅器の平面図である。 図2Aの電力リング増幅器のビーム反転の平面図である。 図2Aの電力リング増幅器のガス放電チャンバのチャンバ窓の平面図である。 図2Aの電力リング増幅器のビーム修正光学システムの平面図である。 図2Aの電力リング増幅器の側面図である。 図2Dのビーム修正光学システムの斜視図である。 ハウジングに取り付けられたビーム修正光学システムの第1の実施の斜視図である。 ハウジングに取り付けられたビーム修正光学システムの第1の実施の平面図である。 図5及び図6のビーム修正光学システムハウジングに取り付けられたミラーマウントに取り付けられた高反射性ミラーの正面斜視図である。 図5及び図6のビーム修正光学システムハウジングに取り付けられたミラーマウントに取り付けられた高反射性ミラーの背面斜視図である。 図7Aの高反射性ミラーの平面図である。 図8Aの高反射性ミラーの直交側面図である。 図8Aの高反射性ミラーの直交側面図である。 ハウジングに取り付けられたビーム修正光学システムの第2の実施の斜視図である。 ハウジングに取り付けられたビーム修正光学システムの第2の実施の平面図である。 図9及び図10のビーム修正光学システムハウジングに取り付けられた適応ミラーマウントに取り付けられた高反射性ミラーの斜視図である。 図11Aの高反射性ミラーのためのマウントの斜視図である。 図11Aの高反射性ミラーのためのマウントの斜視図である。 図11Aの高反射性ミラーのためのマウントの斜視図である。 図11Aの高反射性ミラーの平面図である。 図12Aの高反射性ミラーの直交側面図である。 図12Aの高反射性ミラーの直交側面図である。 図2Aの電力リング増幅器のビーム修正光学システムの別の実施の平面図である。 図13Aのビーム修正光学システムの細部の平面図である。 信号振幅と高反射性ミラーの異なる曲率に対して取られたレーザビームの中心からの距離とのグラフである。 負曲率波面を示す光学図である。 正曲率波面を示す光学図である。 ゼロ曲率波面を示す光学図である。
図1を参照すると、高平均電力繰返しパルス式レーザシステム100は、リソグラフィ機械106にビーム送出ユニット104を通じて送出される高電力繰返しパルス式レーザビーム102を生成する。レーザシステム100は、電力リング増幅器(PRA)112(再生リング共振器を有する放電チャンバを有する)にシードレーザビーム110を供給する主発振器(MO)108を含む。主発振器108は、比較的低い出力パルスエネルギでの中心波長及び帯域幅のようなパラメータの微調整を可能にするものである。電力増幅器112は、主発振器から出力を受け取り、フォトリソグラフィ機械106に使用する出力に対してレーザビーム102内で必要な電力をもたらすためにこの出力を増幅する。
主発振器108は、2つの長形電極、レーザガス、及び電極間にガスを循環させるファンを有する放電チャンバ114を含み、レーザ共振器は、放電チャンバ114の片側の線狭化モジュール116と放電チャンバ114の第2の側の出力カプラ118の間に形成される。線狭化モジュール116は、放電チャンバ114のスペクトル出力を微調整する回折格子のような回折光学要素を含むことができる。主発振器108はまた、出力カプラ118から出力を受け取る線中心解析モジュール120及び必要に応じてレーザビームのサイズ及び/又は形状を修正するビーム修正光学システム122を含む。放電チャンバに使用されるレーザガスは、所要の波長及び帯域幅でレーザビームを生成するあらゆる適切なガスとすることができ、例えば、レーザガスは、約193nmの波長で光を放出するアルゴンフッ化物(ArF)、約248nmの波長で光を放出するクリプトンフッ化物(KrF)、又は約351nmの波長で光を放出するキセノン塩化物(XeCl)とすることができる。
電力リング増幅器112は、主発振器108からシードレーザビーム110を受け取り、かつレーザビームを電力リング増幅器放電チャンバ126に通して再生リング共振器とも呼ばれる循環経路を形成するために放電チャンバ126内に送り返されるようにレーザビームの方向が変更されるビーム回転光学要素128まで誘導するビーム修正光学システム124を含む。電力リング増幅器放電チャンバ126は、1対の長形電極、レーザガス、及び電極間にガスを循環させるファンを含む。シードレーザビーム110は、電力リング増幅器112を繰返し通過することによって増幅される。光学システム124は、シードレーザビーム110を内結合し、かつ電力レーザビーム130を形成するためにリング共振器からの増幅された放射線の一部を外結合する方法(例えば、以下に説明する部分反射ミラー202のような光カプラ)を提供する。電力レーザビーム130は、誘導されて帯域幅解析モジュール132を通り、次に、パルス伸長器134を通り、電力レーザビーム130のパルスの各々は、リソグラフィ機械106に衝突するレーザビームの性能特性に対して調節するために例えば光学遅延ユニット内で伸張される。パルス伸長器134を出るレーザビーム102を誘導して、ビーム送出ユニット104に入る前に自動シャッター136に通すことができる。レーザシステム100はまた、主発振器108及び電力リング増幅器112に結合されて約4000Hzと12,000Hz又はそれよりも高いものの間のパルス繰返し数でシステム100のパルスエネルギ及び蓄積線量エネルギ出力を制御する制御システム138を含む。制御システム138は、パルス及び線量エネルギのフィードバック及びフィードフォワード制御により主発振器108のチャンバ内での放電及び互いに対する電力リング増幅器112のチャンバ内での放電の反復的なトリガを提供する。高電力繰返しパルス式レーザビーム102は、数ワットと数百ワットの間、例えば、約40W〜約200Wの平均出力電力を有することができる。出力のレーザビーム102の放射照度(すなわち、単位面積当たりの平均電力)は、少なくとも約5W/cm2又は少なくとも約10W/cm2とすることができる。
図2A〜図4も参照すると、電力リング増幅器112は、再生リング共振器として設計される。主発振器108からのシードレーザビーム110は、ビーム修正光学システム124の折り返しミラー200に誘導される。折り返しミラー200は、ビームを反射かつ誘導して光カプラに通し、光カプラは、部分反射ミラー(時には入力/出力カプラという)202であり、これは、リング共振器及び次に高反射性ミラー204への入口である。ミラー204は、使用する入射角での望ましい偏光に向けてレーザビームの中心波長で又はその近くで反射率が約90%を超える場合は高反射性である。
高反射性ミラー204は、利得媒体の横断方向サイズに実質的に適合するように水平にレーザビーム110を圧縮するために互いに作用する第1のプリズム206及び第3のプリズム208を通じてレーザビーム110を反射し、利得媒体の横断方向サイズは、一般的に、高繰返し数放電エキシマレーザにおいては数ミリメートル(mm)よりも小さい。第3のプリズム208は、レーザビーム110を右チャンバ窓210及びチャンバ126を通り、左のチャンバ窓212を通り、かつビーム回転光学要素128に至る望ましい光路に整列させる。ビーム回転光学要素128から、レーザビームは、左のチャンバ窓212に戻り、チャンバ126及び右のチャンバ窓210を通過し、次に、第3のプリズム208を通り、第3のプリズム208は、第2のプリズム214にレーザビームをシフトし、第2のプリズム214は、レーザビームを入力/出力カプラ202にシフトする。このように互いに作用する第3及び第2のプリズム208及び214は、入射レーザビーム110の横断方向サイズ及び/又は電力レーザビーム130の望ましい水平サイズに適合するようにチャンバ窓210を出るビームを拡大する。入力/出力カプラ202に衝突するビームは、帯域幅解析モジュール132に向けて誘導される増幅されたレーザビーム130を形成するためにカプラ202を通って伝達することができる。入力/出力カプラ202は、再生フィードバックを行って入力/出力カプラ202に衝突する光の少なくとも一部が放電チャンバ126に反射されて光学システム124を通ることができるように部分反射性、例えば、20%反射性である。
第1と第3のプリズム206及び208は、波面修正光学システム124を通って第1の方向に沿って進行するレーザビーム110の横断方向プロフィールを低減するように互いに対して位置決めかつ配置される。すなわち、第1と第3のプリズム206及び208は、放電プラズマの横断方向サイズに実質的に適合し、かつレーザ利得を有効に利用するように組み合わされ、かつ図示の幾何学的構成で高反射性ミラー204から右チャンバ窓210までの第1の方向に沿って進行するレーザビームの水平サイズを縮小する。第3及び第2のプリズム208及び214は、波面修正光学システム124を通って第2の方向に沿って進行するレーザビーム130の横断方向プロフィールのサイズを増大させるように互いに対して位置決めかつ配置される。すなわち、第3と第2のプリズム208及び214は、入射レーザビーム110の横断方向広がり及び/又は電力レーザビーム130の望ましい水平サイズに適合するように組み合わされ、かつ図示の幾何学的構成で右チャンバ窓210から入力/出力カプラ202までの第2の方向に沿って進行するレーザビームの水平サイズを拡大する。
ビーム回転光学要素128の各々は、例えば、フッ化カルシウム(CaF2)のような結晶構造を有する材料のような精密光学材料を有する1つ又はそれよりも多くの精密デバイスで製造された光学システムである。更に、ビーム回転光学要素128は、精密光学仕上面を有する。ビーム回転光学要素128は、光ビームを受け取って放電チャンバ126に伝達されるように光ビームの方向を変更する1つ又はそれよりも多くの光デバイスのあらゆる組合せとすることができる。例えば、ビーム回転光学要素128は、図2A及び図2Bに示すように、2つの反射面を有するプリズムとすることができる。別の例として、ビーム回転光学要素128は、放電チャンバ126にビームを反射するように配置された複数のミラーを含むことができる。
入力/出力カプラ202は、例えば、チャンバ126への約10%と約60%の間の反射率を有する部分反射性ミラーであり、従って、放電中のチャンバ126内での電極との間の励起ガス利得媒体を通じた発振中のレーザパルス強度増強を可能にする発振共振器が形成される。
電力リング増幅器112の光学要素(カプラ202、高反射性ミラー204、プリズム206、208、214、高反射性ミラー204、チャンバ窓210、212、及びビーム回転光学要素128など)は、典型的には、最小の損失で非常に短い波長、例えば、193nm又は248nmの非常に高いパルスエネルギレーザパルスを伝達することができる結晶構造体である。例えば、これらの構成要素は、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化マグネシウム(MgF2)、又は溶融石英で製造することができる。
要約すると、ビーム修正光学システム124の光学要素(カプラ202、高反射性ミラー204、及びプリズム206、208、及び214)は、シードレーザビーム110を誘導してチャンバ126を通し、レーザビームは。増幅され、次に、ビーム回転光学要素128に通され、ビーム回転光学要素128は、レーザビームを誘導してチャンバ126に通し、レーザビームは、更に増幅され、更に増幅されたレーザビームの少なくとも一部は、電力レーザビーム130として電力リング増幅器112を出るようにカプラ202に通され、一方、レーザビームの少なくとも一部は、更に別の増幅に向けてリング共振器にカプラ202によって反射される。
以下に説明する内容では、電力リング増幅器112内で認められる光学効果の一部を説明するために用語「ビームプロフィール」、「近視野」、「遠視野」、「システム開口」、及び「開口」を使用する。
用語「開口」は、光が進行する穴、構造体、又は開口部である。より具体的には、光学システムの開口は、像平面内の焦点に来る光線束の円錐角を決める開口部である。電力リング増幅器112は、光線束を制限する多くの開口部又は構造体を有することができる。例えば、これらの構造体は、所定の位置に光学要素を保持するレンズ又はミラー、そうでなければ不透明体の開口部又はリング又は他の固定具の端部とすることができ、又はシステムによって受け入れられる光を制限するために光路内に設けられたプリズムのような特殊要素とすることができる。一般的に、これらの構造体は、絞りと呼ばれ、開口絞りは、像点での光線円錐角又は同等に輝度を決める絞りである。
レーザシステム100は、パルス伸長器134の出力部で所定の開口絞りを有し、レーザシステム100の出力部の所定の開口絞りは、「システム開口」とも呼ばれる。
用語「ビームプロフィール」とは、ビーム伝播方向に対して横断方向である方向にわたる位置でのエネルギの分布である。「近視野」ビームプロフィールは、開口に近いか又は非常に近い開口にわたる位置でのエネルギの分布を指す。「遠視野」ビームプロフィールは、開口から遠く離れた面での開口にわたる位置でのエネルギの分布である。事実上、システム開口から十分に離れた遠い位置でのエネルギの分布は、システム開口での角度分布により完全に特徴付けられる。従って、光ビームがゼロ発散を有する場合、定位置でのエネルギの分布は、開口でかつ開口から非常に遠く離れた位置で同じである。光ビームがゼロ以外の発散を有する場合、それを超えると発散による広がり(おおまかに角度x距離)が初期(近視野)分布よりも定位置のエネルギの分布に遙かに大きく寄与する距離が存在する。
電力レーザビーム130は、レーザビーム修正光学システム124を出るレーザビーム130がビーム修正光学システム124に入るレーザビーム110の水平プロフィールよりも小さい水平プロフィールを有するような水平近視野プロフィールの狭小化を受ける可能性がある。この狭小化は、作動負荷サイクルが、電力リング増幅器112の光学要素に入射するか又は電力リング増幅器112の光学要素を通って伝達される平均電力が非常に高いようなものである時に波面変動により引き起こされる可能性がある。このような波面変動は、電力リング増幅器112内で循環する光電力の一部の吸収による光学構成要素(例えば、チャンバ窓210、210など)の加熱からもたらされる可能性があり、これは、これらの光学構成要素に正熱レンズを誘起する。
ビーム修正光学システム124は、電力リング増幅器112に入るレーザビーム波面に対して電力リング増幅器112を出るレーザビームのビームプロフィールを横断方向に拡張するように設計される。用語「横断方向」は、レーザビーム110の光軸(縦方向とも呼ばれる)に垂直なあらゆる方向とすることができる。従って、ビームプロフィールは、プロフィールがビームの光軸に垂直な方向に沿って拡張される場合、横断方向に拡張される。
一部の実施では、この拡張システムは、レーザビームの発散が水平近視野プロフィール狭小化を相殺するために増加するように負にレーザビームの波面曲率を変えるシステムとすることができる。従って、ビームに与えられる波面曲率は、例えば、プリズム又はチャンバ窓のようなリング増幅器112の光学構成要素の1つ又はそれよりも多くにおける正の熱レンズを補償するために、リング増幅器112の内側の他の要素から現れるレーザビームに対しての方がより大きく負である。近視野においては、レーザビームのサイズは、認め得るほどにはより大きくないが、レーザビームが数回電力リング増幅器の周りで112を伝播した後に、ビームの横断方向寸法は、認め得るほどに増加させることができる。
他の実施では、この拡張システムは、レーザビームの横断方向スポットサイズが水平近視野プロフィール狭小化を相殺するために近視野において広げられるように、単にビームプロフィールを拡大する(例えば、プリズム対の組の平面表面にわたる屈折を使用して)システムとすることができる。この場合、プリズム対の不均衡により、レーザビームが拡大され、波面拡張システムの最終プリズムの出口面で直ちにその横断方向寸法が増大する。更に、プリズム対の不均衡により、近視野においてビームを拡張するか又は広げる役目をするとしても、発散を低減することができる。
いずれにせよ、拡張システムは、以下でより詳細に説明するように、電力レーザビーム130の他の特性(比較的低い水平発散など)を維持しながら、近視野レーザビームが電力リング増幅器112内の開口及びシステム開口を含めレーザシステム100内の開口の全てを均一に満たすように、近視野レーザビームが崩壊しないようにしている。
従って、ビーム修正光学システム124は、ビーム修正光学システム124に入るレーザビーム110に対してビーム修正光学システム124を出るレーザビーム130の波面の曲率を負に変更する負波面曲率システムを用いて設計することができる。このようにして、レーザビーム130は、ビーム修正光学システム124に入るレーザビーム110の横断方向(例えば、水平)プロフィールと同じか又はそれよりも大きい横断方向(例えば、水平)プロフィールを有する。更に、波面曲率は、再生リング共振器(PRA112)が安定型共振器にならず、再生リング共振器内の光学要素に熱レンズを誘起する電力でレーザを作動させる時に条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まるように変更されることが好ましい。
リング共振器は、レーザビーム横断方向プロフィールが共振器を通る無限数の通過の後で共振器の内側の特定の位置でほぼ一定のままであり、かつレーザビーム横断方向プロフィールが共振器を通る無限数の通過の後でさえも共振器内の光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えることがない場合に条件付安定である。リング共振器は、共振器を通って進行する時にレーザビーム横断方向プロフィールはサイズが増加するが共振器から減結合される前には共振器内の光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えることがない場合、僅かに不安定である。例えば、レーザパルス持続時間が約20nsであり、光が再生リング共振器を通る一往復を完了するのに約4〜5ns掛かる場合、レーザパルスは、再生リング共振器を通る約4〜5往復の後に共振器から減結合される。別の言い方をすると、レーザビーム横断方向プロフィールは、共振器を通る間は横断方向プロフィールのサイズが同じままであるか又は増加するとしても共振器内の光学構成要素により完全にサポートされたままである。安定した(しかし、条件付安定でなく)共振器においては、共振器を通過する時にレーザビーム横断方向プロフィールサイズは様々な段階で減少させることができ、レーザビーム横断方向プロフィールサイズは、何回も共振器を通過しても共振器内の光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えることはない。
図15Aを参照すると、波面1505の中心1500がレーザビームの伝播方向1510に沿って向いている場合、波面は、「負」曲率を有し、すなわち、波面中心1500は、波面1505の縁部1515と比較すると前進している。図15Bを参照すると、波面1525の中心1520がレーザビームの伝播方向1530と反対に向いている場合、波面は「正」曲率を有し、すなわち、波面中心1520は、波面縁部1535と比較すると遅れている。従って、ビーム修正光学システム124は、レーザビーム130の波面の中心が、それぞれの波面縁部に対してレーザビーム110の波面の中心よりも遠くに前進している場合、レーザビーム110に対してレーザビーム130の波面の曲率を負に変更する。図15Cを参照すると、波面は、波面1545の中心1540が波面縁部1555で伝播方向1550に横断方向に整列する場合は「ゼロ」曲率を有する。
横断方向出力エネルギ分布の狭小化(「ビーム狭小化」とも呼ばれる)は、垂直方向に発生させることができるが、狭小化の影響は、大きくない場合があり、その理由は、熱勾配が、多くの実際的な高繰返し数エキシマレーザシステムに対して垂直方向の方が小さいからである(特に、垂直方向内のモード側は、水平方向内のモードサイズの約10倍である可能性がある)。従って、ビーム狭小化は、一般的な横断方向で補正することができると考えられ、これは、レーザビームが進行する経路(すなわち、光軸)に垂直なあらゆる方向であり、従って、ビームプロフィールが水平方向及び垂直方向に整列した場合、水平方向又は垂直方向とすることができる。
負波面曲率システムは、光学システム124の構成要素のいずれとも一体化することができ、例えば、それは、光学システム124の1つ又はそれよりも多くの構成要素の設計又は位置の修正とすることができる。
負波面曲率システムは、湾曲(凸面)反射面を有するように高反射性ミラー204を修正することによって実施することができる。以前の設計においては、高反射性ミラー204は、反射レーザビームにいずれの重要な波面変化(例えば、波面の曲率の変化など)を与えないように実質的に平坦である(ミラー204から反射される光の波長内で正確に)。負波面曲率システムにおいて、高反射性ミラー204は、ミラー204によって反射されたレーザビームの波面に少量の負曲率を付与するために僅かに凸面の形を有する。高反射性ミラー204は、当該の横断方向に永久的な凸面プロフィールを有するように(図5〜図8Cに関して説明するように)ミラーを製造することにより、又は曲げデバイスを使用して凸面の形を有するように平坦なミラーを屈曲させることによって(図9〜図12Cに関して説明するように)湾曲とすることができる。
図5〜図8Cを参照すると、ビーム修正光学システム124は、密封ハウジング502内にある支持体500上に配置される。この実施では、高反射性ミラー504は、反射面506上に水平方向に永久的な凸面プロフィールを有するように製造され、かつ支持体500上に配置されたミラーマウント508に取り付けられる。高反射性ミラー504は、非常に短い波長、例えば、193nm又は248nmの波長での高い平均電力に露出されても堅牢である結晶基板又は他の基板上に製造される。例えば、高反射性ミラー504は、フッ化カルシウム(CaF2)又はフッ化マグネシウム(MgF2)基板上に形成することができる。ミラー504のクリアな開口510は、図8Aに破線に示されている。凸面プロフィールは、あらゆる凸面形状とすることができ、例えば、円筒の円弧の形状とすることができる。表面506の反射率は、45°でかつ望ましい偏光状態で約193nmの波長で表面に衝突する光線に対して94%よりも大きい(例えば、約94%〜約97%)とすることができる。図8A〜図3C示すように、この設計では、高反射性ミラー504は、垂直方向850に沿ったレーザビームプロフィールがミラー504から反射してもほぼ不変であるように、水平方向800にのみ凸面プロフィールを有する。凸面プロフィールは、ミラー504が約50mと170mの間の水平方向に沿った曲率半径を有するようなものとすることができる。別の言い方をすると、凸面プロフィールは、ミラー504が20mmの水平開口に対しては約300nmと約1000nmの間の表面の垂みを有するようなものである。
図9〜図12Cを参照すると、ビーム修正光学システム124は、密封ハウジング902内にある支持体900上に配置される。この実施では、高反射性ミラー904は、反射面906上に水平方向及び垂直方向の両方に実質的に平坦なプロフィールを有するように製造され、かつ支持体900上に配置された曲げデバイス(ミラーマウント)908に取り付けられる。ミラーマウント908は、ミラー904を屈曲させてミラー904に凸面形状を与えるように作用する。以前のミラーと同様に、高反射性ミラー904は、非常に短い波長、例えば、193nm又は248nmの波長での高い平均電力に露出されても堅牢である結晶基板又は他の基板上に製造される。例えば、高反射性ミラー904は、フッ化カルシウム(CaF2)又はフッ化マグネシウム(MgF2)基板上に形成することができる。表面906の反射率は、45°でかつ約193nmの波長で表面に衝突する光線に対して94%よりも大きいとすることができる。図12A〜図12Cに示すように、この設計では、高反射性ミラー904は、水平方向及び垂直方向の両方に平坦なプロフィールを有する。
図11A〜図11Dを参照すると、ミラーマウント908は、反射面906が水平方向に沿って凸面形を有するように水平方向に沿ってミラー904を屈曲させる。ミラーマウント908は、支持体900のミラー拡張部1102の裏面に取り付けられた後部デバイス1100及びミラー拡張部1102の前側に取り付けられた前部デバイス1104を含む。後部デバイス1100は、ミラー904の後部と接触する1つ又はそれよりも多くの圧縮デバイス1106を含み、前部デバイス1104は、ミラー904の前部(反射面906)と接触する1つ又はそれよりも多くの圧縮デバイス1108を含む。ミラー904は、ミラー拡張部1102内にかつ圧縮デバイス1106及び1108間に形成された開口部1110内に設けられる。作動において、後部デバイス1100は、1つ又はそれよりも多くの圧縮デバイス1106がミラー904の後部に接触する位置でミラー904に圧力を印加し、前部デバイス1104は、ミラー904に凸面形状を与えるために1つ又はそれよりも多くの圧縮デバイス1108がミラー904の前部と接触する位置でミラー904に圧力を印加する。
上述のように、負波面曲率システムは、光学システム124の構成要素のいずれとも一体化することができ、例えば、負波面曲率システムは、光学システム124の1つ又はそれよりも多くの構成要素の設計又は位置の修正とすることができる。上述の例において、負波面曲率システムは、湾曲(凸面)反射面を有するように高反射性ミラー204を修正することによって実施することができる。
別の例として及び図4を参照して、ビーム拡張システムは、波面修正光学システム124に入るレーザビームに対して波面修正光学システム124を出るレーザビームを拡大するためにプリズム206、208、及び214の1つ又はそれよりも多くの面を修正することによって実施することができる。例えば、第1と第3のプリズムの間の相対距離を修正することができ、又は第3と第2のプリズム間の相対距離を修正することができるであろう。別の例として、プリズムの1つ又はそれよりも多くの配置角度を他のプリズムに対して修正することができると考えられる。更に別の例として、プリズムの1つ又はそれよりも多くの材料特性又は表面形状は、プリズムを通過するレーザビームの横断方向広がりの縮小又は拡大を変更するように修正することができる。
従って、図13A及び図13Bに示すようにかつ上述のように、第1と第3のプリズム206及び208は、波面修正光学システム124を通って第1の方向に沿って進行するレーザビーム110の横断方向プロフィールを低減するように互いに対して位置決めかつ配置される。すなわち、第1と第3のプリズム206及び208は、放電プラズマの横断方向サイズに実質的に適合し、かつレーザ利得を有効に利用するように組み合わされ、かつ図示の幾何学的構成で高反射性ミラー204から右チャンバ窓210までの第1の方向に沿って進行するレーザビームの水平サイズを縮小する。第3及び第2のプリズム208及び214は、波面修正光学システム124を通って第2の方向に沿って進行するレーザビーム130の横断方向プロフィールのサイズを増大させるように互いに対して位置決めかつ配置される。すなわち、第3と第2のプリズム208及び214は、入射レーザビーム110の横断方向広がり及び/又は電力レーザビーム130の望ましい水平サイズに適合するように組み合わされ、かつ図示の幾何学的構成で右チャンバ窓210から入力/出力カプラ202までの第2の方向に沿って進行するレーザビームの水平サイズを拡大する。
水平プリズムシーケンス(プリズム206〜208及び次にプリズム208〜214)の正味効果は、レーザビームの近視野プロフィールが電力リング増幅器112内の開口及びシステム開口を含めレーザシステム100内の開口の全てを均一に満たすように、かつ再生リング共振器内の光学要素に熱レンズを誘起する電力でレーザを作動させる時に条件つきで安定であるか又は僅かに不安定なままであるように水平近視野を僅かに拡大することである。この正味ビーム拡大(又は拡張)をもたらすために、第2の方向に沿って進行するレーザビームの水平サイズにおいて僅かにより大きい拡大を引き起こすために第3のプリズム208と第2のプリズム214の間の相対角度を修正することができると考えられる。例えば、図13Bに示すように、矢印1320の方向にある一定の角度の周りに第3のプリズム208に対して第2のプリズム214を回転させることによってこれを行うことができる。回転角は、どれだけより大きい拡大が望ましいかに依存する。例えば、回転角は、レーザビーム130の横断方向サイズをレーザビーム110の横断方向サイズと適合させる設定において第2のプリズム214の位置に対して0°(ゼロ)を超えるが約10°よりも小さいとすることができる。プリズム214を回転させるために、プリズム214は、ステッパモータ及び/又は圧電ベースのアクチュエータのような回転位置アクチュエータに接続された回転移動可能なマウント上に取り付けることができる。他の実施では、プリズム206、208、及び214の1つ又はそれよりも多くは、往復毎に一定の拡大を付与するように剛的に固定される。
更に、プリズム206の1つ又はそれよりも多くの態様208及び214を組み合わせで修正することにより、かつ湾曲(凸面)反射面を有するように高反射性ミラー204を修正することにより負波面曲率システムを実施することができることが可能である。
また、図14を参照すると、レーザビーム130のエネルギ密度(又は電界振幅の二乗)対横断方向(例えば、水平方向)に沿ったビームの中心からの距離のグラフが2つの異なるシナリオに対して示されている。第1のシナリオにおいて、再生リング共振器(PRA112)のビーム修正光学システム124は、本発明の開示の主題であるビーム拡張システム(上述の負波面曲率システムなど)がなく、すなわち、このシナリオにおいては、例えば、高反射性ミラーは、実質的に平坦な曲率を有する。生データは、第1のシナリオにおいて取られたものであり、曲線1400は、第1のシナリオに向けて生データを最良に適合させるように推定されたものである。第2のシナリオにおいて、ビーム修正光学システム124は、ビーム拡張システム(例えば、上述の負波面曲率システムのような高反射性ミラーが凸面曲率を有する)を含む。生データは、第2のシナリオにおいて取られ、曲線1450は、第2のシナリオに対して生データに最良に適合させるように推定されたものである。更に、グラフは、レーザビーム130が通過するレーザシステム100内の開口1490を示している。
近視野レーザビームプロフィールは、開口の端部での強度が開口の中心でのピーク強度の一部を超える場合は、開口を「均一に満たす」と呼ぶことができる。一部の実施では、近視野レーザビームプロフィールは、開口の端部での強度が開口の中心でのピーク強度の約10%又は約20%を超える場合に開口を「均一に満たす」と呼ぶことができる。
第1のシナリオにおいて、レーザビーム130にわたるエネルギ分布の狭小化は水平方向にあり、すなわち、エネルギ分布は、近視野レーザビームがそれほど均一に開口1490を満たさないように近視野の方により集中する(換言すれば、レーザビームが崩壊する)ことを見ることができる。特に、開口1490の端部1491又は1492で曲線1400によって示されるエネルギ密度は、開口1490の中心1493で曲線1400によって示されるエネルギ密度の約4%よりも小さい。このようなビーム狭小化は望ましくなく、その理由は、このようなビーム狭小化により、リソグラフィ用途に向けて使用するレーザビーム130のピーク放射照度の増大及び安定性の欠如のために共振器内及び共振器の下流側の光学要素の損傷が発生する可能性があるからである。
ビーム拡張システム(例えば、負波面曲率システム)を追加することにより、レーザビーム130は、近視野においてより均一な水平エネルギ分布(又はプロフィール)を示し、それによって第2のシナリオに示すような光学要素損傷の可能性が低減される。ビーム拡張システムは、近視野レーザビームが開口1490を均一に満たすようにレーザビームの近視野エネルギ分布を広げる(すなわち、近視野レーザビームが崩壊しないようにする)。特に、端部1491又は1492での曲線1400の強度は、開口1490の中心1493での曲線1400の強度の約27%である。
他の実施は、以下の特許請求の範囲内である。例えば、負波面曲率システムは、電力リング増幅器112に負曲率光デバイスを追加することにより、又は電力リング増幅器112内の他の光学構成要素の1つ又はそれよりも多くを修正することにより形成することができる。
100 高平均電力繰返しパルス式レーザシステム
102 高電力繰返しパルス式レーザビーム
104 ビーム送出ユニット
106 リソグラフィ機械
108 主発振器(MO)
112 電力リング増幅器(PRA)

Claims (30)

  1. レーザであって、
    電極及び前記電極間の利得媒体を有する放電チャンバと、
    前記放電チャンバから光カプラ上に衝突するレーザビームの少なくとも一部が反射されて前記放電チャンバを通って戻り、かつ前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する前記レーザビームの少なくとも一部が光カプラを通って伝達されるように部分反射性である光カプラと、
    前記レーザビームの経路におけるビーム修正光学システムと、
    を含む再生リング共振器、
    を含み、
    前記ビーム修正光学システムは、前記レーザビームを前記放電チャンバに誘導する前に前記レーザビームのプロファイルを圧縮し、
    前記ビーム修正光学システムは、近視野レーザビームプロフィールがレーザ内の各開口を均一に満たすように、前記レーザビームが前記放電チャンバを通過した後に、前記レーザビームのプロフィールを横断方向に拡張し、かつ、
    前記再生リング共振器は、前記再生リング共振器の内側の光学要素に熱レンズを誘起する平均出力電力でレーザを作動させる時に条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まる、
    ことを特徴とするレーザ。
  2. 前記ビーム修正光学システムは、横断方向に沿って前記レーザビームの波面の曲率を負に変更することを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  3. 前記ビーム修正光学システムは、前記再生リング共振器の出口での前記レーザビームに、前記光カプラから反射して前記再生リング共振器に戻る前記レーザビームの横断方向ビームプロフィールのサイズと同じか又はそれよりも大きいサイズの横断方向ビームプロフィールのサイズを持たせることを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  4. 前記ビーム修正光学システムは、前記光カプラと、前記光カプラに面する側と反対の前記放電チャンバの側に設けられたビーム回転光学要素との間にあることを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  5. 前記ビーム修正光学システムは、高反射性凸面ミラーを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  6. 前記高反射性凸面ミラーは、50mと170mの間の曲率半径を有することを特徴とする請求項5に記載のレーザ。
  7. 前記再生リング共振器は、前記レーザビームの前記横断方向プロフィールのサイズが、前記レーザビームが前記再生リング共振器の一部を通って進行する時に増加するが、前記レーザビーム横断方向プロフィールサイズは、前記光カプラを通って前記再生リング共振器から出力される前には前記再生リング共振器内の前記光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えない場合に、僅かに不安定なままに留まることを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  8. 前記ビーム修正光学システムは、1組のプリズムを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  9. 前記1組のプリズムは、第1、第2、及び第3のプリズムを含み、
    前記第1、第2、及び第3のプリズムの1つ又はそれよりも多くは、前記再生リング共振器を出る前記レーザビームの前記プロフィールの前記横断方向サイズが、前記再生リング共振器に入る前記レーザビームの前記プロフィールの前記横断方向サイズよりも大きいように調節されることを特徴とする請求項8に記載のレーザ。
  10. 前記再生リング共振器からの前記レーザビームの出力が、少なくとも5W/cm2の平均放射照度を有することを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  11. 放電ガスレーザのレーザビームを修正する方法であって、
    レーザビームを誘導して再生リング共振器の光カプラに通す段階と、
    放電チャンバから前記光カプラ上に衝突する光の少なくとも一部が反射されて前記放電チャンバを通って戻り、かつ前記放電チャンバから前記光カプラ上に衝突する前記光の少なくとも一部が前記光カプラを通って伝達されるように、前記光カプラを通過する前記レーザビームを前記放電チャンバを通って前記光カプラに戻るように誘導する段階と、
    前記レーザビームを前記放電チャンバに誘導する前に前記レーザビームのプロファイルを圧縮する段階と、
    近視野レーザビームプロフィールが前記レーザ内の各開口を均一に満たすように、かつ前記再生リング共振器が前記再生リング共振器内の要素の熱レンズ化を引き起こす電力で前記レーザを作動させる時に条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まるように、前記レーザビームが前記放電チャンバを通過した後に、前記レーザビームのプロフィールを横断方向に拡張する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
  12. 前記レーザビームの前記プロフィールを横断方向に拡張する段階は、前記再生リング共振器内で循環する前記レーザビームの波面に負の曲率を付与する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
  13. 前記再生リング共振器は、前記レーザビームの前記横断方向プロフィールのサイズが、前記レーザビームが前記再生リング共振器の少なくとも一部を通って進行する時に増加するが、前記レーザビーム横断方向プロフィールサイズは、前記光カプラを通って前記再生リング共振器から出力される前には前記再生リング共振器内の前記光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えない場合に、僅かに不安定なままに留まることを特徴とする請求項11に記載の方法。
  14. レーザビームの経路における再生リング共振器であって、
    電極及び前記電極間の利得媒体を有する放電チャンバと、
    前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する光の少なくとも一部が反射されて前記放電チャンバを通って戻り、かつ前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する前記光の少なくとも一部が光カプラを通って伝達されるように部分反射性である光カプラと、
    レーザビームの経路におけるビーム修正光学システムと、
    を含み、
    前記ビーム修正光学システムは、前記レーザビームを前記放電チャンバに誘導する前に前記レーザビームのプロファイルを圧縮し、
    前記ビーム修正光学システムは、近視野レーザビームプロフィールが共振器内の各開口を均一に満たすように、前記レーザビームが前記放電チャンバを通過した後に、前記レーザビームのプロフィールを横断方向に拡張し、かつ、
    再生リング共振器は、再生リング共振器の内側の光学要素の熱レンズ化を引き起こす電力でレーザを作動させる時に条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まる、
    ことを特徴とする共振器。
  15. 前記ビーム修正光学システムは、再生リング共振器内で循環する前記レーザビームの波面に負の曲率を付与するように構成されることを特徴とする請求項14に記載の共振器。
  16. 前記ビーム修正光学システムは、高反射性凸面ミラーを含むことを特徴とする請求項14に記載の共振器。
  17. 電極及び前記電極間の利得媒体を有する放電チャンバと、
    前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する光の少なくとも一部が反射されて前記放電チャンバを通って戻り、かつ前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する前記光の少なくとも一部が光カプラを通って伝達されるように部分反射性である光カプラと、
    前記放電チャンバと光カプラとの間のレーザビームの経路におけるビーム修正光学システムであって、前記ビーム修正光学システムは、前記レーザビームを前記放電チャンバに誘導する前に前記レーザビームのプロファイルを圧縮する光学構成要素を含み、前記光学構成要素は、
    前記レーザビームの発散が少なくとも横断方向に沿って増加するように前記レーザビームの波面の曲率を負に変更するか、
    又は、
    前記ビーム修正光学システムに入るレーザビームに対して前記ビーム修正光学システムを出るレーザビームを拡大するか、
    の何れかによって、前記放電チャンバから前記光カプラ上に衝突するレーザのプロフィールを、前記光カプラから反射して前記放電チャンバに戻る前記レーザビームのプロフィールに対して横断方向に拡張する、
    ことを特徴とする再生リング共振器。
  18. 前記前記レーザビームの発散が少なくとも横断方向に沿って増加するように前記レーザビームの波面の曲率を負に変更することによって前記レーザビームのプロフィールを横断方向に拡張する光学構成要素は、高反射性ミラーを含んでいる、請求項17に記載の共振器。
  19. 前記高反射性ミラーは、横断方向の拡張の方向に沿って凸面であることを特徴とする請求項18に記載の共振器。
  20. 前記高反射性ミラーの表面の反射率は、94%よりも大きいことを特徴とする請求項18に記載の共振器。
  21. 前記ビーム修正光学システムは、さらに、1組のプリズムを含むことを特徴とする請求項17に記載の共振器。
  22. 更に、前記放電チャンバの外部にあり、かつ前記ビーム修正光学システムに面する側と反対の前記放電チャンバの側の前記レーザビームの前記経路にあるビーム回転光学要素を含むことを特徴とする請求項17に記載の共振器。
  23. 前記レーザビームが再生リング共振器の少なくとも一部を通って進行する時に、前記レーザビームの横断方向プロフィールのサイズが増加するが、前記レーザビーム横断方向プロフィールサイズは、前記光カプラを通って前記再生リング共振器から出力される前には前記再生リング共振器内の前記光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えないように、前記レーザビームが横断方向に拡張することを特徴とする請求項17に記載の共振器。
  24. 前記レーザビームが再生リング共振器の少なくとも一部を通って進行する時に、前記レーザビームの横断方向プロフィールのサイズが増加するが、前記レーザビーム横断方向プロフィールサイズは、前記光カプラを通って前記再生リング共振器から出力される前には前記再生リング共振器内の前記光学構成要素のいずれの横断方向サイズも超えないことを特徴とする請求項17に記載の共振器。
  25. 前記ビーム修正光学システムに入るレーザビームに対して前記ビーム修正光学システムを出るレーザビームを拡大することによって、前記レーザビームのプロフィールを横断方向に拡張する光学構成要素は、前記光カプラと前記放電チャンバとの間に配置された複数のプリズムを含むことを特徴とする、請求項17に記載の共振器。
  26. 前記複数のプリズムは、第1、第2、第3のプリズムを含んでおり、前記第1と第3のプリズムは、前記ビーム修正光学システムを通って第1の方向に沿って進行する前記レーザビームの前記プロフィールの前記横断方向サイズを低減し、かつ、前記第3と第2のプリズムは、前記ビーム修正光学システムを通って第2の方向に沿って進行する前記レーザビームの前記プロフィールの前記横断方向サイズを増大させるように構成かつ配置されたており、ここで、前記第1の方向は前記ビーム修正光学システムに入る方向であり、前記第2の方向は前記ビーム修正光学システムを出る方向である、ことを特徴とする請求項25に記載の共振器。
  27. レーザであって、
    電極及び前記電極間の利得媒体を有する放電チャンバと、
    前記放電チャンバから光カプラ上に衝突するレーザビームの少なくとも一部が反射されて前記放電チャンバを通って戻り、かつ前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する前記レーザビームの少なくとも一部が光カプラを通って伝達されるように部分反射性である光カプラと、
    前記レーザビームの経路における第1、第2、及び第3のプリズムを有するビーム修正光学システムと、
    を含む再生リング共振器、
    を含み、
    前記ビーム修正光学システムは、前記レーザビームを誘導して前記放電チャンバに通す前に、前記レーザビームを前記光カプラから前記第1及び第3のプリズムに通すことによって前記レーザビームのプロフィールを圧縮し、
    前記ビーム修正光学システムは、近視野レーザビームプロフィールがレーザ内の各開口を均一に満たすように、前記レーザビームが前記光カプラに到達する前に、前記レーザビームを前記第3及び第2のプリズムに通すことにより、前記レーザビームが前記放電チャンバを通過した後に前記レーザビームのプロフィールを拡張し、
    前記再生リング共振器は、前記再生リング共振器の内側の光学要素に熱レンズを誘起する平均出力電力でレーザを作動させる時に条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まる、
    ことを特徴とするレーザ。
  28. 放電ガスレーザのレーザビームを修正する方法であって、
    レーザビームを誘導して再生リング共振器の光カプラに通す段階と、
    放電チャンバから前記光カプラ上に衝突する光の少なくとも一部が反射されて前記放電チャンバを通って戻り、かつ前記放電チャンバから前記光カプラ上に衝突する前記光の少なくとも一部が前記光カプラを通って伝達されるように、前記光カプラを通過する前記レーザビームを前記放電チャンバを通って前記光カプラに戻るように誘導する段階と、
    近視野レーザビームプロフィールが前記レーザ内の各開口を均一に満たすように、かつ前記再生リング共振器が前記再生リング共振器内の要素の熱レンズ化を引き起こす電力で前記レーザを作動させる時に条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まるように前記レーザビームのプロフィールを横断方向に拡張する段階と、
    を含み、
    前記レーザビームの前記プロフィールを横断方向に拡張する段階は、
    前記レーザビームを誘導して前記放電チャンバに通す前に前記レーザビームを前記光カプラからプリズムの組の第1と第3のプリズムを通過させることによって前記レーザビームのプロフィールを圧縮する段階と、
    前記レーザビームを前記光カプラに到達する前に前記第3のプリズムを通過させ、かつ前記プリズムの組の第2のプリズムを通過させることにより、前記レーザビームが前記放電チャンバを通過した後に前記レーザビームのプロフィールを拡張する段階と、
    を含む、方法。
  29. レーザビームの経路における再生リング共振器であって、
    電極及び前記電極間の利得媒体を有する放電チャンバと、
    前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する光の少なくとも一部が反射されて前記放電チャンバを通って戻り、かつ前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する前記光の少なくとも一部が光カプラを通って伝達されるように部分反射性である光カプラと、
    前記レーザビームの経路における第1、第2、及び第3のプリズムを有するビーム修正光学システムと、
    を含み、
    前記ビーム修正光学システムは、前記レーザビームを誘導して前記放電チャンバに通す前に、前記レーザビームを前記光カプラから前記第1及び第3のプリズムに通すことによって前記レーザビームのプロフィールを圧縮し、
    前記ビーム修正光学システムは、近視野レーザビームプロフィールがレーザ内の各開口を均一に満たすように、前記レーザビームが前記光カプラに到達する前に、前記レーザビームを前記第3及び第2のプリズムに通すことにより、前記レーザビームが前記放電チャンバを通過した後に前記レーザビームのプロフィールを拡張し、
    前記再生リング共振器は、前記再生リング共振器の内側の光学要素に熱レンズを誘起する平均出力電力でレーザを作動させる時に条件付安定であるか又は僅かに不安定なままに留まる、
    ことを特徴とする共振器。
  30. 電極及び前記電極間の利得媒体を有する放電チャンバと、
    前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する光の少なくとも一部が反射されて前記放電チャンバを通って戻り、かつ前記放電チャンバから光カプラ上に衝突する前記光の少なくとも一部が光カプラを通って伝達されるように部分反射性である光カプラと、
    前記放電チャンバと光カプラとの間のレーザビームの経路における第1、第2、及び第3のプリズムを有するビーム修正光学システムと、
    を含み、
    前記ビーム修正光学システムは、前記レーザビームを誘導して前記放電チャンバに通す前に前記レーザビームを前記光カプラからプリズムの組の第1と第3のプリズムを通過させることによって前記レーザビームのプロフィールを圧縮する光学構成要素を含み、前記光学構成要素は、近視野レーザビームプロフィールがレーザ内の各開口を均一に満たすように、前記レーザビームが前記光カプラに到達する前に、前記レーザビームを前記第3及び第2のプリズムに通すことにより、前記放電チャンバから前記光カプラ上に衝突するレーザのプロフィールを、前記光カプラから反射して前記放電チャンバに戻る前記レーザビームのプロフィールに対して横断方向に拡張する、
    ことを特徴とする再生リング共振器。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE45957E1 (en) 2009-03-27 2016-03-29 Cymer, Llc Regenerative ring resonator
CN102810810A (zh) * 2012-03-02 2012-12-05 中国科学院光电研究院 单腔双电极放电腔及准分子激光器
US8563956B1 (en) * 2012-07-28 2013-10-22 Cymer, Llc Intracavity loss element for power amplifier
US8853657B2 (en) 2012-07-28 2014-10-07 Cymer, Llc Intracavity loss element for power amplifier
JP2014126567A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Okamoto Kogaku Kakosho:Kk 赤外固体レーザー発振装置
JP6242917B2 (ja) 2013-02-08 2017-12-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ビーム反転モジュールおよびそのようなビーム反転モジュールを有する光パワー増幅器
US8624209B1 (en) * 2013-03-14 2014-01-07 Cymer, Llc Controlling spatial properties in an excimer ring amplifier
WO2015111219A1 (ja) * 2014-01-27 2015-07-30 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び極端紫外光生成システム
US10511134B2 (en) * 2015-02-25 2019-12-17 Quanta System S.P.A. Laser system for generating laser pulse of sub-nanosecond duration
JP2018525819A (ja) * 2015-07-22 2018-09-06 中国科学院光▲電▼研究院 環状チャンバ構造を有するエキシマレーザシステム
US9945730B2 (en) 2016-09-02 2018-04-17 Cymer, Llc Adjusting an amount of coherence of a light beam
US10451890B2 (en) 2017-01-16 2019-10-22 Cymer, Llc Reducing speckle in an excimer light source
CN111148994A (zh) * 2017-09-25 2020-05-12 西默有限公司 气体放电光源中的氟检测
CN108535735A (zh) * 2018-04-13 2018-09-14 长春理工大学 用于室内可连续调节的距离模拟装置
KR20240027687A (ko) * 2021-07-15 2024-03-04 사이머 엘엘씨 리액터 리셋이 제어되는 펄스형 파워 시스템

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5023884A (en) 1988-01-15 1991-06-11 Cymer Laser Technologies Compact excimer laser
US5557630A (en) * 1995-01-13 1996-09-17 Scaggs; Michael J. Unstable laser resonator
JPH10303480A (ja) * 1997-04-24 1998-11-13 Amada Eng Center:Kk 固体レーザー発振器
US5856991A (en) 1997-06-04 1999-01-05 Cymer, Inc. Very narrow band laser
US6625191B2 (en) 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US7856044B2 (en) * 1999-05-10 2010-12-21 Cymer, Inc. Extendable electrode for gas discharge laser
US6496528B2 (en) 1999-09-03 2002-12-17 Cymer, Inc. Line narrowing unit with flexural grating mount
US6356576B1 (en) 1999-11-29 2002-03-12 Cymer, Inc. Deep ultraviolet catadioptric anamorphic telescope
US6904073B2 (en) 2001-01-29 2005-06-07 Cymer, Inc. High power deep ultraviolet laser with long life optics
US6693939B2 (en) 2001-01-29 2004-02-17 Cymer, Inc. Laser lithography light source with beam delivery
US6912052B2 (en) 2000-11-17 2005-06-28 Cymer, Inc. Gas discharge MOPA laser spectral analysis module
US7230964B2 (en) 2001-04-09 2007-06-12 Cymer, Inc. Lithography laser with beam delivery and beam pointing control
US7088758B2 (en) 2001-07-27 2006-08-08 Cymer, Inc. Relax gas discharge laser lithography light source
US7154928B2 (en) 2004-06-23 2006-12-26 Cymer Inc. Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control
JP2004039767A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Gigaphoton Inc Mopa式又は注入同期式レーザ装置
JP4162936B2 (ja) 2002-07-15 2008-10-08 サイバーレーザー株式会社 レーザー共振器及び調節方法
US20040202220A1 (en) 2002-11-05 2004-10-14 Gongxue Hua Master oscillator-power amplifier excimer laser system
JP4657103B2 (ja) 2003-04-22 2011-03-23 株式会社小松製作所 露光用2ステージレーザ装置
AU2003277752A1 (en) 2003-05-07 2004-11-26 Federalnoye Gosudarstvennoye Unitarnoye Predpriyatiye Nauchno-Proizvodstvennaya Korporatsiya Gosudarstvenniy Opticheskiy Institut Imeni S. I. Vavilova Laser with hybrid-unstable ring resonator
US7184204B2 (en) 2003-07-01 2007-02-27 Lambda Physik Ag Master-oscillator power-amplifier (MOPA) excimer or molecular fluorine laser system with long optics lifetime
JP4367836B2 (ja) * 2003-12-04 2009-11-18 株式会社小松製作所 Mopo方式2ステージレーザ装置
US7087914B2 (en) 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7366219B2 (en) 2004-11-30 2008-04-29 Cymer, Inc. Line narrowing module
JP2006203008A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Komatsu Ltd 2ステージレーザシステム
JP2007027624A (ja) * 2005-07-21 2007-02-01 Komatsu Ltd 2ステージ狭帯域化レーザ装置
US7746913B2 (en) 2005-11-01 2010-06-29 Cymer, Inc. Laser system
JP5506194B2 (ja) * 2005-11-01 2014-05-28 サイマー インコーポレイテッド レーザシステム
US7630424B2 (en) 2005-11-01 2009-12-08 Cymer, Inc. Laser system
US7715459B2 (en) 2005-11-01 2010-05-11 Cymer, Inc. Laser system
US7999915B2 (en) 2005-11-01 2011-08-16 Cymer, Inc. Laser system
US7920616B2 (en) 2005-11-01 2011-04-05 Cymer, Inc. Laser system
US7643529B2 (en) 2005-11-01 2010-01-05 Cymer, Inc. Laser system
JP4818871B2 (ja) * 2006-10-20 2011-11-16 株式会社小松製作所 レーザ装置
JP4804313B2 (ja) * 2006-11-17 2011-11-02 株式会社小松製作所 露光装置用狭帯域レーザ装置
US7643528B2 (en) * 2007-09-20 2010-01-05 Cymer, Inc. Immersion lithography laser light source with pulse stretcher

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