JP5922544B2 - Anisotropic conductive material and connection structure - Google Patents

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Description

本発明は、複数の導電性粒子を含む異方性導電材料に関し、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続するために用いることができる異方性導電材料、並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体に関する。   The present invention relates to an anisotropic conductive material including a plurality of conductive particles, for example, for electrically connecting electrodes of various connection target members such as a flexible printed circuit board, a glass substrate, a glass epoxy substrate, and a semiconductor chip. The present invention relates to an anisotropic conductive material that can be used for the present invention, and a connection structure using the anisotropic conductive material.

ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂に複数の導電性粒子が分散されている。   Pasty or film-like anisotropic conductive materials are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。   In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.

上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して接続構造体を得る。   For example, when the electrode of the semiconductor chip and the electrode of the glass substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass substrate. Next, the semiconductor chips are stacked, and heated and pressurized. Accordingly, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected through the conductive particles to obtain a connection structure.

上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献1には、(A)脂環式エポキシ化合物と、(B)カチオン発生剤と、(C1)上記脂環式エポキシ化合物よりもカチオン重合性が低い第2のカチオン重合性化合物と、導電性粒子とを含む異方性導電材料が開示されている。特許文献1では、上記(B)カチオン発生剤としては、リン酸塩及びホウ酸塩が挙げられている。   As an example of the anisotropic conductive material, the following Patent Document 1 includes (A) an alicyclic epoxy compound, (B) a cation generator, and (C1) a cationic polymerizable property than the alicyclic epoxy compound. An anisotropic conductive material including a low second cationic polymerizable compound and conductive particles is disclosed. In patent document 1, as said (B) cation generating agent, a phosphate and a borate are mentioned.

特開2011−111557号公報JP 2011-111557 A

エポキシ化合物と、加熱により酸を発生する化合物であるカチオン発生剤とを含む特許文献1に記載のような従来の異方性導電材料は、比較的低温で硬化可能である。しかし、エポキシ化合物と、加熱により酸を発生する化合物とを含む異方性導電材料では、貯蔵安定性が低いという問題がある。   A conventional anisotropic conductive material as described in Patent Document 1 including an epoxy compound and a cation generator which is a compound that generates an acid by heating can be cured at a relatively low temperature. However, an anisotropic conductive material including an epoxy compound and a compound that generates an acid upon heating has a problem that storage stability is low.

さらに、エポキシ化合物と、加熱により酸を発生する化合物とを含む従来の異方性導電材料を用いて上記接続構造体を得ると、得られる接続構造体の絶縁信頼性が低くなるという問題がある。特に、接続構造体の高温及び高湿下での絶縁信頼性が低くなりやすい。   Furthermore, when the above connection structure is obtained using a conventional anisotropic conductive material containing an epoxy compound and a compound that generates an acid upon heating, there is a problem that the insulation reliability of the resulting connection structure is lowered. . In particular, the insulation reliability of the connection structure at high temperature and high humidity tends to be low.

本発明の目的は、低温で硬化させることができ、貯蔵安定性に優れており、かつ絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることができる異方性導電材料、並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体を提供することである。   An object of the present invention is to provide an anisotropic conductive material that can be cured at a low temperature, has excellent storage stability, and can obtain a connection structure with high insulation reliability, and an anisotropic conductive material It is to provide a connection structure used.

本発明の広い局面によれば、エポキシ化合物と、導電性粒子と、下記式(1)で表される第1の化合物と、下記式(1)で表される化合物とは異なり、かつ加熱により酸を発生する第2の化合物とを含む、異方性導電材料が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, the epoxy compound, the conductive particles, the first compound represented by the following formula (1), and the compound represented by the following formula (1) are different from each other by heating. An anisotropic conductive material comprising a second compound that generates an acid is provided.

Figure 0005922544
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上記式(1)中、R1〜R5はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。   In the above formula (1), R1 to R5 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group or a benzyloxycarbonyl group, and R6 and R7 each represent an alkyl group, a benzyl group, A methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group or a naphthylmethyl group is represented, and X1 represents a halogen atom or an alkyl sulfuric acid.

本発明に係る異方性導電材料のある特定の局面では、上記第1の化合物は、下記式(1−1)で表される化合物である。   In a specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the first compound is a compound represented by the following formula (1-1).

Figure 0005922544
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上記式(1−1)中、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。   In the above formula (1-1), R6 and R7 each represents an alkyl group, a benzyl group, an o-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group or a naphthylmethyl group, and X1 represents a halogen atom. Or represents alkyl sulfate.

本発明に係る異方性導電材料のある特定の局面では、上記第1の化合物は、下記式(1A)で表される化合物である。   In a specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the first compound is a compound represented by the following formula (1A).

Figure 0005922544
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上記式(1A)中のX1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。   X1 in the above formula (1A) represents a halogen atom or an alkyl sulfuric acid.

本発明に係る異方性導電材料の他の特定の局面では、上記第1の化合物におけるX1はメチル硫酸である。   In another specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, X1 in the first compound is methylsulfuric acid.

本発明に係る異方性導電材料のさらに他の特定の局面では、上記第2の化合物は、下記式(2)で表される化合物である。   In still another specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the second compound is a compound represented by the following formula (2).

Figure 0005922544
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上記式(2)中、R11〜R15はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R16及びR17はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。   In the above formula (2), R11 to R15 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group or a benzyloxycarbonyl group, and R16 and R17 each represent an alkyl group, a benzyl group, A methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, p-methylbenzyl group or naphthylmethyl group is represented, and X11 represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.

本発明に係る異方性導電材料のある特定の局面では、上記第2の化合物は、下記式(2−1)で表される化合物である。   In a specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the second compound is a compound represented by the following formula (2-1).

Figure 0005922544
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上記式(2−1)中、R16及びR17はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。   In the above formula (2-1), R16 and R17 each represents an alkyl group, a benzyl group, an o-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group, or a naphthylmethyl group, and X11 represents a hexafluoro group. Represents antimony fluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.

本発明に係る異方性導電材料のある特定の局面では、上記第2の化合物は、下記式(2A)で表される化合物である。   In a specific aspect of the anisotropic conductive material according to the present invention, the second compound is a compound represented by the following formula (2A).

Figure 0005922544
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上記式(2A)中、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。   In the above formula (2A), X11 represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.

上記第1の化合物におけるアニオン部分が上記第2の化合物におけるアニオン部分に変換された化合物の熱分解温度が150℃以上であることが好ましい。本発明に係る異方性導電材料では、上記第2の化合物100重量部に対して、上記第1の化合物の含有量が0.5重量部以上、10重量部以下であることが好ましい。本発明に係る異方性導電材料では、上記導電性粒子100重量部に対して、上記第1の化合物と上記第2の化合物との合計の含有量が300重量部以下であることが好ましい。   The thermal decomposition temperature of the compound in which the anion moiety in the first compound is converted to the anion moiety in the second compound is preferably 150 ° C. or higher. In the anisotropic conductive material according to the present invention, the content of the first compound is preferably 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the second compound. In the anisotropic conductive material according to the present invention, the total content of the first compound and the second compound is preferably 300 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the conductive particles.

本発明に係る接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、該接続部が、上述した異方性導電材料により形成されている。   A connection structure according to the present invention includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection part that electrically connects the first and second connection target members, The connecting portion is formed of the above-described anisotropic conductive material.

本発明に係る異方性導電材料は、エポキシ化合物と、導電性粒子と、式(1)で表される第1の化合物と、式(1)で表される化合物とは異なり、かつ加熱により酸を発生する第2の化合物とを含むので、低温で硬化可能であり、かつ貯蔵安定性に優れている。さらに、本発明に係る異方性導電材料を用いて上記接続構造体を得ると、得られる接続構造体の絶縁信頼性を高めることができる。   The anisotropic conductive material according to the present invention is different from the epoxy compound, the conductive particles, the first compound represented by the formula (1), and the compound represented by the formula (1) by heating. Since it contains the 2nd compound which generate | occur | produces an acid, it can harden | cure at low temperature and is excellent in storage stability. Furthermore, when the above connection structure is obtained using the anisotropic conductive material according to the present invention, the insulation reliability of the obtained connection structure can be increased.

図1は、本発明の一実施形態に係る異方性導電材料を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。FIG. 1 is a front sectional view schematically showing a connection structure using an anisotropic conductive material according to an embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

本発明に係る異方性導電材料は、エポキシ化合物と、導電性粒子と、式(1)で表される第1の化合物と、式(1)で表される化合物とは異なり、かつ加熱により酸を発生する第2の化合物とを含む。   The anisotropic conductive material according to the present invention is different from the epoxy compound, the conductive particles, the first compound represented by the formula (1), and the compound represented by the formula (1) by heating. And a second compound that generates an acid.

本発明に係る異方性導電材料は、上記組成を有するので、特にエポキシ化合物を加熱により酸を発生する第2の化合物により熱硬化させるので、低温で硬化可能である。   Since the anisotropic conductive material according to the present invention has the above-described composition, the epoxy compound is particularly thermally cured by the second compound that generates an acid by heating, and thus can be cured at a low temperature.

さらに、本発明に係る異方性導電材料は、上記組成を有するので、特に式(1)で表される第1の化合物が加熱により酸を発生する第2の化合物とともに用いられているので、貯蔵安定性が十分に高くなる。   Furthermore, since the anisotropic conductive material according to the present invention has the above composition, since the first compound represented by the formula (1) is used together with the second compound that generates an acid by heating, Storage stability is sufficiently high.

さらに、上記組成の採用によって、本発明に係る異方性導電材料を用いた接続構造体の絶縁信頼性を高めることができる。特に、接続構造体における接続されるべき上下の電極間を、異方性導電材料に含まれている導電性粒子により接続したときに、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の絶縁信頼性を高めることができる。さらに、特に接続構造体が高温及び高湿下に晒されても、高い絶縁信頼性を十分に確保できる。本発明に係る異方性導電材料では、電極及び導電性粒子のマイグレーションの発生が抑制される結果、絶縁信頼性が高くなる。   Furthermore, by adopting the above composition, the insulation reliability of the connection structure using the anisotropic conductive material according to the present invention can be enhanced. In particular, when the upper and lower electrodes to be connected in the connection structure are connected by the conductive particles contained in the anisotropic conductive material, the insulation reliability between the laterally adjacent electrodes that should not be connected Can increase the sex. Further, high insulation reliability can be sufficiently ensured even when the connection structure is exposed to high temperature and high humidity. In the anisotropic conductive material according to the present invention, the occurrence of migration of the electrodes and conductive particles is suppressed, and as a result, the insulation reliability is increased.

以下、先ず、本発明に係る異方性導電材料に含まれている各成分、及び含まれることが好ましい各成分を詳細に説明する。   Hereinafter, each component contained in the anisotropic conductive material according to the present invention and each component preferably contained will be described in detail.

(エポキシ化合物)
本発明に係る異方性導電材料に含まれているエポキシ化合物は特に限定されない。該エポキシ化合物として、従来公知のエポキシ化合物を使用可能である。上記エポキシ化合物は、少なくとも1個のエポキシ基を有する有機化合物をいう。上記エポキシ化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Epoxy compound)
The epoxy compound contained in the anisotropic conductive material according to the present invention is not particularly limited. A conventionally well-known epoxy compound can be used as this epoxy compound. The epoxy compound refers to an organic compound having at least one epoxy group. As for the said epoxy compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、レゾルシン型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。   Examples of the epoxy compound include bisphenol A type epoxy compound, bisphenol F type epoxy compound, bisphenol S type epoxy compound, phenol novolac type epoxy compound, biphenyl novolac type epoxy compound, biphenol type epoxy compound, resorcin type epoxy compound, naphthalene type epoxy compound. Fluorene type epoxy compound, phenol aralkyl type epoxy compound, naphthol aralkyl type epoxy compound, dicyclopentadiene type epoxy compound, anthracene type epoxy compound, epoxy compound having adamantane skeleton, epoxy compound having tricyclodecane skeleton, and triazine nucleus Examples thereof include an epoxy compound having a skeleton.

上記エポキシ化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。   The epoxy compound preferably has an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, tetracene ring, chrysene ring, triphenylene ring, tetraphen ring, pyrene ring, pentacene ring, picene ring, and perylene ring. Especially, it is preferable that the said aromatic ring is a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring, and it is more preferable that it is a benzene ring or a naphthalene ring. A naphthalene ring is preferred because it has a planar structure and can be cured more rapidly.

(式(1)で表される第1の化合物)
本発明に係る異方性導電材料は、下記式(1)で表される第1の化合物を含む。該第1の化合物は、異方性導電材料の貯蔵安定性の向上に大きく寄与する。上記第1の化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(First compound represented by formula (1))
The anisotropic conductive material according to the present invention includes a first compound represented by the following formula (1). The first compound greatly contributes to the improvement of the storage stability of the anisotropic conductive material. As for the said 1st compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

Figure 0005922544
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上記式(1)中、R1〜R5はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。   In the above formula (1), R1 to R5 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group or a benzyloxycarbonyl group, and R6 and R7 each represent an alkyl group, a benzyl group, A methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group or a naphthylmethyl group is represented, and X1 represents a halogen atom or an alkyl sulfuric acid.

異方性導電材料の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、上記式(1)中のR1〜R5はそれぞれ水素原子を表し、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表すことが好ましい。すなわち、上記第1の化合物は、下記式(1−1)で表される化合物であることが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the storage stability of the anisotropic conductive material, R1 to R5 in the above formula (1) each represents a hydrogen atom, and R6 and R7 are each an alkyl group, a benzyl group, and о-methylbenzyl. Represents a group, m-methylbenzyl group, p-methylbenzyl group or naphthylmethyl group, and X1 preferably represents a halogen atom or alkylsulfuric acid. That is, the first compound is preferably a compound represented by the following formula (1-1).

Figure 0005922544
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上記式(1−1)中、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。   In the above formula (1-1), R6 and R7 each represents an alkyl group, a benzyl group, an o-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group or a naphthylmethyl group, and X1 represents a halogen atom. Or represents alkyl sulfate.

上記式(1)中、R1〜R5はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R6及びR7はそれぞれメチル基を表し、X1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す第1の化合物を用いてもよい。また、異方性導電材料の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、上記式(1)中のR1〜R5はそれぞれ水素原子を表し、R6及びR7はそれぞれメチル基を表すことが好ましい。すなわち、上記第1の化合物は、下記式(1A)で表される化合物であることが好ましい。   In the above formula (1), R1 to R5 each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group or a benzyloxycarbonyl group, R6 and R7 each represent a methyl group, and X1 represents a halogen atom A first compound representing an atom or an alkyl sulfuric acid may be used. Moreover, from the viewpoint of further enhancing the storage stability of the anisotropic conductive material, it is preferable that R1 to R5 in the above formula (1) each represent a hydrogen atom, and R6 and R7 each represent a methyl group. That is, the first compound is preferably a compound represented by the following formula (1A).

Figure 0005922544
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上記式(1A)中のX1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。   X1 in the above formula (1A) represents a halogen atom or an alkyl sulfuric acid.

異方性導電材料の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、上記第1の化合物におけるX1はアルキル硫酸であることが好ましい。アルキル硫酸は、RSOで表される。従って、X1がアルキル硫酸である場合に、X1はRSO で表される。アルキル硫酸におけるアルキル基の炭素数は、好ましくは5以下、より好ましくは2以下、特に好ましくは1である。 From the viewpoint of further enhancing the storage stability of the anisotropic conductive material, X1 in the first compound is preferably alkyl sulfuric acid. Alkyl sulfates is represented by RSO 4. Thus, if X1 is an alkyl sulfate, X1 - it is RSO 4 - represented by. The carbon number of the alkyl group in the alkyl sulfuric acid is preferably 5 or less, more preferably 2 or less, and particularly preferably 1.

異方性導電材料の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、アルキル硫酸は、メチル硫酸又はエチル硫酸であることが好ましく、メチル硫酸であることがより好ましい。メチル硫酸は、CHSOで表される。従って、X1がメチル硫酸である場合に、X1はCHSO で表される。 From the viewpoint of further improving the storage stability of the anisotropic conductive material, the alkyl sulfuric acid is preferably methyl sulfuric acid or ethyl sulfuric acid, and more preferably methyl sulfuric acid. Methyl sulfuric acid is represented by CH 3 SO 4 . Thus, if X1 is methyl sulfate, X1 - is CH 3 SO 4 - represented by.

異方性導電材料の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、上記第1の化合物は、下記式(1X)で表される化合物であることが好ましく、下記式(1X−1)で表される化合物であることがより好ましく、下記式(1AX)で表される化合物であることが特に好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the storage stability of the anisotropic conductive material, the first compound is preferably a compound represented by the following formula (1X), and represented by the following formula (1X-1). More preferably, it is a compound represented by the following formula (1AX).

Figure 0005922544
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上記式(1X)中、R1〜R5はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表す。   In the above formula (1X), R1 to R5 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group, or a benzyloxycarbonyl group, and R6 and R7 each represent an alkyl group, a benzyl group, Represents a methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, p-methylbenzyl group or naphthylmethyl group.

Figure 0005922544
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上記式(1X−1)中、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表す。   In the above formula (1X-1), R6 and R7 each represents an alkyl group, a benzyl group, an o-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group, or a naphthylmethyl group.

Figure 0005922544
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上記第2の化合物100重量部に対して、上記第1の化合物の含有量は好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.1重量部以上、更に好ましくは0.5重量部以上、好ましくは100重量部以下、より好ましくは50重量部以下、更に好ましくは10重量部以下である。上記第1の化合物の含有量が上記下限以上であると、異方性導電材料の貯蔵安定性がより一層高くなる。上記第1の化合物の含有量が上記上限以下であると、異方性導電材料の貯蔵安定性を高めるために上記第1の化合物が過剰でなくなり、更に異方性導電材料の低温硬化性がより一層良好になる。   The content of the first compound is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, still more preferably 0.5 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the second compound. The amount is preferably 100 parts by weight or less, more preferably 50 parts by weight or less, and still more preferably 10 parts by weight or less. When the content of the first compound is not less than the above lower limit, the storage stability of the anisotropic conductive material is further enhanced. When the content of the first compound is not more than the above upper limit, the first compound is not excessive in order to increase the storage stability of the anisotropic conductive material, and the low temperature curability of the anisotropic conductive material is further reduced. Even better.

異方性導電材料の貯蔵安定性を効果的に高める観点からは、上記第2の化合物100重量部に対して、上記第1の化合物の含有量は0.5重量部以上、10重量部以下であることが特に好ましい。   From the viewpoint of effectively increasing the storage stability of the anisotropic conductive material, the content of the first compound is 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the second compound. It is particularly preferred that

(加熱により酸を発生する第2の化合物)
本発明に係る異方性導電材料に含まれている第2の化合物は、加熱により酸を発生する。該第2の化合物は、上記式(1)で表される化合物とは異なる。該第2の化合物は、上記式(1)で表される化合物に相当しない。従って、上記第2の化合物は、上記第1の化合物に相当しない。上記第2の化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Second compound that generates acid by heating)
The second compound contained in the anisotropic conductive material according to the present invention generates an acid by heating. The second compound is different from the compound represented by the formula (1). The second compound does not correspond to the compound represented by the above formula (1). Therefore, the second compound does not correspond to the first compound. As for the said 2nd compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

異方性導電材料をより一層低温で硬化可能にし、かつ異方性導電材料の貯蔵安定性及び接続構造体の絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第2の化合物は、下記式(2)で表される化合物であることが好ましい。   From the viewpoint of making the anisotropic conductive material curable at a lower temperature and further enhancing the storage stability of the anisotropic conductive material and the insulation reliability of the connection structure, the second compound is represented by the following formula ( It is preferable that it is a compound represented by 2).

Figure 0005922544
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上記式(2)中、R11〜R15はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R16及びR17はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。六フッ化アンチモンは、SbFで表される。従って、X11が六フッ化アンチモンである場合に、X11はSbF で表される。テトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素は、B(Cで表される。従って、X11がテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素である場合に、X11はB(C で表され、具体的には下記式(Xa)で表される。 In the above formula (2), R11 to R15 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group or a benzyloxycarbonyl group, and R16 and R17 each represent an alkyl group, a benzyl group, A methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, p-methylbenzyl group or naphthylmethyl group is represented, and X11 represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron. Antimony hexafluoride is represented by SbF 6. Therefore, when the X11 is hexafluoroantimonate, X11 - it is SbF 6 - represented by. Tetra (pentafluorophenyl) boron is represented by B (C 6 F 5 ) 4 . Therefore, when the X11 is tetra (pentafluorophenyl) boron, X11 - it is B (C 6 F 5) 4 - is represented by, in particular represented by the following formula (Xa).

Figure 0005922544
Figure 0005922544

異方性導電材料をより一層低温で硬化可能にし、かつ異方性導電材料の貯蔵安定性及び接続構造体の絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第2の化合物は、上記式(2)中、R11〜R15はそれぞれ水素原子を表し、R16及びR17はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表すことが好ましい。すなわち、上記第2の化合物は、下記式(2−1)で表される化合物であることが好ましい。   From the viewpoint of making the anisotropic conductive material curable at a lower temperature and further enhancing the storage stability of the anisotropic conductive material and the insulation reliability of the connection structure, the second compound is represented by the formula ( In 2), R11 to R15 each represent a hydrogen atom, R16 and R17 each represent an alkyl group, a benzyl group, an о-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group, or a naphthylmethyl group, X11 preferably represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron. That is, the second compound is preferably a compound represented by the following formula (2-1).

Figure 0005922544
Figure 0005922544

上記式(2−1)中、R16及びR17はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。   In the above formula (2-1), R16 and R17 each represents an alkyl group, a benzyl group, an o-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group, or a naphthylmethyl group, and X11 represents a hexafluoro group. Represents antimony fluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.

上記式(2)中、R11〜R15はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R16は、ナフチルメチル基を表し、R17は、メチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す第2の化合物を用いてもよい。また、異方性導電材料をより一層低温で硬化可能にし、かつ異方性導電材料の貯蔵安定性及び接続構造体の絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第2の化合物は、下記式(2A)で表される化合物であることが好ましい。   In the above formula (2), R11 to R15 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group or a benzyloxycarbonyl group, R16 represents a naphthylmethyl group, and R17 represents a methyl group. X11 may be a second compound representing antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron. From the viewpoint of making the anisotropic conductive material curable at a lower temperature and further enhancing the storage stability of the anisotropic conductive material and the insulation reliability of the connection structure, the second compound is: It is preferable that it is a compound represented by Formula (2A).

Figure 0005922544
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上記式(2A)中、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。   In the above formula (2A), X11 represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.

上記第1の化合物におけるアニオン部分が上記第2の化合物におけるアニオン部分に変換された化合物(以下、化合物Cと記載することがある)の熱分解温度は、好ましくは130℃以上、より好ましくは150℃以上、好ましくは250℃以下、より好ましくは220℃以下である。上記化合物C熱分解温度が上記下限以上であると、異方性導電材料の熱硬化が良好になり、更に異方性導電材料の貯蔵安定性がより一層高くなる。上記化合物Cの熱分解温度が上記上限以下であると、異方性導電材料をより一層低温で硬化可能である。上記化合物Cの上記熱分解温度は、150℃以上であることがより好ましい。   The thermal decomposition temperature of the compound in which the anion moiety in the first compound is converted to the anion moiety in the second compound (hereinafter sometimes referred to as compound C) is preferably 130 ° C. or higher, more preferably 150. ℃ or higher, preferably 250 ℃ or lower, more preferably 220 ℃ or lower. When the compound C thermal decomposition temperature is not less than the above lower limit, the thermosetting of the anisotropic conductive material becomes good, and the storage stability of the anisotropic conductive material is further enhanced. When the thermal decomposition temperature of the compound C is not more than the above upper limit, the anisotropic conductive material can be cured at a lower temperature. The thermal decomposition temperature of the compound C is more preferably 150 ° C. or higher.

なお、上記式(1)又は上記式(1X)で表される第1の化合物と上記式(2)、上記式(2−1)又は上記式(2A)で表される第2の化合物とを用いた場合には、上記化合物Cは下記式(11)で表される。   The first compound represented by the above formula (1) or the above formula (1X) and the second compound represented by the above formula (2), the above formula (2-1) or the above formula (2A) When is used, the compound C is represented by the following formula (11).

Figure 0005922544
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上記式(11)中、R1〜R5はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。   In the above formula (11), R1 to R5 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group, or a benzyloxycarbonyl group, and R6 and R7 each represent an alkyl group, a benzyl group, A methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, p-methylbenzyl group or naphthylmethyl group is represented, and X11 represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.

なお、上記式(1−1)又は上記式(1X−1)で表される第1の化合物と上記式(2)、上記式(2−1)又は上記式(2A)で表される第2の化合物とを用いた場合には、上記化合物Cは下記式(11−1)で表される。   The first compound represented by the formula (1-1) or the formula (1X-1) and the formula (2), the formula (2-1) or the formula (2A) When compound 2 is used, the compound C is represented by the following formula (11-1).

Figure 0005922544
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上記式(11−1)中、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。   In the above formula (11-1), R6 and R7 each represents an alkyl group, a benzyl group, an o-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group, or a naphthylmethyl group, and X11 represents a hexafluoro group. Represents antimony fluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.

上記式(1A)又は上記式(1AX)で表される第1の化合物と上記式(2)、上記式(2−1)又又は上記式(2A)で表される第2の化合物とを用いた場合には、上記化合物Cは下記式(11X)で表される。   A first compound represented by the above formula (1A) or the above formula (1AX) and a second compound represented by the above formula (2), the above formula (2-1) or the above formula (2A). When used, the compound C is represented by the following formula (11X).

Figure 0005922544
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上記式(11X)中、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。   In the above formula (11X), X11 represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.

上記導電性粒子100重量部に対して、上記第1の化合物と上記第2の化合物との合計の含有量は、好ましくは10重量部以上、より好ましくは50重量部以上、更に好ましくは100重量部以上、好ましくは1000重量部以下、より好ましくは500重量部以下、更に好ましくは300重量部以下である。上記第1,第2の化合物の合計の含有量が上記下限以上であると、異方性導電材料の低温硬化性がより一層良好になる。上記第1,第2の化合物の合計の含有量が上記上限以下であると、接続構造体の絶縁信頼性がより一層良好になる。   The total content of the first compound and the second compound is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 50 parts by weight or more, and still more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the conductive particles. Part or more, preferably 1000 parts by weight or less, more preferably 500 parts by weight or less, and still more preferably 300 parts by weight or less. When the total content of the first and second compounds is not less than the above lower limit, the low-temperature curability of the anisotropic conductive material is further improved. When the total content of the first and second compounds is not more than the above upper limit, the insulation reliability of the connection structure is further improved.

接続構造体の絶縁信頼性を効果的に高める観点からは、上記導電性粒子100重量部に対して、上記第1,第2の化合物の合計の含有量は300重量部以下であることが特に好ましい。   From the viewpoint of effectively increasing the insulation reliability of the connection structure, the total content of the first and second compounds is particularly 300 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the conductive particles. preferable.

(導電性粒子)
上記異方性導電材料に含まれている導電性粒子は、第1,第2の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。導電性粒子の導電層の表面が、絶縁性粒子により被覆されていてもよい。これらの場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層又は絶縁性粒子が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を金属層(導電層)で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記金属層は特に限定されない。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する金属層等が挙げられる。
(Conductive particles)
The conductive particles contained in the anisotropic conductive material electrically connect the electrodes of the first and second connection target members. The conductive particles are not particularly limited as long as they are conductive particles. The surface of the conductive layer of the conductive particles may be covered with an insulating layer. The surface of the conductive layer of the conductive particles may be covered with insulating particles. In these cases, the insulating layer or insulating particles between the conductive layer and the electrode are excluded when the connection target member is connected. The conductive particles include, for example, organic particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles or conductive particles whose surfaces are covered with a metal layer (conductive layer), and substantially only metal. Examples thereof include metal particles. The metal layer is not particularly limited. Examples of the metal layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, and a metal layer containing tin.

電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有することが好ましい。上記導電性粒子は、導電層の少なくとも外側の表面層が、はんだ層である導電性粒子であってもよい。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes, the conductive particles preferably include resin particles and a conductive layer disposed on the surface of the resin particles. The conductive particles may be conductive particles in which at least the outer surface layer of the conductive layer is a solder layer.

上記はんだ層を構成する材料は特に限定されないが、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ層の組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系(117℃共晶)、又は錫−ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、はんだ層は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ層、又は錫とビスマスとを含むはんだ層であることが好ましい。   Although the material which comprises the said solder layer is not specifically limited, Based on JISZ3001: welding term, it is preferable that it is a filler material whose liquidus is 450 degrees C or less. As a composition of the said solder layer, the metal composition containing zinc, gold | metal | money, lead, copper, tin, bismuth, indium etc. is mentioned, for example. Among them, a tin-indium system (117 ° C. eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C. eutectic) which is low-melting and lead-free is preferable. That is, the solder layer preferably does not contain lead, and is preferably a solder layer containing tin and indium or a solder layer containing tin and bismuth.

上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは20μm以下、更に好ましくは15μm以下、特に好ましくは10μm以下、最も好ましくは5μm未満である。   The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, still more preferably 15 μm or less, particularly preferably 10 μm or less, and most preferably 5 μm. Is less than.

上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The “average particle size” of the conductive particles indicates a number average particle size. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記エポキシ化合物100重量部に対して、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.5重量部以上、更に好ましくは1重量部以上、特に好ましくは2重量部以上、好ましくは40重量部以下、より好ましくは30重量部以下、更に好ましくは20重量部以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。   The content of the conductive particles with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight or more, further preferably 1 part by weight or more, and particularly preferably 2 parts by weight. Part by weight or more, preferably 40 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less, and still more preferably 20 parts by weight or less. A conductive particle can be easily arrange | positioned between the upper and lower electrodes which should be connected as content of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit. Furthermore, it becomes difficult to electrically connect adjacent electrodes that should not be connected via a plurality of conductive particles. That is, a short circuit between adjacent electrodes can be further prevented.

(他の成分)
上記異方性導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電材料の硬化物の熱線膨張率を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。上記フィラーは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。
(Other ingredients)
The anisotropic conductive material preferably contains a filler. By using the filler, the thermal expansion coefficient of the cured product of the anisotropic conductive material can be suppressed. Specific examples of the filler include silica, aluminum nitride, alumina, glass, boron nitride, silicon nitride, silicone, carbon, graphite, graphene, and talc. As for the said filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. When a filler having a high thermal conductivity is used, the main curing time is shortened.

上記異方性導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、n−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。   The anisotropic conductive material may contain a solvent. By using the solvent, the viscosity of the anisotropic conductive material can be easily adjusted. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl cellosolve, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, n-hexane, tetrahydrofuran, and diethyl ether.

(異方性導電材料の詳細及び用途)
本発明に係る異方性導電材料は、ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料であり、ペースト状の異方性導電材料であることが好ましい。ペースト状の異方性導電材料は、異方性導電ペーストである。フィルム状の異方性導電材料は、異方性導電フィルムである。異方性導電材料が異方性導電フィルムである場合、該導電性粒子を含む異方性導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されてもよい。
(Details and applications of anisotropic conductive materials)
The anisotropic conductive material according to the present invention is a paste-like or film-like anisotropic conductive material, and is preferably a paste-like anisotropic conductive material. The paste-like anisotropic conductive material is an anisotropic conductive paste. The film-like anisotropic conductive material is an anisotropic conductive film. When the anisotropic conductive material is an anisotropic conductive film, a film that does not include conductive particles may be laminated on the anisotropic conductive film that includes the conductive particles.

上記異方性導電ペーストの25℃での粘度は、好ましくは20Pa・s以上、より好ましくは50Pa・s以上、好ましくは700Pa・s以下、より好ましくは500Pa・s以下である。上記粘度が上記下限以上であると、異方性導電ペースト中での導電性粒子の沈降を抑制できる。上記粘度が上記上限以下であると、導電性粒子の分散性がより一層高くなる。塗布前の上記異方性導電ペーストの上記粘度が上記範囲内であれば、第1の接続対象部材上に異方性導電ペーストを塗布した後に、硬化前の異方性導電ペーストの流動がより一層生じ難くなり、更にボイドがより一層生じ難くなる。   The viscosity of the anisotropic conductive paste at 25 ° C. is preferably 20 Pa · s or more, more preferably 50 Pa · s or more, preferably 700 Pa · s or less, more preferably 500 Pa · s or less. When the viscosity is equal to or higher than the lower limit, sedimentation of conductive particles in the anisotropic conductive paste can be suppressed. When the viscosity is equal to or lower than the upper limit, the dispersibility of the conductive particles is further increased. If the viscosity of the anisotropic conductive paste before application is within the above range, after the anisotropic conductive paste is applied on the first connection target member, the flow of the anisotropic conductive paste before curing is more It becomes more difficult to generate, and voids are further less likely to be generated.

本発明に係る異方性導電材料は、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。上記異方性導電材料は、第1,第2の接続対象部材が電気的に接続されている接続構造体を得るために好適に用いられる。   The anisotropic conductive material which concerns on this invention can be used in order to adhere | attach various connection object members. The anisotropic conductive material is suitably used for obtaining a connection structure in which the first and second connection target members are electrically connected.

図1に、本発明の一実施形態に係る異方性導電材料を用いた接続構造体の一例を模式的に断面図で示す。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a connection structure using an anisotropic conductive material according to an embodiment of the present invention.

図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材4と、第1,第2の接続対象部材2,4を電気的に接続している接続部3とを備える。接続部3は、硬化物層であり、導電性粒子5を含む異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。   A connection structure 1 shown in FIG. 1 includes a first connection target member 2, a second connection target member 4, and a connection portion that electrically connects the first and second connection target members 2 and 4. 3. The connection portion 3 is a cured product layer and is formed by curing an anisotropic conductive material including the conductive particles 5.

第1の接続対象部材2は上面2a(表面)に、複数の第1の電極2bを有する。第2の接続対象部材4は下面4a(表面)に、複数の第2の電極4bを有する。第1の電極2bと第2の電極4bとが、1つ又は複数の導電性粒子5により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材2,4が導電性粒子5により電気的に接続されている。   The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2b on the upper surface 2a (front surface). The second connection target member 4 has a plurality of second electrodes 4b on the lower surface 4a (front surface). The first electrode 2 b and the second electrode 4 b are electrically connected by one or a plurality of conductive particles 5. Therefore, the first and second connection target members 2 and 4 are electrically connected by the conductive particles 5.

第1,第2の電極2b,4b間の接続は、通常、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材4とを異方性導電材料を介して第1,第2の電極2b,4b同士が対向するように重ね合わせた後に、異方性導電材料を硬化させる際に、加圧することにより行われる。加圧により、一般に導電性粒子5は圧縮される。   The connection between the first and second electrodes 2b and 4b is usually performed by connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 4 with an anisotropic conductive material between the first and second electrodes 2b. , 4b are overlapped so as to face each other, and then the anisotropic conductive material is cured by applying pressure. Generally, the conductive particles 5 are compressed by pressurization.

上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記異方性導電材料は、電子部品の接続に用いられる異方性導電材料であることが好ましい。上記異方性導電材料は、異方性導電ペーストであって、かつペーストの状態で接続対象部材の上面に塗工される異方性導電材料であることが好ましい。   The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specific examples of the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and electronic components such as circuit boards such as printed boards, flexible printed boards, and glass boards. It is done. The anisotropic conductive material is preferably an anisotropic conductive material used for connecting electronic components. The anisotropic conductive material is preferably an anisotropic conductive paste and is an anisotropic conductive material that is applied to the upper surface of the connection target member in a paste state.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material of the metal oxide include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

実施例、比較例及び参考例では、以下の材料を用いた。   In the examples, comparative examples, and reference examples, the following materials were used.

(エポキシ化合物)
エポキシ化合物1(DIC社製「EXA4850−150」)
エポキシ化合物2(ADEKA社製「EP−4000S」)
(Epoxy compound)
Epoxy compound 1 (DIC Corporation "EXA4850-150")
Epoxy compound 2 (“EP-4000S” manufactured by ADEKA)

(第1の化合物)
第1の化合物1(上記式(1AX)で表される化合物)
第1の化合物2(上記式(1)で表され、R1〜R5がそれぞれ水素原子、R6がナフチルメチル基、R7がメチル基、X1がメチル硫酸である化合物)
第1の化合物3(上記式(1)で表され、R1〜R5がそれぞれ水素原子、R6及びR7がメチル基、X1が塩素原子である化合物)
(First compound)
First compound 1 (compound represented by the above formula (1AX))
First compound 2 (compound represented by the above formula (1), wherein R1 to R5 are each a hydrogen atom, R6 is a naphthylmethyl group, R7 is a methyl group, and X1 is methylsulfuric acid)
First compound 3 (compound represented by the above formula (1), wherein R1 to R5 are each a hydrogen atom, R6 and R7 are methyl groups, and X1 is a chlorine atom)

(第2の化合物)
第2の化合物1(上記式(2A)で表され、X11がテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素である化合物)
第2の化合物2(上記式(2A)で表され、X11が六フッ化アンチモンである化合物)
第2の化合物3(上記式(2)で表され、R11〜R15がそれぞれ水素原子、R16及びR17がベンジルメチル基、X11がテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素である化合物)
(Second compound)
Second compound 1 (compound represented by the above formula (2A), wherein X11 is tetra (pentafluorophenyl) borane)
Second compound 2 (compound represented by the above formula (2A), wherein X11 is antimony hexafluoride)
Second compound 3 (compound represented by the above formula (2), wherein R11 to R15 are each a hydrogen atom, R16 and R17 are benzylmethyl groups, and X11 is tetra (pentafluorophenyl) boron)

(導電性粒子)
導電性粒子1(平均粒子径10μm、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子)
導電性粒子2(平均粒子径10μm、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子)
(Conductive particles)
Conductive particles 1 (conductive particles having an average particle diameter of 10 μm, a metal layer in which a nickel plating layer is formed on the surface of divinylbenzene resin particles, and a gold plating layer is formed on the surface of the nickel plating layer)
Conductive particles 2 (conductive particles having an average particle diameter of 10 μm and a metal layer in which a nickel plating layer is formed on the surface of divinylbenzene resin particles)

(実施例1〜18及び比較例1,2)
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。
(Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 and 2)
The components shown in Table 1 below were blended in the blending amounts shown in Table 1 below to obtain anisotropic conductive paste.

(評価)
(1)熱分解温度
上記第1の化合物におけるアニオン部分が上記第2の化合物におけるアニオン部分に変換された化合物Cの熱分解温度を評価した。DSC装置(TA Instuments社製「Q100」)を用いて、熱分解温度を測定した。熱分解温度を下記の基準で判定した。
(Evaluation)
(1) Thermal decomposition temperature The thermal decomposition temperature of the compound C in which the anion part in the said 1st compound was converted into the anion part in the said 2nd compound was evaluated. The thermal decomposition temperature was measured using a DSC apparatus (“Q100” manufactured by TA Instruments). The thermal decomposition temperature was determined according to the following criteria.

[熱分解温度の判定基準]
○:熱分解温度が150℃以上、250℃以下
×:熱分解温度が150℃未満
[Criteria for thermal decomposition temperature]
○: Thermal decomposition temperature is 150 ° C or higher and 250 ° C or lower ×: Thermal decomposition temperature is lower than 150 ° C

(2)低温硬化性と導通性評価
L/Sが200μm/200μmの金電極パターンを上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)を用意した。また、L/Sが200μm/200μmの金電極パターンを上面に有するフレキシブル基板を用意した。
(2) Low-temperature curability and conductivity evaluation A glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a gold electrode pattern with an L / S of 200 μm / 200 μm on the upper surface was prepared. A flexible substrate having a gold electrode pattern with L / S of 200 μm / 200 μm on the upper surface was prepared.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電材料を厚さ30μmとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。次に、異方性導電材料層の上面に上記フレキシブル基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が170℃又は190℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、フレキシブル基板の上面に加圧加熱ヘッドを載せ、2.0MPaの圧力をかけて異方性導電材料層を170℃又は190℃で10秒間硬化させ、接続構造体を得た。   An anisotropic conductive material layer was formed on the top surface of the glass epoxy substrate by coating the anisotropic conductive material immediately after fabrication so as to have a thickness of 30 μm. Next, the flexible substrate was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive material layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive material layer becomes 170 ° C. or 190 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the flexible substrate and a pressure of 2.0 MPa is applied to the anisotropic The conductive material layer was cured at 170 ° C. or 190 ° C. for 10 seconds to obtain a connection structure.

得られた接続構造体について、異方性導電ペーストの硬化状態と接続構造体における抵抗値から、低温硬化性を下記の基準で判定した。   About the obtained connection structure, low-temperature curability was determined on the following reference | standard from the hardening state of the anisotropic electrically conductive paste, and the resistance value in a connection structure.

[低温硬化性の判定基準]
○:170℃及び190℃の双方でペーストが硬化しており、抵抗値が2.0Ω以下
△:190℃の場合のみペーストが硬化しており、抵抗値が2.0Ω以下
×:170℃及び190℃の双方でペーストが硬化しておらず、基板同士が接続できていない
[Criteria for low-temperature curability]
○: The paste is cured at both 170 ° C. and 190 ° C., and the resistance value is 2.0Ω or less. Δ: The paste is cured only at 190 ° C., and the resistance value is 2.0Ω or less. The paste is not cured at both of 190 ° C, and the boards are not connected.

(3)貯蔵安定性
粘度計(東機産業社製「TV−22」)を用いて、25℃及び5rpmの条件で、作製直後の異方性導電材料の粘度η1を測定した。異方性導電材料を作製した後、25℃で72時間保管した。粘度η1と同様の条件で、保管後の異方性導電材料の粘度η2を測定した。貯蔵安定性を下記の基準で判定した。
(3) Storage stability Using a viscometer (“TV-22” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.), the viscosity η1 of the anisotropic conductive material immediately after production was measured under the conditions of 25 ° C. and 5 rpm. After producing the anisotropic conductive material, it was stored at 25 ° C. for 72 hours. Under the same conditions as the viscosity η1, the viscosity η2 of the anisotropic conductive material after storage was measured. Storage stability was determined according to the following criteria.

[貯蔵安定性の判定基準]
○○:粘度η2が粘度η1の120%以下
○:粘度η2が粘度η1の120%を超え、130%以下
△:粘度η2が粘度η1の130%を超え、140%以下
×:粘度η2が粘度η1の140%を超える
[Criteria for storage stability]
◯: Viscosity η2 is 120% or less of viscosity η1 ○: Viscosity η2 exceeds 120% of viscosity η1, 130% or less Δ: Viscosity η2 exceeds 130% of viscosity η1, 140% or less ×: Viscosity η2 is viscosity Over 140% of η1

(4)絶縁信頼性
L/Sが80μm/80μmのくし型銅電極パターンを上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)を用意した。
(4) Insulation reliability A glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a comb-shaped copper electrode pattern with an L / S of 80 μm / 80 μm on the upper surface was prepared.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電材料を厚さ30μmとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。次に、ガラスを積層し、異方性導電材料層の温度が190℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、ガラスの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、2.0MPaの圧力をかけて異方性導電材料層を190℃で10秒間硬化させ、接続構造体を得た。   An anisotropic conductive material layer was formed on the top surface of the glass epoxy substrate by coating the anisotropic conductive material immediately after fabrication so as to have a thickness of 30 μm. Next, while laminating the glass and adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive material layer is 190 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the glass and a pressure of 2.0 MPa is applied. The anisotropic conductive material layer was cured at 190 ° C. for 10 seconds to obtain a connection structure.

得られた接続構造体の互いに絶縁された測定用端子間に20Vの電圧を印加した状態で85℃85%RHの雰囲気下にて500時間暴露した(絶縁信頼性試験)。この間、測定用端子間の抵抗値変化を測定した。抵抗値が10Ω以下となった場合を絶縁不良と判断した。絶縁信頼性を下記基準で判定した。 The connection structure thus obtained was exposed for 500 hours in an atmosphere of 85 ° C. and 85% RH with a voltage of 20 V applied between the measurement terminals insulated from each other (insulation reliability test). During this time, the change in resistance value between the measurement terminals was measured. A case where the resistance value was 10 7 Ω or less was judged as an insulation failure. Insulation reliability was judged according to the following criteria.

[絶縁信頼性の判定基準]
○:10個の接続構造体のうち、500時間暴露中に抵抗値が10Ω未満になる接続構造体がない
△:10個の接続構造体のうち、500時間暴露中に抵抗値が10Ω未満になる接続構造体があるものの、10Ω未満になる接続構造体はない
×:10個の接続構造体のうち、500時間暴露中に抵抗値が10Ω未満になる接続構造体1個以上がある
[Criteria for insulation reliability]
○: Among 10 connection structures, there is no connection structure that has a resistance value of less than 10 7 Ω during exposure for 500 hours. Δ: Of 10 connection structures, the resistance value is 10 during exposure for 500 hours. Although there is a connection structure that is less than 7 Ω, there is no connection structure that is less than 10 5 Ω. X: Of 10 connection structures, a connection structure whose resistance value is less than 10 5 Ω during 500 hours exposure There is more than one body

結果を下記の表1に示す。なお、下記の表1において、「−」は評価していないことを示す。   The results are shown in Table 1 below. In Table 1 below, “−” indicates that evaluation is not performed.

Figure 0005922544
Figure 0005922544

1…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…上面
2b…第1の電極
3…接続部
4…第2の接続対象部材
4a…下面
4b…第2の電極
5…導電性粒子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Connection structure 2 ... 1st connection object member 2a ... Upper surface 2b ... 1st electrode 3 ... Connection part 4 ... 2nd connection object member 4a ... Lower surface 4b ... 2nd electrode 5 ... Conductive particle

Claims (10)

エポキシ化合物と、
導電性粒子と、
下記式(1−1)で表される第1の化合物と、
下記式(1)で表される化合物とは異なり、かつ加熱により酸を発生する第2の化合物とを含む、異方性導電材料。
Figure 0005922544
前記式(1)中、R1〜R5はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。
Figure 0005922544
前記式(1−1)中、R6及びR7はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。
An epoxy compound,
Conductive particles;
A first compound represented by the following formula ( 1-1 );
An anisotropic conductive material comprising a second compound that is different from the compound represented by the following formula (1) and generates an acid by heating.
Figure 0005922544
In the formula (1), R1 to R5 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group, or a benzyloxycarbonyl group, and R6 and R7 each represent an alkyl group, a benzyl group, A methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group or a naphthylmethyl group is represented, and X1 represents a halogen atom or an alkyl sulfuric acid.
Figure 0005922544
In the formula (1-1), R6 and R7 each represents an alkyl group, a benzyl group, an o-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group or a naphthylmethyl group, and X1 represents a halogen atom. Or represents alkyl sulfate.
前記第1の化合物が、下記式(1A)で表される化合物である、請求項に記載の異方性導電材料。
Figure 0005922544
前記式(1A)中のX1は、ハロゲン原子又はアルキル硫酸を表す。
The anisotropic conductive material according to claim 1 , wherein the first compound is a compound represented by the following formula (1A).
Figure 0005922544
X1 in the formula (1A) represents a halogen atom or an alkyl sulfuric acid.
前記第1の化合物におけるX1がメチル硫酸である、請求項1又は2に記載の異方性導電材料。 The anisotropic conductive material according to claim 1 or 2 , wherein X1 in the first compound is methylsulfuric acid. 前記第2の化合物が、下記式(2)で表される化合物である、請求項1〜のいずれか1項に記載の異方性導電材料。
Figure 0005922544
前記式(2)中、R11〜R15はそれぞれ、水素原子、アルキル基、アセチル基、アルコキシカルボニル基、ベンゾイル基又はベンジルオキシカルボニル基を表し、R16及びR17はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。
The anisotropic conductive material according to any one of claims 1 to 3 , wherein the second compound is a compound represented by the following formula (2).
Figure 0005922544
In the formula (2), R11 to R15 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an acetyl group, an alkoxycarbonyl group, a benzoyl group or a benzyloxycarbonyl group, and R16 and R17 each represent an alkyl group, a benzyl group, A methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, p-methylbenzyl group or naphthylmethyl group is represented, and X11 represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.
前記第2の化合物が、下記式(2−1)で表される化合物である、請求項に記載の異方性導電材料。
Figure 0005922544
前記式(2−1)中、R16及びR17はそれぞれ、アルキル基、ベンジル基、о−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、p−メチルベンジル基又はナフチルメチル基を表し、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。
The anisotropic conductive material according to claim 4 , wherein the second compound is a compound represented by the following formula (2-1).
Figure 0005922544
In the formula (2-1), R16 and R17 each represents an alkyl group, a benzyl group, an o-methylbenzyl group, an m-methylbenzyl group, a p-methylbenzyl group, or a naphthylmethyl group, and X11 represents a hexafluoro group. Represents antimony fluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.
前記第2の化合物が、下記式(2A)で表される化合物である、請求項に記載の異方性導電材料。
Figure 0005922544
前記式(2A)中、X11は、六フッ化アンチモン又はテトラ(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を表す。
The anisotropic conductive material according to claim 5 , wherein the second compound is a compound represented by the following formula (2A).
Figure 0005922544
In the formula (2A), X11 represents antimony hexafluoride or tetra (pentafluorophenyl) boron.
前記第1の化合物におけるアニオン部分が前記第2の化合物におけるアニオン部分に変換された化合物の熱分解温度が150℃以上である、請求項1〜のいずれか1項に記載の異方性導電材料。 The anisotropic conduction according to any one of claims 1 to 6 , wherein the thermal decomposition temperature of the compound in which the anion moiety in the first compound is converted to the anion moiety in the second compound is 150 ° C or higher. material. 前記第2の化合物100重量部に対して、前記第1の化合物の含有量が0.5重量部以上、10重量部以下である、請求項1〜のいずれか1項に記載の異方性導電材料。 The anisotropy according to any one of claims 1 to 7 , wherein a content of the first compound is 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the second compound. Conductive material. 前記導電性粒子100重量部に対して、前記第1の化合物と前記第2の化合物との合計の含有量が300重量部以下である、請求項1〜のいずれか1項に記載の異方性導電材料。 The difference according to any one of claims 1 to 8 , wherein the total content of the first compound and the second compound is 300 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the conductive particles. Isotropic conductive material. 第1の接続対象部材と、
第2の接続対象部材と、
前記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項1〜のいずれか1項に記載の異方性導電材料により形成されている、接続構造体。
A first connection target member;
A second connection target member;
A connecting portion electrically connecting the first and second connection target members;
The connecting portion is formed by an anisotropic conductive material according to any one of claims 1 to 9 connected structure.
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