JP5922458B2 - 変位測定装置 - Google Patents
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Description
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の変位測定装置であって、前記範囲特定部は、前記受光位置を中心とする前記受光範囲を前記新たな領域として特定することを特徴とする。
また、請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の変位測定装置であって、前記測定値に基づき、前記測定値が所定の範囲に入るように第1のゲインを算出するゲイン算出部(14)と、算出された前記第1のゲインに基づき、前記受光素子の露出時間を算出し、算出した前記周期を基に予め決められた最大露出時間の範囲内である否かを判断する取得条件算出部(15)と、を備え、さらに、前記読み出し手段は、算出された前記露出時間が、前記最大露出時間の範囲内である場合に当該露出時間に基づき、前記新たな領域に更新するタイミングで前記受光素子の露出を制御する露出制御部(112)を備えたことを特徴とする。
また、請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の変位測定装置であって、さらに、前記受光素子の出力を増幅する増幅器(103)を有し、前記取得条件算出部は、前記算出された露出時間が前記最大露出時間を超える場合、前記受光素子に対して前記最大露出時間内の露出時間を前記露出制御部を介して制御するとともに、前記増幅器の第2のゲインを制御することを特徴とする。
また、請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の変位測定装置であって、前記取得条件算出部は、前記算出された露出時間が、前記最大露出時間を超える場合、前記受光素子に対して前記最大露出時間内の露出時間を前記露出制御部を介して制御するとともに、前記光源の光の強さを制御する取得条件算出部(15)と、を備えたことを特徴とする。
また、請求項6に記載の発明は、請求項3に記載の変位測定装置であって、さらに、前記受光素子の出力を増幅する増幅器(103)を有し、前記取得条件算出部は、前記算出された露出時間が、前記最大露出時間を超える場合、前記受光素子に対して前記最大露出時間内の露出時間を前記露出制御部を介して制御するとともに、前記増幅器の第2のゲインおよび前記光源の光の強さを制御することを特徴とする。
センサ部10は、光源101と、エリアセンサ102と、増幅器103と、A/D変換器104を含んで構成されている。光源101は、被測定物500の表面に対して光を照射し、この表面上を走査する。被測定物500の表面で反射した光は、エリアセンサ102で検知される。エリアセンサ102は、光源101に対して三角測量が可能な相対的に固定された位置に配置され、複数の受光素子が配列されて形成されている。これらの受光素子は、表面で反射した光を受けて、この光を光電変換し、受光素子が受光した光の強さを示すアナログの信号を出力する。なお、光源101から照射される光の強さは、後述する取得条件算出部15により決定される。
フレーム制御部16は、指示を受けて、センサ部10をその駆動部を介して、所定のタイミングごとに(所定周期で)所定の速度で走査させるとともに、フレームレートを示すフレーム情報を、センサ部10、読み出し手段11、範囲特定部13、及び取得条件算出部15に出力する。これにより、センサ部10、読み出し手段11、範囲特定部13、及び取得条件算出部15が、このフレームレートに基づき動作することが可能となる。なお、読み出し手段11、範囲特定部13、及び取得条件算出部15については後述する。
読み出し手段11は、範囲制御部111と、露出制御部112とを含んで構成されている。読み出し手段11は、フレーム制御部16からフレーム情報をあらかじめ受ける。読み出し手段11は、このフレーム情報に基づき、エリアセンサ102中の所定の範囲に含まれる受光素子から出力され、その出力の大きさ(レベル)がA/D変換されたデジタル信号を所定のタイミングごとに(所定のフレームレートで)選択的に読み出す。
変位演算部12は、ピーク位置特定部122と、出力特定部121とを含んで構成されている。変位演算部12は、所定の範囲に含まれる受光素子それぞれから出力されたデジタル信号を、読み出し手段11から所定のタイミングごとに(所定のフレームレートで)受ける。変位演算部12は、これらのデジタル信号を出力特定部121に出力し、各信号の出力レベルを測定させる。
ここで、エリアセンサ102中において、読み出し手段11がデジタル信号を読み出す受光素子の範囲、即ち、受光範囲の特定方法と、その範囲の制御の概要について説明する。
次に、受光範囲の特定に係る範囲特定部13の動作について説明する。範囲特定部13は、フレーム制御部16からフレーム情報をあらかじめ受ける。範囲特定部13は、フレーム情報を受けると、このフレーム情報に基づきデータ取得時間を決定する。具体的には、図4に示すように、例えば、フレーム情報に基づき1フレームの長さT11を特定し、これから条件設定に係る時間T111を減算することで、データ取得時間T112を特定する。なお、条件設定に係る時間T111については、実験等によりあらかじめ測定しておけばよい。なお、データ取得時間T112は、フレーム情報が更新されない限り一定である。即ち、データ取得時間T112=T122=・・・=T152となる。
被測定物500は、例えば、プリント基板等が該当する。プリント基板の表面は、基板部分(ガラス基板)のように反射率の低い部分と、金属パターンのように反射率の高い部分とが存在する。エリアセンサ102に到達する光の強さは、この反射率の違いにより変化する。そのため、例えば、基板部分で反射した光のように、エリアセンサ102で受光した光が弱すぎる場合には、ピーク位置xp1及びxp2を特定するために必要な分解能を得られない場合がある。そのため、本発明に係る変位測定装置1は、エリアセンサ102で受光され出力される信号のレベルを特定し、このレベルが常に一定の範囲に含まれるように、ゲインを算出して調整を行う。以降では、この信号のレベルの調整に係る動作について説明する。
取得条件算出部15は、フレーム制御部16からフレーム情報をあらかじめ受ける。取得条件算出部15は、このフレーム情報に基づき、エリアセンサ102の露出時間の最大値(以降では、「最大露出時間」と呼ぶ)を算出する。ここで、図4を参照する。図4に示すように、データ取得の時間T112、T122、・・・、及びT152は、1フレームの周期(即ち、T11〜T15)と、条件設定に係る時間(即ち、T111、T121、・・・、及びT151)により決定され、この時間以上に露出時間を確保することは困難である。そのため、取得条件算出部15は、データ取得の時間(T112、T122、・・・、及びT152)の範囲で最大露出時間を決定する(例えば、データ取得の時間を最大露出時間に基づき決定する)。
次に、図6を参照しながら、変位測定装置1のゲイン制御の概要について説明する。図6は、変位測定装置1のゲイン制御に係る動作について説明するための模式図である。図6における、T21〜T25は、変位の測定に係る各フレームを示しており、G20は、ゲイン算出部14により算出されるゲインの時系列に沿った変化を示している。また、G21〜G25は、フレームT21〜T25のそれぞれにおける、各受光素子からの信号の出力レベルの近似曲線を示している。また、出力レベルE11及びE12は、ゲイン算出部14があらかじめ記憶している出力レベルの範囲を示しており、出力レベルE11がこの範囲の下限に対応し、出力レベルE12がこの範囲の上限に対応している。
次に、変形例に係る変位測定装置1について説明する。変位演算部12による演算の処理速度が、センサ部10による変位測定の速度よりも遅い場合、変位演算部12の演算がボトルネックとなり、フレームレートが制限される場合がる。そこで、変形例に係る変位測定装置1では、変位演算部12による演算のビット数を、センサ部10による変位の測定に係る処理のビット数よりも少なくすることで、演算の負荷を軽減し、演算の処理速度を向上させる。以降では、変形例に係る変位測定装置1の構成について図7を参照しながら、上記した実施形態と異なる部分に着目して説明する。図7は、変形例に係る変位測定装置1の構成を示したブロック図である。なお、以降では、センサ部10の処理ビット数を12ビット、変位演算部12の処理ビット数を8ビットとして説明する。
10 センサ部
101 光源
102 エリアセンサ
103 増幅器
104 A/D変換器
11 読み出し手段
111 範囲制御部
112 露出制御部
12 変位演算部
121 出力特定部
122 ピーク位置特定部
13 範囲特定部
14 ゲイン算出部
15 取得条件算出部
16 フレーム制御部
17 ビット制御部
500 被測定物
Claims (6)
- 被測定物(500)の表面に対して光を照射する光源(101)と、複数の受光素子が
配列されて形成され、前記表面で反射された前記光を当該受光素子で受光し、その強さを
示す測定値を出力するエリアセンサ(102)と、を有し、前記表面に沿って走査方向に所定の周期のタイミングで移動して測定位置を変えるたびに三角測量するセンサ部(10)と、
前記タイミングごとに前記周期内で、前記受光素子に露出させるとともに、前記エリアセンサ内の所定の領域に含まれる前記受光素子から前記測定値を読み出して出力する読み出し手段(11)と、
前記読み出し手段の出力を受けて、前記読み出し手段が読み出したタイミングの後に、前記領域内で前記測定値がピークとなる位置を前記受光位置として特定し、当該受光位置に基づき、前記変位を算出する変位演算部(12)と、
前記変位演算部で求められた前記受光位置を含み、前記周期内で読み出し可能な受光範囲を、前記エリアセンサ内の新たな領域として前記読み出し手段に通知する範囲特定部(13)と、
を備え、
前記読み出し手段は、前記通知を受けて、前記所定の領域を前記新たな領域に更新する
ことを特徴とする変位測定装置。 - 前記範囲特定部は、前記受光位置を中心とする前記受光範囲を前記新たな領域として特定することを特徴とする請求項1に記載の変位測定装置。
- 前記測定値に基づき、前記測定値が所定の範囲に入るように第1のゲインを算出するゲイン算出部(14)と、
算出された前記第1のゲインに基づき、前記受光素子の露出時間を算出し、算出した前記周期を基に予め決められた最大露出時間の範囲内である否かを判断する取得条件算出部(15)と、を備え、さらに、
前記読み出し手段は、算出された前記露出時間が、前記最大露出時間の範囲内である場合に当該露出時間に基づき、前記新たな領域に更新するタイミングで前記受光素子の露出を制御する露出制御部(112)を備えたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の変位測定装置。 - さらに、前記受光素子の出力を増幅する増幅器(103)を有し、
前記取得条件算出部は、前記算出された露出時間が前記最大露出時間を超える場合、前記受光素子に対して前記最大露出時間内の露出時間を前記露出制御部を介して制御するとともに、前記増幅器の第2のゲインを制御することを特徴とする請求項3に記載の変位測定装置。 - 前記取得条件算出部は、前記算出された露出時間が、前記最大露出時間を超える場合、前記受光素子に対して前記最大露出時間内の露出時間を前記露出制御部を介して制御するとともに、前記光源の光の強さを制御する取得条件算出部(15)と、を備えたことを特徴とする請求項3に記載の変位測定装置。
- さらに、前記受光素子の出力を増幅する増幅器(103)を有し、
前記取得条件算出部は、前記算出された露出時間が、前記最大露出時間を超える場合、前記受光素子に対して前記最大露出時間内の露出時間を前記露出制御部を介して制御するとともに、前記増幅器の第2のゲインおよび前記光源の光の強さを制御することを特徴とする請求項3に記載の変位測定装置。
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