JP5915693B2 - 光フィルター及び光フィルターモジュール並びに分析機器及び光機器 - Google Patents

Description

本発明は、光フィルター及び光フィルターモジュール並びに分析機器及び光機器等に関する。

透過波長を可変にする干渉フィルターが提案されている（特許文献１)。特許文献１の図３に示すように、互いに平行に保持された一対の基板と、この一対の基板上に互いに対向すると共に一定間隔のギャップを有するように形成された一対の多層膜(反射膜)と、ギャップを制御するための一対の静電駆動電極とを備える。このような波長可変干渉フィルターは、静電駆動電極に印加される電圧によって静電引力を発生させ、ギャップを制御し、透過光の中心波長を変化させることができる。

特開平１１−１４２７５２号公報

しかしながら、こうした波長可変干渉フィルターは、ノイズ等による駆動電圧の変動によって、ギャップ量を精度良く得ることが困難である。

本発明は、ギャップ量を精度良く得る光フィルター及び光フィルターモジュール並びに分析機器及び光機器を提供することを目的とする。

（１）本発明の一態様に係る光フィルターは、
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板に設けられた第１反射膜と、
前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、
前記第１基板に設けられ、平面視において、前記第１反射膜の周囲に形成された第１電極と、
前記第１基板に設けられ、平面視において、前記第１電極の周囲に形成された第２電極と、
前記第２基板に設けられ、前記第１電極と対向する第３電極と、
前記第２基板に設けられ、前記第２電極と対向する第４電極と、
を含むことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、第２基板に設けられ、第１電極と対向する第３電極と、第２基板に設けられ、第２電極と対向する第４電極と、を有する。これにより、後述するように、一対の電極のみで反射膜間のギャップ量を制御する形態よりも、ギャップ量を精度良く得ることができる。

（２）本発明の一態様では、
前記第１電極と前記第２電極とは、電気的に独立しており、
前記第３電極と前記第４電極とは、接続部を介して、電気的に接続されていることを特徴とする。

第３電極と第４電極とは、接続部を介して、電気的に接続されているため、第３電極および第４電極を共通電極とすることができる。

（３）本発明の一態様では、
前記第１電極に接続された第１配線と、
前記第２電極に接続された第２配線と、
をさらに含み、
前記第１電極は、第１リング形状を有し、
前記第２電極は、第１スリットを有する第２リング形状を有し、
第２電極は、第１スリットを有する第２リング形状を有しているため、第１スリットを介して、第１電極から第１配線を引き出すことができる。

（４）本発明の一態様では、
前記第３電極は、第３リング形状を有し、
前記第４電極は、第４リング形状を有することを特徴とする。

第３電極および第４電極はリング形状であるため、ギャップを制御する際に、反射膜間の平行度を高く保つことができる。

（５）本発明の一態様では、
前記第３電極は、第３リング形状を有し、
前記第４電極は、第２スリットを有する第４リング形状を有し、
平面視において、前記第２スリットは前記第１スリットと重なることを特徴とする。

平面視において、第２スリットは第１スリットと重なっている。つまり、第１スリットの領域に形成された第１配線の一部の上方には、第４電極が形成されていない。これにより、第１配線に電圧が印加されたとしても、第１配線と第４電極との間において、不要な静電引力が発生することを抑制することができる。

（６）本発明の一態様では、
前記第３電極に接続された第３配線と、
前記第３電極に接続された第４配線と、
をさらに含むことを特徴とする。

第３電極に、第３配線および第４配線が接続されるため、配線抵抗を少なくすることができる。

（７）本発明の一態様では、
前記第１基板は、第１対角線と第２対角線とを有し、
前記第１配線は、前記第１対角線に沿った第１方向に延在し、
前記第２配線は、前記第１対角線に沿い、且つ、前記第１方向と逆方向である第２方向に延在し、
前記第３配線は、前記第２対角線に沿った第３方向に延在し、
前記第４配線は、前記第２対角線に沿い、且つ、前記第３方向と逆方向である第４方向に延在することを特徴とする。

このように、第１配線、第２配線、第３配線および第４配線を形成することで、これら配線間の寄生容量を小さくすることができる。

（８）本発明の一態様では、
前記第２電極のリング幅は、前記第１電極のリング幅よりも大きく、
前記第４電極のリング幅は、前記第２電極のリング幅よりも大きいことを特徴とする。

第２電極および第４電極は、第１基板と第２基板との接合部分に近い領域に位置するため、第１電極および第２電極間の静電引力より大きな静電引力が必要となる。よって、第２電極および第４電極のリング幅を大きくすることで、大きな静電引力を発生させることができる。

（９）本発明の一態様では、
前記第２基板は、第１部分と、前記第１部分の膜厚よりも薄い第２部分とを有し、
前記第２反射膜は、前記第２基板の前記第１部分に形成され、
前記第３電極および前記第４電極は、前記第２基板の前記第２部分に形成されていることを特徴とする。

第３電極および第４電極は、第１部分の膜厚より薄い前記第２部分に形成されているため、ギャップ制御をする際、第１基板を可動し易くできる。

（１０）本発明の一態様では、
前記第１基板は、第１面と、前記第１面よりも低い第２面とを有し、
前記第１反射膜は、前記第１面に形成され、
前記第１電極および前記第２電極は、前記第２面に形成されていることを特徴とする。

（１１）本発明の一態様では、
前記第１電極と前記第３電極との間の電位差と、前記第２電極と前記第４電極との電位差とを制御する電位差制御部をさらに有することを特徴とする光フィルター。

（１２）本発明の一態様では、
前記電位差制御部は、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を第１電位差に設定した後に、前記第１電極と前記第３電極との間の電位差を第２電位差に設定することを特徴とする。

これにより、後述するように、ギャップ制御を容易に行うことができる。

（１３）本発明の一態様では、
前記電位差制御部は、前記第１電位差に設定した状態で、前記第２電位差に設定することを特徴とする。

第１電位差に設定した状態で第２電位差に設定するため、後述するように、迅速なギャップ制御を行うことができる。

（１４）本発明の一態様では、
前記電位差制御部は、
前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を第１電位差に設定し、
前記第１電位差に設定した後に、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を前記第１電位差より大きい第２電位差に設定し、
前記第２電位差に設定した状態で、前記第１電極と前記第３電極との間の電位差を第３電位差に設定し、
前記第３電位差に設定した後に、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を前記第２電位差に設定した状態で、前記第１電極と前記第３電極との間の電位差を前記第３電位差より大きい第４電位差に設定することを特徴とする。

これにより、より多段階でのギャップ制御を行うことができる。また、第１電位差から第１電位差より大きい第２電位差に設定し、第３電位差から第３電位差より大きい第４電位差に設定するため、迅速なギャップ制御を行うことができる。

（１５）本発明の一態様では、
前記第２電位差に設定されている期間は、前記第１電位差に設定されている期間よりも長く、
前記第４電位差に設定されている期間は、前記第３電位差に設定されている期間よりも長いことを特徴とする。

これにより、後述するように、所望のギャップ間隔に安定させることができる。

（１６）本発明の一態様では、
前記電位差制御部は、
前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を第１電位差に設定し、
前記第１電位差に設定した後に、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を前記第１電位差より大きい第２電位差に設定し、
前記第２電位差に設定した後に、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を前記第２電位差より大きい第３電位差に設定し、
前記第３電位差に設定した状態で、前記第１電極と前記第３電極との間の電位差を第４電位差に設定し、
前記第４電位差に設定した後に、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を前記第３電位差に設定した状態で、前記第１電極と前記第３電極との間の電位差を前記第４電位差より大きい第５電位差に設定し、
前記第５電位差に設定した後に、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を前記第３電位差に設定した状態で、前記第１電極と前記第３電極との間の電位差を前記第５電位差より大きい第６電位差に設定し、
前記第２電位差と前記第３電位差との差の絶対値は、前記第１電位差と前記第２電位差との差の絶対値よりも小さく、
前記第５電位差と前記第６電位差との差の絶対値は、前記第４電位差と前記第５電位差との差の絶対値よりも小さいことを特徴とする。

これにより、後述するように、所望のギャップ間隔に安定させることができる。

（１７）本発明の一態様に係る光フィルターモジュールは、
前述の光フィルターを透過した光を受光する受光素子と、を含む。

（１８）本発明の一態様に係る分析機器は、
前述に記載の光フィルターを含む。

（１９）本発明の一態様に係る光機器は、
前述に記載の光フィルターを含む。

本発明の一実施例である光フィルターの電圧非印加状態を示す断面図である。 図１に示す光フィルターの電圧印加状態を示す断面図である。 図３（Ａ）は下部電極の平面図であり、図３（Ｂ）は上部電極の平面図である。 図４（Ａ）（Ｂ）は、下部、上部電極の重なり状態を第２基板側から見た平面図である。 第２基板側から第２基板を透視して、第１〜第４引き出し配線の配線レイアウトを示す平面図である。 光フィルターの印加電圧制御系ブロック図である。 電圧テーブルデータの一例を示す特性図である。 電圧テーブルデータに従って実現される電圧印加のタイミングチャートである。 光フィルターの第１，第２反射膜間ギャップと透過ピーク波長との関係を示す特性図である。 第１，第２電極間の電位差と静電引力との関係を示す特性図である。 図７に示す電位差、ギャップ及び可変波長に関する実施例のデータを示す特性図である。 図１１に示す印加電圧とギャップとの関係を示す特性図である。 図１１に示す印加電圧と透過ピーク波長との関係を示す特性図である。 図１４（Ａ）（Ｂ）は比較例の第１，第２電極を示す平面図である。 電位差、ギャップ及び可変波長に関する比較例のデータを示す特性図である。 図１５に示す印加電圧とギャップとの関係を示す特性図である。 図１５に示す印加電圧と透過ピーク波長との関係を示す特性図である。 本発明の他の実施形態に係る光フィルターの電圧非印加状態を示す断面図である。 本発明の更に他の実施形態である分析装置のブロック図である。 図１９に示す装置での分光測定動作を示すフローチャートである。 本発明の更に他の実施形態である光機器のブロック図である。

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。

１．光フィルター
１．１．光フィルターのフィルター部
１．１．１． フィルター部の概要
図１は本実施形態の光フィルター１０の電圧非印加状態の断面図であり、図２は電圧印加状態の断面図である。図１及び図２に示す光フィルター１０は、第１基板２０と、第１基板１０と対向する第２基板３０とを含む。本実施形態では、第１基板２０を固定基板とし、第２基板３０を可動基板またはダイヤフラムとするが、いずれか一方又は双方が可動であれば良い。

本実施形態では、第１基板２０と例えば一体で、第２基板３０を可動に支持する支持部２２が形成されている。支持部２２は、第２基板３０に設けても良く、あるいは第１，第２基板２０，３０とは別体で形成しても良い。

第１，第２基板２０，３０は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。これらの中でも、各基板２０，３０の構成材料としては、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）などのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより各基板２０，３０を形成することで、後述する反射膜４０，５０や、各電極６０，７０の密着性や、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。そして、これらの２つの基板２０，３０は、例えばプラズマ重合膜を用いた表面活性化接合などにより接合されることで、一体化されている。第１，第２基板２０，３０の各々は、一辺が例えば１０ｍｍの正方形に形成され、ダイヤフラムとして機能する部分の最大直径は例えば５ｍｍである。

第１基板２０は、厚みが例えば５００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。第１基板２０は、第２基板３０と対向する対向面のうちの中央の第１対向面２０Ａ１に、例えば円形の第１反射膜４０が形成されている。同様に、第２基板３０は、厚みが例えば２００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。第２基板３０は、第１基板２０と対向する対向面３０Ａの中央位置に、第１反射膜４０と対向する例えば円形の第２反射膜５０が形成されている。

なお、第１，第２反射膜４０，５０は、例えば直径が約３ｍｍの円形状に形成されている。この第１，第２反射膜４０，５０は、ＡｇＣ単層により形成される反射膜であり、スパッタリングなどの手法により第１，第２基板２０，３０に形成することができる。ＡｇＣ単層反射膜の膜厚寸法は、例えば０．０３μｍに形成されている。本実施形態では、第１，第２反射膜４０，５０として、可視光全域を分光できるＡｇＣ単層の反射膜を用いる例を示すが、これに限定されず、分光可能な波長域が狭いが、ＡｇＣ単層反射膜よりも、分光された光の透過率が大きく、透過率の半値幅も狭く分解能が良好な、例えばＴｉＯ_２とＳｉＯ_２との積層膜を積層した誘電体多層膜を用いてもよい。

さらに、第１，第２基板２０，３０の各対向面２０Ａ１，２０Ａ２，３０Ａとは逆側の面にて、第１，第２反射膜４０，５０に対応する位置に図示しない反射防止膜（ＡＲ）を形成することができる。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、第１，第２基板２０，３０の界面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。

これら第１，第２反射膜４０，５０は、図１に示す電圧非印加状態にて第１ギャップＧ１を介して対向配置されている。なお、本実施形態では、第１反射膜４０を固定鏡とし、第２反射膜５０を可動鏡とするが、上述した第１，第２基板２０，３０の態様に応じて、第１，第２反射膜４０，５０のいずれか一方又は双方を可動とすることができる。

平面視で第１反射膜４０の周囲の位置であって、第１基板２０の第１対向面２０Ａ１の周囲の第２対向面２０Ａ２には、例えば下部電極６０が形成されている。同様に、第２基板３０の対向面３０Ａには、下部電極６０と対向して上部電極７０が設けられている。下部電極６０と上部電極７０は、第２ギャップＧ２を介して、対向配置されている。なお、下部、上部電極６０，７０の表面は、絶縁膜にて被覆することができる。

本実施形態では、第１基板２０が第２基板３０と対向する面は、第１反射膜４０が形成される第１対向面２０Ａ１と、平面視で第１対向面２０Ａ１の周囲に配置されて、下部電極６０が形成される第２対向面２０Ａ２とを有する。第１対向面２０Ａ１と第２対向面２０Ａ２とは同一面であっても良いが、本実施形態では第１対向面２０Ａ１と第２対向面２０Ａ２との間には段差があり、第１対向面２０Ａ１の方が第２対向面２０Ａ２よりも第２基板３０に近い位置に設定している。これにより、第１ギャップＧ１＜第２ギャップＧ２の関係が成立する。

下部電極６０は、電気的に独立した少なくともＫ（Ｋは２以上の整数）個のセグメント電極に分割され、本実施形態ではＫ＝２の例として第１，第２電極６２，６４を有する。つまり、Ｋ個のセグメント電極６２，６４はそれぞれ、異なる電圧に設定可能である一方で、上部電極７０は、同電位となる共通電極である。上部電極７０も第３、第４電極７２、７４に分割されている。第３、第４電極７２、７４は、同電位となる共通電極としなくてもよく、第３電極７２と第４電極７４とが電気的に独立している（独立して制御できる）構造であってもよい。例えば、第３電極７２と第４電極７４とは、図４（Ａ）で示すような構造とすることができる。また、下部電極６０および上部電極７０の構造は、第１電極６２と第３電極７２との間の電位差と、第２電極６４と第４電極７４との間の電位差とが、独立に制御可能であればよい。なお、Ｋ≧３の場合には、第１，第２電極６２，６４に関して以下にて説明する関係は、相隣り合う任意の２つのセグメント電極について適用することができる。

このような構造の光フィルター１０は、第１，第２基板２０，３０が共に、反射膜（第１，第２反射膜４０，５０）が形成される領域と、電極（下部、上部電極６０，７０）が形成される領域とは、平面視で異なる領域となり、特許文献１のように反射膜と電極とが積層されることはない。よって、第１，第２基板２０，３０の少なくとも一方（本実施形態では第２基板３０）が可動基板とされても、反射膜と電極が積層されないために可動基板は撓み易さを確保できる。しかも、特許文献１とは異なり、下部、上部電極６０，７０上には反射膜が形成されないので、透過型または反射型波長可変干渉フィルターとして光フィルター１０を利用しても、下部、上部電極６０，７０を、透明電極とする制約も生じない。なお、透明電極であっても透過特性には影響を与えるため、下部、上部電極６０，７０上に反射膜が形成されてない事によって、透過型波長可変干渉フィルターである光フィルター１０は所望の透過特性が得られる。

また、この光フィルター１０では、平面視で第２反射膜５０の周囲に配置された上部電極７０に共通電圧（例えば接地電圧）を印加し、平面視で第１反射膜４０の周囲に配置された下部電極６０を構成するＫ個のセグメント電極６２，６４の個々に独立した電圧を印加して、図２に示すように対向電極間に矢印で示す静電引力を作用させることで、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１を初期ギャップの大きさよりも小さいギャップとなるように可変する。

つまり、電圧印加状態の光フィルター１０を示す図２の通り、第１電極６２及びそれと対向する上部電極７０とで構成される第１ギャップ可変駆動部（静電アクチュエーター）８０と、第２電極６４及びそれと対向する上部電極７０とで構成される第２ギャップ可変駆動部（静電アクチュエーター）９０とが、それぞれ独立して駆動される。

このように、平面視で第１，第２反射膜４０，５０の周囲にのみ配置された独立する複数（Ｋ個）のギャップ可変駆動部８０，９０を有することで、Ｋ個のセグメント電極６２，６４に印加する電圧の大きさと、Ｋ個のセグメント電極６２，６４の中から電圧を印加するために選択されたセグメント電極数との、２つのパラメーターを変化させることで、第１，第２反射膜４０，５０間のギャップの大きさを制御する。

特許文献１のように、パラメーターが電圧の種類だけでは、大きなギャップ可動範囲と、ノイズ等による電圧変動に対する低感度とを、両立することが困難であった。本実施形態のように、電極数というパラメーターを加えることで、電圧だけで制御する場合と同じ印加電圧範囲を個々のセグメント電極に適用することで、大きなギャップ可動範囲の中で、より微調整された静電引力を発生させて、精細なギャップ調整を行うことが可能となる。

ここで、印加電圧の最大値をＶｍａｘとし、ギャップをＮ段階で可変するものとする。下部電極６０が複数に分割されていない場合には、最大電圧ＶｍａｘをＮ分割して印加電圧を割り当てる必要がある。このとき、異なる印加電圧間の電圧変化量の最小値をΔＶ１ｍｉｎとする。一方、本実施形態では、Ｋ個のセグメント電極の各々への印加電圧は、最大電圧Ｖｍａｘを平均的には（Ｎ／Ｋ）分割して割り当てればよい。このとき、Ｋ個のセグメント電極の各々について、同一セグメント電極に印加される異なる印加電圧間の電圧変化量の最小値をΔＶｋｍｉｎとする。その場合、ΔＶ１ｍｉｎ＜ΔＶｋｍｉｎが成立することが明らかである。

このように、電圧最小変化量ΔＶｋｍｉｎを大きく確保できれば、電源変動や環境等に依存したノイズによってＫ個の第１，第２電極６２，６４への印加電圧が多少変動してもギャップ変動は小さくなる。つまり、ノイズに対する感度が小さい、換言すれば電圧感度が小さくなる。それにより、高精度なギャップ制御が可能となり、特許文献１のようにギャップを帰還制御することは必ずしも要しない。また、ギャップを帰還制御したとしても、ノイズに対する感度が小さいために早期に安定させることができる。

本実施形態では、可動基板である第２基板３０の撓み性を確保するために、図１に示すように、上部電極７０が形成される領域を例えば厚み寸法が５０μｍ程度の薄肉部３４としている。この薄肉部３４は、第２反射膜５０が配置される領域の厚肉部３２、および支持部２２と接触する領域の厚肉部３６よりも肉薄に形成されている。換言すれば、第２基板３０は、第２反射膜５０及び上部電極７０が形成される面３０Ａは平坦面であり、第２反射膜５０が配置される第１領域に厚肉部３２が形成され、上部電極７０が形成される第２領域に薄肉部３４が形成される。こうして、薄肉部３４にて撓み性を確保しながら、厚肉部３２を撓み難くすることで、第２反射膜５０は平面度を保ってギャップを可変することが可能となる。

なお、本実施形態では、独立した複数（Ｋ個）のギャップ可変駆動部はそれぞれ、一対の電極からなる静電アクチュエーターで構成したが、それらの少なくとも一つを圧電素子等の他のアクチュエーターに置き換えても良い。ただし、非接触で吸引力を与える静電アクチュエーターは、複数あるギャップ可変駆動部同士の干渉が少なく、ギャップを高精度に制御する上で適している。これとは異なり、例えば２つの圧電素子を第１，第２基板２０，３０間に配置した場合、駆動していない圧電素子が、他の駆動している圧電素子によるギャップ変位を妨げる存在となる等が生じ、複数のギャップ可変駆動部を独立して駆動する方式にとっては弊害を生じる。その点から、複数のギャップ可変駆動部は静電アクチュエーターで構成することが好ましい。

１．１．２． 下部電極
下部電極６０を構成するＫ個のセグメント電極６２，６４は、図３（Ａ）の通り、第１反射膜４０の中心に対して同心リング状に配置することができる。つまり、第１電極６２は第１リング状電極部６２Ａを有し、第２電極６４はリング状電極部６２Ａの外側に第２リング状電極部６４Ａを有し、各リング状電極部６２Ａ，６４Ａが第１反射膜に対して同心リング状に形成される。なお、「リング状」または「リング形状」とは、無端リングに限らず不連続リング形状も含み、円形リングに限らず矩形リングまたは多角形リング等を含む用語である。

こうすると、図２に示すように、第１反射膜４０の中心線Ｌに対して、第１，第２電極６２，６４の各々が線対称配置となる。これにより、電圧印加時に下部、上部電極６０，７０間に作用する静電引力Ｆ１，Ｆ２は、第１反射膜４０の中心線Ｌに対して線対称に作用するので、第１，第２反射膜４０，５０の平行度が高まる。

なお、図３（Ａ）に示すように、第２電極６４のリング幅Ｗ２は、第１電極６２のリング幅Ｗ１よりも広くすることができる（Ｗ２＞Ｗ１）。静電引力は電極面積に比例し、第２電極６４により生じさせる静電引力Ｆ２の方が、第１電極６２により生じさせる静電引力Ｆ１よりも大きく求められるからである。さらに詳しく言えば、外側の第２電極６４は、ヒンジ部として機能する基板支持部２２に対して第１電極６２よりも近くに設けられる。このため、第２電極６４はヒンジ部２２での抵抗力に抗する大きな静電引力Ｆ２を発生する必要がある。外側の第２電極６４は、内側の第１電極６２に比べて直径が大きく、幅Ｗ１＝幅Ｗ２であっても第２電極６４の面積は大きい。よって、幅Ｗ１＝幅Ｗ２としてもよいが、リング幅Ｗ２をより広げることにより、更に面積を増大させて大きな静電引力Ｆ２の発生を可能とした。特に、後述するように、外側の第２電極６４を内側の第１電極６２よりも先に駆動する場合には、第２電極６４と上部電極７０との間の初期ギャップＧ２が大きいので、第２電極６４の面積を広くして大きな静電引力Ｆ２を発生できる点でも有利となる。その場合、内側の第１電極６２の駆動時には、第２電極６４の駆動状態が維持されている限りギャップは小さくなっているので、第１電極６２のリング幅Ｗ１は小さくても駆動上の弊害はない。

ここで、第１電極６２には第１引き出し配線６２Ｂが、第２電極６４には第２引き出し電極６４Ｂがそれぞれ接続される。これら第１，第２引き出し電極６２Ｂ，６４Ｂは例えば第１反射膜４０の中心から放射方向に向けて延在形成される。第２電極６４の第２リング状電極部６４Ａを不連続とする第１スリット６４Ｃが設けられている。内側の第１電極６２から延びる第１引き出し配線６２Ｂは、外側の第２電極６４に形成された第１スリット６４Ｃを介して、第２電極６４の外方に引き出される。

このように、第１，第２電極６２，６４をそれぞれリング状電極部６２Ａ，６４Ａとした場合に、外側の第２電極６４に形成された第１スリット６４Ｃ２より、内側の第１電極６２の第１引き出し配線６２Ｂの取り出し経路を容易に確保できる。

１．１．３． 上部電極
第２基板３０に配置された上部電極７０は、第２基板３０のうち、第１基板２０に形成された下部電極６０（第１，第２電極６２，６４）と対向する領域を含む域に形成することができる。上部電極７０を同一電圧に設定される共通電極とする場合は、例えば、ベタ電極にしてもよい。

これに代えて、本実施形態のように第１基板２０に対して変位する第２基板３０に配置された上部電極７０は、下部電極６０と同様に、Ｋ個のセグメント電極とすることができる。このＫ個のセグメント電極もまた、第２反射膜５０の中心に対して同心リング状に配置することができる。こうすると、可動である第２基板３０に形成される電極面積は、必要最小限に縮小されるので、第２基板３０の剛性が低くなり、撓み易さを確保できる。

上部電極７０を構成するＫ個のセグメント電極は、図１、図２及び図３（Ｂ）に示すように、第３電極７２及び第４電極７４を有することができる。第３電極７２は第３リング状電極部７２Ａを有し、第４電極７４は第３リング状電極部６２Ａの外側に第４リング状電極部７４Ａを有し、各リング状電極部７２Ａ，７４Ａが第２反射膜に対して同心リング状に形成される。「同心リング状」の意味は、下部電極６０に対するものと同一である。第３電極７２は第１電極６２と対向し、第４電極７４は第２電極６４と対向している。よって、本実施形態では第４電極７４のリング幅（第２電極６４のリング幅Ｗ２と同じ）は、第３電極７２のリング幅（第１電極６２のリング幅Ｗ１と同じ）よりも広い。

また、第３，第４電極７２，７４同士は電気的に接続されて、同一電位に設定してもよい。この場合、例えば第３，第４引き出し電極７６Ａ，７６Ｂが例えば第２反射膜５０の中心から放射方向に向けて延在形成される。第３，第４引き出し電極７６Ａ，７６Ｂの各々は、内側の第３電極７２と外側の第４電極７４の双方と電気的に接続される。なお、第３，第４電極７２，７４は、共通電極としているため、１本の引き出し電極により接続されても良いが、引き出し電極を複数とすることで配線抵抗を少なくして、共通電極の充放電速度を速めることができる。なお、第３、第４電極７２、７４が、電気的に独立している構造の場合は、それぞれの電極に引き出し電極が形成される。

１．１．４． 下部、上部電極の重合領域
図４（Ａ）は、本実施形態の下部、上部電極６０，７０を第２基板３０側から見た平面視での重なり状態を示している。図４（Ａ）において、下側に位置する下部電極６０は、第１，第２電極６２，６４が第２電極の第３，第４電極７２，７４と対向しているため、第２基板３０側から見た平面視では現れない。下側に位置する下部電極６０は、ハッチングで示すように第１，第２引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂのみが、第２基板３０側から見た平面視で現れている。第１引き出し配線６２Ｂは、上部電極７０の第３リング状電極部７４Ａが周方向で連続するので、中間領域６２Ｂ１が第３リング状電極部７４Ａの対向領域７４Ａ１と対向する。

本実施形態では、図３（Ａ）に示すように、下部電極６０のうちの外側の第２電極６４は、第１スリット６４Ｃを有するので、このスリット６４Ｃの領域では第２電極６４に印加した電圧に基づく静電引力Ｆ２（図２参照）は作用しない。

一方、この第１スリット６４Ｃ内には図３（Ａ）に示すように第１引き出し配線６２Ｂが配置されるので、内側の第１電極６２と同電位である第１引き出し配線６２Ｂと、外側の第４電極７４間に作用する静電引力Ｆ１（図２参照）を第１スリット６４Ｃ内にて生じさせることができる。その利点として、例えば第１，第２電極６２，６４を実質的に同電圧で駆動した場合には、外側の第４電極７４のほぼ全周（第１スリット６４Ｃとの対向領域７４Ａ１を含む）に均等な静電引力を生じさせることができる。

図４（Ｂ）は、変形例である下部、上部電極６０，７０’を第２基板３０側から見た平面視での重なり状態を示している。図４（Ｂ）の上部電極７０’が図４（Ａ）の上部電極７０と相違する点は、第４電極７４が、下部電極６０の第１スリット６４Ｃと対向する位置にて第４リング状電極部７４Ａ’を不連続とする第２スリット７８をさらに有する点である。その余の点では、図４（Ｂ）の上部電極７０’は図４（Ａ）の上部電極７０と同一である。

こうすると、第１引き出し配線６２Ｂと対向する電極が存在しなくなる。よって、例えば、内側の第１電極６２を駆動した時、内側の第１電極６２と同電位である第１引き出し配線６２Ｂと、外側の第４電極７４’間に作用する不要な静電引力が、第１スリット６４Ｃ内で発生することを阻止できる。

１．１．５． 引き出し配線
図５は、第２基板３０側から第２基板３０を透視して平面図であり、第１〜第４引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂ，７６Ａ，７６Ｂの配線レイアウトを示している。図５において、第１，第２基板２０，３０の少なくとも一方が、第１及び第２対角線を有する矩形基板とされる。本実施形態では、第１，第２基板２０，３０の各々が、一辺が例えば１０ｍｍの正方形に形成されている。第１引き出し配線６２Ｂが、第１対角線に沿って第１電極６２Ａより延びる方向を第１方向Ｄ１としたとき、第２引き出し配線６４Ｂは、第１対角線上にて第１方向Ｄ１とは逆方向となる第２方向Ｄ２に延びている。第３引き出し配線７６Ａは、第２対角線に沿った第３方向Ｄ３に延びている。第４引き出し配線７６Ｂは、第２対角線上にて第３方向Ｄ３とは逆方向となる第４方向Ｄ４に延びている。そして、平面視にて矩形基板２０，３０の四隅の位置にて、第１〜第４引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂ，７６Ａ，７６Ｂが接続される第１〜第４接続電極部１０１〜１０４が設けられている。

こうすると、先ず、第１基板２０に形成される第１，第２引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂと、第２基板３０に形成される第３，第４引き出し配線７６Ａ，７６Ｂとは、平面視で重なり合うことはなく、平行電極を構成しない。よって、第１，第２引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂと、第３，第４引き出し配線７６Ａ，７６Ｂとの間に無駄な静電引力が生じ難い、また、無駄な容量を低減できる。更に、第１〜第４接続電極部１０１〜１０４にそれぞれ至る第１〜第４引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂ，７６Ａ，７６Ｂの配線長が最短となる。よって、第１〜第４引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂ，７６Ａ，７６Ｂの配線抵抗及び配線容量が小さくなり、第１〜第４電極６２，６４，７２，７４を高速に充放電することができる。

なお、第１〜第４引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂ，７６Ａ，７６Ｂの構造は、第１基板は、平面視において、第１仮想直線と、第１仮想直線と交わる第２仮想直線とを有し、第１引き出し配線６２Ｂは、第１仮想直線に沿った第１方向に延在し、第２引き出し配線６４Ｂは、第１仮想直線に沿い、且つ、第１方向と逆方向である第２方向に延在し、第３引き出し配線７６Ａは、第２仮想直線に沿った第３方向に延在し、第４引き出し配線７６Ｂは、前記第２仮想直線に沿い、且つ、前記第３方向と逆方向である第４方向に延在することであってもよい。

なお、第１〜第４外部接続電極部１０１〜１０４は、第１，第２基板２０，３０のいずれか一方か、あるいは双方に各一部を設けても良い。第１，第２基板２０，３０のいずれか一方にのみ第１〜第４外部接続電極部１０１〜１０４を設ける場合には、第１，第２基板２０，３０の他方に配置された引き出し配線は、導電性ペースト等によって一方の基板に形成された外部接続電極部に接続することができる。なお、第１〜第４外部接続電極部１０１〜１０４は、リード線またはワイヤボンディング等の接続部を介して、外部と接続される。

また、第１〜第４引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂ，７６Ａ，７６Ｂは、第１，第２基板２０，３０を接合する例えばプラズマ重合膜と交差してもよい。あるいは、第１，第２基板２０，３０の接合面の一方に設けた溝部を介して、第１〜第４引き出し配線６２Ｂ，６４Ｂ，７６Ａ，７６Ｂを、接合面を超えて外部に引き出しても良い。

１．２． 光フィルターの電圧制御系
１．２．１． 印加電圧制御系ブロックの概要
図６は、光フィルター１０の印加電圧制御系ブロック図である。図６に示すように、光フィルター１０は、下部電極６０と上部電極７０との間の電位差を制御する電位差制御部１１０を有する。本実施形態では、共通電極である上部電極７０（第３，第４電極７２，７４）は一定の共通電圧例えば接地電圧（０Ｖ）に固定されているため、電位差制御部１１０は、下部電極６０を構成するＫ個のセグメント電極である第１，第２電極６２，６４への印加電圧を変化させて、第１，第２電極６２，６４の各々と上部電極７０との間の内周側電位差ΔＶｓｅｇ１及び外周側電位差ΔＶｓｅｇ２をそれぞれ制御する。なお、上部電極７０は接地電圧以外の共通電圧を印加してもよく、その場合、電位差制御部１１０が上部電極７０に共通電圧の印加／非印加を制御しても良い。

図６では、電位差制御部１１０は、第１電極６２に接続された第１電極駆動部例えば第１デジタル−アナログコンバータ（ＤＡＣ１）１１２と、第２電極６４に接続された第２電極駆動部例えば第２デジタル−アナログコンバータ（ＤＡＣ２）１１４と、それらを制御例えばデジタル制御するデジタル制御部１１６とを含んでいる。第１，第２デジタル−アナログコンバータ１１２，１１４には電源１２０からの電圧が供給される。第１，第２デジタル−アナログコンバータ１１２，１１４は、電源１２０からの電圧の供給を受けると共に、デジタル制御部１１６からのデジタル値に応じたアナログ電圧を出力する。電源１２０は、光フィルター１０が装着される分析機器または光機器に装備されているものを利用できるが、光フィルター１０専用の電源を用いても良い。

１．２．２． 光フィルターの駆動方法
図７は、図６に示すデジタル制御部１１６での制御の元データである電圧テーブルデータの一例を示す特性図である。この電圧テーブルデータは、デジタル制御部１１６自体に設けても良いし、あるいは光フィルター１０が装着される分析機器または光機器に装備しても良い。

図７は、Ｋ個の第１，第２電極６２，６４の各々に順次電圧を印加することで、計Ｎ段階で第１，第２反射膜４０，５０の間のギャップを可変するための電圧テーブルデータとして、Ｎ＝９の例を示している。なお、図７では、第１，第２電極６２，６４の双方と上部電極７０との間の各電位差が共に０Ｖであるときは、Ｎ段階のギャップ可変範囲に含めていない。図７は、第１，第２電極６２，６４の少なくとも一方に、上部電極７０に印加される共通電圧の電圧値（０Ｖ）以外の電圧値が印加される場合のみを示している。ただし、第１，第２電極６２，６４の双方と上部電極７０との間の各電位差が共に０Ｖであるときを、透過ピーク波長が最大であると定義しても良い。

電位差制御部１１０は、図７に示す電圧テーブルデータに従って、Ｋ個のセグメント電極（第１，第２電極６２，６４）毎に設定された電圧値を、Ｋ個のセグメント電極（第１，第２電極６２，６４）の各々に印加している。図８は、図７に示す電圧テーブルデータのデータ番号順に駆動することで実現される電圧印加のタイミングチャートである。

図７及び図８に示すように、第１電極６２には、Ｌ＝４種類の電圧（ＶＩ１〜ＶＩ４：ＶＩ１＜ＶＩ２＜ＶＩ３＜ＶＩ４）を印加し、第２電極６４には、Ｍ＝５種類の電圧（ＶＯ１〜ＶＯ５：ＶＯ１＜ＶＯ２＜ＶＯ３＜ＶＯ４＜ＶＯ５）を印加し、第１，第２反射膜４０，５０の間の第１ギャップＧ１をｇ０〜ｇ８の９（Ｎ＝Ｌ＋Ｍ＝９）段階にて可変している。

このような電圧制御により、光フィルター１０では、図９に示す波長透過特性を実現できる。図９は、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１の大きさを例えばｇ０〜ｇ３に変化した時の波長透過特性を示している。光フィルター１０では、第１，第２反射膜４０，５０の間の第１ギャップＧ１の大きさが例えばｇ０〜ｇ３（ｇ０＞ｇ１＞ｇ２＞ｇ３）と可変されると、その第１ギャップＧ１の大きさに応じて透過ピーク波長が決定される。すなわち、光フィルター１０を透過する光の波長λは、その半波長（λ／２）の整数（ｎ）倍が第１ギャップＧ１と一致する光であり（ｎ×λ＝２Ｇ１）、半波長（λ／２）の整数（ｎ）倍が第１ギャップＧ１と一致しない光は、第１，第２反射膜４０，５０により多重反射される過程で干渉しあって減衰され、透過することがない。

したがって、図９に示すように、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１の大きさをｇ０、ｇ１、ｇ２、ｇ３と狭めるように変化させることで、光フィルター１０を透過する光、すなわち透過ピーク波長がλ０、λ１、λ２、λ３（λ０＞λ１＞λ２＞λ３）と、順次短くなるように変化する。

ここで、Ｌ，Ｍ，Ｎの値は任意に変更できるが、Ｌ≧３，Ｍ≧３、Ｎ≧６の整数とすることが好ましい。Ｌ≧３，Ｍ≧３、Ｎ≧６とすると、第１，第２電極６２，６４毎に設定されている、第１電位差ΔＶ１から、第１電位差ΔＶ１より大きい第２電位差ΔＶ２、第２電位差ΔＶ２より大きい第３電位差ΔＶ３へと、内周側電位差ΔＶｓｅｇ１及び外周側電位差ΔＶｓｅｇ２をそれぞれ切り替えることができる。

図７に示すように、電位差制御部１１０は、先ず、外側の第２電極６４に電圧ＶＯ１〜電圧ＶＯ５を順次印加する。上部電極７０が０Ｖであることから、上部電極７０と第２電極６４との間の電位差は、第１電位差ＶＯ１、第２電位差ＶＯ２、第３電位差ＶＯ３、第４電位差ＶＯ４、第５電位差ＶＯ５と、外周側電位差Ｖｓｅｇ２を順次大きくすることができる。それにより、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１の大きさが、ｇｏ→ｇ１→ｇ２→ｇ３→ｇ４と順次狭まる。この結果、光フィルター１０を透過する光、すなわち透過ピーク波長がλ０→λ１→λ２→λ３→λ４と、順次短くなるように変化する。

次に電位差制御部１１０は、図７に示すように、第２電極６４への最大印加電圧ＶＯ５の印加を維持したまま、電位差制御部１１０は、内側の第１電極６２に電圧ＶＩ１〜電圧ＶＩ４を順次印加する。上部電極７０が０Ｖであることから、上部電極７０と第１電極６２との間の電位差は、第１電位差ＶＩ１、第２電位差ＶＩ２、第３電位差ＶＩ３、第４電位差ＶＩＯ４と、内周側電位差Ｖｓｅｇ１を順次大きくすることができる。それにより、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１の大きさが、ｇ５→ｇ６→ｇ７→ｇ８と順次小さくな。この結果、光フィルター１０を透過する光、すなわち透過ピーク波長がλ５→λ６→λ７→λ８と、順次短くなるように変化する。

電位差制御部１１０は、外周側電位差Ｖｓｅｇ２ついて少なくとも、第１電位差ＶＯ１から、第１電位差ＶＯ１より大きい第２電位差ＶＯ２へ、さらに第２電位差ＶＯ２よりも大きい第３電位差ＶＯ３に切り替え、内周側電位差Ｖｓｅｇ１について少なくとも、第１電位差ＶＩ１から、第１電位差ＶＩ１より大きい第２電位差ＶＩ２へ、さらに第２電位差ＶＩ２よりも大きい第３電位差ＶＩ３に切り替えるため、可動側の第２基板３０の減衰自由振動を抑制することができ、迅速な波長可変動作が実施することができる。しかも、電位差制御部１１０は、第１，第２電極６２，６４の各々に対して３値以上の電圧（電圧０を含んでも良い）として、第１電極６２に対して少なくとも第１セグメント電圧ＶＩ１、第２セグメント電圧ＶＩ２及び第３セグメント電圧ＶＩ３を、第２電極６４に対して少なくとも第１セグメント電圧ＶＯ１、第２セグメント電圧ＶＯ２及び第３セグメント電圧ＶＯ３を印加している。よって、第１，第２電極６２，６４の各一つを駆動するだけで、それぞれ３段階以上のギャップ可変が可能となり、下部電極６０のセグメント電極数を無用に多くする必要がない。

１．２．３． 電圧変化量（第１電位差と第２電位差との差の絶対値等）
電位差制御部１１０は、内周側電位差Ｖｓｅｇ１及び外周側電位差Ｖｓｅｇ２の各々について、第２電位差と第３電位差との差の絶対値を、第１電位差と第２電位差との差の絶対値よりも小さくすることができる。本実施形態では上部電極７０は共通電圧０Ｖで不変であるので、例えば外周側電位差Ｖｓｅｇ２としての第１電位差と第２電位差との差の絶対値とは、図７及び図８に示すように、第２電極６４に印加される第１セグメント電圧ＶＯ１及び第２セグメント電圧ＶＯ２間の電圧変化量ΔＶＯ１と等価である。図７及び図８に示すように、外周側電位差Ｖｓｅｇ２の電圧変化量は、ΔＶＯ１＞ΔＶＯ２＞ΔＶＯ３＞ΔＶＯ４と順次小さくなる関係にあり、内周側電位差Ｖｓｅｇ１電圧変化量も、ΔＶＩ１＞ΔＶＩ２＞ΔＶＩ３と順次小さくなる関係にある。

このような関係にした理由は次の通りである。

静電引力Ｆは、「Ｆ＝（１／２）ε（Ｖ／Ｇ）^２Ｓ」と示すことができる。ここで、ε：誘電率、Ｖ：印加電圧、Ｇ：電極間ギャップ、Ｓ：電極対向面積である。この式から、静電引力Ｆは、下部、上部電極６０，７０間の電位差（本実施形態では下部電極６０への印加電圧Ｖ）の二乗に比例する。図１０は、電位差Ｖの二乗に比例する静電引力Ｆの特性図（Ｆ＝Ｖ^２の図）である。図１０に示すように、電位差Ｖが大きくなる方向に、第１電位差、第２電位差、第３電位差と切り替えたとき、第１電位差と第２電位差との差の絶対値ΔＶ１と、第２電位差と第３電位差との絶対値の差ΔＶ２が同じ場合（図１０ではΔＶ１＝ΔＶ２）、静電引力の増加量ΔＦは、ΔＦ１からΔＦ２へと急激に増大することになり、オーバーシュートの原因となる。

そこで、第２電位差と第３電位差との差の絶対値ΔＶ２は、第１電位差と第２電位差との差の絶対値ΔＶ２よりも小さくする。これにより、ギャップが狭くなった際の静電引力の急激な増大を抑制することができ、オーバーシュートをより抑制することができ、より迅速な波長可変動作を実現することができる。

１．２．４． 電圧印加期間
電位差制御部１１０は、内周側電位差Ｖｒｅｇ１及び外周側電位差Ｖｒｅｇ２の各々について、第２電位差に設定されている期間は、第１電位差に設定されている期間より長く、第３電位差に設定されている期間は、第２電位差に設定されている期間より長くすることができる。本実施形態では、図８に示すように、外周側電位差Ｖｒｅｇ２について、第２電位差ＶＯ１の期間ＴＯ２は、第１電位差ＶＯ１の期間ＴＯ１よりも長く、第３電位差ＶＯ３の期間ＴＯ３は、第２電位差ＶＯ２の期間ＴＯ２よりも長く、ＴＯ１＜ＴＯ２＜ＴＯ３＜ＴＯ４＜ＴＯ５と順次長くなる関係にある。同様に、図８に示すように、内周側電位差Ｖｒｅｇ１について、第２電位差ＶＩ１の期間ＴＩ２は、第１電位差ＶＩ１の期間ＴＩ１よりも長く、第３電位差ＶＩ３の期間ＴＩ３は、第２電位差ＶＩ２の期間ＴＩ２よりも長く、ＴＩ１＜ＴＩ２＜ＴＩ３＜ＴＩ４と順次長くなる関係にある。

第１電位差よりも大きい第２電位差としたとき、または第２電位差より大きい第３電位差としたとき、第２基板３０の復元力も大きくなる。このため、第２基板３０が静止するまでの時間が長くなる。すなわち、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１が、定位置に安定するまでの時間が長くなる。これに対して、本実施形態のように、第２電位差に設定されている期間を、第１電位差に設定されている期間より長く、第３電位差に設定されている期間を、第２電位差に設定されている期間より長く設定することにより、第１ギャップＧ１を所定値に安定させることができる。

１．２．５． 電位差、ギャップ及び可変波長の実施例
図１１は、図７に示す電位差、ギャップ及び可変波長の実施例のデータを示す特性図である。図１１のデータ番号１〜９は図７のデータ番号１〜９と同一である。図１２は、図１１に示す印加電圧とギャップとの関係を示す特性図である。図１３は、図１１に示す印加電圧と透過ピーク波長との関係を示す特性図である。

図１１では、透過ピーク波長の最大波長λ０＝７００ｎｍから最小波長λ８＝３８０ｎｍの９段階で透過ピーク波長を可変するために、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１は最大ギャップｇ０＝３００ｎｍから最小ギャップｇ８＝１４０ｎｍの９段階に可変されている（図１２も参照）。これに対応して、透過ピーク波長は最大波長λ０から最小波長λ８までの９段階に可変されている（図１３も参照）。しかも、図１１では、最大ギャップｇ０から最小ギャップｇ８までの９段階のギャッブｇ０〜ｇ８を等間隔（＝４０ｎｍ）に設定することにより、最大波長λ０から最小波長λ８までの９段階の波長λ０〜λ８も等間隔（＝４０ｎｍ）となっている。このように、第１，第２反射膜間の第１ギャップＧ１の大きさを一定量ずつ順次狭まるように変化させることで、透過ピーク波長も一定値ずつ短くなる。

電位差制御部１１０が、外周側電位差Ｖｓｅｇ２をＶＯ１＝１６．９Ｖ、ＶＯ２＝２１．４Ｖ、ＶＯ３＝２５Ｖ、ＶＯ４＝２７．６Ｖ、ＶＯ５＝２９．８Ｖに順次設定し、ＶＯ５＝２９．８Ｖに維持したまま、内周側電位差Ｖｓｅｇ１をＶＩ１＝１６．４Ｖ、ＶＩ２＝２２．２Ｖ、ＶＩ３＝２６．３Ｖ、ＶＩ４＝２９．３Ｖに順次設定する。

なお、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１の大きさは、外周側電位差Ｖｒｅｇ２に基づく静電引力Ｆ２よりも内周側電位差Ｖｒｅｇ１に基づく静電引力Ｆ１の影響の方が大きい。よって、先ず内周側電位差Ｖｒｅｇ１を変化させた後に、内周側電位差Ｖｒｅｇ１を一定値に維持したまま外周側電位差Ｖｒｅｇ２を変化させても、内周側電位差Ｖｒｅｇ１による静電引力Ｆ１が支配的となって第１，第２反射膜４０，５０間のギャップは外周側電位差Ｖｒｅｇ２の通りに変化しない。そこで、本実施形態では先ず外周側電位差Ｖｒｅｇ２を変化させた後に、外周側電位差Ｖｒｅｇ２を一定値に維持したまま内周側電位差Ｖｒｅｇ１を変化させている。

電位差制御部１１０は、外周側電位差Ｖｒｅｇ２が外周側最大電位差ＶＯ５に到達した後に、外周側電位差Ｖｒｅｇ２を外周側最大電位差ＶＯ５に維持して内周側電位差Ｖｒｅｇ１を変化させている。こうすると、外周側最大電位差ＶＯ５にて設定された第１ギャップＧ１からさらに、内周側電位差Ｖｒｅｇ１の印加による１ステップ分のギャップ変化が可能となる。しかも、内周側電位差Ｖｒｅｇ１を印加させた後には、既に外周側最大外周側電位差ＶＯ５に達しているので、外周側電位差Ｖｒｅｇ２をさらに変化させる必要はない。よって、外周側電位差Ｖｒｅｇ２を変化させる時には、内周側電位差Ｖｒｅｇ１による支配的な静電引力Ｆ２の悪影響は生じない。

電位差制御部１１０が内周側電位差Ｖｒｅｇ１を内周側最大電位差ＶＩ４に設定したとき、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１は最小間隔ｇ８に設定される。外周側最大電位差ＶＯ５及び内周側最大電位差ＶＩ４の各々は、電位差制御部１１０に供給される最大電圧Ｖｍａｘを超えない範囲で実質的に等しくすることができる。本実施形態では、図６に示す電源１２０から例えば最大電圧Ｖｍａｘ＝３０Ｖが電位差制御部１１０に供給される。このとき、外周側最大電位差ＶＯ５は、最大電圧Ｖｍａｘ（３０Ｖ）を越えない２９．８Ｖに設定され、内周側最大電位差ＶＩ４もまた、最大電圧Ｖｍａｘ（３０Ｖ）を越えない２９．３Ｖに設定されている。

図１１では、内周側最大電位差ＶＯ５及び内周側最大電位差ＶＩ４との間には０．５Ｖの微小な相違があるが、実質的に同一と言える。この微小な相違は、内周側電位差Ｖｒｅｇ１及び外周側電位差Ｖｒｅｇ２の各々について最大電圧Ｖｍａｘ（３０Ｖ）を越えない範囲のフルスケール（図１２及び図１３参照）で、等間隔の透過ピーク波長を得るように設計された結果である。内周側最大電位差ＶＯ５及び内周側最大電位差ＶＩ４を厳密に一致させるには、第１，第２電極６２，６４の面積比などを調整することで可能ではあるが、厳密に一致させる必要性は乏しい。なお、本実施形態の駆動法では、内周側最大電位差ＶＯ５及び内周側最大電位差ＶＩ４を実質的に等しくすることで、図４（Ａ）にて説明したように、外側の第４電極７４のほぼ全周（第１スリット６４Ｃとの対向領域７４Ａ１を含む）に均等な静電引力を生じさせることができるという利点がある。

本実施形態では、電位差制御部１１０は、Ｋ＝２個の第１，第２電極６２，６４の各々に順次電圧を印加することで、計Ｎ＝９段階で第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１を可変している。このとき、Ｋ＝２個の第１，第２電極６２，６４のうち同一セグメント電極６２（または６４）に印加される各印加電圧間の電圧変化量の最小値をΔＶｋｍｉｎと定義する。図７及び図１１の例では、第１電極６２についてはΔＶｋｍｉｎ＝ΔＶＩ３＝３．０Ｖであり、第２電極６４についてはΔＶｋｍｉｎ＝ΔＶＯ４＝２．２Ｖである。電源ノイズが０．１Ｖ程度であることを考慮すると、この最小電圧値ΔＶｋｍｉｎがノイズに対する感度が小さいことは、以下の比較例との比較からも明らかである。

１．２．６ 比較例
比較例では、図１４（Ａ）（Ｂ）に示すように、本実施形態の下部電極６０に代えて図１４（Ａ）に示す下部電極６１を、本実施形態の上部電極７０に代えて図１４（Ｂ）に示す上部電極７１を用いる。つまり、比較例の下部、上部電極６１，７１はセグメント分割されていない。

図１５は、図１４（Ａ）（Ｂ）に示す下部、上部電極６１，７１間の電位差と、それにより得られるギャップ及び可変波長のデータを示す特性図である。図１５のデータ番号１〜９は図７及び図１１のデータ番号１〜９と同一である。図１６は、図１５に示す印加電圧とギャップとの関係を示す特性図である。図１７は、図１５に示す印加電圧と透過ピーク波長との関係を示す特性図である。

図１５でも、透過ピーク波長の最大波長λ０＝７００ｎｍから最小波長λ８＝３８０ｎｍの９段階で透過ピーク波長を可変するために、第１，第２反射膜４０，５０間の第１ギャップＧ１は最大ギャップｇ０＝３００ｎｍから最小ギャップｇ８＝１４０ｎｍの９段階に可変されている（図１５も参照）。これに対応して、透過ピーク波長は最大波長λ０から最小波長λ８までの９段階に可変されている（図１６も参照）。

ただし、比較例では、単一電極である下部電極６１に印加される９段階の電圧を、最大電圧Ｖｍａｘ（３０ｖ）のフルスケールの中で設定しなければならない。

比較例のように、下部電極６１を単一電極で形成した時のＮ＝９段階の各印加電圧間の電圧最小変化量をΔＶ１ｍｉｎと定義する。図１５の例では、ΔＶ１ｍｉｎ＝０．９Ｖである。電源ノイズが０．１Ｖ程度であることを考慮すると、比較例の電圧最小変化量ΔＶ１ｍｉｎはノイズに対する感度が大きい。

本実施形態の電圧最小変化量ΔＶｋｍｉｎと比較例の電圧最小変化量Ｖ１ｍｉｎとを比較すると、ΔＶ１ｍｉｎ＜ΔＶｋｍｉｎが成立し、本実施形態ではノイズに対する感度を小さくできる。

２．光フィルターの変形例
図１８は、図１の光フィルター１０とは異なる光フィルター１１を示している。図１８に示す第１基板２１は、図１にて下部電極６０が形成される第２対向面２０Ａ２、平面視にて第１反射膜４０が形成される第１対向面２０Ａ１の周囲の第１面２０Ａ２１と、平面視にて第１面２０Ａ２１の周囲に配置されて第１面２０Ａ２１とは段差のある第２面２０Ａ２２とを含む。

第１電極６２は第１面２０Ａ２１に配置され、第２電極６４は第２面２０Ａ２２に配置され、第２電極６４と上部電極７０との間の初期のギャップＧ２２が、第１電極６２と前記上部電極７０との間の初期のギャップＧ２１と異なっている。

このような関係にした理由は、以下の通りである。初期のギャップＧ２１，Ｇ２２のうち、最初に駆動される例えば第２電極６４と対応する初期のギャップＧ２２は、その第２電極６４と第２電極との間に作用する静電引力により狭められる。このとき、同時にギャップＧ２１も狭められ、初期ギャップよりも小さくなる。よって、第１電極６２を駆動する時には、ギャップＧ２１は初期値よりも小さくなっている。

ここで、仮に第１面２０Ａ２１と第２面２０Ａ２２とが面一であってギャップＧ２１，Ｇ２２の初期値が同一であるとする。この場合、例えば第２電極６４を最初に駆動するときのギャップＧ２２は、後に第１電極６２を駆動するときのギャップＧ２１よりも大きくなってしまう。よって、第２電極６４を最初に駆動するときの静電引力を、第１電極６４が駆動されたときの静電引力よりも過度に大きく設定しなければならなくなる。

よって、この場合には図１８に示すように、ギャップＧ２２の初期値をギャップＧ２１の初期値よりも小さくしておくと良い。なお、第１電極６２を最初に駆動する場合には、ギャップＧ２１の初期値をギャップＧ２２の初期値よりも小さくしておけばよい。

３．分析機器
図１９は、本発明に係る一実施形態の分析機器の一例である測色器の概略構成を示すブロック図である。

図１９において、測色器２００は、光源装置２０２と、分光測定装置２０３と、測色制御装置２０４と、を備えている。この測色器２００は、光源装置２０２から検査対象Ａに向かって例えば白色光を射出し、検査対象Ａで反射された光である検査対象光を分光測定装置２０３に入射させる。そして、分光測定装置２０３にて検査対象光を分光し、分光した各波長の光の光量を測定する分光特性測定を実施する。言い換えると、検査対象Ａで反射された光である検査対象光を光フィルター（エタロン）１０に入射させ、エタロン１０から透過した透過光の光量を測定する分光特性測定を実施する。そして、測色制御装置２０４は、得られた分光特性に基づいて、検査対象Ａの測色処理、すなわち、どの波長の色がどの程度含まれているかを分析する。

光源装置２０２は、光源２１０、複数のレンズ２１２（図１には１つのみ記載）を備え、検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ２１２には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置２０２は、光源２１０から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。

分光測定装置２０３は、図１９に示すように、エタロン１０と、受光素子を含む受光部２２０と、駆動回路２３０と、制御回路部２４０と、を備えている。また、分光測定装置２０３は、エタロン１０に対向する位置に、検査対象Ａで反射された反射光（測定対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。

受光部２２０は、複数の光電交換素子（受光素子）により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光部２２０は、制御回路部２４０に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御回路部２４０に出力する。なお、エタロン１０と受光部（受光素子）２２０とでユニット化して、光フィルターモジュールを構成することができる。

駆動回路２３０は、エタロン１０の下部電極６０、上部電極７０、および制御回路部２４０に接続される。この駆動回路２３０は、制御回路部２４０から入力される駆動制御信号に基づいて、下部電極６０および上部電極７０間に駆動電圧を印加し、第２基板３０を所定の変位位置まで移動させる。駆動電圧としては、下部電極６０と上部電極７０との間に所望の電位差が生じるように印加されればよく、例えば、下部電極６０に所定の電圧を印加し、上部電極７０をアース電位としてもよい。駆動電圧としては、直流電圧を用いるのが好ましい。

制御回路部２４０は、分光測定装置２０３の全体動作を制御する。この制御回路部２４０は、図１９に示すように、例えばＣＰＵ２５０、記憶部２６０などにより構成されている。そして、ＣＰＵ３５０は、記憶部２５０に記憶された各種プログラム、各種データに基づいて、分光測定処理を実施する。記憶部２５０は、例えばメモリーやハードディスクなどの記録媒体を備えて構成され、各種プログラム、各種データなどを適宜読み出し可能に記憶する。

ここで、記憶部２６０には、プログラムとして、電圧調整部２６１、ギャップ測定部２６２、光量認識部２６３、および測定部２６４が記憶されている。なお、ギャップ測定部２６２は上述の通り省略しても良い。

また、記憶部２６０には、第１ギャップＧ１の間隔を調整するために静電アクチュエーター８０，９０に印加する電圧値、およびその電圧値を印加する時間を関連付けた図７に示す電圧テーブルデータ２６５が記憶されている。

測色制御装置２０４は、分光測定装置２０３および光源装置２０２に接続されており、光源装置２０２の制御、分光測定装置２０３により取得される分光特性に基づく測色処理を実施する。この測色制御装置２０４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。

そして、測色制御装置２０４は、図１９に示すように、光源制御部２７２、分光特性取得部２７０、および測色処理部２７１などを備えて構成されている。

光源制御部２７２は、光源装置２０２に接続されている。そして、光源制御部２７２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２０２に所定の制御信号を出力し、光源装置２０２から所定の明るさの白色光を射出させる。

分光特性取得部２７０は、分光測定装置２０３に接続され、分光測定装置２０３から入力される分光特性を取得する。

測色処理部２７１は、分光特性に基づいて、検査対象Ａの色度を測定する測色処理を実施する。例えば、測色処理部２７１は、分光測定装置２０３から得られた分光特性をグラフ化し、図示しないプリンターやディスプレイなどの出力装置に出力するなどの処理を実施する。

図２０は、分光測定装置２０３の分光測定動作を示すフローチャートである。まず、制御回路部２４０のＣＰＵ２５０は、電圧調整部２６１、光量認識部２６３、および測定部２６４を起動させる。また、ＣＰＵ２５０は、初期状態として、測定回変数ｎを初期化（ｎ＝０に設定）する(ステップＳ１)。なお、測定回変数ｎは、０以上の整数の値をとる。

この後、測定部２６４は、初期状態、すなわち、静電アクチュエーター８０，９０に電圧が印加されていない状態で、エタロン１０を透過した光の光量を測定する（ステップＳ２）。なお、この初期状態における第１ギャップＧ１の大きさは、例えば分光測定装置の製造時において予め測定し、記憶部２６０に記憶しておいてもよい。そして、ここで得られた初期状態の透過光の光量、および第１ギャップＧ１の大きさを測色制御装置２０４に出力する。

次に、電圧調整部２６１は、記憶部２６０に記憶されている電圧テーブルデータ２６５を読み込む（ステップＳ３）。また、電圧調整部２６１は、測定回変数ｎに「１」を加算する（ステップＳ４）。

この後、電圧調整部２６１は、電圧テーブルデータ２６５から、測定回変数ｎに対応する第１，第２電極６２，６４の電圧データ及び電圧印加期間データを取得する（ステップＳ５）。そして、電圧調整部２６１は、駆動回路２３０に駆動制御信号を出力し、電圧テーブルデータ２６５のデータに従って静電アクチュエーター８０，９０を駆動する処理を実施する（ステップＳ６）。

また、測定部２６４は、印加時間経過タイミングで、分光測定処理を実施する（ステップＳ７）。すなわち、測定部２６４は、光量認識部２６３により透過光の光量を測定させる。また、測定部２６４は、測定された透過光の光量と、透過光の波長とを関連付けた分光測定結果を測色制御装置２０４に出力する制御をする。なお、光量の測定は、複数回または全ての回数の光量のデータを記憶部２６０に記憶させておき、複数回毎の光量のデータまたは全ての光量のデータの取得後に、まとめて、それぞれの光量を測定してもよい。

この後、ＣＰＵ２５０は、測定回変数ｎが最大値Ｎに達したか否かを判断し（ステップＳ８）、測定回変数ｎがＮであると判断すると、一連の分光測定動作を終了する。一方，ステップＳ８において、測定回変数ｎがＮ未満である場合、ステップＳ４に戻り、測定回変数ｎに「１」を加算する処理を実施し、ステップＳ５〜ステップＳ８の処理を繰り返す。

４．光機器
図２１は、本発明に係る一実施形態の光機器の一例である波長多重通信システムの送信機の概略構成を示すブロック図である。波長多重（WDM: Wavelength Division Multiplexing）通信では、波長の異なる信号は干渉し合わないという特性を利用して、波長が異な
る複数の光信号を一本の光ファイバー内で多重的に使用すれば、光ファイバー回線を増設せずにデータの伝送量を向上させることができるようになる。

図２１において、波長多重送信機３００は、光源３０１からの光が入射される光フィルター１０を有し、光フィルター１０からは複数の波長λ０，λ１，λ２，…の光が透過される。波長毎に送信器３１１，３１２，３１３が設けられる。送信器３１１，３１２，３１３からの複数チャンネル分の光パルス信号は、波長多重装置３２１にて１つに合わせられて一本の光ファイバー伝送路３３１に送出される。

本発明は光符号分割多重（OCDM: Optical Code Division Multiplexing）送信機にも同様に適用できる。ＯＣＤＭは、符号化された光パルス信号のパターンマッチングによってチャンネルを識別するが、光パルス信号を構成する光パルスは、異なる波長の光成分を含んでいるからである。

以上、幾つかの実施形態について説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。

１０ 光フィルター、２０ 第１基板、２０Ａ１ 第１対向面、２０Ａ２ 第２対向面、２０Ａ２１ 第１面、２０Ａ２２ 第２面、３０ 第２基板、３０Ａ 対向面、４０ 第１反射膜、５０ 第２反射膜、６０ 下部電極、６２ 第１電極、６２Ａ 第１リング状電極、６２Ｂ 第１引き出し配線、６４ 第２電極、６４Ａ 第２リング状電極、６４Ｂ 第２引き出し配線、６４Ｃ 第１スリット、７０，７０’ 上部電極、７２ 第３電極、７２Ａ 第３リング状電極、７４，７４’ 第４電極、７４Ａ，７４Ａ’ 第４リング状電極、７６Ａ 第３引き出し配線、７６Ｂ 第４引出し配線、７８ 第２スリット、８０ 第１ギャップ可変駆動部（静電アクチュエーター）、９０ 第２ギャップ可変駆動部（静電アクチュエーター）、１０１〜１０４ 第１〜第４外部接続電極、１１０ 電位差制御部、１１２ 第１電極駆動部、１１４ 第２電極駆動部、１１６ デジタル制御部、１２０ 電源、２００ 分析機器（測色器）、３００ 光機器、Ｇ１ 第１ギャップ、Ｇ２ 第２ギャップ、Ｌ 中心線、ΔＶｓｅｇ１ 内周側電位差、ΔＶｓｅｇ２ 外周側電位差、Ｗ１，Ｗ２ リング幅

Claims (13)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板に設けられた第１反射膜と、
   前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、
   前記第１基板に設けられ、平面視において、前記第１反射膜の外周よりも外側に形成された第１電極と、
   前記第１基板に設けられ、平面視において、前記第１反射膜に対して前記第１電極よりも離れた位置に形成された第２電極と、
   前記第２基板に設けられ、平面視において、前記第２反射膜の外周よりも外側に形成され、前記第１電極と対向する第３電極と、
   前記第２基板に設けられ、平面視において、前記第２反射膜に対して前記第３電極よりも離れた位置に形成され、前記第２電極と対向する第４電極と、を備え、
   前記第１電極と前記第２電極とは、電気的に独立しており、
   前記第３電極と前記第４電極とは、接続部を介して電気的に接続され、
   前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１基板の第１電極面に配置され、
   前記第３電極及び前記第４電極は、前記第２基板の第２電極面に配置され、
   前記第１電極面と前記第２電極面とは対向していることを特徴とする光フィルター。
2. 請求項１において、
   前記第１電極は、第１リング形状を有し、
   前記第２電極は、第１スリットを有する第２リング形状を有することを特徴とする光フィルター。
3. 請求項２において、
   前記第３電極は、第３リング形状を有し、
   前記第４電極は、第４リング形状を有することを特徴とする光フィルター。
4. 請求項３において、
   前記第２電極のリング幅は、前記第１電極のリング幅よりも大きく、
   前記第４電極のリング幅は、前記第２電極のリング幅よりも大きいことを特徴とする光フィルター。
5. 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
   前記第２基板は、第１部分と、前記第１部分の膜厚よりも薄い第２部分とを有し、
   前記第２反射膜は、前記第２基板の前記第１部分に形成されていることを特徴とする光フィルター。
6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
   前記第１基板は、第１面と、前記第１面よりも低い第２面とを有し、
   前記第１反射膜は、前記第１面に形成され、
   前記第１電極および前記第２電極は、前記第２面に形成されていることを特徴とする光フィルター。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記第１電極と前記第３電極との間の電位差と、前記第２電極と前記第４電極との電位差とを制御する電位差制御部をさらに有することを特徴とする光フィルター。
8. 請求項７において、
   前記電位差制御部は、
   前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を第１電位差に設定し、
   前記第１電位差に設定した後に、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を前記第１電位差より大きい第２電位差に設定し、
   前記第２電位差に設定した状態で、前記第１電極と前記第３電極との間の電位差を第３電位差に設定し、
   前記第３電位差に設定した後に、前記第２電極と前記第４電極との間の電位差を前記第２電位差に設定した状態で、前記第１電極と前記第３電極との間の電位差を前記第３電位差より大きい第４電位差に設定することを特徴とする光フィルター。
9. 請求項８において、
   前記第２電位差に設定されている期間は、前記第１電位差に設定されている期間よりも長く、
   前記第４電位差に設定されている期間は、前記第３電位差に設定されている期間よりも長いことを特徴とする光フィルター。
10. 第１基板と、
    前記第１基板と対向する第２基板と、
    前記第１基板に設けられた第１反射膜と、
    前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、
    前記第１基板に設けられ、平面視において、前記第１反射膜の外周よりも外側に形成された第１電極と、
    前記第１基板に設けられ、平面視において、前記第１反射膜に対して前記第１電極よりも離れた位置に形成された第２電極と、
    前記第２基板に設けられ、平面視において、前記第２反射膜の外周よりも外側に形成され、前記第１電極及び前記第２電極と対向する第３電極と、
    を備え、
    前記第３電極と前記第１電極との間には第１電極間電位差を印加可能であり、
    前記第３電極と前記第２電極との間には第２電極間電位差を印加可能であり、
    前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１基板の第１電極面に配置され、
    前記第３電極は、前記第２基板の第２電極面に配置され、
    前記第１電極面と前記第２電極面とは対向していることを特徴とする光フィルター。
11. 請求項１乃至１０のいずれか記載の光フィルターと
    前記光フィルターを透過した光を受光する受光素子と、
    を含む光フィルターモジュール。
12. 請求項１乃至１０のいずれか記載の光フィルターを含む分析機器。
13. 請求項１乃至１０のいずれか記載の光フィルターを含む光機器。

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