JP5906076B2 - Resist pattern forming method - Google Patents

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本発明は、レジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物に関する。   The present invention relates to a resist pattern forming method and a resist composition used therefor.

基板の上に微細なパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングを行うことによって該パターンの下層を加工する技術(パターン形成技術)は、半導体素子や液晶表示素子の製造において広く採用されている。微細パターンは、通常、有機材料からなり、例えばリソグラフィー法やナノインプリント法等の技術によって形成される。たとえばリソグラフィー法においては、基板等の支持体の上に、樹脂等の基材成分を含むレジスト材料を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。そして、上記レジストパターンをマスクとして、基板をエッチングにより加工する工程を経て半導体素子等が製造される。
前記レジスト材料はポジ型とネガ型とに分けられ、露光した部分の現像液に対する溶解性が増大するレジスト材料をポジ型、露光した部分の現像液に対する溶解性が低下するレジスト材料をネガ型という。
前記現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液等のアルカリ水溶液(アルカリ現像液)が用いられている。また、芳香族系溶剤、脂肪族炭化水素系溶剤、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アミド系溶剤、アルコール系溶剤等の有機溶剤を現像液として用いることも行われている(たとえば特許文献1、2参照)。
A technique (pattern formation technique) for forming a fine pattern on a substrate and processing the lower layer of the pattern by performing etching using the fine pattern as a mask is widely adopted in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements. The fine pattern is usually made of an organic material, and is formed by a technique such as a lithography method or a nanoimprint method. For example, in a lithography method, a resist film is formed on a support such as a substrate using a resist material containing a base material component such as a resin, and the resist film is selected by radiation such as light or an electron beam. A step of forming a resist pattern having a predetermined shape on the resist film is performed by performing a general exposure and developing. And a semiconductor element etc. are manufactured through the process of processing a board | substrate by an etching using the said resist pattern as a mask.
The resist material is classified into a positive type and a negative type. A resist material whose solubility in an exposed portion of a developer is increased is called a positive type, and a resist material whose solubility in an exposed portion of a developer is reduced is called a negative type. .
As the developer, an alkaline aqueous solution (alkali developer) such as a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution is usually used. In addition, an organic solvent such as an aromatic solvent, an aliphatic hydrocarbon solvent, an ether solvent, a ketone solvent, an ester solvent, an amide solvent, or an alcohol solvent is also used as a developer (for example, (See Patent Documents 1 and 2).

近年、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長(高エネルギー)のEB(電子線)、EUV(極紫外線)やX線などについても検討が行われている。
露光光源の短波長化に伴い、レジスト材料には、露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性の向上が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として化学増幅型レジストが知られている。
化学増幅型レジストとしては、一般的に、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有する組成物が用いられている。たとえば現像液がアルカリ現像液(アルカリ現像プロセス)の場合、基材成分として、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが用いられている。
従来、化学増幅型レジスト組成物の基材成分としては主に樹脂(ベース樹脂)が用いられている。現在、ArFエキシマレーザーリソグラフィー等において使用される化学増幅型レジスト組成物のベース樹脂としては、193nm付近における透明性に優れることから、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂(アクリル系樹脂)が主流である。
ここで、「(メタ)アクリル酸」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリレート」とは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。
該ベース樹脂は、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、複数の構成単位を含有している。たとえば、酸発生剤から発生した酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる酸分解性基を有する構成単位とともに、ラクトン構造を有する構成単位、水酸基等の極性基を有する構成単位等が用いられている(たとえば特許文献3参照)。ベース樹脂がアクリル系樹脂である場合、前記酸分解性基としては、一般的に、(メタ)アクリル酸等におけるカルボキシ基を第三級アルキル基、アセタール基等の酸解離性基で保護したものが用いられている。
In recent years, pattern miniaturization is rapidly progressing due to the advancement of lithography technology.
As a technique for miniaturization, the exposure light source is generally shortened in wavelength (increased energy). Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have been used, but at present, mass production of semiconductor elements using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has started. Further, studies have been made on EB (electron beam), EUV (extreme ultraviolet), X-rays, and the like having shorter wavelengths (higher energy) than these excimer lasers.
Along with the shortening of the wavelength of the exposure light source, the resist material is required to be improved in lithography characteristics such as sensitivity to the exposure light source and resolution capable of reproducing a pattern with a fine dimension. A chemically amplified resist is known as a resist material that satisfies such requirements.
As the chemically amplified resist, a composition containing a base material component whose solubility in a developing solution is changed by the action of an acid and an acid generator component that generates an acid upon exposure is generally used. For example, when the developer is an alkali developer (alkaline development process), a substrate component that has increased solubility in an alkali developer due to the action of an acid is used.
Conventionally, a resin (base resin) is mainly used as a base component of a chemically amplified resist composition. At present, as a base resin of a chemically amplified resist composition used in ArF excimer laser lithography and the like, it has a structural unit derived from (meth) acrylic acid ester in its main chain because of its excellent transparency near 193 nm. Resin (acrylic resin) is the mainstream.
Here, “(meth) acrylic acid” means one or both of acrylic acid having a hydrogen atom bonded to the α-position and methacrylic acid having a methyl group bonded to the α-position. “(Meth) acrylic acid ester” means one or both of an acrylic acid ester having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylic acid ester having a methyl group bonded to the α-position. “(Meth) acrylate” means one or both of an acrylate having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylate having a methyl group bonded to the α-position.
The base resin generally contains a plurality of structural units in order to improve lithography properties and the like. For example, a structural unit having an acid-decomposable group that decomposes by the action of an acid generated from an acid generator to generate an alkali-soluble group, a structural unit having a lactone structure, a structural unit having a polar group such as a hydroxyl group, etc. are used. (For example, refer to Patent Document 3). When the base resin is an acrylic resin, as the acid-decomposable group, generally, a carboxy group in (meth) acrylic acid or the like is protected with an acid-dissociable group such as a tertiary alkyl group or an acetal group Is used.

解像性の更なる向上のための手法の1つとして、露光機の対物レンズと試料との間に、空気よりも高屈折率の液体(液浸媒体)を介在させて露光(浸漬露光)を行うリソグラフィー法、所謂、液浸リソグラフィー(Liquid Immersion Lithography。以下「液浸露光」ということがある。)が知られている(たとえば非特許文献1参照)。
液浸露光によれば、同じ露光波長の光源を用いても、より短波長の光源を用いた場合や高NAレンズを用いた場合と同様の高解像性を達成でき、しかも焦点深度幅の低下もないといわれている。また、液浸露光は、既存の露光装置を応用して行うことができる。そのため、液浸露光は、低コストで、高解像性で、かつ焦点深度幅にも優れるレジストパターンの形成を実現できると予想され、多額な設備投資を必要とする半導体素子の製造において、コスト的にも、解像度等のリソグラフィー特性的にも、半導体産業に多大な効果を与えるものとして大変注目されている。
液浸露光は、あらゆるパターン形状の形成において有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることも可能であるとされている。現在、液浸露光技術としては、主に、ArFエキシマレーザーを光源とする技術が活発に研究されている。また、現在、液浸媒体としては、主に水が検討されている。
As one of the methods for further improving the resolution, exposure (immersion exposure) is performed by interposing a liquid (immersion medium) having a higher refractive index than air between the objective lens of the exposure machine and the sample. A so-called immersion lithography (hereinafter referred to as “immersion exposure”) is known (for example, see Non-Patent Document 1).
According to immersion exposure, even when a light source having the same exposure wavelength is used, the same high resolution as when using a light source with a shorter wavelength or using a high NA lens can be achieved, and the depth of focus can be reduced. It is said that there is no decline. In addition, immersion exposure can be performed by applying an existing exposure apparatus. For this reason, immersion exposure is expected to be able to form resist patterns with low cost, high resolution, and excellent depth of focus. In particular, in terms of lithography characteristics such as resolution, the semiconductor industry is attracting a great deal of attention.
Immersion exposure is effective in forming all pattern shapes, and can be combined with super-resolution techniques such as the phase shift method and the modified illumination method that are currently being studied. Currently, as an immersion exposure technique, a technique mainly using an ArF excimer laser as a light source is being actively researched. Currently, water is mainly studied as an immersion medium.

最近提案されているリソグラフィー技術の1つとして、パターニングを2回以上行ってレジストパターンを形成するダブルパターニングプロセスがある(たとえば非特許文献2、3参照)。ダブルパターニングプロセスにはいくつかの方法があり、たとえば、(1)リソグラフィー工程(レジスト組成物の塗布から露光、現像まで)およびエッチング工程を2回以上繰り返してパターンを形成する方法、(2)リソグラフィー工程を続けて2回以上繰り返す方法等がある。ダブルパターニングプロセスによれば、同じ露光波長の光源を用いても、また、同じレジスト組成物を用いても、1回のリソグラフィー工程で形成する場合(シングルパターニング)よりも高解像性のレジストパターンを形成することが可能である。また、ダブルパターニングプロセスは、既存の露光装置を用いて行うことができる。
また、レジスト膜を形成後、該レジスト膜に対して露光を2回以上行い、現像してレジストパターンを形成する二重露光法も提案されている(たとえば特許文献4参照)。この二重露光法によれば、上述したダブルパターニングプロセスと同様、高解像性のレジストパターンを形成することが可能であり、また、ダブルパターニングに比べて工程数が少ないという利点がある。
One recently proposed lithography technique is a double patterning process in which a resist pattern is formed by performing patterning twice or more (see, for example, Non-Patent Documents 2 and 3). There are several methods for the double patterning process. For example, (1) a method of forming a pattern by repeating a lithography process (from application of a resist composition to exposure and development) and an etching process at least twice, and (2) lithography. There is a method of repeating the process twice or more. According to the double patterning process, a resist pattern having a higher resolution than that formed by a single lithography process (single patterning), whether using the same exposure wavelength light source or the same resist composition. Can be formed. The double patterning process can be performed using an existing exposure apparatus.
In addition, a double exposure method has been proposed in which after a resist film is formed, the resist film is exposed twice or more and developed to form a resist pattern (see, for example, Patent Document 4). According to this double exposure method, it is possible to form a high-resolution resist pattern as in the above-described double patterning process, and there is an advantage that the number of steps is small compared to double patterning.

ポジ型の化学増幅型レジスト組成物、つまり露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する化学増幅型レジスト組成物と、アルカリ現像液と、を組み合わせたポジ型現像プロセスは、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物とアルカリ現像液とを組み合わせたネガ型現像プロセスに比べて、フォトマスクの構造を単純にできる、形成されるパターンの特性が優れる等の利点がある。そのため、現在、微細なレジストパターンの形成には、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物とアルカリ現像液とを組み合わせたポジ型現像プロセスが主に用いられている。   A positive development process that combines a positive chemically amplified resist composition, that is, a chemically amplified resist composition whose solubility in an alkali developer increases upon exposure, and an alkaline developer is a negative chemically amplified type. Compared to a negative development process in which a resist composition and an alkali developer are combined, there are advantages such as a simple photomask structure and excellent pattern characteristics. Therefore, at present, a positive development process in which a positive chemically amplified resist composition and an alkali developer are combined is mainly used for forming a fine resist pattern.

特開平06−194847号公報Japanese Patent Laid-Open No. 06-194847 特開2009−025723号公報JP 2009-025723 A 特開2003−241385号公報JP 2003-241385 A 特開2010−040849号公報JP 2010-040849 A

プロシーディングスオブエスピーアイイ(Proceedings of SPIE),第5754巻,第119−128頁(2005年).Proceedings of SPIE, 5754, 119-128 (2005). プロシーディングスオブエスピーアイイ(Proceedings of SPIE),第5256巻,第985〜994頁(2003年).Proceedings of SPIE, 5256, 985-994 (2003). プロシーディングスオブエスピーアイイ(Proceedings of SPIE),第6153巻,第615301−1〜19頁(2006年).Proceedings of SPIE, 6153, 615301-1-19 (2006).

近年、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進むなか、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物とアルカリ現像液とを組み合わせたポジ型現像プロセスにも、種々のリソグラフィー特性の改善がよりいっそう求められる。
当該ポジ型現像プロセスを適用する場合、化学増幅型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜の露光部は、ベース樹脂中の酸分解性基が酸発生剤等から発生した酸の作用により分解して、アルカリ現像液に対して難溶性から可溶性へ転じる一方で、レジスト膜の未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間で溶解コントラストをつけることができ、ポジ型レジストパターンを形成できる。
しかしながら、当該ポジ型現像プロセスを適用して、より微細なパターン(孤立トレンチパターン、微細かつ密集したコンタクトホールパターン等)を形成しようとすると、レジスト膜の露光部の、特に膜厚方向で、光学強度の弱い領域が生じてレジストパターンの解像性が低下しやすい。
In recent years, with further progress in lithography technology and the expansion of application fields, various improvements in lithography properties have been made even in a positive development process that combines a positive chemically amplified resist composition and an alkaline developer. Desired.
When the positive development process is applied, when the resist film obtained by applying the chemically amplified resist composition on the support is selectively exposed, the exposed portion of the resist film is decomposed by acid in the base resin. Since the functional group is decomposed by the action of the acid generated from the acid generator and the like, and is changed from poorly soluble to soluble in an alkali developer, the unexposed portion of the resist film remains hardly soluble in alkali and remains unchanged. By developing with a developing solution, a dissolution contrast can be provided between the exposed and unexposed areas, and a positive resist pattern can be formed.
However, applying the positive development process to form finer patterns (isolated trench patterns, fine and dense contact hole patterns, etc.) A weak region is generated, and the resolution of the resist pattern is likely to deteriorate.

上記のような微細パターン形成には、光学強度の弱い領域が選択的に溶解除去されて形成するレジストパターン(ネガ型パターン)形成方法が有用である。主流であるポジ型現像プロセスで用いられる化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型パターンを形成する方法としては、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)と組み合わせたネガ型現像プロセスが知られている。
当該ネガ型現像プロセスを適用する場合、化学増幅型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜の露光部は、ベース樹脂中の酸分解性基が酸発生剤等から発生した酸の作用により分解して、有機系現像液に対して可溶性から難溶性へ転じる一方で、レジスト膜の未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間で溶解コントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンを形成できる。
しかしながら、当該ネガ型現像プロセスでは、露光によってレジスト膜の露光部を充分に難溶化させることが難しい。
For the fine pattern formation as described above, a resist pattern (negative pattern) forming method in which a region having low optical intensity is selectively dissolved and removed is useful. As a method of forming a negative pattern using a chemically amplified resist composition used in the mainstream positive development process, a negative development process combined with a developer containing an organic solvent (organic developer) is used. Are known.
When the negative development process is applied, when the resist film obtained by applying the chemically amplified resist composition on the support is selectively exposed, the exposed portion of the resist film is decomposed by acid in the base resin. The functional group is decomposed by the action of an acid generated from an acid generator and the like, and it changes from being soluble to hardly soluble in an organic developer, while the unexposed portion of the resist film remains soluble and does not change. By developing with a developing solution, a dissolution contrast can be provided between the exposed and unexposed areas, and a negative resist pattern can be formed.
However, in the negative development process, it is difficult to sufficiently dissolve the exposed portion of the resist film by exposure.

これに対し、レジスト膜の露光部と未露光部との間で良好な溶解コントラストが得られやすく、微細なパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法が求められる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、微細パターンを形成するのに有用なレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物を提供することを課題とする。
On the other hand, there is a need for a new resist pattern forming method that can easily obtain a good dissolution contrast between an exposed portion and an unexposed portion of a resist film and can form a fine pattern.
This invention is made | formed in view of the said situation, Comprising: It aims at providing the resist pattern formation method useful for forming a fine pattern, and the resist composition used for this.

本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、これまでの、酸分解性基を有する構成単位を有するベース樹脂を用いてレジスト膜を成膜し、該酸分解性基の分解反応を経ることによってレジストパターンを形成する代わりに、基材成分中の酸性基と会合構造を形成させることでレジスト膜を成膜し、該会合構造と、露光により酸発生剤から発生する酸との間の塩交換反応により、レジスト膜露光部の有機系現像液に対する溶解性をコントロールすることによってレジストパターンを形成し得る方法を見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies, the present inventors have formed a resist film using a base resin having a structural unit having an acid-decomposable group so far, and undergoes a decomposition reaction of the acid-decomposable group. Instead of forming a resist pattern by the step, a resist film is formed by forming an association structure with an acidic group in the substrate component, and a salt between the association structure and an acid generated from the acid generator upon exposure. The inventors have found a method capable of forming a resist pattern by controlling the solubility of an exposed portion of a resist film in an organic developer by an exchange reaction, and have completed the present invention.

すなわち、本発明の第一の態様は、酸性基を有し、酸の作用により分解する構造を含まない基材成分(A)と、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物(C)と、酸解離定数(pKa)が0未満であり、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上に、前記酸性基と前記化合物(C)との会合構造を有するレジスト膜を形成する工程(1)と、前記レジスト膜を露光し、前記酸発生剤成分(B)から発生する酸と、前記会合構造を形成していた前記化合物(C)とのあらたな会合構造を形成して、前記酸性基を露出させる工程(2)と、前記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像し、前記レジスト膜の露光部を溶解除去してポジ型レジストパターンを形成する工程(3)とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法である。
Specifically, a first aspect of the present invention, possess an acidic group, the base component containing no decomposing structure under the action of an acid (A), a compound capable of forming the acid group and association structure and (C) On the support, using a resist composition containing an acid generator component (B) having an acid dissociation constant (pKa) of less than 0 and an acid generator component (B) that generates an acid stronger than the acidic group by exposure. A step (1) of forming a resist film having an association structure of the acidic group and the compound (C), an acid generated from the acid generator component (B) by exposing the resist film, and the association structure Forming a new association structure with the compound (C), which has formed an acid, and exposing the acidic group; and developing the resist film using a developer containing an organic solvent. The exposed portion of the resist film is dissolved and removed to remove the positive resist pattern. A resist pattern forming method which comprises a step (3) to form a down.

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、「ハロゲン化アルキレン基」は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。「フッ素化アルキレン基」は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。
「ヒドロキシアルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部が水酸基で置換された基である。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
In the present specification and claims, “aliphatic” is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean groups, compounds, etc. that do not have aromaticity.
Unless otherwise specified, the “alkyl group” includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.
The “alkylene group” includes linear, branched, and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified.
The “halogenated alkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with halogen atoms, and the “halogenated alkylene group” is the part of or all of the hydrogen atoms in the alkylene group is a halogen atom. The halogen atom includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
The “fluorinated alkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms. The “fluorinated alkylene group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group are substituted with fluorine atoms.
The “hydroxyalkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a hydroxyl group.
“Structural unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).
“Exposure” is a concept including general irradiation of radiation.

本発明によれば、微細パターンを形成するのに有用なレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resist pattern formation method useful for forming a fine pattern and the resist composition used for this can be provided.

ネガ型レジストパターンが形成される、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態例を説明する概略工程図である。It is a schematic process drawing explaining an example of one embodiment of a resist pattern formation method of the present invention in which a negative resist pattern is formed. 図1に示す実施形態についての、露光前後におけるレジスト膜中の(A)〜(C)成分の存在状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the presence state of the (A)-(C) component in the resist film before and behind exposure about embodiment shown in FIG. ポジ型レジストパターンが形成される、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態例を説明する概略工程図である。It is a general | schematic process drawing explaining one example of embodiment of the resist pattern formation method of this invention in which a positive resist pattern is formed. 図3に示す実施形態についての、露光前後におけるレジスト膜中の(A)〜(C)成分の存在状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the presence state of the (A)-(C) component in the resist film before and behind exposure about embodiment shown in FIG. 実施例1及び比較例1における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the resist film thickness at the time of changing the exposure amount in Example 1 and Comparative Example 1. 比較例2における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the resist film thickness at the time of changing the exposure amount in the comparative example 2. 比較例3における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフである。10 is a graph showing changes in resist film thickness when the exposure amount is changed in Comparative Example 3. 実施例2における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフである。6 is a graph showing changes in resist film thickness when the exposure amount is changed in Example 2. 実施例3における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフである。12 is a graph showing changes in resist film thickness when the exposure amount is changed in Example 3.

≪レジストパターン形成方法≫
本発明のレジストパターン形成方法は、酸性基を有する基材成分(A)(以下「(A)成分」ともいう)と、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物(C)(以下「(C)成分」ともいう)と、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分(B)(以下「(B)成分」ともいう)とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上に、前記酸性基と前記(C)成分との会合構造を有するレジスト膜を形成する工程(1)と、前記レジスト膜を露光し、前記(B)成分から発生する酸と、前記会合構造を形成していた前記(C)成分とのあらたな会合構造を形成して、前記酸性基を露出させる工程(2)と、前記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)を用いて現像する工程(3)とを含む。
前記(A)〜(C)成分を含有するレジスト組成物を支持体上に塗布すると、前記酸性基と前記(C)成分との会合構造(x)が形成されてレジスト膜が成膜する。該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、該レジスト膜の露光部にて、(B)成分から酸が発生し、該酸と、前記会合構造(x)を形成していた前記(C)成分とのあらたな会合構造(y)が形成するとともに、前記会合構造(x)を形成していた前記酸性基が露出し、レジスト膜露光部の有機系現像液に対する溶解性が変化する。一方、該レジスト膜の未露光部は、有機系現像液に対する溶解性が変化しない。これにより、レジスト膜の露光部と未露光部との間で有機系現像液に対する溶解性の差が生じる。
そのため、本発明のレジストパターン形成方法においては、前記レジスト組成物がネガ型の場合、レジスト膜の未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンが形成され;前記レジスト組成物がポジ型の場合、レジスト膜の露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンが形成される。
≪Resist pattern formation method≫
The resist pattern formation method of the present invention comprises a base material component (A) having an acidic group (hereinafter also referred to as “component (A)”) and a compound (C) (hereinafter referred to as “( C) component ") and an acid generator component (B) (hereinafter also referred to as" component (B) ") that generates an acid having higher strength than the acidic group by exposure. A step (1) of forming a resist film having an association structure of the acidic group and the component (C) on the support; and exposing the resist film to generate an acid generated from the component (B); A step (2) of forming a new association structure with the component (C) that has formed the association structure to expose the acidic group, and a step of developing the resist film with a developer containing an organic solvent ( And a step (3) of developing using an organic developer.
When a resist composition containing the components (A) to (C) is applied on a support, an association structure (x) between the acidic group and the component (C) is formed, and a resist film is formed. When the resist film is selectively exposed, an acid is generated from the component (B) in the exposed portion of the resist film, and the acid (C) has formed the association structure (x) with the acid. ) And a new association structure (y) with the component is formed, and the acidic groups that have formed the association structure (x) are exposed, and the solubility of the resist film exposed portion in the organic developer changes. On the other hand, the solubility of the unexposed portion of the resist film in the organic developer does not change. This causes a difference in solubility in the organic developer between the exposed and unexposed portions of the resist film.
Therefore, in the resist pattern forming method of the present invention, when the resist composition is negative, the unexposed portion of the resist film is dissolved and removed to form a negative resist pattern; when the resist composition is positive The exposed portion of the resist film is dissolved and removed to form a positive resist pattern.

なお、本明細書においては、レジスト膜の未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物といい、レジスト膜の露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物という。前記工程(1)で用いられるレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。   In the present specification, a resist composition in which an unexposed portion of a resist film is dissolved and removed to form a negative resist pattern is referred to as a negative resist composition, and an exposed portion of the resist film is dissolved and removed to form a positive type. A resist composition for forming a resist pattern is referred to as a positive resist composition. The resist composition used in the step (1) may be a positive resist composition or a negative resist composition.

本発明において、「酸性基と会合構造を形成し得る」とは、酸性基と相互作用し合うことで、塩などの複合体となり得ることを意味する。
「あらたな会合構造を形成し」とは、相互作用し合う相手を変えて別の複合体となることを意味する。
In the present invention, “can form an association structure with an acidic group” means that it can be a complex such as a salt by interacting with the acidic group.
“Form a new associating structure” means that the interacting partner is changed into another complex.

以下、本発明のレジストパターン形成方法について、図面を参照しながら説明する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。   Hereinafter, the resist pattern forming method of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to this.

<第一の実施形態>
図1は、ネガ型レジストパターンが形成される、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態例を示す。
本実施形態では、(A)成分としてカルボキシ基を有する基材成分と、(C)成分として前記カルボキシ基と会合構造を形成し得るアルキルアミンと、(B)成分として前記カルボキシ基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤とを含有するレジスト組成物(1)が用いられている。
まず、図1(a)に示すように、該レジスト組成物(1)を支持体1上に塗布して成膜する。該レジスト組成物(1)を支持体1上に塗布すると、基材成分中の酸性基(カルボキシ基)と前記アルキルアミンとの会合構造(x1)が形成されてレジスト膜2が成膜する(工程(1);図1(a))。
次に、前記で形成されたレジスト膜2を、図1(b)に示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光する(工程(2);図1(b))。
該露光により、レジスト膜2のうち、露光された領域(露光部2a)では、酸発生剤から酸が発生する。これにより、この酸発生剤から発生した酸と、前記会合構造(x1)を形成していたアルキルアミンとのあらたな会合構造(y1)が形成するとともに、前記会合構造(x1)を形成していた酸性基(カルボキシ基)が露出する。この結果、露光部2aの有機系現像液に対する溶解性が減少する。一方、未露光部2bの有機系現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量がわずかである。これにより、露光部2aと未露光部2bとの間に有機系現像液に対する溶解速度の差(溶解コントラスト)が生じる(工程(2);図1(c))。
その後、有機系現像液による現像を行う。これにより、レジスト膜2の露光部2aが残膜し、未露光部2bが有機系現像液に溶解除去され、その結果、図1(d)に示すように、支持体1上に、離間配置された複数のレジストパターン2a、2aから構成されるネガ型レジストパターンが形成される(工程(3);図1(d))。
<First embodiment>
FIG. 1 shows an embodiment of a resist pattern forming method of the present invention in which a negative resist pattern is formed.
In the present embodiment, the base component having a carboxy group as the component (A), the alkylamine capable of forming an association structure with the carboxy group as the component (C), and the stronger than the carboxy group as the component (B) A resist composition (1) containing an acid generator that generates high acid upon exposure is used.
First, as shown in FIG. 1A, the resist composition (1) is applied onto a support 1 to form a film. When the resist composition (1) is applied onto the support 1, an association structure (x1) between an acidic group (carboxy group) in the base material component and the alkylamine is formed, and a resist film 2 is formed ( Step (1); FIG. 1 (a)).
Next, as shown in FIG. 1B, the resist film 2 formed as described above is exposed through a photomask 3 on which a predetermined pattern is formed (step (2); FIG. 1 (b)). .
By this exposure, acid is generated from the acid generator in the exposed region (exposed portion 2a) of the resist film 2. As a result, a new association structure (y1) is formed between the acid generated from the acid generator and the alkylamine forming the association structure (x1), and the association structure (x1) is formed. The exposed acidic group (carboxy group) is exposed. As a result, the solubility of the exposed portion 2a in the organic developer is reduced. On the other hand, the solubility of the unexposed portion 2b in the organic developer does not change or even if it changes, the amount of change is slight. As a result, a difference in dissolution rate (dissolution contrast) in the organic developer occurs between the exposed portion 2a and the unexposed portion 2b (step (2); FIG. 1 (c)).
Thereafter, development with an organic developer is performed. As a result, the exposed portion 2a of the resist film 2 remains, and the unexposed portion 2b is dissolved and removed in the organic developer. As a result, as shown in FIG. A negative resist pattern composed of the plurality of resist patterns 2a, 2a is formed (step (3); FIG. 1 (d)).

[工程(1)]
工程(1)では、前記(A)〜(C)成分を含有するレジスト組成物(1)を用いて、支持体1上に、前記酸性基(カルボキシ基)と前記(C)成分(アルキルアミン)との会合構造(x1)を有するレジスト膜2を形成する。
図2は、図1に示す実施形態についての、露光前後におけるレジスト膜中の(A)〜(C)成分の存在状態を示す模式図である。図2(a)は露光前のレジスト膜中の(A)〜(C)成分の存在状態、図2(b)は露光後のレジスト膜中の(A)〜(C)成分の存在状態をそれぞれ示す。
図2(a)に示すように、本実施形態では、レジスト組成物(1)を支持体1上に塗布して乾燥すると、(A)成分中の酸性基(−C(=O)−O−H)と、(C)成分であるアルキルアミン(N≡)との間で相互作用が働き、塩に近い形態の会合構造(x1)が形成されてレジスト膜2が成膜する。この会合構造(x1)は、有機系現像液に対して可溶性を示す。なお、図2(a)中、Vは、カチオン部とアニオン部とからなる(B)成分を示し、有機系現像液に対して可溶性を示す。
かかるレジスト組成物(1)の詳細については後述する。
[Step (1)]
In step (1), using the resist composition (1) containing the components (A) to (C), the acidic group (carboxy group) and the component (C) (alkylamine) are formed on the support 1. And a resist film 2 having an association structure (x1) with ().
FIG. 2 is a schematic diagram showing the presence state of the components (A) to (C) in the resist film before and after exposure for the embodiment shown in FIG. 2A shows the presence state of components (A) to (C) in the resist film before exposure, and FIG. 2B shows the presence state of components (A) to (C) in the resist film after exposure. Each is shown.
As shown in FIG. 2A, in this embodiment, when the resist composition (1) is applied onto the support 1 and dried, the acidic group (—C (═O) —O in the component (A) is obtained. -H) and the alkylamine (N≡) as the component (C) interact to form an association structure (x1) in a form close to a salt, and the resist film 2 is formed. This association structure (x1) is soluble in an organic developer. In FIG. 2A, V + W represents the component (B) composed of a cation part and an anion part, and is soluble in an organic developer.
Details of the resist composition (1) will be described later.

支持体1としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体1としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよく、有機系の膜が設けられたものが好ましい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や多層レジスト法における下層膜が挙げられる。特に、有機膜が設けられていると、基板上に、高アスペクト比のパターンを容易に形成でき、半導体の製造等において有用である。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層膜)と、少なくとも一層のレジスト膜とを設け、上層のレジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。多層レジスト法には、基本的に、上層のレジスト膜と下層膜との二層構造とする方法と、これらのレジスト膜と下層膜との間に一層以上の中間層(金属薄膜等)を設けた三層以上の多層構造とする方法と、に分けられる。多層レジスト法によれば、下層膜により所要の厚みを確保することにより、レジスト膜を薄膜化し、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
無機系の膜は、たとえばシリコン系材料などの無機系の反射防止膜組成物を基板上に塗工し、焼成等することにより形成できる。
有機系の膜は、たとえば、当該膜を構成する樹脂成分等を有機溶剤に溶解した有機膜形成用材料を、基板上にスピンナー等で塗布し、好ましくは200〜300℃、好ましくは30〜300秒間、より好ましくは60〜180秒間の加熱条件でベーク処理することにより形成できる。このとき用いられる有機膜形成用材料は、レジスト膜のような、光や電子線に対する感受性を必ずしも必要とするものではなく、該感受性を有するものであってもよく、有さないものであってもよい。具体的には、半導体素子や液晶表示素子の製造において一般的に用いられているレジストや樹脂を用いることができる。
また、レジストパターンを用いて有機膜をエッチングすることにより、レジストパターンを有機膜へ転写し、有機膜パターンを形成できるように、有機膜形成用材料は、エッチング、特にドライエッチング可能な有機膜を形成できる材料であることが好ましい。中でも、酸素プラズマエッチング等のエッチングが可能な有機膜を形成できる材料であることが好ましい。このような有機膜形成用材料としては、従来、有機BARCなどの有機膜を形成するために用いられている材料であってよい。例えば、ブリューワサイエンス社製のARCシリーズ、ロームアンドハース社製のARシリーズ、東京応化工業社製のSWKシリーズなどが挙げられる。
The support 1 is not particularly limited, and a conventionally known one can be used. Examples thereof include a substrate for electronic components and a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed. More specifically, a silicon substrate, a metal substrate such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, and the like can be given. As a material for the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold or the like can be used.
In addition, the support 1 may be one in which an inorganic and / or organic film is provided on the substrate as described above, and is preferably one in which an organic film is provided. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is an example of the inorganic film. Examples of the organic film include an organic antireflection film (organic BARC) and a lower layer film in a multilayer resist method. In particular, when an organic film is provided, a high aspect ratio pattern can be easily formed on a substrate, which is useful in semiconductor manufacturing and the like.
Here, the multilayer resist method is a method in which at least one organic film (lower film) and at least one resist film are provided on a substrate, and the lower layer is patterned using the resist pattern formed on the upper resist film as a mask. It is said that a high aspect ratio pattern can be formed. The multi-layer resist method basically has a two-layer structure of an upper resist film and a lower film, and one or more intermediate layers (metal thin film, etc.) are provided between these resist film and lower film. And a method of forming a multilayer structure of three or more layers. According to the multilayer resist method, by securing a required thickness with the lower layer film, the resist film can be thinned and a fine pattern with a high aspect ratio can be formed.
The inorganic film can be formed, for example, by coating an inorganic antireflection film composition such as a silicon-based material on a substrate and baking.
The organic film is, for example, a material for forming an organic film in which a resin component or the like constituting the film is dissolved in an organic solvent is applied onto a substrate with a spinner or the like, preferably 200 to 300 ° C., preferably 30 to 300. It can be formed by baking for 2 seconds, more preferably 60 to 180 seconds. The organic film forming material used at this time does not necessarily require sensitivity to light or an electron beam, such as a resist film, and may or may not have such sensitivity. Also good. Specifically, resists and resins generally used in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements can be used.
In addition, the organic film forming material is an organic film that can be etched, particularly dry-etched, so that the organic film pattern can be formed by etching the organic film using the resist pattern. A material that can be formed is preferred. Among these, a material capable of forming an organic film capable of etching such as oxygen plasma etching is preferable. Such an organic film forming material may be a material conventionally used for forming an organic film such as an organic BARC. Examples include the ARC series manufactured by Brewer Science, the AR series manufactured by Rohm and Haas, and the SWK series manufactured by Tokyo Ohka Kogyo.

レジスト組成物(1)を、支持体1上に塗布してレジスト膜2を成膜する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法により成膜できる。
たとえば、レジスト組成物(1)を、スピンコーターを用いたスピンコート法、バーコーターを用いたバーコート法等の従来公知の方法を用いて支持体1上に塗布し、クーリングプレート上等での常温での乾燥、又はプレベーク(PAB)を行うことにより、レジスト膜2を成膜できる。
プレベーク処理を行う場合、温度条件は80〜150℃が好ましく、80〜100℃がより好ましい。ベーク処理の時間は40〜120秒間が好ましく、より好ましくは60〜90秒間である。プレベークを行うことにより、レジスト膜厚が厚膜に設定される場合でも有機溶剤を揮発させやすい。
レジスト組成物の乾燥を常温で行い、プレベークを行わないことにより、レジストパターン形成の工程数を削減することができる。
プレベークの有無については、用いるレジスト組成物の材料や、形成するパターンのターゲットから、上記利点等を鑑みて、適宜決定すればよい。
A method for coating the resist composition (1) on the support 1 to form the resist film 2 is not particularly limited, and can be formed by a conventionally known method.
For example, the resist composition (1) is applied onto the support 1 using a conventionally known method such as a spin coat method using a spin coater or a bar coat method using a bar coater, and is applied on a cooling plate or the like. The resist film 2 can be formed by drying at room temperature or by pre-baking (PAB).
When performing a prebaking process, 80-150 degreeC is preferable and temperature conditions have more preferable 80-100 degreeC. The baking time is preferably 40 to 120 seconds, more preferably 60 to 90 seconds. By performing pre-baking, the organic solvent is easily volatilized even when the resist film thickness is set to a thick film.
By drying the resist composition at room temperature and not performing pre-baking, the number of steps of resist pattern formation can be reduced.
The presence / absence of pre-baking may be appropriately determined in consideration of the above-described advantages and the like from the material of the resist composition to be used and the target of the pattern to be formed.

工程(1)で成膜されるレジスト膜2の膜厚は、好ましくは50〜500nm、より好ましくは50〜450nmである。この範囲内とすることにより、レジストパターンを高解像度で形成できる、エッチングに対する充分な耐性が得られる等の効果がある。
また、プレベークを行わない場合であれば、工程(1)で形成されるレジスト膜2の膜厚は、300nm以下であることが好ましく、より好ましくは200nm以下である。レジスト膜2の膜厚が好ましい上限値以下であれば、常温下でのスピンコート等による塗布方法によっても、有機溶剤が残存しにくく乾燥しやすくなり、レジスト膜2の膜厚均一性(支持体1の面内均一性)が高まる。
The film thickness of the resist film 2 formed in the step (1) is preferably 50 to 500 nm, more preferably 50 to 450 nm. By setting it within this range, there are effects that a resist pattern can be formed with high resolution and sufficient resistance to etching can be obtained.
In the case where pre-baking is not performed, the thickness of the resist film 2 formed in the step (1) is preferably 300 nm or less, and more preferably 200 nm or less. If the film thickness of the resist film 2 is less than or equal to the preferable upper limit value, the organic solvent does not easily remain even by a coating method such as spin coating at room temperature, and it becomes easy to dry. 1 in-plane uniformity).

[工程(2)]
工程(2)では、レジスト膜2を露光し、前記(B)成分から発生する酸と、前記会合構造(x1)を形成していた前記(C)成分(アルキルアミン)とのあらたな会合構造(y1)を形成して、前記酸性基(−C(=O)−O−H)を露出させる。
本実施形態では、レジスト膜2を所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光すると、露光部2aにおいて、酸発生剤(V)のカチオン部(V)が光吸収により分解して該酸発生剤(V)から酸(W)が発生する。そして、該酸発生剤(V)から発生した酸(W)と、前記会合構造(x1)との間で塩交換反応が生じて、図2(b)に示すように、該酸(W)と、前記会合構造(x1)を形成していたアルキルアミン(N≡)とのあらたな会合構造(y1)が形成するとともに、前記会合構造(x1)を形成していた酸性基(−C(=O)−O−H)が露出する。この酸性基(−C(=O)−O−H)が露出したレジスト膜2、及びあらたに形成した会合構造(y1)は、有機系現像液に対して難溶性を示す。一方、未露光部2bは、前記会合構造(x1)が維持されており、有機系現像液に対して可溶性を示す。すなわち、露光により、露光部2aの有機系現像液に対する溶解性が減少する一方、未露光部2bの有機系現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量はわずかである。これにより、露光部2aと未露光部2bとの間で、有機系現像液に対する溶解コントラストが得られる。
[Step (2)]
In the step (2), the resist film 2 is exposed to form a new association structure of the acid generated from the component (B) and the component (C) (alkylamine) forming the association structure (x1). (Y1) is formed to expose the acidic group (—C (═O) —O—H).
In this embodiment, when the resist film 2 is exposed through the photomask 3 on which a predetermined pattern is formed, the cation portion (V + ) of the acid generator (V + W ) is absorbed by light absorption in the exposed portion 2a. decomposed and acid generator (V + W -) from the acid (W - H +) is generated. Then, a salt exchange reaction occurs between the acid (W H + ) generated from the acid generator (V + W ) and the association structure (x1), as shown in FIG. , A new association structure (y1) of the acid (W H + ) and the alkylamine (N≡) forming the association structure (x1) is formed, and the association structure (x1) is formed. The exposed acidic group (—C (═O) —O—H) is exposed. The resist film 2 in which the acidic group (—C (═O) —O—H) is exposed and the newly formed association structure (y1) are hardly soluble in an organic developer. On the other hand, the unexposed portion 2b maintains the association structure (x1) and is soluble in the organic developer. That is, the exposure reduces the solubility of the exposed portion 2a in the organic developer, while the solubility of the unexposed portion 2b in the organic developer does not change, or even if the change is small. Thereby, the dissolution contrast with respect to an organic type developing solution is obtained between the exposure part 2a and the unexposed part 2b.

露光量は、露光部2aに存在する酸発生剤(V)から酸(W)が発生し、該酸(W)と、前記会合構造(x1)との間で塩交換反応が生じて、あらたな会合構造(y1)が形成し得る程度であればよい。
露光に用いる波長は、特に限定されず、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。微細なレジストパターンを形成しやすいことから、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーが好ましい。
フォトマスク3としては、特に限定されず、公知のものを利用でき、たとえば、遮光部の透過率が0%のバイナリーマスク(Binary−Mask)や、遮光部の透過率が6%のハーフトーン型位相シフトマスク(HT−Mask)を用いることができる。なお、ハーフトーン型位相シフトマスクにより選択的に未露光部を形成してもよい。
バイナリーマスクは、一般的には石英ガラス基板上に、遮光部としてクロム膜、酸化クロム膜等が形成されたものが用いられる。
位相シフトマスクは、光の位相を変化させる部分(シフタ)が設けられたフォトマスクである。そのため、位相シフトマスクを用いることにより、未露光部への光の入射を抑制でき、未露光部と露光部との間の対現像液溶解コントラストが向上する。位相シフトマスクとしては、ハーフトーン型位相シフトマスクの他に、レベンソン型位相シフトマスク等も挙げられる。これらの位相シフトマスクはそれぞれ市販のものが利用できる。ハーフトーン型位相シフトマスクとして、具体的には、一般的には石英ガラス基板上に、透過率が数〜10%程度(一般的には6%)の遮光部(シフタ膜)としてMoSi(モリブデン・シリサイド)膜、クロム膜、酸化クロム膜、酸窒化シリコン膜等が形成されたものが挙げられる。
なお、本実施形態では、フォトマスク3を介して露光を行っているが、本発明はこれに限定されず、フォトマスクを介さない露光を行ってもよい。
Exposure, the acid-generating agent present in the exposed portion 2a (V + W -) from the acid (W - H +) are generated, acid - between the (W H +), the association structure (x1) As long as the salt exchange reaction occurs, a new association structure (y1) can be formed.
The wavelength used for the exposure is not particularly limited, and includes KrF excimer laser, ArF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. Can be done using radiation. A KrF excimer laser and an ArF excimer laser are preferable because a fine resist pattern can be easily formed.
The photomask 3 is not particularly limited, and a known one can be used. For example, a binary mask (Binary-Mask) in which the transmittance of the light shielding portion is 0%, or a halftone type in which the transmittance of the light shielding portion is 6%. A phase shift mask (HT-Mask) can be used. Note that the unexposed portion may be selectively formed by a halftone phase shift mask.
In general, a binary mask is used in which a chromium film, a chromium oxide film, or the like is formed on a quartz glass substrate as a light shielding portion.
The phase shift mask is a photomask provided with a portion (shifter) that changes the phase of light. Therefore, by using the phase shift mask, it is possible to suppress the incidence of light to the unexposed area, and the developer dissolution contrast between the unexposed area and the exposed area is improved. Examples of the phase shift mask include a Levenson type phase shift mask in addition to the halftone type phase shift mask. Each of these phase shift masks can be commercially available. Specifically, as a halftone phase shift mask, specifically, MoSi (molybdenum) is used as a light-shielding portion (shifter film) having a transmittance of about several to 10% (generally 6%) on a quartz glass substrate. -A film in which a silicide) film, a chromium film, a chromium oxide film, a silicon oxynitride film, or the like is formed.
In the present embodiment, the exposure is performed through the photomask 3, but the present invention is not limited to this, and the exposure may be performed without using the photomask.

レジスト膜2の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)により行ってもよく、液浸媒体を介しての露光(液浸露光)により行ってもよい。なかでも、本工程(2)は、より高解像性のレジストパターンを形成できることから、液浸媒体を介して露光する工程であることが好ましい。
液浸露光では、上述したように、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズと支持体1上のレジスト膜2との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たした状態で露光を行う。
より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜2と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で、所望のフォトマスク3を介して露光(浸漬露光)することによって実施できる。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ、当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜2の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ、レジスト膜2の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体を、簡便な方法で除去できることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物として具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
Exposure of the resist film 2 may be performed by normal exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or may be performed by exposure (immersion exposure) through an immersion medium. Especially, since this process (2) can form a higher resolution resist pattern, it is preferable that it is a process exposed through an immersion medium.
In the immersion exposure, as described above, at the time of exposure, the portion between the lens, which is conventionally filled with an inert gas such as air or nitrogen, and the resist film 2 on the support 1 is determined by the refractive index of air. Exposure is performed in a state filled with a solvent (immersion medium) having a higher refractive index.
More specifically, in the immersion exposure, a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than the refractive index of air between the resist film 2 obtained as described above and the lowermost lens of the exposure apparatus. ), And in that state, exposure (immersion exposure) is performed through a desired photomask 3.
As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film 2 exposed by the immersion exposure is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than that of air and smaller than that of the resist film 2 include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. Examples thereof include liquids, and those having a boiling point of 70 to 180 ° C are preferred, and those having a boiling point of 80 to 160 ° C are more preferred. It is preferable that the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.
As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.
More specifically, examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102 ° C.). Examples of the perfluoroalkylamine compound include perfluorotributylamine ( Boiling point of 174 ° C.).

本実施形態では、これまでのような基材成分中の酸分解性基の分解反応を経ることがなく、露光のみで露光部2aの有機系現像液に対する溶解性が変化し得ることから、レジスト膜2を露光した後のベーク(ポストエクスポージャーベーク(PEB))処理を必ずしも行う必要がない。PEB処理を行わない場合、レジスト膜2を成膜した後、工程(2)以降の操作をそれぞれ常温(好ましくは23℃付近)に温調して行うことが好ましい。
PEB処理を行う場合、ベークの温度条件は50〜200℃程度が好ましく、80〜150℃程度がより好ましく、90〜130℃程度がさらに好ましい。ベーク処理の時間は10〜300秒間が好ましく、より好ましくは40〜120秒間、さらに好ましくは60〜90秒間である。
工程(2)での露光後、工程(3)で現像するまで、常温(好ましくは23℃付近)での引き置き時間を任意に設けてもよい。
In the present embodiment, since the acid-decomposable group decomposition reaction in the base material component as in the past is not performed, the solubility of the exposed portion 2a in the organic developer can be changed only by exposure. It is not always necessary to perform the baking (post-exposure baking (PEB)) treatment after the film 2 is exposed. In the case where the PEB treatment is not performed, it is preferable that after the resist film 2 is formed, the operation after the step (2) is performed at room temperature (preferably around 23 ° C.).
When performing the PEB treatment, the baking temperature condition is preferably about 50 to 200 ° C, more preferably about 80 to 150 ° C, and further preferably about 90 to 130 ° C. The baking time is preferably 10 to 300 seconds, more preferably 40 to 120 seconds, and still more preferably 60 to 90 seconds.
After the exposure in step (2), a holding time at room temperature (preferably around 23 ° C.) may be optionally provided until development in step (3).

[工程(3)]
工程(3)では、前記露光後のレジスト膜2を、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)を用いて現像する。
本実施形態では、有機系現像液による現像により、露光部2aが残膜し、未露光部2bが有機系現像液に溶解除去されてネガ型レジストパターンが形成する。
現像に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、露光前のレジスト膜2を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができ、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤が好ましい。エステル系溶剤のなかでは、アセテート系溶剤が特に好ましい。
[Step (3)]
In step (3), the exposed resist film 2 is developed using a developer containing an organic solvent (organic developer).
In the present embodiment, the exposed portion 2a is left as a film by development with an organic developer, and the unexposed portion 2b is dissolved and removed in the organic developer to form a negative resist pattern.
The organic solvent contained in the organic developer used for development is not particularly limited as long as it can dissolve the resist film 2 before exposure, and can be appropriately selected from known organic solvents. Specifically, polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents, ether solvents and hydrocarbon solvents can be used, and ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents. Is preferred. Among ester solvents, acetate solvents are particularly preferable.

本実施形態のように、酸性基としてカルボキシ基を有する基材成分を含有するレジスト組成物(1)を用いてネガ型レジストパターンを形成する場合、有機系現像液が含有する有機溶剤としては、酢酸ブチル、4−メチル−2−ペンタノール、1−ブトキシ−2−プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、及び2−ヘプタノンからなる群より選択される1種以上が好適なものとして挙げられる。
なお、該レジスト組成物(1)を用いてポジ型レジストパターンを形成する場合、有機系現像液が含有する有機溶剤としては、プロピレングリコールメチルエーテル、乳酸エチル等が好適なものとして挙げられる。
As in this embodiment, when forming a negative resist pattern using a resist composition (1) containing a base component having a carboxy group as an acidic group, as an organic solvent contained in an organic developer, One or more types selected from the group consisting of butyl acetate, 4-methyl-2-pentanol, 1-butoxy-2-propanol, propylene glycol methyl ether acetate, and 2-heptanone are preferable.
In addition, when forming a positive resist pattern using this resist composition (1), propylene glycol methyl ether, ethyl lactate, etc. are mentioned as a suitable organic solvent which an organic type developing solution contains.

有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコーン系界面活性剤等を用いることができる。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001〜5質量%であり、0.005〜2質量%が好ましく、0.01〜0.5質量%がより好ましい。
現像処理は、公知の現像方法により実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法(パドル法)、支持体表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。
A known additive can be blended in the organic developer as required. Examples of the additive include a surfactant. Although it does not specifically limit as surfactant, For example, an ionic or nonionic fluorine type and / or silicone type surfactant etc. can be used.
When the surfactant is blended, the blending amount is usually 0.001 to 5% by mass, preferably 0.005 to 2% by mass, and 0.01 to 0. 0% with respect to the total amount of the organic developer. 5 mass% is more preferable.
The development treatment can be carried out by a known development method, for example, a method in which a support is immersed in a developer for a certain period of time (dip method), and the developer is raised on the surface of the support by surface tension and left stationary for a certain period of time. Method (Paddle method), Method of spraying developer on the surface of support (spray method), Continuous application of developer while scanning developer coating nozzle at constant speed on support rotating at constant speed And a method (dynamic dispensing method).

現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。リンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。
リンス液を用いたリンス処理(洗浄処理)は、公知のリンス方法により実施できる。該方法としては、たとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法(回転塗布法)、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)等が挙げられる。
前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。
A rinsing treatment is preferably performed after the development treatment. In the rinsing process, it is preferable to use a rinsing liquid containing an organic solvent. As the organic solvent contained in the rinsing liquid, for example, among the organic solvents mentioned as the organic solvent contained in the organic developer, those which are difficult to dissolve the resist pattern can be appropriately selected and used.
The rinse treatment (washing treatment) using the rinse liquid can be performed by a known rinse method. Examples of the method include a method of continuously applying a rinsing liquid on a support rotating at a constant speed (rotary coating method), a method of immersing the support in a rinsing liquid for a predetermined time (dip method), and the surface of the support. And a method of spraying a rinse liquid (spray method).
After the development process or the rinsing process, a process of removing the developer or the rinsing liquid adhering to the pattern with a supercritical fluid may be performed.
Drying is performed after development or rinsing. In some cases, a baking process (post-bake) may be performed after the development process.

本発明のレジストパターン形成方法は、図1に示す実施形態(ネガ型レジストパターンを形成する態様)以外に、ポジ型レジストパターンを形成する態様も包含される。   The resist pattern forming method of the present invention includes an embodiment in which a positive resist pattern is formed in addition to the embodiment shown in FIG. 1 (an embodiment in which a negative resist pattern is formed).

<第二の実施形態>
図3は、ポジ型レジストパターンが形成される、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態例を示す。
本実施形態では、(A)成分としてフェノール性水酸基を有する基材成分と、(C)成分として前記フェノール性水酸基と会合構造を形成し得る、露光により酸解離定数(pKa)が0以上の酸を発生するイオン性化合物と、(B)成分として前記フェノール性水酸基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤とを含有するレジスト組成物(2)が用いられている。
まず、図3(a)に示すように、該レジスト組成物(2)を支持体1上に塗布して成膜する。該レジスト組成物(2)を支持体1上に塗布すると、基材成分中の酸性基(フェノール性水酸基)と前記イオン性化合物との会合構造(x2)が形成されてレジスト膜2’が成膜する(工程(1);図3(a))。
次に、前記で形成されたレジスト膜2’を、図3(b)に示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光する(工程(2);図3(b))。
該露光により、レジスト膜2’のうち、露光された領域(露光部2’a)では、酸発生剤から酸が発生する。これにより、この酸発生剤から発生した酸と、前記会合構造(x2)を形成していたイオン性化合物とのあらたな会合構造(y2)が形成するとともに、前記会合構造(x2)を形成していた酸性基(フェノール性水酸基)が露出する。この結果、露光部2’aの有機系現像液に対する溶解性が増大する。一方、未露光部2’bの有機系現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量がわずかである。これにより、露光部2’aと未露光部2’bとの間に有機系現像液に対する溶解速度の差(溶解コントラスト)が生じる(工程(2);図3(c))。
その後、有機系現像液による現像を行う。これにより、レジスト膜2’の露光部2’aが有機系現像液に溶解除去され、未露光部2’bが残膜し、その結果、図3(d)に示すように、支持体1上に、離間配置された複数のレジストパターン2’b、2’bから構成されるポジ型レジストパターンが形成される(工程(3);図3(d))。
<Second Embodiment>
FIG. 3 shows an embodiment of a resist pattern forming method of the present invention in which a positive resist pattern is formed.
In the present embodiment, a base component having a phenolic hydroxyl group as the component (A) and an acid having an acid dissociation constant (pKa) of 0 or more by exposure, which can form an association structure with the phenolic hydroxyl group as the component (C). A resist composition (2) is used that contains an ionic compound that generates acid and an acid generator that generates an acid having higher strength than the phenolic hydroxyl group by exposure as a component (B).
First, as shown in FIG. 3A, the resist composition (2) is coated on the support 1 to form a film. When the resist composition (2) is applied onto the support 1, an association structure (x2) between the acidic group (phenolic hydroxyl group) in the base material component and the ionic compound is formed to form a resist film 2 ′. A film is formed (step (1); FIG. 3 (a)).
Next, as shown in FIG. 3B, the resist film 2 ′ formed as described above is exposed through a photomask 3 on which a predetermined pattern is formed (step (2); FIG. 3B). ).
By this exposure, an acid is generated from the acid generator in the exposed region (exposed portion 2′a) of the resist film 2 ′. As a result, a new association structure (y2) is formed between the acid generated from the acid generator and the ionic compound forming the association structure (x2), and the association structure (x2) is formed. The acidic group (phenolic hydroxyl group) that has been exposed is exposed. As a result, the solubility of the exposed portion 2′a in the organic developer increases. On the other hand, the solubility of the unexposed portion 2′b in the organic developer does not change, or even if it changes, the amount of change is slight. This causes a difference in dissolution rate (dissolution contrast) in the organic developer between the exposed portion 2′a and the unexposed portion 2′b (step (2); FIG. 3 (c)).
Thereafter, development with an organic developer is performed. As a result, the exposed portion 2′a of the resist film 2 ′ is dissolved and removed in the organic developer, and the unexposed portion 2′b is left as a result. As a result, as shown in FIG. A positive resist pattern composed of a plurality of spaced apart resist patterns 2′b and 2′b is formed thereon (step (3); FIG. 3 (d)).

[工程(1)]
工程(1)では、前記(A)〜(C)成分を含有するレジスト組成物(2)を用いて、支持体1上に、前記酸性基(フェノール性水酸基)と前記(C)成分(イオン性化合物)との会合構造(x2)を有するレジスト膜2’を形成する。
図4は、図3に示す実施形態についての、露光前後におけるレジスト膜中の(A)〜(C)成分の存在状態を示す模式図である。図4(a)は露光前のレジスト膜中の(A)〜(C)成分の存在状態、図4(b)は露光後のレジスト膜中の(A)〜(C)成分の存在状態をそれぞれ示す。
図4(a)に示すように、本実施形態では、レジスト組成物(2)を支持体1上に塗布して乾燥すると、(A)成分中の酸性基(フェノール性水酸基)と、(C)成分であるイオン性化合物(Y)との間で相互作用が働き、塩に近い形態の会合構造(x2)が形成されてレジスト膜2’が成膜する。この会合構造(x2)は、有機系現像液に対して難溶性を示す。なお、図4(a)中、Vは、カチオン部とアニオン部とからなる(B)成分を示し、有機系現像液に対して可溶性を示す。図4中、Rは置換基を示し、tは0〜4の整数である。
かかるレジスト組成物(2)の詳細については後述する。
前記以外の第二の実施形態における工程(1)についての説明は、前述した第一の実施形態における工程(1)についての説明と同様である。
[Step (1)]
In step (1), using the resist composition (2) containing the components (A) to (C), the acidic group (phenolic hydroxyl group) and the component (C) (ion) are formed on the support 1. A resist film 2 ′ having an association structure (x2) with the active compound) is formed.
FIG. 4 is a schematic diagram showing the presence of components (A) to (C) in the resist film before and after exposure for the embodiment shown in FIG. 4A shows the presence state of components (A) to (C) in the resist film before exposure, and FIG. 4B shows the presence state of components (A) to (C) in the resist film after exposure. Each is shown.
As shown in FIG. 4A, in this embodiment, when the resist composition (2) is applied on the support 1 and dried, the acidic groups (phenolic hydroxyl groups) in the component (A) and (C ) Interacts with the ionic compound (Y + Z ), which is a component, to form an association structure (x2) in a form close to a salt, and a resist film 2 ′ is formed. This association structure (x2) is hardly soluble in an organic developer. In FIG. 4A, V + W represents a component (B) composed of a cation portion and an anion portion, and is soluble in an organic developer. In FIG. 4, R represents a substituent, and t is an integer of 0-4.
Details of the resist composition (2) will be described later.
The description of the step (1) in the second embodiment other than the above is the same as the description of the step (1) in the first embodiment described above.

[工程(2)]
工程(2)では、レジスト膜2’を露光し、前記(B)成分から発生する酸と、前記会合構造(x2)を形成していた前記(C)成分(イオン性化合物)とのあらたな会合構造(y2)を形成して、前記酸性基(フェノール性水酸基)を露出させる。
本実施形態では、レジスト膜2’を所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光すると、露光部2’aにおいて、酸発生剤(V)のカチオン部(V)が光吸収により分解して、該酸発生剤(V)から酸(W)が発生する。そして、該酸発生剤(V)から発生した酸(W)と、前記会合構造(x2)との間で塩交換反応が生じて、図4(b)に示すように、該酸(W)と、前記会合構造(x2)を形成していたイオン性化合物(Y)中のカチオン部(Y)とのあらたな会合構造(y2)が形成するとともに、前記会合構造(x2)を形成していた酸性基(フェノール性水酸基)が露出する。この酸性基(フェノール性水酸基)が露出したレジスト膜2’、及びあらたに形成した会合構造(y2)は、有機系現像液に対して可溶性を示す。一方、未露光部2’bは、前記会合構造(x2)が維持されており、有機系現像液に対して難溶性を示す。すなわち、露光により、露光部2’aの有機系現像液に対する溶解性が増大する一方、未露光部2’bの有機系現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量はわずかである。これにより、露光部2’aと未露光部2’bとの間で、有機系現像液に対する溶解コントラストが得られる。
[Step (2)]
In the step (2), the resist film 2 ′ is exposed, and the acid generated from the component (B) and the component (C) (ionic compound) forming the association structure (x2) are newly formed. An association structure (y2) is formed to expose the acidic group (phenolic hydroxyl group).
In this embodiment, when the resist film 2 ′ is exposed through the photomask 3 on which a predetermined pattern is formed, the cation portion (V + ) of the acid generator (V + W ) is formed in the exposed portion 2′a. It is decomposed by light absorption, acid generator (V + W -) from the acid (W - H +) is generated. Then, a salt exchange reaction occurs between the acid (W H + ) generated from the acid generator (V + W ) and the association structure (x2), as shown in FIG. , acid (W - H +) and the associated structures (x2) ionic compound to form a (Y + Z -) cation in (Y +) and new association structure (y2) is formed At the same time, the acidic group (phenolic hydroxyl group) forming the association structure (x2) is exposed. The resist film 2 ′ where the acidic group (phenolic hydroxyl group) is exposed and the newly formed association structure (y2) are soluble in the organic developer. On the other hand, the unexposed portion 2′b maintains the association structure (x2) and exhibits poor solubility in an organic developer. That is, the exposure increases the solubility of the exposed portion 2′a in the organic developer, while the solubility of the unexposed portion 2′b in the organic developer does not change or the amount of change does not change. It is slight. Thereby, the melt | dissolution contrast with respect to an organic type developing solution is obtained between exposed part 2'a and unexposed part 2'b.

露光量は、露光部2’aに存在する酸発生剤(V)から酸(W)が発生し、該酸(W)と、前記会合構造(x2)との間で塩交換反応が生じて、あらたな会合構造(y2)が形成し得る程度であればよい。
前記以外の第二の実施形態における工程(2)についての説明は、前述した第一の実施形態における工程(2)についての説明と同様である。
The amount of exposure is such that an acid (W H + ) is generated from the acid generator (V + W ) present in the exposed portion 2′a, the acid (W H + ), the association structure (x2), It is sufficient that a salt exchange reaction occurs between the two to form a new association structure (y2).
The description of the step (2) in the second embodiment other than the above is the same as the description of the step (2) in the first embodiment described above.

[工程(3)]
工程(3)では、前記露光後のレジスト膜2’を、有機系現像液を用いて現像する。
本実施形態では、有機系現像液による現像により、露光部2’aが有機系現像液に溶解除去され、未露光部2’bが残膜してポジ型レジストパターンが形成する。
[Step (3)]
In step (3), the exposed resist film 2 ′ is developed using an organic developer.
In the present embodiment, the exposed portion 2′a is dissolved and removed in the organic developer by the development with the organic developer, and the unexposed portion 2′b remains to form a positive resist pattern.

本実施形態のように、酸性基としてフェノール性水酸基を有する基材成分を含有するレジスト組成物(2)を用いてポジ型レジストパターンを形成する場合、有機系現像液が含有する有機溶剤としては、酢酸ブチル、4−メチル−2−ペンタノール、1−ブトキシ−2−プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、及び2−ヘプタノンからなる群より選択される1種以上が好適なものとして挙げられる。
なお、該レジスト組成物(2)を用いてネガ型レジストパターンを形成する場合、有機系現像液が含有する有機溶剤としては、n−ヘプタン、ジブチルエーテル等が好適なものとして挙げられる。
When forming a positive resist pattern using a resist composition (2) containing a base component having a phenolic hydroxyl group as an acidic group as in this embodiment, the organic solvent contained in the organic developer is as follows: One or more selected from the group consisting of butyl acetate, 4-methyl-2-pentanol, 1-butoxy-2-propanol, propylene glycol methyl ether acetate, and 2-heptanone are preferable.
In addition, when forming a negative resist pattern using this resist composition (2), n-heptane, dibutyl ether, etc. are mentioned as a suitable organic solvent which an organic type developing solution contains.

前記以外の第二の実施形態における工程(3)についての説明は、前述した第一の実施形態における工程(3)についての説明と同様である。   The description of the step (3) in the second embodiment other than the above is the same as the description of the step (3) in the first embodiment described above.

以上説明したように、レジスト組成物(1)又はレジスト組成物(2)を用いて、支持体1上にレジスト膜を形成し、露光し、有機系現像液で現像する、というレジストパターン形成方法によれば、レジスト膜の露光部と未露光部との間で良好な溶解コントラストが得られやすく、微細なパターンを形成できる。
かかる本発明のレジストパターン形成方法では、従来の方法と異なり、基材成分中の酸分解性基の露光による分解反応を経ることなく、つまり、露光により基材成分の極性は変化せず、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られる。
具体的には、本発明のレジストパターン形成方法によれば、前記の(A)〜(C)成分を含有するレジスト組成物を用いて、基材成分中の酸性基と会合構造を形成させることでレジスト膜を成膜し、該会合構造と、露光により酸発生剤から発生する酸との間で塩交換反応が行われることにより、レジスト膜露光部の有機系現像液に対する溶解性がコントロールされ、レジスト膜の露光部と未露光部との間の有機系現像液に対する溶解性の差を大きく生じさせることができる。
このように、本発明のレジストパターン形成方法においては、新規なレジストパターン形成機構によって良好な溶解コントラストが得られ、微細なパターンを形成できる。
As described above, a resist pattern forming method in which a resist film is formed on the support 1 using the resist composition (1) or the resist composition (2), exposed, and developed with an organic developer. According to this, it is easy to obtain a good dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion of the resist film, and a fine pattern can be formed.
In the resist pattern forming method of the present invention, unlike the conventional method, the acid-decomposable group in the base component does not undergo a decomposition reaction due to exposure, that is, the polarity of the base component does not change by exposure, and the organic A dissolution contrast is obtained with respect to the system developer.
Specifically, according to the resist pattern forming method of the present invention, an association structure is formed with an acidic group in the base material component using the resist composition containing the components (A) to (C). A resist film is formed with a salt exchange reaction between the association structure and the acid generated from the acid generator upon exposure, thereby controlling the solubility of the resist film exposed portion in the organic developer. The difference in solubility in the organic developer between the exposed portion and the unexposed portion of the resist film can be greatly increased.
Thus, in the resist pattern forming method of the present invention, a good dissolution contrast can be obtained by a novel resist pattern forming mechanism, and a fine pattern can be formed.

≪レジスト組成物≫
本発明のレジスト組成物は、前述した本発明のレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物として好適なものであり、酸性基を有する基材成分(A)と、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物(C)と、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分(B)とを含有する。
本発明においては、(A)成分中の酸性基と有機系現像液との組合せにより、ネガ型レジストパターン又はポジ型レジストパターンのどちらが形成されるのか、ということが決定される。
前述した第一の実施形態において用いられるレジスト組成物(1)は、(A)成分としてカルボキシ基を有する基材成分と、(C)成分として前記カルボキシ基と会合構造を形成し得るアルキルアミンと、(B)成分として前記カルボキシ基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤とを含有する。該レジスト組成物(1)と有機系現像液との組合せによりネガ型レジストパターンが形成されている。すなわち、第一の実施形態において、かかるレジスト組成物(1)はネガ型レジスト組成物である。
前述した第二の実施形態において用いられるレジスト組成物(2)は、(A)成分としてフェノール性水酸基を有する基材成分と、(C)成分として前記フェノール性水酸基と会合構造を形成し得る、露光により酸解離定数(pKa)が0以上の酸を発生するイオン性化合物と、(B)成分として前記フェノール性水酸基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤とを含有する。該レジスト組成物(2)と有機系現像液との組合せによりポジ型レジストパターンが形成されている。すなわち、第二の実施形態において、かかるレジスト組成物(2)はポジ型レジスト組成物である。
なお、前述したように、有機系現像液の種類により、前記レジスト組成物(1)はポジ型レジスト組成物にも、前記レジスト組成物(2)はネガ型レジスト組成物にもなり得る。
≪Resist composition≫
The resist composition of the present invention is suitable as the resist composition used in the above-described resist pattern forming method of the present invention, and forms a base material component (A) having an acidic group and an association structure with the acidic group. And an acid generator component (B) that generates an acid having higher strength than the acidic group by exposure.
In the present invention, it is determined which of the negative resist pattern and the positive resist pattern is formed by the combination of the acidic group in the component (A) and the organic developer.
The resist composition (1) used in the first embodiment described above includes a base component having a carboxy group as the component (A), and an alkylamine capable of forming an association structure with the carboxy group as the component (C). And (B) an acid generator that generates an acid having higher strength than the carboxy group by exposure. A negative resist pattern is formed by a combination of the resist composition (1) and an organic developer. That is, in the first embodiment, the resist composition (1) is a negative resist composition.
The resist composition (2) used in the second embodiment described above can form an association structure with the base component having a phenolic hydroxyl group as the component (A) and the phenolic hydroxyl group as the component (C). It contains an ionic compound that generates an acid having an acid dissociation constant (pKa) of 0 or more upon exposure, and an acid generator that generates an acid having higher strength than the phenolic hydroxyl group by exposure as component (B). A positive resist pattern is formed by a combination of the resist composition (2) and an organic developer. That is, in the second embodiment, the resist composition (2) is a positive resist composition.
As described above, depending on the type of organic developer, the resist composition (1) can be a positive resist composition and the resist composition (2) can be a negative resist composition.

[基材成分(A)]
本発明において、「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。
「膜形成能」とは、その成分それ自体で、又は他の成分と会合構造を形成することで、膜を形成し得る特性をいう。
基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。
非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、「低分子化合物」という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。
重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。
本明細書及び本特許請求の範囲において「樹脂」という場合、分子量が1000以上の重合体を示す。
重合体の分子量としては、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。
[Base Component (A)]
In the present invention, the “base component” is an organic compound having a film forming ability, and preferably an organic compound having a molecular weight of 500 or more is used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved and a nano-level resist pattern is easily formed.
“Film-forming ability” refers to a property that can form a film by its component itself or by forming an association structure with other components.
Organic compounds used as the base material component are roughly classified into non-polymers and polymers.
As the non-polymer, those having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 are usually used. Hereinafter, the “low molecular compound” refers to a non-polymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000.
As the polymer, those having a molecular weight of 1000 or more are usually used.
In the present specification and claims, the term “resin” refers to a polymer having a molecular weight of 1000 or more.
As the molecular weight of the polymer, a polystyrene-reduced mass average molecular weight by GPC (gel permeation chromatography) is used.

本発明において、「酸性基」とは、Hを放出しやすい基を意味し、カルボキシ基;フェノール性水酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基などが例示される。 In the present invention, the “acidic group” means a group that easily releases H + , and includes a carboxy group; a phenolic hydroxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a hydroxyalkyl group substituted with an electron-withdrawing group, and the like. Illustrated.

酸性基を有する基材成分(A)は、膜形成能を有し、(C)成分と会合構造を形成し得るものであればよく、樹脂成分であってもよく低分子化合物成分であってもよく、又はこれらの混合物であってもよい。
なかでも、レジスト膜が安定に形成されやすいことから、(A)成分としては、膜形成能を有し、(C)成分と会合構造を形成し得る樹脂成分であることが好ましい。
加えて、該樹脂成分は、酸性基を含む構成単位(以下この構成単位を「構成単位(a5)」という。)を有する高分子化合物(A1)(以下「(A1)成分」という。)を含有するものが好ましい。
The base material component (A) having an acidic group is not particularly limited as long as it has film-forming ability and can form an association structure with the component (C), and may be a resin component or a low molecular compound component. Or a mixture thereof.
Especially, since it is easy to form a resist film stably, as (A) component, it is preferable that it is a resin component which has film forming ability and can form an association structure with (C) component.
In addition, the resin component includes a polymer compound (A1) (hereinafter referred to as “(A1) component”) having a structural unit containing an acidic group (hereinafter this structural unit is referred to as “structural unit (a5)”). What is contained is preferable.

・構成単位(a5)
本明細書において、構成単位(a5)は、酸性基を含む構成単位である。
酸性基としては、カルボキシ基(−COOH)、フェノール性水酸基(−OH)、スルホンアミド基(−SO−NH)、スルホニルイミド基(−SO−NH−SO−)、電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられる。
酸性基としてカルボキシ基(−COOH)を含む構成単位としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基(炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基等)で置換されていてもよいアクリル酸から誘導される構成単位を含む。該置換基であるハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基における、電子吸引性基としてはフッ素原子、酸素原子などが挙げられる。ヒドロキシアルキル基としては、炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基が好ましく、このヒドロキシアルキル基として具体的には、炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。
・ Structural unit (a5)
In the present specification, the structural unit (a5) is a structural unit containing an acidic group.
As the acidic group, a carboxy group (—COOH), a phenolic hydroxyl group (—OH), a sulfonamide group (—SO 2 —NH 2 ), a sulfonylimide group (—SO 2 —NH—SO 2 —), an electron withdrawing property And a hydroxyalkyl group substituted with a group.
As the structural unit containing a carboxy group (—COOH) as an acidic group, a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is a substituent (an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or the like). ) To a structural unit derived from acrylic acid optionally substituted. Examples of the halogen atom in the halogenated alkyl group as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
Examples of the electron-withdrawing group in the hydroxyalkyl group substituted with the electron-withdrawing group include a fluorine atom and an oxygen atom. As the hydroxyalkyl group, a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable. Specifically, as the hydroxyalkyl group, a group in which part of hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is substituted with a hydroxy group. Is mentioned.

構成単位(a5)は、水素原子の一部が酸性基で置換された炭化水素基を含む構成単位であることが好ましい。当該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく芳香族炭化水素基であってもよい。
当該炭化水素基における脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)、脂肪族環式基(単環式基、多環式基)が挙げられる。
該脂肪族環式基(単環式基、多環式基)としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該脂肪族環式基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基等が挙げられる。
The structural unit (a5) is preferably a structural unit containing a hydrocarbon group in which some of the hydrogen atoms are substituted with acidic groups. The hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in the hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group), an aliphatic cyclic group (monocyclic group, polycyclic group). Formula group).
As the aliphatic cyclic group (monocyclic group, polycyclic group), for example, a resin for a resist composition for ArF excimer laser can be appropriately selected from those proposed. The aliphatic cyclic group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. Specifically, for example, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane; a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Can be mentioned. More specifically, a group in which two or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; two or more groups from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.
The aliphatic cyclic group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, and a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

当該炭化水素基における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
芳香環は、4n+2(ここでのnは0と自然数を示す)個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5〜30であることが好ましく、5〜20がより好ましく、6〜15がさらに好ましく、6〜12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基またはヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(たとえばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;前記芳香環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基やヘテロアリールアルキル基)における芳香環から水素原子をさらに1つ除いた基等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の水素原子を置換するアルキレン基の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group in the hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 (where n is 0 and a natural number) π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, 5-20 are more preferable, 6-15 are more preferable, and 6-12 are especially preferable. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; aromatic heterocycles in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with heteroatoms, and the like. Can be mentioned. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.
Specifically, the aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (arylene group or heteroarylene group); A group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic compound containing an aromatic ring (for example, biphenyl, fluorene, etc.); a group in which one of the hydrogen atoms of the aromatic ring is substituted with an alkylene group (for example, a benzyl group, a phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, arylalkyl groups such as 2-naphthylethyl group and heteroarylalkyl groups), groups obtained by further removing one hydrogen atom, and the like It is done. The number of carbon atoms of the alkylene group that replaces the hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1. .
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. For example, the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

構成単位(a5)としては、下記一般式(a5−1)で表される構成単位が好ましい。   As the structural unit (a5), structural units represented by general formula (a5-1) shown below are preferred.

Figure 0005906076
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Pは−C(=O)−O−、−C(=O)−NR−(Rは水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である)又は単結合である。Wは置換基としてカルボキシ基(−COOH)、フェノール性水酸基(−OH)、スルホンアミド基(−SO−NH)、スルホニルイミド基(−SO−NH−SO−)及び電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基からなる群より選択される少なくとも一種の酸性基を有する炭化水素基、又は−COOHである。]
Figure 0005906076
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. P 0 is —C (═O) —O—, —C (═O) —NR 0 — (R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms) or a single bond. W 0 is a carboxy group (—COOH), a phenolic hydroxyl group (—OH), a sulfonamide group (—SO 2 —NH 2 ), a sulfonylimide group (—SO 2 —NH—SO 2 —) and electron withdrawing as substituents. It is a hydrocarbon group having at least one acidic group selected from the group consisting of hydroxyalkyl groups substituted with a functional group, or -COOH. ]

前記式(a5−1)中、Rのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
Rのハロゲン化アルキル基は、前記のRのアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。
In the formula (a5-1), the alkyl group of R is preferably a linear or branched alkyl group, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, Examples include isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like.
Examples of the halogenated alkyl group for R include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the aforementioned R alkyl group have been substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

前記式(a5−1)中、Pは、−C(=O)−O−、−C(=O)−NR−(Rは水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である)又は単結合である。Rのアルキル基としては、Rのアルキル基と同様である。 In Formula (a5-1), P 0 is —C (═O) —O—, —C (═O) —NR 0 — (R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. ) Or a single bond. The alkyl group for R 0 is the same as the alkyl group for R.

前記式(a5−1)中、Wは、置換基としてカルボキシ基(−COOH)、フェノール性水酸基(−OH)、スルホンアミド基(−SO−NH)、スルホニルイミド基(−SO−NH−SO−)及び電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基からなる群より選択される少なくとも一種の酸性基を有する炭化水素基、又は−COOHである。
「置換基として酸性基を有する炭化水素基」とは、炭化水素基に結合した水素原子の少なくとも一部が酸性基で置換されていることを意味する。
における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
の炭化水素基における脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)、脂肪族環式基(単環式基、多環式基;置換基を有していてもよい)が好適に挙げられ、これらの説明は上記と同様である。
の炭化水素基における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基(置換基を有していてもよい)であり、この説明は上記と同様である。
In the formula (a5-1), W 0 is a carboxy group (—COOH), a phenolic hydroxyl group (—OH), a sulfonamide group (—SO 2 —NH 2 ), a sulfonylimide group (—SO 2 ) as a substituent. -NH-SO 2 -) and a hydrocarbon group having at least one acidic group selected from the group consisting of substituted hydroxyalkyl group with an electron withdrawing group, or -COOH.
The “hydrocarbon group having an acidic group as a substituent” means that at least a part of hydrogen atoms bonded to the hydrocarbon group is substituted with an acidic group.
The hydrocarbon group in W 0 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
As the aliphatic hydrocarbon group in the hydrocarbon group of W 0, a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group), an aliphatic cyclic group (monocyclic group, A polycyclic group (which may have a substituent) is preferably mentioned, and the description thereof is the same as described above.
The aromatic hydrocarbon group in the hydrocarbon group of W 0 is a hydrocarbon group (which may have a substituent) having at least one aromatic ring, and this description is the same as above.

構成単位(a5)のなかで好適なものとして、より具体的には、
α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基(炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基等)で置換されていてもよいアクリル酸から誘導される構成単位、
下記一般式(a5−11)で表される構成単位、
下記一般式(a5−12)で表される構成単位等が挙げられる。
As a preferable unit among the structural units (a5), more specifically,
A structural unit derived from acrylic acid in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent (an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkyl halide group having 1 to 5 carbon atoms, etc.) ,
A structural unit represented by the following general formula (a5-11);
Examples include the structural unit represented by general formula (a5-12) below.

・・アクリル酸から誘導される構成単位
前記のアクリル酸から誘導される構成単位としては、前記式(a5−1)中のPが単結合であり、Wが−COOHである構成単位が挙げられる。
.. Structural unit derived from acrylic acid The structural unit derived from acrylic acid includes a structural unit in which P 0 in formula (a5-1) is a single bond and W 0 is —COOH. Can be mentioned.

Figure 0005906076
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。
01は置換基としてカルボキシ基(−COOH)、フェノール性水酸基(−OH)、スルホンアミド基(−SO−NH)、スルホニルイミド基(−SO−NH−SO−)及び電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基からなる群より選択される少なくとも一種の酸性基を有する芳香族炭化水素基である。
02は−C(=O)−O−、−C(=O)−NR−(Rは水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である)又は単結合である。
02は置換基としてカルボキシ基(−COOH)、フェノール性水酸基(−OH)、スルホンアミド基(−SO−NH)、スルホニルイミド基(−SO−NH−SO−)及び電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基からなる群より選択される少なくとも一種の酸性基を有する環状の炭化水素基である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
W 01 is a carboxy group (—COOH), a phenolic hydroxyl group (—OH), a sulfonamide group (—SO 2 —NH 2 ), a sulfonylimide group (—SO 2 —NH—SO 2 —) and electron withdrawing as substituents. An aromatic hydrocarbon group having at least one acidic group selected from the group consisting of hydroxyalkyl groups substituted with a functional group.
P 02 is —C (═O) —O—, —C (═O) —NR 0 — (R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms) or a single bond.
W02 is a carboxy group (—COOH), a phenolic hydroxyl group (—OH), a sulfonamide group (—SO 2 —NH 2 ), a sulfonylimide group (—SO 2 —NH—SO 2 —) and an electron withdrawing group as substituents. A cyclic hydrocarbon group having at least one acidic group selected from the group consisting of hydroxyalkyl groups substituted with a functional group. ]

・・一般式(a5−11)で表される構成単位
前記式(a5−11)中、Rは、前記式(a5−1)中のRの説明と同様である。
01における芳香族炭化水素基は、前記式(a5−1)中のWの炭化水素基における芳香族炭化水素基の説明と同様である。
以下に、一般式(a5−11)で表される構成単位の好適な具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
.. Structural unit represented by general formula (a5-11) In the formula (a5-11), R is the same as the description of R in the formula (a5-1).
The aromatic hydrocarbon group in W 01 is the same as the description of the aromatic hydrocarbon group in the hydrocarbon group of W 0 in the formula (a5-1).
Specific examples of preferable structural units represented by general formula (a5-11) are shown below. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

・・一般式(a5−12)で表される構成単位
前記式(a5−12)中、Rは、前記式(a5−1)中のRの説明と同様である。
02は、−C(=O)−O−又は−C(=O)−NR−(Rは水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である)であり、−C(=O)−O−であることが好ましい。Rのアルキル基としては、Rのアルキル基と同様である。
02における環状の炭化水素基は、前記式(a5−1)中のWについての説明の中で例示した脂肪族環式基(単環式基、多環式基)、芳香族炭化水素基とそれぞれ同様のものが挙げられる。
以下に、一般式(a5−12)で表される構成単位の好適な具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
.. Structural unit represented by general formula (a5-12) In the formula (a5-12), R is the same as the description of R in the formula (a5-1).
P 02 is —C (═O) —O— or —C (═O) —NR 0 — (R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), and —C (═O ) -O-. The alkyl group for R 0 is the same as the alkyl group for R.
The cyclic hydrocarbon group in W 02 is an aliphatic cyclic group (monocyclic group or polycyclic group) or aromatic hydrocarbon exemplified in the description of W 0 in the formula (a5-1). Examples of each group are the same.
Specific examples of preferable structural units represented by general formula (a5-12) are shown below. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

(A1)成分が有する構成単位(a5)は、1種単独であっても2種以上であってもよい。
上記の中でも、構成単位(a5)としては、(C)成分と会合構造を容易に形成しやすいことから、酸性基としてカルボキシ基(−COOH)又はフェノール性水酸基(−OH)を含む構成単位が好ましい。
(A1)成分が構成単位(a5)とこれ以外の構成単位とからなる共重合体である場合、(A1)成分中、構成単位(a5)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位に対して5モル%以上であることが好ましく、10〜60モル%であることがより好ましく、15〜50モル%であることがさらに好ましい。
構成単位(a5)の割合が下限値以上であることにより、(C)成分との会合構造が形成されやすくなり、レジスト膜がより安定に成膜される。一方、上限値以下であることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
また、(A1)成分中、構成単位(a5)の割合は100モル%であってもよい。すなわち、(A1)成分として、構成単位(a5)の繰り返し単位からなるホモポリマーを用いることもできる。
The structural unit (a5) contained in the component (A1) may be a single type or two or more types.
Among these, as the structural unit (a5), a structural unit containing a carboxy group (—COOH) or a phenolic hydroxyl group (—OH) as an acidic group is easily formed because an association structure with the component (C) is easily formed. preferable.
When the component (A1) is a copolymer composed of the structural unit (a5) and other structural units, the proportion of the structural unit (a5) in the component (A1) is the total of the component (A1). The content is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 to 60 mol%, and still more preferably 15 to 50 mol% with respect to the structural unit.
When the proportion of the structural unit (a5) is at least the lower limit value, an association structure with the component (C) is easily formed, and the resist film is more stably formed. On the other hand, by being below the upper limit value, it becomes easy to balance with other structural units.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a5) may be 100 mol%. That is, as the component (A1), a homopolymer composed of repeating units of the structural unit (a5) can be used.

・その他の構成単位
(A1)成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、用途に応じ、上記の構成単位(a5)以外のその他の構成単位を有してもよい。
かかるその他の構成単位は、上述の構成単位に分類されない構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
かかるその他の構成単位としては、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)、−SO−含有環式基又はラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)、酸非解離性環式基を含む構成単位(a4)等が挙げられる。
-Other structural unit (A1) A component may have other structural units other than said structural unit (a5) according to a use within the range which does not impair the effect of this invention.
Such other structural unit is not particularly limited as long as it is a structural unit that is not classified as the above-mentioned structural unit, and it is used for resist resins such as for ArF excimer laser and for KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser). Many things conventionally known as what is used can be used.
Examples of such other structural units include a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid, a structural unit (a2) containing a —SO 2 -containing cyclic group or a lactone-containing cyclic group, And a structural unit (a4) containing an acid non-dissociable cyclic group.

・・構成単位(a1)
本明細書において、構成単位(a1)は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。
本発明のレジスト組成物において、(A1)成分は、構成単位(a5)に加えて、さらに構成単位(a1)を有してもよい。
本発明においては、従来と異なり、基材成分中の酸分解性基の露光による分解反応を経ずにレジストパターンを形成できることから、ベース樹脂中に構成単位(a1)を有している必要はないが、要求されるリソグラフィー特性に応じて、構成単位(a5)に加えて、さらに構成単位(a1)を有する高分子化合物を用いてもよい。
..Structural unit (a1)
In the present specification, the structural unit (a1) is a structural unit containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid.
In the resist composition of the present invention, the component (A1) may further have a structural unit (a1) in addition to the structural unit (a5).
In the present invention, unlike the conventional case, since a resist pattern can be formed without undergoing a decomposition reaction due to exposure of an acid-decomposable group in the base material component, it is necessary to have the structural unit (a1) in the base resin. Although not required, a polymer compound having a structural unit (a1) in addition to the structural unit (a5) may be used according to the required lithography properties.

構成単位(a1)における「酸分解性基」は、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(−SOH)等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に−OHを含有する極性基(以下「OH含有極性基」ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基(たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基)が挙げられる。
「酸解離性基」は、酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、(A1)成分全体の極性がより増大する。極性がより増大することにより、相対的に、有機系現像液に対する溶解性の変化が大きくなる。
The “acid-decomposable group” in the structural unit (a1) is an acid-decomposable group that can cleave at least part of the bonds in the structure of the acid-decomposable group by the action of an acid.
Examples of the acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid include a group that decomposes by the action of an acid to generate a polar group.
Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (—SO 3 H), and the like. Among these, a polar group containing —OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as “OH-containing polar group”) is preferable, a carboxy group or a hydroxyl group is preferable, and a carboxy group is particularly preferable.
More specifically, examples of the acid-decomposable group include a group in which the polar group is protected with an acid-dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected with an acid-dissociable group).
The “acid-dissociable group” is a group having an acid-dissociable property capable of cleaving at least a bond between the acid-dissociable group and an atom adjacent to the acid-dissociable group by the action of an acid. The acid-dissociable group constituting the acid-decomposable group needs to be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid-dissociable group. Is dissociated, a polar group having a polarity higher than that of the acid dissociable group is generated to increase the polarity. As a result, the polarity of the entire component (A1) is further increased. As the polarity further increases, the change in solubility in an organic developer becomes relatively large.

酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、(メタ)アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。
ここで、「第3級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基(−C(=O)−O−)の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。
前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第3級アルキルエステル型酸解離性基」という。
The acid-dissociable group is not particularly limited, and those that have been proposed as acid-dissociable groups for base resins for chemically amplified resists can be used. In general, a group that forms a cyclic or chain tertiary alkyl ester with a carboxy group in (meth) acrylic acid or the like; an acetal-type acid dissociable group such as an alkoxyalkyl group is widely known.
Here, the “tertiary alkyl ester” is an ester formed by replacing a hydrogen atom of a carboxy group with a chain or cyclic alkyl group, and the carbonyloxy group (—C (═O The structure in which the tertiary carbon atom of the chain or cyclic alkyl group is bonded to the terminal oxygen atom of) -O-). In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, a bond is cut between an oxygen atom and a tertiary carbon atom to form a carboxy group.
The chain or cyclic alkyl group may have a substituent.
Hereinafter, a group that is acid dissociable by constituting a carboxy group and a tertiary alkyl ester is referred to as a “tertiary alkyl ester type acid dissociable group” for convenience.

第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。
ここで、「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。「脂肪族分岐鎖状酸解離性基」の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、−C(R71)(R72)(R73)で表される基が挙げられる。式中、R71〜R73は、それぞれ独立に、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基である。−C(R71)(R72)(R73)で表される基は、炭素数が4〜8であることが好ましく、具体的にはtert−ブチル基、2−メチル−2−ブチル基、2−メチル−2−ペンチル基、3−メチル−3−ペンチル基などが挙げられる。特にtert−ブチル基が好ましい。
Examples of the tertiary alkyl ester type acid dissociable group include an aliphatic branched acid dissociable group and an acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group.
Here, “aliphatic branched” means having a branched structure having no aromaticity. The structure of the “aliphatic branched acid dissociable group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
Examples of the aliphatic branched acid dissociable group include a group represented by —C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ). Wherein, R 71 to R 73 each independently represents a linear alkyl group of 1 to 5 carbon atoms. The group represented by —C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ) preferably has 4 to 8 carbon atoms, specifically a tert-butyl group or a 2-methyl-2-butyl group. , 2-methyl-2-pentyl group, 3-methyl-3-pentyl group and the like. A tert-butyl group is particularly preferable.

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。
「脂肪族環式基を含有する酸解離性基」における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの脂環式炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基(−O−)で置換されたものであってもよい。
The “aliphatic cyclic group” means a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity.
The aliphatic cyclic group in the “acid-dissociable group containing an aliphatic cyclic group” may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like. Is mentioned.
The basic ring structure excluding the substituent of the aliphatic cyclic group is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The hydrocarbon group may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
The aliphatic cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
Examples of the aliphatic cyclic group include one or more hydrogens from a monocycloalkane which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. A group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane; More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. An alicyclic hydrocarbon group such as a group excluding a hydrogen atom is exemplified. Moreover, a part of carbon atoms constituting the ring of these alicyclic hydrocarbon groups may be substituted with an ether group (—O—).

脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、たとえば、
(i)1価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子(たとえば−C(=O)−O−における−O−)と結合する炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合して第3級炭素原子が形成されている基;
(ii)1価の脂肪族環式基と、これに結合する第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基などが挙げられる。
前記(i)の基において、脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に結合する置換基としては、たとえばアルキル基が挙げられる。該アルキル基としては、たとえば後述する式(1−1)〜(1−9)中のR14と同様のものが挙げられる。
前記(i)の基の具体例としては、たとえば下記一般式(1−1)〜(1−9)で表される基等が挙げられる。
前記(ii)の基の具体例としては、たとえば下記一般式(2−1)〜(2−6)で表される基等が挙げられる。
Examples of the acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group include:
(I) On the ring skeleton of the monovalent aliphatic cyclic group, the substituent ( An atom or group other than a hydrogen atom) to form a tertiary carbon atom;
(Ii) a group having a monovalent aliphatic cyclic group and a branched alkylene having a tertiary carbon atom bonded thereto.
In the group (i), examples of the substituent bonded to the carbon atom bonded to the atom adjacent to the acid dissociable group on the ring skeleton of the aliphatic cyclic group include an alkyl group. Examples of the alkyl group include those similar to R 14 in formulas (1-1) to (1-9) described later.
Specific examples of the group (i) include groups represented by the following general formulas (1-1) to (1-9).
Specific examples of the group (ii) include groups represented by the following general formulas (2-1) to (2-6).

Figure 0005906076
[式中、R14はアルキル基であり、gは0〜8の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R 14 represents an alkyl group, and g represents an integer of 0 to 8. ]

Figure 0005906076
[式中、R15およびR16は、それぞれ独立してアルキル基である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R 15 and R 16 each independently represents an alkyl group. ]

式(1−1)〜(1−9)中、R14のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜5であることが好ましく、1〜4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3〜10であることが好ましく、3〜5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。
gは0〜3の整数が好ましく、1〜3の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましい。
式(2−1)〜(2−6)中、R15〜R16のアルキル基としては、前記R14のアルキル基と同様のものが挙げられる。
上記式(1−1)〜(1−9)、(2−1)〜(2−6)中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。
また、式(1−1)〜(1−9)、(2−1)〜(2−6)中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。
In formulas (1-1) to (1-9), the alkyl group of R 14 may be linear, branched or cyclic, and is preferably linear or branched.
The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4, and still more preferably 1 or 2. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and an n-pentyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group, or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like, and isopropyl group is most preferable.
g is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 1 to 3, and still more preferably 1 or 2.
In formulas (2-1) to (2-6), examples of the alkyl group for R 15 to R 16 include the same alkyl groups as those described above for R 14 .
In the formulas (1-1) to (1-9) and (2-1) to (2-6), a part of the carbon atoms constituting the ring is substituted with an etheric oxygen atom (—O—). May be.
In formulas (1-1) to (1-9) and (2-1) to (2-6), a hydrogen atom bonded to a carbon atom constituting the ring may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, and a fluorinated alkyl group.

「アセタール型酸解離性基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基が形成される。
アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(p1)で表される基が挙げられる。
The “acetal-type acid dissociable group” is generally bonded to an oxygen atom by substituting a hydrogen atom at the terminal of an OH-containing polar group such as a carboxy group or a hydroxyl group. Then, the acid acts to cut the bond between the acetal acid dissociable group and the oxygen atom to which the acetal acid dissociable group is bonded, and OH-containing polar groups such as a carboxy group and a hydroxyl group are formed. The
Examples of the acetal type acid dissociable group include a group represented by the following general formula (p1).

Figure 0005906076
[式中、R’,R’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、nは0〜3の整数を表し、Yは炭素数1〜5のアルキル基または脂肪族環式基を表す。]
Figure 0005906076
[Wherein, R 1 'and R 2 ' each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, n represents an integer of 0 to 3, and Y represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Or represents an aliphatic cyclic group. ]

式(p1)中、nは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。
’,R’のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、R’,R’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基(p1)が、下記一般式(p1−1)で表される基であることが好ましい。
In formula (p1), n is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
Examples of the alkyl group for R 1 ′ and R 2 ′ include linear groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, and neopentyl group. Or a branched alkyl group, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is most preferable.
In the present invention, it is preferable that at least one of R 1 ′ and R 2 ′ is a hydrogen atom. That is, the acid dissociable group (p1) is preferably a group represented by the following general formula (p1-1).

Figure 0005906076
[式中、R’、n、Yは上記と同じである。]
Figure 0005906076
[Wherein R 1 ′, n and Y are the same as described above. ]

Yのアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基を含有する酸解離性基」で挙げた脂肪族環式基と同様のものが例示できる。
As the alkyl group of Y, linear or branched chain such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. An alkyl group is mentioned.
The aliphatic cyclic group for Y can be appropriately selected and used from monocyclic or polycyclic aliphatic cyclic groups that have been proposed in a number of conventional ArF resists. Examples thereof are the same as the aliphatic cyclic groups mentioned in “Acid-dissociable groups containing formula groups”.

アセタール型酸解離性基としては、下記一般式(p2)で示される基も挙げられる。   Examples of the acetal type acid dissociable group also include a group represented by the following general formula (p2).

Figure 0005906076
[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり;R19は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であって、R17の末端とR19の末端とが結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005906076
[Wherein, R 17 and R 18 each independently represents a linear or branched alkyl group or a hydrogen atom; and R 19 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. Alternatively, R 17 and R 19 may be each independently a linear or branched alkylene group, and the end of R 17 and the end of R 19 may be bonded to form a ring. ]

17、R18において、アルキル基の炭素数は、好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
特にR17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1〜5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、エチル基が最も好ましい。
19が環状の場合は炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式(p2)においては、R17及びR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基(好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基)であって、R19の末端とR17の末端とが結合していてもよい。
この場合、R17と、R19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
In R 17 and R 18 , the alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
In particular, it is preferable that one of R 17 and R 18 is a hydrogen atom and the other is a methyl group.
R 19 is a linear, branched or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 15 carbon atoms, and may be any of linear, branched or cyclic.
When R 19 is linear or branched, it preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably an ethyl group.
When R 19 is cyclic, it preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, one or more polycycloalkanes such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. And the like, in which a hydrogen atom is removed. Specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
In the formula (p2), R 17 and R 19 are each independently a linear or branched alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms), and the end of R 19 is The terminal of R 17 may be bonded.
In this case, a cyclic group is formed by R 17 , R 19 , the oxygen atom to which R 19 is bonded, and the carbon atom to which the oxygen atom and R 17 are bonded. The cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.

構成単位(a1)としては、酸分解性基を有するものであれば他の部位の構造は特に限定されないが、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸分解性基を含む構成単位(a11)、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレンから誘導される構成単位の水酸基の水素原子が酸解離性基または酸解離性基を含む置換基で置換されてなる構成単位(a12)、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニル(ヒドロキシナフタレン)から誘導される構成単位の水酸基の水素原子が酸解離性基または酸解離性基を含む置換基で置換されてなる構成単位(a13)等が好適に挙げられる。
なかでも、ラフネス改善(ラインワイズラフネス、ラインエッジラフネスの低減)の点では構成単位(a11)が好ましく、露光光の吸収制御の点では構成単位(a12)又は構成単位(a13)が好ましい。
The structural unit (a1) is not particularly limited as long as it has an acid-decomposable group, but an acrylic group in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. A structural unit derived from an acid ester and comprising a structural unit (a11) containing an acid-decomposable group, a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and hydrogen bonded to a benzene ring A structural unit in which a hydrogen atom of a hydroxyl group of a structural unit derived from hydroxystyrene which may be substituted with a substituent other than a hydroxyl group is substituted with an acid-dissociable group or a substituent containing an acid-dissociable group ( a12), a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent, and a hydrogen atom bonded to the naphthalene ring may be substituted with a substituent other than a hydroxyl group (hydroxynaphtho Like structural units hydroxyl hydrogen atoms of constituent units derived from alkylene) is replaced by a substituent containing an acid-dissociable group or an acid-dissociable group (a13) are preferably exemplified.
Among these, the structural unit (a11) is preferable in terms of roughness improvement (reduction in line width roughness and line edge roughness), and the structural unit (a12) or structural unit (a13) is preferable in terms of exposure light absorption control.

ここで、本明細書において、「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH=CH−COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸、アクリル酸エステルをそれぞれα置換アクリル酸、α置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸とα置換アクリル酸とを包括して「(α置換)アクリル酸」、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
α置換アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基が好ましく、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
Here, in the present specification, the “structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
“Acrylic acid ester” is a compound in which the hydrogen atom at the carboxy group terminal of acrylic acid (CH 2 ═CH—COOH) is substituted with an organic group.
In the acrylate ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. The substituent that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is an atom or group other than a hydrogen atom, such as an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a hydroxy group. An alkyl group etc. are mentioned. The α-position carbon atom of the acrylate ester is a carbon atom to which a carbonyl group is bonded unless otherwise specified.
Hereinafter, acrylic acid and acrylic ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position is substituted with a substituent may be referred to as α-substituted acrylic acid and α-substituted acrylic ester, respectively. In addition, acrylic acid and α-substituted acrylic acid may be collectively referred to as “(α-substituted) acrylic acid”, and acrylic acid ester and α-substituted acrylic acid ester may be collectively referred to as “(α-substituted) acrylic acid ester”. .
In the α-substituted acrylate ester, the alkyl group as a substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Examples thereof include a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.
Specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the α-position include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as the substituent at the α-position” are substituted with a halogen atom. It is done. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
Bonded to the α-position of the α-substituted acrylate ester is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. An alkyl group or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferred, and a hydrogen atom or a methyl group is most preferred from the viewpoint of industrial availability.

「ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
ヒドロキシスチレンは、ベンゼン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ベンゼン環に結合する水酸基の数は、1〜3が好ましく、1が特に好ましい。ベンゼン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。水酸基の数が1つである場合は、ビニル基の結合位置のパラ4位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。
「ビニル(ヒドロキシナフタレン)から誘導される構成単位」とは、ビニル(ヒドロキシナフタレン)のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
ビニル(ヒドロキシナフタレン)は、ナフタレン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ビニル基は、ナフタレン環の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよい。ナフタレン環に結合する水酸基の数は、1〜3が好ましく、1が特に好ましい。ナフタレン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。ナフタレン環の1位または2位にビニル基が結合している場合、ナフタレン環の5〜8位のいずれかが好ましい。特に、水酸基の数が1つである場合は、ナフタレン環の5〜7位のいずれかが好ましく、5または6位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。
The “structural unit derived from hydroxystyrene” means a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of hydroxystyrene.
Hydroxystyrene is a compound in which one vinyl group and at least one hydroxyl group are bonded to a benzene ring. 1-3 are preferable and, as for the number of the hydroxyl groups couple | bonded with a benzene ring, 1 is especially preferable. The bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is not particularly limited. When the number of hydroxyl groups is one, the para 4-position of the vinyl group bonding position is preferred. When the number of hydroxyl groups is an integer of 2 or more, any bonding position can be combined.
The “structural unit derived from vinyl (hydroxynaphthalene)” means a structural unit configured by cleavage of an ethylenic double bond of vinyl (hydroxynaphthalene).
Vinyl (hydroxynaphthalene) is a compound in which one vinyl group and at least one hydroxyl group are bonded to a naphthalene ring. The vinyl group may be bonded to the 1-position of the naphthalene ring or may be bonded to the 2-position. 1-3 are preferable and, as for the number of the hydroxyl groups couple | bonded with a naphthalene ring, 1 is especially preferable. The bonding position of the hydroxyl group in the naphthalene ring is not particularly limited. In the case where a vinyl group is bonded to the 1-position or 2-position of the naphthalene ring, any one of the 5- to 8-positions of the naphthalene ring is preferable. In particular, when the number of hydroxyl groups is one, any one of 5 to 7 positions of the naphthalene ring is preferable, and 5 or 6 positions are preferable. When the number of hydroxyl groups is an integer of 2 or more, any bonding position can be combined.

・・・構成単位(a11):
構成単位(a11)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸分解性基を含む構成単位である。
構成単位(a11)としては、たとえば、下記一般式(a1−0−1)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位等が挙げられる。
... Structural unit (a11):
The structural unit (a11) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent and includes an acid-decomposable group.
Examples of the structural unit (a11) include a structural unit represented by the following general formula (a1-0-1), a structural unit represented by the following general formula (a1-0-2), and the like.

Figure 0005906076
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり;Xは酸解離性基であり;Yは2価の連結基であり;Xは酸解離性基である。]
Figure 0005906076
Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; X 1 is an acid dissociable group; Y 2 is a divalent linking group. Yes; X 2 is an acid-dissociable group. ]

一般式(a1−0−1)において、Rの炭素数1〜5のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
Rの炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基としては、上記の炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
In the general formula (a1-0-1), as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl A linear or branched alkyl group such as a group, an isopentyl group and a neopentyl group.
Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above alkyl group having 1 to 5 carbon atoms have been substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a hydrogen atom or a methyl group.

は、酸解離性基であれば特に限定されることはなく、たとえば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。
一般式(a1−0−2)において、Rは上記と同様である。
は、式(a1−0−1)中のXと同様である。
X 1 is not particularly limited as long as it is an acid dissociable group, and examples thereof include the above-described tertiary alkyl ester type acid dissociable groups, acetal type acid dissociable groups, and the like. An ester type acid dissociable group is preferred.
In general formula (a1-0-2), R is the same as defined above.
X 2 is the same as X 1 in formula (a1-0-1).

の2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の基または原子)で置換されていることを意味する。
該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
Examples of the divalent linking group of Y 2, but are not limited to, divalent hydrocarbon group which may have a substituent group, and a divalent linking group containing a hetero atom as preferred.
The hydrocarbon group having “substituent” means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom).
The hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity.

前記Yにおける2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Y 2 may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
More specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like.

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜6がより好ましく、1〜4がさらに好ましく、1〜3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3.
As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [—CH 2 —], an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [ — (CH 2 ) 3 —], tetramethylene group [— (CH 2 ) 4 —], pentamethylene group [— (CH 2 ) 5 —] and the like can be mentioned.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group that is linear or branched. Examples thereof include a group bonded to the end of a chain aliphatic hydrocarbon group and a group in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those described above.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane. , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.
The alicyclic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).

前記Yにおける2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。
該芳香族炭化水素基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基);前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基)等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Y 2 is a hydrocarbon group having an aromatic ring.
The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 10. . However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are heterogeneous Aromatic heterocycles substituted with atoms; and the like. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specifically, the aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group) ) In which one of the hydrogen atoms is substituted with an alkylene group (for example, arylalkyl such as benzyl, phenethyl, 1-naphthylmethyl, 2-naphthylmethyl, 1-naphthylethyl, 2-naphthylethyl, etc.) And a group obtained by further removing one hydrogen atom from the aryl group in the group). The alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom.
The aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to the aromatic hydrocarbon ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group. Most preferred is an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

前記Yの「ヘテロ原子を含む2価の連結基」におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、−NH−C(=O)−、=N−、一般式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0〜3の整数である。]等が挙げられる。
が−NH−の場合、そのHはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがさらに好ましく、1〜5であることが特に好ましい。
式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−中、Y21及びY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記でYにおける「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」として挙げたものと同様のものが挙げられる。
21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基において、m’は0〜3の整数であり、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基としては、式−Y21−C(=O)−O−Y22−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−(CHa’−C(=O)−O−(CHb’−で表される基が好ましい。該式中、a’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合またはエステル結合を含む基、が好ましく、前記式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基がより好ましい。
The hetero atom in the “divalent linking group containing a hetero atom” of Y 2 is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.
As the divalent linking group containing a hetero atom, —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O—, —C (= O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, —S (═O) 2 -O -, - NH-C (= O) -, = N-, the formula -Y 21 -O-Y 22 -, - [Y 21 -C (= O) -O] m '-Y 22 - Or a group represented by —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 —, wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group optionally having a substituent. O is an oxygen atom, and m ′ is an integer of 0 to 3. ] Etc. are mentioned.
When Y 2 is —NH—, H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
Formula -Y 21 -O-Y 22 -, - [Y 21 -C (= O) -O] m '-Y 22 - or -Y 21 -O-C (= O ) -Y 22 - In, Y 21 And Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include the same groups as those described above as the “divalent hydrocarbon group which may have a substituent” for Y 2 .
Y 21 is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methylene group or an ethylene group. preferable.
Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
In the group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 —, m ′ is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, Or 1 is more preferable, and 1 is particularly preferable. That is, the group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — is represented by the formula —Y 21 —C (═O) —O—Y 22 —. The group is particularly preferred. Among these, a group represented by the formula — (CH 2 ) a ′ —C (═O) —O— (CH 2 ) b ′ — is preferable. In the formula, a ′ is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, further preferably 1 or 2, and most preferably 1. b ′ is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.
Examples of the divalent linking group containing a hetero atom, a linear group containing an oxygen atom as a hetero atom, for example, a group containing an ether bond or an ester bond, are preferred, the formula -Y 21 -O-Y 22 -, A group represented by — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — or —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 — is more preferable.

としては、上記のなかでも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、前記式−Y21−O−Y22−で表される基、前記式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基、または前記式−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基がさらに好ましい。 Among these, Y 2 is preferably a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing a hetero atom, and is a linear or branched alkylene group, the formula -Y 21 A group represented by —O—Y 22 —, a group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 —, or a group represented by the formula —Y 21 —O—C ( The group represented by ═O) —Y 22 — is more preferable.

構成単位(a11)として、より具体的には、下記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位が挙げられる。   More specifically, examples of the structural unit (a11) include structural units represented by general formulas (a1-1) to (a1-4) shown below.

Figure 0005906076
[式中、R、R’、R’、n、YおよびYはそれぞれ前記と同じであり、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性基を表す。]’
Figure 0005906076
[Wherein, R, R 1 ′, R 2 ′, n, Y and Y 2 are the same as defined above, and X ′ represents a tertiary alkyl ester-type acid dissociable group. ] '

式中、X’は、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。
’、R’、n、Yとしては、それぞれ、上述の「アセタール型酸解離性基」の説明において挙げた一般式(p1)におけるR’、R’、n、Yと同様のものが挙げられる。
は、上述の一般式(a1−0−2)におけるYと同様のものが挙げられる。
以下に、上記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位の具体例を示す。
以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
In the formula, X ′ is the same as the tertiary alkyl ester-type acid dissociable group.
R 1 ', R 2', n, as the Y, respectively, R 1 in the general formula listed in the description of "acetal-type acid dissociable group" described above (p1) ', R 2' , n, similarly to the Y Can be mentioned.
Y 2 include the same as Y 2 in the general formula (a1-0-2).
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a1-1) to (a1-4) are shown below.
In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
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Figure 0005906076
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Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

本発明においては、構成単位(a11)として、
下記の一般式(a1−0−11)〜(a1−0−15)でそれぞれ表される構成単位および下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することが好ましく、
下記一般式(a1−0−11)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−12)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−13)で表される構成単位および下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することがより好ましい。
なかでも、式(a1−0−11)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−12)で表される構成単位および下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することが特に好ましい。
In the present invention, as the structural unit (a11),
It is selected from the group consisting of structural units represented by the following general formulas (a1-0-11) to (a1-0-15) and structural units represented by the following general formula (a1-0-2), respectively. Preferably having at least one,
Structural units represented by the following general formula (a1-0-11), structural units represented by the following general formula (a1-0-12), structural units represented by the following general formula (a1-0-13) And at least one selected from the group consisting of structural units represented by general formula (a1-0-2) shown below.
Among these, a structural unit represented by the formula (a1-0-11), a structural unit represented by the following general formula (a1-0-12), and a structure represented by the following general formula (a1-0-2) It is particularly preferred to have at least one selected from the group consisting of units.

Figure 0005906076
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、R21はアルキル基であり、R22は、当該R22が結合した炭素原子と共に脂肪族単環式基を形成する基であり、R23は分岐鎖状のアルキル基であり、R24は、当該R24が結合した炭素原子と共に脂肪族多環式基を形成する基であり、R25は炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基である。R15およびR16は、それぞれ独立してアルキル基である。Yは2価の連結基であり、Xは酸解離性基である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 21 is an alkyl group, and R 22 is a carbon to which R 22 is bonded. A group that forms an aliphatic monocyclic group together with an atom; R 23 is a branched alkyl group; and R 24 is a group that forms an aliphatic polycyclic group together with the carbon atom to which R 24 is bonded. R 25 is a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 15 and R 16 are each independently an alkyl group. Y 2 is a divalent linking group, and X 2 is an acid dissociable group. ]

各式中、R、Y、Xについての説明は前記と同じである。
式(a1−0−11)中、R21のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基、エチル基またはイソプロピル基が好ましい。
22が、当該R22が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族単環式基としては、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基において挙げた脂肪族環式基のうち、単環式基であるものと同様のものが挙げられる。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該モノシクロアルカンは、3〜11員環であることが好ましく、3〜8員環であることがより好ましく、4〜6員環がさらに好ましく、5または6員環が特に好ましい。
該モノシクロアルカンは、環を構成する炭素原子の一部がエーテル基(−O−)で置換されていてもよいし、されていなくてもよい。
また、該モノシクロアルカンは、置換基として、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基を有していてもよい。
かかる脂肪族単環式基を構成するR22としては、たとえば、炭素原子間にエーテル基(−O−)が介在してもよい直鎖状のアルキレン基が挙げられる。
In each formula, the description of R, Y 2 and X 2 is the same as described above.
In formula (a1-0-11), examples of the alkyl group for R 21 include the same alkyl groups as those described above for R 14 in formulas (1-1) to (1-9). Group or isopropyl group is preferred.
R 22 is, the aliphatic monocyclic group formed together with the carbon atom to which R 22 is bonded, the same aliphatic cyclic groups as those in the aforementioned tertiary alkyl ester-type acid dissociable groups, a monocyclic group The thing similar to what is is mentioned. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane is preferably a 3- to 11-membered ring, more preferably a 3- to 8-membered ring, further preferably a 4- to 6-membered ring, and particularly preferably a 5- or 6-membered ring.
In the monocycloalkane, a part of carbon atoms constituting the ring may or may not be substituted with an ether group (—O—).
Moreover, this monocycloalkane may have a C1-C5 alkyl group, a fluorine atom, or a C1-C5 fluorinated alkyl group as a substituent.
Examples of R 22 constituting such an aliphatic monocyclic group include a linear alkylene group in which an ether group (—O—) may be interposed between carbon atoms.

式(a1−0−11)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−1−16)〜(a1−1−23)、(a1−1−27)、(a1−1−31)〜(a1−1−33)で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、式(a1−1−16)〜(a1−1−17)、(a1−1−20)〜(a1−1−23)、(a1−1−27)、(a1−1−31)〜(a1−1−33)で表される構成単位を包括する下記(a1−1−02)で表される構成単位が好ましい。また、下記(a1−1−02’)で表される構成単位も好ましい。
各式中、hは、1または2が好ましい。
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-11) include the formulas (a1-1-16) to (a1-1-23), (a1-1-27), and (a1-1 -31)-the structural unit represented by (a1-1-33) is mentioned. Among these, the formulas (a1-1-16) to (a1-1-17), (a1-1-20) to (a1-1-23), (a1-1-27), (a1-1-1- The structural unit represented by the following (a1-1-02) including the structural units represented by 31) to (a1-1-33) is preferable. Moreover, the structural unit represented by the following (a1-1-02 ′) is also preferable.
In each formula, h is preferably 1 or 2.

Figure 0005906076
[式中、R、R21はそれぞれ前記と同じであり、hは1〜4の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R and R 21 are the same as defined above, and h is an integer of 1 to 4, respectively. ]

式(a1−0−12)中、R23の分岐鎖状のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基で挙げた分岐鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられ、イソプロピル基が最も好ましい。
24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基としては、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基において挙げた脂肪族環式基のうち、多環式基であるものと同様のものが挙げられる。
式(a1−0−12)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−1−26)、(a1−1−28)〜(a1−1−30)で表される構成単位が挙げられる。
式(a1−0−12)で表される構成単位としては、R24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が2−アダマンチル基であるものが好ましく、特に、前記式(a1−1−26)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a1-0-12), as the branched alkyl group for R 23 , the branched alkyl group described for the alkyl group for R 14 in formulas (1-1) to (1-9) above. Examples thereof are the same as those described above, and an isopropyl group is most preferable.
R 24 is, the aliphatic polycyclic group formed together with the carbon atom to which R 24 is bonded, the same aliphatic cyclic groups as those in the aforementioned tertiary alkyl ester-type acid dissociable group, polycyclic group The thing similar to what is is mentioned.
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-12) include those represented by the formulas (a1-1-26) and (a1-1-28) to (a1-1-30). Units are listed.
As the structural unit represented by the formula (a1-0-12), those in which R 24 is an aliphatic polycyclic group formed together with the carbon atom to which R 24 is bonded are preferably a 2-adamantyl group, The structural unit represented by the formula (a1-1-26) is preferable.

式(a1−0−13)中、RおよびR24はそれぞれ前記と同様である。
25の直鎖状のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基で挙げた直鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が最も好ましい。
式(a1−0−13)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−1)〜(a1−1−3)、(a1−1−7)〜(a1−1−15)で表される構成単位が挙げられる。
式(a1−0−13)で表される構成単位としては、R24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が2−アダマンチル基であるものが好ましく、特に、前記式(a1−1−1)、(a1−1−2)または(a1−1−9)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a1-0-13), R and R 24 are the same as defined above.
Examples of the linear alkyl group for R 25 include the same linear alkyl groups as those described above for the alkyl group for R 14 in the formulas (1-1) to (1-9), and methyl Most preferred are groups or ethyl groups.
Specific examples of the structural unit represented by formula (a1-0-13) include formulas (a1-1-1) to (a1-1-3) exemplified as specific examples of general formula (a1-1). ), Structural units represented by (a1-1-7) to (a1-1-15).
As the structural unit represented by the formula (a1-0-13), those in which R 24 is an aliphatic polycyclic group formed together with the carbon atom to which R 24 is bonded are preferably a 2-adamantyl group, The structural unit represented by the formula (a1-1-1), (a1-1-2) or (a1-1-9) is preferable.

式(a1−0−14)中、RおよびR22はそれぞれ前記と同様である。R15およびR16は、それぞれ前記一般式(2−1)〜(2−6)におけるR15およびR16と同様である。
式(a1−0−14)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−35)、(a1−1−36)で表される構成単位が挙げられる。
In formula (a1-0-14), R and R 22 are the same as defined above. R 15 and R 16 are the same as R 15 and R 16 in each of the general formulas (2-1) to (2-6).
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-14) include the formulas (a1-1-35) and (a1-1-36) exemplified as specific examples of the general formula (a1-1). ).

式(a1−0−15)中、RおよびR24はそれぞれ前記と同様である。R15およびR16は、それぞれ前記一般式(2−1)〜(2−6)におけるR15およびR16と同様である。
式(a1−0−15)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−4)〜(a1−1−6)、(a1−1−34)で表される構成単位が挙げられる。
In formula (a1-0-15), R and R 24 are the same as defined above. R 15 and R 16 are the same as R 15 and R 16 in each of the general formulas (2-1) to (2-6).
Specific examples of the structural unit represented by formula (a1-0-15) include formulas (a1-1-4) to (a1-1-6) exemplified as specific examples of general formula (a1-1). ) And (a1-1-34).

式(a1−0−2)で表される構成単位としては、前記式(a1−3)または(a1−4)で表される構成単位が挙げられ、特に式(a1−3)で表される構成単位が好ましい。
式(a1−0−2)で表される構成単位としては、特に、式中のYが前記式−Y21−O−Y22−で表される基、前記式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基、または前記式−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基であるものが好ましい。
かかる構成単位として、好ましいものとしては、下記一般式(a1−3−01)で表される構成単位;下記一般式(a1−3−02)で表される構成単位;下記一般式(a1−3−03)で表される構成単位などが挙げられる。
Examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-2) include the structural unit represented by the formula (a1-3) or (a1-4), and particularly represented by the formula (a1-3). Are preferred.
As the structural unit represented by the formula (a1-0-2), in particular, Y 2 in the formula is a group represented by the formula —Y 21 —O—Y 22 —, or the formula — [Y 21 —C (= O) -O] m ' -Y 22 - group represented by or the formula -Y 21 -O-C (= O ) -Y 22, - what is a group represented by are preferred.
Preferred examples of the structural unit include a structural unit represented by the following general formula (a1-3-01); a structural unit represented by the following general formula (a1-3-02); 3-03) and the like.

Figure 0005906076
[式中、Rは前記と同じであり、R13は水素原子またはメチル基であり、R14はアルキル基であり、yは1〜10の整数であり、n’は0〜3の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R is the same as above, R 13 is a hydrogen atom or a methyl group, R 14 is an alkyl group, y is an integer of 1 to 10, and n ′ is an integer of 0 to 3] is there. ]

Figure 0005906076
[式中、Rは前記と同じであり、Y’およびY”はそれぞれ独立して2価の連結基であり、X’は酸解離性基であり、wは0〜3の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R is the same as defined above, Y 2 ′ and Y 2 ″ are each independently a divalent linking group, X ′ is an acid-dissociable group, and w is an integer of 0 to 3] is there.]

式(a1−3−01)〜(a1−3−02)中、R13は、水素原子が好ましい。
14は、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14と同様である。
yは、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2が最も好ましい。
n’は、1または2が好ましく、2が最も好ましい。
式(a1−3−01)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−25)〜(a1−3−26)で表される構成単位等が挙げられる。
式(a1−3−02)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−27)〜(a1−3−28)で表される構成単位等が挙げられる。
In formulas (a1-3-01) to (a1-3-02), R 13 is preferably a hydrogen atom.
R 14 is the same as R 14 in the formula (1-1) to (1-9).
y is preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, and most preferably 1 or 2.
n ′ is preferably 1 or 2, and most preferably 2.
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-3-01) include structural units represented by the formulas (a1-3-25) to (a1-3-26).
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-3-02) include structural units represented by the formulas (a1-3-27) to (a1-3-28).

式(a1−3−03)中、Y’、Y” における2価の連結基としては、前記一般式(a1−3)におけるYと同様のものが挙げられる。
’としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
”としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
X’における酸解離性基は、前記と同様のものが挙げられ、第3級アルキルエステル型酸解離性基であることが好ましく、上述した(i)1価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に置換基が結合して第3級炭素原子が形成されている基がより好ましく、中でも、前記一般式(1−1)で表される基が好ましい。
wは0〜3の整数であり、wは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が最も好ましい。
式(a1−3−03)で表される構成単位としては、下記一般式(a1−3−03−1)または(a1−3−03−2)で表される構成単位が好ましく、中でも、式(a1−3−03−1)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a1-3-03), examples of the divalent linking group for Y 2 ′ and Y 2 ″ include the same groups as those described above for Y 2 in formula (a1-3).
Y 2 ′ is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, and even more preferably a linear alkylene group. Among these, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methylene group and an ethylene group are most preferable.
Y 2 ″ is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, and still more preferably a linear alkylene group. A linear alkylene group of 1 to 5 is preferable, and a methylene group and an ethylene group are most preferable.
Examples of the acid dissociable group in X ′ include the same groups as described above, and are preferably tertiary alkyl ester-type acid dissociable groups. In addition, a group in which a substituent is bonded to a carbon atom bonded to an atom adjacent to the acid dissociable group to form a tertiary carbon atom is more preferable. Preferred are the groups
w is an integer of 0 to 3, and w is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 1.
As the structural unit represented by the formula (a1-3-03), a structural unit represented by the following general formula (a1-3-03-1) or (a1-3-03-2) is preferable. The structural unit represented by the formula (a1-3-03-1) is preferable.

Figure 0005906076
[式中、RおよびR14はそれぞれ前記と同じであり、a’は1〜10の整数であり、b’は1〜10の整数であり、n’は0〜3の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R and R 14 are the same as defined above, a ′ is an integer of 1 to 10, b ′ is an integer of 1 to 10, and n ′ is an integer of 0 to 3, respectively] ]

式(a1−3−03−1)〜(a1−3−03−2)中、a’は、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2が特に好ましい。
b’は、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。
n’は1〜3の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。
式(a1−3−03−1)または(a1−3−03−2)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−29)〜(a1−3−32)で表される構成単位が挙げられる。
In formulas (a1-3-03-1) to (a1-3-03-2), a ′ is preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, and particularly preferably 1 or 2.
b ′ is preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, and particularly preferably 1 or 2.
n ′ is preferably an integer of 1 to 3, particularly preferably 1 or 2.
Specific examples of the structural unit represented by formula (a1-3-03-1) or (a1-3-03-2) include those represented by formulas (a1-3-29) to (a1-3-32). The structural unit represented is mentioned.

・・・構成単位(a12):
構成単位(a12)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレンから誘導される構成単位の水酸基の水素原子が酸解離性基または酸解離性基を含む置換基で置換されてなる構成単位である。
水酸基の水素原子を置換する酸解離性基としては、前記と同様のものが挙げられ、第3級アルキルエステル型酸解離性基またはアセタール型酸解離性基が好ましく、アセタール型酸解離性基がより好ましい。
酸解離性基を含む置換基としては、酸解離性基と2価の連結基とから構成される基が挙げられる。2価の連結基としては、前記式(a1−0−2)中のYにおける2価の連結基と同様のものが挙げられ、特に、酸解離性基側の末端構造がカルボニルオキシ基である基が好ましい。この場合、該カルボニルオキシ基の酸素原子(−O−)に酸解離性基が結合していることが好ましい。
酸解離性基を含む置換基としては、R11’−O−C(=O)−で表される基、R11’−O−C(=O)−R12’−で表される基が好ましい。式中、R11’は酸解離性基であり、R12’は直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。
11’における酸解離性基は、第3級アルキルエステル型酸解離性基またはアセタール型酸解離性基が好ましく、第3級アルキルエステル型酸解離性基がより好ましい。該第3級アルキルエステル型酸解離性基の好ましい例として、前述した−C(R71)(R72)(R73)で表される脂肪族分岐鎖状酸解離性基、式(1−1)〜(1−9)で表される基、式(2−1)〜(2−6)で表される基等が挙げられる。
12’におけるアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1−ジメチルエチレン基などが挙げられる。R12’としては、直鎖状のアルキレン基が好ましい。
... Structural unit (a12):
In the structural unit (a12), a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent, and a hydrogen atom bonded to the benzene ring may be substituted with a substituent other than a hydroxyl group. It is a structural unit in which a hydrogen atom of a hydroxyl group of a structural unit derived from styrene is substituted with an acid dissociable group or a substituent containing an acid dissociable group.
Examples of the acid dissociable group for substituting the hydrogen atom of the hydroxyl group include the same groups as those described above, preferably a tertiary alkyl ester type acid dissociable group or an acetal type acid dissociable group, and an acetal type acid dissociable group is More preferred.
Examples of the substituent containing an acid dissociable group include a group composed of an acid dissociable group and a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include the same divalent linking groups as those represented by Y 2 in the formula (a1-0-2). Particularly, the terminal structure on the acid dissociable group side is a carbonyloxy group. Certain groups are preferred. In this case, it is preferable that an acid dissociable group is bonded to the oxygen atom (—O—) of the carbonyloxy group.
Examples of the substituent containing an acid dissociable group include a group represented by R 11 ′ —O—C (═O) — and a group represented by R 11 ′ —O—C (═O) —R 12 ′ —. Is preferred. In the formula, R 11 ′ is an acid dissociable group, and R 12 ′ is a linear or branched alkylene group.
The acid dissociable group for R 11 ′ is preferably a tertiary alkyl ester type acid dissociable group or an acetal type acid dissociable group, more preferably a tertiary alkyl ester type acid dissociable group. As a preferable example of the tertiary alkyl ester type acid dissociable group, the aliphatic branched acid dissociable group represented by the above-described —C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ), the formula (1- Examples include groups represented by 1) to (1-9), groups represented by formulas (2-1) to (2-6), and the like.
Examples of the alkylene group for R 12 ′ include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, and a 1,1-dimethylethylene group. R 12 ′ is preferably a linear alkylene group.

・・・構成単位(a13):
構成単位(a13)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニル(ヒドロキシナフタレン)から誘導される構成単位の水酸基の水素原子が酸解離性基または酸解離性基を含む置換基で置換されてなる構成単位である。
構成単位(a13)において、水酸基の水素原子を置換する酸解離性基、酸解離性基を含む置換基としては、それぞれ、前記構成単位(a12)の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
... Structural unit (a13):
In the structural unit (a13), a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent, and a hydrogen atom bonded to the naphthalene ring may be substituted with a substituent other than a hydroxyl group. It is a structural unit formed by replacing the hydrogen atom of the hydroxyl group of a structural unit derived from (hydroxynaphthalene) with an acid-dissociable group or a substituent containing an acid-dissociable group.
In the structural unit (a13), examples of the acid dissociable group for substituting a hydrogen atom of a hydroxyl group and the substituent containing an acid dissociable group include the same groups as those described above for the structural unit (a12). It is done.

(A1)成分が構成単位(a1)を有する場合、構成単位(a1)は、1種であってもよく2種以上であってもよい。
(A1)成分中、構成単位(a1)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位に対して10〜70モル%が好ましく、15〜60モル%がより好ましく、20〜60モル%がさらに好ましい。
構成単位(a1)の割合を下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、感度、解像性、パターン形状等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとることができる。
中でも、構成単位(a5)における酸性基がフェノール性水酸基の場合、構成単位(a1)の割合は0〜10モル%であることが好ましく、0モル%であることがより好ましい。構成単位(a1)の割合が少ないほど、溶解コントラストが良好になる。
When the component (A1) has the structural unit (a1), the structural unit (a1) may be one type or two or more types.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a1) is preferably 10 to 70 mol%, more preferably 15 to 60 mol%, and more preferably 20 to 60 mol% with respect to all the structural units constituting the component (A1). Is more preferable.
By setting the ratio of the structural unit (a1) to the lower limit value or more, a pattern can be easily obtained when a resist composition is formed, and the lithography properties such as sensitivity, resolution, and pattern shape are improved. In addition, by setting the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.
Especially, when the acidic group in a structural unit (a5) is a phenolic hydroxyl group, it is preferable that the ratio of a structural unit (a1) is 0-10 mol%, and it is more preferable that it is 0 mol%. The smaller the proportion of the structural unit (a1), the better the dissolution contrast.

・・構成単位(a2)
(A1)成分は、構成単位(a5)、又は、構成単位(a5)と(a1)に加えて、−SO−含有環式基又はラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)をさらに有することが好ましい。
構成単位(a2)の−SO−含有環式基又はラクトン含有環式基は、(A1)成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高める上で有効なものである。
なお、前記構成単位(a5)又は(a1)がその構造中に−SO−含有環式基又はラクトン含有環式基を含むものである場合、該構成単位は構成単位(a2)にも該当するが、このような構成単位は構成単位(a5)又は(a1)に該当し、構成単位(a2)には該当しないものとする。
..Structural unit (a2)
In addition to the structural unit (a5) or the structural units (a5) and (a1), the component (A1) further includes a structural unit (a2) containing a —SO 2 -containing cyclic group or a lactone-containing cyclic group. It is preferable to have.
The —SO 2 — containing cyclic group or the lactone containing cyclic group of the structural unit (a2) is effective in enhancing the adhesion of the resist film to the substrate when the component (A1) is used for forming the resist film. It is a thing.
In addition, when the structural unit (a5) or (a1) includes a —SO 2 — containing cyclic group or a lactone-containing cyclic group in the structure, the structural unit also corresponds to the structural unit (a2). Such a structural unit corresponds to the structural unit (a5) or (a1) and does not correspond to the structural unit (a2).

ここで、「−SO−含有環式基」とは、その環骨格中に−SO−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO−を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
−SO−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO−を含む環式基、すなわち−O−SO−中の−O−S−が環骨格の一部を形成するサルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。
−SO−含有環式基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、4〜20であることがより好ましく、4〜15であることがさらに好ましく、4〜12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。
−SO−含有環式基は、−SO−含有脂肪族環式基であってもよく、−SO−含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは−SO−含有脂肪族環式基である。
−SO−含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が−SO−または−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する−CH−が−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する−CH−CH−が−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。
該脂環式炭化水素環は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
該脂環式炭化水素環は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素環としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
Here, the “—SO 2 -containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring containing —SO 2 — in the ring skeleton, specifically, a sulfur atom in —SO 2 — ( S) is a cyclic group that forms part of the ring skeleton of the cyclic group. The ring containing —SO 2 — in the ring skeleton is counted as the first ring, and when it is only the ring, it is a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is a polycyclic group regardless of the structure. Called. The —SO 2 — containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
-SO 2 - containing cyclic group, in particular, -O-SO 2 - within the ring skeleton cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 - -O-S- medium is a part of the ring skeleton It is preferably a cyclic group containing a sultone ring to be formed.
The —SO 2 — containing cyclic group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 4 to 20 carbon atoms, still more preferably 4 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 4 to 12 carbon atoms. preferable. However, the carbon number is the number of carbon atoms constituting the ring skeleton, and does not include the carbon number in the substituent.
The —SO 2 — containing cyclic group may be an —SO 2 — containing aliphatic cyclic group or an —SO 2 — containing aromatic cyclic group. Preferably -SO 2 - containing aliphatic cyclic group.
The —SO 2 -containing aliphatic cyclic group includes at least a hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which a part of carbon atoms constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 — or —O—SO 2 —. One group is excluded. More specifically, a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which —CH 2 — constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 —, —CH 2 — constituting the ring And a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which CH 2 — is substituted with —O—SO 2 —.
The alicyclic hydrocarbon ring preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon ring may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon ring, a group in which two hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane. , Tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

−SO−含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。
該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子(−O−)に結合した基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
前記−COOR”、−OC(=O)R”におけるR”は、いずれも、水素原子または炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。
R”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1〜6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。
−SO−含有環式基として、より具体的には、下記一般式(3−1)〜(3−4)で表される基が挙げられる。
The —SO 2 — containing cyclic group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group, a cyano group, and the like. Is mentioned.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and a hexyl group. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, the group couple | bonded with the oxygen atom (-O-) to the alkyl group quoted as the alkyl group as the said substituent is mentioned.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group for the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent are substituted with the halogen atom. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.
R ″ in —COOR ″ and —OC (═O) R ″ is a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group or an ethyl group. preferable.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Alternatively, one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group. More specifically, one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Group.
The hydroxyalkyl group as the substituent is preferably one having 1 to 6 carbon atoms. Specifically, at least one of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent is substituted with a hydroxyl group. Group.
More specifically, examples of the —SO 2 -containing cyclic group include groups represented by the following general formulas (3-1) to (3-4).

Figure 0005906076
[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、zは0〜2の整数であり、R27はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、R”は水素原子またはアルキル基である。]
Figure 0005906076
[In the formula, A ′ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, z is an integer of 0 to 2, and R 27 is an alkyl group. , An alkoxy group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group or a cyano group, and R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group.]

前記一般式(3−1)〜(3−4)中、A’は、酸素原子(−O−)もしくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。
A’における炭素数1〜5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。
該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−O−または−S−が介在する基が挙げられ、たとえば−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。
A’としては、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
zは0〜2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。
zが2である場合、複数のR27は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
27におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。
In the general formulas (3-1) to (3-4), A ′ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—), An oxygen atom or a sulfur atom.
The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ′ is preferably a linear or branched alkylene group, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group.
When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which —O— or —S— is interposed between the terminal or carbon atoms of the alkylene group, such as —O—CH 2. -, - CH 2 -O-CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like.
A ′ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.
z may be any of 0 to 2, and is most preferably 0.
When z is 2, the plurality of R 27 may be the same or different from each other.
As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl group in R 27 , the —SO 2 — containing cyclic group has the above-mentioned, respectively. And the same alkyl groups, alkoxy groups, halogenated alkyl groups, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl groups as those which may be substituted.

以下に、前記一般式(3−1)〜(3−4)で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ac」はアセチル基を示す。   Below, the specific cyclic group represented by the said general formula (3-1)-(3-4) is illustrated. In the formula, “Ac” represents an acetyl group.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

−SO−含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式(3−1)で表される基が好ましく、前記化学式(3−1−1)、(3−1−18)、(3−3−1)および(3−4−1)のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式(3−1−1)で表される基が最も好ましい。 Among the above, the —SO 2 -containing cyclic group is preferably a group represented by the general formula (3-1), and the chemical formulas (3-1-1), (3-1-18), ( It is more preferable to use at least one selected from the group consisting of groups represented by any of 3-3-1) and (3-4-1), and represented by the chemical formula (3-1-1). Are most preferred.

「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に−O−C(=O)−を含む環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
構成単位(a2)におけるラクトン含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4〜6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ−プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
The “lactone-containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing —O—C (═O) — in the ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring. When only the lactone ring is present, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The lactone-containing cyclic group in the structural unit (a2) is not particularly limited, and any lactone-containing cyclic group can be used. Specifically, the lactone-containing monocyclic group is a group obtained by removing one hydrogen atom from a 4- to 6-membered ring lactone, such as a group obtained by removing one hydrogen atom from β-propionolactone, or γ-butyrolactone. Examples thereof include a group in which one hydrogen atom has been removed and a group in which one hydrogen atom has been removed from δ-valerolactone. Examples of the lactone-containing polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring.

構成単位(a2)としては、−SO−含有環式基又はラクトン含有環式基を有するものであれば他の部分の構造は特に限定されないが、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO−含有環式基を含む構成単位(a2)、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)からなる群より選択される少なくとも1種の構成単位が好ましい。 The structural unit (a2) is not particularly limited as long as it has a —SO 2 — containing cyclic group or a lactone-containing cyclic group, but the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is A structural unit derived from an acrylate ester optionally substituted with a substituent, including a structural unit (a2 S ) containing a —SO 2 -containing cyclic group, and a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom; At least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit (a2 L ) that is a structural unit derived from an acrylate ester that may be substituted with a substituent and that contains a lactone-containing cyclic group is preferred.

・・・構成単位(a2):
構成単位(a2)の例として、より具体的には、下記一般式(a2−0)で表される構成単位が挙げられる。
... Structural unit (a2 S ):
More specifically, examples of the structural unit (a2 S ) include structural units represented by general formula (a2-0) shown below.

Figure 0005906076
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、R26は−O−又は−NH−であり、R28は−SO−含有環式基であり、R29は単結合または2価の連結基である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 26 represents —O— or —NH—, and R 28 represents —SO 2 -Containing cyclic group, R 29 is a single bond or a divalent linking group. ]

式(a2−0)中、Rは前記と同様である。
26は、−O−又は−NH−である。
28は、前記で挙げた−SO−含有環式基と同様である。
29は、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。
29における2価の連結基としては、特に限定されず、たとえば、前記式(a1−0−2)中のYにおける2価の連結基と同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、またはエステル結合(−C(=O)−O−)を含むものが好ましい。
該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記式(a1−0−2)中のYにおける脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、一般式:−R30−C(=O)−O−[式中、R30は2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位(a2)は、下記一般式(a2−0−1)で表される構成単位であることが好ましい。
In formula (a2-0), R is the same as defined above.
R 26 is —O— or —NH—.
R 28 is the same as the —SO 2 — containing cyclic group mentioned above.
R 29 may be a single bond or a divalent linking group. Since it is excellent in the effect of this invention, it is preferable that it is a bivalent coupling group.
Examples of the divalent linking group for R 29, not particularly limited, for example, those similar to the divalent linking group for Y 2 in the formula (a1-0-2) in the like. Among these, those containing an alkylene group or an ester bond (—C (═O) —O—) are preferable.
The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group. Specifically, the same as the linear alkylene group and the branched alkylene group exemplified as the aliphatic hydrocarbon group for Y 2 in the formula (a1-0-2) can be given.
As the divalent linking group containing an ester bond, in particular, the general formula: —R 30 —C (═O) —O— [wherein R 30 is a divalent linking group. ] Is preferable. That is, the structural unit (a2 S ) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a2-0-1).

Figure 0005906076
[式中、R、R26およびR28はそれぞれ前記と同様であり、R30は2価の連結基である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R, R 26 and R 28 are the same as defined above, and R 30 represents a divalent linking group. ]

30としては、特に限定されず、たとえば、前記式(a1−0−2)中のYにおける2価の連結基と同様のものが挙げられる。
30の2価の連結基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。
直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。
分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、−CH(CH)−、−C(CH−または−C(CHCH−が特に好ましい。
酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合またはエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前述した、−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−がより好ましい。Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、m’は0〜3の整数である。なかでも、−Y21−O−C(=O)−Y22−が好ましく、−(CH−O−C(=O)−(CH−で表される基が特に好ましい。cは1〜5の整数であり、1または2が好ましい。dは1〜5の整数であり、1または2が好ましい。
R 30 is not particularly limited, and examples thereof include those similar to the divalent linking group for Y 2 in the formula (a1-0-2).
As the divalent linking group for R 30, a linear or branched alkylene group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a divalent linking group containing a hetero atom is preferable. Alternatively, a branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom as a hetero atom is preferable.
As the linear alkylene group, a methylene group or an ethylene group is preferable, and a methylene group is particularly preferable.
As the branched alkylene group, an alkylmethylene group or an alkylethylene group is preferable, and —CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 — or —C (CH 3 ) 2 CH 2 — is particularly preferable.
The divalent linking group containing an oxygen atom is preferably a divalent linking group containing an ether bond or an ester bond, and the above-described —Y 21 —O—Y 22 —, — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — or —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 — is more preferable. Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and m ′ is an integer of 0 to 3. Among them, —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 — is preferable, and a group represented by — (CH 2 ) c —O—C (═O) — (CH 2 ) d — is particularly preferable. . c is an integer of 1 to 5, and 1 or 2 is preferable. d is an integer of 1-5, and 1 or 2 is preferable.

構成単位(a2)としては、特に、下記一般式(a2−0−11)または(a2−0−12)で表される構成単位が好ましく、式(a2−0−12)で表される構成単位がより好ましい。 As the structural unit (a2 S ), a structural unit represented by general formula (a2-0-11) or (a2-0-12) shown below is particularly desirable, and represented by formula (a2-0-12). A structural unit is more preferable.

Figure 0005906076
[式中、R、A’、R26、R27、zおよびR30はそれぞれ前記と同じである。]
Figure 0005906076
[Wherein, R, A ′, R 26 , R 27 , z and R 30 are the same as defined above. ]

式(a2−0−11)中、A’はメチレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましい。
30としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R30における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
式(a2−0−12)で表される構成単位としては、特に、下記一般式(a2−0−12a)または(a2−0−12b)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a2-0-11), A ′ is preferably a methylene group, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—).
R 30 is preferably a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom. As the linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom in R 30, the linear or branched alkylene group mentioned above and a divalent linking group containing an oxygen atom are mentioned. Examples are the same as the linking group.
As the structural unit represented by the formula (a2-0-12), a structural unit represented by the following general formula (a2-0-12a) or (a2-0-12b) is particularly preferable.

Figure 0005906076
[式中、R、R26およびA’はそれぞれ前記と同じであり、c〜eはそれぞれ独立に1〜3の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R, R 26 and A ′ are the same as defined above, and c to e each independently represent an integer of 1 to 3. ]

・・・構成単位(a2):
構成単位(a2)の例としては、たとえば前記一般式(a2−0)中のR28をラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位が挙げられる。
... Structural unit (a2 L ):
Examples of the structural unit (a2 L ) include those obtained by substituting R 28 in the general formula (a2-0) with a lactone-containing cyclic group, and more specifically, the following general formula (a2- The structural unit represented by 1)-(a2-5) is mentioned.

Figure 0005906076
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、R”は水素原子またはアルキル基であり;R29は単結合または2価の連結基であり、s”は0〜2の整数であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり;mは0または1である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R ′ is independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a halogenated alkyl group; , Hydroxyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group or a cyano group, R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group; R 29 is a single bond or a divalent linking group; s ″ is an integer of 0 to 2; A ″ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom; m is 0 or 1. ]

一般式(a2−1)〜(a2−5)におけるRは、前記同様である。
R’におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。
R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
R”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
R”が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
A”としては、前記一般式(3−1)中のA’と同様のものが挙げられる。A”は、炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−がより好ましい。炭素数1〜5のアルキレン基としては、メチレン基またはジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
29は、前記一般式(a2−0)中のR29と同様である。
式(a2−1)中、s”は1〜2であることが好ましい。
以下に、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
R in the general formulas (a2-1) to (a2-5) is the same as described above.
As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl group in R ′, the —SO 2 — containing cyclic group has the above-mentioned, respectively. And the same alkyl groups, alkoxy groups, halogenated alkyl groups, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl groups as those which may be substituted.
R ′ is preferably a hydrogen atom in view of industrial availability.
The alkyl group in R ″ may be linear, branched or cyclic.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Or a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group Specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Etc.
Examples of A ″ include the same as A ′ in the general formula (3-1). A ″ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (— S-) is preferable, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or -O- is more preferable. The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferably a methylene group or dimethylmethylene group, and most preferably a methylene group.
R 29 is the same as R 29 in the aforementioned general formula (a2-0).
In formula (a2-1), s ″ is preferably 1 to 2.
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) are shown below. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

構成単位(a2)としては、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式(a2−1)〜(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前記一般式(a2−1)または(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。
なかでも、前記式(a2−1−1)、(a2−1−2)、(a2−2−1)、(a2−2−7)、(a2−2−12)、(a2−2−13)、(a2−2−15)、(a2−3−1)及び(a2−3−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
As the structural unit (a2 L ), at least one selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) is preferable, and the general formula (a2-1) to More preferably, at least one selected from the group consisting of structural units represented by (a2-3) is selected from the group consisting of structural units represented by the general formula (a2-1) or (a2-3) Particularly preferred is at least one of the above.
Among them, the formulas (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-2-1), (a2-2-7), (a2-2-12), (a2-2-2-) 13), (a2-2-15), (a2-3-1) and at least one selected from the group consisting of structural units represented by (a2-3-5) are preferred.

また、構成単位(a2)としては、下記式(a2−6)又は(a2−7)で表される構成単位も好ましい。 Moreover, as the structural unit (a2 L ), a structural unit represented by the following formula (a2-6) or (a2-7) is also preferable.

Figure 0005906076
[式中、R、R29は前記同様である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R and R 29 are the same as defined above. ]

(A1)成分が構成単位(a2)を有する場合、構成単位(a2)は1種でも2種以上でもよい。たとえば構成単位(a2)として、構成単位(a2)のみを用いてもよく、構成単位(a2)のみを用いてもよく、これらを併用してもよい。また、構成単位(a2)または構成単位(a2)として、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A1)成分中、構成単位(a2)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位に対して1〜80モル%であることが好ましく、10〜70モル%であることがより好ましく、10〜65モル%であることがさらに好ましく、10〜60モル%が特に好ましい。
構成単位(a2)の割合を下限値以上とすることにより、構成単位(a2)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとることができ、種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。
When the component (A1) has the structural unit (a2), the structural unit (a2) may be one type or two or more types. For example, as the structural unit (a2), only the structural unit (a2 S ) may be used, only the structural unit (a2 L ) may be used, or these may be used in combination. As the structural unit (a2 S ) or the structural unit (a2 L ), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 1 to 80 mol% and more preferably 10 to 70 mol% with respect to all the structural units constituting the component (A1). It is preferably 10 to 65 mol%, more preferably 10 to 60 mol%.
By setting the proportion of the structural unit (a2) to be equal to or higher than the lower limit value, the effect of containing the structural unit (a2) can be sufficiently obtained, and by setting the ratio to the upper limit value or less, a balance with other structural units is obtained. And various lithographic properties and pattern shapes are good.

・・構成単位(a4)
(A1)成分は、さらに、必要に応じて、酸非解離性環式基を含む構成単位(a4)を有してもよい。(A1)成分が構成単位(a4)を有することにより、形成されるレジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。また、(A1)成分の疎水性が高まる。疎水性の向上は、特に有機系現像液による現像の場合に、解像性、レジストパターン形状等の向上に寄与する。
構成単位(a4)における「酸非解離性環式基」は、露光により後述の(B)成分等から酸が発生した際に、該酸が作用しても解離することなくそのまま当該構成単位中に残る環式基である。
構成単位(a4)としては、前記構成単位(a1)における酸解離性基を酸非解離性環式基で置換した構成単位が挙げられる。なかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位(a41)、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいスチレンから誘導される構成単位(a42)、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいビニルナフタレンから誘導される構成単位(a43)等が好ましい。
..Structural unit (a4)
The component (A1) may further have a structural unit (a4) containing an acid non-dissociable cyclic group as necessary. When the component (A1) has the structural unit (a4), the dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. Moreover, the hydrophobicity of (A1) component increases. The improvement in hydrophobicity contributes to the improvement in resolution, resist pattern shape, etc., particularly in the case of development with an organic developer.
The “acid non-dissociable cyclic group” in the structural unit (a4) means that when an acid is generated from the later-described component (B) or the like by exposure, it remains in the structural unit as it is without dissociation even when the acid acts. The cyclic group remaining in
As the structural unit (a4), a structural unit obtained by substituting the acid dissociable group in the structural unit (a1) with an acid non-dissociable cyclic group can be given. Among them, a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and including a non-acid-dissociable aliphatic cyclic group ( a41), a structural unit derived from styrene in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is substituted with a substituent The structural unit (a43) derived from vinyl naphthalene which may be present is preferred.

構成単位(a41)における酸非解離性の脂肪族環式基としては、たとえば、当該脂肪族環式基に隣接する原子(たとえば−C(=O)−O−における−O−)と結合する炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合していない1価の脂肪族環式基、1級または2級のアルキル基の水素原子の1つを1価の脂肪族環式基で置換した基等が挙げられる。
1価の脂肪族環式基としては、酸非解離性であれば特に限定されず、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。該脂肪族環式基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、飽和であることが好ましい。
該脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、フッ素原子、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族環式基としては、炭素数が3〜30であるものが好ましく、5〜30であるものがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
該脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂肪族環式基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族環式基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。また、これらの脂肪族環式基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基(−O−)で置換されたものであってもよい。
該脂肪族環式基は、上記効果に優れることから、多環式であることが好ましい。特に、2〜4環式のものが好ましく、中でも、トリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基およびノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種が、工業上入手し易いなどの点で好ましい。
As the non-acid dissociable aliphatic cyclic group in the structural unit (a41), for example, an atom adjacent to the aliphatic cyclic group (for example, —O— in —C (═O) —O—) is bonded. A monovalent aliphatic cyclic group in which a substituent (atom or group other than a hydrogen atom) is not bonded to a carbon atom, one of the hydrogen atoms of a primary or secondary alkyl group is a monovalent aliphatic cyclic group And a group substituted with a group.
The monovalent aliphatic cyclic group is not particularly limited as long as it is non-acid dissociable, and is used as a resin component of a resist composition such as for ArF excimer laser and for KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser). Many known in the art can be used. The aliphatic cyclic group may be saturated, unsaturated, or saturated.
The aliphatic cyclic group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and an oxygen atom (= O).
The basic ring structure excluding the substituent of the aliphatic cyclic group is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The hydrocarbon group may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
As the aliphatic cyclic group, those having 3 to 30 carbon atoms are preferable, those having 5 to 30 are more preferable, 5 to 20 are more preferable, 6 to 15 are particularly preferable, and 6 to 12 is most preferable. .
The aliphatic cyclic group may be monocyclic or polycyclic. As the monocyclic aliphatic cyclic group, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclobutane, cyclopentane, and cyclohexane. The polycyclic aliphatic cyclic group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane. , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like. Moreover, a part of carbon atoms constituting the ring of these aliphatic cyclic groups may be substituted with an ether group (—O—).
The aliphatic cyclic group is preferably polycyclic because it is excellent in the above effects. In particular, those having 2 to 4 rings are preferable, and among them, at least one selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group and a norbornyl group is preferable in terms of industrial availability. .

酸非解離性の脂肪族環式基としての1価の脂肪族環式基の具体例としては、たとえば、当該脂肪族環式基に隣接する原子(たとえば−C(=O)−O−における−O−)と結合する炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合していない1価の脂肪族環式基が挙げられる。具体的には、前記酸解離性基の説明で挙げた式(1−1)〜(1−9)で表される基におけるR14を水素原子で置換した基;環骨格を構成する炭素原子のみによって形成された第3級炭素原子を有するシクロアルカンの前記第3級炭素原子から水素原子を除いた基等が挙げられる。
1級または2級のアルキル基の水素原子の1つを1価の脂肪族環式基で置換した基としては、上記酸解離性基の説明で挙げた式(2−1)〜(2−6)のR15またはR16の少なくともひとつが水素原子となる基等が挙げられる。
Specific examples of the monovalent aliphatic cyclic group as the non-acid-dissociable aliphatic cyclic group include, for example, an atom adjacent to the aliphatic cyclic group (for example, in —C (═O) —O—). A monovalent aliphatic cyclic group in which a substituent (an atom or group other than a hydrogen atom) is not bonded to a carbon atom bonded to —O—). Specifically, a group in which R 14 in the groups represented by formulas (1-1) to (1-9) given in the description of the acid dissociable group is substituted with a hydrogen atom; a carbon atom constituting the ring skeleton And a group obtained by removing a hydrogen atom from the tertiary carbon atom of a cycloalkane having a tertiary carbon atom formed only by the above.
Examples of the group in which one hydrogen atom of the primary or secondary alkyl group is substituted with a monovalent aliphatic cyclic group include those represented by the formulas (2-1) to (2- And a group in which at least one of R 15 and R 16 in 6) is a hydrogen atom.

・・・構成単位(a41):
構成単位(a41)としては、前記構成単位(a11)における酸解離性基を酸非解離性の脂肪族環式基で置換した構成単位が挙げられ、前記一般式(a1−0−1)におけるXを酸非解離性の脂肪族多環式基で置換した構成単位、すなわち下記一般式(a4−1−1)で表される構成単位が好ましく、特に、下記一般式(a4−1−11)〜(a4−1−15)で表される構成単位が好ましい。
... Structural unit (a41):
As the structural unit (a41), structural units in which the acid dissociable group in the structural unit (a11) is substituted with an acid non-dissociable aliphatic cyclic group can be mentioned, and in the general formula (a1-0-1), A structural unit in which X 1 is substituted with a non-acid-dissociable aliphatic polycyclic group, that is, a structural unit represented by the following general formula (a4-1-1) is preferred, and in particular, the following general formula (a4-1-1- The structural units represented by 11) to (a4-1-15) are preferred.

Figure 0005906076
[式中、Rは前記と同じであり、R40は酸非解離性の脂肪族多環式基である。]
Figure 0005906076
[Wherein, R is the same as defined above, and R 40 represents a non-acid-dissociable aliphatic polycyclic group. ]

Figure 0005906076
Figure 0005906076

・・・構成単位(a42)、構成単位(a43):
α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいスチレンから誘導される構成単位(a42)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいビニルナフタレンから誘導される構成単位(a43)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
置換基としてはいずれも、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。
... Structural unit (a42), structural unit (a43):
The structural unit (a42) derived from styrene in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent has the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position substituted with a substituent. The hydrogen atom bonded to the benzene ring may be substituted with a substituent.
In the structural unit (a43) derived from vinylnaphthalene in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent, the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is substituted with the substituent. The hydrogen atom bonded to the naphthalene ring may be substituted with a substituent.
Examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

(A1)成分が構成単位(a4)を有する場合、構成単位(a4)は、1種単独でも2種以上でもよい。
(A1)成分中、構成単位(a4)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位に対し、1〜30モル%が好ましく、1〜20モル%がより好ましく、5〜20モル%がさらに好ましい。
構成単位(a4)の割合を下限値以上とすることにより、構成単位(a4)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとることができる。
When the component (A1) has the structural unit (a4), the structural unit (a4) may be one kind or two or more kinds.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a4) is preferably from 1 to 30 mol%, more preferably from 1 to 20 mol%, more preferably from 5 to 20 mol, based on all structural units constituting the component (A1). % Is more preferable.
By setting the proportion of the structural unit (a4) to be equal to or higher than the lower limit value, the effect of containing the structural unit (a4) can be sufficiently obtained, and by setting the ratio to the upper limit value or lower, a balance with other structural units is obtained. be able to.

本発明のレジスト組成物において、(A)成分は、酸性基としてカルボキシ基を有するものが好ましい。
かかる場合、(A)成分の好適なものとしては、酸性基としてカルボキシ基を含む構成単位(a5)を有する高分子化合物(以下この高分子化合物を「(A1−1)成分」という)が挙げられる。
(A1−1)成分として、具体的には、構成単位(a5)と構成単位(a2)とからなる共重合体、構成単位(a5)と構成単位(a1)と構成単位(a2)とからなる共重合体等が挙げられる。
In the resist composition of the present invention, the component (A) preferably has a carboxy group as an acidic group.
In this case, as a suitable component (A), a polymer compound having a structural unit (a5) containing a carboxy group as an acidic group (hereinafter, this polymer compound is referred to as “component (A1-1)”) can be mentioned. It is done.
Specifically, as the component (A1-1), a copolymer composed of the structural unit (a5) and the structural unit (a2), the structural unit (a5), the structural unit (a1), and the structural unit (a2) And a copolymer.

また、本発明のレジスト組成物において、(A)成分は、酸性基としてフェノール性水酸基を有するものも好ましい。
かかる場合、(A)成分の好適なものとしては、酸性基としてフェノール性水酸基を含む構成単位(a5)を有する高分子化合物(以下この高分子化合物を「(A1−2)成分」という)が挙げられる。
(A1−2)成分として、具体的には、構成単位(a5)からなる重合体(ホモポリマー)が挙げられる。
In the resist composition of the present invention, the component (A) preferably has a phenolic hydroxyl group as an acidic group.
In this case, as a suitable component (A), a polymer compound having a structural unit (a5) containing a phenolic hydroxyl group as an acidic group (hereinafter, this polymer compound is referred to as “component (A1-2)”). Can be mentioned.
Specific examples of the component (A1-2) include a polymer (homopolymer) composed of the structural unit (a5).

また、本発明のレジスト組成物においては、酸の作用により分解する構造を含まない(A)成分を用いることができる。すなわち、本発明のレジスト組成物によれば、従来と異なり、基材成分中の酸分解性基の露光による分解反応を経ることなく、つまり、露光により基材成分の極性が変化せずにレジストパターンを形成できる。かかる(A)成分としては、(A1−2)成分を用いることが好ましい。   Moreover, in the resist composition of this invention, (A) component which does not contain the structure decomposed | disassembled by the effect | action of an acid can be used. That is, according to the resist composition of the present invention, unlike the conventional case, the resist composition does not undergo a decomposition reaction due to exposure of the acid-decomposable group in the substrate component, that is, the polarity of the substrate component does not change by exposure. A pattern can be formed. As the component (A), it is preferable to use the component (A1-2).

(A1)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000〜50000が好ましく、1500〜30000がより好ましく、2000〜20000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
(A1)成分の分散度(Mw/Mn)は、特に限定されず、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.0〜2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
The mass average molecular weight (Mw) of the component (A1) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography (GPC)) is not particularly limited, preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 30000, and 2000 to 2000 20000 is most preferred. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
The dispersity (Mw / Mn) of the component (A1) is not particularly limited, but is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.0 to 2.5. . In addition, Mn shows a number average molecular weight.

(A1)成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、(A1)成分には、上記重合の際に、たとえばHS−CH−CH−CH−C(CF−OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−C(CF−OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLER(ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有効である。
各構成単位を誘導するモノマーは、市販のものを用いてもよく、公知の方法を利用して合成したものを用いてもよい。
The component (A1) can be obtained by polymerizing a monomer for deriving each structural unit by a known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN).
Further, for the component (A1), in the polymerization, a chain transfer agent such as HS—CH 2 —CH 2 —CH 2 —C (CF 3 ) 2 —OH is used in combination, so that the terminal A —C (CF 3 ) 2 —OH group may be introduced into the. As described above, a copolymer introduced with a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom reduces development defects and LER (line edge roughness: uneven unevenness of line side walls). It is effective in reducing
As the monomer for deriving each structural unit, a commercially available monomer may be used, or a monomer synthesized using a known method may be used.

(A)成分中、(A1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(A)成分中の(A1)成分の割合は、(A)成分の総質量に対し、50質量%以上がより好ましく、75質量%以上がさらに好ましく、100質量%であってもよい。該割合が50質量%以上であれば、(C)成分との会合構造が容易に形成され、レジスト膜をより安定に成膜できる。
In the component (A), as the component (A1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The proportion of the component (A1) in the component (A) is more preferably 50% by mass or more, further preferably 75% by mass or more, and may be 100% by mass with respect to the total mass of the component (A). When the proportion is 50% by mass or more, an association structure with the component (C) is easily formed, and the resist film can be more stably formed.

(A)成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、(A1)成分以外の基材成分(以下「(A2)成分」という。)を含有してもよい。(A2)成分としては、特に限定されず、従来提案されている樹脂、低分子化合物が利用できる。
本発明のレジスト組成物中、(A)成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。
(A) A component may contain base-material components (henceforth "(A2) component") other than (A1) component in the range which does not impair the effect of this invention. The component (A2) is not particularly limited, and conventionally proposed resins and low molecular compounds can be used.
In the resist composition of the present invention, the content of the component (A) may be adjusted according to the resist film thickness to be formed.

[化合物(C)]
本発明における化合物(C)は、前記(A)成分中の酸性基と会合構造を形成し得る化合物であればよく、なかでも塩基性化合物であることが好ましい。
該塩基性化合物としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸拡散制御剤として提案されているもの、すなわち露光により(B)成分等から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するもの、を用いることができる。
ここでいう「塩基性化合物」とは、前記(A)成分及び後述の(B)成分に対して相対的に塩基性となる化合物をいう。
(C)成分は、カチオン部とアニオン部とからなる塩基性化合物(C1)(以下「(C1)成分」という。)であってもよく、該(C1)成分に該当しない塩基性化合物(C2)(以下「(C2)成分」という。)であってもよい。
[Compound (C)]
The compound (C) in the present invention may be any compound that can form an association structure with the acidic group in the component (A), and among them, a basic compound is preferable.
The basic compound is not particularly limited, and has been proposed as an acid diffusion control agent for a chemically amplified resist, that is, acts as a quencher for trapping acid generated from the component (B) by exposure. Can be used.
The “basic compound” as used herein refers to a compound that is relatively basic with respect to the component (A) and the component (B) described later.
The component (C) may be a basic compound (C1) composed of a cation moiety and an anion moiety (hereinafter referred to as “(C1) component”), and a basic compound (C2) that does not correspond to the component (C1). (Hereinafter referred to as “component (C2)”).

・(C1)成分
(C1)成分としては、下記一般式(c1−1)で表される化合物(c1−1)(以下「(c1−1)成分」という。)、下記一般式(c1−2)で表される化合物(c1−2)(以下「(c1−2)成分」という。)及び下記一般式(c1−3)で表される化合物(c1−3)(以下「(c1−3)成分」という。)からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。
-Component (C1) As the component (C1), the compound (c1-1) represented by the following general formula (c1-1) (hereinafter referred to as "(c1-1) component"), the following general formula (c1- 2) (c1-2) (hereinafter referred to as “component (c1-2)”) and compound (c1-3) represented by the following general formula (c1-3) (hereinafter “(c1- 3) It is preferably at least one selected from the group consisting of “component”.

Figure 0005906076
[式中、Rは置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1〜30の炭化水素基(ただし、Sに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとする)であり、Rは有機基であり、Yは直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基またはアリーレン基であり、Rfはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Mはそれぞれ独立にスルホニウム又はヨードニウムカチオンである。]
Figure 0005906076
[Wherein, R 4 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and Z 2c is a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent (however, adjacent to S R 5 is an organic group, Y 5 is a linear, branched or cyclic alkylene group or an arylene group, and Rf 3 is fluorine. It is a hydrocarbon group containing an atom, and each M + is independently a sulfonium or iodonium cation. ]

・・(c1−1)成分。
・・・アニオン部
式(c1−1)中、Rは、置換基を有していてもよい炭化水素基である。
の置換基を有していてもよい炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく脂肪族炭化水素基であってもよい。
の炭化水素基における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
-(C1-1) component.
... Anion moiety In formula (c1-1), R 4 is a hydrocarbon group which may have a substituent.
The hydrocarbon group which may have a substituent for R 4 may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group.
The aromatic hydrocarbon group in the hydrocarbon group for R 4 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Aryl groups such as aryl group, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc., from which one is removed. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. For example, a part of carbon atoms constituting the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hetero atom, and the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group is substituted with the substituent. May be.
Examples of the former include heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of the aryl group are substituted with heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and aromatic hydrocarbons in the arylalkyl groups. Examples include heteroarylalkyl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring are substituted with the above heteroatoms.
Examples of the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the latter example include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. preferable.
The alkoxy group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert- A butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent of the aromatic hydrocarbon group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

の炭化水素基における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
における「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。
水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、シアノ基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group in the hydrocarbon group for R 4 may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic.
In R 4 , the aliphatic hydrocarbon group may be a group in which a part of carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent containing a hetero atom, and hydrogen constituting the aliphatic hydrocarbon group A part or all of the atoms may be substituted with a substituent containing a hetero atom.
The “heteroatom” in R 4 is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The substituent containing a hetero atom may be composed of only the hetero atom, or may be a group containing a group or atom other than the hetero atom.
Specific examples of the substituent for substituting a part of the carbon atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O. —, —C (═O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, — S (= O) 2 —O— and the like can be mentioned. When the aliphatic hydrocarbon group is cyclic, these substituents may be included in the ring structure.
Specific examples of the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), and a cyano group.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.

脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched monovalent unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic ring). Formula group) is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

不飽和炭化水素基としては、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
As an unsaturated hydrocarbon group, it is preferable that carbon number is 2-10, 2-5 are preferable, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.

脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)でそれぞれ表される基等が挙げられる。
The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The number of carbon atoms is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12.
Specifically, for example, a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane; a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Can be mentioned. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.
When the aliphatic cyclic group does not contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, the aliphatic cyclic group is preferably a polycyclic group, and has one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Excluded groups are preferred, and most preferred are groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane.
When the aliphatic cyclic group includes a substituent containing a hetero atom in the ring structure, examples of the substituent containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —O—, —S—. , —S (═O) 2 — and —S (═O) 2 —O— are preferable. Specific examples of the aliphatic cyclic group include groups represented by the following formulas (L1) to (L6) and (S1) to (S4), respectively.

Figure 0005906076
[式中、Q”は炭素数1〜5のアルキレン基、−O−、−S−、−O−R94−または−S−R95−であり、R94およびR95はそれぞれ独立に炭素数1〜5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein, Q ″ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, —O—, —S—, —O—R 94 — or —S—R 95 —, wherein R 94 and R 95 are each independently carbon. An alkylene group of 1 to 5 and m is an integer of 0 or 1.]

式中、Q”、R94およびR95におけるアルキレン基としては、それぞれ、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜3が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。
In the formula, each of the alkylene groups in Q ″, R 94 and R 95 is preferably a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 5 carbon atoms. More preferably, 1 to 3 is particularly preferable.
Specific examples of the alkylene group include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —C ( CH 3) (CH 2 CH 3 ) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2— ]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 — and the like. Alkylethylene groups; trimethylene groups (n-propylene groups) [—CH 2 CH 2 CH 2 —]; alkyls such as —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 — trimethylene; tetramethylene group [-CH 2 CH 2 C 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like.

また、前記の脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが特に好ましい。
前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
In the aliphatic cyclic group, a part of hydrogen atoms bonded to carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
As said alkyl group, a C1-C5 alkyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.
Examples of the alkoxy group and the halogen atom are the same as those exemplified as the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms.

なかでもRの置換基を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基やナフチル基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。 Among them, the hydrocarbon group which may have a substituent of R 4 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aliphatic cyclic group which may have a substituent. A phenyl group or naphthyl group which may have a substituent; one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane. More preferably, it is a group.

また、Rの置換基を有していてもよい炭化水素基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、又は、フッ素化アルキル基であることも好ましい。
の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の炭素数は、1〜10であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基等が挙げられる。
In addition, the hydrocarbon group which may have a substituent for R 4 is preferably a linear or branched alkyl group or a fluorinated alkyl group.
The number of carbon atoms of the linear or branched alkyl group of R 4 is preferably 1 to 10, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, Linear alkyl group such as heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3- Examples thereof include branched alkyl groups such as methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, and 4-methylpentyl group.

のフッ素化アルキル基は、鎖状であっても環状であってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
フッ素化アルキル基の炭素数は、1〜11が好ましく、1〜8がより好ましく、1〜4がさらに好ましい。具体的には例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基や、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基等の分岐鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基が挙げられる。
また、Rのフッ素化アルキル基は、フッ素原子以外の原子を含有してもよい。フッ素原子以外の原子としては、たとえば酸素原子、炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
なかでも、Rのフッ素化アルキル基としては、直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基であることが好ましく、直鎖状のアルキル基を構成する水素原子の全てがフッ素原子で置換された基(パーフルオロアルキル基)であることが好ましい。
The fluorinated alkyl group for R 4 may be linear or cyclic, but is preferably linear or branched.
1-11 are preferable, as for carbon number of a fluorinated alkyl group, 1-8 are more preferable, and 1-4 are more preferable. Specifically, for example, a part or all of a linear alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, etc. Or a branched chain such as a 1-methylethyl group, a 1-methylpropyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylbutyl group, a 2-methylbutyl group, or a 3-methylbutyl group. And a group in which some or all of the hydrogen atoms constituting the alkyl group are substituted with fluorine atoms.
Moreover, the fluorinated alkyl group for R 4 may contain an atom other than a fluorine atom. Examples of atoms other than fluorine atoms include oxygen atoms, carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.
Among them, the fluorinated alkyl group for R 4 is preferably a group in which some or all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms. It is preferable that all the hydrogen atoms which comprise are the group (perfluoroalkyl group) substituted by the fluorine atom.

本明細書及び本特許請求の範囲において、「酸解離定数(pKa)」は、対象物質の酸強度を示す指標である。露光により(C1)成分又は(B)成分から発生する酸のpKaは、常法により、又は「ACD/Labs」(商品名、Advanced Chemistry Development社製)等の公知のソフトウェアを用いた計算により、求めることができる。
以下に(c1−1)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。具体例と共に示すpKaは、式(c1−1−1)で表されるアニオン(実測)を除き、前記のソフトウェア「ACD/Labs」を用い、シミュレーションを行うことにより算出した値である。
なお、該アニオン部の具体例と共に示すpKaについて、下記式(c1−1−1)〜(c1−1−3)で表されるアニオンの場合のように、電子吸引部位(トリフルオロメチル基)の導入部位がα、β、γと繰り下がると、pKaの値が小さくなる(酸強度は高くなる)傾向にある;下記式(c1−1−2)、(c1−1−4)で表されるアニオンの場合のように、β位に酸素原子を導入すれば、pKaの値が小さくなる傾向にある;下記式(c1−1−1)、(c1−1−5)等で表されるアニオンの場合のように、電子吸引部位がなければ、pKaの値が大きくなる傾向にある。
In the present specification and claims, the “acid dissociation constant (pKa)” is an index indicating the acid strength of the target substance. The pKa of the acid generated from the component (C1) or the component (B) by exposure is calculated by a known method such as “ACD / Labs” (trade name, manufactured by Advanced Chemistry Development) by a conventional method. Can be sought.
Preferred specific examples of the anion moiety of the component (c1-1) are shown below. The pKa shown together with the specific example is a value calculated by performing a simulation using the software “ACD / Labs” except for the anion (actual measurement) represented by the formula (c1-1-1).
In addition, about pKa shown with the specific example of this anion part, like the case of the anion represented by the following formula (c1-1-1)-(c1-1-3), an electron withdrawing part (trifluoromethyl group) When the introduction site of α is lowered to α, β, γ, the value of pKa tends to decrease (acid strength increases); the following formulas (c1-1-2) and (c1-1-4) When an oxygen atom is introduced into the β-position as in the case of the anion produced, the pKa value tends to be small; represented by the following formulas (c1-1-1), (c1-1-5), etc. If there is no electron withdrawing site as in the case of anions, the pKa value tends to increase.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

・・・カチオン部
式(c1−1)中、Mは、有機カチオンである。
の有機カチオンとしては、特に限定されるものではないが、例えば下記の一般式(b−c1)又は一般式(b−c2)で表されるものが挙げられる。
... Cation part In formula (c1-1), M + is an organic cation.
Although it does not specifically limit as an organic cation of M <+> , For example, what is represented by the following general formula (b-c1) or general formula (b-c2) is mentioned.

Figure 0005906076
[式中、R”〜R”,R”〜R”はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。式(b−c1)におけるR”〜R”のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。]
Figure 0005906076
[Wherein, R 1 ″ to R 3 ″ and R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group, an alkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. Any two of R 1 ″ to R 3 ″ in formula (b-c1) may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. ]

式(b−c1)中、R”〜R”は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。R”〜R”のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。 In formula (b-c1), R 1 ″ to R 3 ″ each independently represents an aryl group, alkyl group or alkenyl group which may have a substituent. Any two of R 1 ″ to R 3 ″ may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.

”〜R”のアリール基としては、炭素数6〜20の無置換のアリール基;該無置換のアリール基の水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基(=O)、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、−C(=O)−O−R’、−O−C(=O)−R’、−O−R’等で置換された置換アリール基等が挙げられる。R’、R’、R’は、それぞれ、炭素数1〜25の直鎖状、分岐鎖状若しくは炭素数3〜20の環状の飽和炭化水素基、又は、炭素数2〜5の直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基である。
”〜R”において、無置換のアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
”〜R”の置換アリール基における置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
置換アリール基における置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基であることが最も好ましい。
置換アリール基における置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
置換アリール基における置換基としてのアリール基としては、前記R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
As the aryl group for R 1 ″ to R 3 ″, an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms; some or all of the hydrogen atoms of the unsubstituted aryl group are alkyl groups, alkoxy groups, halogen atoms, hydroxyl groups , An oxo group (═O), an aryl group, an alkoxyalkyloxy group, an alkoxycarbonylalkyloxy group, —C (═O) —O—R 6 ′, —O—C (═O) —R 7 ′, —O And a substituted aryl group substituted with —R 8 ′ and the like. R 6 ′, R 7 ′ and R 8 ′ are each a linear, branched or cyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 25 carbon atoms, or a C 2 to 5 carbon atoms. It is a linear or branched aliphatic unsaturated hydrocarbon group.
In R 1 ″ to R 3 ″, the unsubstituted aryl group is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms because it can be synthesized at a low cost. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
The alkyl group as a substituent in the substituted aryl group of R 1 ″ to R 3 ″ is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. Most preferably.
As the alkoxy group as a substituent in the substituted aryl group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group. Most preferably it is.
The halogen atom as a substituent in the substituted aryl group is preferably a fluorine atom.
Examples of the aryl group as a substituent in the substituted aryl group include the same aryl groups as those described above for R 1 ″ to R 3 ″.

置換アリール基におけるアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、
一般式:−O−C(R47)(R48)−O−R49
[式中、R47、R48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基である。]で表される基が挙げられる。
47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1〜5であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
47、R48は、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。特に、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることがより好ましい。
49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
49における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などが挙げられる。
49における環状のアルキル基としては、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
As the alkoxyalkyloxy group in the substituted aryl group, for example,
General formula: -O-C ( R47 ) ( R48 ) -O- R49
[Wherein, R 47 and R 48 each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group, and R 49 represents an alkyl group. ] Is represented.
In R 47 and R 48 , the alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
At least one of R 47 and R 48 is preferably a hydrogen atom. In particular, it is more preferable that one is a hydrogen atom and the other is a hydrogen atom or a methyl group.
The alkyl group for R 49 preferably has 1 to 15 carbon atoms and may be linear, branched or cyclic.
The linear or branched alkyl group for R 49 preferably has 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group. Can be mentioned.
The cyclic alkyl group for R 49 preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc., which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, etc. And a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.

置換アリール基におけるアルコキシカルボニルアルキルオキシ基としては、たとえば、
一般式:−O−R50−C(=O)−O−R56
[式中、R50は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R56は第3級アルキル基である。]で表される基が挙げられる。
50における直鎖状、分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が1〜5であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1−ジメチルエチレン基などが挙げられる。
56における第3級アルキル基としては、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基、1−メチル−1−シクロペンチル基、1−エチル−1−シクロペンチル基、1−メチル−1−シクロヘキシル基、1−エチル−1−シクロヘキシル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルプロピル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルブチル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルペンチル基;1−(1−シクロペンチル)−1−メチルエチル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルプロピル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルブチル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルペンチル基;1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルエチル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルプロピル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルブチル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルペンチル基、tert−ブチル基、tert−ペンチル基、tert−ヘキシル基などが挙げられる。
さらに、前記一般式:−O−R50−C(=O)−O−R56におけるR56を、R56’で置き換えた基も挙げられる。R56’は、水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基である。
56’におけるアルキル基は、前記R49のアルキル基と同様のものが挙げられる。
56’におけるフッ素化アルキル基は、前記R49のアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
56’における、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基としては、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたもの等が挙げられる。
56’について、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
56’について、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基として具体的には、前述の式(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)でそれぞれ表される基等が挙げられる。
56’について、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたものとして具体的には、脂肪族環式基中の水素原子が酸素原子(=O)に置換されたもの等が挙げられる。
As the alkoxycarbonylalkyloxy group in the substituted aryl group, for example,
General formula: —O—R 50 —C (═O) —O—R 56
[Wherein, R 50 represents a linear or branched alkylene group, and R 56 represents a tertiary alkyl group. ] Is represented.
The linear or branched alkylene group for R 50 preferably has 1 to 5 carbon atoms, such as a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, or a 1,1-dimethylethylene group. Etc.
As the tertiary alkyl group for R 56 , 2-methyl-2-adamantyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, 1-methyl-1-cyclopentyl group, 1-ethyl-1-cyclopentyl group, 1-methyl -1-cyclohexyl group, 1-ethyl-1-cyclohexyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylethyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylpentyl group; 1- (1-cyclopentyl) -1-methylethyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylpentyl group; 1- (1-cyclohexyl) -1-methylethyl Group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylpentyl group, tert-butyl group, tert -Pentyl group, tert-hexyl group and the like.
Furthermore, the general formula: the R 56 in the -O-R 50 -C (= O ) -O-R 56, also include groups replaced by R 56 '. R 56 ′ is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group, or an aliphatic cyclic group that may contain a hetero atom.
Examples of the alkyl group for R 56 ′ include the same alkyl groups as those described above for R 49 .
Examples of the fluorinated alkyl group for R 56 ′ include groups in which some or all of the hydrogen atoms within the alkyl group for R 49 have been substituted with fluorine atoms.
Examples of the aliphatic cyclic group which may contain a hetero atom in R 56 ′ include an aliphatic cyclic group containing no hetero atom, an aliphatic cyclic group containing a hetero atom in the ring structure, and an aliphatic cyclic group. Examples include those in which a hydrogen atom in the group is substituted with a heteroatom.
Regarding R 56 ′, the aliphatic cyclic group containing no hetero atom includes a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, and the like. Can be mentioned. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
Specific examples of the aliphatic cyclic group containing a hetero atom in the ring structure for R 56 ′ include groups represented by the aforementioned formulas (L1) to (L6) and (S1) to (S4), respectively. Can be mentioned.
As for R 56 ′, the hydrogen atom in the aliphatic cyclic group is specifically substituted with a hetero atom, specifically, the hydrogen atom in the aliphatic cyclic group is substituted with an oxygen atom (═O), etc. Is mentioned.

−C(=O)−O−R’、−O−C(=O)−R’、−O−R’におけるR’、R’、R’は、それぞれ、炭素数1〜25の直鎖状、分岐鎖状若しくは炭素数3〜20の環状の飽和炭化水素基、又は、炭素数2〜5の直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基である。
直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基は、炭素数1〜25であり、炭素数1〜15であることが好ましく、4〜10であることがより好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基としては、第3級アルキル基を除き、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。
前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
’、R’、R’における炭素数3〜20の環状の飽和炭化水素基としては、多環式基、単環式基のいずれでもよく、例えば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該環状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該環状のアルキル基が有する環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該環状のアルキル基が有する環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンの環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された複素シクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。また、前記環の構造中にエステル結合(−C(=O)−O−)を有していてもよい。具体的には、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基等のラクトン含有単環式基や、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基等のラクトン含有多環式基等が挙げられる。
後者の例における置換基としては、上述した直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基として挙げたものと同様のもの、低級アルキル基等が挙げられる。
また、R’、R’、R’は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基と、環状アルキル基との組み合わせであってもよい。
直鎖状または分岐鎖状のアルキル基と環状アルキル基との組合せとしては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基に置換基として環状のアルキル基が結合した基、環状のアルキル基に置換基として直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が結合した基等が挙げられる。
’、R’、R’における直鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。
’、R’、R’における分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
該直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
’、R’においては、上記のなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、炭素数1〜15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の飽和炭化水素基が好ましい。
-C (= O) -O-R 6 ', -O-C (= O) -R 7', 'R 6 in' -O-R 8, R 7 ', R 8' are each carbon atoms 1 to 25 linear, branched or cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a linear or branched aliphatic unsaturated hydrocarbon group having 2 to 5 carbon atoms. .
The linear or branched saturated hydrocarbon group has 1 to 25 carbon atoms, preferably 1 to 15 carbon atoms, and more preferably 4 to 10 carbon atoms.
Examples of the linear saturated hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and a decyl group.
Examples of the branched saturated hydrocarbon group excluding the tertiary alkyl group include, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3 -Methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like can be mentioned.
The linear or branched saturated hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), a cyano group, and a carboxy group.
As the alkoxy group as a substituent of the linear or branched saturated hydrocarbon group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, An n-butoxy group and a tert-butoxy group are preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent of the linear or branched saturated hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group as a substituent of the linear or branched saturated hydrocarbon group, part or all of the hydrogen atoms of the linear or branched saturated hydrocarbon group are the halogen atoms. And a group substituted with.
The cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms in R 6 ′, R 7 ′, and R 8 ′ may be either a polycyclic group or a monocyclic group. A group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, and the like. More specifically, one hydrogen atom was removed from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Group and the like.
The cyclic saturated hydrocarbon group may have a substituent. For example, part of the carbon atoms constituting the ring of the cyclic alkyl group may be substituted with a heteroatom, or the hydrogen atom bonded to the ring of the cyclic alkyl group may be substituted with a substituent. Good.
Examples of the former include one or more hydrogen atoms from a heterocycloalkane in which a part of the carbon atoms constituting the ring of the monocycloalkane or polycycloalkane is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Examples include groups other than atoms. The ring structure may have an ester bond (—C (═O) —O—). Specifically, a lactone-containing monocyclic group such as a group obtained by removing one hydrogen atom from γ-butyrolactone, or a group obtained by removing one hydrogen atom from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring. And other lactone-containing polycyclic groups.
Examples of the substituent in the latter example include the same as those described above as the substituent that the linear or branched alkyl group may have, a lower alkyl group, and the like.
R 6 ′, R 7 ′, and R 8 ′ may be a combination of a linear or branched alkyl group and a cyclic alkyl group.
A combination of a linear or branched alkyl group and a cyclic alkyl group includes a group in which a cyclic alkyl group is bonded as a substituent to a linear or branched alkyl group, and a substituent to the cyclic alkyl group. And a group having a linear or branched alkyl group bonded thereto.
Examples of the linear aliphatic unsaturated hydrocarbon group for R 6 ′, R 7 ′, and R 8 ′ include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group.
Examples of the branched aliphatic unsaturated hydrocarbon group for R 6 ′, R 7 ′, and R 8 ′ include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
The linear or branched aliphatic unsaturated hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include the same ones as those exemplified as the substituent which the linear or branched alkyl group may have.
Among R 7 ′ and R 8 ′, among them, the lithography characteristics and the resist pattern shape are good, so that the linear or branched saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, or the carbon number 3-20 cyclic saturated hydrocarbon groups are preferred.

”〜R”のアルキル基としては、たとえば、炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。なかでも、解像性に優れる点から、炭素数1〜5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。 Examples of the alkyl group for R 1 ″ to R 3 ″ include a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Especially, it is preferable that it is C1-C5 from the point which is excellent in resolution. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a nonyl group, and a decyl group. A methyl group is preferable because it is excellent in resolution and can be synthesized at low cost.

”〜R”のアルケニル基としては、たとえば、炭素数2〜10であることが好ましく、2〜5がより好ましく、2〜4がさらに好ましい。具体的には、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。 As an alkenyl group of R < 1 >"-R< 3 >", it is preferable that it is C2-C10, for example, 2-5 are more preferable, and 2-4 are more preferable. Specific examples include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a butynyl group, a 1-methylpropenyl group, and a 2-methylpropenyl group.

”〜R”のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3〜10員環を形成していることが好ましく、5〜7員環を形成していることが特に好ましい。 When any two of R 1 ″ to R 3 ″ are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, it is preferable that a 3 to 10 membered ring including the sulfur atom is formed, It is particularly preferable to form a 5- to 7-membered ring.

前記式(b−c1)で表される化合物におけるカチオン部のなかで好適なものとして、具体的には以下に示すものが挙げられる。   Specific examples of the cation moiety in the compound represented by the formula (b-c1) include those shown below.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
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Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
[式中、g1は繰返し数を示し、1〜5の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein g1 represents the number of repetitions and is an integer of 1 to 5. ]

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
[式中、g2、g3は繰返し数を示し、g2は0〜20の整数であり、g3は0〜20の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein g2 and g3 represent the number of repetitions, g2 is an integer of 0 to 20, and g3 is an integer of 0 to 20. ]

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

前記式(b−c2)中、R”〜R”は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。
”〜R”のアリール基としては、R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
”〜R”のアルキル基としては、R”〜R”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
”〜R”のアルケニル基としては、R”〜R”のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
前記式(b−c2)で表される化合物におけるカチオン部の具体例としては、ジフェニルヨードニウム、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム等が挙げられる。
In the formula (b-c2), R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group, an alkyl group or an alkenyl group which may have a substituent.
As the aryl group for R 5 ″ to R 6 ″, the same as the aryl groups for R 1 ″ to R 3 ″ can be used.
Examples of the alkyl group for R 5 ″ to R 6 ″ include the same as the alkyl group for R 1 ″ to R 3 ″.
Examples of the alkenyl group for R 5 ″ to R 6 ″ include the same alkenyl groups for R 1 ″ to R 3 ″.
Specific examples of the cation moiety in the compound represented by the formula (b-c2) include diphenyliodonium and bis (4-tert-butylphenyl) iodonium.

また、前記式(c1−1)におけるMの有機カチオンとしては、下記一般式(b−5)又は(b−6)で表されるものも挙げられる。 Examples of the organic cation of M + in the formula (c1-1) include those represented by the following general formula (b-5) or (b-6).

Figure 0005906076
[式中、R81〜R86はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n〜nはそれぞれ独立して0〜3の整数であり、nは0〜2の整数である。]
Figure 0005906076
[Wherein R 81 to R 86 are each independently an alkyl group, acetyl group, alkoxy group, carboxy group, hydroxyl group or hydroxyalkyl group; n 1 to n 5 are each independently an integer of 0 to 3; There, n 6 is an integer of 0-2. ]

81〜R86において、アルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、又はtert−ブチル基であることが特に好ましい。
アルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
81〜R86に付された符号n〜nが2以上の整数である場合、複数のR81〜R86はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、さらに好ましくは0である。
およびnは、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。
は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。
は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。
In R 81 to R 86 , the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n A butyl group or a tert-butyl group is particularly preferable.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkoxy group, and particularly preferably a methoxy group or an ethoxy group.
The hydroxyalkyl group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with a hydroxy group, and examples thereof include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group.
When the symbols n 1 to n 6 attached to R 81 to R 86 are integers of 2 or more, the plurality of R 81 to R 86 may be the same or different.
n 1 is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.
n 2 and n 3 are preferably each independently 0 or 1, more preferably 0.
n 4 is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.
n 5 is preferably 0 or 1, more preferably 0.
n 6 is preferably 0 or 1, more preferably 1.

前記式(b−5)又は式(b−6)で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。   Preferable examples of the cation represented by the formula (b-5) or the formula (b-6) include those shown below.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

さらに、前記式(c1−1)におけるMの有機カチオンとしては、下記の一般式(b−7)又は一般式(b−8)で表されるものも挙げられる。 Furthermore, examples of the organic cation of M + in the formula (c1-1) include those represented by the following general formula (b-7) or general formula (b-8).

Figure 0005906076
Figure 0005906076

式(b−7)、(b−8)中、R、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基である。この置換基としては、上記R”〜R”のアリール基についての説明のなかで例示した置換アリール基における置換基(アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基(=O)、アリール基、−C(=O)−O−R’、−O−C(=O)−R’、−O−R’、前記一般式:−O−R50−C(=O)−O−R56中のR56をR56’で置き換えた基等)と同様である。
’は炭素数1〜5のアルキレン基である。
uは1〜3の整数であり、1または2が最も好ましい。
前記式(b−7)又は式(b−8)で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。
以下に示す式中、Rは、上記置換アリール基についての説明のなかで例示した置換基(アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基(=O)、アリール基、−C(=O)−O−R’、−O−C(=O)−R’、−O−R’)である。
In formulas (b-7) and (b-8), R 9 and R 10 are each independently a phenyl group, a naphthyl group, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, alkoxy, which may have a substituent. Group, hydroxyl group. Examples of the substituent include a substituent in the substituted aryl group exemplified in the description of the aryl group of R 1 ″ to R 3 ″ (an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyloxy group, an alkoxycarbonylalkyloxy group, a halogen atom). Atom, hydroxyl group, oxo group (═O), aryl group, —C (═O) —O—R 6 ′, —O—C (═O) —R 7 ′, —O—R 8 ′, the above general formula : -O-R 50 -C (= O) based on R 56 is replaced by R 56 'in the -O-R 56, etc.) to be similar.
R 4 ′ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.
u is an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is most preferable.
Preferable examples of the cation represented by the formula (b-7) or the formula (b-8) include those shown below.
In the formula shown below, R C represents the substituents exemplified in the description of the substituted aryl group (alkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyloxy group, alkoxycarbonylalkyloxy group, halogen atom, hydroxyl group, oxo group ( ═O), aryl group, —C (═O) —O—R 6 ′, —O—C (═O) —R 7 ′, —O—R 8 ′).

Figure 0005906076
Figure 0005906076

(c1−1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   As the component (c1-1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

・・(c1−2)成分。
・・・アニオン部
式(c1−2)中、Z2cは、置換基を有していてもよい炭素数1〜30の炭化水素基である。
2cの置換基を有していてもよい炭素数1〜30の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、前記式(c1−1)中のRと同様のものが挙げられる。
なかでもZ2cの置換基を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、カンファー等から1個以上の水素原子を除いた基(置換基を有していてもよい)であることがより好ましい。
2cの炭化水素基は置換基を有していてもよく、置換基としては、前記式(c1−1)中のRの炭化水素基における置換基と同様のものが挙げられる。但し、Z2cにおいて、SO におけるS原子に隣接する炭素は、フッ素置換されていないものとする。SO とフッ素原子とが隣接しないことにより、当該(c1−2)成分のアニオンが適度な弱酸アニオンとなり、(C)成分のクエンチング能が向上する。
以下に(c1−2)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。具体例と共に示すpKaは、前記のソフトウェア「ACD/Labs」を用い、シミュレーションを行うことにより算出した値である。
-(C1-2) component.
... Anion moiety In formula (c1-2), Z 2c is a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent.
The hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent of Z 2c may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and the above formula (c1-1) those in the same manner as R 4 of the like.
Among them, the hydrocarbon group which may have a substituent of Z 2c is preferably an aliphatic cyclic group which may have a substituent, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, It is more preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from tetracyclododecane, camphor or the like (which may have a substituent).
The hydrocarbon group for Z 2c may have a substituent, and examples of the substituent include the same as the substituents for the hydrocarbon group for R 4 in formula (c1-1). However, in Z 2c , the carbon adjacent to the S atom in SO 3 is not fluorine-substituted. When SO 3 and a fluorine atom are not adjacent to each other, the anion of the component (c1-2) becomes an appropriate weak acid anion, and the quenching ability of the component (C) is improved.
Preferred specific examples of the anion moiety of the component (c1-2) are shown below. The pKa shown together with a specific example is a value calculated by performing a simulation using the software “ACD / Labs”.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

・・・カチオン部
式(c1−2)中、Mは、前記式(c1−1)中のMと同様である。
(c1−2)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
During ... Cation formula (c1-2), M + is the same as M + in the formula (c1-1).
As the component (c1-2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

・・(c1−3)成分。
・・・アニオン部
式(c1−3)中、Rは有機基である。
の有機基は、特に限定されるものではないが、アルキル基、アルコキシ基、−O−C(=O)−C(RC2)=CH(RC2は水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である)、または−O−C(=O)−RC3(RC3は炭化水素基である)である。
のアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rのアルキル基の水素原子の一部が水酸基、シアノ基等で置換されていてもよい。
のアルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、炭素数1〜5のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が挙げられる。なかでも、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
-(C1-3) component.
... Anion moiety In formula (c1-3), R 5 represents an organic group.
The organic group for R 5 is not particularly limited, but is an alkyl group, an alkoxy group, —O—C (═O) —C (R C2 ) ═CH 2 (R C2 is a hydrogen atom, a carbon number of 1 to 5 is an alkyl group of 5 or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), or —O—C (═O) —R C3 (R C3 is a hydrocarbon group).
The alkyl group of R 5 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group. Tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like. A part of hydrogen atoms of the alkyl group represented by R 5 may be substituted with a hydroxyl group, a cyano group, or the like.
The alkoxy group of R 5 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n- Examples include butoxy group and tert-butoxy group. Of these, a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.

が−O−C(=O)−C(RC2)=CHである場合、RC2は水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。
C2における炭素数1〜5のアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
C2におけるハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
C2としては、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基又は炭素数1〜3のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が最も好ましい。
When R 5 is —O—C (═O) —C (R C2 ) ═CH 2 , R C2 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. is there.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R C2 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n -Butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like can be mentioned.
The halogenated alkyl group in R C2 is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
R C2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and is most preferably a hydrogen atom or a methyl group from the viewpoint of industrial availability.

が−O−C(=O)−RC3である場合、RC3は炭化水素基である。
C3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基であってもよい。RC3の炭化水素基として具体的には、前記式(c1−1)中のRと同様のものが挙げられる。
なかでも、RC3の炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた脂環式基、又は、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基が好ましい。RC3が脂環式基である場合、レジスト組成物が有機溶剤に良好に溶解することによりリソグラフィー特性が良好となる。また、RC3が芳香族基である場合、EUV等を露光光源とするリソグラフィーにおいて、該レジスト組成物が光吸収効率に優れ、感度やリソグラフィー特性が良好となる。
When R 5 is —O—C (═O) —R C3 , R C3 is a hydrocarbon group.
The hydrocarbon group for R C3 may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. Specific examples of the hydrocarbon group for R C3 include the same groups as those described above for R 4 in formula (c1-1).
Among them, as the hydrocarbon group of R C3 , an alicyclic group in which one or more hydrogen atoms are removed from a cycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, or the like, Aromatic groups such as phenyl group and naphthyl group are preferred. When R C3 is an alicyclic group, the resist composition is well dissolved in an organic solvent, so that the lithography properties are improved. Further, when R C3 is an aromatic group, in lithography using EUV or the like as an exposure light source, the resist composition is excellent in light absorption efficiency, and sensitivity and lithography characteristics are good.

なかでも、Rとしては、−O−C(=O)−C(RC2’)=CH(RC2’は水素原子又はメチル基である。)、又は、−O−C(=O)−RC3’(RC3’は脂肪族環式基である。)であることが好ましい。 Among them, as R 5 , —O—C (═O) —C (R C2 ′) ═CH 2 (R C2 ′ is a hydrogen atom or a methyl group), or —O—C (═O ) -R C3 ′ (R C3 ′ is an aliphatic cyclic group).

式(c1−3)中、Yは、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基である。
の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基としては、上記式(a1−0−2)中のYの2価の連結基のうち、「直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基」、「環状の脂肪族炭化水素基」、「芳香族炭化水素基」と同様のものが挙げられる。
なかでも、Yとしては、アルキレン基であることが好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、メチレン基又はエチレン基であることがさらに好ましい。
In formula (c1-3), Y 5 represents a linear, branched, or cyclic alkylene group or an arylene group.
As the linear, branched or cyclic alkylene group or arylene group for Y 5 , among the divalent linking groups for Y 2 in the above formula (a1-0-2), “linear or branched chain” And the same as the “cyclic aliphatic hydrocarbon group”, “cyclic aliphatic hydrocarbon group”, and “aromatic hydrocarbon group”.
Among these, Y 5 is preferably an alkylene group, more preferably a linear or branched alkylene group, and even more preferably a methylene group or an ethylene group.

式(c1−3)中、Rfはフッ素原子を含む炭化水素基である。
Rfのフッ素原子を含む炭化水素基は、フッ素化アルキル基であることが好ましく、上記Rのフッ素化アルキル基と同様のものがより好ましい。
以下に(c1−3)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。具体例と共に示すpKaは、前記のソフトウェア「ACD/Labs」を用い、シミュレーションを行うことにより算出した値である。
In formula (c1-3), Rf 3 represents a hydrocarbon group containing a fluorine atom.
The hydrocarbon group containing a fluorine atom of Rf 3 is preferably a fluorinated alkyl group, and more preferably the same as the fluorinated alkyl group of R 4 above.
The preferable specific example of the anion part of (c1-3) component is shown below. The pKa shown together with a specific example is a value calculated by performing a simulation using the software “ACD / Labs”.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
Figure 0005906076

・・・カチオン部
式(c1−3)中、Mは、前記式(c1−1)中のMと同様である。
(c1−3)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
During ... Cation formula (c1-3), M + is the same as M + in the formula (c1-1).
As the component (c1-3), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(C1)成分は、上記(c1−1)〜(c1−3)成分のいずれか1種のみを含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。なかでも、(c1−3)成分を含有することが特に好ましい。
また、(C1)成分は、露光により酸解離定数(pKa)が0以上の酸を発生するイオン性化合物であることが好ましく、より好ましくはpKaが0〜15、さらに好ましくはpKaが0〜10、特に好ましくはpKaが0〜5の酸を発生するイオン性化合物であることが好ましい。
pKaが0以上の酸を発生するイオン性化合物を用いると、露光により(B)成分との塩交換反応が良好に進行して、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られやすくなる。
なお、上記(c1−1)〜(c1−3)成分におけるアニオン部の好ましい具体例として示した、カルボキシラートアニオン基(−C(=O)O)、電子吸引部位を有さないアルキルスルホネート基、電子吸引部位を有さないアリールスルホネート基およびスルホニルアミドアニオン基(−N−SO−)は、後述の(B)成分についての説明の中で例示する、電子吸引部位を有するスルホネート基(−SO )やスルホニルイミドアニオン基(−SO−N−SO−)よりも酸強度が弱いため、一部の例示アニオンに併記したpKaと同様、他の例示アニオンを有する化合物もpKaが0以上の酸を発生するといえる。
また、(C1)成分のなかでは、有機系現像液に対して溶解コントラストがより得られやすく、感度も高まることから、光吸収性を有し、露光により分解し得るカチオン部を備えた化合物も好ましい。
The component (C1) may contain only one of the above components (c1-1) to (c1-3), or may contain two or more. Especially, it is especially preferable to contain (c1-3) component.
The component (C1) is preferably an ionic compound that generates an acid having an acid dissociation constant (pKa) of 0 or more upon exposure, more preferably 0 to 15 pKa, and still more preferably 0 to 10 pKa. In particular, an ionic compound that generates an acid having a pKa of 0 to 5 is preferable.
When an ionic compound that generates an acid having a pKa of 0 or more is used, a salt exchange reaction with the component (B) proceeds favorably by exposure, and a dissolution contrast is easily obtained in an organic developer.
Incidentally, shown as preferable specific examples of the anion portion in the (c1-1) ~ (c1-3) component, carboxylate anion group (-C (= O) O - ), alkyl sulfonates having no electron withdrawing site Group, aryl sulfonate group having no electron withdrawing site and sulfonylamide anion group (—N —SO 2 —) are sulfonate groups having an electron withdrawing site exemplified in the description of the component (B) described later. Since the acid strength is weaker than (—SO 3 ) and sulfonylimide anion group (—SO 2 —N —— SO 2 —), compounds having other exemplified anions as well as pKa written together with some exemplified anions It can be said that pKa generates 0 or more acids.
Among the components (C1), a compound having a cation moiety that has light absorptivity and can be decomposed by exposure is also obtained because the dissolution contrast is more easily obtained with respect to the organic developer and the sensitivity is increased. preferable.

レジスト組成物中、(C1)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、1〜50質量部であることが好ましく、2〜45質量部であることがより好ましく、3〜40質量部であることがさらに好ましく、5〜30質量部であることが特に好ましい。
(C1)成分の含有量が上記範囲の下限値以上であると、(A)成分との会合構造が容易に形成され、レジスト膜をより安定に成膜できる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。
In the resist composition, the content of the component (C1) is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 2 to 45 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). It is more preferable that it is 40 mass parts, and it is especially preferable that it is 5-30 mass parts.
When the content of the component (C1) is not less than the lower limit of the above range, an association structure with the component (A) is easily formed, and the resist film can be more stably formed. When it is not more than the upper limit of the above range, the sensitivity can be maintained satisfactorily and the throughput is excellent.

((c1−1)〜(c1−3)成分の製造方法)
(c1−1)成分、(c1−2)成分の製造方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法により製造することができる。
(c1−3)成分の製造方法は、特に限定されるものではないが、例えば、前記式(c1−3)中のRが、Yと結合する末端に酸素原子を有する基である場合、下記一般式(i−1)で表される化合物(i−1)と、下記一般式(i−2)で表される化合物(i−2)とを反応させることにより、下記一般式(i−3)で表される化合物(i−3)を得、化合物(i−3)と、所望のカチオンMを有するZ(i−4)とを反応させることにより、一般式(c1−3)で表される化合物(c1−3)が製造される。
(Method for producing components (c1-1) to (c1-3))
The manufacturing method of (c1-1) component and (c1-2) component is not specifically limited, It can manufacture by a well-known method.
If (c1-3) component manufacturing method is not particularly limited, for example, the formula (c1-3) is R 5 in a group having an oxygen atom at the terminal which binds to Y 5 By reacting the compound (i-1) represented by the following general formula (i-1) with the compound (i-2) represented by the following general formula (i-2), the following general formula ( The compound (i-3) represented by i-3) is obtained, and the compound (i-3) is reacted with Z M + (i-4) having a desired cation M + to give a general formula The compound (c1-3) represented by (c1-3) is produced.

Figure 0005906076
[式中、R、Y、Rf、Mは、それぞれ、前記一般式(c1−3)中のR、Y、Rf、Mと同じである。R5aはRから末端の酸素原子を除いた基であり、Zは対アニオンである。]
Figure 0005906076
Wherein, R 5, Y 5, Rf 3, M + , respectively, the general formula (c1-3) R 5 in, Y 5, Rf 3, is the same as M +. R 5a is a group obtained by removing a terminal oxygen atom from R 5 , and Z is a counter anion. ]

まず、化合物(i−1)と化合物(i−2)とを反応させ、化合物(i−3)を得る。
式(i−1)中、R5aは前記Rから末端の酸素原子を除いた基である。式(i−2)中、Y、Rfは前記同様である。
化合物(i−1)、化合物(i−2)としては、それぞれ、市販のものを用いてもよく、合成してもよい。
化合物(i−1)と化合物(i−2)とを反応させ、化合物(i−3)を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当な酸触媒の存在下で、化合物(i−2)と化合物(i−1)とを有機溶媒中で反応させた後に、反応混合物を洗浄、回収することにより、実施できる。
First, compound (i-1) and compound (i-2) are reacted to obtain compound (i-3).
In formula (i-1), R 5a is a group obtained by removing a terminal oxygen atom from R 5 . In formula (i-2), Y 5 and Rf 3 are the same as described above.
As compound (i-1) and compound (i-2), commercially available compounds may be used or synthesized.
The method for obtaining compound (i-3) by reacting compound (i-1) with compound (i-2) is not particularly limited. For example, compound (i-) can be obtained in the presence of an appropriate acid catalyst. After reacting 2) and compound (i-1) in an organic solvent, the reaction mixture can be washed and recovered.

上記反応における酸触媒は、特に限定されるものではなく、例えばトルエンスルホン酸等が挙げられ、その使用量は化合物(i−2)1モルに対して0.05〜5モル程度が好ましい。
上記反応における有機溶媒としては、原料である化合物(i−1)及び化合物(i−2)を溶解できるものであればよく、具体的には、トルエン等が挙げられ、その使用量は、化合物(i−1)に対して、0.5〜100質量部であることが好ましく、0.5〜20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
上記反応における化合物(i−2)の使用量は、通常、化合物(i−1)1モルに対して0.5〜5モル程度が好ましく、0.8〜4モル程度がより好ましい。
The acid catalyst in the said reaction is not specifically limited, For example, toluenesulfonic acid etc. are mentioned, The usage-amount is about 0.05-5 mol with respect to 1 mol of compounds (i-2).
The organic solvent in the above reaction may be any material that can dissolve the compound (i-1) and the compound (i-2) as raw materials, and specifically includes toluene and the like. It is preferable that it is 0.5-100 mass parts with respect to (i-1), and it is more preferable that it is 0.5-20 mass parts. A solvent may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The amount of compound (i-2) used in the above reaction is usually preferably about 0.5 to 5 mol, more preferably about 0.8 to 4 mol, per 1 mol of compound (i-1).

上記反応における反応時間は、化合物(i−1)と化合物(i−2)との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1〜80時間が好ましく、3〜60時間がより好ましい。
上記反応における反応温度は、20℃〜200℃が好ましく、20℃〜150℃程度がより好ましい。
The reaction time in the above reaction varies depending on the reactivity between the compound (i-1) and the compound (i-2), the reaction temperature, etc., but is usually preferably 1 to 80 hours, more preferably 3 to 60 hours. .
The reaction temperature in the above reaction is preferably 20 ° C to 200 ° C, more preferably about 20 ° C to 150 ° C.

次いで、得られた化合物(i−3)と、化合物(i−4)とを反応させ、化合物(c1−3)を得る。
式(i−4)中、Mは前記同様であり、Zは対アニオンである。
化合物(i−3)と化合物(i−4)とを反応させ、化合物(c1−3)を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物(i−3)を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物(i−4)を添加して攪拌により反応させることにより実施できる。
Next, the obtained compound (i-3) and the compound (i-4) are reacted to obtain the compound (c1-3).
In formula (i-4), M + is the same as described above, and Z is a counter anion.
The method of reacting compound (i-3) and compound (i-4) to obtain compound (c1-3) is not particularly limited, but for example, compound in the presence of a suitable alkali metal hydroxide. It can be carried out by dissolving (i-3) in a suitable organic solvent and water, adding compound (i-4) and reacting with stirring.

上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は化合物(i−3)1モルに対して0.3〜3モル程度が好ましい。
上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物(i−3)に対して、0.5〜100質量部であることが好ましく、0.5〜20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。
上記反応における化合物(i−4)の使用量は、通常、化合物(i−3)1モルに対して0.5〜5モル程度が好ましく、0.8〜4モル程度がより好ましい。
The alkali metal hydroxide in the above reaction is not particularly limited, and examples thereof include sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like, and the amount used is 0.3 to 1 mol per 1 mol of compound (i-3). About 3 mol is preferable.
Examples of the organic solvent in the above reaction include solvents such as dichloromethane, chloroform, and ethyl acetate, and the amount used is preferably 0.5 to 100 parts by mass with respect to compound (i-3). More preferably, it is 5-20 mass parts. A solvent may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The amount of compound (i-4) used in the above reaction is usually preferably about 0.5 to 5 mol, more preferably about 0.8 to 4 mol, relative to 1 mol of compound (i-3).

上記反応における反応時間は、化合物(i−3)と化合物(i−4)との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1〜80時間が好ましく、3〜60時間がより好ましい。
上記反応における反応温度は、20〜200℃が好ましく、20〜150℃程度がより好ましい。
反応終了後、反応液中の化合物(c1−3)を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。
The reaction time in the above reaction varies depending on the reactivity between the compound (i-3) and the compound (i-4), the reaction temperature, etc., but is usually preferably 1 to 80 hours, more preferably 3 to 60 hours. .
20-200 degreeC is preferable and, as for the reaction temperature in the said reaction, about 20-150 degreeC is more preferable.
After completion of the reaction, the compound (c1-3) in the reaction solution may be isolated and purified. For isolation and purification, conventionally known methods can be used. For example, concentration, solvent extraction, distillation, crystallization, recrystallization, chromatography, etc. can be used alone or in combination of two or more thereof. it can.

上記のようにして得られる化合物(c1−3)の構造は、H−核磁気共鳴(NMR)スペクトル法、13C−NMRスペクトル法、19F−NMRスペクトル法、赤外線吸収(IR)スペクトル法、質量分析(MS)法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。 The structure of the compound (c1-3) obtained as described above is as follows: 1 H-nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum method, 13 C-NMR spectrum method, 19 F-NMR spectrum method, infrared absorption (IR) spectrum method. , Mass spectrometry (MS) method, elemental analysis method, X-ray crystal diffraction method, etc.

・(C2)成分
(C2)成分としては、(C1)成分に該当しないものであれば特に限定されず、たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。
脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1〜12であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基又はヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)、環式アミン、その他の脂肪族アミン等が挙げられる。
-Component (C2) The component (C2) is not particularly limited as long as it does not correspond to the component (C1), and examples thereof include amines such as aliphatic amines and aromatic amines. Secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are preferred.
An aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic groups preferably have 1 to 12 carbon atoms.
Examples of the aliphatic amine include amines (alkylamines or alkylalcoholamines) in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 20 or less carbon atoms, cyclic amines, other amines An aliphatic amine etc. are mentioned.

前記アルキルアミンが有するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は2〜20であることがより好ましく、2〜8であることがさらに好ましい。
該アルキル基が環状である場合(シクロアルキル基である場合)、その炭素数は、3〜30であることが好ましく、3〜20がより好ましく、3〜15がさらに好ましく、炭素数4〜12であることが特に好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
前記アルキルアルコールアミンが有するヒドロキシアルキル基におけるアルキル基としては、前記アルキルアミンが有するアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
The alkyl group of the alkylamine may be linear, branched or cyclic.
When the alkyl group is linear or branched, the carbon number thereof is more preferably 2-20, and further preferably 2-8.
When the alkyl group is cyclic (when it is a cycloalkyl group), the carbon number is preferably 3 to 30, more preferably 3 to 20, still more preferably 3 to 15, and 4 to 12 carbon atoms. It is particularly preferred that the number of carbon atoms is 5-10. The alkyl group may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from monocycloalkane, groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from polycycloalkanes such as bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane. . Specific examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
Examples of the alkyl group in the hydroxyalkyl group possessed by the alkyl alcohol amine include the same alkyl groups as those possessed by the alkyl amine.

前記アルキルアミンの具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミンが挙げられる。
前記アルキルアルコールアミンの具体例としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等が挙げられる。
これらの中でも、炭素数5〜10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ−n−ペンチルアミン又はトリ−n−オクチルアミンが特に好ましい。
Specific examples of the alkylamine include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di-n- Dialkylamines such as heptylamine, di-n-octylamine, dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri- Examples include trialkylamines such as n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decanylamine, and tri-n-dodecylamine.
Specific examples of the alkyl alcohol amine include diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, tri-n-octanolamine, stearyl diethanolamine, lauryldiethanolamine and the like.
Among these, a trialkylamine having 5 to 10 carbon atoms is more preferable, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferable.

環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
Examples of the cyclic amine include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
As the aliphatic polycyclic amine, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. Specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.

その他の脂肪族アミンとしては、トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられる。   Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2 -(1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2- {2- (2-hydroxy Ethoxy) ethoxy} ethyl] amine, triethanolamine triacetate and the like.

芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6−ジイソプロピルアニリン、N−tert−ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。   Aromatic amines include aniline, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, diphenylamine, triphenylamine, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxy. And carbonylpyrrolidine.

(C2)成分はいずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(C2)成分のなかでも、露光により(B)成分との塩交換反応が良好に進行して、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られやすいことから、アルキルアミンが好ましく、トリアルキルアミンがより好ましく、炭素数5〜10のトリアルキルアミンがさらに好ましい。
レジスト組成物中、(C2)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.1〜30質量部であることが好ましく、0.5〜25質量部であることがより好ましく、1〜20質量部であることがさらに好ましい。
(C2)成分の含有量が上記範囲の下限値以上であると、(A)成分との会合構造が容易に形成され、レジスト膜をより安定に成膜できる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。
As the component (C2), any one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Among the components (C2), an alkylamine is preferable because a salt exchange reaction with the component (B) proceeds favorably by exposure and a dissolution contrast is easily obtained with respect to an organic developer, and a trialkylamine is preferable. Is more preferable, and a trialkylamine having 5 to 10 carbon atoms is more preferable.
In the resist composition, the content of the component (C2) is preferably 0.1 to 30 parts by mass and more preferably 0.5 to 25 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). The amount is preferably 1 to 20 parts by mass.
When the content of the component (C2) is not less than the lower limit of the above range, an association structure with the component (A) is easily formed, and the resist film can be formed more stably. When it is not more than the upper limit of the above range, the sensitivity can be maintained satisfactorily and the throughput is excellent.

(C)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   As the component (C), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

[酸発生剤成分(B)]
本発明における酸発生剤成分(B)は、前記(A)成分中の酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分である。
このような(B)成分としては、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されている、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤などが挙げられる。
かかるオニウム塩系酸発生剤としては、例えば下記一般式(b−1)又は(b−2)で表される化合物を用いることができる。
[Acid generator component (B)]
The acid generator component (B) in the present invention is an acid generator component that generates an acid having higher strength than the acidic group in the component (A) by exposure.
As such component (B), onium salt-based acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate-based acid generators, bisalkyls, which have been proposed as acid generators for chemically amplified resists. Alternatively, diazomethane acid generators such as bisarylsulfonyldiazomethanes and poly (bissulfonyl) diazomethanes, nitrobenzyl sulfonate acid generators, iminosulfonate acid generators, disulfone acid generators and the like.
As such an onium salt-based acid generator, for example, a compound represented by the following general formula (b-1) or (b-2) can be used.

Figure 0005906076
[式中、R”〜R”,R”〜R”はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。式(b−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R”は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。]
Figure 0005906076
[Wherein, R 1 ″ to R 3 ″ and R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group, an alkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. Any two of R 1 ″ to R 3 ″ in formula (b-1) may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 4 ″ represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aryl group, or an alkenyl group which may have a substituent.

前記式(b−1)中、R”〜R”は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアルケニル基を表す。R”〜R”のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。
”〜R”は、前記式(b−c1)中のR”〜R”における置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基と同様である。
In the formula (b-1), R 1 ″ to R 3 ″ each independently has an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, or a substituent. Represents an alkenyl group which may be substituted. Any two of R 1 ″ to R 3 ″ may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.
R 1 ″ to R 3 ″ are an aryl group which may have a substituent in R 1 ″ to R 3 ″ in the formula (b-c1), an alkyl group which may have a substituent, It is the same as the alkenyl group which may have a substituent.

前記式(b−2)中、R”〜R”は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアルケニル基を表す。
”〜R”は、前記式(b−c2)中のR”〜R”における置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基と同様である。
In formula (b-2), R 5 ″ to R 6 ″ each independently has an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, or a substituent. Represents an alkenyl group which may be substituted.
R 5 ″ to R 6 ″ are an aryl group which may have a substituent in R 5 ″ to R 6 ″ in the formula (b-c2), an alkyl group which may have a substituent, It is the same as the alkenyl group which may have a substituent.

式(b−1)〜(b−2)中、R”は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。
”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。
前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがより好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
”におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合(ハロゲン化率(%))が、10〜100%であることが好ましく、50〜100%であることが好ましく、100%が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。
前記R”におけるアリール基は、炭素数6〜20のアリール基であることが好ましい。
前記R”におけるアルケニル基は、炭素数2〜10のアルケニル基であることが好ましい。
前記R”において、「置換基を有していてもよい」とは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の他の原子または基)で置換されていても良いことを意味する。
”における置換基の数は、1つであってもよく、2つ以上であってもよい。
In formulas (b-1) to (b-2), R 4 ″ represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aryl group, or an alkenyl group which may have a substituent.
The alkyl group for R 4 ″ may be linear, branched or cyclic.
The linear or branched alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 4 carbon atoms.
The cyclic alkyl group preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms.
Examples of the halogenated alkyl group for R 4 ″ include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the linear, branched, or cyclic alkyl group have been substituted with halogen atoms. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
In the halogenated alkyl group, the ratio of the number of halogen atoms to the total number of halogen atoms and hydrogen atoms contained in the halogenated alkyl group (halogenation rate (%)) is preferably 10 to 100%. 50 to 100% is preferable, and 100% is most preferable. The higher the halogenation rate, the better the acid strength.
The aryl group for R 4 ″ is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group in R 4 ″ is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
In the above R 4 ″, “may have a substituent” means one of hydrogen atoms in the linear, branched or cyclic alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl group. It means that part or all may be substituted with a substituent (an atom or group other than a hydrogen atom).
The number of substituents in R 4 ″ may be one, or two or more.

前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、水酸基、式:X−Q−[式中、Qは酸素原子を含む2価の連結基であり、Xは置換基を有していてもよい炭素数3〜30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R”において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。
Examples of the substituent include a halogen atom, a hetero atom, an alkyl group, a hydroxyl group, a formula: X 3 -Q 1- [where Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom, and X 3 is a substituted group. It is a C3-C30 hydrocarbon group which may have a group. ] Etc. which are represented by these.
Examples of the halogen atom and alkyl group include the same groups as those described above for R 4 ″ as the halogen atom and alkyl group in the halogenated alkyl group.
Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom.

−Q−で表される基において、Qは酸素原子を含む2価の連結基である。
は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子(エーテル結合;−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−)、アミド結合(−C(=O)−NH−)、カルボニル基(−C(=O)−)、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。
該組み合わせとしては、たとえば、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−、−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−(式中、R91〜R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。)等が挙げられる。
91〜R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜3が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。
としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−または−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−が好ましい。
In the group represented by X 3 -Q 1- , Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom.
Q 1 may contain an atom other than an oxygen atom. Examples of atoms other than oxygen atoms include carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond; —O—), an ester bond (—C (═O) —O—), and an amide bond (—C (═O) —NH. -), A carbonyl group (-C (= O)-), a non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking group such as a carbonate bond (-O-C (= O) -O-); the non-hydrocarbon oxygen atom Examples include a combination of a containing linking group and an alkylene group.
Examples of the combination include —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) —, —C (═O) —O—R 93 —O—C (═O) — , R 91 to R 93 are each independently an alkylene group.) And the like.
The alkylene group for R 91 to R 93 is preferably a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. preferable.
Specific examples of the alkylene group include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —C ( CH 3) (CH 2 CH 3 ) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2— ]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 — and the like. Alkylethylene groups; trimethylene groups (n-propylene groups) [—CH 2 CH 2 CH 2 —]; alkyls such as —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 — trimethylene; tetramethylene group [-CH 2 CH 2 C 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like.
Q 1 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond, and in particular, —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) — or —C (═O) — O—R 93 —O—C (═O) — is preferred.

−Q−で表される基において、Xの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
In the group represented by X 3 -Q 1- , the hydrocarbon group for X 3 may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group.
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Aryl groups such as aryl group, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc., from which one is removed. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. For example, a part of carbon atoms constituting the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hetero atom, and the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group is substituted with the substituent. May be.
Examples of the former include heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of the aryl group are substituted with heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and aromatic hydrocarbons in the arylalkyl groups. Examples include heteroarylalkyl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring are substituted with the above heteroatoms.
Examples of the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the latter example include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. preferable.
The alkoxy group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert- A butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent of the aromatic hydrocarbon group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
における「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。
水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、シアノ基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group for X 3 may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic.
In X 3 , the aliphatic hydrocarbon group may be a group in which a part of carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent containing a hetero atom, and hydrogen constituting the aliphatic hydrocarbon group A part or all of the atoms may be substituted with a substituent containing a hetero atom.
The “heteroatom” in X 3 is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The substituent containing a hetero atom may be composed of only the hetero atom, or may be a group containing a group or atom other than the hetero atom.
Specific examples of the substituent for substituting a part of the carbon atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O. —, —C (═O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, — S (= O) 2 —O— and the like can be mentioned. When the aliphatic hydrocarbon group is cyclic, these substituents may be included in the ring structure.
Specific examples of the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), and a cyano group.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.

脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched monovalent unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic ring). Formula group) is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

不飽和炭化水素基としては、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
As an unsaturated hydrocarbon group, it is preferable that carbon number is 2-10, 2-5 are preferable, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.

脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば前述した式(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)で表される基等が挙げられる。
The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The number of carbon atoms is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12.
Specifically, for example, a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane; a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Can be mentioned. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.
When the aliphatic cyclic group does not contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, the aliphatic cyclic group is preferably a polycyclic group, and has one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Excluded groups are preferred, and most preferred are groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane.
When the aliphatic cyclic group includes a substituent containing a hetero atom in the ring structure, examples of the substituent containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —O—, —S—. , —S (═O) 2 — and —S (═O) 2 —O— are preferable. Specific examples of the aliphatic cyclic group include groups represented by the aforementioned formulas (L1) to (L6) and (S1) to (S4).

−Q−で表される基におけるXは、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前述した式(L2)〜(L6)、(S3)〜(S4)でそれぞれ表される基等が好ましい。
X 3 -Q 1 - X 3 in the group represented by is preferably have a substituent cyclic group which may. The cyclic group may be an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent. It is preferably an aliphatic cyclic group that may be used.
The aromatic hydrocarbon group is preferably a naphthyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent.
As the aliphatic cyclic group which may have a substituent, a polycyclic aliphatic cyclic group which may have a substituent is preferable. The polycyclic aliphatic cyclic group is a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane, and is represented by the aforementioned formulas (L2) to (L6) and (S3) to (S4), respectively. And the like are preferred.

式(b−1)〜(b−2)中、R”は、置換基としてX−Q−を有することが好ましい。この場合、R”としては、X−Q−Y10−[式中、QおよびXは前記と同じであり、Y10は置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。
−Q−Y10−で表される基において、Y10のアルキレン基としては、前記Qで挙げたアルキレン基のうち炭素数1〜4のものと同様のものが挙げられる。
フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
10として、具体的には、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CF(CFCF)−、−C(CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−、−CF(CFCFCF)−、−C(CF)(CFCF)−;−CHF−、−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−、−CH(CF)CH−、−CH(CFCF)−、−C(CH)(CF)−、−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CH(CF)CHCH−、−CHCH(CF)CH−、−CH(CF)CH(CF)−、−C(CFCH−;−CH−、−CHCH−、−CHCHCH−、−CH(CH)CH−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−CHCHCHCH−、−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−CH(CHCHCH)−、−C(CH)(CHCH)−等が挙げられる。
In formulas (b-1) to (b-2), R 4 ″ preferably has X 3 -Q 1- as a substituent. In this case, R 4 ″ may be X 3 -Q 1 -Y. 10- [wherein Q 1 and X 3 are the same as above, Y 10 is an optionally substituted alkylene group having 1 to 4 carbon atoms or an optionally substituted carbon number. 1 to 4 fluorinated alkylene groups. ] Is preferable.
In the group represented by X 3 -Q 1 -Y 10- , the alkylene group for Y 10 includes the same alkylene groups as those described above for Q 1 having 1 to 4 carbon atoms.
Examples of the fluorinated alkylene group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group have been substituted with fluorine atoms.
As Y 10, specifically, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 2 CF 3) -, -C (CF 3) 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3 ) —, —C (CF 3 ) 2 CF 2 —, —CF (CF 2 CF 3 ) CF 2 —, —CF (CF 2 CF 2 CF 3 ) —, —C (CF 3 ) (CF 2 CF 3) -; - CHF -, - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 -, - CH (CF 2 CF 3) -, - C ( CH 3) (CF 3) -, - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CF 3) CH 2 -, - CH (CF 3) CH (CF 3) -, - C ( CF 3) 2 CH 2 -; - CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3 ) — and the like.

10としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−;−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−;−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CHCFCFCF−等を挙げることができる。
これらの中でも、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、又はCHCFCF−が好ましく、−CF−、−CFCF−又は−CFCFCF−がより好ましく、−CF−が特に好ましい。
Y 10 is preferably a fluorinated alkylene group, and particularly preferably a fluorinated alkylene group in which the carbon atom bonded to the adjacent sulfur atom is fluorinated. Examples of such fluorinated alkylene group, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3) -, - C (CF 3) 2 CF 2 -, -CF (CF 2 CF 3) CF 2 -; - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -; - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 — and the like can be mentioned.
Of these, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, or CH 2 CF 2 CF 2 - is preferable, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 - or -CF 2 CF 2 CF 2 - is more preferable, -CF 2 - is particularly preferred.

前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が「置換基を有する」とは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。
アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。
The alkylene group or fluorinated alkylene group may have a substituent. An alkylene group or a fluorinated alkylene group has a “substituent” means that part or all of the hydrogen atom or fluorine atom in the alkylene group or fluorinated alkylene group is substituted with an atom or group other than a hydrogen atom and a fluorine atom. Means that
Examples of the substituent that the alkylene group or fluorinated alkylene group may have include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and a hydroxyl group.

式(b−1)、(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネート(pKa−3.9)またはノナフルオロブタンスルホネート(pKa−3.9)、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート(pKa−3.7)またはそのノナフルオロブタンスルホネート(pKa−3.9)、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル(1−(4−メトキシ)ナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ(1−ナフチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。   Specific examples of the onium salt acid generators represented by formulas (b-1) and (b-2) include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate (pKa-3.9) or nonafluorobutanesulfonate (pKa-3). .9), bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate (pKa-3.7) or its nonafluorobutanesulfonate (PKa-3.9), tri (4-methylphenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, dimethyl (4-hydroxy) Naphthyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, monophenyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; diphenylmonomethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its Heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, (4-methylphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate Its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, tri (4-tert-butyl) phenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, diphenyl (1- (4-methoxy) naphthyl) Sulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, di (1-naphthyl) phenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1-phenyltetrahydrothiophenium Trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfone 1- (4-methylphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl ) Tetrahydrothiophenium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (4-methoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its Nonafluorobutanesulfonate; trifluorometa of 1- (4-ethoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium Sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1 Trifluoromethanesulfonate of phenyltetrahydrothiopyranium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; trifluoromethanesulfonate of 1- (4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutane 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothio Examples include trifluoromethane sulfonate of ranium, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; trifluoromethane sulfonate of 1- (4-methylphenyl) tetrahydrothiopyranium, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, etc. .

また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式(b1)〜(b9)のいずれかで表されるアニオンに置き換えたオニウム塩を用いることも好ましく、これらのなかでも、アニオン部を下記式(b3)〜(b6)及び(b9)のいずれかで表されるアニオンに置き換えたオニウム塩を用いることがより好ましい。   Moreover, it is also preferable to use the onium salt which replaced the anion part of these onium salts with the anion represented by either of following formula (b1)-(b9), and among these, an anion part is represented by following formula (b3). It is more preferable to use an onium salt substituted with an anion represented by any one of (b) to (b6).

Figure 0005906076
Figure 0005906076

Figure 0005906076
[式中、q1〜q2はそれぞれ独立に1〜5の整数であり、q3は1〜12の整数であり、t3は1〜3の整数であり、r1〜r2はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、iは1〜20の整数であり、Rは置換基であり、m1〜m6はそれぞれ独立に0または1であり、v0〜v6はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、w1〜w6はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、Q”は前記と同じである。]
Figure 0005906076
[Wherein, q1 to q2 are each independently an integer of 1 to 5, q3 is an integer of 1 to 12, t3 is an integer of 1 to 3, and r1 to r2 are each independently 0 to 3] I is an integer of 1 to 20, R 7 is a substituent, m1 to m6 are each independently 0 or 1, v0 to v6 are each independently an integer of 0 to 3, w1 to w6 are each independently an integer of 0 to 3, and Q ″ is the same as above.]

の置換基としては、前記Xにおいて、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
に付された符号(r1〜r2、w1〜w6)が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のRはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
As the substituent of R 7, the same as those mentioned as the substituent that the aliphatic hydrocarbon group may have and the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have in the above X 3 Is mentioned.
Code (r1 and r2, W1 to W6) attached to R 7 when is an integer of 2 or more, a plurality of the R 7 groups may be the same, respectively, may be different.

また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式(b−1)又は(b−2)において、アニオン部を下記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる(カチオン部は(b−1)又は(b−2)と同様)。   Moreover, as an onium salt type | system | group acid generator, in the said general formula (b-1) or (b-2), an anion part is represented by the following general formula (b-3) or (b-4). An onium salt-based acid generator replaced with can also be used (the cation moiety is the same as (b-1) or (b-2)).

Figure 0005906076
[式中、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2〜6のアルキレン基を表し;Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10のアルキル基を表す。]
Figure 0005906076
[Wherein X ″ represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom; Y ″ and Z ″ each independently represent at least one hydrogen atom as a fluorine atom; Represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and substituted with

X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2〜6であり、好ましくは炭素数3〜5、最も好ましくは炭素数3である。
Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1〜10であり、好ましくは炭素数1〜7、より好ましくは炭素数1〜3である。
X”のアルキレン基の炭素数またはY”、Z”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、X”のアルキレン基またはY”、Z”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。
該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。
X ″ is a linear or branched alkylene group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkylene group has 2 to 6 carbon atoms, preferably 3 to 5 carbon atoms, Most preferably, it has 3 carbon atoms.
Y ″ and Z ″ are each independently a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, preferably Has 1 to 7 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms.
The carbon number of the alkylene group of X ″ or the carbon number of the alkyl group of Y ″ and Z ″ is preferably as small as possible because the solubility in the resist solvent is good within the above carbon number range.
In addition, in the alkylene group of X ″ or the alkyl group of Y ″ and Z ″, as the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms increases, the strength of the acid increases, and high-energy light or electron beam of 200 nm or less This is preferable because the transparency to the surface is improved.
The proportion of fluorine atoms in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorination rate is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. A perfluoroalkylene group or a perfluoroalkyl group.

また、オニウム塩系酸発生剤として、前述した一般式(b−5)又は(b−6)で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩を用いることもできる。
さらに、前述した一般式(b−7)又は一般式(b−8)で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩を用いることもできる。
In addition, as the onium salt-based acid generator, a sulfonium salt having a cation represented by the general formula (b-5) or (b-6) described above in the cation portion can also be used.
Furthermore, the sulfonium salt which has the cation represented by general formula (b-7) or general formula (b-8) mentioned above in the cation part can also be used.

式(b−5)〜(b−8)でそれぞれ表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式(b−1)または(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部(R”SO )等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;上記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン、前記式(b1)〜(b9)のいずれかで表されるアニオン等が挙げられる。 The anion part of the sulfonium salt having cations represented by the formulas (b-5) to (b-8), respectively, is not particularly limited, and the anion part of the onium salt acid generators proposed so far It may be the same. Examples of the anion moiety include fluorinated alkyl sulfonate ions such as the anion moiety (R 4 ″ SO 3 ) of the onium salt acid generator represented by the general formula (b-1) or (b-2). An anion represented by the general formula (b-3) or (b-4), an anion represented by any one of the formulas (b1) to (b9), and the like.

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式(B−1)で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。   In this specification, the oxime sulfonate acid generator is a compound having at least one group represented by the following general formula (B-1), and has a property of generating an acid upon irradiation with radiation. is there. Such oxime sulfonate-based acid generators are frequently used for chemically amplified resist compositions, and can be arbitrarily selected and used.

Figure 0005906076
[式(B−1)中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。]
Figure 0005906076
[In formula (B-1), R 31 and R 32 each independently represents an organic group. ]

31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子等)等)を有していてもよい。
31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1〜6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数1〜20が好ましく、炭素数1〜10がより好ましく、炭素数1〜8がさらに好ましく、炭素数1〜6が特に好ましく、炭素数1〜4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基(以下、ハロゲン化アルキル基ということがある)が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数4〜20が好ましく、炭素数4〜10がより好ましく、炭素数6〜10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
31としては、特に、置換基を有さない炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数1〜4のフッ素化アルキル基が好ましい。
32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1〜8のアルキル基、または炭素数1〜8のフッ素化アルキル基が好ましい。
The organic groups of R 31 and R 32 are groups containing carbon atoms, and atoms other than carbon atoms (for example, hydrogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, etc.), etc.) You may have.
As the organic group for R 31, a linear, branched, or cyclic alkyl group or aryl group is preferable. These alkyl groups and aryl groups may have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as this substituent, For example, a fluorine atom, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group etc. are mentioned. Here, “having a substituent” means that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or aryl group are substituted with a substituent.
As an alkyl group, C1-C20 is preferable, C1-C10 is more preferable, C1-C8 is more preferable, C1-C6 is especially preferable, and C1-C4 is the most preferable. As the alkyl group, a partially or completely halogenated alkyl group (hereinafter sometimes referred to as a halogenated alkyl group) is particularly preferable. The partially halogenated alkyl group means an alkyl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated alkyl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an alkyl group substituted with Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. That is, the halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The aryl group preferably has 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. As the aryl group, a partially or completely halogenated aryl group is particularly preferable. The partially halogenated aryl group means an aryl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated aryl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an aryl group substituted with.
R 31 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms having no substituent or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
As the organic group for R 32, a linear, branched, or cyclic alkyl group, aryl group, or cyano group is preferable. As the alkyl group and aryl group for R 32, the same alkyl groups and aryl groups as those described above for R 31 can be used.
R 32 is particularly preferably a cyano group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms having no substituent, or a fluorinated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式(B−2)または(B−3)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the oxime sulfonate-based acid generator include compounds represented by the following general formula (B-2) or (B-3).

Figure 0005906076
[式(B−2)中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。]
Figure 0005906076
[In Formula (B-2), R 33 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 34 is an aryl group. R 35 represents an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. ]

前記一般式(B−2)において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが特に好ましい。
34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
34のアリール基は、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数1〜4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100%フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。
In the general formula (B-2), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 33 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and carbon atoms. Numbers 1 to 6 are most preferable.
R 33 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 33 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred.
As the aryl group of R 34 , one hydrogen atom is removed from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a phenanthryl group. And a heteroaryl group in which a part of carbon atoms constituting the ring of these groups is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Among these, a fluorenyl group is preferable.
The aryl group of R 34 may have a substituent such as an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group, or an alkoxy group. The alkyl group or halogenated alkyl group in the substituent preferably has 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 35 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 6 carbon atoms.
R 35 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 35 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred is the strength of the acid generated. Most preferably, it is a fully fluorinated alkyl group in which a hydrogen atom is 100% fluorine-substituted.

Figure 0005906076
[式(B−3)中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。p”は2または3である。]
Figure 0005906076
[In Formula (B-3), R 36 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 37 is a divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group. R38 is an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. p ″ is 2 or 3.]

前記一般式(B−3)において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。
38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
p”は、好ましくは2である。
In the general formula (B-3), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 36 is the same as the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 33. Is mentioned.
Examples of the divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group for R 37 include groups obtained by further removing one or two hydrogen atoms from the aryl group for R 34 .
Examples of the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 38 include the same alkyl groups or halogenated alkyl groups as those having no substituent of R 35 .
p ″ is preferably 2.

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロ−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−クロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−チエン−2−イルアセトニトリル、α−(4−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−[(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−[(ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−(トシルオキシイミノ)−4−チエニルシアニド、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロオクテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−エチルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−プロピルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロペンチルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−p−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平9−208554号公報(段落[0012]〜[0014]の[化18]〜[化19])に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号(65〜86頁目のExample1〜40)に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。
Specific examples of the oxime sulfonate acid generator include α- (p-toluenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (p-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (4-nitrobenzenesulfonyloxy). Imino) -benzylcyanide, α- (4-nitro-2-trifluoromethylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-chlorobenzylcyanide, α- (benzenesulfonyl) Oxyimino) -2,4-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,6-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide, α- ( 2-Chlorobenzenesulfonyloxyimino) 4-methoxybenzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -thien-2-ylacetonitrile, α- (4-dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α-[(p-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α-[(dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α- (tosyloxyimino) -4-thienyl cyanide, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclo Pentenyl acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cycloheptenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclooctene Acetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -ethylacetonitrile, α- (propyl Sulfonyloxyimino) -propylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclopentylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- ( Ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclope Nthenyl acetonitrile, α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile , Α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (trifluoro Methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -p- Butoxy phenylacetonitrile, alpha-(propylsulfonyl oxyimino)-p-methylphenyl acetonitrile, alpha-like (methylsulfonyloxyimino)-p-bromophenyl acetonitrile.
Further, an oxime sulfonate-based acid generator disclosed in JP-A-9-208554 (paragraphs [0012] to [0014] [Chemical Formula 18] to [Chemical Formula 19]), International Publication No. 04/074242 (65). The oxime sulfonate-based acid generator disclosed in Examples 1 to 40) on page ˜86 can also be suitably used.
Moreover, the following can be illustrated as a suitable thing.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平11−035551号公報、特開平11−035552号公報、特開平11−035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、特開平11−322707号公報に開示されている、1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカンなどを挙げることができる。
Among diazomethane acid generators, specific examples of bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes include bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, Examples include bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, and the like.
Further, diazomethane acid generators disclosed in JP-A-11-035551, JP-A-11-035552, and JP-A-11-035573 can also be suitably used.
Examples of poly (bissulfonyl) diazomethanes include 1,3-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane and 1,4-bis (phenylsulfonyldiazo) disclosed in JP-A-11-322707. Methylsulfonyl) butane, 1,6-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, 1,2-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ethane, 1,3 -Bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane, 1,6-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, etc. Door can be.

(B)成分は、上述した酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記のなかでも、(B)成分は、露光により酸解離定数(pKa)が0未満の酸を発生するイオン性化合物であることが好ましく、pKaが−1以下の酸を発生するイオン性化合物であることがより好ましい。pKaが0未満の酸を発生するイオン性化合物を用いると、露光により(C)成分との塩交換反応が良好に進行して、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られやすくなる。
pKaの下限値は特に制限されないが、pKaが−15以上の酸を発生するイオン性化合物であることが好ましく、pKaが−13以上の酸を発生するイオン性化合物であることがより好ましい。
なお、上記オニウム塩におけるアニオン部の好ましい具体例として示した、スルホネート基(−SO )やスルホニルイミドアニオン基(−SO−N−SO−)には、電子吸引部位となるフッ素化アルキル基が隣接しているので、一部の例示アニオンに併記したpKaと同様、他の例示化合物もpKaが負の値の酸を発生するといえる。
As the component (B), one type of acid generator described above may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Among these, the component (B) is preferably an ionic compound that generates an acid having an acid dissociation constant (pKa) of less than 0 by exposure, and an ionic compound that generates an acid having a pKa of −1 or less. More preferably. When an ionic compound that generates an acid having a pKa of less than 0 is used, the salt exchange reaction with the component (C) proceeds satisfactorily by exposure, and it becomes easy to obtain a dissolution contrast in an organic developer.
The lower limit of pKa is not particularly limited, but is preferably an ionic compound that generates an acid having a pKa of −15 or more, and more preferably an ionic compound that generates an acid having a pKa of −13 or more.
The sulfonate group (—SO 3 ) and the sulfonylimide anion group (—SO 2 —N —— SO 2 —) shown as preferred specific examples of the anion moiety in the onium salt include fluorine serving as an electron withdrawing site. Since the alkylated alkyl groups are adjacent to each other, it can be said that other example compounds generate an acid having a negative value of pKa, similarly to pKa described together with some of the exemplified anions.

レジスト組成物中、(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.1〜50質量部であることが好ましく、0.5〜45質量部であることがより好ましく、1〜40質量部であることがさらに好ましく、2〜40質量部であることが特に好ましい。
(B)成分の含有量が上記範囲の下限値以上であると、露光により(C)成分との塩交換反応が充分に進行する。前記範囲の上限値以下であると、有機溶剤に溶解した際に、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
In the resist composition, the content of the component (B) is preferably 0.1 to 50 parts by mass and more preferably 0.5 to 45 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). Preferably, it is 1-40 mass parts, More preferably, it is 2-40 mass parts.
When the content of the component (B) is not less than the lower limit of the above range, the salt exchange reaction with the component (C) proceeds sufficiently by exposure. When the amount is not more than the upper limit of the above range, a uniform solution can be obtained when dissolved in an organic solvent, and the storage stability becomes favorable.

[その他の成分]
本発明のレジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。
[Other ingredients]
If desired, the resist composition of the present invention may further contain miscible additives such as an additional resin for improving the performance of the resist film, a surfactant for improving coatability, a dissolution inhibitor, a plasticizer. An agent, a stabilizer, a colorant, an antihalation agent, a dye, and the like can be appropriately added and contained.

・(S)成分
本発明のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤(以下「(S)成分」ということがある)に溶解させて製造することができる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、シクロヘキサノン、乳酸エチル(EL)が好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:(PGME+シクロヘキサノン)の質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA、EL、または前記PGMEAと極性溶剤との混合溶媒と、γ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
(S)成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1〜20質量%、好ましくは2〜15質量%の範囲内となる様に用いられる。
-(S) component The resist composition of the present invention can be produced by dissolving a resist material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as "(S) component").
As the component (S), any component can be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution. Conventionally, any one of known solvents for chemically amplified resists can be used. Two or more types can be appropriately selected and used.
For example, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; many such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol Monohydric alcohols; compounds having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl of the polyhydric alcohols or compound having the ester bond Ether alkyl such as ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having a propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) or propylene glycol monomethyl ether (PGME) among these]; cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, Esters such as ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, Aromatic organics such as dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene A solvent etc. can be mentioned.
These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.
Among these, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone, and ethyl lactate (EL) are preferable.
Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be within the range. For example, when EL is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7-7: 3. Further, when PGME and cyclohexanone are blended as polar solvents, the mass ratio of PGMEA: (PGME + cyclohexanone) is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2, and even more preferably 3. : 7 to 7: 3.
In addition, as the component (S), PGMEA, EL or a mixed solvent of PGMEA and a polar solvent and a mixed solvent of γ-butyrolactone are also preferable. In this case, the mixing ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5.
The amount of component (S) used is not particularly limited, but is a concentration that can be applied to a substrate or the like, and is appropriately set according to the coating film thickness. In general, the solid content concentration of the resist composition is 1 -20% by mass, preferably 2-15% by mass.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
本実施例において「pKa(酸解離定数)」は、ソフトウェア「ACD/Labs」(商品名、Advanced Chemistry Development社製)を用い、シミュレーションを行うことにより算出した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these examples.
In this example, “pKa (acid dissociation constant)” was calculated by performing simulation using software “ACD / Labs” (trade name, manufactured by Advanced Chemistry Development).

<ネガ型レジストパターン形成>
(実施例1、比較例1)
表1に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。ただし、実施例1は参考例である。
<Negative resist pattern formation>
(Example 1, Comparative Example 1)
Resist compositions were prepared by mixing and dissolving the components shown in Table 1. However, Example 1 is a reference example.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

表1中、[ ]内の数値は配合量(質量部)であり、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。
(A)−1:下記化学式(A)−1で表される共重合体。Mw10000,Mw/Mn1.87。該化学式中、構成単位( )の右下の数値はその構成単位の割合(モル%)を示す。
(C)−1:トリ−n−オクチルアミン。
(B)−1:(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、pKa−3.9。
(S)−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート。
In Table 1, the numerical value in [] is a blending amount (part by mass), and each abbreviation has the following meaning.
(A) -1: a copolymer represented by the following chemical formula (A) -1. Mw 10000, Mw / Mn 1.87. In the chemical formula, the numerical value on the lower right of the structural unit () indicates the proportion (mol%) of the structural unit.
(C) -1: tri-n-octylamine.
(B) -1: (4-methylphenyl) diphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate, pKa-3.9.
(S) -1: Propylene glycol monomethyl ether acetate.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

[コントラスト評価(1)]
表1に示すレジスト組成物を用い、以下のようにしてレジストパターンを形成してコントラスト評価を行った。
工程(1):
90℃で36秒間のヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した8インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、ベーク温度90℃で60秒間のベーク処理(PAB)を行ってレジスト膜(膜厚130nm)を成膜した。
工程(2):
次いで、該レジスト膜に対し、露光装置VUVES−4500(リソテックジャパン株式会社製)を用い、0.1〜60.0mJ/cmの範囲で露光量を変えて、ArFエキシマレーザー(193nm)の全面露光を行った。
工程(3):
次に、露光後のレジスト膜に対し、23℃にて酢酸ブチルを用いて16秒間の現像を行った。
現像後のレジスト膜の膜厚をNanospec 6100A(ナノメトリクス社製)を用いて測定した。この結果を図5に示す。
[Contrast evaluation (1)]
Using the resist composition shown in Table 1, a resist pattern was formed as follows, and the contrast was evaluated.
Step (1):
The resist composition of each example was uniformly applied using a spinner on an 8-inch silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane (HMDS) treatment at 90 ° C. for 36 seconds, and a baking temperature of 90 ° C. for 60 seconds. A baking process (PAB) was performed to form a resist film (thickness 130 nm).
Step (2):
Next, with respect to the resist film, an exposure apparatus VUVES-4500 (manufactured by RISOTEC JAPAN Co., Ltd.) was used, and the exposure amount was changed within the range of 0.1 to 60.0 mJ / cm 2 , and an ArF excimer laser (193 nm) was used. Full exposure was performed.
Step (3):
Next, the exposed resist film was developed at 23 ° C. using butyl acetate for 16 seconds.
The resist film thickness after development was measured using Nanospec 6100A (manufactured by Nanometrics). The result is shown in FIG.

図5は、実施例1及び比較例1における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフ(コントラストカーブ)である。図5において、縦軸は現像後のレジスト膜の膜厚(Å)を、横軸は露光量(mJ/cm)を示す。
図5より、比較例1では、露光量に関係なく、膜厚がゼロに近い値を示していることから、レジスト膜は現像液に可溶であり、露光前後で、現像液に対するレジスト膜の溶解性はほとんど変化していないことが分かる。
一方、実施例1では、或る露光量の範囲で、露光量の増加に伴って膜厚が大きくなっていることから、露光によってレジスト膜露光部が難溶化していることが分かる。すなわち、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られることが分かる。
FIG. 5 is a graph (contrast curve) showing changes in the resist film thickness when the exposure amount is changed in Example 1 and Comparative Example 1. In FIG. 5, the vertical axis represents the film thickness (Å) of the developed resist film, and the horizontal axis represents the exposure dose (mJ / cm 2 ).
From FIG. 5, in Comparative Example 1, since the film thickness shows a value close to zero regardless of the exposure amount, the resist film is soluble in the developer, and the resist film with respect to the developer before and after the exposure. It can be seen that the solubility has hardly changed.
On the other hand, in Example 1, since the film thickness increases as the exposure amount increases within a certain exposure amount range, it can be seen that the resist film exposed portion is hardly soluble by exposure. That is, it can be seen that a dissolution contrast can be obtained for an organic developer.

<ポジ型レジストパターン形成(1)>
(実施例2〜3、比較例2〜3)
表2に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。
<Positive resist pattern formation (1)>
(Examples 2-3, Comparative Examples 2-3)
Each component shown in Table 2 was mixed and dissolved to prepare a resist composition.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

表2中、[ ]内の数値は配合量(質量部)であり、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。
(A)−2:下記化学式(A)−2で表されるホモポリマー。Mw7000,Mw/Mn1.12,pKa9.86。該化学式中、構成単位( )の右下の数値はその構成単位の割合(モル%)を示す。
(C)−2:下記化学式(C)−2で表される化合物、pKa1.17。
(C)−3:下記化学式(C)−3で表される化合物、pKa4.51。
(B)−2:トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、pKa−3.9。
(S)−2:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=45/30/25(質量比)の混合溶剤。
In Table 2, numerical values in [] are blending amounts (parts by mass), and each abbreviation has the following meaning.
(A) -2: A homopolymer represented by the following chemical formula (A) -2. Mw7000, Mw / Mn1.12, pKa9.86. In the chemical formula, the numerical value on the lower right of the structural unit () indicates the proportion (mol%) of the structural unit.
(C) -2: a compound represented by the following chemical formula (C) -2, pKa 1.17.
(C) -3: Compound represented by the following chemical formula (C) -3, pKa4.51.
(B) -2: triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate, pKa-3.9.
(S) -2: Mixed solvent of PGMEA / PGME / cyclohexanone = 45/30/25 (mass ratio).

Figure 0005906076
Figure 0005906076

[PGMEA/PGME混合溶剤に対する溶解性評価(1)]
表2に示す各例の(A)成分と(C)成分と(B)成分との混合物を、PGMEAとPGMEとの混合溶剤(PGMEA/PGME(質量比)=6/4)に加え、該混合物の溶解性について評価した。
その結果、実施例2〜3における混合物の場合は白濁物を生じ、比較例2〜3における混合物の場合は溶解した。
実施例2〜3における混合物の場合に生じた白濁物は、シクロヘキサノンをさらに加えてPGMEAとPGMEとシクロヘキサノンとの混合溶剤とすることにより溶解した。
これより、白濁物は、樹脂と化合物(C)とによる会合構造体であると考えられ、シクロヘキサノンを加えて溶解した状態は、会合構造体が溶液中で溶解している状態であると考えられる。
[Solubility Evaluation for PGMEA / PGME Mixed Solvent (1)]
The mixture of the component (A), the component (C), and the component (B) shown in Table 2 is added to a mixed solvent of PGMEA and PGMEA (PGMEA / PGME (mass ratio) = 6/4), The solubility of the mixture was evaluated.
As a result, in the case of the mixtures in Examples 2 to 3, a cloudy product was formed, and in the case of the mixtures in Comparative Examples 2 to 3, the mixture was dissolved.
The white turbidity produced in the case of the mixtures in Examples 2 to 3 was dissolved by further adding cyclohexanone to form a mixed solvent of PGMEA, PGME and cyclohexanone.
From this, it is considered that the cloudy substance is an association structure of the resin and the compound (C), and the state in which cyclohexanone is added and dissolved is considered to be a state in which the association structure is dissolved in the solution. .

[コントラスト評価(2)]
表2に示すレジスト組成物を用い、以下のようにしてレジストパターンを形成してコントラスト評価を行った。
工程(1):
90℃で36秒間のヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した8インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、ベーク温度90℃で60秒間のベーク処理(PAB)を行ってレジスト膜(膜厚200nm)を成膜した。
工程(2):
次いで、該レジスト膜に対し、露光装置VUVES−4500(リソテックジャパン株式会社製)を用い、0.1〜60.0mJ/cmの範囲で露光量をそれぞれ変えて、KrFエキシマレーザー(248nm)の全面露光を行った。
工程(3):
次に、露光後のレジスト膜に対し、ベーク温度90℃で60秒間のベーク処理(PEB)を行い、その後、23℃にて酢酸ブチルを用いて16秒間の現像を行った。
現像後のレジスト膜の膜厚をNanospec 6100A(ナノメトリクス社製)を用いて測定した。この結果を図6〜9に示す。
[Contrast evaluation (2)]
Using the resist composition shown in Table 2, a resist pattern was formed as follows, and the contrast was evaluated.
Step (1):
The resist composition of each example was uniformly applied using a spinner on an 8-inch silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane (HMDS) treatment at 90 ° C. for 36 seconds, and a baking temperature of 90 ° C. for 60 seconds. Bake treatment (PAB) was performed to form a resist film (film thickness 200 nm).
Step (2):
Next, an exposure apparatus VUVES-4500 (manufactured by RISOTEC Japan Co., Ltd.) is used for the resist film, and the exposure dose is changed within the range of 0.1 to 60.0 mJ / cm 2 , and a KrF excimer laser (248 nm). The whole surface exposure was performed.
Step (3):
Next, the exposed resist film was baked (PEB) at a baking temperature of 90 ° C. for 60 seconds, and then developed at 23 ° C. with butyl acetate for 16 seconds.
The resist film thickness after development was measured using Nanospec 6100A (manufactured by Nanometrics). The results are shown in FIGS.

図6〜9は、各実施例と比較例における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフ(コントラストカーブ)である。各図において、縦軸は現像後のレジスト膜の膜厚(Å)を、横軸は露光量(mJ/cm)を示す。
図6より、比較例2では、露光量に関係なく、膜厚がほぼゼロを示していることから、レジスト膜は現像液に可溶であり、露光前後で、現像液に対するレジスト膜の溶解性はほとんど変化していないことが分かる。
図7より、比較例3では、露光量の変化に対して膜厚が一定であることから、レジスト膜は現像液に不溶であり、露光前後で、現像液に対するレジスト膜の溶解性はほとんど変化していないことが分かる。
図8より、実施例2では、露光量の増加に伴って膜厚が徐々に減少し、4〜5mJ/cmの範囲で大きく膜厚が減少していることから、レジスト膜は現像液に不溶であり、或る露光量で、現像液に対するレジスト膜露光部の溶解性が大きく増大していることが分かる。
図9より、実施例3では、露光量の増加に伴って膜厚が徐々に減少し、6〜7mJ/cmの範囲で大きく膜厚が減少していることから、レジスト膜は現像液に不溶であり、或る露光量で、現像液に対するレジスト膜露光部の溶解性が大きく増大していることが分かる。
以上より、実施例2、3のレジスト組成物は、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られることが分かる。加えて、実施例2は実施例3に比べて高感度であることも分かる。
6 to 9 are graphs (contrast curves) showing changes in the resist film thickness when the exposure amount is changed in each of the examples and the comparative examples. In each figure, the vertical axis represents the film thickness (Å) of the developed resist film, and the horizontal axis represents the exposure dose (mJ / cm 2 ).
As shown in FIG. 6, in Comparative Example 2, the film thickness is almost zero regardless of the exposure amount. Therefore, the resist film is soluble in the developer, and the solubility of the resist film in the developer before and after the exposure. It can be seen that there has been little change.
From FIG. 7, in Comparative Example 3, since the film thickness is constant with respect to the change in the exposure amount, the resist film is insoluble in the developer, and the solubility of the resist film in the developer almost changes before and after the exposure. You can see that they are not.
From FIG. 8, in Example 2, the film thickness gradually decreased as the exposure amount increased, and the film thickness decreased greatly in the range of 4 to 5 mJ / cm 2. It is insoluble, and it can be seen that the solubility of the exposed portion of the resist film in the developer is greatly increased at a certain exposure amount.
From FIG. 9, in Example 3, the film thickness gradually decreased as the exposure amount increased, and the film thickness decreased greatly in the range of 6 to 7 mJ / cm 2. It is insoluble, and it can be seen that the solubility of the exposed portion of the resist film in the developer is greatly increased at a certain exposure amount.
From the above, it can be seen that the resist compositions of Examples 2 and 3 have a dissolution contrast with respect to the organic developer. In addition, it can be seen that Example 2 is more sensitive than Example 3.

<ポジ型レジストパターン形成(2)>
(実施例4)
表3に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。
<Positive resist pattern formation (2)>
Example 4
Each component shown in Table 3 was mixed and dissolved to prepare a resist composition.

Figure 0005906076
Figure 0005906076

表3中、[ ]内の数値は配合量(質量部)であり、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。
(A)−2:前記化学式(A)−2で表されるホモポリマー。Mw7000,Mw/Mn1.12,pKa9.86。
(C)−3:前記化学式(C)−3で表される化合物、pKa4.51。
(B)−2:トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、pKa−3.9。
(S)−2:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=45/30/25(質量比)の混合溶剤。
In Table 3, numerical values in [] are blending amounts (parts by mass), and each abbreviation has the following meaning.
(A) -2: A homopolymer represented by the chemical formula (A) -2. Mw7000, Mw / Mn1.12, pKa9.86.
(C) -3: Compound represented by the chemical formula (C) -3, pKa4.51.
(B) -2: triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate, pKa-3.9.
(S) -2: Mixed solvent of PGMEA / PGME / cyclohexanone = 45/30/25 (mass ratio).

[PGMEA/PGME混合溶剤に対する溶解性評価(2)]
表3に示す各例の(A)成分と(C)成分と(B)成分との混合物を、PGMEAとPGMEとの混合溶剤(PGMEA/PGME(質量比)=6/4)に加え、該混合物の溶解性について評価した。
その結果、実施例4における混合物は白濁物を生じた。
この実施例4における混合物の場合に生じた白濁物は、シクロヘキサンをさらに加えてPGMEAとPGMEとシクロヘキサンとの混合溶剤とすることにより溶解した。
これより、白濁物は、樹脂と化合物(C)とによる会合構造体であると考えられ、シクロヘキサノンを加えて溶解した状態は、会合構造体が溶液中で溶解している状態であると考えられる。
[Solubility Evaluation for PGMEA / PGME Mixed Solvent (2)]
The mixture of the component (A), the component (C) and the component (B) shown in Table 3 was added to a mixed solvent of PGMEA and PGMEA (PGMEA / PGME (mass ratio) = 6/4), The solubility of the mixture was evaluated.
As a result, the mixture in Example 4 produced white turbidity.
The cloudy matter produced in the case of the mixture in Example 4 was dissolved by further adding cyclohexane to form a mixed solvent of PGMEA, PGME and cyclohexane.
From this, it is considered that the cloudy substance is an association structure of the resin and the compound (C), and the state in which cyclohexanone is added and dissolved is considered to be a state in which the association structure is dissolved in the solution. .

[コントラスト評価(3)]
表3に示すレジスト組成物を用い、以下のようにしてレジストパターンを形成してコントラスト評価を行った。
工程(1):
90℃で36秒間のヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した8インチシリコン基板上に、レジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、ベーク温度90℃で60秒間のベーク処理(PAB)を行ってレジスト膜(膜厚200nm)を成膜した。
工程(2):
次いで、該レジスト膜に対し、KrF露光装置NSR−S203(ニコン社製;NA(開口数)=0.68,OFF LINE)を用い、KrFエキシマレーザー(248nm)を、ライン幅200nm/ピッチ400nmのラインアンドスペースをターゲットとするマスクパターン(ハーフトーン)を介して選択的に照射した。
工程(3):
次に、露光後のレジスト膜に対し、ベーク温度90℃で60秒間のベーク処理(PEB)を行い、その後、23℃にて酢酸ブチルを用いて16秒間の現像を行った。
[Contrast evaluation (3)]
Using the resist composition shown in Table 3, a resist pattern was formed as follows, and the contrast was evaluated.
Step (1):
The resist composition was uniformly applied using a spinner on an 8-inch silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane (HMDS) treatment at 90 ° C. for 36 seconds, and baked at a baking temperature of 90 ° C. for 60 seconds ( PAB) was performed to form a resist film (film thickness 200 nm).
Step (2):
Next, a KrF excimer laser (248 nm) is applied to the resist film with a line width of 200 nm / pitch of 400 nm using a KrF exposure apparatus NSR-S203 (manufactured by Nikon; NA (numerical aperture) = 0.68, OFF LINE). Irradiation was selectively performed through a mask pattern (halftone) targeting line and space.
Step (3):
Next, the exposed resist film was baked (PEB) at a baking temperature of 90 ° C. for 60 seconds, and then developed at 23 ° C. with butyl acetate for 16 seconds.

その結果、実施例4のレジスト組成物を用いた場合、ライン幅200nm/ピッチ400nmのラインアンドスペースのポジ型レジストパターンが解像した(その際の最適露光量は42mJ/cmであった)。 As a result, when the resist composition of Example 4 was used, a line-and-space positive resist pattern with a line width of 200 nm / pitch of 400 nm was resolved (the optimum exposure at that time was 42 mJ / cm 2 ). .

1 支持体、2 レジスト膜、2a 露光部、2b 未露光部、3 フォトマスク   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Support body, 2 Resist film, 2a Exposed part, 2b Unexposed part, 3 Photomask

Claims (2)

酸性基を有し、酸の作用により分解する構造を含まない基材成分(A)と、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物(C)と、酸解離定数(pKa)が0未満であり、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上に、前記酸性基と前記化合物(C)との会合構造を有するレジスト膜を形成する工程(1)と、
前記レジスト膜を露光し、前記酸発生剤成分(B)から発生する酸と、前記会合構造を形成していた前記化合物(C)とのあらたな会合構造を形成して、前記酸性基を露出させる工程(2)と、
前記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像し、前記レジスト膜の露光部を溶解除去してポジ型レジストパターンを形成する工程(3)と
を含むレジストパターン形成方法。
It possesses an acidic group, the base component containing no decomposing structure under the action of an acid (A), a compound capable of forming the acid group and association structure (C), and an acid dissociation constant (pKa) of less than 0 And using a resist composition containing an acid generator component (B) that generates an acid having higher strength than the acidic group by exposure, the acidic group and the compound (C) are supported on a support. Forming a resist film having an association structure (1);
The resist film is exposed to form a new association structure between the acid generated from the acid generator component (B) and the compound (C) that has formed the association structure, thereby exposing the acidic group. Step (2)
Developing the resist film using a developer containing an organic solvent, and dissolving and removing the exposed portion of the resist film to form a positive resist pattern (3).
前記酸発生剤成分(B)が、露光により酸解離定数(pKa)が0未満の酸を発生するイオン性化合物である、請求項1記載のレジストパターン形成方法。   The resist pattern formation method of Claim 1 whose said acid generator component (B) is an ionic compound which generate | occur | produces the acid whose acid dissociation constant (pKa) is less than 0 by exposure.
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