JP5888096B2 - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
JP5888096B2
JP5888096B2 JP2012101312A JP2012101312A JP5888096B2 JP 5888096 B2 JP5888096 B2 JP 5888096B2 JP 2012101312 A JP2012101312 A JP 2012101312A JP 2012101312 A JP2012101312 A JP 2012101312A JP 5888096 B2 JP5888096 B2 JP 5888096B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
ring
light emitting
layer
transparent conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012101312A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013229218A (en
Inventor
池津 勇一
勇一 池津
宏 石代
宏 石代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2012101312A priority Critical patent/JP5888096B2/en
Publication of JP2013229218A publication Critical patent/JP2013229218A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5888096B2 publication Critical patent/JP5888096B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、表示装置に関し、特には有機材料を用いて構成された発光層を有する発光ユニットを複数層重ねて配置したタンデム構造の有機電界発光素子を用いた表示装置に関する。   The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device using an organic electroluminescent element having a tandem structure in which a plurality of light emitting units each having a light emitting layer formed using an organic material are stacked.

有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence:以下ELと記す)を利用した有機電界発光素子(いわゆる有機EL素子)は、数V〜数十V程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このような有機電界発光素子を用いた表示装置は、薄型でかつ軽量であるだけではなく、フレキシブルな屈曲性を有する表示装置が実現可能であるとして注目されている。   An organic electroluminescent element (so-called organic EL element) using electroluminescence (hereinafter referred to as EL) of an organic material is a thin-film type completely solid element capable of emitting light at a low voltage of several V to several tens V. It has many excellent features such as high brightness, high luminous efficiency, thinness, and light weight. A display device using such an organic electroluminescent element is notable for being thin and lightweight, and has attracted attention as being capable of realizing a display device having flexible flexibility.

近年、このような有機電界発光素子を用いた表示装置においては、画素の微細化を図ることを一つの目的とし、複数色の発光ユニットを積層させたタンデム構造の有機電界発光素子を用いる構成が提案されている。この場合、発光ユニット間には、各発光ユニットにおける発光を制御するための中間電極を配置する必要があるが、この中間電極には発光光の吸収を抑えた光透過性が要求されている。このような中間電極として、Mg、Mg/Ag、さらにはヒ素(As)のような仕事関数が小さい金属層と、酸化インジウムスズ(SnO−In:Indium Tin Oxide:ITO)との積層体が開示されている(下記特許文献1参照)。 In recent years, a display device using such an organic electroluminescent element has a configuration in which an organic electroluminescent element having a tandem structure in which light emitting units of a plurality of colors are stacked is aimed at miniaturization of pixels. Proposed. In this case, it is necessary to dispose an intermediate electrode for controlling light emission in each light emitting unit between the light emitting units, and this intermediate electrode is required to have light transmittance with suppressed absorption of emitted light. As such an intermediate electrode, a metal layer having a small work function such as Mg, Mg / Ag, and arsenic (As), and indium tin oxide (SnO 2 —In 2 O 3 : Indium Tin Oxide: ITO) A laminate is disclosed (see Patent Document 1 below).

特許3496681号公報Japanese Patent No. 3496681

しかしながら、金属層とITOとの積層構造で構成された中間電極は、十分な導電性と光透過性との両立を図ることが困難であり、表示装置においての色再現性を低下させる要因になっている。   However, an intermediate electrode composed of a laminated structure of a metal layer and ITO is difficult to achieve both sufficient electrical conductivity and light transmission, which causes a decrease in color reproducibility in a display device. ing.

そこで本発明は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた中間電極を用いることにより、タンデム型の有機電界発光素子における色調の制御性が良好で、これにより色再現性に優れた表示装置を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides a display device with excellent color reproducibility by using an intermediate electrode that has both sufficient conductivity and light transmission, thereby providing excellent color tone controllability in a tandem organic electroluminescent device. The purpose is to provide.

本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。   The above object of the present invention is achieved by the following configurations.

1.一対の電極と、
有機材料を用いて構成された異なる発光色の発光層を有し、前記電極間に重ねて配置された複数の発光ユニットと、
銀または銀を主成分とした合金を用いて構成され、前記発光ユニット間に配置された透明導電層と、
窒素原子を含有する化合物を用いて構成され、前記透明導電層に隣接して配置された窒素含有層と、
を備えた表示装置。
1. A pair of electrodes;
A plurality of light emitting units each having a light emitting layer of a different light emission color configured using an organic material, and arranged in an overlapping manner between the electrodes;
Composed of silver or a silver-based alloy, and a transparent conductive layer disposed between the light emitting units;
Composed of a compound containing nitrogen atoms, and a nitrogen-containing layer disposed adjacent to the transparent conductive layer;
A display device comprising:

2.前記窒素含有層を構成する化合物は、下記式(1)で表される銀との有効作用エネルギーΔEefが下記式(2)を満たす
前記1に記載の表示装置。
2. The display device according to 1, wherein the compound constituting the nitrogen-containing layer has an effective action energy ΔEef with silver represented by the following formula (1) satisfying the following formula (2).

3.前記化合物は、下記一般式(1)で表される化合物を含む
前記1または2に記載の表示装置。
〔ただし一般式(1)中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。
E51〜E66、E71〜E88は、各々−C(R3)=または−N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。
またE71〜E79の少なくとも1つおよびE80〜E88の少なくとも1つは−N=を表す。n3およびn4は0〜4の整数を表すが、n3+n4は2以上の整数である。〕
3. The display device according to 1 or 2, wherein the compound includes a compound represented by the following general formula (1).
[In General Formula (1), Y5 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof.
E51 to E66 and E71 to E88 each represent -C (R3) = or -N =, and R3 represents a hydrogen atom or a substituent.
At least one of E71 to E79 and at least one of E80 to E88 represent -N =. n3 and n4 represent an integer of 0 to 4, but n3 + n4 is an integer of 2 or more. ]

4.前記化合物は、下記一般式(2)で表される化合物を含む
前記1または2に記載の表示装置。
〔ただし一般式(2)中、T11,T12のうち少なくとも1つは窒素原子であり、T21〜T25のうち少なくとも1つは窒素原子であり、T31〜T35のうち少なくとも1つは窒素原子である。
またRは置換基を表す。〕
4). The display device according to 1 or 2, wherein the compound includes a compound represented by the following general formula (2).
[However, in General Formula (2), at least one of T11 and T12 is a nitrogen atom, at least one of T21 to T25 is a nitrogen atom, and at least one of T31 to T35 is a nitrogen atom. .
R represents a substituent. ]

5.前記複数の発光ユニットは、青色の発光光が得られる発光ユニット、緑色の発光光が得られる発光ユニット、および赤色の発光光が得られる発光ユニットである
前記1〜4の何れかに記載の表示装置。
5. The display according to any one of 1 to 4, wherein the plurality of light emitting units are a light emitting unit that obtains blue emitted light, a light emitting unit that obtains green emitted light, and a light emitting unit that obtains red emitted light. apparatus.

6.前記一対の電極のうちの一方は、光取り出し側の透明電極として構成され、
前記複数の発光ユニットは、光取り出し側に近く配置されるものほど発光波長が短い
前記1〜5のいずれかに記載の表示装置。
6). One of the pair of electrodes is configured as a transparent electrode on the light extraction side,
The display device according to any one of 1 to 5, wherein the plurality of light emitting units has a shorter emission wavelength as being arranged closer to the light extraction side.

7.前記一対の電極のうちの一方は、一方向に延設された複数の電極パターンとして構成され、
前記一対の電極のうちの他方および前記透明導電層のそれぞれは、前記一方向と交差する他方向に延設された複数の電極パターンとして構成され、
前記発光ユニットは、前記一対の電極と前記透明導電層との間に連続膜として形成されている
前記1〜6の何れかに記載の表示装置。
7). One of the pair of electrodes is configured as a plurality of electrode patterns extending in one direction,
Each of the other of the pair of electrodes and the transparent conductive layer is configured as a plurality of electrode patterns extending in the other direction intersecting the one direction,
The display device according to any one of 1 to 6, wherein the light emitting unit is formed as a continuous film between the pair of electrodes and the transparent conductive layer.

8.前記一対の電極のうちの一方および前記透明導電層は、複数の画素電極として構成され、
前記一対の電極のうちの他方は、共通電極として前記複数の画素電極に対向配置され、
前記発光ユニットは、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に連続膜として形成されている
前記1〜6の何れかに記載の表示装置。
8). One of the pair of electrodes and the transparent conductive layer are configured as a plurality of pixel electrodes,
The other of the pair of electrodes is disposed to be opposed to the plurality of pixel electrodes as a common electrode,
The display device according to any one of 1 to 6, wherein the light emitting unit is formed as a continuous film between the plurality of pixel electrodes and the common electrode.

以上のように構成された本発明の表示装置は、発光ユニット間に、銀または銀を主成分とした合金で構成された透明導電層と、これに隣接させた窒素含有層とを挟持させた構成である。ここで窒素含有層に隣接させた透明導電層は、これを構成する銀原子が窒素含有層を構成する窒素原子と相互作用し、窒素含有層表面においての拡散距離が減少して銀の凝集が抑えられたものとなる。このため、透明導電層は、一般的には核成長型(Volumer−Weber:VW型)での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型(Frank−van der Merwe:FW型)の膜成長によって成膜され、これによって薄い膜厚でありながらも均一な膜厚を有する層となっている。したがって、発光ユニット間には、より薄い膜厚として光透過率を保ちつつも、導電性が確保された透明導電層が挟持されることになる。   In the display device of the present invention configured as described above, a transparent conductive layer composed of silver or an alloy containing silver as a main component and a nitrogen-containing layer adjacent thereto are sandwiched between light emitting units. It is a configuration. Here, in the transparent conductive layer adjacent to the nitrogen-containing layer, the silver atoms constituting this interact with the nitrogen atoms constituting the nitrogen-containing layer, the diffusion distance on the surface of the nitrogen-containing layer is reduced, and silver aggregation occurs. It will be suppressed. For this reason, the transparent conductive layer is generally a single-layer growth type (Frank-van der Merwe: FW) which is easily isolated in an island shape by film growth of a nuclear growth type (Volume-Weber: VW type). The film is formed by the film growth of the mold, thereby forming a thin film having a uniform film thickness. Therefore, between the light emitting units, a transparent conductive layer in which conductivity is secured while sandwiching the light transmittance with a thinner film thickness is sandwiched.

この結果、透明導電層を中間電極として用いることで、複数の発光ユニットにおいての発光を高精度に制御しつつも、透明導電層においての発光光の吸収を防止することができる。   As a result, by using the transparent conductive layer as an intermediate electrode, it is possible to prevent absorption of emitted light in the transparent conductive layer while controlling light emission in the plurality of light emitting units with high accuracy.

以上説明したように本発明によれば、複数の発光ユニットにおいての発光を高精度に制御しつつも、透明導電層においての発光光の吸収を防止することが可能となることにより、タンデム型の有機電界発光素子において積層された各発光ユニットからの光取出し効率を低下させることなく色調の制御性が向上し、この結果としてこの有機電界発光素子を用いた表示装置の明度および色再現性の向上を図ることが可能になる。   As described above, according to the present invention, it is possible to prevent the absorption of the emitted light in the transparent conductive layer while controlling the light emission in the plurality of light emitting units with high accuracy. Color tone controllability is improved without reducing the light extraction efficiency from each light emitting unit stacked in the organic electroluminescent element, and as a result, the brightness and color reproducibility of the display device using this organic electroluminescent element is improved. Can be achieved.

実施形態の表示装置に用いる透明導電層の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent conductive layer used for the display apparatus of embodiment. 実施形態の表示装置に用いるタンデム構造の有機電界発光素子の構成を説明するための要部の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the principal part for demonstrating the structure of the organic electroluminescent element of the tandem structure used for the display apparatus of embodiment. 有機電界発光素子を用いたパッシブマトリックス型の表示装置の構成を説明するための平面模式図である。It is a plane schematic diagram for demonstrating the structure of the passive matrix type display apparatus using an organic electroluminescent element. 図3の表示装置における3画素分の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for 3 pixels in the display apparatus of FIG. 有機電界発光素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置の構成を説明するための平面模式図である。It is a plane schematic diagram for demonstrating the structure of the active matrix type display apparatus using an organic electroluminescent element. 図5の表示装置における3画素分の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for 3 pixels in the display apparatus of FIG. 有機電界発光素子を用いた他のアクティブマトリックス型の表示装置の構成を説明するための3画素分の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for 3 pixels for demonstrating the structure of the other active matrix type display apparatus using an organic electroluminescent element. 実施例で作製した透明電極における有効作用エネルギーΔEefとシート抵抗との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between effective action energy (DELTA) Eef and sheet resistance in the transparent electrode produced in the Example.

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
1.表示装置に用いる透明導電層の構成
2.表示装置に用いる有機電界発光素子の構成
3.有機電界発光素子を用いたパッシブマトリックス型の表示装置
4.有機電界発光素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置
5.有機電界発光素子を用いた他のアクティブマトリックス型の表示装置
6.変形例1
7.変形例2
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the following order based on the drawings.
1. 1. Configuration of transparent conductive layer used in display device 2. Configuration of organic electroluminescent element used in display device 3. Passive matrix type display device using organic electroluminescence device. 4. Active matrix display device using organic electroluminescence device 5. Other active matrix type display devices using organic electroluminescent elements Modification 1
7). Modification 2

≪1.表示装置に用いる透明導電層の構成≫
図1は、タンデム構造の有機電界発光素子に用いる透明導電層の構成を示す断面模式図である。この図に示すように、透明導電層1bは、窒素含有層1aに隣接して設けられていることを特徴としている。この透明導電層1bは、銀(Ag)または銀を主成分とした合金を用いて構成されている。また窒素含有層1aは、窒素原子を含有する化合物を用いて構成され、特に透明導電層1bを構成する主材料である銀との間に、以降に説明する有効作用エネルギーΔEefが特定の関係を有する材料を用いて構成された層であることを特徴としている。
<< 1. Configuration of transparent conductive layer used in display device >>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a transparent conductive layer used in an organic electroluminescent device having a tandem structure. As shown in this figure, the transparent conductive layer 1b is characterized by being provided adjacent to the nitrogen-containing layer 1a. The transparent conductive layer 1b is made of silver (Ag) or an alloy containing silver as a main component. The nitrogen-containing layer 1a is composed of a compound containing a nitrogen atom, and the effective action energy ΔEef described below has a specific relationship with silver, which is the main material constituting the transparent conductive layer 1b. It is characterized by being a layer composed of a material having the same.

<窒素含有層1a>
窒素含有層1aは、窒素原子を含有する化合物のうち、透明導電層1bを構成する主材料である銀(Ag)との間に、特定の関係を有する化合物を用いて構成された層である。ここでは、化合物と銀との間に相互に作用するエネルギーとして、下記式(1)で示される有効作用エネルギーΔEefを定義した。そして、この有効作用エネルギーΔEefが下記式(2)を満たす、特定の関係を有する化合物を用いて窒素含有層1aを構成する。
<Nitrogen-containing layer 1a>
The nitrogen-containing layer 1a is a layer formed using a compound having a specific relationship with silver (Ag), which is a main material constituting the transparent conductive layer 1b, among compounds containing nitrogen atoms. . Here, the effective action energy ΔEef represented by the following formula (1) is defined as the energy that interacts between the compound and silver. And this effective action energy (DELTA) Eef comprises the nitrogen-containing layer 1a using the compound which has the specific relationship which satisfy | fills following formula (2).

銀と安定的に結合する化合物中の窒素原子の数[n]とは、化合物中に含有される窒素原子のうちから、銀と安定的に結合する窒素原子のみを、特定の窒素原子として選択してカウントした数である。選択対象となる窒素原子は、化合物中に含まれる全ての窒素原子であり、複素環を構成する窒素原子に限定されることはない。このような化合物中に含まれる全ての窒素原子の中からの、特定の窒素原子の選択は、例えば分子軌道計算法によって算出される銀と化合物中の窒素原子との結合距離[r(Ag・N)]、または化合物中の窒素原子を含む環に対して当該窒素原子と銀とのなす角度、すなわち二面角[D]を指標として次のように行われる。尚、分子軌道計算は、例えばGaussian 03(Gaussian, Inc., Wallingford, CT, 2003)を用いて行われる。   The number of nitrogen atoms in the compound that stably binds to silver [n] is selected from the nitrogen atoms contained in the compound as the specific nitrogen atom only from the nitrogen atoms that stably bind to silver Is the number counted. The nitrogen atoms to be selected are all nitrogen atoms contained in the compound, and are not limited to the nitrogen atoms constituting the heterocyclic ring. The selection of a specific nitrogen atom out of all the nitrogen atoms contained in such a compound is, for example, the bond distance [r (Ag · Ag · N)], or the angle between the nitrogen atom and silver, that is, the dihedral angle [D], relative to the ring containing the nitrogen atom in the compound, is performed as follows. The molecular orbital calculation is performed using, for example, Gaussian 03 (Gaussian, Inc., Wallingford, CT, 2003).

先ず、結合距離[r(Ag・N)]を指標とした場合、各化合物の立体的な構造を考慮し、当該化合物において窒素原子と銀とが安定的に結合する距離を、「安定結合距離」として設定しておく。そして、当該化合物に含有される各窒素原子について、分子軌道計算法を用いて結合距離[r(Ag・N)]を算出する。そして算出された結合距離[r(Ag・N)]が、「安定結合距離」と近い値を示す窒素原子を、特定の窒素原子として選択する。このような窒素原子の選択は、複素環を構成する窒素原子が多く含まれる化合物、および複素環を構成しない窒素原子が多く含まれる化合物に対して適用される。   First, when the bond distance [r (Ag · N)] is used as an index, considering the steric structure of each compound, the distance at which the nitrogen atom and silver are stably bonded in the compound is expressed as “stable bond distance”. ”Is set. Then, for each nitrogen atom contained in the compound, a bond distance [r (Ag · N)] is calculated using a molecular orbital calculation method. A nitrogen atom having a calculated bond distance [r (Ag · N)] close to the “stable bond distance” is selected as a specific nitrogen atom. Such selection of a nitrogen atom is applied to a compound containing many nitrogen atoms constituting a heterocyclic ring and a compound containing many nitrogen atoms not constituting a heterocyclic ring.

また二面角[D]を指標とした場合、分子軌道計算法を用いて上述した二面角[D]を算出する。そして算出された二面角[D]が所定角度をなす窒素原子を、特定の窒素原子として選択する。ここでは、例えばD<10度をなす窒素原子を特定の窒素原子として選択する。このような二面角[D]を指標とした窒素原子の選択は、複素環を構成する窒素原子が多く含まれる化合物に対して適用される。尚、上記窒素原子の選択において、二面角[D]の閾値を10度とした理由は、次の通りである。すなわち、窒素原子の二面角[D]が10度以上となる化合物を用いて構成された窒素含有層1aに隣接させて光透過性を有する程度の薄膜で透明導電層1bを形成した場合、この透明導電層1bにおいてはシート抵抗値が測定不可であることが確認された。このことから、二面角[D]が10度以上となる窒素原子は、銀との相互作用に関与しないと推測される。このため、二面角[D]を指標とする場合、二面角[D]がD<10度をなす窒素原子のみを特定の窒素原子として選択することとした。   When the dihedral angle [D] is used as an index, the dihedral angle [D] described above is calculated using a molecular orbital calculation method. And the nitrogen atom in which the calculated dihedral angle [D] makes a predetermined angle is selected as a specific nitrogen atom. Here, for example, a nitrogen atom having D <10 degrees is selected as a specific nitrogen atom. Such selection of a nitrogen atom using the dihedral angle [D] as an index is applied to a compound containing a large number of nitrogen atoms constituting a heterocyclic ring. In the selection of the nitrogen atom, the reason why the threshold value of the dihedral angle [D] is set to 10 degrees is as follows. That is, when the transparent conductive layer 1b is formed of a thin film having light transmittance adjacent to the nitrogen-containing layer 1a configured using a compound having a dihedral angle [D] of nitrogen atoms of 10 degrees or more, It was confirmed that the sheet resistance value cannot be measured in the transparent conductive layer 1b. From this, it is estimated that the nitrogen atom whose dihedral angle [D] is 10 degrees or more does not participate in the interaction with silver. For this reason, when the dihedral angle [D] is used as an index, only a nitrogen atom having a dihedral angle [D] of D <10 degrees is selected as a specific nitrogen atom.

また、銀(Ag)と化合物中における窒素(N)との相互作用エネルギー[ΔE]は、分子軌道計算法によって算出することができ、上記のように選択された窒素と銀との間の相互作用エネルギーである。   The interaction energy [ΔE] between silver (Ag) and nitrogen (N) in the compound can be calculated by a molecular orbital calculation method, and the mutual energy between nitrogen and silver selected as described above. The energy of action.

さらに表面積[s]は、Tencube/WM(株式会社テンキューブ製)を用いて算出される。   Furthermore, the surface area [s] is calculated using Tencube / WM (manufactured by Tencube Co., Ltd.).

以上のように定義される有効作用エネルギーΔEefは、下記式(3)を満たす範囲であればさらに好ましい。   The effective action energy ΔEef defined as described above is more preferably within a range satisfying the following formula (3).

また窒素含有層1aを構成する窒素原子を含有する化合物としては、例えば窒素原子(N)をヘテロ原子とした複素環を含む化合物が用いられる。窒素原子(N)をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−C−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。中でも、1つまたは2つの窒素原子を含有して構成される複素環化合物が例示される。   Moreover, as a compound containing the nitrogen atom which comprises the nitrogen containing layer 1a, the compound containing the heterocyclic ring which used the nitrogen atom (N) as the hetero atom, for example is used. Heterocycles having a nitrogen atom (N) as a hetero atom include aziridine, azirine, azetidine, azeto, azolidine, azole, azinane, pyridine, azepane, azepine, imidazole, pyrazole, oxazole, thiazole, imidazoline, pyrazine, pyridazine, pyrimidine Morpholine, thiazine, indole, isoindole, benzimidazole, purine, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, cinnoline, pteridine, acridine, carbazole, benzo-C-cinnoline, porphyrin, chlorin, choline and the like. Among these, heterocyclic compounds containing one or two nitrogen atoms are exemplified.

また窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物として、好ましく用いられる化合物は、例えば下記一般式(1)で表される化合物や、以降に示す一般式(2)で表される化合物が例示される。本発明において、透明導電層1bに隣接して設けた窒素含有層1aは、上述した式(1)または式(2)に当てはまる化合物の中から、これらの一般式(1)または一般式(2)で示される化合物が選択して用いられる。   Moreover, as a compound which has a heterocyclic ring which used the nitrogen atom as the hetero atom, the compound preferably used is, for example, a compound represented by the following general formula (1) or a compound represented by the following general formula (2). Is done. In the present invention, the nitrogen-containing layer 1a provided adjacent to the transparent conductive layer 1b is selected from compounds represented by the above formula (1) or formula (2) among these general formulas (1) or (2). ) Is selected and used.

上記一般式(1)の式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51〜E66、E71〜E88は、各々−C(R3)=または−N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。但し、E71〜E79の少なくとも1つ及びE80〜E88の少なくとも1つは−N=を表す。n3及びn4は0〜4の整数を表すが、n3+n4は2以上の整数である。   In the formula of the general formula (1), Y5 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof. E51 to E66 and E71 to E88 each represent -C (R3) = or -N =, and R3 represents a hydrogen atom or a substituent. However, at least one of E71 to E79 and at least one of E80 to E88 represents -N =. n3 and n4 represent an integer of 0 to 4, but n3 + n4 is an integer of 2 or more.

一般式(1)において、Y5で表されるアリーレン基としては、例えば、o−フェニレン基、p−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基(例えば、[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジイル基、3,3’−ビフェニルジイル基、3,6−ビフェニルジイル基等)、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。   In the general formula (1), examples of the arylene group represented by Y5 include o-phenylene group, p-phenylene group, naphthalenediyl group, anthracenediyl group, naphthacenediyl group, pyrenediyl group, naphthylnaphthalenediyl group, and biphenyldiyl. Groups (for example, [1,1′-biphenyl] -4,4′-diyl group, 3,3′-biphenyldiyl group, 3,6-biphenyldiyl group, etc.), terphenyldiyl group, quaterphenyldiyl group And kinkphenyldiyl group, sexiphenyldiyl group, septiphenyldiyl group, octiphenyldiyl group, nobiphenyldiyl group, deciphenyldiyl group and the like.

また一般式(1)において、Y5で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等が例示される。   In the general formula (1), examples of the heteroarylene group represented by Y5 include a carbazole ring, a carboline ring, a diazacarbazole ring (also referred to as a monoazacarboline ring, and one of the carbon atoms constituting the carboline ring is nitrogen. The ring structure is replaced by an atom), a triazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a quinoxaline ring, a thiophene ring, an oxadiazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and an indole ring. And the like.

Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。   As a preferred embodiment of the divalent linking group comprising an arylene group, a heteroarylene group or a combination thereof represented by Y5, among the heteroarylene groups, a condensed aromatic heterocycle formed by condensation of three or more rings. A group derived from a condensed aromatic heterocyclic ring formed by condensing three or more rings is preferably included, and a group derived from a dibenzofuran ring or a dibenzothiophene ring is preferable. Are preferred.

一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基の例としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基、ピペリジル基(ピペリジニル基ともいう)、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、リン酸エステル基(例えば、ジヘキシルホスホリル基等)、亜リン酸エステル基(例えばジフェニルホスフィニル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。   In the general formula (1), examples of the substituent represented by R3 of —C (R3) ═ represented by E51 to E66 and E71 to E88 are alkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, propyl group). Group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group etc.), alkenyl group ( For example, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon group (aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.), for example, phenyl group, p-chlorophenyl group Mesityl, tolyl, xylyl, naphthyl, anthryl, azulenyl, acenaphthenyl, fluore Group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group), aromatic heterocyclic group (for example, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group) , Thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating that one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), a phthalazinyl group, etc.) , Heterocyclic groups (for example, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy groups (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group) Group), cycloalkoxy (Eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group) , Dodecylthio group etc.), cycloalkylthio group (eg cyclopentylthio group, cyclohexylthio group etc.), arylthio group (eg phenylthio group, naphthylthio group etc.), alkoxycarbonyl group (eg methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group) Butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), Rufamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthyl) Aminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, Phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy) Butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonyl) Amino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group) Dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl Nyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, Cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2- Ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group (for example, , Methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2- Pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group) Group, piperidyl group (also referred to as piperidinyl group), 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl group), halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), fluorinated hydrocarbon group ( For example, fluorome Group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, Phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphoric acid ester groups (eg, dihexyl phosphoryl group, etc.), phosphite ester groups (eg, diphenylphosphinyl group, etc.), phosphono groups, and the like.

これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。   Some of these substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

一般式(1)において、E51〜E58のうちの6つ以上及びE59〜E66のうちの6つ以上が、各々−C(R3)=で表されることが好ましい。   In general formula (1), it is preferable that 6 or more of E51 to E58 and 6 or more of E59 to E66 are each represented by -C (R3) =.

一般式(1)において、E75〜E79の少なくとも1つ及びE84〜E88の少なくとも1つが−N=を表すことが好ましい。   In General formula (1), it is preferable that at least 1 of E75-E79 and at least 1 of E84-E88 represent -N =.

さらには、一般式(1)において、E75〜E79のいずれか1つ及びE84〜E88のいずれか1つが−N=を表すことが好ましい。   Furthermore, in General formula (1), it is preferable that any one of E75-E79 and any one of E84-E88 represent -N =.

また、一般式(1)において、E71〜E74及びE80〜E83が、各々−C(R3)=で表されることが好ましい態様として挙げられる。   Moreover, in General formula (1), it is mentioned as a preferable aspect that E71-E74 and E80-E83 are each represented by -C (R3) =.

さらに、一般式(1)で表される化合物において、E53が−C(R3)=で表され、且つ、R3が連結部位を表すことが好ましく、さらに、E61も同時に−C(R3)=で表され、且つ、R3が連結部位を表すことが好ましい。   Furthermore, in the compound represented by the general formula (1), it is preferable that E53 is represented by -C (R3) = and R3 represents a linking site, and E61 is also represented by -C (R3) =. And R3 preferably represents a linking site.

さらに、E75及びE84が−N=で表されることが好ましく、E71〜E74及びE80〜E83が、各々−C(R3)=で表されることが好ましい。   Further, E75 and E84 are preferably represented by -N =, and E71 to E74 and E80 to E83 are each preferably represented by -C (R3) =.

また窒素含有層1aを構成する化合物の他の例として、下記一般式(2)で表される化合物が用いられる。
Moreover, the compound represented by following General formula (2) is used as another example of the compound which comprises the nitrogen containing layer 1a.

上記一般式(2)の式中、T11およびT12のうちの少なくとも1つは窒素原子であり、T21〜T25のうちの少なくとも1つは窒素原子であり、T31〜T35のうちの少なくとも1つは窒素原子である。   In the general formula (2), at least one of T11 and T12 is a nitrogen atom, at least one of T21 to T25 is a nitrogen atom, and at least one of T31 to T35 is Nitrogen atom.

また一般式(2)のうち、Rは置換基を示す。置換基の例としては、一般式(1)のR3として例示した置換基が同様に適用される。   In the general formula (2), R represents a substituent. As an example of a substituent, the substituent illustrated as R3 of General formula (1) is applied similarly.

以上のような窒素含有層1aが基板上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタ法、CVD法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。   When the nitrogen-containing layer 1a as described above is formed on a substrate, the film forming method includes a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, a dip method, or a vapor deposition method. (Resistance heating, EB method, etc.), a method using a dry process such as a sputtering method, a CVD method, or the like. Of these, the vapor deposition method is preferably applied.

[化合物の具体例]
以下に、窒素含有層1aを構成する化合物の具体例(1〜118)を示すが、これらに限定されない。尚、ここでは、上記一般式(1)および一般式(2)には含まれない化合物も例示している。また本発明において透明導電層1bに隣接して設けられる窒素含有層1aは、以下に例示される化合物(1〜118)のうちから、上述した式(1)または式(2)に当てはまる化合物が選択して用いられる。
[Specific examples of compounds]
Although the specific example (1-118) of the compound which comprises the nitrogen containing layer 1a below is shown, it is not limited to these. In addition, the compound which is not contained in the said General formula (1) and General formula (2) here is illustrated here. Further, in the present invention, the nitrogen-containing layer 1a provided adjacent to the transparent conductive layer 1b is composed of a compound applicable to the above formula (1) or formula (2) among the compounds (1 to 118) exemplified below. Select and use.

[化合物の合成例]
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物5の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。
[Examples of compound synthesis]
Specific examples of the synthesis of compound 5 are shown below as typical synthesis examples of the compound, but are not limited thereto.

工程1:(中間体1の合成)
窒素雰囲気下、2,8−ジブロモジベンゾフラン(1.0モル)、カルバゾール(2.0モル)、銅粉末(3.0モル)、炭酸カリウム(1.5モル)を、DMAc(ジメチルアセトアミド)300ml中で混合し、130℃で24時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン1Lを加え、蒸留水で3回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー(n−ヘプタン:トルエン=4:1〜3:1)にて精製し、中間体1を収率85%で得た。
Step 1: (Synthesis of Intermediate 1)
Under a nitrogen atmosphere, 2,8-dibromodibenzofuran (1.0 mol), carbazole (2.0 mol), copper powder (3.0 mol), potassium carbonate (1.5 mol), DMAc (dimethylacetamide) 300 ml Mixed in and stirred at 130 ° C. for 24 hours. The reaction solution thus obtained was cooled to room temperature, 1 L of toluene was added, washed with distilled water three times, the solvent was distilled off from the washed product under a reduced pressure atmosphere, and the residue was subjected to silica gel flash chromatography (n-heptane: Purification was performed using toluene = 4: 1 to 3: 1), and Intermediate 1 was obtained with a yield of 85%.

工程2:(中間体2の合成)
室温、大気下で中間体1(0.5モル)をDMF(ジメチルホルムアミド)100mlに溶解し、NBS(N−ブロモコハク酸イミド)(2.0モル)を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体2を収率92%で得た。
Step 2: (Synthesis of Intermediate 2)
Intermediate 1 (0.5 mol) was dissolved in 100 ml of DMF (dimethylformamide) at room temperature under air, NBS (N-bromosuccinimide) (2.0 mol) was added, and the mixture was stirred overnight at room temperature. The resulting precipitate was filtered and washed with methanol, yielding intermediate 2 in 92% yield.

工程3:(化合物5の合成)
窒素雰囲気下、中間体2(0.25モル)、2−フェニルピリジン(1.0モル)、ルテニウム錯体[(η−C)RuCl(0.05モル)、トリフェニルホスフィン(0.2モル)、炭酸カリウム(12モル)を、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)3L中で混合し、140℃で一晩撹拌した。
Step 3: (Synthesis of Compound 5)
Under a nitrogen atmosphere, intermediate 2 (0.25 mol), 2-phenylpyridine (1.0 mol), ruthenium complex [(η 6 -C 6 H 6 ) RuCl 2 ] 2 (0.05 mol), triphenyl Phosphine (0.2 mol) and potassium carbonate (12 mol) were mixed in 3 L of NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) and stirred at 140 ° C. overnight.

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン5Lを加え、反応液を濾過した。次いで減圧雰囲気下(800Pa、80℃)において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー(CHCl:EtN=20:1〜10:1)にて精製した。 After cooling the reaction solution to room temperature, 5 L of dichloromethane was added, and the reaction solution was filtered. Next, the solvent was distilled off from the filtrate under reduced pressure (800 Pa, 80 ° C.), and the residue was purified by silica gel flash chromatography (CH 2 Cl 2 : Et 3 N = 20: 1 to 10: 1).

減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で3回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物5を収率68%で得た。   After distilling off the solvent from the purified product under reduced pressure, the residue was dissolved again in dichloromethane and washed three times with water. The material obtained by washing was dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off from the dried material in a reduced-pressure atmosphere to obtain Compound 5 in a yield of 68%.

<透明導電層1b>
透明導電層1bは、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された層であって、窒素含有層1aに隣接して成膜された層である。
<Transparent conductive layer 1b>
The transparent conductive layer 1b is a layer formed using silver or an alloy containing silver as a main component, and is a layer formed adjacent to the nitrogen-containing layer 1a.

透明導電層1bが、銀(Ag)で構成される場合、Agが98atms%以上で含まれることとする。また透明導電層1bが、銀(Ag)を主成分とする合金で構成される場合、銀(Ag)を50atms%以上を含むこととする。銀(Ag)と合わせて用いられる金属は、アルミニウム(Al)、インジウム(In)、スズ(Sn)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、金(Au)、プラチナ(Pt)、マグネシウム(Mg)などである。   In the case where the transparent conductive layer 1b is made of silver (Ag), Ag is contained at 98 atms% or more. Moreover, when the transparent conductive layer 1b is comprised with the alloy which has silver (Ag) as a main component, it shall contain 50 atms% or more of silver (Ag). Metals used in combination with silver (Ag) are aluminum (Al), indium (In), tin (Sn), copper (Cu), palladium (Pd), gold (Au), platinum (Pt), magnesium (Mg) ) Etc.

以上のような透明導電層1bは、銀または銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。   The transparent conductive layer 1b as described above may have a structure in which silver or an alloy layer mainly composed of silver is divided into a plurality of layers as necessary.

さらにこの透明導電層1bは、膜厚が4〜12nmの範囲にあることが好ましい。膜厚が12nm以下であることにより、層の吸収成分または反射成分が低く抑えられ、透明導電層の光透過率が維持されるため好ましい。また、膜厚が4nm以上であることにより、層の導電性も確保される。   Furthermore, the transparent conductive layer 1b preferably has a thickness in the range of 4 to 12 nm. The film thickness of 12 nm or less is preferable because the absorption component or reflection component of the layer can be kept low and the light transmittance of the transparent conductive layer can be maintained. Moreover, the electroconductivity of a layer is also ensured because a film thickness is 4 nm or more.

このような透明導電層1bの成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタ法、CVD法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また透明導電層1bは、窒素含有層1a上に成膜されることにより、成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであっても良い。   As a method for forming such a transparent conductive layer 1b, a method using a wet process such as a coating method, an ink jet method, a coating method, a dip method, a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, or a CVD method is used. And a method using a dry process such as Of these, the vapor deposition method is preferably applied. In addition, the transparent conductive layer 1b is formed on the nitrogen-containing layer 1a so that it has sufficient conductivity even without high-temperature annealing after the film formation, etc. It may be one that has been subjected to high-temperature annealing after film formation.

<透明導電層の効果>
以上のように構成された透明導電層1bは、窒素原子を含有する化合物を用いて構成された窒素含有層1aに隣接して、銀または銀を主成分とした合金を用いて設けられた構成である。これにより、窒素含有層1aに隣接させて透明導電層1bを成膜する際には、透明導電層1bを構成する銀原子が窒素含有層1aを構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の窒素含有層1a表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的には核成長型(Volumer−Weber:VW型)での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型(Frank−van der Merwe:FW型)の膜成長によって成膜されるようになる。したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の透明導電層1bが得られるようになる。
<Effect of transparent conductive layer>
The transparent conductive layer 1b configured as described above is provided using silver or an alloy containing silver as a main component adjacent to the nitrogen-containing layer 1a configured using a compound containing nitrogen atoms. It is. Thus, when forming the transparent conductive layer 1b adjacent to the nitrogen-containing layer 1a, the silver atoms constituting the transparent conductive layer 1b interact with the compound containing nitrogen atoms constituting the nitrogen-containing layer 1a. The diffusion distance of silver atoms on the surface of the nitrogen-containing layer 1a is reduced, and aggregation of silver is suppressed. Therefore, in general, a silver thin film that is easily isolated in an island shape by film growth of a nuclear growth type (Volume-Weber: VW type) is a single-layer growth type (Frank-van der Merwe: FW type) film growth. As a result, a film is formed. Therefore, the transparent conductive layer 1b having a uniform film thickness can be obtained even though the film thickness is small.

そして特に、窒素含有層1aを構成する化合物と、透明導電層1bを構成する銀との間に相互に作用するエネルギーとして、上記式(1)に示した有効作用エネルギーΔEefを定義し、この値が−0.5≦ΔEef≦−0.10となる化合物を用いて窒素含有層1aを構成するようにした。これにより、上述したような「銀の凝集を抑える」効果が確実に得られる化合物を用いて、窒素含有層1aを形成することが可能になる。これは、後の実施例で詳細に説明するように、このような窒素含有層1a上には、極薄膜でありながらも四探針法などによるシート抵抗の測定が可能な透明導電層1bが形成されることからも確認された。   In particular, the effective action energy ΔEef shown in the above formula (1) is defined as the energy that interacts between the compound that forms the nitrogen-containing layer 1a and the silver that forms the transparent conductive layer 1b. The nitrogen-containing layer 1a is configured using a compound satisfying −0.5 ≦ ΔEef ≦ −0.10. This makes it possible to form the nitrogen-containing layer 1a using a compound that can reliably obtain the effect of “suppressing the aggregation of silver” as described above. This is because, as will be described in detail in a later embodiment, on such a nitrogen-containing layer 1a, there is a transparent conductive layer 1b that can measure sheet resistance by the four-probe method while being an extremely thin film. It was also confirmed from the formation.

以上の結果、この様な窒素含有層1aに隣接させて、薄い膜厚であることで光透過性を確保しつつも、均一な膜厚であることで導電性が確保された透明導電層1bを確実に得ることができ、銀を用いた透明導電層1bにおける導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。   As a result, the transparent conductive layer 1b which is adjacent to such a nitrogen-containing layer 1a and has a uniform film thickness while ensuring light transmission while having a thin film thickness is ensured. Therefore, it is possible to achieve both improvement in conductivity and improvement in light transmission in the transparent conductive layer 1b using silver.

またこのような透明導電層1bは、レアメタルであるインジウム(In)を主成分として用いていないため低コストであり、またZnOのような化学的に不安定な材料を用いていないため長期信頼性にも優れている。   Further, such a transparent conductive layer 1b is low-cost because it does not use indium (In), which is a rare metal, as a main component, and long-term reliability because it does not use a chemically unstable material such as ZnO. Also excellent.

≪2.表示装置に用いる有機電界発光素子の構成≫
図2は、上述した透明導電層1bを用いたタンデム構造の有機電界発光素子ELの構成を説明するための要部の断面模式図である。以下、この図に基づいて有機電界発光素子ELの構成を説明する。
≪2. Configuration of organic electroluminescent element used in display device >>
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a main part for explaining the configuration of an organic electroluminescent element EL having a tandem structure using the above-described transparent conductive layer 1b. Hereinafter, the configuration of the organic electroluminescent element EL will be described with reference to this figure.

<有機電界発光素子ELの構成>
図2に示す有機電界発光素子ELは、基板11上に設けられており、基板11側から順に、第1電極5、1つ目の発光ユニット3-1、窒素含有層1a-1、透明導電層1b-1、2つ目の発光ユニット3-2、窒素含有層1a-2、透明導電層1b-2、3つ目の発光ユニット3-3、および第2電極7をこの順に積層して構成されている。この有機電界発光素子ELにおいては、発光ユニット3-1,3-2間に、窒素含有層1a-1と透明導電層1b-1との積層体が挟持され、発光ユニット3-2,3-3間に、窒素含有層1a-2と透明導電層1b-2との積層体が挟持されているところが特徴的である。
<Configuration of organic electroluminescence element EL>
The organic electroluminescent element EL shown in FIG. 2 is provided on the substrate 11, and in order from the substrate 11 side, the first electrode 5, the first light emitting unit 3-1, the nitrogen-containing layer 1a-1, the transparent conductive material. The layer 1b-1, the second light emitting unit 3-2, the nitrogen-containing layer 1a-2, the transparent conductive layer 1b-2, the third light emitting unit 3-3, and the second electrode 7 are laminated in this order. It is configured. In this organic electroluminescent element EL, a laminated body of a nitrogen-containing layer 1a-1 and a transparent conductive layer 1b-1 is sandwiched between the light emitting units 3-1, 3-2, and the light emitting units 3-2, 3- 3 is characterized in that a laminate of a nitrogen-containing layer 1a-2 and a transparent conductive layer 1b-2 is sandwiched.

以下、有機電界発光素子ELを構成する主要各層の詳細を、基板11、第1電極5および第2電極7、窒素含有層1a-1,1a-2および透明導電層1b-1,1b-2、発光ユニット3-1,3-2,3-3、その他の構成要素、および有機電界発光素子の製造方法の順に説明する。   Hereinafter, details of the main layers constituting the organic electroluminescent element EL will be described in detail with respect to the substrate 11, the first electrode 5 and the second electrode 7, the nitrogen-containing layers 1a-1, 1a-2, and the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2. The light emitting units 3-1, 3-2, 3-3, other components, and the method for manufacturing the organic electroluminescent element will be described in this order.

<基板11>
有機電界発光素子ELが設けられる基板11は、例えばガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基板11は透明であっても不透明であってもよい。有機電界発光素子ELが、基板11側から光を取り出すボトムエミッション型である場合には、基板11は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板11としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。
<Substrate 11>
Examples of the substrate 11 on which the organic electroluminescent element EL is provided include glass and plastic, but are not limited thereto. The substrate 11 may be transparent or opaque. In the case where the organic electroluminescent element EL is a bottom emission type in which light is extracted from the substrate 11 side, the substrate 11 is preferably transparent. Examples of the transparent substrate 11 preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film.

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。尚、後述するように、第1電極5も、窒素含有層と透明導電層との積層構造とする場合、これらのガラス材料の表面には、窒素含有層との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理を施したり、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。   Examples of the glass include silica glass, soda-lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass. As will be described later, when the first electrode 5 also has a laminated structure of a nitrogen-containing layer and a transparent conductive layer, the surface of these glass materials has adhesion, durability, and smoothness to the nitrogen-containing layer. From this point of view, if necessary, physical treatment such as polishing is performed, a film made of an inorganic material or an organic material, or a hybrid film combining these films is formed.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Is mentioned.

樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜は、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.01g/(m2・24時間)以下のバリア性フィルム(バリア膜等ともいう)であることが好ましい。またさらには、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が10-3ml/(m2・24時間・atm)以下、水蒸気透過度が10-5g/(m2・24時間)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, a film made of an inorganic material or an organic material or a hybrid film combining these films may be formed. Such coatings and hybrid coatings have a water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) of 0.01 g / (measured by a method according to JIS-K-7129-1992. m 2 · 24 hours) or less of a barrier film (also referred to as a barrier film or the like) is preferable. Furthermore, the oxygen permeability measured by a method according to JIS-K-7126-1987 is 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less, and the water vapor permeability is 10 −5 g / (m 2 · 24 hours) or less high barrier film is preferable.

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層(有機層)の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   The material for forming the barrier film as described above may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like is used. be able to. Furthermore, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers (organic layers) made of an organic material. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

一方、基板11が不透明なものである場合、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。これらの基板は、フレキシブルに屈曲するフィルム状であっても良い。   On the other hand, when the substrate 11 is opaque, for example, a metal substrate such as aluminum or stainless steel, an opaque resin substrate, a ceramic substrate, or the like can be used. These substrates may be in the form of a film that bends flexibly.

<第1電極5および第2電極7>
第1電極5および第2電極7は、何れか一方が発光ユニット3-1,3-2,3-3に正孔を供給するための陽極として機能し、何れか他方が発光ユニット3-1,3-2,3-3に電子を供給するための陰極として機能する。ここでは一例として、基板11側の第1電極5が陽極、これと逆の第2電極7が陰極であることと、それぞれ駆動電圧が印加される構成となっている。
<First electrode 5 and second electrode 7>
One of the first electrode 5 and the second electrode 7 functions as an anode for supplying holes to the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3, and either one of them is the light emitting unit 3-1. , 3-2 and 3-3 function as a cathode for supplying electrons. Here, as an example, the first electrode 5 on the substrate 11 side is an anode, the opposite second electrode 7 is a cathode, and a driving voltage is applied to each.

また第1電極5および第2電極7は、少なくとも一方または両方が透明電極として機能する電極層である。例えば、基板11側の第1電極5が透明電極として構成されている場合、発光ユニット3-1,3-2,3-3で発生した発光光hは基板11側から取り出され、この有機電界発光素子ELはボトムエミッション型となる。一方、第2電極7が透明電極として構成されている場合、発光ユニット3-1,3-2,3-3で発生した発光光hは基板11と逆側から取り出され、この有機電界発光素子ELはトップエミッション型となる。以上の場合、他方の電極が、反射電極として機能する電極膜であっても良い。これに対して、第1電極5と第2電極7の両方ともが透明電極として構成されている場合、この有機電界発光素子ELは両面発光型となる。ここでは例えば、第1電極5が透明電極として構成されていることとする。   The first electrode 5 and the second electrode 7 are electrode layers in which at least one or both functions as a transparent electrode. For example, when the first electrode 5 on the substrate 11 side is configured as a transparent electrode, the emitted light h generated in the light emitting units 3-1, 3-2 and 3-3 is extracted from the substrate 11 side, and this organic electric field The light emitting element EL is a bottom emission type. On the other hand, when the second electrode 7 is configured as a transparent electrode, the emitted light h generated by the light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 is extracted from the side opposite to the substrate 11, and this organic electroluminescent element is obtained. EL is a top emission type. In the above case, the other electrode may be an electrode film that functions as a reflective electrode. On the other hand, when both the 1st electrode 5 and the 2nd electrode 7 are comprised as a transparent electrode, this organic electroluminescent element EL becomes a double-sided light emission type | mold. Here, for example, it is assumed that the first electrode 5 is configured as a transparent electrode.

以上のような第1電極5および第2電極7は、例えば金属、合金、有機または無機の導電性化合物、およびこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属、ITO、ZnO、TiO、SnO等の酸化物半導体などが挙げられる。これらの材料の中から、陰極材料または陽極材料として適する材料を選択して第1電極5および第2電極7が構成されている。 For the first electrode 5 and the second electrode 7 as described above, for example, a metal, an alloy, an organic or inorganic conductive compound, and a mixture thereof are used. Specifically, gold, aluminum, silver, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, indium, lithium / aluminum mixture, rare earth metal, ITO, ZnO, TiO 2 and oxide semiconductors such as SnO 2 . The first electrode 5 and the second electrode 7 are configured by selecting a material suitable as a cathode material or an anode material from these materials.

また第1電極5および第2電極7のうちの光取り出し側となる電極(ここでは第1電極)は、これらの材料の中から光透過性の良好な材料を用いて構成されていることとする。このような材料としては、ITO、ZnO、TiO、SnO等の酸化物半導体などが挙げられる。 Of the first electrode 5 and the second electrode 7, the electrode on the light extraction side (here, the first electrode) is composed of a material having good light transmittance among these materials. To do. Examples of such a material include oxide semiconductors such as ITO, ZnO, TiO 2 , and SnO 2 .

これらの第1電極5および第2電極7は、必要に応じた積層構造であっても良い。このような構成において、第1電極5と第2電極7とで発光ユニット3-1,3-2,3-3を挟持した部分のみが、有機電界発光素子ELにおける発光領域となる。   The first electrode 5 and the second electrode 7 may have a laminated structure as necessary. In such a configuration, only a portion where the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 are sandwiched between the first electrode 5 and the second electrode 7 is a light emitting region in the organic electroluminescent element EL.

以上のような第1電極5および第2電極7は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。この際、第1電極5および第2電極7としてのシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常5nm〜5μm、好ましくは5nm〜200nmの範囲で選ばれる。また発光ユニット3-3の上部の第2電極7は、蒸着法が適用される。   The first electrode 5 and the second electrode 7 as described above can be produced by forming a thin film from these conductive materials by a method such as vapor deposition or sputtering. At this time, the sheet resistance as the first electrode 5 and the second electrode 7 is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm, preferably 5 nm to 200 nm. Further, the vapor deposition method is applied to the second electrode 7 on the upper part of the light emitting unit 3-3.

<窒素含有層1a-1,1a-2および透明導電層1b-1,1b-2>
窒素含有層1a-1,1a-2および透明導電層1b-1,1b-2は、先に説明した構成のものであり、ここでは例えば基板11側から順に、窒素含有層1a-1、透明導電層1b-1が配置され、同様に窒素含有層1a-2、透明導電層1b-2が配置されている。ここで第1電極5が陽極、第2電極7が陰極である場合、透明導電層1b-1は、これよりも第1電極(陽極)5側の発光ユニット3-1に対して陰極として機能し、これよりも第2電極(陰極)7側の発光ユニット3-2に対して陽極として機能する。これは、透明導電層1b-2も同様である。
<Nitrogen-containing layers 1a-1, 1a-2 and transparent conductive layers 1b-1, 1b-2>
The nitrogen-containing layers 1a-1 and 1a-2 and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 have the structures described above. Here, for example, the nitrogen-containing layer 1a-1 and the transparent layer are sequentially formed from the substrate 11 side. A conductive layer 1b-1 is disposed, and similarly, a nitrogen-containing layer 1a-2 and a transparent conductive layer 1b-2 are disposed. When the first electrode 5 is an anode and the second electrode 7 is a cathode, the transparent conductive layer 1b-1 functions as a cathode for the light emitting unit 3-1 on the first electrode (anode) 5 side. Further, it functions as an anode for the light emitting unit 3-2 on the second electrode (cathode) 7 side. The same applies to the transparent conductive layer 1b-2.

そして、発光ユニット3-1と透明導電層1b-1との間に挟持された窒素含有層1a-1は、発光ユニット3-1の一部を構成する層であるともみなされる。同様に、発光ユニット3-2と透明導電層1b-2との間に挟持された窒素含有層1a-2は、発光ユニット3-2の一部を構成する層であるともみなされる。   The nitrogen-containing layer 1a-1 sandwiched between the light emitting unit 3-1 and the transparent conductive layer 1b-1 is also regarded as a layer constituting a part of the light emitting unit 3-1. Similarly, the nitrogen-containing layer 1a-2 sandwiched between the light emitting unit 3-2 and the transparent conductive layer 1b-2 is regarded as a layer constituting a part of the light emitting unit 3-2.

この場合、透明導電層1b-1は発光ユニット3-1に対して陰極として機能し、透明導電層1b-2は発光ユニット3-2に対して陰極として機能する。したがって、窒素含有層1a-1,1a-2は、上述した式(1)または式(2)を満たす材料のなかから、さらに電子輸送性または電子注入性を有する材料を用いて構成されることが好ましい。またこのような窒素含有層1a-1,1a-2は、以降において電子輸送材料として例示する材料のなかから、さらに式(1)または式(2)を満たす材料を用いて構成されても良い。   In this case, the transparent conductive layer 1b-1 functions as a cathode for the light emitting unit 3-1, and the transparent conductive layer 1b-2 functions as a cathode for the light emitting unit 3-2. Therefore, the nitrogen-containing layers 1a-1 and 1a-2 are configured by using a material having an electron transporting property or an electron injecting property from materials satisfying the above-described formula (1) or (2). Is preferred. Further, such nitrogen-containing layers 1a-1 and 1a-2 may be configured using a material satisfying the formula (1) or the formula (2) among the materials exemplified as the electron transport material hereinafter. .

以上のように窒素含有層1a-1,1a-2が電子輸送性または電子注入性を有する層として用いられる場合、これらの窒素含有層1a-1,1a-2には、アルカリ金属やアルカリ金属塩、またはアルカリ土類金属やアルカリ土類金属塩などを混合して含有させることもできる。具体的には、リチウム、カリウム、ナトリウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムなどの金属と、これらの塩を挙げることができる。混合添加する方法としては、窒素含有化合物との共蒸着などが好ましく挙げられる。これにより、陰極から注入された電子の発光層までの移動速度を向上させ、発光効率を向上させることができる。   As described above, when the nitrogen-containing layers 1a-1 and 1a-2 are used as layers having an electron transport property or an electron injection property, these nitrogen-containing layers 1a-1 and 1a-2 include alkali metals and alkali metals. A salt, or an alkaline earth metal or alkaline earth metal salt may be mixed and contained. Specific examples include metals such as lithium, potassium, sodium, cesium, magnesium, calcium, and strontium, and salts thereof. As a method of mixing and adding, preferred is co-evaporation with a nitrogen-containing compound. Thereby, the moving speed to the light emitting layer of the electron inject | poured from the cathode can be improved, and luminous efficiency can be improved.

尚、第1電極5が陰極、第2電極7が陽極の場合であれば、透明導電層1b-1は第1電極(陰極)5側の発光ユニット3-1に対して陽極として機能する。このため、透明導電層1b-1と発光ユニット3-1との間の窒素含有層1a-1は、正孔輸送性または正孔注入性を有する材料を用いて構成されることが好ましい。これは透明導電層1b-2および窒素含有層1a-2に関しても同様である。   If the first electrode 5 is a cathode and the second electrode 7 is an anode, the transparent conductive layer 1b-1 functions as an anode for the light emitting unit 3-1 on the first electrode (cathode) 5 side. Therefore, the nitrogen-containing layer 1a-1 between the transparent conductive layer 1b-1 and the light emitting unit 3-1 is preferably configured using a material having a hole transporting property or a hole injecting property. The same applies to the transparent conductive layer 1b-2 and the nitrogen-containing layer 1a-2.

このような透明導電層1b-1,1b-2には、第1電極5および第2電極7と共に、駆動電圧が印加される構成となっている。   A driving voltage is applied to the transparent conductive layers 1 b-1 and 1 b-2 together with the first electrode 5 and the second electrode 7.

<発光ユニット3-1,3-2,3-3>
発光ユニット3-1,3-2,3-3は、全体的な層構造が限定されることはなく、それぞれが個別に一般的な層構造を有していて良い。一例として、陽極側から順に[正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層]を積層した構成が例示されるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層を有することが必須である。正孔注入層および正孔輸送層は、正孔輸送/注入層として設けられても良い。電子輸送層および電子注入層は、電子輸送/注入層として設けられても良い。また各発光ユニット3-1,3-2,3-3を構成する各層のうち、例えば電子注入層は無機材料で構成されている場合もある。
<Light-emitting units 3-1, 3-2, 3-3>
The light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 are not limited in the overall layer structure, and each may have a general layer structure. As an example, a configuration in which [hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer] is stacked in order from the anode side is exemplified, and among these, at least an organic material is used. It is essential to have a light emitting layer. The hole injection layer and the hole transport layer may be provided as a hole transport / injection layer. The electron transport layer and the electron injection layer may be provided as an electron transport / injection layer. Of the layers constituting each light emitting unit 3-1, 3-2, 3-3, for example, the electron injection layer may be composed of an inorganic material.

また発光ユニット3-1,3-2,3-3は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていて良い。さらに発光層は、非発光性の中間層を介して複数の発光層を積層させて発光層ユニットとして形成されていても良い。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能しても良い。   In addition to these layers, the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 may have a hole blocking layer, an electron blocking layer, and the like stacked as necessary. Furthermore, the light emitting layer may be formed as a light emitting layer unit by laminating a plurality of light emitting layers via a non-light emitting intermediate layer. The intermediate layer may function as a hole blocking layer and an electron blocking layer.

特に各発光ユニット3-1,3-2,3-3は、異なる色の発光光hが得られるように構成され、例えば青色(B)の発光光hbが得られる発光ユニット3-1、緑色(G)の発光光hgが得られる発光ユニット3-2、赤色(R)の発光光hrが得られる発光ユニット3-3である。これらの発光ユニット3-1,3-2,3-3は、光取り出し側に近く配置されるものほど発光光hの発光波長が短いこととする。このためここでは、基板11側から順に、青色(B)の発光光hbが得られる発光ユニット3-1、緑色(G)の発光光hgが得られる発光ユニット3-2、赤色(R)の発光光hrが得られる発光ユニット3-3が積層される。   In particular, each of the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 is configured to obtain emitted light h of a different color. For example, the light emitting unit 3-1 that obtains blue (B) emitted light hb, green A light emitting unit 3-2 from which (G) emitted light hg is obtained and a light emitting unit 3-3 from which red (R) emitted light hr is obtained. These light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 are assumed to have a shorter emission wavelength of the emitted light h as they are arranged closer to the light extraction side. Therefore, here, in order from the substrate 11 side, the light emitting unit 3-1 that can obtain the blue (B) emitted light hb, the light emitting unit 3-2 that can obtain the green (G) emitted light hg, and the red (R) A light emitting unit 3-3 from which the emitted light hr can be obtained is stacked.

これにより、エネルギーの高い青色(B)の発光光hbによって、その出射側に配置された緑色(G)の発光ユニット3-2、および赤色(R)の発光ユニット3-3における発光層の構成物質が励起されることを防止でき、制御性の良好な発光色の発光が基板11側から取り出されることになる。   Thereby, the configuration of the light emitting layer in the green (G) light emitting unit 3-2 and the red (R) light emitting unit 3-3 arranged on the emission side by the blue (B) light emitting light hb having high energy. It is possible to prevent the substance from being excited, and light emission of a light emission color with good controllability is extracted from the substrate 11 side.

以下、発光ユニット3-1,3-2,3-3を構成する各層について、発光層、注入層、正孔輸送層、電子輸送層、阻止層の順に説明する。   Hereinafter, each layer constituting the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 will be described in the order of the light emitting layer, the injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the blocking layer.

[発光層]
本発明に用いられる発光層は、発光材料として例えば燐光発光化合物が含有されている。
[Light emitting layer]
The light emitting layer used in the present invention contains, for example, a phosphorescent light emitting compound as a light emitting material.

この発光層は、電極または電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。   This light emitting layer is a layer that emits light by recombination of electrons injected from the electrode or the electron transport layer and holes injected from the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. Alternatively, it may be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

このような発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層(図示せず)を有していることが好ましい。   As such a light emitting layer, there is no restriction | limiting in particular in the structure, if the light emitting material contained satisfy | fills the light emission requirements. Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength. In this case, it is preferable to have a non-light emitting intermediate layer (not shown) between the light emitting layers.

発光層の膜厚の総和は1〜100nmの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから1〜30nmである。尚、発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。   The total thickness of the light emitting layers is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably 1 to 30 nm because a lower driving voltage can be obtained. Note that the total film thickness of the light emitting layer is a film thickness including the intermediate layer when a non-light emitting intermediate layer exists between the light emitting layers.

複数層を積層した構成の発光層の場合、個々の発光層の膜厚としては、1〜50nmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは1〜20nmの範囲に調整することがより好ましい。   In the case of a light emitting layer having a configuration in which a plurality of layers are laminated, the thickness of each light emitting layer is preferably adjusted to a range of 1 to 50 nm, more preferably adjusted to a range of 1 to 20 nm.

以上のような発光層は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。   The light emitting layer as described above is formed by forming a light emitting material or a host compound described later by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink jet method. Can do.

また発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料(蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう)を同一発光層中に混合して用いてもよい。   In the light emitting layer, a plurality of light emitting materials may be mixed, and a phosphorescent light emitting material and a fluorescent light emitting material (also referred to as a fluorescent dopant or a fluorescent compound) may be mixed and used in the same light emitting layer.

発光層の構成として、ホスト化合物(発光ホスト等ともいう)、発光材料(発光ドーパント化合物ともいう)を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。   As a structure of the light emitting layer, it is preferable that a light emitting material contains a host compound (also referred to as a light emitting host or the like) and a light emitting material (also referred to as a light emitting dopant compound) and emits light.

(ホスト化合物)
発光層に含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)における燐光発光の燐光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。さらに好ましくは燐光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。
(Host compound)
As the host compound contained in the light emitting layer, a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.) of less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子ELを高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。   As a host compound, a well-known host compound may be used independently, or multiple types may be used. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the efficiency of the organic electroluminescent element EL can be improved. In addition, by using a plurality of kinds of light emitting materials described later, it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary light emission color.

用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよい。   The host compound used may be a conventionally known low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). .

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Tg(ガラス転移温度)化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS−K−7121に準拠した方法により求められる値である。   As the known host compound, a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability, preventing an increase in emission wavelength, and having a high Tg (glass transition temperature) compound is preferable. The glass transition point (Tg) here is a value obtained by a method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).

以下に、本発明で用いることのできるホスト化合物の具体例(H1〜H79)を示すが、これらに限定されない。なお、ホスト化合物H68〜H79において、x及びyはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、x:y=1:10などとすることができる。   Although the specific example (H1-H79) of the host compound which can be used by this invention below is shown, it is not limited to these. In the host compounds H68 to H79, x and y represent the ratio of the random copolymer. The ratio can be, for example, x: y = 1: 10.

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等が挙げられる。   As specific examples of known host compounds, compounds described in the following documents may be used. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860 Gazette, 2002-334787 gazette, 2002-15871 gazette, 2002-334788 gazette, 2002-43056 gazette, 2002-334789 gazette, 2002-75645 gazette, 2002-338579 gazette. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453. No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060. 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

(発光材料)
本発明で用いることのできる発光材料としては、燐光発光性化合物(燐光性化合物、燐光発光材料ともいう)が挙げられる。
(Luminescent material)
As a light-emitting material that can be used in the present invention, a phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent compound or a phosphorescent material) can be given.

燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は0.1以上である。   A phosphorescent compound is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, a phosphorescent compound emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and a phosphorescence quantum yield of 0.01 at 25 ° C. Although defined as the above compounds, the preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.

上記燐光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。   The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of the Fourth Edition Experimental Chemistry Course 7. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, when using a phosphorescent compound in the present invention, the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is achieved in any solvent. It only has to be done.

燐光発光性化合物の発光の原理としては2種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは、燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。   There are two types of light emission principles of the phosphorescent compound. One is that recombination of carriers occurs on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent compound to obtain light emission from the phosphorescent compound. The other is a carrier trap type in which the phosphorescent compound becomes a carrier trap, and carriers are recombined on the phosphorescent compound to emit light from the phosphorescent compound. In either case, it is a condition that the excited state energy of the phosphorescent compound is lower than the excited state energy of the host compound.

燐光発光性化合物は、一般的な有機電界発光素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light emitting layer of a general organic electroluminescence device, but preferably contains a metal of group 8 to 10 in the periodic table of elements. More preferred are iridium compounds, more preferred are iridium compounds, osmium compounds, platinum compounds (platinum complex compounds), and rare earth complexes, and most preferred are iridium compounds.

本発明においては、少なくとも一つの発光層に2種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層における燐光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。   In the present invention, at least one light emitting layer may contain two or more phosphorescent compounds, and the concentration ratio of the phosphorescent compounds in the light emitting layer may vary in the thickness direction of the light emitting layer. Good.

燐光発光性化合物は好ましくは発光層の総量に対し0.1体積%以上30体積%未満である。   The phosphorescent compound is preferably 0.1% by volume or more and less than 30% by volume based on the total amount of the light emitting layer.

(一般式(3)で表される化合物)
発光層に含まれる化合物(燐光発光性化合物)は、下記一般式(3)で表される化合物であることが好ましい。
(Compound represented by the general formula (3))
The compound (phosphorescent compound) contained in the light emitting layer is preferably a compound represented by the following general formula (3).

なお、一般式(3)で表される燐光発光性化合物(燐光発光性の金属錯体ともいう)は、有機電界発光素子ELの発光層に発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層以外の発光機能層に含有されていてもよい。   Note that the phosphorescent compound represented by the general formula (3) (also referred to as a phosphorescent metal complex) is preferably contained as a light emitting dopant in the light emitting layer of the organic electroluminescent element EL. It may be contained in a light emitting functional layer other than the light emitting layer.

上記一般式(3)中、P、Qは、各々炭素原子または窒素原子を表し、A1はP−Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A2はQ−Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。M1は元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。   In the general formula (3), P and Q each represent a carbon atom or a nitrogen atom, and A1 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring together with P—C. A2 represents an atomic group which forms an aromatic heterocycle with QN. P1-L1-P2 represents a bidentate ligand, and P1 and P2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P1 and P2. j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M1 represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table.

一般式(3)において、P、Qは、各々炭素原子または窒素原子を表す。   In general formula (3), P and Q each represent a carbon atom or a nitrogen atom.

そして、一般式(3)において、A1が、P−Cと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。   In the general formula (3), the aromatic hydrocarbon ring that A1 forms with P—C includes a benzene ring, biphenyl ring, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, Naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, Examples include a picene ring, a pyrene ring, a pyranthrene ring, and an anthraanthrene ring.

これらの環はさらに、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有しても良い。   These rings may further have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

一般式(3)において、A1が、P−Cと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。   In the general formula (3), the aromatic heterocycle formed by A1 together with P—C includes a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, Benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring, azacarbazole A ring etc. are mentioned.

ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が1つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。   Here, the azacarbazole ring refers to one in which one or more carbon atoms of the benzene ring constituting the carbazole ring are replaced with a nitrogen atom.

これらの環はさらに、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有しても良い。   These rings may further have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

一般式(3)において、A2が、Q−Nと共に形成する芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。   In the general formula (3), examples of the aromatic heterocycle formed by A2 together with QN include an oxazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isoxazole ring, a tetrazole ring, a thiadiazole ring, a thiatriazole ring, Examples include a thiazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, and a triazole ring.

これらの環はさらに、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有しても良い。   These rings may further have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

一般式(3)において、P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。   In the general formula (3), P1-L1-P2 represents a bidentate ligand, and P1 and P2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P1 and P2.

P1−L1−P2で表される2座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。   Examples of the bidentate ligand represented by P1-L1-P2 include phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabol, acetylacetone, and picolinic acid.

一般式(3)において、j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3を表す、中でも、j2は0である場合が好ましい。   In general formula (3), j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, j1 + j2 represents 2 or 3, and j2 is preferably 0.

一般式(3)において、M1は元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でも、イリジウム好ましい。   In the general formula (3), M1 is a transition metal element of Group 8 to Group 10 (also simply referred to as a transition metal) in the periodic table, and is preferably iridium.

(一般式(4)で表される化合物)
一般式(3)で表される化合物の中でも、下記一般式(4)で表される化合物であることがさらに好ましい。
(Compound represented by the general formula (4))
Among the compounds represented by the general formula (3), a compound represented by the following general formula (4) is more preferable.

上記一般式(4)式中、Zは、炭化水素環基または複素環基を表す。P、Qは、各々炭素原子または窒素原子を表し、A1はP−Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A3は−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−または−N=N−を表し、R01、R02は、各々水素原子または置換基を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。M1は元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。   In the general formula (4), Z represents a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P and Q each represent a carbon atom or a nitrogen atom, and A1 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring together with PC. A3 represents -C (R01) = C (R02)-, -N = C (R02)-, -C (R01) = N- or -N = N-, and each of R01 and R02 represents a hydrogen atom or a substituent. Represents a group. P1-L1-P2 represents a bidentate ligand, and P1 and P2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P1 and P2. j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M1 represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table.

一般式(4)において、Zで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換あっても良いし、一般式(1)のR3として例示した置換基を有していてもよい。   In the general formula (4), examples of the hydrocarbon ring group represented by Z include a non-aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group, and examples of the non-aromatic hydrocarbon ring group include a cyclopropyl group. , Cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like. These groups may be unsubstituted or may have a substituent exemplified as R3 in the general formula (1).

また、芳香族炭化水素環基(芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as aromatic hydrocarbon group, aryl group, etc.) include, for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl. Group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group and the like.

これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有しても良い。   These groups may be unsubstituted or may have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

一般式(4)において、Zで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3−ジオキサン環、1,4−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−1,1−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]−オクタン環等から導出される基を挙げられる。   In the general formula (4), examples of the heterocyclic group represented by Z include a non-aromatic heterocyclic group and an aromatic heterocyclic group. Examples of the non-aromatic heterocyclic group include an epoxy ring and an aziridine group. Ring, thiirane ring, oxetane ring, azetidine ring, thietane ring, tetrahydrofuran ring, dioxolane ring, pyrrolidine ring, pyrazolidine ring, imidazolidine ring, oxazolidine ring, tetrahydrothiophene ring, sulfolane ring, thiazolidine ring, ε-caprolactone ring, ε- Caprolactam ring, piperidine ring, hexahydropyridazine ring, hexahydropyrimidine ring, piperazine ring, morpholine ring, tetrahydropyran ring, 1,3-dioxane ring, 1,4-dioxane ring, trioxane ring, tetrahydrothiopyran ring, thiomorpholine Ring, thiomorpholine-1,1-dioxide And groups derived from a ring, a pyranose ring, a diazabicyclo [2,2,2] -octane ring, and the like.

これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有しても良い。   These groups may be unsubstituted or may have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group include pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl). Group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group , Benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating that one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), quinoxalinyl Group, pyridazinyl group, triazinyl group, key Zoriniru group, phthalazinyl group, and the like.

これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有しても良い。   These groups may be unsubstituted or may have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

好ましくは、Zで表される基は芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である。   Preferably, the group represented by Z is an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.

一般式(4)において、A1が、P−Cと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。   In the general formula (4), the aromatic hydrocarbon ring that A1 forms with P—C includes a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, and a naphthacene ring. , Triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, picene ring , Pyrene ring, pyranthrene ring, anthraanthrene ring and the like.

これらの環はさらに、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有しても良い。   These rings may further have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

一般式(4)において、A1がP−Cと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。   In the general formula (4), the aromatic heterocycle formed by A1 together with PC includes furan ring, thiophene ring, oxazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzo Imidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring, carboline ring, And azacarbazole ring.

ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が1つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。   Here, the azacarbazole ring refers to one in which one or more carbon atoms of the benzene ring constituting the carbazole ring are replaced with a nitrogen atom.

これらの環はさらに、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有しても良い。   These rings may further have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

一般式(4)のA3で表される、−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−において、R01、R02で各々表される置換基は、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基と同義である。   In -C (R01) = C (R02)-, -N = C (R02)-, and -C (R01) = N- represented by A3 in the general formula (4), each represented by R01 and R02 In general formula (1), the substituent is synonymous with the substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88.

一般式(4)において、P1−L1−P2で表される2座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。   In the general formula (4), examples of the bidentate ligand represented by P1-L1-P2 include phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabole, acetylacetone, and picolinic acid. .

また、j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3を表す、中でも、j2は0である場合が好ましい。   J1 represents an integer of 1 to 3, and j2 represents an integer of 0 to 2, j1 + j2 represents 2 or 3, and j2 is preferably 0.

一般式(4)において、M1で表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)は、一般式(3)において、M1で表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。   In General Formula (4), Group 8 to Group 10 transition metal elements in the periodic table of elements represented by M1 (also simply referred to as transition metals) in General Formula (3) are represented in the periodic table of elements represented by M1. It is synonymous with the transition metal element of Group 8-10.

(一般式(5)で表される化合物)
上記一般式(4)で表される化合物の好ましい態様の一つとして、下記一般式(5)で表される化合物が挙げられる。
(Compound represented by the general formula (5))
One preferred embodiment of the compound represented by the general formula (4) is a compound represented by the following general formula (5).

上記一般式(5)式中、R03は置換基を表し、R04は水素原子または置換基を表し、複数のR04は互いに結合して環を形成してもよい。n01は1〜4の整数を表す。R05は水素原子または置換基を表し、複数のR05は互いに結合して環を形成してもよい。n02は1〜2の整数を表す。R06は水素原子または置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。n03は1〜4の整数を表す。Z1はC−Cと共に6員の芳香族炭化水素環もしくは、5員または6員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Z2は炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。M1は元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。R03とR06、R04とR06及びR05とR06は互いに結合して環を形成していてもよい。 In the general formula (5), R 03 represents a substituent, R 04 represents a hydrogen atom or a substituent, and a plurality of R 04 may be bonded to each other to form a ring. n01 represents an integer of 1 to 4. R 05 represents a hydrogen atom or a substituent, and a plurality of R 05 may be bonded to each other to form a ring. n02 represents an integer of 1 to 2. R 06 represents a hydrogen atom or a substituent, and may combine with each other to form a ring. n03 represents an integer of 1 to 4. Z1 represents an atomic group necessary for forming a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle together with C—C. Z2 represents an atomic group necessary for forming a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P1-L1-P2 represents a bidentate ligand, and P1 and P2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P1 and P2. j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M1 represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. R 03 and R 06 , R 04 and R 06, and R 05 and R 06 may be bonded to each other to form a ring.

一般式(5)において、R03、R04、R05、R06で各々表される置換基は、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基と同義である。 In the general formula (5), each of the substituents represented by R 03 , R 04 , R 05 , and R 06 is represented by —C (R 3) represented by E51 to E66 and E71 to E88, respectively, in the general formula (1). ) = Synonymous with the substituent represented by R3.

一般式(5)において、Z1がC−Cと共に形成する6員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。   In the general formula (5), examples of the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by Z1 together with C—C include a benzene ring.

これらの環はさらに、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有してもよい。   These rings may further have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

一般式(5)において、Z1がC−Cと共に形成する5員または6員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。   In the general formula (5), examples of the 5- or 6-membered aromatic heterocycle formed by Z1 together with C—C include an oxazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isoxazole ring, a tetrazole ring, and a thiadiazole. And a ring, a thiatriazole ring, an isothiazole ring, a thiophene ring, a furan ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, and a triazole ring.

これらの環はさらに、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有してもよい。   These rings may further have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1).

一般式(5)において、Z2で表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換あっても良いし、一般式(1)のR3として例示した置換基を有していてもよい。   In the general formula (5), examples of the hydrocarbon ring group represented by Z2 include a non-aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group, and examples of the non-aromatic hydrocarbon ring group include a cyclopropyl group. , Cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like. These groups may be unsubstituted or may have a substituent exemplified as R3 in the general formula (1).

また、芳香族炭化水素環基(芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有してもよい。   Examples of the aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as aromatic hydrocarbon group, aryl group, etc.) include, for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl. Group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group and the like. These groups may be unsubstituted or may have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88, respectively, in the general formula (1).

一般式(5)において、Z2で表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3−ジオキサン環、1,4−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−1,1−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。これらの基は無置換でもよく、また、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有してもよい。   In the general formula (5), examples of the heterocyclic group represented by Z2 include a non-aromatic heterocyclic group and an aromatic heterocyclic group. Examples of the non-aromatic heterocyclic group include an epoxy ring and an aziridine group. Ring, thiirane ring, oxetane ring, azetidine ring, thietane ring, tetrahydrofuran ring, dioxolane ring, pyrrolidine ring, pyrazolidine ring, imidazolidine ring, oxazolidine ring, tetrahydrothiophene ring, sulfolane ring, thiazolidine ring, ε-caprolactone ring, ε- Caprolactam ring, piperidine ring, hexahydropyridazine ring, hexahydropyrimidine ring, piperazine ring, morpholine ring, tetrahydropyran ring, 1,3-dioxane ring, 1,4-dioxane ring, trioxane ring, tetrahydrothiopyran ring, thiomorpholine Ring, thiomorpholine-1,1-dioxy And groups derived from a dodo ring, a pyranose ring, a diazabicyclo [2,2,2] -octane ring, and the like. These groups may be unsubstituted or may have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1). .

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group include pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl). Group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group , Benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating that one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), quinoxalinyl Group, pyridazinyl group, triazinyl group, key Zoriniru group, phthalazinyl group, and the like.

これらの環は無置換でもよく、さらに、一般式(1)において、E51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有してもよい。   These rings may be unsubstituted, and may further have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1). .

一般式(5)において、Z1及びZ2で形成される基としては、ベンゼン環が好ましい。   In the general formula (5), the group formed by Z1 and Z2 is preferably a benzene ring.

一般式(5)において、P1−L1−P2で表される2座の配位子は、一般式(3)において、P1−L1−P2で表される2座の配位子と同義である。   In the general formula (5), the bidentate ligand represented by P1-L1-P2 has the same meaning as the bidentate ligand represented by P1-L1-P2 in the general formula (3). .

一般式(5)において、M1で表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素は、一般式(3)において、M1で表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。   In general formula (5), the transition metal element of group 8 to group 10 in the periodic table of elements represented by M1 is the transition of group 8 to group 10 in the periodic table of elements represented by M1 in general formula (3). Synonymous with metal element.

また、燐光発光性化合物は、有機電界発光素子ELの発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。   The phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light emitting layer of the organic electroluminescent element EL.

本発明に係る燐光発光性化合物は、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent compound according to the present invention is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound). Rare earth complexes, most preferably iridium compounds.

本発明に係る燐光発光性化合物の具体例(Pt−1〜Pt−3、A−1、Ir−1〜Ir−50)を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、これらの化合物において、m及びnは繰り返し数を表す。   Specific examples (Pt-1 to Pt-3, A-1, Ir-1 to Ir-50) of the phosphorescent compound according to the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto. In these compounds, m and n represent the number of repetitions.

上記の燐光発光性化合物(燐光発光性金属錯体等ともいう)は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻、695〜709頁(2004年)、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。   The above phosphorescent compounds (also referred to as phosphorescent metal complexes and the like) are described in, for example, Organic Letter, vol. 16, 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, 1685-1687 (1991), J. Am. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry. , Vol. 26, 1171 (2002), European Journal of Organic Chemistry, Vol. 4, pages 695-709 (2004), and synthesis by applying methods such as references described in these documents. it can.

(蛍光発光材料)
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
(Fluorescent material)
Fluorescent materials include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes Examples thereof include dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.

[注入層:正孔注入層、電子注入層]
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層の間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
[Injection layer: hole injection layer, electron injection layer]
An injection layer is a layer provided between an electrode and a light-emitting layer in order to lower drive voltage or improve light emission luminance. “An organic EL element and its forefront of industrialization (November 30, 1998, NTS) (Published by the company) "Chapter 2 Chapter 2" Electrode Material "(pages 123-166) in detail, there are a hole injection layer and an electron injection layer.

注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層であれば、アノードと発光層または正孔輸送層の間、電子注入層であればカソードと発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。   The injection layer can be provided as necessary. If it is a hole injection layer, it may be present between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and if it is an electron injection layer, it may be present between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer.

正孔注入層は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。   The details of the hole injection layer are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069, and the like. As a specific example, a phthalocyanine layer represented by copper phthalocyanine And an oxide layer typified by vanadium oxide, an amorphous carbon layer, and a polymer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

電子注入層は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明の電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は1nm〜10μmの範囲が好ましい。   The details of the electron injection layer are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like, and specifically, metals represented by strontium, aluminum and the like. Examples thereof include an alkali metal halide layer typified by potassium fluoride, an alkaline earth metal compound layer typified by magnesium fluoride, and an oxide layer typified by molybdenum oxide. The electron injection layer of the present invention is desirably a very thin film, and although it depends on the material, the film thickness is preferably in the range of 1 nm to 10 μm.

[正孔輸送層]
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
[Hole transport layer]
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。   Although the above-mentioned thing can be used as a positive hole transport material, It is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound, and a styryl amine compound, especially an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, as well as two of those described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.,Applied Physics Letters,80(2002),p.139に記載されているような所謂、p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. , Applied Physics Letters, 80 (2002), p. A so-called p-type hole transport material as described in 139 can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer is formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Can do. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. This hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、正孔輸送層の材料に不純物をドープしてp性を高くすることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   In addition, the hole transport layer material can be doped with impurities to increase the p property. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

このように、正孔輸送層のp性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   Thus, it is preferable to increase the p property of the hole transport layer because an element with lower power consumption can be manufactured.

[電子輸送層]
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層(図示せず)も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層構造または複数層の積層構造として設けることができる。
[Electron transport layer]
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer (not shown) are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer structure or a stacked structure of a plurality of layers.

単層構造の電子輸送層、および積層構造の電子輸送層において発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   As an electron transport material (also serving as a hole blocking material) constituting a layer portion adjacent to the light emitting layer in the electron transport layer having a single layer structure and the electron transport layer having a multilayer structure, electrons injected from the cathode are used as the light emitting layer. What is necessary is just to have the function to transmit. As such a material, any one of conventionally known compounds can be selected and used. Examples include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane, anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as a material for the electron transport layer. it can. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。   Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq3), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum. Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as the material for the electron transport layer.

その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層の材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層の材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送層の材料として用いることができる。   In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the material for the electron transport layer. Further, distyrylpyrazine derivatives exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as the material of the electron transport layer, and n-type-Si, n-type-SiC, etc. as well as the hole injection layer and the hole transport layer. These inorganic semiconductors can also be used as a material for the electron transport layer.

電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an inkjet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、電子輸送層に不純物をドープし、n性を高くすることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層には、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層のn性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。   In addition, the electron transport layer can be doped with impurities to increase the n property. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like. Furthermore, it is preferable that potassium, a potassium compound, etc. are contained in an electron carrying layer. As the potassium compound, for example, potassium fluoride can be used. Thus, when the n property of the electron transport layer is increased, an element with lower power consumption can be manufactured.

また電子輸送層の材料(電子輸送性化合物)として、好ましくは、下記一般式(6)で表される化合物を用いることができる。   Moreover, as a material (electron transport compound) of an electron carrying layer, Preferably, the compound represented by following General formula (6) can be used.

(Ar1)n1−Y1…一般式(6) (Ar1) n1-Y1 General formula (6)

一般式(6)の式中、n1は1以上の整数を表し、Y1はn1が1の場合は置換基を表し、n1が2以上の場合は単なる結合手またはn1価の連結基を表す。Ar1は後記する一般式(A)で表される基を表し、n1が2以上の場合、複数のAr1は同一でも異なっていてもよい。ただし、前記一般式(6)で表される化合物は分子内に3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも2つ有する。   In the formula (6), n1 represents an integer of 1 or more, Y1 represents a substituent when n1 is 1, and represents a single bond or an n1-valent linking group when n1 is 2 or more. Ar1 represents a group represented by the general formula (A) described later. When n1 is 2 or more, a plurality of Ar1s may be the same or different. However, the compound represented by the general formula (6) has at least two condensed aromatic heterocycles in which three or more rings are condensed in the molecule.

一般式(6)において、Y1で表される置換基の例としては、上述した窒素含有層1aを構成する化合物として示した一般式(1)におけるE51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基と同義である。   In the general formula (6), examples of the substituent represented by Y1 are represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1) shown as the compounds constituting the nitrogen-containing layer 1a described above. It is synonymous with the substituent represented by R3 of -C (R3) =.

一般式(6)において、Y1で表されるn1価の連結基としては、具体的には、2価の連結基、3価の連結基、4価の連結基等が挙げられる。   Specific examples of the n1-valent linking group represented by Y1 in the general formula (6) include a divalent linking group, a trivalent linking group, and a tetravalent linking group.

一般式(6)において、Y1で表される2価の連結基としては、アルキレン基(例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、2,2,4−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基(例えば、1,6−シクロヘキサンジイル基等)、シクロペンチレン基(例えば、1,5−シクロペンタンジイル基など)等)、アルケニレン基(例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、1−メチルビニレン基、1−メチルプロペニレン基、2−メチルプロペニレン基、1−メチルペンテニレン基、3−メチルペンテニレン基、1−エチルビニレン基、1−エチルプロペニレン基、1−エチルブテニレン基、3−エチルブテニレン基等)、アルキニレン基(例えば、エチニレン基、1−プロピニレン基、1−ブチニレン基、1−ペンチニレン基、1−ヘキシニレン基、2−ブチニレン基、2−ペンチニレン基、1−メチルエチニレン基、3−メチル−1−プロピニレン基、3−メチル−1−ブチニレン基等)、アリーレン基
(例えば、o−フェニレン基、p−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基(例えば、[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジイル基、3,3’−ビフェニルジイル基、3,6−ビフェニルジイル基等)、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等)、ヘテロアリーレン基(例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等)、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等(ここで、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはN、O及びSから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す)、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環(ナフトチオフェン環)等)が挙げられる。
In the general formula (6), as the divalent linking group represented by Y1, an alkylene group (for example, ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, propylene group, ethylethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, 2,2,4-trimethylhexamethylene group, heptamethylene group, octamethylene group, nonamethylene group, decamethylene group, undecamethylene group, dodecamethylene group, cyclohexylene group (for example, 1,6-cyclohexanediyl group, etc.), Cyclopentylene group (for example, 1,5-cyclopentanediyl group and the like), alkenylene group (for example, vinylene group, propenylene group, butenylene group, pentenylene group, 1-methylvinylene group, 1-methylpropenylene group, 2-methylpropenylene group, 1-methylpentenylene group, 3-methyl Ntenylene group, 1-ethylvinylene group, 1-ethylpropenylene group, 1-ethylbutenylene group, 3-ethylbutenylene group, etc.), alkynylene group (for example, ethynylene group, 1-propynylene group, 1-butynylene group, 1-pentynylene group) 1-hexynylene group, 2-butynylene group, 2-pentynylene group, 1-methylethynylene group, 3-methyl-1-propynylene group, 3-methyl-1-butynylene group, etc.), arylene group (for example, o-phenylene group) , P-phenylene group, naphthalenediyl group, anthracenediyl group, naphthacenediyl group, pyrenediyl group, naphthylnaphthalenediyl group, biphenyldiyl group (for example, [1,1′-biphenyl] -4,4′-diyl group, 3, 3′-biphenyldiyl group, 3,6-biphenyldiyl group, etc.), terfeni Diyl group, quaterphenyldiyl group, kinkphenyldiyl group, sexiphenyldiyl group, septiphenyldiyl group, octiphenyldiyl group, nobiphenyldiyl group, deciphenyldiyl group, etc.), heteroarylene group (for example, carbazole) Ring, carboline ring, diazacarbazole ring (also called monoazacarboline ring, which shows a ring structure in which one of carbon atoms constituting carboline ring is replaced by nitrogen atom), triazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrazine Ring, quinoxaline ring, thiophene ring, oxadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, divalent group derived from the group consisting of indole ring, etc.), chalcogen atom such as oxygen and sulfur, 3 or more rings A group derived from a condensed aromatic heterocycle formed by condensation (here, The condensed aromatic heterocyclic ring formed by condensing three or more rings is preferably an aromatic heterocyclic condensed ring containing a hetero atom selected from N, O and S as an element constituting the condensed ring. Specifically, acridine ring, benzoquinoline ring, carbazole ring, phenazine ring, phenanthridine ring, phenanthroline ring, carboline ring, cyclazine ring, quindrine ring, tepenidine ring, quinindrine ring, triphenodithiazine ring , Triphenodioxazine ring, phenanthrazine ring, anthrazine ring, perimidine ring, diazacarbazole ring (representing any one of carbon atoms constituting a carboline ring replaced by a nitrogen atom), phenanthroline ring, dibenzofuran ring, Dibenzothiophene ring, naphthofuran ring, naphthothiophene ring, ben Difuran ring, benzodithiophene ring, naphthodifuran ring, naphthodithiophene ring, anthrafuran ring, anthradifuran ring, anthrathiophene ring, anthradithiophene ring, thianthrene ring, phenoxathiin ring, thiophanthrene ring (naphthothiophene ring) ) Etc.).

一般式(6)において、Y1で表される3価の連結基としては、例えば、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロペンタントリイル基、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、ピリジントリイル基、カルバゾールトリイル基等が挙げられる。   In the general formula (6), examples of the trivalent linking group represented by Y1 include ethanetriyl group, propanetriyl group, butanetriyl group, pentanetriyl group, hexanetriyl group, heptanetriyl group, and octanetriyl. Group, nonanetriyl group, decanetriyl group, undecanetriyl group, dodecanetriyl group, cyclohexanetriyl group, cyclopentanetriyl group, benzenetriyl group, naphthalenetriyl group, pyridinetriyl group, carbazoletriyl group, etc. Can be mentioned.

一般式(6)において、Y1で表される4価の連結基としては、上記の3価の基にさらにひとつ結合基がついたものであり、例えば、プロパンジイリデン基、1,3−プロパンジイル−2−イリデン基、ブタンジイリデン基、ペンタンジイリデン基、ヘキサンジイリデン基、ヘプタンジイリデン基、オクタンジイリデン基、ノナンジイリデン基、デカンジイリデン基、ウンデカンジイリデン基、ドデカンジイリデン基、シクロヘキサンジイリデン基、シクロペンタンジイリデン基、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ピリジンテトライル基、カルバゾールテトライル基等が挙げられる。   In the general formula (6), the tetravalent linking group represented by Y1 is a group in which one trivalent group is further added to the above trivalent group, and examples thereof include a propanediylidene group and 1,3-propane. Diyl-2-ylidene group, butanediylidene group, pentanediylidene group, hexanediylidene group, heptanediylidene group, octanediylidene group, nonanediylidene group, decandiylidene group, undecandiylidene group, dodecandiylidene group, cyclohexanediylidene group , Cyclopentanediylidene group, benzenetetrayl group, naphthalenetetrayl group, pyridinetetrayl group, carbazoletetrayl group and the like.

なお、上記の2価の連結基、3価の連結基、4価の連結基は、各々さらに、一般式(1)におけるE51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有していてもよい。   The divalent linking group, the trivalent linking group, and the tetravalent linking group are each further represented by -51 (E3) to E66 and E71 to E88 in the general formula (1). May have a substituent represented by R3.

一般式(6)で表される化合物の好ましい態様としては、Y1が3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を表すことが好ましく、当該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環が好ましい。また、n1が2以上であることが好ましい。   As a preferred embodiment of the compound represented by the general formula (6), Y1 preferably represents a group derived from a condensed aromatic heterocycle formed by condensation of three or more rings, and the three or more rings. As the condensed aromatic heterocyclic ring formed by condensing, a dibenzofuran ring or a dibenzothiophene ring is preferable. Further, n1 is preferably 2 or more.

さらに、一般式(6)で表される化合物は、分子内に上記の3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも2つ有する。   Furthermore, the compound represented by the general formula (6) has at least two condensed aromatic heterocycles obtained by condensing the above three or more rings in the molecule.

また、Y1がn1価の連結基を表す場合、一般式(6)で表される化合物の三重項励起エネルギーを高く保つために、Y1は非共役であることが好ましく、さらに、Tg(ガラス転移点、ガラス転移温度ともいう)を向上させる点から、芳香環(芳香族炭化水素環+芳香族複素環)で構成されていることが好ましい。   When Y1 represents an n1-valent linking group, Y1 is preferably non-conjugated in order to keep the triplet excitation energy of the compound represented by the general formula (6) high, and further, Tg (glass transition In view of improving the point, also referred to as glass transition temperature, it is preferably composed of an aromatic ring (aromatic hydrocarbon ring + aromatic heterocycle).

ここで、非共役とは、連結基が単結合(一重結合ともいう)と二重結合の繰り返しによって表記できないか、または連結基を構成する芳香環同士の共役が立体的に切断されている場合を意味する。   Here, the term “non-conjugated” means that the linking group cannot be expressed by repeating a single bond (also referred to as a single bond) and a double bond, or the conjugation between aromatic rings constituting the linking group is sterically cleaved. Means.

(一般式(A)で表される基)
一般式(6)中におけるAr1は、下記一般式(A)で表される基を表す。
(Group represented by general formula (A))
Ar1 in the general formula (6) represents a group represented by the following general formula (A).

式中、Xは、−N(R)−、−O−、−S−または−Si(R)(R′)−を表し、E1〜E8は、−C(R1)=または−N=を表し、R、R′及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。*はY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。Y3及びY4は、各々5員または6員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n2は1〜4の整数を表す。   In the formula, X represents —N (R) —, —O—, —S— or —Si (R) (R ′) —, and E1 to E8 represent —C (R1) ═ or —N═. R, R ′ and R1 each represent a hydrogen atom, a substituent or a linking site with Y1. * Represents a linking site with Y1. Y2 represents a simple bond or a divalent linking group. Y3 and Y4 each represent a group derived from a 5-membered or 6-membered aromatic ring, and at least one represents a group derived from an aromatic heterocycle containing a nitrogen atom as a ring constituent atom. n2 represents an integer of 1 to 4.

ここで、一般式(A)のXで表される−N(R)−または−Si(R)(R′)−において、さらに、E1〜E8で表される−C(R1)=において、R、R′及びR1で各々表される置換基は、一般式(1)におけるE51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基と同義である。   Here, in —N (R) — or —Si (R) (R ′) — represented by X in the general formula (A), and —C (R1) = represented by E1 to E8, The substituents represented by R, R ′ and R1 have the same meaning as the substituents represented by R3 of —C (R3) ═ represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1), respectively. is there.

また、一般式(A)において、Y2で表される2価の連結基としては、一般式(6)において、Y1で表される2価の連結基と同義である。   In the general formula (A), the divalent linking group represented by Y2 has the same meaning as the divalent linking group represented by Y1 in the general formula (6).

さらに、一般式(A)において、Y3及びY4で各々表される5員または6員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる5員または6員の芳香族環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。   Further, in the general formula (A), as the 5-membered or 6-membered aromatic ring used for forming a group derived from a 5-membered or 6-membered aromatic ring represented by Y3 and Y4, respectively, Oxazole ring, thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, diazine ring, triazine ring, imidazole ring, isoxazole ring, pyrazole ring, triazole ring and the like.

さらに、Y3及びY4で各々表される5員または6員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、当該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。   Further, at least one of the groups derived from a 5-membered or 6-membered aromatic ring represented by Y3 and Y4 represents a group derived from an aromatic heterocycle containing a nitrogen atom as a ring constituent atom, Examples of the aromatic heterocycle containing a nitrogen atom as the ring constituent atom include an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a diazine ring, a triazine ring, an imidazole ring, an isoxazole ring, a pyrazole ring, Examples include a triazole ring.

(Y3で表される基の好ましい態様)
一般式(A)において、Y3で表される基としては、上記6員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。
(Preferred embodiment of the group represented by Y3)
In the general formula (A), the group represented by Y3 is preferably a group derived from the above 6-membered aromatic ring, and more preferably a group derived from a benzene ring.

(Y4で表される基の好ましい態様)
一般式(A)において、Y4で表される基としては、上記6員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、窒素原子を環構成原子として含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Y4がピリジン環から導出される基であることである。
(Preferred embodiment of the group represented by Y4)
In general formula (A), the group represented by Y4 is preferably a group derived from the 6-membered aromatic ring, more preferably an aromatic heterocycle containing a nitrogen atom as a ring constituent atom. Particularly preferably, Y4 is a group derived from a pyridine ring.

(一般式(A)で表される基の好ましい態様)
一般式(A)で表される基の好ましい態様としては、下記一般式(A−1)、(A−2)、(A−3)、または(A−4)のいずれかで表される基が挙げられる。
(Preferred embodiment of the group represented by the general formula (A))
A preferable embodiment of the group represented by the general formula (A) is represented by any one of the following general formulas (A-1), (A-2), (A-3), or (A-4). Groups.

上記一般式(A−1)の式中、Xは−N(R)−、−O−、−S−または−Si(R)(R′)−を表し、E1〜E8は−C(R1)=または−N=を表し、R、R′及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。E11〜E20は、−C(R2)=または−N=を表し、少なくとも1つは−N=を表す。R2は、水素原子、置換基または連結部位を表す。但し、E11、E12の少なくとも1つは−C(R2)=を表し、R2は連結部位を表す。n2は1〜4の整数を表す。*は、上記一般式(6)のY1との連結部位を表す。   In the general formula (A-1), X represents —N (R) —, —O—, —S— or —Si (R) (R ′) —, and E1 to E8 represent —C (R1 ) = Or -N =, and R, R 'and R1 each represent a hydrogen atom, a substituent, or a linking site with Y1. Y2 represents a simple bond or a divalent linking group. E11 to E20 represent -C (R2) = or -N =, and at least one represents -N =. R2 represents a hydrogen atom, a substituent or a linking site. However, at least one of E11 and E12 represents -C (R2) =, and R2 represents a linking site. n2 represents an integer of 1 to 4. * Represents a linking site with Y1 in the general formula (6).

上記一般式(A−2)の式中、Xは−N(R)−、−O−、−S−または−Si(R)(R′)−を表し、E1〜E8は−C(R1)=または−N=を表し、R、R′及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。E21〜E25は−C(R2)=または−N=を表し、E26〜E30は−C(R2)=、−N=、−O−、−S−または−Si(R3)(R4)−を表し、E21〜E30の少なくとも1つは−N=を表す。R2は、水素原子、置換基または連結部位を表し、R3及びR4は水素原子または置換基を表す。但し、E21またはE22の少なくとも1つは−C(R2)=を表し、R2は連結部位を表す。n2は1〜4の整数を表す。*は、上記一般式(6)のY1との連結部位を表す。   In the general formula (A-2), X represents —N (R) —, —O—, —S— or —Si (R) (R ′) —, and E1 to E8 represent —C (R1 ) = Or -N =, and R, R 'and R1 each represent a hydrogen atom, a substituent, or a linking site with Y1. Y2 represents a simple bond or a divalent linking group. E21 to E25 represent -C (R2) = or -N =, and E26 to E30 represent -C (R2) =, -N =, -O-, -S- or -Si (R3) (R4)-. And at least one of E21 to E30 represents -N =. R2 represents a hydrogen atom, a substituent or a linking site, and R3 and R4 represent a hydrogen atom or a substituent. However, at least one of E21 or E22 represents -C (R2) =, and R2 represents a linking site. n2 represents an integer of 1 to 4. * Represents a linking site with Y1 in the general formula (6).

上記一般式(A−3)の式中、Xは−N(R)−、−O−、−S−または−Si(R)(R′)−を表し、E1〜E8は−C(R1)=または−N=を表し、R、R′及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。E31〜E35は−C(R2)=、−N=、−O−、−S−または−Si(R3)(R4)−を表し、E36〜E40は−C(R2)=または−N=を表し、E31〜E40の少なくとも1つは−N=を表す。R2は、水素原子、置換基または連結部位を表し、R3及びR4は水素原子または置換基を表す。但し、E32またはE33の少なくとも1つは−C(R2)=で表され、R2は連結部位を表す。n2は1〜4の整数を表す。*は、上記一般式(6)のY1との連結部位を表す。   In the general formula (A-3), X represents —N (R) —, —O—, —S— or —Si (R) (R ′) —, and E1 to E8 represent —C (R1 ) = Or -N =, and R, R 'and R1 each represent a hydrogen atom, a substituent, or a linking site with Y1. Y2 represents a simple bond or a divalent linking group. E31 to E35 represent -C (R2) =, -N =, -O-, -S- or -Si (R3) (R4)-, and E36 to E40 represent -C (R2) = or -N =. And at least one of E31 to E40 represents -N =. R2 represents a hydrogen atom, a substituent or a linking site, and R3 and R4 represent a hydrogen atom or a substituent. However, at least one of E32 or E33 is represented by -C (R2) =, and R2 represents a linking site. n2 represents an integer of 1 to 4. * Represents a linking site with Y1 in the general formula (6).

上記一般式(A−4)の式中、Xは−N(R)−、−O−、−S−または−Si(R)(R′)−を表し、E1〜E8は−C(R1)=または−N=を表し、R、R′及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。E41〜E50は−C(R2)=、−N=、−O−、−S−または−Si(R3)(R4)−を表し、少なくとも1つは−N=を表す。R2は、水素原子、置換基または連結部位を表し、R3及びR4は水素原子または置換基を表す。但し、E42またはE43の少なくとも1つは−C(R2)=で表され、R2は連結部位を表す。n2は1〜4の整数を表す。*は、上記一般式(6)のY1との連結部位を表す。   In the general formula (A-4), X represents —N (R) —, —O—, —S— or —Si (R) (R ′) —, and E1 to E8 represent —C (R1 ) = Or -N =, and R, R 'and R1 each represent a hydrogen atom, a substituent, or a linking site with Y1. Y2 represents a simple bond or a divalent linking group. E41 to E50 represent -C (R2) =, -N =, -O-, -S-, or -Si (R3) (R4)-, and at least one represents -N =. R2 represents a hydrogen atom, a substituent or a linking site, and R3 and R4 represent a hydrogen atom or a substituent. However, at least one of E42 or E43 is represented by -C (R2) =, and R2 represents a linking site. n2 represents an integer of 1 to 4. * Represents a linking site with Y1 in the general formula (6).

以下、一般式(A−1)〜(A−4)のいずれかで表される基について説明する。   Hereinafter, the group represented by any one of the general formulas (A-1) to (A-4) will be described.

一般式(A−1)〜(A−4)で表される基のいずれかのXで表される−N(R)−または−Si(R)(R′)−において、さらに、E1〜E8で表される−C(R1)=において、R、R′及びR1で各々表される置換基は、一般式(1)におけるE51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基と同義である。   In —N (R) — or —Si (R) (R ′) — represented by X in any of the groups represented by formulas (A-1) to (A-4), E1 to In -C (R1) = represented by E8, the substituents represented by R, R 'and R1 are each represented by -C (R3 represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1), respectively. ) = Synonymous with the substituent represented by R3.

一般式(A−1)〜(A−4)で表される基のいずれかにおいて、Y2で表される2価の連結基としては、一般式(6)において、Y1で表される2価の連結基と同義である。   In any of the groups represented by the general formulas (A-1) to (A-4), the divalent linking group represented by Y2 is a divalent group represented by Y1 in the general formula (6). It is synonymous with the linking group.

一般式(A−1)のE11〜E20、一般式(A−2)のE21〜E30、一般式(A−3)のE31〜E40、一般式(A−4)のE41〜E50で、各々表される−C(R2)=のR2で表される置換基は、一般式(1)におけるE51〜E66、E71〜E88で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基と同義である。   E11 to E20 of the general formula (A-1), E21 to E30 of the general formula (A-2), E31 to E40 of the general formula (A-3), E41 to E50 of the general formula (A-4), respectively. The substituent represented by R2 of —C (R2) ═ represented by the substitution represented by R3 of —C (R3) ═ represented by E51 to E66 and E71 to E88 in the general formula (1), respectively. Synonymous with group.

次に、本発明に係る一般式(6)で表される化合物のさらに好ましい態様について説明する。   Next, a further preferred embodiment of the compound represented by the general formula (6) according to the present invention will be described.

(一般式(7)で表される化合物)
本発明では、上記一般式(6)で表される化合物の中でも、下記一般式(7)で表される化合物が好ましい。この一般式(7)は、窒素含有層1aを構成する化合物として示した一般式(1)を含む。以下、一般式(7)で表される化合物について説明する。
(Compound represented by the general formula (7))
In the present invention, among the compounds represented by the general formula (6), a compound represented by the following general formula (7) is preferable. The general formula (7) includes the general formula (1) shown as a compound constituting the nitrogen-containing layer 1a. Hereinafter, the compound represented by the general formula (7) will be described.

上記一般式(7)の式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51〜E66は、各々−C(R3)=または−N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。Y6〜Y9は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Y6またはY7の少なくとも一方、及びY8またはY9の少なくとも一方は、N原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n3及びn4は0〜4の整数を表すが、n3+n4は2以上の整数である。   In the general formula (7), Y5 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof. E51 to E66 each represent -C (R3) = or -N =, and R3 represents a hydrogen atom or a substituent. Y6 to Y9 each represents a group derived from an aromatic hydrocarbon ring or a group derived from an aromatic heterocycle, and at least one of Y6 or Y7 and at least one of Y8 or Y9 is an aromatic group containing an N atom. Represents a group derived from a group heterocycle. n3 and n4 represent an integer of 0 to 4, but n3 + n4 is an integer of 2 or more.

一般式(7)におけるY5は、一般式(1)におけるY5と同義である。   Y5 in General formula (7) is synonymous with Y5 in General formula (1).

一般式(7)におけるE51〜E66は、一般式(1)におけるE51〜E66と同義である。   E51 to E66 in the general formula (7) have the same meanings as E51 to E66 in the general formula (1).

一般式(7)において、E51〜E66で各々表される基としては、E51〜E58のうちの6つ以上及びE59〜E66のうちの6つ以上が、各々−C(R3)=で表されることが好ましい。   In the general formula (7), as groups represented by E51 to E66, 6 or more of E51 to E58 and 6 or more of E59 to E66 are each represented by -C (R3) =. It is preferable.

一般式(7)において、Y6〜Y9は、各々芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。   In the general formula (7), Y6 to Y9 are each an aromatic hydrocarbon ring used for forming a group derived from an aromatic hydrocarbon ring, such as a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring. Phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring , Pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, picene ring, pyrene ring, pyranthrene ring, anthraanthrene ring, and the like.

さらに、前記芳香族炭化水素環は、一般式(1)におけるE51〜E66で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有してもよい。   Furthermore, the aromatic hydrocarbon ring may have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 in the general formula (1).

一般式(7)において、Y6〜Y9は、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す)等が挙げられる。   In the general formula (7), Y6 to Y9 are each an aromatic heterocycle used for forming a group derived from an aromatic heterocycle, for example, a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, or a pyridine ring. , Pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, indazole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole Ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, carbazole ring, carboline ring, diazacarbazole ring (one of the carbon atoms constituting the carboline ring is further substituted with a nitrogen atom) Shows the ring that is) It is below.

さらに、前記芳香族炭化水素環は、一般式(1)におけるE51〜E66で各々表される−C(R3)=のR3で表される置換基を有してもよい。   Furthermore, the aromatic hydrocarbon ring may have a substituent represented by R3 of -C (R3) = represented by E51 to E66 in the general formula (1).

一般式(7)において、Y6またはY7の少なくとも一方、及びY8またはY9の少なくとも一方で表されるN原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられるN原子を含む芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す)等が挙げられる。   In the general formula (7), an aromatic heterocycle containing an N atom used for forming a group derived from an aromatic heterocycle containing an N atom represented by at least one of Y6 or Y7 and at least one of Y8 or Y9. Examples of the ring include oxazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring. , Indazole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, carbazole ring, carboline ring, diazacarbazole ring (carboline ring) Composing charcoal It shows a ring in which one atom is further substituted with a nitrogen atom), and the like.

一般式(7)において、Y7、Y9で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。   In general formula (7), the groups represented by Y7 and Y9 each preferably represent a group derived from a pyridine ring.

また、一般式(7)において、Y6及びY8で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。   In the general formula (7), the groups represented by Y6 and Y8 each preferably represent a group derived from a benzene ring.

以上説明したような一般式(7)で表される化合物の中でもさらに好ましい態様として、窒素含有層1aを構成する化合物として示した一般式(1)で表される化合物が例示される。   Among the compounds represented by the general formula (7) as described above, a more preferred embodiment is exemplified by the compound represented by the general formula (1) shown as the compound constituting the nitrogen-containing layer 1a.

以上のような一般式(6),(7)、または一般式(1)で表される化合物の具体例として、上記で例示した化合物(1〜118)が示される。   As specific examples of the compound represented by the general formula (6), (7), or general formula (1) as described above, the compounds (1 to 118) exemplified above are shown.

[阻止層:正孔阻止層、電子阻止層]
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
[Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer]
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。   The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense. The hole blocking layer is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons but has a very small ability to transport holes, and recombines electrons and holes by blocking holes while transporting electrons. Probability can be improved. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed. The hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る阻止層の膜厚としては、好ましくは3〜100nmであり、さらに好ましくは5〜30nmである。   On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense. The electron blocking layer is made of a material that has a function of transporting holes but has a very small ability to transport electrons, and improves the probability of recombination of electrons and holes by blocking electrons while transporting holes. be able to. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The thickness of the blocking layer according to the present invention is preferably 3 to 100 nm, and more preferably 5 to 30 nm.

<その他の構成要素>
以上のような有機電界発光素子ELは、光取り出し側となる透明電極(例えばここでは第1電極5)の低抵抗化を図ることを目的とし、第1電極5に接して下記の補助電極が設けられていても良い。また有機材料等を用いて構成された発光ユニット3-1,3-2,3-3の劣化を防止することを目的として、基板11上において下記の封止材で封止されている。さらに、基板11との間に有機電界発光素子ELおよび封止材を挟んで、下記の保護膜もしくは保護板を設けても良い。
<Other components>
The organic electroluminescent element EL as described above has the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode (for example, the first electrode 5 here) on the light extraction side, and the following auxiliary electrode is in contact with the first electrode 5. It may be provided. Further, for the purpose of preventing deterioration of the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 configured using an organic material or the like, the substrate 11 is sealed with the following sealing material. Further, the following protective film or protective plate may be provided with the organic electroluminescent element EL and the sealing material sandwiched between the substrate 11 and the substrate 11.

[補助電極]
補助電極は、光透過性を有する電極(例えばここでは第1電極5および透明導電層1b-1,1b-2)の抵抗を下げる目的で必要に応じて設けるものであって、第1電極5および透明導電層1b-1,1b-2に接して設けられる。補助電極を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面からの発光光hの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極の線幅は、光を取り出す開口率の観点から50μm以下であることが好ましく、補助電極の厚さは、導電性の観点から1μm以上であることが好ましい。
[Auxiliary electrode]
The auxiliary electrode is provided as necessary for the purpose of reducing the resistance of the electrode having optical transparency (for example, the first electrode 5 and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 here). And in contact with the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2. The material for forming the auxiliary electrode is preferably a metal having low resistance such as gold, platinum, silver, copper, or aluminum. Since these metals have low light transmittance, a pattern is formed in a range not affected by extraction of the emitted light h from the light extraction surface. Examples of a method for forming such an auxiliary electrode include a vapor deposition method, a sputtering method, a printing method, an ink jet method, and an aerosol jet method. The line width of the auxiliary electrode is preferably 50 μm or less from the viewpoint of the aperture ratio for extracting light, and the thickness of the auxiliary electrode is preferably 1 μm or more from the viewpoint of conductivity.

<有機電界発光素子ELの駆動方法>
以上のような構成の有機電界発光素子ELの駆動に際しては、第1電極5、第2電極7、および透明導電層1b-1,1b-2に印加する電圧を制御することにより、3つの発光ユニット3-1,3-2,3-3においての発光を制御する。これにより、基板11側から、所望の色彩および明度で発光光が取り出される。
<Driving method of organic electroluminescent element EL>
When driving the organic electroluminescent element EL having the above-described configuration, three light emission elements are controlled by controlling the voltages applied to the first electrode 5, the second electrode 7, and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2. The light emission in the units 3-1, 3-2, and 3-3 is controlled. Thereby, emitted light is extracted from the substrate 11 side with a desired color and brightness.

<有機電界発光素子ELの作製方法>
先ず基板11上に、蒸着法やスパッタ法などの適宜の成膜法によって、光透過性の第1電極5を陽極として形成する。また、第1電極5の形成前後には、必要に応じて補助電極のパターン形成を行う。
<Method for Producing Organic Electroluminescent Element EL>
First, the light transmissive first electrode 5 is formed as an anode on the substrate 11 by an appropriate film forming method such as vapor deposition or sputtering. In addition, before and after the formation of the first electrode 5, an auxiliary electrode pattern is formed as necessary.

次にこの上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に成膜し、発光ユニット3-1を形成する。この発光ユニット3-1は、発光層の成膜において適宜選択された発光材料(例えばホスト化合物および発光ドーパント化合物)を用いることにより、青色(B)の発光光hbが得られるように形成する。   Next, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially formed thereon to form a light emitting unit 3-1. The light emitting unit 3-1 is formed so as to obtain blue (B) emitted light hb by using a light emitting material (for example, a host compound and a light emitting dopant compound) appropriately selected in the formation of the light emitting layer.

これらの各層の成膜は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、スパッタ法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50℃〜450℃、真空度10-6Pa〜10-2Pa、蒸着速度0.01nm/秒〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1μm〜5μmの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。 The film formation of each of these layers includes spin coating, casting, ink jet, vapor deposition, sputtering, printing, etc., but it is easy to obtain a uniform film and it is difficult to generate pinholes. A vacuum deposition method or a spin coating method is particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When employing a vapor deposition method for forming each of these layers, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, etc., but generally the boat heating temperature is 50 ° C. to 450 ° C., the degree of vacuum is 10 −6 Pa to 10 −2 Pa, It is desirable to select each condition as appropriate within the range of a deposition rate of 0.01 nm / second to 50 nm / second, a substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and a film thickness of 0.1 μm to 5 μm.

次いで、窒素原子を含んだ化合物からなる窒素含有層1a-1を、1μm以下、好ましくは10nm〜100nmの膜厚になるように形成する。その後、銀(または銀を主成分とした合金)からなる透明導電層1b-1を、4nm〜12nmの膜厚になるように形成する。これらの窒素含有層1aおよび透明導電層1bの形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、スパッタ法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法が特に好ましい。   Next, the nitrogen-containing layer 1a-1 made of a compound containing nitrogen atoms is formed to a thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 100 nm. Thereafter, the transparent conductive layer 1b-1 made of silver (or an alloy containing silver as a main component) is formed to have a thickness of 4 nm to 12 nm. These nitrogen-containing layer 1a and transparent conductive layer 1b can be formed by spin coating, casting, ink jetting, vapor deposition, sputtering, printing, etc., but it is easy to obtain a homogeneous film and has pinholes. The vacuum deposition method is particularly preferable from the viewpoint of difficulty in formation.

その後さらに、透明導電層1b-1上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に成膜し、発光ユニット3-2を形成する。この発光ユニット3-2は、発光層の成膜において適宜選択された発光材料(例えばホスト化合物および発光ドーパント化合物)を用いることにより、緑色(G)の発光光hgが得られるように形成する。これらの各層の成膜は、発光光の発光ユニット3-1と同様に行われる。   Then, further, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are formed in this order on the transparent conductive layer 1b-1 to form a light emitting unit 3-2. The light emitting unit 3-2 is formed so as to obtain green (G) emitted light hg by using a light emitting material (for example, a host compound and a light emitting dopant compound) appropriately selected in the formation of the light emitting layer. These layers are formed in the same manner as the light emitting unit 3-1.

次いで、発光ユニット3-2上に、窒素含有層1a-2と透明導電層1b-2とをこの順に形成する。これらは、窒素含有層1a-1および透明導電層1b-1と同様に形成される。   Next, a nitrogen-containing layer 1a-2 and a transparent conductive layer 1b-2 are formed in this order on the light emitting unit 3-2. These are formed in the same manner as the nitrogen-containing layer 1a-1 and the transparent conductive layer 1b-1.

その後さらに、透明導電層1b-2上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に成膜し、発光ユニット3-3を形成する。この発光ユニット3-3は、発光層の成膜において適宜選択された発光材料(例えばホスト化合物および発光ドーパント化合物)を用いることにより、赤色(R)の発光光(hr)が得られるように形成する。これらの各層の成膜は、発光光の発光ユニット3-1と同様に行われる。   Thereafter, further, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially formed on the transparent conductive layer 1b-2 to form a light emitting unit 3-3. This light emitting unit 3-3 is formed so that red (R) emitted light (hr) can be obtained by using a light emitting material (for example, a host compound and a light emitting dopant compound) appropriately selected in the formation of the light emitting layer. To do. These layers are formed in the same manner as the light emitting unit 3-1.

以上の後、発光ユニット3-3上に、蒸着法やスパッタ法などの適宜の成膜法によって、第2電極7を陰極として形成する。   After the above, the second electrode 7 is formed as a cathode on the light emitting unit 3-3 by an appropriate film forming method such as vapor deposition or sputtering.

これにより、有機電界発光素子ELが得られる。このような有機電界発光素子ELの作製においては、一回の真空引きで一貫して発光ユニット3-1から第2電極7まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から基板11を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   Thereby, the organic electroluminescent element EL is obtained. In the production of such an organic electroluminescent element EL, it is preferable to produce the light emitting unit 3-1 to the second electrode 7 consistently by a single evacuation, but the substrate 11 is taken out from the vacuum atmosphere in the middle. Different film forming methods may be applied. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

<有機電界発光素子ELの効果>
以上説明した有機電界発光素子ELは、先に説明した導電性と光透過性とを兼ね備えた透明導電層1b-1,1b-2を、発光ユニット3-1,3-2,3-3間に挟持させた構成である。このため、発光ユニット3-1,3-2,3-3に対して透明導電層1b-1,1b-2から十分に電荷を注入して発光効率を確保しつつ、各発光ユニット3-1,3-2、3-3で発生させた発光光hb,hg,hrの透明導電層1b-1,1b-2においての吸収を抑えることにより、発光効率の向上を図ることが可能になる。またこれにより、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。
<Effect of organic electroluminescent element EL>
The organic electroluminescent element EL described above includes the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 having both the conductivity and the light transmission described above between the light emitting units 3-1, 3-2 and 3-3. It is the structure clamped in. For this reason, the light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 are injected with sufficient charges from the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2 to ensure the light emission efficiency, and the light emitting units 3-1, , 3-2, and 3-3, by suppressing the absorption of the emitted light hb, hg, hr in the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2, it is possible to improve the light emission efficiency. This also makes it possible to improve the light emission lifetime by reducing the drive voltage for obtaining a predetermined luminance.

≪3.有機電界発光素子を用いたパッシブマトリックス型の表示装置≫
図3は、上述したタンデム構造の有機電界発光素子ELを用いたパッシブマトリックス型の表示装置10aの構成を説明するための平面模式図である。また図4はこの表示装置10aにおける要部の断面模式図であり、図3における水平方向の3画素分の断面に相当している。以下、これらの図に基づいて表示装置10aの構成を説明する。尚、図2で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
≪3. Passive matrix display device using organic electroluminescence device >>
FIG. 3 is a schematic plan view for explaining the configuration of a passive matrix display device 10a using the above-described tandem organic electroluminescent element EL. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the main part of the display device 10a, and corresponds to a cross section of three pixels in the horizontal direction in FIG. Hereinafter, the configuration of the display device 10a will be described with reference to these drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to having demonstrated in FIG. 2, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

<表示装置10aのパネル構成>
これらの図に示す表示装置10aは、基板11の一主面上に、有機電界発光素子ELが設けられた複数の画素aが2次元的に配列された表示領域13を有している。この表示領域13の周辺部分には、有機電界発光素子ELを駆動するための垂直駆動回路15および水平駆動回路17、さらにはこれらの回路を制御するための制御回路19などの周辺回路が設けられている。尚、これらの周辺回路は、表示領域13が設けられた基板11とは別の外部基板に設けられていても良い。
<Panel Configuration of Display Device 10a>
The display device 10a shown in these drawings has a display region 13 on a main surface of a substrate 11 in which a plurality of pixels a provided with an organic electroluminescent element EL are two-dimensionally arranged. Peripheral circuits such as a vertical drive circuit 15 and a horizontal drive circuit 17 for driving the organic electroluminescent element EL, and a control circuit 19 for controlling these circuits are provided in the peripheral portion of the display area 13. ing. These peripheral circuits may be provided on an external substrate different from the substrate 11 on which the display region 13 is provided.

各画素aに設けられた各有機電界発光素子ELは、例えば図2を用いて説明したと同様の構成のものであり、基板11側から順に、第1電極5、1つ目の発光ユニット3-1、窒素含有層1a-1、透明導電層1b-1、2つ目の発光ユニット3-2、窒素含有層1a-2、透明導電層1b-2、3つ目の発光ユニット3-3、および第2電極7をこの順に積層して構成されている。   Each organic electroluminescent element EL provided in each pixel a has the same configuration as described with reference to FIG. 2, for example. The first electrode 5 and the first light emitting unit 3 are sequentially arranged from the substrate 11 side. -1, nitrogen-containing layer 1a-1, transparent conductive layer 1b-1, second light emitting unit 3-2, nitrogen-containing layer 1a-2, transparent conductive layer 1b-2, third light emitting unit 3-3 , And the second electrode 7 are laminated in this order.

このうち第1電極5は、例えば垂直方向に延設された複数の電極パターンとして構成されている。このような第1電極5の形成は、第1電極5として用いる材料によって適宜選択され、例えばマスク蒸着や、レジストパターンをマスクにした電極膜のパターニングによって形成される。これらの第1電極5は、水平駆動回路17に接続され、この水平駆動回路17から各駆動電圧Vy1,…Vymが印加される。   Among these, the 1st electrode 5 is comprised, for example as a some electrode pattern extended in the perpendicular direction. The formation of the first electrode 5 is appropriately selected depending on the material used as the first electrode 5, and is formed by, for example, mask deposition or patterning of an electrode film using a resist pattern as a mask. These first electrodes 5 are connected to a horizontal drive circuit 17, and drive voltages Vy 1,... Vym are applied from the horizontal drive circuit 17.

透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7は、それぞれが、例えば水平方向に延設された複数の電極パターンとして構成されている。これらの透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7は、第1電極5と交差する位置において、相互に積層して設けられている。このような透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7の形成は、例えばマスク蒸着によって行われる。またこれらの透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7は、それぞれ個別に垂直駆動回路15に接続され、この垂直駆動回路15から各駆動電圧V1x1,V2x1,V3x1,…V1xn,V2xn,V3xnが印加される。   Each of the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 and the second electrode 7 is configured as a plurality of electrode patterns extending in the horizontal direction, for example. These transparent conductive layers 1 b-1 and 1 b-2 and the second electrode 7 are provided so as to be stacked on each other at a position intersecting with the first electrode 5. The transparent conductive layers 1b-1, 1b-2 and the second electrode 7 are formed by mask vapor deposition, for example. The transparent conductive layers 1b-1, 1b-2 and the second electrode 7 are individually connected to the vertical drive circuit 15, and the drive voltages V1x1, V2x1, V3x1,. V2xn and V3xn are applied.

発光ユニット3-1,3-2,3-3は、以上の第1電極5、透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7間において、連続膜として形成されている。これらの発光ユニット3-1,3-2,3-3は、表示領域13を覆う状態で設けられていれば良く、表示領域13内においてパターニングされている必要はない。このため、必要に応じて既に下層に形成されている第1電極5、および透明導電層1b-1,1b-2の端子部分を覆ったマスク蒸着によって形成される。   The light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 are formed as a continuous film between the first electrode 5, the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2, and the second electrode 7. These light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 need only be provided so as to cover the display area 13, and need not be patterned in the display area 13. For this reason, it is formed by mask deposition covering the first electrode 5 already formed in the lower layer and the terminal portions of the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 as necessary.

<表示装置10aの封止構成>
以上のようなパネル構成の表示装置10aにおいては、有機電界発光素子ELを覆う状態でここでの図示を省略した封止材や保護材が設けられている。次に、封止材および保護材の詳細を説明する。
<Sealing configuration of display device 10a>
In the display device 10a having the panel configuration as described above, a sealing material and a protective material, which are not shown here, are provided so as to cover the organic electroluminescent element EL. Next, the detail of a sealing material and a protective material is demonstrated.

[封止材]
封止材は、有機電界発光素子ELが設けられた表示領域13を覆って設けられる。このような封止材は、板状(フィルム状)の封止部材であって接着剤によって基板11側に固定されるものであっても良く、封止膜であっても良い。またこの封止材は、必要に応じて垂直駆動回路15、水平駆動回路17、さらには制御回路19を覆う状態で設けられていても良い。
[Encapsulant]
The sealing material is provided so as to cover the display region 13 in which the organic electroluminescent element EL is provided. Such a sealing material may be a plate-shaped (film-shaped) sealing member that is fixed to the substrate 11 side by an adhesive, or may be a sealing film. Further, this sealing material may be provided so as to cover the vertical drive circuit 15, the horizontal drive circuit 17, and further the control circuit 19 as necessary.

板状(フィルム状)の封止材としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属材料基板で構成されたものが挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型でフレキシブルに屈曲するフィルム状にして用いても良い。   Specific examples of the plate-like (film-like) sealing material include those composed of a glass substrate, a polymer substrate, and a metal material substrate, and these substrate materials are further thinned and flexibly bent. May be used.

ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。さらに金属材料基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。   Examples of the glass substrate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer substrate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Further, examples of the metal material substrate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum. .

なかでも、表示装置10aの全体を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板または金属材料基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。ただし、有機電界発光素子ELが、基板11とは逆の第2電極7側からも光を取り出すものである場合、この封止材としては光透過性を有するガラス基板またはポリマー基板が用いられる。   In particular, since the entire display device 10a can be thinned, a thin film-like polymer substrate or metal material substrate can be preferably used as the sealing material. However, when the organic electroluminescent element EL is one that extracts light also from the second electrode 7 side opposite to the substrate 11, a glass substrate or polymer substrate having optical transparency is used as the sealing material.

フィルム状としたポリマー基板は、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/(m2・24h・atm)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下のものであることが好ましい。 The polymer substrate made into a film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less, and conforms to JIS K 7129-1992. The water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured by the method is preferably 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less. .

また以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材として用いても良い。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。   Further, the above substrate material may be processed into a concave plate shape and used as a sealing material. In this case, the above-described substrate member is subjected to processing such as sand blasting or chemical etching to form a concave shape.

またこのような板状の封止材を基板11側に固定するための接着剤は、封止材と基板11との間に挟持された有機電界発光素子ELを封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。   Moreover, the adhesive for fixing such a plate-shaped sealing material to the substrate 11 side is a sealing agent for sealing the organic electroluminescence element EL sandwiched between the sealing material and the substrate 11. Used. Specifically, such adhesives include acrylic acid oligomers, photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups of methacrylic acid oligomers, and moisture curable adhesives such as 2-cyanoacrylates. Mention may be made of adhesives.

またこのような接着剤としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。   Examples of such an adhesive include epoxy-based heat and chemical curing types (two-component mixing). Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.

なお、有機電界発光素子EL-1を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤は、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。   In addition, the organic material which comprises organic electroluminescent element EL-1 may deteriorate with heat processing. For this reason, an adhesive that can be adhesively cured from room temperature to 80 ° C. is preferable. Further, a desiccant may be dispersed in the adhesive.

封止材と基板11との接着部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。   Application | coating of the adhesive agent to the adhesion part of the sealing material and the board | substrate 11 may use commercially available dispenser, and may print it like screen printing.

また板状の封止材と基板11と接着剤との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。   Further, when a gap is formed between the plate-shaped sealing material, the substrate 11, and the adhesive, the gap includes an inert gas such as nitrogen and argon, a fluorinated hydrocarbon, It is preferable to inject an inert liquid such as silicone oil. A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。   Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.

一方、封止材として封止膜を用いる場合、有機電界発光素子ELにおける発光ユニット3-1,3-2,3-3を完全に覆う状態で設けられることが重要である。   On the other hand, when a sealing film is used as the sealing material, it is important that the sealing film is provided in a state of completely covering the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 in the organic electroluminescent element EL.

このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機電界発光素子EL-1における発光ユニット3-1,3-2,3-3の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて積層構造としても良い。   Such a sealing film is configured using an inorganic material or an organic material. In particular, it is made of a material having a function of suppressing entry of substances such as moisture and oxygen that cause deterioration of the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 in the organic electroluminescent element EL-1. As such a material, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride is used. Furthermore, in order to improve the brittleness of the sealing film, a laminated structure may be formed by using a film made of an organic material together with a film made of these inorganic materials.

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。   The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

尚、上述した封止材は、さらに電極を備えていても良く、有機電界発光素子ELの第1電極5および第2電極7の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていても良い。   In addition, the sealing material mentioned above may be further provided with an electrode, and is configured to electrically connect the terminal portions of the first electrode 5 and the second electrode 7 of the organic electroluminescent element EL to this electrode. Also good.

[保護膜、保護板]
保護膜もしくは保護板は、有機電界発光素子ELを機械的に保護するためのものであり、特に封止材が封止膜である場合には、有機電界発光素子ELに対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜もしくは保護板を設けることが好ましい。
[Protective film, protective plate]
The protective film or the protective plate is for mechanically protecting the organic electroluminescent element EL, and particularly when the sealing material is a sealing film, sufficient mechanical protection is provided for the organic electroluminescent element EL. Therefore, it is preferable to provide such a protective film or protective plate.

以上のような保護膜もしくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、またはポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。   As the protective film or protective plate as described above, a glass plate, a polymer plate, a polymer film thinner than this, a metal plate, a metal film thinner than this, or a polymer material film or metal material film is applied. Among these, it is particularly preferable to use a polymer film because it is light and thin.

<表示装置10aの駆動方法>
このような構成の表示装置10aの駆動においては、水平駆動回路17によって、各第1電極5への電圧印加を制御しつつ、垂直駆動回路15によって各透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7に対して表示信号に応じた各電圧を印加する。この際、水平駆動回路17および垂直駆動回路15の少なくとも一方により、第1電極5への電圧印加を走査させるか、透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7への電圧印加を走査させる。
<Driving Method of Display Device 10a>
In driving the display device 10a having such a configuration, the horizontal drive circuit 17 controls the voltage application to the first electrodes 5 while the vertical drive circuit 15 controls the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2, Each voltage corresponding to the display signal is applied to the second electrode 7. At this time, voltage application to the first electrode 5 is scanned by at least one of the horizontal drive circuit 17 and the vertical drive circuit 15, or voltage application to the transparent conductive layers 1 b-1 and 1 b-2 and the second electrode 7 is performed. To scan.

これにより、選択された垂直方向または水平方向に配列された各画素aの有機電界発光素子ELにおいて、第1電極5、透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7への印加電圧に応じた所望の色彩および明度で発光光hb,hg,hrが発生し、基板11側からこれらの発光光hb,hg,hrが取り出される。   Thus, application to the first electrode 5, the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2, and the second electrode 7 in the organic electroluminescence element EL of each pixel a arranged in the selected vertical direction or horizontal direction. The emitted lights hb, hg, hr are generated with a desired color and brightness according to the voltage, and these emitted lights hb, hg, hr are extracted from the substrate 11 side.

<表示装置10aの効果>
以上のように構成された表示装置10aは、図2を用いて説明したように、導電性と光透過性とを兼ね備えた透明導電層1b-1,1b-2を、発光ユニット3-1,3-2,3-3間に挟持させた有機電界発光素子ELを用いて構成されたものである。つまり、表示装置10aは、発光ユニット3-1,3-2,3-3に対して透明導電層1b-1,1b-2から十分に電荷を注入して発光効率を確保しつつ、各発光ユニット3-1,3-2、3-3で発生させた発光光hb,hg,hrの透明導電層1b-1,1b-2においての吸収を抑えることにより、発光効率の向上が図られた有機電界発光素子ELによって構成されている。したがって、タンデム型の有機電界発光素子ELにおいて積層された各発光ユニット3-1,3-2、3-3からの光取出し効率を低下させることなく色調の制御性が向上し、この結果としてこの有機電界発光素子ELを用いた表示装置10aにおいて、明度が高く色再現性の良好な表示を行うことが可能になる。
<Effect of display device 10a>
As described with reference to FIG. 2, the display device 10 a configured as described above includes the transparent conductive layers 1 b-1 and 1 b-2 having both conductivity and light transmittance, and the light emitting units 3-1 and 3-1. It is configured using an organic electroluminescent element EL sandwiched between 3-2 and 3-3. That is, the display device 10a emits each light emission while sufficiently injecting charges from the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 to the light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 to ensure the light emission efficiency. Luminous efficiency was improved by suppressing absorption in the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 of the emitted lights hb, hg and hr generated by the units 3-1, 3-2 and 3-3. It is comprised by the organic electroluminescent element EL. Therefore, the controllability of the color tone is improved without reducing the light extraction efficiency from the light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 stacked in the tandem organic electroluminescent element EL. In the display device 10a using the organic electroluminescent element EL, it is possible to perform display with high brightness and good color reproducibility.

≪4.有機電界発光素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置≫
図5は、上述したタンデム構造の有機電界発光素子ELを用いたアクティブマトリックス型の表示装置10bの構成を説明するための平面模式図である。また図6はこの表示装置10bにおける要部の断面模式図であり、図5における水平方向の3画素分の断面に相当している。以下、これらの図に基づいて表示装置10bの構成を説明する。尚、図2で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
<< 4. Active matrix display device using organic electroluminescence device >>
FIG. 5 is a schematic plan view for explaining the configuration of an active matrix display device 10b using the above-described tandem organic electroluminescent element EL. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the main part of the display device 10b, which corresponds to the cross section of three pixels in the horizontal direction in FIG. Hereinafter, the configuration of the display device 10b will be described based on these drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to having demonstrated in FIG. 2, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

<表示装置10bのパネル構成>
これらの図に示す表示装置10bは、基板11の一主面上に、有機電界発光素子ELが設けられた複数の画素aが2次元的に配列された表示領域13を有している。この表示領域13の周辺部分には、有機電界発光素子ELを駆動するための垂直駆動回路15および水平駆動回路17、さらにはこれらの回路を制御するための制御回路19などの周辺回路が設けられている。尚、これらの周辺回路は、表示領域13が設けられた基板11とは別の外部基板に設けられていても良い。
<Panel Configuration of Display Device 10b>
A display device 10b shown in these drawings has a display region 13 on a main surface of a substrate 11 in which a plurality of pixels a provided with organic electroluminescent elements EL are two-dimensionally arranged. Peripheral circuits such as a vertical drive circuit 15 and a horizontal drive circuit 17 for driving the organic electroluminescent element EL, and a control circuit 19 for controlling these circuits are provided in the peripheral portion of the display area 13. ing. These peripheral circuits may be provided on an external substrate different from the substrate 11 on which the display region 13 is provided.

表示領域13には、水平方向に複数の走査線21が配線されている。これらの走査線21は、垂直駆動回路15に接続されている。また表示領域13には、垂直方向に3本の信号線23-1,23-2,23-3を1組とした複数の信号線の組が配線されている。これらの信号線23-1,23-2,23-3は、水平駆動回路17に接続されている。そして、走査線21と信号線23-1,23-2,23-3との各交差部に、それぞれ画素aが配置された構成となっている。   A plurality of scanning lines 21 are wired in the display area 13 in the horizontal direction. These scanning lines 21 are connected to the vertical drive circuit 15. The display area 13 is provided with a plurality of signal line sets each including three signal lines 23-1, 23-2, and 23-3 in the vertical direction. These signal lines 23-1, 23-2, 23-3 are connected to the horizontal drive circuit 17. The pixel a is arranged at each intersection of the scanning line 21 and the signal lines 23-1, 23-2, 23-3.

各画素aに設けられた各有機電界発光素子ELは、例えば図2を用いて説明したと同様の構成のものであり、基板11側から順に、第1電極5、1つ目の発光ユニット3-1、窒素含有層1a-1、透明導電層1b-1、2つ目の発光ユニット3-2、窒素含有層1a-2、透明導電層1b-2、3つ目の発光ユニット3-3、および第2電極7をこの順に積層して構成されている。   Each organic electroluminescent element EL provided in each pixel a has the same configuration as described with reference to FIG. 2, for example. The first electrode 5 and the first light emitting unit 3 are sequentially arranged from the substrate 11 side. -1, nitrogen-containing layer 1a-1, transparent conductive layer 1b-1, second light emitting unit 3-2, nitrogen-containing layer 1a-2, transparent conductive layer 1b-2, third light emitting unit 3-3 , And the second electrode 7 are laminated in this order.

このうち第1電極5は、表示領域13を覆う共通電極として、全画素aに連続膜の状態で配置されている。このような第1電極5の形成は、第1電極5として用いる材料によって適宜選択され、パターニングの必要がある場合には、例えば不必要な部分を覆ったマスク蒸着や、レジストパターンをマスクにした電極膜のパターニングによって形成される。この第1電極5には、例えば固定電圧Vが印加される構成となっている。   Among these, the 1st electrode 5 is arrange | positioned in the state of the continuous film in all the pixels a as a common electrode which covers the display area 13. FIG. The formation of the first electrode 5 is appropriately selected depending on the material used for the first electrode 5. When patterning is necessary, for example, mask deposition covering an unnecessary portion or a resist pattern is used as a mask. It is formed by patterning the electrode film. For example, a fixed voltage V is applied to the first electrode 5.

一方、透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7は、それぞれが、画素a毎にパターニングされた画素電極として設けられており、各画素aにおいて積層されている。このような透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7の形成は、例えばマスク蒸着によって行われる。   On the other hand, each of the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2 and the second electrode 7 is provided as a pixel electrode patterned for each pixel a, and is laminated in each pixel a. The transparent conductive layers 1b-1, 1b-2 and the second electrode 7 are formed by mask vapor deposition, for example.

発光ユニット3-1,3-2,3-3は、以上の第1電極5、透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7間において、連続膜として形成されている。これらの発光ユニット3-1,3-2,3-3は、表示領域13を覆う状態で設けられていれば良く、表示領域13内においてパターニングされている必要はない。このため、不必要な部分を覆ったマスク蒸着によって形成される。   The light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 are formed as a continuous film between the first electrode 5, the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2, and the second electrode 7. These light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 need only be provided so as to cover the display area 13, and need not be patterned in the display area 13. For this reason, it forms by mask vapor deposition which covered the unnecessary part.

そして各走査線21からは、1つの画素aに対応して3本の分岐配線21-1,21-2,21-3が分岐して設けられている。このうち各分岐配線21-1は、対応する画素aにおける透明導電層1b-1に接続されている。また各分岐配線21-2は、対応する画素aにおける透明導電層1b-2に接続されている。そして各分岐配線21-3は、対応する画素aにおける第2電極7に接続されている。   From each scanning line 21, three branch wirings 21-1, 21-2, and 21-3 are branched and provided corresponding to one pixel a. Among these, each branch wiring 21-1 is connected to the transparent conductive layer 1b-1 in the corresponding pixel a. Each branch line 21-2 is connected to the transparent conductive layer 1b-2 in the corresponding pixel a. Each branch line 21-3 is connected to the second electrode 7 in the corresponding pixel a.

また、各信号線23-1には、これに沿って配置された各画素aの分岐配線21-1が、接続されている。また各信号線23-2には、これに沿って配置された各画素aの分岐配線21-2が、接続されている。そして各信号線23-3には、これに沿って配置された各画素aの分岐配線21-3が接続されている。   Further, the branch wiring 21-1 of each pixel a arranged along this is connected to each signal line 23-1. In addition, each signal line 23-2 is connected to a branch wiring 21-2 of each pixel a arranged along the signal line 23-2. Each signal line 23-3 is connected to a branch wiring 21-3 of each pixel a arranged along the signal line 23-3.

図6に示すように、走査線21、分岐配線21-1,21-2,21-3、および信号線23−1,23-2,23-3は、有機電界発光素子ELを覆う状態で設けられた絶縁膜25,27によって相互に絶縁された状態で、基板11上に配線されていることとする。これらの絶縁膜25,27は、例えば窒化シリコン膜のような封止性の良好な膜であることが好ましい。   As shown in FIG. 6, the scanning line 21, the branch wirings 21-1, 21-2, 21-3, and the signal lines 23-1, 23-2, 23-3 cover the organic electroluminescent element EL. It is assumed that the wiring is formed on the substrate 11 while being insulated from each other by the provided insulating films 25 and 27. These insulating films 25 and 27 are preferably films having good sealing properties such as a silicon nitride film.

尚、走査線21、分岐配線21-1,21-2,21-3、および信号線23−1,23-2,23-3の形成は、第1電極5として用いる材料によって適宜選択され、例えばマスク蒸着や、レジストパターンをマスクにした電極膜のパターニングによって形成される。また、分岐配線21-1,21-2,21-3、信号線23−1,23-2,23-3、透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7間相互の接続は、絶縁膜25,27および発光ユニット3-2,3-3に形成した接続孔に導電性材料で埋め込んで形成したヴィア29によってなされることとする。ただし、発光ユニット3-3を形成した後の工程は、低温プロセスで行われることが好ましい。   The formation of the scanning line 21, the branch wirings 21-1, 21-2, 21-3, and the signal lines 23-1, 23-2, 23-3 is appropriately selected depending on the material used for the first electrode 5. For example, it is formed by mask vapor deposition or patterning of an electrode film using a resist pattern as a mask. Further, the branch wirings 21-1, 21-2, 21-3, the signal lines 23-1, 23-2, 23-3, the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2, and the second electrode 7 are mutually connected. The vias 29 are formed by embedding a conductive material in connection holes formed in the insulating films 25 and 27 and the light emitting units 3-2 and 3-3. However, the step after forming the light emitting unit 3-3 is preferably performed by a low temperature process.

以上により、画素電極として構成された透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7は、それぞれが走査線21を介して垂直駆動回路15に接続されると共に、信号線23-1,23-2,23-3を介して水平駆動回路17に接続された状態となっている。   As described above, the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 and the second electrode 7 configured as pixel electrodes are each connected to the vertical drive circuit 15 via the scanning line 21 and the signal line 23-1. , 23-2, 23-3, and is connected to the horizontal drive circuit 17.

<表示装置10bの封止構成>
以上のようなパネル構成の表示装置10bにおいては、先に図3および図4を用いて説明した表示装置10aと同様に、封止材を用いて封止され、さらに必要に応じて保護膜や保護板を用いて保護されていることとする。
<Sealing configuration of display device 10b>
In the display device 10b having the panel configuration as described above, similarly to the display device 10a described above with reference to FIGS. 3 and 4, the display device 10b is sealed with a sealing material, and further, if necessary, a protective film or It shall be protected using a protective plate.

<表示装置10bの駆動方法>
このような構成の表示装置10bの駆動においては、第1電極5に共通の固定電圧Vを印加しておく。この状態で、垂直駆動回路15によって選択された行の各画素aに設けられた透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7に対して、水平駆動回路17から信号線23-1,23-2,23-3を介して表示信号に応じた各電圧を印加する。これにより、透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7への印加電圧に応じた所望の色彩および明度で発光光hb,hg,hrが発生し、基板11側からこれらの発光光hb,hg,hrが取り出される。
<Driving Method of Display Device 10b>
In driving the display device 10 b having such a configuration, a common fixed voltage V is applied to the first electrode 5. In this state, the horizontal drive circuit 17 sends a signal line 23-to the transparent conductive layers 1 b-1 and 1 b-2 and the second electrode 7 provided in each pixel a of the row selected by the vertical drive circuit 15. Each voltage according to the display signal is applied via 1, 23-2, 23-3. As a result, emitted light hb, hg, hr is generated in a desired color and brightness according to the voltage applied to the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2 and the second electrode 7, and these emitted light from the substrate 11 side. Lights hb, hg, and hr are extracted.

<表示装置10bの効果>
以上のように構成された表示装置10bは、図2を用いて説明したように、導電性と光透過性とを兼ね備えた透明導電層1b-1,1b-2を、発光ユニット3-1,3-2,3-3間に挟持させた有機電界発光素子ELを用いて構成されたものである。したがって、先に説明した表示装置10aと同様に、明度が高く色再現性の良好な表示を行うことが可能になる。
<Effect of display device 10b>
As described with reference to FIG. 2, the display device 10 b configured as described above includes the transparent conductive layers 1 b-1 and 1 b-2 having both conductivity and light transmission, and the light emitting units 3-1 and 3-1. It is configured using an organic electroluminescent element EL sandwiched between 3-2 and 3-3. Therefore, similarly to the display device 10a described above, it is possible to perform display with high brightness and good color reproducibility.

≪5.有機電界発光素子を用いた他のアクティブマトリックス型の表示装置≫
図7は、上述したタンデム構造の有機電界発光素子ELを用いた他のアクティブマトリックス型の表示装置10cの構成を説明するための3画素分の断面模式図である。以下、この図に基づいて表示装置10cの構成を説明する。尚、図2で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
≪5. Other active matrix type display devices using organic electroluminescent elements >>
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of three pixels for explaining the configuration of another active matrix display device 10c using the above-described organic electroluminescent element EL having a tandem structure. Hereinafter, the configuration of the display device 10c will be described with reference to FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to having demonstrated in FIG. 2, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

<表示装置10cのパネル構成>
これらの図に示す表示装置10cは、基板11の一主面上に、有機電界発光素子ELが設けられた複数の画素aが2次元的に配列された表示領域13を有している。この表示領域13の周辺部分には、ここでの図示は省略した垂直駆動回路および水平駆動回路、さらにはこれらの回路を制御するための制御回路などの周辺回路が設けられている。尚、これらの周辺回路は、基板11とは別の外部基板に設けられていても良い。
<Panel Configuration of Display Device 10c>
A display device 10c shown in these drawings has a display region 13 on a main surface of a substrate 11 in which a plurality of pixels a provided with an organic electroluminescent element EL are two-dimensionally arranged. In the peripheral portion of the display area 13, there are provided peripheral circuits such as a vertical drive circuit and a horizontal drive circuit (not shown here), and a control circuit for controlling these circuits. These peripheral circuits may be provided on an external substrate different from the substrate 11.

基板11上の各画素aには、薄膜トランジスタTrを用いて構成された画素回路が配置されている。これらの画素回路は、ここでの図示を省略した走査線と、これと垂直な方向に延設された信号線とに接続されている。各走査線は、上述した垂直駆動回路に接続されている。一方、各信号線は、上述した水平駆動回路に接続されている。これら薄膜トランジスタTrを用いた画素回路、走査線、および信号線は、層間絶縁膜31によって覆われている。   Each pixel a on the substrate 11 is provided with a pixel circuit configured using a thin film transistor Tr. These pixel circuits are connected to a scanning line not shown here and a signal line extending in a direction perpendicular to the scanning line. Each scanning line is connected to the vertical drive circuit described above. On the other hand, each signal line is connected to the horizontal drive circuit described above. Pixel circuits, scanning lines, and signal lines using these thin film transistors Tr are covered with an interlayer insulating film 31.

この層間絶縁膜31上の各画素aに、各有機電界発光素子ELが配置されている。各画素aに設けられた各有機電界発光素子ELは、例えば図2を用いて説明したと同様の構成のものであり、基板11側から順に、第1電極5、1つ目の発光ユニット3-1、窒素含有層1a-1、透明導電層1b-1、2つ目の発光ユニット3-2、窒素含有層1a-2、透明導電層1b-2、3つ目の発光ユニット3-3、および第2電極7をこの順に積層して構成されている。   Each organic electroluminescent element EL is disposed in each pixel a on the interlayer insulating film 31. Each organic electroluminescent element EL provided in each pixel a has the same configuration as described with reference to FIG. 2, for example. The first electrode 5 and the first light emitting unit 3 are sequentially arranged from the substrate 11 side. -1, nitrogen-containing layer 1a-1, transparent conductive layer 1b-1, second light emitting unit 3-2, nitrogen-containing layer 1a-2, transparent conductive layer 1b-2, third light emitting unit 3-3 , And the second electrode 7 are laminated in this order.

このうち第1電極5、および透明導電層1b-1,1b-2は、それぞれが、画素a毎にパターニングされた画素電極として設けられており、各画素aにおいて積層されている。このような第1電極5の形成は、第1電極5として用いる材料によって適宜選択され、例えばマスク蒸着や、レジストパターンをマスクにした電極膜のパターニングによって形成される。またこのような透明導電層1b-1,1b-2の形成は、例えばマスク蒸着によって行われる。これらの第1電極5、および透明導電層1b-1,1b-2は、それぞれ個別に画素回路を構成する薄膜トランジスタTrに接続されている。これにより、第1電極5、および透明導電層1b-1,1b-2は、画素回路および走査線および信号線を介して周辺回路に接続された構成となっている。   Among these, the first electrode 5 and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 are each provided as a pixel electrode patterned for each pixel a, and are stacked in each pixel a. The formation of the first electrode 5 is appropriately selected depending on the material used as the first electrode 5, and is formed by, for example, mask deposition or patterning of an electrode film using a resist pattern as a mask. The transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 are formed by, for example, mask vapor deposition. The first electrode 5 and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 are individually connected to the thin film transistor Tr constituting the pixel circuit. Thus, the first electrode 5 and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 are connected to the peripheral circuit via the pixel circuit, the scanning line, and the signal line.

一方、第2電極7は、表示領域13を覆う共通電極として、全画素aに連続膜の状態で配置されている。このような第2電極7の形成は、第1電極5として用いる材料によって適宜選択され、パターニングの必要がある場合には、例えば不必要な部分を覆ったマスク蒸着や、レジストパターンをマスクにした電極膜のパターニングによって形成される。この第2電極7には、例えば固定電圧Vが印加される構成となっている。   On the other hand, the second electrode 7 is arranged as a common electrode covering the display area 13 in a continuous film state in all the pixels a. The formation of the second electrode 7 is appropriately selected depending on the material used as the first electrode 5. When patterning is necessary, for example, mask deposition covering an unnecessary portion or a resist pattern is used as a mask. It is formed by patterning the electrode film. For example, a fixed voltage V is applied to the second electrode 7.

発光ユニット3-1,3-2,3-3は、以上の第1電極5、透明導電層1b-1,1b-2、および第2電極7間において、連続膜として形成されている。これらの発光ユニット3-1,3-2,3-3は、表示領域13を覆う状態で設けられていれば良く、表示領域13内においてパターニングされている必要はない。このため、不必要な部分を覆ったマスク蒸着によって形成される。   The light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 are formed as a continuous film between the first electrode 5, the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2, and the second electrode 7. These light emitting units 3-1, 3-2, 3-3 need only be provided so as to cover the display area 13, and need not be patterned in the display area 13. For this reason, it forms by mask vapor deposition which covered the unnecessary part.

尚、各薄膜トランジスタTrと、第1電極5および透明導電層1b-1,1b-2との接続は、発光ユニット3-2,3-1および層間絶縁膜31に形成した接続孔に導電性材料で埋め込んで形成したヴィア33によってなされることとする。   Each thin film transistor Tr is connected to the first electrode 5 and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 by a conductive material in the connection holes formed in the light emitting units 3-2 and 3-1, and the interlayer insulating film 31. It is assumed that it is made by the via 33 formed by embedding with.

以上により、画素電極として構成された第1電極5および透明導電層1b-1,1b-2のそれぞれが、画素回路を構成する薄膜トランジスタTrに接続された状態となっている。   As described above, each of the first electrode 5 and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2 configured as the pixel electrode is in a state of being connected to the thin film transistor Tr configuring the pixel circuit.

<表示装置10cの封止構成>
以上のようなパネル構成の表示装置10cにおいては、先に図3および図4を用いて説明した表示装置10aと同様に、封止材を用いて封止され、さらに必要に応じて保護膜や保護板を用いて保護されていることとする。
<Sealing configuration of display device 10c>
In the display device 10c having the panel configuration as described above, similarly to the display device 10a described above with reference to FIGS. 3 and 4, the display device 10c is sealed using a sealing material, and further, a protective film or It shall be protected using a protective plate.

<表示装置10cの駆動方法>
このような構成の表示装置10cの駆動においては、第2電極7に共通の固定電圧Vを印加しておく。この状態で、周辺駆動回路によって画素回路を選択し、選択した画素回路に接続された第1電極5、および透明導電層1b-1,1b-2に対して表示信号に応じた各電圧を印加する。これにより、第1電極5、および透明導電層1b-1,1b-2への印加電圧に応じた所望の色彩および明度で発光光hb,hg,hrが発生し、基板11側からこれらの発光光hb,hg,hrが取り出される。
<Driving Method of Display Device 10c>
In driving the display device 10 c having such a configuration, a common fixed voltage V is applied to the second electrode 7. In this state, a pixel circuit is selected by the peripheral drive circuit, and each voltage corresponding to the display signal is applied to the first electrode 5 connected to the selected pixel circuit and the transparent conductive layers 1b-1 and 1b-2. To do. As a result, emitted light hb, hg, hr is generated with a desired color and brightness according to the voltage applied to the first electrode 5 and the transparent conductive layers 1b-1, 1b-2, and these emitted light from the substrate 11 side. Lights hb, hg, and hr are extracted.

<表示装置10cの効果>
以上のように構成された表示装置10cは、図2を用いて説明したように、導電性と光透過性とを兼ね備えた透明導電層1b-1,1b-2を、発光ユニット3-1,3-2,3-3間に挟持させた有機電界発光素子ELを用いて構成されたものである。したがって、先に説明した表示装置10aと同様に、明度が高く色再現性の良好な表示を行うことが可能になる。
<Effect of display device 10c>
As described with reference to FIG. 2, the display device 10 c configured as described above includes the transparent conductive layers 1 b-1 and 1 b-2 having both conductivity and light transmittance, and the light emitting units 3-1 and 3-1. It is configured using an organic electroluminescent element EL sandwiched between 3-2 and 3-3. Therefore, similarly to the display device 10a described above, it is possible to perform display with high brightness and good color reproducibility.

≪6.変形例1≫
以上説明した各表示装置の実施形態においては、一例として図2を用いて説明したように、発光ユニット間のみに図1を用いて説明した窒素含有層1a-1,1a-2および透明導電層1b-1,1b-2を設けた有機電界発光素子ELを適用した構成を説明した。しかしながら、各表示装置に用いられる有機電界発光素子は、さらに光取り出し側となる第1電極5として図1を用いて説明した窒素含有層1aに隣接させた透明導電層1bを用いても良い。この場合、基板11側に窒素含有層1aを設け、この上部に隣接させて透明導電層1bを配置する。
≪6. Modification 1 >>
In the embodiment of each display device described above, as described with reference to FIG. 2 as an example, the nitrogen-containing layers 1a-1 and 1a-2 and the transparent conductive layer described with reference to FIG. The configuration to which the organic electroluminescent element EL provided with 1b-1 and 1b-2 is applied has been described. However, the organic electroluminescent element used in each display device may further use the transparent conductive layer 1b adjacent to the nitrogen-containing layer 1a described with reference to FIG. 1 as the first electrode 5 on the light extraction side. In this case, the nitrogen-containing layer 1a is provided on the substrate 11 side, and the transparent conductive layer 1b is disposed adjacent to the upper portion.

さらに、表示装置に用いる有機電界発光素子が、基板11と逆側から発光光hb,hg,hrを取り出すトップエミッション構造であれば、図2を用いて説明した構成において、基板11と逆側に設けた第2電極7として、図1を用いて説明した窒素含有層1aに隣接させた透明導電層1bを用いても良い。この場合、発光ユニット3-3側に窒素含有層1aを設け、この上部に隣接させて透明導電層1bを配置する。このため、この窒素含有層1aは、発光ユニット3-3として適する特性(例えば電子輸送性)を有する層として形成することが好ましい。またこのような構成であれば、基板11に近い発光ユニット3-1ほど、発光光の波長が長くなるように設定することで、エネルギーの高い青色(B)の発光光hbによって、その出射側に配置された緑色(G)の発光ユニット3-2、および赤色(R)の発光ユニット3-3における発光層の構成物質が励起されることを防止でき、制御性の良好な発光色の発光を第2電極7側から得ることができる。   Furthermore, if the organic electroluminescent element used for the display device has a top emission structure that extracts emitted light hb, hg, hr from the opposite side to the substrate 11, the structure described with reference to FIG. As the second electrode 7 provided, the transparent conductive layer 1b adjacent to the nitrogen-containing layer 1a described with reference to FIG. 1 may be used. In this case, the nitrogen-containing layer 1a is provided on the light emitting unit 3-3 side, and the transparent conductive layer 1b is disposed adjacent to the upper portion. For this reason, this nitrogen-containing layer 1a is preferably formed as a layer having characteristics suitable for the light emitting unit 3-3 (for example, electron transporting property). Also, with such a configuration, the light emitting unit 3-1 closer to the substrate 11 is set so that the wavelength of the emitted light becomes longer, so that the emission side of the blue (B) emitted light hb has a higher emission side. The constituent material of the light emitting layer in the green (G) light emitting unit 3-2 and the red (R) light emitting unit 3-3 disposed in the substrate can be prevented from being excited, and the light emitting color having good controllability can be emitted. Can be obtained from the second electrode 7 side.

また第1電極5と第2電極7の両方ともを、図1を用いて説明した窒素含有層1aに隣接させた透明導電層1bを用いることで、両面発光とした有機電界発光素子としても良い。   Further, both the first electrode 5 and the second electrode 7 may be organic electroluminescent elements that emit light on both sides by using the transparent conductive layer 1b adjacent to the nitrogen-containing layer 1a described with reference to FIG. .

≪7.変形例2≫
以上説明した各表示装置の実施形態においては、一例として図2を用いて説明したように、3つの発光ユニット3-1,3-2,3-3を積層させた有機電界発光素子ELを用いた構成を説明した。しかしながら、各表示装置に用いられる有機電界発光素子は、さらに4層目の発光ユニットを積層させた構成や、2つの発光ユニットを積層させた構成であっても良い。
≪7. Modification 2 >>
In the embodiments of the display devices described above, as described with reference to FIG. 2 as an example, an organic electroluminescent element EL in which three light emitting units 3-1, 3-2, and 3-3 are stacked is used. Explained the configuration that was. However, the organic electroluminescent element used in each display device may have a configuration in which a fourth light emitting unit is further stacked, or a configuration in which two light emitting units are stacked.

4層の発光ユニットを積層させる場合であれば、青色(B)の発光ユニット3-1、緑色(G)の発光ユニット3-2、赤色(R)の発光ユニット3-3の他に、白色(W)の発光光が得られる発光ユニットを用いる。このような白色(W)の発光ユニットは、図1を用いて説明した窒素含有層1aに隣接させた透明導電層1bを介して、青色(B)の発光ユニット3-1よりもさらに光取り出し側に設けることが好ましい。   When four layers of light emitting units are stacked, in addition to the blue (B) light emitting unit 3-1, the green (G) light emitting unit 3-2, and the red (R) light emitting unit 3-3, white A light emitting unit capable of obtaining the emitted light of (W) is used. Such a white (W) light-emitting unit extracts light further than the blue (B) light-emitting unit 3-1 through the transparent conductive layer 1b adjacent to the nitrogen-containing layer 1a described with reference to FIG. It is preferable to provide on the side.

一方、2つの発光ユニットのみを積層させる場合であれば、選択された異なる発光波長が得られる2つの発光ユニットを、図1を用いて説明した窒素含有層1aに隣接させた透明導電層1bを介して積層させれば良い。これのような構成によれば、カラー表示が可能な表示装置が得られる。   On the other hand, if only two light emitting units are laminated, the transparent conductive layer 1b in which the two light emitting units having different selected emission wavelengths are adjacent to the nitrogen-containing layer 1a described with reference to FIG. It suffices to stack them. According to such a configuration, a display device capable of color display is obtained.

≪透明導電層の作製≫
以下に説明するように、試料101〜112の各透明導電層を、導電性領域の面積が5cm×5cmとなるように作製した。
≪Preparation of transparent conductive layer≫
As described below, each of the transparent conductive layers of Samples 101 to 112 was fabricated such that the area of the conductive region was 5 cm × 5 cm.

試料101では、銀を用いた膜厚5nmの透明導電層を、単層で作製した。また試料102〜112では、各化合物で構成された窒素含有層を形成し、この上部に隣接させて銀を用いた膜厚5nmの透明導電層を作製した。   In Sample 101, a transparent conductive layer having a thickness of 5 nm using silver was formed as a single layer. In samples 102 to 112, a nitrogen-containing layer composed of each compound was formed, and a transparent conductive layer having a thickness of 5 nm using silver was formed adjacent to the upper part.

試料102の透明導電層の作製においては、この下地となる窒素含有層に換えて、化合物として窒素を含有しないアントラセン(化合物No.01)を用いた層を形成した。   In the production of the transparent conductive layer of the sample 102, a layer using anthracene (compound No. 01) containing no nitrogen as a compound was formed instead of the nitrogen-containing layer serving as the base.

一方、試料103〜112のそれぞれの透明導電層の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、下記に示すような窒素を含有する各化合物No.02〜No.11用いた。これらの化合物のうち、化合物No.03およびNo.08は一般式(1)に含まれ化合物であり、化合物No.08は化合物10である。また、化合物No.11は一般式(2)に含まれる化合物である。   On the other hand, in the production of each of the transparent conductive layers of Samples 103 to 112, compounds No. 02 to No. 11 containing nitrogen as shown below were used as compounds constituting the nitrogen-containing layer. Among these compounds, compounds No. 03 and No. 08 are compounds included in the general formula (1), and compound No. 08 is compound 10. Compound No. 11 is a compound included in the general formula (2).

下記表1には、試料103〜112で用いた各化合物No.02〜No.11についての、銀(Ag)と安定的に結合する化合物中の窒素原子の数[n]、銀(Ag)と化合物中における窒素(N)との相互作用エネルギー[ΔE]、および化合物の表面積[s]、およびこれらから算出した有効作用エネルギー[ΔEef]を示した。[n]を求めるための化合物中の窒素原子を含む環に対して当該窒素原子と銀とのなす二面角[D]、および[ΔE]は、Gaussian 03(Gaussian, Inc., Wallingford, CT, 2003)を用いて算出した。尚、これらの試料103〜112で用いた各化合物No.02〜No.11においては、二面角D<10度の範囲である窒素原子を、数[n]にカウントした。   Table 1 below shows the number of nitrogen atoms [n] and silver (Ag) in the compound that stably binds to silver (Ag) for each of compounds No. 02 to No. 11 used in Samples 103 to 112. And the interaction energy [ΔE] of nitrogen (N) in the compound, the surface area [s] of the compound, and the effective action energy [ΔEef] calculated from these. The dihedral angle [D] and [ΔE] formed by the nitrogen atom and silver with respect to the ring containing the nitrogen atom in the compound for obtaining [n] are Gaussian 03 (Gaussian, Inc., Wallingford, CT , 2003). In addition, in each compound No.02-No.11 used by these samples 103-112, the nitrogen atom which is the range of dihedral angle D <10 degree was counted to several [n].

化合物No.02は、化合物中に含まれる窒素原子(N)と、透明導電層を構成する銀(Ag)との関係を示す有効エネルギー[ΔEef]が、ΔEef>−0.1である。これに対して、化合物No.03〜No.11の化合物は、ΔEef≦−0.1である。   In Compound No. 02, the effective energy [ΔEef] indicating the relationship between the nitrogen atom (N) contained in the compound and silver (Ag) constituting the transparent conductive layer is ΔEef> −0.1. On the other hand, the compounds No. 03 to No. 11 satisfy ΔEef ≦ −0.1.

<試料101の透明導電層の作製手順>
先ず、透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。またタングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で、膜厚5nmの銀からなる透明導電層を基材上に形成した。
<Procedure for Producing Transparent Conductive Layer of Sample 101>
First, a transparent alkali-free glass substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus and attached to a vacuum tank of the vacuum deposition apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the said vacuum chamber. Next, after depressurizing the vacuum tank to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat is energized and heated, and the deposition rate is 0.1 nm / second to 0.2 nm / second, and the transparent film is made of silver with a film thickness of 5 nm. A conductive layer was formed on the substrate.

<試料102〜112の透明導電層の作製手順>
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定した。また、各透明導電層の作製において、上記各化合物No.01〜No.11をタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、第2真空槽内に取り付けた。
<Procedure for Producing Transparent Conductive Layers of Samples 102-112>
A transparent non-alkali glass substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. Moreover, in preparation of each transparent conductive layer, said each compound No.01-No.11 was put into the resistance heating boat made from a tantalum. These substrate holder and heating boat were attached to the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber.

この状態で、先ず、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で基材上に膜厚25nmの各化合物で構成された窒素含有層を設けた。 In this state, first, the first vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then heated by energizing a heating boat containing each compound, at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second. A nitrogen-containing layer composed of each compound having a film thickness of 25 nm was provided on the substrate.

次に、窒素含有層まで成膜した基材を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚5nmの銀からなる透明導電層を形成し、窒素含有層に隣接させた状態で、試料102〜112の透明導電層を得た。 Next, the base material formed up to the nitrogen-containing layer is transferred to the second vacuum chamber while maintaining a vacuum, and after the pressure in the second vacuum chamber is reduced to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing silver is energized and heated. did. Thus, a transparent conductive layer made of silver having a film thickness of 5 nm was formed at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second, and the transparent conductive layers of the samples 102 to 112 were formed adjacent to the nitrogen-containing layer. Obtained.

<実施例の各試料の評価>
上記で作製した試料101〜112の各透明導電層について、シート抵抗値を測定した。シート抵抗値の測定は、抵抗率計(三菱化学社製MCP−T610)を用い、四探針法定電流印加方式で行った。この結果を上記表1に合わせて示す。
<Evaluation of Samples in Examples>
The sheet resistance value was measured about each transparent conductive layer of the samples 101-112 produced above. The sheet resistance value was measured by a four-probe constant current application method using a resistivity meter (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). The results are shown in Table 1 above.

<実施例の評価結果>
表1から明らかなように、有効作用エネルギーΔEefがΔEef≦−0.1である化合物No.03〜No.11を用いた窒素含有層に隣接させた試料104〜112の透明導電層は、5nmと極薄膜でありながらも、シート抵抗値の測定が可能であり、単層成長型(Frank−van der Merwe:FW型)の膜成長によってほぼ均一な膜厚で形成されていることが確認された。これに対して、窒素含有層を設けていない単層構造の試料101の透明導電層、窒素を含有しない化合物No.1の下地層に隣接させて設けた試料102の透明導電層、およびΔEef>−0.1である化合物No.02を用いた窒素含有層に隣接させた試料103の透明導電層は、シート抵抗の測定が不可能であった。
<Evaluation results of examples>
As apparent from Table 1, the transparent conductive layers of the samples 104 to 112 adjacent to the nitrogen-containing layer using the compounds No. 03 to No. 11 having an effective action energy ΔEef of ΔEef ≦ −0.1 are 5 nm. Although it is an extremely thin film, it is possible to measure the sheet resistance value, and it is confirmed that the film is formed with a substantially uniform film thickness by single-layer growth type (FW type) film growth. It was. On the other hand, the transparent conductive layer of Sample 101 having a single layer structure without a nitrogen-containing layer, the transparent conductive layer of Sample 102 provided adjacent to the underlayer of Compound No. 1 that does not contain nitrogen, and ΔEef> The transparent conductive layer of Sample 103 adjacent to the nitrogen-containing layer using Compound No. 02 that is −0.1 cannot measure sheet resistance.

また図8には、窒素含有層を構成する化合物No.03〜No.11についての有効作用エネルギーΔEefと、これに隣接する各透明導電層について測定されたシート抵抗との関係を示す。この図8から、有効作用エネルギーΔEefが−0.5≦ΔEef≦−0.1の確認された範囲では、ΔEefの値が低いほど、透明導電層のシート抵抗が低くなる傾向が明らかである。また、有効作用エネルギーΔEefが−0.5≦ΔEef≦−0.2の範囲であれば、シート抵抗が1000[Ω/□]以下に保たれてさらに好ましい。   FIG. 8 shows the relationship between the effective action energy ΔEef for the compounds No. 03 to No. 11 constituting the nitrogen-containing layer and the sheet resistance measured for each transparent conductive layer adjacent thereto. From FIG. 8, it is apparent that the sheet resistance of the transparent conductive layer tends to decrease as the value of ΔEef decreases in the range where the effective action energy ΔEef is confirmed to be −0.5 ≦ ΔEef ≦ −0.1. Further, when the effective action energy ΔEef is in the range of −0.5 ≦ ΔEef ≦ −0.2, it is more preferable that the sheet resistance is maintained at 1000 [Ω / □] or less.

以上より、有効作用エネルギーΔEefを指標として窒素含有層を構成する化合物を選択して用いることにより、光透過性を得るために薄膜でありながらも低抵抗な透明導電層が得られることが確認された。   From the above, it was confirmed that a transparent conductive layer having a low resistance despite being a thin film can be obtained by selecting and using a compound constituting the nitrogen-containing layer using the effective action energy ΔEef as an index. It was.

1a-1,1a-2…窒素含有層、1b-1,1b-2…透明導電層、3-1,3-2,3-3発光ユニット、5…第1電極、7…第2電極、15…垂直駆動回路、17…水平駆動回路   1a-1, 1a-2 ... nitrogen-containing layer, 1b-1, 1b-2 ... transparent conductive layer, 3-1, 3-2, 3-3 light emitting unit, 5 ... first electrode, 7 ... second electrode, 15 ... Vertical drive circuit, 17 ... Horizontal drive circuit

Claims (7)

一対の電極と、
有機材料を用いて構成された異なる発光色の発光層を有し、前記電極間に重ねて配置された複数の発光ユニットと、
銀または銀を主成分とした合金を用いて構成され、前記発光ユニット間に配置された透明導電層と、
窒素原子を含有する化合物を用いて構成され、前記透明導電層と前記発光ユニットとの間に当該透明導電層に隣接して配置された窒素含有層とを備え、
前記各発光ユニットは、各々少なくとも正孔注入層、正孔輸送層、前記発光層、電子輸送層、および電子注入層を有し、
前記窒素含有層を構成する化合物は、下記式(1)で表される銀との有効作用エネルギーΔEefが下記式(2)を満たす
表示装置。
A pair of electrodes;
A plurality of light emitting units each having a light emitting layer of a different light emission color configured using an organic material, and arranged in an overlapping manner between the electrodes;
Composed of silver or a silver-based alloy, and a transparent conductive layer disposed between the light emitting units;
Comprising a compound containing a nitrogen atom, and comprising a nitrogen-containing layer disposed adjacent to the transparent conductive layer between the transparent conductive layer and the light emitting unit ,
Each of the light emitting units has at least a hole injection layer, a hole transport layer, the light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer,
The compound which comprises the said nitrogen containing layer is a display apparatus with which effective action energy (DELTA) Eef with silver represented by following formula (1) satisfy | fills following formula (2) .
前記化合物は、下記一般式(1)で表される化合物を含む
請求項1に記載の表示装置。
〔ただし一般式(1)中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。
E51〜E66、E71〜E88は、各々−C(R3)=または−N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。
またE71〜E79の少なくとも1つおよびE80〜E88の少なくとも1つは−N=を表す。n3およびn4は0〜4の整数を表すが、n3+n4は2以上の整数である。〕
The compound includes a compound represented by the following general formula (1)
The display device according to claim 1 .
[In General Formula (1), Y5 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof.
E51 to E66 and E71 to E88 each represent -C (R3) = or -N =, and R3 represents a hydrogen atom or a substituent.
At least one of E71 to E79 and at least one of E80 to E88 represent -N =. n3 and n4 represent an integer of 0 to 4, but n3 + n4 is an integer of 2 or more. ]
前記化合物は、下記一般式(2)で表される化合物を含む
請求項1に記載の表示装置。
〔ただし一般式(2)中、T11,T12のうち少なくとも1つは窒素原子であり、T21〜T25のうち少なくとも1つは窒素原子であり、T31〜T35のうち少なくとも1つは窒素原子である。
またRは置換基を表す。〕
The compound includes a compound represented by the following general formula (2)
The display device according to claim 1 .
[However, in General Formula (2), at least one of T11 and T12 is a nitrogen atom, at least one of T21 to T25 is a nitrogen atom, and at least one of T31 to T35 is a nitrogen atom. .
R represents a substituent. ]
前記複数の発光ユニットは、青色の発光光が得られる発光ユニット、緑色の発光光が得られる発光ユニット、および赤色の発光光が得られる発光ユニットである
請求項1〜3の何れかに記載の表示装置。
Wherein the plurality of light emitting units, the light emitting unit emits blue light beam is obtained, a green light-emitting unit emitting light can be obtained, and red emission light is a light emitting unit obtained according to any one of claims 1 to 3 Display device.
前記一対の電極のうちの一方は、光取り出し側の透明電極として構成され、
前記複数の発光ユニットは、光取り出し側に近く配置されるものほど発光波長が短い
請求項1〜4のいずれかに記載の表示装置。
One of the pair of electrodes is configured as a transparent electrode on the light extraction side,
The display device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the plurality of light emitting units has a shorter emission wavelength as being arranged closer to the light extraction side.
前記一対の電極のうちの一方は、一方向に延設された複数の電極パターンとして構成され、
前記一対の電極のうちの他方および前記透明導電層のそれぞれは、前記一方向と交差する他方向に延設された複数の電極パターンとして構成され、
前記発光ユニットは、前記一対の電極と前記透明導電層との間に連続膜として形成されている
請求項1〜5の何れかに記載の表示装置。
One of the pair of electrodes is configured as a plurality of electrode patterns extending in one direction,
Each of the other of the pair of electrodes and the transparent conductive layer is configured as a plurality of electrode patterns extending in the other direction intersecting the one direction,
The light emitting unit, a display device according to any one of claims 1-5, which is formed as a continuous film between the transparent conductive layer and the pair of electrodes.
前記一対の電極のうちの一方および前記透明導電層は、複数の画素電極として構成され、
前記一対の電極のうちの他方は、共通電極として前記複数の画素電極に対向配置され、
前記発光ユニットは、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に連続膜として形成されている、
請求項1〜5の何れかに記載の表示装置。
One of the pair of electrodes and the transparent conductive layer are configured as a plurality of pixel electrodes,
The other of the pair of electrodes is disposed to be opposed to the plurality of pixel electrodes as a common electrode,
The light emitting unit is formed as a continuous film between the plurality of pixel electrodes and the common electrode.
The display device according to any one of claims 1 to 5 .
JP2012101312A 2012-04-26 2012-04-26 Display device Expired - Fee Related JP5888096B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012101312A JP5888096B2 (en) 2012-04-26 2012-04-26 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012101312A JP5888096B2 (en) 2012-04-26 2012-04-26 Display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013229218A JP2013229218A (en) 2013-11-07
JP5888096B2 true JP5888096B2 (en) 2016-03-16

Family

ID=49676656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012101312A Expired - Fee Related JP5888096B2 (en) 2012-04-26 2012-04-26 Display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5888096B2 (en)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014069256A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescent element
JP6277581B2 (en) * 2012-12-17 2018-02-14 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence device
JPWO2015118932A1 (en) * 2014-02-10 2017-03-23 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence lighting device and lighting method
WO2016063871A1 (en) * 2014-10-21 2016-04-28 コニカミノルタ株式会社 Display device
JPWO2016167058A1 (en) * 2015-04-17 2018-02-08 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence device and organic light emitting device
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102212776B1 (en) * 2019-04-03 2021-02-05 셀로코아이엔티 주식회사 Display panel, method for manufacturing the same, and display apparatus employing the display panel

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3875401B2 (en) * 1998-05-12 2007-01-31 Tdk株式会社 Organic EL display device and organic EL element
US8026531B2 (en) * 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5078267B2 (en) * 2005-03-22 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
JP5452853B2 (en) * 2007-08-28 2014-03-26 パナソニック株式会社 Organic electroluminescence device
WO2009054253A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display device and illuminating device
JP5102666B2 (en) * 2008-03-18 2012-12-19 パナソニック株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND LIGHTING DEVICE
EP2123733B1 (en) * 2008-05-13 2013-07-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
JP2011018451A (en) * 2008-06-30 2011-01-27 Canon Inc Light-emitting display apparatus
JP2010073386A (en) * 2008-09-17 2010-04-02 Canon Inc Organic el display device
JP2010103472A (en) * 2008-09-29 2010-05-06 Canon Inc Organic el display device
KR101839292B1 (en) * 2009-07-28 2018-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Inspection method and manufacturing method of light-emitting device
JP5577186B2 (en) * 2009-09-04 2014-08-20 株式会社ジャパンディスプレイ Organic EL display device
WO2011162105A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device
JP5698848B2 (en) * 2011-08-12 2015-04-08 パナソニック株式会社 Organic electroluminescence device
WO2013073356A1 (en) * 2011-11-17 2013-05-23 コニカミノルタ株式会社 Transparent electrode and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013229218A (en) 2013-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5888096B2 (en) Display device
JP6070567B2 (en) Transparent electrode and electronic device
JP6003981B2 (en) Transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescent element
JP6128117B2 (en) Manufacturing method of transparent electrode
JP5943005B2 (en) Transparent electrode, electronic device, organic electroluminescent element, and method for producing organic electroluminescent element
JP6137170B2 (en) Organic electroluminescence device
JP6119742B2 (en) Transparent electrode, method for producing transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescent element
JPWO2013035490A1 (en) Organic electroluminescence element, lighting device and display device
JP6241281B2 (en) Transparent electrodes and electronic devices
JP6028794B2 (en) Electronic device manufacturing equipment
JP6070320B2 (en) Substrate with transparent electrode and electronic device
JP5998789B2 (en) Transparent electrode and electronic device
JP6366221B2 (en) Transparent electrode and electronic device
WO2013137234A1 (en) Transparent electrode, electronic device, and method for producing transparent electrode
JP6241282B2 (en) Transparent electrodes and electronic devices
WO2014181640A1 (en) Light-emitting element and display device
JP5817557B2 (en) Transparent barrier film and electronic device
WO2014098014A1 (en) Transparent electrode and electronic device
JP2014229555A (en) Transparent electrode, method for manufacturing transparent electrode, and electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141014

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150916

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160119

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5888096

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees