JP5880948B2 - アルミナ基板の割断方法 - Google Patents

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Description

本発明はアルミナ基板をスクライブ後にブレイクするアルミナ基板の割断方法に関するものである。
従来ガラス基板を割断する場合には、スクライブ装置でスクライブ(スクライブラインを形成)し、その後ブレイク装置でブレイクしている。スクライブ装置でスクライブする場合に、スクライブの深さを浅くするとブレイクしたときに端面にクラックが生じ易くなる。一方深さを深くすれば分離が容易となり、その後のブレイクした後でも端面のソゲが小さかったり、クラックが発生しにかったりして、端面の品質が良いという傾向がある。従ってクラック浸透度を例えば板厚の80%程度と深くすることによって、品質を向上させて割断することができる。
しかしセラミックス基板はガラス基板よりも硬いため、スクライブとブレイクによる割断ではスクライビングホイールの摩耗が生じ易い。そこで通常切断する場合には、ダイシングによって分断を実行している。
特許文献1では、セラミックス基板の中では比較的硬度が低い低温焼成セラミックス基板(LTCC基板)に対してダイシングではなくスクライブを行いブレイクする方法が提案されている。
特開2010−194784号公報
発明者らは刃先角度が120°のスクライビングホイールを用いてLTCC基板に対するクラック浸透度を10%〜80%まで変化させてスクライブし、その後ブレイクした。ブレイク後の端面について粗さの評価として、中心線平均粗さRa及び最大高さRyを計測した。図1A,図1Bはその変化を示すグラフである。この場合図1A,図1Bに示すようにクラック浸透度にかかわらずブレイク後の端面の粗さに変化があまりないこと、20%以下では断面にクラックが生じてブレイク後の端面の品質が劣化することを見出した。
一方、電子部品の実装用基板に用いられるアルミナ基板等では、刃先角度が120°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度を大きくするとこのような傾向は成り立たず、端面品質がかえって悪化することがあることを見出した。
本発明はアルミナ基板をスクライブし、ブレイクすることにより分断する場合に端面の品質を向上させるようにすることを目的とする。
この課題を解決するために、本発明の割断方法は、アルミナ基板の割断方法であって、アルミナ基板に対して、刃先角度が135°を超え、170°以下である角度(好ましくは140°以上、特には160°以下)のスクライビングホイール(稜線となる刃先に深さが25μm以上の溝が形成されたスクライビングホイールを除く)を用いて20%以上(好ましくは30%以上、特には40%以上、通常は80%以下)のクラック浸透度でスクライブを行い、前記スクライビングホイールで形成したスクライブラインに沿ってブレイクするものである。
ここでクラック浸透度を50%以上としてもよい。
このような特徴を有する本発明によれば、アルミナ基板について刃先角度が135°を超える角度のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度を20%以上とした状態でスクライブを行い、その後ブレイクするようにしている。こうすれば比較的小さいブレイク荷重で端面の品質を確保しつつアルミナ基板を割断することができる。
図1AはLTCC基板に対してクラック浸透度を変化させたときの端面の中心線平均粗さRaを示すグラフである。 図1BはLTCC基板に対してクラック浸透度を変化させたときの端面の最大高さRyを示すグラフである。 図2Aは本発明の対象となるアルミナ基板について刃先角度140°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度を変化させたときの端面の中心線平均粗さRaを示すグラフである。 図2Bは本発明の対象となるアルミナ基板について刃先角度140°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度を変化させたときの端面の最大高さRyを示すグラフである。 図3Aはアルミナ基板について刃先角度140°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度10%としたときの端面を示す図である。 図3Bはアルミナ基板について刃先角度140°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度20%としたときの端面を示す図である。 図3Cはアルミナ基板について刃先角度140°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度30%としたときの端面を示す図である。 図3Dはアルミナ基板について刃先角度140°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度70%としたときの端面を示す図である。 図4は本発明の対象となるアルミナ基板についてクラック浸透度を変化させたときの抗折強度の変化を示すグラフである。 図5Aは本発明の比較例のアルミナ基板について刃先角度120°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度を変化させたときの端面の中心線平均粗さRaを示すグラフである。 図5Bは本発明の比較例のアルミナ基板について刃先角度120°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度を変化させたときの端面の最大高さRyを示すグラフである。 図6Aは本発明の比較例のアルミナ基板について刃先角度120°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度10%としたときの端面を示す図である。 図6Bは本発明の比較例のアルミナ基板について刃先角度120°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度20%としたときの端面を示す図である。 図6Cは本発明の比較例のアルミナ基板について刃先角度120°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度30%としたときの端面を示す図である。 図6Dは本発明の比較例のアルミナ基板について刃先角度120°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度70%としたときの端面を示す図である。
本発明の対象となる基板はアルミナ基板である。アルミナ基板は酸化アルミニウム(Al23)の含有率が例えば90重量%以上で、その他はバインダー(焼結助剤)等の添加物が混入されたものであり、半導体チップ等の基板として広く用いられている。アルミナ基板をチップ部品の基板として用いる場合には、例えば2mm角以下(1mm角など)の小さいチップ状に割断される。多数の部品等を実装する基板として用いる場合には、例えば100mm角などの比較的大きいサイズに割断することが必要となる。アルミナ基板をスクライブし、ブレイクして分断するものとすると、スクライブ時に刃先の角度を大きくすればブレイク強度を小さくすることができ、端面品質を向上させることができる。そこで発明者らはアルミナ基板について、刃先角度が140°のスクライビングホイールを用いてクラック浸透度を適宜変化させて、スクライブ後にブレイクして端面の品質を評価した。
発明者らは刃先角度が140°のスクライビングホイールを用いて0.635mm厚のアルミナ基板についてスクライブ時の荷重を変化させることでクラック浸透度を10%〜80%まで変化させてスクライブした。こうしてスクライブした後、例えば特開2010−149495に示すようなブレイク装置を用いて、ブレイクを行った。ブレイク後の端面について粗さを評価するため、中心線平均粗さRa及び最大高さRyを計測した。図2A,図2Bはその変化を示すグラフである。また図3A〜図3Dは刃先角度が140°の場合の端面の状態を示す図であり、図3Aはクラック浸透度が10%、図3Bは20%、図3Cは30%、図3Dは70%の場合を示している。これらの図に示されるように、クラック浸透度にかかわらず端面状態はクラック等が生じておらず正常範囲である。又図2A,図2Bから知られるように、端面粗さもクラック浸透度にかかわらずほぼ一定であった。
図4はスクライブの浸透度に対する抗折強度を示している。この図から知られるように、クラック浸透度が10%では、抗折強度は91MPaであり、ブレイクに大きな力が必要となる。一方クラック浸透度が20%以上では抗折強度は42MPa以下であり、50%以上では抗折強度は29MPa以下であり、いずれも小さい力でブレイクが可能であることを示している。
一般的にはスクライビングホイールの荷重は、基板に対して下向き方向に加わるが、スクライビングホイールの斜面が基板に食い込んだ部分では、荷重が斜面に垂直方向に分散する。刃先角度が小さければ、刃先角度が大きい場合と比較して荷重の分散方向が水平方向に近くなる。この傾向は荷重を大きくした場合に、より大きくなる。この水平方向に分散した荷重が水平クラックの発生に寄与したり、端面品質の低下につながると考えられる。従って刃先角度が小さい場合は、クラック浸透度を大きくするために荷重を大きくすると端面品質が低下することになると考えられる。これに対して刃先角度が大きい場合は、クラック浸透度を大きくするために荷重を大きくしても端面品質が低下しにくいと考えられる。従って前述したテストの結果を考慮すると刃先角度が140°以上の場合には、クラック浸透度が20%以上、好ましくは30%以上、より好ましくは50%以上であればブレイク時の荷重を小さくしておくことができるので、クラックが生じることなく端面品質が低下することはない。
次に発明者らは、比較例として刃先角度が120°のスクライビングホイールを用いてアルミナ基板についてクラック浸透度を10%〜80%まで変化させてスクライブした。こうしてスクライブした後、例えば特開2010−149495に示すようなブレイク装置を用いて、分断を行った。ブレイク後の端面について粗さを評価するため、中心線平均粗さRa及び最大高さRyを計測した。図5A,図5Bはその変化を示すグラフである。図6A〜図6Dは刃先角度が120°の場合の端面状態を示す図であり、図6Aはクラック浸透度が10%、図6Bは20%、図6Cは30%、図6Dは70%を示している。これらの図に示されるように、クラック浸透度が30%及び70%の場合には、クラックが発生し、品質が不良となった。従って刃先角度が120°の場合には、クラック浸透度が30%以上では端面の品質から見て好ましくないこととなる。
尚アルミナ基板は前述したように硬度が高いため、スクライビングホイールの摩耗が生じ易い。この問題を解決するため、超硬合金のスクライビングホイールの表面、少なくとも刃先部分にダイヤモンドの膜(例えば、CVDで形成されたダイヤモンド膜)を形成し、スクライビングホイールの強度を向上させたものを用いることが好ましい。このようなスクライビングホイールを用いると、急激な摩耗を防止し、比較的長距離のスクライブを行うことができる。
本発明はアルミナ基板をスクライブしブレイクする製造工程に広く利用することができる。

Claims (2)

  1. アルミナ基板の割断方法であって、
    アルミナ基板に対して、刃先角度が135°を超え、170°以下である角度のスクライビングホイール(稜線となる刃先に深さが25μm以上の溝が形成されたスクライビングホイールを除く)を用いて20%以上のクラック浸透度でスクライブを行い、
    前記スクライビングホイールで形成したスクライブラインに沿ってブレイクするアルミナ基板の割断方法。
  2. クラック浸透度を50%以上とした請求項1記載のアルミナ基板の割断方法。
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JPH1020291A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子の製造装置と製造方法
TW528736B (en) * 2001-04-02 2003-04-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Cutter wheel, device and method using the cutter wheel, method of dividing laminated substrate, and method and device for manufacturing cutter wheel
KR100761477B1 (ko) * 2005-01-20 2007-09-27 삼성전자주식회사 액정패널 스크라이빙방법 및 장치와 액정패널 제조방법
TWI454433B (zh) * 2005-07-06 2014-10-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd A scribing material for a brittle material and a method for manufacturing the same, a scribing method using a scribing wheel, a scribing device, and a scribing tool
WO2009148073A1 (ja) * 2008-06-05 2009-12-10 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライビングホイール及び脆性材料基板のスクライブ方法
JP5173885B2 (ja) * 2009-02-24 2013-04-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ装置及びスクライブ方法
TWI428301B (zh) * 2009-10-29 2014-03-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Scribing wheel and its manufacturing method

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