JP5862319B2 - Circuit device and printing device - Google Patents
Circuit device and printing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5862319B2 JP5862319B2 JP2012010676A JP2012010676A JP5862319B2 JP 5862319 B2 JP5862319 B2 JP 5862319B2 JP 2012010676 A JP2012010676 A JP 2012010676A JP 2012010676 A JP2012010676 A JP 2012010676A JP 5862319 B2 JP5862319 B2 JP 5862319B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- terminal
- potential power
- supply terminal
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Ink Jet (AREA)
Description
本発明は、回路装置及び印刷装置等に関する。 The present invention relates to a circuit device, a printing device, and the like.
インクカートリッジ(印刷材収容体)に記憶装置が備えられ、その記憶装置には、インクカートリッジの種類の情報や、インクカートリッジに収容されるインク(印刷材)の量のレベルの情報が記憶され、印刷装置が記憶装置と通信することにより、それらの情報を取得する技術が知られている(例えば、特許文献1)。 The ink cartridge (printing material container) includes a storage device, and the storage device stores information on the type of the ink cartridge and information on the level of the amount of ink (printing material) stored in the ink cartridge, A technique is known in which information is acquired by a printing apparatus communicating with a storage device (for example, Patent Document 1).
印刷装置と記憶装置の通信は、インクカートリッジを装着するカートリッジホルダーに設けられた回路装置を介して行われ、回路装置の電源端子には印刷装置からの電源電圧が供給され、回路装置はその電源電圧を電源供給端子から記憶装置に対して供給する。このとき、電源端子から電源供給端子までの配線長が長くなると、記憶装置に供給する電源電圧の変動が大きくなるという課題がある。 Communication between the printing device and the storage device is performed via a circuit device provided in a cartridge holder in which an ink cartridge is mounted. A power supply voltage from the printing device is supplied to a power supply terminal of the circuit device. A voltage is supplied from the power supply terminal to the storage device. At this time, when the wiring length from the power supply terminal to the power supply terminal becomes long, there is a problem that the fluctuation of the power supply voltage supplied to the memory device becomes large.
本発明の幾つかの態様によれば、記憶装置に供給する電源電圧の変動を抑制できる回路装置及び印刷装置等を提供できる。 According to some embodiments of the present invention, it is possible to provide a circuit device, a printing device, and the like that can suppress fluctuations in power supply voltage supplied to a storage device.
本発明の一態様は、複数の印刷材収容体に設けられる複数の記憶装置と通信を行う回路装置であって、高電位側電源電圧及び低電位側電源電圧の一方が供給される第1電位電源端子と、前記高電位側電源電圧及び前記低電位側電源電圧の他方が供給される第1の第2電位電源端子及び第2の第2電位電源端子と、前記第1電位電源端子と前記第1の第2電位電源端子との間に設けられる第1端子群と、前記第1電位電源端子と前記第2の第2電位電源端子との間に設けられる第2端子群と、を含み、前記第1端子群は、前記第1電位電源端子からの電源電圧を、前記複数の記憶装置のうちの第1記憶装置に対して供給する第1の第1電位電源供給端子と、前記第1の第2電位電源端子からの電源電圧を、前記第1記憶装置に対して供給する第1の第2電位電源供給端子と、を有し、前記第2端子群は、前記第1電位電源端子からの電源電圧を、前記複数の記憶装置のうちの第2記憶装置に対して供給する第2の第1電位電源供給端子と、前記第2の第2電位電源端子からの電源電圧を、前記第2記憶装置に対して供給する第2の第2電位電源供給端子と、を有し、前記第1端子群の少なくとも前記第1の第1電位電源供給端子及び前記第1の第2電位電源供給端子と、前記第2端子群の少なくとも前記第2の第1電位電源供給端子及び前記第2の第2電位電源供給端子とは、前記第1電位電源端子に対して端子の配置順が対称である回路装置に関係する。 One embodiment of the present invention is a circuit device that communicates with a plurality of storage devices provided in a plurality of printing material containers, and is supplied with one of a high potential side power supply voltage and a low potential side power supply voltage. A power supply terminal; a first second potential power supply terminal and a second second potential power supply terminal to which the other of the high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage is supplied; the first potential power supply terminal; A first terminal group provided between the first second potential power supply terminal and a second terminal group provided between the first potential power supply terminal and the second second potential power supply terminal. The first terminal group includes a first first potential power supply terminal that supplies a power supply voltage from the first potential power supply terminal to a first storage device of the plurality of storage devices; A first power supply voltage supplied from a second potential power supply terminal to the first storage device; A second potential power supply terminal, and the second terminal group supplies a power supply voltage from the first potential power supply terminal to a second storage device of the plurality of storage devices. Two first potential power supply terminals, and a second second potential power supply terminal for supplying a power supply voltage from the second second potential power supply terminal to the second storage device, At least the first first potential power supply terminal and the first second potential power supply terminal of the first terminal group, and at least the second first potential power supply terminal and the first of the second terminal group. The second second potential power supply terminal relates to a circuit device in which the arrangement order of the terminals is symmetrical with respect to the first potential power supply terminal.
本発明の一態様によれば、第1端子群の少なくとも第1の第1電位電源供給端子及び第1の第2電位電源供給端子と、第2端子群の少なくとも第2の第1電位電源供給端子及び第2の第2電位電源供給端子とが、第1電位電源端子に対して対称な配置順で配置される。これにより、記憶装置に供給する電源電圧の変動を抑制することが可能となる。 According to one aspect of the present invention, at least a first first potential power supply terminal and a first second potential power supply terminal of the first terminal group, and at least a second first potential power supply of the second terminal group. The terminals and the second second potential power supply terminal are arranged in a symmetrical arrangement order with respect to the first potential power supply terminal. As a result, fluctuations in the power supply voltage supplied to the storage device can be suppressed.
また本発明の一態様では、前記第1端子群が有する端子の中で前記第1の第1電位電源供給端子が前記第1電位電源端子に最も近く、前記第2端子群が有する端子の中で前記第2の第1電位電源供給端子が前記第1電位電源端子に最も近くてもよい。 In one embodiment of the present invention, the first first potential power supply terminal is the closest to the first potential power supply terminal among the terminals included in the first terminal group, and the second terminal group includes The second first potential power supply terminal may be closest to the first potential power supply terminal.
このようにすれば、第1電位電源端子から第1、第2の第1電位電源供給端子までの距離を近くできるため、第1、第2の第1電位電源供給端子から第1、第2記憶装置に対して供給する高電位側電源電圧及び低電位側電源電圧の一方の電圧変動を抑制できる。 In this way, the distance from the first potential power supply terminal to the first and second first potential power supply terminals can be reduced, so the first and second first potential power supply terminals to the first and second potentials. One voltage fluctuation of the high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage supplied to the memory device can be suppressed.
また本発明の一態様では、前記第1端子群が有する端子の中で前記第1の第2電位電源供給端子が前記第1の第2電位電源端子に最も近く、前記第2端子群が有する端子の中で前記第2の第2電位電源供給端子が前記第2の第2電位電源端子に最も近くてもよい。 In one embodiment of the present invention, the first second potential power supply terminal is closest to the first second potential power supply terminal among the terminals of the first terminal group, and the second terminal group has Among the terminals, the second second potential power supply terminal may be closest to the second second potential power supply terminal.
このようにすれば、第1、第2の第2電位電源端子から第1、第2の第1電位電源供給端子までの距離を短くできるため、第1、第2の第2電位電源供給端子から第1、第2記憶装置に対して供給する高電位側電源電圧及び低電位側電源電圧の他方の電圧変動を抑制できる。 In this way, since the distance from the first and second second potential power supply terminals to the first and second first potential power supply terminals can be shortened, the first and second second potential power supply terminals. Thus, the other voltage fluctuation of the high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage supplied to the first and second storage devices can be suppressed.
また本発明の一態様では、前記第1端子群は、前記第1の第1電位電源供給端子及び前記第1の第2電位電源供給端子からの電源電圧に基づくデータ信号、リセット信号、クロック信号を、それぞれ前記第1記憶装置に対して供給する第1データ端子、第1リセット端子、第1クロック端子を有し、前記第2端子群は、前記第2の第1電位電源供給端子及び前記第2の第2電位電源供給端子からの電源電圧に基づくデータ信号、リセット信号、クロック信号を、それぞれ前記第2記憶装置に対して供給する第2データ端子、第2リセット端子、第2クロック端子を有し、前記第1データ端子、前記第1リセット端子及び前記第1クロック端子と、前記第2データ端子、前記第2リセット端子及び前記第2クロック端子とは、前記第1電位電源端子に対して端子の配置順が対称であってもよい。 In one embodiment of the present invention, the first terminal group includes a data signal, a reset signal, and a clock signal based on power supply voltages from the first first potential power supply terminal and the first second potential power supply terminal. Having a first data terminal, a first reset terminal, and a first clock terminal respectively supplied to the first storage device, wherein the second terminal group includes the second first potential power supply terminal and the first terminal. A second data terminal, a second reset terminal, and a second clock terminal for supplying a data signal, a reset signal, and a clock signal based on the power supply voltage from the second second potential power supply terminal to the second storage device, respectively. The first data terminal, the first reset terminal, and the first clock terminal, and the second data terminal, the second reset terminal, and the second clock terminal are connected to the first potential power source. The order of arrangement of the terminals may be symmetrical with respect to the child.
このようにすれば、第1、第2の第1電位電源供給端子の電圧変動と、第1、第2の第2電位電源供給端子の電圧変動との差を小さくできる。これにより、その電圧に基づくデータ信号、リセット信号、クロック信号の信号レベルの電圧変動について、第1端子群と第2端子群で差を小さくできる。 In this way, the difference between the voltage fluctuations at the first and second first potential power supply terminals and the voltage fluctuation at the first and second second potential power supply terminals can be reduced. Thereby, the difference between the signal level of the data signal, the reset signal, and the clock signal based on the voltage can be reduced between the first terminal group and the second terminal group.
また本発明の一態様では、前記第1データ端子、前記第1リセット端子及び前記第1クロック端子は、前記第1の第1電位電源供給端子と前記第1の第2電位電源供給端子との間に配置され、前記第2データ端子、前記第2リセット端子及び前記第2クロック端子は、前記第2の第1電位電源供給端子と前記第2の第2電位電源供給端子との間に配置されてもよい。 In the aspect of the invention, the first data terminal, the first reset terminal, and the first clock terminal may be connected between the first first potential power supply terminal and the first second potential power supply terminal. The second data terminal, the second reset terminal, and the second clock terminal are disposed between the second first potential power supply terminal and the second second potential power supply terminal. May be.
このようにすれば、第1、第2の第1電位電源供給端子の電圧変動と、第1、第2の第2電位電源供給端子の電圧変動を小さくできるため、その電圧に基づくデータ信号、リセット信号、クロック信号の信号レベルの電圧変動を小さくできる。 In this way, voltage fluctuations at the first and second first potential power supply terminals and voltage fluctuations at the first and second second potential power supply terminals can be reduced, so that a data signal based on the voltage, Voltage fluctuations in the signal level of the reset signal and clock signal can be reduced.
また本発明の一態様では、前記第1電位電源端子及び前記第1の第2電位電源端子のいずれか一方からの前記高電位側電源電圧を、前記第1の第1電位電源供給端子に対して出力する第1バッファー回路と、前記第1電位電源端子又は前記第2の第2電位電源端子からの前記高電位側電源電圧を、前記第2の第1電位電源供給端子に対して出力する第2バッファー回路と、を含んでもよい。 In one embodiment of the present invention, the high potential side power supply voltage from any one of the first potential power supply terminal and the first second potential power supply terminal is supplied to the first potential power supply terminal. The first buffer circuit for outputting and the high potential side power supply voltage from the first potential power supply terminal or the second second potential power supply terminal are output to the second first potential power supply terminal. A second buffer circuit.
このようにすれば、第1バッファー回路を介して、第1電位電源端子又は第1の第2電位電源端子からの高電位側電源電圧を、第1の第1電位電源供給端子に対して出力できる。また、第2バッファー回路を介して、第1電位電源端子又は第2の第2電位電源端子からの高電位側電源電圧を、第2の第1電位電源供給端子に対して出力できる。 According to this configuration, the high potential side power supply voltage from the first potential power supply terminal or the first second potential power supply terminal is output to the first first potential power supply terminal via the first buffer circuit. it can. Further, the high potential side power supply voltage from the first potential power supply terminal or the second second potential power supply terminal can be output to the second first potential power supply terminal via the second buffer circuit.
また本発明の一態様では、前記第1記憶装置に対する非アクセス時には、前記第1バッファー回路は、前記第1の第1電位電源供給端子を高インピーダンス状態に設定し、前記第2記憶装置に対する非アクセス時には、前記第2バッファー回路は、前記第2の第1電位電源供給端子を高インピーダンス状態に設定してもよい。 In one aspect of the present invention, when the first storage device is not accessed, the first buffer circuit sets the first first potential power supply terminal to a high impedance state, and the non-access to the second storage device. At the time of access, the second buffer circuit may set the second first potential power supply terminal to a high impedance state.
このようにすれば、高電位側電源電圧よりも高い電圧が印加される端子と、第1、第2の第1電位電源供給端子がショートしている可能性がある場合に、その高い電圧が回路装置に対して印加されることを防止できる。 In this way, when there is a possibility that the terminal to which a voltage higher than the high potential side power supply voltage is applied and the first and second first potential power supply terminals are short-circuited, the high voltage is Application to the circuit device can be prevented.
また本発明の一態様では、前記回路装置の端子配置領域に沿って配線され、前記第1電位電源端子に接続された第1電源配線と、前記端子配置領域に沿って配線され、前記第1の第2電位電源端子及び前記第2の第2電位電源端子に接続された第2電源配線と、を含み、前記第1電源配線及び前記第2電源配線は、前記第1の第1電位電源供給端子のI/O領域(入出力領域)に配置された前記第1バッファー回路、及び前記第2の第1電位電源供給端子のI/O領域に配置された前記第2バッファー回路の上に配線され、前記第1バッファー回路及び前記第2バッファー回路に対して前記高電位側電源電圧及び前記低電位側電源電圧を供給してもよい。 In one aspect of the present invention, the first power supply wiring connected along the terminal arrangement region of the circuit device, connected to the first potential power supply terminal, and wired along the terminal arrangement region, Second potential power supply terminal and a second power supply wiring connected to the second second potential power supply terminal, wherein the first power supply wiring and the second power supply wiring are the first first potential power supply. On the first buffer circuit disposed in the I / O region (input / output region) of the supply terminal and on the second buffer circuit disposed in the I / O region of the second first potential power supply terminal The high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage may be supplied to the first buffer circuit and the second buffer circuit.
このようにすれば、第1電位電源端子から第1バッファー回路、第2バッファー回路までの配線長を短くできるため、第1バッファー回路、第2バッファー回路が出力する電圧の電圧変動を抑制できる。 In this way, since the wiring length from the first potential power supply terminal to the first buffer circuit and the second buffer circuit can be shortened, voltage fluctuations of the voltages output from the first buffer circuit and the second buffer circuit can be suppressed.
また本発明の一態様では、前記高電位側電源電圧及び前記低電位側電源電圧の前記一方が供給される第2の第1電位電源端子と、前記第2の第1電位電源端子と前記第2の第2電位電源端子との間に設けられる第3端子群と、を含み、前記第1の端子群は、前記複数の記憶装置である第1〜第n記憶装置のうち前記第1記憶装置に対して、電源電圧と制御信号を供給し、前記第2の端子群は、前記第1〜第n記憶装置のうち前記第2記憶装置及び第3〜第n−1記憶装置に対して、共通のバスを介して電源電圧と制御信号を供給し、前記第3端子群は、前記第1〜第n記憶装置のうち第n記憶装置に対して、電源電圧と制御信号を供給してもよい。 In one embodiment of the present invention, a second first potential power supply terminal to which the one of the high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage is supplied, the second first potential power supply terminal, and the first A third terminal group provided between two second potential power supply terminals, wherein the first terminal group is the first memory among the first to nth memory devices that are the plurality of memory devices. A power supply voltage and a control signal are supplied to the device, and the second terminal group is connected to the second storage device and the third to n-1th storage devices among the first to nth storage devices. The power supply voltage and the control signal are supplied through a common bus, and the third terminal group supplies the power supply voltage and the control signal to the nth storage device among the first to nth storage devices. Also good.
このようにすれば、第1、第n記憶装置の端子に短絡が発生した場合であっても、第2〜第n−1記憶装置と分離されているから、回路装置と第2〜第n−1記憶装置との間の通信に影響を与えることを防止できる。 In this way, even if a short circuit occurs at the terminals of the first and nth storage devices, the circuit device and the second to nth storage devices are separated from the second to n-1th storage devices. -1 It is possible to prevent the communication with the storage device from being affected.
また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載された回路装置と、前記複数の記憶装置が設けられた前記複数の印刷材収容体と、を含む印刷装置に関係する。 Another aspect of the present invention relates to a printing apparatus including any one of the circuit devices described above and the plurality of printing material containers provided with the plurality of storage devices.
また本発明の他の態様では、前記高電位側電源電圧及び前記低電位側電源電圧を前記回路装置に対して供給する主制御部を含んでもよい。 In another aspect of the present invention, a main control unit that supplies the high-potential-side power supply voltage and the low-potential-side power supply voltage to the circuit device may be included.
また本発明の他の態様では、前記回路装置が設けられた回路基板が設けられ、前記複数の印刷材収容体が装着される装着部を含んでもよい。 In another aspect of the present invention, a circuit board on which the circuit device is provided may be provided, and a mounting portion on which the plurality of printing material containers are mounted may be included.
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not necessarily.
1.回路装置
図1に、本実施形態の回路装置10(集積回路装置)におけるパッド配置例を示す。図1には、半導体プロセスにより回路素子が形成される面側から、回路装置10のシリコン基板を平面視した図を示す。
1. Circuit Device FIG. 1 shows an example of pad arrangement in the circuit device 10 (integrated circuit device) of this embodiment. FIG. 1 shows a plan view of a silicon substrate of a
図1に示す回路装置10は、第1の低電位側電源端子VSS1、第2の低電位側電源端子VSS2、第1の高電位側電源端子VDD1、第2の高電位側電源端子VDD2、第1〜第3の端子群PG1〜PG3を含む。これらの端子は、半導体回路の形成プロセスにより形成されたパッドに相当する。
The
回路装置10は、図8で後述するように、印刷材収容体100(例えばインクカートリッジ)に設けられた記憶装置203との通信処理を行う制御部300に対応している。回路装置10は、主制御部400とバスBUSを介して通信処理を行い、その通信処理に基づいて端子群PG1(又はPG2、PG3)を介して記憶装置203との通信処理を行う。また、回路装置10の電源端子VDD1、VDD2、VSS1、VSS2には、図8の主制御部400の低電圧電源441から電源電圧VDD、VSSが供給され、回路装置10は、端子群PG1(又はPG2、PG3)を介して記憶装置203に対して電源電圧VDD、VSSを供給する。なお、図8の主制御部400、制御部300、記憶装置203は、それぞれ図4の印刷装置1000、ホルダー1100、印刷材収容体100に設けられている。
As will be described later with reference to FIG. 8, the
図1に示すように、端子群PG1は、高電位側電源電圧VDDを出力する第1の高電位側電源供給端子P_VDD1と、低電位側電源電圧VSSを出力する第1の低電位側電源供給端子P_VSS1と、クロック信号を出力する第1のクロック端子P_SCK1と、リセット信号を出力する第1のリセット端子P_XRST1と、データ信号の入出力を行う第1のデータ端子P_SDA1と、テスト信号の入出力を行う第1のテスト端子TCV1とを有する。ここで、高電位側電源電圧VDDは、例えば図8の低電圧電源441が出力する高電位側の電源電圧VDDに対応し、低電位側電源電圧VSSは、例えば図8の低電圧電源441が出力する低電位側の電源電圧VSSに対応する。
As shown in FIG. 1, the terminal group PG1 includes a first high potential side power supply terminal P_VDD1 that outputs a high potential side power supply voltage VDD and a first low potential side power supply that outputs a low potential side power supply voltage VSS. A terminal P_VSS1, a first clock terminal P_SCK1 that outputs a clock signal, a first reset terminal P_XRST1 that outputs a reset signal, a first data terminal P_SDA1 that inputs and outputs a data signal, and an input and output of a test signal And a first test terminal TCV1. Here, the high-potential-side power supply voltage VDD corresponds to, for example, the high-potential-side power supply voltage VDD output from the low-
同様に、端子群PG2は、第2の高電位側電源供給端子P_VDD2、第2の低電位側電源供給端子P_VSS2、第2のクロック端子P_SCK2、第2のリセット端子P_XRST2、第2のデータ端子P_SDA2、第2のテスト端子TCV2を有する。 Similarly, the terminal group PG2 includes a second high potential side power supply terminal P_VDD2, a second low potential side power supply terminal P_VSS2, a second clock terminal P_SCK2, a second reset terminal P_XRST2, and a second data terminal P_SDA2. And a second test terminal TCV2.
これらの端子群PG1、PG2の端子と、電源端子VSS1、VDD1、VSS2は、回路装置10のペリフェラルに沿って配置されている。回路装置10の平面視においてペリフェラルに沿って反時計回りの方向を第1方向D1とし、ペリフェラルに沿って時計回りの方向を第2方向D2とする。このとき、電源端子VDD1を起点として、方向D1に端子群PG1、電源端子VSS1の順に配置され、方向D2に端子群PG2、電源端子VSS2の順に配置される。
The terminals of these
より具体的には、端子群PG1の方向D1における端子配置順と、端子群PG2の方向D2における端子配置順とは、電源端子VDD1を中心として対称である。即ち、端子群PG1では、電源端子VDD1の方向D1側の隣に電源供給端子P_VDD1が設けられ、電源端子VSS1の方向D2側の隣に電源供給端子P_VSS2が設けられる。それと対称に、端子群PG2では、電源端子VDD1の方向D2側の隣に電源供給端子P_VDD2が設けられ、電源端子VSS2の方向D1側の隣に電源供給端子P_VSS2が設けられる。端子群PG1の制御端子P_SCK1、P_XRST1、P_SDA1は、電源供給端子P_VDD1、P_VSS1の間に設けられ、それと対称に、端子群PG2の制御端子P_SCK2、P_XRST2、P_SDA2は、電源供給端子P_VDD2、P_VSS2の間に設けられる。制御端子の配置順は、電源端子VDD1を中心に対称である。 More specifically, the terminal arrangement order in the direction D1 of the terminal group PG1 and the terminal arrangement order in the direction D2 of the terminal group PG2 are symmetric with respect to the power supply terminal VDD1. That is, in the terminal group PG1, the power supply terminal P_VDD1 is provided next to the direction D1 side of the power supply terminal VDD1, and the power supply terminal P_VSS2 is provided next to the direction D2 side of the power supply terminal VSS1. In contrast, in the terminal group PG2, the power supply terminal P_VDD2 is provided next to the direction D2 side of the power supply terminal VDD1, and the power supply terminal P_VSS2 is provided next to the direction D1 side of the power supply terminal VSS2. The control terminals P_SCK1, P_XRST1, and P_SDA1 of the terminal group PG1 are provided between the power supply terminals P_VDD1 and P_VSS1, and symmetrically, the control terminals P_SCK2, P_XRST2, and P_SDA2 of the terminal group PG2 are between the power supply terminals P_VDD2 and P_VSS2. Provided. The arrangement order of the control terminals is symmetric about the power supply terminal VDD1.
また、端子群PG3は、第3の高電位側電源供給端子P_VDD3、第3の低電位側電源供給端子P_VSS3、第3のクロック端子P_SCK3、第3のリセット端子P_XRST3、第3のデータ端子P_SDA3、第3のテスト端子TCV3を有する。端子群PG3の端子と、電源端子VDD2は、回路装置10のペリフェラルに沿って配置され、端子群PG2の方向D1における端子配置順と、端子群PG3の方向D2における端子配置順とは、電源端子VSS2を中心として対称である。
The terminal group PG3 includes a third high potential side power supply terminal P_VDD3, a third low potential side power supply terminal P_VSS3, a third clock terminal P_SCK3, a third reset terminal P_XRST3, a third data terminal P_SDA3, A third test terminal TCV3 is provided. The terminals of the terminal group PG3 and the power supply terminal VDD2 are arranged along the peripheral of the
このように電源端子VDD1、VSS1、VSS2と端子群PG1、PG2の配置順を対称にすることで、電源端子VDD1、VSS1、VSS2から電源供給端子P_VDD1、P_VSS1、P_VDD2、P_VSS2までの配線抵抗を小さくすることが可能となる。同様に、電源端子VSS2、VDD1、VDD2と端子群PG2、PG3の配置順を対称にすることで、電源端子VSS2、VDD1、VDD2から電源供給端子P_VDD2、P_VSS2、P_VDD3、P_VSS3までの配線抵抗を小さくすることが可能となる。これにより、電源供給端子が出力する電圧の変動(例えば電圧ドロップ)を抑制できる。また、端子群PG1〜PG3で、ほぼ同等の電圧変動にすることが可能である。 Thus, by making the arrangement order of the power supply terminals VDD1, VSS1, VSS2 and the terminal groups PG1, PG2 symmetrical, the wiring resistance from the power supply terminals VDD1, VSS1, VSS2 to the power supply terminals P_VDD1, P_VSS1, P_VDD2, P_VSS2 is reduced. It becomes possible to do. Similarly, the wiring resistance from the power supply terminals VSS2, VDD1, VDD2 to the power supply terminals P_VDD2, P_VSSS2, P_VDD3, P_VSS3 is reduced by making the arrangement order of the power supply terminals VSS2, VDD1, VDD2 and the terminal groups PG2, PG3 symmetrical. It becomes possible to do. Thereby, the fluctuation | variation (for example, voltage drop) of the voltage which a power supply terminal outputs can be suppressed. In addition, the terminal groups PG1 to PG3 can have almost the same voltage fluctuation.
なお、回路装置10のシリコン基板の辺やコーナーと端子との位置関係は、図1の構成に限定されず、端子の配置順が上述のように対称となっていればよい。
Note that the positional relationship between the sides and corners of the silicon substrate of the
2.電源配線レイアウト
図2に、回路装置10における電源配線のレイアウト配置例を示す。図2に示すように、回路装置10の配線層には、低電位側電源端子VSS1、VSS2に接続される配線LSと、高電位側電源端子VDD1、VDD2に接続される配線LDと、端子群PG1〜PG3の低電位側電源供給端子P_VSS1〜P_VSS3にそれぞれ接続される配線LPS1〜LPS3と、端子群PG1〜PG3の高電位側電源供給端子P_VDD1〜P_VDD3にそれぞれ接続される配線LPD1〜LPD3とが、配線されている。
2. Power Supply Wiring Layout FIG. 2 shows a layout arrangement example of power supply wiring in the
配線LS、LDは、端子の配置方向D1(又はD2)に沿って、端子よりも内側に配線される。図2には配線LS、LDの一部を図示しているが、配線LS、LDは、端子の配置方向に沿って環状に配線されてもよい。例えば回路装置10内において、共通の電圧VSSをグランド電圧として用いる場合、配線LSが環状であってもよい。
The wirings LS and LD are wired inside the terminals along the terminal arrangement direction D1 (or D2). Although some of the wirings LS and LD are illustrated in FIG. 2, the wirings LS and LD may be wired in a ring shape along the terminal arrangement direction. For example, when the common voltage VSS is used as the ground voltage in the
配線LPS1〜LPS3は、電源供給端子P_VSS1〜P_VSS3側から方向D2へ伸びるように配線される。また、配線LPD1〜LPD3は、電源供給端子P_VDD1〜P_VDD3側から方向D1へ伸びるように配線される。回路装置10のペリフェラルから中央に向かって見た場合、配線LS、配線LPS1〜LPS3、配線LPD1〜LPD3、配線LDの順に配置されている。なお、配線の配置順はこれに限定されない。
The wirings LPS1 to LPS3 are wired so as to extend in the direction D2 from the power supply terminals P_VSS1 to P_VSS3 side. The wirings LPD1 to LPD3 are wired so as to extend in the direction D1 from the power supply terminals P_VDD1 to P_VDD3 side. When viewed from the peripheral of the
上記の各配線は、例えば半導体プロセスの金属(例えばアルミ)配線層により形成される。配線LDの内側には、端子群PG1〜PG3に対して制御信号を出力する回路等の回路が配置される。 Each of the above wirings is formed by, for example, a metal (for example, aluminum) wiring layer of a semiconductor process. Inside the wiring LD, a circuit such as a circuit for outputting a control signal to the terminal groups PG1 to PG3 is disposed.
図3に、各端子のI/O領域(入出力領域)に配置されるバッファー回路のレイアウト配置例を示す。図3には、端子群PG1、PG2に対応するバッファー回路を示すが、省略した端子群PG3に対応するバッファー回路についても同様である。 FIG. 3 shows a layout arrangement example of buffer circuits arranged in the I / O area (input / output area) of each terminal. FIG. 3 shows buffer circuits corresponding to the terminal groups PG1 and PG2, but the same applies to the buffer circuits corresponding to the omitted terminal group PG3.
回路装置10は、配線LSから供給された電源電圧VSSを配線LPS1を介して端子P_VSS1に対して出力するバッファー回路BS1と、配線LDから供給された電源電圧VDDを配線LPD1を介して端子P_VDD1に対して出力するバッファー回路BD1とを含む。また回路装置10は、電源供給端子P_VSS1、P_VDD1の電圧を信号レベルとして、端子P_SCK1に対してクロック信号を出力するバッファー回路BC1と、電源供給端子P_VSS1、P_VDD1の電圧を信号レベルとして、端子P_XRST1に対してリセット信号を出力するバッファー回路BR1と、電源供給端子P_VSS1、P_VDD1の電圧を信号レベルとして、端子P_SDA1を介してデータ信号の入出力を行うバッファー回路IO1とを含む。
The
バッファー回路BS1、BC1、BR1、IO1、BD1は、端子群PG1の端子に対応して配置されており、端子の配置方向に沿って端子の配置順と同じ順序で配置される。バッファー回路BS1、BC1、BR1、IO1、BD1の上には、端子側に配線LSが配置され、端子から離れた側に配線LSが配置される。また、バッファー回路BC1、BR1、IO1の上には、配線LS、LDの間に配線LPS1、LPD1が配置される。 The buffer circuits BS1, BC1, BR1, IO1, and BD1 are arranged corresponding to the terminals of the terminal group PG1, and are arranged in the same order as the arrangement order of the terminals along the terminal arrangement direction. On the buffer circuits BS1, BC1, BR1, IO1, and BD1, a wiring LS is arranged on the terminal side, and a wiring LS is arranged on the side away from the terminal. Further, on the buffer circuits BC1, BR1, and IO1, wirings LPS1 and LPD1 are disposed between the wirings LS and LD.
また回路装置10は、端子群PG2に対応するバッファー回路として、バッファー回路BS2、BC2、BR2、IO2、BD2を含む。これらのバッファー回路BS2、BC2、BR2、IO2、BD2は、端子の配置順が対称であることに対応して、端子群PG1のバッファー回路BS1、BC1、BR1、IO1、BD1と対称な配置順で配置されている。
The
なお、上記のバッファー回路の詳細な構成については、図10(A)〜図10(D)で後述する。 Note that the detailed configuration of the buffer circuit will be described later with reference to FIGS.
このように端子及びバッファー回路が対称な配置順で配置されることで、端子群PG1、PG2で電源供給端子の電圧変動をほぼ同一にすることが可能となるため、電源供給端子の電圧を信号レベルとする制御信号の電圧変動が、端子群PG1、PG2でほぼ同一となる。これにより、信号レベルの変動がノイズとなって後段の回路(図8の記憶装置203)が誤動作してしまうことを抑制できる。
Since the terminals and the buffer circuits are arranged in a symmetrical arrangement order as described above, it is possible to make the voltage fluctuations of the power supply terminals almost the same in the terminal groups PG1 and PG2. The voltage fluctuation of the control signal to be level is almost the same in the terminal groups PG1 and PG2. Accordingly, it is possible to suppress the circuit level fluctuation (
さて、一組の高電位側電源端子と低電位側電源端子から各端子群に対して電源が供給された場合、電源端子から端子群までの配線抵抗が異なるため、電源端子から遠い端子群ほど電圧ドロップ等が生じやすく、電源電圧が変動しやすいという課題がある。電源電圧が変動すると、後段の記憶装置に安定した電圧の電源を供給できず、また、制御信号のノイズ増大につながる可能性がある。 Now, when power is supplied to each terminal group from a set of high potential side power supply terminals and low potential side power supply terminals, the wiring resistance from the power supply terminals to the terminal group is different, so the terminal groups farther from the power supply terminals There is a problem that voltage drop or the like is likely to occur and the power supply voltage is likely to fluctuate. When the power supply voltage fluctuates, a stable voltage power supply cannot be supplied to the storage device in the subsequent stage, and there is a possibility that the noise of the control signal increases.
この点、本実施形態によれば、図1に示すように、第1の端子群(例えば端子群PG1)は、第1電位電源端子(例えば高電位側電源端子VDD1)と第1の第2電位電源端子(例えば低電位側電源端子VSS1)との間に設けられる。第2の端子群(例えば端子群PG2)は、第1電位電源端子VDD1と第2の第2電位電源端子(例えば低電位側電源端子VSS2)との間に設けられる。そして、第1端子群PG1の少なくとも第1の第1電位電源供給端子(例えば高電位側電源供給端子P_VDD1)及び第1の第2電位電源供給端子(例えば低電位側電源供給端子P_VSS1)と、第2端子群PG2の少なくとも第2の第1電位電源供給端子(例えば高電位側電源供給端子P_VDD2)及び第2の第2電位電源供給端子(例えば低電位側電源供給端子P_VSS2)とは、第1電位電源端子VDD1に対して端子の配置順が対称である。 In this regard, according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, the first terminal group (for example, the terminal group PG1) includes the first potential power terminal (for example, the high potential side power terminal VDD1) and the first second power terminal. It is provided between a potential power supply terminal (for example, the low potential power supply terminal VSS1). The second terminal group (eg, terminal group PG2) is provided between the first potential power supply terminal VDD1 and the second second potential power supply terminal (eg, low potential side power supply terminal VSS2). Then, at least a first potential power supply terminal (for example, a high potential power supply terminal P_VDD1) and a first second potential power supply terminal (for example, a low potential power supply terminal P_VSS1) of the first terminal group PG1, At least a second first potential power supply terminal (for example, a high potential side power supply terminal P_VDD2) and a second second potential power supply terminal (for example, a low potential side power supply terminal P_VSS2) of the second terminal group PG2 The arrangement order of the terminals is symmetric with respect to the one-potential power supply terminal VDD1.
なお、第1電位電源端子、第2電位電源端子が、それぞれ高電位側電源電圧VDD、低電位側電源電圧VSSが供給される端子である場合を例に説明するが、本実施形態ではこれに限定されず、第1電位電源端子、第2電位電源端子が、それぞれ低電位側電源電圧VSS、高電位側電源電圧VDDが供給される端子であってもよい。即ち、第1電位電源端子、第1の第2電位電源端子、第2の第2電位電源端子、第1端子群、第2端子群が、それぞれ図1の低電位側電源端子VSS2、高電位側電源端子VDD2、高電位側電源端子VDD1、端子群PG3、端子群PG2に対応してもよく、この場合にも以下に述べるのと同様のことが言える。 Note that the case where the first potential power supply terminal and the second potential power supply terminal are terminals supplied with the high potential side power supply voltage VDD and the low potential side power supply voltage VSS, respectively, will be described as an example. Without being limited thereto, the first potential power supply terminal and the second potential power supply terminal may be terminals supplied with the low potential power supply voltage VSS and the high potential power supply voltage VDD, respectively. That is, the first potential power supply terminal, the first second potential power supply terminal, the second second potential power supply terminal, the first terminal group, and the second terminal group are the low potential side power supply terminal VSS2 and the high potential in FIG. It may correspond to the side power supply terminal VDD2, the high potential side power supply terminal VDD1, the terminal group PG3, and the terminal group PG2. In this case, the same can be said as described below.
これにより、電源端子VDD1から電源供給端子P_VDD1、P_VDD2、までの配線抵抗、及び電源端子VSS1、VSS2から電源供給端子P_VSS1、P_VSS2までの配線抵抗を小さくすることが可能となるため、電源供給端子が出力する電圧の変動(例えば電圧ドロップ)を抑制できる。また、配置順が対称であることにより、端子群PG1、PG2で、電源端子VDD1から電源供給端子P_VDD1までの配線抵抗と電源端子VDD1から電源供給端子P_VDD2までの配線抵抗との差が小さくなる。同様に、電源端子VSS1から電源供給端子P_VSS1までの配線抵抗と電源端子VSS2から電源供給端子P_VSS2までの配線抵抗との差が小さくなる。これにより、電源端子から離れた特定の端子群が存在しなくなるため、そのような特定の端子群に接続される記憶装置に不具合が生じてしまうことを防止できる。また、理想的には各端子群に1組ずつ電源端子を設ければよいが、本実施形態では対称に配置して電源端子VDD1を端子群PG1、PG2で共有できるため、回路装置10の面積を削減できる。
As a result, the wiring resistance from the power supply terminal VDD1 to the power supply terminals P_VDD1, P_VDD2 and the wiring resistance from the power supply terminals VSS1, VSS2 to the power supply terminals P_VSS1, P_VSS2 can be reduced. Variations in the output voltage (for example, voltage drop) can be suppressed. Further, since the arrangement order is symmetric, the difference between the wiring resistance from the power supply terminal VDD1 to the power supply terminal P_VDD1 and the wiring resistance from the power supply terminal VDD1 to the power supply terminal P_VDD2 is reduced in the terminal groups PG1 and PG2. Similarly, the difference between the wiring resistance from the power supply terminal VSS1 to the power supply terminal P_VSS1 and the wiring resistance from the power supply terminal VSS2 to the power supply terminal P_VSS2 is reduced. As a result, there is no specific terminal group that is distant from the power supply terminal, so that it is possible to prevent a problem from occurring in the storage device connected to such a specific terminal group. Ideally, one set of power supply terminals may be provided for each terminal group. However, in this embodiment, the power supply terminals VDD1 can be shared by the terminal groups PG1 and PG2 by arranging them symmetrically, so that the area of the
また本実施形態では、第1端子群PG1が有する端子の中で第1の第1電位電源供給端子P_VDD1が第1電位電源端子VDD1に最も近く、第2端子群PG2が有する端子の中で第2の第1電位電源供給端子P_VDD2が第1電位電源端子VDD1に最も近い。 In the present embodiment, the first first potential power supply terminal P_VDD1 is the closest to the first potential power supply terminal VDD1 among the terminals included in the first terminal group PG1, and the second terminal group PG2 includes the first terminal among the terminals included in the second terminal group PG2. Two first potential power supply terminals P_VDD2 are closest to the first potential power supply terminal VDD1.
このようにすれば、第1電位電源端子VDD1から第1、第2の第1電位電源供給端子P_VDD1、P_VDD2までの距離を近くできるため、第1、第2の第1電位電源供給端子P_VDD1、P_VDD2における電圧変動を軽減できる。例えば図10(C)で後述するように、端子VDD1から供給される電源電圧VDDは、トランジスターTP5を介して電源電圧CVDDとして端子P_VDD1、P_VDD2に供給される。この場合に、トランジスターTP5までの配線が短くなることで、CVDDの電圧ドロップを軽減できる。また、端子間の距離が近いことで配線の幅を小さくできるため、回路装置10のレイアウト面積を削減できる。
In this way, since the distance from the first potential power supply terminal VDD1 to the first and second first potential power supply terminals P_VDD1 and P_VDD2 can be reduced, the first and second first potential power supply terminals P_VDD1, Voltage fluctuation at P_VDD2 can be reduced. For example, as will be described later with reference to FIG. 10C, the power supply voltage VDD supplied from the terminal VDD1 is supplied to the terminals P_VDD1 and P_VDD2 as the power supply voltage CVDD through the transistor TP5. In this case, the voltage drop of CVDD can be reduced by shortening the wiring to the transistor TP5. Further, since the distance between the terminals can be reduced, the width of the wiring can be reduced, so that the layout area of the
また本実施形態では、第1端子群PG1が有する端子の中で第1の第2電位電源供給端子P_VSS1が第1の第2電位電源端子VSS1に最も近く、第2端子群PG2が有する端子の中で第2の第2電位電源供給端子P_VSS2が第2の第2電位電源端子VSS2に最も近い。 In the present embodiment, among the terminals of the first terminal group PG1, the first second potential power supply terminal P_VSS1 is closest to the first second potential power supply terminal VSS1, and the terminal of the second terminal group PG2 Among them, the second second potential power supply terminal P_VSS2 is closest to the second second potential power supply terminal VSS2.
このようにすれば、第1、第2の第2電位電源端子VSS1、VSS2から第1、第2の第1電位電源供給端子P_VSS1、P_VSS2までの距離を短くできるため、第1、第2の第2電位電源供給端子P_VSS1、P_VSS2における電圧変動を軽減できる。例えば図10(B)で後述するように、端子VSS1から供給される電源電圧VSSは、トランジスターTN4を介して電源電圧CVSSとして端子P_VSS1、P_VSS2に供給される。この場合に、トランジスターTN4までの配線が短くなることで、CVSSの電圧ドロップを軽減できる。また、端子間の距離が近いことで配線の幅を小さくできるため、回路装置10のレイアウト面積を削減できる。
In this way, the distance from the first and second second potential power supply terminals VSS1 and VSS2 to the first and second first potential power supply terminals P_VSS1 and P_VSS2 can be shortened, so the first and second Voltage fluctuations at the second potential power supply terminals P_VSS1 and P_VSS2 can be reduced. For example, as will be described later with reference to FIG. 10B, the power supply voltage VSS supplied from the terminal VSS1 is supplied to the terminals P_VSS1 and P_VSS2 as the power supply voltage CVSS through the transistor TN4. In this case, the voltage drop of CVSS can be reduced by shortening the wiring to the transistor TN4. Further, since the distance between the terminals can be reduced, the width of the wiring can be reduced, so that the layout area of the
また本実施形態では、第1端子群PG1が有する第1データ端子P_SDA1、第1リセット端子P_XRST1及び第1クロック端子P_SCK1と、第2端子群PG2が有する第2データ端子P_SDA2、第2リセット端子P_XRST2及び第2クロック端子P_SCK2とは、第1電位電源端子VDD1に対して端子の配置順が対称である。 In the present embodiment, the first data terminal P_SDA1, the first reset terminal P_XRST1, the first clock terminal P_SCK1, and the second data terminal P_SDA2 and the second reset terminal P_XRST2 included in the second terminal group PG2 are included in the first terminal group PG1. The second clock terminal P_SCK2 is symmetrical in terminal arrangement order with respect to the first potential power supply terminal VDD1.
また本実施形態では、第1データ端子P_SDA1、第1リセット端子P_XRST1及び第1クロック端子P_SCK1は、第1の第1電位電源供給端子P_VDD1と第1の第2電位電源供給端子P_VSS1との間に配置される。第2データ端子P_SDA2、第2リセット端子P_XRST2及び第2クロック端子P_SCK2は、第2の第1電位電源供給端子P_VDD2と第2の第2電位電源供給端子P_VSS2との間に配置される。 Further, in the present embodiment, the first data terminal P_SDA1, the first reset terminal P_XRST1, and the first clock terminal P_SCK1 are between the first first potential power supply terminal P_VDD1 and the first second potential power supply terminal P_VSS1. Be placed. The second data terminal P_SDA2, the second reset terminal P_XRST2, and the second clock terminal P_SCK2 are disposed between the second first potential power supply terminal P_VDD2 and the second second potential power supply terminal P_VSS2.
このようにすれば、図2に示すように、端子配置順が対称であることで、CVSSを供給する配線LPS1、LPS2の長さをほぼ同一にでき、CVDDを供給する配線LPD1、LPD2の長さをほぼ同一にできる。図10(A)、図10(D)で後述するように、制御信号CSDA、CRST、CSCKは、CVDD、CVSSにより動作するトランジスターTP2、TN2、TP7、TN7から出力される。この場合に、配線長が同一であることで、制御信号CSDA、CRST、CSCKのノイズ量(CVDD、CVSSの変動によるノイズ)の差を、端子群PG1とPG2で小さくできる。また、上述のようにCVDD、CVSSの電圧変動を小さくできるため、そのCVDD、CVSSを信号レベルとする制御信号CSDA、CRST、CSCKの信号レベルの変動を小さくできる。これにより、ノイズに起因する記憶装置の誤動作を抑制できる。 In this way, as shown in FIG. 2, since the terminal arrangement order is symmetric, the lengths of the wirings LPS1 and LPS2 that supply CVSS can be made substantially the same, and the lengths of the wirings LPD1 and LPD2 that supply CVDD Can be almost the same. As will be described later with reference to FIGS. 10A and 10D, control signals CSDA, CRST, and CSCK are output from transistors TP2, TN2, TP7, and TN7 that operate based on CVDD and CVSS. In this case, since the wiring lengths are the same, the difference between the noise amounts of the control signals CSDA, CRST, and CSCK (noise due to variations in CVDD and CVSS) can be reduced between the terminal groups PG1 and PG2. In addition, since the voltage fluctuations of CVDD and CVSS can be reduced as described above, fluctuations in the signal levels of control signals CSDA, CRST, and CSCK whose signal levels are CVDD and CVSS can be reduced. Thereby, the malfunction of the memory | storage device resulting from a noise can be suppressed.
また本実施形態では、図3に示すように、第1電源配線LD及び第2電源配線LSは、第1の第1電位電源供給端子P_VDD1のI/O領域に配置された第1バッファー回路BD1、及び第2の第1電位電源供給端子P_VDD2のI/O領域に配置された第2バッファー回路BD2の上に配線され、第1バッファー回路BD1及び第2バッファー回路BD2に対して高電位側電源電圧VDD及び低電位側電源電圧VSSを供給する。 In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the first power supply wiring LD and the second power supply wiring LS are provided in the first buffer circuit BD1 arranged in the I / O region of the first first potential power supply terminal P_VDD1. , And the second buffer circuit BD2 disposed in the I / O region of the second first potential power supply terminal P_VDD2, and the high potential side power supply for the first buffer circuit BD1 and the second buffer circuit BD2. The voltage VDD and the low potential side power supply voltage VSS are supplied.
ここで、「上に配線」の「上」とは、回路装置10のシリコン基板の平面のうち半導体プロセスにより回路が形成される平面に垂直な方向において、平面から離れる方向のことである。即ち、シリコン基板の平面にバッファー回路BD1及びBD2が形成され、そのバッファー回路BD1及びBD2よりもシリコン基板の平面から離れる方向側に更に配線LD及びLSが積層されるということである。
Here, “upper” of “wiring up” refers to a direction away from a plane in a direction perpendicular to a plane on which a circuit is formed by a semiconductor process among the planes of the silicon substrate of the
このようにすれば、第1電位電源端子VDD1から第1バッファー回路BD1、第2バッファー回路BD2までの配線長を短くできるため、第1バッファー回路BD1、第2バッファー回路BD2が出力する電圧CVDDの電圧変動を抑制できる。 In this way, since the wiring length from the first potential power supply terminal VDD1 to the first buffer circuit BD1 and the second buffer circuit BD2 can be shortened, the voltage CVDD output from the first buffer circuit BD1 and the second buffer circuit BD2 can be reduced. Voltage fluctuation can be suppressed.
3.印刷装置
図4は、本実施形態における印刷装置の構成例を示す斜視図である。なお以下では、印刷材収容体が、印刷材としてインクを収容するインクカートリッジである場合を例に説明するが、本実施形態はこれに限定されず、印刷材収容体がインク以外の印刷材を収容する場合にも本実施形態を適用可能である。
3. Printing Device FIG. 4 is a perspective view illustrating a configuration example of a printing device according to the present embodiment. Hereinafter, a case where the printing material container is an ink cartridge that stores ink as a printing material will be described as an example. However, the present embodiment is not limited to this, and the printing material container is a printing material other than ink. The present embodiment can also be applied when accommodating.
印刷装置1000は、インクカートリッジ(広義には印刷材収容体)が装着されるカートリッジ装着部1100と、回動自在なカバー1200と、操作部1300とを有する。カートリッジ装着部1100を「カートリッジホルダー」又は単に「ホルダー」とも呼ぶ。図4に示す例では、カートリッジ装着部1100には、4つのインクカートリッジが独立に装着可能であり、例えば、ブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの4種類のインクカートリッジ(印刷材収容体)100が装着される。カバー1200は省略可能である。操作部1300は、ユーザーが各種の指示や設定を行うための入力装置であり、また、ユーザーに各種の通知を行うための表示部を備えている。
The
図5(A)、図5(B)は、インクカートリッジ100の外観を示す斜視図である。図5(A)、図5(B)におけるXYZ軸は、図4のXYZ軸に対応している。なお、インクカートリッジを単に「カートリッジ」とも呼ぶ。このカートリッジ100は、扁平な略直方体の外観形状を有しており、3方向の寸法L1、L2、L3のうちで、長さL1(挿入方向のサイズ)が最も大きく、幅L2が最も小さく、高さL3が長さL1と幅L2の中間である。
5A and 5B are perspective views showing the appearance of the
カートリッジ100は、先端面(第1の面)Sfと、後端面(第2の面)Srと、天井面(第3の面)Stと、底面(第4の面)Sbと、2つの側面(第5及び第6の面)Sc、Sdとを備えている。カートリッジ100の内部には、可撓性材料で形成されたインク収容室120(「インク収容袋」とも呼ぶ)が設けられている。先端面Sfは、2つの位置決め穴131,132と、インク供給口110とを有している。天井面stには、記憶装置が実装される基板200が設けられている。基板200には、インクに関する情報を格納するための不揮発性の記憶装置が搭載されている。第1の側面Scと第2の側面Sdは互いに対向しており、また、先端面Sf、天井面St、後端面Sr、及び、底面Sbと直交する。第2の側面Sdと先端面Sfが交わる位置には、凹凸嵌合部134が配置されている。
The
図6(A)は、本実施形態における基板200の構成を示している。基板200の表面は、カートリッジ100に基板200が装着されたときに外側に露出している面である。図6(B)は、基板200の側面から見た図を示している。基板200の上端部には、ボス溝201が形成され、基板200の下端部には、ボス穴202が形成されている。
FIG. 6A shows the configuration of the
図6(A)における矢印SDは、カートリッジ装着部1100へのカートリッジ100の装着方向を示している。この装着方向SDは、図5(A)に示すカートリッジの装着方向(X方向)と一致する。基板200は、裏面に記憶装置203を有しており、表面には9つの端子からなる端子群が設けられている。図示を省略するが、基板200の表面と裏面には、端子と記憶装置203を接続するための配線やその他の配線、基板表面の配線と基板の裏面の配線を電気的に接続するためのスルーホールが配置されている。記憶装置203は、カートリッジ100に関する情報や、カートリッジ100に収容されているインクに関する情報(例えばインク量情報、インク残量、インク消費量)を格納する。これらの端子は、略矩形状に形成され、装着方向SDと略垂直な列を2列形成するように配置されている。
An arrow SD in FIG. 6A indicates the mounting direction of the
基板200には、複数の記憶装置用端子RST、SCK、SDA、VDD、VSSと、第1の装着検出端子DT1と、第2の装着検出端子DT2と、第1の短絡検出端子CO1と、第2の短絡検出端子CO2とが設けられる。
The
2つの列のうち、装着方向SDの手前側の例(図6(A)における上側に位置する列)を上側列A1(第1列)と呼び、装着方向SDの奥側の列(図6(A)における下側に位置する列)を下側列A2(第2列)と呼ぶ。なお、これらの列A1、A2は、複数の端子の接触部cpによって形成される列であると考えることも可能である。複数の端子の接触部cpは、カートリッジがホルダーに装着されたときに、ホルダー側回路基板450とカートリッジ側基板200を接続するためにホルダー内部に設けられたコネクターが複数の端子と接触する部分である。
Of the two columns, an example on the near side in the mounting direction SD (a column located on the upper side in FIG. 6A) is referred to as an upper column A1 (first column), and a column on the back side in the mounting direction SD (FIG. 6). The lower column in (A) is referred to as a lower column A2 (second column). Note that these rows A1 and A2 can be considered to be rows formed by contact portions cp of a plurality of terminals. The contact portions cp of the plurality of terminals are portions where connectors provided inside the holder for connecting the holder-
上側列A1を形成する端子CO1、RST、SCK、CO2と、下側列A2を形成する端子DT1、VDD、VSS、SDA、DT2は、それぞれ以下の機能(用途)を有する。
<上側列A1>
(1)第1の短絡検出端子CO1
(2)リセット端子RST
(3)クロック端子SCK
(4)第2の短絡検出端子CO2
<下側列A2>
(5)第1の装着検出端子DT1
(6)第1の電源端子(電源端子)VDD
(7)第2の電源端子(接地端子)VSS
(8)データ端子SDA
(9)第2の装着検出端子DT2
The terminals CO1, RST, SCK, CO2 forming the upper column A1 and the terminals DT1, VDD, VSS, SDA, DT2 forming the lower column A2 have the following functions (uses), respectively.
<Upper row A1>
(1) First short-circuit detection terminal CO1
(2) Reset terminal RST
(3) Clock terminal SCK
(4) Second short-circuit detection terminal CO2
<Lower row A2>
(5) First mounting detection terminal DT1
(6) First power supply terminal (power supply terminal) VDD
(7) Second power supply terminal (ground terminal) VSS
(8) Data terminal SDA
(9) Second mounting detection terminal DT2
第1、第2の装着検出端子DT1、DT2は、後述するように、インクカートリッジ100がカートリッジ装着部1100に正しく装着されているか否かを検出する際に使用される。また、第1、第2の短絡検出端子CO1、CO2は、第1、第2の装着検出端子DT1、DT2との短絡を検出する際に使用されるものである。他の5つの端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAは、記憶装置203用の端子であり、「メモリー端子」とも呼ぶ。
The first and second mounting detection terminals DT1 and DT2 are used when detecting whether or not the
各端子は、その中央部に、複数の装置側端子のうちの対応する端子と接触する接触部cpを含んでいる。上側列A1を形成する端子の各接触部cpと、下側列A2を形成する端子の各接触部cpは、互い違いに配置され、いわゆる千鳥状の配置を構成している。また、上側列A1を形成する端子と、下側列A2を形成する端子も、互いの端子中心が装着方向SDに並ばないように、互い違いに配置され、千鳥状の配置を構成している。 Each terminal includes a contact portion cp in contact with a corresponding terminal among the plurality of device-side terminals at the center thereof. The contact portions cp of the terminals forming the upper row A1 and the contact portions cp of the terminals forming the lower row A2 are alternately arranged to form a so-called staggered arrangement. Further, the terminals forming the upper row A1 and the terminals forming the lower row A2 are also arranged in a staggered manner so that the terminal centers are not aligned in the mounting direction SD.
上側列A1の第1、第2の短絡検出端子CO1、CO2の各接触部は、上側列A1の両端部、すなわち、上側列A1の最も外側にそれぞれ配置されている。また、下側列A2の第1、第2の装着検出端子DT1、DT2の各接触部は、下側列A2の両端部、すなわち、下側列A2の最も外側に配置されている。メモリー端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAの接触部は、9つの端子の全体が配置されている領域内の略中央に集合して配置されている。また、第1、第2の短絡検出端子CO1、CO2及び第1、第2の装着検出端子DT1、DT2の接触部は、メモリー端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAの集合の四隅に配置されている。 The contact portions of the first and second short-circuit detection terminals CO1 and CO2 in the upper row A1 are arranged at both ends of the upper row A1, that is, the outermost side of the upper row A1, respectively. Further, the contact portions of the first and second mounting detection terminals DT1 and DT2 in the lower row A2 are disposed at both ends of the lower row A2, that is, the outermost side of the lower row A2. The contact portions of the memory terminals RST, SCK, VDD, VSS, and SDA are collectively arranged at the center in the region where all nine terminals are arranged. The contact portions of the first and second short-circuit detection terminals CO1 and CO2 and the first and second mounting detection terminals DT1 and DT2 are arranged at the four corners of the set of memory terminals RST, SCK, VDD, VSS, and SDA. ing.
インクジェットプリンターなどの印刷装置においては、導電性のインク等が基板200の端子側に付着する可能性がある。図6(A)に示したように、第1の短絡検出端子CO1と第1の装着検出端子DT1とは隣り合っており、第2の短絡検出端子CO2と第2の装着検出端子DT2とは隣り合っている。そのために、例えば導電性のインク等が基板200の端子側に付着することで、隣り合っている2つの端子CO1とDT1、或いはCO2とDT2が導電性のインク等によって短絡(リーク)する可能性がある。また、第1の装着検出端子DT1と電源端子VDDとが短絡したり、第2の装着検出端子DT2とデータ端子SDAとが短絡したりする可能性もある。
In a printing apparatus such as an ink jet printer, conductive ink or the like may adhere to the terminal side of the
第1、第2の装着検出端子DT1、DT2は、印刷材収容体100の装着を検出するための端子であるが、この装着検出の際には高電圧(例えば42V)がDT1、DT2に印加される。そのため、DT1又はDT2が他の端子と導電性のインク等によって短絡している場合には、例えば記憶装置203などの回路に高電圧が印加され、回路が破壊されるおそれがある。
The first and second mounting detection terminals DT1 and DT2 are terminals for detecting the mounting of the
以下に説明するように、本実施形態の印刷装置では、導電性のインク等による端子間の短絡が生じた場合でも、装着検出時に装着検出端子DT1、DT2に印加される高電圧によって記憶装置203などの回路が破壊されることを防止している。
As will be described below, in the printing apparatus according to the present embodiment, even when a short circuit occurs between terminals due to conductive ink or the like, the
図7に、本実施形態の印刷装置における印刷材収容体及び回路基板等の構成例を示す。この構成例は、第1の印刷材収容体100−1〜第4(広義には第n(この構成例ではnは4以上の整数))の印刷材収容体100−4、制御部300及び回路基板450を含む。なお、本実施形態の印刷装置は図7の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
FIG. 7 shows a configuration example of the printing material container and the circuit board in the printing apparatus of the present embodiment. This configuration example includes the first printing material container 100-1 to the fourth printing material container 100-4, the
印刷材収容体100−1〜100−4は、印刷材情報を記憶する記憶装置203(203−1〜203−4)、複数の記憶装置用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDA、装着検出端子DT1、DT2及び短絡検出端子CO1、CO2をそれぞれ有する。DT1とDT2との間には、装着検出用抵抗素子RDが設けられる。CO1、CO2は、印刷材収容体100の内部で配線により電気的に接続されている。
The printing material containers 100-1 to 100-4 include a storage device 203 (203-1 to 203-4) that stores printing material information, a plurality of storage device terminals RST, SCK, VDD, VSS, SDA, and mounting detection. Terminals DT1 and DT2 and short circuit detection terminals CO1 and CO2 are provided, respectively. A mounting detection resistance element RD is provided between DT1 and DT2. CO1 and CO2 are electrically connected by wiring inside the
制御部300は、図1〜図3の回路装置10に対応している。制御部300の端子群PG1〜PG3は、第1〜第4の印刷材収容体100−1〜100−4の複数の記憶装置用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAに接続され、制御部300は、記憶装置203に対してデータの読み出し又は書き込みの制御を行う。
The
第1〜第4の印刷材収容体100−1〜100−4のうちの第2(広義には第i(iは1<i<n−1である整数))〜第3(広義には第j(jはi<j<nである整数))の印刷材収容体100−2、100−3の各々の複数の記憶装置用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAは、バスMBSにより制御部300と共通接続される。第1の印刷材収容体100−1の複数の記憶装置用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAは、バスMBSと分離されて制御部300と接続される。第4(広義には第n)の印刷材収容体100−4の複数の記憶装置用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAは、バスMBSと分離されて制御部300と接続される。
Of the first to fourth printing material containers 100-1 to 100-4, the second (i in the broad sense (i is an integer satisfying 1 <i <n-1)) to the third (in the broad sense). A plurality of storage device terminals RST, SCK, VDD, VSS, and SDA of each of the j-th printing material containers 100-2 and 100-3 (j is an integer satisfying i <j <n) are connected to the bus MBS. Commonly connected to the
回路基板450は印刷装置用回路基板であって、制御部300が実装され、高電位側電源端子TVDと、低電位側電源端子TVSと、第1〜第4(広義には第n)の端子群TG1〜TG4と、バスMBSのバス配線とを有する。第1〜第4の端子群TG1〜TG4には、第1〜第4の印刷材収容体100−1〜100−4が接続される。第1〜第4の端子群TG1〜TG4は、第1〜第4の印刷材収容体100−1〜100−4が有する記憶装置203−1〜203−4にアクセスするための複数の記憶装置用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAをそれぞれ有する。また、第1〜第4の端子群TG1〜TG4は、第1〜第4の印刷材収容体100−1〜100−4の装着を検出するための装着検出端子DT1、DT2をそれぞれ有する。
The
第1の端子群TG1は、回路基板450の第1の端辺側に配置され、第4(広義には第n)の端子群TG4は、回路基板450の第1の端辺に対向する第2の端辺側に配置される。第1〜第4(広義には第n)の端子群TG1〜TG4のうちの第2(広義には第i(iは1<i<n−1である整数))〜第3(広義には第j(jはi<j<nである整数))の端子群TG2、TG3は、バスMBSのバス配線により制御部300に共通接続される。また、第1の端子群TG1は、バスMBSのバス配線と分離されて制御部300と接続される。また、第4(広義には第n)の端子群TG4は、バスMBSのバス配線と分離されて制御部300と接続される。
The first terminal group TG1 is arranged on the first end side of the
電源端子TVDは、制御部300の高電位側電源端子VDD1、VDD2に接続され、電源端子TVSは、制御部300の低電位側電源端子VSS1、VSS2に接続される。電源端子TVD、TVSは、例えば回路基板450に接続されるFPC(フラットフレキシブルケーブル)を介して、図8で後述する主制御部400に接続される。制御部300の電源端子VDD1、VDD2には、主制御部400から供給された高電位側電源電圧VDDが供給され、制御部300の電源端子VSS1、VSS2には、主制御部400から供給された低電位側電源電圧VSSが供給される。
The power supply terminal TVD is connected to the high potential side power supply terminals VDD1 and VDD2 of the
図7に示すように、本実施形態の印刷装置では、回路基板450の第1の端辺側に配置される第1の端子群TG1及び第1の端辺に対向する第2の端辺側に配置される第4の端子群TG4は、共通バスMBSと分離されて制御部300の端子群PG1、PG3にそれぞれ接続される。即ち、第1、第4の印刷材収容体100−1、100−4の記憶装置(第1、第nの記憶装置)用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAは、他の印刷材収容体100−2、100−3の記憶装置(第2〜第n−1記憶装置)用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAとは分離されて制御部300に接続される。
As shown in FIG. 7, in the printing apparatus according to the present embodiment, the first terminal group TG1 disposed on the first end side of the
インクジェット方式の印刷装置などでは、印刷ヘッドからインクが吐出される際にインクの一部が霧状(ミスト)になって空気中に放出される。このインクミストは、回路基板450の端辺側から回り込むから、端辺から離れた印刷材収容体100−2、100−3よりも端辺側にある印刷材収容体100−1、100−4の方がインクミストの付着による端子間の短絡が発生する可能性が大きい。
In an inkjet printer or the like, when ink is ejected from a print head, a part of the ink is atomized (mist) and released into the air. Since this ink mist wraps around from the edge side of the
本実施形態の印刷装置では、端辺側にある印刷材収容体100−1、100−4に短絡が発生した場合であっても、他の印刷材収容体100−2、100−3と分離されているから、制御部300と他の印刷材収容体の記憶装置203−2、203−3との間の通信に影響を与えることを防止できる。また、装着検出の際に記憶装置203−2、203−3に高電圧が印加されることなどを防止できる。その結果、印刷材収容体100−1〜100−4の装着検出を確実で安全に行うことなどが可能になる。
In the printing apparatus of the present embodiment, even when a short circuit occurs in the printing material containers 100-1 and 100-4 on the edge side, the printing material containers 100-2 and 100-3 are separated from the other printing material containers 100-2 and 100-3. Therefore, it is possible to prevent communication between the
4.回路の構成
図8に、本実施形態における印刷装置の電気的構成の基本的な構成例を示す。本構成例の印刷装置は、印刷材収容体(インクカートリッジ)100、回路基板450、制御部300、主制御部400、低電圧電源441、高電圧電源442、表示部430を含む。制御部300は、短絡検出部310、電圧印加部320、装着検出部330、CO(カートリッジアウト)検出部340及び通信処理部350を含む。なお、本実施形態の印刷装置は図8の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
4). Circuit Configuration FIG. 8 shows a basic configuration example of the electrical configuration of the printing apparatus according to this embodiment. The printing apparatus of this configuration example includes a printing material container (ink cartridge) 100, a
図8では例として1個の印刷材収容体100について示しているが、本構成例の印刷装置は複数の印刷材収容体100を含むことができる。即ち、印刷装置は、印刷材情報を記憶する記憶装置203と複数の記憶装置用端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAとをそれぞれ有する第1〜第n(nは2以上の整数)の印刷材収容体100−1〜100−nを含む。また、第1〜第nの印刷材収容体100−1〜100−の複数の記憶装置用端子に接続され、記憶装置203に対してデータの読み出し又は書き込みの制御を行う制御部300をさらに含む。
Although FIG. 8 shows only one
回路基板450は、9個の端子を有する端子群及び端子群の各端子と制御部300とを電気的に接続する複数の配線を含む。具体的には、端子群はリセット端子CRST、クロック端子CSCK、電源端子CVDD、接地端子CVSS、データ端子CSDA、第1の装着検出端子CDT1、第2の装着検出端子CDT2、第1の短絡検出端子CCO1、第2の短絡検出端子CCO2を含む。回路基板450は、例えば図4のカートリッジ装着部1100に設けられる。回路基板450には、制御部300が設けられる(実装される)。
The
制御部300は、通信処理部350を含み、主制御部400と共に記憶装置203に対してデータの読み出し又は書き込みの制御を行う。例えば、主制御部400が記憶装置203に対するデータの書き込み又は読み出しの制御を行う場合に、通信処理部350は、書き込みデータ又は読み出しデータの通信の中継などを行う。また制御部300は、装着検出部330、CO検出部340、短絡検出部310、電圧印加部320、高電圧制御部360を含み、装着検出、CO検出、短絡検出、高電圧の遮断などの処理を行う。制御部300は、例えばCMOSトランジスターなどで構成されるロジック回路で実現することができ、1チップの集積回路装置であってもよい。
The
主制御部400は、CPU410と、メモリー420とを含み、印刷処理の制御を行う。また、制御部300との間でバスBUSを介して必要な通信を行う。図8に示す構成例では、制御部が主制御部400と制御部300とに分かれているが、1つの制御部として構成してもよい。
The
表示部430は、ユーザーに印刷装置1000の動作状態やカートリッジの装着状態などの各種の通知を行うためのものである。表示部430は、例えば、図4の操作部1300に設けられる。
The
低電圧電源441は、低電圧の電源電圧(第1の電源電圧)VDDを生成する。第1の電源電圧VDDは、ロジック回路に用いられる通常の電源電圧(定格3.3V)である。高電圧電源442は、高電圧の電源電圧(第2の電源電圧)VHVを生成する。第2の電源電圧VHVは、印刷ヘッドを駆動してインクを吐出させるために用いられる高い電圧(例えば定格42V)であり、第1の装着検出端子DT1に印加される装着検出用電圧VHOを生成するためにも用いられる。これらの電圧VDD、VHVは、制御部300に供給され、また、必要に応じて他の回路にも供給される。具体的には、例えば電源電圧VHVは、高電圧電源442から制御部300の電圧印加部320に供給され、電圧印加部320から出力される装着検出用電圧VHOがインクカートリッジ100の第1の装着検出端子DT1及び装着検出部330に供給される。装着検出用電圧VHOは、記憶装置203に供給される電源電圧(例えば3.3V)よりも高い。
The low
印刷材収容体100の基板200(図6(A))に設けられた9つの端子のうち、リセット端子RSTと、クロック端子SCKと、電源端子VDDと、データ端子SDAと、接地端子VSSとは、記憶装置203に電気的に接続されている。記憶装置203は、アドレス端子を持たず、クロック端子SCKから入力されるクロック信号のパルス数と、データ端子SDAから入力されるコマンドデータとに基づいてアクセスするメモリーセルが決定され、クロック信号に同期して、データ端子SDAよりデータを受信し、若しくは、データ端子SDAからデータを送信する不揮発性メモリーである。クロック端子SCKは、制御部300から記憶装置203にクロック信号を供給するために用いられる。
Among the nine terminals provided on the substrate 200 (FIG. 6A) of the
電源端子VDDと接地端子VSSには、印刷装置1000からの記憶装置203を駆動するための電源電圧(例えば3.3V)と接地電圧(0V)がそれぞれ供給されている。この記憶装置203を駆動するための電源電圧は、低電圧電源441をもとに制御部300により生成され供給される。
A power supply voltage (for example, 3.3 V) and a ground voltage (0 V) for driving the
データ端子SDAは、制御部300と記憶装置203との間で、データ信号をやり取りするために用いられる。リセット端子RSTは、制御部300から記憶装置203にリセット信号を供給するために用いられる。
The data terminal SDA is used for exchanging data signals between the
第1、第2の装着検出端子DT1、DT2は、印刷材収容体100がカートリッジ装着部1100に正しく装着されているか否かを検出する際に使用される。第1の装着検出端子DT1と第2の装着検出端子DT2との間には、装着検出用抵抗素子RDが設けられる。装着検出部330は、電圧印加部320から出力される装着検出用電圧VHOと、装着検出用抵抗素子RDを流れる電流とに基づいて、印刷材収容体100の装着を検出する。具体的には、電圧印加部320から出力される装着検出用電圧VHOが第1の装着検出端子DT1に印加されることで、装着検出用抵抗素子RDに電圧が印加されて電流が流れ、この電流を装着検出部330が検出することで、装着を検出する。この装着検出の方法については、後で詳細に説明する。
The first and second mounting detection terminals DT1 and DT2 are used when detecting whether or not the
第1、第2の短絡検出端子CO1、CO2は、印刷材収容体100(具体的には、基板200)の内部で、配線により電気的に接続されている。CO検出部340は、後述するように、CO1とCO2との間の電気的導通を検出することで、CO1及びCO2がカートリッジ装着部1100の対応する端子にそれぞれ電気的に接触しているか否か、即ち、印刷材収容体100が正しく装着されているか否かを検出することができる。もっとも、本実施形態の印刷装置では、第1、第2の装着検出端子DT1、DT2及び装着検出部330が設けられており、これらを用いることでインクカートリッジ100の装着を検出することができるから、CO検出部340を省略することができる。CO検出部340を省略した場合、或いはCO検出部340を用いた装着検出(カートリッジアウト検出)を実行しない場合には、CO1とCO2とを電気的に接続しなくてもよい。
The first and second short circuit detection terminals CO1 and CO2 are electrically connected by wiring inside the printing material container 100 (specifically, the substrate 200). As will be described later, the
なお、以下の説明において、装着検出部330による装着検出を「装着検出」と呼び、CO検出部340による装着検出を「カートリッジアウト検出」、又は「CO検出」と呼ぶ。
In the following description, the mounting detection by the mounting
第1、第2の短絡検出端子CO1、CO2と検出ノードNDとの間にダイオードD1、D2が設けられているが、CO検出(カートリッジアウト検出)を行わない場合には、ダイオードを介さずに、CO1、CO2を検出ノードNDに直接接続してもよい。 Diodes D1 and D2 are provided between the first and second short-circuit detection terminals CO1 and CO2 and the detection node ND. When CO detection (cartridge out detection) is not performed, the diodes are not interposed. , CO1, CO2 may be directly connected to the detection node ND.
短絡検出部310は、第1の短絡検出端子CO1及び第2の短絡検出端子CO2に直接に、又はダイオードD1、D2(広義には所与の回路素子)を介して接続される。そして例えば、第1、第2の短絡検出端子CO1、CO2の少なくとも一方と、第1、第2の装着検出端子DT1、DT2の少なくとも一方との間の短絡により、第1、第2の短絡検出端子CO1、CO2に本来印加されることのない高い電圧が印加されたこと(異常電圧の印加)を、検出ノードNDの電圧と参照電圧との比較に基づいて検出する。即ち、検出ノードNDの電圧が参照電圧より高くなる場合に、短絡(異常電圧)を検出する。短絡検出部310は、短絡を検出すると、高電圧制御部360に対して短絡検出信号VSHTを出力し、高電圧制御部360は、短絡検出信号VSHTに基づいて、電圧印加部320に対して制御信号VCNTを出力する。電圧印加部320は、高電圧制御部360からの制御信号VCNTに基づいて、装着検出用電圧VHOの供給を停止する。
The short
ここで、参照電圧は、上記の短絡が生じた場合に、記憶装置203(或いは、CO検出部340などの回路)が破壊されない電圧値に設定される。こうすることで、短絡検出部310は、検出ノードNDの電圧が記憶装置203などの回路を破壊する電圧値に到達する前に、短絡を検出することができる。
Here, the reference voltage is set to a voltage value that does not destroy the storage device 203 (or a circuit such as the CO detection unit 340) when the short circuit occurs. In this way, the short
通信処理部350は、出力回路OB1〜OB4及び入出力回路IOBを有する。出力回路OB1〜OB4は、回路基板450に設けられたリセット端子CRST、クロック端子CSCK、電源端子CVDD、接地端子CVSSに信号又は電圧をそれぞれ出力する。また、入出力回路IOBは、回路基板450に設けられたデータ端子CSDAに対してデータ信号の入出力を行う。リセット端子CRST、クロック端子CSCK、電源端子CVDD、接地端子CVSS、データ端子CSDAは、印刷材収容体100に設けられたリセット端子RST、クロック端子SCK、電源端子VDD、接地端子VSS、データ端子SDAにそれぞれ接続される。出力回路OB1〜OB4及び入出力回路IOBの詳細な構成は、後述する。
The
先に図6(A)に示したように、第1の短絡検出端子CO1と第1の装着検出端子DT1とは隣り合っており、第2の短絡検出端子CO2と第2の装着検出端子DT2とは隣り合っている。そのために、例えば導電性のインク等が基板200の端子側に付着することで、隣り合っている2つの端子CO1とDT1、或いはCO2とDT2が導電性のインク等によって短絡(リーク)する可能性がある。また、第1の装着検出端子DT1と電源端子VDDとが短絡したり、第2の装着検出端子DT2とデータ端子SDAとが短絡したりする可能性もある。
As shown in FIG. 6A, the first short detection terminal CO1 and the first attachment detection terminal DT1 are adjacent to each other, and the second short detection terminal CO2 and the second attachment detection terminal DT2 are adjacent to each other. Are next to each other. Therefore, for example, when conductive ink or the like adheres to the terminal side of the
上述したように、装着検出部330による装着検出時には、装着検出用電圧VHOが第1の装着検出端子DT1に印加される。従って、導電性インク等により第1、第2の装着検出端子DT1、DT2と第1、第2の短絡検出端子CO1、CO2とが短絡(リーク)している場合には、装着検出時にCO検出部340に高電圧が印加されるおそれがある。また、第1、第2の装着検出端子DT1、DT2と電源端子VDD又はデータ端子SDAとが短絡している場合には、記憶装置203に高電圧が印加されるおそれがある。
As described above, when mounting is detected by the mounting
本実施形態の印刷装置によれば、短絡検出部310が端子間に短絡が発生している可能性があることを検出し、短絡が発生している可能性があることが検出された場合には、電圧印加部320が装着検出用電圧VHOの供給を停止することができる。
According to the printing apparatus of the present embodiment, when the short
具体的には、例えば図8のB1に示すように、DT1とCO1とが短絡している場合には、DT1からCO1へ、そしてCO1から検出ノードNDへダイオードD1の順方向電流が流れ、その結果、検出ノードNDの電位が上昇する。また、図8のB2に示すように、DT2とCO2とが短絡している場合には、DT2からCO2へ、そしてCO2から検出ノードNDへダイオードD2の順方向電流が流れ、その結果、検出ノードNDの電位が上昇する。短絡検出部310は、この検出ノードNDの電圧と参照電圧とを比較することで、短絡を検出することができる。
Specifically, for example, as shown in B1 of FIG. 8, when DT1 and CO1 are short-circuited, a forward current of the diode D1 flows from DT1 to CO1, and from CO1 to the detection node ND, As a result, the potential of the detection node ND increases. Further, as shown in B2 of FIG. 8, when DT2 and CO2 are short-circuited, a forward current of the diode D2 flows from DT2 to CO2 and from CO2 to the detection node ND. As a result, the detection node The potential of ND increases. The short
また、本実施形態の印刷装置によれば、制御部300は、電圧印加部320が第1の装着検出端子DT1に装着検出用電圧VHOを印加する際に、複数の記憶装置用端子(メモリー端子)RST、SCK、VDD、VSS、SDAを高インピーダンス状態(フローティング状態)に設定する。こうすることで、例えばDT1とCO1及びVDD、或いはDT2とCO2及びSDAとが短絡している場合であっても、装着検出時に記憶装置203に高電圧が印加される前に、短絡検出部310が過電圧がノードNDに印加されたことを検出し、これに基づき制御部300が装着検出用電圧VHOの供給を停止するので、記憶装置203に、記憶装置203の最大定格以上の電圧が印加されることを防止できる。
Further, according to the printing apparatus of the present embodiment, the
このように、本実施形態の印刷装置によれば、インクなどの印刷材の付着等による端子間の短絡が発生した場合であっても、装着検出時において記憶装置203に高電圧が印加される可能性を少なくすることができる。また、記憶装置203へのアクセス前にメモリー端子を同一電位にし、アクセス中には高電圧の印加を停止することができる。その結果、確実で安全な装着検出及び信頼性の高いメモリーアクセスを実現することなどができる。
As described above, according to the printing apparatus of the present embodiment, even when a short circuit occurs between terminals due to adhesion of a printing material such as ink, a high voltage is applied to the
図9は、本実施形態の印刷装置における装着検出及びメモリーアクセスのフローチャートである。上述したように、本実施形態の印刷装置では、インクカートリッジ100に設けられた記憶装置203にインク情報(例えば、インクカートリッジ内のインク使用量、インクカートリッジの製造情報など)が記憶される。このインク情報は、ヘッドのクリーニングや、印刷実行によりインクカートリッジ内のインクが所定単位量消費される毎に、或いは印刷装置の電源オフ時などに、主制御部400により、制御部300を介して記憶装置203に書き込まれる。また、インク量情報は、印刷装置の電源オン時に、主制御部400の要求により、制御部300を介して、記憶装置203から読み出される。このフローは主制御部400と制御部300の制御により実行される。
FIG. 9 is a flowchart of mounting detection and memory access in the printing apparatus of this embodiment. As described above, in the printing apparatus of the present embodiment, ink information (for example, ink usage in the ink cartridge, ink cartridge manufacturing information, etc.) is stored in the
メモリーアクセスの時を除き、印刷装置の電源がオンになった以降、主制御部400と制御部300は、メモリー端子を常に高インピーダンス状態に設定している。また、装着検出とCO検出を、常に、若しくは、定期的に実行している。なお、CO検出(カートリッジアウト検出)は、メモリーアクセス中でも実行される。
The
主制御部400がメモリーアクセスを開始すると、まず、装着検出を停止する。すなわち、VHOを印加して装着検出をする処理を停止する(ステップSP1)。
When the
ステップSP2では、メモリー端子を高インピーダンス状態HZからGNDレベル(接地レベル、VSSレベル)に設定する。このときにCO端子(CO1もしくはCO2)とメモリー端子間例えばCO1−VDD間、CO2−SDA間)に短絡が発生している場合には、CO検出部340が短絡を検出することができる。
In step SP2, the memory terminal is set from the high impedance state HZ to the GND level (ground level, VSS level). At this time, if a short circuit occurs between the CO terminal (CO1 or CO2) and the memory terminal, for example, between CO1 and VDD, or between CO2 and SDA, the
ステップSP3では、印刷材収容体100が正常であるか否かを判断する。即ち、印刷材収容体100が適正に装着され、且つ、端子間の短絡が発生していないかどうかを判断する。正常である場合には次のステップSP4に進み、正常でない場合にはエラー処理が実行される。エラー処理は、例えば表示部430にエラーメッセージを表示するなどの処理である。
In step SP3, it is determined whether or not the
ステップSP4では、記憶装置203へのメモリーアクセスが行われる。即ち、制御部300が各メモリー端子に必要な信号及び電源電圧を供給して、記憶装置203に対してデータの書き込み処理、若しくは読み出し処理を行う。
In step SP4, memory access to the
ステップSP5では、メモリーアクセスが正常に行われたか否かを判断する。具体的には、書き込み時には、制御部300が記憶装置203に対して、書き込みコマンドと書き込みデータを送信した後の所定のタイミングで、記憶装置203から制御部300に対して書き込み完了信号が送信される。この書き込み完了信号の受信により、制御部300はメモリーアクセスが正常に完了したかどうか判断する。読み出し時には、記憶装置203から読み出され、制御部300に送信されたデータにはパリティビットが付加されているのでパリティチェックを行い、記憶装置203から読み出されたデータが正常であるか否かを判定することができる。メモリーアクセスが正常である場合にはステップSP6に進み、正常でない場合にはエラー処理が実行される。
In step SP5, it is determined whether or not the memory access has been normally performed. Specifically, at the time of writing, a write completion signal is transmitted from the
メモリーアクセスが正常に終了すると、ステップSP6では、メモリー端子をGNDレベルに設定する。ここでCO検出部340によるカートリッジアウト検出を行うことができる。このときに端子間の短絡(例えばCO1−VDD、CO2−SDA)が発生している場合には、CO検出部340が短絡を検出することができる。
When the memory access ends normally, in step SP6, the memory terminal is set to the GND level. Here, cartridge out detection by the
ステップSP7では、装着検出用電圧VHOを装着検出端子DT1、DT2に印加して、装着検出を再開する。 In step SP7, the mounting detection voltage VHO is applied to the mounting detection terminals DT1 and DT2, and mounting detection is resumed.
ステップSP8では、メモリー端子を高インピーダンス状態HZに設定する。ここで端子間の短絡(例えばDT1−CO1、DT2−CO2)が発生している場合には、短絡検出部310がこれを検出することができる。
In step SP8, the memory terminal is set to the high impedance state HZ. Here, when a short circuit between terminals (for example, DT1-CO1, DT2-CO2) has occurred, the short
図9のフローチャートに示すように、本実施形態の印刷装置によれば、メモリー非アクセス時には、メモリー端子を高インピーダンス状態とすることで、装着検出端子DT1、DT2と短絡検出端子CO1、CO2が短絡すれば、メモリー端子も装着検出端子DT1、DT2と短絡している可能性があるとしてVHOの印加を停止し、記憶装置203にVHOが印加される可能性を低くすることができる。その結果、装着検出を実行しつつ、信頼性の高いメモリーアクセスを実現することなどができる。
As shown in the flowchart of FIG. 9, according to the printing apparatus of the present embodiment, when the memory is not accessed, the memory detection terminals DT1 and DT2 and the short-circuit detection terminals CO1 and CO2 are short-circuited by setting the memory terminals to a high impedance state. By doing so, it is possible that the memory terminal is also short-circuited with the mounting detection terminals DT1 and DT2, and the application of VHO is stopped, and the possibility that VHO is applied to the
図10(A)〜図10(D)に、出力回路OB1〜OB4及び入出力回路IOBの詳細な構成例を示す。図10(A)はOB1、OB2、図10(B)はOB4、図10(C)はOB3、図10(D)はIOBの各構成例である。出力回路OB1、OB2、OB3、OB4、入出力回路IOBは、それぞれ図3のバッファー回路BR1、BC1、BD1、BS1、IO1(又はBR2、BC2、BD2、BS2、IO2)に対応する。なお、本実施形態の出力回路OB1〜OB4及び入出力回路IOBは図10(A)〜図10(D)の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。 10A to 10D show detailed configuration examples of the output circuits OB1 to OB4 and the input / output circuit IOB. 10A is a configuration example of OB1 and OB2, FIG. 10B is a configuration example of OB4, FIG. 10C is a configuration example of OB3, and FIG. 10D is a configuration example of IOB. The output circuits OB1, OB2, OB3, OB4, and the input / output circuit IOB respectively correspond to the buffer circuits BR1, BC1, BD1, BS1, IO1 (or BR2, BC2, BD2, BS2, IO2) of FIG. The output circuits OB1 to OB4 and the input / output circuit IOB according to the present embodiment are not limited to the configurations shown in FIGS. 10A to 10D, and some of the components may be omitted or other components may be used. Various modifications such as replacement with the above or addition of other components are possible.
図10(A)に示すように、出力回路OB1、OB2は、P型トランジスターTP1、TP2及びN型トランジスターTN1、TN2、TN3を含む。TP1、TN1は、静電気放電(ESD)による素子破壊(静電破壊)を防止するためのものである。TP2、TN2は、制御信号S1、S2によりそれぞれ制御され、端子CSCK(又はCRST)をHレベル、Lレベル、又は高インピーダンス状態に設定する。具体的には、S1、S2が共にLレベルである場合には端子CSCK(CRST)はHレベルに設定され、S1、S2が共にHレベルである場合にはLレベルに設定され、S1がHレベルでS2がLレベルである場合は高インピーダンス状態に設定される。TN3は制御信号S3により制御され、正常時にはS3はLレベルであるが、例えば高電圧が検出されるなどの異常時にはS3がHレベルになり、端子CSCK(CRST)をLレベルに引き下げるための増幅用バッファーとして動作する。 As shown in FIG. 10A, the output circuits OB1 and OB2 include P-type transistors TP1 and TP2 and N-type transistors TN1, TN2, and TN3. TP1 and TN1 are for preventing element destruction (electrostatic breakdown) due to electrostatic discharge (ESD). TP2 and TN2 are respectively controlled by control signals S1 and S2, and set the terminal CSCK (or CRST) to the H level, the L level, or the high impedance state. Specifically, when both S1 and S2 are at the L level, the terminal CSCK (CRST) is set to the H level, and when both S1 and S2 are at the H level, the terminal CSCK (CRST) is set to the L level. When S2 is at the L level, the high impedance state is set. TN3 is controlled by the control signal S3, and when normal, S3 is at the L level. However, for example, when an abnormal condition such as when a high voltage is detected, S3 becomes H level, and amplification is performed to lower the terminal CSCK (CRST) to the L level. Act as a buffer
図10(B)に示すように、出力回路OB4は、制御信号S4により制御されるP型トランジスターTP4及びN型トランジスターTN4を含む。制御信号S4がHレベルである場合には端子CVSSはVSSレベル(接地レベル)に設定され、S4がLレベルである場合には高インピーダンス状態に設定される。TP4は静電破壊防止用素子であり、またTN4は静電破壊防止用素子としても動作する。 As shown in FIG. 10B, the output circuit OB4 includes a P-type transistor TP4 and an N-type transistor TN4 controlled by the control signal S4. When the control signal S4 is at the H level, the terminal CVSS is set to the VSS level (ground level), and when the control signal S4 is at the L level, the terminal CVSS is set to the high impedance state. TP4 is an element for preventing electrostatic breakdown, and TN4 also operates as an element for preventing electrostatic breakdown.
図10(C)に示すように、出力回路OB3は、制御信号S5により制御されるP型トランジスターTP5及び制御信号S6により制御されるN型トランジスターTN5を含む。制御信号S5、S6が共にLレベルである場合には端子CVDDはVDDレベルに設定され、S5、S6が共にHレベルである場合には端子CVDDはVSSレベルに設定される。またS5がHレベルでS6がLレベルである場合は高インピーダンス状態に設定される。なお、TP5、TN5は静電破壊防止用素子としても動作する。 As shown in FIG. 10C, the output circuit OB3 includes a P-type transistor TP5 controlled by the control signal S5 and an N-type transistor TN5 controlled by the control signal S6. When the control signals S5 and S6 are both at the L level, the terminal CVDD is set to the VDD level, and when both the control signals S5 and S6 are at the H level, the terminal CVDD is set to the VSS level. When S5 is at H level and S6 is at L level, a high impedance state is set. Note that TP5 and TN5 also operate as an electrostatic breakdown preventing element.
図10(D)に示すように、入出力回路IOBは、P型トランジスターTP6、TP7、TP11及びN型トランジスターTN6、TN7、TN8、TN11を含む。TP6、TN6は静電破壊防止用素子である。TP7、TN7は制御信号S7、S8によりそれぞれ制御される。具体的には、S7、S8が共にLレベルである場合には端子CSDAはHレベルに設定され、S7、S8が共にHレベルである場合にはLレベルに設定され、S7がHレベルでS8がLレベルである場合は高インピーダンス状態に設定される。また、TP11及びTN11はトランスミッションゲート(アナログスイッチ)を構成し、制御信号S11、S12によりオン・オフされる。具体的には、端子CSDAが出力端子として用いられる場合には、S11がHレベル、S12がLレベルに設定されてトランスミッションゲートがオフ状態となる。一方、端子CSDAが入力端子として用いられる場合には、S11がLレベル、S12がHレベルに設定されてトランスミッションゲートがオン状態となり、端子CSDAに入力されたデータ信号がトランスミッションゲートを通過することができる。 As shown in FIG. 10D, the input / output circuit IOB includes P-type transistors TP6, TP7, TP11 and N-type transistors TN6, TN7, TN8, TN11. TP6 and TN6 are elements for preventing electrostatic breakdown. TP7 and TN7 are controlled by control signals S7 and S8, respectively. Specifically, when both S7 and S8 are at the L level, the terminal CSDA is set to the H level. When both S7 and S8 are at the H level, the terminal CSDA is set to the L level. When L is at the L level, the high impedance state is set. TP11 and TN11 constitute a transmission gate (analog switch) and are turned on / off by control signals S11 and S12. Specifically, when the terminal CSDA is used as an output terminal, S11 is set to H level, S12 is set to L level, and the transmission gate is turned off. On the other hand, when the terminal CSDA is used as an input terminal, S11 is set to L level and S12 is set to H level, the transmission gate is turned on, and the data signal input to the terminal CSDA may pass through the transmission gate. it can.
このように図10(A)〜図10(D)の出力回路OB1〜OB4及び入出力回路IOBにより、メモリー端子RST、SCK、VDD、VSS、SDAを装着検出時には高インピーダンス状態に設定し、メモリーへのアクセス前にはVSSレベル(広義には一定の電圧レベル)に設定することができる。なお、制御信号S1〜S9、S11、S12は、上述した装着検出及びメモリーアクセスのフロー(図9)に従って、制御部300により生成される。
As described above, the output circuits OB1 to OB4 and the input / output circuit IOB shown in FIGS. 10A to 10D set the memory terminals RST, SCK, VDD, VSS, and SDA to a high impedance state when mounting is detected. Before access to, the VSS level (a constant voltage level in a broad sense) can be set. The control signals S1 to S9, S11, and S12 are generated by the
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また回路装置、記憶装置、印刷材収容体、印刷装置等の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定に限定されず、種々の変形実施が可能である。 Although the present embodiment has been described in detail as described above, it will be easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. For example, a term described with a different term having a broader meaning or the same meaning at least once in the specification or the drawings can be replaced with the different term in any part of the specification or the drawings. In addition, the configurations and operations of the circuit device, the storage device, the printing material container, the printing device, and the like are not limited to those described in this embodiment, and various modifications can be made.
10 回路装置、100 印刷材収容体、110 インク供給口、
120 インク収容室、131,132 穴、134 凹凸嵌合部、
200 基板、201 ボス溝、202 ボス穴、203 記憶装置、
300 制御部、310 短絡検出部、320 電圧印加部、
330 装着検出部、340 CO検出部、350 通信処理部、
360 高電圧制御部、400 主制御部、410 CPU、
420 メモリー、430 表示部、441 低電圧電源、
442 高電圧電源、450 回路基板、1000 印刷装置、
1100 カートリッジ装着部、1200 カバー、1300 操作部、
BC1,BD1,BR1,BS1,IO1 バッファー回路、
BUS バス、CCO1 短絡検出端子、CDT1 装着検出端子、
CO1 短絡検出端子、CRST リセット端子、CSCK クロック端子、
CSDA データ端子、CVDD 電源端子、CVSS 接地端子、
DT1 装着検出端子、IOB 入出力回路、
LD,LS,LPD1,LPS1 配線、MBS 共通バス、
OB1 出力回路、P_SCK1 クロック端子、P_SDA1 データ端子、
P_VDD1 高電位側電源供給端子、P_VSS1 低電位側電源供給端子、
P_XRST1 リセット端子、PG1 第1端子群、
RD 装着検出用抵抗素子、RST リセット端子、S1 制御信号、
SCK クロック端子、SDA データ端子、TCV1 テスト端子、
TG1 端子群、TN1 N型トランジスター、TP1 P型トランジスター、
TVD 高電位側電源端子、TVS 低電位側電源端子、VCNT 制御信号、
VDD 高電位側電源電圧、VDD1 高電位側電源端子、
VHO 装着検出用電圧、VHV 高電圧の電源電圧、VSHT 短絡検出信号、
VSS 低電位側電源電圧、VSS1 低電位側電源端子、cp 接触部
10 circuit device, 100 printing material container, 110 ink supply port,
120 ink storage chamber, 131, 132 holes, 134 uneven fitting portion,
200 substrate, 201 boss groove, 202 boss hole, 203 storage device,
300 control unit, 310 short-circuit detection unit, 320 voltage application unit,
330 mounting detection unit, 340 CO detection unit, 350 communication processing unit,
360 high voltage control unit, 400 main control unit, 410 CPU,
420 memory, 430 display, 441 low voltage power supply,
442 high voltage power supply, 450 circuit board, 1000 printing device,
1100 cartridge mounting unit, 1200 cover, 1300 operation unit,
BC1, BD1, BR1, BS1, IO1 buffer circuit,
BUS bus, CCO1 short circuit detection terminal, CDT1 installation detection terminal,
CO1 short circuit detection terminal, CRST reset terminal, CSCK clock terminal,
CSDA data terminal, CVDD power supply terminal, CVSS ground terminal,
DT1 wearing detection terminal, IOB input / output circuit,
LD, LS, LPD1, LPS1 wiring, MBS common bus,
OB1 output circuit, P_SCK1 clock terminal, P_SDA1 data terminal,
P_VDD1 high potential side power supply terminal, P_VSS1 low potential side power supply terminal,
P_XRST1 reset terminal, PG1 first terminal group,
RD mounting detection resistance element, RST reset terminal, S1 control signal,
SCK clock terminal, SDA data terminal, TCV1 test terminal,
TG1 terminal group, TN1 N-type transistor, TP1 P-type transistor,
TVD high potential side power supply terminal, TVS low potential side power supply terminal, VCNT control signal,
VDD high potential side power supply voltage, VDD1 high potential side power supply terminal,
VHO mounting detection voltage, VHV high power supply voltage, VSHT short-circuit detection signal,
VSS Low-potential-side power supply voltage, VSS1 Low-potential-side power supply terminal, cp contact part
Claims (12)
高電位側電源電圧及び低電位側電源電圧の一方が供給される第1電位電源端子と、
前記高電位側電源電圧及び前記低電位側電源電圧の他方が供給される第1の第2電位電源端子及び第2の第2電位電源端子と、
前記第1電位電源端子と前記第1の第2電位電源端子との間に設けられる第1端子群と、
前記第1電位電源端子と前記第2の第2電位電源端子との間に設けられる第2端子群と、
を含み、
前記第1端子群は、
前記第1電位電源端子からの電源電圧を、前記複数の記憶装置のうちの第1記憶装置に対して供給する第1の第1電位電源供給端子と、
前記第1の第2電位電源端子からの電源電圧を、前記第1記憶装置に対して供給する第1の第2電位電源供給端子と、
を有し、
前記第2端子群は、
前記第1電位電源端子からの電源電圧を、前記複数の記憶装置のうちの第2記憶装置に対して供給する第2の第1電位電源供給端子と、
前記第2の第2電位電源端子からの電源電圧を、前記第2記憶装置に対して供給する第2の第2電位電源供給端子と、
を有し、
前記第1端子群の少なくとも前記第1の第1電位電源供給端子及び前記第1の第2電位電源供給端子と、前記第2端子群の少なくとも前記第2の第1電位電源供給端子及び前記第2の第2電位電源供給端子とは、前記第1電位電源端子に対して端子の配置順が対称であることを特徴とする回路装置。 A circuit device that communicates with a plurality of storage devices provided in a plurality of printing material containers,
A first potential power supply terminal to which one of a high potential side power supply voltage and a low potential side power supply voltage is supplied;
A first second potential power supply terminal and a second second potential power supply terminal to which the other of the high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage is supplied;
A first terminal group provided between the first potential power supply terminal and the first second potential power supply terminal;
A second terminal group provided between the first potential power supply terminal and the second second potential power supply terminal;
Including
The first terminal group includes:
A first first potential power supply terminal for supplying a power supply voltage from the first potential power supply terminal to a first storage device of the plurality of storage devices;
A first second potential power supply terminal for supplying a power supply voltage from the first second potential power supply terminal to the first storage device;
Have
The second terminal group includes:
A second first potential power supply terminal for supplying a power supply voltage from the first potential power supply terminal to a second storage device of the plurality of storage devices;
A second second potential power supply terminal for supplying a power supply voltage from the second second potential power supply terminal to the second storage device;
Have
At least the first first potential power supply terminal and the first second potential power supply terminal of the first terminal group, and at least the second first potential power supply terminal and the first of the second terminal group. The second second potential power supply terminal is characterized in that the arrangement order of the terminals is symmetrical with respect to the first potential power supply terminal.
前記第1端子群が有する端子の中で前記第1の第1電位電源供給端子が前記第1電位電源端子に最も近く、
前記第2端子群が有する端子の中で前記第2の第1電位電源供給端子が前記第1電位電源端子に最も近いことを特徴とする回路装置。 In claim 1,
Among the terminals of the first terminal group, the first first potential power supply terminal is closest to the first potential power supply terminal,
The circuit device characterized in that the second first potential power supply terminal is closest to the first potential power supply terminal among the terminals of the second terminal group.
前記第1端子群が有する端子の中で前記第1の第2電位電源供給端子が前記第1の第2電位電源端子に最も近く、
前記第2端子群が有する端子の中で前記第2の第2電位電源供給端子が前記第2の第2電位電源端子に最も近いことを特徴とする回路装置。 In claim 1 or 2,
Among the terminals of the first terminal group, the first second potential power supply terminal is closest to the first second potential power supply terminal,
2. The circuit device according to claim 1, wherein the second second potential power supply terminal is closest to the second second potential power supply terminal among the terminals of the second terminal group.
前記第1端子群は、
前記第1の第1電位電源供給端子及び前記第1の第2電位電源供給端子からの電源電圧に基づくデータ信号、リセット信号、クロック信号を、それぞれ前記第1記憶装置に対して供給する第1データ端子、第1リセット端子、第1クロック端子を有し、
前記第2端子群は、
前記第2の第1電位電源供給端子及び前記第2の第2電位電源供給端子からの電源電圧に基づくデータ信号、リセット信号、クロック信号を、それぞれ前記第2記憶装置に対して供給する第2データ端子、第2リセット端子、第2クロック端子を有し、
前記第1データ端子、前記第1リセット端子及び前記第1クロック端子と、前記第2データ端子、前記第2リセット端子及び前記第2クロック端子とは、前記第1電位電源端子に対して端子の配置順が対称であることを特徴とする回路装置。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The first terminal group includes:
A first signal that supplies a data signal, a reset signal, and a clock signal based on a power supply voltage from the first first potential power supply terminal and the first second potential power supply terminal to the first storage device, respectively. A data terminal, a first reset terminal, a first clock terminal;
The second terminal group includes:
A second signal that supplies a data signal, a reset signal, and a clock signal based on the power supply voltages from the second first potential power supply terminal and the second second potential power supply terminal to the second storage device, respectively. A data terminal, a second reset terminal, a second clock terminal;
The first data terminal, the first reset terminal, and the first clock terminal, and the second data terminal, the second reset terminal, and the second clock terminal are terminals of the first potential power supply terminal. A circuit device characterized in that the arrangement order is symmetrical.
前記第1データ端子、前記第1リセット端子及び前記第1クロック端子は、前記第1の第1電位電源供給端子と前記第1の第2電位電源供給端子との間に配置され、
前記第2データ端子、前記第2リセット端子及び前記第2クロック端子は、前記第2の第1電位電源供給端子と前記第2の第2電位電源供給端子との間に配置されることを特徴とする回路装置。 In claim 4,
The first data terminal, the first reset terminal, and the first clock terminal are disposed between the first first potential power supply terminal and the first second potential power supply terminal,
The second data terminal, the second reset terminal, and the second clock terminal are disposed between the second first potential power supply terminal and the second second potential power supply terminal. A circuit device.
前記第1電位電源端子及び前記第1の第2電位電源端子のいずれか一方からの前記高電位側電源電圧を、前記第1の第1電位電源供給端子に対して出力する第1バッファー回路と、
前記第1電位電源端子又は前記第2の第2電位電源端子からの前記高電位側電源電圧を、前記第2の第1電位電源供給端子に対して出力する第2バッファー回路と、
を含むことを特徴とする回路装置。 In any one of Claims 1 thru | or 5,
A first buffer circuit for outputting the high-potential-side power supply voltage from either the first potential power supply terminal or the first second potential power supply terminal to the first first potential power supply terminal; ,
A second buffer circuit for outputting the high potential side power supply voltage from the first potential power supply terminal or the second second potential power supply terminal to the second first potential power supply terminal;
A circuit device comprising:
前記第1記憶装置に対する非アクセス時には、前記第1バッファー回路は、前記第1の第1電位電源供給端子を高インピーダンス状態に設定し、
前記第2記憶装置に対する非アクセス時には、前記第2バッファー回路は、前記第2の第1電位電源供給端子を高インピーダンス状態に設定することを特徴とする回路装置。 In claim 6,
When the first storage device is not accessed, the first buffer circuit sets the first first potential power supply terminal to a high impedance state,
The circuit device, wherein the second buffer circuit sets the second first potential power supply terminal to a high impedance state when the second memory device is not accessed.
前記回路装置の端子配置領域に沿って配線され、前記第1電位電源端子に接続された第1電源配線と、
前記端子配置領域に沿って配線され、前記第1の第2電位電源端子及び前記第2の第2電位電源端子に接続された第2電源配線と、
を含み、
前記第1電源配線及び前記第2電源配線は、
前記第1の第1電位電源供給端子のI/O領域に配置された前記第1バッファー回路、及び前記第2の第1電位電源供給端子のI/O領域に配置された前記第2バッファー回路の上に配線され、前記第1バッファー回路及び前記第2バッファー回路に対して前記高電位側電源電圧及び前記低電位側電源電圧を供給することを特徴とする回路装置。 In claim 6 or 7,
A first power supply wiring routed along a terminal arrangement region of the circuit device and connected to the first potential power supply terminal;
A second power supply wiring connected along the terminal arrangement region and connected to the first second potential power supply terminal and the second second potential power supply terminal;
Including
The first power supply wiring and the second power supply wiring are:
The first buffer circuit disposed in the I / O region of the first first potential power supply terminal and the second buffer circuit disposed in the I / O region of the second first potential power supply terminal And a circuit device for supplying the high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage to the first buffer circuit and the second buffer circuit.
前記高電位側電源電圧及び前記低電位側電源電圧の前記一方が供給される第2の第1電位電源端子と、
前記第2の第1電位電源端子と前記第2の第2電位電源端子との間に設けられる第3端子群と、
を含み、
前記第1の端子群は、
前記複数の記憶装置である第1〜第n記憶装置(nは4以上の整数)のうち前記第1記憶装置に対して、電源電圧と制御信号を供給し、
前記第2の端子群は、
前記第1〜第n記憶装置のうち前記第2記憶装置及び第3〜第n−1記憶装置に対して、共通のバスを介して電源電圧と制御信号を供給し、
前記第3端子群は、
前記第1〜第n記憶装置のうち第n記憶装置に対して、電源電圧と制御信号を供給することを特徴とする回路装置。 In any one of Claims 1 thru | or 8.
A second first potential power supply terminal to which the one of the high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage is supplied;
A third terminal group provided between the second first potential power supply terminal and the second second potential power supply terminal;
Including
The first terminal group includes:
Supplying a power supply voltage and a control signal to the first storage device among the first to n-th storage devices (n is an integer of 4 or more) as the plurality of storage devices,
The second terminal group includes:
Supplying a power supply voltage and a control signal to the second storage device and the third to n-1th storage devices among the first to nth storage devices through a common bus,
The third terminal group includes:
A circuit device that supplies a power supply voltage and a control signal to an nth memory device among the first to nth memory devices.
前記複数の記憶装置が設けられた前記複数の印刷材収容体と、
を含むことを特徴とする印刷装置。 A circuit device according to any one of claims 1 to 9,
The plurality of printing material containers provided with the plurality of storage devices; and
A printing apparatus comprising:
前記高電位側電源電圧及び前記低電位側電源電圧を前記回路装置に対して供給する主制御部を含むことを特徴とする印刷装置。 In claim 10,
A printing apparatus, comprising: a main control unit that supplies the high-potential-side power supply voltage and the low-potential-side power supply voltage to the circuit device.
前記回路装置が設けられた回路基板が設けられ、前記複数の印刷材収容体が装着される装着部を含むことを特徴とする印刷装置。 In claim 10 or 11,
A printing apparatus, comprising: a circuit board provided with the circuit device; and a mounting portion on which the plurality of printing material containers are mounted.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012010676A JP5862319B2 (en) | 2012-01-23 | 2012-01-23 | Circuit device and printing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012010676A JP5862319B2 (en) | 2012-01-23 | 2012-01-23 | Circuit device and printing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012126138A JP2012126138A (en) | 2012-07-05 |
JP5862319B2 true JP5862319B2 (en) | 2016-02-16 |
Family
ID=46643716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012010676A Active JP5862319B2 (en) | 2012-01-23 | 2012-01-23 | Circuit device and printing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5862319B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6055255B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-12-27 | 株式会社Nttドコモ | Mobile communication method |
JP5997995B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-09-28 | 株式会社Nttドコモ | Wireless base station |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001096869A (en) * | 1999-10-04 | 2001-04-10 | Seiko Epson Corp | Recording device, semiconductor device and recording head device |
JP2006272574A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | Droplet discharging head, and droplet discharging device |
JP4144637B2 (en) * | 2005-12-26 | 2008-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | Printing material container, substrate, printing apparatus, and method for preparing printing material container |
JP2009252026A (en) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Kyocera Mita Corp | Memory diagnosis device and information processing apparatus |
JP2010221484A (en) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Seiko Epson Corp | Liquid jetting device, liquid storage container, and method for inspecting inter-terminal connection |
-
2012
- 2012-01-23 JP JP2012010676A patent/JP5862319B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012126138A (en) | 2012-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5861313B2 (en) | Printing device | |
US9370934B2 (en) | Printing apparatus, printing material cartridge, adaptor for printing material container, and circuit board | |
WO2010131480A1 (en) | Recording material supply system, circuit board, structure, and ink cartridge for recording material consumption device | |
JP2011189730A (en) | Memory device, board, liquid container, host device, and system | |
JP5862319B2 (en) | Circuit device and printing device | |
KR20090049777A (en) | Display device | |
JP2012158180A (en) | Circuit board, printing material container, and printing apparatus | |
JP5884408B2 (en) | Printing apparatus and circuit board for printing apparatus | |
JP5760701B2 (en) | Printing device | |
JP6010956B2 (en) | Circuit board, printing material container, and printing apparatus | |
US8888206B2 (en) | Printing apparatus | |
JP5998494B2 (en) | Circuit board, printing material container, and printing apparatus | |
JP5998495B2 (en) | Circuit board, printing material container, and printing apparatus | |
JP5720263B2 (en) | Storage device for storing liquid consumption, liquid container, and liquid consumption system | |
JP6031848B2 (en) | Liquid consumption apparatus, program, and printing apparatus | |
US20110205590A1 (en) | Storage device, substrate, liquid container, host device, and system | |
JP2019018439A (en) | Liquid jetting device | |
CN113365832B (en) | Integrated circuit and fluid ejection device | |
US11260657B2 (en) | Pulldown devices | |
TWI473723B (en) | An identification circuit for an inkjet printhead | |
JP2023025435A (en) | Memory, cartridge and printing system | |
JP2011230447A (en) | Control device and circuit device | |
JP2009178864A (en) | Inkjet recording head and its manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120502 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151214 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Ref document number: 5862319 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |