JP5861621B2 - 電子装置 - Google Patents
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Description
なお、特許請求の範囲および上記手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
以下、本発明に係る電子装置を具現化した第1実施形態について、図面を参照して説明する。
図1に示すように、本実施形態に係る電子装置10は、金属材料等からなる導電性の筐体11内に複数の電子部品が収容されて構成されている。本実施形態では、筐体11内には、例えば、4つの半導体デバイス12a〜12dが接着剤等の絶縁物13を介して底壁11a上に配置されて収容されている。なお、上記半導体デバイス12a〜12dとしては、例えば、ロジック回路,センサ,パワーデバイス,SRAMやフラッシュメモリ等がある。なお、図1では、便宜上、筐体11内に収容される他の電子部品等の図示を省略している。
図5に示すように、リードフレーム14の被覆部位14aは、そのノイズ電流が流れる経路長さ(図5の一点鎖線参照)Lbが絶縁性接着剤20の挿通方向の長さLaよりも長くなるように、折り畳まれるようにして形成されている。
リードフレーム14の被覆部位として、そのノイズ電流が流れる経路長さLbを絶縁性接着剤20の挿通方向の長さLaよりも長くするために、折り畳まれるようにして形成される被覆部位14aを採用することに限らず、他の形状の被覆部位を採用してもよい。具体的には、例えば、図6に示すように、山型形状の被覆部位14bを採用することで、被覆部位14bの経路長さLbを絶縁性接着剤20の挿通方向の長さLaよりも長く形成することができる。
次に、本発明の第2実施形態に係る電子装置について図7を参照して説明する。図7は、第2実施形態に係る電子装置10aの要部を示す断面図である。
本第2実施形態に係る電子装置10aは、さらにイミュニティ・ESD耐性を向上させるため、高透磁率部材21を新たに採用する点が、上記第1実施形態に係る電子装置と異なる。したがって、第1実施形態の電子装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
図8に示すように、ノイズ電流が流れる経路長さLbが絶縁性接着剤20の挿通方向の長さLaと等しい従来の被覆部位14cに対して、高透磁率部材21を巻き付けることで、被覆部位14cと絶縁性接着剤20との間に高透磁率部材21を介在させてもよい。このようにしても、筐体11とリードフレーム14との間の相互インダクタンスMが大きくなるので、ノイズ電流がリードフレーム14および絶縁性接着剤20を介して筐体11自体に流れ込みにくくなり、導電性の筐体11に電子部品が収容される場合でも大型化を招くことなく電子装置10のイミュニティ・ESD耐性を向上させることができる。
次に、本発明の第3実施形態に係る電子装置について図9を参照して説明する。図9は、第3実施形態に係る電子装置10bの要部を示す断面図である。
本第3実施形態に係る電子装置10bは、さらにイミュニティ・ESD耐性を向上させるため、筐体11がその自己インダクタンスLkを増加させるように形成される点が、上記第1実施形態に係る電子装置と異なる。したがって、第1実施形態の電子装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
図10に示すように、上述した被覆部位14cが採用される場合に、筐体11の挿通穴11bの内面に凹凸部11cを形成してもよい。このようにしても、筐体11の自己インダクタンスLkが大きくなるので、ノイズ電流がリードフレーム14および絶縁性接着剤20を介して筐体11自体に流れ込みにくくなり、大型化を招くことなく電子装置10のイミュニティ・ESD耐性を向上させることができる。
(1)図11は、絶縁性接着剤20にNi−Zn系のフェライト粉を含有させたときの透磁率μiの周波数依存性を示すグラフである。
上記各実施形態およびその変形例において、相互インダクタンスMを増加させるため、絶縁性接着剤20に対して透磁率の比較的高い粉末、例えば、Ni−Zn系のフェライト粉を含有させてもよい。例えば、図11に例示するように、絶縁性接着剤20に対して、80wt%(質量百分率),85wt%,88wt%にてNi−Zn系のフェライト粉を含有させると、88wt%のものが最も透磁率μiを高めることができる。
11…筐体 11a…底壁 11b…挿通穴(挿通部) 11c…凹凸部
12a〜12d…半導体デバイス(電子部品)
14…リードフレーム(外部接続端子)
14a,14b…被覆部位
16…ESDダイオード(静電気放電保護回路)
20…絶縁性接着剤(誘電体)
21…高透磁率部材
Claims (4)
- 導電性の筐体(11)内に電子部品(12a〜12d)が収容される電子装置(10,10a,10b)において、
前記電子部品と前記筐体外の電子機器とを電気的に接続するための端子であって前記筐体に形成される挿通部(11b)を当該筐体に接触することなく挿通するように配置される外部接続端子(14)と、
前記外部接続端子と前記挿通部の内面との間に介在する誘電体(20)と、
前記外部接続端子に印加された静電気放電に起因して生じたノイズ電流から前記電子部品を保護するために前記筐体内に収容されて前記外部接続端子に接続される静電気放電保護回路(16)と、を備え、
前記外部接続端子は、前記誘電体に覆われる被覆部位(14a,14b)の前記ノイズ電流が流れる経路長さ(Lb)が当該誘電体の挿通方向の長さ(La)よりも長くなるように形成されることを特徴とする電子装置。 - 前記被覆部位の少なくとも一部と前記誘電体との間に前記誘電体よりも透磁率の高い高透磁率部材(21)を介在させることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記誘電体と接触する前記挿通部の内面に凹凸部(11c)が形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置。
- 前記筐体を構成する壁部のうち前記電子部品が配置される壁部(11a)は、その厚さが他の壁部よりも薄くなるように形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子装置。
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