JP5854596B2 - 光源装置及びこれを用いた撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発振波長を変化させることが可能な光源装置及びこれを用いた撮像装置に関する。
光源、特にレーザ光源については、発振波長を可変とするものが通信ネットワーク分野や検査装置の分野で種々利用されてきている。
通信ネットワーク分野では、高速な波長切替、また、検査装置の分野では高速で広帯域な波長掃引が、要望されている。
検査装置における波長可変(掃引)光源の用途としては、レーザ分光器、分散測定器、膜厚測定器、波長掃引型光トモグラフィー(SS−OCT:Swept Source Optical Coherence Tomography)装置等がある。
光トモグラフィー(以下、OCTともいう)は、低コヒーレンス光干渉を用いて検体の断層像を撮像するもので、ミクロンオーダーの空間分解能が得られることや無侵襲性等の理由から医用分野における研究が近年、盛んになってきている撮像技術である。
現在、OCTは、深さ方向の解像度を数ミクロンとし、且つ数mmの深さまで断層像を得ることができ、眼科撮影、歯科撮影等に用いられている。
SS−OCTは、光源の発振波長(周波数)を時間的に掃引するもので、フーリエ領域(FD)OCTの範疇に入るが、同じくFDOCTの範疇に入るスペクトル領域(スペクトルドメイン:SD)OCTが干渉光を分光する分光器を必要とするのに対し、分光器を用いないことから光量のロスが少なく高SN比の像取得も期待されている。
波長掃引光源を用いて医用画像撮像装置を構成する場合には、掃引速度が早いほど像取得時間を短縮でき、生体組織を生体より採取せずに生体中でそのまま観察する生体観察(所謂、 in situ−in vivo imaging)にも好適である。
また、波長の掃引帯域が広いほど断層像の空間解像度を高めることが可能となる。
具体的には、深さ分解能は、波長掃引幅Δλ、発振波長λ0、として次の式(1)で示される。
したがって奥行き分解能を高めるためには波長掃引幅Δλの拡大が必要となる。
SS−OCTに用いる波長掃引光源としては、通信帯域にて開発されてきた分散チューニング方式によるものがある(非特許文献1)。
この分散チューニング方式では、共振器のFSR(Free Spetral Range:自由スペクトル間隔)が波長依存性を持っていることを用いて、能動モード同期(アクティブモードロック)状態での発振波長を制御する。ここで、波長掃引はモードロックを生じせしめる変調信号の周波数を変化させることで行う。つまり、モードロック周波数を掃引することで、モードロック時の中心波長を掃引する。このため、高速な波長掃引のためには、変調信号の周波数を高速に変化させることが必要となる。
FSRは、共振器内を周回する光に対する共振器モードの周波数間隔を示し、真空中の光速をc、共振器が持つ屈折率をn、共振器長をLとして、以下の式(2)で表される。
また、非特許文献1によると、分散チューニング方式では、波長掃引範囲は以下の式(3)で示される。
但しnは共振器の屈折率、Dは共振器の分散パラメータ、Nはモードロックの次数(自然数)である。
また、これとは別に、光波長多重送信を目的として、共振器内に複数のゲイン媒質を備えた装置を構成し、複数の波長帯域で同時にパルス発振させるモード同期レーザ技術が提案されている(特許文献1)。
特開平6‐90050号公報
Yamashita,et al.Opt.Exp.Vol.14,pp.9299−9306(2006)
上述した非特許文献1に開示された能動モード同期による分散チューニング方式では、波長掃引が可能なものの、原理的に掃引範囲が比較的狭い範囲に限られると共に、掃引速度が必ずしも充分ではない。また、掃引時の波長掃引刻みは、FSRが波長依存性を持つことから一定とはならず、擬似的に滑らかな掃引を得るためには、検出側での工夫が要求される。
一方、特許文献1に開示されたレーザ装置によれば、複数の波長で発振させることが可能となるが、あくまで同時刻における複数波長での発振を前提にしており、波長掃引の意図はない。
さらに、波長掃引光源は、上述したパルス光源を用いるものの他、CW光(continuous wave:連続発振光)を用いるものも考え得るが、掃引範囲が広く、充分に高い掃引速度のものは得られていないのが実状である。
本発明により提供される光源装置は、光を増幅させる複数の増幅媒体と、光導波路と、を有する光共振器を備えた光源装置であって、前記複数の増幅媒体の増幅率を個別に制御する制御部を有し、前記複数の増幅媒体は、互いに異なる最大利得波長を有すると共に、その増幅帯域は互いにその一部が重複し、且つ、前記増幅率の制御により前記複数の増幅媒体による総合利得が最大となる波長を可変としたことを特徴とするものである。
本発明は、光断層撮像装置を包含する。
本発明の光断層撮像装置は、本発明の光源装置を用いた光源部と、前記光源部からの光を検体に照射し、検体からの反射光を伝達させる検体測定部と、前記光源部からの光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部と、前記検体測定部からの反射光と前記参照部からの反射光とを干渉させる干渉部と、前記干渉部からの干渉光を検出する光検出部と、前記光検出部で検出された光に基づいて、前記検体の断層像を得る画像処理部と、を有することを特徴とするものである。
本発明の光源装置においては、互いに異なる最大利得波長を有すると共に、その増幅帯域の一部が互いに重複する複数の光増幅媒体と、該複数の増幅媒体を個別に制御する制御部を備えている。そして、制御部による増幅率の制御により複数の増幅媒体の総合利得が最大となる波長を可変とする。
これより、最大利得波長の異なる複数の増幅媒体を適宜選択することにより所望の帯域幅の波長を掃引することが可能となる。そして、増幅媒体を個別の制御部で制御することから複数の増幅媒体による総合利得の最大波長を所望の速度で掃引することが可能となる。
また、本発明によるとCW発振においてゲインの帯域幅のみに依存する広帯域な波長掃引が可能な光源を提供できる。また、波長掃引の刻み幅もほぼ一定にすることが可能である。
本発明の光源装置は、パルス発振の場合では安定したモードロック状態が実現可能であり波長掃引が可能である。またモードロック状態で発振波長を掃引する場合でも分散チューニング方式に見られるような波長分散による波長掃引範囲の制限をなくし、広帯域に発振波長の掃引が可能となる。
本発明の光源装置の一例を示す模式図 本発明の光源装置を構成する増幅媒体の波長と利得の関係を示すグラフ 本発明の光源装置により得られるスペクトルと総合利得との関係を示すグラフ 実施の光源装置により得られるスペクトルを利得との関係を示すグラフ 本発明の光源装置により得られるスペクトルと総合利得との関係を示すグラフ 本発明の光源装置により得られるスペクトルと総合利得との関係を示すグラフ 実施例1の光源装置を説明する模式図 実施例1のSOAに注入する電流値を示すグラフ 実施例1におけるスペクトルと総合利得との関係を示すグラフ 実施例1のSOAに注入する電流値を示すグラフ 実施例2におけるスペクトルと総合利得との関係を示すグラフ 実施例2の光源装置を説明する模式図 実施例2の光源装置に注入する電流値を示すグラフ 実施例2の光源装置の発振波長を示すグラフ 本発明の光源装置を用いて構成したOCT装置の模式図 光増幅媒体として希土類添加ファイバを用いた光源装置の一例を示す模式図 本発明の光源装置の別の一例を説明する模式図 本発明の光源装置の別の一例を説明する模式図
以下、図を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
図1は本発明の光源装置の一例を示す模式図である。
図1において光源110は、光を増幅させる複数の増幅媒体101、102及び103を有し、加えてこれら増幅媒体の増幅率を個別に制御する制御部104、105、及び106を備えている。これら光の増幅媒体は、光導波路109を介してカップラ108及びアイソレータ107と光学的に結合され、リング型光共振器を形成している。アイソレータはリング型光共振器内の光を一方向に周回させることで、増幅媒体内に生ずる定在波により利得(ゲイン)の空間分布が生じるのを抑制することを目的として配されている。本願発明において、光共振器はリング型光共振器に限定されるものではないが、ここではリング型光共振器を用いた例について説明する。
光の増幅媒体101、102及び103としては、例えば半導体光増幅器(SOA(Semiconductor Optical Amplifier))を用いることができる。半導体光増幅器は、基本的には半導体レーザから共振器を外し、光の増幅過程を利用するもので、共振器を構成しないように、端面での反射を抑えた構造をとっている。ここでは、光の増幅媒体として半導体光増幅器を例として説明する。
増幅媒体101は、利得スペクトル(利得曲線)201を、増幅媒体102は、利得スペクトル202を、増幅媒体103は、利得スペクトル203を各々有する。つまり、図2に示すように異なる最大利得波長(利得ピーク)を有し、且つその増幅帯域は一部が互いに重複するように構成されている。
この状態で制御部104乃至制御部106を用いて増幅媒体101乃至増幅媒体103の増幅率を個別に(例えば、周期的に)制御する。例えば、図3に示すように、増幅媒体101の利得スペクトル301を、増幅媒体102の利得スペクトル302や増幅媒体103の利得スペクトル303に対して大きく設定することで、複数の増幅媒体による総合的な利得のプロファイル(利得曲線、利得特性)は総合利得304のようになる。
半導体光増幅器は電流注入量の制御により、利得(増幅率)を制御できる。このことから、光を増幅する複数の増幅媒体に注入する注入電流を時間的に(周期的に)変化させることで、後述するように総合的な利得ピークを時間的に(周期的に)に変化させることができる。
本発明の光源装置は、連続発振(Continuous Wave,CW)動作を行うものと、パルス発振動作によるものの両方で構成することができるが、まず、連続発振するものについて説明する。
図1に示した光源装置は連続波(CW)で発振するものである。光の損失にあまり波長依存性が無いとすると、発振波長は基本的に利得が最大となる波長に最も近い共振器モードの波長近傍にあり、図3では発振波長305となる。
本発明の光源装置では、複数の増幅媒体が有する最大利得波長が互いに異なり、個々の増幅媒体の利得(増幅率)を変化させることで総合利得が最大となる波長(利得ピーク)を変化させることが可能となる。
複数の増幅媒体101乃至103に関する利得(増幅率)の時間的変化について図4及び図5を参照しながら述べる。
図4において、401は図1における増幅媒体101の利得の時間変化を、402は増幅媒体102の利得の時間変化を、403は増幅媒体103の利得の時間変化をそれぞれ表わしている。
図4に示したように増幅媒体の利得を制御すると時刻404では、図5に示す総合利得501が、時刻405では総合利得502が、時刻406では総合利得503が、それぞれ得られる。
図4及び図5から理解されるように時間変化に伴い、利得401、利得402及び利得403は変化し、3つの利得が重畳されて得られる総合利得ピーク(最大利得波長)は、501、502、503へと変化する。そして、総合利得ピークの変化に従って光源装置の連続発振波長も変化する。
よって、本発明の光源装置においては、複数の増幅媒体の利得(増幅率)を個別に変化させることで、複数の増幅媒体の利得曲線を重畳して得られる総合利得を変化させ、連続発振の発振波長を時間的に変化させることが可能である。尚、図4において時間的に波長掃引する為の信号として正弦波を示したが、信号波形はこれに限るものではない。
このとき、ある瞬間における発振波長を単一に保ちながら、発振波長を時間的に掃引するためには、総合利得スペクトルの形状が単峰性を保ったまま、その最大波長(ピーク)が滑らかにシフトして行くことが好適である。そのためには各増幅媒体の利得帯域が重複することが必要である。増幅帯域が全く重ならない波長域を有する増幅媒体が存在すると、その波長域での発振波長(中心波長)は、離散的となるからである。
そして、各増幅媒体の利得帯域同士の重なりが、充分に大きいことが好ましい。
利得帯域は、隣接する増幅媒体について各々スペクトル半値幅(半値全副幅: Full Width at Half Maximum,FWHM)を構成する波長域が一部重複するように構成することが好ましい。
さらに、総合利得のプロファイルを単峰性とする為には個々の増幅媒体が有する利得スペクトルも単峰性であることが好ましい。
また、総合利得の最大波長(利得ピーク)を、複数の増幅媒体が持つ個々の利得スペクトルの最大値の間で任意の波長に設定できるようにする為には、複数の増幅媒体が持つ各々の利得(増幅率)及びこれらの比を任意に調整可能であることが好ましい。
本願発明において、複数の増幅媒体はこれまで3つの例を説明してきたが、複数であれば個数が特に限定されるものではない。しかし光源装置の大きさ、波長掃引の滑らかさ等を考慮すると増幅媒体の数は、一般的には2以上20以下の範囲とされ、より好ましくは3以上10以下、最適には3以上5以下とするのが好ましい。
ここで、総数N個の増幅媒体を用いて総合利得の最大波長(ピーク)を周期T1で掃引することを考えると、総合利得のピーク波長の変化を滑らかに行うためには隣り合う周波数帯域を増幅する各増幅媒体から光に与えられる利得のうち周期T1の成分をもつ利得の位相差Δφを2π/Nにしておくのが好適である。
これに加え、特に高速で波長掃引する場合には、共振器内で隣り合う増幅媒体間を光が伝搬するのに要する時間τを考慮し、隣り合う増幅媒体の駆動制御に位相差2πτ/T1を加える必要がある。但し、共振器内を光が周回するのに要する時間と比較して、波長掃引に要する時間が非常に大きい場合、もしくは増幅媒体間の距離が充分近接している場合には2πτ/T1の項を無視しても構わない。
また、波長掃引の周期は、共振器内を光が周回する周期と同期させるもしくは共振器内を光が周回(1周)する時間の整数分の1とすることも好適である。すなわちこれはフーリエドメインモードロック動作(Fourier Domain Mode Lockig)に相当する。
FDMLとは、波長掃引の周期と共振器内を光が周回する周期の同期をとることで、ある時点での総合利得によって増幅された増強自然放出(Amplified Spontaneous Emission)光が、共振器内を周回して再びゲイン媒質に帰還する際にもう一度同じプロファイルの総合利得を有する増幅媒質で増幅される動作形態である。
このようなASE光の増幅動作を十分な周回数にわたって行うことで、ASE光の強度が増幅され、結果的に高強度で且つASEスペクトルの強度が最大となる波長が高速に変化する光源を構成可能である。これがFDMLの概要である。
つまり、FDMLでは総合利得の最大波長の変調周期を、ASE光が光共振器内を周回する時間の整数分の1とすることが必要である。
本発明の光源でFDML動作を行う場合には波長可変フィルタが必要ないため、波長可変フィルタの動作速度や波長範囲に律速されることのない高速広帯域な光源の実現が可能となる。
後述するように、一般的なモードロック動作のためには総合利得が最大となる波長を時間とともに変化させる必要はない。単純に総合利得の大きさ自体を時間と共に変動させるか、あるいは光共振器内に光変調器等を設け該光変調器の透過率を変化させることで光共振器内の損失を時間的に変化させれば良い。ここで総合利得の大きさの変調周期あるいは光変調器の変調周期を光が共振器内を周回する時間の整数分の一に設定する必要がある。
これに対してFDMLでは時間と共に総合利得が最大となる波長を時間的に変動させる。そして総合利得が最大となる波長の変調周期を光が共振器内を周回する時間の整数分の一に設定する必要がある。
これがFDMLと一般的なモードロック動作の相違点である。
本発明の光源の構成では、連続発振状態において、所望の波長での発振が可能であり、また発振波長を時間的に掃引することも可能である。
また、波長掃引の周期を、共振器内を光が周回する時間と合わせることで共振器内の光に対して損失を少なく抑え高効率な光源を実現可能である。さらに複数のゲイン媒質のゲインの時間変動の位相差を制御することで滑らかな波長掃引が可能となる。
本願発明において、光増幅媒体としては、エルビウムやネオジウム等を含有する希土類添加(イオンドープ)光ファイバ、光ファイバ中に色素を添加して色素により増幅を行うもの、半導体光増幅器等を用いることができる。希土類添加光ファイバは、高利得で良好な雑音特性を得るためには好適である。色素添加光ファイバは、蛍光色素材料やそのホスト材料などを適宜選択することで波長の選択肢が増え、増幅媒体としての増幅帯域やゲインプロファイルの設定の自由度を高くすることが可能である。
半導体光増幅器は、小型で且つ高速制御が可能であり、複数の増幅媒体の増幅率(利得)を個別に制御する観点から好ましい。半導体光増幅器としては、共振器型光増幅器と進行波形光増幅器の双方を用いることができる。半導体光増幅器を構成する材料は、一般的な半導体レーザを構成する化合物半導体等を用いることができ、具体的にはInGaAs系、InAsP系、GaAlSb系、GaAsP系、AlGaAs系、GaN系等の化合物半導体を挙げることができる。
本願発明において、光導波路は光を伝搬させる機能を備えたものであれば、基本的に用いることができるが、外部からの影響を極力抑えるために光を閉じ込めて伝搬させる、スラブ導波路や、光ファイバを用いることが好ましい。
光を閉じ込めて伝搬させる導波路は、基本的には屈折率の高い部分(コア)と屈折率の低い部分(クラッド)を有するもので、光を比較的長距離伝搬させるためには光ファイバを用いるのが好ましい。光ファイバとしては、石英(SiO)ガラスを用いたものや、プラスチックを用いたもの、石英とプラスチックの両方を用いたもの等を挙げることができる。
光ファイバの機能面に着目すると、たとえば偏波保持ファイバやシングルモードファイバが好適である。偏波保持ファイバは光導波路内で偏光状態を保持しやすいため外界からの擾乱に強く好ましい。またシングルモードファイバは低コストであり、さらに内部に複屈折をもたないことから偏波ビートなどを生じにくいという利点がある。
光導波路は、複数の増幅媒体の増幅帯域の波長に対して群速度分散が零のものを採用することもできる。
本願発明において制御部は、光増幅媒体の増幅率を個別に制御できるものであって、光増幅媒体として半導体光増幅器を用いた場合にあっては、半導体光増幅媒体に注入する電流信号を時間的に変化させることが可能な信号制御部を有するもので構成することができる。
信号制御部は、本発明の光源より実際に出射される光を例えばモニターして、出射光の波長を所望の波長となるように複数の増幅媒体の電流信号を制御し得る回路で構成することができる(制御信号を送出する手段)。
このような回路および制御を以下、より具体的に説明する。
最も単純な例では、例えばファンクションジェネレータのように任意の信号波形を発する電流源と、この信号に対して一定の位相差を加える遅延回路と、を備え、前記遅延量を夫々の増幅媒体ごとに異なる値で付与することで、増幅媒体ごとに、増幅率の変化に時間的位相差を導入するものが挙げられる。
より精密な制御のためには、発振波長をモニタする為の分光器等の分光手段を用いて発振波長を検知し、発振波長が所望の値から外れている場合には、各光増幅媒体に流す電流を変化させ、所望の中心波長で発振するように制御電流を変化させ得るものが挙げられる。
例えば、所望の発振波長に対して実際の発振波長が短波長側にずれている場合は、総合ゲインのピークがより長波長側に移動するように、各増幅媒体に流す電流値をコントロールすればよい。また、現在の発振波長よりも長波長側にゲインの最大波長を持つ光増幅媒体に流す電流を増大し、逆に現在の発振波長よりも短波長側にゲインの最大波長を持つ光増幅媒体に流す電流を減少させることで、総合ゲインを長波長側にシフトさせる制御を行えばよい。
このようなフィードバック制御を含まない場合でも、各光増幅媒体に流す電流値と、それに伴う総合ゲインのスペクトル情報、更にその総合ゲインにおける発振波長の対応関係をテーブルとして保持しておくことにより、発振波長の制御はこのテーブルから適宜所望のデータを読み出すことで可能となる。
次にパルス発振動作の光源について述べる。
本発明の光源装置ではモードロック(モード同期、位相同期)状態のパルス発振であっても発振波長は可変である。モードロックとは、同時発振している多数の縦モードの位相を同期させることである。不均一な広がりをもつレーザ発振の場合、多数の周波数で同時に発振が生ずる(共振器モード)。この時、各周波数の位相は一致しておらず時間的に変動する(各モードの干渉の結果、出力も変動してしまう)。モードロックによるとピークパワーが大きく、パルス幅が非常に狭いパルスが得られる。
モードロックは能動的モードロック(Active Mode−Lock)と受動的モードロック(Passive Mode−Lock)に大別される。
図6は能動的モードロックを用いた光源装置の一例を示す模式図であり、図1の共振器内に光変調器611を組み込んだ例である。
能動的モードロック(モード同期)とは、共振器内に光変調器を組込み、光変調器に電気信号を与えて各モードの同期をとる手法である。この手法では複数のモードを同時に励振(縦多モード発振)させ、これらの位相関係を一定にするときにレーザが高周波パルス発振動作をする。
縦多モード発振及びモード間の位相関係確定のために、典型的にはレーザの光学系内に非線形性を持たせ、かつ何らかの光変調器を導入する。
光変調器としては、電気光学効果を利用するもの、音響(または超音波)光学効果を利用するもの、半導体の電界吸収効果を用いたもの等を利用することができる。パルスの安定駆動のために例えば、過飽和吸収体ミラーなどを用いることもできる。更には、新たに光変調器を設けるのではなく、光増幅媒体(例えば、SOA)自体に印加する増幅率制御信号に、本来、光変調器で制御する信号を重畳しても良い。
例えば、光変調器が透過率制御型の光変調器である場合、光変調器で高周波に透過率を変動させることで、初めに励振された共振器モードの低周波側及び高周波側にサイドバンドを励振する。光変調器から印加される周波数をω’とするとき、サイドバンドは初めに励振された共振器モードの周波数をω0とするときω0±ω’の周波数に励振される。
このときω’が共振器モード間隔またはその整数倍に等しいとすると、前記サイドバンドがω0の隣の共振器モードを励振する。このように共振器モード同士が互いにサイドバンドを通して励起しあい、縦多モード発振が可能となる。
つまり、光変調器を駆動する周波数は、リング共振器が有するフリースペクトラルレンジの整数倍に等しくする必要がある。
この場合、以下の式(4)が成り立つ。
F=c/nL 式(4)
ここで、Fはフリースペクトラルレンジ、cは真空中の光速、nはリング共振器内を伝搬する光に対する屈折率、Lはリング共振器の周回長をそれぞれ表わす。
また共振器内にゲイン媒質や非線形媒質、もしくは光変調器そのものなどが持つ非線形性を導入することでモード間相互作用が生じ、モード間の位相関係が決まる。その結果、レーザはパルス列を発振し出力するようになる。
したがって能動的モードロックを掛ける際に、共振器モード間隔が周波数依存性を持たないかもしくは周波数依存性が非常に小さければ、上述の機構によりゲインの帯域内にある殆ど全ての共振器モードを励振させ、モード同期をかけることも可能である。
また別の様態として、総合利得のスペクトル形状を変化させる場合においても、生成し得る総合利得の波長帯域内においてリング共振器のFSRの波長依存性が小さければ、総合利得が変化してもモード同期の為の変調周波数は変わらない。上述の光変調器の変調周波数を変えることなくモード同期状態を保てる。つまり光変調器の駆動周波数を固定したままゲインプロファイルを変えればモード同期状態のまま発振波長の変化や掃引が可能である。
例えば、リング共振器の長さを〜200m、屈折率を〜1.5とすると、リング共振器の光学的周回長は300m程度になるため、この中を伝搬する光は〜1MHzで共振器内を周回することになる。従って、この共振器の共振器モード間隔(自由スペクトル間隔:FSR)も〜1MHzとなる。そこで光変調器の駆動周波数を1MHzもしくはこの整数倍に設定するとモードロック(同期)をかけることが可能である。この状態では光変調器の駆動周波数と等しい、つまり繰り返し周波数1MHzもしくはその整数倍パルス列が発生する。
モードロック(同期)発振における発振波長の中心も基本的に利得(ゲイン)が最大の波長帯域であるので、発振波長は総合利得(ゲイン)が最大となる波長の近傍となる。
つまり、前述のCW発振の場合と同様に、複数の増幅媒体の増幅率を個別に制御する制御部(制御駆動部)の制御により総合利得を例えば、図3のように設定すると、モードロック発振における中心周波数も総合利得が最大となる発振波長305近傍に設定できる。
また、前述の様に、前記複数の増幅媒体が有する最大利得波長が互いに異なることにより、複数の光の増幅媒体の個々の増幅率を変化させることで総合利得が最大となる波長を変化し得る。その結果、発振波長も可変である。
そして、前述と同様に総合利得を時間的に変化させて、モードロック(同期)状態での発振波長を時間的に掃引することも可能となる。
N個の増幅媒体を用いて総合利得の最大波長を周期T1で掃引する場合、総合利得のピーク波長の変化を滑らかに行うためには、隣り合う周波数帯域を増幅する各増幅媒体から光に与えられる利得(ゲイン)の周期T1の成分をもつゲインの位相差を2π/Nにしておくことが好適である。
また、特に高速に波長掃引する場合には共振器内で隣り合うゲイン媒質間を光が伝搬するのに要する時間τを考慮し、隣りあう増幅媒体の駆動には、位相差2πτ/T1を加えることが有用である。但し、共振器内を光が周回するのに要する時間と比較して、波長掃引に要する時間が非常に大きい場合、もしくはゲイン媒質間の距離が充分近接している場合には前述の2πτ/T1の項を無視しても構わない。
また、上記波長掃引の周期は、共振器内を光が周回する周期と同期させるか、もしくは共振器内を光が周回する時間の整数分の1とすることも好適である。これらの同期をとることで、ある時点での総合利得によって増幅された光が、共振器内を周回して再び増幅媒体に帰還する際に、再度、同じプロファイルの総合利得で増幅されるため、高速な波長掃引を行う際にも光に対する損失を抑制することが可能となる。
本発明の光源装置において、光共振器が発振波長帯域付近で波長分散が小さい、もしくは実質的に0である場合には、基本的に共振器モードの周波数間隔は等間隔になるため、非特許文献1にある分散チューニング方式と比較してゲイン帯域内のより広い波長域で、共振器モードを励振し、モードロックをかけることが可能となる。
この場合、モードロックを行い得るモード数を大きくすることができ、このことはモードロック状態の安定性に寄与する。
さらに、総合利得を変化させた場合の発振波長の最小シフト量はFSRに等しいが、本発明の光源装置では上述の様に光共振器が発振波長帯域付近で波長分散が小さいもしくは実質的に0である場合、FSRに波長依存性がないので、中心波長の掃引幅が一定になり、このような特性はOCT光源として用いる場合に好適である。
パルス動作を安定化させる手法としては、共振器内に可飽和吸収体を組み入れる手法を採用し得る。可飽和吸収体としては、非線形効果をもつもので弱い光を吸収してこれを弱め、強い光はわずかしか吸収しない特性を有するものを利用でき、例として可飽和色素や量子ドットを用いた素子を挙げることができる。
なお、モードロック状態を得る手法は、これらに限定されるものではない。例えば、能動的モードロックについて上述した光変調器に印加するモードロックを得るための高周波の駆動信号を、複数の増幅帯域を持つ増幅媒体に印加する制御信号に重畳して印加しても良い。このような増幅媒体(増幅器)と光変調器を兼ねた構成は、光学系を簡略化するという観点から好ましい。
増幅媒体が光変調器を兼ねる構成においては、モードロックのために光増幅媒体に印加する変調信号に対して、隣り合って配置された光増幅媒体の間をパルスが伝搬する時間τを考慮して位相差をつけることも好適である。モードロックのために光増幅器に印加する高周波信号の周期をT2とするとき、隣り合って配置される光増幅器間に与える信号成分の位相差は以下の式で表される。
Δφ=2π×τ/T2
この位相差の付与により、パルスが各光変調器を透過するタイミングと光変調器の増幅率の時間変化を夫々の光変調器において同期することが可能であり、共振器内の光に対してロス少なく、高効率にモードロック発振させる環境を構築できる。
光共振器をリング型共振器で構成する場合、共振器長は、特にパルス発振の場合に関して、共振器内のパルスの波束一つ分以上の長さとするのが好ましい。例えば屈折率1.5の導波路でリング型光共振器を構成し、この系で1GHzの変調を与えてモードロックを発現させる場合、パルスの波束は20cm程度となるため、これ以上の長さの共振器長を有することが好適である。
本発明の光源装置は、CW発振の場合でもモードロック発振の場合においても、個々の光増幅媒体はリング型光共振器内において、なるべく近接して配置することが高速波長掃引を行う観点から好適である。
また、本発明の光源装置を構成する複数の光増幅媒体が有する利得(増幅率)やそのプロファイルに相違がある場合には、これに応じて各光増幅媒体を駆動する信号(増幅電流)の大きさや時間関数を適宜制御することで、波長掃引を行うことができる。
以上、光増幅媒体としてSOAを用いた例について説明した。
次に光増幅媒体として希土類添加(希土類イオンドープ)光ファイバを用いる例について図16を参照しながら説明する。
図16において、光増幅媒体は希土類添加ファイバ1601乃至1603であり、各希土類添加ファイバに対して励起光源1612乃至1614が光学的に接続されている。そして各光増幅媒体が持つ、ゲインが最大となる波長は異なる。
前述の半導体光増幅器の場合と同様に、各光増幅媒体のゲインをあわせた総合ゲインが発生する。そしてこの総合ゲインのプロファイルを各光増幅媒体のゲインを変化させるためには、図中の励起光源1612乃至1614から希土類添加ファイバ1601乃至1603に導入される励起光の強度を変化させることで、各希土類添加ファイバがもつ増幅率を変化させれば良い。また前記励起光源の発光強度はこれらを制御する制御駆動部1604乃至1606からの駆動信号により制御する。
以上の説明では、光共振器としてリング型光共振器を例に挙げて説明した。本発明においける光共振器としては、リング型以外にリニア型の光共振器を採用することも可能である。
リニア型光共振器の場合、リング型と同じ共振器長にするためには光導波路の物理的な長さが半分で済む、アイソレータが不要等の理由から、安価な光源構成が可能であり、また、装置の小型化にも有利である。
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説明する。
(波長可変光源のCW、パルス光源)
本実施例では所定の波長に発振波長を設定できる光源について説明する。
図7に本実施例の光源装置の模式図を示す。図7においては、増幅器701、増幅器702、増幅器703が直列に接続され、これに長さ200mの偏波保持ファイバ704が接続されている。ファイバ704の屈折率は波長1050nm近傍で、約1.5である。
偏波保持ファイバ704は、分割比9:1のカップラ710を介して電気光学素子で構成された光変調器708に接続され、光変調器708は、アイソレータ711を介して偏波コントローラ712に接続されている。そして、偏波コントローラ712が増幅器701に接続されることで、リング型共振器709を構成している。尚、図7において各部材の接続には、704と同様の偏光保持ファイバが用いられている。
本実施例の説明では増幅器701、702、703として利得の中心波長が1050nm近傍にあるSOA(Semiconductor Optical Amplifier)を用いる。
増幅器701、702、703には、それぞれこれらを駆動する制御部705、706、707が接続されている。各制御部は直流電源及び温度調整機構を含むものである。
カップラ710からリング共振器709外に光が取り出されるが、取り出された光は、分割比1:1のカップラ713で分割され、一方が光出力として利用され、他方は、分光器714と光検出器(フォトダイオード)715に導入される。
分光器714及び光検出器715から得られる信号は、光制御信号生成部716に入力され、この入力信号に基づいて該信号生成部716で、制御部705、制御部706、制御部707及び光変調器708の制御信号が生成される。つまり、カップラ713より出力される光信号は、分光器714、光検出器715及び光制御信号生成部716を用いてモニタリングされ、フィードバック制御される。
SOAの増幅率を制御する制御部705、706、707より、図8に示す時間的に強度一定の電流信号801、802及び803を与える。電流信号801は30mA、電流信号802は40mA、電流信号803は100mAである。
このとき増幅器701、702、703各々の利得は、図9に示した利得スペクトル901、902、903になる。利得はそれぞれ3dB、10dB,20dBである。最大利得波長(増幅率最大の波長)は、夫々1030nm、1050nm、1070nm近辺である。その結果、増幅器701、702、及び703によって総合利得904が生じる。
これにより、リング共振器内部に100mW程度の光が発生する。
また、図8に示すようにSOAに注入する電流が定常的(一定)である場合、光変調器708を常に透過率最大の状態にしておくことで、リング共振器709ではCW発振が生じ、取り出される光の強度は〜5mW、発振波長は〜1070nmとなる。
一方、制御部705、706、707により増幅器701、702、703に注入される電流を図10に示すようにすると、各利得スペクトルは、図11に示した1101、1102、1103となり、総合利得1104が得られる。総合利得が変化したことによりCWの発振波長は〜1030nmになる。
このように、各SOAに注入する電流を制御し、複数のSOA全体で作る総合利得を制御することで、利得の帯域内の所望の波長でCWレーザを発振させることができる。
また、光変調器708の透過率を0%にした状態では分光器714に到達する光のスペクトルは増幅器701、702、703が有するASE(増強自然放出:Amplified Spontaneous Emission)のスペクトルを示す。このASE光のスペクトルから、総合利得のスペクトルの推測が可能である。特に光学系の損失が小さい場合、もしくは損失の波長依存性が小さい場合にはASEスペクトルが、ほぼ総合利得のスペクトル形状を反映していると考えてよい。したがって、ASEのスペクトルを観察しながらその時点での総合ゲインのスペクトルをモニターすることが可能である。さらに得られた総合利得のスペクトル情報を元に、光制御信号生成部716より制御部705、706、707に対して制御信号を与え、総合利得のスペクトルを所望の形状にすることも可能である。
また、別の形態として以下のものも採用し得る。
例えば、制御部705、制御部706、制御部707から増幅器701、増幅器702、増幅器703に注入する電流を図8の状態にしておく。ここで光変調器に高周波信号を与える。偏波保存ファイバを含むリング共振器の長さは〜200m、屈折率を〜1.5である。FSRは1MHz程度である。モードロック周波数として光変調器の駆動周波数をFSRの1000倍の1GHzに設定することで能動モード同期が掛る。この状態では繰り返し周波数1GHzのパルス列が発生し、発振の中心波長は〜1070nmである。
このときモード同期に寄与している共振器モードは図9にある総合利得904の帯域内にあるものである。
この状態において、前記制御部705、706及び707から注入する電流のバランスを図10の電流信号1001乃至1003のように設定すれば、総合的な利得は図11の総合利得1104になる。そしてパルス発振の中心波長は1030nmに設定することが可能である。
また、光変調器の機能を光増幅器(光増幅媒体)自身に持たせても良い。つまり、上述の例ではSOAの駆動信号は時間的に一定であり、総合的なゲインプロファイルを決めるためのものであったが、この信号にモードロックをかけるための高周波信号を重畳しても良い。つまり光変調器を用いる代わりに、SOAの増幅率を高周波で高速に変調することでモードロックをかけることも可能である。
なお上記の説明では光学系を構成する導波路として偏波保持ファイバを用いたが、これに限るものではない。たとえばシングルモードファイバでも良い。注目波長帯域で屈折率の波長分散が少ないことが好適である。例えば空中や真空中を光を伝搬させる光学系でも良い。または分散補償器や分散補償ファイバ等を導入して共振器内の波長分散を打ち消しても良い。共振器長はパルス波束以上の長さを設定することが好適である。本実施例であれば20cm以上である。
本実施例ではSOAの発光帯域として1050nm帯を示したが、本発明はこれに限るものではなく、例えば1.55ミクロン帯や1.3ミクロン帯、840nm帯等の発光も可能である。
1.55ミクロンや1.3ミクロン帯であればInGaAs系、InAsP系やGaAsSb系等の材料が採用可能である。
1.0ミクロン帯であれば同じくInGaAs系、GaAsSb系などの材料が採用可能である。また840nm帯であればGaAsP系、InGaP系、AlGaAs系などが可能である。
ここでは、増幅媒体としてSOAを用いたものを示したが、増幅媒体としてはエルビウムやネオジム等を含む希土類ドープファイバ増幅器等を用いても良い。
本実施例の光源では、所望の波長に発振の中心波長を設定できる連続発振光源やパルス発振光源を実現できる。また分散を少なく抑えることで安定なモードロック状態を実現できる。また、波長掃引範囲が各増幅媒体の有する利得帯域に依存して決定されるので、増幅媒体の種類と数を考慮することで、広帯域な設定範囲が可能となる。
本実施例の他の形態としては、上記のリング型光共振器に代えて、図17に示すようなリニア型の光共振器を採用してもよい。
図17において、増幅器1701、増幅器1702、増幅器1703はそれぞれ制御部1714、制御部1715、制御部1716を通して光制御信号生成部1713により制御される。
リニア型共振器1705は、前記光増幅器の他に光変調器1706、カップラ1707、ファイバ1704、ミラー終端ファイバ1708、ミラー終端ファイバ1709を備えて構成される。ファイバ1704は偏波保持ファイバであっても良いしシングルモードファイバであっても良い。各光増幅器と偏波保持ファイバを設ける位置は、ここに示したものに限られるものではなく、両者が入れ替わってもよい。また、各増幅器同士は互いに近接して光学的に接続されていることも好適である。カップラ1707より取り出される光はカップラ1710を通してその一部を分光器1711、およびフォトディテクタ1712へ分岐する。分光器1711、フォトディテクタ1712から得られるスペクトル情報をもとに光制御信号生成部が制御信号を発生することでゲインスペクトルが所望の特性に設定される。
(波長掃引光源のCW、パルス光源)
本実施例では時間的に発振波長を掃引できる光源について説明する。
図12に本実施例の光源装置の模式図を示す。図12においては、増幅器1201、増幅器1202、増幅器1203が直列に接続され、これに偏波保持ファイバ1204が接続されている。各増幅器の間隔は2mで、偏波保持ファイバ1204の長さは200mである。
ファイバ1204の屈折率は1050nm近傍で約1.5である。
偏波保持ファイバ1204は、分割比9:1のカップラ1210を介して電気光学素子で構成された光変調器1208に接続され、光変調器1208は、アイソレータ1211を介して偏波コントローラ1212に接続されている。そして、偏波コントローラ1212が増幅器1201に接続されることで、リング型共振器1209を構成している。尚、図12において各部材の接続には、1204と同様の偏光保持ファイバが用いられている。
本実施例の説明では増幅器1201、1202、1203として利得波長が1050nm近傍にあるSOAを用いる。増幅器1201、1202、1203には、それぞれこれらを駆動する制御部1205、制御部1206、制御部1207が接続されている。
本実施例ではCW動作およびパルス動作を説明するが、光変調器1208はCW動作の場合は必ずしも必要ない。
カップラ1210からリング共振器1209外に光が取り出されるが、取り出された光は、分割比1:1のカップラ1213で分割され、一方が光出力として利用され、他方は、分光器1214と光検出器(フォトダイオード)1215に導入される。
分光器1214及び光検出器1215から得られる信号は、光制御信号生成部1216に入力され、この入力信号に基づいて該信号生成部1216で、制御部1205、制御部1206、制御部1207及び光変調器1208の制御信号が生成される。つまり、カップラ1213より出力される光信号は、分光器1214、光検出器1215及び光制御信号生成部1216を用いてモニタリングされ、フィードバック制御される。
SOAの増幅率を制御する制御部1205、1206、1207より、図13に示す電流1301、1302、1303を設定することで、増幅器1201、1202及び1203各々の利得(増幅率)が時間的に振動する。この振動周期は波長掃引周期に相当する。
本実施例では1kHzで波長掃引するものとする。共振器1209内を光が周回する時間は約1μsecあることから、波長掃引速度は共振器内を光が周回する時間と比較して充分長い。このため、各増幅媒体間を光が伝搬する時間を無視し、増幅器1201、1202及び1203で与える利得の時間的な位相差はそれぞれ2/3πずつで良い。各増幅器1201、1202、1203の増幅率が最大となる波長は1030nm、1050nm、1070nm近辺である。そして、複数の増幅器から作られる総合的な利得の最大波長は、図14に示した発振波長1401のように時間変動する。
これによりリング共振器1209内には100mW程度の光が発生する。また、図13に示すようにSOAに注入される電流を時間的に変動させ、光変調器1208を常に透過率最大の状態にしておくとリング共振器1209ではCW発振が生じ、その発振波長は1030nm〜1070nmの範囲で掃引されるようになる。
このように、各SOAに注入する電流を制御し、複数のSOA全体で作る総合的な利得(ゲイン)を時間的に変動するように制御することで、利得の帯域内でCW光のレーザ発振波長を掃引することが可能となる。
また、光変調器1208の透過率を0%にした状態では分光器1214に到達する光のスペクトルは増幅器1201、1202、1203が有するASE光(増強自然放出光)のスペクトルを示す。このASE光のスペクトルから、総合利得のスペクトルの推測が可能である。特に光学系の損失が小さい場合、もしくは損失の波長依存性が小さい場合にはASEスペクトルが、ほぼ総合利得のスペクトル形状を反映していると考えてよい。したがって、ASEのスペクトルを観察しながらその時点での総合利得のスペクトルをモニターすることが可能である。さらに得られた総合利得のスペクトル情報を元に、光制御信号生成部1216より制御部1205、1206、1207に対して制御信号を与え、総合利得のスペクトルを所望の形状にすることも可能である。
また、本実施例の構成にて、総合利得が最大となる波長を時間的に変化させる際にその周期を光が共振器内を周回する時間と一致させる、あるいは整数分の一に設定することも好適である。この場合、強度が最大となる波長が時間と共に変化するASE光が光共振器内を周回するにつれて増幅される、フーリエドメインモードロック動作が実現する。
本構成では光が共振器内を周回する速度が1μsなので、上記総合利得が最大となる波長も1μsあるいはその整数分の一で変化させれば良い。
また、各増幅媒体間の間隔は2mなので、偏波保持ファイバの屈折率を1.5とすると、各増幅媒体間を光が伝搬する時間は10nsであり、増幅器1201、1202及び1203で与える利得の時間的な位相差はそれぞれ2/3π+2π×10−8/10−6ずつで良い。
このような駆動を行うことで、周期1μsで中心波長が変化するFDML光源を構成可能である。
また、別の形態として以下のものも採用可能である。
例えば、制御部1205、1206、1207を用いて、増幅媒体1201、1202、1203に注入される電流が図13に示した電流1301、1302、1303に各々なるように制御する。ここで、電流1301、1302、1303は各々位相がずれたサインカーブ(曲線)示している。このように各増幅媒体に注入される電流を時間的に変化させることで、これらの増幅媒体によって得られる総合利得が変化する。
ここで光変調器1208に高周波信号を与える。偏波保存ファイバ1204を含むリング共振器の長さを〜200m、屈折率を〜1.5とすると、リング共振器の光学的周回長は300m程度となる。よって、この中を伝搬する光は〜1MHzで共振器内を周回することになる。従ってこの共振器のFSRも〜1MHzとなる。そこで光変調器の駆動周波数を1MHzもしくはこの整数倍に設定することでモードロック(同期)が得られる。
そこで本実施例ではモードロックをかけるために1GHzの高周波信号を光変調器1208に印加する。これによりリング共振器内には1000の光パルスの山を同時に周回させる。したがってこの状態では繰り返し周波数1GHzのパルス列が発生し、且つ総合利得の最大波長が時間と共に変化するためモードロックのかかる波長域が時間的に変化する。これにより、発振の中心波長を1030nmから1070nmの範囲で掃引できる。
波長掃引周波数を1MHzとすると、各増幅媒体間の距離が2m、光学距離にして3mなので、光がこの間を伝搬するのに要する時間は10nsである。このことを考慮して、1MHzの波長掃引信号に補正信号を加える。つまり、各増幅媒体同士に印加する信号成分の位相差を本実施例の場合2/3π+2π×10−2に設定するのが好ましい。
また、光変調器の機能をSOA(光増幅媒体)に持たせても良い。上述の例ではSOAの駆動信号は時間的に変化するののこれは波長掃引の為の信号であり、且つ総合的なゲインプロファイルを決めるためのものであった。しかし、この信号にモードロックをかけるための高周波信号を重畳しても良い。つまり光変調器を用いる代わりに、SOAの増幅率を高周波で高速に変調することでモードロックをかけることも可能である。
その場合、共振器内で隣り合って配置されるゲイン媒質に印加するモードロックの為の高周波信号の位相差は、上述と同様に伝搬距離が10nsであるとした場合、モードロックを1GHzの高周波信号で印加する場合の位相差は2π×10に設定すればよい。
本実施例の説明では光学系を構成する光導波路に偏波保持ファイバを用いたが、光導波路はこれに限るものではない。たとえばシングルモードファイバでも良い。注目波長帯域で屈折率の波長分散が少ないことが好適である。分散補償器や分散補償ファイバ等を導入して共振器内の波長分散を打ち消しても良いし、原理的には、空中や真空中を光を伝搬させる光学系も採用し得る。
波長分散がない場合もしくは非常に小さい場合には、波長掃引中においても中心波長が変化したことによるFSRの変化は無視できるほど小さくなる。このため、モードロック誘起の為の光変調器もしくはSOAに印加する高周波信号の駆動周波数を変化させる必要が無く光源装置構成が簡易なものとなり好適である。
共振器長はパルス波束以上の長さを設定することが好適である。
本実施例の光源では、発振の中心波長を時間的に高速掃引できる連続発振光源、もしくはパルス発振光源を実現できる。また分散を少なく抑えることで安定なモードロック状態を実現できる。波長掃引範囲が各増幅媒体の有する利得帯域に依存して決定されるので、増幅媒体の種類と数を考慮することで、広帯域な設定範囲が可能となる。
本実施例の他の形態としては、光共振器を上記のリング型共振器に代えて、たとえば図18に示すようなリニア型の光共振器を採用した例が挙げられる。
図18において、増幅器1801、増幅器1802、増幅器1803はそれぞれ制御部1814、制御部1815、制御部1816を通して光制御信号生成部1813から制御される。
リニア型共振器1805は前記光増幅器の他に光変調器1806、カップラ1807、ファイバ1804、ミラー終端ファイバ1808、ミラー終端ファイバ1809で構成される。ファイバ1804は偏波保持ファイバでもよいしシングルモードファイバでもよい。
カップラ1807から取りだされる光はカップラ1810を通してその一部を分光器1811、およびフォトディテクタ1812へ分岐する。分光器1811、フォトディテクタ1812から得られるスペクトル情報をもとに光制御信号生成部が制御信号を発生することでゲインスペクトルを所望の特性に設定する。
本発明の光源を用いた光断層画像撮像装置(OCT装置)の実施例を示す。
図15は本実施例のOCT装置の模式図である。図15のOCT装置は、基本的には光源部(1501等)、光源部からの光を検体に照射し、検体部からの反射光を伝達させる検体測定部(1507等)、光を参照ミラーに照射し、参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部(1502等)、2つの反射光を干渉させる干渉部(1503)、干渉部により得られた干渉光を検出する光検出部(1509等)、光検出部で検出された光に基づいて画像処理を行う(断層像を得る)画像処理部(1511)で構成されている。以下、各構成要素を説明する。
光源部は、波長可変光源1501と該波長可変光源を制御する光源制御部1512を有して構成され、波長可変光源1501は光照射用の光ファイバ1510を介して干渉部を構成するファイバカップラ1503に接続されている。
反射ミラー1504は、参照光光路用ファイバ1502に接続されて参照部を構成し、ファイバ1502は、ファイバカップラ1503に接続されている。
検査光光路用1505ファイバ、照射集光光学系1506、照射位置走査用ミラー1507により測定部が構成され、検査光光路用1505ファイバは、ファイバカップラ1503に接続されている。ファイバカップラ1503では、検査物体1514の内部及び表面から発生した後方散乱光と、参照部からの戻り光とが干渉して干渉光となる。
光検出部は、受光用ファイバ1508とフォトディテクタ1509で構成され、ファイバカップラ1503で生ずる干渉光をフォトディテクタ1509に導く。
フォトディテクタ1509で受光された光は信号処理装置1511にてスペクトル信号に変換され、さらにフーリエ変換を施すことで被験物体の奥行き情報を取得する。取得された奥行き情報は画像出力モニター1513に断層画像として表示される。
ここで、信号処理装置1511は、パーソナルコンピュータ等で構成することができ、画像出力モニター1513は、パーソナルコンピュータの表示画面等で構成できる。
本実施例で特徴的なのは光源部であり、波長可変光源1501は光源制御装置1512によりその発振波長や強度及びその時間変化が制御される。
光源制御装置1512は、照射位置走査用ミラー1507の駆動信号等をも制御する信号処理装置1511に接続され、走査用ミラー1507の駆動と同期して波長可変光源1501が制御される。
例えば、実施例2で説明した光源装置を本実施例の波長可変光源1501として用いると、この光源装置は高速広帯域に波長掃引が可能であるため、高速に且つ奥行き分解能が高解像な断層画像情報を取得可能である。このOCT装置は、眼科、歯科、皮膚科等における断層画像撮影に有用である。
本発明の光源装置は、通信ネットワーク分野、検査装置の分野等、波長可変光源を適用し得る分野で利用できる。
101,102,103,601,601,603,701,702,703,1201,1202,1203 光の増幅媒体
109,609 導波路
709,1209 リング共振器
104,105,106,604,605,606,705,706,707,1205,1206,1207 制御部

Claims (20)

  1. 光を増幅させる複数の増幅媒体と、光導波路とを有するリング型光共振器と、前記複数の増幅媒体の増幅率を個別に制御する制御部とを有し、前記複数の増幅媒体は直列に互いに離間して設けられ、前記複数の増幅媒体は、互いに異なる最大利得波長を有すると共に、その増幅帯域は互いにその一部が重複し、且つ、前記増幅率の制御により前記複数の増幅媒体による総合利得が最大となる波長が可変であり、前記総合利得が最大となる波長が掃引される光源装置であって、前記増幅媒体の総数をN、前記総合利得が最大となる波長の掃引周期をT1とし、前記リング型光共振器内を周回する光が隣り合う前記増幅媒体間を伝搬するために要する時間をτとしたときに、前記複数の増幅媒体のうち隣り合う増幅帯域を有する増幅媒体の増幅率の時間変化のうち周期T1を有する信号成分の位相差Δφが以下の式を満たすように前記複数の増幅媒体の個々の増幅率を変化させるように構成されていることを特徴とする光源装置。
    Δφ=2π/N+2π×τ/T1
  2. 前記複数の増幅媒体の増幅率を時間的に周期的に変動させることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
  3. 前記複数の増幅媒体による総合利得の大きさを時間的に周期的に変動させることを特徴とする請求項2に記載の光源装置。
  4. 前記複数の増幅媒体による総合利得が最大となる波長を時間的に周期的に変動させることを特徴とする請求項2に記載の光源装置。
  5. 前記周期は、前記リング型光共振器内を周回する波長の光が該リング型光共振器内を1周するのに要する時間の整数分の1であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光源装置。
  6. 前記増幅媒体は、半導体光増幅器であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光源装置。
  7. 前記半導体光増幅器は、InGaAs系、GaAsSb系、InAsP系、GaAsP系、InGaP系、及びAlGaAs系の材料の中から選択された材料を用いたものであることを特徴とする請求項6に記載の光源装置。
  8. 前記増幅媒体は、希土類イオンがドープされた光ファイバであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光源装置。
  9. 前記増幅媒体は、蛍光色素であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光源装置。
  10. 前記光導波路が、偏波保持ファイバで構成されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光源装置。
  11. 前記光導波路が、シングルモードファイバで構成されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光源装置。
  12. 前記リング型光共振器が、光変調器を有していることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の光源装置。
  13. 前記光変調器を駆動する周波数は、前記リング型光共振器が有するフリースペクトラルレンジの整数倍に等しいことを特徴とする請求項12に記載の光源装置。
  14. 前記光変調器が、前記増幅媒体を兼ねていることを特徴とする請求項12に記載の光源装置。
  15. 前記複数の増幅媒体のうち隣り合って配置された該増幅媒体に印加する高周波信号の周期をT2とし、前記リング型光共振器内を周回する光が該隣り合う増幅媒体間を伝搬する時間をτとして、該隣り合った増幅媒体に与える信号の位相差Δφが、以下の式を満たすことを特徴とする請求項12に記載の光源装置。
    Δφ=2π×τ/T2
  16. 前記リング型光共振器の長さが、リング型光共振器内を周回する光パルスの波束の長さよりも長いことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか一項に記載の光源装置。
  17. 前記光導波路は、前記複数の増幅媒体の増幅帯域の波長に対して群速度分散が零であることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一項に記載の光源装置。
  18. 前記リング型光共振器から出力される光の波長または強度をモニターし、前記制御部または前記光変調器に制御信号を送出する手段を有することを特徴とする請求項12に記載の光源装置。
  19. 前記増幅媒体から出力される増強自然放出光のスペクトルをモニターし、その信号を用いて前記総合利得を調整することを特徴とする請求項1乃至18のいずれか一項に記載の光源装置。
  20. 請求項1乃至19のいずれか一項に記載の光源装置を用いた光源部と、
    前記光源部からの光を検体に照射し、検体からの反射光を伝達させる検体測定部と、
    前記光源部からの光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部と、
    前記検体測定部からの反射光と前記参照部からの反射光とを干渉させる干渉部と、
    前記干渉部からの干渉光を検出する光検出部と、
    前記光検出部で検出された光に基づいて、前記検体の断層像を得る画像処理部と、
    を有することを特徴とする光断層画像撮像装置。
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