JP5830810B2 - 表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents
表示パネルおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5830810B2 JP5830810B2 JP2012501065A JP2012501065A JP5830810B2 JP 5830810 B2 JP5830810 B2 JP 5830810B2 JP 2012501065 A JP2012501065 A JP 2012501065A JP 2012501065 A JP2012501065 A JP 2012501065A JP 5830810 B2 JP5830810 B2 JP 5830810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display panel
- driving unit
- pixel electrode
- insulating member
- contact hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 57
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 41
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 25
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- -1 perylene compound Chemical class 0.000 description 27
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N Chrysene Natural products C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000544 Rb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical class [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136272—Auxiliary lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
加えて、一般的に、配線の一部をレーザで切断するには、切断し易いように予め配線に細い部分を設ける必要がある。また、その部分の下層に電極等が配置されないようレイアウトする必要もある。すなわち、配線の一部をレーザで切断するにあたってレイアウト上の制約が課されることになる。
前記平坦化膜と前記絶縁部材の材料は共通であることを特徴とするとした。
本発明の一態様である表示パネルは、薄膜トランジスタ素子を含む駆動部が複数、マトリクス状に配置されてなるトランジスタアレイ基板と、前記トランジスタアレイ基板上に形成され、前記複数の駆動部に対応する各領域の一部分にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記複数の駆動部に対応してマトリクス状に配置された複数の画素電極を備え、前記複数の駆動部には、欠陥の駆動部が一部に含まれており、前記複数の画素電極のうち、欠陥の駆動部にそれぞれ対応するものを第1画素電極と、欠陥でない駆動部にそれぞれ対応するものを第2画素電極と称した場合、前記第2画素電極の各々は、一部が対応するコンタクトホールに入り込むように形成されており、前記第2画素電極のそれぞれのコンタクトホールに入り込んでいる部分が、対応する駆動部の給電パッドとコンタクトすることで、前記第2画素電極のそれぞれが、対応する駆動部に電気的に接続されており、前記第1画素電極のそれぞれのコンタクトホールに相当する部分と、対応する駆動部の給電パッドの間に絶縁部材が介在され、前記第1画素電極のそれぞれが、対応する駆動部と電気的に非接続に保たれていることを特徴とするとした。
ここで、本発明の別の態様として、前記絶縁部材は、アクリル系樹脂からなるとしてもよい。
ここで、本発明の別の態様として、前記表示パネルは、エレクトロルミネッセント表示パネルであるとしてもよい。
ここで、本発明の一態様である表示パネルの製造方法は、基板を準備する準備工程と、前記基板上に、薄膜トランジスタ素子を含む駆動部を複数マトリクス状に配置することで、トランジスタアレイ基板を形成するトランジスタアレイ基板形成工程と、前記トランジスタアレイ基板上に、前記複数の駆動部に対応する各領域の一部分にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜上に、前記複数の駆動部に対応して複数の画素電極をマトリクス状に配置する画素電極形成工程を含み、前記複数の駆動部には、欠陥の駆動部が一部に含まれており、前記複数の画素電極のうち、欠陥の駆動部にそれぞれ対応するものを第1画素電極と、欠陥でない駆動部にそれぞれ対応するものを第2画素電極と称した場合、前記第2画素電極の各々を、一部が対応するコンタクトホールに入り込むように形成し、前記層間絶縁膜形成工程と前記画素電極形成工程の間に、前記欠陥の駆動部と前記第1画素電極をコンタクトするための各コンタクトホールに絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程を含み、前記第2画素電極のそれぞれのコンタクトホールに入り込んでいる部分を、対応する駆動部の給電パッドとコンタクトさせることで、前記第2画素電極のそれぞれを、対応する駆動部に電気的に接続し、前記第1画素電極のそれぞれのコンタクトホールに相当する部分と、対応する駆動部の給電パッドの間に前記絶縁部材を介在させることにより、前記第1画素電極のそれぞれを、対応する駆動部と電気的に非接続とすることを特徴とするとしてもよい。
ここで、本発明の別の態様として、前記絶縁部材形成工程では、前記各コンタクトホールにおける、少なくとも底部を含む部分に前記絶縁部材を形成するとしてもよい。
ここで、本発明の別の態様として、前記絶縁部材形成工程では、アクリル系樹脂を用いて絶縁部材を形成するとしてもよい。
ここで、本発明の一態様である表示パネルの製造方法は、基板を準備する準備工程と、前記基板上に、薄膜トランジスタ素子を含む駆動部を複数マトリクス状に配置することで、トランジスタアレイ基板を形成するトランジスタアレイ基板形成工程と、前記トランジスタアレイ基板における各薄膜トランジスタ素子の欠陥の有無を検査する検査工程と、前記検査の結果に基づいて、前記トランジスタアレイ基板における欠陥の駆動部の位置情報を取得する位置情報取得工程と、前記トランジスタアレイ基板上に、前記複数の駆動部に対応する各領域の一部分にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜上に、前記複数の駆動部に対応して複数の画素電極をマトリクス状に配置する画素電極形成工程を含み、前記複数の駆動部には、欠陥の駆動部が一部に含まれており、前記複数の画素電極のうち、欠陥の駆動部にそれぞれ対応するものを第1画素電極と、欠陥でない駆動部にそれぞれ対応するものを第2画素電極と称した場合、前記第2画素電極の各々を、一部が対応するコンタクトホールに入り込むように形成し、前記層間絶縁膜形成工程と前記画素電極形成工程の間に、前記位置情報に対応するコンタクトホールに絶縁部材を形成する工程を含み、前記第2画素電極のそれぞれのコンタクトホールに入り込んでいる部分を、対応する駆動部の給電パッドとコンタクトさせることで、前記第2画素電極のそれぞれを、対応する駆動部に電気的に接続し、前記第1画素電極のそれぞれのコンタクトホールに相当する部分と、対応する駆動部の給電パッドの間に前記絶縁部材を介在させることにより、前記第1画素電極のそれぞれを、対応する駆動部と電気的に非接続とすることを特徴とするとしてもよい。
<実施の形態1>
−表示装置100の概略ブロック図−
図1(a)は、本発明の実施の形態1に係る表示パネル105を含む表示装置100の電気的な構成を示すブロック図である。図1(a)に示されるように、表示装置100は、制御回路101と、メモリ102と、走査線駆動回路103と、データ線駆動回路104と、画素回路が行列状に配置された表示パネル105を備える。表示パネル105は、例えばエレクトロルミネッセント(以下、「EL」と記す。)表示パネルであり、有機EL表示パネルとしてもよい。また、表示パネル105は、液晶表示パネルとしてもよい。
表示パネル105がEL表示パネルの場合には、データ線駆動回路104から供給された信号電圧は、スイッチングトランジスタ203を介して駆動トランジスタ204のゲート端子へと印加される。駆動トランジスタ204は、そのデータ電圧に応じた電流をソース−ドレイン端子間に流す。この電流が画素電極205へと流れることにより、その電流に応じた発光輝度が得られる。
−レイアウト−
続いて、表示パネル105における、ゲート線200、データ線201、電源線202、および駆動部209のレイアウトについて説明する。図2は、表示パネル105における、ゲート線200、データ線201、電源線202、および駆動部209のレイアウトを示す模式平面図である。
図3は、表示パネル105における画素電極205のレイアウトを示す模式平面図である。図3に示されるように、複数の画素電極205は、マトリクス状に配置されている。複数の画素電極205は、図2で示した複数の駆動部209と1対1に対応する形態で設けられている。したがって、複数の画素電極205の中には、欠陥でない駆動部にそれぞれ対応する画素電極(第2画素電極)と、欠陥の駆動部にそれぞれ対応する画素電極(第1画素電極)が存在することになる。図3において、画素電極205aが駆動部209aに対応する画素電極を表し、画素電極205bが駆動部209bに対応する画素電極を表している。
図4(a)は、表示パネル105の構成を模式的に示す部分断面図(図2のA−A’断面)である。図4(a)に示されるように、基板401上にゲート絶縁膜403が形成され、ゲート絶縁膜403上に給電パッド211aが形成されている。さらに、給電パッド211aを覆うように層間絶縁膜407が形成されている。層間絶縁膜407は、例えば2層構造であり、パッシベーション膜408および平坦化膜409からなる。層間絶縁膜407のうち給電パッド211bに当たる一部分には、コンタクトホール212aが形成されている。このコンタクトホール212aに沿って画素電極205aが形成され、給電パッド211aとコンタクトしている。
これにより、駆動部209aは、画素電極205aと電気的に接続されるので、駆動部209aから画素電極205aへ給電されることになる。
図4(b)は、表示パネル105の構成を模式的に示す部分断面図(図2のB−B’断面)である。図4(b)に示されるように、基板401上にゲート絶縁膜403が形成され、ゲート絶縁膜403上に給電パッド211bが形成されている。さらに、給電パッド211bを覆うように層間絶縁膜407が形成されている。層間絶縁膜407は、例えば2層構造であり、パッシベーション膜408および平坦化膜409からなる。層間絶縁膜407のうち給電パッド211bに当たる一部分には、コンタクトホール212bが形成されている。ここまでは、図4(a)の構成と同様である。ただし、図4(b)では、このコンタクトホール212b内に絶縁部材410が形成されている。そして、層間絶縁膜407および絶縁部材410上に、コンタクトホール212bに沿うように画素電極205bが形成されている。
このように、画素電極205bのコンタクトホール212bに相当する部分(ここでは、画素電極205bのうちコンタクトホール212bに入り込んだ部分)と給電パッド211bの間には、絶縁部材410が介在している。このため、画素電極205bと駆動部209bは、電気的に非接続な状態に保たれている。画素電極205bと駆動部209bが電気的に接続されていないため、駆動部209bから画素電極205bへ給電されることはない。したがって、表示パネル105において画素電極205bに対応する部分は、滅点となり、表示パネル105に欠陥の薄膜トランジスタ素子が存在したとしても、表示パネル105に輝点が生じることを防止することができる。
同様に、欠陥の駆動部と当該駆動部に対応する画素電極として駆動部209bおよび画素電極205bを例に挙げて、それらの構成について説明したが、他の欠陥の駆動部と当該駆動部に対応する画素電極についても同様の構成となる。つまり、他の欠陥の駆動部に対応する画素電極と当該他の欠陥の駆動部の給電パッドの間に絶縁部材が介在した構成となる。
表示パネル105の製作工程について説明する。ここでは特に、トランジスタアレイを形成する工程から画素電極を形成する工程までを説明する。図5は、表示パネル105の製作工程を示す図である。
まず、ステップS101のトランジスタアレイ形成工程では、基板上に複数の駆動部をマトリクス状に形成することで、トランジスタアレイ基板を形成する。
ステップS104の層間絶縁膜孔埋め工程では、欠陥であると判定された薄膜トランジスタ素子を含む駆動部に対応するコンタクトホールに絶縁部材を形成する。
一方、オン状態の場合には対応する画素が輝点となり、その場合には、その周辺の画素が暗くなっている場合(表示パネルに映像が表示されていない場合や低輝度のラスター表示の場合など)には、たとえ輝点となる画素が1つであっても目立つため、ユーザに認識されやすい。このため、輝点が1つでも存在すると、不良品パネルとされる。それ故、オン状態の薄膜トランジスタ素子を含む駆動部に対応するコンタクトホールに絶縁部材を形成する必要がある。
層間絶縁膜形成工程、層間絶縁膜孔埋め工程、および画素電極形成工程について、図6を用いて詳細に説明する。図6は、層間絶縁膜形成工程、層間絶縁膜孔埋め工程、および画素電極形成工程の一例を示す工程図である。
この後、給電パッド212b上に絶縁性材料からなる絶縁材料膜を形成する。ここでは、絶縁材料膜は例えば2層構造であり、パッシベーション材料膜と平坦化材料膜からなるとしてもよい。絶縁材料膜の形成は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法や塗布等により行うことができる。
パターニングされた絶縁材料膜407は、電極パッド211b上に当たる一部分にコンタクトホール212bを有する(図6(b))。
その後、図6(c)に示されるように、電極パッド211bのうち絶縁材料膜407から露出した部分(すなわちコンタクトホール212b内)に、ディスペンサ411により、平坦化材料膜と同一の絶縁材料を吐出する。絶縁材料は、図6(d)に示されるように、コンタクトホール212bの少なくとも底部214bを含む部分に形成するとしてもよい。こうすることで、その後の工程において、絶縁材料を形成した箇所とそうでない箇所での画素電極の形状の同一性を確保することができる。このことによる効果について説明する。
工程に戻って、コンタクトホールに絶縁材料を吐出した後、ベーク工程を経ることで、パッシベーション膜408と平坦化膜409からなる層間絶縁膜407、および絶縁部材410が完成する。このように、平坦化膜409と絶縁部材410の材料を共通にすることで、ベーク工程の回数が増加することを回避できる。
また、絶縁部材410を形成することで画素電極205bと駆動部209bが非接続な状態を実現するので、薄膜トランジスタ素子や配線等のレイアウトを変更する必要がない。したがって、既存のマスクをそのまま利用することができ、コストの観点から有用である。
なお、ここでは、平坦化膜409と絶縁部材410の材料を共通にすることで、一度のベーク工程で平坦化材料膜および絶縁材料の両方をベークしたが、当然ながら、絶縁材料膜をパターニングした後、一度ベーク工程を行い、コンタクトホールに絶縁材料を追加した後、再度ベーク工程を行うこともできる。この場合、絶縁部材の材料は、ベーク時間が短くなるような材料であることが好ましい。例えば、ポリイミド樹脂に反応開始剤を添加したものでもよい。
ここでは、表示パネル105の一例としてEL表示パネルの構成について説明する。
図7は、表示パネル105の要部を模式的に示す部分断面図である。図7に示されるように、トランジスタアレイ基板301上にパッシベーション膜408が形成され、パッシベーション膜408上に平坦化膜409が形成されている。この平坦化膜409上に、画素電極(陽極)205が形成されている。画素電極205は、サブピクセル単位で行列状にパターニングして形成される。また、X軸方向に隣り合う3つのサブピクセルの組み合わせにより1画素(ピクセル)が構成される。
−各部構成−
トランジスタアレイ基板301は、基板上に複数の駆動部がマトリクス状に配置されてなる。
平坦化膜409は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなる。
画素電極205は、アルミニウム(Al)、あるいはアルミニウム合金で形成されている。また、例えば、銀(Ag)、銀とパラジウムと銅との合金、銀とルビジウムと金との合金、モリブデンとクロムの合金(MoCr)、ニッケルとクロムの合金(NiCr)等で形成されていても良い。表示パネル105がトップエミッション型である場合には、画素電極205は、光反射性の材料で形成されていることが好ましい。
以上、本発明に係る表示パネルについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限られないことは勿論である。例えば、以下のような変形例が考えられる。
<変形例1>
絶縁部材の構成を変えた一変形例について説明する。
図8は、変形例1に係る表示パネルの構成を模式的に示す部分断面図である。図8に示されるように、基板401上にゲート絶縁膜403が形成され、ゲート絶縁膜403上に給電パッド211bが形成されている。さらに、給電パッド211bを覆うように層間絶縁膜407が形成されている。層間絶縁膜407は、例えば2層構造であり、パッシベーション膜408および平坦化膜409からなる。層間絶縁膜407のうち給電パッド211bに当たる一部分には、コンタクトホール212bが形成されている。ここまでは、図4(b)の構成と同様である。ただし、図8では、コンタクトホール212bの全体を埋めるように、絶縁部材410aが形成されている点で異なる。このため、画素電極205cの一部がコンタクトホール212bに入り込んでおらず、コンタクトホール212bを埋めた絶縁部材410aを覆うように、画素電極205cが形成されている。
<変形例2>
各駆動部の構成を変えた一変形例について説明する。本変形例では、各駆動部は、一つの薄膜トランジスタ素子からなる。
変形例2に係る表示パネルにおける、ゲート線200a、電源線202a、駆動部501、および画素電極601のレイアウトについて説明する。図9は、変形例2に係る表示パネルにおける、ゲート線200a、電源線202a、駆動部501、および画素電極601のレイアウトを示す模式平面図である。
−断面図−
図10(a)は、変形例2に係る表示パネルの構成を模式的に示す部分断面図(図9のC−C’断面)である。図10(a)に示されるように、基板601上にゲート電極602aが設けられ、ゲート電極602aの設けられた基板601上にゲート絶縁膜603が設けられている。ゲート絶縁膜603上における、ゲート電極602aの上方に当たる部分には半導体層604aが設けられている。加えて、ゲート絶縁膜603上には、SD電極配線605a、606aが設けられている。これらSD電極配線605a、606aの各々は、一部が半導体層604aに乗り上げており、当該半導体層604a上で間隔を隔てて位置している。SD電極配線606aは、給電パッド503aに接続されている。
これにより、駆動部501aは、画素電極601aと電気的に接続されるので、駆動部501aから画素電極601aへ給電されることになる。
図10(b)は、変形例2に係る表示パネルの構成を模式的に示す部分断面図(図9のD−D’断面)である。図10(b)に示されるように、基板601上にゲート電極602bが設けられ、ゲート電極602bの設けられた基板601上にゲート絶縁膜603が設けられている。ゲート絶縁膜603上における、ゲート電極602bの上方に当たる部分には半導体層604bが設けられている。加えて、ゲート絶縁膜603上には、SD電極配線605b、606bが設けられている。これらSD電極配線605b、606bの各々は、一部が半導体層604bに乗り上げており、当該半導体層604b上で間隔を隔てて位置している。SD電極配線606bは、給電パッド503bに接続されている。
このように、画素電極601bのコンタクトホール504bに相当する部分(ここでは、画素電極601bのうちコンタクトホール504bに入り込んだ部分)と給電パッド503bの間に絶縁部材610が介在している。このため、画素電極601bと給電パッド503bは、電気的に非接続な状態に保たれている。画素電極601bと駆動部501bが電気的に接続されていないため、駆動部501bから画素電極601bへ給電されることはない。したがって、表示パネルにおいて画素電極601bに対応する部分は、滅点となり、表示パネルに欠陥の薄膜トランジスタ素子が存在したとしても、表示パネルに輝点が生じることを防止することができる。
<その他の変形例>
(1)表示パネルが有機EL表示パネルの場合、画素電極と有機発光層との間には、必要に応じて、ホール注入層、ホール輸送層またはホール注入兼輸送層が介挿されていてもよい。共通電極と有機発光層との間には、必要に応じて、電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿されていてもよい。
(2)表示パネルの一例として液晶表示パネルの構成についても簡単に説明する。液晶表示パネルでは、トランジスタアレイ基板上にパッシベーション膜が形成され、パッシベーション膜上に平坦化膜が形成されている。この平坦化膜上に、複数の画素電極が形成されている。ここまでは、EL表示パネルと同様の構成である。EL表示パネルとの違いは、複数の画素電極に対向するように共通電極が設けられ、複数の画素電極と共通電極の間が液晶で充填されている点である。
(3)画素電極205aと画素電極205bは、導電性の材料からなる接続部を介して接続されてもよい。表示パネル105における発光色が列ごとに異なる場合には、画素電極205bを列方向に隣接した画素電極205aに接続するのが好ましい。表示パネル105が単色を表示するものである場合には、必ずしも列方向に隣接する画素電極に接続する必要はなく、行方向に隣接する画素電極に接続してもよい。画素電極601aと画素電極601bについても同様に、導電性の材料からなる接続部を介して接続されてもよい。
(4)ディスペンサ411により絶縁材料を追加するとしたが、乾燥することで絶縁化する絶縁材料をインクジェット等により塗布し、その後、乾かすことで絶縁部材を形成するとしてもよい。ベークしなくても紫外線で硬化するレジスト材料を用いてもよい。
(5)複数の画素電極の各々は、層間絶縁膜上に形成された部分と対応するコンタクトホールに入り込んだ部分とからなる。各部分は、必ずしも一体形成されている必要はなく、各々異なる材料からなることとしてもよい。
(6)表示装置100の外観を示さなかったが、例えば、図11に示すような外観を有する。
101 制御回路
102 メモリ
103 走査線駆動回路
104 データ線駆動回路
105 表示パネル
200 ゲート線
201 データ線
202 電源線
203 スイッチングトランジスタ
204 駆動トランジスタ
205、205a、205b 画素電極
206 保持容量
207 共通電極
208 画素回路
209、209a、209b 駆動部
211a、211b 給電パッド
212a、212b コンタクトホール
401 基板
403 ゲート絶縁膜
407 層間絶縁膜
408 パッシベーション膜
409 平坦化膜
410 絶縁部材
Claims (13)
- 薄膜トランジスタ素子を含む駆動部が複数、マトリクス状に配置されてなるトランジスタアレイ基板と、
前記トランジスタアレイ基板上に形成され、前記複数の駆動部に対応する各領域の一部分にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に前記複数の駆動部に対応してマトリクス状に配置された複数の画素電極を備え、
前記複数の駆動部には、欠陥の駆動部が一部に含まれており、
前記複数の画素電極のうち、欠陥の駆動部にそれぞれ対応するものを第1画素電極と、欠陥でない駆動部にそれぞれ対応するものを第2画素電極と称した場合、
前記第2画素電極の各々は、一部が対応するコンタクトホールに入り込むように形成されており、
前記第2画素電極のそれぞれのコンタクトホールに入り込んでいる部分が、対応する駆動部の給電パッドとコンタクトすることで、前記第2画素電極のそれぞれが、対応する駆動部に電気的に接続されており、
前記第1画素電極のそれぞれのコンタクトホールに相当する部分と、対応する駆動部の給電パッドの間に絶縁部材が介在され、前記第1画素電極のそれぞれが、対応する駆動部と電気的に非接続に保たれており、
前記層間絶縁膜は、前記トランジスタアレイ基板上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に形成された平坦化膜を含み、
前記平坦化膜と前記絶縁部材の材料は共通である
ことを特徴とする表示パネル。 - 前記絶縁部材は、前記第1画素電極のそれぞれに対応するコンタクトホールにおける、底部のみに設けられている
請求項1に記載の表示パネル。 - 前記絶縁部材は、アクリル系樹脂からなる
請求項1または2に記載の表示パネル。 - 前記表示パネルは、エレクトロルミネッセント表示パネルである
請求項1〜3の何れか1項に記載の表示パネル。 - 前記表示パネルは、有機エレクトロルミネッセント表示パネルである
請求項4に記載の表示パネル。 - 基板を準備する準備工程と、
前記基板上に、薄膜トランジスタ素子を含む駆動部を複数マトリクス状に配置することで、トランジスタアレイ基板を形成するトランジスタアレイ基板形成工程と、
前記トランジスタアレイ基板上に、前記複数の駆動部に対応する各領域の一部分にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記複数の駆動部に対応して複数の画素電極をマトリクス状に配置する画素電極形成工程を含み、
前記複数の駆動部には、欠陥の駆動部が一部に含まれており、
前記複数の画素電極のうち、欠陥の駆動部にそれぞれ対応するものを第1画素電極と、欠陥でない駆動部にそれぞれ対応するものを第2画素電極と称した場合、
前記第2画素電極の各々を、一部が対応するコンタクトホールに入り込むように形成し、
前記層間絶縁膜形成工程と前記画素電極形成工程の間に、前記欠陥の駆動部と前記第1画素電極をコンタクトするための各コンタクトホールに絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程を含み、
前記第2画素電極のそれぞれのコンタクトホールに入り込んでいる部分を、対応する駆動部の給電パッドとコンタクトさせることで、前記第2画素電極のそれぞれを、対応する駆動部に電気的に接続し、
前記第1画素電極のそれぞれのコンタクトホールに相当する部分と、対応する駆動部の給電パッドの間に前記絶縁部材を介在させることにより、前記第1画素電極のそれぞれを、対応する駆動部と電気的に非接続とし、
前記層間絶縁膜形成工程では、前記トランジスタアレイ基板上にパッシベーション膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜上に平坦化膜を形成する工程を含み、
前記絶縁部材形成工程では、前記平坦化膜と共通の材料により前記絶縁部材を形成する
表示パネルの製造方法。 - 前記絶縁部材形成工程では、前記各コンタクトホールにおける、底部のみに前記絶縁部材を形成する
請求項6に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記絶縁部材形成工程では、アクリル系樹脂を用いて絶縁部材を形成する
請求項6または7に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記表示パネルは、エレクトロルミネッセント表示パネルである
請求項6〜8の何れか1項に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記表示パネルは、有機エレクトロルミネッセント表示パネルである
請求項9に記載の表示パネルの製造方法。 - 基板を準備する準備工程と、
前記基板上に、薄膜トランジスタ素子を含む駆動部を複数マトリクス状に配置することで、トランジスタアレイ基板を形成するトランジスタアレイ基板形成工程と、
前記トランジスタアレイ基板における各薄膜トランジスタ素子の欠陥の有無を検査する検査工程と、
前記検査の結果に基づいて、前記トランジスタアレイ基板における欠陥の駆動部の位置情報を取得する位置情報取得工程と、
前記トランジスタアレイ基板上に、前記複数の駆動部に対応する各領域の一部分にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記複数の駆動部に対応して複数の画素電極をマトリクス状に配置する画素電極形成工程を含み、
前記複数の駆動部には、欠陥の駆動部が一部に含まれており、
前記複数の画素電極のうち、欠陥の駆動部にそれぞれ対応するものを第1画素電極と、欠陥でない駆動部にそれぞれ対応するものを第2画素電極と称した場合、
前記第2画素電極の各々を、一部が対応するコンタクトホールに入り込むように形成し、
前記層間絶縁膜形成工程と前記画素電極形成工程の間に、前記位置情報に対応するコンタクトホールに絶縁部材を形成する工程を含み、
前記第2画素電極のそれぞれのコンタクトホールに入り込んでいる部分を、対応する駆動部の給電パッドとコンタクトさせることで、前記第2画素電極のそれぞれを、対応する駆動部に電気的に接続し、
前記第1画素電極のそれぞれのコンタクトホールに相当する部分と、対応する駆動部の給電パッドの間に前記絶縁部材を介在させることにより、前記第1画素電極のそれぞれを、対応する駆動部と電気的に非接続とし、
前記層間絶縁膜形成工程では、前記トランジスタアレイ基板上にパッシベーション膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜上に平坦化膜を形成する工程を含み、
前記絶縁部材を形成する工程では、前記平坦化膜と共通の材料により前記絶縁部材を形成する
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 前記絶縁部材を形成する工程では、前記位置情報に対応するコンタクトホールにおける、底部のみに前記絶縁部材を形成する
請求項11に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記絶縁部材を形成する工程では、アクリル系樹脂を用いて絶縁部材を形成する
請求項11または12に記載の表示パネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/002956 WO2012160610A1 (ja) | 2011-05-26 | 2011-05-26 | 表示パネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012160610A1 JPWO2012160610A1 (ja) | 2014-07-31 |
JP5830810B2 true JP5830810B2 (ja) | 2015-12-09 |
Family
ID=47216717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012501065A Active JP5830810B2 (ja) | 2011-05-26 | 2011-05-26 | 表示パネルおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120299116A1 (ja) |
JP (1) | JP5830810B2 (ja) |
KR (1) | KR20140014406A (ja) |
CN (1) | CN102906803A (ja) |
WO (1) | WO2012160610A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012168974A1 (ja) | 2011-06-08 | 2012-12-13 | パナソニック株式会社 | 発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システム |
EP2808916B1 (en) * | 2013-05-30 | 2018-12-12 | LG Display Co., Ltd. | Method of manufacturing an organic light emitting display device |
KR101844284B1 (ko) * | 2013-10-07 | 2018-04-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
CN104267554B (zh) * | 2014-10-14 | 2017-01-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
JP6685675B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2020-04-22 | 株式会社Joled | 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 |
CN107093679A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 修复有机电致发光器件亮点的方法、有机电致发光器件及其制备方法及显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2654259B2 (ja) * | 1991-02-21 | 1997-09-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
JPH095786A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Advanced Display:Kk | Tftアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置およびtftアレイ基板の製造方法 |
TW525305B (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
JP4083752B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2008-04-30 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP2007072116A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2007241183A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置および表示装置の修復方法 |
JP2007298791A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその欠陥修復方法 |
US8021935B2 (en) * | 2008-10-01 | 2011-09-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thin film device fabrication process using 3D template |
-
2011
- 2011-05-26 WO PCT/JP2011/002956 patent/WO2012160610A1/ja active Application Filing
- 2011-05-26 JP JP2012501065A patent/JP5830810B2/ja active Active
- 2011-05-26 CN CN2011800028482A patent/CN102906803A/zh active Pending
- 2011-05-26 KR KR1020117031503A patent/KR20140014406A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-11-09 US US13/292,546 patent/US20120299116A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102906803A (zh) | 2013-01-30 |
KR20140014406A (ko) | 2014-02-06 |
US20120299116A1 (en) | 2012-11-29 |
WO2012160610A1 (ja) | 2012-11-29 |
JPWO2012160610A1 (ja) | 2014-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9761644B2 (en) | Organic electroluminescent device and repairing method thereof | |
CN108231830B (zh) | 有机发光显示装置 | |
TWI545740B (zh) | 有機發光顯示裝置及製造其之方法 | |
JP5830810B2 (ja) | 表示パネルおよびその製造方法 | |
JP5842812B2 (ja) | 表示パネルおよびその製造方法 | |
US9236422B2 (en) | Display panel and production method for same | |
US9153628B2 (en) | Display panel having an inter-layer insulation layer with planar and protruding regions | |
US10403696B2 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
JP6912080B2 (ja) | 有機el表示パネル | |
US20110272677A1 (en) | Organic el display panel and manufacturing method thereof | |
US7274039B2 (en) | Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same | |
KR20130105144A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2019003819A (ja) | 有機el表示パネル | |
US8729535B2 (en) | Organic EL display panel and method for producing same | |
US9947738B2 (en) | Display panel including multilayer wiring and member for reducing probability of power line mis-pressing during manufacturing process, and manufacturing method for the same | |
JP6223070B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP2013168478A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
WO2013094142A1 (ja) | 表示パネルおよび表示装置 | |
JP2016072390A (ja) | 電極端子及び表示パネル | |
KR20130105161A (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140606 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20150206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5830810 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |