JP5829881B2

JP5829881B2 - Cutting equipment

Info

Publication number: JP5829881B2
Application number: JP2011223467A
Authority: JP
Inventors: 浩吉湊; 宏彦香西; 毅北浦
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2011-10-07
Filing date: 2011-10-07
Publication date: 2015-12-09
Anticipated expiration: 2031-10-07
Also published as: JP2013084755A

Description

本発明は、チャックテーブルに保持された被加工物としてのウェーハを切削する切削装置に関するものである。 The present invention relates to a cutting device for cutting a wafer as a workpiece held on a chuck table.

従来より、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが複数形成されるウェーハについては、製造工程中における割れや発塵防止のために、その外周に面取り加工が施されている。そのため、ウェーハを薄く研削すると、外周の面取り部分がナイフエッジ状（ひさし状）に形成される。外周の面取り部分がナイフエッジ状に形成されると、ウェーハの外周から欠けが生じることがあった。そこで、予め外周の面取り部分を切削ブレードにより周方向に切削して一部を除去した後、ウェーハの裏面を研削する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, a wafer on which a plurality of devices such as ICs and LSIs are formed has been chamfered on the outer periphery in order to prevent cracking and dust generation during the manufacturing process. Therefore, when the wafer is thinly ground, a chamfered portion on the outer periphery is formed in a knife edge shape (eave shape). When the outer peripheral chamfered portion is formed in a knife edge shape, chipping may occur from the outer periphery of the wafer. Therefore, a technique has been proposed in which a chamfered portion of the outer periphery is cut in the circumferential direction with a cutting blade in advance to remove a part thereof, and then the back surface of the wafer is ground (see, for example, Patent Document 1).

ここで、切削ブレードによりウェーハの外周を周方向に切削する際には、ウェーハの中心と、ウェーハの保持手段であるチャックテーブルの回転中心とが正確に一致していないと、ウェーハの外周部における被切削部分の幅が一定にならない虞がある。そこで、チャックテーブルに載置したウェーハの外縁部を撮像手段で撮像し、撮像して得た画像のウェーハの輪郭の３点の座標位置からウェーハの中心位置を算出し、かかるウェーハの中心位置とチャックテーブルの回転中心位置とのずれ量を求め、ずれ量を補正するように切削ブレードを移動させて、ウェーハの中心位置から同一距離となる一部を周方向に切削して除去する方法が採用されている（例えば、特許文献２参照）。 Here, when the outer periphery of the wafer is cut in the circumferential direction by the cutting blade, if the center of the wafer and the rotation center of the chuck table that is the holding means of the wafer do not exactly coincide, There is a possibility that the width of the part to be cut may not be constant. Therefore, the outer edge portion of the wafer placed on the chuck table is imaged by the imaging means, the center position of the wafer is calculated from the three coordinate positions of the wafer outline of the image obtained by imaging, and the wafer center position and A method is adopted in which the amount of deviation from the rotation center position of the chuck table is obtained, the cutting blade is moved so as to correct the amount of deviation, and a part that is the same distance from the center position of the wafer is cut and removed in the circumferential direction. (For example, refer to Patent Document 2).

撮像手段で撮像した画像からウェーハの輪郭の３点の座標位置を検出する際には、ウェーハの外周の面取り部分と、ウェーハの面取り部分を除く中央部分と、チャックテーブルの外周部との反射率が互いに異なることを利用して、ウェーハの輪郭を浮き上がらせている。 When detecting the coordinate position of the three points of the wafer outline from the image taken by the imaging means, the reflectance of the chamfered portion on the outer periphery of the wafer, the central portion excluding the chamfered portion of the wafer, and the outer peripheral portion of the chuck table The fact that the wafers are different from each other is used to raise the outline of the wafer.

特開２０００−１７３９６１号公報JP 2000-173961 A 特開２００６−９３３３３号公報JP 2006-93333 A

しかしながら、前述した特許文献２に示された切削装置は、ウェーハの面取り部分の一部の除去を繰り返し行なうと、切削屑がウェーハの外周側でポーラスで構成されたチャックテーブルの表面に露出したポーラスの孔内に侵入して、チャックテーブルの外周部が汚れてしまう。かかる切削屑等によりチャックテーブルの外周部が汚れてしまうと、撮像手段で撮像して得た画像は、ウェーハの外周の面取り部分とチャックテーブルの外周部とのコントラストが不明確となり、ウェーハの輪郭を浮き上がらせることができずに、ウェーハの輪郭の位置を誤認識してしまう虞がある。 However, in the cutting apparatus disclosed in Patent Document 2 described above, when a part of the chamfered portion of the wafer is repeatedly removed, the scraps are exposed on the surface of the chuck table composed of the porous on the outer peripheral side of the wafer. The outer periphery of the chuck table is contaminated. If the outer periphery of the chuck table is contaminated by such cutting waste, the contrast between the chamfered portion of the outer periphery of the wafer and the outer periphery of the chuck table becomes unclear in the image obtained by the imaging means, and the contour of the wafer May not be lifted up and the position of the wafer outline may be erroneously recognized.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、切削加工により生じるウェーハの切削屑によるチャックテーブルの外周部の汚れを低減し、ウェーハの輪郭の誤認識を防止できることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to reduce contamination of the outer peripheral portion of the chuck table due to wafer cutting waste generated by cutting and to prevent erroneous recognition of the contour of the wafer. .

前述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る切削装置は、外周縁に表面から裏面にかけて円弧状の面取り部が形成された円盤形状のウェーハを表面に保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの該面取り部を周方向に沿って除去する切削手段と、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面に光を照射し該表面を撮像する撮像手段と、を備える切削装置であって、該チャックテーブルは、該ウェーハの裏面全面を吸引保持する保持部と、該保持部の外周を囲繞して配設された外周リング部とを有し、該外周リング部の内径は該ウェーハの外径よりも小さく外径は該ウェーハの外径よりも大きく形成されており、該保持部の中心に該ウェーハの中心を位置づけて保持した際にウェーハの外周縁を囲繞し、該外周リング部は、該撮像手段から照射された光が正反射して該ウェーハの輪郭とのコントラストを明確にする材質で形成された光正反射層と、該光正反射層の上部に積層され該撮像手段から照射された光が透過する石英ガラス層とからなり、該石英ガラス層の表面と該保持部の表面は同一面に形成されているとともに、該石英ガラス層の表面粗さが切削屑よりも小さく形成されていることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, a cutting apparatus according to the present invention includes a chuck table for holding a disk-shaped wafer having an arc-shaped chamfered portion formed on the outer peripheral edge from the front surface to the back surface. Cutting means for removing the chamfered portion of the wafer held by the chuck table along the circumferential direction; and imaging means for irradiating the surface of the wafer held by the chuck table with light to image the surface. The chuck table has a holding portion that sucks and holds the entire back surface of the wafer, and an outer peripheral ring portion that is disposed so as to surround the outer periphery of the holding portion. The inner diameter of the ring portion is smaller than the outer diameter of the wafer and the outer diameter is larger than the outer diameter of the wafer. When the center of the wafer is positioned at the center of the holding portion and held, The outer peripheral ring portion surrounds the periphery, and the light irradiating from the imaging means is regularly reflected so that the light regular reflection layer formed of a material that makes the contrast with the outline of the wafer clear, and the light regular reflection layer consists of a quartz glass layer light emitted from the image pickup means is laminated to the upper passes, together with the surface of the surface and the holding portion of the quartz glass layer is formed on the same surface, the surface of the quartz glass layer The roughness is smaller than the cutting waste .

また、前記切削装置では、該チャックテーブルの該光正反射層はアルミナセラミックで形成されていることが好ましい。 In the cutting apparatus, it is preferable that the light regular reflection layer of the chuck table is formed of alumina ceramic.

本発明に係る切削装置は、例えば、アルミナセラミックで構成されて正反射率の高い光正反射層の上に、表面粗さの細かい石英ガラス層を積層し、石英ガラス層の表面をチャックテーブルの保持部の表面と同一面に形成することで、切削屑が石英ガラス層の表面に留まることを極力低減できる。このために、切削加工を繰り返し行なっても、チャックテーブルの外周部である石英ガラス層が切削屑により汚れることを抑制でき、ウェーハの外縁の誤認識を抑制することができる。 The cutting device according to the present invention is formed, for example, by laminating a quartz glass layer having a fine surface roughness on a light regular reflection layer made of alumina ceramic and having a high regular reflectance, and holding the surface of the quartz glass layer on a chuck table. By forming it on the same plane as the surface of the part, it is possible to reduce as much as possible that the cutting waste remains on the surface of the quartz glass layer. For this reason, even if it cuts repeatedly, it can suppress that the quartz glass layer which is an outer peripheral part of a chuck | zipper table becomes dirty with cutting waste, and can suppress the misrecognition of the outer periphery of a wafer.

図１は、実施形態に係る切削装置の構成例を示す図である。Drawing 1 is a figure showing the example of composition of the cutting device concerning an embodiment. 図２は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルなどの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a chuck table and the like of the cutting apparatus according to the embodiment. 図３は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルと撮像手段との位置関係を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a positional relationship between the chuck table and the imaging unit of the cutting apparatus according to the embodiment. 図４は、実施形態に係る切削装置の撮像手段が得た画像に２値化処理を施して得られた２値画像の一例を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating an example of a binary image obtained by performing binarization processing on an image obtained by the imaging unit of the cutting apparatus according to the embodiment. 図５は、図４に示された画像からウェーハの外縁を抽出した状態を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state in which the outer edge of the wafer is extracted from the image shown in FIG.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

図１は、実施形態に係る切削装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルなどの斜視図である。図３は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルと撮像手段との位置関係を示す説明図である。図４は、実施形態に係る切削装置の撮像手段が得た画像に２値化処理を施して得られた２値画像の一例を示す説明図である。図５は、図４に示された画像からウェーハの外縁を抽出した状態を示す説明図である。 Drawing 1 is a figure showing the example of composition of the cutting device concerning an embodiment. FIG. 2 is a perspective view of a chuck table and the like of the cutting apparatus according to the embodiment. FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a positional relationship between the chuck table and the imaging unit of the cutting apparatus according to the embodiment. FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating an example of a binary image obtained by performing binarization processing on an image obtained by the imaging unit of the cutting apparatus according to the embodiment. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state in which the outer edge of the wafer is extracted from the image shown in FIG.

本実施形態に係る切削装置１は、切削ブレード２１を有する切削手段２０とウェーハＷを保持したチャックテーブル１０とを相対移動させることで、ウェーハＷを切削するものである。なお、ウェーハＷの詳細は、後程、説明する。図１に示すように、切削装置１は、装置本体３と、チャックテーブル１０と、切削手段２０と、撮像手段３０と、画像処理手段１０１と、制御手段１００とを含んで構成されている。 The cutting apparatus 1 according to the present embodiment cuts the wafer W by relatively moving the cutting means 20 having the cutting blade 21 and the chuck table 10 holding the wafer W. Details of the wafer W will be described later. As shown in FIG. 1, the cutting apparatus 1 includes an apparatus main body 3, a chuck table 10, a cutting means 20, an imaging means 30, an image processing means 101, and a control means 100.

チャックテーブル１０は、後述する保持部１２の表面１２ａにウェーハＷを保持するものである。チャックテーブル１０は、図示しない着脱機構によりテーブル移動基台２に着脱自在に取り付けられている。チャックテーブル１０の詳細は、後程、説明する。 The chuck table 10 holds the wafer W on a surface 12a of a holding unit 12 described later. The chuck table 10 is detachably attached to the table moving base 2 by an attachment / detachment mechanism (not shown). Details of the chuck table 10 will be described later.

切削手段２０は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの後述する面取り部８を周方向に沿って切削ブレード２１により切削、除去するものである。切削ブレード２１は、図１に示すように、略リング形状を有する極薄の切削砥石であり、スピンドル２２に着脱自在に装着される。スピンドル２２は、支持部４に取り付けられた円筒形状のハウジング２３に回転可能に支持され、ハウジング２３に収納されている図示しないブレード駆動源に連結されている。切削ブレード２１は、ブレード駆動源により発生した回転力により回転駆動する。 The cutting means 20 cuts and removes a chamfered portion 8 (described later) of the wafer W held on the chuck table 10 with a cutting blade 21 along the circumferential direction. As shown in FIG. 1, the cutting blade 21 is an extremely thin cutting grindstone having a substantially ring shape, and is detachably attached to the spindle 22. The spindle 22 is rotatably supported by a cylindrical housing 23 attached to the support portion 4, and is connected to a blade drive source (not shown) housed in the housing 23. The cutting blade 21 is rotationally driven by the rotational force generated by the blade drive source.

撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの表面Ｗａ，Ｗｃに光を照射し、これらの表面Ｗａ，Ｗｃを撮像するものである。本実施形態では、撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの外縁部の一部の画像を得る。撮像手段３０は、チャックテーブル１０および切削手段２０が、加工装置１が加工動作を開始する前の基準位置に位置した状態で、チャックテーブル１０上のウェーハＷの外縁部の一部とＺ軸方向に対向するように、支持部４に取り付けられている。 The imaging means 30 irradiates the surfaces Wa and Wc of the wafer W held on the chuck table 10 with light, and images these surfaces Wa and Wc. In the present embodiment, the imaging unit 30 obtains an image of a part of the outer edge portion of the wafer W held on the chuck table 10. The imaging unit 30 is configured so that the chuck table 10 and the cutting unit 20 are positioned at a reference position before the processing apparatus 1 starts the processing operation, and a part of the outer edge portion of the wafer W on the chuck table 10 and the Z-axis direction. It is attached to the support part 4 so that it may oppose.

撮像手段３０は、図３に示すように、ＣＣＤカメラなどの撮像装置３１と、照明装置３２とを備えている。撮像装置３１は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの面取り部８を含む外縁部の一部とチャックテーブル１０の外縁部の一部を撮像して、画像を得る装置である。照明装置３２は、撮像装置３１が撮像するウェーハＷ及びチャックテーブル１０の外縁部に光を照射する装置であって、光源３３と光源３３からの光をウェーハＷの外縁部の一部に向かって反射するミラー３４などを備えている。なお、撮像装置３１と照明装置３２の詳細は、後程、説明する。 As shown in FIG. 3, the imaging means 30 includes an imaging device 31 such as a CCD camera and an illumination device 32. The imaging device 31 is a device that obtains an image by imaging a part of the outer edge including the chamfered portion 8 of the wafer W held on the chuck table 10 and a part of the outer edge of the chuck table 10. The illumination device 32 is a device that irradiates light to the outer edge portion of the wafer W and the chuck table 10 imaged by the imaging device 31, and the light from the light source 33 and the light source 33 toward a part of the outer edge portion of the wafer W. A reflecting mirror 34 and the like are provided. Details of the imaging device 31 and the illumination device 32 will be described later.

画像処理手段１０１は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されている。なお、画像処理手段１０１の詳細は、後程、説明する。 The image processing means 101 is configured mainly by a microprocessor (not shown) including an arithmetic processing unit configured by a CPU or the like, a ROM, a RAM, or the like. Details of the image processing unit 101 will be described later.

制御手段１００は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成され、切削装置１による加工動作を制御するものである。制御手段１００は、テーブル移動基台２、真空供給源、ブレード駆動源、撮像手段３０、画像処理手段１０１、後述するＸ軸移動手段４０、Ｙ軸移動手段５０、Ｚ軸移動手段６０、カセットエレベータ７０、仮置き手段８０、洗浄・乾燥手段９０などと接続されている。制御手段１００は、画像処理手段１０１が後述するように抽出したウェーハＷの中心位置などに基いて、切削手段２０によりチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの面取り部８を周方向に沿って除去する際に、切削ブレード２１とウェーハＷの中心位置との距離が一定となるように、Ｙ軸移動手段５０を制御する。 The control means 100 is mainly composed of an arithmetic processing unit constituted by, for example, a CPU or the like and a microprocessor (not shown) provided with a ROM, a RAM, etc., and controls the machining operation by the cutting device 1. The control means 100 includes a table moving base 2, a vacuum supply source, a blade drive source, an imaging means 30, an image processing means 101, an X-axis moving means 40, a Y-axis moving means 50, a Z-axis moving means 60, a cassette elevator, which will be described later. 70, temporary placing means 80, cleaning / drying means 90, and the like. The control unit 100 removes the chamfered portion 8 of the wafer W held on the chuck table 10 by the cutting unit 20 along the circumferential direction based on the center position of the wafer W extracted by the image processing unit 101 as described later. In doing so, the Y-axis moving means 50 is controlled so that the distance between the cutting blade 21 and the center position of the wafer W is constant.

また、本実施形態にかかる切削装置１は、さらに、Ｘ軸移動手段４０と、Ｙ軸移動手段５０と、Ｚ軸移動手段６０と、カセットエレベータ７０と、仮置き手段８０と、洗浄・乾燥手段９０とを含んでいる。 The cutting apparatus 1 according to the present embodiment further includes an X-axis moving unit 40, a Y-axis moving unit 50, a Z-axis moving unit 60, a cassette elevator 70, a temporary placing unit 80, and a cleaning / drying unit. 90.

Ｘ軸移動手段４０は、切削ブレード２１に対してウェーハＷをＸ軸方向に相対移動させるものである。本実施形態では、Ｘ軸移動手段４０は、Ｘ軸と平行でかつテーブル移動基台２の図示しないナットに螺合した図示しないＸ軸ねじ軸と、Ｘ軸ねじ軸を軸心周りに回転させる図示しないＸ軸パルスモータと、Ｘ軸と平行でかつテーブル移動基台２の図示しないスライダをスライド自在に支持した図示しない一対のＸ軸ガイドレールとを含んでいる。Ｘ軸移動手段４０は、テーブル移動基台２を装置本体３に対してＸ軸方向に移動させることで、テーブル移動基台２を介して、テーブル移動基台２に取り付けられているチャックテーブル１０を装置本体３に対してＸ軸方向に移動させる。 The X-axis moving unit 40 moves the wafer W relative to the cutting blade 21 in the X-axis direction. In the present embodiment, the X-axis moving means 40 rotates an X-axis screw shaft (not shown) that is parallel to the X-axis and screwed to a nut (not shown) of the table moving base 2 around the axis. An X-axis pulse motor (not shown) and a pair of X-axis guide rails (not shown) that are parallel to the X-axis and slidably support a slider (not shown) of the table moving base 2 are included. The X-axis moving means 40 moves the table moving base 2 in the X-axis direction with respect to the apparatus main body 3, thereby the chuck table 10 attached to the table moving base 2 via the table moving base 2. Is moved in the X-axis direction with respect to the apparatus main body 3.

なお、テーブル移動基台２は、装置本体３において、その中心軸線を中心に回転自在に支持され、装置本体３に収納されている図示しない中心軸周り駆動源により回転駆動される。 The table moving base 2 is supported in the apparatus main body 3 so as to be rotatable about the central axis thereof, and is rotationally driven by a driving source around a central axis (not shown) housed in the apparatus main body 3.

Ｙ軸移動手段５０は、切削ブレード２１とチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷとをＹ軸方向において相対移動させることで、ウェーハＷに対する割り出し送りを実現するものである。本実施形態では、Ｙ軸移動手段５０は、Ｙ軸と平行でかつブレード移動基台６の図示しないナットに螺合した図示しないＹ軸ねじ軸と、Ｙ軸ねじ軸を軸心周りに回転させるＹ軸パルスモータ５１と、Ｙ軸方向と平行でかつブレード移動基台６の図示しないスライダをスライド自在に支持した図示しない一対のＹ軸ガイドレールとを含んでいる。Ｙ軸移動手段５０は、装置本体３に対して、ブレード移動基台６をＹ軸方向に移動させることで、このブレード移動基台６にＺ軸方向に移動自在に設けられた支持部４を介して、切削ブレード２１をウェーハＷに対してＹ軸方向に移動させる。 The Y-axis moving means 50 realizes the index feed with respect to the wafer W by relatively moving the cutting blade 21 and the wafer W held on the chuck table 10 in the Y-axis direction. In the present embodiment, the Y-axis moving means 50 rotates a Y-axis screw shaft (not shown) that is parallel to the Y-axis and screwed to a nut (not shown) of the blade moving base 6 and the Y-axis screw shaft around the axis. A Y-axis pulse motor 51 and a pair of Y-axis guide rails (not shown) that are parallel to the Y-axis direction and slidably support a slider (not shown) of the blade moving base 6 are included. The Y-axis moving means 50 moves the blade moving base 6 in the Y-axis direction with respect to the apparatus main body 3, so that the support portion 4 provided on the blade moving base 6 is movable in the Z-axis direction. Then, the cutting blade 21 is moved in the Y-axis direction with respect to the wafer W.

Ｚ軸移動手段６０は、切削ブレード２１とチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷとをＺ軸方向において相対移動させることで、ウェーハＷに対する切り込み量を変更する。本実施形態では、Ｚ軸移動手段６０は、Ｚ軸と平行でかつ支持部４の内部に設けられた図示しないナットと螺合したＺ軸ねじ軸６１と、Ｚ軸ねじ軸６１を軸心周りに回転させるＺ軸パルスモータ６２と、Ｚ軸と平行でかつ支持部４の図示しないスライダをスライド自在に支持した一対のＺ軸ガイドレール６３とを含んでいる。Ｚ軸移動手段６０は、ブレード移動基台６の壁部５に対して、支持部４をＺ軸方向に移動させることで、支持部４を介して、切削ブレード２１をウェーハＷに対してＺ軸方向に移動させる。 The Z-axis moving means 60 changes the cutting amount with respect to the wafer W by relatively moving the cutting blade 21 and the wafer W held on the chuck table 10 in the Z-axis direction. In the present embodiment, the Z-axis moving means 60 includes a Z-axis screw shaft 61 that is parallel to the Z-axis and is screwed with a nut (not shown) provided inside the support portion 4, and the Z-axis screw shaft 61 around the axis. And a pair of Z-axis guide rails 63 parallel to the Z-axis and slidably supported by a slider (not shown) of the support portion 4. The Z-axis moving means 60 moves the support portion 4 in the Z-axis direction with respect to the wall portion 5 of the blade moving base 6, thereby moving the cutting blade 21 to the wafer W via the support portion 4. Move in the axial direction.

カセットエレベータ７０は、ウェーハＷを１枚ずつ収納する収納部がＺ軸方向に複数形成されており、一度に複数のウェーハＷを収納するものである。カセットエレベータ７０は、装置本体３の内部に形成された図示しない空間部内をＺ軸方向において昇降自在に構成されている。 The cassette elevator 70 is formed with a plurality of storage portions for storing wafers W one by one in the Z-axis direction, and stores a plurality of wafers W at a time. The cassette elevator 70 is configured to be movable up and down in the Z-axis direction in a space (not shown) formed inside the apparatus main body 3.

仮置き手段８０は、一対のレールを有し、一対のレール上に加工前後のウェーハＷを一時的に載置するものである。洗浄・乾燥手段９０は、スピンナテーブル９１を有し、加工後のウェーハＷが載置され、保持される。スピンナテーブル９１は、装置本体３に収納されている図示しないスピンナテーブル駆動源と連結されている。洗浄・乾燥手段９０は、スピンナテーブル９１にウェーハＷが保持されると、スピンナテーブル駆動源が発生する回転力により、ウェーハＷを回転させ、図示しない洗浄液噴射装置からウェーハＷに対して洗浄液を噴射することで洗浄し、洗浄後のウェーハＷに対して図示しない気体噴射装置から気体を噴射することで乾燥させる。 The temporary placing means 80 has a pair of rails, and temporarily places the wafers W before and after processing on the pair of rails. The cleaning / drying means 90 has a spinner table 91 on which a processed wafer W is placed and held. The spinner table 91 is connected to a spinner table driving source (not shown) housed in the apparatus main body 3. When the wafer W is held on the spinner table 91, the cleaning / drying means 90 rotates the wafer W by the rotational force generated by the spinner table driving source, and sprays the cleaning liquid onto the wafer W from a cleaning liquid spraying device (not shown). Then, the wafer W after cleaning is dried by jetting gas from a gas jetting device (not shown).

ウェーハＷは、切削装置１により加工される円盤形状の加工対象であり、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とするウエーハである。ウェーハＷは、デバイスが複数形成されている実装部７の表面Ｗａの裏側の裏面ＷｂにダイシングテープＴが貼着され、ウェーハＷに貼着されたダイシングテープＴがフレームＦに貼着されることで、フレームＦに固定される。 The wafer W is a disk-shaped object to be processed by the cutting apparatus 1, and is a wafer having a base material of silicon, sapphire, gallium or the like in this embodiment. As for wafer W, dicing tape T is stuck on back surface Wb of the back side of surface Wa of mounting part 7 in which a plurality of devices are formed, and dicing tape T stuck on wafer W is stuck on frame F. Thus, the frame F is fixed.

ウェーハＷは、図３に示すように、表面Ｗａと裏面Ｗｂとの双方が平坦でかつ互いに平行な実装部７と、この実装部７の外縁に連なった面取り部８とを一体に備えている。実装部７は、円盤状に形成されている。面取り部８は、実装部７の外縁に連なって、ウェーハＷの外周縁に形成されている。面取り部８は、実装部７の表面Ｗａから裏面Ｗｂにかけて断面円弧状に形成されている。ウェーハＷは、実装部７の表面Ｗａが照明装置３２などからの光を正反射し、面取り部８の表面Ｗｃが照明装置３２などからの光を拡散反射する。なお、実装部７の表面Ｗａと面取り部８の表面Ｗｃは、ウェーハＷの表面を構成する。 As shown in FIG. 3, the wafer W is integrally provided with a mounting portion 7 in which both the front surface Wa and the back surface Wb are flat and parallel to each other, and a chamfered portion 8 connected to the outer edge of the mounting portion 7. . The mounting part 7 is formed in a disk shape. The chamfered portion 8 is connected to the outer edge of the mounting portion 7 and is formed on the outer peripheral edge of the wafer W. The chamfered portion 8 is formed in a circular arc shape from the front surface Wa to the back surface Wb of the mounting portion 7. In the wafer W, the surface Wa of the mounting portion 7 regularly reflects light from the illumination device 32 and the surface Wc of the chamfered portion 8 diffusely reflects light from the illumination device 32 and the like. Note that the surface Wa of the mounting portion 7 and the surface Wc of the chamfered portion 8 constitute the surface of the wafer W.

チャックテーブル１０は、図２及び図３に示すように、装置本体３の中央に設けられたテーブル移動基台２に取り付けられるテーブル本体１１と、保持部１２と、外周リング部１３とを備えている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the chuck table 10 includes a table body 11 attached to a table moving base 2 provided at the center of the apparatus body 3, a holding portion 12, and an outer peripheral ring portion 13. Yes.

テーブル本体１１は、ステンレス鋼などの金属で構成され、かつ円盤状の底板部１４と、底板部１４の外縁から立設した円筒状の筒状部１５とを備えて、有底筒状に形成されている。筒状部１５の内径は、ウェーハＷの外径よりも大きく形成されている。筒状部１５は、図示しない着脱機構によりテーブル移動基台２に着脱自在に取り付けられている。筒状部１５の上面１５ａは、平坦に形成されて、照明装置３２などからの光を正反射する。 The table body 11 is made of a metal such as stainless steel, and includes a disk-shaped bottom plate portion 14 and a cylindrical tube portion 15 erected from the outer edge of the bottom plate portion 14, and is formed into a bottomed cylindrical shape. Has been. The inner diameter of the cylindrical portion 15 is formed larger than the outer diameter of the wafer W. The cylindrical portion 15 is detachably attached to the table moving base 2 by an attachment / detachment mechanism (not shown). The upper surface 15a of the cylindrical portion 15 is formed flat and regularly reflects light from the illumination device 32 or the like.

保持部１２は、ポーラスセラミックで構成され、かつ外径が筒状部１５の内径よりも小さな円盤状に形成されている。保持部１２は、底板部１４上に固定されて筒状部１５内に収容されている。保持部１２は、筒状部１５即ちテーブル本体１１と同軸に設けられている。保持部１２は、表面１２ａ（チェックテーブル１０の表面に相当）上にウェーハＷが載置される。保持部１２の表面１２ａには、真空吸引源からの負圧が真空吸引経路を介して導入される。保持部１２の表面１２ａに導入された負圧は、表面１２ａ上に載置されたウェーハＷに対して吸引力を発生して、ウェーハＷを保持部１２の表面１２ａに吸引保持する。こうして、保持部１２は、真空吸引源などにより、ウェーハＷの裏面Ｗｂ全体を吸引保持し、表面１２ａの中心上にウェーハＷの中心を位置付けて、ウェーハＷを保持する。なお、保持部１２の表面１２ａは、テーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａと同一面に形成されている。 The holding part 12 is made of porous ceramic and has a disk shape whose outer diameter is smaller than the inner diameter of the cylindrical part 15. The holding part 12 is fixed on the bottom plate part 14 and accommodated in the cylindrical part 15. The holding portion 12 is provided coaxially with the cylindrical portion 15, that is, the table main body 11. The holding unit 12 has the wafer W placed on the surface 12a (corresponding to the surface of the check table 10). A negative pressure from a vacuum suction source is introduced into the surface 12a of the holding unit 12 through a vacuum suction path. The negative pressure introduced to the surface 12 a of the holding unit 12 generates a suction force for the wafer W placed on the surface 12 a, and sucks and holds the wafer W on the surface 12 a of the holding unit 12. Thus, the holding unit 12 sucks and holds the entire back surface Wb of the wafer W by a vacuum suction source or the like, and positions the center of the wafer W on the center of the front surface 12a to hold the wafer W. The surface 12 a of the holding part 12 is formed on the same surface as the upper surface 15 a of the cylindrical part 15 of the table body 11.

外周リング部１３は、保持部１２の外周を囲繞して配設されている。外周リング部１３は、内径が保持部１２の外径と等しく外径が筒状部１５の内径と等しい円環状に形成されている。外周リング部１３の内径は、ウェーハＷの外径よりも小さく設定されている。外周リング部１３の外径は、ウェーハＷの外径よりも大きく設定されている。外周リング部１３は、保持部１２の外側でかつ筒状部１５の内側に設けられて、テーブル本体１１の筒状部１５内に収容されている。外周リング部１３は、保持部１２の中心にウェーハＷの中心を位置づけて保持した際にウェーハＷの外周縁を囲繞する。外周リング部１３は、テーブル本体１１の底板部１４上に設けられる光正反射層１６と、石英ガラス層１７とを備えている。光正反射層１６は、撮像手段３０の照明装置３２から照射された光が正反射してウェーハＷの輪郭Ｅとのコントラストを明確にする材質で形成されている。光正反射層１６は、アルミナを焼結して形成されたアルミナセラミックや発泡された石英ガラス即ち細かな気泡が設けられて白色化した石英ガラスなどで構成されている。本実施形態では、光正反射層１６は、アルミナセラミックで形成されている。 The outer peripheral ring portion 13 is disposed so as to surround the outer periphery of the holding portion 12. The outer peripheral ring portion 13 is formed in an annular shape having an inner diameter equal to the outer diameter of the holding portion 12 and an outer diameter equal to the inner diameter of the cylindrical portion 15. The inner diameter of the outer peripheral ring portion 13 is set smaller than the outer diameter of the wafer W. The outer diameter of the outer peripheral ring portion 13 is set larger than the outer diameter of the wafer W. The outer peripheral ring portion 13 is provided outside the holding portion 12 and inside the cylindrical portion 15 and is accommodated in the cylindrical portion 15 of the table main body 11. The outer peripheral ring portion 13 surrounds the outer peripheral edge of the wafer W when the center of the wafer W is positioned and held at the center of the holding portion 12. The outer peripheral ring portion 13 includes a light regular reflection layer 16 provided on the bottom plate portion 14 of the table body 11 and a quartz glass layer 17. The light regular reflection layer 16 is formed of a material that makes regular reflection of light emitted from the illumination device 32 of the imaging unit 30 and makes the contrast with the contour E of the wafer W clear. The light regular reflection layer 16 is made of alumina ceramic formed by sintering alumina, foamed quartz glass, that is, quartz glass whitened with fine bubbles. In the present embodiment, the light regular reflection layer 16 is made of alumina ceramic.

石英ガラス層１７は、光正反射層１６の上部に積層されている。石英ガラス層１７は、石英から形成されるガラス（所謂、石英ガラス）で構成されている。石英ガラス層１７は、透明に形成されて、撮像手段３０の照明装置３２から照射された光を透過する。石英ガラス層１７の表面１７ａは、保持部１２の表面１２ａ及びテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａと同一面に形成されている。また、石英ガラス層１７の表面１７ａの表面粗さは、ウェーハＷに切削加工を施して生じる切削屑のうち最も小さな切削屑（直径１μｍ程度）よりも小さく形成されている。 The quartz glass layer 17 is laminated on the top of the light regular reflection layer 16. The quartz glass layer 17 is made of glass formed from quartz (so-called quartz glass). The quartz glass layer 17 is formed to be transparent, and transmits the light irradiated from the illumination device 32 of the imaging unit 30. The surface 17 a of the quartz glass layer 17 is formed on the same surface as the surface 12 a of the holding portion 12 and the upper surface 15 a of the cylindrical portion 15 of the table body 11. Further, the surface roughness of the surface 17a of the quartz glass layer 17 is smaller than the smallest cutting waste (diameter of about 1 μm) among the cutting waste generated by cutting the wafer W.

前述した構成の外周リング部１３は、保持部１２上に載置されたウェーハＷの面取り部８が重ねられる。こうして、外周リング部１３は、面取り部８即ちウェーハＷの外周縁を囲繞する。 In the outer peripheral ring portion 13 having the above-described configuration, the chamfered portion 8 of the wafer W placed on the holding portion 12 is overlaid. Thus, the outer peripheral ring portion 13 surrounds the chamfered portion 8, that is, the outer peripheral edge of the wafer W.

撮像手段３０の撮像装置３１と照明装置３２とは、照明装置３２が照射してウェーハＷの実装部７の表面Ｗａ、光正反射層１６及びテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａにより正反射される光を、撮像装置３１が受光できる位置に設けられている。撮像装置３１と照明装置３２とは、照明装置３２が照射してウェーハＷの面取り部８の表面Ｗｃにより拡散反射された光を、撮像装置３１が受光しない位置に設けられている。本実施形態では、撮像装置３１と照明装置３２とは、隣接している。撮像手段３０は、照明装置３２がチャックテーブル１０上のウェーハＷの外縁部の一部に光を照射し、撮像装置３１が実装部７の表面Ｗａ、光正反射層１６及びテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａにより正反射される光を受光して得た画像を画像処理手段１０１に出力する。 The imaging device 31 and the illuminating device 32 of the imaging means 30 are regularly reflected by the surface Wa of the mounting portion 7 of the wafer W, the light regular reflection layer 16 and the upper surface 15a of the cylindrical portion 15 of the table main body 11 by the illumination device 32. The light to be received is provided at a position where the imaging device 31 can receive light. The imaging device 31 and the illuminating device 32 are provided at positions where the imaging device 31 does not receive the light irradiated by the illuminating device 32 and diffusely reflected by the surface Wc of the chamfered portion 8 of the wafer W. In the present embodiment, the imaging device 31 and the illumination device 32 are adjacent to each other. In the imaging unit 30, the illumination device 32 irradiates a part of the outer edge portion of the wafer W on the chuck table 10, and the imaging device 31 has a cylindrical shape of the surface Wa of the mounting unit 7, the light regular reflection layer 16, and the table body 11. An image obtained by receiving the light regularly reflected by the upper surface 15 a of the unit 15 is output to the image processing means 101.

画像処理手段１０１は、撮像手段３０から入力した画像に所定の閾値で２値化処理を施して、２値画像Ｇ（図４に示す）を得て、２値画像ＧからウェーハＷの輪郭Ｅを抽出して、ウェーハＷの中心位置を抽出する。画像処理手段１０１は、抽出したウェーハＷの中心位置を制御手段１００に出力する。 The image processing unit 101 performs binarization processing on the image input from the imaging unit 30 with a predetermined threshold value to obtain a binary image G (shown in FIG. 4), and the contour E of the wafer W from the binary image G. And the center position of the wafer W is extracted. The image processing unit 101 outputs the extracted center position of the wafer W to the control unit 100.

次に、本実施形態に係る切削装置１の加工動作を説明する。切削装置１は、搬出入手段１３０によりカセットエレベータ７０から切削加工前のウェーハＷを仮置き手段８０上に載置し、仮置き手段８０に載置されたウェーハＷを搬送手段によりチャックテーブル１０の保持部１２上に載置する。保持部１２が、ウェーハＷを吸引保持する。撮像手段３０の撮像装置３１が、チャックテーブル１０の保持部１２に保持されたウェーハＷの面取り部８を含む外縁部の一部とチャックテーブル１０の外縁部の一部とを撮像して画像を得る。撮像装置３１が得た画像では、実装部７の表面Ｗａにより反射された光の輝度値は、面取り部８に乱反射された光の輝度値よりも遥かに大きくなっている。 Next, the machining operation of the cutting apparatus 1 according to this embodiment will be described. The cutting apparatus 1 places the wafer W before cutting from the cassette elevator 70 on the temporary placing means 80 by the carry-in / out means 130 and places the wafer W placed on the temporary placing means 80 on the chuck table 10 by the conveying means. Place on the holder 12. The holding unit 12 holds the wafer W by suction. The imaging device 31 of the imaging means 30 captures an image by imaging a part of the outer edge part including the chamfered part 8 of the wafer W held by the holding part 12 of the chuck table 10 and a part of the outer edge part of the chuck table 10. obtain. In the image obtained by the imaging device 31, the luminance value of the light reflected by the surface Wa of the mounting portion 7 is much larger than the luminance value of the light irregularly reflected by the chamfered portion 8.

画像処理手段１０１は、撮像手段３０が得た画像に、例えば、光の輝度値が所定の閾値を越えた部分を白とし、光の輝度値が所定の閾値以下の部分を黒とする２値化処理を施して、２値画像Ｇ（図４に示す）を得る。この２値画像Ｇでは、図４に示すように、実装部７の表面Ｗａを示す部分Ａが白で示され、面取り部８を示す部分Ｃが黒で示される。撮像手段３０が得た２値化処理前の画像では、切削装置１の初期状態では、光正反射層１６及びテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａにより反射された光の輝度値が、面取り部８に乱反射された光の輝度値よりも遥かに大きくなっている。しかしながら、ウェーハＷの切削加工により生じる切削屑が石英ガラス層１７の表面１７ａ上に溜まって、照明装置３２から照射された光を切削屑が乱反射するために、光正反射層１６により反射された光の輝度値が、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加するのにしたがって、徐々に低下する。 The image processing means 101 is a binary image in which, for example, a portion where the light luminance value exceeds a predetermined threshold is white and a portion where the light luminance value is equal to or less than the predetermined threshold is black in the image obtained by the imaging means 30. To obtain a binary image G (shown in FIG. 4). In the binary image G, as shown in FIG. 4, a portion A indicating the surface Wa of the mounting portion 7 is shown in white, and a portion C showing the chamfered portion 8 is shown in black. In the image before the binarization processing obtained by the imaging means 30, in the initial state of the cutting apparatus 1, the brightness value of the light reflected by the light regular reflection layer 16 and the upper surface 15 a of the cylindrical portion 15 of the table body 11 is chamfered. It is much larger than the luminance value of the light irregularly reflected by the portion 8. However, since the cutting waste generated by the cutting process of the wafer W accumulates on the surface 17a of the quartz glass layer 17 and the cutting waste diffusely reflects the light irradiated from the illumination device 32, the light reflected by the light regular reflection layer 16 is reflected. The luminance value gradually decreases as the number of wafers W subjected to the cutting process by the cutting apparatus 1 increases.

しかし、本実施形態の切削装置１では、石英ガラス層１７の表面１７ａが保持部１２の表面１２ａと同一面でかつ前述した表面粗さに形成されて、石英ガラス層１７の表面１７ａに溜まる切削屑が従来よりも遥かに少ない。このために、本実施形態の切削装置１では、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加しても、光正反射層１６により反射された光の輝度値の低下の度合いが、従来よりも遥かに少なく抑制される。したがって、本実施形態の切削装置１では、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加しても、切削屑により低下した光正反射層１６とテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａとにより反射された光の輝度値が、前述した閾値を超えた状態に維持することができる。したがって、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加しても、石英ガラス層１７の表面１７ａが保持部１２の表面１２ａと同一面でかつ前述した表面粗さに形成されて石英ガラス層１７の表面１７ａに溜まる切削屑が従来よりも遥かに少ないので、２値画像Ｇでは、光正反射層１６とテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａを示す部分Ｂが白で示される。 However, in the cutting device 1 according to the present embodiment, the surface 17a of the quartz glass layer 17 is formed in the same plane as the surface 12a of the holding portion 12 and has the above-described surface roughness, and is accumulated on the surface 17a of the quartz glass layer 17. There is much less scrap than before. For this reason, in the cutting apparatus 1 of the present embodiment, even if the number of wafers W subjected to the cutting process by the cutting apparatus 1 increases, the degree of decrease in the luminance value of the light reflected by the light regular reflection layer 16 is as follows. It is suppressed much less than before. Therefore, in the cutting device 1 of the present embodiment, even if the number of wafers W subjected to the cutting processing by the cutting device 1 increases, the optical regular reflection layer 16 and the upper surface of the cylindrical portion 15 of the table main body 11 are reduced by the cutting waste. The luminance value of the light reflected by 15a can be maintained in a state exceeding the threshold value described above. Therefore, even if the number of wafers W subjected to the cutting process by the cutting apparatus 1 increases, the surface 17a of the quartz glass layer 17 is formed on the same surface as the surface 12a of the holding portion 12 and has the surface roughness described above. Since much less cutting waste collects on the surface 17a of the glass layer 17 than in the conventional case, in the binary image G, the portion B indicating the light regular reflection layer 16 and the upper surface 15a of the cylindrical portion 15 of the table body 11 is shown in white. .

画像処理手段１０１は、図５に示すように、前記面取り部８を示す部分Ｂから面取り部８の外縁即ちウェーハＷの輪郭Ｅを抽出する。画像処理手段１０１は、ウェーハＷの輪郭Ｅの図示しない任意の３点を選択し、選択した３点の座標からウェーハＷの図示しない中心の座標即ち中心位置を抽出する。画像処理手段１０１は、ウェーハＷの中心位置を制御装置１００に出力する。制御手段１００は、ウェーハＷの中心位置とチャックテーブル１０の保持部１２の中心とのずれ量やずれの方向を算出する。制御手段１００は、予め定められた切り込み量となるようにＺ軸移動手段６０を制御し、前述したずれ量やずれの方向などに基いて、ウェーハＷの中心位置と切削ブレード２１との距離が予め定められた距離となるようにＹ軸移動手段５０を制御して、切削ブレード２１を回転させながらチャックテーブル１０をＺ軸周りに回転させる。こうして、切削装置１は、ウェーハＷの面取り部８を周方向に沿って、切削することで除去する。 As shown in FIG. 5, the image processing means 101 extracts the outer edge of the chamfered portion 8, that is, the outline E of the wafer W from the portion B indicating the chamfered portion 8. The image processing unit 101 selects arbitrary three points (not shown) of the contour E of the wafer W, and extracts the coordinates of the center (not shown) of the wafer W, that is, the center position, from the coordinates of the selected three points. The image processing unit 101 outputs the center position of the wafer W to the control device 100. The control unit 100 calculates a deviation amount and a deviation direction between the center position of the wafer W and the center of the holding unit 12 of the chuck table 10. The control unit 100 controls the Z-axis moving unit 60 so as to obtain a predetermined cutting amount, and the distance between the center position of the wafer W and the cutting blade 21 is determined based on the above-described shift amount and shift direction. The Y-axis moving means 50 is controlled so as to be a predetermined distance, and the chuck table 10 is rotated around the Z-axis while the cutting blade 21 is rotated. Thus, the cutting apparatus 1 removes the chamfered portion 8 of the wafer W by cutting along the circumferential direction.

切削加工後のウェーハＷは、搬送手段により洗浄・乾燥手段９０に搬送され、洗浄・乾燥手段９０により洗浄された後、乾燥される。そして、加工後のウェーハＷは、搬送手段により仮置き手段８０に搬送された後、搬出入手段１３０によりカセットエレベータ７０に収納される。切削装置１は、前述した工程を繰り返すことで、カセットエレベータ７０に収納された複数のウェーハＷに順に面取り部８を除去する切削加工などを施す。 The wafer W after cutting is transferred to the cleaning / drying unit 90 by the transfer unit, cleaned by the cleaning / drying unit 90, and then dried. Then, the processed wafer W is transferred to the temporary placement means 80 by the transfer means and then stored in the cassette elevator 70 by the transfer-in / out means 130. The cutting apparatus 1 repeats the above-described steps to perform cutting processing for removing the chamfered portions 8 in order on the plurality of wafers W accommodated in the cassette elevator 70.

以上のように、本実施形態の切削装置１は、例えば、アルミナセラミックで構成されて正反射率の高い光正反射層１６の上に表面粗さの小さい石英ガラス層１７を積層して、外周リング部１３を構成し、石英ガラス層１７の表面１７ａをチャックテーブル１０の保持部１２の表面１２ａと同一面に形成している。このために、ウェーハＷに切削加工を施す際に生じる切削屑が石英ガラス層１７の表面１７ａに留まりにくくなり、前述した切削屑が石英ガラス層１７の表面１７ａに留まることを極力低減できる。このために、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加しても、チャックテーブル１０の外周部であり表面１７ａに面取り部８が重ねられる石英ガラス層１７が切削屑により汚れることを抑制できる。したがって、経年変化により、照明装置３２から照射されて石英ガラス層１７の表面１７ａにより反射される光の輝度値が徐々に低下しても、低下する度合いを従来よりも遥かに少なくできるので、ウェーハＷの輪郭Ｅの位置即ちウェーハＷの中心位置を誤認識することを防止することができる。 As described above, the cutting device 1 according to the present embodiment includes, for example, an outer ring formed by laminating the quartz glass layer 17 having a small surface roughness on the optical regular reflection layer 16 made of alumina ceramic and having a high regular reflectance. The surface 13a of the quartz glass layer 17 is formed on the same plane as the surface 12a of the holding portion 12 of the chuck table 10. For this reason, it becomes difficult for the cutting waste generated when the wafer W is cut to stay on the surface 17a of the quartz glass layer 17, and the above-mentioned cutting waste can be reduced as much as possible on the surface 17a of the quartz glass layer 17. For this reason, even if the number of wafers W subjected to cutting by the cutting apparatus 1 increases, the quartz glass layer 17 which is the outer peripheral portion of the chuck table 10 and the chamfered portion 8 is overlaid on the surface 17a is soiled by cutting waste. Can be suppressed. Therefore, even if the luminance value of the light irradiated from the illumination device 32 and reflected by the surface 17a of the quartz glass layer 17 gradually decreases due to secular change, the degree of decrease can be much less than before, so that the wafer It is possible to prevent erroneous recognition of the position of the contour E of W, that is, the center position of the wafer W.

また、経年変化により、石英ガラス層１７の表面１７ａにより反射される光の輝度値の低下の度合いを従来よりも遥かに少なくできるので、経年変化により撮像手段３０が得た画像に２値化処理を施す際の閾値を調整する頻度を激減させることができ、チャックテーブル１０の交換や清掃の頻度を抑制することができる。 In addition, since the degree of decrease in the luminance value of the light reflected by the surface 17a of the quartz glass layer 17 can be much less than in the past due to secular change, the binarization processing is performed on the image obtained by the imaging means 30 due to secular change. The frequency of adjusting the threshold when performing the operation can be drastically reduced, and the frequency of replacement and cleaning of the chuck table 10 can be suppressed.

なお、上記実施形態では、撮像手段３０の撮像装置３１と照明装置３２とを互いに隣接させたが、本発明では、照明装置３２から照射されて実装部７の表面Ｗａ、光正反射層１６により正反射された光を受光し、かつ面取り部８の表面Ｗｃにより拡散反射された光を受光しなければ、撮像手段３０の撮像装置３１と照明装置３２との位置を適宜変更しても良いことは勿論である。また、光正反射層１６は、照明装置３２から照射され光を正反射できれば、前述したアルミナセラミック、白色化した石英ガラス以外の材質で構成してもよい。さらに、画像処理手段１０１が行なう２値化処理は、前述した実施形態に限定されることなく、面取り部８と保持部１２の表面１２ａとのコントラストを明確にして、ウェーハＷの輪郭Ｅを浮き上がらせることができれば、適宜変更しても良い。 In the above embodiment, the imaging device 31 and the illumination device 32 of the imaging means 30 are adjacent to each other. However, in the present invention, the illumination device 32 irradiates the surface Wa of the mounting unit 7 and the light specular reflection layer 16 so as to be positive. If the reflected light is received and the light diffusely reflected by the surface Wc of the chamfered portion 8 is not received, the positions of the imaging device 31 and the illumination device 32 of the imaging means 30 may be changed as appropriate. Of course. Further, the light regular reflection layer 16 may be made of a material other than the above-described alumina ceramic or whitened quartz glass as long as it can irradiate the light irradiated from the lighting device 32 and regularly reflect the light. Further, the binarization processing performed by the image processing unit 101 is not limited to the above-described embodiment, and the contrast between the chamfered portion 8 and the surface 12a of the holding portion 12 is clarified, and the outline E of the wafer W is lifted. If possible, it may be changed as appropriate.

１切削装置
８面取り部
１０チャックテーブル
１２保持部
１２ａ表面
１３外周リング部
１６光正反射層
１７石英ガラス層
１７ａ表面
２０加工手段
Ｅ輪郭
Ｗウェーハ
Ｗａ，Ｗｃ表面
Ｗｂ裏面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cutting device 8 Chamfering part 10 Chuck table 12 Holding part 12a Surface 13 Outer ring part 16 Optical regular reflection layer 17 Quartz glass layer 17a Surface 20 Processing means E Contour W Wafer Wa, Wc Surface Wb Back surface

Claims

A chuck table that holds a disk-shaped wafer having an arc-shaped chamfered portion formed on the outer periphery from the front surface to the back surface, and the chamfered portion of the wafer held on the chuck table is removed along the circumferential direction. A cutting apparatus comprising: cutting means; and imaging means for irradiating light onto the surface of the wafer held by the chuck table to image the surface,
The chuck table has a holding part that sucks and holds the entire back surface of the wafer, and an outer ring part that is disposed so as to surround the outer periphery of the holding part,
The inner diameter of the outer peripheral ring portion is smaller than the outer diameter of the wafer, and the outer diameter is larger than the outer diameter of the wafer. When the wafer center is held at the center of the holding portion, Surrounding the outer periphery,
The outer ring part is laminated on the light regular reflection layer formed of a material that specularly reflects the light irradiated from the imaging means and makes the contrast with the outline of the wafer clear. A quartz glass layer through which the light emitted from the imaging means is transmitted, and the surface of the quartz glass layer and the surface of the holding portion are formed on the same surface, and the surface roughness of the quartz glass layer is a cutting waste Formed smaller than,
The cutting device characterized by the above.

The cutting device according to claim 1, wherein the light regular reflection layer of the chuck table is made of alumina ceramic.