JP5829430B2 - 撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えばデジタルカメラやビデオカメラなどの撮像装置に関する。

特許文献１には、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）基板と、メイン基板と、放熱板と、を備える撮像装置が開示されている。ＣＭＯＳ基板は、ＣＭＯＳイメージセンサを備えている。ＣＭＯＳ基板とメイン基板とは、対向して平行に配置されている。放熱板は、ＣＭＯＳ基板とメイン基板との間を隔離している。特許文献１の撮像装置によると、ＣＭＯＳ基板の方がメイン基板よりも発熱量が大きい。特許文献１の撮像装置によると、空気中におけるＣＭＯＳ基板からメイン基板への放射による伝熱を、放熱板により抑制することができる。

特開２０１０−９３７９７号公報

ところで、撮像装置の主な熱源は、ＣＭＯＳイメージセンサなどの撮像素子を有する撮像素子基板、および撮像装置全体を制御するカメラ制御ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を有するカメラ制御ＩＣ基板である。

撮像素子基板の許容温度と、カメラ制御ＩＣ基板の許容温度と、は同一ではない。しかしながら、特許文献１の撮像装置の場合、撮像素子基板（ＣＭＯＳ基板）とカメラ制御ＩＣ基板（メイン基板）とが隔離されているものの、両基板の熱は、最終的には金属製の筐体を介して外部に放出される。すなわち、両基板の熱は、金属製の筐体全体に均一に伝達されてしまう。

この場合、例えば、カメラ制御ＩＣ基板の方が撮像素子基板よりも許容温度が高いにもかかわらず、筐体全体の温度を、撮像素子基板の許容温度を下回る温度にまで、低下させる必要がある。一般的に、撮像装置の冷却性能は、冷却構造の放熱部の表面積に依存している。このため、結果的に、撮像装置の体格が大型になってしまう。

本発明の撮像装置は、上記課題に鑑みて完成されたものである。本発明は、小型化が簡単な撮像装置を提供することを目的とする。

（１）上記課題を解決するため、本発明の撮像装置は、筐体と、該筐体の内部に収容され熱源である撮像素子を有する撮像素子基板と、該筐体の外部に露出する撮像素子放熱部と、を有し、該撮像素子基板の熱を該撮像素子放熱部に伝熱させることにより、該撮像素子基板を冷却する撮像素子冷却部と、該筐体の内部に収容され熱源であるカメラ制御ＩＣを有するカメラ制御ＩＣ基板と、該筐体の外部に露出するカメラ制御ＩＣ放熱部と、を有し、該カメラ制御ＩＣ基板の熱を該カメラ制御ＩＣ放熱部に伝熱させることにより、該カメラ制御ＩＣ基板を冷却するカメラ制御ＩＣ冷却部と、該撮像素子冷却部と該カメラ制御ＩＣ冷却部との間に介装され、該撮像素子冷却部と該カメラ制御ＩＣ冷却部との間の伝熱を抑制する断熱部と、を備えることを特徴とする。

撮像素子冷却部は、撮像素子基板の熱を撮像素子放熱部に伝熱させる伝熱経路を有している。一方、カメラ制御ＩＣ冷却部は、カメラ制御ＩＣ基板の熱をカメラ制御ＩＣ放熱部に伝熱させる伝熱経路を有している。断熱部は、二つの伝熱経路を仕切るように配置されている。このため、本発明の撮像装置によると、撮像素子冷却部、カメラ制御ＩＣ冷却部の独立性を確保しやすい。したがって、撮像素子冷却部とカメラ制御ＩＣ冷却部との間で熱移動が生じるのを抑制することができる。

図１（ａ）に、撮像素子基板の方がカメラ制御ＩＣ基板よりも許容温度が低い場合の従来の撮像装置の冷却効果の模式図を示す。図１（ｂ）に、撮像素子基板の方がカメラ制御ＩＣ基板よりも許容温度が低い場合の本発明の撮像装置の冷却効果の模式図を示す。なお、図１（ａ）、図１（ｂ）に示す模式図は、本発明の作用効果の一例を示すためのものであり、本発明の内容を何等限定するものではない。例えば、カメラ制御ＩＣ基板の方が撮像素子基板よりも許容温度が低い場合であっても、本発明の撮像装置は用いることができる。

図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、撮像素子基板の許容温度ｔ１は、カメラ制御ＩＣ基板の許容温度ｔ２よりも低い。また、使用前状態においては、撮像素子基板の温度、カメラ制御ＩＣ基板の温度は、共に温度Ｔ１である。

図１（ａ）に示すように、撮像装置の冷却構造は、使用中状態において制御素子基板の温度Ｔ２が許容温度ｔ１を下回るように、設計されている。しかしながら、従来の撮像装置の場合、カメラ制御ＩＣ基板および撮像素子基板の熱は、筐体全体に均一に伝達される。このため、撮像素子基板の温度のみならず、カメラ制御ＩＣ基板の温度も、温度Ｔ２になってしまう。すなわち、本来許容温度ｔ２まで耐えられるカメラ制御ＩＣ基板が、過剰に冷却されてしまう。このことは、過剰冷却分だけ、冷却構造、延いては撮像装置が不要に大型化されていることを意味する。

これに対して、本発明の撮像装置の場合、上述したように、撮像素子冷却部、カメラ制御ＩＣ冷却部の独立性を確保しやすい。このため、図１（ｂ）に示すように、撮像素子基板の温度Ｔ２が許容温度ｔ１を下回るように、カメラ制御ＩＣ基板の温度Ｔ３が許容温度ｔ２を下回るように、各々独立して、撮像素子冷却部、カメラ制御ＩＣ冷却部を設計することができる。したがって、図１（ｂ）に示すΔＴ（＝Ｔ３−Ｔ２）分だけ、カメラ制御ＩＣ基板が過剰に冷却されるおそれが小さい。よって、撮像装置を簡単に小型化することができる。

また、本発明の撮像装置によると、撮像素子の消費電力が大きい場合、つまり撮像素子の発熱量が大きい場合であっても、撮像素子冷却部、カメラ制御ＩＣ冷却部の独立性を確保しやすいため、撮像素子基板だけを重点的に冷却しやすい。このため、撮像装置の高画質化（例えば画素数増加、画素大型化など）に対応しやすい。

（２）好ましくは、上記（１）の構成において、前記撮像素子放熱部の表面積は、前記カメラ制御ＩＣ放熱部の表面積よりも大きく、前記断熱部は、該カメラ制御ＩＣ放熱部の周囲に配置される構成とする方がよい。

本構成によると、断熱部が、小さい方の放熱部（カメラ制御ＩＣ放熱部）の周囲に配置されている。このため、撮像素子冷却部とカメラ制御ＩＣ冷却部とを、断熱部により仕切りやすい。

（３）好ましくは、上記（１）または（２）の構成において、前記撮像素子基板の延在方向と、前記カメラ制御ＩＣ基板の延在方向と、は互いに交差する構成とする方がよい。本構成によると、例えば特許文献１の撮像装置のように二つの基板が対向して平行に配置されている場合と比較して、撮像素子基板の放射熱（輻射熱）と、カメラ制御ＩＣ基板の放射熱と、が互いに相手側の基板に伝達されにくい。

（４）好ましくは、上記（１）ないし（３）のいずれかの構成において、前記撮像素子冷却部は、前記撮像素子基板に積層され、該撮像素子基板の熱を前記撮像素子放熱部に誘導する撮像素子伝熱シートを有し、前記カメラ制御ＩＣ冷却部は、前記カメラ制御ＩＣ基板に積層され、該カメラ制御ＩＣ基板の熱を前記カメラ制御ＩＣ放熱部に誘導するカメラ制御ＩＣ伝熱シートを有する構成とする方がよい。

本構成によると、撮像素子冷却部の伝熱方向を撮像素子伝熱シートにより誘導することができる。また、カメラ制御ＩＣ冷却部の伝熱方向をカメラ制御ＩＣ伝熱シートにより誘導することができる。

本発明によると、小型化が簡単な撮像装置を提供することができる。

（ａ）は撮像素子基板の方がカメラ制御ＩＣ基板よりも許容温度が低い場合の従来の撮像装置の冷却効果の模式図である。（ｂ）は撮像素子基板の方がカメラ制御ＩＣ基板よりも許容温度が低い場合の本発明の撮像装置の冷却効果の模式図である。 本発明の一実施形態の撮像装置の斜視図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ方向断面図である。

以下、本発明の撮像装置の実施の形態について説明する。

＜撮像装置の構成＞
まず、本実施形態の撮像装置の構成について説明する。図２に、本実施形態の撮像装置の斜視図を示す。図３に、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ方向断面図を示す。図２、図３に示すように、本実施形態の撮像装置１は、主に、筐体２と、撮像素子冷却部３と、カメラ制御ＩＣ冷却部４と、断熱部５０、５１と、レンズ６と、を備えている。

筐体２は、金属製であって、撮像装置１の外殻を形成している。筐体２は、上壁部２０と、上側壁部２１と、下側壁部２２と、下壁部２３と、前壁部２４と、を備えている。上壁部２０は、平板状を呈している。上壁部２０には、撮像孔２００が開設されている。撮像孔２００を介して、後述する撮像素子３１により、被写体（図略）が撮像される。上側壁部２１は、角筒状を呈している。上側壁部２１は、上壁部２０の下方に連なっている。上側壁部２１の内部には、後述する撮像素子基板３０が収容されている。下側壁部２２は、前方に開口するＣ字筒状を呈している。下側壁部２２は、上側壁部２１の下方に連なっている。下側壁部２２の左右両壁には後述する一対の撮像素子放熱部３３が、後壁には後述する撮像素子放熱部３２が、各々配置されている。前壁部２４は、平板状（立壁状）を呈している。前壁部２４は、下側壁部２２の前方開口を塞いでいる。図２にハッチングで示すように、前壁部２４と上側壁部２１とは、後述する断熱部５０により仕切られている。また、前壁部２４と下側壁部２２とは、後述する断熱部５１により仕切られている。前壁部２４には後述するカメラ制御ＩＣ放熱部４２が配置されている。下壁部２３は、平板状を呈している。下壁部２３は、下側壁部２２の下方に連なっている。レンズ６は、上壁部２０の撮像孔２００に嵌め込まれている。

撮像素子冷却部３は、撮像素子基板３０と、後方の撮像素子放熱部３２と、左右一対の撮像素子放熱部３３と、撮像素子伝熱シート３４と、を備えている。撮像素子基板３０は、撮像素子３１を有している。撮像素子３１は、レンズ６の下方（筐体２の内側）に配置されている。撮像素子３１は、ＣＭＯＳイメージセンサである。撮像素子基板３０は、前後方向に延在する平板状を呈している。撮像素子３１は、撮像素子基板３０の上面に装着されている。撮像素子基板３０は、撮像素子３１を制御している。撮像素子伝熱シート３４は、シリコーン製であって、薄膜状を呈している。撮像素子伝熱シート３４は、撮像素子基板３０の下面に積層されている。後方の撮像素子放熱部３２は、筐体２の下側壁部２２の後壁に配置されている。撮像素子放熱部３２は、多数の放熱フィン３２０を備えている。多数の放熱フィン３２０は、各々上下方向に延在している。多数の放熱フィン３２０は、左右方向に並んでいる。左右一対の撮像素子放熱部３３は、筐体２の下側壁部２２の左右両壁に配置されている。撮像素子放熱部３３は、多数の放熱フィン３３０を備えている。多数の放熱フィン３３０は、各々上下方向に延在している。多数の放熱フィン３３０は、前後方向に並んでいる。図３に太線で示すように、撮像素子伝熱経路Ｌ１は、撮像素子基板３０と撮像素子放熱部３２、３３とを繋いでいる。撮像素子伝熱経路Ｌ１のうち、撮像素子伝熱シート３４と撮像素子放熱部３２、３３との間には、筐体２の上側壁部２１および下側壁部２２が介在している。すなわち、撮像素子３１の熱は、筐体２の上側壁部２１および下側壁部２２を経由して、撮像素子放熱部３２、３３に伝達される。上側壁部２１および下側壁部２２は、撮像素子冷却部３の一部を構成している。

カメラ制御ＩＣ冷却部４は、カメラ制御ＩＣ基板４０と、カメラ制御ＩＣ放熱部４２と、カメラ制御ＩＣ伝熱シート４４と、を備えている。筐体２の前壁部２４の後面（内面）からは、後方に向かって、ボス部２４０が突設されている。ボス部２４０に螺合されるスクリュー９０により、カメラ制御ＩＣ基板４０は固定されている。カメラ制御ＩＣ基板４０は、上下方向に延在している。カメラ制御ＩＣ基板４０と撮像素子基板３０とは、配線９１、９２を介して、電気的に接続されている。カメラ制御ＩＣ基板４０は、カメラ制御ＩＣ４１を有している。カメラ制御ＩＣ４１は、カメラ制御ＩＣ基板４０の前面に配置されている。カメラ制御ＩＣ４１は、撮像装置１全体を統合的に制御している。カメラ制御ＩＣ伝熱シート４４は、シリコーン製であって、薄膜状を呈している。カメラ制御ＩＣ伝熱シート４４は、カメラ制御ＩＣ４１の前面に積層されている。カメラ制御ＩＣ伝熱シート４４の前面は、筐体２の前壁部２４の後面に全面的に接触している。カメラ制御ＩＣ放熱部４２は、前壁部２４の前面に配置されている。カメラ制御ＩＣ放熱部４２は、多数の放熱フィン４２０を備えている。多数の放熱フィン４２０は、各々上下方向に延在している。多数の放熱フィン４２０は、左右方向に並んでいる。図３に太線で示すように、カメラ制御ＩＣ伝熱経路Ｌ２は、カメラ制御ＩＣ基板４０とカメラ制御ＩＣ放熱部４２とを繋いでいる。カメラ制御ＩＣ伝熱経路Ｌ２のうち、カメラ制御ＩＣ伝熱シート４４とカメラ制御ＩＣ放熱部４２との間には、筐体２の前壁部２４が介在している。すなわち、カメラ制御ＩＣ４１の熱は、筐体２の前壁部２４を経由して、カメラ制御ＩＣ放熱部４２に伝達される。前壁部２４は、カメラ制御ＩＣ冷却部４の一部を構成している。

断熱部５０は、樹脂製であって平板状を呈している。図２に示すように、断熱部５０は、筐体２の上側壁部２１と前壁部２４とを遮断している。言い換えると、断熱部５０は、撮像素子冷却部３（撮像素子伝熱経路Ｌ１）と、カメラ制御ＩＣ冷却部４（カメラ制御ＩＣ伝熱経路Ｌ２）と、を遮断している。

左右一対の断熱部５１は、各々、樹脂製であって平板状を呈している。図２に示すように、断熱部５１は、筐体２の下側壁部２２と前壁部２４とを遮断している。言い換えると、断熱部５１は、撮像素子冷却部３（撮像素子伝熱経路Ｌ１）と、カメラ制御ＩＣ冷却部４（カメラ制御ＩＣ伝熱経路Ｌ２）と、を遮断している。

＜撮像装置の動き＞
次に、本実施形態の撮像装置１の動きについて説明する。援用する図１（ｂ）に示すように、使用前状態においては、撮像素子基板３０の温度、カメラ制御ＩＣ基板４０の温度は、共に温度Ｔ１である。

使用中状態においては、熱源である撮像素子３１の発熱により、撮像素子基板３０の温度は上昇する。しかしながら、撮像素子３１の熱は、撮像素子冷却部３（撮像素子伝熱経路Ｌ１）を介して、後方の撮像素子放熱部３２、左右一対の撮像素子放熱部３３から放熱される。このため、撮像素子基板３０の温度Ｔ２を許容温度ｔ１以下に制御することができる。

同様に、使用中状態においては、熱源であるカメラ制御ＩＣ４１の発熱により、カメラ制御ＩＣ基板４０の温度は上昇する。しかしながら、カメラ制御ＩＣ４１の熱は、カメラ制御ＩＣ冷却部４（カメラ制御ＩＣ伝熱経路Ｌ２）を介して、カメラ制御ＩＣ放熱部４２から放熱される。このため、カメラ制御ＩＣ基板４０の温度Ｔ３を許容温度ｔ２以下に制御することができる。

また、断熱部５０は、筐体２の上側壁部２１と前壁部２４とを遮断している。並びに、断熱部５１は、筐体２の下側壁部２２と前壁部２４とを遮断している。このため、撮像素子冷却部３（撮像素子伝熱経路Ｌ１）とカメラ制御ＩＣ冷却部４（カメラ制御ＩＣ伝熱経路Ｌ２）との間で、高温側から低温側に熱が移動しにくい。

＜作用効果＞
次に、本実施形態の撮像装置１の作用効果について説明する。本実施形態の撮像装置１によると、図３に示すように、断熱部５０は、撮像素子冷却部３（撮像素子伝熱経路Ｌ１）とカメラ制御ＩＣ冷却部４（カメラ制御ＩＣ伝熱経路Ｌ２）とが最も接近している部分において、二つの伝熱経路を仕切っている。このため、本実施形態の撮像装置１によると、撮像素子冷却部３、カメラ制御ＩＣ冷却部４の独立性を確保しやすい。したがって、撮像素子冷却部３とカメラ制御ＩＣ冷却部４との間で熱移動が生じるのを抑制することができる。よって、図１（ｂ）に示すように、撮像素子基板３０の温度Ｔ２が許容温度ｔ１を下回るように、カメラ制御ＩＣ基板４０の温度Ｔ３が許容温度ｔ２を下回るように、各々独立して、撮像素子冷却部３、カメラ制御ＩＣ冷却部４を設計することができる。このため、撮像装置１を簡単に小型化することができる。

また、本実施形態の撮像装置１によると、図３に示す撮像素子３１の消費電力が大きい場合、つまり撮像素子３１の発熱量が大きい場合であっても、撮像素子冷却部３、カメラ制御ＩＣ冷却部４の独立性を確保しやすいため、撮像素子基板３０だけを重点的に冷却しやすい。このため、撮像装置１の高画質化（例えば画素数増加、画素大型化など）に対応しやすい。

また、本実施形態の撮像装置１によると、図２、図３に示すように、撮像素子放熱部（撮像素子放熱部３２および一対の撮像素子放熱部３３）よりも小さいカメラ制御ＩＣ放熱部４２の周囲に、断熱部５０、５１が配置されている。このため、撮像素子冷却部３、カメラ制御ＩＣ冷却部４の独立性をさらに確保しやすい。

また、本実施形態の撮像装置１によると、図３に示すように、撮像素子基板３０の延在方向（前後方向）と、カメラ制御ＩＣ基板４０の延在方向（上下方向）と、が直交している。このため、撮像素子基板３０の放射熱と、カメラ制御ＩＣ基板４０の放射熱と、が互いに相手側の基板に伝達されにくい。

また、本実施形態の撮像装置１によると、図３に示すように、撮像素子伝熱シート３４が撮像素子基板３０に積層されている。このため、撮像素子冷却部３の伝熱方向を撮像素子伝熱シート３４により誘導することができる。

また、本実施形態の撮像装置１によると、図３に示すように、カメラ制御ＩＣ伝熱シート４４がカメラ制御ＩＣ４１に積層されている。このため、カメラ制御ＩＣ冷却部４の伝熱方向をカメラ制御ＩＣ伝熱シート４４により誘導することができる。

＜その他＞
以上、本発明の撮像装置の実施の形態について説明した。しかしながら、実施の形態は上記形態に特に限定されるものではない。当業者が行いうる種々の変形的形態、改良的形態で実施することも可能である。

撮像素子伝熱シート３４、カメラ制御ＩＣ伝熱シート４４の材質は特に限定しない。例えば、シリコーン、グラファイトなどを用いてもよい。好ましくは、撮像素子基板３０やカメラ制御ＩＣ基板４０の基板本体を形成する材料よりも、熱伝導率が大きい材料製である方がよい。

断熱部５０、５１の材質は特に限定しない。例えば、樹脂、エポキシガラスなどを用いてもよい。好ましくは、筐体２、撮像素子冷却部３、カメラ制御ＩＣ冷却部４を形成する材料よりも、熱伝導率が小さい材料製である方がよい。

また、断熱部５０、５１は、気体であってもよい。例えば、断熱部５０、５１の一部に、孔や凹部を形成してもよい。また、断熱部５０、５１全体を空気層としてもよい。すなわち、上側壁部２１とカメラ制御ＩＣ放熱部４２とを、互いに離間して配置してもよい。また、撮像素子放熱部３３とカメラ制御ＩＣ放熱部４２とを、互いに離間して配置してもよい。

筐体２、撮像素子放熱部３２、３３、カメラ制御ＩＣ放熱部４２の材質は特に限定しない。好ましくは、アルミニウム、銅などの金属など、熱伝導率が大きい材料製である方がよい。

図３に示す筐体２の下壁部２３の代わりに、断熱部を配置してもよい。こうすると、前壁部２４つまりカメラ制御ＩＣ冷却部４（カメラ制御ＩＣ伝熱経路Ｌ２）を、撮像素子冷却部３（撮像素子伝熱経路Ｌ１）から、完全に隔離することができる。このため、さらにカメラ制御ＩＣ冷却部４と撮像素子冷却部３との間で熱が移動しにくくなる。

また、上記実施形態においては、撮像素子３１としてＣＭＯＳイメージセンサを用いたが、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサを用いてもよい。

１：撮像装置、２：筐体、３：撮像素子冷却部、４：カメラ制御ＩＣ冷却部、６：レンズ、１０：解析サンプル。
２０：上壁部、２１：上側壁部、２２：下側壁部、２３：下壁部、２４：前壁部、３０：撮像素子基板、３１：撮像素子、３２：撮像素子放熱部、３３：撮像素子放熱部、３４：撮像素子伝熱シート、４０：カメラ制御ＩＣ基板、４１：カメラ制御ＩＣ、４２：カメラ制御ＩＣ放熱部、４４：カメラ制御ＩＣ伝熱シート、５０：断熱部、５１：断熱部、９０：スクリュー、９１：配線、９２：配線、１００：発熱部、１０１：平板部、１０２：放熱フィン。
２００：撮像孔、２４０：ボス部、３２０：放熱フィン、３３０：放熱フィン、４２０：放熱フィン、Ｌ１：撮像素子伝熱経路、Ｌ２：カメラ制御ＩＣ伝熱経路。

Claims (6)

1. 筐体と、
   該筐体の内部に収容され熱源である撮像素子を有する撮像素子基板と、該筐体の外部に露出する撮像素子放熱部と、を有し、該撮像素子基板の熱を該撮像素子放熱部に伝熱させることにより、該撮像素子基板を冷却する撮像素子冷却部と、
   該筐体の内部に収容され熱源であるカメラ制御ＩＣを有するカメラ制御ＩＣ基板と、該筐体の外部に露出するカメラ制御ＩＣ放熱部と、を有し、該カメラ制御ＩＣ基板の熱を該カメラ制御ＩＣ放熱部に伝熱させることにより、該カメラ制御ＩＣ基板を冷却するカメラ制御ＩＣ冷却部と、
   該撮像素子冷却部と該カメラ制御ＩＣ冷却部との間に介装され、該撮像素子冷却部と該カメラ制御ＩＣ冷却部との間の伝熱を抑制する断熱部と、
   を備え、
   前記撮像素子放熱部の表面積は、前記カメラ制御ＩＣ放熱部の表面積よりも大きく、前記断熱部は、該カメラ制御ＩＣ放熱部の周囲に配置される撮像装置。
2. 前記撮像素子基板の延在方向と、前記カメラ制御ＩＣ基板の延在方向と、は互いに交差する請求項１に記載の撮像装置。
3. 前記撮像素子冷却部は、前記撮像素子基板に積層され、該撮像素子基板の熱を前記撮像素子放熱部に誘導する撮像素子伝熱シートを有し、
   前記カメラ制御ＩＣ冷却部は、前記カメラ制御ＩＣ基板に積層され、該カメラ制御ＩＣ基板の熱を前記カメラ制御ＩＣ放熱部に誘導するカメラ制御ＩＣ伝熱シートを有する請求項１または請求項２に記載の撮像装置。
4. 前記筐体は、上壁部と、該上壁部の下方に連なる角筒状の上側壁部と、該上側壁部の下方に連なる前方に開口するＣ字筒状の下側壁部と、該下側壁部の前方開口を塞ぐ前壁部と、を有し、
   前記撮像素子放熱部は、該下側壁部の左右両壁および後壁に配置され、
   前記カメラ制御ＩＣ放熱部は、該前壁部に配置され、
   第一の前記断熱部は、該前壁部と該下側壁部との間を、該前壁部の上下方向全長に亘って仕切る請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の撮像装置。
5. 前記撮像素子基板は、前記上側壁部の内部に収容され、
   第二の前記断熱部は、前記前壁部と該上側壁部との間を、該前壁部の左右方向全長に亘って仕切る請求項４に記載の撮像装置。
6. 第三の前記断熱部は、前記下側壁部の下方に連なり、前記前壁部の左右方向全長に亘って延在し、
   該前壁部は、第一、第二、第三の該断熱部により囲まれている請求項５に記載の撮像装置。

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