JP5825515B2 - Self-organization method and epitaxial growth method using the same - Google Patents
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Description
本発明は、結晶成長させようとする単結晶の薄膜と格子整合の取れた下地層を調整する自己組織化方法に関し、特にガラスやセラミック等の非単結晶基板上に単結晶エピタキシャル層の成長を可能にしようとする自己組織化方法及びそれを使用したエピタキシャル成長方法に係るものである。 The present invention relates to a self-assembly method for adjusting a single-crystal thin film to be crystal-grown and a base layer that is lattice-matched. The present invention relates to a self-organization method to be made possible and an epitaxial growth method using the same.
従来、単結晶の膜を形成する方法としては、単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を成長させる、いわゆるエピタキシャル成長方法が一般的である。 Conventionally, as a method for forming a single crystal film, a so-called epitaxial growth method in which a single crystal thin film having a uniform crystal orientation is grown on a single crystal substrate is generally used.
例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）の単結晶膜は、単結晶サファイア基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）等によりエピタキシャル成長させる方法が一般的である（例えば、特許文献１参照）。 For example, a gallium nitride (GaN) single crystal film is generally epitaxially grown on a single crystal sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) or the like (see, for example, Patent Document 1).
この場合、サファイア基板は、ＧａＮと格子定数が異なるため、サファイア基板上に直接ＧａＮの単結晶を成長させることができず、サファイア基板上に低温形成したＡＩＮやＧａＮのバッファ層を成長させ、このバッファ層で格子の歪みを緩和させてからその上にＧａＮの単結晶を成長させるようになっている（特許文献２参照）。 In this case, since the sapphire substrate has a lattice constant different from that of GaN, a single crystal of GaN cannot be directly grown on the sapphire substrate, and a low-temperature AIN or GaN buffer layer is grown on the sapphire substrate. A lattice crystal is relaxed by a buffer layer, and then a GaN single crystal is grown thereon (see Patent Document 2).
しかし、このような従来のエピタキシャル成長方法では、サファイアやＧａＮ等の単結晶基板上に単結晶の膜を成長させるものであったため、基板のコストが高いこと、大型の基板を製造することが困難であること等により、単結晶膜の製造コストが高くなるという問題があった。 However, in such a conventional epitaxial growth method, since a single crystal film is grown on a single crystal substrate such as sapphire or GaN, the cost of the substrate is high, and it is difficult to manufacture a large substrate. For example, the manufacturing cost of the single crystal film is increased.
また、従来のエピタキシャル成長方法では、上述したように単結晶基板が必須であり、ガラスやセラミック等の非単結晶基板上に単結晶膜をエピタキシャル成長させることができなかった。したがって、この点も、単結晶膜の製造コストが高くなる要因であった。 Further, in the conventional epitaxial growth method, a single crystal substrate is essential as described above, and a single crystal film cannot be epitaxially grown on a non-single crystal substrate such as glass or ceramic. Therefore, this point is also a factor that increases the manufacturing cost of the single crystal film.
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、ガラスやセラミック等の非単結晶基板上に単結晶エピタキシャル層の成長を可能にしようとする自己組織化方法及びそれを使用したエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention addresses such problems and provides a self-organization method and an epitaxial growth method using the self-organization method for enabling the growth of a single crystal epitaxial layer on a non-single crystal substrate such as glass or ceramic. The purpose is to provide.
上記目的を達成するために、本発明による自己組織化方法は、結晶成長させようとする単結晶の薄膜と格子整合の取れた下地層を調整する自己組織化方法であって、非単結晶基板上に、有機溶媒に溶解させたＳｉ−Ｎ，Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ結合のポリシラザンの溶液を塗布する第１ステップと、前記塗布されたポリシラザンを予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、規則的に配列された格子を有するＳｉＯ ２ 膜を自発的に生成させる第２ステップと、を行なうものである。 In order to achieve the above object, a self-organizing method according to the present invention is a self-organizing method for adjusting a single crystal thin film to be crystal-grown and a base layer that is lattice-matched, and includes a non-single-crystal substrate. A first step of applying a polysilazane solution of Si—N, N—H, and Si—N bonds dissolved in an organic solvent, and treating the applied polysilazane under a predetermined temperature and atmosphere. And a second step of spontaneously generating a SiO 2 film having a regularly arranged lattice.
このような構成により、非単結晶基板上に、有機溶媒に溶解させたＳｉ−Ｎ，Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ結合のポリシラザンの溶液を塗布し、上記塗布されたポリシラザンを予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、規則的に配列された格子を有するＳｉＯ ２ 膜を自発的に生成させる。 With such a configuration, a solution of polysilazane having a Si—N, N—H, or Si—N bond dissolved in an organic solvent is applied onto a non-single crystal substrate, and the applied polysilazane is heated at a predetermined temperature. Then, an SiO 2 film having a regularly arranged lattice is spontaneously generated by processing in an atmosphere.
また、前記第２ステップは、前記ポリシラザンを塗布した非単結晶基板を酸素及び水分が存在する雰囲気中で焼成する。これにより、ポリシラザンを塗布した非単結晶基板を酸素及び水分が存在する雰囲気中で焼成する。 In the second step, the non-single crystal substrate coated with the polysilazane is baked in an atmosphere containing oxygen and moisture . Thus, the non-single crystal substrate coated with polysilazane is baked in an atmosphere in which oxygen and moisture exist .
また、本発明によるエピタキシャル成長方法は、基板上に単結晶の薄膜を成長させるエピタキシャル成長方法であって、非単結晶基板上に、有機溶媒に溶解させたＳｉ−Ｎ，Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ結合のポリシラザンの溶液を塗布する第１ステップと、前記塗布されたポリシラザンを予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、格子が規則的に配列されたＳｉＯ ２ 膜の下地層を形成する第２ステップと、前記下地層上に該下地層の格子と整合の取れた水晶の単結晶薄膜を成長させる第３ステップと、を行うものである。 The epitaxial growth method according to the present invention is an epitaxial growth method in which a single crystal thin film is grown on a substrate, and a Si—N, N—H, or Si—N bond dissolved in an organic solvent on a non-single crystal substrate. A first step of applying a polysilazane solution; and a second step of forming the underlying layer of the SiO 2 film in which the lattice is regularly arranged by treating the applied polysilazane under a predetermined temperature and atmosphere . steps and, a third step of growing a single binding Akirausu film lattice with matched crystal underlayer on said underlying layer, and performs.
このような構成により、非単結晶基板上に、有機溶媒に溶解させたＳｉ−Ｎ，Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ結合のポリシラザンの溶液を塗布し、上記塗布されたポリシラザンを予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、格子が規則的に配列されたＳｉＯ ２ 膜の下地層を形成した後、下地層上に該下地層の格子と整合の取れた水晶の単結晶の薄膜を成長させる。 With such a configuration, a solution of polysilazane having a Si—N, N—H, or Si—N bond dissolved in an organic solvent is applied onto a non-single crystal substrate, and the applied polysilazane is heated at a predetermined temperature. And processing under an atmosphere to form a SiO 2 film base layer in which lattices are regularly arranged, and then growing a single crystal thin film of crystal on the base layer that is aligned with the lattice of the base layer .
さらに、前記第２ステップは、前記ポリシラザンを塗布した非単結晶基板を酸素及び水分が存在する雰囲気中で焼成する。これにより、ポリシラザンを塗布した非単結晶基板を酸素及び水分が存在する雰囲気中で焼成する。 In the second step, the non-single crystal substrate coated with the polysilazane is baked in an atmosphere containing oxygen and moisture . Thus, the non-single crystal substrate coated with polysilazane is baked in an atmosphere in which oxygen and moisture exist .
請求項１及び３に係る自己組織化方法の発明によれば、ガラスやセラミック等の非単結晶基板上に水晶の単結晶の薄膜を結晶成長させることが可能になる。
According to the invention of self-assembly method according to
さらに、請求項２及び４に係る発明によれば、ポリシラザンの塗膜を大気中の水分と反応させて自己組織化を生じさせることができる。
Furthermore, according to the invention which concerns on
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による自己組織化方法の実施形態を示すフローチャートであり、図２はその工程を示す説明図である。この自己組織化方法は、結晶成長させようとする単結晶の薄膜と格子整合の取れた下地層を調整するもので、非単結晶基板上に有機−無機ハイブリッド材料の溶液を塗布する第１ステップＳ１と、塗布された有機−無機ハイブリッド材料を予め定められた温度及び雰囲気下で処理して溶媒を蒸発させ、規則的に配列された格子を自発的に生成させる第２ステップＳ２と、を行うものである。以下、各ステップを詳細に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of the self-organization method according to the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing the process. This self-organization method adjusts a single crystal thin film to be crystal-grown and a base layer that is lattice-matched. First step of applying a solution of an organic-inorganic hybrid material on a non-single crystal substrate S1 and a second step S2 in which the applied organic-inorganic hybrid material is treated under a predetermined temperature and atmosphere to evaporate the solvent and spontaneously generate regularly arranged lattices. Is. Hereinafter, each step will be described in detail.
先ず、第１ステップＳ１においては、例えば、ガラス基板１上に、有機溶媒に溶解させたＳｉ−Ｏ又はＳｉ−Ｎ結合を持つ無機ポリマーを一定厚みにスピンコート又はスプレーコートする（図２（ａ）参照）。
First, in the first step S1, for example, an inorganic polymer having a Si—O or Si—N bond dissolved in an organic solvent is spin-coated or spray-coated on the
上記無機ポリマーの具体例は、図３に示すような、例えばＳｉ−Ｎ，Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ結合のみから構成される完全無機なポリマーであるポリシラザン２であり、キシレン、ミネラルターペン、高沸点芳香族系溶媒等に溶解させて使用される。
Specific examples of the inorganic polymer are
次に、第２ステップＳ２においては、ポリシラザン２を塗布したガラス基板１を、例えば内部に発熱抵抗体の熱源３を埋め込んだステージ４上に載置して、大気中（酸素及び水分が存在する雰囲気中）で、例えば室温（２５℃）から４５０℃程度の温度で焼成する（図２（ｂ）参照）。これにより、ポリシラザン２の塗膜が大気中の水分と反応して自己組織化が起こり、水晶と同じ格子定数を有する図４に示すようなＳｉＯ２膜６へ転化する。
Next, in the second step S2, the
この場合、焼成温度が高いほど緻密なＳｉＯ２膜６を形成することができる。しかし、焼成温度は、使用するガラス基板１の軟化温度（ガラス転移点）によって適宜設定される。例えば、軟化温度の高い石英ガラスを使用した場合には、焼成温度を４５０℃程度とすることができ、緻密で高純度なシリカを母体とした規則性の高い膜を得ることができる。
In this case, the denser SiO 2 film 6 can be formed as the firing temperature is higher. However, the firing temperature is appropriately set depending on the softening temperature (glass transition point) of the
上述のような自己組織化方法によって形成された下地層としてのＳｉＯ２膜６上に、例えばＣＶＤ装置を使用し、基板温度が１００℃〜４００℃の条件下でシランガス（ＳｉＨ４）又はテトラエトキシシランガス（ＴＥＯＳ）、及び酸素ガスを反応室内に導入してＳｉＯ２膜を堆積させた場合には、下地層であるＳｉＯ２膜６の格子と整合した水晶の膜がエピタキシャル成長する。 On the SiO 2 film 6 as the underlayer formed by the self-assembly method as described above, for example, a CVD apparatus is used, and silane gas (SiH 4 ) or tetraethoxy is used under a substrate temperature of 100 ° C. to 400 ° C. When a SiO 2 film is deposited by introducing silane gas (TEOS) and oxygen gas into the reaction chamber, a quartz film aligned with the lattice of the SiO 2 film 6 as the underlayer is epitaxially grown.
なお、上記実施形態においては、第２ステップＳ２の焼成を大気中で行う場合について説明したが、本発明はこれに限られず、形成しようとする下地層に応じて反応性気体中又は不活性ガス中で焼成してもよい。 In the above-described embodiment, the case where the firing in the second step S2 is performed in the atmosphere has been described. However, the present invention is not limited to this, and in the reactive gas or the inert gas depending on the underlying layer to be formed. You may bake in.
このように、本発明の自己組織化方法を使用すれば、ガラス、セラミック、金属又は他の非単結晶基板上にも単結晶の膜をエピタキシャル成長させることができる。したがって、例えば単結晶ＧａＮと格子整合のとれた下地層を自己組織化可能な有機―無機ハイブリッド材料を使用すれば、ガラス等の非単結晶基板上に単結晶ＧａＮエピタキシャル層を成長させることも可能となる。それ故、大面積のガラス基板上に単結晶ＧａＮエピタキシャル層を成長させて、例えばＬＥＤの作製も可能となり、ＬＥＤの製造コストを大幅に低減することが可能となる。 Thus, by using the self-assembly method of the present invention, a single crystal film can be epitaxially grown on glass, ceramic, metal, or other non-single crystal substrate. Therefore, it is possible to grow a single crystal GaN epitaxial layer on a non-single crystal substrate such as glass by using an organic-inorganic hybrid material that can self-assemble an underlayer that is lattice-matched with single crystal GaN, for example. It becomes. Therefore, a single-crystal GaN epitaxial layer can be grown on a large-area glass substrate, for example, so that an LED can be manufactured, and the manufacturing cost of the LED can be greatly reduced.
さらに、本発明の自己組織化方法を使用すれば、例えばガラス基板１上に単結晶シリコンカーバイト（ＳｉＣ）をエピタキシャル成長させて、例えば太陽電池の電力変換器であるインバータの製造コストを低減することも可能となる。
Furthermore, if the self-organization method of the present invention is used, for example, single crystal silicon carbide (SiC) is epitaxially grown on the
なお、上記実施形態においては、ＣＶＤ装置を使用した化学気相成長によるエピタキシャル成長方法について説明したが、本発明はこれに限られず、エピタキシャル成長させようとする単結晶の膜の種類に応じて種々の公知技術が適用できる。 In the above embodiment, an epitaxial growth method by chemical vapor deposition using a CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and various known methods can be used depending on the type of single crystal film to be epitaxially grown. Technology can be applied.
１…ガラス基板（非単結晶基板）
２…ポリシラザン（有機−無機ハイブリッド材料）
６…ＳｉＯ２膜（下地層）
1 ... Glass substrate (non-single crystal substrate)
2. Polysilazane (organic-inorganic hybrid material)
6 ... SiO 2 film (underlayer)
Claims (4)
非単結晶基板上に、有機溶媒に溶解させたＳｉ−Ｎ，Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ結合のポリシラザンの溶液を塗布する第１ステップと、
前記塗布されたポリシラザンを予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、規則的に配列された格子を有するＳｉＯ ２ 膜を自発的に生成させる第２ステップと、
を行なうことを特徴とする自己組織化方法。 A self-organization method for adjusting a single crystal thin film to be crystal-grown and an underlying layer having lattice matching,
A first step of applying a polysilazane solution of Si—N, N—H, Si—N bonds dissolved in an organic solvent on a non-single crystal substrate;
Was treated under predetermined temperature and atmosphere the coated polysilazane, a second step of spontaneously generate an SiO 2 film having a regularly arranged lattice,
A self-organization method characterized by:
非単結晶基板上に、有機溶媒に溶解させたＳｉ−Ｎ，Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ結合のポリシラザンの溶液を塗布する第１ステップと、
前記塗布されたポリシラザンを予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、格子が規則的に配列されたＳｉＯ ２ 膜の下地層を形成する第２ステップと、
前記下地層上に該下地層の格子と整合の取れた水晶の単結晶薄膜を成長させる第３ステップと、
を行うことを特徴とするエピタキシャル成長方法。 An epitaxial growth method for growing a single crystal thin film on a substrate,
A first step of applying a polysilazane solution of Si—N, N—H, Si—N bonds dissolved in an organic solvent on a non-single crystal substrate;
A second step of processing the applied polysilazane under a predetermined temperature and atmosphere to form a base layer of a SiO 2 film in which lattices are regularly arranged;
A third step of growing a single binding Akirausu film grating and the matching rounded crystal underlayer on the underlayer,
Performing an epitaxial growth method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2011176253A JP5825515B2 (en) | 2011-08-11 | 2011-08-11 | Self-organization method and epitaxial growth method using the same |
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| JP2013040058A JP2013040058A (en) | 2013-02-28 |
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ID=47888814
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2011176253A Active JP5825515B2 (en) | 2011-08-11 | 2011-08-11 | Self-organization method and epitaxial growth method using the same |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5825515B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11508820B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Single crystal semiconductor structure and method of fabricating the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7071022B2 (en) * | 2003-07-18 | 2006-07-04 | Corning Incorporated | Silicon crystallization using self-assembled monolayers |
-
2011
- 2011-08-11 JP JP2011176253A patent/JP5825515B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013040058A (en) | 2013-02-28 |
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