JP5823759B2 - Electronic device package manufacturing method, electronic device package, and oscillator - Google Patents

Electronic device package manufacturing method, electronic device package, and oscillator Download PDF

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Description

本発明は、接合された２枚の基板の間に形成されたキャビティ内に電子デバイスが封止された表面実装型（ＳＭＤ）のパッケージに関するものである。特に２枚の基板を接合するための構造について提案する。   The present invention relates to a surface mount type (SMD) package in which an electronic device is sealed in a cavity formed between two bonded substrates. In particular, a structure for joining two substrates is proposed.

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、表面実装型の小型パッケージを用いた電子デバイスが多く用いられている。この中で、振動子やＭＥＭＳ、ジャイロセンサ、加速度センサなど、中空のキャビティ構造のパッケージが必要な部品も多い。中空のキャビティ構造のパッケージには、ベース基板と蓋基板とが金属膜を介して接合された構造が知られている。また接合方法も、共晶結合やシーム接合、陽極接合が知られている（特許文献１参照）。   2. Description of the Related Art In recent years, many electronic devices using surface-mounted small packages have been used for mobile phones and portable information terminal devices. Among these, there are many parts that require a package having a hollow cavity structure, such as a vibrator, a MEMS, a gyro sensor, and an acceleration sensor. A package having a hollow cavity structure is known in which a base substrate and a lid substrate are bonded via a metal film. Also, eutectic bonding, seam bonding, and anodic bonding are known as bonding methods (see Patent Document 1).

ここで従来のベース基板と蓋基板とが金属膜を介して接合されたパッケージの製造方法について説明する。特に、複数のパッケージ要素が１枚のシート状のベース基板上にアレイ状に形成され、蓋基板をベース基板に接合した後に１つ１つのパッケージに分割する製法について説明する。   Here, a conventional method for manufacturing a package in which a base substrate and a lid substrate are bonded via a metal film will be described. In particular, a manufacturing method will be described in which a plurality of package elements are formed in an array on a single sheet-like base substrate, and the lid substrate is bonded to the base substrate and then divided into individual packages.

図７に示すように従来の電子デバイスパッケージは、電子デバイス４７と、平板状のベース基板４１と、凹部が形成された蓋基板４２と、ベース基板４１と蓋基板４２とを接合するための接合膜である金属膜４９と、から構成されている。蓋基板４２には凹部が形成され、蓋基板４２でベース基板４１を封止することでキャビティ４６が構成される。電子デバイス４７はキャビティ４６内に収納される。   As shown in FIG. 7, the conventional electronic device package includes an electronic device 47, a flat base substrate 41, a lid substrate 42 in which a recess is formed, and bonding for bonding the base substrate 41 and the lid substrate 42. And a metal film 49 which is a film. A recess is formed in the lid substrate 42, and the base substrate 41 is sealed with the lid substrate 42, thereby forming the cavity 46. The electronic device 47 is accommodated in the cavity 46.

ベース基板４１は、絶縁物、半導体、あるいは金属で構成され、平板状に形成されている。ベース基板４１の表面には電子デバイス４７を実装するための配線４３が実装される電子デバイス４７の数に応じて形成され、ベース基板４１の対応する裏面には外部電極４５が形成されている。ベース基板４１の表面の配線４３と裏面の外部電極４５とを接続するために、パッケージの任意の場所に貫通孔及びこれを埋める貫通電極４４が形成され、貫通電極４４を介して配線４３と外部電極４５とが接続されている。   The base substrate 41 is made of an insulator, a semiconductor, or a metal and is formed in a flat plate shape. On the front surface of the base substrate 41, wirings 43 for mounting the electronic devices 47 are formed according to the number of electronic devices 47 to be mounted, and on the corresponding back surface of the base substrate 41, external electrodes 45 are formed. In order to connect the wiring 43 on the front surface of the base substrate 41 and the external electrode 45 on the back surface, a through hole and a through electrode 44 filling the same are formed at an arbitrary position of the package. The electrode 45 is connected.

蓋基板４２は、絶縁物、半導体、あるいは金属で構成され、凹部を有するように形成されている。ベース基板４１と蓋基板４２とが接合されてキャビティ４６を形成する際、ベース基板４１と蓋基板４２とが接する部分には接合膜としての金属膜４９が形成されている。本来はベース基板４１と蓋基板４２とが接する部分のみに金属膜４９を形成すればよいが、工程の簡素化を考慮した場合、図７（Ｂ）に示すように蓋基板４２の片面全面に金属膜４９を形成する。   The lid substrate 42 is made of an insulator, a semiconductor, or a metal, and is formed to have a recess. When the base substrate 41 and the lid substrate 42 are bonded to form the cavity 46, a metal film 49 as a bonding film is formed at a portion where the base substrate 41 and the lid substrate 42 are in contact with each other. Originally, the metal film 49 may be formed only on the portion where the base substrate 41 and the lid substrate 42 are in contact with each other. However, in view of simplification of the process, as shown in FIG. A metal film 49 is formed.

製造方法について説明する。ウェハ状の蓋基板４２に複数の電子デバイス４７が実装できるように凹型のキャビティ４６を複数形成し（図７（Ａ））、その後、蓋基板４２の片面に接合膜としての金属膜４９を形成する（図７（Ｂ））。この金属膜４９として適しているのは、アルミ、クロム、シリコン、銅などである。ウェハ状のベース基板４１に複数の電子デバイス４７を実装するための配線４３と外部電極４５と貫通電極４４とを形成する（図７（Ｃ））。次にベース基板４１上に電子デバイス４７を実装し、電子デバイス４７と配線４３とをワイヤボンディングによるワイヤ４８で接続する（図７（Ｄ））。   A manufacturing method will be described. A plurality of concave cavities 46 are formed so that a plurality of electronic devices 47 can be mounted on the wafer-like lid substrate 42 (FIG. 7A), and then a metal film 49 as a bonding film is formed on one surface of the lid substrate 42. (FIG. 7B). Suitable for the metal film 49 are aluminum, chromium, silicon, copper and the like. Wirings 43, external electrodes 45, and through electrodes 44 for mounting a plurality of electronic devices 47 are formed on a wafer-like base substrate 41 (FIG. 7C). Next, the electronic device 47 is mounted on the base substrate 41, and the electronic device 47 and the wiring 43 are connected by a wire 48 by wire bonding (FIG. 7D).

そして、ベース基板４１と蓋基板４２とをアライメントして重ね合せ、接合を行う。接合では図７（Ｅ）に示すように、アライメントされたベース基板４１と蓋基板４２とをヒータ兼電極の基板５０、５１で挟み込む。そして金属膜４９に接触するように正極プローブ５２をセットし、ヒータ兼電極の基板５０、５１の温度を上昇させて、正極プローブ５２とヒータ兼電極の基板５０との間に電圧を印加することにより、ベース基板４１と蓋基板４２とが金属膜４９を介して接合される。後はダイシング装置等でパッケージ要素を個別に切断し、個々の電子デバイスパッケージが完成する。   Then, the base substrate 41 and the lid substrate 42 are aligned and overlapped to perform bonding. In the bonding, as shown in FIG. 7E, the aligned base substrate 41 and lid substrate 42 are sandwiched between the substrates 50 and 51 serving as heaters and electrodes. Then, the positive electrode probe 52 is set so as to be in contact with the metal film 49, the temperature of the heater / electrode substrates 50, 51 is raised, and a voltage is applied between the positive electrode probe 52 and the heater / electrode substrate 50. Thus, the base substrate 41 and the lid substrate 42 are bonded via the metal film 49. Thereafter, the package elements are individually cut by a dicing apparatus or the like to complete individual electronic device packages.

特開平０９−００２８４５号公報JP 09-002845 A

しかしながら、従来の電子デバイスパッケージの製造方法には、以下の課題が残されている。図８は、図７（Ａ）に示すキャビティ４６となる凹部を複数個形成した後の蓋基板４２の一例を示すものである。図７（Ａ）において、熱などを加えてプレス成形し、凹部を形成する。このとき、蓋基板４２は熱膨張する。ここで、蓋基板４２の一方の面は、凹部が形成されるため、他方の面に比べ面積が大きくなる。そのため、他方の面より一方の面の方が大きく熱膨張する。これにより、凹部形成後、蓋基板４２が大きく反ってしまうという課題があった。また、このままでは、図７（Ｅ）に示すベース基板４１と蓋基板４２との接合が、位置合わせ等の点から困難である。   However, the following problems remain in the conventional method for manufacturing an electronic device package. FIG. 8 shows an example of the lid substrate 42 after forming a plurality of recesses to be the cavities 46 shown in FIG. In FIG. 7A, heat or the like is applied and press molding is performed to form a recess. At this time, the lid substrate 42 is thermally expanded. Here, since the concave portion is formed on one surface of the lid substrate 42, the area is larger than that of the other surface. Therefore, one surface is more thermally expanded than the other surface. As a result, there is a problem in that the lid substrate 42 is greatly warped after the concave portion is formed. Further, in this state, it is difficult to join the base substrate 41 and the lid substrate 42 shown in FIG.

また、蓋基板４２の材料によっては、凹部形成後の収縮により、逆に反ってしまう場合がある。
また、蓋基板４２における凹部が形成された面に成膜される金属膜４９の膜厚を厚くして、反りを抑えるという対策を採用したりしている。しかし金属膜４９の膜厚を厚くしてしまうと、金属膜４９とベース基板４１との接合強度が低下してしまうという課題がある。 Further, depending on the material of the lid substrate 42, the lid substrate 42 may warp conversely due to shrinkage after the formation of the recess.
Further, a measure is taken such that the warp is suppressed by increasing the thickness of the metal film 49 formed on the surface of the lid substrate 42 where the concave portion is formed. However, if the thickness of the metal film 49 is increased, there is a problem that the bonding strength between the metal film 49 and the base substrate 41 is lowered.

本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、基板の反りを最小限に抑え、ベース基板と蓋基板とが金属膜を介して安定的に接合される電子デバイスパッケージを提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an electronic device package in which warpage of a substrate is minimized and a base substrate and a lid substrate are stably bonded via a metal film. That is.

本発明は、ベース基板と、前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合される蓋基板と、前記ベース基板と前記蓋基板との間に複数形成されたキャビティ内のそれぞれに収納されるとともに前記ベース基板上に実装された電子デバイスと、を備えた電子デバイスパッケージの製造方法において、前記蓋基板の一方の面に前記キャビティとなる凹部を形成する工程と、前記蓋基板の他方の面に前記蓋基板より線膨張係数が大きい第一の金属膜を形成する工程と、前記蓋基板の一方の面に前記第一の金属膜より線膨張係数が小さい第二の金属膜を形成する工程と、前記ベース基板と前記蓋基板とを前記第二の金属膜を介して接合する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法によれば、第一の金属膜が蓋基板の反りを補正する役目を果たし、ベース基板と蓋基板との接合を安定して行うことができる。 The present invention is housed in each of a base substrate, a lid substrate bonded to the base substrate in a state of being opposed to the base substrate, and a plurality of cavities formed between the base substrate and the lid substrate. And an electronic device mounted on the base substrate, and a step of forming a recess serving as the cavity on one surface of the lid substrate, and the other of the lid substrate Forming a first metal film having a larger linear expansion coefficient than the lid substrate on a surface; and forming a second metal film having a smaller linear expansion coefficient than the first metal film on one surface of the lid substrate. And a step of joining the base substrate and the lid substrate through the second metal film.
According to the method for manufacturing an electronic device package of the present invention, the first metal film serves to correct the warpage of the lid substrate, and the base substrate and the lid substrate can be stably bonded.

また、前記第一の金属膜がアルミ、銅、金、ニッケル、スズ、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする。
また、前記第二の金属膜が前記蓋基板よりも線膨張係数の小さい材料からなることを特徴とする。
これにより、蓋基板の反りの補正を容易に行うことができる。 Further, the first metal film is aluminum, copper, gold, nickel, tin, or a combination thereof.
Further, the second metal film is made of a material having a smaller linear expansion coefficient than the lid substrate.
Thereby, the correction | amendment of the curvature of a lid | cover board | substrate can be performed easily.

また、前記第二の金属膜がシリコン、クロム、タングステン、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする。
また、前記第一の金属膜及び第二の金属膜の膜厚が、２００Å〜２０００Åの範囲に設定されていることを特徴とする。
これにより、金属膜形成の安定性を維持しつつ、接合強度を確保することができる。 The second metal film may be silicon, chromium, tungsten, or a combination thereof.
The first metal film and the second metal film have a thickness set in a range of 200 to 2000 mm.
Thereby, it is possible to ensure the bonding strength while maintaining the stability of the metal film formation.

また、前記蓋基板が、ガラス材料からなる絶縁物であることを特徴とする。
また、本発明に係る電子デバイスパッケージは、ベース基板と、一方の面に凹部が形成され、前記一方の面上に第二の金属膜が形成されるとともに、前記第二の金属膜を介して前記ベース基板と接合し、前記ベース基板との間にキャビティを形成する蓋基板と、前記蓋基板の他方の面上に形成され、前記蓋基板及び前記第二の金属膜より線膨張係数が大きい第一の金属膜と、前記キャビティ内に収納されるとともに、前記ベース基板上に実装される電子デバイスと、を備えることを特徴とする。
本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法によれば、第一の金属膜が蓋基板の反りを補正する役目を果たし、ベース基板と蓋基板との接合を安定して行うことができる。 The lid substrate is an insulator made of a glass material.
The electronic device package according to the present invention includes a base substrate, a recess formed on one surface, a second metal film formed on the one surface, and the second metal film interposed therebetween. A lid substrate that is bonded to the base substrate and forms a cavity between the base substrate and the other surface of the lid substrate, and has a larger linear expansion coefficient than the lid substrate and the second metal film. A first metal film and an electronic device housed in the cavity and mounted on the base substrate are provided.
According to the method for manufacturing an electronic device package of the present invention, the first metal film serves to correct the warpage of the lid substrate, and the base substrate and the lid substrate can be stably bonded.

また、前記第二の金属膜が前記蓋基板よりも線膨張係数の小さい材料からなることを特徴とする。
これにより、蓋基板の反りの補正を容易に行うことができる。 Further, the second metal film is made of a material having a smaller linear expansion coefficient than the lid substrate.
Thereby, the correction | amendment of the curvature of a lid | cover board | substrate can be performed easily.

また、前記電子デバイスは、圧電振動片であることを特徴とする。
また、本発明に係る発振器は、前記電子デバイスが圧電振動片である本発明に係る電子デバイスパッケージと、前記電子デバイスパッケージが発振子として電気的に接続される集積回路と、を備えることを特徴とする。 Further, the electronic device is a piezoelectric vibrating piece.
An oscillator according to the present invention includes the electronic device package according to the present invention in which the electronic device is a piezoelectric vibrating piece, and an integrated circuit to which the electronic device package is electrically connected as an oscillator. And

本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法によれば、第一の金属膜が蓋基板の反りを補正する役目を果たし、ベース基板と蓋基板との接合を安定して行うことができる。   According to the method for manufacturing an electronic device package of the present invention, the first metal film serves to correct the warpage of the lid substrate, and the base substrate and the lid substrate can be stably bonded.

本発明に係る電子デバイスパッケージの一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view showing one embodiment of an electronic device package concerning the present invention. 本発明に係る電子デバイスパッケージの一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the electronic device package which concerns on this invention. 本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一実施形態を示すフロー工程図である。It is a flow process figure showing one embodiment of a manufacturing method of an electronic device package concerning the present invention. 本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一実施形態を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the electronic device package which concerns on this invention. 本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法の一実施形態を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the electronic device package which concerns on this invention. 本発明に係る発振器の一実施形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of the oscillator based on this invention. 従来の電子デバイスパッケージの断面工程図である。It is sectional process drawing of the conventional electronic device package. 図７（Ａ）に示すキャビティとなる凹部を複数個形成した後の蓋基板の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the lid | cover board | substrate after forming the several recessed part used as the cavity shown to FIG. 7 (A).

以下、本発明に係る実施形態を、図１から図５を参照して説明する。本実施形態の電子デバイスパッケージ１は、図１及び図２に示すように、ベース基板２と蓋基板３とが２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティ５内に電子デバイス４が収納された表面実装型パッケージである。電子デバイス４とは、ＬＳＩやＭＥＭＳ、センサ、圧電振動子、あるいはその複合体である。   Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic device package 1 of the present embodiment is formed in a box shape in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are laminated in two layers, and an electronic device package 1 has an electron inside the cavity 5. It is a surface mount type package in which the device 4 is housed. The electronic device 4 is an LSI, MEMS, sensor, piezoelectric vibrator, or complex thereof.

ベース基板２及び蓋基板３は共に絶縁物、半導体、金属、あるいはその複合材料からなり、本実施形態では例えばソーダガラスからなる絶縁物である。図１及び図２に示す例では、蓋基板３におけるベース基板２が接合される接合面（一方の面）側に、電子デバイス４が収納されるキャビティ５となる矩形状の凹部が形成され、ベース基板２は平板状に形成されている。凹部は、両基板２、３が重ね合わされたときに、電子デバイス４を収納するキャビティ５となる凹部である。そして、蓋基板３は、この凹部５をベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合膜である第二の金属膜７を介して接合されている。また、蓋基板３における一方の面と反対の面（他方の面）に第一の金属膜６が形成されている。   Both the base substrate 2 and the lid substrate 3 are made of an insulator, a semiconductor, a metal, or a composite material thereof. In this embodiment, the base substrate 2 and the lid substrate 3 are insulators made of, for example, soda glass. In the example shown in FIG.1 and FIG.2, the rectangular recessed part used as the cavity 5 in which the electronic device 4 is accommodated is formed in the joint surface (one surface) side in which the base substrate 2 in the lid substrate 3 is joined, The base substrate 2 is formed in a flat plate shape. The concave portion is a concave portion that becomes a cavity 5 in which the electronic device 4 is accommodated when the two substrates 2 and 3 are overlapped. The lid substrate 3 is bonded to the base substrate 2 via the second metal film 7 that is a bonding film in a state where the concave portion 5 is opposed to the base substrate 2 side. Further, a first metal film 6 is formed on the surface (the other surface) opposite to the one surface of the lid substrate 3.

図２に示すように電子デバイス４と外部電極１１とを電気的に接続するために貫通電極１０がベース基板２に形成されている。貫通電極１０を通すための貫通孔は、キャビティ５内に開口するように形成されている。図２では、貫通孔は略一定の径を維持しながらベース基板２を真っ直ぐに貫通した貫通孔を例に挙げて説明するが、この場合に限られず、例えばベース基板２の下面に向かって漸次径が縮径あるいは拡径するテーパー状に形成しても構わない。いずれにしても、ベース基板２を貫通していれば良い。   As shown in FIG. 2, a through electrode 10 is formed on the base substrate 2 in order to electrically connect the electronic device 4 and the external electrode 11. A through hole for passing through the through electrode 10 is formed to open into the cavity 5. In FIG. 2, the through-hole is described as an example of a through-hole that passes straight through the base substrate 2 while maintaining a substantially constant diameter. However, the present invention is not limited to this case. You may form in the taper shape which a diameter reduces or expands. In any case, it only has to penetrate the base substrate 2.

そして貫通孔には、貫通孔を埋めるように貫通電極１０が形成されている。この貫通電極１０は、貫通孔を完全に塞いでキャビティ５内の気密を維持していると共に、外部電極１１と電子デバイス４とを電気的に導通させる役割を担っている。貫通孔と貫通電極１０との隙間は無機材料や有機材料などベース基板２と熱膨張係数を合わせた材料を用いて完全に塞がれている。   A through electrode 10 is formed in the through hole so as to fill the through hole. The through electrode 10 completely closes the through hole to maintain airtightness in the cavity 5 and plays a role of electrically connecting the external electrode 11 and the electronic device 4. The gap between the through-hole and the through-electrode 10 is completely closed using a material that combines the base substrate 2 and the thermal expansion coefficient, such as an inorganic material or an organic material.

次に本発明に係る一実施形態の電子デバイスパッケージの製造方法について図３のフロー工程図、図４及び図５を参照して説明する。   Next, a method of manufacturing an electronic device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. 3 and FIGS. 4 and 5.

まず、ベース基板２については、ウェハ状の絶縁基板を研磨、エッチングして目的の厚みにし、洗浄を行う（Ｓ１０）。次に、ベース基板２に貫通孔を形成する（Ｓ１１）。貫通孔の形成方法については、フォトリソグラフィによるエッチングでの形成やプレス加工による形成など、方法は問わない。そして、ベース基板２上に電子デバイス４を実装するための配線９を形成する（Ｓ１２）。次にベース基板２に形成された貫通孔に貫通電極１０を形成する（Ｓ１３）。さらにベース基板２上の配線９を形成した面とは反対の面に外部電極１１を形成する（Ｓ１４）。外部電極１１まで形成されたベース基板２が図４（Ｅ）に示されている。   First, with respect to the base substrate 2, the wafer-like insulating substrate is polished and etched to a target thickness, and cleaning is performed (S10). Next, a through hole is formed in the base substrate 2 (S11). The through hole may be formed by any method, such as etching by photolithography or press working. Then, the wiring 9 for mounting the electronic device 4 is formed on the base substrate 2 (S12). Next, the through electrode 10 is formed in the through hole formed in the base substrate 2 (S13). Further, the external electrode 11 is formed on the surface opposite to the surface on which the wiring 9 is formed on the base substrate 2 (S14). The base substrate 2 formed up to the external electrode 11 is shown in FIG.

一方、蓋基板３については図４（Ａ）に示すように、ウェハ状の絶縁基板を研磨、エッチングして目的の厚みにし、洗浄を行う（Ｓ２０）。次に図４（Ｂ）に示すように平板状の蓋基板３にキャビティ５となる凹部を形成する（Ｓ２１）。凹部は、フォトリソグラフィによるエッチングでの形成やプレス加工で形成される。なお、凹部形成方法はこれに限定されない。このとき、図８に示すように蓋基盤３の凹部形成によって一方の面から他方の面に向かって反りが生じる。   On the other hand, as shown in FIG. 4A, the lid substrate 3 is cleaned by polishing and etching the wafer-like insulating substrate to obtain a desired thickness (S20). Next, as shown in FIG. 4B, a concave portion to be a cavity 5 is formed in the flat lid substrate 3 (S21). The recess is formed by etching by photolithography or press working. In addition, the recessed part formation method is not limited to this. At this time, as shown in FIG. 8, warpage occurs from one surface to the other surface by forming the concave portion of the lid base 3.

次に図４（Ｃ）に示すように蓋基板３における凹部が形成された面とは反対の面全面にウェハの反りを防止するための第一の金属膜６を形成する（Ｓ２２）。第一の金属膜６の形成方法としては、蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法などが用いられる。第一の金属膜６には、蓋基板３に用いられる材料よりも線膨張係数の大きい材料を用いる。例えば、蓋基板３にソーダガラスが用いられた場合、第二の金属膜７にはＡｌ、Ｎｉ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｃｕなどが用いられる。また、その厚さは２００Å〜２０００Åの範囲に設定されている。また、ソーダガラスの線膨張係数は９〜１０×１０-6／℃であり、一方Ａｌの線膨張係数は２３．９×１０-6／℃、Ｎｉは１３×１０-6／℃、Ａｕは１４．２×１０-6／℃、Ｓｎは２３×１０-6／℃、Ｃｕは１３×１０-6／℃である。これにより、後述する蓋基板３とベース基板２との接合時に、現在の反りとは反対方向の反り、すなわち、他方の面から一方の面に向かって反りが生じるため、蓋基板３の反りが補正される。これにより、接合時に蓋基板３を第一の金属膜６を形成しない場合より平坦にすることができる。よって、蓋基板３とベース基板２との位置あわせをより容易に行うことができる。 Next, as shown in FIG. 4C, a first metal film 6 for preventing warpage of the wafer is formed on the entire surface of the lid substrate 3 opposite to the surface where the recesses are formed (S22). As a method for forming the first metal film 6, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like is used. For the first metal film 6, a material having a larger linear expansion coefficient than the material used for the lid substrate 3 is used. For example, when soda glass is used for the lid substrate 3, Al, Ni, Au—Sn, Cu, or the like is used for the second metal film 7. The thickness is set in the range of 200 to 2000 mm. Also, the linear expansion coefficient of soda glass is 9 to 10 × 10 −6 / ° C., while the linear expansion coefficient of Al is 23.9 × 10 −6 / ° C., Ni is 13 × 10 −6 / ° C., and Au is 14.2 × 10 −6 / ° C., Sn is 23 × 10 −6 / ° C., and Cu is 13 × 10 −6 / ° C. Thereby, when the lid substrate 3 and the base substrate 2 which will be described later are joined, the warpage in the direction opposite to the current warpage, that is, the warpage from the other surface toward the one surface occurs, so that the warpage of the lid substrate 3 occurs. It is corrected. Thereby, the lid substrate 3 can be made flatter when the first metal film 6 is not formed at the time of bonding. Therefore, alignment of the lid substrate 3 and the base substrate 2 can be performed more easily.

次に図４（Ｄ）に示すように、蓋基板３における凹部が形成された面全面に接合膜としての第二の金属膜７を形成する（Ｓ２３）。形成する方法としては、同様に蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いて形成する。第二の金属膜７には、第一の金属膜６に用いられる材料よりも線膨張係数の小さい材料を用いる。例えば、蓋基板３にソーダガラスが用いられた場合、第一の金属膜６にはＳｉ、Ｃｒ、Ｗ、またはこれらの組み合わせなどが用いられる。また、その厚さは２００Å〜２０００Åの範囲に設定されている。また、Ｓｉは２．８〜７．３×１０-6／℃、Ｃｒは６．２×１０-6／℃、Ｗは４．３×１０-6／℃である。また、第二の金属膜７の材料は、より好ましくは蓋基板３に用いられる材料よりも線膨張係数の小さい材料を用いる。これにより、蓋基板３の一方の面から他方の面への反りを防止することができる。 Next, as shown in FIG. 4D, a second metal film 7 as a bonding film is formed on the entire surface of the lid substrate 3 where the recesses are formed (S23). As a method of forming, similarly, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like is used. A material having a smaller linear expansion coefficient than that used for the first metal film 6 is used for the second metal film 7. For example, when soda glass is used for the lid substrate 3, Si, Cr, W, or a combination thereof is used for the first metal film 6. The thickness is set in the range of 200 to 2000 mm. Further, Si is 2.8 to 7.3 × 10 −6 / ° C., Cr is 6.2 × 10 −6 / ° C., and W is 4.3 × 10 −6 / ° C. The material of the second metal film 7 is more preferably a material having a smaller linear expansion coefficient than the material used for the lid substrate 3. Thereby, the curvature from the one surface of the lid | cover board | substrate 3 to the other surface can be prevented.

ここで、蓋基板３における凹部が形成された面に形成される第二の金属膜７の材料は、蓋基板３とベース基板２とを接合可能な材料を選択する。また、反りが大きい場合、蓋基板３における他方の面に形成される第一の金属膜６の厚みを厚くしていく。これにより、さらにウェハとしての蓋基板３の反りを低減できる。   Here, as the material of the second metal film 7 formed on the surface of the lid substrate 3 on which the concave portion is formed, a material capable of joining the lid substrate 3 and the base substrate 2 is selected. When the warp is large, the thickness of the first metal film 6 formed on the other surface of the lid substrate 3 is increased. Thereby, the curvature of the lid | cover board | substrate 3 as a wafer can be reduced further.

なお、本実施形態では、第一の金属膜を形成した後、第二の金属膜を形成するが、第二の金属膜を先に形成してもよい。
そして、図４（Ｆ）に示すように、電子デバイス４をベース基板２上に実装する（Ｓ３０）。図４ではワイヤ８を用いたワイヤボンディングで配線９と電子デバイス４とを接続しているが、必ずしもこの工法に限定されるわけではなく、フリップチップボンディングや半田接合など、電気の導通が確保される接続工法であればいずれでも良い。 In the present embodiment, the second metal film is formed after the first metal film is formed. However, the second metal film may be formed first.
Then, as shown in FIG. 4F, the electronic device 4 is mounted on the base substrate 2 (S30). In FIG. 4, the wiring 9 and the electronic device 4 are connected by wire bonding using the wire 8, but this is not necessarily limited to this method, and electrical conduction such as flip chip bonding and solder bonding is ensured. Any connection method may be used.

第一の金属膜６、第二の金属膜７の膜厚を２００Å〜２０００Åの範囲とするのは膜形成の安定性及び接合強度との関係によるものである。膜厚２００Å以下では、蓋基板３の材料と第一の金属膜６、第二の金属膜７との密着強度が弱いため、接合強度を確保するためには２００Å以上の膜厚が必要である。一方、２０００Å以上の膜厚にした場合、ベース基板２と蓋基板３の接合強度が膜の分子間結合力によって左右されてしまうため、接合強度が低下してしまう。   The thicknesses of the first metal film 6 and the second metal film 7 are in the range of 200 to 2000 mm because of the relationship between the stability of film formation and the bonding strength. When the film thickness is 200 mm or less, the adhesion strength between the material of the lid substrate 3 and the first metal film 6 and the second metal film 7 is weak, so that a film thickness of 200 mm or more is necessary to ensure the bonding strength. . On the other hand, when the film thickness is 2000 mm or more, the bonding strength between the base substrate 2 and the lid substrate 3 depends on the intermolecular bonding force of the film, so that the bonding strength is lowered.

次に、電子デバイス４が実装された状態のベース基板２と第一の金属膜６が形成された蓋基板３とを、第二の金属膜７を介した状態で接合する（Ｓ３１）。ここで、図４及び図５に示す例では、ベース基板２は蓋基板３に対して重ね合わせ可能な大きさに形成されている。   Next, the base substrate 2 on which the electronic device 4 is mounted and the lid substrate 3 on which the first metal film 6 is formed are bonded together via the second metal film 7 (S31). Here, in the example shown in FIGS. 4 and 5, the base substrate 2 is formed in a size that can be superimposed on the lid substrate 3.

ベース基板２と蓋基板３との接合方法は、ベース基板２及び蓋基板３のそれぞれの構成材料と第二の金属膜７の種類とによって選択される。例えば、ベース基板２及び蓋基板３が共にソーダガラスで構成されている場合、適する接合方法として陽極接合が挙げられる。図５（Ａ）は陽極接合でベース基板２と蓋基板３とを接合した場合を示す。陽極接合では、まず蓋基板３とベース基板２とをアライメントして重ね合せる。次にベース基板２における蓋基板３と接合される面とは反対の面全面にカーボン等で形成された負電極板２１を接触させ、蓋基板３におけるベース基板２と接合される面とは反対の面全面にカーボン等で形成された正電極板２２を接触させる。さらに正電極板２２と負電極板２１との間に一定の荷重を印加する。この状態で正電極板２２、負電極板２１、ベース基板２、及び蓋基板３をヒータ等で２００〜３００℃に加熱し、正電極板２２と負電極板２１との間に５００〜１０００Ｖの電圧を印加してベース基板２と蓋基板３とを陽極接合する。   The joining method of the base substrate 2 and the lid substrate 3 is selected depending on the constituent materials of the base substrate 2 and the lid substrate 3 and the type of the second metal film 7. For example, when both the base substrate 2 and the lid substrate 3 are made of soda glass, a suitable bonding method is anodic bonding. FIG. 5A shows a case where the base substrate 2 and the lid substrate 3 are bonded by anodic bonding. In anodic bonding, first, the lid substrate 3 and the base substrate 2 are aligned and overlapped. Next, the negative electrode plate 21 made of carbon or the like is brought into contact with the entire surface of the base substrate 2 opposite to the surface bonded to the lid substrate 3, so that the surface of the lid substrate 3 opposite to the surface bonded to the base substrate 2 is opposite. A positive electrode plate 22 made of carbon or the like is brought into contact with the entire surface of the substrate. Further, a certain load is applied between the positive electrode plate 22 and the negative electrode plate 21. In this state, the positive electrode plate 22, the negative electrode plate 21, the base substrate 2, and the lid substrate 3 are heated to 200 to 300 ° C. with a heater or the like, and 500 to 1000 V is provided between the positive electrode plate 22 and the negative electrode plate 21. A voltage is applied to anodic bond the base substrate 2 and the lid substrate 3.

このときの加熱により、蓋基板３、第一の金属膜６及び第二の金属膜７が熱膨張する。蓋基板３の一方の面側は、第二の金属膜７により膨張が抑制される。また、蓋基板３の他方の面側は、第一の金属膜６により膨張が促進される。これにより、接合前の反りを反対方向の反りが生じるため、蓋基板３の反りを補正することができる。   By the heating at this time, the lid substrate 3, the first metal film 6, and the second metal film 7 are thermally expanded. Expansion of one surface side of the lid substrate 3 is suppressed by the second metal film 7. Further, expansion of the other surface side of the lid substrate 3 is promoted by the first metal film 6. Thereby, since the warp of the opposite direction arises from the warp before joining, the warp of the lid substrate 3 can be corrected.

図５（Ａ）の状態では、ウェハ状のベース基板２とウェハ状の蓋基板３とが接合されてなる１枚のウェハ内に複数の電子デバイスパッケージ要素が存在している。そこで図５（Ｂ）に示すように、ダイシングソーやワイヤーソーを用いて、電子デバイスパッケージ１を個別に切断する（Ｓ３２）。電子デバイスパッケージ１を個別に切断した状態の断面図が図２に示されている。その後、内部の電気特性検査を行うことで電子デバイスパッケージ１が製造される（Ｓ３３）。   In the state shown in FIG. 5A, a plurality of electronic device package elements exist in one wafer formed by bonding the wafer-like base substrate 2 and the wafer-like lid substrate 3. Therefore, as shown in FIG. 5B, the electronic device package 1 is individually cut using a dicing saw or a wire saw (S32). FIG. 2 shows a cross-sectional view of the electronic device package 1 cut individually. Thereafter, the electronic device package 1 is manufactured by performing an internal electrical characteristic inspection (S33).

ここでベース基板２と蓋基板３とを陽極接合する効果について説明する。これまでセラミック基板を用いたベース基板では電子デバイス１つ１つに蓋を接合する必要があった。そのため、ベース基板と蓋との接合時にベース基板に大きな圧力が掛かり、接合面の幅が小さいと圧力に耐えることができず、割れや欠けを生じるという課題があった。本実施形態の電子デバイスパッケージ１は、ベース基板２と蓋基板３との接合に陽極接合を用いているため、複数の電子デバイス４を同時に接合することができる。このため、接合時に１つ１つのベース基板に印加される圧力は小さくなり、接合面が小さくても割れや欠けを生じることはない。このため、小型化のパッケージを作るには非常に有効である。   Here, the effect of anodic bonding of the base substrate 2 and the lid substrate 3 will be described. Until now, it was necessary to bond a lid to each electronic device in a base substrate using a ceramic substrate. For this reason, a large pressure is applied to the base substrate when the base substrate and the lid are bonded, and if the width of the bonding surface is small, the pressure cannot be endured, and there is a problem that cracks and chips occur. Since the electronic device package 1 of the present embodiment uses anodic bonding for bonding the base substrate 2 and the lid substrate 3, a plurality of electronic devices 4 can be bonded simultaneously. For this reason, the pressure applied to each base substrate at the time of joining becomes small, and even if the joining surface is small, cracks and chips are not generated. Therefore, it is very effective for making a small package.

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。上述した例では、ベース基板２及び蓋基板３が共にソーダガラスから構成され、陽極接合でベース基板２と蓋基板３とを接合する例を説明したが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、例えば、ベース基板２と蓋基板３とを第二の金属膜７を介して溶接により接合する場合や共晶接合する場合でも構わない。   The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. In the above-described example, the base substrate 2 and the lid substrate 3 are both made of soda glass, and the example in which the base substrate 2 and the lid substrate 3 are joined by anodic bonding has been described. However, the present invention is not necessarily limited thereto. For example, the base substrate 2 and the lid substrate 3 may be joined by welding or eutectic joining via the second metal film 7.

次に別の実施例について説明する。蓋基板に用いる材料によっては、凹部形成後、大きく収縮する虞がある。さらに、蓋基板の収縮が熱膨張による反りより大きくなる場合がある。このとき蓋基板は、他方の面から一方の面に向かって反る。   Next, another embodiment will be described. Depending on the material used for the lid substrate, there is a risk that it will shrink significantly after the recess is formed. Furthermore, the shrinkage of the lid substrate may be greater than the warp due to thermal expansion. At this time, the lid substrate warps from the other surface toward the one surface.

この場合、蓋基板とベース基板との接合時に反りを補正するために、蓋基板の他方の面に蓋基板より用いられる材料よりも線膨張係数の小さい材料を用いる。例えば、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｗ、またはこれらの組み合わせなどが用いられる。また、その厚さは２００Å〜２０００Åの範囲に設定されている。また、Ｓｉは２．８〜７．３×１０-6／℃、Ｃｒは６．２×１０-6／℃、Ｗは４．３×１０-6／℃である。これにより、蓋基板とベース基板との接合後の蓋基板の収縮による蓋基板の他方の面から一方の面へのさらなる反りを防止することができる。 In this case, in order to correct the warp at the time of joining the lid substrate and the base substrate, a material having a smaller linear expansion coefficient than the material used from the lid substrate is used for the other surface of the lid substrate. For example, Si, Cr, W, or a combination thereof is used. The thickness is set in the range of 200 to 2000 mm. Further, Si is 2.8 to 7.3 × 10 −6 / ° C., Cr is 6.2 × 10 −6 / ° C., and W is 4.3 × 10 −6 / ° C. Thereby, the further curvature from the other surface of the lid substrate to one surface by shrinkage | contraction of the lid substrate after joining of a lid substrate and a base substrate can be prevented.

また、第二の金属膜には、第一の金属膜に用いられる材料よりも線膨張係数の大きい材料を用いる。例えば、蓋基板にソーダガラスが用いられた場合、第一の金属膜には、例えば、第二の金属膜にはＡｌ、Ｎｉ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｃｕなどが用いられる。また、その厚さは２００Å〜２０００Åの範囲に設定されている。また、ソーダガラスの線膨張係数は９〜１０×１０-6／℃であり、一方Ａｌの線膨張係数は２３．９×１０-6／℃、Ｎｉは１３×１０-6／℃、Ａｕは１４．２×１０-6／℃、Ｓｎは２３×１０-6／℃、Ｃｕは１３×１０-6／℃である。 In addition, a material having a larger linear expansion coefficient than the material used for the first metal film is used for the second metal film. For example, when soda glass is used for the lid substrate, for example, Al, Ni, Au—Sn, Cu or the like is used for the second metal film for the first metal film. The thickness is set in the range of 200 to 2000 mm. Also, the linear expansion coefficient of soda glass is 9 to 10 × 10 −6 / ° C., while the linear expansion coefficient of Al is 23.9 × 10 −6 / ° C., Ni is 13 × 10 −6 / ° C., and Au is 14.2 × 10 −6 / ° C., Sn is 23 × 10 −6 / ° C., and Cu is 13 × 10 −6 / ° C.

これにより、蓋基板とベース基板との接合時に、現在の反りとは反対方向の反り、すなわち、一方の面から他方の面に向かって反りが生じるため、蓋基板の反りが補正される。また、第一の金属膜により反りが抑制されるため、接合時に蓋基板を第一の金属膜を形成しない場合より平坦にすることができる。よって、蓋基板とベース基板との位置あわせをより容易に行うことができる。   As a result, when the lid substrate and the base substrate are joined, the warpage in the direction opposite to the current warpage, that is, the warpage from one surface to the other surface occurs, and thus the warpage of the lid substrate is corrected. Further, since the warpage is suppressed by the first metal film, the lid substrate can be made flatter than when the first metal film is not formed at the time of bonding. Therefore, it is possible to more easily align the lid substrate and the base substrate.

次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図６を参照しながら説明する。本実施形態の発振器１００は、図６に示すように、電子デバイス４として例えば水晶からなる圧電振動片を用いた電子デバイスパッケージ１（圧電振動子）を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、電子デバイスパッケージ１（圧電振動子）が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び電子デバイスパッケージ１（圧電振動子）は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。   Next, an embodiment of an oscillator according to the present invention will be described with reference to FIG. In the oscillator 100 of the present embodiment, as shown in FIG. 6, an electronic device package 1 (piezoelectric vibrator) using a piezoelectric vibrating piece made of, for example, quartz as an electronic device 4 is electrically connected to an integrated circuit 101. It is configured as an oscillator. The oscillator 100 includes a substrate 103 on which an electronic component 102 such as a capacitor is mounted. On the substrate 103, the integrated circuit 101 for the oscillator is mounted, and the electronic device package 1 (piezoelectric vibrator) is mounted in the vicinity of the integrated circuit 101. The electronic component 102, the integrated circuit 101, and the electronic device package 1 (piezoelectric vibrator) are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).

このように構成された発振器１００において、圧電振動子に電圧を印加すると、圧電振動子内の圧電振動片が振動する。この振動は、圧電振動片が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子が発振子として機能する。また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。   In the oscillator 100 configured as described above, when a voltage is applied to the piezoelectric vibrator, the piezoelectric vibrating piece in the piezoelectric vibrator vibrates. This vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the piezoelectric vibrating piece and input to the integrated circuit 101 as an electric signal. The input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 101 and is output as a frequency signal. Thereby, the piezoelectric vibrator functions as an oscillator. Further, by selectively setting the configuration of the integrated circuit 101, for example, an RTC (real-time clock) module or the like according to a request, the operation date and time of the device and the external device in addition to a single-function oscillator for a clock, etc. A function for controlling the time, providing a time, a calendar, and the like can be added.

また、これまで蓋基板が絶縁物の場合、蓋基板におけるベース基板に接合される面とは反対の面に製品の識別番号を刻印するのには多大な困難があった。
しかし、蓋基板におけるベース基板に接合される面とは反対の面に第一の金属膜が形成されているため、製品の識別番号をこの金属膜に刻印することができるという効果がある。 Further, when the lid substrate is an insulator, it has been very difficult to engrave the product identification number on the surface of the lid substrate opposite to the surface bonded to the base substrate.
However, since the first metal film is formed on the surface of the lid substrate opposite to the surface bonded to the base substrate, there is an effect that the product identification number can be engraved on the metal film.

１…電子デバイスパッケージ
２…ベース基板
３…リッド基板
４…電子デバイス
５…キャビティ
６…第一の金属膜（反り防止）
７…第二の金属膜（接合膜）
８…ワイヤ
９…配線
１０…貫通電極
１１…外部電極
２１…負電極板
２２…正電極板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device package 2 ... Base substrate 3 ... Lid substrate 4 ... Electronic device 5 ... Cavity 6 ... 1st metal film (warp prevention)
7 ... Second metal film (bonding film)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... Wire 9 ... Wiring 10 ... Through electrode 11 ... External electrode 21 ... Negative electrode plate 22 ... Positive electrode plate

Claims (10)

ベース基板と、前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合される蓋基板と、前記ベース基板と前記蓋基板との間に複数形成されたキャビティ内のそれぞれに収納されるとともに前記ベース基板上に実装された電子デバイスと、を備えた電子デバイスパッケージの製造方法において、
前記蓋基板の一方の面に前記キャビティとなる凹部を形成する工程と、
前記蓋基板の他方の面に前記蓋基板より線膨張係数が大きい第一の金属膜を形成する工程と、
前記蓋基板の一方の面に前記第一の金属膜より線膨張係数が小さい第二の金属膜を形成する工程と、
前記第一の金属膜を形成する工程と前記第二の金属膜を形成する工程の後に、前記ベース基板と前記蓋基板とを前記第二の金属膜を介して接合する工程と、
前記接合を行った後、個別の電子デバイスパッケージに切断する工程と、
を備えることを特徴とする電子デバイスパッケージの製造方法。 A base substrate, a lid substrate bonded to the base substrate in a state of facing the base substrate, and a plurality of cavities formed between the base substrate and the lid substrate and housed in each of the base substrates In an electronic device package manufacturing method comprising: an electronic device mounted on a substrate;
Forming a recess to be the cavity on one surface of the lid substrate;
Forming a first metal film having a larger linear expansion coefficient than the lid substrate on the other surface of the lid substrate;
Forming a second metal film having a smaller linear expansion coefficient than the first metal film on one surface of the lid substrate;
After the step of forming said second metal film and the step of forming the first metal film, a step of junction between the cover substrate and the base substrate through the second metal film,
After pre-performed Kise' case, a step of cutting into individual electronic device package,
An electronic device package manufacturing method comprising: 前記第一の金属膜がアルミ、銅、金、ニッケル、スズ、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device package according to claim 1, wherein the first metal film is aluminum, copper, gold, nickel, tin, or a combination thereof. 前記第二の金属膜が前記蓋基板よりも線膨張係数の小さい材料からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device package according to claim 1, wherein the second metal film is made of a material having a smaller linear expansion coefficient than the lid substrate. 前記第二の金属膜がシリコン、クロム、タングステン、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   4. The method of manufacturing an electronic device package according to claim 3, wherein the second metal film is silicon, chromium, tungsten, or a combination thereof. 前記第一の金属膜及び第二の金属膜の膜厚が、２００Å〜２０００Åの範囲に設定されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   5. The manufacturing of an electronic device package according to claim 1, wherein the first metal film and the second metal film have a thickness of 200 to 2000 mm. Method. 前記蓋基板が、ガラス材料からなる絶縁物であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   6. The method of manufacturing an electronic device package according to claim 1, wherein the lid substrate is an insulator made of a glass material. ベース基板と、
一方の面に凹部が形成され、前記一方の面上に第二の金属膜が形成されるとともに、前記第二の金属膜を介して前記ベース基板と接合し、前記ベース基板との間にキャビティを形成する蓋基板と、
前記蓋基板の他方の面上にのみ形成され、前記蓋基板及び前記第二の金属膜より線膨張係数が大きい第一の金属膜と、
前記キャビティ内に収納されるとともに、前記ベース基板上に実装される電子デバイスと、を備えることを特徴とする電子デバイスパッケージ。 A base substrate;
A recess on one side is formed, together with the second metal film is formed on the one surface, the base substrate and engages contact via the second metal film, between the base substrate A lid substrate forming a cavity;
A first metal film formed only on the other surface of the lid substrate and having a larger linear expansion coefficient than the lid substrate and the second metal film;
An electronic device package comprising: an electronic device housed in the cavity and mounted on the base substrate. 前記第二の金属膜が前記蓋基板よりも線膨張係数の小さい材料からなることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスパッケージ。   The electronic device package according to claim 7, wherein the second metal film is made of a material having a smaller linear expansion coefficient than the lid substrate. 前記電子デバイスは、圧電振動片であることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電子デバイスパッケージ。   The electronic device package according to claim 7, wherein the electronic device is a piezoelectric vibrating piece. 前記電子デバイスが圧電振動片である請求項７から９のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージと、
前記電子デバイスパッケージが発振子として電気的に接続される集積回路と、
を備えることを特徴とする発振器。 The electronic device package according to any one of claims 7 to 9, wherein the electronic device is a piezoelectric vibrating piece.
An integrated circuit in which the electronic device package is electrically connected as an oscillator; and
An oscillator comprising:
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