JP5814825B2 - 記憶装置及び記憶方法 - Google Patents
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Description
例えば、不揮発性の記憶部から読み出したデータを、揮発性の記憶部に記憶しておき、同じデータに対する読出しがあった場合、揮発性の記憶部からデータを読み出す。
あるいは、不揮発性の記憶部に書き込むデータを、不揮発性の記憶部にすぐに書き込むのではなく、揮発性の記憶部に一時的に記憶しておく。記憶装置は、アクセスのないアイドル状態になったとき、揮発性の記憶部に記憶しておいたデータを、不揮発性の記憶部に書き込む。
揮発性の記憶部は、停電などによって電源を失うと、記憶しているデータが消えてしまう場合がある。このため、停電時のバックアップ用のバッテリなどを設け、バッテリからの電源がある間に、不揮発性の記憶部に書き込まなければならないデータの書き込みなどの処理をする。
この発明は、例えば、バッテリなどの蓄電池に蓄積された電力が十分でない場合でも、データが失われるのを防ぎ、信頼性を向上させることを目的とする。
蓄電池から得た電力により動作する記憶装置において、
データを記憶する不揮発記憶部と、データを記憶する揮発記憶部と、書込み制御部と、退避制御部とを有し、
上記書込み制御部は、指定したデータを上記不揮発記憶部に記憶させることを指示する書込み指示を上位装置から受けた場合、上記書込み指示によって指定されたデータを上記揮発記憶部に記憶させ、
上記退避制御部は、上記書込み制御部が上記揮発記憶部に記憶させたデータのうち、上記不揮発記憶部に記憶させていないデータの量が、上記蓄電池に充電されている電力の残量によって定まる閾値より多い場合、上記書込み制御部が上記揮発記憶部に記憶させたデータであって上記不揮発記憶部に記憶させていないデータのうち少なくとも一部のデータを、上記不揮発記憶部に記憶させることを特徴とする。
実施の形態1について、図1〜図7を用いて説明する。
記憶装置100は、例えば商用電源などの外部電源20から供給される電力によって動作する。
フラッシュメモリ102は、アクセス制御回路108とデータバスなどによって接続されている。フラッシュメモリ102は、アクセス制御回路108からの指示にしたがって、指定されたページのデータを読み出し、あるいは、指定されたページにデータを書き込むことができる。フラッシュメモリ102からのデータ読出しや、フラッシュメモリ102へのデータ書込みは、ページ単位で行われる。
キャッシュメモリ103は、アクセス制御回路108とデータバスなどによって接続されている。キャッシュメモリ103は、アクセス制御回路108からの指示にしたがって、指定されたアドレスのデータを読み出し、あるいは、指定されたアドレスにデータを書き込むことができる。キャッシュメモリ103が記憶しているデータを読み出すのにかかる時間は、フラッシュメモリ102が記憶しているデータを読み出すのにかかる時間より短い。また、キャッシュメモリ103にデータを記憶させるのにかかる時間は、フラッシュメモリ102にデータを記憶させるのにかかる時間よりも短い。
例えば、上位装置10から読出し指示(リード)を受けた場合、アクセス制御回路108は、フラッシュメモリ102からデータを読み出して、上位装置10に対して通知する。アクセス制御回路108は、フラッシュメモリ102から読み出したデータをキャッシュメモリ103に記憶させる。上位装置10から同じアドレスのデータに対する読出し指示を受けた場合、アクセス制御回路108は、フラッシュメモリ102ではなく、キャッシュメモリ103からデータを読み出して、上位装置10に対して通知する。これにより、データの読出しにかかる時間を短縮する。
あるいは、上位装置10から書込み指示(ライト)を受けた場合、アクセス制御回路108は、指定されたデータをフラッシュメモリ102ではなくキャッシュメモリ103に記憶させる。これにより、データの書込みにかかる時間を短縮する。アクセス制御回路108は、その後の適切な時期に、キャッシュメモリ103に記憶させたデータを読み出して、フラッシュメモリ102に記憶させる。
電源装置110は、外部電源20から供給された電力を変換して、アクセス制御回路108などに対して供給する。例えば、外部電源20から供給された交流電力を、直流電力に変換する。
外部電源20から電力が供給されている場合には、電源回路114が出力した電力をアクセス制御回路108などに対して供給し、外部電源20から電力が供給されていない場合には、バッテリユニット115が出力した電力をアクセス制御回路108などに対して供給する。スイッチ回路116は、フラッシュメモリ102、キャッシュメモリ103、アクセス制御回路108などとも給電ラインなどによって接続されている。
更に、スイッチ回路116は、外部電源20から電力が供給されているか否か表わす信号(以下「供給元信号」と呼ぶ。)を出力する。スイッチ回路116は、供給元検出部の一例である。スイッチ回路116は、アクセス制御回路108と信号線などによって接続されている。スイッチ回路116が出力した供給元信号は、信号線などを介して、アクセス制御回路108に伝達される。
これを防ぐため、アクセス制御回路108は、あらかじめ、電源残量チェック回路117が検出した電力残量に基づいて、キャッシュメモリ103に記憶させただけでフラッシュメモリ102にまだ記憶させていないデータの量の上限(閾値)を定める。キャッシュメモリ103に記憶させただけでフラッシュメモリ102にまだ記憶させていないデータの量が上限を超えた場合、アクセス制御回路108は、キャッシュメモリ103に記憶させただけでフラッシュメモリ102にまだ記憶させていないデータのうち少なくとも一部をフラッシュメモリ102に記憶させ、キャッシュメモリ103に記憶させただけでフラッシュメモリ102にまだ記憶させていないデータの量を減らす。
これにより、外部電源20からの電力供給が途絶えた時点で、バッテリユニット115に蓄積されている電力で、キャッシュメモリ103に記憶させただけでフラッシュメモリ102にまだ記憶させていないすべてのデータを、フラッシュメモリ102に記憶させることができる。
このため、バッテリユニット115にまだ十分な電力が蓄積されていない状態で、外部電源20からの電力供給が停止した場合でも、データの損失を防ぐことができる。
外部電源20から電力が供給されていると判定した場合、アクセス制御回路108は、指示受付工程S52へ処理を進める。
外部電源20からの電力供給が停止していて、内部の電源であるバッテリユニット115から電力が供給されていると判定した場合、アクセス制御回路108は、停電退避処理S90へ処理を進める。
上位装置10から読出し指示を受けた場合、アクセス制御回路108は、読出し処理S60へ処理を進める。
上位装置10から書込み指示を受けた場合、アクセス制御回路108は、書込み処理S70へ処理を進める。
上位装置10から読出し指示も書き込み指示も受けず、アイドル状態である場合、アクセス制御回路108は、平常退避処理S80へ処理を進める。
アクセス制御回路108は、供給元判定工程S51に処理を戻す。
アクセス制御回路108は、供給元判定工程S51に処理を戻す。
アクセス制御回路108は、供給元判定工程S51に処理を戻す。
外部電源20からの電力供給が復旧した場合、アクセス制御回路108は、供給元判定工程S51に処理を戻す。
外部電源20からの電力供給が復旧せず、バッテリユニット115に蓄積した電力を使い果たした場合、記憶装置100は、動作を停止する。
そのページ番号がページ番号記憶領域にない場合、読出し指示で指定されたデータを、キャッシュメモリ103が記憶していない。アクセス制御回路108は、フラッシュ読出し工程S64へ処理を進める。
そのページ番号がページ番号記憶領域にある場合、読出し指示で指定されたデータを、キャッシュメモリ103が記憶している。アクセス制御回路108は、キャッシュ読出し工程S62へ処理を進める。
アクセス制御回路108は、読出し処理S60を終了する。
例えば、アクセス制御回路108は、キャッシュメモリ103のページ記憶領域のなかから、フラッシュ読出し工程S64で読み出したデータを記憶させるページ記憶領域を選択する。
キャッシュメモリ103のページ記憶領域のなかに、まだデータを記憶していないページ記憶領域があれば、アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域を選択する。
キャッシュメモリ103のページ記憶領域がすべて、データを記憶している場合、アクセス制御回路108は、アクセス日時記憶領域に記憶されたアクセス日時に基づいて、選択するページ記憶領域を決定する。例えば、アクセス制御回路108は、アクセス日時が最も古いページ記憶領域を選択する。
選択したページ記憶領域に記憶されたデータと、対応するフラッシュメモリ102のページに記憶されたデータとが同じであれば、選択したページ記憶領域に記憶されたデータを破棄して、新しくキャッシュメモリ103から読み出したデータを記憶させることができる。しかし、選択したページ記憶領域に記憶されたデータと、対応するフラッシュメモリ102のページに記憶されたデータとが異なる場合は、新しくキャッシュメモリ103から読み出したデータを記憶させる前に、選択したページ記憶領域に記憶されたデータを、対応するフラッシュメモリ102のページに書き戻す必要がある。
アクセス制御回路108は、選択したページ記憶領域に対応づけられた変更フラグ記憶領域に記憶された変更フラグに基づいて、フラッシュメモリ102の選択したページ記憶領域が記憶したデータとキャッシュメモリ103の対応するページが記憶したデータとが一致しているか否かを判定する。一致していないと判定した場合、アクセス制御回路108は、選択したページ記憶領域に記憶されたデータを、フラッシュメモリ102の記憶領域のうち、そのページ記憶領域に対応づけられたページ番号記憶領域に記憶されたページ番号によって表わされるページに記憶させる。これで、選択したページ記憶領域に新しいデータを記憶させることができるようになる。
アクセス制御回路108は、キャッシュメモリ103の選択したページ記憶領域に、フラッシュ読出し工程S64で読み出したデータを記憶させる。アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域に対応づけられた変更フラグ記憶領域に、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが一致していることを表わす値(例えば「0」)を記憶させる。アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域に対応づけられたアクセス日時記憶領域に、現在時刻を記憶させる。
例えば、書込み指示は、書き込むべきデータと、そのデータを書き込むべきフラッシュメモリ102の記憶領域のアドレスとを含む。
アクセス制御回路108は、書込み指示で指定されたアドレスから、そのアドレスを含むページのページ番号を算出する。アクセス制御回路108は、キャッシュメモリ103のページ番号記憶領域を検索して、算出したページ番号を探す。
そのページ番号がページ番号記憶領域にない場合、アクセス制御回路108は、フラッシュ読出し工程S73へ処理を進める。
そのページ番号がページ番号記憶領域にある場合、アクセス制御回路108は、キャッシュ書き換え工程S72へ処理を進める。
アクセス制御回路108は、残量判定工程S75へ処理を進める。
アクセス制御回路108は、データを記憶させたページ記憶領域に対応づけられたページ番号記憶領域に、キャッシュ判定工程S61で算出したページ番号を記憶させる。アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域に対応づけられた変更フラグ記憶領域に、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なることを表わす値(例えば「1」)を記憶させる。アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域に対応づけられたアクセス日時記憶領域に、現在時刻を記憶させる。
バッテリユニット115に蓄積された電力が閾値より多いと判定した場合、アクセス制御回路108は、書込み処理S70を終了する。
バッテリユニット115に蓄積された電力が閾値より少ないと判定した場合、アクセス制御回路108は、フラッシュ書込み工程S76へ処理を進める。
これにより、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なるページの数が増えないので、バッテリユニット115にまだ十分な電力が蓄積されていない状態で、外部電源20からの電力供給が停止した場合でも、データの損失を防ぐことができる。
アクセス制御回路108(電力残量取得部)は、電源残量チェック回路117が出力した電源残量信号に基づいて、バッテリユニット115に蓄積された電力の残量を取得する。アクセス制御回路108は、取得した残量から、ページ数の上限値(閾値)を算出する。例えば、アクセス制御回路108は、1ページ分のデータを、キャッシュメモリ103から読み出してフラッシュメモリ102に記憶させる処理に必要な電力で、バッテリユニット115に蓄積された電力の残量を割った商を算出して、ページ数の上限値とする。あるいは、確実性を高めるため、アクセス制御回路108は、算出した商から所定の値(0より大きい実数)を差し引いた値をページ数の上限値とする構成であってもよいし、あるいは、算出した商に所定の値(0より大きく1より小さい実数)を乗じた値をページ数の上限値とする構成であってもよい。なお、算出した値が負になった場合、アクセス制御回路108は、0を上限値とする。
アクセス制御回路108は、数えたページ数と、算出した上限値とを比較する。
ページ数が上限値以内である場合、アクセス制御回路108は、平常退避処理S80を終了する。
ページ数が上限値を超えている場合、アクセス制御回路108は、フラッシュ書込み工程S82へ処理を進める。
アクセス制御回路108は、キャッシュメモリ103の選択したページ記憶領域に記憶されたデータを読み出す。アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域に対応づけられたページ番号記憶領域に記憶されたページ番号に基づいて、読み出したデータをフラッシュメモリ102の対応するページに記憶させる。アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域に対応づけられた変更フラグ記憶領域に、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが一致していることを表わす値(例えば「0」)を記憶させる。
なお、1回の平常退避処理S80で、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページの数が上限値以下となるよう、フラッシュ書込み工程S82で複数のページ記憶領域を選択する構成であってもよい。
フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページがあると判定した場合、アクセス制御回路108は、フラッシュ書込み工程S92へ処理を進める。
フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページがないと判定した場合、アクセス制御回路108は、停電退避処理S90を終了する。
アクセス制御回路108は、キャッシュメモリ103の選択したページ記憶領域に記憶されたデータを読み出す。アクセス制御回路108は、それぞれのページ記憶領域に対応づけられたページ番号記憶領域に記憶されたページ番号に基づいて、読み出したデータをフラッシュメモリ102の対応するページに記憶させる。アクセス制御回路108は、それぞれのページ記憶領域に対応づけられた変更フラグ記憶領域に、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが一致していることを表わす値(例えば「0」)を記憶させる。
横軸は、バッテリユニット115に蓄積された電力の残量を示す。縦軸は、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっていて、キャッシュメモリ103が記憶しているデータをフラッシュメモリ102に記憶させる必要があるページの数を示す。
バッテリユニット115に蓄積された電力が、細破線43で示した閾値より少ない場合(すなわち、細破線43よりも左側)、アクセス制御回路108が書込み処理S70を実行しても、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なってるページの数は増えないので、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なってるページの数は、常に、破線42で示した上限ページ数以下である。
バッテリユニット115に蓄積された電力が、細破線43で示した閾値より多い場合(すなわち、細破線43よりも右側)、アクセス制御回路108が書込み処理S70を実行すると、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なってるページの数が増える場合がある。
このため、アクセス制御回路108がアイドル状態になって平常退避処理S80を実行するまでの間は、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なってるページの数が、破線42で示した上限ページ数を超える可能性がある。
しかし、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なってるページの数と上限ページ数との差が大きいほど、その確率は低くなるので、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なってるページの数が、実線41で示した最大ページ数を超える可能性は非常に低く、無視できる。
データを記憶する不揮発性記憶部であるフラッシュメモリ102(不揮発記憶部)と、
ホストコンピュータなどの上位装置10からのアクセス速度を向上させるため参照頻度の高いデータを複写しておくキャッシュメモリ103(揮発記憶部)と、
外部電源20からの給電を受ける電源回路114と、
停電時に電力を一時的に供給するバッテリユニット115(蓄電池)と、
電源回路114の給電を受けて、フラッシュメモリ102等に給電し、更に、停電により、外部電源20と電源回路114からの給電が停止した場合はバッテリユニット115から給電するスイッチ回路116と、
バッテリユニット115の残電力量を監視して通知する電源残量チェック回路117と、
電源残量チェック回路117から残電力量の通知を受けて、上位装置10からのデータ書込み先を、残電力量が無い場合はフラッシュメモリ102、有る場合はキャッシュメモリ103に切り換えるとともに、残電力量に応じて、キャッシュメモリ103上のデータをフラッシュメモリ102に退避するアクセス制御回路108とで構成される。
実施の形態2について、図8を用いて説明する。
なお、実施の形態1と共通する部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
ページ数が上限以内である場合、アクセス制御回路108は、書込み処理S70を終了する。
ページ数が上限を超えている場合、アクセス制御回路108は、フラッシュ書込み工程S76へ処理を進める。
アクセス制御回路108は、キャッシュメモリ103の選択したページ記憶領域に記憶されたデータを読み出し、フラッシュメモリ102の対応するページに記憶させる。アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域に対応づけられた変更フラグ記憶領域に、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが一致していることを表わす値(例えば「0」)を記憶させる。
その結果として、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページの数が、バッテリユニット115に蓄積された電力の残量から算出した上限値を超えた場合、アクセス制御回路108は、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページを書き戻す。これにより、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページの数は、常に、上限値以下となる。
実施の形態3について、図9〜図11を用いて説明する。
なお、実施の形態1または実施の形態2と共通する部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページがまだ残っている場合、アクセス制御回路108は、供給元判定工程S51に処理を戻す。
フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページがなくなった場合、アクセス制御回路108は、復旧待ち工程S53へ処理を進める。
ページ数が上限以内である場合、アクセス制御回路108は、停電退避処理S90を終了する。
ページ数が上限を超えている場合、アクセス制御回路108は、フラッシュ書込み工程S92へ処理を進める。
アクセス制御回路108は、キャッシュメモリ103の選択したページ記憶領域に記憶されたデータを読み出し、フラッシュメモリ102の対応するページに記憶させる。アクセス制御回路108は、そのページ記憶領域に対応づけられた変更フラグ記憶領域に、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが一致していることを表わす値(例えば「0」)を記憶させる。
なお、1回の停電退避処理S90で、フラッシュメモリ102が記憶したデータとキャッシュメモリ103が記憶したデータとが異なっているページの数が上限値以下となるよう、フラッシュ書込み工程S92で複数のページ記憶領域を選択する構成であってもよい。
例えば、アクセス制御回路108は、平常退避処理S80と同じ計算式で上限ページ数を算出し、算出した上限ページ数から所定の値(0より大きい実数。)を差し引いて、停電退避処理S90における上限ページ数とする。なお、算出した値が負になった場合、アクセス制御回路108は、0を上限ページ数とする。
実施の形態4について、図12を用いて説明する。
なお、実施の形態1〜実施の形態3と共通する部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
バッテリユニット115に蓄積された電力の残量が閾値より多い場合、アクセス制御回路108は、指示受付工程S52へ処理を進める。
バッテリユニット115に蓄積された電力の残量が閾値より少ない場合、アクセス制御回路108は、停電退避処理S90へ処理を進める。
記憶装置100は、外部電源20からの電力供給が停止した場合でも、バッテリユニット115に蓄積された電力に余裕があれば、上位装置10からの指示を受け付けるので、上位装置10が記憶しているデータの退避など、上位装置10が停電時に必要な処理をすることができる。
外部電源20からの電力供給が停止している場合、アクセス制御回路108は、ページ数の上限値を、外部電源20から電力が供給されている場合の上限値よりも小さい値とする。例えば、外部電源20から電力が供給されている場合は、実施の形態3で説明した残数判定工程S81において算出する上限値を使い、外部電源20からの電力供給が停止している場合は、実施の形態3で説明した残数判定工程S91において算出する上限値を使う。
また、蓄電池は、バッテリユニット115ではなく、例えば電気二重層キャパシタなどのキャパシタ(コンデンサ)であってもよい。蓄電池は、電源装置110の一部ではなく、電源装置110の外部に存在する構成であってもよい。例えば、蓄電池は、電源装置110に着脱自在に接続される構成であってもよい。
また、不揮発記憶部の記憶領域へのアクセスは、ページ単位ではなく、ビット単位、バイト単位、ワード単位、セクタ単位、クラスタ単位、トラック単位など他の単位であってもよい。
上記記憶装置は、データを記憶する不揮発記憶部(フラッシュメモリ102)と、データを記憶する揮発記憶部(キャッシュメモリ103)と、書込み制御部(アクセス制御回路108)と、退避制御部(アクセス制御回路108)とを有する。
上記書込み制御部は、指定したデータを上記不揮発記憶部に記憶させることを指示する書込み指示を上位装置(10)から受けた場合、上記書込み指示によって指定されたデータを上記揮発記憶部に記憶させる。
上記退避制御部は、上記書込み制御部が上記揮発記憶部に記憶させたデータのうち、上記不揮発記憶部に記憶させていないデータの量が、上記蓄電池に充電されている電力の残量によって定まる閾値より多い場合、上記書込み制御部が上記揮発記憶部に記憶させたデータであって上記不揮発記憶部に記憶させていないデータのうち少なくとも一部のデータを、上記不揮発記憶部に記憶させる。
上記退避制御部(108)は、上記外部電源から電力が供給されていない場合、上記書込み制御部(108)が上記揮発記憶部(103)に記憶させたデータのうち上記不揮発記憶部(102)に記憶させていないデータの量が多いか否かを判定するための上記閾値として、上記外部電源から電力が供給されている場合の閾値よりも小さい閾値を使う。
上記電源装置は、外部電源(20)から電力が供給されている場合に、上記蓄電池(115)を充電し、上記外部電源から電力が供給されていない場合に、上記蓄電池を放電して、上記記憶装置を動作させる電力を得る。
Claims (5)
- 外部電源から電力が供給されている場合、上記外部電源から供給された電力により動作し、上記外部電源から電力が供給されていない場合、蓄電池から供給された電力により動作する記憶装置において、
データを記憶する不揮発記憶部と、データを記憶する揮発記憶部と、書込み制御部と、退避制御部とを有し、
上記書込み制御部は、指定したデータを上記不揮発記憶部に記憶させることを指示する書込み指示を上位装置から受けた場合、上記書込み指示によって指定されたデータを上記揮発記憶部に記憶させ、
上記退避制御部は、上記書込み制御部が上記揮発記憶部に記憶させたデータのうち、上記不揮発記憶部に記憶させていないデータの量が、上記蓄電池に充電されている電力の残量によって定まる閾値より多い場合、上記書込み制御部が上記揮発記憶部に記憶させたデータであって上記不揮発記憶部に記憶させていないデータのうち少なくとも一部のデータを、上記不揮発記憶部に記憶させ、
上記退避制御部は、上記外部電源から電力が供給されていない場合、上記書込み制御部が上記揮発記憶部に記憶させたデータのうち上記不揮発記憶部に記憶させていないデータの量が多いか否かを判定するための上記閾値として、上記外部電源から電力が供給されている場合の閾値よりも小さい閾値を使う
ことを特徴とする記憶装置。 - 上記退避制御部は、上記外部電源から電力が供給されていない場合、上記書込み制御部が上記揮発記憶部に記憶させたデータのうち上記不揮発記憶部に記憶させていないデータの量が多いか否かを判定するための上記閾値として、0を使う
ことを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。 - 上記書込み制御部は、上記蓄電池に充電されている電力の残量が所定の閾値より少ない場合、上記書込み指示によって指定されたデータを上記不揮発記憶部に記憶させる
ことを特徴とする請求項1または2に記載の記憶装置。 - 上記記憶装置は、更に、電源装置を有し、
上記電源装置は、外部電源から電力が供給されている場合に、上記蓄電池を充電し、上記外部電源から電力が供給されていない場合に、上記蓄電池を放電して、上記記憶装置を動作させる電力を得る
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の記憶装置。 - データを記憶する不揮発記憶部と、データを記憶する揮発記憶部とを有し、外部電源から電力が供給されている場合、上記外部電源から供給された電力により動作し、上記外部電源から電力が供給されていない場合、蓄電池から供給された電力により動作する記憶装置を使った記憶方法において、
指定したデータを上記不揮発記憶部に記憶させることを指示する書込み指示を上位装置から受けた場合に、上記書込み指示によって指定されたデータを上記揮発記憶部に記憶させ、
上記書込み指示に基づいて上記揮発記憶部に記憶させたデータのうち上記不揮発記憶部に記憶させていないデータの量が、上記蓄電池に充電されている電力の残量によって定まる閾値より多いか否かを判定し、
上記書込み指示に基づいて上記揮発記憶部に記憶させたデータのうち上記不揮発記憶部に記憶させていないデータの量が上記閾値より多いと判定した場合、上記書込み指示に基づいて上記揮発記憶部に記憶させたデータであって上記不揮発記憶部に記憶させていないデータのうち少なくともいずれかのデータを、上記不揮発記憶部に記憶させ、
上記外部電源から電力が供給されていない場合、上記揮発記憶部に記憶させたデータのうち上記不揮発記憶部に記憶させていないデータの量が多いか否かを判定するための上記閾値として、上記外部電源から電力が供給されている場合の閾値よりも小さい閾値を使うことを特徴とする記憶方法。
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