JP5806153B2 - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP5806153B2
JP5806153B2 JP2012063313A JP2012063313A JP5806153B2 JP 5806153 B2 JP5806153 B2 JP 5806153B2 JP 2012063313 A JP2012063313 A JP 2012063313A JP 2012063313 A JP2012063313 A JP 2012063313A JP 5806153 B2 JP5806153 B2 JP 5806153B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
frame
wavelength conversion
frame body
conversion member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012063313A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013197335A (en
Inventor
作本 大輔
大輔 作本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2012063313A priority Critical patent/JP5806153B2/en
Publication of JP2013197335A publication Critical patent/JP2013197335A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5806153B2 publication Critical patent/JP5806153B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光素子を含む発光装置に関するものである。   The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element.

近年、発光ダイオードからなる発光素子を有する発光装置の開発が進められている。当該発光装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。ここで、発光装置としては、蛍光体シートによって発光素子が発した光を波長変換して、外部に取り出す技術が開示されている(下記特許文献1参照)。なお、蛍光体シートは、枠体の内側にはめ込むようにして設けられている。   In recent years, development of a light emitting device having a light emitting element made of a light emitting diode has been advanced. The light-emitting device has attracted attention with respect to power consumption or product life. Here, as a light-emitting device, a technique is disclosed in which light emitted from a light-emitting element is converted by a phosphor sheet and extracted outside (see Patent Document 1 below). The phosphor sheet is provided so as to be fitted inside the frame.

特開2007−317815号公報JP 2007-317815 A

ところで、蛍光体シートを用いた発光装置は、発光素子の発した光が枠体の一部によって遮られて、蛍光体シートの端部にまで届きにくい。そのため、蛍光体シートの端部内では、蛍光体が励起されにくく、発光装置の光出力を十分に向上させることができない虞がある。   By the way, in the light-emitting device using the phosphor sheet, the light emitted from the light-emitting element is blocked by a part of the frame body and hardly reaches the end of the phosphor sheet. Therefore, in the edge part of a fluorescent substance sheet, fluorescent substance is hard to be excited and there exists a possibility that the light output of a light-emitting device cannot fully be improved.

本発明は、光出力を向上させることが可能な発光装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the light-emitting device which can improve an optical output.

本発明の実施形態に係る発光装置は、基板と、前記基板上に設けられた、励起光を発する発光素子と、前記基板上に設けられた、前記発光素子を取り囲むとともに、外面に外縁が下部から上部に向かって小さくなる傾斜面を有した光透過性の枠体と、前記枠体上に前記発光素子を覆うように設けられた、平面視して前記枠体が見えないように覆うとともに、前記枠体の前記傾斜面と間を空けて設けられた、蛍光体を含有するシート状の波長変換部材と、を備えたことを特徴とする。   A light-emitting device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a light-emitting element that emits excitation light provided on the substrate, and surrounds the light-emitting element that is provided on the substrate and has an outer edge on a lower surface. A light-transmitting frame having an inclined surface that decreases from the top to the top, and a light-transmitting frame that is provided on the frame so as to cover the light-emitting element, and covers the frame so that the frame cannot be seen in plan view. And a sheet-like wavelength conversion member containing a phosphor, which is provided at a distance from the inclined surface of the frame.

本発明によれば、光出力を向上させることが可能な発光装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the light-emitting device which can improve an optical output can be provided.

本発明の一実施形態に係る発光装置の概観を示す概観斜視図である。It is an outline perspective view showing an outline of a light emitting device concerning one embodiment of the present invention. 図1に示す発光装置から波長変換部材を取り除いて、発光装置の内部を示した概観斜視図である。FIG. 2 is an overview perspective view showing the inside of the light emitting device with a wavelength conversion member removed from the light emitting device shown in FIG. 1. 図1に示す発光装置のX−Xに沿った断面図である。It is sectional drawing in alignment with XX of the light-emitting device shown in FIG. 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on one Embodiment of this invention. 一変形例に係る発光装置の枠体の内面を示した概観斜視図である。It is the general | schematic perspective view which showed the inner surface of the frame of the light-emitting device which concerns on one modification. 一変形例に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on one modification. 一変形例に係る発光装置の概観斜視図である。It is a general-view perspective view of the light-emitting device which concerns on one modification.

以下に添付図面を参照して、本発明に係る発光装置の一実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。   Hereinafter, an embodiment of a light emitting device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.

<発光装置の概略構成>
発光装置1は、照明器具、ディスプレイ、表示機またはランプ等に用いられる。発光装置1は、基板2と、基板2上に設けられた、励起光を発する発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲む枠体4と、枠体4上に発光素子3を覆うように設けられた、シート状の波長変換部材5と、を備えている。なお、発光素子3は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたpn接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって光を放出する。ここで、励起光とは、蛍光体が励起される光をいう。
<Schematic configuration of light emitting device>
The light emitting device 1 is used for a lighting fixture, a display, a display, a lamp, or the like. The light-emitting device 1 includes a substrate 2, a light-emitting element 3 that emits excitation light provided on the substrate 2, a frame 4 that is provided on the substrate 2 and surrounds the light-emitting element 3, and emits light on the frame 4. A sheet-like wavelength conversion member 5 provided so as to cover the element 3. The light emitting element 3 is, for example, a light emitting diode, and emits light toward the outside by recombination of electrons and holes in a pn junction using a semiconductor. Here, the excitation light refers to light that excites the phosphor.

基板2は、絶縁性の基板であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料、ガラスセラミック材料、あるいは樹脂材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板2は、基板2の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。   The substrate 2 is an insulating substrate and is made of, for example, a ceramic material such as aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide or yttrium oxide, a glass ceramic material, or a resin material. Or it consists of a composite material which mixed several materials among these materials. The substrate 2 can be made of a polymer resin in which metal oxide fine particles capable of adjusting the thermal expansion of the substrate 2 are dispersed.

基板2は、基板2の内外を電気的に導通する配線導体が形成されている。配線導体は、例えばタングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えばタングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板2となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層して、焼成することにより得られる。なお、配線導体の表面には、酸化防止のために、例えば、ニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。また、基板2の上面には、基板2上方に効率良く光を反射させるために、配線導体および鍍金層と間を空けて、例えばアルミニウム、銀、金、銅またはプラチナ等の金属反射層を形成する。さらに、金属反射層の表面に透光性のガラス層が形成されてもよく、酸化による金属反射層の反射率の低下が抑制される。   The substrate 2 is formed with a wiring conductor that electrically connects the inside and outside of the substrate 2. The wiring conductor is made of a conductive material such as tungsten, molybdenum, manganese, or copper. The wiring conductor is obtained by, for example, printing a metal paste obtained by adding an organic solvent to a powder of tungsten or the like in a predetermined pattern on a ceramic green sheet to be the substrate 2, laminating a plurality of ceramic green sheets, and firing the laminate. can get. For example, a plating layer such as nickel or gold is formed on the surface of the wiring conductor to prevent oxidation. Further, on the upper surface of the substrate 2, in order to reflect light efficiently above the substrate 2, a metal reflective layer such as aluminum, silver, gold, copper or platinum is formed with a space between the wiring conductor and the plating layer. To do. Furthermore, a translucent glass layer may be formed on the surface of the metal reflection layer, and a decrease in the reflectance of the metal reflection layer due to oxidation is suppressed.

発光素子3は、基板2上に実装される。発光素子3は、矩形状であって、基板2上に形成される配線導体の表面に被着する鍍金層上に、例えばろう材または半田を介して電気的に接続されたり、ワイヤボンディングを介して電気的に接続されたりする。   The light emitting element 3 is mounted on the substrate 2. The light emitting element 3 has a rectangular shape, and is electrically connected, for example, via a brazing material or solder, onto a plating layer that adheres to the surface of the wiring conductor formed on the substrate 2, or via wire bonding. Connected electrically.

発光素子3は、透光性基体と、透光性基体上に形成される光半導体層とを有している。透光性基体は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものであればよい。透光性基体に用いられる材料としては、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、透光性基体の厚みは、例えば50μm以上1000μm以下である。   The light emitting element 3 has a translucent base and an optical semiconductor layer formed on the translucent base. The translucent substrate may be any substrate that can grow an optical semiconductor layer using a chemical vapor deposition method such as a metal organic chemical vapor deposition method or a molecular beam epitaxial growth method. As a material used for the translucent substrate, for example, sapphire, gallium nitride, aluminum nitride, zinc oxide, zinc selenide, silicon carbide, silicon, or zirconium diboride can be used. In addition, the thickness of a translucent base | substrate is 50 micrometers or more and 1000 micrometers or less, for example.

光半導体層は、透光性基体上に形成される第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第2半導体層とから構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えばIII族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ
素等のIII−V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジ
ウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、
例えば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子3では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の近紫外光としての励起光を発する素子を用いることができる。
The optical semiconductor layer includes a first semiconductor layer formed on the translucent substrate, a light emitting layer formed on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer formed on the light emitting layer. . The first semiconductor layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer are, for example, a group III nitride semiconductor, a group III-V semiconductor such as gallium phosphide or gallium arsenide, or a group III nitride such as gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride. A semiconductor or the like can be used. The thickness of the first semiconductor layer is
For example, it is 1 μm or more and 5 μm or less, the thickness of the light emitting layer is, for example, 25 nm or more and 150 nm or less, and the thickness of the second semiconductor layer is, for example, 50 nm or more and 600 nm or less. In the light emitting element 3 configured as described above, an element that emits excitation light as near ultraviolet light in a wavelength range of, for example, 370 nm to 420 nm can be used.

枠体4は、基板2上の発光素子3を取り囲むように設けられている。枠体4は、発光素子3を外部から保護するものであって、波長変換部材5を支持するものである。枠体4は、光透過性の材料からなり、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料、ガラスセラミック材料、あるいは樹脂材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板2は、基板2の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。なお、枠体4の屈折率は、例えば1.4以上1.8以下に設定されている。   The frame 4 is provided so as to surround the light emitting element 3 on the substrate 2. The frame body 4 protects the light emitting element 3 from the outside, and supports the wavelength conversion member 5. The frame 4 is made of a light transmissive material, for example, a ceramic material such as aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide or yttrium oxide, a glass ceramic material, or a resin material. Or it consists of a composite material which mixed several materials among these materials. The substrate 2 can be made of a polymer resin in which metal oxide fine particles capable of adjusting the thermal expansion of the substrate 2 are dispersed. In addition, the refractive index of the frame 4 is set to 1.4 or more and 1.8 or less, for example.

枠体4は、四角形状であって、傾斜面4aを、枠体4の外面のそれぞれに有している。また、枠体4は、外縁が下部から上部に向かって小さくなる。また、傾斜面4aは、枠体4の外縁の全周に形成されている。枠体4の外面は、傾斜面4aと、基板2の上面に対して垂直な側面4bとからなる。枠体4の内面は、平面視して矩形状に形成されている。枠体4の上面および下面は、基板2の上面に対して平行に形成されている。   The frame body 4 has a quadrangular shape and has an inclined surface 4 a on each of the outer surfaces of the frame body 4. Moreover, the outer edge of the frame 4 becomes smaller from the lower part toward the upper part. Further, the inclined surface 4 a is formed on the entire circumference of the outer edge of the frame body 4. The outer surface of the frame 4 includes an inclined surface 4 a and a side surface 4 b that is perpendicular to the upper surface of the substrate 2. The inner surface of the frame 4 is formed in a rectangular shape in plan view. The upper surface and the lower surface of the frame body 4 are formed in parallel to the upper surface of the substrate 2.

枠体4は、外縁の一辺の長さが、例えば2mm以上10mm以下に設定されている。また、枠体4の内面の一辺の長さは、例えば1mm以上9mm以下に設定されている。また、枠体4は、下部から上部までの長さが、例えば0.5mm以上5mm以下の設定であって、側面4bの下部から上部までの長さが、例えば0.1mm以上4mm以下に設定されている。また、枠体4の傾斜面4aの傾斜角度は、基板2の上面に対して例えば60度以上88度以下の角度に設定されている。   The length of one side of the outer edge of the frame 4 is set to, for example, 2 mm or more and 10 mm or less. Moreover, the length of one side of the inner surface of the frame 4 is set to, for example, 1 mm or more and 9 mm or less. The length of the frame 4 from the lower part to the upper part is set to, for example, 0.5 mm to 5 mm, and the length from the lower part to the upper part of the side surface 4b is set to, for example, 0.1 mm to 4 mm. Has been. In addition, the inclination angle of the inclined surface 4 a of the frame body 4 is set to an angle of, for example, 60 degrees or more and 88 degrees or less with respect to the upper surface of the substrate 2.

枠体4の傾斜面4aは、側面4bよりも算術平均粗さが大きく設定されている。傾斜面4aの算術平均粗さは、例えば0.3μm以上3μm以下に設定されている。また、側面4bの算術平均粗さは、例えば0.01μm以上0.1μm以下に設定されている。枠体4の傾斜面4aの算術平均粗さを枠体4の側面4bの表面粗さよりも大きくすることで、枠体4の傾斜面4aの表面積は枠体4の側面4bより大きくなり、枠体4に入射された光は枠体4の側面4bと比較して枠体4の傾斜面4aから放射されやすくなるとともに、枠体4内から枠体4の傾斜面4aに到達した光を散乱させやすくすることができる。また、枠体4内から枠体4の側面4bに到達した光は、枠体4と外部との屈折率差によって枠体4の内側方向に反射されることによって外部に放射される光が減少し、波長変換部材5を介して発光装置1から放射される光は増加する。そして、枠体4の傾斜面4aから外部に向かって進行する光や枠体4の側面4bで反射された光は、波長変換部材5の端部5a内や発光素子3の上方に配置された波長変換部材5に到達しやすくすることができる。   The inclined surface 4a of the frame body 4 has a larger arithmetic average roughness than the side surface 4b. The arithmetic average roughness of the inclined surface 4a is set to, for example, 0.3 μm or more and 3 μm or less. Further, the arithmetic average roughness of the side surface 4b is set to, for example, 0.01 μm or more and 0.1 μm or less. By making the arithmetic mean roughness of the inclined surface 4a of the frame body 4 larger than the surface roughness of the side surface 4b of the frame body 4, the surface area of the inclined surface 4a of the frame body 4 becomes larger than the side surface 4b of the frame body 4, The light incident on the body 4 is more easily emitted from the inclined surface 4a of the frame body 4 than the side surface 4b of the frame body 4, and scatters the light that has reached the inclined surface 4a of the frame body 4 from within the frame body 4. It can be made easy. Further, light reaching the side surface 4b of the frame body 4 from the inside of the frame body 4 is reflected in the inner direction of the frame body 4 due to a difference in refractive index between the frame body 4 and the outside, thereby reducing light emitted to the outside. And the light radiated | emitted from the light-emitting device 1 through the wavelength conversion member 5 increases. The light traveling outward from the inclined surface 4 a of the frame body 4 and the light reflected by the side surface 4 b of the frame body 4 are arranged in the end portion 5 a of the wavelength conversion member 5 or above the light emitting element 3. The wavelength conversion member 5 can be easily reached.

枠体4の傾斜面4aは、側面4bよりも算術平均粗さが小さく設定されてもよい。傾斜面4aの算術平均粗さは、例えば0.01μm以上0.1μm以下に設定されている。また、側面4bの算術平均粗さは、例えば0.3μm以上3μm以下に設定されている。枠体4の傾斜面4aの算術平均粗さを枠体4の側面4bの表面粗さよりも小さくすることで、枠体4内から枠体4の傾斜面4aに到達した光は、枠体4と外部との屈折率差によって波長変換部材5の方向に屈折されるとともに、傾斜面4aで枠体4の内側方向に反射された光は基板2の上面で波長変換部材5の方向に反射され、枠体4の貫通孔や傾斜面4aを介して波長変換部材5に到達しやすくすることができ、波長変換部材5で波長変換される光が増加する。また、発光素子3から枠体4の側面4bに到達した光は、外部に散乱して放射されやすくなり、側面4bから放射される光は側面4bの周囲に分散されることから、発光装置1から離れた場所まで到達する発光素子3からの光は低減され、発光素子3からの光エネルギーによる、発光装置1の周辺部材の特性変化を抑制することができる。   The inclined surface 4a of the frame 4 may be set to have an arithmetic average roughness smaller than that of the side surface 4b. The arithmetic average roughness of the inclined surface 4a is set to, for example, 0.01 μm or more and 0.1 μm or less. The arithmetic average roughness of the side surface 4b is set to, for example, 0.3 μm or more and 3 μm or less. By making the arithmetic average roughness of the inclined surface 4 a of the frame body 4 smaller than the surface roughness of the side surface 4 b of the frame body 4, the light that has reached the inclined surface 4 a of the frame body 4 from the inside of the frame body 4 The light that is refracted in the direction of the wavelength conversion member 5 due to the difference in refractive index between the light source and the outside is reflected in the direction of the inner side of the frame 4 by the inclined surface 4a and reflected in the direction of the wavelength conversion member 5 by the upper surface of the substrate 2. In addition, it is possible to easily reach the wavelength conversion member 5 through the through hole of the frame body 4 or the inclined surface 4a, and the light whose wavelength is converted by the wavelength conversion member 5 increases. In addition, the light that has reached the side surface 4b of the frame body 4 from the light emitting element 3 is easily scattered and emitted, and the light emitted from the side surface 4b is dispersed around the side surface 4b. Light from the light emitting element 3 that reaches a place away from the light source is reduced, and a change in characteristics of the peripheral members of the light emitting device 1 due to light energy from the light emitting element 3 can be suppressed.

発光素子3の発する光のうち、基板2の上面に沿って平行な方向に進んだ光や枠体4の
傾斜面4aの方向に進んだ光は、枠体4内に進行して、外部に取り出される。傾斜面4aの表面粗さを大きくすることで傾斜面4aの表面積が増加し、枠体4内に進行した光のうち、枠体4の傾斜面4aから外部に取り出される光を散乱させるとともに増加させることができる。その結果、発光素子3の発した光は、傾斜面4aを介して波長変換部材5の下面の端部の広い領域に多く進入することができるとともに、傾斜面4aによって拡散されて波長変換部材5の下面の端部に一様に進入することができる。また、波長変換部材5の端部5aにて波長変換される光量を多くすることができ、発光素子3からの光を波長変換部材5に一様に入射させることにより、波長変換部材5の端部5aまで効率よく利用することができ、発光装置1の発光効率を向上させることができる。
Of the light emitted from the light emitting element 3, the light traveling in the parallel direction along the upper surface of the substrate 2 or the light traveling in the direction of the inclined surface 4 a of the frame body 4 travels into the frame body 4 and goes to the outside. It is taken out. Increasing the surface roughness of the inclined surface 4a increases the surface area of the inclined surface 4a, and of the light traveling into the frame 4 scatters and increases the light extracted from the inclined surface 4a of the frame 4 to the outside. Can be made. As a result, a large amount of light emitted from the light emitting element 3 can enter the wide area at the end of the lower surface of the wavelength conversion member 5 through the inclined surface 4a, and is diffused by the inclined surface 4a to be wavelength converted member 5. It is possible to uniformly enter the end portion of the lower surface. Further, the amount of light that is wavelength-converted at the end 5a of the wavelength conversion member 5 can be increased, and the light from the light-emitting element 3 is uniformly incident on the wavelength conversion member 5 to thereby end the wavelength conversion member 5. The portion 5a can be used efficiently, and the light emission efficiency of the light emitting device 1 can be improved.

枠体4の上面は、平坦であって、接着材6を介して波長変換部材5が接続される。接着材6は、波長変換部材5を枠体4に固定するものである。接着材6は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂からなる。   The upper surface of the frame body 4 is flat, and the wavelength conversion member 5 is connected via the adhesive material 6. The adhesive 6 is for fixing the wavelength conversion member 5 to the frame body 4. The adhesive 6 is made of a translucent insulating resin such as a fluororesin, a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin.

接着材6は、傾斜面4aには被着しないように設けることが好ましい。傾斜面4aの露出している領域を大きくすることで、接着材6が設けられている領域を小さくすることができ、傾斜面4aを透過して波長変換部材5に入射される光が増加する。そして、接着材6に吸収される光が抑制され、波長変換部材5から放射される光が増加することによって発光装置1の光出力が向上する。また、発光素子4は、発光時に熱が発生するが、熱は基板2を介して枠体4に伝わり、枠体4の傾斜面4aから大気中に放熱する。仮に、接着材6の被着領域が大きいとすると、接着材6から波長変換部材5に熱が伝わりやすくなり、波長変換部材5の温度が必要以上にあがって、蛍光体7にて励起される光の色が変化しやすくなってしまったり、熱によって波長変換部材5の透過率が低下することにより、発光装置1の光出力が低下したりする。そこで、接着材6の被着領域を小さくすることで、波長変換部材5を介して外部に取り出される発光色を所望する色に維持しやすくすることができるとともに、発光装置1の光出力を維持しやすくすることができる。   The adhesive 6 is preferably provided so as not to adhere to the inclined surface 4a. By enlarging the exposed area of the inclined surface 4a, the area where the adhesive 6 is provided can be reduced, and the light transmitted through the inclined surface 4a and incident on the wavelength conversion member 5 increases. . And the light absorbed by the adhesive material 6 is suppressed, and the light emitted from the wavelength conversion member 5 increases, whereby the light output of the light emitting device 1 is improved. The light emitting element 4 generates heat during light emission, but the heat is transmitted to the frame body 4 through the substrate 2 and is radiated from the inclined surface 4a of the frame body 4 to the atmosphere. If the adhesion area of the adhesive 6 is large, heat is easily transferred from the adhesive 6 to the wavelength conversion member 5, and the temperature of the wavelength conversion member 5 rises more than necessary and is excited by the phosphor 7. The light output is likely to change, or the light output of the light-emitting device 1 is reduced due to a decrease in the transmittance of the wavelength conversion member 5 due to heat. Therefore, by reducing the adhesion area of the adhesive material 6, it is possible to easily maintain the light emission color extracted outside via the wavelength conversion member 5 to a desired color, and to maintain the light output of the light emitting device 1. Can be easier.

波長変換部材5は、発光素子3の発する光の波長を変換する機能を有している。波長変換部材5は、発光素子3から発せられる光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体7が励起されて、光を発するものである。波長変換部材5は、枠体4上に発光素子3を覆うように設けられ、平面視して端部5aが枠体4の外縁の最も大きな箇所と対応し、且つ枠体4の傾斜面4aと間を空けて設けられている。   The wavelength conversion member 5 has a function of converting the wavelength of light emitted from the light emitting element 3. The wavelength conversion member 5 emits light when the light emitted from the light emitting element 3 enters the inside and the phosphor 7 contained therein is excited. The wavelength conversion member 5 is provided on the frame body 4 so as to cover the light emitting element 3, and the end portion 5 a corresponds to the largest portion of the outer edge of the frame body 4 in plan view, and the inclined surface 4 a of the frame body 4. It is provided with a gap.

波長変換部材5は、例えばフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂からなる。さらに、その絶縁樹脂中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体等の蛍光体7が含有されている。   The wavelength conversion member 5 is made of a translucent insulating resin such as a fluororesin, a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin. Further, in the insulating resin, for example, a blue phosphor emitting fluorescence of 430 nm to 490 nm, for example, a green phosphor emitting fluorescence of 500 nm to 560 nm, for example, a yellow phosphor emitting fluorescence of 540 nm to 600 nm, for example, 590 nm or more A phosphor 7 such as a red phosphor emitting fluorescence of 700 nm or less is contained.

また、波長変換部材5の熱伝導率は、例えば0.1W/(m・K)以上0.8W/(m・K)以下に設定されている。波長変換部材5の熱膨張率は、例えば0.8×10−5/K以上8×10−5/K以下に設定されている。波長変換部材5の屈折率は、例えば、1.3以上1.6以下に設定されている。例えば、波長変換部材5の材料の組成比を調整することで、波長変換部材5の屈折率を調整することができる。ここで、波長変換部材5の屈折率とは、蛍光体7を除いた絶縁樹脂の材料に関する屈折率をいう。 Moreover, the thermal conductivity of the wavelength conversion member 5 is set to 0.1 W / (m · K) or more and 0.8 W / (m · K) or less, for example. The coefficient of thermal expansion of the wavelength conversion member 5 is set to, for example, 0.8 × 10 −5 / K or more and 8 × 10 −5 / K or less. The refractive index of the wavelength conversion member 5 is set to, for example, 1.3 or more and 1.6 or less. For example, the refractive index of the wavelength conversion member 5 can be adjusted by adjusting the composition ratio of the material of the wavelength conversion member 5. Here, the refractive index of the wavelength conversion member 5 refers to the refractive index of the insulating resin material excluding the phosphor 7.

波長変換部材5は、シート状の部材であって、枠体4上に接着材6を介して支持されるとともに、発光素子3と間を空けて設けられている。波長変換部材5は、矩形状であって、一辺の長さが、例えば2mm以上10mm以下に設定されている。そして、波長変換部材5の端部5aは、平面視して枠体4の外縁の最も大きな箇所と重なるように形成されている。波長変換部材5の厚みは、例えば0.3mm以上3mm以下に設定されており、且つ厚みが一定に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が0.5μm以下のものを含む。波長変換部材5の厚みを一定にすることにより、波長変換部材5内で励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材5における輝度ムラや照射面における色ムラを抑制することができる。   The wavelength conversion member 5 is a sheet-like member, and is supported on the frame 4 via an adhesive 6 and is provided with a space from the light emitting element 3. The wavelength conversion member 5 has a rectangular shape, and the length of one side is set to, for example, 2 mm or more and 10 mm or less. The end 5a of the wavelength conversion member 5 is formed so as to overlap with the largest portion of the outer edge of the frame 4 in plan view. The thickness of the wavelength conversion member 5 is set to, for example, 0.3 mm or more and 3 mm or less, and the thickness is set to be constant. Here, the constant thickness includes a thickness error of 0.5 μm or less. By making the thickness of the wavelength conversion member 5 constant, the amount of light excited in the wavelength conversion member 5 can be adjusted to be uniform. Unevenness can be suppressed.

波長変換部材5は、平面視して端部5aが、枠体4の側面4bと一致するように形成されており、枠体4の傾斜面4aを覆うように形成されている。そして、枠体4の傾斜面4aと波長変換部材5の下面とは、間を空けて配置されている。枠体4の傾斜面4aから外部に向かって進行する光は、波長変換部材5の端部5aに進入し、波長変換部材5の端部5aにて蛍光体7が励起される。波長変換部材5の端部5aが平面視して枠体4の側面4bと一致するように形成されている場合には、波長変換部材5の大きさに拘わらず、発光装置1を基板2の大きさに応じて外部回路基板に配列することができる。また、発光装置1を外部回路基板に高密度に実装することができ、発光装置1を光源とする照明装置の小型化を実現することができるとともに、傾斜面4aから端部5aに入射される発光素子3からの光を向上させることができる。   The wavelength conversion member 5 is formed so that the end portion 5a coincides with the side surface 4b of the frame body 4 in plan view and covers the inclined surface 4a of the frame body 4. And the inclined surface 4a of the frame 4 and the lower surface of the wavelength conversion member 5 are arrange | positioned at intervals. Light traveling outward from the inclined surface 4 a of the frame body 4 enters the end portion 5 a of the wavelength conversion member 5, and the phosphor 7 is excited at the end portion 5 a of the wavelength conversion member 5. When the end 5a of the wavelength conversion member 5 is formed so as to coincide with the side surface 4b of the frame 4 in plan view, the light emitting device 1 is mounted on the substrate 2 regardless of the size of the wavelength conversion member 5. Depending on the size, they can be arranged on an external circuit board. In addition, the light emitting device 1 can be mounted on the external circuit board with high density, and the lighting device using the light emitting device 1 as a light source can be miniaturized and incident on the end 5a from the inclined surface 4a. Light from the light emitting element 3 can be improved.

本実施形態に係る発光装置1は、枠体4を光透過性の材料から構成することで、発光素子3の発した光を外部に向かって通過させることができる。仮に、枠体4を光吸収性、光反射性の材料から構成した場合は、発光素子3の発した光が枠体4の内面で囲まれた領域上の波長変換部材5の中央部に進入しやすい一方、波長変換部材5の端部5aにまでは届きにくくなる。その結果、波長変換部材5の端部5aでは蛍光体7が励起しにくく、波長変換部材5の端部5a内の蛍光体7を十分に活用できない。そこで、枠体4を光透過性の材料にすることで、発光素子3の発した光を、枠体4の内面で囲まれる領域上に位置する波長変換部材5の中央部以外に、枠体4上に位置する波長変換部材5の端部5aにまで到達しやすくすることができる。   The light emitting device 1 according to the present embodiment can allow the light emitted from the light emitting element 3 to pass outside by configuring the frame 4 from a light transmissive material. If the frame 4 is made of a light-absorbing and light-reflecting material, the light emitted from the light-emitting element 3 enters the central portion of the wavelength conversion member 5 on the region surrounded by the inner surface of the frame 4. On the other hand, it is difficult to reach the end 5 a of the wavelength conversion member 5. As a result, the phosphor 7 is difficult to be excited at the end 5a of the wavelength conversion member 5, and the phosphor 7 in the end 5a of the wavelength conversion member 5 cannot be fully utilized. Therefore, by using the frame body 4 as a light-transmitting material, the light emitted from the light emitting element 3 can be used for the frame body in addition to the central portion of the wavelength conversion member 5 positioned on the region surrounded by the inner surface of the frame body 4. 4 can easily reach the end 5a of the wavelength conversion member 5 located on the top.

また、本実施形態に係る発光装置1は、枠体4の外面に傾斜面4aを形成することで、枠体4の内面から外面に進行する光のうち、傾斜面4aに到達した光は、光の屈折によって進行する方向が波長変換部材5の下面に向かって進行しやすくすることができる。そして、波長変換部材5の端部5a内の蛍光体7を効率よく励起することができ、波長変換部材5の中央部と端部5aとの間に輝度ムラが発生するのを抑制することができる。   Moreover, the light-emitting device 1 which concerns on this embodiment forms the inclined surface 4a in the outer surface of the frame 4, The light which reached | attained the inclined surface 4a among the lights which progress to an outer surface from the inner surface of the frame 4 is as follows. It is possible to make the traveling direction by light refraction easier to travel toward the lower surface of the wavelength conversion member 5. And the fluorescent substance 7 in the edge part 5a of the wavelength conversion member 5 can be excited efficiently, and it suppresses that a brightness nonuniformity generate | occur | produces between the center part and the edge part 5a of the wavelength conversion member 5. it can.

また、本実施形態に係る発光装置1は、傾斜面4aが、枠体4の外縁の全周に形成されることで、発光素子3の発した光が枠体4の内面の全面のどこに当たっても、枠体4の外縁に形成された傾斜面4aにて波長変換部材5の端部5aに到達するように光の向きを調整することができる。   Further, in the light emitting device 1 according to the present embodiment, the inclined surface 4 a is formed on the entire circumference of the outer edge of the frame body 4, so that the light emitted from the light emitting element 3 strikes anywhere on the entire inner surface of the frame body 4. In addition, the direction of light can be adjusted so as to reach the end 5a of the wavelength conversion member 5 at the inclined surface 4a formed on the outer edge of the frame body 4.

<発光装置の製造方法>
ここで、図1に示す発光装置1の製造方法を説明する。まず、基板2を準備する。基板2が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。
<Method for manufacturing light emitting device>
Here, a method of manufacturing the light emitting device 1 shown in FIG. 1 will be described. First, the substrate 2 is prepared. If the substrate 2 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide to obtain a mixture. obtain. And a some green sheet is produced from a mixture.

また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、基板2となるセラミックグリーンシートに配線導体となるメタライズパターンおよび必要に応じて枠体4を接合するためのメタライズパターンをそれぞれ所定パターンで印刷し、複数のセラ
ミックグリーンシートを積層することで、多数個取り用の複数の基板2を準備することができる。
Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste. Then, by printing a metallized pattern to be a wiring conductor on the ceramic green sheet to be the substrate 2 and a metallized pattern for joining the frame body 4 as needed, respectively, by laminating a plurality of ceramic green sheets, A plurality of substrates 2 for taking a large number can be prepared.

枠体4は、基板2と同様に、複数のセラミックグリーンシートを積層して、発光素子3を実装するために、予めパンチ等で貫通孔を形成しておく。さらに、多数個取りするために、複数の枠体4同士が連続している箇所に切れ目を入れておく。このとき、焼成後に、算術平均粗さが大きくなるようにブラスト処理などによって粗面化しておく。そして、図4に示すように、多数個取り用の複数の基板2上に、多数個取り用の複数の枠体4を設ける。さらに、多数個取り用の複数の基板2および多数個取り用の複数の枠体4を同時に焼成することで、複数の基板2と複数の枠体4を一度に準備することができる。なお、複数の枠体4同士が連続している箇所に形成した切れ目が、枠体4の傾斜面4aに相当する。   Similarly to the substrate 2, the frame body 4 is formed with a plurality of ceramic green sheets and a through hole is previously formed by punching or the like in order to mount the light emitting element 3. Furthermore, in order to take a large number, a cut is made at a place where a plurality of frame bodies 4 are continuous. At this time, after firing, the surface is roughened by blasting or the like so as to increase the arithmetic average roughness. Then, as shown in FIG. 4, a plurality of frames 4 for multi-pieces are provided on a plurality of substrates 2 for multi-pieces. Furthermore, the plurality of substrates 2 and the plurality of frames 4 can be prepared at a time by simultaneously firing the plurality of substrates 2 for multi-cavity and the plurality of frames 4 for multi-acquisition. In addition, the cut | interruption formed in the location where several frame bodies 4 continue is equivalent to the inclined surface 4a of the frame body 4. FIG.

図5に示すように、枠体4の貫通孔が形成されている箇所に、発光素子3を例えばろう材を介して実装する。なお、多数個取り用の基板2と多数個取り用の枠体4とを別々に焼成しておき、両者をシリコーン樹脂等の接合部材を介して接合してもよい。   As shown in FIG. 5, the light emitting element 3 is mounted, for example, via a brazing material at a position where the through hole of the frame body 4 is formed. Alternatively, the multi-piece substrate 2 and the multi-piece frame 4 may be fired separately, and both may be bonded via a bonding member such as a silicone resin.

次に、波長変換部材5を準備する。波長変換部材5は、未硬化の樹脂に蛍光体7を混合して、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて成形することで、複数の波長変換部材5が連続した状態のシートを準備することができる。そして、図6に示すように、準備した波長変換部材5を、枠体4上に接着材6としての例えばシリコーン樹脂を介して接着する。   Next, the wavelength conversion member 5 is prepared. The wavelength conversion member 5 is a sheet in which a plurality of wavelength conversion members 5 are continuously formed by mixing the phosphor 7 with an uncured resin and forming the mixture using a sheet forming technique such as a spin coating method or a dip method. Can be prepared. And as shown in FIG. 6, the prepared wavelength conversion member 5 is adhere | attached on the frame 4 through the silicone resin as the adhesive material 6, for example.

次に、波長変換部材5を切断することが可能な、樹脂用ブレードB1を準備する。そして、図7に示すように、連続した複数の波長変換部材5を樹脂用ブレードB1を用いて切断する。このとき、樹脂用ブレードB1は、枠体4と接触しないように、枠体4の切れ目に沿って移動して、波長変換部材5を個片化する。なお、樹脂用ブレードB1は、樹脂を切断するのに特化したブレードであって、セラミックスからなる枠体4に接触すると、ブレードの刃が破損してしまう。   Next, a resin blade B1 capable of cutting the wavelength conversion member 5 is prepared. Then, as shown in FIG. 7, a plurality of continuous wavelength conversion members 5 are cut using a resin blade B1. At this time, the resin blade B <b> 1 moves along the cut line of the frame body 4 so as not to contact the frame body 4 and separates the wavelength conversion member 5 into pieces. The resin blade B1 is a blade specialized for cutting resin, and the blade of the blade is damaged when it comes into contact with the frame 4 made of ceramics.

さらに、基板2および枠体4を切断することが可能な、無機材料用ブレードB2を準備する。そして、図8に示すように、連続した複数の基板2、連続した複数の枠体4を無機材料用ブレードB2を用いて切断する。このとき、枠体4に切れ目を入れていることで、無機材料用ブレードB2が切断する枠体4の厚みを小さくしていることで、よりスムーズに効率化して基板2および枠体4を切断することができる。このようにして、複数の発光装置1を多数個取りすることができる。もしくは、基板2は、下面に枠体4の切れ目に沿って無機材料用ブレードB2で切れ目が形成され、基板2および枠体4の切れ目に沿って分割されるように外力が加えられることにより、複数に分割された発光装置1を多数個取りすることができる。   Further, an inorganic material blade B2 capable of cutting the substrate 2 and the frame body 4 is prepared. Then, as shown in FIG. 8, a plurality of continuous substrates 2 and a plurality of continuous frames 4 are cut using an inorganic material blade B2. At this time, the frame 4 is cut so that the thickness of the frame 4 cut by the inorganic material blade B2 is reduced, so that the substrate 2 and the frame 4 are cut more smoothly and efficiently. can do. In this way, a large number of the plurality of light emitting devices 1 can be obtained. Alternatively, the substrate 2 is formed with a cut at the lower surface along the cut line of the frame body 4 by the inorganic material blade B2, and an external force is applied so as to be divided along the cut line of the substrate 2 and the frame body 4, A large number of light emitting devices 1 divided into a plurality of parts can be obtained.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。ここで、上述した実施形態に係る変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る発光装置のうち、本実施形態に係る発光装置と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. Here, the modified example which concerns on embodiment mentioned above is demonstrated. Note that, in the light emitting device according to the modification of the present embodiment, the same parts as those of the light emitting device according to the present embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図9は、一変形例に係る発光装置の内部を示した概観斜視図であって、枠体4の内面を示している。上述した実施形態は、枠体4の内面が平面視して矩形状に形成されているが、枠体4の内面が平面視して円形状に形成されていてもよい。枠体4の内面を円形状にすることで、発光素子3を中心として光学設計した場合は、発光素子3から枠体4の内面までの距離を一定に調整することができる。その結果、発光素子3からの光が枠体4の内面の角部等で繰り返して反射されることを低減することができ、発光素子3から外部に取り出される光量を増加させることができるとともに、発光素子3からの光を枠体4の内面から波長変換部材5にムラなく入射させることができることから、波長変換部材5の発光効率を低下させることなく有効に活用することができる。   FIG. 9 is a schematic perspective view showing the inside of a light emitting device according to a modification, and shows the inner surface of the frame body 4. In the embodiment described above, the inner surface of the frame body 4 is formed in a rectangular shape in plan view, but the inner surface of the frame body 4 may be formed in a circular shape in plan view. By making the inner surface of the frame body 4 circular, when the optical design is performed with the light emitting element 3 as the center, the distance from the light emitting element 3 to the inner surface of the frame body 4 can be adjusted to be constant. As a result, the light from the light emitting element 3 can be reduced from being repeatedly reflected at the corners of the inner surface of the frame 4, and the amount of light extracted from the light emitting element 3 to the outside can be increased. Since the light from the light emitting element 3 can be incident on the wavelength conversion member 5 from the inner surface of the frame body 4 without unevenness, the light emission efficiency of the wavelength conversion member 5 can be effectively utilized without lowering.

また、図10に示すように、基板2と枠体4とを別々に設けて、両者を接合部材8を介して接続してもよい。かかる場合は、未硬化の基板2および枠体4を用いるのに比べて、硬化した基板2および枠体4を張り合わせて用いることができ、取扱いやすく製造時の製造制約を低減することができ、量産に適した製造技術を提供することができる。   Further, as shown in FIG. 10, the substrate 2 and the frame body 4 may be provided separately, and both may be connected via the joining member 8. In such a case, compared to using the uncured substrate 2 and the frame body 4, the cured substrate 2 and the frame body 4 can be used together, and it is easy to handle and can reduce manufacturing restrictions during production. Manufacturing technology suitable for mass production can be provided.

また、図11に示すように、基板2、枠体4および波長変換部材5について、外形を円形状にした構造であってもよい。各部材の外形を円形状とすることで、発光素子3から波長変換部材5までの光路長が発光素子3の光軸に対して軸対称となることから、発光装置1から放射される光は、発光素子3の光軸を中心として回転軸対称の配光分布を形成することがきる。即ち、光軸の回転方向で光強度が強い部位と、弱い部位が形成されることによって生じる光強度のムラを抑制できる。   In addition, as shown in FIG. 11, the substrate 2, the frame body 4, and the wavelength conversion member 5 may have a circular outer shape. By making the outer shape of each member circular, the optical path length from the light emitting element 3 to the wavelength conversion member 5 is axially symmetric with respect to the optical axis of the light emitting element 3, so that the light emitted from the light emitting device 1 is Thus, it is possible to form a light distribution that is symmetrical about the rotational axis about the optical axis of the light emitting element 3. That is, it is possible to suppress unevenness in light intensity caused by the formation of a portion having a high light intensity and a weak portion in the rotation direction of the optical axis.

1 発光装置
2 基板
3 発光素子
4 枠体
4a 傾斜面
5 波長変換部材
6 接着材
7 蛍光体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device 2 Board | substrate 3 Light-emitting element 4 Frame 4a Inclined surface 5 Wavelength conversion member 6 Adhesive material 7 Phosphor

Claims (4)

基板と、
前記基板上に設けられた、励起光を発する発光素子と、
前記基板上に設けられた、前記発光素子を取り囲むとともに、外面に外縁が下部から上部に向かって小さくなる傾斜面を有した光透過性の枠体と、
前記枠体上に前記発光素子を覆うように設けられた、平面視して前記枠体が見えないように覆うとともに、前記枠体の前記傾斜面と間を空けて設けられた、蛍光体を含有するシート状の波長変換部材と、を備えたことを特徴とする発光装置。
A substrate,
A light-emitting element that emits excitation light provided on the substrate;
A light-transmitting frame provided on the substrate, surrounding the light-emitting element, and having an inclined surface whose outer edge decreases from the lower part toward the upper part on the outer surface;
A phosphor provided on the frame so as to cover the light emitting element, and covering the frame so that the frame cannot be seen in a plan view, and being provided with a gap from the inclined surface of the frame; And a sheet-like wavelength conversion member.
請求項1に記載の発光装置であって、
前記枠体は四角形状であり、前記傾斜面を、前記枠体の外面のそれぞれに有していることを特徴とする発光装置。
The light-emitting device according to claim 1,
The frame body has a quadrangular shape, and the inclined surface is provided on each of the outer surfaces of the frame body.
請求項1または請求項2のいずれかに記載の発光装置であって、
前記枠体の外面は、前記基板の上面に垂直な側面と前記傾斜面とからなり、
前記傾斜面は、前記側面よりも表面粗さが大きいことを特徴とする発光装置。
The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The outer surface of the frame body includes a side surface perpendicular to the upper surface of the substrate and the inclined surface,
The inclined surface has a surface roughness larger than that of the side surface.
請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の発光装置であって、
前記枠体の内面は、平面視して円形状であることを特徴とする発光装置。

The light-emitting device according to any one of claims 1 to 3,
The light emitting device according to claim 1, wherein an inner surface of the frame is circular in plan view.

JP2012063313A 2012-03-21 2012-03-21 Light emitting device Expired - Fee Related JP5806153B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012063313A JP5806153B2 (en) 2012-03-21 2012-03-21 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012063313A JP5806153B2 (en) 2012-03-21 2012-03-21 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013197335A JP2013197335A (en) 2013-09-30
JP5806153B2 true JP5806153B2 (en) 2015-11-10

Family

ID=49395916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012063313A Expired - Fee Related JP5806153B2 (en) 2012-03-21 2012-03-21 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5806153B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7177326B2 (en) * 2016-01-29 2022-11-24 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4692059B2 (en) * 2005-04-25 2011-06-01 パナソニック電工株式会社 Method for manufacturing light emitting device
JP2009244405A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Toppan Printing Co Ltd Light diffusion unit, backlight unit, and display
JP2010045248A (en) * 2008-08-14 2010-02-25 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting diode
JP5347566B2 (en) * 2009-02-27 2013-11-20 日亜化学工業株式会社 Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP2011040494A (en) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd Light emitting module
EP2495774B1 (en) * 2009-10-29 2018-07-18 Kyocera Corporation Light emitting device
WO2012014853A1 (en) * 2010-07-26 2012-02-02 旭硝子株式会社 Substrate for light-emitting element, light-emitting device, and method for producing substrate for light-emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013197335A (en) 2013-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5393796B2 (en) Light emitting device
JP5393802B2 (en) Light emitting device
JP2007201334A (en) Light emitting device, and lighting apparatus
WO2012011528A1 (en) Light-emitting device and lighting device
JP5634519B2 (en) Light emitting device
WO2011149052A1 (en) Light emitting device and lighting device
WO2011125428A1 (en) Light emitting device
JP2012114336A (en) Light emitting device and lighting device
WO2013015140A1 (en) Lighting device
JP5748575B2 (en) Light emitting device
JP5806153B2 (en) Light emitting device
JP5683352B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME
JP5748599B2 (en) Lighting device
JP5683366B2 (en) Light emitting device
WO2013035529A1 (en) Light emitting device
JP2014160811A (en) Light-emitting device
JP5717622B2 (en) Lighting device
JP5528210B2 (en) Light emitting device and lighting apparatus
JP2012009719A (en) Light emitting device and lighting system
JP2013110297A (en) Light emitting device
JP2013012537A (en) Light emitting apparatus
JP2011138843A (en) Light emitting device
JP6010404B2 (en) Light emitting device
JP5748611B2 (en) Light emitting device
WO2015182537A1 (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140916

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150729

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150806

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150903

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5806153

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees