JP5805224B2 - レーザ加工装置 - Google Patents
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Description
前述のように、レーザ光と同軸にガス噴出口を有する従来の構成では、デブリスの飛散方向は不安定であり、噴出したガスが加工表面とぶつかったところでは、流速が非常に低いよどみ状態が形成される。このよどみ状態は圧力は高いが流速が低い状態をさす。一方、レーザ加工を行うと、加工プロセスで発生する衝撃波によって形成される高圧力衝撃波面が伝播し、その内側でデブリスが再結合して表面に向かう力を受けて表面に至る。このよどみ点圧力に対して衝撃波面の圧力は大幅に大きく、同軸方向に噴出しただけではデブリス飛散を押さえ込むことは不可能である。
2 回転ステージ
3 回収ユニット
4 集光レンズ
14、15 2方向電磁弁
21〜24 ガスポート
Claims (5)
- 加工対象物をレーザ光によって加工するレーザ加工装置において、
加工対象物を前記レーザ光に対して移動させるステージと、
前記レーザ光の加工点に向かってガスを噴出し、加工対象物の表面に沿って前記ステージの移動方向に延在するガス流動路を形成するための、第1のガスポート及び第2のガスポートを有する第1のガスポート対と、
前記第1のガスポート対の上層側で、前記ステージの移動方向に延在するガス流動路を形成するための、第3のガスポート及び第4のガスポートを有し、前記第3のガスポート及び前記第4のガスポートのうちの少なくとも一方が、前記ステージの移動方向上流側に前記ガスを吸引するように構成された第2のガスポート対と、
前記レーザ光の加工点より前記ステージの移動方向上流側にずれた位置に前記ガスの高圧部が形成されるように、前記第1のガスポートまたは前記第2のガスポートから噴出されるガスの圧力を制御する手段、または、前記第3のガスポートまたは前記第4のガスポートから吸引されるガスの圧力を制御する手段と、
を有することを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項1に記載されたレーザ加工装置において、
前記第3のガスポート及び前記第4のガスポートのうちの他方は、ガスを噴出するように構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項2に記載されたレーザ加工装置において、
前記第3のガスポートまたは前記第4のガスポートから噴出されるガスの圧力を制御する手段をさらに有することを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項に記載されたレーザ加工装置において、
前記第1のガスポート対及び前記第2のガスポート対から噴出するガスを加熱するヒータを有することを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載されたレーザ加工装置を用いて半導体素子を加工することを特徴とする半導体素子の製造方法。
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