JP5800702B2 - 内視鏡システム - Google Patents
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Description
(全体構成)
図1は、本実施の形態に係わる内視鏡システムの構成を示す構成図である。本実施の形態の電子内視鏡システム(以下、単に内視鏡システムという)1は、被写体を撮像する撮像素子と対物光学系を備えた内視鏡システムである。内視鏡システム1は、電子内視鏡(以下、単に内視鏡という)2と、光源装置3と、ビデオプロセッサ(以下、プロセッサという)5と、カラーモニタ(以下、モニタという)6と、が電気的に接続されて構成されている。
複数のスイッチ17aの中には、フォーカス機能のための1つあるいは2つのスイッチがあり、対物光学系を移動する指示を入力するための指示入力部を構成する。
(先端部におけるアクチュエータの構成)
図2は、挿入部7の先端部12における対物光学系のアクチュエータの構成を説明するための図である。図2に示すアクチュエータ20は、挿入部7の先端側に設けられ、形状記憶素子を有し対物光学系を挿入部7内で移動させるための移動部材を駆動するアクチュエータである。
図2に示すように、アクチュエータ20の駆動用の形状記憶素子である形状記憶合金(Shape Memory Alloys。以下、SMAと略す)のワイヤ21は、直径が数十μm(マイクロメートル)で、可撓性を有するチューブ22内に挿通されている。SMAワイヤ21の基端部は、挿入部7内の固定部材23に固定されている。
また、先端硬質部材内には、レンズ24の動作を規制するレンズストッパー35が固定されて設けられている。レンズストッパー35は、移動部材30が基端側に移動したときにレンズ枠25と突き当たって、レンズ枠25が所定のレンズ位置を超えて動かないようにするための部材である。
(制御回路)
図3は、SMAワイヤ21の伸縮を制御する制御回路の構成を示すブロック図である。制御回路41は、プロセッサ5に含まれる。図3は、プロセッサ5内のSMAワイヤ21の伸縮を制御する制御回路のみを示している。制御回路41は、制御部としての中央処理装置(以下、CPUという)51と、アクチュエータ駆動部としての出力制御回路52と、抵抗値検出部としての検出回路53と、切替回路54とを含む。切替回路に、SMAワイヤ21が接続されている。出力制御回路52は、アクチュエータ20を駆動するアクチュエータ駆動部を構成する。検出回路53は、移動部材30の位置を検出するためのSMAワイヤ21の抵抗値を検出する抵抗値検出部を構成する。切替回路54は、アクチュエータ駆動部である出力制御回路52と、抵抗値検出部である検出回路53とを、アクチュエータ20へ選択的に接続する接続切替部を構成する。
なお、基本制御期間、加熱制御期間T1及び抵抗値検出期間T2は、それぞれ、ここに例示した値に限定されず、例えば、6ミリ秒、5ミリ秒、1ミリ秒の値でもよい。
ノイズ除去回路64は、SMAワイヤ21と抵抗器67の接続点C1の電圧を入力として、出力は、抵抗器66に接続されている。
このようなノイズ除去回路64により、電気メスなどの機器からのノイズがあっても、アクチュエータ20の適切な制御を実現することができる。
(キャリブレーション)
次に、アクチュエータ20の制御のための内視鏡2のキャリブレーションについて説明する。キャリブレーションは、工場出荷時に行われる。なお、このキャリブレーションは、工場出荷後にユーザが使用を開始する前に行うようにしてもよい。
キャリブレーションでは、SMAワイヤ21の抵抗値を検出するための検出レンジ、SMAワイヤ21へ流す最大電流値、等の決定処理と、近点フォーカス位置の抵抗値、遠点フォーカス位置等の制御ポイントとなる力量変化ポイントにおけるSMAワイヤ21の抵抗値の決定処理とが、行われる。
アクチュエータ20は、SMAワイヤ21の発熱量を制御することによって制御されるが、内視鏡2のフォーカス制御に用いられるSMAワイヤ21の線径は極めて小さいので、SMAワイヤ21の線径のバラツキは、SMAワイヤ21の発熱量のバラツキに大きく影響する。そのようなSMAワイヤ21に大きな電流が流れてSMAワイヤ21が過大に加熱されると、SMAワイヤ21に対してかかる負荷が大きくなり、SMAワイヤ21自体の耐久性、いわゆるライフ耐性、の劣化を招く。
キャリブレーション時に、最大電流値Imaxを、SMAワイヤ21の最大抵抗値Rmaxから次のようにして決定する(S18)。
そして、SMAワイヤ21の電気抵抗率をρとし、SMAワイヤ21の長さをLとし、SMAワイヤ21の断面積をSとしたとき、SMAワイヤの断面積Sは、次の式(2)から求められる。
SMAワイヤ21の電気抵抗率ρと長さLは、予め判っており、伸びきった状態のSMAワイヤ21の抵抗値Rsmaが最大抵抗値Rmaxであるので、SMAワイヤの断面積Sは、上記の式(2)から求められる、すなわち推定される。
SMAワイヤの断面積S(あるいは断面積Sから算出される線径)が推定して得られれば、その推定された断面積S(あるいは断面積Sから算出される線径)に応じた最大電流値Imaxを決定することができる。
図9は、加熱電流決定処理(S4)の流れの例を示すフローチャートである。加熱電流決定処理(S4)では、CPU51は、所定の初期電流値I(0)から徐々に加熱電流I(t)を増加させるように、SMAワイヤ21へ流す加熱電流I(t)の電流値を決定する。決定した電流値に対応する駆動信号Drは、基本制御期間の加熱制御期間T1の間、出力制御回路52へ出力される。
なお、初期電流値I(0)は、内視鏡2の種類を示す識別情報に基づいて、CPU51が決定してもよい。内視鏡2の種類毎の初期電流値I(0)の情報を図示しないメモリに予め記憶しておき、CPU51は、接続された内視鏡2の識別情報(例えば、メモリ2aに格納されている)に基づいて、そのメモリの初期電流値I(0)の情報を参照して、初期電流値I(0)を決定するようにしてもよい。
時間サイクルtが進むと、時間サイクルtは0でないので(S22:YES)、CPU51は、SMAワイヤ21へ供給する加熱電流I(t)の電流値を、前回の時間サイクル(t-1)の加熱電流I(t-1)に所定の増加量ΔIだけ加えた電流値をするように、加熱電流I(t-1)に所定の増加量ΔIだけ加えた電流を、加熱電流I(t)に代入する(S24)。
この式(3)は、遠点端検出のための式である。なお、検出抵抗値R(t)が3個得られるまでは、S32の判定がNOとなるように、所定の値が検出抵抗値R(t-2)とR(t-1)に代入される。
この式(4)は、近点端検出のための式である。
位置P1以降、SMAワイヤ21は、収縮していく。その後、レンズ枠25がレンズストッパー35に当接し、コイルバネ26の伸長は停止する。コイルバネ33のバネ力量よりも、SMAワイヤ21の収縮力が大きくなったときに、コイルバネ33のみの収縮が始まる。
位置P2は、コイルバネ26が動かなくなったタイミングである。正確には、位置P2は、コイルバネ26の動きが停止し、SMAワイヤ21の収縮が一旦停止したタイミングである。
始めに、S37では、5個の連続する最新の検出抵抗値Rdetectにおいて、最も古い5個前の検出抵抗値R(t-5)と4個前の検出抵抗値R(t-4)との差が、所定の閾値γよりも小さいか判定される。検出抵抗値R(t-5)と検出抵抗値R(t-4)との差が所定の閾値γ以上であると(S37:NO)、処理は、終了する。
なお、位置P3以降の検出抵抗値Rdetectが所定の時間、所定の範囲内にあって、変化しないことの判定は、以上のようなS37からS41のような判定方法以外でもよい。
CPU51は、キャリブレーションの加熱期間が終了すると、加熱電流I(t)を0にセットする(S8)。そして、CPU51は、最大抵抗値Rmaxである遠点端抵抗値(Far端抵抗値)、近点端抵抗値(Near端抵抗値)及び最小抵抗値Rminであるキャリブレーション端抵抗値(Cal端抵抗値)の3つの抵抗値と、最大電流値Imaxとを、メモリ2aに格納する格納処理を実行し(S9)、処理を終了する。
そして、CPU51は、検出回路53により検出されたSMAワイヤ21の抵抗値が、所定の時間、所定の変動の範囲内にあるとき、検出回路53により検出されたSMAワイヤ21の抵抗値を不揮発性のメモリ2aに記憶する。
その結果、内視鏡2が使用されるとき、CPU51は、メモリ2aに記憶されたこれらの制御ポイントのSMAワイヤ21の抵抗値に基づいて、アクチュエータ20の制御を適切に行うことができる。
Claims (5)
- 被写体を撮像する撮像素子と対物光学系を備えた内視鏡システムであって、
形状記憶素子を有し、前記対物光学系を第1及び第2のフォーカス位置へ移動させるための移動部材を駆動するアクチュエータと、
前記アクチュエータを駆動するアクチュエータ駆動部と、
前記移動部材の位置を検出するために前記形状記憶素子の抵抗値を検出する抵抗値検出部と、
前記対物光学系の動作指示を入力する指示入力部と、
前記指示入力部に入力された指示と、前記抵抗値検出部により検出された抵抗値に対応する前記移動部材の位置に基づいて、前記アクチュエータ駆動部への駆動信号を出力する制御部と、
前記制御部に接続された記憶部と、を備えた内視鏡システムにおいて、
前記制御部は、キャリブレーションが指示された時、所定の開始電流値から所定の最大電流値まで所定の割合で時間経過と共に単調増加する電流を前記アクチュエータへ供給するための前記駆動信号を、前記アクチュエータ駆動部へ出力すると共に、前記抵抗値検出部により検出された前記形状記憶素子の抵抗値と前記単調増加後に検出された前記形状記憶素子の抵抗値との差分の前記時間経過における差の絶対値が所定の閾値以上となった抵抗値を、前記対物光学系の前記第1又は前記第2のフォーカス位置を示す抵抗値として前記記憶部に記憶することを特徴とする内視鏡システム。 - 前記第1のフォーカス位置は、前記対物光学系の遠点フォーカス位置であり、
前記第2のフォーカス位置は、前記対物光学系の近点フォーカス位置であり、
前記制御部は、前記時間経過における差の絶対値が前記所定の閾値以上となった抵抗値で、かつ前記差が大きくなったときの抵抗値を、前記遠点フォーカス位置である前記第1のフォーカス位置を示す抵抗値として、さらに、前記時間経過における差の絶対値が前記所定の閾値以上となった抵抗値で、かつ前記差が小さくなったときの抵抗値を、前記近点フォーカス位置である前記第2のフォーカス位置を示す抵抗値として、前記記憶部に記憶することを特徴とする請求項1に記載の内視鏡システム。 - 前記制御部は、前記抵抗値検出部により検出された前記形状記憶素子の抵抗値が、所定の時間、所定の変動の範囲内にあるとき、前記抵抗値検出部により検出された前記形状記憶素子の抵抗値を、前記形状記憶素子の収縮が停止した状態時の抵抗値として前記記憶部に記憶する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の内視鏡システム。
- 前記制御部は、前記形状記憶素子の線径情報に基づいて、前記所定の最大電流値を決定することを特徴とする請求項1、2又は3に記載の内視鏡システム。
- 前記アクチュエータ駆動部と前記抵抗値検出部とを、前記アクチュエータへ選択的に接続する接続切替部をさらに備え、
前記制御部は、前記キャリブレーションが指示された時、前記駆動信号を出力する前に、前記アクチュエータへ電流を印加せずに、前記抵抗値検出部により検出した前記形状記憶素子の抵抗値に基づき、前記所定の最大電流値を決定することを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の内視鏡システム。
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