JP5798452B2 - Evaporation source - Google Patents

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本発明は、蒸発源及び当該蒸発源を有する蒸着装置に関する。 The present invention relates to an evaporation source and an evaporation apparatus having the evaporation source.

蒸着装置に設置される、内部に充填された有機EL(Electroluminescence)などの蒸着材料を蒸発または昇華させる蒸発源は、筒状セル、及び該筒状セルの開口部を覆う蓋を有する。当該蓋は貫通口を有する。また、筒状セルの外周に発熱部が設けられている。当該発熱部により筒状セル及び該筒状セル内に充填された蒸着材料を加熱し、蒸発または昇華させると、蓋に設けられた貫通口から蒸発または昇華した材料が筒状セルの外側へ吐出させ、基板上に有機ELなどの蒸着材料を成膜することができる。 An evaporation source that evaporates or sublimates an evaporation material such as an organic EL (Electroluminescence) filled in the evaporation apparatus installed in the evaporation apparatus includes a cylindrical cell and a lid that covers an opening of the cylindrical cell. The lid has a through hole. A heating part is provided on the outer periphery of the cylindrical cell. When the cylindrical cell and the vapor deposition material filled in the cylindrical cell are heated and evaporated or sublimated by the heating section, the evaporated or sublimated material is discharged from the through-hole provided in the lid to the outside of the cylindrical cell. Then, a deposition material such as organic EL can be formed on the substrate.

ところで、蒸発源の蓋に発熱部が設けられていないと、発熱部で外周が囲まれている筒状セルから蓋に向かって温度が低下する。また、蓋の内側に貫通口が設けられるため、蓋において貫通口近傍の温度が最も低い。このため、蒸発または昇華した蒸着材料が蓋の貫通口の周辺で凝固し付着してしまい、蒸着効率が低減すると共に、筒状セルの洗浄回数が増加していまい、タクトの低減の一因となる。 By the way, if the heat generating part is not provided on the lid of the evaporation source, the temperature decreases from the cylindrical cell whose outer periphery is surrounded by the heat generating part toward the cover. Moreover, since the through-hole is provided inside the lid, the temperature in the vicinity of the through-hole is the lowest in the lid. For this reason, the evaporated or sublimated deposition material solidifies and adheres around the through-hole of the lid, reducing the deposition efficiency and increasing the number of cleanings of the cylindrical cell. Become.

そこで、筒状セル(ルツボ体)と、該筒状セル(ルツボ体)を被嵌する均熱蓋部とを有する蒸発源が開示されている。均熱蓋部は熱伝導率の高い金属板材により形成され、且つ発熱部(加熱部)と近接または当接しているため、筒状セル(ルツボ体)の上面部に設けられた貫通口(蒸発口)の周辺を加熱することが可能である(特許文献1参照。)。 Then, the evaporation source which has a cylindrical cell (crucible body) and a soaking | uniform-heating cover part which fits this cylindrical cell (crucible body) is disclosed. The soaking lid is formed of a metal plate having a high thermal conductivity, and is close to or in contact with the heat generating part (heating part). Therefore, the through-hole (evaporation) provided in the upper surface part of the cylindrical cell (crucible body) It is possible to heat the periphery of the mouth (see Patent Document 1).

しかしながら、均熱蓋部は熱伝導率の高い金属板材で形成されているため、均熱蓋部から外部に熱が発散してしまい、筒状セル(ルツボ体)の上面部に設けられた貫通口(蒸発口)の周辺における温度低下が改善されない。 However, since the soaking lid is made of a metal plate with high thermal conductivity, heat is dissipated from the soaking lid to the outside, and the penetration provided in the upper surface of the cylindrical cell (crucible body) The temperature drop around the mouth (evaporator) is not improved.

そこで、蓋の貫通口近傍の温度低減を防ぐため、筒状セル(セル)と、貫通口(蒸気排出用開口)を有する蓋(セルキャップ)と、筒状セル(セル)の外側に設けられる発熱部と、蓋(セルキャップ)に接して、または一定間隔をおいて設けられる熱遮断板またはリフレクターとを有する蒸発源が開示されている。熱遮断板は、SUS系材料、タンタル等の熱伝導率の低い材料で形成されており、リフレクターは、セラミック、またはモリブデン、チタン等の熱伝導率の低い金属で形成されている。このため、外部への蓋(セルキャップ)の熱の発散が防止でき、蓋(セルキャップ)を一定温度に保持できる。この結果、蓋(セルキャップ)の貫通口(蒸気排出用開口)周辺における蒸着材料の凝固を低減できる(特許文献2参照。)。 Therefore, in order to prevent temperature reduction in the vicinity of the through-hole of the lid, it is provided outside the cylindrical cell (cell), the lid (cell cap) having the through-hole (vapor discharge opening), and the cylindrical cell (cell). An evaporation source having a heat generating part and a heat shielding plate or reflector provided in contact with a lid (cell cap) or at a predetermined interval is disclosed. The heat shielding plate is made of a material having low thermal conductivity such as SUS material or tantalum, and the reflector is made of ceramic or a metal having low thermal conductivity such as molybdenum or titanium. For this reason, the spreading | diffusion of the heat | fever of a cover (cell cap) to the exterior can be prevented, and a cover (cell cap) can be hold | maintained at fixed temperature. As a result, it is possible to reduce the solidification of the vapor deposition material in the vicinity of the through-hole (vapor discharge opening) of the lid (cell cap) (see Patent Document 2).

一方、高輝度発光することが可能な有機EL素子において、複数の発光ユニットの間に、五酸化バナジウムまたは七酸化レニウムで形成される電荷発生層を有する有機EL素子が開示されている(特許文献3参照。)。 On the other hand, in an organic EL element capable of emitting light with high brightness, an organic EL element having a charge generation layer formed of vanadium pentoxide or rhenium heptoxide between a plurality of light emitting units is disclosed (Patent Document). 3).

また、有機EL素子の作製工程において、発光層上にスパッタリング法によって正極を形成する場合、スパッタリングダメージが発光層に入ることを防ぐため、正極を形成する前に酸化モリブデン層を蒸着法により形成している。 In addition, when a positive electrode is formed on the light emitting layer by a sputtering method in the manufacturing process of the organic EL element, a molybdenum oxide layer is formed by a vapor deposition method before forming the positive electrode in order to prevent sputtering damage from entering the light emitting layer. ing.

金属酸化物は有機ELなどの蒸着材料と比較して蒸発温度が高く、有機ELなどの蒸着材料と同じ条件で蒸着しても蒸着レートが低い。また、加工のしやすさ、加熱時における安定性から、筒状セル(蒸着用るつぼ)及び蓋にチタンを用いている(特許文献4参照。)。 A metal oxide has a higher evaporation temperature than a vapor deposition material such as an organic EL, and a vapor deposition rate is low even when vapor deposition is performed under the same conditions as the vapor deposition material such as an organic EL. Moreover, titanium is used for the cylindrical cell (deposition crucible) and the lid | cover from the ease of a process and the stability at the time of a heating (refer patent document 4).

特開2004−315898号公報JP 2004-315898 A 特開2008−261056号公報JP 2008-261056 A 特開2003−272860号公報JP 2003-272860 A 特開2005−163090号公報JP 2005-163090 A

しかしながら、チタンは熱伝導率が低く、蓋において発熱部から離れている貫通口近傍での温度低下が顕著である。金属酸化物の一例である酸化モリブデンの蒸発温度は500〜600度と高温であるため、特に蒸発温度の高い金属酸化物を蒸発または昇華させると、蓋の貫通口近傍の温度低下を原因とする金属酸化物の凝固が問題となる。 However, titanium has a low thermal conductivity, and a temperature drop is remarkable in the vicinity of the through hole that is away from the heat generating part in the lid. Since the evaporation temperature of molybdenum oxide, which is an example of a metal oxide, is as high as 500 to 600 degrees, particularly when a metal oxide having a high evaporation temperature is evaporated or sublimated, it causes a temperature drop near the through-hole of the lid. Solidification of metal oxides becomes a problem.

また、熱遮断板またはリフレクターとして用いられるタンタルや、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブ、イリジウム、バナジウム、クロム、ジルコニウムに代表される高融点金属は、耐熱性が高いが、高温時における安定性が低く、容易に酸化され、金属酸化物が形成されやすい。高融点金属を有する金属酸化物は、脆弱性が高く、蒸発源の劣化の原因となる。 In addition, tantalum used as a heat shielding plate or reflector, and refractory metals represented by tungsten, tantalum, molybdenum, niobium, iridium, vanadium, chromium and zirconium have high heat resistance but low stability at high temperatures. It is easily oxidized and a metal oxide is easily formed. A metal oxide having a refractory metal has high brittleness and causes deterioration of the evaporation source.

そこで、本発明の一態様は、劣化及び蒸発速度の低減を抑制しつつ、金属酸化物を蒸発または昇華することが可能な蒸発源を提供する。また、高温で蒸着が可能な蒸着装置を提供する。 Thus, one embodiment of the present invention provides an evaporation source capable of evaporating or sublimating a metal oxide while suppressing deterioration and reduction in evaporation rate. Moreover, the vapor deposition apparatus which can vapor-deposit at high temperature is provided.

本発明の一態様は、開口部を有する筒状セルと、貫通口が設けられ且つ筒状セルの外側に突出する突起部を有する第1の蓋体とで構成される坩堝と、坩堝の外周部に設けられた発熱部と、発熱部と接するように配設され、第1の蓋体を覆うと共に、第1の蓋体の突出部の少なくとも一部を貫通させる貫通口を有する第2の蓋体と、を有する蒸発源である。第1の蓋体は筒状セル内の蒸着材料を坩堝の外部に吐出させる機能を有し、第2の蓋体は発熱部からの熱を第1の蓋体へ伝達し、第1の蓋体を加熱する機能を有する。 According to one embodiment of the present invention, a crucible including a cylindrical cell having an opening, a first lid body having a through-hole and a protrusion protruding outside the cylindrical cell, and an outer periphery of the crucible A second heating unit disposed in contact with the heating unit and having a through-hole that covers the first lid and penetrates at least a part of the protruding portion of the first lid. And an evaporation source having a lid. The first lid has a function of discharging the vapor deposition material in the cylindrical cell to the outside of the crucible, and the second lid transmits heat from the heat generating portion to the first lid. Has the function of heating the body.

なお、筒状セルは、熱安定性が高く、特に高温において酸化されにくい材料で形成されることが好ましく、代表的には、クロム、チタン、ジルコニウム等を有する金属または合金、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化シリコン、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の絶縁物で形成される。 The cylindrical cell is preferably formed of a material having high thermal stability and not easily oxidized particularly at high temperatures. Typically, the cylindrical cell is a metal or alloy having chromium, titanium, zirconium, or the like, aluminum oxide, chromium oxide. , Silicon oxide, boron nitride, aluminum nitride and other insulators.

また、第2の蓋体は、耐熱性が高い金属または合金で形成されることが好ましく、代表的には、タングステン、タンタル、イリジウム、及び銀の一以上を有する金属または合金で形成される。 The second lid is preferably formed of a metal or alloy having high heat resistance, and is typically formed of a metal or alloy having one or more of tungsten, tantalum, iridium, and silver.

また、第1の蓋体及び第2の蓋体は、接していてもよい。または、第1の蓋体及び第2の蓋体は、一定間隔を有して配置されていてもよい。この時の一定間隔を0.1mm以上100mm以下、好ましくは0.1mm以上10mm以下、更に好ましくは0.1mm以上3mm以下とする。一定間隔を有することで、発熱部で加熱された第2の蓋体が発する輻射熱が第1の蓋体へ移動する。空気及び真空の熱伝導率は低いため、輻射熱による加熱は、発熱部の接触加熱と比較して、発熱部の温度変化の影響を受けず、第1の蓋体の温度を一定とすることができる。 Further, the first lid and the second lid may be in contact with each other. Alternatively, the first lid body and the second lid body may be arranged with a certain interval. The fixed interval at this time is 0.1 mm to 100 mm, preferably 0.1 mm to 10 mm, and more preferably 0.1 mm to 3 mm. By having a certain interval, the radiant heat generated by the second lid heated by the heat generating portion moves to the first lid. Since the thermal conductivity of air and vacuum is low, the heating by radiant heat is not affected by the temperature change of the heat generating part and the temperature of the first lid body is made constant compared to the contact heating of the heat generating part. it can.

また、第2の蓋体及び第1の蓋体の間に熱浸透率の低い部材を有してもよい。熱浸透率の低い部材は、第2の蓋体及び第1の蓋体のそれぞれ一部に少なくとも接していればよい。熱浸透率の低い部材を有することで、第2の蓋体から第1の蓋体及び筒状セルへの熱の移動が低減する。このため、第2の蓋体を選択的に加熱することが可能である。 Moreover, you may have a member with low heat permeability between the 2nd cover body and the 1st cover body. The member having a low thermal permeability may be in contact with at least a part of each of the second lid and the first lid. By having a member having a low heat permeability, heat transfer from the second lid to the first lid and the cylindrical cell is reduced. For this reason, it is possible to selectively heat the second lid.

第2の蓋体の貫通口において、第1の蓋体の貫通口が設けられた突起部の少なくとも一部が貫通すると共に、第1の蓋体の突起部は、坩堝、即ち筒状セルの外側に突出している。このため、高温で加熱し金属酸化物を蒸発させても、第2の蓋体と、筒状セルの内部から蒸発する金属酸化物や、蒸発の際に発生する酸素との接触を低減できるため、第2の蓋体の酸化及び当該酸化による蒸発源の劣化を低減できる。 In the through hole of the second lid, at least a part of the protrusion provided with the through hole of the first lid penetrates, and the protrusion of the first lid has a crucible, that is, a cylindrical cell. Projects outward. For this reason, even if it heats at high temperature and a metal oxide evaporates, it can reduce a contact with the 2nd cover body, the metal oxide evaporated from the inside of a cylindrical cell, and oxygen generated at the time of evaporation The deterioration of the evaporation source due to the oxidation of the second lid and the oxidation can be reduced.

本発明の一態様により、蒸発源の劣化を防ぎ、且つ蒸着材料の凝固及び蒸着速度の低減を防ぎながら、蒸発温度の高い金属酸化物を蒸発または昇華させることが可能である。また、蒸着装置において、高温での蒸着速度を高めることができる。 According to one embodiment of the present invention, it is possible to evaporate or sublimate a metal oxide having a high evaporation temperature while preventing deterioration of an evaporation source and preventing the evaporation material from being solidified and reducing the evaporation rate. Moreover, in the vapor deposition apparatus, the vapor deposition rate at high temperature can be increased.

蒸発源を説明する上面図及び断面図である。It is the top view and sectional drawing explaining an evaporation source. 蒸発源を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining an evaporation source. 坩堝を説明する斜視図及び展開図である。It is the perspective view and development view explaining a crucible. 蒸発源を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining an evaporation source. 蒸発源を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining an evaporation source. 成膜室を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the film-forming chamber. 成膜室を説明する上面図である。It is a top view explaining a film formation chamber. 蒸着装置を説明する上面図である。It is a top view explaining a vapor deposition apparatus.

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. However, the embodiments can be implemented in many different modes, and it is easily understood by those skilled in the art that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope thereof. . Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the following embodiments.

(実施の形態1)
本実施の形態は、第1の蓋体の貫通口に蒸着材料が付着しにくく、且つ高温加熱により劣化しにくい蒸発源について、図1乃至図3を用いて説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment mode, an evaporation source that hardly deposits a vapor deposition material on the through hole of the first lid body and hardly deteriorates due to high-temperature heating will be described with reference to FIGS.

図1(A)は、蒸発源100の一構造を説明する上面図であり、図1(B)は蒸発源100の縦断面図である。また、図2は、図1(B)の一点鎖線108の拡大図である。 FIG. 1A is a top view illustrating one structure of the evaporation source 100, and FIG. 1B is a longitudinal sectional view of the evaporation source 100. FIG. 2 is an enlarged view of an alternate long and short dash line 108 in FIG.

蒸発源100は、筒状セル112及び筒状セル112の開口部において脱着可能に装着される第1の蓋体114で構成される坩堝111と、第1の蓋体114を覆うように設けられる第2の蓋体106と、第2の蓋体106と接し、且つ筒状セル112、第1の蓋体114、及び第2の蓋体106を加熱する発熱部104とを有する。また、発熱部104の外側には外枠102が設けられる。筒状セル112はアルミナ部材103上に設けられており、筒状セル112の熱が外枠102に移動することを妨げている。筒状セル112の底部には熱電対125が接しており、筒状セル112の温度測定及び温度の制御が行われる。筒状セル112及び第1の蓋体114の内部には、内蓋116が設けられてもよい。 The evaporation source 100 is provided so as to cover the first lid body 114 and the crucible 111 constituted by the first lid body 114 that is detachably attached to the cylindrical cell 112 and the opening of the cylindrical cell 112. The second lid body 106, the second lid body 106, and the cylindrical cell 112, the first lid body 114, and the heat generating portion 104 that heats the second lid body 106 are included. An outer frame 102 is provided outside the heat generating unit 104. The cylindrical cell 112 is provided on the alumina member 103 and prevents the heat of the cylindrical cell 112 from moving to the outer frame 102. A thermocouple 125 is in contact with the bottom of the cylindrical cell 112, and temperature measurement and temperature control of the cylindrical cell 112 are performed. An inner lid 116 may be provided inside the cylindrical cell 112 and the first lid body 114.

図1(A)に示すように、第1の蓋体114は貫通口114aを有し、第2の蓋体106は貫通口106aを有する。また、蒸発源100において、第2の蓋体106の貫通口106aの内側に、第1の蓋体114の貫通口114aが位置する。また、図1(B)に示すように、第1の蓋体114は貫通口が設けられた突起部114cを有し、第1の蓋体114の突起部114cは坩堝111、即ち筒状セル112の外側に突出している。具体的には、図2に示すように、第1の蓋体114の突起部114cの少なくとも一部は、第2の蓋体106の貫通口106aを貫通しており、第2の蓋体106の貫通口より距離d1突出している。なお、d1は0より大5mm以下とすることが好ましい。d1を5mm以下とすることで、第2の蓋体114の輻射熱により第1の蓋体106を加熱することができる。 As shown in FIG. 1A, the first lid 114 has a through-hole 114a, and the second lid 106 has a through-hole 106a. Further, in the evaporation source 100, the through-hole 114a of the first lid 114 is located inside the through-hole 106a of the second lid 106. In addition, as shown in FIG. 1B, the first lid 114 has a projection 114c provided with a through-hole, and the projection 114c of the first lid 114 is a crucible 111, that is, a cylindrical cell. It protrudes outside 112. Specifically, as shown in FIG. 2, at least a part of the protrusion 114 c of the first lid 114 passes through the through-hole 106 a of the second lid 106, and the second lid 106 The distance d1 protrudes from the through hole. In addition, it is preferable that d1 shall be larger than 0 and 5 mm or less. By setting d1 to 5 mm or less, the first lid 106 can be heated by the radiant heat of the second lid 114.

また、図2に示すように、第1の蓋体114及び第2の蓋体106は一定間隔d2を有して設置されている。 As shown in FIG. 2, the first lid body 114 and the second lid body 106 are installed with a constant interval d2.

なお、筒状セル112、及び第1の蓋体114で構成される坩堝111の外観図を図3(A)に示し、展開図を図3(B)に示す。 An external view of the crucible 111 composed of the cylindrical cell 112 and the first lid 114 is shown in FIG. 3A, and a developed view is shown in FIG. 3B.

以下に、蒸発源100の各構成について、詳細に説明する。 Below, each structure of the evaporation source 100 is demonstrated in detail.

筒状セル112は、内部に蒸着材料が充填される容器であり、底を有し、上部に開口部を有する。筒状セル112は、熱安定性が高く、特に高温において酸化されにくい材料で形成されることが好ましく、代表的には、クロム、チタン、ジルコニウム等を有する金属または合金、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化シリコン、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の絶縁物で形成される。なお、チタンは、加工がしやすく、また高温での反応性が低いため、筒状セル112に適している。 The cylindrical cell 112 is a container filled with a vapor deposition material, and has a bottom and an opening at the top. The cylindrical cell 112 is preferably formed of a material having high thermal stability and not easily oxidized particularly at high temperatures. Typically, a metal or alloy having chromium, titanium, zirconium, or the like, aluminum oxide, chromium oxide, It is formed of an insulator such as silicon oxide, boron nitride, or aluminum nitride. Titanium is suitable for the cylindrical cell 112 because it is easy to process and has low reactivity at high temperatures.

第1の蓋体114は、筒状セル112内で蒸発または昇華(以下、蒸発または昇華を代表して、蒸発として説明する。)された蒸着材料を坩堝111の外側へ吐出させるために設けられており、図1(A)に示す貫通口114a及び図1(B)に示す突起部114cを有する。また、第1の蓋体114は、筒状セル112に脱着可能であることが好ましい。例えば、筒状セル112及び第1の蓋体114それぞれの側面に装着部として螺旋状の溝113を設けることで、筒状セル112及び第1の蓋体114の密閉性を高めることができ、筒状セル112内に充填された材料を、効率よく第1の蓋体114の貫通口から蒸発させることができる。または、筒状セル112の側面上に第1の蓋体114を設置する形状としてもよい。 The first lid body 114 is provided to discharge the vapor deposition material evaporated or sublimated in the cylindrical cell 112 (hereinafter referred to as evaporation on behalf of evaporation or sublimation) to the outside of the crucible 111. 1A, and has a through-hole 114a shown in FIG. 1A and a protrusion 114c shown in FIG. The first lid 114 is preferably detachable from the cylindrical cell 112. For example, by providing a spiral groove 113 as a mounting portion on the side surface of each of the cylindrical cell 112 and the first lid body 114, the hermeticity of the cylindrical cell 112 and the first lid body 114 can be improved, The material filled in the cylindrical cell 112 can be efficiently evaporated from the through hole of the first lid 114. Or it is good also as a shape which installs the 1st cover body 114 on the side surface of the cylindrical cell 112. FIG.

また、筒状セル112及び第1の蓋体114を同じ材料で形成すると、熱膨張率が等しいため、高温で加熱されても、筒状セル112及び第1の蓋体114の装着部での密閉性を高めることができる。 In addition, when the cylindrical cell 112 and the first lid 114 are formed of the same material, the thermal expansion coefficient is equal. Therefore, even if the cylindrical cell 112 and the first lid 114 are heated at a high temperature, Sealability can be improved.

筒状セル112及び第1の蓋体114の内側には、内蓋116を設けてもよい。内蓋116は、複数の貫通口が設けられており、蒸着材料の突沸を防ぐ機能を有する。内蓋116は、熱伝導率を有する材料が好ましく、代表的には、金、銀、白金、銅、アルミニウム、シリコンカーバイド、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、シリコンナイトライド等で形成されることが好ましい。内蓋116を筒状セル112の内部に設けることで、基板上に蒸着される膜の膜厚分布の均一性を高めることができる。 An inner lid 116 may be provided inside the cylindrical cell 112 and the first lid body 114. The inner lid 116 is provided with a plurality of through holes and has a function of preventing bumping of the vapor deposition material. The inner lid 116 is preferably made of a material having thermal conductivity. Typically, the inner lid 116 is preferably made of gold, silver, platinum, copper, aluminum, silicon carbide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, or the like. By providing the inner lid 116 inside the cylindrical cell 112, the uniformity of the film thickness distribution of the film deposited on the substrate can be improved.

第2の蓋体106は、発熱部104からの熱を第1の蓋体114へ伝達することで、第1の蓋体114の貫通口近傍の温度低下を防ぐ機能を有する。第2の蓋体106は、第1の蓋体114の少なくとも上面を覆う。さらには、第1の蓋体114の上面及び側面の一部を覆ってもよい。また、第2の蓋体106は発熱部104と接して設けられる。 The second lid 106 has a function of preventing a temperature drop in the vicinity of the through hole of the first lid 114 by transferring heat from the heat generating portion 104 to the first lid 114. The second lid 106 covers at least the upper surface of the first lid 114. Furthermore, you may cover the upper surface of the 1st cover body 114, and a part of side surface. The second lid body 106 is provided in contact with the heat generating portion 104.

第2の蓋体106は、金属酸化物の蒸着温度においても耐熱性が高い金属または合金、ここでは融点が1900度以上である高融点金属で形成されることが好ましく、代表的には、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブ、イリジウム、及びバナジウムの一以上を有する金属または合金で形成される。 The second lid 106 is preferably formed of a metal or an alloy having high heat resistance even at the deposition temperature of the metal oxide, here, a refractory metal having a melting point of 1900 ° C. or higher. , Tantalum, molybdenum, niobium, iridium, and vanadium.

また、第2の蓋体106は、上記高融点金属と、高融点化合物との積層構造としてもよい。高融点化合物の代表例としては、炭化タンタル、グラファイト、酸化マンガン、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン等がある。なお、第2の蓋体106は適宜、第1の蓋体114側から順に高融点化合物及び高融点金属が積層する構造、第1の蓋体114側から順に高融点金属及び高融点化合物が積層する構造、高融点金属の表面を高融点化合物で被覆する構造等とすることができる。 The second lid body 106 may have a laminated structure of the refractory metal and the refractory compound. Typical examples of the high melting point compound include tantalum carbide, graphite, manganese oxide, yttrium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, and titanium oxide. The second lid 106 has a structure in which a refractory compound and a refractory metal are laminated in order from the first lid 114 side, and a refractory metal and a refractory compound are laminated in order from the first lid 114 side. Or a structure in which the surface of a refractory metal is coated with a refractory compound.

発熱部104は、抵抗加熱方式を用いる。発熱部104は、少なくとも筒状セル112の外周部に設けられる。また、発熱部104と外枠102の間に反射板105を設けることで、発熱部104で発生した熱を、筒状セル112、第1の蓋体114、及び第2の蓋体106に反射させることが可能であり、より効率よく加熱することができる。 The heating unit 104 uses a resistance heating method. The heat generating portion 104 is provided at least on the outer peripheral portion of the cylindrical cell 112. In addition, by providing the reflector 105 between the heat generating portion 104 and the outer frame 102, the heat generated in the heat generating portion 104 is reflected to the cylindrical cell 112, the first lid 114, and the second lid 106. And can be heated more efficiently.

ここでは、発熱部104が第2の蓋体106に接するため、第2の蓋体106を接触加熱する。また、第2の蓋体106は高融点金属で形成されるため、高温で加熱されても劣化しない。一方、筒状セル112及び第1の蓋体114は発熱部104と一定間隔を有し、接していない。このため、発熱部104、及び発熱部104により加熱された第2の蓋体106で発生した輻射熱で、筒状セル112及び第1の蓋体114が加熱される。 Here, since the heat generating portion 104 is in contact with the second lid body 106, the second lid body 106 is contact-heated. Further, since the second lid 106 is made of a refractory metal, it does not deteriorate even when heated at a high temperature. On the other hand, the cylindrical cell 112 and the first lid body 114 have a certain distance from the heat generating portion 104 and are not in contact with each other. For this reason, the cylindrical cell 112 and the 1st cover body 114 are heated with the radiant heat which generate | occur | produced in the 2nd cover body 106 heated by the heat generating part 104 and the heat generating part 104.

第2の蓋体106の貫通口106aは、第1の蓋体114の貫通口114a近傍まで位置する。第2の蓋体106から発する熱は輻射熱となり、第1の蓋体114及びその突起部114cを加熱する。また、発熱部104と、筒状セル112及び第1の蓋体114との間は一定間隔を有するため、これらの間には、熱伝導率の低い空気がある。若しくは、真空状態である。このため、接触加熱と比較して、発熱部104及び第2の蓋体106で発生する輻射熱による加熱は、筒状セル112及び第1の蓋体114の昇温には時間がかかるが、降温しにくい。このため、一度一定温度まで上昇した後、筒状セル112及び第1の蓋体114は、発熱部104及び第2の蓋体106の温度変化の影響を受けにくい。この結果、第1の蓋体114の貫通口での蒸着材料の凝固及び付着を低減でき、蒸着速度のばらつきを低減することができる。 The through hole 106 a of the second lid 106 is located up to the vicinity of the through hole 114 a of the first lid 114. The heat generated from the second lid 106 becomes radiant heat, and heats the first lid 114 and its protrusion 114c. In addition, since the heating unit 104, the cylindrical cell 112, and the first lid body 114 have a constant interval, there is air having low thermal conductivity between them. Or it is a vacuum state. For this reason, in comparison with contact heating, heating by radiant heat generated in the heat generating portion 104 and the second lid 106 takes time to raise the temperature of the cylindrical cell 112 and the first lid 114, but the temperature is lowered. Hard to do. For this reason, once the temperature rises to a certain temperature, the cylindrical cell 112 and the first lid 114 are not easily affected by the temperature change of the heat generating portion 104 and the second lid 106. As a result, solidification and adhesion of the vapor deposition material at the through hole of the first lid 114 can be reduced, and variations in the vapor deposition rate can be reduced.

外枠102は、熱伝導率の高い材料で形成されることが好ましく、代表的には、金、銀、白金、銅、アルミニウム、ステンレス、シリコンカーバイド、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、シリコンナイトライド等で形成されることが好ましい。また、外枠102には、冷却手段が連結されてもよい。冷却手段を有することで、蒸発源100の発熱部104で発生した熱が、別の蒸発源100に移動することを防ぐことが可能であり、各蒸発源100の温度制御を容易とすることができる。 The outer frame 102 is preferably formed of a material having high thermal conductivity, typically, gold, silver, platinum, copper, aluminum, stainless steel, silicon carbide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, or the like. Preferably it is formed. The outer frame 102 may be connected to a cooling means. By having the cooling means, it is possible to prevent the heat generated in the heat generating part 104 of the evaporation source 100 from moving to another evaporation source 100 and to facilitate temperature control of each evaporation source 100. it can.

本実施の形態に示す蒸発源100は、図1(A)に示すように、第2の蓋体106の貫通口106aを、第1の蓋体114の貫通口114aが設けられた突起部114cの少なくとも一部が貫通する。また、図1(B)に示すように、第1の蓋体114の突起部114cは、坩堝111の外側に突出している。具体的には、第1の蓋体114の突起部114cは、第2の蓋体106の貫通口106aより、距離d1突出している。このため、筒状セル112内に金属酸化物を充填し、高温で加熱し金属酸化物を蒸発させても、第2の蓋体106と、筒状セル112の内部から蒸発する金属酸化物や、蒸発の際に発生する酸素との接触を低減できるため、第2の蓋体106の酸化及び当該酸化による蒸発源の劣化を低減できる。 As shown in FIG. 1A, the evaporation source 100 described in this embodiment includes a through-hole 106a of the second lid body 106 and a protrusion 114c provided with the through-hole 114a of the first lid body 114. At least a part of In addition, as shown in FIG. 1B, the protrusion 114 c of the first lid 114 protrudes outside the crucible 111. Specifically, the protrusion 114 c of the first lid 114 protrudes from the through hole 106 a of the second lid 106 by a distance d1. Therefore, even if the metal oxide is filled into the cylindrical cell 112 and heated at a high temperature to evaporate the metal oxide, the second lid 106 and the metal oxide evaporated from the inside of the cylindrical cell 112 Since contact with oxygen generated during evaporation can be reduced, oxidation of the second lid 106 and deterioration of the evaporation source due to the oxidation can be reduced.

さらに、第2の蓋体106は、高融点材料で形成されており、また発熱部104と接触しているため、高温での加熱が可能であると共に、第2の蓋体106の貫通口近傍に効率よく熱を伝えることができる。第2の蓋体106の貫通口106aは、第1の蓋体114の貫通口114a近傍まで位置するため、第2の蓋体106から発する熱は輻射熱となり、第1の蓋体114において、第1の蓋体114の貫通口114a近傍まで加熱できる。これらのため、第1の蓋体114の貫通口114aにおける蒸着材料の凝固及び付着を低減し、蒸着速度を高めることができる。また、輻射熱は、昇温には時間がかかるが、降温しにくいため、一旦一定温度まで上昇した後は、発熱部104、及び第2の蓋体106の温度変化の影響を受けにくく、効率よく第1の蓋体114を加熱することができる。このため、蒸着速度のばらつきを低減することができる。 Furthermore, since the second lid 106 is made of a high melting point material and is in contact with the heat generating portion 104, it can be heated at a high temperature and in the vicinity of the through hole of the second lid 106. Heat can be transferred efficiently. Since the through-hole 106a of the second lid body 106 is located to the vicinity of the through-hole 114a of the first lid body 114, the heat generated from the second lid body 106 becomes radiant heat, and the first lid body 114 It is possible to heat up to the vicinity of the through hole 114a of one lid 114. For these reasons, it is possible to reduce the solidification and adhesion of the vapor deposition material at the through-hole 114a of the first lid 114, and to increase the vapor deposition rate. In addition, although it takes time to raise the temperature of radiant heat, it is difficult to lower the temperature. Therefore, once the temperature has risen to a certain temperature, it is not easily affected by temperature changes of the heat generating portion 104 and the second lid 106, and it is efficient. The first lid body 114 can be heated. For this reason, the dispersion | variation in a vapor deposition rate can be reduced.

(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1と異なる構造の蒸発源について、図1及び図4を用いて説明する。なお、実施の形態1と重複する構成については、本実施の形態では説明を省略する。図4は、蒸発源120の縦断面図であり、上面図は図1(A)に示す蒸発源100と同様である。
(Embodiment 2)
In this embodiment, an evaporation source having a structure different from that in Embodiment 1 is described with reference to FIGS. Note that the description of the same structure as that in Embodiment 1 is omitted in this embodiment. FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the evaporation source 120, and a top view is the same as that of the evaporation source 100 shown in FIG.

図4に示す蒸発源120は、筒状セル112、及び筒状セル112の開口部において脱着可能に装着される第1の蓋体114で構成される坩堝111と、第1の蓋体114を覆うように設けられる第2の蓋体106と、第2の蓋体106と接し、且つ筒状セル112、第1の蓋体114、及び第2の蓋体106を加熱する発熱部104とを有する。発熱部104の外側には外枠102が設けられる。筒状セル112はアルミナ部材103上に設けられ、筒状セル112の熱が外枠102に移動することを妨げている。筒状セル112の底部には熱電対125が接しており、筒状セル112の温度測定及び温度の制御が行われている。筒状セル112及び第1の蓋体114の内部には、内蓋116が設けられてもよい。 The evaporation source 120 shown in FIG. 4 includes a cylindrical cell 112, a crucible 111 including a first lid 114 that is detachably attached to the opening of the cylindrical cell 112, and a first lid 114. A second lid 106 provided so as to cover, and a heating unit 104 that is in contact with the second lid 106 and that heats the cylindrical cell 112, the first lid 114, and the second lid 106. Have. An outer frame 102 is provided outside the heat generating portion 104. The cylindrical cell 112 is provided on the alumina member 103 and prevents the heat of the cylindrical cell 112 from moving to the outer frame 102. A thermocouple 125 is in contact with the bottom of the cylindrical cell 112, and temperature measurement and temperature control of the cylindrical cell 112 are performed. An inner lid 116 may be provided inside the cylindrical cell 112 and the first lid body 114.

図1(A)に示すように、第1の蓋体114は貫通口114aを有し、第2の蓋体106は貫通口106aを有する。また、蒸発源120において、第2の蓋体106の貫通口106aの内側に、第1の蓋体114の貫通口114aが位置する。また、図4に示すように、第1の蓋体114は貫通口が設けられた突起部114cを有し、第1の蓋体114の突起部114cは坩堝111の外側に突出している。具体的には、第1の蓋体114の突起部114cの少なくとも一部は、第2の蓋体106の貫通口を貫通しており、第2の蓋体106の貫通口より距離d1突出している。なお、d1は0より大5mm以下とすることが好ましい。d1を5mm以下とすることで、第2の蓋体114の輻射熱により第1の蓋体106を加熱することができる。また、本実施の形態に示す蒸発源120は、第1の蓋体114及び第2の蓋体106の間に、熱浸透率の低い部材122を有する。熱浸透率の低い部材122は、第1の蓋体114及び第2の蓋体106のそれぞれ一部に少なくとも接していればよい。なお、熱浸透率の低い部材122が第1の蓋体114及び第2の蓋体106のそれぞれ一部に少なくとも接している場合は、環状であってもよい。 As shown in FIG. 1A, the first lid 114 has a through-hole 114a, and the second lid 106 has a through-hole 106a. In the evaporation source 120, the through-hole 114 a of the first lid 114 is located inside the through-hole 106 a of the second lid 106. Further, as shown in FIG. 4, the first lid 114 has a protrusion 114 c provided with a through hole, and the protrusion 114 c of the first lid 114 protrudes outside the crucible 111. Specifically, at least a part of the protrusion 114 c of the first lid body 114 penetrates the through hole of the second lid body 106 and protrudes a distance d1 from the through hole of the second lid body 106. Yes. In addition, it is preferable that d1 shall be larger than 0 and 5 mm or less. By setting d1 to 5 mm or less, the first lid 106 can be heated by the radiant heat of the second lid 114. In addition, the evaporation source 120 described in this embodiment includes a member 122 having a low thermal permeability between the first lid 114 and the second lid 106. The member 122 having a low heat permeability may be in contact with at least a part of each of the first lid body 114 and the second lid body 106. In addition, when the member 122 with a low thermal permeability is in contact with at least a part of each of the first lid body 114 and the second lid body 106, it may be annular.

熱浸透率の低い部材122は、アルミナ、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、窒化シリコン等の材料で形成されることが好ましい。 The member 122 having a low thermal permeability is preferably formed of a material such as alumina, silicon oxide, zirconium oxide, or silicon nitride.

熱浸透率の低い部材122を有することで、発熱部104によって加熱された第2の蓋体106の熱が第1の蓋体114に移動することを低減する。この結果、第2の蓋体106において、貫通口近傍を選択的に高温に加熱することができる。このため、高温加熱による筒状セル112及び第1の蓋体114の劣化を低減しつつ、選択的に第2の蓋体106の貫通口近傍を加熱することができるため、蒸発速度の低減を抑制できる。 By having the member 122 with a low thermal permeability, the heat of the second lid body 106 heated by the heat generating unit 104 is reduced from moving to the first lid body 114. As a result, in the second lid 106, the vicinity of the through hole can be selectively heated to a high temperature. For this reason, it is possible to selectively heat the vicinity of the through-hole of the second lid 106 while reducing deterioration of the cylindrical cell 112 and the first lid 114 due to high-temperature heating. Can be suppressed.

(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態1と比較して、第1の蓋体114及び第2の蓋体106の位置関係のことなる蒸発源について、図1及び図5を用いて説明する。なお、実施の形態1と重複する構成については、本実施の形態では説明を省略する。図5(A)は、蒸発源130の縦断面図であり、図5(B)は図5(A)の一点鎖線138の拡大図である。
(Embodiment 3)
In this embodiment, an evaporation source having a different positional relationship between the first lid 114 and the second lid 106 as compared with the first embodiment will be described with reference to FIGS. Note that the description of the same structure as that in Embodiment 1 is omitted in this embodiment. 5A is a vertical cross-sectional view of the evaporation source 130, and FIG. 5B is an enlarged view of a one-dot chain line 138 in FIG. 5A.

図5に示す蒸発源130は、筒状セル112、及び筒状セル112の開口部において脱着可能に装着される第1の蓋体114で構成される坩堝111と、第1の蓋体114を覆うように設けられる第2の蓋体106と、第2の蓋体106と接し、且つ筒状セル112、第1の蓋体114、及び第2の蓋体106を加熱する発熱部104とを有する。また、発熱部104の外側には外枠102が設けられる。筒状セル112はアルミナ部材103上に設けられており、筒状セル112の熱が外枠102に移動することを妨げている。筒状セル112の底部には熱電対125が接しており、筒状セル112の温度測定及び温度の制御が行われる。筒状セル112及び第1の蓋体114の内部には、内蓋116が設けられてもよい。 The evaporation source 130 shown in FIG. 5 includes a crucible 111 composed of a cylindrical cell 112 and a first lid 114 that is detachably attached to the opening of the cylindrical cell 112, and a first lid 114. A second lid 106 provided so as to cover, and a heating unit 104 that is in contact with the second lid 106 and that heats the cylindrical cell 112, the first lid 114, and the second lid 106. Have. An outer frame 102 is provided outside the heat generating unit 104. The cylindrical cell 112 is provided on the alumina member 103 and prevents the heat of the cylindrical cell 112 from moving to the outer frame 102. A thermocouple 125 is in contact with the bottom of the cylindrical cell 112, and temperature measurement and temperature control of the cylindrical cell 112 are performed. An inner lid 116 may be provided inside the cylindrical cell 112 and the first lid body 114.

図1(A)に示すように、第1の蓋体114は貫通口114aを有し、第2の蓋体106は貫通口106aを有する。また、蒸発源130において、第2の蓋体106の貫通口106aの内側に、第1の蓋体114の貫通口114aが位置する。また、図5(A)に示すように、第1の蓋体114は貫通口が設けられた突起部114cを有し、第1の蓋体114の突起部114cは、坩堝111の外側に突出している。具体的には、第1の蓋体114の突起部114cの少なくとも一部は、第2の蓋体106の貫通口106aを貫通しており、第2の蓋体106の貫通口より距離d1突出している。なお、d1は0より大5mm以下とすることが好ましい。d1を5mm以下とすることで、第2の蓋体114の輻射熱により第1の蓋体106を加熱することができる。また、本実施の形態に示す蒸発源130は、図5(B)に示すように、第2の蓋体106及び第1の蓋体114が接することを特徴とする。第2の蓋体106及び第1の蓋体114が接することで、第2の蓋体106の空間的安定性を高めることが可能である。 As shown in FIG. 1A, the first lid 114 has a through-hole 114a, and the second lid 106 has a through-hole 106a. Further, in the evaporation source 130, the through-hole 114 a of the first lid 114 is located inside the through-hole 106 a of the second lid 106. In addition, as shown in FIG. 5A, the first lid 114 has a protrusion 114c provided with a through-hole, and the protrusion 114c of the first lid 114 protrudes outside the crucible 111. ing. Specifically, at least a part of the protrusion 114 c of the first lid body 114 penetrates the through hole 106 a of the second lid body 106 and projects a distance d1 from the through hole of the second lid body 106. ing. In addition, it is preferable that d1 shall be larger than 0 and 5 mm or less. By setting d1 to 5 mm or less, the first lid 106 can be heated by the radiant heat of the second lid 114. In addition, the evaporation source 130 described in this embodiment is characterized in that the second lid 106 and the first lid 114 are in contact with each other as shown in FIG. When the second lid 106 and the first lid 114 are in contact with each other, the spatial stability of the second lid 106 can be improved.

(実施の形態4)
次に、蒸着装置の成膜室の構成及び該成膜室における蒸着方法について、図6及び図7を用いて説明する。なお、図6は蒸着時における成膜室の断面図を示しているため、シャッター161を破線で示す。また、図6においては、実施の形態1に示す蒸発源100を用いて説明するが、実施の形態2及び実施の形態3に示す蒸発源120、130を適宜用いることができる。
(Embodiment 4)
Next, the structure of the deposition chamber of the deposition apparatus and the deposition method in the deposition chamber will be described with reference to FIGS. Since FIG. 6 shows a cross-sectional view of the film formation chamber during vapor deposition, the shutter 161 is indicated by a broken line. 6 is described using the evaporation source 100 described in Embodiment 1, but the evaporation sources 120 and 130 described in Embodiment 2 and Embodiment 3 can be used as appropriate.

成膜室151には、真空排気手段153、及びガス導入手段154が設けられている。 The film formation chamber 151 is provided with a vacuum exhaust unit 153 and a gas introduction unit 154.

また、成膜室151には、蒸着マスク用設置台163が設けられている。蒸着マスク用設置台163には、蒸着マスク167が固定されたマスクフレーム165が設けられている。また、蒸着マスク167上に基板171が設けられている。なお、成膜室151と基板171の間には、磁石板177が設けられている。当該磁石板177は基板171と接してもよい。または、図6に示すように、一定間隔を有してもよい。磁石板177の磁力により蒸着マスク167が基板171に引き寄せられ、蒸着マスク167の撓みを低減することができる。 In addition, the deposition chamber 151 is provided with a deposition mask mounting table 163. The vapor deposition mask installation table 163 is provided with a mask frame 165 to which the vapor deposition mask 167 is fixed. A substrate 171 is provided over the vapor deposition mask 167. Note that a magnet plate 177 is provided between the film formation chamber 151 and the substrate 171. The magnet plate 177 may be in contact with the substrate 171. Or as shown in FIG. 6, you may have a fixed space | interval. The vapor deposition mask 167 is attracted to the substrate 171 by the magnetic force of the magnet plate 177, and the deflection of the vapor deposition mask 167 can be reduced.

また、成膜室151には透明窓部155が設けられており、透明窓部155から撮像手段157によって基板171及び蒸着マスク167の位置を確認すると共に、各々の位置を制御することができる。 In addition, a transparent window 155 is provided in the film formation chamber 151, and the positions of the substrate 171 and the vapor deposition mask 167 can be confirmed from the transparent window 155 by the imaging unit 157, and each position can be controlled.

成膜室151において、x軸方向の移動機構159a及びy軸方向の移動機構159bを有する移動機構159が設けられる。また、移動機構159上に蒸発源100を保持する蒸発源保持部160が設けられる。移動機構159により蒸発源保持部160を移動させることで、基板171の所定の位置に、蒸発源100に充填された蒸着材料を蒸着することができる。 In the film formation chamber 151, a moving mechanism 159 including a moving mechanism 159a in the x-axis direction and a moving mechanism 159b in the y-axis direction is provided. Further, an evaporation source holding unit 160 that holds the evaporation source 100 is provided on the moving mechanism 159. By moving the evaporation source holding unit 160 by the moving mechanism 159, the evaporation material filled in the evaporation source 100 can be deposited at a predetermined position of the substrate 171.

また、成膜室151は、蒸着マスク用設置台163と蒸発源保持部160の間に、シャッター161を有する。当該シャッター161は、蒸発源100から基板171への蒸着材料の蒸着を制御する。また、図示しないが、蒸発源100それぞれにシャッター(以下、蒸発源シャッターと示す。)を有する。当該蒸発源シャッターは、蒸発源100それぞれにおいて、蒸発源100から基板171への蒸着材料の付着を制御する。 In addition, the film formation chamber 151 includes a shutter 161 between the deposition mask mounting table 163 and the evaporation source holding unit 160. The shutter 161 controls vapor deposition of the vapor deposition material from the evaporation source 100 to the substrate 171. Although not shown, each evaporation source 100 has a shutter (hereinafter referred to as an evaporation source shutter). The evaporation source shutter controls the deposition material deposition from the evaporation source 100 to the substrate 171 in each evaporation source 100.

基板171の表面及び蒸発源100の間隔d3を、代表的には100cm以下、好ましくは30cm以下とする。間隔d3を上記範囲とすることで、基板171が大面積基板であっても、蒸着材料を効率よく蒸着させることが可能である。また、蒸発源100に設けられる発熱部が高温となっても、間隔d3が広いため、当該熱が蒸着マスク167に伝わりにくく、加熱による蒸着マスク167の変形を防ぐことができる。 The distance d3 between the surface of the substrate 171 and the evaporation source 100 is typically 100 cm or less, preferably 30 cm or less. By setting the distance d3 within the above range, the deposition material can be efficiently deposited even if the substrate 171 is a large-area substrate. Further, even when the heat generating portion provided in the evaporation source 100 becomes high temperature, the distance d3 is wide, so that the heat is not easily transmitted to the vapor deposition mask 167, and deformation of the vapor deposition mask 167 due to heating can be prevented.

蒸着マスク167の厚さは10μm〜100μmである。また、蒸着マスク167は、熱によって変形されにくい低熱膨張率を有する金属または合金(例えば、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルもしくはモリブデン等の高融点金属、もしくはこれらの元素を含む合金、ステンレス、インコネル、ハステロイといった材料)を用いることが好ましい。また、基板171と同じ熱膨張係数を有する材料を用いた蒸着マスク167を用いることで、蒸着材料の付着中における位置ずれが生じにくいため好ましい。 The thickness of the vapor deposition mask 167 is 10 μm to 100 μm. The evaporation mask 167 is a metal or an alloy having a low thermal expansion coefficient that is not easily deformed by heat (for example, a refractory metal such as tungsten, tantalum, chromium, nickel, or molybdenum, an alloy containing these elements, stainless steel, inconel, It is preferable to use a material such as Hastelloy. In addition, it is preferable to use a vapor deposition mask 167 using a material having the same thermal expansion coefficient as that of the substrate 171 because misalignment hardly occurs during the deposition of the vapor deposition material.

なお、蒸着マスク167において、基板171と接する面上にDLC膜を形成することで、基板171を蒸着マスク167に設置する際に、基板171を傷つけずにすむため、好ましい。 Note that it is preferable to form a DLC film on the surface of the vapor deposition mask 167 in contact with the substrate 171 so that the substrate 171 is not damaged when the substrate 171 is placed on the vapor deposition mask 167.

真空排気手段153としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプを用いる。真空排気手段153により成膜室151の到達真空度を10−5〜10−6Paにすることが可能である。また、成膜室151内部への不純物の導入を防ぐため、ガス導入手段154から窒素や希ガス等の不活性ガスを成膜室151に導入してもよい。なお、ガス導入手段154にガス精製機を備えることで、ガス中に含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去することができるため、好ましい。 As the vacuum exhaust means 153, a magnetic levitation turbo molecular pump, a cryopump, or a dry pump is used. The ultimate vacuum degree of the film formation chamber 151 can be set to 10 −5 to 10 −6 Pa by the vacuum exhaust unit 153. In addition, an inert gas such as nitrogen or a rare gas may be introduced from the gas introduction unit 154 into the film formation chamber 151 in order to prevent introduction of impurities into the film formation chamber 151. Note that it is preferable to provide the gas introduction unit 154 with a gas purifier because oxygen, water, and other impurities contained in the gas can be removed in advance.

なお、図示しないが、蒸着速度を制御するため、マイクロコンピュータを成膜室151に設けることが好ましい。また、成膜室151または蒸発源100に膜厚モニタを設けることが好ましい。例えば、水晶振動子を用いて蒸着膜の膜厚を測定する場合、水晶振動子に蒸着された膜の質量変化を、共振周波数の変化として測定することができる。 Note that although not illustrated, a microcomputer is preferably provided in the film formation chamber 151 in order to control the deposition rate. A film thickness monitor is preferably provided in the film formation chamber 151 or the evaporation source 100. For example, when measuring the film thickness of a vapor deposition film using a crystal oscillator, the mass change of the film vapor-deposited on the crystal oscillator can be measured as a change in resonance frequency.

次に、蒸発源100から基板171上に蒸着材料を蒸着する方法について、図6を用いて説明する。 Next, a method for depositing a deposition material on the substrate 171 from the evaporation source 100 will be described with reference to FIG.

まず、成膜室内を真空排気手段153により真空度が5×10−3Torr(0.665Pa)以下、好ましくは10−5〜10−6Paとなるように真空排気を行う。 First, the film formation chamber is evacuated by the evacuation unit 153 so that the degree of vacuum is 5 × 10 −3 Torr (0.665 Pa) or less, preferably 10 −5 to 10 −6 Pa.

次に、後に成膜室151に搬入される基板171と重畳するようにシャッター161を閉じた状態とした後、蒸着マスク167が固定されたマスクフレーム165を成膜室151に導入し、蒸着マスク用設置台163上に設置する。 Next, after the shutter 161 is closed so as to overlap with the substrate 171 to be carried into the film formation chamber 151 later, a mask frame 165 to which the vapor deposition mask 167 is fixed is introduced into the film formation chamber 151, and the vapor deposition mask is formed. It is installed on the installation stand 163 for use.

次に、第1の電極173と、その端部を覆う絶縁物175(隔壁)とが設けられた基板171を基板移動機構により成膜室151に搬入し、蒸着マスク167上に設置する。このとき、絶縁物175が蒸着マスク167側となるように基板171を設置する。また、撮像手段157により基板171及び蒸着マスク167の位置を確認しながら、基板171の位置を調整する。 Next, the substrate 171 provided with the first electrode 173 and the insulator 175 (partition wall) covering the end portion thereof is carried into the deposition chamber 151 by the substrate moving mechanism, and is set on the evaporation mask 167. At this time, the substrate 171 is placed so that the insulator 175 is on the vapor deposition mask 167 side. Further, the position of the substrate 171 is adjusted while the positions of the substrate 171 and the vapor deposition mask 167 are confirmed by the imaging unit 157.

次に、蒸発源100を蒸発源保持部160内に設置した後、蒸発源シャッターを開け、蒸発源100の発熱部の温度を上昇させ、蒸発源100内の蒸着材料を蒸発させる。蒸発源100からの蒸着速度が一定となった後、シャッター161を開き、第1の電極173及び絶縁物175上に蒸着材料を蒸着する。 Next, after the evaporation source 100 is installed in the evaporation source holding unit 160, the evaporation source shutter is opened, the temperature of the heat generating portion of the evaporation source 100 is increased, and the evaporation material in the evaporation source 100 is evaporated. After the deposition rate from the evaporation source 100 becomes constant, the shutter 161 is opened, and a deposition material is deposited on the first electrode 173 and the insulator 175.

このとき、基板171上に膜厚分布が均一となるように蒸着材料を蒸着させる方法について、図7を用いて説明する。図7は、成膜室151の上面図である。なお、成膜室151の一方の側面には、開閉式のゲート182を介して搬送室183が連結される。また、成膜室151の他方の側面には、開閉式のゲート187を介して設置室188が連結される。なお、設置室188は必ずしも設ける必要はない。また、成膜室151において、ゲート182及びゲート187と接する側面には、それぞれ基板171及び蒸発源保持部160を成膜室151に導入するための開口部181及び開口部186を有する。 At this time, a method for depositing a deposition material on the substrate 171 so that the film thickness distribution is uniform will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a top view of the film forming chamber 151. Note that a transfer chamber 183 is connected to one side surface of the film formation chamber 151 through an openable gate 182. An installation chamber 188 is connected to the other side surface of the film formation chamber 151 through an openable gate 187. Note that the installation chamber 188 is not necessarily provided. In addition, in the film formation chamber 151, openings 181 and 186 for introducing the substrate 171 and the evaporation source holding unit 160 into the film formation chamber 151 are provided on the side surfaces in contact with the gate 182 and the gate 187, respectively.

図7(A)に示すように、設置室188に長方形の蒸発源保持部160が待機している。長方形の蒸発源保持部160には、一列に並んだ3つの蒸発源100が設置されている。設置室188で待機している複数の蒸発源保持部160が、基板171に設けられた画素領域189の下方を点線で示す矢印の方向に移動(または往復移動)することによって、基板171の画素領域189に蒸着材料を蒸着する。なお、蒸発源保持部160を移動させる移動機構(図6の移動機構159に相当)は、複数の蒸発源保持部160を同時またはそれぞれ別に制御することが可能である。また、ここでは、蒸発源保持部160をy方向に移動させる構成を示したが、x方向に移動させてもよい。 As shown in FIG. 7A, a rectangular evaporation source holding unit 160 is waiting in the installation chamber 188. Three evaporation sources 100 arranged in a row are installed in the rectangular evaporation source holding unit 160. The plurality of evaporation source holding units 160 waiting in the installation chamber 188 move (or reciprocate) below the pixel region 189 provided on the substrate 171 in the direction of the arrow indicated by the dotted line, so that the pixels on the substrate 171 A deposition material is deposited in the region 189. Note that a moving mechanism for moving the evaporation source holding unit 160 (corresponding to the moving mechanism 159 in FIG. 6) can control the plurality of evaporation source holding units 160 simultaneously or separately. In addition, here, the configuration in which the evaporation source holding unit 160 is moved in the y direction is shown, but it may be moved in the x direction.

図7(B)は、図7(A)と蒸発源保持部160の形状が異なる点と蒸発源保持部160の移動経路が異なる点以外は同一であるので詳細な説明は省略する。図7(B)では蒸発源保持部160が正方形となっており、蒸発源100が4個配置されている。蒸発源保持部160は、基板171の下方をジグザグに移動して蒸着を行う。 FIG. 7B is the same as FIG. 7A except that the shape of the evaporation source holding unit 160 is different and the movement path of the evaporation source holding unit 160 is different. In FIG. 7B, the evaporation source holding unit 160 has a square shape, and four evaporation sources 100 are arranged. The evaporation source holding unit 160 performs vapor deposition by moving under the substrate 171 in a zigzag manner.

なお、蒸発源保持部160に設置された複数の蒸発源100の少なくとも一部が画素領域189より外側を移動するようにすることで、画素領域189における膜厚分布の均一性を高めることができる。 Note that the uniformity of the film thickness distribution in the pixel region 189 can be improved by causing at least a part of the plurality of evaporation sources 100 installed in the evaporation source holding unit 160 to move outside the pixel region 189. .

また、図7では、蒸発源保持部160を移動させて基板171上に蒸着材料を蒸着する方法を示したが、蒸発源保持部160を成膜室151の中央付近に固定し、基板171を移動させることで、画素領域189に蒸着材料を蒸着してもよい。この場合、蒸発源保持部160は、蒸着材料を蒸発させる前に設置室188から成膜室151の中央付近まで移動させればよい。 Further, FIG. 7 shows a method of moving the evaporation source holding unit 160 to deposit a deposition material on the substrate 171, but the evaporation source holding unit 160 is fixed near the center of the film formation chamber 151, and the substrate 171 is attached. By moving it, a deposition material may be deposited on the pixel region 189. In this case, the evaporation source holding unit 160 may be moved from the installation chamber 188 to the vicinity of the center of the film formation chamber 151 before the vapor deposition material is evaporated.

なお、蒸発源保持部160に複数の蒸発源100を装着し、各蒸発源100に異なる蒸着材料(例えば2種類の蒸着材料)を入れて、異なる蒸着材料を同時に蒸発させてもよい。この結果、共蒸着が可能である。 Note that a plurality of evaporation sources 100 may be mounted on the evaporation source holding unit 160, and different evaporation materials (for example, two types of evaporation materials) may be put into each evaporation source 100 to evaporate different evaporation materials at the same time. As a result, co-evaporation is possible.

または、蒸発源保持部160に複数の蒸発源100を装着し、各蒸発源100に異なる蒸着材料(例えば2種類の蒸着材料)を入れて、異なる蒸着材料を別々に蒸発させてもよい。この場合、第1の蒸着材料を蒸着させる場合、第2の蒸着材料が入っている蒸発源100に設けられた蒸着シャッターを閉じて、蒸発源保持部160を移動することで、基板171上に第1の蒸着材料を蒸着させる。次に、第1の蒸着材料が入っている蒸発源100に設けられた蒸着シャッターを閉じ、第2の蒸着材料が入っている蒸発源に設けられた蒸着シャッターを開けることで、連続的に異なる材料を基板171上に蒸着させることができる。 Alternatively, a plurality of evaporation sources 100 may be attached to the evaporation source holding unit 160, and different evaporation materials (for example, two types of evaporation materials) may be put in each evaporation source 100, and different evaporation materials may be evaporated separately. In this case, when vapor-depositing the first vapor deposition material, the vapor deposition shutter provided in the evaporation source 100 containing the second vapor deposition material is closed and the evaporation source holding unit 160 is moved to move the vapor deposition shutter onto the substrate 171. A first deposition material is deposited. Next, the vapor deposition shutter provided in the evaporation source 100 containing the first vapor deposition material is closed, and the vapor deposition shutter provided in the evaporation source containing the second vapor deposition material is opened. Material can be deposited on the substrate 171.

また、設置室188において、蒸着速度が一定となるまで蒸着させた後、成膜室151に蒸発源を移動させてもよい。この結果、蒸着材料による成膜室151の汚染を低減することができると共に、異なる蒸着材料を連続的に蒸着する場合、スループットを向上させることができる。 Alternatively, the evaporation source may be moved to the film formation chamber 151 after vapor deposition in the installation chamber 188 until the vapor deposition rate becomes constant. As a result, contamination of the film formation chamber 151 due to the vapor deposition material can be reduced, and throughput can be improved when different vapor deposition materials are continuously vapor deposited.

(実施の形態5)
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した蒸発源及び成膜室を有する蒸着装置の一構造について説明する。また、本実施の形態では、当該蒸着装置を用いて、発光性の有機化合物を含む層を有する積層体(EL層)を有する発光素子が設けられた発光装置を作製する工程について説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, one structure of an evaporation apparatus including the evaporation source and the deposition chamber described in the above embodiment will be described. In this embodiment, a process for manufacturing a light-emitting device provided with a light-emitting element including a stacked body (EL layer) including a layer containing a light-emitting organic compound using the vapor deposition apparatus will be described.

図8(A)に示す蒸着装置200は、有機化合物または無機化合物を有する層の蒸着などを行うマルチチャンバーに、封止処理を行うチャンバーが設けられ、一つのユニットとなっている構造である。蒸着装置200を一つのユニットとすることで、発光素子への水分などの不純物の混入防止やスループット向上を図っている。 A vapor deposition apparatus 200 illustrated in FIG. 8A has a structure in which a chamber for performing a sealing process is provided in a multi-chamber for performing vapor deposition of a layer including an organic compound or an inorganic compound, and the like. By using the vapor deposition apparatus 200 as one unit, it is possible to prevent impurities such as moisture from entering the light emitting element and to improve throughput.

蒸着装置200は、基板投入室201、搬送室203、219、231、加熱処理室205、受渡室209、221、成膜室207、211、213、215、217、223、225、227、229、及び基板待機室239を有する蒸着装置である。なお、搬送室203には基板を搬送するための搬送機構210が設けており、他の搬送室も同様にそれぞれ搬送機構が設けてある。なお、各搬送室と各受渡室の間、各搬送室と各成膜室の間、各搬送室と各処理室の間には開閉可能なゲートが設けられている。また、図示していないが、各処理室には作業用の開閉扉が設けられている。当該開閉扉を介して、蒸着材料の供給(ルツボの設置)、蒸着マスクの設置、基板の設置などの作業を適宜行うことができる。なお、作業用の開閉扉の代わりに、設置室を設けてもよい。 The vapor deposition apparatus 200 includes a substrate loading chamber 201, a transfer chamber 203, 219, 231, a heat treatment chamber 205, a delivery chamber 209, 221, a film formation chamber 207, 211, 213, 215, 217, 223, 225, 227, 229, And a deposition apparatus having a substrate standby chamber 239. Note that the transfer chamber 203 is provided with a transfer mechanism 210 for transferring a substrate, and each of the other transfer chambers is also provided with a transfer mechanism. Note that an openable / closable gate is provided between each transfer chamber and each delivery chamber, between each transfer chamber and each film formation chamber, and between each transfer chamber and each processing chamber. Although not shown, each processing chamber is provided with a work door. Through the open / close door, operations such as supply of a deposition material (installation of a crucible), installation of a deposition mask, and installation of a substrate can be appropriately performed. Note that an installation room may be provided instead of the work door.

成膜室207、211、213、215、217それぞれには、先の実施の形態で説明した蒸発源が設らけれている。また、各成膜室に複数の蒸発源が設けられている構成としてもよい。このような構成とすることで、より少ない成膜室で多種の層を積層することができる。 In each of the deposition chambers 207, 211, 213, 215, and 217, the evaporation source described in the above embodiment is provided. In addition, a plurality of evaporation sources may be provided in each film formation chamber. With such a structure, various layers can be stacked with fewer film formation chambers.

成膜室223、225、227、229には、例えば、先の実施の形態で説明した蒸発源、または分子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、若しくはスパッタリング法などに代表される物理蒸着法などが行える機構が適宜設けられている。 The film formation chambers 223, 225, 227, and 229 are typified by, for example, the evaporation source described in the above embodiment, the molecular beam evaporation method, the ion plating method, the ion beam evaporation method, the sputtering method, or the like. A mechanism capable of performing physical vapor deposition or the like is appropriately provided.

蒸着装置200は、上記構成の他に、受渡室233と、対向基板投入室235と、シール形成室237と、貼り合わせ室241と、硬化処理室243と、基板取出室245と、搬送室249とを有する蒸着装置である。なお、搬送室249と受渡室233の間、搬送室249と各処理室の間には開閉可能なゲートが設けられている。なお、図示していないが、各処理室にはメンテナンス作業など、作業用の開閉扉が設けられている。 In addition to the above-described configuration, the vapor deposition apparatus 200 includes a delivery chamber 233, a counter substrate loading chamber 235, a seal forming chamber 237, a bonding chamber 241, a curing processing chamber 243, a substrate extraction chamber 245, and a transfer chamber 249. Is a vapor deposition apparatus. Note that gates that can be opened and closed are provided between the transfer chamber 249 and the delivery chamber 233 and between the transfer chamber 249 and each processing chamber. Although not shown, each processing chamber is provided with an open / close door for maintenance work.

図8(B)に、上記蒸着装置200を用いて作製する発光装置の構造を示す。当該発光装置の発光素子268は、第1の電極(陽極262)と第2の電極(陰極220)の間にEL層282が設けられている。具体的には、基板264上に陽極262が設けられており、陽極262上に正孔注入層270が設けられており、正孔注入層270上に正孔輸送層272が設けられており、正孔輸送層272上に発光性の有機化合物を含む層214が設けられており、発光性の有機化合物を含む層214上に電子輸送層276が設けられており、電子輸送層276上に電子注入層278が設けられており、電子注入層278上に陰極280(第2の電極)が設けられている。また、陰極280は対向基板266とも接している。なお、陰極280は対向基板266と接していなくともよい。 FIG. 8B illustrates a structure of a light-emitting device manufactured using the evaporation apparatus 200. In the light-emitting element 268 of the light-emitting device, an EL layer 282 is provided between the first electrode (anode 262) and the second electrode (cathode 220). Specifically, an anode 262 is provided over the substrate 264, a hole injection layer 270 is provided over the anode 262, and a hole transport layer 272 is provided over the hole injection layer 270. A layer 214 containing a light-emitting organic compound is provided over the hole-transport layer 272, an electron transport layer 276 is provided over the layer 214 containing a light-emitting organic compound, and an electron is formed over the electron transport layer 276. An injection layer 278 is provided, and a cathode 280 (second electrode) is provided over the electron injection layer 278. The cathode 280 is also in contact with the counter substrate 266. Note that the cathode 280 is not necessarily in contact with the counter substrate 266.

以下、予め陽極262(第1の電極)と、陽極262の端部を覆う絶縁物(隔壁)とが設けられた基板264を蒸着装置200に搬入し、基板264上に、EL層282を有する発光素子268が設けられた発光装置を作製する手順を示す。 Hereinafter, a substrate 264 provided with an anode 262 (first electrode) and an insulator (partition wall) that covers an end of the anode 262 in advance is carried into the evaporation apparatus 200, and an EL layer 282 is provided over the substrate 264. A procedure for manufacturing a light-emitting device provided with the light-emitting element 268 will be described.

アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合、予め基板264上には、陽極に接続している薄膜トランジスタ(電流制御用TFT)及びその他の薄膜トランジスタ(スイッチング用TFTなど)が複数設けられている。また、当該基板264上には薄膜トランジスタを有する駆動回路が設けられていてもよい。なお、パッシブマトリクス型の発光装置も蒸着装置200により作製することができ、その場合、基板264には電流制御用TFT及びスイッチング用TFTを設けなくてよい。 In the case of manufacturing an active matrix light-emitting device, a plurality of thin film transistors (current control TFTs) and other thin film transistors (such as switching TFTs) connected to an anode are provided over a substrate 264 in advance. Further, a driver circuit including a thin film transistor may be provided over the substrate 264. Note that a passive matrix light-emitting device can also be manufactured by the evaporation apparatus 200. In that case, the substrate 264 does not need to be provided with a current control TFT and a switching TFT.

まず、基板投入室201に基板264(300mm×360mm)をセットする。基板サイズは、320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、さらには1150mm×1300mmのような大面積基板でも対応可能である。 First, a substrate 264 (300 mm × 360 mm) is set in the substrate loading chamber 201. Substrate sizes of 320 mm × 400 mm, 370 mm × 470 mm, 550 mm × 650 mm, 600 mm × 720 mm, 680 mm × 880 mm, 1000 mm × 1200 mm, 1100 mm × 1250 mm, and even 1150 mm × 1300 mm can be handled.

基板投入室201にセットした基板264を搬送室203に搬送する。なお、搬送室203には基板264を搬送または反転するための搬送機構210(搬送ロボットなど)が設けられている。 The substrate 264 set in the substrate loading chamber 201 is transferred to the transfer chamber 203. Note that the transfer chamber 203 is provided with a transfer mechanism 210 (such as a transfer robot) for transferring or reversing the substrate 264.

また、搬送室203、219、231には、それぞれ搬送機構が設けてある。搬送機構210は、基板264の表裏を反転させることができ、成膜室207または加熱処理室205に反転させて搬入することができる。各搬送室203、219、231及び受渡室209は、真空排気処理室と連結されており、真空排気して真空にすることもでき、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気圧にすることもできる。 The transfer chambers 203, 219, and 231 are each provided with a transfer mechanism. The transport mechanism 210 can invert the front and back of the substrate 264 and can carry it over into the film formation chamber 207 or the heat treatment chamber 205. Each of the transfer chambers 203, 219, 231 and the delivery chamber 209 is connected to an evacuation chamber, and can be evacuated to a vacuum. After evacuation, an inert gas is introduced to the atmospheric pressure. You can also

また、上記の真空排気処理室としては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプなどが備えられている。これにより各処理室と連結された搬送室の到達真空度を10−5〜10−6度にすることが可能であり、さらにポンプ側及び排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。 In addition, the vacuum evacuation chamber is provided with a turbo molecular pump, a cryopump, a dry pump, or the like. As a result, the ultimate vacuum of the transfer chamber connected to each processing chamber can be set to 10 −5 to 10 −6 degrees, and the back diffusion of impurities from the pump side and the exhaust system can be controlled. .

また、基板投入室201に搬入する前に基板表面を洗浄した場合や、シュリンクなどを抑制するために、EL層282を蒸着する前に加熱処理を行うことが好ましく、基板264を搬送室203から加熱処理室205に搬送し、基板264に含まれる水分やその他のガスを除去する。基板264に含まれる水分やその他のガスを徹底的に除去するために、加熱処理を真空(5×10−3Torr(0.665Pa)以下、好ましくは10−4〜10−5Pa)で行うことが好ましい。例えば、加熱処理室205は、平板ヒータ(代表的にはシースヒータ)を用いて、複数の基板を均一に加熱することができる。この平板ヒータは複数設置され、平板ヒータで基板を挟むように両面から加熱することもでき、勿論、片面から加熱することもできる。特に、第1の電極(陽極262)上に設けられた絶縁物(隔壁)の材料として有機樹脂膜を用いた場合、有機樹脂膜は水分を吸着しやすく、さらに脱ガスを放出する恐れがあるため、EL層282を形成する前に100℃〜250℃、好ましくは150℃〜200℃、例えば30分以上の加熱を行った後、30分の自然冷却を行って吸着水分を除去する真空加熱処理は有効である。 In addition, in the case where the substrate surface is washed before being carried into the substrate loading chamber 201, or in order to suppress shrinkage or the like, heat treatment is preferably performed before the EL layer 282 is deposited, and the substrate 264 is removed from the transfer chamber 203. The substrate is transferred to the heat treatment chamber 205, and moisture and other gases contained in the substrate 264 are removed. In order to thoroughly remove moisture and other gases contained in the substrate 264, heat treatment is performed in a vacuum (5 × 10 −3 Torr (0.665 Pa) or less, preferably 10 −4 to 10 −5 Pa). It is preferable. For example, the heat treatment chamber 205 can uniformly heat a plurality of substrates using a flat plate heater (typically a sheath heater). A plurality of the flat plate heaters are installed, and can be heated from both sides so that the substrate is sandwiched by the flat plate heaters. Of course, the flat plate heaters can also be heated from one side. In particular, when an organic resin film is used as the material of the insulator (partition wall) provided on the first electrode (anode 262), the organic resin film easily adsorbs moisture and may release degassing. Therefore, before forming the EL layer 282, vacuum heating is performed by heating at 100 ° C. to 250 ° C., preferably 150 ° C. to 200 ° C., for example, for 30 minutes or more, and then performing natural cooling for 30 minutes to remove adsorbed moisture. Processing is effective.

本実施の形態では、搬送室203から成膜室207に基板264を搬送し、蒸着マスクを用いて、陽極262(第1の電極)上に正孔注入層270を形成する。 In this embodiment, the substrate 264 is transferred from the transfer chamber 203 to the deposition chamber 207, and the hole-injection layer 270 is formed over the anode 262 (first electrode) using an evaporation mask.

ここで、正孔注入層270の例を示す。正孔注入層270は正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン(略称:HPc)、銅(II)フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。 Here, an example of the hole injection layer 270 is shown. The hole injection layer 270 is a layer containing a substance having a high hole injection property. Examples of substances having a high hole injection property include molybdenum oxide, titanium oxide, vanadium oxide, rhenium oxide, ruthenium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, and silver oxide. Metal oxides such as oxides, tungsten oxides, and manganese oxides can be used. Alternatively, a phthalocyanine-based compound such as phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc) or copper (II) phthalocyanine (abbreviation: CuPc) can be used.

また、低分子の有機化合物である芳香族アミン化合物等を用いることができる。 In addition, an aromatic amine compound which is a low molecular organic compound can be used.

さらに、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)を用いることもできる。また、酸を添加した高分子化合物を用いることができる。 Furthermore, a high molecular compound (an oligomer, a dendrimer, a polymer, etc.) can also be used. In addition, a polymer compound to which an acid is added can be used.

特に、正孔注入層270として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、陽極からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層270を形成することにより、陽極からEL層282への正孔注入が容易となる。 In particular, the hole-injecting layer 270 is preferably a composite material in which an acceptor substance is contained in an organic compound having a high hole-transport property. By using a composite material in which an acceptor substance is contained in a substance having a high hole-transport property, hole injectability from the anode can be improved, and the driving voltage of the light-emitting element can be reduced. These composite materials can be formed by co-evaporating a substance having a high hole-transport property and an acceptor substance. By forming the hole injection layer 270 using the composite material, hole injection from the anode to the EL layer 282 is facilitated.

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。 As the organic compound used for the composite material, various compounds such as an aromatic amine compound, a carbazole derivative, an aromatic hydrocarbon, and a high molecular compound (such as an oligomer, a dendrimer, and a polymer) can be used. Note that the organic compound used for the composite material is preferably an organic compound having a high hole-transport property. Specifically, a substance having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher is preferable. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used.

アクセプター性物質としては、有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。 Examples of the acceptor substance include organic compounds and transition metal oxides. In addition, oxides of metals belonging to Groups 4 to 8 in the periodic table can be given. Specifically, vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide are preferable because of their high electron accepting properties. Among these, molybdenum oxide is especially preferable because it is stable in the air, has a low hygroscopic property, and is easy to handle.

なお、高分子化合物と、上述したアクセプター性物質を用いて複合材料を形成し、正孔注入層270に用いてもよい。 Note that a composite material may be formed using the polymer compound and the above-described acceptor substance and used for the hole-injection layer 270.

蒸着装置200を用いて異なる材料を同時に蒸着する共蒸着を行う際は、1つの成膜室に複数の蒸発源を設けて、各蒸発源に異なる蒸着材料を設置し、適宜蒸着レートを考慮して蒸着すればよい。また、実施の形態1乃至実施の形態3に示す蒸発源を用いることで、蒸発源の劣化を防ぎつつ、蒸発温度が高温である金属酸化物を蒸着させることができる。 When performing co-deposition using the vapor deposition apparatus 200 to deposit different materials at the same time, a plurality of evaporation sources are provided in one film formation chamber, different evaporation materials are installed in each evaporation source, and the evaporation rate is appropriately taken into consideration. Can be deposited. In addition, by using the evaporation source described in any of Embodiments 1 to 3, it is possible to deposit a metal oxide having a high evaporation temperature while preventing the evaporation source from deteriorating.

次いで、成膜室207から受渡室209に基板を搬送し、さらに、大気にふれさせることなく、受渡室209から搬送室219に基板を搬送する。 Next, the substrate is transferred from the deposition chamber 207 to the delivery chamber 209, and further, the substrate is transferred from the delivery chamber 209 to the transfer chamber 219 without being exposed to the atmosphere.

次いで、搬送室219に連結された成膜室211、成膜室213、成膜室215、成膜室217へ基板を適宜、搬送して、正孔輸送層272、発光性の有機化合物を含む層214(例えば青色の発光層、緑色の発光層、赤色の発光層)を適宜形成する。 Next, the substrate is appropriately transferred to the film formation chamber 211, the film formation chamber 213, the film formation chamber 215, and the film formation chamber 217 connected to the transfer chamber 219, and includes a hole transport layer 272 and a light-emitting organic compound. A layer 214 (for example, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, or a red light emitting layer) is appropriately formed.

成膜室211、成膜室213、成膜室215、成膜室217は、成膜室207と同様に先の実施の形態で説明した蒸発源を有する。なお、成膜室211、成膜室213、成膜室215、成膜室217において、有機化合物のみ蒸着し、金属酸化物を蒸着しない場合は、成膜室211、成膜室213、成膜室215、成膜室217に、従来の蒸発源を設けてもよい。 The film formation chamber 211, the film formation chamber 213, the film formation chamber 215, and the film formation chamber 217 each have the evaporation source described in the above embodiment, like the film formation chamber 207. Note that in the film formation chamber 211, the film formation chamber 213, the film formation chamber 215, and the film formation chamber 217, in the case where only an organic compound is deposited and a metal oxide is not deposited, the film formation chamber 211, the film formation chamber 213, and the film formation A conventional evaporation source may be provided in the chamber 215 and the film formation chamber 217.

成膜室211では、蒸着マスクを用いて正孔輸送層272を形成する。正孔輸送層272は正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、芳香族アミン化合物を用いることができる。これらは主に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。 In the deposition chamber 211, the hole transport layer 272 is formed using a vapor deposition mask. The hole-transport layer 272 is a layer that contains a substance having a high hole-transport property. As the substance having a high hole transporting property, for example, an aromatic amine compound can be used. These are mainly substances having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Note that the layer containing a substance having a high hole-transport property is not limited to a single layer, and two or more layers containing the above substances may be stacked.

また、正孔輸送層272には、カルバゾール誘導体や、アントラセン誘導体や、そのほか正孔輸送性の高い高分子化合物を用いてもよい。 For the hole-transport layer 272, a carbazole derivative, an anthracene derivative, or a high molecular compound having a high hole-transport property may be used.

成膜室213、成膜室215、成膜室217では、蒸着マスクを用いて発光性の有機化合物を含む層214を蒸着する。発光性の有機化合物を含む層214は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。 In the deposition chamber 213, the deposition chamber 215, and the deposition chamber 217, the layer 214 containing a light-emitting organic compound is deposited using a deposition mask. For the layer 214 containing a light-emitting organic compound, a fluorescent compound that emits fluorescence or a phosphorescent compound that emits phosphorescence can be used.

なお、発光性の有機化合物を含む層214としては、発光性の有機化合物(ゲスト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。 Note that the layer 214 containing a light-emitting organic compound may have a structure in which a light-emitting organic compound (guest material) is dispersed in another substance (host material). As the host material, various materials can be used, and a substance having a lowest lowest orbital level (LUMO level) and a lower highest occupied orbital level (HOMO level) than a light-emitting substance should be used. Is preferred.

また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するために結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うために、さらに異なる物質を添加してもよい。 A plurality of types of host materials can be used. For example, a substance that suppresses crystallization may be further added to suppress crystallization. Further, in order to perform energy transfer to the guest material more efficiently, a different substance may be added.

ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含む層214の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。 With the structure in which the guest material is dispersed in the host material, crystallization of the layer 214 containing a light-emitting organic compound can be suppressed. Further, concentration quenching due to the high concentration of the guest material can be suppressed.

また、発光性の有機化合物を含む層214として高分子化合物を用いることができる。 For the layer 214 containing a light-emitting organic compound, a high molecular compound can be used.

また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の有機化合物を含む層を2つ有する発光素子において、第1の発光性の有機化合物を含む層の発光色と第2の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機化合物を含む層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。発光素子全体として白色発光する発光素子を表示パネルに用いる場合、当該表示パネルをカラー表示させるには第2の基板(対向基板266)にカラーフィルタを設ければよい。 Further, by providing a plurality of layers containing a light-emitting organic compound and making each layer have a different emission color, light emission of a desired color can be obtained as the entire light-emitting element. For example, in a light-emitting element having two layers containing a light-emitting organic compound, the emission color of the layer containing the first light-emitting organic compound and the light emission color of the layer containing the second light-emitting organic compound are complementary colors. By making the relationship, it is also possible to obtain a light emitting element that emits white light as the entire light emitting element. The complementary color refers to a relationship between colors that become achromatic when mixed. That is, white light emission can be obtained by mixing light obtained from substances that emit light of complementary colors. The same applies to a light-emitting element having three or more layers containing a light-emitting organic compound. In the case where a light-emitting element that emits white light as a whole is used for a display panel, a color filter may be provided on the second substrate (counter substrate 266) in order to display the display panel in color.

例えば、成膜室213で蒸着マスクを用いて青色の発光性の有機化合物を含む層を形成し、成膜室215で蒸着マスクを用いて緑色の発光性の有機化合物を含む層を形成し、成膜室217で蒸着マスクを用いて赤色の発光性の有機化合物を含む層を形成することで、発光性の有機化合物を含む層を複数設けた発光装置を作製できる。 For example, a layer containing a blue light-emitting organic compound is formed in the film formation chamber 213 using a vapor deposition mask, and a layer containing a green light-emitting organic compound is formed in the film formation chamber 215 using a vapor deposition mask. By forming a layer containing a red light-emitting organic compound in the deposition chamber 217 using a vapor deposition mask, a light-emitting device provided with a plurality of layers containing a light-emitting organic compound can be manufactured.

なお、発光性の有機化合物を含む層を複数設ける場合、それぞれの層を積層してもよいし、それぞれの層を並列に設けて、領域毎に異なる色が発光されるようにしてもよい。また、それぞれの層を積層する場合は、各層の間に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層などを適宜設けることが好ましい。 Note that when a plurality of layers containing a light-emitting organic compound are provided, the layers may be stacked, or the layers may be provided in parallel so that different colors are emitted in each region. In the case of laminating each layer, it is preferable to appropriately provide an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and the like between the layers.

次いで、成膜室217から受渡室221に基板を搬送し、さらに、大気にふれさせることなく、受渡室221から搬送室231に基板を搬送する。 Next, the substrate is transferred from the deposition chamber 217 to the delivery chamber 221 and further transferred from the delivery chamber 221 to the transfer chamber 231 without being exposed to the atmosphere.

次いで、搬送室231内に設置されている搬送機構により、基板を成膜室223に搬送し、蒸着マスクを用いて電子輸送層276を形成する。電子輸送層276は電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、主に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層276は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。 Next, the substrate is transferred to the film formation chamber 223 by a transfer mechanism installed in the transfer chamber 231, and the electron transport layer 276 is formed using an evaporation mask. The electron transport layer 276 is a layer containing a substance having a high electron transport property. The substance having a high electron transporting property is a substance mainly having an electron mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Further, the electron-transport layer 276 is not limited to a single layer, and two or more layers including any of the above substances may be stacked.

次いで、成膜室223から成膜室225に基板を搬送し、蒸着マスクを用いて電子注入層278を形成する。電子注入層278は電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層278には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む材料を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層276を構成する物質を用いることもできる。 Next, the substrate is transferred from the film formation chamber 223 to the film formation chamber 225, and the electron injection layer 278 is formed using an evaporation mask. The electron injection layer 278 is a layer containing a substance having a high electron injection property. The electron injecting layer 278 can be formed using a material containing an alkali metal or an alkaline earth metal such as lithium, cesium, calcium, lithium fluoride, cesium fluoride, calcium fluoride, lithium oxide, or the like. Alternatively, a rare earth metal compound such as erbium fluoride can be used. In addition, a substance constituting the above-described electron transport layer 276 can be used.

なお、電子輸送層276および電子注入層278は、それぞれ、上述した材料から適宜選択し、また、実施の形態1乃至実施の形態3に示す蒸発源を用いる蒸着法、またはスパッタリング法などを用いて形成することができる。 Note that each of the electron-transport layer 276 and the electron-injection layer 278 is appropriately selected from the above materials, and by using an evaporation method using the evaporation source described in any of Embodiments 1 to 3, a sputtering method, or the like. Can be formed.

次いで、成膜室225から成膜室227に基板を搬送し、蒸着マスクを用いて陰極280(第2の電極)を形成する。この陰極280は、透明または半透明であることが好ましく、実施の形態1に示す蒸着法により形成される金属膜(MgAg、MgIn、LiFなどの合金、または周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜、またはこれらの積層膜)の薄膜(1nm〜300nm程度)、或いは上記金属膜の薄膜(1nm〜300nm程度)とITOなど透明導電膜との積層を陰極280とすることが好ましい。積層する場合、スパッタリング法などの物理蒸着法を行うことができる成膜室に搬送し、透明導電膜を形成する。 Next, the substrate is transferred from the film formation chamber 225 to the film formation chamber 227, and a cathode 280 (second electrode) is formed using an evaporation mask. This cathode 280 is preferably transparent or translucent, and belongs to a metal film (an alloy such as MgAg, MgIn, LiF, or the like in Group 1 or Group 2 of the periodic table) formed by the vapor deposition method described in Embodiment 1. A thin film (about 1 nm to 300 nm) of a film formed by co-evaporation of an element and aluminum or a laminated film of these elements, or a thin film of the metal film (about 1 nm to 300 nm) and a transparent conductive film such as ITO. The cathode 280 is preferable. In the case of stacking, a transparent conductive film is formed by transporting to a film formation chamber in which a physical vapor deposition method such as a sputtering method can be performed.

以上の工程でEL層を有する発光素子が形成される。 Through the above process, a light-emitting element having an EL layer is formed.

形成した発光素子は、陽極と陰極280との間に上記以外の層が複数積層されていてもよい。例えば、成膜室229で電荷発生層が形成された発光素子であってもよい。なお、EL層282において、発光性の有機化合物を含む層が複数積層されている場合は、発光性の有機化合物を含む層の間に電荷発生層を設けることが好ましい。電荷発生層は、正孔注入層270で述べた、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いて形成することができる。また、電荷発生層は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層282で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層282の構造と組み合わせて用いることができる。 In the formed light-emitting element, a plurality of layers other than those described above may be stacked between the anode and the cathode 280. For example, a light-emitting element in which a charge generation layer is formed in the film formation chamber 229 may be used. Note that in the EL layer 282, in the case where a plurality of layers containing a light-emitting organic compound are stacked, a charge generation layer is preferably provided between the layers containing a light-emitting organic compound. The charge generation layer can be formed using the composite material described in the hole injection layer 270 in which an acceptor substance is contained in a substance having a high hole-transport property. The charge generation layer may have a laminated structure of a layer made of a composite material and a layer made of another material. In this case, as a layer made of another material, a layer containing an electron donating substance and a substance having a high electron transporting property, a layer made of a transparent conductive film, or the like can be used. A light-emitting element having such a structure hardly causes problems such as energy transfer and quenching, and can easily be a light-emitting element having both high light emission efficiency and a long lifetime by widening the range of material selection. It is also easy to obtain phosphorescence emission with one EL layer 282 and fluorescence emission with the other. This structure can be used in combination with the structure of the EL layer 282 described above.

また、演色性の良い白色発光を得る場合、発光スペクトルが可視光全域に広がるものとする必要があり、3つ以上のEL層が積層された発光素子とすることが好ましい。例えばそれぞれ赤色、青色、緑色の発光色のEL層を積層して発光素子を形成することができる。このように異なる3色以上のEL層が積層された発光素子とすることにより演色性を高めることができる。また、複数のEL層を積層する場合にも、各EL層の間には電荷発生層を設けることが好ましい。 Further, in order to obtain white light emission with good color rendering properties, the emission spectrum needs to be spread over the entire visible light region, and a light-emitting element in which three or more EL layers are stacked is preferable. For example, a light-emitting element can be formed by stacking EL layers of red, blue, and green emission colors. In this manner, the color rendering property can be improved by forming a light emitting element in which EL layers of three or more different colors are stacked. In addition, when a plurality of EL layers are stacked, it is preferable to provide a charge generation layer between the EL layers.

陰極220までが形成された基板264は、受渡室233を経由して搬送室249に導入され、基板待機室239に搬送する。搬送室249、基板待機室239は搬送室203、搬送室219、搬送室231と同様の構成であり、減圧雰囲気とすることが好ましい。 The substrate 264 on which the cathode 220 is formed is introduced into the transfer chamber 249 via the delivery chamber 233 and transferred to the substrate standby chamber 239. The transfer chamber 249 and the substrate standby chamber 239 have the same structure as the transfer chamber 203, the transfer chamber 219, and the transfer chamber 231, and preferably have a reduced pressure atmosphere.

そして、陰極280までが形成された基板264は搬送室249に設置された搬送機構によって、貼り合わせ室241に搬送される。 Then, the substrate 264 on which the cathodes 280 are formed is transferred to the bonding chamber 241 by a transfer mechanism installed in the transfer chamber 249.

対向基板266は、予め柱状または壁状の構造物を設けておき、真空排気手段および発熱部を有する対向基板投入室235に導入した後、まず、減圧下で加熱して脱気を行う。その後、搬送室249に設置された搬送機構によって、シール形成室237に搬送し、シール材の形成を行う。シール形成室237にはディスペンス装置またはインクジェット装置が備えられている。また、シール形成室237にはシール材を仮硬化するためにベークまたはUV照射機構を備えてもよい。シール形成室237でシール材を仮硬化させた後、シール材で囲まれた領域に充填材の滴下を行う。 The counter substrate 266 is provided with a columnar or wall-like structure in advance and introduced into the counter substrate loading chamber 235 having a vacuum evacuation unit and a heat generating portion, and then first deaerated by heating under reduced pressure. Thereafter, the material is transferred to the seal formation chamber 237 by a transfer mechanism installed in the transfer chamber 249, and a seal material is formed. The seal forming chamber 237 is provided with a dispensing device or an ink jet device. Further, the seal forming chamber 237 may be provided with a baking or UV irradiation mechanism in order to temporarily cure the sealing material. After the sealing material is temporarily cured in the seal forming chamber 237, the filler is dropped into a region surrounded by the sealing material.

次いで、対向基板266も搬送室249に設置された搬送機構247で貼り合わせ室241に搬送する。 Next, the counter substrate 266 is also transferred to the bonding chamber 241 by the transfer mechanism 247 installed in the transfer chamber 249.

貼り合わせ室241では、処理室内を減圧にした後、陰極までが形成された基板264と対向基板266を貼り合わせる。上定盤または下定盤を上下動させることによって一対の基板となるように貼り合わせる。減圧下で2枚の基板を貼り合わせる際、対向基板266に設けられた柱状または壁状の構造物が基板間隔を精密に保ち続け、且つ、基板割れが生じないように基板264及び対向基板266にかかる圧力を拡散する重要な役割を果たしている。 In the bonding chamber 241, after the pressure in the processing chamber is reduced, the substrate 264 including the cathode and the counter substrate 266 are bonded to each other. The upper surface plate or the lower surface plate is moved up and down to be bonded to form a pair of substrates. When the two substrates are bonded together under reduced pressure, the columnar or wall-like structure provided on the counter substrate 266 keeps the distance between the substrates accurately, and the substrate 264 and the counter substrate 266 do not cause a substrate crack. It plays an important role in diffusing pressure.

また、シール形成室237で充填材の滴下を行わず、貼り合わせ室241においてシール材で囲まれた領域に充填材の滴下を行う機構としてもよい。 Alternatively, a mechanism may be employed in which the filler is not dropped in the seal formation chamber 237 and the filler is dropped in a region surrounded by the sealant in the bonding chamber 241.

また、処理室全体を減圧するのではなく、上定盤と下定盤とを上下動させることによって定盤間の空間を密閉した後、下定盤に設けられた穴から真空ポンプで脱空させて定盤間の空間を減圧することができるようにしてもよい。こうすると、処理室全体に比べて減圧する空間の容積が小さいので短時間に減圧することができる。 Rather than reducing the pressure of the entire processing chamber, the space between the surface plates is sealed by moving the upper surface plate and the lower surface plate up and down, and then evacuated from the hole provided in the surface plate with a vacuum pump. You may enable it to depressurize the space between surface plates. In this case, since the volume of the space to be depressurized is smaller than that of the entire processing chamber, the depressurization can be performed in a short time.

また、上定盤と下定盤のいずれか一方に透光性の窓を設け、上定盤と下定盤との間隔を保ったままの貼り合わせた状態で光を照射してシール材を硬化させてもよい。 In addition, a light-transmitting window is provided on either the upper or lower surface plate, and the sealing material is cured by irradiating light with the upper surface plate and the lower surface plate bonded together while keeping the distance between them. May be.

次いで、一時的に貼り合わせた一対の基板を搬送室249に設置された搬送機構で硬化処理室243に搬送する。硬化処理室243ではシール材の本硬化を光照射(例えばUV光)または加熱処理によって行う。 Next, the pair of temporarily bonded substrates is transferred to the curing chamber 243 by a transfer mechanism installed in the transfer chamber 249. In the curing processing chamber 243, the sealing material is fully cured by light irradiation (for example, UV light) or heat treatment.

そして、貼り合わせた一対の基板を搬送室249に設置された搬送機構で基板取出室245に搬送する。基板取出室245では減圧から大気圧に戻した後、貼り合わせた一対の基板を取り出す。こうして基板間隔を均一に保つ封止工程が完了する。なお、貼り合わせた一対の基板間に乾燥剤を設けてもよく、例えば第2の基板(対抗基板206)に予め乾燥剤を設けておき、上記封止工程を行えばよい。 Then, the pair of bonded substrates is transferred to the substrate extraction chamber 245 by a transfer mechanism installed in the transfer chamber 249. In the substrate take-out chamber 245, after returning from reduced pressure to atmospheric pressure, a pair of bonded substrates is taken out. Thus, the sealing process for keeping the substrate spacing uniform is completed. Note that a desiccant may be provided between the pair of bonded substrates. For example, the desiccant may be provided in advance on the second substrate (counter substrate 206) and the sealing step may be performed.

以上の工程により、蒸着装置200を用いて、EL層を有する発光素子が設けられた発光装置を作製することができる。 Through the above steps, a light-emitting device provided with a light-emitting element having an EL layer can be manufactured using the evaporation apparatus 200.

また、本実施の形態は、他の実施の形態の構成と適宜組み合わせて実施することができる。 Further, this embodiment can be implemented in appropriate combination with the structures of the other embodiments.

Claims (2)

開口部を有する筒状セルと、
貫通口が設けられ且つ前記筒状セルの外側に突出する突出部を有し、前記筒状セルの開口部を塞ぐように装着される第1の蓋体と、
少なくとも前記筒状セルの外周部に設けられた発熱部と、
前記発熱部と接するように配設され、前記第1の蓋体を覆うと共に、前記突出部の少なくとも一部を貫通させる貫通口が設けられた第2の蓋体と、を有し、
前記筒状セル及び前記第1の蓋体は、チタンを有する金属または合金で形成され、
前記第2の蓋体は、タングステン、モリブデン、ニオブ、イリジウム、及びバナジウムの一以上を有する金属または合金で形成されることを特徴とする蒸発源。
A cylindrical cell having an opening;
A first lid body provided with a through-hole and projecting to the outside of the cylindrical cell, and mounted so as to close the opening of the cylindrical cell;
A heat generating portion provided at least on the outer peripheral portion of the cylindrical cell;
A second lid that is disposed in contact with the heat generating portion, covers the first lid, and is provided with a through-hole that penetrates at least a part of the protruding portion;
The cylindrical cell and the first lid are formed of a metal or alloy having titanium,
Said second lid, the evaporation source, wherein the tungsten, Mo Ribuden, niobium, iridium, and be formed of a metal or alloy having one or more vanadium.
アルミナ部材と、An alumina member;
前記アルミナ部材上に設けられ、開口部を有する筒状セルと、A cylindrical cell provided on the alumina member and having an opening;
貫通口が設けられ且つ前記筒状セルの外側に突出する突出部を有し、前記筒状セルの開口部を塞ぐように装着される第1の蓋体と、A first lid body provided with a through-hole and projecting to the outside of the cylindrical cell, and mounted so as to close the opening of the cylindrical cell;
少なくとも前記筒状セルの外周部に設けられた発熱部と、A heat generating portion provided at least on the outer peripheral portion of the cylindrical cell;
前記発熱部と接するように配設され、前記第1の蓋体を覆うと共に、前記突出部の少なくとも一部を貫通させる貫通口が設けられた第2の蓋体と、を有し、A second lid that is disposed in contact with the heat generating portion, covers the first lid, and is provided with a through-hole that penetrates at least a part of the protruding portion;
前記筒状セル及び前記第1の蓋体は、チタンを有する金属または合金で形成され、The cylindrical cell and the first lid are formed of a metal or alloy having titanium,
前記第2の蓋体は、タングステン、タンタル、モリブデン、ニオブ、イリジウム、及びバナジウムの一以上を有する金属または合金で形成されることを特徴とする蒸発源。The evaporation source, wherein the second lid is formed of a metal or alloy having one or more of tungsten, tantalum, molybdenum, niobium, iridium, and vanadium.
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