JP5797582B2 - Exposure drawing apparatus, program, and exposure drawing method - Google Patents

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Description

本発明は、露光描画装置、プログラム及び露光描画方法に係り、特に、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画装置、露光描画装置により実行されるプログラム、及び、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画方法に関する。   The present invention relates to an exposure drawing apparatus, a program, and an exposure drawing method, and in particular, an exposure drawing apparatus that draws a circuit pattern by exposing a light beam to an exposed substrate, a program executed by the exposure drawing apparatus, and The present invention relates to an exposure drawing method for drawing a circuit pattern by exposing a substrate to be exposed with a light beam.

従来、半導体装置の製造に際して、製造装置内で浮遊する塵埃がウエハに付着することが問題になっていた。そのため、特許文献1には、製造中にウエハに付着している塵埃数を予測する半導体装置の製造装置が提案されている。この製造装置は、真空の処理室に浮遊している塵埃数を計測する塵埃計測装置と、計測された塵埃数を処理室中に浮遊している塵埃数とこの処理室で処理されたウエハに付着した塵埃数との相関関係に照合することにより、処理室中で処理されるウエハに付着している塵埃数を予測するデータ処理装置とを備えている。この構成により、ユーザは、半導体装置の製造中にウエハに付着している塵埃数を予測し、予測した塵埃数が基準値以上である場合に処理室の処理を中止して点検清掃することができる。   Conventionally, when manufacturing a semiconductor device, there has been a problem that dust floating in the manufacturing apparatus adheres to the wafer. Therefore, Patent Document 1 proposes a semiconductor device manufacturing apparatus that predicts the number of dust adhering to a wafer during manufacturing. This manufacturing apparatus includes a dust measuring device for measuring the number of dust floating in a vacuum processing chamber, the number of measured dust on the number of dust floating in the processing chamber, and a wafer processed in the processing chamber. A data processing device is provided that predicts the number of dust adhering to the wafer to be processed in the processing chamber by collating with the correlation with the number of adhering dust. With this configuration, the user can predict the number of dust adhering to the wafer during the manufacture of the semiconductor device, and if the predicted number of dust is equal to or greater than a reference value, the user can stop the process in the processing chamber and perform cleaning. it can.

一方、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画装置においても同様に、従来の転写マスクを使用する方法で露光を行う場合には、製造中に転写マスクに付着していた塵埃が被露光基板に付着すると、被露光基板がロット単位(ジョブ単位)で不良品となってしまうため、製造現場において塵埃の付着の有無を確認できることが望まれていた。   On the other hand, in an exposure drawing apparatus that draws a circuit pattern by exposing a light beam to an exposed substrate, similarly, when exposure is performed by a method using a conventional transfer mask, the transfer mask is used during manufacturing. If the adhered dust adheres to the substrate to be exposed, the substrate to be exposed becomes a defective product in lot units (job units). Therefore, it has been desired that the presence or absence of dust adhesion can be confirmed at the manufacturing site.

これに対し、転写マスクを使用しない直接描画型の方法で露光を行う場合もあり、この場合には、原理的に、転写マスクが無いため、転写マスクに付着する塵埃によるロット単位での不良品発生は無い。しかしながら、製造現場において、露光処理時の被露光基板の不良発生率を、転写マスクを使用していた時代に培われた塵埃に対する捉え方、すなわち不良品の発生率を高く見積もった状態で、さらに、描画される画像パターンの高精細化に伴って不良品を発生させる塵埃の粒子サイズが小サイズ化していることへの不安感が加わり、ユーザが見えない塵埃に対して過敏になり、必要以上の塵埃対策を実施している現状がある。   On the other hand, exposure may be performed by a direct drawing type method that does not use a transfer mask. In this case, in principle, there is no transfer mask, so defective products in lot units due to dust adhering to the transfer mask. There is no occurrence. However, at the manufacturing site, the defect occurrence rate of the substrate to be exposed during the exposure process is grasped with respect to the dust cultivated in the era when the transfer mask was used, that is, with a high estimate of the occurrence rate of defective products, As the image pattern to be drawn becomes more precise, there is a sense of anxiety that the particle size of the dust that generates defective products has become smaller, and the user becomes more sensitive to dust that is invisible, which is more than necessary. There is a current situation of implementing measures against dust.

特開平8−5542号公報JP-A-8-5542

露光描画装置における塵埃対策として、上記特許文献1に開示されている半導体装置の製造装置における塵埃対策を、露光描画装置に適用することが考えられる。しかし、上記特許文献1の塵埃対策では、予測した塵埃数が規定値を超えている場合に処理を中止する構成であるため、各ウエハについて、製造中の塵埃数を製造後に確認することができない、という問題があった。   As a countermeasure against dust in the exposure drawing apparatus, it is conceivable to apply the countermeasure against dust in the semiconductor device manufacturing apparatus disclosed in Patent Document 1 to the exposure drawing apparatus. However, in the dust countermeasure disclosed in Patent Document 1, since the process is stopped when the predicted number of dust exceeds a specified value, it is impossible to confirm the number of dust being manufactured for each wafer after manufacturing. There was a problem.

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる露光描画装置、プログラム及び露光描画方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an exposure drawing apparatus, a program, and an exposure drawing method capable of confirming the dust level in the exposure apparatus at the time of exposure processing for each substrate to be exposed. And

上記目的を達成するために、請求項1記載の露光描画装置は、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、を備えている。   In order to achieve the above object, an exposure drawing apparatus according to claim 1, an exposure means for drawing a circuit pattern by exposing a substrate to be exposed, and a counting means for counting the number of fine particles in the exposure drawing apparatus. Determining means for determining whether or not the number of particles counted by the counting means during the exposure processing by the exposing means is equal to or greater than a threshold value determined based on a size related to the pattern of the circuit pattern; and And adding means for adding predetermined information to the substrate to be exposed when it is determined that the value is equal to or greater than the threshold value.

請求項1に記載の露光描画装置によれば、露光手段により、被露光基板を露光することにより回路パターンが描画され、計数手段により、露光描画装置内の微粒子の粒子数が計数される。   In the exposure drawing apparatus according to the first aspect, the circuit pattern is drawn by exposing the substrate to be exposed by the exposure means, and the number of fine particles in the exposure drawing apparatus is counted by the counting means.

ここで、本発明では、判定手段により、前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かが判定され、付加手段により、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報が付加される。なお、「露光処理」とは、被露光基板を露光描画装置の内部に搬入して被露光面への露光を開始し当該被露光面に対する露光を完了させる一連の処理動作をいう。   Here, in the present invention, whether or not the number of particles counted by the counting unit during the exposure process by the exposing unit is greater than or equal to a threshold value determined based on a size related to the pattern of the circuit pattern by the determining unit. Is determined and the adding unit adds predetermined information to the substrate to be exposed when the determining unit determines that the value is equal to or greater than the threshold value. Note that “exposure processing” refers to a series of processing operations for bringing an exposed substrate into the exposure drawing apparatus, starting exposure on the exposed surface, and completing exposure on the exposed surface.

このように、請求項1記載の露光描画装置によれば、露光処理中に装置内の微粒子の粒子数が閾値以上となった被露光基板に予め定められた情報が付加される結果、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。   As described above, according to the exposure drawing apparatus of the first aspect, the predetermined information is added to the exposed substrate in which the number of fine particles in the apparatus is equal to or larger than the threshold value during the exposure process. It is possible to confirm the dust level in the exposure apparatus during the exposure process on the exposure substrate.

なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記パターンに関するサイズは、前記回路パターンにおける隣接するパターン間のピッチ幅の最小値、パターン幅の最小値、及びランド径の最小値の少なくとも一つであるようにしても良い。これらにより、被露光基板に描画される回路パターンに応じて適切な閾値を決定することができる。   In the present invention, as in the invention described in claim 2, the size relating to the pattern is the minimum value of the pitch width between adjacent patterns in the circuit pattern, the minimum value of the pattern width, and the minimum value of the land diameter. You may make it be at least one of these. Thus, an appropriate threshold value can be determined according to the circuit pattern drawn on the substrate to be exposed.

また、本発明は、請求項3に記載の発明のように、前記計数手段は、前記粒子数を前記微粒子の粒径範囲毎に計数し、前記閾値が前記粒径範囲毎に定められ、前記判定手段は、前記粒子数が予め定められた閾値以上であるか否かを前記粒径範囲毎に判定し、1つ以上の粒径範囲の粒子数が前記粒径範囲毎に定められた閾値以上であった場合に閾値以上であったと判定するようにしても良い。これにより、微粒子の種類毎に微粒子の粒径が異なることを考慮して、微粒子の種類毎に粒子数が閾値以上であるか否かを判定することができる。   Further, in the present invention, as in the invention according to claim 3, the counting means counts the number of particles for each particle size range of the fine particles, the threshold is determined for each particle size range, The determination means determines whether or not the number of particles is equal to or greater than a predetermined threshold value for each particle size range, and the threshold value for which the number of particles in one or more particle size ranges is determined for each particle size range If it is above, it may be determined that the threshold value is exceeded. This makes it possible to determine whether the number of particles is greater than or equal to the threshold value for each type of fine particle, considering that the particle size of the fine particle is different for each type of fine particle.

また、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記被露光基板の識別情報を取得する取得手段と、前記計数手段により計数された粒子数を前記取得手段により取得された前記識別情報に対応付けて記憶する記憶手段とをさらに備えるようにしても良い。これにより、被露光基板の識別情報に基づいて、露光処理中に装置内に存在していた微粒子の粒子数を確認することができる。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 4, the acquisition unit that acquires the identification information of the substrate to be exposed, and the identification that the number of particles counted by the counting unit is acquired by the acquisition unit You may make it further provide the memory | storage means to match and memorize | store information. Thereby, the number of fine particles existing in the apparatus during the exposure process can be confirmed based on the identification information of the substrate to be exposed.

また、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記判定手段は、前記計数手段により計数された粒子数が、予め定められた複数の区分のうちいずれの区分に属するかをさらに判定し、前記付加手段は、前記被露光基板に対して、前記判定手段により判定された区分を示す情報を前記予め定められた情報として付加するようにしても良い。これにより、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルをより詳細に確認することができる。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 5, the determination unit further determines to which of a plurality of predetermined categories the number of particles counted by the counting unit belongs. The determination unit may add information indicating the classification determined by the determination unit as the predetermined information to the substrate to be exposed. Thereby, the dust level in the exposure apparatus during the exposure process for each substrate to be exposed can be confirmed in more detail.

また、本発明は、請求項6に記載の発明のように、前記付加手段により前記区分を示す情報が付加された被露光基板を、当該区分毎に整列させる整列手段をさらに備えるようにしても良い。これにより、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルをより簡易に確認することができる。   In addition, as in the invention described in claim 6, the present invention may further include an aligning unit that aligns the substrate to be exposed to which the information indicating the section is added by the adding unit for each section. good. Thereby, it is possible to more easily check the dust level in the exposure apparatus during the exposure process for each substrate to be exposed.

また、本発明は、請求項7に記載の発明のように、前記判定手段により前記閾値以上であると判定された場合、その時点に行われている露光処理が完了した時点で露光処理を停止し、当該停止した後に前記判定手段により前記閾値以上でないと判定された場合、露光処理を再開する露光制御手段をさらに備えるようにしても良い。これにより、露光に失敗することにより被露光基板の不良品が発生してしまうことを未然に防止することができる。   Further, according to the present invention, when it is determined by the determination means that the threshold value is equal to or greater than the threshold value, the exposure process is stopped when the exposure process performed at that time is completed. Then, after the stop, the determination unit may further include an exposure control unit that restarts the exposure process when it is determined that the threshold value is not greater than or equal to the threshold value. Thereby, it is possible to prevent a defective product of the substrate to be exposed from occurring due to failure of exposure.

また、本発明は、請求項8に記載の発明のように、許容できる塵埃による不良発生率の入力を受け付ける受付手段を備え、前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた不良発生率に基づいて定められるようにしても良い。また、本発明は、請求項9に記載の発明のように、浮遊している微粒子の粒子数に対する前記被露光基板に付着する微粒子の粒子数の割合の入力を受け付ける受付手段を備え、前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた割合に基づいて定められるようにしても良い。これらにより、製造環境に応じて適切な閾値を決定することができる。   In addition, as in the invention described in claim 8, the present invention includes a receiving unit that receives an input of an allowable rate of occurrence of defects due to allowable dust, and the threshold value is a size related to the pattern and a defect received by the receiving unit. It may be determined based on the occurrence rate. Further, the present invention, as in the ninth aspect of the invention, further includes a receiving unit that receives an input of a ratio of the number of fine particles adhering to the exposed substrate with respect to the number of floating fine particles, and the threshold value May be determined based on the size relating to the pattern and the ratio received by the receiving means. Thus, an appropriate threshold value can be determined according to the manufacturing environment.

一方、上記目的を達成するために、請求項10に記載のプログラムは、コンピュータを、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、前記露光手段による露光処理中に、前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を描画する描画手段と、として機能させる。   On the other hand, in order to achieve the above object, the program according to claim 10 counts the number of fine particles in an exposure drawing apparatus having an exposure means for drawing a circuit pattern by exposing a substrate to be exposed. Determining means for determining whether or not the number of particles counted by the counting means during an exposure process by the exposing means is equal to or greater than a threshold value determined based on a size related to the pattern of the circuit pattern When the determination means determines that the value is equal to or greater than the threshold value, the determination means functions as a drawing means for drawing predetermined information on the substrate to be exposed.

従って、請求項10に記載のプログラムによれば、コンピュータを請求項1に記載の発明と同様に作用させることができるので、請求項1に記載の発明と同様に、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。   Therefore, according to the program according to the tenth aspect, the computer can be operated in the same manner as the invention according to the first aspect. Therefore, similarly to the first aspect, the exposure process for each substrate to be exposed is performed. The dust level in the exposure apparatus at the time can be confirmed.

一方、上記目的を達成するために、請求項11に記載の露光描画方法は、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数ステップと、前記露光手段による露光処理中に、前記計数ステップにより計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定ステップと、前記判定ステップにより閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を描画する描画ステップと、を備えている。   On the other hand, in order to achieve the above object, an exposure drawing method according to claim 11 counts the number of fine particles in an exposure drawing apparatus having an exposure means for drawing a circuit pattern by exposing a substrate to be exposed. And a determination step for determining whether or not the number of particles counted in the counting step is greater than or equal to a threshold value determined based on a size related to the circuit pattern during the exposure process by the exposure unit. And a drawing step of drawing predetermined information on the substrate to be exposed when it is determined by the determination step that the value is equal to or greater than a threshold value.

従って、請求項11に記載の露光描画方法によれば、請求項1に記載の発明と同様に作用するので、請求項1に記載の発明と同様に、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。   Therefore, according to the exposure drawing method of the eleventh aspect, since it operates in the same manner as the first aspect of the invention, similarly to the first aspect of the invention, the exposure at the time of the exposure process for each substrate to be exposed is performed. The dust level in the device can be confirmed.

本発明によれば、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる、という効果を奏する。   According to the present invention, it is possible to check the dust level in the exposure apparatus during the exposure process for each substrate to be exposed.

実施形態に係る露光描画システムの全体の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the whole structure of the exposure drawing system which concerns on embodiment. 実施形態に係る露光描画装置の内部構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the internal structure of the exposure drawing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る露光描画装置における塵埃計測装置による空気の吸入位置を示す図である。It is a figure which shows the inhalation position of the air by the dust measuring device in the exposure drawing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る露光描画装置の塵埃計測装置の構成を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the structure of the dust measuring device of the exposure drawing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る露光描画装置の電気系統の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the electric system of the exposure drawing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る露光描画システムの制御装置の電気系統の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the electric system of the control apparatus of the exposure drawing system which concerns on embodiment. 第1実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the exposure processing program which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る露光描画装置において被露光基板に描画される画像の一例を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show an example of the image drawn on the to-be-exposed board | substrate in the exposure drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。It is a front view which shows an example of the to-be-exposed board | substrate with which the mark was formed by the exposure drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the exposure processing program which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。It is a front view which shows an example of the to-be-exposed board | substrate with which the mark was formed by the exposure drawing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る露光描画装置において作成される計測結果情報の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the measurement result information produced in the exposure drawing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the exposure process program which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。It is a front view which shows an example of the to-be-exposed board | substrate with which the mark was formed by the exposure drawing apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る整列処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the alignment processing program which concerns on 4th Embodiment.

〔第1実施形態〕
以下、第1実施形態に係る露光描画システムについて添付図面を用いて詳細に説明する。なお、第1実施形態では、露光描画システム1として、プリント配線基板及びフラットパネルディスプレイ用ガラス基板等の平板基板を被露光基板として、被露光基板の片面または両面に露光描画を行うシステムを例として説明する。
[First Embodiment]
Hereinafter, the exposure drawing system according to the first embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the first embodiment, the exposure drawing system 1 is an example of a system that performs exposure drawing on one or both sides of a substrate to be exposed, using a flat substrate such as a printed wiring board and a glass substrate for a flat panel display as a substrate to be exposed. explain.

図1は、第1実施形態に係る露光描画システム1の全体の構成を示す構成図である。図1に示すように、露光描画システム1は、被露光基板(後述する被露光基板C)に露光を行うとともに装置内の微粒子の粒子数を計測して当該粒子数が閾値以上であった場合に被露光基板Cにマーク(後述するマークM)を記録する露光描画装置2、及び、露光描画装置2による露光描画やマークMの形成を制御する制御装置3を備えている。   FIG. 1 is a configuration diagram showing the overall configuration of an exposure drawing system 1 according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the exposure drawing system 1 exposes a substrate to be exposed (exposed substrate C to be described later) and measures the number of fine particles in the apparatus, and the number of particles is equal to or greater than a threshold value. The exposure drawing device 2 for recording a mark (a mark M to be described later) on the substrate C to be exposed, and the control device 3 for controlling the exposure drawing and the formation of the mark M by the exposure drawing device 2 are provided.

図2は、第1実施形態に係る露光描画装置2の内部構成を示す斜視図である。なお、以下では、ステージ10が移動する方向をY方向と定め、このY方向に対して水平面内で直交する方向をX方向と定め、Y方向に鉛直面内で直交する方向をZ方向と定め、さらにZ軸を中心として時計回りの方向に回転する回転方向をθ方向と定める。   FIG. 2 is a perspective view showing an internal configuration of the exposure drawing apparatus 2 according to the first embodiment. In the following, the direction in which the stage 10 moves is defined as the Y direction, the direction perpendicular to the Y direction in the horizontal plane is defined as the X direction, and the direction orthogonal to the Y direction in the vertical plane is defined as the Z direction. Further, the rotation direction that rotates clockwise about the Z axis is defined as the θ direction.

図2に示すように、露光描画装置2は、被露光基板Cを固定するための平板状のステージ10を備えている。ステージ10は、上面に被露光基板Cが載置された際に、被露光基板C及びステージ10間の空気を吸入して、被露光基板Cを上面に真空吸着させる。また、ステージ10は、移動可能に構成されていて、ステージ10に固定された被露光基板Cは、ステージ10の移動に伴って露光位置まで移動し、後述する露光部16により光ビームが照射されて回路パターン等の画像が描画される。   As shown in FIG. 2, the exposure drawing apparatus 2 includes a flat stage 10 for fixing the substrate C to be exposed. When the exposed substrate C is placed on the upper surface, the stage 10 sucks air between the exposed substrate C and the stage 10 and causes the exposed substrate C to be vacuum-adsorbed on the upper surface. Further, the stage 10 is configured to be movable, and the exposure target substrate C fixed to the stage 10 moves to the exposure position as the stage 10 moves, and a light beam is irradiated by the exposure unit 16 described later. Thus, an image such as a circuit pattern is drawn.

ステージ10は、卓状の基体11の上面に移動可能に設けられた平板状の基台12に支持されている。基体11の上面には、1本または複数本(本実施形態では、2本)のガイドレール14が設けられている。基台12は、ガイドレール14に沿ってY方向に自在に移動できるように支持されていて、モータ等により構成されたステージ駆動部(後述するステージ駆動部41)により移動する。そして、ステージ10は、この移動可能な基台12の上面に支持されることにより、基台12の移動に連動してガイドレール14に沿って移動する。   The stage 10 is supported by a flat base 12 that is movably provided on the upper surface of a table-like base 11. One or a plurality of (in this embodiment, two) guide rails 14 are provided on the upper surface of the base 11. The base 12 is supported so as to be freely movable in the Y direction along the guide rail 14, and is moved by a stage drive unit (stage drive unit 41 described later) configured by a motor or the like. The stage 10 is supported on the upper surface of the movable base 12 and moves along the guide rail 14 in conjunction with the movement of the base 12.

基体11の上面には、ガイドレール14を跨ぐように門型のゲート15が立設されており、このゲート15には、ステージ10に載置された被露光基板Cの表面に対して露光する露光部16が取り付けられている。露光部16は、複数個(本実施形態では、16個)の露光ヘッド16aを含んで構成されていて、ステージ10の移動経路上に固定配置されている。露光部16には、後述する光源ユニット17から引き出された光ファイバ18と、後述する画像処理ユニット19から引き出された信号ケーブル20とがそれぞれ接続されている。   A gate-type gate 15 is erected on the upper surface of the base 11 so as to straddle the guide rail 14. The gate 15 exposes the surface of the substrate C to be exposed placed on the stage 10. An exposure unit 16 is attached. The exposure unit 16 includes a plurality (16 in the present embodiment) of exposure heads 16 a and is fixedly arranged on the moving path of the stage 10. An optical fiber 18 drawn from a light source unit 17 described later and a signal cable 20 drawn from an image processing unit 19 described later are connected to the exposure unit 16.

各露光ヘッド16aは、反射型の空間光変調素子としてのデジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を有し、画像処理ユニット19から入力される画像データに基づいてDMDを制御して光源ユニット17からの光ビームを変調する。露光描画装置2は、この変調した光ビームを被露光基板Cに照射することにより露光を行う。なお、空間光変調素子として、液晶等の透過型の空間光変調素子を用いても良い。   Each exposure head 16 a has a digital micromirror device (DMD) as a reflective spatial light modulation element, and controls the DMD based on the image data input from the image processing unit 19 to emit light from the light source unit 17. Modulate the beam. The exposure drawing apparatus 2 performs exposure by irradiating the substrate C to be exposed with the modulated light beam. Note that a transmissive spatial light modulator such as liquid crystal may be used as the spatial light modulator.

露光ヘッド16の近辺には、被露光基板Cに対して紫外線ビームを照射する紫外線光源21が設けられている。紫外線ビームの照射時間は、被露光基板Cに塗布されている感光材料に応じて各々最適な時間が設定される。なお、紫外線光源21の設置位置は露光ヘッド16aの近辺に限定されず、被露光基板Cの一部に紫外線ビームを照射できる位置であれば良い。また、本実施形態では、紫外線光源21は固定されているが、これに限定されず、モータ等により紫外線ビームの照射対象位置に応じて移動自在に構成されていても良い。さらに、紫外線光源21は、被露光基板Cの裏側の面(ステージ10に接する側の面)に紫外線ビームを照射できるように、ステージ10の下方に設けられていても良い。この場合には、ステージ10には紫外線ビームを厚さ方向に通過させるための貫通孔が設けられる。   In the vicinity of the exposure head 16, an ultraviolet light source 21 that irradiates the exposed substrate C with an ultraviolet beam is provided. The irradiation time of the ultraviolet beam is set to an optimum time according to the photosensitive material applied to the substrate C to be exposed. The installation position of the ultraviolet light source 21 is not limited to the vicinity of the exposure head 16a, and may be a position where a part of the substrate to be exposed C can be irradiated with the ultraviolet beam. In the present embodiment, the ultraviolet light source 21 is fixed. However, the present invention is not limited to this. The ultraviolet light source 21 may be configured to be movable according to the irradiation target position of the ultraviolet beam by a motor or the like. Further, the ultraviolet light source 21 may be provided below the stage 10 so as to irradiate the back surface of the substrate C to be exposed (the surface in contact with the stage 10) with an ultraviolet beam. In this case, the stage 10 is provided with a through hole for allowing the ultraviolet beam to pass in the thickness direction.

基体11の上面には、さらにガイドレール14を跨ぐように、ゲート22が設けられている。ゲート22には、ステージ10に載置された被露光基板Cに設けられた露光基準用のアライメントマークを撮影するための1個または複数個(本実施形態では、2個)の撮像部23が取り付けられている。撮影部23は、1回の発光時間が極めて短いストロボを内蔵したCCDカメラ等である。各々の撮影部23は、水平面内においてステージ10の移動方向(Y方向)に対して垂直な方向(X方向)に移動可能に設置されている。   A gate 22 is provided on the upper surface of the base 11 so as to straddle the guide rail 14. The gate 22 includes one or a plurality (two in the present embodiment) of image capturing units 23 for photographing the alignment marks for exposure reference provided on the substrate C to be exposed placed on the stage 10. It is attached. The photographing unit 23 is a CCD camera or the like having a built-in strobe with a very short light emission time. Each photographing unit 23 is installed to be movable in a direction (X direction) perpendicular to the moving direction (Y direction) of the stage 10 in a horizontal plane.

露光描画装置2は、外部から第1搬送部5に搬入された被露光基板Cをステージ10の上面に搬送するオートキャリアハンド(以下、ACハンドという。)24を備えている。ACハンド24は平板状に形成されるとともに、水平方向及び鉛直方向に移動可能に設けられている。また、ACハンド24の下面には、エアを吸引することにより被露光基板Cを真空吸着により吸着保持する吸着部25を有する吸着機構と、被露光基板Cを下方に向けて押し付ける上下移動自在な押付部26を有する押付機構とが設けられている。ACハンド24は、第1搬送部5に載置された未露光の被露光基板Cを吸着機構により吸着保持することにより上方に吊り上げ、吊り上げた被露光基板Cをステージ10の上面の予め定められた位置に載置する。   The exposure drawing apparatus 2 includes an auto carrier hand (hereinafter referred to as an AC hand) 24 that transports the substrate C to be exposed, which has been carried into the first transport unit 5 from the outside, to the upper surface of the stage 10. The AC hand 24 is formed in a flat plate shape and is movably provided in the horizontal direction and the vertical direction. Further, on the lower surface of the AC hand 24, a suction mechanism having a suction portion 25 that sucks and holds the substrate C to be exposed by vacuum suction by sucking air, and a vertically movable member that presses the substrate C to be exposed downward are freely movable. A pressing mechanism having a pressing portion 26 is provided. The AC hand 24 lifts the unexposed substrate C placed on the first transport unit 5 upward by sucking and holding it by a suction mechanism, and the lifted exposed substrate C is predetermined on the upper surface of the stage 10. Place it at a different position.

ACハンド24は、被露光基板Cをステージ10に載置させる際に、押付機構により被露光基板Cをステージ10に押し付けながら吸着部25による吸着を解除することにより、被露光基板Cをステージ10に真空吸着させ、被露光基板Cをステージ10に吸着固定させる。また、ACハンド24は、ステージ10の上面に載置された露光済みの被露光基板Cを吸着機構により吸着保持することにより上方に吊り上げ、吊り上げた被露光基板Cを吸着保持した状態で第2搬送部6まで移動させた上で、吸着機構による吸着を解除することにより、被露光基板Cを第2搬送部6に移動させる。第2搬送部6に搬送された被露光基板Cは、露光描画装置2の外部に排出される。   When the AC hand 24 places the exposed substrate C on the stage 10, the AC hand 24 releases the suction by the suction unit 25 while pressing the exposed substrate C against the stage 10 by a pressing mechanism, thereby bringing the exposed substrate C into the stage 10. The substrate to be exposed C is sucked and fixed to the stage 10. The AC hand 24 lifts the exposed substrate C, which has been exposed, placed on the upper surface of the stage 10 by suction and holds it by a suction mechanism, and holds the lifted exposed substrate C by suction. The substrate C to be exposed is moved to the second transport unit 6 by moving to the transport unit 6 and then releasing the suction by the suction mechanism. The exposed substrate C transported to the second transport unit 6 is discharged outside the exposure drawing apparatus 2.

ここで、露光描画装置2は、装置内の微粒子の粒子数を計測する複数(本実施形態では、3つ)の塵埃計測装置4を備えている。塵埃計測装置4は、周囲の空気を吸入し、吸入した空気に含まれる微粒子の粒子数を計測する、所謂パーティクルカウンタである。   Here, the exposure drawing apparatus 2 includes a plurality (three in the present embodiment) of dust measuring apparatuses 4 that measure the number of fine particles in the apparatus. The dust measuring device 4 is a so-called particle counter that inhales ambient air and measures the number of fine particles contained in the inhaled air.

図3は、第1実施形態に係る露光描画装置2における塵埃計測装置4による空気の吸入位置を示す図である。図3に示すように、露光描画装置2の装置内部において、ステージ移動方向(Y方向)における、露光が行われる位置から被露光基板Cが載置される位置へ向かう方向に空気が流れていて、内部の空気が被露光基板Cが載置される位置において外部に排出される。   FIG. 3 is a view showing an air suction position by the dust measuring device 4 in the exposure drawing device 2 according to the first embodiment. As shown in FIG. 3, in the exposure drawing apparatus 2, air flows in a direction from the position where exposure is performed to the position where the substrate to be exposed C is placed in the stage movement direction (Y direction). The internal air is discharged to the outside at the position where the substrate C to be exposed is placed.

露光描画装置2では、装置内部の微粒子の粒子数をより正確に計測するために、空気の流れの下流側の所定位置(本実施形態では、第1搬送部5及びステージ10の間の位置、ステージ10の載置位置より空気の流れの下流側の位置、及び、ステージ10及び第2搬送部6の間の位置)にそれぞれ塵埃計測装置4に空気を吸入するチューブ4aが配置されている。また、チューブ4aの空気の入口は、ステージ10の上面とほぼ同じ高さ(Z方向におけるほぼ同位置)に設置されている。このような構成により、塵埃計測装置4によって、ステージ10の上面近傍(すなわち被露光基板Cの近傍)の微粒子の粒子数を計測することができる。   In the exposure drawing apparatus 2, in order to more accurately measure the number of fine particles in the apparatus, a predetermined position on the downstream side of the air flow (in this embodiment, a position between the first transport unit 5 and the stage 10, Tubes 4a for sucking air into the dust measuring device 4 are disposed at positions downstream of the stage 10 where the air flows and at positions between the stage 10 and the second transport unit 6, respectively. Further, the air inlet of the tube 4 a is installed at substantially the same height as the upper surface of the stage 10 (substantially the same position in the Z direction). With such a configuration, the number of fine particles near the upper surface of the stage 10 (that is, near the exposed substrate C) can be measured by the dust measuring device 4.

図4は、第1実施形態に係る露光描画装置2の塵埃計測装置4の構成を示す概略上面図ある。図4に示すように、塵埃計測装置4は、外部の空気(露光描画装置2の装置内部の空気)Kをチューブ4aを介して装置内部に吸入する吸入窓30と、吸入した空気Kを装置外部(露光描画装置2の装置内部)に排出する排出窓31とを備えている。露光描画装置2の装置内部においてステージ移動方向に沿って流れている空気Kは、吸入窓30を介して塵埃計測装置4の装置内部に流入した後に排出窓31を介して塵埃計測装置4の装置外部に流出する。   FIG. 4 is a schematic top view showing the configuration of the dust measuring device 4 of the exposure drawing device 2 according to the first embodiment. As shown in FIG. 4, the dust measuring device 4 includes a suction window 30 for sucking external air (air inside the exposure drawing device 2) K through the tube 4a and the sucked air K. And a discharge window 31 for discharging to the outside (inside the exposure drawing apparatus 2). The air K flowing along the stage moving direction inside the exposure drawing apparatus 2 flows into the dust measurement apparatus 4 through the suction window 30 and then flows through the discharge window 31 to the dust measurement apparatus 4. It flows out to the outside.

また、塵埃計測装置4には、レーザ光Lを発生するレーザ発生装置32、発生したレーザ光Lを流入した空気Kの経路を横切るように出射する出射窓33、及び、出射したレーザ光Lが空気Kの経路上を通過した後に入射する入射窓34が設けられている。レーザ光Lが空気Kの経路上を通過する際、空気Kの内部に微粒子が含まれていると、レーザ光Lのうちの微粒子Pに衝突した一部が散乱する。塵埃計測装置4には、この散乱したレーザ光Lを集光する集光レンズ35、及び、集光レンズ35により集光されたレーザ光Lを検出する検出装置36が設けられている。塵埃計測装置4は、検出装置36による検出値に基づいて微粒子を検出して各々の微粒子の粒径を測定することで、検出された微粒子の個数を粒径毎に計数する。塵埃計測装置4は、検出された微粒子の粒子数を示す信号を制御装置3に対して送信する。   The dust measuring device 4 includes a laser generator 32 that generates the laser light L, an emission window 33 that emits the generated laser light L across the path of the air K, and the emitted laser light L. An incident window 34 that is incident after passing through the path of the air K is provided. When the laser light L passes through the path of the air K, if the air K contains fine particles, a part of the laser light L that collides with the fine particles P is scattered. The dust measuring device 4 is provided with a condensing lens 35 for condensing the scattered laser light L and a detecting device 36 for detecting the laser light L condensed by the condensing lens 35. The dust measuring device 4 counts the number of detected fine particles for each particle size by detecting the fine particles based on the detection value by the detection device 36 and measuring the particle size of each fine particle. The dust measuring device 4 transmits a signal indicating the number of detected fine particles to the control device 3.

図5は、第1実施形態に係る露光描画装置2の電気系統の構成を示すブロック図である。図5に示すように、露光描画装置2には、装置各部にそれぞれ電気的に接続されるシステム制御部40が設けられており、このシステム制御部40が各部を統括的に制御している。システム制御部40は、ACハンド24を制御して被露光基板Cのステージ10への搬入動作及びステージ10からの排出動作を行わせる。また、システム制御部40は、ステージ駆動部41を制御してステージ10の移動を行わせながら、後述する移動制御部43を介して撮影部23を移動させて被露光基板Cのアライメントマークの撮影を行って露光位置を調整するとともに、光源ユニット17及び画像処理ユニット19を制御して露光ヘッド16aに露光処理を行わせる。上述したように、「露光処理」とは、被露光基板Cを露光描画装置2の内部に搬入して被露光面への露光を開始し当該被露光面に対する露光を完了させる一連の処理動作をいう。システム制御部40は、制御装置3から露光開始を指示するための信号を受信したタイミングで、被露光基板Cに対する露光処理を開始するとともに、露光停止を指示するための信号を受信したタイミングで、そのとき行われている被露光基板Cに対する露光処理を完了した時点で露光処理を停止する。   FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the electrical system of the exposure drawing apparatus 2 according to the first embodiment. As shown in FIG. 5, the exposure drawing apparatus 2 is provided with a system control unit 40 that is electrically connected to each part of the apparatus, and the system control unit 40 controls each part in an integrated manner. The system control unit 40 controls the AC hand 24 to perform an operation for loading the substrate C to be exposed into the stage 10 and an operation for discharging it from the stage 10. Further, the system control unit 40 controls the stage driving unit 41 to move the stage 10 and moves the imaging unit 23 via the movement control unit 43 described later to capture the alignment mark of the substrate C to be exposed. To adjust the exposure position and control the light source unit 17 and the image processing unit 19 to cause the exposure head 16a to perform the exposure process. As described above, the “exposure processing” refers to a series of processing operations for bringing the exposed substrate C into the exposure drawing apparatus 2 and starting exposure on the exposed surface to complete the exposure on the exposed surface. Say. The system control unit 40 starts the exposure process for the substrate C to be exposed at the timing when the signal for instructing the start of exposure is received from the control device 3, and at the timing when the signal for instructing the stop of exposure is received. The exposure process is stopped when the exposure process for the substrate C to be exposed is completed.

さらに、システム制御部40は、予め定められたタイミングで塵埃計測装置4から粒径毎の微粒子の粒子数を取得する。当該タイミングは、被露光基板Cの露光開始直前、露光中及び露光完了直後のタイミングであっても良く、予め定められた時間の経過毎のタイミングであっても良い。   Furthermore, the system control unit 40 acquires the number of fine particles for each particle size from the dust measuring device 4 at a predetermined timing. The timing may be the timing immediately before the start of exposure of the substrate C to be exposed, during the exposure, or immediately after the completion of the exposure, or may be the timing at every elapse of a predetermined time.

また、露光描画装置2は操作装置42を備えている。操作装置42は、システム制御部40の制御により情報を表示する表示部とユーザ操作により情報を入力する入力部とを有する。当該入力部は、例えば、被露光基板Cの最小パターン幅等を入力するときにユーザにより操作される。   The exposure drawing apparatus 2 includes an operation device 42. The operation device 42 includes a display unit that displays information under the control of the system control unit 40 and an input unit that inputs information through a user operation. The input unit is operated by the user when inputting, for example, the minimum pattern width of the substrate C to be exposed.

さらに、露光描画装置2は移動制御部43を備えている。移動制御部43は、システム制御部40の指示に基づいて、被露光基板Cのアライメントマークが、ステージ10の移動に際して複数の撮影部23の何れかまたは各々の撮影領域の中央を通過するように、撮影部23の移動駆動を制御している。   Further, the exposure drawing apparatus 2 includes a movement control unit 43. Based on an instruction from the system control unit 40, the movement control unit 43 causes the alignment mark of the substrate to be exposed C to pass through one of the plurality of imaging units 23 or the center of each imaging region when the stage 10 is moved. The moving drive of the photographing unit 23 is controlled.

図6は、第1実施形態に係る露光描画システム1の制御装置3の電気系統の構成を示すブロック図である。図6に示すように、露光描画システム1は、露光描画システム1における露光処理を制御する制御部50、制御部50による露光処理に必要な露光処理プログラムや各種データを記憶するROM及びHDD等を有する記憶部51、制御部50の制御に基づいてデータを表示するディスプレイ等の表示部52、ユーザ操作によりデータを入力するキーボード等の入力部53、及び、制御部50の制御に基づいて露光描画装置2に対するデータの送受信を行う通信インタフェース54を備えている。   FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the electrical system of the control device 3 of the exposure drawing system 1 according to the first embodiment. As shown in FIG. 6, the exposure drawing system 1 includes a control unit 50 that controls exposure processing in the exposure drawing system 1, an exposure processing program necessary for exposure processing by the control unit 50, and a ROM and HDD that store various data. A storage unit 51, a display unit 52 such as a display for displaying data based on the control of the control unit 50, an input unit 53 such as a keyboard for inputting data by a user operation, and an exposure drawing based on the control of the control unit 50 A communication interface 54 for transmitting / receiving data to / from the apparatus 2 is provided.

ここで、本実施形態に係る露光描画装置2は、被露光基板Cの露光処理中に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測された粒子数が閾値以上であった場合に、露光中の被露光基板Cに対して粒子数に関する情報を記録する機能を備えている。   Here, the exposure / drawing apparatus 2 according to the present embodiment measures the number of fine particles in the apparatus during the exposure processing of the substrate C to be exposed, and when the measured number of particles is equal to or greater than the threshold, A function of recording information on the number of particles with respect to the substrate C to be exposed.

従来の露光描画装置では、塵埃対策として装置内の微粒子の粒子数を計測していないため、製造現場において、ユーザが被露光基板Cに塵埃が付着していることを知らないまま被露光基板Cに対して露光し、結果的に不良品を生産しているかもしれないというユーザの潜在的な不安があった。   Since the conventional exposure drawing apparatus does not measure the number of fine particles in the apparatus as a measure against dust, the exposed substrate C without knowing that the dust is attached to the exposed substrate C at the manufacturing site. There was a potential anxiety of the user that they may have been exposed to and may eventually produce defective products.

そこで、本実施形態に係る露光描画装置2では、露光処理中に装置内の微粒子の粒子数を常時計測し、計測された粒子数が閾値以上であった場合にその旨を示す予め定められたマーク(例えば図9に示すマークM)を被露光基板Cに描画する。これにより、ユーザが露光済みの被露光基板Cについて、基板毎に露光処理時の塵埃レベル(計測された粒子数が閾値以上であるか否か等)を確認することができることで、ユーザ不安を解消することができる。   Therefore, in the exposure drawing apparatus 2 according to the present embodiment, the number of fine particles in the apparatus is always measured during the exposure process, and when the measured number of particles is equal to or greater than a threshold value, a predetermined value indicating that is provided. A mark (for example, mark M shown in FIG. 9) is drawn on the substrate C to be exposed. Accordingly, the user can confirm the dust level (for example, whether the measured number of particles is equal to or greater than the threshold value) at the time of the exposure process for each of the exposed substrates C that have been exposed. Can be resolved.

また、検査対象となる露光済みの被露光基板CにマークMが形成されている場合に、検査担当者は、その被露光基板Cの露光処理時における塵埃レベルが高い(すなわち計測された粒子数が大きい)ことを認識して、検査に対する意識レベルを高めることができるため、結果的に検査不良を抑制することができる。さらに、視認することが困難な塵埃に対して、ユーザが塵埃レベルと被露光基板Cの不良発生率との相関関係を把握できることにより、塵埃対策を必要最小限の対策に抑えることができるため、生産工程作業の効率化につながる。   Further, when the mark M is formed on the exposed substrate C to be inspected, the inspection person in charge has a high dust level during the exposure processing of the substrate C to be exposed (that is, the number of particles measured). Can increase the level of consciousness for the inspection, and as a result, the inspection failure can be suppressed. Furthermore, since it is possible for the user to grasp the correlation between the dust level and the defect occurrence rate of the substrate C to be exposed, it is possible to suppress dust countermeasures to the minimum necessary countermeasures. It leads to the efficiency of production process work.

次に、第1実施形態に係る露光描画システム1による作用について説明する。   Next, the operation of the exposure drawing system 1 according to the first embodiment will be described.

図7は、第1実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置3の記憶部51に備えられた記録媒体であるROMの所定領域に予め記憶されている。   FIG. 7 is a flowchart showing the flow of processing of the exposure processing program according to the first embodiment. The program is stored in advance in a predetermined area of a ROM that is a recording medium provided in the storage unit 51 of the control device 3. Yes.

制御装置3の制御部50は、予め定められたタイミング(本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Cに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング)で、当該露光処理プログラムを実行する。   The control unit 50 of the control device 3 performs the exposure at a predetermined timing (in this embodiment, a timing at which processing for continuously exposing a plurality of predetermined substrates C to be exposed is started). Execute the processing program.

まず始めに、ステップS101において、制御部50は、被露光基板Cに露光される画像(本実施形態では、回路パターン)の画像情報から最小パターンサイズを算出する。これは、被露光基板Cに露光される回路パターンが精細化するほど、被露光基板Cに付着することを許容できるか否かの閾値とする微粒子の粒径(以下、許容塵埃サイズともいう。)が小サイズ化することを考慮したものである。   First, in step S101, the control unit 50 calculates a minimum pattern size from image information of an image (circuit pattern in this embodiment) exposed on the substrate C to be exposed. This is because the finer the circuit pattern exposed on the substrate C to be exposed, the finer the particle size (hereinafter also referred to as the allowable dust size) as a threshold for whether or not the substrate pattern C can be allowed to adhere to the substrate C. ) Is considered to be reduced in size.

図8は、第1実施形態に係る露光描画装置2において被露光基板Cに描画される画像の一例を示す部分拡大図である。図8に示すように、本実施形態に係るパターンサイズは、描画される各々のパターンの幅であるパターン幅、隣接するパターン間の距離または隣接するパターン及びランド間の距離であるピッチ幅、及び各々のパターンのランド径の3種類である。また、本実施形態に係る最小パターンサイズは、パターン幅の最小値、ピッチ幅の最小値、及びランド径の最小値の中での最小値である。あるいは、ピッチ幅の最小値を最小パターンサイズとしても良い。   FIG. 8 is a partially enlarged view showing an example of an image drawn on the exposed substrate C in the exposure drawing apparatus 2 according to the first embodiment. As shown in FIG. 8, the pattern size according to the present embodiment includes a pattern width that is the width of each drawn pattern, a distance between adjacent patterns or a pitch width that is a distance between adjacent patterns and lands, and There are three types of land diameters for each pattern. The minimum pattern size according to the present embodiment is a minimum value among the minimum value of the pattern width, the minimum value of the pitch width, and the minimum value of the land diameter. Alternatively, the minimum value of the pitch width may be set as the minimum pattern size.

次に、ステップS103において、制御部50は、露光描画装置2の内部に存在する各々の粒径の微粒子について、存在することが許容できるか否かの閾値とする粒子数を粒径毎に示すテーブルを作成する。このテーブルは、後述するステップS109において閾値を定める際に使用される。   Next, in step S103, the control unit 50 indicates, for each particle size, the number of particles serving as a threshold value as to whether or not it is acceptable for each particle size in the exposure drawing apparatus 2 to exist. Create a table. This table is used when setting a threshold value in step S109 described later.

テーブルを作成する際には、制御部50は、まず単位体積内に含まれる微粒子の粒子数である塵埃濃度を算出する。塵埃濃度は、JIS B 9920により、下記の(1)式で定義されている。なお、(1)式における右辺第2項の0.1は定数(単位はμm)である。   When creating the table, the control unit 50 first calculates the dust concentration, which is the number of fine particles contained in the unit volume. The dust concentration is defined by the following formula (1) according to JIS B 9920. In the expression (1), 0.1 in the second term on the right side is a constant (unit: μm).

ここで、クラス数はクリーンルームのクリーン度を示しており、従来、1cf(≒0.0283m3;立体フィート)中の粒径0.5μm以上の粒子個数で1〜9にクラス分けされていて、現在もこの指標で管理されることが多い。なお、ISO(国際標準化機構)では、1m3中の粒径が直径φ0.1μm以上の粒子数でクラス分けされるが、本実施形態では、従来法の単位をベースにして説明する。 Here, the number of classes indicates the cleanliness of the clean room, and is conventionally classified into 1 to 9 by the number of particles having a particle size of 0.5 μm or more in 1 cf (≈0.0283 m 3 ; solid feet), It is still often managed with this indicator. In ISO (International Organization for Standardization), the particle size in 1 m 3 is classified by the number of particles having a diameter of φ0.1 μm or more. In the present embodiment, description will be made on the basis of the unit of the conventional method.

初期状態で設定されるテーブルは、上式を用いて作成する。例えば、粒径がφ0.5μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が100個であった場合の他の粒径以上の微粒子の粒子数は、下記の表1となる。下記の表1では、0.3μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が289個、0.7μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が50個、1μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が24個、2μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が6個、5μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が1個となっている。   The table set in the initial state is created using the above formula. For example, when the threshold value of the number of fine particles having a particle size of φ0.5 μm or more is 100, the number of particles of other fine particles having a particle size of 100 or more is shown in Table 1 below. In Table 1 below, the threshold for the number of fine particles having a particle size range of 0.3 μm or more is 289, the threshold for the number of fine particles having a particle size range of 0.7 μm or more is 50, and the particle size range of 1 μm or more. The threshold value for the number of fine particles is 24, the threshold value for the number of fine particles in the particle size range of 2 μm or more is 6, and the threshold number of the particle number of the fine particles in the particle size range of 5 μm or more is one.

また、塵埃上限濃度をφ0.5μm以上の粒径を基準にして複数レベルにレベル分けした例を下記の表2に示す。下記の表2によると、φ0.5μm以上の粒径範囲の微粒子が0個以上100個以下の場合がレベルA、φ0.5μm以上の粒径範囲の微粒子が100個より多く200個以下の場合がレベルB、φ0.5μm以上の粒径の微粒子が200個より多く300個以下の場合がレベルCとなるように、レベル分けを行っている。   Table 2 below shows an example in which the dust upper limit concentration is divided into a plurality of levels based on a particle diameter of φ0.5 μm or more. According to Table 2 below, the level A is when the number of fine particles having a particle diameter range of φ0.5 μm or more is 0 or more and 100 or less, and the case where the number of particles having a particle size range of φ0.5 μm or more is more than 100 and 200 or less. Level B, level division is performed so that level C is obtained when the number of fine particles having a particle size of φ0.5 μm or more is more than 200 and 300 or less.

ここで、上記表2によると、例えば許容塵埃サイズをφ0.5μmとし、露光処理時に計測されたφ0.5μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数が150個であった場合、粒子数が100個より多く200個以下であるため、その被露光基板CはBレベルに位置づけられる。   Here, according to Table 2, for example, when the allowable dust size is φ0.5 μm and the number of particles in the particle size range of φ0.5 μm or more measured during the exposure process is 150, the number of particles is 100. Since the number is more than 200 and not more than 200, the exposed substrate C is positioned at the B level.

また、ステップS101にて取得した最小パターンサイズが30μmであり、許容塵埃サイズを最小パターンサイズの所定割合(本実施形態では、10%、表中では許容サイズ割合という。)以上の3μm以上とした場合には、上記表2で最も値の近い2μmの条件を用いても良いし、下記の表3に示すように許容塵埃サイズに応じてテーブルに新たな粒径以上の粒子に関する情報を加えてもよい。   Further, the minimum pattern size acquired in step S101 is 30 μm, and the allowable dust size is set to 3 μm or more which is equal to or larger than a predetermined ratio (10% in the present embodiment, the allowable size ratio in the table) of the minimum pattern size. In this case, the condition of 2 μm, which is the closest value in Table 2 above, may be used, and as shown in Table 3 below, information on particles having a new particle size or more is added to the table according to the allowable dust size. Also good.

なお、上記最小パターンサイズの所定割合は、製造品の種類やユーザの事情によって異なるため、予め定められた割合幅(例えば、10〜30%の間)の中でユーザが自由に設定できるようになっている。ユーザは、制御装置3の入力部53を介して、上記許容塵埃サイズの所定割合を入力し、制御部50は、入力された値を、上記許容塵埃サイズの所定割合として設定する。   In addition, since the predetermined ratio of the minimum pattern size varies depending on the type of manufactured product and the circumstances of the user, the user can freely set within a predetermined ratio width (for example, between 10 to 30%). It has become. The user inputs a predetermined ratio of the allowable dust size via the input unit 53 of the control device 3, and the control unit 50 sets the input value as the predetermined ratio of the allowable dust size.

上記表1乃至表3を使用する場合、ユーザは、製造データを基に不良発生率との相関関係を把握することで、Aレベル乃至Cレベルのうちのどのレベルまでを許容できるのかを、例えば製造経験を通じて把握することができる。ユーザは、制御装置3の入力部53を介して、Aレベル乃至Cレベルのうちのどのレベルまでを許容できるのかを許容できる不良発生率として入力し、制御部50は、入力された値を許容できるレベルとして設定する。この設定されたレベルの粒子数がステップS109において閾値として使用される。   When using Table 1 to Table 3 above, the user can determine which level from the A level to the C level can be permitted by grasping the correlation with the defect occurrence rate based on the manufacturing data. Can be grasped through manufacturing experience. The user inputs, through the input unit 53 of the control device 3, an acceptable defect occurrence rate from the A level to the C level, and the control unit 50 accepts the input value. Set as possible level. The number of particles at the set level is used as a threshold value in step S109.

ところで、塵埃計測装置4で計測される粒子数は、露光描画装置2の内部の空間に浮遊している粒径が許容塵埃サイズ以上の微粒子の粒子数であり、実際に被露光基板Cに付着している微粒子の粒子数ではないため、付着率と許容される不良発生率とを考慮してテーブルを生成するのがより現実的である。例えば、付着率を所定値(本実施形態では、1/1000)、不良発生率を所定値(本実施形態では、1%)未満で被露光基板Cの両面を露光する場合、片面を露光する際に許容される不良発生率を半分の0.5%未満とすると、許容塵埃サイズの微粒子の粒子数の許容数は、片面で許容される不良発生率×1/(付着率)=0.005×1000=5となる。この結果に基づいて、下記の表4に示すようなテーブルを生成しても良い。   By the way, the number of particles measured by the dust measuring device 4 is the number of particles having a particle size floating in the space inside the exposure drawing device 2 and having an allowable dust size or more, and actually adheres to the substrate C to be exposed. Therefore, it is more realistic to generate the table in consideration of the adhesion rate and the allowable defect occurrence rate. For example, when exposing both surfaces of the substrate C to be exposed with an adhesion rate of less than a predetermined value (1/1000 in the present embodiment) and a defect occurrence rate of less than a predetermined value (1% in the present embodiment), one surface is exposed. Assuming that the defect occurrence rate allowed at the time is less than half of 0.5%, the allowable number of fine particles having an allowable dust size is the allowable defect occurrence rate per side × 1 / (adhesion rate) = 0. 005 × 1000 = 5. Based on this result, a table as shown in Table 4 below may be generated.

上記表4では、Bレベルを基準とし、Aレベルの許容数をBレベルの許容数を許容数の半分、Cレベルの許容数をBレベルの許容数の2倍とした。ここで、塵埃計測装置4で計測可能な微粒子が例えば0.5μm以上の粒径範囲に限定されている場合などは、上記表3のような対比データを用いても良い。なお、付着率は、ユーザが使用する被露光基板Cの基材やDFR(Dry Film Resist)素材および露光描画装置2の設置環境に浮遊する塵埃種類などによって異なるため、実際の生産データと相関を対比する等して求めた値に自由に設定できるようにしてある。ユーザは、制御装置3の入力部53を介して、付着率を入力し、制御部50は、入力された値を付着率として設定する。   In Table 4 above, with the B level as a reference, the allowable number of the A level is half the allowable number of the B level and the allowable number of the C level is twice the allowable number of the B level. Here, when fine particles that can be measured by the dust measuring device 4 are limited to a particle size range of, for example, 0.5 μm or more, comparison data as shown in Table 3 above may be used. The adhesion rate varies depending on the base material of the substrate C to be exposed, the DFR (Dry Film Resist) material used by the user, and the type of dust floating in the installation environment of the exposure drawing apparatus 2, and is correlated with actual production data. It can be freely set to a value obtained by comparison. The user inputs the adhesion rate via the input unit 53 of the control device 3, and the control unit 50 sets the input value as the adhesion rate.

他のクラス分けの方法として、最小パターンサイズに応じて許容塵埃サイズを複数に区分けしても良い。例えば、最小パターンサイズが10μm、上記許容塵埃サイズの所定割合を10%、20%、30%で区分けする場合、付着率を1/1000、不良発生率を1%未満で被露光基板Cの両面を露光するとき、上記表4に相当する各割合でのテーブルは、下記に示す表5となる。   As another classification method, the allowable dust size may be divided into a plurality of sizes according to the minimum pattern size. For example, when the minimum pattern size is 10 μm, and the predetermined percentage of the allowable dust size is divided into 10%, 20%, and 30%, both sides of the substrate C to be exposed with an adhesion rate of 1/1000 and a defect occurrence rate of less than 1%. When the exposure is performed, the table at each ratio corresponding to the above Table 4 is as shown in Table 5 below.

塵埃計測装置4が複数種類の粒径の微粒子について計測できる場合には、上記表5を用いてレベル分けをしても良いが、塵埃計測装置4が0.5μm以上の粒径範囲の微粒子を計測するような計測環境を使用するのであれば、表5に基づいて生成した下記の表6のテーブルでランク分けを行うと良い。下記の表6によると、上記許容塵埃サイズの所定割合が10%の場合がAランク、上記許容塵埃サイズの所定割合が20%の場合がBランク、上記許容塵埃サイズの所定割合が30%の場合がCランクとなる。   When the dust measuring device 4 can measure fine particles having a plurality of types of particle sizes, the level may be classified using the above Table 5, but the dust measuring device 4 can measure fine particles having a particle size range of 0.5 μm or more. If a measurement environment in which measurement is performed is used, ranking is preferably performed using the table shown in Table 6 below based on Table 5. According to Table 6 below, when the predetermined percentage of the allowable dust size is 10%, rank A, when the predetermined ratio of the allowable dust size is 20%, rank B, and the predetermined ratio of the allowable dust size is 30%. Case becomes C rank.

なお、これまで説明の前提とした塵埃濃度算出の上記(1)式と実際の微粒子の分布は、露光する被露光基板Cの基材や基材の状態およびDFRや装置のメンテナンス状態により異なるため、実態(生産データと不良発生率)に合わせて、各数値を自由に変更すると良い。例えば、下記の表7では、上記表2を基に、0.3μm以上の粒径範囲の微粒子が通常より少なく、2μm以上の粒径範囲の微粒子が存在しない場合を想定して設定したテーブルである。このように設定して得られたテーブルを生成しても良い。   It should be noted that the above-described equation (1) for calculating the dust concentration and the actual distribution of fine particles, which have been described above, differ depending on the base material of the substrate C to be exposed, the state of the base material, the DFR and the maintenance state of the apparatus. It is good to change each numerical value freely according to the actual situation (production data and defect occurrence rate). For example, Table 7 below is a table set based on Table 2 assuming that there are few fine particles in the particle size range of 0.3 μm or more than usual and no fine particles in the particle size range of 2 μm or more exist. is there. A table obtained by such setting may be generated.

このようにして作成されたテーブルを用いることで、パターン精細度に応じて、許容できる微粒子の粒子数の基準が設定されるため、従来のような最も厳しい条件に合わせて基準を設定することが回避され、中精細パターンでは問題ない粒子数であるにも関わらず処理が中止されてしまうことが防止される。   By using the table created in this way, a standard for the number of fine particles that can be tolerated is set according to the pattern definition, so it is possible to set the standard according to the most severe conditions as in the past. It is avoided that the processing is stopped even though the number of particles has no problem with the medium-definition pattern.

ステップS105において、制御部50は、露光描画装置2に対して露光開始を指示する。制御部50は、露光描画装置2のシステム制御部40に対して露光開始を指示するための信号を送付する。当該信号を受信したシステム制御部40は、被露光基板Cの搬入を開始し、露光描画装置2の内部に搬入され、ステージ10に載置された被露光基板Cに対して露光を開始し、被露光基板Cに回路パターンを描画する。   In step S105, the control unit 50 instructs the exposure drawing apparatus 2 to start exposure. The control unit 50 sends a signal for instructing the start of exposure to the system control unit 40 of the exposure drawing apparatus 2. The system control unit 40 that has received the signal starts to carry in the exposure target substrate C, starts exposure on the exposure target substrate C that is loaded into the exposure drawing apparatus 2 and placed on the stage 10, A circuit pattern is drawn on the substrate C to be exposed.

ステップS107において、制御部50は、塵埃計測装置4により計測された微粒子の粒子数を取得し、当該粒子数を表示部52に表示する。ユーザは、表示部52を視認することで、露光描画装置2の内部の微粒子の粒子数を認識することができる。   In step S <b> 107, the control unit 50 acquires the number of fine particles measured by the dust measurement device 4 and displays the number of particles on the display unit 52. The user can recognize the number of fine particles in the exposure drawing apparatus 2 by visually recognizing the display unit 52.

そして、ステップS109において、制御部50は、ステップS107において取得した粒子数が閾値以上であるか否かを判定する。当該閾値は、ステップS103において作成されたテーブルにより決定される。すなわち、制御部50は、塵埃計測装置4により所定の粒径(例えば0.5μm)以上の微粒子の粒子数を計測し、上記表1乃至表7におけるユーザ所望のレベルの粒子数の値を閾値として用いる。また、塵埃計測装置4により複数種類の粒径の微粒子の粒子数を粒径毎に計測している場合には、各粒径以上の微粒子の粒子数の何れかが対応する閾値以上であった場合、粒子数が閾値以上であると判定する。   In step S109, the control unit 50 determines whether or not the number of particles acquired in step S107 is equal to or greater than a threshold value. The threshold value is determined by the table created in step S103. That is, the control unit 50 measures the number of fine particles having a predetermined particle size (for example, 0.5 μm) or more with the dust measuring device 4, and sets the value of the number of particles at a user-desired level in Tables 1 to 7 as a threshold value. Used as Further, when the number of fine particles having a plurality of particle sizes is measured for each particle size by the dust measuring device 4, any of the number of fine particles having each particle size is equal to or greater than a corresponding threshold value. In this case, it is determined that the number of particles is equal to or greater than a threshold value.

ステップS109において粒子数が閾値以上であると判定された場合は、ステップS111において、制御部50は、紫外線光源21により発生した紫外線ビームを、ステージ10に載置された被露光基板Cに照射することにより、露光中の被露光基板Cの被露光面または被露光面と対向する面に予め定められたマークを形成して、被露光基板Cに粒子数が閾値以上であることを示す情報を付加する。   If it is determined in step S109 that the number of particles is greater than or equal to the threshold value, in step S111, the control unit 50 irradiates the substrate C placed on the stage 10 with the ultraviolet beam generated by the ultraviolet light source 21. By forming a predetermined mark on the exposed surface of the exposed substrate C being exposed or on the surface facing the exposed surface, information indicating that the number of particles on the exposed substrate C is equal to or greater than a threshold value. Append.

図9は、第1実施形態に係る露光描画装置2によりマークが形成された被露光基板Cの一例を示す正面図である。図9に示すように、被露光基板Cの端部に、円形状のマークMを形成することによって粒子数が閾値以上であることを示す情報が付加される。なお、マークMの形状は円形状に限らず、星型や十字型等の任意形状のマークであっても、文字や数字等であっても良い。また、マークMの位置及び大きさは、露光される画像と重ならない位置及び大きさであれば良く、被露光基板Cのサイズや露光される画像に応じて任意に設定できる。   FIG. 9 is a front view showing an example of the substrate to be exposed C on which marks are formed by the exposure drawing apparatus 2 according to the first embodiment. As shown in FIG. 9, information indicating that the number of particles is equal to or greater than a threshold value is added to the end portion of the substrate C to be exposed by forming a circular mark M. The shape of the mark M is not limited to a circular shape, and may be a mark having an arbitrary shape such as a star shape or a cross shape, or may be a character, a number, or the like. The position and size of the mark M may be any position and size that does not overlap the image to be exposed, and can be arbitrarily set according to the size of the substrate to be exposed C and the image to be exposed.

さらに、被露光基板Cに情報を付加する方法は、被露光基板Cに紫外線ビームを照射してマークを形成する方法に限定されず、例えば、インクを付着させることによりマークを描画する方法であっても良く、被露光基板Cの表面を物理的に削ることによりマークを描画する方法であっても良く、情報が付加されたシール等の媒体を被露光基板Cに貼付する方法であっても良い。   Further, the method of adding information to the substrate C to be exposed is not limited to the method of forming a mark by irradiating the substrate C to be exposed with an ultraviolet beam. For example, the method of drawing a mark by adhering ink. Alternatively, the mark may be drawn by physically cutting the surface of the substrate C to be exposed, or the medium such as a seal to which information is added may be attached to the substrate C to be exposed. good.

そして、第1実施形態に係る露光描画装置2では、被露光基板Cに粒子数が閾値以上である旨を示す情報を付加する際に、被露光基板Cの被露光面にマークMを形成するが、情報を付加する面は被露光面に限定されず、被露光面の裏面であっても良い。   And in the exposure drawing apparatus 2 which concerns on 1st Embodiment, when adding the information which shows that the particle number is more than a threshold value to the to-be-exposed board | substrate C, the mark M is formed in the to-be-exposed surface of the to-be-exposed board | substrate C. However, the surface to which information is added is not limited to the exposed surface, and may be the back surface of the exposed surface.

ステップ113において、制御部50は、露光完了タイミングが到来したか否かを判定する。この際、制御部50は、予め定められた複数の被露光基板Cの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部43または操作装置53を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。   In step 113, the control unit 50 determines whether or not the exposure completion timing has come. At this time, the control unit 50 receives information indicating completion timing when the exposure has been completed for all of the plurality of predetermined substrates C to be exposed, or through the input unit 43 or the operation device 53 by a user operation. In this case, it is determined that the exposure completion timing has come.

ステップS113において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップS107に移行して、制御部50はステップS107乃至S113の処理を繰り返し、ステップS113において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部50は、露光処理プログラムの実行を終了する。この際、制御部50は、露光停止を指示する信号を露光描画装置2に対して送付する。当該信号を受信した被露光描画装置2は、被露光基板Cに対する露光を停止する。   When it is determined in step S113 that the exposure completion timing has not arrived, the process proceeds to step S107, and the control unit 50 repeats the processes in steps S107 to S113, and in step S113, it is determined that the exposure completion timing has arrived. In the case where it is detected, the control unit 50 ends the execution of the exposure processing program. At this time, the control unit 50 sends a signal to stop exposure to the exposure drawing apparatus 2. The exposed drawing apparatus 2 that has received the signal stops the exposure of the substrate C to be exposed.

このようにして、第1実施形態に係る露光描画システム1では、各々の被露光基板Cの露光処理時に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測した粒子数が基準とする閾値以上であった場合に、当該被露光基板Cに予め定められたマークMを形成することで閾値以上であることを示す情報を付加する。ユーザは、露光済みの被露光基板CにおいてマークMの有無を確認することで、その被露光基板Cについて露光処理時の塵埃レベルを確認することができる。   Thus, in the exposure drawing system 1 according to the first embodiment, the number of fine particles in the apparatus is measured during the exposure processing of each substrate C to be exposed, and the measured number of particles is equal to or greater than a reference threshold value. In this case, by forming a predetermined mark M on the substrate C to be exposed, information indicating that it is equal to or greater than the threshold value is added. The user can confirm the dust level during the exposure process for the exposed substrate C by confirming the presence or absence of the mark M in the exposed substrate C that has been exposed.

なお、第1実施形態に係る露光描画装置2では、紫外線光源21が露光部16の近辺に固定されて設けられているが、これに限定されず、紫外線光源21は、ステージ10に設けられステージ10の移動と連動して移動するように構成されていても良い。この場合には、紫外線光源21は、制御装置3の制御に基づいて、ステージ10の位置に依存せずに任意の位置で被露光基板CにマークMを形成することができる。   In the exposure drawing apparatus 2 according to the first embodiment, the ultraviolet light source 21 is fixed and provided in the vicinity of the exposure unit 16. However, the invention is not limited to this, and the ultraviolet light source 21 is provided on the stage 10 and the stage. It may be configured to move in conjunction with 10 movements. In this case, the ultraviolet light source 21 can form the mark M on the exposed substrate C at an arbitrary position based on the control of the control device 3 without depending on the position of the stage 10.

また、第1実施形態に係る露光描画システム1において、ステップS109にて計測された粒子数が閾値以上であると判定された場合、ステップS111において被露光基板CにマークMを描画しつつ、そのとき露光処理中の被露光基板Cに対する露光処理が完了した時点で露光処理を停止させ、露光処理を停止された状態で塵埃計測装置4による粒子数の計測を継続させ、計測された粒子数が閾値より小さくなった段階で、再び露光処理を開始するようにしても良い。これにより、露光描画装置2の装置内の微粒子の粒子数が閾値より小さい場合にのみ、被露光基板Cに対する露光を行うことができる。   In the exposure drawing system 1 according to the first embodiment, when it is determined that the number of particles measured in step S109 is equal to or larger than the threshold value, the mark M is drawn on the exposed substrate C in step S111. When the exposure process for the substrate C to be exposed during the exposure process is completed, the exposure process is stopped, and the measurement of the number of particles by the dust measuring device 4 is continued with the exposure process stopped. You may make it start an exposure process again in the step which became smaller than a threshold value. Thereby, exposure to the to-be-exposed board | substrate C can be performed only when the particle number of the microparticles | fine-particles in the apparatus of the exposure drawing apparatus 2 is smaller than a threshold value.

〔第2実施形態〕
以下、第2実施形態に係る露光描画システム1について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第2実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1と同様に、図1乃至図6に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。
[Second Embodiment]
Hereinafter, the exposure drawing system 1 according to the second embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Since the exposure / drawing system 1 according to the second embodiment has the configuration shown in FIGS. 1 to 6 as in the exposure / drawing system 1 according to the first embodiment, overlapping description of the configuration is given. Omitted.

第2実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1が有する機能に加えて、計測した微粒子の粒子数と被露光基板Cの識別情報とをそれぞれ対応付けて記憶する機能を備えている。   In addition to the functions of the exposure drawing system 1 according to the first embodiment, the exposure drawing system 1 according to the second embodiment stores the measured number of fine particles and the identification information of the exposed substrate C in association with each other. It has a function to do.

第2実施形態に係る露光描画システム1による作用について説明する。   The operation of the exposure drawing system 1 according to the second embodiment will be described.

図10は、第2実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置3の記憶部51に備えられた記録媒体であるROMの所定領域に予め記憶されている。   FIG. 10 is a flowchart showing a flow of processing of the exposure processing program according to the second embodiment, and the program is stored in advance in a predetermined area of a ROM that is a recording medium provided in the storage unit 51 of the control device 3. Yes.

制御装置3の制御部50は、予め定められたタイミング(本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Cに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング)で、当該露光処理プログラムを実行する。   The control unit 50 of the control device 3 performs the exposure at a predetermined timing (in this embodiment, a timing at which processing for continuously exposing a plurality of predetermined substrates C to be exposed is started). Execute the processing program.

ステップS201乃至S213において、制御部50は、上述したステップS101乃至S113と同様の処理をそれぞれ行う。なお、ステップS205においては、露光開始の指示を受けたシステム制御部50が、被露光基板Cの被露光面に回路パターンを描画する際に、または描画する前後に、さらに、被露光面における回路パターンの描画対象領域の外部に、光ビームを露光することによって、個々の被露光基板を識別するための識別情報であるシリアル番号を描画する。   In steps S201 to S213, the control unit 50 performs processes similar to those in steps S101 to S113 described above. In step S205, when the system control unit 50 receiving the exposure start instruction draws the circuit pattern on the exposed surface of the substrate C to be exposed, or before and after the drawing, the circuit on the exposed surface is further provided. A serial number, which is identification information for identifying each substrate to be exposed, is drawn by exposing a light beam to the outside of the pattern drawing target area.

図11は、第2実施形態に係る露光描画装置2によりマークが形成された被露光基板Cの一例を示す正面図である。図11に示すように、被露光基板Cの表面にはシリアル番号Nが印字されているとともに、ステップS211において、当該シリアル番号Nと重ならない位置にマークMが形成される。   FIG. 11 is a front view showing an example of a substrate to be exposed C on which a mark is formed by the exposure drawing apparatus 2 according to the second embodiment. As shown in FIG. 11, a serial number N is printed on the surface of the substrate C to be exposed, and a mark M is formed at a position that does not overlap the serial number N in step S211.

そして、ステップS213において、制御部50は、被露光基板Cのシリアル番号等の識別情報を取得する。この際、制御部50は、露光描画装置2のシステム制御部40に、識別情報の取得を指示する信号を送信する。当該信号を受信したシステム制御部40は、上記ステップS205において被露光基板Cに描画したシリアル番号を識別情報として取得する。そして、システム制御部40は、取得した識別情報を制御装置3の制御部50に送信する。制御部50は、送信された識別情報を受信することで、被露光基板Cの識別情報を取得する。   In step S213, the control unit 50 acquires identification information such as a serial number of the substrate C to be exposed. At this time, the control unit 50 transmits a signal instructing acquisition of identification information to the system control unit 40 of the exposure drawing apparatus 2. The system control unit 40 that has received the signal acquires the serial number drawn on the exposed substrate C in step S205 as identification information. Then, the system control unit 40 transmits the acquired identification information to the control unit 50 of the control device 3. The control unit 50 acquires the identification information of the substrate C to be exposed by receiving the transmitted identification information.

なお、識別情報を取得する方法は、上記方法に限定されず、ステージ10を、ステップ205にて描画されたシリアル番号が撮影部23の撮影対象領域に含まれる位置となるようにステージ10を移動させ、被露光基板Cのシリアル番号が撮影されている撮影画像からシリアル番号を画像処理により文字認識して、当該識別情報を取得するようにしても良い。   Note that the method for acquiring the identification information is not limited to the above method, and the stage 10 is moved so that the serial number drawn in step 205 is located in the shooting target area of the shooting unit 23. Then, the identification information may be obtained by character-recognizing the serial number by image processing from a photographed image in which the serial number of the substrate C to be exposed is photographed.

ステップS215において、制御部50は、ステップS207において計測された粒子数と、ステップS213において取得した識別情報とをそれぞれ対応付けて得られる計測結果情報50を、記憶部51に記憶する。   In step S215, the control unit 50 stores, in the storage unit 51, measurement result information 50 obtained by associating the number of particles measured in step S207 with the identification information acquired in step S213.

図12は、第2実施形態に係る露光描画装置2において作成される計測結果情報60の一例を示す模式図である。図12に示すように、計測結果情報60は、識別情報60aに対して微粒子の粒子数60bがそれぞれ対応付けられた情報である。図12に示す図12に示す計測結果情報60によると、識別情報「X0000001」の被露光基板Cに対して露光を行っている際に装置内で3個の微粒子が計測されたことがわかる。   FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of measurement result information 60 created in the exposure drawing apparatus 2 according to the second embodiment. As shown in FIG. 12, the measurement result information 60 is information in which the number of fine particles 60b is associated with the identification information 60a. According to the measurement result information 60 shown in FIG. 12 shown in FIG. 12, it can be seen that three fine particles were measured in the apparatus when the exposure substrate C having the identification information “X0000001” was exposed.

ステップ217において、制御部50は、露光完了タイミングが到来したか否かを判定する。この際、制御部50は、1グループの被露光基板Cの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部43または操作装置53を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。   In step 217, the control unit 50 determines whether or not the exposure completion timing has come. At this time, when the control unit 50 completes exposure for all of the exposed substrates C of one group or when information indicating completion timing is input through the input unit 43 or the operation device 53 by a user operation, It is determined that the exposure completion timing has arrived.

ステップS217において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップS207に移行して、制御部50はステップS207乃至S217の処理を繰り返し、ステップS217において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部50は、露光処理プログラムの実行を終了する。   When it is determined in step S217 that the exposure completion timing has not arrived, the process proceeds to step S207, and the control unit 50 repeats the processing of steps S207 to S217, and in step S217, it is determined that the exposure completion timing has arrived. In the case where it is detected, the control unit 50 ends the execution of the exposure processing program.

このようにして、第2実施形態に係る露光描画システム1では、計測結果情報60により示される被露光基板Cの識別情報と露光処理時の微粒子の粒子数との関係から、露光処理後に行われる検査工程で不良品であると判定された被露光基板Cと、露光処理時の微粒子の粒子数との相関を把握することができる。   Thus, in the exposure drawing system 1 according to the second embodiment, the exposure is performed after the exposure process from the relationship between the identification information of the substrate C to be exposed indicated by the measurement result information 60 and the number of particles of the fine particles during the exposure process. It is possible to grasp the correlation between the substrate to be exposed C determined to be defective in the inspection process and the number of fine particles during the exposure process.

また、第2実施形態に係る露光描画システム1では、計測結果情報60において各々の被露光基板Cが露光される時刻を対応付けて記憶しておくことで、装置内の微粒子の粒子数が予め定められた閾値より少ない被露光基板Cであり、装置内の微粒子の粒子数が予め定められた閾値以上であると判定される前後に露光され、その露光の時点において当該粒子数が予め定められた閾値を超えている可能性がある被露光基板Cを特定することができる。   Further, in the exposure drawing system 1 according to the second embodiment, the measurement result information 60 associates and stores the time at which each exposed substrate C is exposed, so that the number of fine particles in the apparatus can be determined in advance. The exposure target substrate C is less than a predetermined threshold value, and is exposed before and after it is determined that the number of fine particles in the apparatus is equal to or greater than a predetermined threshold value. The number of particles is determined in advance at the time of the exposure. It is possible to identify the exposed substrate C that may exceed the threshold value.

さらに、第2実施形態に係る露光描画システム1において、被露光基板Cに対して複数層の露光を行う場合には、計測結果情報60において各々の被露光基板Cの層毎の露光処理時の微粒子の粒子数を対応付けて記憶しておくことで、多層基板となる被露光基板Cの何れの層で不良が発生する可能性があるかを判断することができる。   Further, in the exposure drawing system 1 according to the second embodiment, when performing exposure of a plurality of layers on the substrate C to be exposed, the measurement result information 60 indicates that the exposure processing for each layer of each substrate C to be exposed is performed. By storing the number of fine particle particles in association with each other, it is possible to determine in which layer of the substrate C to be exposed that is a multilayer substrate that a defect may occur.

〔第3実施形態〕
以下、第3実施形態に係る露光描画システム1について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第3実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態及び第2実施形態に係る露光描画システム1と同様に、図1乃至図6に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。
[Third Embodiment]
Hereinafter, the exposure drawing system 1 according to the third embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, since the exposure drawing system 1 which concerns on 3rd Embodiment has the structure shown in FIG. 1 thru | or FIG. 6 similarly to the exposure drawing system 1 which concerns on 1st Embodiment and 2nd Embodiment, the said structure The overlapping description is omitted.

第3実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1が有する機能に加えて、計測した微粒子の粒子数をランク分けして、当該粒子数が属するランクを示すマークMRを被露光基板Cに形成する機能を備えている。   In addition to the functions of the exposure drawing system 1 according to the first embodiment, the exposure drawing system 1 according to the third embodiment ranks the number of measured fine particles, and indicates a rank to which the number of particles belongs. A function of forming MR on the substrate C to be exposed is provided.

第3実施形態に係る露光描画システム1による作用について説明する。   The operation of the exposure drawing system 1 according to the third embodiment will be described.

図13は、第3実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置3の記憶部51に備えられた記録媒体であるROMの所定領域に予め記憶されている。   FIG. 13 is a flowchart showing the flow of processing of the exposure processing program according to the third embodiment. The program is stored in advance in a predetermined area of a ROM that is a recording medium provided in the storage unit 51 of the control device 3. Yes.

制御装置3の制御部50は、予め定められたタイミング(本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Cに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング)で、当該露光処理プログラムを実行する。   The control unit 50 of the control device 3 performs the exposure at a predetermined timing (in this embodiment, a timing at which processing for continuously exposing a plurality of predetermined substrates C to be exposed is started). Execute the processing program.

ステップS301乃至S309において、制御部50は、上述したステップS101乃至S109と同様の処理をそれぞれ行う。   In steps S301 to S309, the control unit 50 performs processes similar to those in steps S101 to S109 described above.

そして、ステップS311において、制御部50は、ステップS307において計測された微粒子の粒子数が、複数のランクのうちの何れに属するかを判定する。この際、制御部50は、上記表6に基づいて、ステップS307において計測された粒径0.5μm以上の微粒子の粒子数が43個以下であった場合にはAランク、43個より大きく179個未満であった場合はBランク、179個より大きく410個未満であった場合はCランクと判定する。   In step S311, the control unit 50 determines to which of a plurality of ranks the number of fine particles measured in step S307 belongs. At this time, based on Table 6 above, the control unit 50 determines that the number of fine particles having a particle size of 0.5 μm or more measured in step S307 is 43 or less, rank A, greater than 43, and 179. If it is less than B, it is determined as B rank, and if it is greater than 179 and less than 410, it is determined as C rank.

ステップS313において、制御部50は、紫外線光源21により発生した紫外線ビームを、ステージ10に載置された被露光基板Cの被露光面または被露光面と対向する面に照射することにより、露光中の被露光基板CにステップS307にて判定されたランクを示すマークMRを形成する。   In step S313, the control unit 50 irradiates the exposed surface of the substrate C to be exposed placed on the stage 10 or the surface facing the exposed surface with the ultraviolet beam generated by the ultraviolet light source 21 during exposure. A mark MR indicating the rank determined in step S307 is formed on the exposed substrate C.

図14は、第3実施形態に係る露光描画装置2によりマークMRが形成された被露光基板Cの一例を示す正面図である。図14に示すように、被露光基板Cの端部に、ランク(図15に示す例では、Aランク)を示すマークMRが形成される。なお、被露光基板Cにマークを形成する方法は、紫外線ビームを照射する方法に限らず、インクを付着させることにより描画する方法であっても良く、被露光基板Cの表面を物理的に削ることにより描画する方法であっても良い。   FIG. 14 is a front view showing an example of the substrate to be exposed C on which the mark MR is formed by the exposure drawing apparatus 2 according to the third embodiment. As shown in FIG. 14, a mark MR indicating a rank (A rank in the example shown in FIG. 15) is formed at the end of the substrate C to be exposed. The method for forming the mark on the exposed substrate C is not limited to the method of irradiating the ultraviolet beam, and may be a method of drawing by attaching ink, and the surface of the exposed substrate C is physically scraped. The drawing method may be used.

ステップ315において、制御部50は、露光完了タイミングが到来したか否かを判定する。この際、制御部50は、1グループの被露光基板Cの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部43または操作装置53を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。   In step 315, the control unit 50 determines whether or not the exposure completion timing has come. At this time, when the control unit 50 completes exposure for all of the exposed substrates C of one group or when information indicating completion timing is input through the input unit 43 or the operation device 53 by a user operation, It is determined that the exposure completion timing has arrived.

ステップS315において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップS307に移行して、制御部50はステップS307乃至S315の処理を繰り返し、ステップS315において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部50は、露光処理プログラムの実行を終了する。   When it is determined in step S315 that the exposure completion timing has not arrived, the process proceeds to step S307, and the control unit 50 repeats the processing of steps S307 to S315, and in step S315, it is determined that the exposure completion timing has arrived. In the case where it is detected, the control unit 50 ends the execution of the exposure processing program.

このようにして第3実施形態に係る露光描画システム1では、各々の被露光基板Cの露光処理時に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測した粒子数のランクを判定し、当該被露光基板Cにランクを示すマークMRを描画する。ユーザは、露光済みの被露光基板CにおいてマークMRを確認することで、その被露光基板Cについて露光処理時のダスト状態を確認することができる。   In this way, in the exposure drawing system 1 according to the third embodiment, the number of particles in the apparatus is measured during the exposure processing of each substrate to be exposed C, the rank of the measured number of particles is determined, and the exposure object A mark MR indicating a rank is drawn on the substrate C. By checking the mark MR on the exposed substrate C that has been exposed, the user can check the dust state during the exposure process for the exposed substrate C.

〔第4実施形態〕
以下、第4実施形態に係る露光描画システム1について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第4実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態乃至第3実施形態に係る露光描画システム1と同様に、図1乃至図6に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。
[Fourth Embodiment]
Hereinafter, the exposure drawing system 1 according to the fourth embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, since the exposure drawing system 1 which concerns on 4th Embodiment has the structure shown in FIG. 1 thru | or FIG. 6 similarly to the exposure drawing system 1 which concerns on 1st Embodiment thru | or 3rd Embodiment, the said structure The overlapping description is omitted.

第4実施形態に係る露光描画システム1は、第3実施形態に係る露光描画システム1が有する機能に加えて、微粒子の粒子数のランクに応じて被露光基板Cを整列させる機能を備えている。   The exposure drawing system 1 according to the fourth embodiment has a function of aligning the exposed substrate C according to the rank of the number of particles of fine particles, in addition to the function of the exposure drawing system 1 according to the third embodiment. .

第4実施形態に係る露光描画システム1による作用について説明する。   The operation of the exposure drawing system 1 according to the fourth embodiment will be described.

図15は、第4実施形態に係る整列処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置3の記憶部51に備えられた記録媒体であるROMの所定領域に予め記憶されている。   FIG. 15 is a flowchart showing the flow of processing of the alignment processing program according to the fourth embodiment. The program is stored in advance in a predetermined area of a ROM, which is a recording medium provided in the storage unit 51 of the control device 3. Yes.

制御装置3の制御部50は、予め定められたタイミング(本実施形態では、露光処理プログラムを終了したタイミング)で、当該整列処理プログラムを実行する。   The control unit 50 of the control device 3 executes the alignment processing program at a predetermined timing (in this embodiment, the timing at which the exposure processing program is ended).

ステップS401において、制御部50は、露光済みの被露光基板Cがあるか否かを判定する。この際、制御部50は、露光描画装置2により露光された被露光基板Cが搬送装置(図示省略)により搬送されてくる途中で、被露光基板Cが通過することがわかっている予め定められた箇所で、フォトセンサ(図示省略)により被露光基板Cの有無を判定し、被露光基板Cが有ると判定された場合に、露光済みの被露光基板Cがあると判定する。   In step S401, the control unit 50 determines whether there is an exposed substrate C that has been exposed. At this time, the control unit 50 determines in advance that the substrate C to be exposed passes through while the substrate C exposed by the exposure drawing apparatus 2 is being transported by the transport device (not shown). The presence / absence of the substrate C to be exposed is determined by a photosensor (not shown) at the spot, and if it is determined that the substrate C to be exposed exists, it is determined that there is an exposed substrate C to be exposed.

ステップS401において露光済みの被露光基板Cがあると判定された場合、ステップS403において、制御部50は、露光済みの被露光基板Cのランク情報を取得する。この際、制御部50は、ステップS311において、判定されたランクを示すランク情報をシステム制御部40が有する記録媒体または記憶部51に記憶させておき、ステップS403において、その記憶されたランク情報を取得する。なお、ランク情報を取得する方法はこれに限定されず、被露光基板Cに形成されたマークMRを撮影装置(図示省略)により撮影し、画像処理により文字認識することで、ランク情報を取得するようにしても良い。   When it is determined in step S401 that there is an exposed substrate C that has been exposed, the control unit 50 acquires rank information of the exposed substrate C that has been exposed in step S403. At this time, the control unit 50 stores rank information indicating the determined rank in the recording medium or the storage unit 51 included in the system control unit 40 in step S311, and in step S403, the stored rank information is stored. get. The method for acquiring the rank information is not limited to this, and the rank information is acquired by photographing the mark MR formed on the substrate C to be exposed with a photographing apparatus (not shown) and recognizing characters by image processing. You may do it.

ステップS405において、制御部50は、露光済みの被露光基板Cを、ステップS403にて取得したランク情報に応じて整列させる。この際、制御部50は、搬送装置上における搬送方向に対して垂直な方向において、ランク毎に異なった予め決められた位置に被露光基板Cを配置した上で搬送させる。整列させる方法は、これに限定されず、ランク毎に搬送経路が異ならせる方法であっても良い。   In step S405, the control unit 50 aligns the exposed substrate C that has been exposed according to the rank information acquired in step S403. At this time, the control unit 50 causes the substrate to be exposed C to be transported at a predetermined position different for each rank in a direction perpendicular to the transport direction on the transport device. The method of aligning is not limited to this, and may be a method of changing the transport path for each rank.

第4実施形態に係る露光描画システム1において、第3実施形態に係る露光描画システム1の処理により被露光基板Cにランクを示すマークMRが描画されていることを前提として説明したが、これに限定されない。例えば、第4実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1が有する機能に加えて、微粒子の粒子数のランクに応じて被露光基板Cを整列させる機能を備えていても良い。この場合には、制御装置3は、ステップS403において、被露光基板CにマークMが描画されているか否かを判定し、ステップS405において、マークMの描画の有無に応じて露光済みの被露光基板Cを整列されると良い。   The exposure drawing system 1 according to the fourth embodiment has been described on the assumption that the mark MR indicating the rank is drawn on the substrate C to be exposed by the processing of the exposure drawing system 1 according to the third embodiment. It is not limited. For example, the exposure drawing system 1 according to the fourth embodiment has a function of aligning the substrate to be exposed C according to the rank of the number of particles of fine particles in addition to the function of the exposure drawing system 1 according to the first embodiment. May be. In this case, the control device 3 determines in step S403 whether or not the mark M is drawn on the substrate C to be exposed, and in step S405, the exposed exposure object is exposed depending on whether or not the mark M is drawn. The substrate C may be aligned.

1…露光描画システム,2…露光描画装置,3…制御装置,4…塵埃計測装置,5…第1搬送部,6…第2搬送部,10…ステージ,11…基体,12…基台,14…ガイドレール,15…ゲート,16…露光部,16a…露光ヘッド,17…光源ユニット,18…光ファイバ,19…画像処理ユニット,20…信号ケーブル,21…紫外線光源,22…ゲート,23…撮影部,24…ACハンド,25…吸着部,26…押付部,30…吸入窓,31…排出窓,32…レーザ発生装置,33…出射窓,34…入射窓,35…集光レンズ,36…検出装置,40…システム制御部,41…ステージ駆動部,42…操作装置,43…移動駆動部,50…制御部,51…記憶部,52…表示部,53…入力部,54…通信インタフェース,60…計測結果情報,61…対応情報,C…被露光基板,L…レーザ,M、MR…マーク,N…シリアル番号。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Exposure drawing system, 2 ... Exposure drawing apparatus, 3 ... Control apparatus, 4 ... Dust measuring device, 5 ... 1st conveyance part, 6 ... 2nd conveyance part, 10 ... Stage, 11 ... Base | substrate, 12 ... Base, DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 ... Guide rail, 15 ... Gate, 16 ... Exposure part, 16a ... Exposure head, 17 ... Light source unit, 18 ... Optical fiber, 19 ... Image processing unit, 20 ... Signal cable, 21 ... Ultraviolet light source, 22 ... Gate, 23 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Shooting unit, 24 ... AC hand, 25 ... Suction unit, 26 ... Pushing unit, 30 ... Suction window, 31 ... Ejection window, 32 ... Laser generator, 33 ... Emission window, 34 ... Incident window, 35 ... Condensing lens , 36 ... detection device, 40 ... system control unit, 41 ... stage drive unit, 42 ... operation device, 43 ... movement drive unit, 50 ... control unit, 51 ... storage unit, 52 ... display unit, 53 ... input unit, 54 ... communication interface, 60 ... total Result information, 61 ... corresponding information, C ... substrate to be exposed, L ... laser, M, MR ... Mark, N ... serial number.

Claims (11)

被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、
露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、
前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、
を備えた露光描画装置。
Exposure means for drawing a circuit pattern by exposing a substrate to be exposed;
A counting means for counting the number of fine particles in the exposure drawing apparatus;
A determination unit that determines whether or not the number of particles counted by the counting unit during the exposure process by the exposure unit is greater than or equal to a threshold value determined based on a size related to the pattern of the circuit pattern;
An adding unit that adds predetermined information to the substrate to be exposed when the determination unit determines that the threshold value is equal to or greater than a threshold;
An exposure drawing apparatus comprising:
前記パターンに関するサイズは、前記回路パターンにおける隣接するパターン間のピッチ幅の最小値、パターン幅の最小値、及びランド径の最小値の少なくとも一つである
請求項1記載の露光描画装置。
The exposure drawing apparatus according to claim 1, wherein the size related to the pattern is at least one of a minimum value of a pitch width between adjacent patterns in the circuit pattern, a minimum value of a pattern width, and a minimum value of a land diameter.
前記計数手段は、前記粒子数を前記微粒子の粒径範囲毎に計数し、
前記閾値が前記粒径範囲毎に定められ、
前記判定手段は、前記粒子数が予め定められた閾値以上であるか否かを前記粒径範囲毎に判定し、1つ以上の粒径範囲の粒子数が前記粒径範囲毎に定められた閾値以上であった場合に閾値以上であったと判定する
請求項1または2記載の露光描画装置。
The counting means counts the number of particles for each particle size range of the fine particles,
The threshold is determined for each particle size range;
The determination means determines whether the number of particles is equal to or greater than a predetermined threshold value for each particle size range, and the number of particles in one or more particle size ranges is determined for each particle size range. The exposure drawing apparatus according to claim 1, wherein when it is equal to or greater than the threshold value, it is determined that the value is equal to or greater than the threshold value.
前記被露光基板の識別情報を取得する取得手段と、
前記計数手段により計数された粒子数を前記取得手段により取得された前記識別情報に対応付けて記憶する記憶手段と、
をさらに備えた請求項1乃至3の何れか1項記載の露光描画装置。
Obtaining means for obtaining identification information of the exposed substrate;
Storage means for storing the particle number counted by the counting means in association with the identification information acquired by the acquisition means;
The exposure drawing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
前記判定手段は、前記計数手段により計数された粒子数が、予め定められた複数の区分のうちいずれの区分に属するかをさらに判定し、
前記付加手段は、前記被露光基板に対して、前記判定手段により判定された区分を示す情報を前記予め定められた情報として付加する
請求項1乃至4の何れか1項記載の露光描画装置。
The determination means further determines which of the plurality of predetermined categories the number of particles counted by the counting means belongs;
The exposure drawing apparatus according to claim 1, wherein the adding unit adds information indicating the classification determined by the determination unit to the substrate to be exposed as the predetermined information.
前記付加手段により前記区分を示す情報が付加された被露光基板を、当該区分毎に整列させる整列手段をさらに備えた
請求項5記載の露光描画装置。
The exposure drawing apparatus according to claim 5, further comprising an aligning unit that aligns the substrate to be exposed to which the information indicating the section is added by the adding unit for each section.
前記判定手段により前記閾値以上であると判定された場合、その時点に行われている露光処理が完了した時点で露光処理を停止し、当該停止した後に前記判定手段により前記閾値以上でないと判定された場合、露光処理を再開する露光制御手段をさらに備えた
請求項1乃至6の何れか1項記載の露光描画装置。
When it is determined by the determination means that the value is equal to or greater than the threshold value, the exposure process is stopped when the exposure process performed at that time is completed, and after the stop, the determination means determines that the value is not equal to or greater than the threshold value The exposure drawing apparatus according to claim 1, further comprising an exposure control unit that restarts the exposure process.
許容できる塵埃による不良発生率の入力を受け付ける受付手段を備え、
前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた不良発生率に基づいて定められる
請求項1乃至7の何れか1項記載の露光描画装置。
It has a receiving means for receiving an input of a defect occurrence rate due to allowable dust,
The exposure drawing apparatus according to claim 1, wherein the threshold value is determined based on a size related to the pattern and a defect occurrence rate received by the receiving unit.
浮遊している微粒子の粒子数に対する前記被露光基板に付着する微粒子の粒子数の割合の入力を受け付ける受付手段を備え、
前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた割合に基づいて定められる
請求項1乃至8の何れか1項記載の露光描画装置。
Receiving means for receiving an input of a ratio of the number of fine particles adhering to the exposed substrate to the number of floating fine particles;
The exposure drawing apparatus according to claim 1, wherein the threshold is determined based on a size related to the pattern and a ratio received by the receiving unit.
コンピュータを、
被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、
前記露光手段による露光処理中に、前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、
として機能させるためのプログラム。
Computer
A counting means for counting the number of fine particles in an exposure drawing apparatus having an exposure means for drawing a circuit pattern by exposing a substrate to be exposed;
A determination unit that determines whether or not the number of particles counted by the counting unit during an exposure process by the exposure unit is greater than or equal to a threshold value determined based on a size related to the pattern of the circuit pattern;
An adding unit that adds predetermined information to the substrate to be exposed when the determination unit determines that the threshold value is equal to or greater than a threshold;
Program to function as.
被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数ステップと、
前記露光手段による露光処理中に、前記計数ステップにより計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにより閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加ステップと、
を備えた露光描画方法。
A counting step for counting the number of fine particles in an exposure drawing apparatus having exposure means for drawing a circuit pattern by exposing a substrate to be exposed;
A determination step of determining whether or not the number of particles counted in the counting step during the exposure process by the exposure unit is equal to or greater than a threshold value determined based on a size related to the pattern of the circuit pattern;
An addition step of adding predetermined information to the substrate to be exposed when it is determined by the determination step that the value is equal to or greater than a threshold value;
An exposure drawing method comprising:
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