JP5794155B2 - Novel 2,7-bisanthrylnaphthalene compound and organic electroluminescence device using the same - Google Patents
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Description
本発明は、新規な2,7−ビスアントリルナフタレン化合物およびこれを含む発光層用材料、さらに照明装置や例えばカラーディスプレイなどの表示装置として好適な有機電界発光素子(以下、有機EL素子または単に素子と略記することがある。)に関する。より詳しくは、本発明は、新規な2,7−ビスアントリルナフタレン化合物を発光層に用いることによって、駆動電圧や寿命などを改善させた有機電界発光素子に関する。
The present invention relates to a
有機EL素子は、自発光型の発光素子であり、表示用または照明用の発光素子として期待され、近年活発な研究がなされている。有機EL素子の実用化を促進するには、素子の低消費電力化、長寿命化が不可欠な要素であり、特に青色発光素子に関しては大きな問題となっている。 The organic EL element is a self-luminous light emitting element, and is expected as a light emitting element for display or illumination, and has been actively researched in recent years. In order to promote the practical use of organic EL elements, it is indispensable to reduce the power consumption and extend the life of the elements, and particularly, it is a serious problem with respect to blue light emitting elements.
そのため、有機発光材料については様々な検討がされてきており、青色発光素子の発光効率向上、寿命向上を狙って、スチリルアミンやアントラセン誘導体などについて改良が進められてきた(例えば非特許文献1、特許文献1、2)。さらに、ディスプレイ向けに材料の開発が促進され、NTSC比の向上のためにより色純度の高い(発光スペクトルの波長が短く、半値幅が狭い)青色発光が得られる構成の材料が必要とされてきている。
Therefore, various studies have been made on organic light-emitting materials, and improvements have been made on styrylamine, anthracene derivatives, and the like with the aim of improving the luminous efficiency and lifetime of blue light-emitting elements (for example, Non-Patent
これまで、青色素子の発光層用材料として、アントラセン誘導体に関する報告(下記特許文献1〜5、下記非特許文献1〜5)があるが、高い色純度の発光を目的として、発光波長の短い材料を用いて発光層を形成すると、高い発光効率で有機EL素子の寿命特性を向上させることは難しかった。
So far, there are reports on anthracene derivatives as materials for light emitting layers of blue elements (the following
上記のような状況下、駆動電圧や素子寿命などにおいて改善された高色純度の青色発光素子、およびこれを用いた表示装置の開発が望まれている。 Under the circumstances as described above, development of a high color purity blue light emitting element improved in driving voltage, element lifetime, and the like, and a display device using the blue light emitting element are desired.
本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意検討した結果、一般式(1)で表される新規な2,7−ビスアントリルナフタレン化合物を開発し、それらを青色発光素子の発光層に用いる発光層用材料として用いることにより、駆動電圧や素子寿命などにおいて改善された有機電界発光素子が得られることを見出し、本発明を完成した。
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have developed
すなわち本発明は以下のような新規な2,7−ビスアントリルナフタレン化合物、発光層用材料、有機電界発光素子、および該有機電界発光素子を備えた表示装置、照明装置を提供する。
That is, the present invention provides the following
[1] 下記一般式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物。
Ar1およびAr2は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアリールであり、
R1およびR2は、それぞれ独立して、炭素数1〜4のアルキルまたは炭素数3〜6のシクロアルキルであり、mおよびnは、それぞれ独立して、0〜8の整数であり、そして、
式(1)で表される化合物における少なくとも1つの水素が重水素で置換されていてもよい。
[1] A 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by the following general formula (1).
Ar 1 and Ar 2 are each independently an optionally substituted aryl,
R 1 and R 2 are each independently alkyl having 1 to 4 carbons or cycloalkyl having 3 to 6 carbons, m and n are each independently an integer from 0 to 8, and ,
At least one hydrogen in the compound represented by the formula (1) may be substituted with deuterium.
[2] Ar1およびAr2は、それぞれ独立して、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、クリセニルまたはトリフェニレニルであり、炭素数1〜12のアルキル、炭素数3〜12のシクロアルキルまたは炭素数6〜18のアリールで置換されていてもよく、
R1およびR2は、それぞれ独立して、炭素数1〜4のアルキルであり、mおよびnは、それぞれ独立して、0〜4の整数である、
上記[1]に記載の2,7−ビスアントリルナフタレン化合物。
[2] Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, biphenylyl, terphenylyl, quaterphenylyl, naphthyl, phenanthryl, chrysenyl or triphenylenyl, an alkyl having 1 to 12 carbons, and having 3 to 12 carbons Optionally substituted with cycloalkyl or aryl of 6 to 18 carbon atoms,
R 1 and R 2 are each independently alkyl having 1 to 4 carbon atoms, and m and n are each independently an integer of 0 to 4,
The 2,7-bisanthrylnaphthalene compound according to the above [1].
[3] Ar1およびAr2は、それぞれ独立して、フェニル、2−ビフェニリル、3−ビフェニリル、4−ビフェニリル、1−ナフチル、2−ナフチルまたはフェナントリルであり、フェニル、1−ナフチルまたは2−ナフチルで置換されていてもよく、
R1およびR2は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはt−ブチルであり、mおよびnは、それぞれ独立して、0または1である、
上記[1]または[2]に記載の2,7−ビスアントリルナフタレン化合物。
[3] Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, 2-biphenylyl, 3-biphenylyl, 4-biphenylyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl or phenanthryl, and phenyl, 1-naphthyl or 2-naphthyl. May be replaced with
R 1 and R 2 are each independently methyl, isopropyl or t-butyl, and m and n are each independently 0 or 1,
The 2,7-bisanthrylnaphthalene compound according to [1] or [2] above.
[4] Ar1およびAr2は、それぞれ独立して、フェニル、2−ビフェニリル、3−ビフェニリル、4−ビフェニリル、1−ナフチル、2−ナフチルまたはフェナントリルであり、フェニル、1−ナフチルまたは2−ナフチルで置換されていてもよく、
mおよびnは0である、
上記[1]〜[3]のいずれかに記載の2,7−ビスアントリルナフタレン化合物。
[4] Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, 2-biphenylyl, 3-biphenylyl, 4-biphenylyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl or phenanthryl, and phenyl, 1-naphthyl or 2-naphthyl. May be replaced with
m and n are 0,
The 2,7-bisanthrylnaphthalene compound according to any one of [1] to [3] above.
[5] 下記式(1−1)、式(1−22)、式(1−57)または式(1−58)で表される、上記[1]〜[4]のいずれかに記載の2,7−ビスアントリルナフタレン化合物。
[6] 上記[1]〜[5]のいずれかに記載の2,7−ビスアントリルナフタレン化合物を含有する発光層用材料。 [6] A light emitting layer material containing the 2,7-bisanthrylnaphthalene compound according to any one of [1] to [5].
[7] 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置され、上記[6]に記載する発光層用材料を含有する発光層とを有する、有機電界発光素子。 [7] An organic electroluminescence device comprising a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the pair of electrodes and containing the light emitting layer material described in [6] above.
[8] 前記発光層に、スチルベン構造を有するアミン、芳香族アミン誘導体およびクマリン誘導体からなる群から選択される少なくとも1つを含有する、上記[7]に記載する有機電界発光素子。 [8] The organic electroluminescent element as described in [7] above, wherein the light emitting layer contains at least one selected from the group consisting of an amine having a stilbene structure, an aromatic amine derivative and a coumarin derivative.
[9] さらに、前記陰極と前記発光層との間に配置された電子輸送層および/または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも1つは、キノリノール系金属錯体、ピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ボラン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体からなる群から選択される少なくとも1つを含有する、上記[7]または[8]に記載する有機電界発光素子。 [9] Furthermore, it has an electron transport layer and / or an electron injection layer arranged between the cathode and the light emitting layer, and at least one of the electron transport layer and the electron injection layer is a quinolinol-based metal complex, The organic electroluminescent device according to the above [7] or [8], comprising at least one selected from the group consisting of a pyridine derivative, a phenanthroline derivative, a borane derivative and a benzimidazole derivative.
[10] 前記電子輸送層および電子注入層の少なくとも1つは、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも1つを含有する、上記[9]に記載の有機電界発光素子。 [10] At least one of the electron transport layer and the electron injection layer further includes an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an alkali metal oxide, an alkali metal halide, an alkaline earth metal oxide, At least one selected from the group consisting of alkaline earth metal halides, rare earth metal oxides, rare earth metal halides, alkali metal organic complexes, alkaline earth metal organic complexes and rare earth metal organic complexes The organic electroluminescent element according to [9], which is contained.
[11] 上記[7]〜[10]のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。 [11] A display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of [7] to [10].
[12] 上記[7]〜[10]のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。 [12] A lighting device comprising the organic electroluminescent element according to any one of [7] to [10].
本発明の好ましい態様によれば、駆動電圧が低く、素子寿命が長い有機電界発光素子を提供することができる。特に、高色純度の青色発光素子として、従来の問題を解決することができる。さらに、この有効な有機電界発光素子を備えた表示装置および照明装置などを提供することができる。 According to a preferred aspect of the present invention, an organic electroluminescence device having a low driving voltage and a long device life can be provided. In particular, conventional problems can be solved as a blue light-emitting element with high color purity. Furthermore, it is possible to provide a display device, a lighting device, and the like provided with this effective organic electroluminescent element.
1.一般式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物
まず、上記一般式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物について詳細に説明する。本発明の化合物は、アリールなどが置換した2つのアントラセンをナフタレンを介して結合させた化合物において、特にナフタレンの2位と7位とで2つの上記アントラセンを結合した化合物であり、このような特徴的な結合形態を選択することで、発光層用材料としてより優れた素子寿命を達成した化合物である。
1. 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by the general formula (1) First, the 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by the general formula (1) will be described in detail. The compound of the present invention is a compound in which two anthracenes substituted with aryl or the like are bonded via naphthalene, in particular, a compound in which two anthracenes are bonded at the 2-position and 7-position of naphthalene. By selecting an appropriate bonding form, the compound achieves a superior device lifetime as a material for the light emitting layer.
一般式(1)のAr1およびAr2における「アリール」としては、炭素数6〜24のアリールが好ましく、炭素数6〜14のアリールがより好ましく、炭素数6〜10のアリールが特に好ましい。Ar1およびAr2は同じであっても異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。 As “aryl” in Ar 1 and Ar 2 of the general formula (1), aryl having 6 to 24 carbon atoms is preferable, aryl having 6 to 14 carbon atoms is more preferable, and aryl having 6 to 10 carbon atoms is particularly preferable. Ar 1 and Ar 2 may be the same or different, but are preferably the same.
具体的な「アリール」としては、単環系アリールであるフェニル、二環系アリールである(2−,3−,4−)ビフェニリル、縮合二環系アリールである(1−,2−)ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル(m−テルフェニル−2’−イル、m−テルフェニル−4’−イル、m−テルフェニル−5’−イル、o−テルフェニル−3’−イル、o−テルフェニル−4’−イル、p−テルフェニル−2’−イル、m−テルフェニル−2−イル、m−テルフェニル−3−イル、m−テルフェニル−4−イル、o−テルフェニル−2−イル、o−テルフェニル−3−イル、o−テルフェニル−4−イル、p−テルフェニル−2−イル、p−テルフェニル−3−イル、p−テルフェニル−4−イル)、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−(1−,3−,4−,5−)イル、フルオレン−(1−,2−,3−,4−,9−)イル、フェナレン−(1−,2−)イル、(1−,2−,3−,4−,9−)フェナントリル、四環系アリールであるクアテルフェニリル(5’−フェニル−m−テルフェニル−2−イル、5’−フェニル−m−テルフェニル−3−イル、5’−フェニル−m−テルフェニル−4−イル、m−クアテルフェニル)、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−(1−,2−)イル、ピレン−(1−,2−,4−)イル、ナフタセン−(1−,2−,5−)イル、クリセン−(1−,2−,3−,4−,5−,6−)イル、縮合五環系アリールであるペリレン−(1−,2−,3−)イル、ペンタセン−(1−,2−,5−,6−)イル、また、これらの組み合わせで得られる4−(ナフタレン−1−,−2−イル)フェニル、3−(ナフタレン−1−,−2−イル)フェニル、4−フェニルナフタレン−1−イル、1,1’−ビナフタレン−4−イル、4−(フェナントレン−9−イル)フェニルなどがあげられる。 Specific examples of the “aryl” include monocyclic aryl phenyl, bicyclic aryl (2-, 3-, 4-) biphenylyl, and condensed bicyclic aryl (1-, 2-) naphthyl. Terphenylyl which is a tricyclic aryl (m-terphenyl-2′-yl, m-terphenyl-4′-yl, m-terphenyl-5′-yl, o-terphenyl-3′-yl, o -Terphenyl-4'-yl, p-terphenyl-2'-yl, m-terphenyl-2-yl, m-terphenyl-3-yl, m-terphenyl-4-yl, o-terphenyl 2-yl, o-terphenyl-3-yl, o-terphenyl-4-yl, p-terphenyl-2-yl, p-terphenyl-3-yl, p-terphenyl-4-yl) Acenaphth, which is a fused tricyclic aryl Ren- (1-, 3-, 4-, 5-) yl, fluorene- (1-, 2-, 3-, 4-, 9-) yl, phenalen- (1-, 2-) yl, (1 -, 2-, 3-, 4-, 9-) phenanthryl, quaterphenylyl (5'-phenyl-m-terphenyl-2-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl) which is a tetracyclic aryl -3-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl-4-yl, m-quaterphenyl), condensed tetracyclic aryl triphenylene- (1-, 2-) yl, pyrene- (1-, 2-, 4-) yl, naphthacene- (1-, 2-, 5-) yl, chrysene- (1-, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-) yl, fused pentacyclic aryl Perylene- (1-, 2-, 3-) yl, pentacene- (1-, 2-, 5-, 6-) yl, and 4- (Naphthalen-1-,-2-yl) phenyl, 3- (naphthalen-1-,-2-yl) phenyl, 4-phenylnaphthalen-1-yl, 1,1′-binaphthalene obtained by combining -4-yl, 4- (phenanthrene-9-yl) phenyl and the like.
中でも、Ar1およびAr2としてはフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、クリセニルまたはトリフェニレニルが好ましく、フェニル、2−ビフェニリル、3−ビフェニリル、4−ビフェニリル、1−ナフチル、2−ナフチルまたはフェナントリルが特に好ましい。 Among them, as Ar 1 and Ar 2 , phenyl, biphenylyl, terphenylyl, quaterphenylyl, naphthyl, phenanthryl, chrysenyl or triphenylenyl are preferable, and phenyl, 2-biphenylyl, 3-biphenylyl, 4-biphenylyl, 1-naphthyl, 2- Naphthyl or phenanthryl is particularly preferred.
Ar1およびAr2における「アリール」への置換基としては、低い駆動電圧と優れた素子寿命が得られるものであれば特に限定されないが、好ましくは、炭素数1〜12のアルキル、炭素数3〜12のシクロアルキルまたは炭素数6〜18のアリールなどが挙げられる。 The substituent for “aryl” in Ar 1 and Ar 2 is not particularly limited as long as a low driving voltage and an excellent device lifetime can be obtained, but preferably an alkyl having 1 to 12 carbon atoms and 3 carbon atoms. -12 cycloalkyl, C6-C18 aryl, etc. are mentioned.
この置換基としての「炭素数1〜12のアルキル」については、直鎖および分枝鎖のいずれでもよい。すなわち、炭素数1〜12の直鎖アルキルまたは炭素数3〜12の分枝鎖アルキルである。より好ましくは、炭素数1〜6のアルキル(炭素数3〜6の分枝鎖アルキル)であり、さらに好ましくは、炭素数1〜4のアルキル(炭素数3〜4の分枝鎖アルキル)である。具体例としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、t−ペンチル、n−ヘキシル、1−メチルペンチル、4−メチル−2−ペンチル、3,3−ジメチルブチルまたは2−エチルブチルなどがあげられ、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチルまたはt−ブチルが好ましく、メチル、イソプロピルまたはt−ブチルがより好ましい。 The “alkyl having 1 to 12 carbon atoms” as the substituent may be either a straight chain or a branched chain. That is, it is a linear alkyl having 1 to 12 carbons or a branched alkyl having 3 to 12 carbons. More preferably, it is C1-C6 alkyl (C3-C6 branched alkyl), More preferably, it is C1-C4 alkyl (C3-C4 branched alkyl). is there. Specific examples include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, t-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl and the like are mentioned, and methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl or t-butyl is preferable. More preferably, isopropyl or t-butyl.
また、この置換基としての「炭素数3〜12のシクロアルキル」については、具体例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、シクロヘプチル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチルまたはジメチルシクロヘキシルなどがあげられる。 Specific examples of the “cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms” as the substituent include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, methylcyclopentyl, cycloheptyl, methylcyclohexyl, cyclooctyl, and dimethylcyclohexyl. can give.
また、この置換基としての「炭素数6〜18のアリール」については、具体例としては、上述したアリールの中から炭素数6〜18で構成されるものを引用することができる。 Moreover, about "aryl of 6-18 carbons" as this substituent, what is comprised by 6-18 carbons from the aryl mentioned above can be cited as a specific example.
Ar1およびAr2における「アリール」への置換基については、無置換であることが好ましいが、置換基が存在する場合には、その数は例えば最大置換可能な数であり、好ましくは1〜3個、より好ましくは1〜2個、更に好ましくは1個である。 The substituent to “aryl” in Ar 1 and Ar 2 is preferably unsubstituted, but when a substituent is present, the number is, for example, the maximum number of substituents, preferably 1 to 1. Three, more preferably 1-2, and still more preferably 1.
一般式(1)のR1およびR2における「炭素数1〜4のアルキル」や「炭素数3〜6のシクロアルキル」としては、上述したアリールの置換基としてのアルキルやシクロアルキルの説明を引用することができる。R1およびR2は同じであっても異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。また、mおよびnは0〜8の整数であるが、0〜4の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、0であることがより好ましい。mおよびnは同じであっても異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。 As “alkyl having 1 to 4 carbon atoms” and “cycloalkyl having 3 to 6 carbon atoms” in R 1 and R 2 of the general formula (1), the description of alkyl and cycloalkyl as the substituents of the aryl described above can be given. Can be quoted. R 1 and R 2 may be the same or different, but are preferably the same. M and n are integers of 0 to 8, but are preferably integers of 0 to 4, more preferably 0 or 1, and even more preferably 0. m and n may be the same or different, but are preferably the same.
また、一般式(1)で表される化合物を構成する、ナフタレンやアントラセンにおける水素原子、アントラセンに置換するAr1、Ar2、R1またはR2における水素原子の全てまたは一部が重水素であってもよい。 Further, all or a part of the hydrogen atoms in Na 1 , Ar 2 , R 1, or R 2 constituting the compound represented by the general formula (1) and substituted with anthracene in deuterium are deuterium. There may be.
上記式(1)で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の式(1−1)〜(1−158)で表される化合物があげられる。この中で好ましい化合物は、式(1−1)〜式(1−4)、式(1−7)、式(1−8)、式(1−10)、式(1−11)、式(1−13)、式(1−14)、式(1−22)、式(1−23)、式(1−33)、式(1−43)、式(1−47)〜式(1−54)、式(1−57)〜式(1−59)、式(1−69)、式(1−70)、式(1−72)、式(1−78)〜式(1−84)、式(1−90)、式(1−91)、式(1−111)〜式(1−113)で表される化合物である。より好ましい化合物は、式(1−1)〜式(1−4)、式(1−7)、式(1−8)、式(1−10)、式(1−11)、式(1−13)、式(1−22)、式(1−33)、式(1−43)、式(1−47)〜式(1−51)、式(1−57)〜式(1−59)、式(1−69)、式(1−70)、式(1−78)、式(1−79)、式(1−81)、式(1−83)、式(1−90)、式(1−91)、式(1−111)〜式(1−113)で表される化合物である。さらに好ましい化合物は、式(1−1)〜式(1−4)、式(1−13)、式(1−22)、式(1−33)、式(1−43)、式(1−47)〜式(1−50)、式(1−57)〜式(1−59)、式(1−69)、式(1−70)、式(1−78)、式(1−79)、式(1−90)、式(1−91)、式(1−111)〜式(1−113)で表される化合物である。 Specific examples of the compound represented by the formula (1) include compounds represented by the following formulas (1-1) to (1-158). Among these, preferred compounds are those represented by formula (1-1) to formula (1-4), formula (1-7), formula (1-8), formula (1-10), formula (1-11), formula (1-13), Formula (1-14), Formula (1-22), Formula (1-23), Formula (1-33), Formula (1-43), Formula (1-47) to Formula ( 1-54), Formula (1-57) to Formula (1-59), Formula (1-69), Formula (1-70), Formula (1-72), Formula (1-78) to Formula (1) -84), a formula (1-90), a formula (1-91), a compound denoted by a formula (1-111)-a formula (1-113). More preferable compounds are the formula (1-1) to the formula (1-4), the formula (1-7), the formula (1-8), the formula (1-10), the formula (1-11), the formula (1). -13), Formula (1-22), Formula (1-33), Formula (1-43), Formula (1-47) to Formula (1-51), Formula (1-57) to Formula (1- 59), Formula (1-69), Formula (1-70), Formula (1-78), Formula (1-79), Formula (1-81), Formula (1-83), Formula (1-90) ), Formula (1-91), and Formula (1-111) to Formula (1-113). Further preferred compounds are those represented by formula (1-1) to formula (1-4), formula (1-13), formula (1-22), formula (1-33), formula (1-43), formula (1). -47) to formula (1-50), formula (1-57) to formula (1-59), formula (1-69), formula (1-70), formula (1-78), formula (1- 79), Formula (1-90), Formula (1-91), Formula (1-111) to Formula (1-113).
2.式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物の製造方法
式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物は、既知の合成法を利用して製造することができる。例えば、式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物が対称系である場合(2つのアントラセン誘導体の構造が同じ場合)は、下記の反応(A−1)〜(A−2)に示す経路にしたがって合成することができる。また、式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物が非対称系である場合は、下記の反応(B−1)〜(B−5)に示す経路にしたがっても合成することもできる。
2. Method for producing 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by formula (1) The 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by formula (1) should be produced using a known synthesis method. Can do. For example, when the 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by the formula (1) is a symmetric system (when the structures of the two anthracene derivatives are the same), the following reactions (A-1) to (A- It can be synthesized according to the route shown in 2). In addition, when the 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by the formula (1) is an asymmetric system, the compound should also be synthesized according to the routes shown in the following reactions (B-1) to (B-5). You can also.
まず、反応(A−1)〜(A−2)に示す経路について説明する。まず、反応(A−1)では、塩基の存在下、ナフタレン−2,7−ジオールにトリフルオロメタンスルホン酸無水物を反応させることで、ナフタレン−2,7−ジイル ビス(トリフルオロメタンスルホナート)を合成することができる。 First, the routes shown in reactions (A-1) to (A-2) will be described. First, in the reaction (A-1), naphthalene-2,7-diylbis (trifluoromethanesulfonate) is reacted by reacting naphthalene-2,7-diol with trifluoromethanesulfonic anhydride in the presence of a base. Can be synthesized.
次に、反応(A−2)では、パラジウム触媒を用いて、塩基の存在下、ナフタレン−2,7−ジイル ビス(トリフルオロメタンスルホナート)に2当量のアリールアントラセンボロン酸誘導体を鈴木カップリング反応させることにより、本発明の式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物を合成することができる。なお、アリールアントラセンボロン酸誘導体における置換基(R1)、その置換基数(m)および置換基(Ar1)は、式(1)中のR1、mおよびAr1と同じであり、ここで、Ar1=Ar2、R1=R2、m=nである。また、アリールアントラセンボロン酸誘導体の代わりにそのボロン酸エステルを用いることもできる。 Next, in the reaction (A-2), using a palladium catalyst, in the presence of a base, 2 equivalents of an arylanthraceneboronic acid derivative to naphthalene-2,7-diyl bis (trifluoromethanesulfonate) are subjected to a Suzuki coupling reaction. By doing so, a 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by the formula (1) of the present invention can be synthesized. In the arylanthraceneboronic acid derivative, the substituent (R 1 ), the number of substituents (m), and the substituent (Ar 1 ) are the same as R 1 , m, and Ar 1 in the formula (1). Ar 1 = Ar 2 , R 1 = R 2 , m = n. Further, the boronic acid ester can be used in place of the arylanthracene boronic acid derivative.
なお、反応(A−2)における鈴木カップリング反応においては、反応させる2つの化合物における反応基を入れ替えて、ナフタレン−2,7−ジイル ビス(ボロン酸またはボロン酸エステル)とアリールアントラセン誘導体のトリフルオロメタンスルホナートとを反応させることもできる。さらに、鈴木カップリングではなく根岸カップリングを用いることもでき、この場合には、ボロン酸やボロン酸エステルを有する化合物の代わりに塩化亜鉛錯体を用いる。また、この根岸カップリングの場合も上記と同様に、反応基を交互に入れ替えても反応させることができる。 In addition, in the Suzuki coupling reaction in the reaction (A-2), the reactive groups in the two compounds to be reacted are interchanged, so that trifluoromethane of naphthalene-2,7-diylbis (boronic acid or boronic ester) and arylanthracene derivative is obtained. It can also be reacted with lomethanesulfonate. Furthermore, Negishi coupling can be used instead of Suzuki coupling. In this case, a zinc chloride complex is used instead of a compound having boronic acid or boronic acid ester. In the case of this Negishi coupling, the reaction can be carried out even if the reactive groups are alternately replaced in the same manner as described above.
次に、反応(B−1)〜(B−5)に示す経路について説明する。まず、反応(B−1)では、塩基の存在下、7−メトキシ−2−ナフトールにトリフルオロメタンスルホン酸無水物を反応させることにより、7−メトキシナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナートを合成することができる。 Next, the route shown in the reactions (B-1) to (B-5) will be described. First, in the reaction (B-1), 7-methoxynaphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate is synthesized by reacting trifluoromethanesulfonic anhydride with 7-methoxy-2-naphthol in the presence of a base. be able to.
次に、反応(B−2)では、パラジウム触媒を用いて、塩基の存在下、7−メトキシナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナートにアリールアントラセンボロン酸誘導体を鈴木カップリング反応させることにより、9−(7−メトキシナフタレン−2−イル)−10−アリールアントラセン誘導体を合成することができる。なお、アリールアントラセンボロン酸誘導体における置換基(R1)、その置換基数(m)および置換基(Ar1)は、式(1)中のR1、mおよびAr1と同じである。また、アリールアントラセンボロン酸誘導体の代わりにそのボロン酸エステルを用いることもできる。 Next, in the reaction (B-2), an arylanthraceneboronic acid derivative is subjected to Suzuki coupling reaction with 7-methoxynaphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate in the presence of a base using a palladium catalyst. A-(7-methoxynaphthalen-2-yl) -10-arylanthracene derivative can be synthesized. In addition, the substituent (R 1 ), the number of substituents (m), and the substituent (Ar 1 ) in the arylanthraceneboronic acid derivative are the same as R 1 , m and Ar 1 in the formula (1). Further, the boronic acid ester can be used in place of the arylanthracene boronic acid derivative.
なお、反応(A−2)において説明したのと同様に、反応(B−2)においても、反応基を入れ替えることや、鈴木カップリングではなく塩化亜鉛錯体を利用した根岸カップリングを用いることもできる。 In the same manner as described in the reaction (A-2), in the reaction (B-2), the reactive group may be replaced, or Negishi coupling using a zinc chloride complex may be used instead of the Suzuki coupling. it can.
次に、反応(B−3)では、9−(7−メトキシナフタレン−2−イル)−10−アリールアントラセン誘導体にピリジン塩酸塩を反応させることにより、7−(10−アリールアントラセン−9−イル)−2−ナフトール誘導体を合成することができる。 Next, in the reaction (B-3), 7- (10-arylanthracen-9-yl) is obtained by reacting 9- (7-methoxynaphthalen-2-yl) -10-arylanthracene derivative with pyridine hydrochloride. ) -2-Naphthol derivatives can be synthesized.
さらに、反応(B−4)では、塩基の存在下、7−(10−アリールアントラセン−9−イル)−2−ナフトール誘導体にトリフルオロメタンスルホン酸無水物を反応させることにより、7−(10−アリールアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナート誘導体を合成することができる。 Furthermore, in the reaction (B-4), 7- (10-arylanthracen-9-yl) -2-naphthol derivative is reacted with trifluoromethanesulfonic anhydride in the presence of a base to give 7- (10- Arylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate derivatives can be synthesized.
最後に、反応(B−5)では、パラジウム触媒を用いて、塩基の存在下、7−(10−アリールアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナート誘導体にアリールアントラセンボロン酸誘導体を鈴木カップリング反応させることにより、本発明の式(1)で表される2,7−ビスアントリルナフタレン化合物を合成することができる。なお、アリールアントラセンボロン酸誘導体における置換基(R2)、その置換基数(n)および置換基(Ar2)は、式(1)中のR2、nおよびAr2と同じである。また、アリールアントラセンボロン酸誘導体の代わりにそのボロン酸エステルを用いることもできる。 Finally, in the reaction (B-5), an arylanthraceneboronic acid derivative is converted into a 7- (10-arylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate derivative in the presence of a base using a palladium catalyst. 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by the formula (1) of the present invention can be synthesized. In addition, the substituent (R 2 ), the number of substituents (n), and the substituent (Ar 2 ) in the arylanthraceneboronic acid derivative are the same as R 2 , n, and Ar 2 in the formula (1). Further, the boronic acid ester can be used in place of the arylanthracene boronic acid derivative.
なお、反応(A−2)において説明したのと同様に、反応(B−5)においても、反応基を入れ替えることや、鈴木カップリングではなく塩化亜鉛錯体を利用した根岸カップリングを用いることもできる。 In the same manner as described in the reaction (A-2), in the reaction (B-5), the reactive group may be replaced, or Negishi coupling using a zinc chloride complex may be used instead of the Suzuki coupling. it can.
上述した反応(A−2)、反応(B−2)および反応(B−5)においてパラジウム触媒を用いる場合には、例えば、Pd(PPh3)4、PdCl2(PPh3)2、Pd(OAc)2、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウムクロロホルム錯体(0)、[1.1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリトジクロロメタン錯体(1:1)などを用いることができる。 When a palladium catalyst is used in the reaction (A-2), reaction (B-2) and reaction (B-5) described above, for example, Pd (PPh 3 ) 4 , PdCl 2 (PPh 3 ) 2 , Pd ( OAc) 2 , tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0), [1.1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene] palladium (II) dichlorito A dichloromethane complex (1: 1) or the like can be used.
また、反応促進のため、場合によりこれらのパラジウム化合物にホスフィン化合物を加えてもよい。ホスフィン化合物としては、例えば、トリ(t−ブチル)ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1−(N,N−ジメチルアミノメチル)−2−(ジt−ブチルホスフィノ)フェロセン、1−(N,N−ジブチルアミノメチル)−2−(ジt−ブチルホスフィノ)フェロセン、1−(メトキシメチル)−2−(ジt−ブチルホスフィノ)フェロセン、1,1’−ビス(ジt−ブチルホスフィノ)フェロセン、2,2’−ビス(ジt−ブチルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル、2−メトキシ−2’−(ジt−ブチルホスフィノ)−1,1’−ビナフチルなどがあげられる。 In order to accelerate the reaction, a phosphine compound may be added to these palladium compounds in some cases. Examples of the phosphine compound include tri (t-butyl) phosphine, tricyclohexylphosphine, 1- (N, N-dimethylaminomethyl) -2- (di-t-butylphosphino) ferrocene, 1- (N, N- Dibutylaminomethyl) -2- (di-t-butylphosphino) ferrocene, 1- (methoxymethyl) -2- (di-t-butylphosphino) ferrocene, 1,1′-bis (di-t-butylphosphino) Examples include ferrocene, 2,2′-bis (di-t-butylphosphino) -1,1′-binaphthyl, 2-methoxy-2 ′-(di-t-butylphosphino) -1,1′-binaphthyl, and the like. .
また、パラジウム触媒と共に用いられる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、ナトリウムエトキシド、ナトリウムt−ブトキシド、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、リン酸三カリウム、フッ化カリウムなどがあげられる。 Examples of the base used together with the palladium catalyst include sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, sodium hydrogen carbonate, sodium hydroxide, potassium hydroxide, barium hydroxide, sodium ethoxide, sodium t-butoxide, sodium acetate, Examples include potassium acetate, tripotassium phosphate, and potassium fluoride.
さらに、上述した反応(A−2)、反応(B−2)および反応(B−5)において用いられる溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、1,4−ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、シクロペンチルメチルエーテルなどがあげられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよく、混合溶媒として用いてもよい。反応は通常50〜180℃の温度範囲で実施されるが、より好ましくは70〜130℃である。 Furthermore, examples of the solvent used in the above reaction (A-2), reaction (B-2), and reaction (B-5) include benzene, toluene, xylene, N, N-dimethylformamide, tetrahydrofuran, and diethyl ether. , T-butyl methyl ether, 1,4-dioxane, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, cyclopentyl methyl ether and the like. These solvents may be used alone or as a mixed solvent. The reaction is usually carried out in the temperature range of 50 to 180 ° C, more preferably 70 to 130 ° C.
また、反応(A−1)、反応(B−1)および反応(B−4)において塩基を用いる場合には、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、リン酸三カリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどを用いることができる。 Moreover, when using a base in reaction (A-1), reaction (B-1), and reaction (B-4), for example, sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, sodium hydrogen carbonate, sodium hydroxide, water Potassium oxide, barium hydroxide, sodium acetate, potassium acetate, tripotassium phosphate, potassium fluoride, cesium fluoride, trimethylamine, triethylamine, pyridine and the like can be used.
また、反応(A−1)、反応(B−1)および反応(B−4)において用いられる溶媒としては、例えば、ピリジン、トルエン、キシレン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、CH2Cl2、CHCl3CH3CNなどがあげられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよく、混合溶媒として用いてもよい。反応は通常−10〜50℃の温度範囲で実施されるが、より好ましくは0〜30℃である。 Examples of the solvent used in the reaction (A-1), the reaction (B-1) and the reaction (B-4) include pyridine, toluene, xylene, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide. , CH 2 Cl 2 , CHCl 3 CH 3 CN, and the like. These solvents may be used alone or as a mixed solvent. The reaction is usually carried out in the temperature range of -10 to 50 ° C, more preferably 0 to 30 ° C.
また、反応(B−3)で用いられる反応溶媒としては、例えば、1−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ニトロベンゼン、ジメチルスルホキシド、ジクロロベンゼン、キノリンなどがあげられる。溶媒は単独で用いてもよく、混合溶媒として用いてもよい。場合によっては、無溶剤でもよい。反応は通常150〜220℃の温度範囲で実施されるが、より好ましくは170〜200℃である。 Examples of the reaction solvent used in the reaction (B-3) include 1-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, nitrobenzene, dimethyl sulfoxide, dichlorobenzene, and quinoline. A solvent may be used independently and may be used as a mixed solvent. In some cases, no solvent may be used. The reaction is usually carried out in the temperature range of 150 to 220 ° C, more preferably 170 to 200 ° C.
また、本発明の化合物には、少なくとも一部の水素原子が重水素で置換されているものも含まれるが、このような化合物は所望の箇所が重水素化された原料を用いることで、上記と同様に合成することができる。 In addition, the compounds of the present invention include those in which at least a part of the hydrogen atoms are substituted with deuterium. Such a compound can be obtained by using a raw material in which a desired position is deuterated. It can be synthesized in the same way.
3.有機電界発光素子
本発明に係る2,7−ビスアントリルナフタレン化合物は、例えば、有機電界発光素子の材料として用いることができる。以下に、本実施形態に係る有機電界発光素子について図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略断面図である。
3. Organic Electroluminescent Device The 2,7-bisanthrylnaphthalene compound according to the present invention can be used, for example, as a material for an organic electroluminescent device. Below, the organic electroluminescent element which concerns on this embodiment is demonstrated in detail based on drawing. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic electroluminescent element according to this embodiment.
<有機電界発光素子の構造>
図1に示された有機電界発光素子100は、基板101と、基板101上に設けられた陽極102と、陽極102の上に設けられた正孔注入層103と、正孔注入層103の上に設けられた正孔輸送層104と、正孔輸送層104の上に設けられた発光層105と、発光層105の上に設けられた電子輸送層106と、電子輸送層106の上に設けられた電子注入層107と、電子注入層107の上に設けられた陰極108とを有する。
<Structure of organic electroluminescence device>
An organic electroluminescent device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 101, an anode 102 provided on the substrate 101, a
なお、有機電界発光素子100は、作製順序を逆にして、例えば、基板101と、基板101上に設けられた陰極108と、陰極108の上に設けられた電子注入層107と、電子注入層107の上に設けられた電子輸送層106と、電子輸送層106の上に設けられた発光層105と、発光層105の上に設けられた正孔輸送層104と、正孔輸送層104の上に設けられた正孔注入層103と、正孔注入層103の上に設けられた陽極102とを有する構成としてもよい。
The organic electroluminescent element 100 is manufactured in the reverse order, for example, the substrate 101, the cathode 108 provided on the substrate 101, the electron injection layer 107 provided on the cathode 108, and the electron injection layer. An electron transport layer 106 provided on 107, a light-emitting layer 105 provided on the electron transport layer 106, a hole transport layer 104 provided on the light-emitting layer 105, and a hole transport layer 104 A structure including the
上記各層すべてがなくてはならないわけではなく、最小構成単位を陽極102と発光層105と陰極108とからなる構成として、正孔注入層103、正孔輸送層104、電子輸送層106、電子注入層107は任意に設けられる層である。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。
Not all of the above layers are necessary, and the minimum structural unit is composed of the anode 102, the light emitting layer 105, and the cathode 108, and the
有機電界発光素子を構成する層の態様としては、上述する「基板/陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極」の構成態様の他に、「基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極」、「基板/陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極」、「基板/陽極/発光層/電子輸送層/陰極」、「基板/陽極/発光層/電子注入層/陰極」の構成態様であってもよい。 As an aspect of the layer constituting the organic electroluminescence device, in addition to the above-described configuration aspect of “substrate / anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode”, "Substrate / anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode", "substrate / anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode", "substrate / Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode ”,“ substrate / anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode ”,“ substrate ” / Anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode ”,“ substrate / anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode ”,“ substrate / anode / hole transport layer / light emitting layer / “Electron transport layer / cathode”, “substrate / anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode”, “substrate / anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport” Layer / cathode "," substrate / anode / light emitting layer / electron transporting layer / cathode "may be configured aspect of the" substrate / anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode ".
<有機電界発光素子における基板>
基板101は、有機電界発光素子100の支持体となるものであり、通常、石英、ガラス、金属、プラスチックなどが用いられる。基板101は、目的に応じて板状、フィルム状、またはシート状に形成され、例えば、ガラス板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどが用いられる。なかでも、ガラス板、および、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂製の板が好ましい。ガラス基板であれば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、また、厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、例えば、0.2mm以上あればよい。厚さの上限値としては、例えば、2mm以下、好ましくは1mm以下である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、SiO2などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することができる。また、基板101には、ガスバリア性を高めるために、少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などのガスバリア膜を設けてもよく、特にガスバリア性が低い合成樹脂製の板、フィルムまたはシートを基板101として用いる場合にはガスバリア膜を設けるのが好ましい。
<Substrate in organic electroluminescence device>
The substrate 101 serves as a support for the organic electroluminescent device 100, and usually quartz, glass, metal, plastic, or the like is used. The substrate 101 is formed into a plate shape, a film shape, or a sheet shape according to the purpose. For example, a glass plate, a metal plate, a metal foil, a plastic film, a plastic sheet, or the like is used. Of these, glass plates and transparent synthetic resin plates such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone and the like are preferable. In the case of a glass substrate, soda lime glass, non-alkali glass, or the like is used, and the thickness only needs to be sufficient to maintain the mechanical strength. The upper limit value of the thickness is, for example, 2 mm or less, preferably 1 mm or less. The glass material is preferably alkali-free glass because it is better to have less ions eluted from the glass. However, soda lime glass with a barrier coat such as SiO 2 is also commercially available, so it can be used. it can. Further, the substrate 101 may be provided with a gas barrier film such as a dense silicon oxide film on at least one surface in order to improve the gas barrier property, and a synthetic resin plate, film or sheet having a low gas barrier property is used as the substrate 101. When used, it is preferable to provide a gas barrier film.
<有機電界発光素子における陽極>
陽極102は、発光層105へ正孔を注入する役割を果たすものである。なお、陽極102と発光層105との間に正孔注入層103および/または正孔輸送層104が設けられている場合には、これらを介して発光層105へ正孔を注入することになる。
<Anode in organic electroluminescence device>
The anode 102 serves to inject holes into the light emitting layer 105. When the
陽極102を形成する材料としては、無機化合物および有機化合物があげられる。無機化合物としては、例えば、金属(アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、クロムなど)、金属酸化物(インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウム−スズ酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)など)、ハロゲン化金属(ヨウ化銅など)、硫化銅、カーボンブラック、ITOガラスやネサガラスなどがあげられる。有機化合物としては、例えば、ポリ(3−メチルチオフェン)などのポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなどがあげられる。その他、有機電界発光素子の陽極として用いられている物質の中から適宜選択して用いることができる。 Examples of the material for forming the anode 102 include inorganic compounds and organic compounds. Examples of inorganic compounds include metals (aluminum, gold, silver, nickel, palladium, chromium, etc.), metal oxides (indium oxide, tin oxide, indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide). Products (IZO), metal halides (copper iodide, etc.), copper sulfide, carbon black, ITO glass, Nesa glass, and the like. Examples of the organic compound include polythiophene such as poly (3-methylthiophene), conductive polymer such as polypyrrole and polyaniline, and the like. In addition, it can select suitably from the substances currently used as an anode of an organic electroluminescent element, and can use it.
透明電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、300Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能になっていることから、例えば100〜5Ω/□、好ましくは50〜5Ω/□の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常50〜300nmの間で用いられることが多い。 The resistance of the transparent electrode is not limited as long as it can supply a sufficient current for light emission of the light emitting element, but is preferably low resistance from the viewpoint of power consumption of the light emitting element. For example, an ITO substrate of 300Ω / □ or less functions as an element electrode. However, since it is now possible to supply a substrate of about 10Ω / □, for example, 100-5Ω / □, preferably 50-5Ω. It is particularly desirable to use a low resistance product of / □. The thickness of ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of 50 to 300 nm.
<有機電界発光素子における正孔注入層、正孔輸送層>
正孔注入層103は、陽極102から移動してくる正孔を、効率よく発光層105内または正孔輸送層104内に注入する役割を果たすものである。正孔輸送層104は、陽極102から注入された正孔または陽極102から正孔注入層103を介して注入された正孔を、効率よく発光層105に輸送する役割を果たすものである。正孔注入層103および正孔輸送層104は、それぞれ、正孔注入・輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔注入・輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。また、正孔注入・輸送材料に塩化鉄(III)のような無機塩を添加して層を形成してもよい。
<Hole injection layer and hole transport layer in organic electroluminescence device>
The
正孔注入・輸送性物質としては電界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率よく注入・輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率よく輸送することが望ましい。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。 As a hole injection / transport material, it is necessary to efficiently inject and transport holes from the positive electrode between electrodes to which an electric field is applied. The hole injection efficiency is high, and the injected holes are transported efficiently. It is desirable to do. For this purpose, it is preferable to use a substance that has a low ionization potential, a high hole mobility, excellent stability, and is less likely to generate trapping impurities during production and use.
正孔注入層103および正孔輸送層104を形成する材料としては、光導電材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されている化合物、p型半導体、有機電界発光素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。それらの具体例は、カルバゾール誘導体(N−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなど)、ビス(N−アリールカルバゾール)またはビス(N−アルキルカルバゾール)などのビスカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体(芳香族第3級アミノ基を主鎖あるいは側鎖に持つポリマー、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミン、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミン、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニル(フェニル)アミノ)トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、スターバーストアミン誘導体など)、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体(無金属、銅フタロシアニンなど)、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリシランなどである。ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。
As a material for forming the
また、有機半導体の導電性は、そのドーピングにより、強い影響を受けることも知られている。このような有機半導体マトリックス物質は、電子供与性の良好な化合物、または、電子受容性の良好な化合物から構成されている。電子供与物質のドーピングのために、テトラシアノキノンジメタン(TCNQ)または2,3,5,6−テトラフルオロテトラシアノ−1,4−ベンゾキノンジメタン(F4TCNQ)などの強い電子受容体が知られている(例えば、文献「M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)」および文献「J.Blochwitz,M.Pheiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(6),729-731(1998)」を参照)。これらは、電子供与型ベース物質(正孔輸送物質)における電子移動プロセスによって、いわゆる正孔を生成する。正孔の数および移動度によって、ベース物質の伝導性が、かなり大きく変化する。正孔輸送特性を有するマトリックス物質としては、例えばベンジジン誘導体(TPDなど)またはスターバーストアミン誘導体(TDATAなど)、あるいは、特定の金属フタロシアニン(特に、亜鉛フタロシアニンZnPcなど)が知られている(特開2005-167175号公報)。 It is also known that the conductivity of organic semiconductors is strongly influenced by the doping. Such an organic semiconductor matrix material is composed of a compound having a good electron donating property or a compound having a good electron accepting property. Strong electron acceptors such as tetracyanoquinone dimethane (TCNQ) or 2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinone dimethane (F4TCNQ) are known for doping of electron donor materials. (For example, the document “M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3202-3204 (1998)”) and the document “J. Blochwitz, M Pheiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (6), 729-731 (1998)). These generate so-called holes by an electron transfer process in an electron donating base material (hole transport material). Depending on the number and mobility of holes, the conductivity of the base material varies considerably. Known matrix substances having hole transporting properties include, for example, benzidine derivatives (TPD and the like), starburst amine derivatives (TDATA and the like), and specific metal phthalocyanines (particularly zinc phthalocyanine ZnPc and the like). 2005-167175).
<有機電界発光素子における発光層>
発光層105は、電界を与えられた電極間において、陽極102から注入された正孔と、陰極108から注入された電子とを再結合させることにより発光するものである。発光層105を形成する材料としては、正孔と電子との再結合によって励起されて発光する化合物(発光性化合物)であればよく、安定な薄膜形状を形成することができ、かつ、固体状態で強い発光(蛍光)効率を示す化合物であるのが好ましい。本発明では、発光層用の材料として、上記式(1)で表される化合物を用いることができる。
<Light emitting layer in organic electroluminescent element>
The light emitting layer 105 emits light by recombining holes injected from the anode 102 and electrons injected from the cathode 108 between electrodes to which an electric field is applied. The material for forming the light-emitting layer 105 may be a compound that emits light by being excited by recombination of holes and electrons (a light-emitting compound), can form a stable thin film shape, and is in a solid state It is preferable that the compound exhibits a strong light emission (fluorescence) efficiency. In the present invention, the compound represented by the above formula (1) can be used as the material for the light emitting layer.
発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光層用材料(ホスト材料、ドーパント材料)により形成される。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着してもよい。 The light emitting layer may be either a single layer or a plurality of layers, and each is formed of a light emitting layer material (host material, dopant material). Each of the host material and the dopant material may be one kind or a plurality of combinations. The dopant material may be included in the host material as a whole, or may be included partially. As a doping method, it can be formed by a co-evaporation method with a host material, but it may be pre-mixed with the host material and then simultaneously deposited.
ホスト材料の使用量はホスト材料の種類によって異なり、そのホスト材料の特性に合わせて決めればよい。ホスト材料の使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全体の50〜99.999重量%であり、より好ましくは80〜99.95重量%であり、さらに好ましくは90〜99.9重量%である。本発明にかかる上記式(1)で表される化合物は特にホスト材料とすることが好ましい。 The amount of the host material used varies depending on the type of the host material, and may be determined according to the characteristics of the host material. The amount of the host material used is preferably 50 to 99.999% by weight, more preferably 80 to 99.95% by weight, and still more preferably 90 to 99.9% by weight of the entire light emitting layer material. It is. The compound represented by the above formula (1) according to the present invention is particularly preferably a host material.
ドーパント材料の使用量はドーパント材料の種類によって異なり、そのドーパント材料の特性に合わせて決めればよい。ドーパントの使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全体の0.001〜50重量%であり、より好ましくは0.05〜20重量%であり、さらに好ましくは0.1〜10重量%である。上記の範囲であれば、例えば、濃度消光現象を防止できるという点で好ましい。 The amount of dopant material used depends on the type of dopant material, and may be determined according to the characteristics of the dopant material. The standard of the amount of dopant used is preferably 0.001 to 50% by weight, more preferably 0.05 to 20% by weight, and further preferably 0.1 to 10% by weight of the entire material for the light emitting layer. is there. The above range is preferable in that, for example, the concentration quenching phenomenon can be prevented.
本発明にかかる上記式(1)で表される化合物と併用することができるホスト材料としては、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合環誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体などが挙げられる。 Host materials that can be used in combination with the compound represented by the above formula (1) according to the present invention include fused ring derivatives such as anthracene and pyrene, bisstyrylanthracene derivatives and distyryl, which have been known as light emitters. Examples thereof include bisstyryl derivatives such as benzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, fluorene derivatives, and benzofluorene derivatives.
また、ドーパント材料としては、特に限定されるものではなく、既知の化合物を用いることができ、所望の発光色に応じて様々な材料の中から選択することができる。具体的には、例えば、フェナンスレン、アントラセン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、ペリレン、ナフトピレン、ジベンゾピレン、ルブレンおよびクリセンなどの縮合環誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体(特開平1−245087号公報)、ビススチリルアリーレン誘導体(特開平2−247278号公報)、ジアザインダセン誘導体、フラン誘導体、ベンゾフラン誘導体、フェニルイソベンゾフラン、ジメシチルイソベンゾフラン、ジ(2−メチルフェニル)イソベンゾフラン、ジ(2−トリフルオロメチルフェニル)イソベンゾフラン、フェニルイソベンゾフランなどのイソベンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、7−ジアルキルアミノクマリン誘導体、7−ピペリジノクマリン誘導体、7−ヒドロキシクマリン誘導体、7−メトキシクマリン誘導体、7−アセトキシクマリン誘導体、3−ベンズチアゾリルクマリン誘導体、3−ベンズイミダゾリルクマリン誘導体、3−ベンズオキサゾリルクマリン誘導体などのクマリン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、ジシアノメチレンチオピラン誘導体、ポリメチン誘導体、シアニン誘導体、オキソベンズアンスラセン誘導体、キサンテン誘導体、ローダミン誘導体、フルオレセイン誘導体、ピリリウム誘導体、カルボスチリル誘導体、アクリジン誘導体、オキサジン誘導体、フェニレンオキサイド誘導体、キナクリドン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、フロピリジン誘導体、1,2,5−チアジアゾロピレン誘導体、ピロメテン誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、アクリドン誘導体、デアザフラビン誘導体、フルオレン誘導体およびベンゾフルオレン誘導体などがあげられる。 Moreover, it does not specifically limit as dopant material, A known compound can be used and it can select from various materials according to a desired luminescent color. Specifically, for example, condensed ring derivatives such as phenanthrene, anthracene, pyrene, tetracene, pentacene, perylene, naphthopylene, dibenzopyrene, rubrene and chrysene, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, benzimidazole derivatives, benztriazole derivatives, oxazoles Derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, imidazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene derivatives, thiophene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, distyrylbenzene derivatives, etc. (JP-A-1-245087), bisstyrylarylene derivatives (JP-A-2-24727) Gazette), diazaindacene derivatives, furan derivatives, benzofuran derivatives, phenylisobenzofuran, dimesitylisobenzofuran, di (2-methylphenyl) isobenzofuran, di (2-trifluoromethylphenyl) isobenzofuran, phenylisobenzofuran, etc. Isobenzofuran derivatives, dibenzofuran derivatives, 7-dialkylaminocoumarin derivatives, 7-piperidinocoumarin derivatives, 7-hydroxycoumarin derivatives, 7-methoxycoumarin derivatives, 7-acetoxycoumarin derivatives, 3-benzthiazolylcoumarin derivatives, 3 -Coumarin derivatives such as benzimidazolyl coumarin derivatives and 3-benzoxazolyl coumarin derivatives, dicyanomethylenepyran derivatives, dicyanomethylenethiopyran derivatives, polymethine derivatives, Nin derivatives, oxobenzanthracene derivatives, xanthene derivatives, rhodamine derivatives, fluorescein derivatives, pyrylium derivatives, carbostyril derivatives, acridine derivatives, oxazine derivatives, phenylene oxide derivatives, quinacridone derivatives, quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, furopyridine derivatives, 1, Examples include 2,5-thiadiazolopyrene derivatives, pyromethene derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, squarylium derivatives, violanthrone derivatives, phenazine derivatives, acridone derivatives, deazaflavin derivatives, fluorene derivatives, and benzofluorene derivatives.
発色光ごとに例示すると、青〜青緑色ドーパント材料としては、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、フルオレン、インデン、クリセンなどの芳香族炭化水素化合物やその誘導体、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、9−シラフルオレン、9,9’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどの芳香族複素環化合物やその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、クマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体およびN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミンに代表される芳香族アミン誘導体などがあげられる。 Illustrated for each color light, blue to blue-green dopant materials include naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, triphenylene, perylene, fluorene, indene, chrysene and other aromatic hydrocarbon compounds and derivatives thereof, furan, pyrrole, thiophene, Aromatic heterocycles such as silole, 9-silafluorene, 9,9'-spirobisilafluorene, benzothiophene, benzofuran, indole, dibenzothiophene, dibenzofuran, imidazopyridine, phenanthroline, pyrazine, naphthyridine, quinoxaline, pyrrolopyridine, thioxanthene Ring compounds and their derivatives, distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, stilbene derivatives, aldazine derivatives, coumarin derivatives, imidazoles, thiazoles, thiadiazos Azole derivatives such as sulfazole, carbazole, oxazole, oxadiazole, triazole and metal complexes thereof and N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -4,4′-diphenyl-1,1 Examples include aromatic amine derivatives represented by '-diamine.
また、緑〜黄色ドーパント材料としては、クマリン誘導体、フタルイミド誘導体、ナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、シクロペンタジエン誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体およびルブレンなどのナフタセン誘導体などがあげられ、さらに上記青〜青緑色ドーパント材料として例示した化合物に、アリール基、ヘテロアリール基、アリールビニル基、アミノ基、シアノ基など長波長化を可能とする置換基を導入した化合物も好適な例としてあげられる。 Examples of green to yellow dopant materials include coumarin derivatives, phthalimide derivatives, naphthalimide derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, cyclopentadiene derivatives, acridone derivatives, quinacridone derivatives, and naphthacene derivatives such as rubrene, and the above blue A compound in which a substituent capable of increasing the wavelength such as an aryl group, a heteroaryl group, an arylvinyl group, an amino group, or a cyano group is introduced into the compound exemplified as the blue-green dopant material is also a suitable example.
さらに、橙〜赤色ドーパント材料としては、ビス(ジイソプロピルフェニル)ペリレンテトラカルボン酸イミドなどのナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、アセチルアセトンやベンゾイルアセトンとフェナントロリンなどを配位子とするEu錯体などの希土類錯体、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピランやその類縁体、マグネシウムフタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニンなどの金属フタロシアニン誘導体、ローダミン化合物、デアザフラビン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、フェノキサジン誘導体、オキサジン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、フェノキサゾン誘導体およびチアジアゾロピレン誘導体などあげられ、さらに上記青〜青緑色および緑〜黄色ドーパント材料として例示した化合物に、アリール基、ヘテロアリール基、アリールビニル基、アミノ基、シアノ基など長波長化を可能とする置換基を導入した化合物も好適な例としてあげられる。 Further, examples of the orange to red dopant material include naphthalimide derivatives such as bis (diisopropylphenyl) perylenetetracarboxylic imide, perinone derivatives, rare earth complexes such as Eu complexes having acetylacetone, benzoylacetone and phenanthroline as ligands, 4 -(Dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran and its analogs, metal phthalocyanine derivatives such as magnesium phthalocyanine and aluminum chlorophthalocyanine, rhodamine compounds, deazaflavin derivatives, coumarin derivatives, quinacridone Derivatives, phenoxazine derivatives, oxazine derivatives, quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, squarylium derivatives, violanthrone derivatives, phenazine derivatives, phenoxazones Conductors and thiadiazolopyrene derivatives, etc., and longer wavelengths such as aryl groups, heteroaryl groups, arylvinyl groups, amino groups, and cyano groups can be added to the compounds exemplified above as blue to blue-green and green to yellow dopant materials. A compound into which a substituent is introduced is also a suitable example.
その他、ドーパントとしては、化学工業2004年6月号13頁、および、それにあげられた参考文献などに記載された化合物などの中から適宜選択して用いることができる。 In addition, as a dopant, it can select and use suitably from the compound etc. which were described in the chemical industry June, 2004 issue page 13, and the reference cited up.
上述するドーパント材料の中でも、特にスチルベン構造を有するアミン、ペリレン誘導体、ボラン誘導体、芳香族アミン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体またはピレン誘導体が好ましい。 Among the dopant materials described above, amines having a stilbene structure, perylene derivatives, borane derivatives, aromatic amine derivatives, coumarin derivatives, pyran derivatives or pyrene derivatives are particularly preferable.
スチルベン構造を有するアミンは、例えば、下記式で表される。
スチルベン構造を有するアミンは、下記式で表されるジアミノスチルベンがより好ましい。
炭素数6〜30のアリールの具体例は、ベンゼン、ナフタレン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ペリレン、スチルベン、ジスチリルベンゼン、ジスチリルビフェニル、ジスチリルフルオレンなどが挙げられる。 Specific examples of the aryl having 6 to 30 carbon atoms include benzene, naphthalene, acenaphthylene, fluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, perylene, stilbene, distyrylbenzene, distyrylbiphenyl, and distyryl. Examples include fluorene.
スチルベン構造を有するアミンの具体例は、N,N,N’,N’−テトラ(4−ビフェニリル)−4,4’−ジアミノスチルベン、N,N,N’,N’−テトラ(1−ナフチル)−4,4’−ジアミノスチルベン、N,N,N’,N’−テトラ(2−ナフチル)−4,4’−ジアミノスチルベン、N,N’−ジ(2−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジアミノスチルベン、N,N’−ジ(9−フェナントリル)−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジアミノスチルベン、4,4’−ビス[4”−ビス(ジフェニルアミノ)スチリル]−ビフェニル、1,4−ビス[4’−ビス(ジフェニルアミノ)スチリル]−ベンゼン、2,7−ビス[4’−ビス(ジフェニルアミノ)スチリル]−9,9−ジメチルフルオレン、4,4’−ビス(9−エチル−3−カルバゾビニレン)−ビフェニル、4,4’−ビス(9−フェニル−3−カルバゾビニレン)−ビフェニルなどが挙げられる。
また、特開2003-347056号公報、および特開2001-307884号公報等に記載されたスチルベン構造を有するアミンを用いてもよい。
Specific examples of amines having a stilbene structure include N, N, N ′, N′-tetra (4-biphenylyl) -4,4′-diaminostilbene, N, N, N ′, N′-tetra (1-naphthyl) ) -4,4′-diaminostilbene, N, N, N ′, N′-tetra (2-naphthyl) -4,4′-diaminostilbene, N, N′-di (2-naphthyl) -N, N '-Diphenyl-4,4'-diaminostilbene, N, N'-di (9-phenanthryl) -N, N'-diphenyl-4,4'-diaminostilbene, 4,4'-bis [4 "-bis (Diphenylamino) styryl] -biphenyl, 1,4-bis [4′-bis (diphenylamino) styryl] -benzene, 2,7-bis [4′-bis (diphenylamino) styryl] -9,9-dimethyl Fluorene, 4,4′-bis (9-ethyl-3-cal And bazovinylene) -biphenyl and 4,4′-bis (9-phenyl-3-carbazovinylene) -biphenyl.
Moreover, you may use the amine which has a stilbene structure described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-347056, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-307884, etc.
ペリレン誘導体としては、例えば、3,10−ビス(2,6−ジメチルフェニル)ペリレン、3,10−ビス(2,4,6−トリメチルフェニル)ペリレン、3,10−ジフェニルペリレン、3,4−ジフェニルペリレン、2,5,8,11−テトラ−t−ブチルペリレン、3,4,9,10−テトラフェニルペリレン、3−(1’−ピレニル)−8,11−ジ(t−ブチル)ペリレン、3−(9’−アントリル)−8,11−ジ(t−ブチル)ペリレン、3,3’−ビス(8,11−ジ(t−ブチル)ペリレニル)などがあげられる。
また、特開平11-97178号公報、特開2000-133457号公報、特開2000-26324号公報、特開2001-267079号公報、特開2001-267078号公報、特開2001-267076号公報、特開2000-34234号公報、特開2001-267075号公報、および特開2001-217077号公報などに記載されたペリレン誘導体を用いてもよい。
Examples of perylene derivatives include 3,10-bis (2,6-dimethylphenyl) perylene, 3,10-bis (2,4,6-trimethylphenyl) perylene, 3,10-diphenylperylene, 3,4- Diphenylperylene, 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene, 3,4,9,10-tetraphenylperylene, 3- (1'-pyrenyl) -8,11-di (t-butyl) perylene 3- (9′-anthryl) -8,11-di (t-butyl) perylene, 3,3′-bis (8,11-di (t-butyl) perylenyl), and the like.
JP-A-11-97178, JP-A-2000-133457, JP-A-2000-26324, JP-A-2001-267079, JP-A-2001-267078, JP-A-2001-267076, Perylene derivatives described in JP-A No. 2000-34234, JP-A No. 2001-267075, JP-A No. 2001-217077 and the like may be used.
ボラン誘導体としては、例えば、1,8−ジフェニル−10−(ジメシチルボリル)アントラセン、9−フェニル−10−(ジメシチルボリル)アントラセン、4−(9’−アントリル)ジメシチルボリルナフタレン、4−(10’−フェニル−9’−アントリル)ジメシチルボリルナフタレン、9−(ジメシチルボリル)アントラセン、9−(4’−ビフェニリル)−10−(ジメシチルボリル)アントラセン、9−(4’−(N−カルバゾリル)フェニル)−10−(ジメシチルボリル)アントラセンなどがあげられる。
また、国際公開第2000/40586号パンフレットなどに記載されたボラン誘導体を用いてもよい。
Examples of the borane derivative include 1,8-diphenyl-10- (dimesitylboryl) anthracene, 9-phenyl-10- (dimesitylboryl) anthracene, 4- (9′-anthryl) dimesitylborylnaphthalene, 4- (10 ′). -Phenyl-9'-anthryl) dimesitylborylnaphthalene, 9- (dimesitylboryl) anthracene, 9- (4'-biphenylyl) -10- (dimesitylboryl) anthracene, 9- (4 '-(N-carbazolyl) phenyl) -10- (Dimesitylboryl) anthracene and the like.
Moreover, you may use the borane derivative described in the international publication 2000/40586 pamphlet.
芳香族アミン誘導体は、例えば、下記式で表される。
特に、Ar4がアントラセン、クリセンまたはピレンに由来する2価の基であり、Ar5およびAr6がそれぞれ独立して炭素数6〜30のアリールであり、Ar4〜Ar6は置換されていてもよく、そして、nは2である、芳香族アミン誘導体がより好ましい。 In particular, Ar 4 is a divalent group derived from anthracene, chrysene or pyrene, Ar 5 and Ar 6 are each independently an aryl having 6 to 30 carbon atoms, and Ar 4 to Ar 6 are substituted. An aromatic amine derivative in which n is 2 and n is 2 is more preferable.
炭素数6〜30のアリールの具体例は、ベンゼン、ナフタレン、アセナフチレン、フルオレンフェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ペリレン、ペンタセンなどが挙げられる。 Specific examples of the aryl having 6 to 30 carbon atoms include benzene, naphthalene, acenaphthylene, fluorenephenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, perylene, and pentacene.
芳香族アミン誘導体としては、クリセン系としては、例えば、N,N,N’,N’−テトラフェニルクリセン−6,12−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(p−トリル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(m−トリル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(4−イソプロピルフェニル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(ナフタレン−2−イル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(p−トリル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−t−ブチルフェニル)クリセン−6,12−ジアミン、N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)−N,N’−ジ(p−トリル)クリセン−6,12−ジアミンなどが挙げられる。 Examples of the aromatic amine derivative include chrysene-based compounds such as N, N, N ′, N′-tetraphenylchrysene-6,12-diamine, N, N, N ′, N′-tetra (p-tolyl). Chrysene-6,12-diamine, N, N, N ′, N′-tetra (m-tolyl) chrysene-6,12-diamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (4-isopropylphenyl) chrysene -6,12-diamine, N, N, N ', N'-tetra (naphthalen-2-yl) chrysene-6,12-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-di (p-tolyl) ) Chrysene-6,12-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (4-ethylphenyl) chrysene-6,12-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-bis ( 4-ethylphenyl) chrysene-6 2-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (4-isopropylphenyl) chrysene-6,12-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (4-t-butyl) Phenyl) chrysene-6,12-diamine, N, N′-bis (4-isopropylphenyl) -N, N′-di (p-tolyl) chrysene-6,12-diamine, and the like.
また、ピレン系としては、例えば、N,N,N’,N’−テトラフェニルピレン−1,6−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(p−トリル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(m−トリル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(4−イソプロピルフェニル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(3,4−ジメチルフェニル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(p−トリル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−t−ブチルフェニル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)−N,N’−ジ(p−トリル)ピレン−1,6−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(3,4−ジメチルフェニル)−3,8−ジフェニルピレン−1,6−ジアミンなどが挙げられる。 Examples of the pyrene-based compound include N, N, N ′, N′-tetraphenylpyrene-1,6-diamine, N, N, N ′, N′-tetra (p-tolyl) pyrene-1,6. -Diamine, N, N, N ', N'-tetra (m-tolyl) pyrene-1,6-diamine, N, N, N', N'-tetrakis (4-isopropylphenyl) pyrene-1,6- Diamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (3,4-dimethylphenyl) pyrene-1,6-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-di (p-tolyl) pyrene-1 , 6-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (4-ethylphenyl) pyrene-1,6-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (4-ethylphenyl) ) Pyrene-1,6-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'- Su (4-isopropylphenyl) pyrene-1,6-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (4-t-butylphenyl) pyrene-1,6-diamine, N, N′-bis (4-Isopropylphenyl) -N, N′-di (p-tolyl) pyrene-1,6-diamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (3,4-dimethylphenyl) -3,8- And diphenylpyrene-1,6-diamine.
また、アントラセン系としては、例えば、N,N,N,N−テトラフェニルアントラセン−9,10−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(p−トリル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(m−トリル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(4−イソプロピルフェニル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(p−トリル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−t−ブチルフェニル)アントラセン−9,10−ジアミン、N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)−N,N’−ジ(p−トリル)アントラセン−9,10−ジアミン、2,6−ジ−t−ブチル−N,N,N’,N’−テトラ(p−トリル)アントラセン−9,10−ジアミン、2,6−ジ−t−ブチル−N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)アントラセン−9,10−ジアミン、2,6−ジ−t−ブチル−N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)−N,N’−ジ(p−トリル)アントラセン−9,10−ジアミン、2,6−ジシクロヘキシル−N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)−N,N’−ジ(p−トリル)アントラセン−9,10−ジアミン、2,6−ジシクロヘキシル−N,N’−ビス(4−イソプロピルフェニル)−N,N’−ビス(4−t−ブチルフェニル)アントラセン−9,10−ジアミン、9,10−ビス(4−ジフェニルアミノ−フェニル)アントラセン、9,10−ビス(4−ジ(1−ナフチルアミノ)フェニル)アントラセン、9,10−ビス(4−ジ(2−ナフチルアミノ)フェニル)アントラセン、10−ジ−p−トリルアミノ−9−(4−ジ−p−トリルアミノ−1−ナフチル)アントラセン、10−ジフェニルアミノ−9−(4−ジフェニルアミノ−1−ナフチル)アントラセン、10−ジフェニルアミノ−9−(6−ジフェニルアミノ−2−ナフチル)アントラセンなどが挙げられる。 Examples of the anthracene system include N, N, N, N-tetraphenylanthracene-9,10-diamine, N, N, N ′, N′-tetra (p-tolyl) anthracene-9,10-diamine. N, N, N ′, N′-tetra (m-tolyl) anthracene-9,10-diamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (4-isopropylphenyl) anthracene-9,10-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-di (p-tolyl) anthracene-9,10-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-di (m-tolyl) anthracene-9,10- Diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (4-ethylphenyl) anthracene-9,10-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (4-ethylphenyl) anthrace -9,10-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (4-isopropylphenyl) anthracene-9,10-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (4- t-butylphenyl) anthracene-9,10-diamine, N, N′-bis (4-isopropylphenyl) -N, N′-di (p-tolyl) anthracene-9,10-diamine, 2,6-di -T-butyl-N, N, N ', N'-tetra (p-tolyl) anthracene-9,10-diamine, 2,6-di-t-butyl-N, N'-diphenyl-N, N' -Bis (4-isopropylphenyl) anthracene-9,10-diamine, 2,6-di-t-butyl-N, N'-bis (4-isopropylphenyl) -N, N'-di (p-tolyl) Anthracene-9,10-diamy 2,6-dicyclohexyl-N, N′-bis (4-isopropylphenyl) -N, N′-di (p-tolyl) anthracene-9,10-diamine, 2,6-dicyclohexyl-N, N′- Bis (4-isopropylphenyl) -N, N′-bis (4-t-butylphenyl) anthracene-9,10-diamine, 9,10-bis (4-diphenylamino-phenyl) anthracene, 9,10-bis (4-Di (1-naphthylamino) phenyl) anthracene, 9,10-bis (4-di (2-naphthylamino) phenyl) anthracene, 10-di-p-tolylamino-9- (4-di-p- Tolylamino-1-naphthyl) anthracene, 10-diphenylamino-9- (4-diphenylamino-1-naphthyl) anthracene, 10-diphenylamino- And 9- (6-diphenylamino-2-naphthyl) anthracene.
また、ピレン系としては、例えば、N,N,N,N−テトラフェニル−1,8−ピレン−1,6−ジアミン、N−ビフェニル−4イル−N−ビフェニル−1,8−ピレン−1,6−ジアミン、N1,N6−ジフェニル−N1,N6−ビス−(4−トリメチルシラニル−フェニル)−1H,8H−ピレン−1,6−ジアミンなどが挙げられる。
Examples of pyrene-based compounds include N, N, N, N-tetraphenyl-1,8-pyrene-1,6-diamine and N-biphenyl-4-yl-N-biphenyl-1,8-pyrene-1. , 6-diamine,
また、他には、[4−(4−ジフェニルアミノ−フェニル)ナフタレン−1−イル]−ジフェニルアミン、[6−(4−ジフェニルアミノ−フェニル)ナフタレン−2−イル]−ジフェニルアミン、4,4’−ビス[4−ジフェニルアミノナフタレン−1−イル]ビフェニル、4,4’−ビス[6−ジフェニルアミノナフタレン−2−イル]ビフェニル、4,4”−ビス[4−ジフェニルアミノナフタレン−1−イル]−p−テルフェニル、4,4”−ビス[6−ジフェニルアミノナフタレン−2−イル]−p−テルフェニルなどがあげられる。
また、特開2006-156888号公報などに記載された芳香族アミン誘導体を用いてもよい。
Other examples include [4- (4-diphenylamino-phenyl) naphthalen-1-yl] -diphenylamine, [6- (4-diphenylamino-phenyl) naphthalen-2-yl] -diphenylamine, 4,4 ′. -Bis [4-diphenylaminonaphthalen-1-yl] biphenyl, 4,4'-bis [6-diphenylaminonaphthalen-2-yl] biphenyl, 4,4 "-bis [4-diphenylaminonaphthalen-1-yl] ] -P-terphenyl, 4,4 "-bis [6-diphenylaminonaphthalen-2-yl] -p-terphenyl, and the like.
Moreover, you may use the aromatic amine derivative described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-156888.
クマリン誘導体としては、クマリン−6、クマリン−334などがあげられる。
また、特開2004-43646号公報、特開2001-76876号公報、および特開平6-298758号公報などに記載されたクマリン誘導体を用いてもよい。
Examples of the coumarin derivative include coumarin-6 and coumarin-334.
Moreover, you may use the coumarin derivative described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-43646, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-76876, and Unexamined-Japanese-Patent No. 6-298758.
ピラン誘導体としては、下記のDCM、DCJTBなどがあげられる。
<有機電界発光素子における電子注入層、電子輸送層>
電子注入層107は、陰極108から移動してくる電子を、効率よく発光層105内または電子輸送層106内に注入する役割を果たすものである。電子輸送層106は、陰極108から注入された電子または陰極108から電子注入層107を介して注入された電子を、効率よく発光層105に輸送する役割を果たすものである。電子輸送層106および電子注入層107は、それぞれ、電子輸送・注入材料の一種または二種以上を積層、混合するか、電子輸送・注入材料と高分子結着剤の混合物により形成される。
<Electron injection layer and electron transport layer in organic electroluminescence device>
The electron injection layer 107 plays a role of efficiently injecting electrons moving from the cathode 108 into the light emitting layer 105 or the electron transport layer 106. The electron transport layer 106 plays a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 108 or electrons injected from the cathode 108 through the electron injection layer 107 to the light emitting layer 105. The electron transport layer 106 and the electron injection layer 107 are each formed by laminating and mixing one or more electron transport / injection materials or a mixture of the electron transport / injection material and the polymer binder.
電子注入・輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することをつかさどる層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本実施形態における電子注入・輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる層の機能も含まれてもよい。 The electron injection / transport layer is a layer that is responsible for injecting electrons from the cathode and further transporting the electrons. It is desirable that the electron injection efficiency is high and the injected electrons are transported efficiently. For this purpose, it is preferable to use a substance that has a high electron affinity, a high electron mobility, excellent stability, and is unlikely to generate trapping impurities during production and use. However, considering the transport balance between holes and electrons, if the role of effectively preventing the holes from the anode from flowing to the cathode side without recombination is mainly played, the electron transport capability is much higher. Even if it is not high, the effect of improving the luminous efficiency is equivalent to that of a material having a high electron transport capability. Therefore, the electron injection / transport layer in this embodiment may include a function of a layer that can efficiently block the movement of holes.
電子輸送層106または電子注入層107を形成する材料(電子輸送材料)としては、光導電材料において電子伝達化合物として従来から慣用されている化合物、有機電界発光素子の電子注入層および電子輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。 As a material (electron transport material) for forming the electron transport layer 106 or the electron injection layer 107, a compound conventionally used as an electron transport compound in a photoconductive material, an electron injection layer and an electron transport layer of an organic electroluminescent element can be used. It can be arbitrarily selected from known compounds used.
電子輸送層または電子注入層に用いられる材料としては、炭素、水素、酸素、硫黄、ケイ素およびリンの中から選ばれる一種以上の原子で構成される芳香環もしくは複素芳香環からなる化合物、ピロール誘導体およびその縮合環誘導体および電子受容性窒素を有する金属錯体の中から選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。具体的には、ナフタレン、アントラセンなどの縮合環系芳香環誘導体、4,4’−ビス(ジフェニルエテニル)ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、カルバゾール誘導体およびインドール誘導体などがあげられる。電子受容性窒素を有する金属錯体としては、例えば、ヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。これらの材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。 Materials used for the electron transport layer or the electron injection layer include compounds composed of aromatic rings or heteroaromatic rings composed of one or more atoms selected from carbon, hydrogen, oxygen, sulfur, silicon, and phosphorus, and pyrrole derivatives. And at least one selected from the condensed ring derivatives thereof and metal complexes having electron-accepting nitrogen. Specifically, condensed ring aromatic ring derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives represented by 4,4′-bis (diphenylethenyl) biphenyl, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, anthraquinones And quinone derivatives such as diphenoquinone, phosphorus oxide derivatives, carbazole derivatives, and indole derivatives. Examples of metal complexes having electron-accepting nitrogen include hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, and benzoquinoline metal complexes. These materials can be used alone or in combination with different materials.
また、他の電子伝達化合物の具体例として、ピリジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体(1,3−ビス[(4−t−ブチルフェニル)1,3,4−オキサジアゾリル]フェニレンなど)、チオフェン誘導体、トリアゾール誘導体(N−ナフチル−2,5−ジフェニル−1,3,4−トリアゾールなど)、チアジアゾール誘導体、オキシン誘導体の金属錯体、キノリノール系金属錯体、キノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体のポリマー、ベンザゾール類化合物、ガリウム錯体、ピラゾール誘導体、パーフルオロ化フェニレン誘導体、トリアジン誘導体、ピラジン誘導体、ベンゾキノリン誘導体(2,2’−ビス(ベンゾ[h]キノリン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレンなど)、イミダゾピリジン誘導体、ボラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体(トリス(N−フェニルベンズイミダゾール−2−イル)ベンゼンなど)、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、キノリン誘導体、テルピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、テルピリジン誘導体(1,3−ビス(4’−(2,2’:6’2”−テルピリジニル))ベンゼンなど)、ナフチリジン誘導体(ビス(1−ナフチル)−4−(1,8−ナフチリジン−2−イル)フェニルホスフィンオキサイドなど)、アルダジン誘導体、カルバゾール誘導体、インドール誘導体、リンオキサイド誘導体、ビススチリル誘導体などがあげられる。 Specific examples of other electron transfer compounds include pyridine derivatives, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthroline derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, diphenylquinone derivatives, perylene derivatives, oxadiazoles. Derivatives (1,3-bis [(4-t-butylphenyl) 1,3,4-oxadiazolyl] phenylene, etc.), thiophene derivatives, triazole derivatives (N-naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4- Triazole, etc.), thiadiazole derivatives, metal complexes of oxine derivatives, quinolinol metal complexes, quinoxaline derivatives, polymers of quinoxaline derivatives, benzazole compounds, gallium complexes, pyrazole derivatives, perfluorinated phen Lene derivatives, triazine derivatives, pyrazine derivatives, benzoquinoline derivatives (2,2′-bis (benzo [h] quinolin-2-yl) -9,9′-spirobifluorene, etc.), imidazopyridine derivatives, borane derivatives, benz Imidazole derivatives (such as tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene), benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, quinoline derivatives, oligopyridine derivatives such as terpyridine, bipyridine derivatives, terpyridine derivatives (1,3-bis (4 '-(2,2': 6'2 "-terpyridinyl)) benzene), naphthyridine derivatives (bis (1-naphthyl) -4- (1,8-naphthyridin-2-yl) phenylphosphine oxide), aldazine Derivatives, carbazole derivatives, India Le derivatives, phosphorus oxide derivatives, such as bis-styryl derivatives.
また、電子受容性窒素を有する金属錯体を用いることもでき、例えば、キノリノール系金属錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。 In addition, metal complexes having electron-accepting nitrogen can also be used, such as hydroxyazole complexes such as quinolinol-based metal complexes and hydroxyphenyloxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, and benzoquinoline metal complexes. can give.
上述した材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。 Although the above-mentioned materials are used alone, they may be mixed with different materials.
上述した材料の中でも、キノリノール系金属錯体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体またはボラン誘導体が好ましい。 Among the materials described above, quinolinol-based metal complexes, bipyridine derivatives, phenanthroline derivatives, or borane derivatives are preferable.
キノリノール系金属錯体は、下記一般式(E−1)で表される化合物である。
キノリノール系金属錯体の具体例としては、8−キノリノールリチウム、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(3,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4,5−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(フェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(4−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(4−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,3−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,6−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3,4−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3,5−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3,5−ジ−t−ブチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,6−ジフェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,4,6−トリフェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,4,6−トリメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,4,5,6−テトラメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)(2−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)(3−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)(4−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)(3,5−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)(3,5−ジ−t−ブチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリン)ベリリウムなどがあげられる。 Specific examples of the quinolinol-based metal complex include 8-quinolinol lithium, tris (8-quinolinolato) aluminum, tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (3 , 4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (4,5-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (4,6-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) ( Phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-methylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3-methylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8- Quinolinolato) (4-me Ruphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-phenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3-phenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8- Quinolinolato) (4-phenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,3-dimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-dimethylphenolate) ) Aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,4-dimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl) -8-quinolinolate) (3,5-di-tert-butyl) Ruphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-diphenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-triphenylphenolate) aluminum, bis (2-Methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-trimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,5,6-tetramethylphenolate) aluminum, bis ( 2-methyl-8-quinolinolato) (1-naphtholato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-naphtholato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (2-phenylphenolate) ) Aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) ) (3-phenylphenolate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenol) Lat) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-di-t-butylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2 -Methyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-4-ethyl) -8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-4-ethyl-8) Quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-4-methoxy-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-4-methoxy-8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-5-cyano- 8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis ( 2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (10-hydroxybenzo [h] quinoline) beryllium and the like.
ビピリジン誘導体は、下記一般式(E−2)で表される化合物である。
一般式(E−2)のGとしては、例えば、以下の構造式のものがあげられる。なお、下記構造式中のRは、それぞれ独立して、水素、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、ビフェニリルまたはテルフェニリルである。
ピリジン誘導体の具体例としては、2,5−ビス(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール、2,5−ビス(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,1−ジメチル−3,4−ジメシチルシロール、2,5−ビス(2,2’−ビピリジン−5−イル)−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール、2,5−ビス(2,2’−ビピリジン−5−イル)−1,1−ジメチル−3,4−ジメシチルシロール、9,10−ジ(2,2’−ビピリジン−6−イル)アントラセン、9,10−ジ(2,2’−ビピリジン−5−イル)アントラセン、9,10−ジ(2,3’−ビピリジン−6−イル)アントラセン、9,10−ジ(2,3’−ビピリジン−5−イル)アントラセン、9,10−ジ(2,3’−ビピリジン−6−イル)−2−フェニルアントラセン、9,10−ジ(2,3’−ビピリジン−5−イル)−2−フェニルアントラセン、9,10−ジ(2,2’−ビピリジン−6−イル)−2−フェニルアントラセン、9,10−ジ(2,2’−ビピリジン−5−イル)−2−フェニルアントラセン、9,10−ジ(2,4’−ビピリジン−6−イル)−2−フェニルアントラセン、9,10−ジ(2,4’−ビピリジン−5−イル)−2−フェニルアントラセン、9,10−ジ(3,4’−ビピリジン−6−イル)−2−フェニルアントラセン、9,10−ジ(3,4’−ビピリジン−5−イル)−2−フェニルアントラセン、3,4−ジフェニル−2,5−ジ(2,2’−ビピリジン−6−イル)チオフェン、3,4−ジフェニル−2,5−ジ(2,3’−ビピリジン−5−イル)チオフェン、6’6”−ジ(2−ピリジル)2,2’:4’,4”:2”,2”’−クアテルピリジンなどがあげられる。 Specific examples of the pyridine derivative include 2,5-bis (2,2′-bipyridin-6-yl) -1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole, 2,5-bis (2,2′- Bipyridin-6-yl) -1,1-dimethyl-3,4-dimesitylsilole, 2,5-bis (2,2′-bipyridin-5-yl) -1,1-dimethyl-3,4 Diphenylsilole, 2,5-bis (2,2′-bipyridin-5-yl) -1,1-dimethyl-3,4-dimesitylsilole, 9,10-di (2,2′-bipyridine-6) -Yl) anthracene, 9,10-di (2,2'-bipyridin-5-yl) anthracene, 9,10-di (2,3'-bipyridin-6-yl) anthracene, 9,10-di (2 , 3′-bipyridin-5-yl) anthracene, 9,10-di (2, '-Bipyridin-6-yl) -2-phenylanthracene, 9,10-di (2,3'-bipyridin-5-yl) -2-phenylanthracene, 9,10-di (2,2'-bipyridine) 6-yl) -2-phenylanthracene, 9,10-di (2,2′-bipyridin-5-yl) -2-phenylanthracene, 9,10-di (2,4′-bipyridin-6-yl) 2-phenylanthracene, 9,10-di (2,4′-bipyridin-5-yl) -2-phenylanthracene, 9,10-di (3,4′-bipyridin-6-yl) -2-phenyl Anthracene, 9,10-di (3,4'-bipyridin-5-yl) -2-phenylanthracene, 3,4-diphenyl-2,5-di (2,2′-bipyridin-6-yl) thiophene, 3,4-dipheni -2,5-di (2,3'-bipyridin-5-yl) thiophene, 6'6 "-di (2-pyridyl) 2,2 ': 4', 4": 2 ", 2" '-qua Examples include terpyridine.
フェナントロリン誘導体は、下記一般式(E−3−1)または(E−3−2)で表される化合物である。
フェナントロリン誘導体の具体例としては、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、9,10−ジ(1,10−フェナントロリン−2−イル)アントラセン、2,6−ジ(1,10−フェナントロリン−5−イル)ピリジン、1,3,5−トリ(1,10−フェナントロリン−5−イル)ベンゼン、9,9’−ジフルオル−ビス(1,10−フェナントロリン−5−イル)、バソクプロインや1,3−ビス(2−フェニル−1,10−フェナントロリン−9−イル)ベンゼンなどがあげられる。 Specific examples of the phenanthroline derivative include 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 9,10-di (1,10-phenanthroline- 2-yl) anthracene, 2,6-di (1,10-phenanthroline-5-yl) pyridine, 1,3,5-tri (1,10-phenanthroline-5-yl) benzene, 9,9′-difluor -Bis (1,10-phenanthroline-5-yl), bathocuproin, 1,3-bis (2-phenyl-1,10-phenanthroline-9-yl) benzene and the like.
特に、フェナントロリン誘導体を電子輸送層、電子注入層に用いた場合について説明する。長時間にわたって安定な発光を得るには、熱的安定性や薄膜形成性に優れた材料が望まれ、フェナントロリン誘導体の中でも、置換基自身が三次元的立体構造を有するか、フェナントロリン骨格とのあるいは隣接置換基との立体反発により三次元的立体構造を有するもの、あるいは複数のフェナントロリン骨格を連結したものが好ましい。さらに、複数のフェナントロリン骨格を連結する場合、連結ユニット中に共役結合、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素、置換もしくは無置換の芳香複素環を含んでいる化合物がより好ましい。 In particular, the case where a phenanthroline derivative is used for an electron transport layer and an electron injection layer will be described. In order to obtain stable light emission over a long period of time, a material excellent in thermal stability and thin film formation is desired, and among phenanthroline derivatives, the substituent itself has a three-dimensional structure, or a phenanthroline skeleton or Those having a three-dimensional structure by steric repulsion with an adjacent substituent or those having a plurality of phenanthroline skeletons linked to each other are preferred. Furthermore, when linking a plurality of phenanthroline skeletons, a compound containing a conjugated bond, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle in the linking unit is more preferable.
ボラン誘導体は、下記一般式(E−4)で表される化合物であり、詳細には特開2007-27587号公報に開示されている。
上記一般式(E−4)で表される化合物の中でも、下記一般式(E−4−1)で表される化合物、さらに下記一般式(E−4−1−1)〜(E−4−1−4)で表される化合物が好ましい。具体例としては、9−[4−(4−ジメシチルボリルナフタレン−1−イル)フェニル]カルバゾール、9−[4−(4−ジメシチルボリルナフタレン−1−イル)ナフタレン−1−イル]カルバゾールなどがあげられる。
上記一般式(E−4)で表される化合物の中でも、下記一般式(E−4−2)で表される化合物、さらに下記一般式(E−4−2−1)で表される化合物が好ましい。
上記一般式(E−4)で表される化合物の中でも、下記一般式(E−4−3)で表される化合物、さらに下記一般式(E−4−3−1)または(E−4−3−2)で表される化合物が好ましい。
ベンゾイミダゾール誘導体は、下記一般式(E−5)で表される化合物である。
炭素数6〜30のアリールの具体例は、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、アセナフチレン−1−イル、アセナフチレン−3−イル、アセナフチレン−4−イル、アセナフチレン−5−イル、フルオレン−1−イル、フルオレン−2−イル、フルオレン−3−イル、フルオレン−4−イル、フルオレン−9−イル、フェナレン−1−イル、フェナレン−2−イル、1−フェナントリル、2−フェナントリル、3−フェナントリル、4−フェナントリル,9−フェナントリル、1−アントリル、2−アントリル、9−アントリル、フルオランテン−1−イル、フルオランテン−2−イル、フルオランテン−3−イル、フルオランテン−7−イル、フルオランテン−8−イル、トリフェニレン−1−イル、トリフェニレン−2−イル、ピレン−1−イル、ピレン−2−イル、ピレン−4−イル、クリセン−1−イル、クリセン−2−イル、クリセン−3−イル、クリセン−4−イル、クリセン−5−イル、クリセン−6−イル、ナフタセン−1−イル、ナフタセン−2−イル、ナフタセン−5−イル、ペリレン−1−イル、ペリレン−2−イル、ペリレン−3−イル、ペンタセン−1−イル、ペンタセン−2−イル、ペンタセン−5−イル、ペンタセン−6−イルである。 Specific examples of the aryl having 6 to 30 carbon atoms include phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, acenaphthylene-1-yl, acenaphthylene-3-yl, acenaphthylene-4-yl, acenaphthylene-5-yl, and fluorene-1- Yl, fluoren-2-yl, fluoren-3-yl, fluoren-4-yl, fluoren-9-yl, phenalen-1-yl, phenalen-2-yl, 1-phenanthryl, 2-phenanthryl, 3-phenanthryl, 4-phenanthryl, 9-phenanthryl, 1-anthryl, 2-anthryl, 9-anthryl, fluoranthen-1-yl, fluoranthen-2-yl, fluoranthen-3-yl, fluoranthen-7-yl, fluoranthen-8-yl, Triphenylene-1-yl, triphenylene-2-yl, pyreth -1-yl, pyren-2-yl, pyren-4-yl, chrysen-1-yl, chrysen-2-yl, chrysen-3-yl, chrysen-4-yl, chrysen-5-yl, chrysene-6 -Yl, naphthacene-1-yl, naphthacene-2-yl, naphthacene-5-yl, perylene-1-yl, perylene-2-yl, perylene-3-yl, pentacene-1-yl, pentasen-2-yl , Pentacene-5-yl and pentacene-6-yl.
ベンゾイミダゾール誘導体の具体例は、1−フェニル−2−(4−(10−フェニルアントラセン−9−イル)フェニル)−1H−ベンゾ[d]イミダゾール、2−(4−(10−(ナフタレン−2−イル)アントラセン−9−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール、2−(3−(10−(ナフタレン−2−イル)アントラセン−9−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール、5−(10−(ナフタレン−2−イル)アントラセン−9−イル)−1,2−ジフェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール、1−(4−(10−(ナフタレン−2−イル)アントラセン−9−イル)フェニル)−2−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール、1−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−2−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール、5−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)−1,2−ジフェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾールである。 Specific examples of the benzimidazole derivative include 1-phenyl-2- (4- (10-phenylanthracen-9-yl) phenyl) -1H-benzo [d] imidazole, 2- (4- (10- (naphthalene-2) -Yl) anthracen-9-yl) phenyl) -1-phenyl-1H-benzo [d] imidazole, 2- (3- (10- (naphthalen-2-yl) anthracen-9-yl) phenyl) -1- Phenyl-1H-benzo [d] imidazole, 5- (10- (naphthalen-2-yl) anthracen-9-yl) -1,2-diphenyl-1H-benzo [d] imidazole, 1- (4- (10 -(Naphthalen-2-yl) anthracen-9-yl) phenyl) -2-phenyl-1H-benzo [d] imidazole, 2- (4- (9,10-di (naphthalene) 2-yl) anthracen-2-yl) phenyl) -1-phenyl-1H-benzo [d] imidazole, 1- (4- (9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracen-2-yl) phenyl ) -2-phenyl-1H-benzo [d] imidazole, 5- (9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracen-2-yl) -1,2-diphenyl-1H-benzo [d] imidazole is there.
電子輸送層または電子注入層には、さらに、電子輸送層または電子注入層を形成する材料を還元できる物質を含んでいてもよい。この還元性物質は、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも1つを好適に使用することができる。 The electron transport layer or the electron injection layer may further contain a substance capable of reducing the material forming the electron transport layer or the electron injection layer. As this reducing substance, various substances can be used as long as they have a certain reducing ability. For example, alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal oxide, alkali metal halide, alkali From the group consisting of earth metal oxides, alkaline earth metal halides, rare earth metal oxides, rare earth metal halides, alkali metal organic complexes, alkaline earth metal organic complexes and rare earth metal organic complexes At least one selected can be suitably used.
好ましい還元性物質としては、Na(仕事関数2.36eV)、K(同2.28eV)、Rb(同2.16eV)またはCs(同1.95eV)などのアルカリ金属や、Ca(同2.9eV)、Sr(同2.0〜2.5eV)またはBa(同2.52eV)などのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性物質は、K、RbまたはCsのアルカリ金属であり、さらに好ましくはRbまたはCsであり、最も好ましいのはCsである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下の還元性物質として、これら2種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRb、またはCsとNaとKとの組み合わせが好ましい。Csを含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。 Preferred reducing substances include alkali metals such as Na (work function 2.36 eV), K (2.28 eV), Rb (2.16 eV) or Cs (1.95 eV), and Ca (2. 9eV), Sr (2.0 to 2.5 eV) or Ba (2.52 eV), and alkaline earth metals such as those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable. Among these, a more preferable reducing substance is an alkali metal of K, Rb or Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs. These alkali metals have particularly high reducing ability, and by adding a relatively small amount to the material forming the electron transport layer or the electron injection layer, the luminance of the organic EL element can be improved and the lifetime can be extended. Further, as a reducing substance having a work function of 2.9 eV or less, a combination of two or more alkali metals is also preferable. Particularly, a combination containing Cs, such as Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, or A combination of Cs, Na and K is preferred. By containing Cs, the reducing ability can be efficiently exhibited, and by adding to the material for forming the electron transport layer or the electron injection layer, the luminance of the organic EL element can be improved and the lifetime can be extended.
<有機電界発光素子における陰極>
陰極108は、電子注入層107および電子輸送層106を介して、発光層105に電子を注入する役割を果たすものである。
<Cathode in organic electroluminescence device>
The cathode 108 serves to inject electrons into the light emitting layer 105 through the electron injection layer 107 and the electron transport layer 106.
陰極108を形成する材料としては、電子を有機層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されないが、陽極102を形成する材料と同様のものを用いることができる。なかでも、スズ、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金、鉄、亜鉛、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムおよびマグネシウムなどの金属またはそれらの合金(マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、フッ化リチウム/アルミニウムなどのアルミニウム−リチウム合金など)などが好ましい。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は一般に大気中で不安定であることが多い。この点を改善するために、例えば、有機層に微量のリチウム、セシウムやマグネシウムをドーピングして、安定性の高い電極を使用する方法が知られている。その他のドーパントとしては、フッ化リチウム、フッ化セシウム、酸化リチウムおよび酸化セシウムのような無機塩も使用することができる。ただし、これらに限定されるものではない。 The material for forming the cathode 108 is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic layer, but the same material as that for forming the anode 102 can be used. Among them, metals such as tin, indium, calcium, aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum, iron, zinc, lithium, sodium, potassium, cesium and magnesium or alloys thereof (magnesium-silver alloy, magnesium -Indium alloys, aluminum-lithium alloys such as lithium fluoride / aluminum) are preferred. Lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or alloys containing these low work function metals are effective for increasing the electron injection efficiency and improving device characteristics. However, these low work function metals are often often unstable in the atmosphere. In order to improve this point, for example, a method is known in which an organic layer is doped with a small amount of lithium, cesium or magnesium and a highly stable electrode is used. As other dopants, inorganic salts such as lithium fluoride, cesium fluoride, lithium oxide, and cesium oxide can also be used. However, it is not limited to these.
さらに、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例としてあげられる。これらの電極の作製法も、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。 Furthermore, for electrode protection, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, and inorganic materials such as silica, titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride Lamination of hydrocarbon polymer compounds and the like is a preferred example. The method for producing these electrodes is not particularly limited as long as conduction can be achieved, such as resistance heating, electron beam, sputtering, ion plating, and coating.
<各層で用いてもよい結着剤>
以上の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層に用いられる材料は単独で各層を形成することができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル樹脂、ABS樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。
<Binder that may be used in each layer>
The materials used for the hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer and electron injection layer can form each layer alone, but as a polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, Polystyrene, poly (N-vinylcarbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate resin, ABS resin, polyurethane resin It can also be used by dispersing it in solvent-soluble resins such as phenol resins, xylene resins, petroleum resins, urea resins, melamine resins, unsaturated polyester resins, alkyd resins, epoxy resins, silicone resins, etc. is there.
<有機電界発光素子の作製方法>
有機電界発光素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、印刷法、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などの方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、材料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常2nm〜5000nmの範囲である。膜厚は通常、水晶発振式膜厚測定装置などで測定できる。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、材料の種類、膜の目的とする結晶構造および会合構造などにより異なる。蒸着条件は一般的に、ボート加熱温度50〜400℃、真空度10−6〜10−3Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−150〜+300℃、膜厚2nm〜5μmの範囲で適宜設定することが好ましい。
<Method for producing organic electroluminescent element>
Each layer constituting the organic electroluminescent element is formed by a method such as vapor deposition, resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, molecular lamination method, printing method, spin coating method or cast method, coating method, etc. It can be formed by using a thin film. The thickness of each layer formed in this way is not particularly limited and can be appropriately set according to the properties of the material, but is usually in the range of 2 nm to 5000 nm. The film thickness can usually be measured with a crystal oscillation type film thickness measuring device or the like. When a thin film is formed using a vapor deposition method, the vapor deposition conditions vary depending on the type of material, the target crystal structure and association structure of the film, and the like. Deposition conditions generally include a boat heating temperature of 50 to 400 ° C., a degree of vacuum of 10 −6 to 10 −3 Pa, a deposition rate of 0.01 to 50 nm / second, a substrate temperature of −150 to + 300 ° C., and a film thickness of 2 nm to 5 μm. It is preferable to set appropriately within the range.
次に、有機電界発光素子を作製する方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/ホスト材料とドーパント材料からなる発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機電界発光素子の作製法について説明する。適当な基板上に、陽極材料の薄膜を蒸着法などにより形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。この上にホスト材料とドーパント材料を共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に電子輸送層、電子注入層を形成させ、さらに陰極用物質からなる薄膜を蒸着法などにより形成させて陰極とすることにより、目的の有機電界発光素子が得られる。なお、上述の有機電界発光素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。 Next, as an example of a method for producing an organic electroluminescent device, an organic electric field composed of an anode / hole injection layer / hole transport layer / a light emitting layer composed of a host material and a dopant material / electron transport layer / electron injection layer / cathode. A method for manufacturing a light-emitting element will be described. A thin film of an anode material is formed on a suitable substrate by vapor deposition or the like to produce an anode, and then a thin film of a hole injection layer and a hole transport layer is formed on the anode. A host material and a dopant material are co-evaporated to form a thin film to form a light emitting layer. An electron transport layer and an electron injection layer are formed on the light emitting layer, and a thin film made of a cathode material is formed by vapor deposition. By forming it as a cathode, a desired organic electroluminescent element can be obtained. In the preparation of the above-described organic electroluminescence device, the order of preparation may be reversed, and the cathode, electron injection layer, electron transport layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, and anode may be fabricated in this order. Is possible.
このようにして得られた有機電界発光素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として印加すればよく、電圧2〜40V程度を印加すると、透明または半透明の電極側(陽極または陰極、および両方)より発光が観測できる。また、この有機電界発光素子は、パルス電流や交流電流を印加した場合にも発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。 When a DC voltage is applied to the organic electroluminescent device thus obtained, the anode may be applied with a positive polarity and the cathode with a negative polarity. When a voltage of about 2 to 40 V is applied, the organic electroluminescent device is transparent or translucent. Luminescence can be observed from the electrode side (anode or cathode, and both). The organic electroluminescence device emits light when a pulse current or an alternating current is applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
<有機電界発光素子の応用例>
また、本発明は、有機電界発光素子を備えた表示装置または有機電界発光素子を備えた照明装置などにも応用することができる。
有機電界発光素子を備えた表示装置または照明装置は、本実施形態にかかる有機電界発光素子と公知の駆動装置とを接続するなど公知の方法によって製造することができ、直流駆動、パルス駆動、交流駆動など公知の駆動方法を適宜用いて駆動することができる。
<Application examples of organic electroluminescent devices>
The present invention can also be applied to a display device provided with an organic electroluminescent element or a lighting device provided with an organic electroluminescent element.
A display device or an illuminating device including an organic electroluminescent element can be manufactured by a known method such as connecting the organic electroluminescent element according to the present embodiment and a known driving device, such as direct current driving, pulse driving, or alternating current. It can be driven by appropriately using a known driving method such as driving.
表示装置としては、例えば、カラーフラットパネルディスプレイなどのパネルディスプレイ、フレキシブルカラー有機電界発光(EL)ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイなどがあげられる(例えば、特開平10-335066号公報、特開2003-321546号公報、特開2004-281086号公報など参照)。また、ディスプレイの表示方式としては、例えば、マトリクスおよび/またはセグメント方式などがあげられる。なお、マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。 Examples of the display device include a panel display such as a color flat panel display, and a flexible display such as a flexible color organic electroluminescence (EL) display (for example, JP-A-10-335066 and JP-A-2003-321546). Gazette, JP-A-2004-281086, etc.). Examples of the display method of the display include a matrix and / or segment method. Note that the matrix display and the segment display may coexist in the same panel.
マトリクスとは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が300μm以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。 A matrix means a pixel in which pixels for display are two-dimensionally arranged such as a lattice or a mosaic, and displays a character or an image with a set of pixels. The shape and size of the pixel are determined by the application. For example, a square pixel with a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, monitor, TV, and a pixel with a side of mm order for a large display such as a display panel. become. In monochrome display, pixels of the same color may be arranged. However, in color display, red, green, and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The matrix driving method may be either a line sequential driving method or an active matrix. The line-sequential driving has an advantage that the structure is simple. However, the active matrix may be superior in consideration of the operation characteristics, so that it is necessary to properly use it depending on the application.
セグメント方式(タイプ)では、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などがあげられる。 In the segment system (type), a pattern is formed so as to display predetermined information, and a predetermined region is caused to emit light. For example, the time and temperature display in a digital clock or a thermometer, the operation state display of an audio device or an electromagnetic cooker, the panel display of an automobile, and the like can be mentioned.
照明装置としては、例えば、室内照明などの照明装置、液晶表示装置のバックライトなどがあげられる(例えば、特開2003-257621号公報、特開2003-277741号公報、特開2004-119211号公報など参照)。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本実施形態に係る発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量が特徴になる。 Examples of the illuminating device include an illuminating device such as indoor lighting, a backlight of a liquid crystal display device, and the like (for example, JP 2003-257621 A, JP 2003-277741 A, JP 2004-119211 A). Etc.) The backlight is used mainly for the purpose of improving the visibility of a display device that does not emit light, and is used for a liquid crystal display device, a clock, an audio device, an automobile panel, a display panel, a sign, and the like. In particular, as a backlight for liquid crystal display devices, especially personal computers for which thinning is an issue, considering that conventional methods are made of fluorescent lamps and light guide plates, it is difficult to reduce the thickness. The backlight using the light emitting element according to the embodiment is thin and lightweight.
まず実施例で用いた2,7−ビスアントリルナフタレン化合物の合成例について、以下に説明する。 First, synthesis examples of the 2,7-bisanthrylnaphthalene compound used in the examples are described below.
<式(1−1)で表される化合物の合成例>
<ナフタレン−2,7−ジイル ビス(トリフルオロメタンスルホナート)の合成>
まず、窒素雰囲気下、ナフタレン−2,7−ジオール48.1gおよびピリジン380mlをフラスコに入れ、0℃まで冷却した後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物203.1gをゆっくり滴下した。その後、反応液を0℃で1時間、室温で2時間攪拌した。次に、反応液に水を加え、トルエンで目的成分を抽出し、有機層を減圧濃縮して得られた粗製品を、シリカゲルでカラム精製(溶媒:へプタン/トルエン=6/1(容量比))を行い、第1の中間体化合物であるナフタレン−2,7−ジイル ビス(トリフルオロメタンスルホナート)112.4g(収率:88%)を得た。下記「反応1」にそのスキームを示す。
<Synthesis of naphthalene-2,7-diyl bis (trifluoromethanesulfonate)>
First, under a nitrogen atmosphere, 48.1 g of naphthalene-2,7-diol and 380 ml of pyridine were placed in a flask, cooled to 0 ° C., and then 203.1 g of trifluoromethanesulfonic anhydride was slowly added dropwise. Thereafter, the reaction solution was stirred at 0 ° C. for 1 hour and at room temperature for 2 hours. Next, water was added to the reaction solution, the target component was extracted with toluene, and the crude product obtained by concentrating the organic layer under reduced pressure was subjected to column purification with silica gel (solvent: heptane / toluene = 6/1 (volume ratio). )) To obtain 112.4 g (yield: 88%) of the first intermediate compound, naphthalene-2,7-diyl bis (trifluoromethanesulfonate). The scheme is shown in “
<2,7−ビス(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレンの合成>
次に、窒素雰囲気下、第1の中間体化合物であるナフタレン−2,7−ジイル ビス(トリフルオロメタンスルホナート)4.24g、(10−フェニルアントラセン−9−イル)ボロン酸6.26g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(Pd(PPh3)4)0.35g、リン酸カリウム8.49gおよびトルエンとエタノールとの混合溶媒40ml(トルエン/エタノール=9/1(容量比))をフラスコに入れて5分間攪拌した。その後、水4mlを加え3時間還流した。加熱終了後に反応液を冷却し、メタノールを40ml添加して、沈殿をろ過した。沈殿をさらにメタノールと水で洗浄し、目的の式(1−1)で表される化合物の粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでショートカラム精製(溶媒:トルエン)を行った後、酢酸エチルで洗浄し、トルエンで再結晶を行い、さらに、昇華精製をして、目的化合物である2,7−ビス(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン2.4g(収率:38%)を得た。下記「反応2」にそのスキームを示す。
<Synthesis of 2,7-bis (10-phenylanthracen-9-yl) naphthalene>
Next, under a nitrogen atmosphere, naphthalene-2,7-diyl bis (trifluoromethanesulfonate) 4.24 g, (10-phenylanthracen-9-yl) boronic acid 6.26 g, tetrakis, the first intermediate compound 0.35 g of (triphenylphosphine) palladium (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ), 8.49 g of potassium phosphate and 40 ml of a mixed solvent of toluene and ethanol (toluene / ethanol = 9/1 (volume ratio)) The flask was stirred for 5 minutes. Thereafter, 4 ml of water was added and refluxed for 3 hours. After the heating, the reaction solution was cooled, 40 ml of methanol was added, and the precipitate was filtered. The precipitate was further washed with methanol and water to obtain a crude product of the compound represented by the desired formula (1-1). The crude product was subjected to short column purification with silica gel (solvent: toluene), then washed with ethyl acetate, recrystallized with toluene, and further purified by sublimation to obtain 2,7-bis ( 2.4 g (yield: 38%) of 10-phenylanthracen-9-yl) naphthalene was obtained. The scheme is shown in “
MSスペクトルおよびNMR測定により目的化合物(1−1)の構造を確認した。
1H−NMR(CDCl3):δ=8.25(d,1H)、8.04(s,1H)、7.86〜7.83(m,2H)、7.74〜7.72(m,3H)、7.64〜7.49(m,5H)、7.39〜7.34(m,4H).
The structure of the objective compound (1-1) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 8.25 (d, 1H), 8.04 (s, 1H), 7.86 to 7.83 (m, 2H), 7.74 to 7.72 ( m, 3H), 7.64-7.49 (m, 5H), 7.39-7.34 (m, 4H).
目的化合物(1−1)のガラス転移温度(Tg)は、193℃であった。
[測定機器:Diamond DSC (PERKIN−ELMER社製); 測定条件:冷却速度200℃/Min.、昇温速度10℃/Min.]
The glass transition temperature (Tg) of the target compound (1-1) was 193 ° C.
[Measurement equipment: Diamond DSC (manufactured by PERKIN-ELMER); Measurement conditions: cooling rate 200 ° C / Min., Temperature rising rate 10 ° C / Min.]
<式(1−22)で表される化合物の合成例>
<2,7−ビス(10−(ナフタレン−1−イル)アントラセン−9−イル)ナフタレンの合成>
窒素雰囲気下、第1の中間体化合物であるナフタレン−2,7−ジイル ビス(トリフルオロメタンスルホナート)8.49g、(10−ナフタレン−1−イル)アントラセン−9−イル)ボロン酸14.62g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(Pd(PPh3)4)0.69g、リン酸カリウム16.98gおよびトルエンとエタノールとの混合溶媒80ml(トルエン/エタノール=4/1(容量比))をフラスコに入れて5分間攪拌した。その後、水7mlを加え3時間還流した。加熱終了後に反応液を冷却し、メタノールを100ml添加して、沈殿をろ過した。沈殿をさらにメタノールと水で洗浄し、目的の式(1−22)で表される化合物の粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでショートカラム精製(溶媒:トルエン)を行った後、メタノールと酢酸エチルとの混合溶剤(メタノール/酢酸エチル=4/1(容量比))で洗浄し、トルエンで再結晶を行い、さらに、昇華精製をして、目的化合物である2,7−ビス(10−(ナフタレン−1−イル)アントラセン−9−イル)ナフタレン8.9g(収率:61%)を得た。下記「反応3」にそのスキームを示す。
<Synthesis of 2,7-bis (10- (naphthalen-1-yl) anthracen-9-yl) naphthalene>
Under a nitrogen atmosphere, naphthalene-2,7-diyl bis (trifluoromethanesulfonate) 8.49 g, (10-naphthalen-1-yl) anthracen-9-yl) boronic acid 14.62 g as the first intermediate compound , Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ) 0.69 g, potassium phosphate 16.98 g and a mixed solvent of toluene and ethanol 80 ml (toluene / ethanol = 4/1 (volume ratio)) ) Was placed in a flask and stirred for 5 minutes. Thereafter, 7 ml of water was added and refluxed for 3 hours. After completion of the heating, the reaction solution was cooled, 100 ml of methanol was added, and the precipitate was filtered. The precipitate was further washed with methanol and water to obtain a target crude product of the compound represented by the formula (1-22). The crude product was subjected to short column purification with silica gel (solvent: toluene), then washed with a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (methanol / ethyl acetate = 4/1 (volume ratio)), and recrystallized with toluene. Then, further purification by sublimation was performed to obtain 8.9 g (yield: 61%) of 2,7-bis (10- (naphthalen-1-yl) anthracen-9-yl) naphthalene as the target compound. The scheme is shown in “Reaction 3” below.
MSスペクトルおよびNMR測定により目的化合物(1−22)の構造を確認した。
1H−NMR(CDCl3):δ=8.28(t,1H)、8.17〜8.10(q,1H)、8.08(d,1H)、8.02(t,1H)、7.92〜7.69(m,4H)、7.63〜7.59(m,1H)、7.52〜7.46(m,3H)、7.38〜7.34(m,2H)、7.27〜7.21(m,4H).
The structure of the objective compound (1-22) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 8.28 (t, 1H), 8.17-8.10 (q, 1H), 8.08 (d, 1H), 8.02 (t, 1H) , 7.92-7.69 (m, 4H), 7.63-7.59 (m, 1H), 7.52-7.46 (m, 3H), 7.38-7.34 (m, 2H), 7.27-7.21 (m, 4H).
目的化合物(1−22)のガラス転移温度(Tg)は、240℃であった。
[測定機器:Diamond DSC (PERKIN−ELMER社製); 測定条件:冷却速度200℃/Min.、昇温速度10℃/Min.]
The glass transition temperature (Tg) of the target compound (1-22) was 240 ° C.
[Measurement equipment: Diamond DSC (manufactured by PERKIN-ELMER); Measurement conditions: cooling rate 200 ° C / Min., Temperature rising rate 10 ° C / Min.]
<式(1−57)で表される化合物の合成例>
<7−メトキシナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナートの合成>
まず、窒素雰囲気下、7−メトキシ−2−ナフトール75gおよびピリジン200mlをフラスコに入れ、0℃まで冷却した後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物146gをゆっくり滴下した。その後、反応液を0℃で1時間、室温で2時間攪拌した。次に、反応液に水を加え、トルエンで目的成分を抽出した。さらに、有機層を減圧濃縮して得られた粗製品をシリカゲルでショートカラム精製(溶媒:トルエン)を行い、さらに減圧蒸留で精製をして、第2の中間体化合物である7−メトキシナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナート105g(収率:88%)を得た。下記「反応4」にそのスキームを示す。
<Synthesis of 7-methoxynaphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate>
First, in a nitrogen atmosphere, 75 g of 7-methoxy-2-naphthol and 200 ml of pyridine were placed in a flask, cooled to 0 ° C., and then 146 g of trifluoromethanesulfonic anhydride was slowly added dropwise. Thereafter, the reaction solution was stirred at 0 ° C. for 1 hour and at room temperature for 2 hours. Next, water was added to the reaction solution, and the target component was extracted with toluene. Further, the crude product obtained by concentrating the organic layer under reduced pressure was subjected to short column purification with silica gel (solvent: toluene), and further purified by distillation under reduced pressure to obtain a second intermediate compound, 7-methoxynaphthalene- 105 g (yield: 88%) of 2-yl trifluoromethanesulfonate was obtained. The scheme is shown in “Reaction 4” below.
<9−(7−メトキシナフタレン−2−イル)−10−フェニルアントラセンの合成>
次に、窒素雰囲気下、第2の中間体化合物である7−メトキシナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナート91.8g、(10−フェニルアントラセン−9−イル)ボロン酸89.4g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(Pd(PPh3)4)10.4g、リン酸カリウム127.2gおよび1,2,4−トリメチルベンゼンとt−ブチルアルコールとの混合溶媒600ml(1,2,4−トリメチルベンゼン/t−ブチルアルコール=5/1(容量比))をフラスコに入れて5分間攪拌した。その後、水20mlを加え5時間還流した。加熱終了後に反応液を冷却し、メタノールを200ml添加して、沈殿をろ過した。沈殿をさらにメタノールと水で洗浄し、得られた粗製品をシリカゲルでショートカラム精製(溶媒:トルエン)を行った後、メタノールで洗浄を行い、第3の中間体化合物である9−(7−メトキシナフタレン−2−イル)−10−フェニルアントラセン66g(収率:53%)を得た。下記「反応5」にそのスキームを示す。
<Synthesis of 9- (7-methoxynaphthalen-2-yl) -10-phenylanthracene>
Next, 91.8 g of 7-methoxynaphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate as a second intermediate compound, 89.4 g of (10-phenylanthracen-9-yl) boronic acid, tetrakis (tri Phenylphosphine) palladium (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ) 10.4 g, potassium phosphate 127.2 g, and 600 ml (1,2,4) of a mixed solvent of 1,2,4-trimethylbenzene and t-butyl alcohol -Trimethylbenzene / t-butyl alcohol = 5/1 (volume ratio)) was placed in a flask and stirred for 5 minutes. Thereafter, 20 ml of water was added and refluxed for 5 hours. After the heating, the reaction solution was cooled, 200 ml of methanol was added, and the precipitate was filtered. The precipitate was further washed with methanol and water, and the obtained crude product was subjected to short column purification with silica gel (solvent: toluene), then washed with methanol, and the third intermediate compound 9- (7- 66 g (yield: 53%) of methoxynaphthalen-2-yl) -10-phenylanthracene was obtained. The scheme is shown in “Reaction 5” below.
<7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)−2−ナフトールの合成>
次に、窒素雰囲気下、第3の中間体化合物9−(7−メトキシナフタレン−2−イル)−10−フェニルアントラセン66g、ピリジン塩酸塩93g、および1−メチル−2−ピロリドン120mlをフラスコに入れ、175℃で3時間加熱した。加熱終了後に反応液を冷却し、水を250ml添加して、沈殿をろ過した。沈殿をさらに水とメタノールで洗浄し、得られた粗製品をシリカゲルでショートカラム精製(溶媒:トルエン)を行った後、酢酸エチルで洗浄を行い、第4の中間体化合物である7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)−2−ナフトール54g(収率:85%)を得た。下記「反応6」にそのスキームを示す。
<Synthesis of 7- (10-phenylanthracen-9-yl) -2-naphthol>
Next, under a nitrogen atmosphere, 66 g of the third intermediate compound 9- (7-methoxynaphthalen-2-yl) -10-phenylanthracene, 93 g of pyridine hydrochloride, and 120 ml of 1-methyl-2-pyrrolidone are placed in a flask. Heated at 175 ° C. for 3 hours. After completion of the heating, the reaction solution was cooled, 250 ml of water was added, and the precipitate was filtered. The precipitate was further washed with water and methanol, and the obtained crude product was subjected to short column purification with silica gel (solvent: toluene), and then washed with ethyl acetate to produce the fourth intermediate compound 7- (10 54 g (yield: 85%) of -phenylanthracen-9-yl) -2-naphthol were obtained. The scheme is shown in “Reaction 6” below.
<7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナートの合成>
次に、窒素雰囲気下、第4の中間体化合物である7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)−2−ナフトール37.8gおよびピリジン300mlをフラスコに入れ、0℃まで冷却した後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物31gをゆっくり滴下した。その後、反応液を0℃で1時間、室温で2時間攪拌した。次に、反応液に水を加え、沈殿をろ過した。沈殿をさらに水とメタノールで洗浄し、得られた粗製品をシリカゲルでショートカラム精製(溶媒:トルエン)を行った後、メタノールで洗浄を行い、第5の中間体化合物である7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナート48.5g(収率:96%)を得た。下記「反応7」にそのスキームを示す。
<Synthesis of 7- (10-phenylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate>
Next, under nitrogen atmosphere, 37.8 g of 7- (10-phenylanthracen-9-yl) -2-naphthol, which is the fourth intermediate compound, and 300 ml of pyridine were placed in a flask and cooled to 0 ° C. 31 g of romethanesulfonic anhydride was slowly added dropwise. Thereafter, the reaction solution was stirred at 0 ° C. for 1 hour and at room temperature for 2 hours. Next, water was added to the reaction solution, and the precipitate was filtered. The precipitate was further washed with water and methanol, and the obtained crude product was subjected to short column purification with silica gel (solvent: toluene), and then washed with methanol to give the fifth intermediate compound 7- (10- 48.5 g (yield: 96%) of phenylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate were obtained. The scheme is shown in “Reaction 7” below.
<9−(ナフタレン−1−イル)−10−(7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル)アントラセンの合成>
最後に、窒素雰囲気下、第5の中間体化合物である7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナート5.28g、(10−ナフタレン−1−イル)アントラセン−9−イル)ボロン酸3.83g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(Pd(PPh3)4)0.23g、リン酸カリウム5.51gおよびトルエンとエタノールとの混合溶媒40ml(トルエン/エタノール=9/1(容量比))をフラスコに入れて5分間攪拌した。その後、水4mlを加え3時間還流した。加熱終了後に反応液を冷却し、メタノールを40ml添加して、沈殿をろ過した。沈殿をさらにメタノールと水で洗浄し、目的の式(1−57)で表される化合物の粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでショートカラム精製(溶媒:トルエン)を行った後、メタノールと酢酸エチルとの混合溶剤(メタノール/酢酸エチル=4/1(容量比))で洗浄し、トルエンで再結晶を行い、さらに、昇華精製をして、目的化合物である9−(ナフタレン−1−イル)−10−(7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル)アントラセン4.1g(収率:60%)を得た。下記「反応8」にそのスキームを示す。
<Synthesis of 9- (naphthalen-1-yl) -10- (7- (10-phenylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl) anthracene>
Finally, under a nitrogen atmosphere, the fifth intermediate compound 7- (10-phenylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate 5.28 g, (10-naphthalen-1-yl) anthracene -9-yl) boronic acid 3.83 g, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ) 0.23 g, potassium phosphate 5.51 g and a mixed solvent of toluene and ethanol 40 ml (toluene) / Ethanol = 9/1 (volume ratio)) was placed in a flask and stirred for 5 minutes. Thereafter, 4 ml of water was added and refluxed for 3 hours. After the heating, the reaction solution was cooled, 40 ml of methanol was added, and the precipitate was filtered. The precipitate was further washed with methanol and water to obtain a crude product of the compound represented by the target formula (1-57). The crude product was subjected to short column purification with silica gel (solvent: toluene), then washed with a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (methanol / ethyl acetate = 4/1 (volume ratio)), and recrystallized with toluene. Further, after purification by sublimation, 4.1 g of 9- (naphthalen-1-yl) -10- (7- (10-phenylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl) anthracene which is the target compound ( Yield: 60%). The scheme is shown in “
MSスペクトルおよびNMR測定により目的化合物(1−57)の構造を確認した。
1H−NMR(CDCl3):δ=8.27(t,2H)、8.13〜8.01(m,4H)、7.90〜〜7.46(m,17H)、7.39〜7.34(m,6H)、7.27〜7.19(m,5H).
The structure of the objective compound (1-57) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 8.27 (t, 2H), 8.13 to 8.01 (m, 4H), 7.90 to 7.46 (m, 17H), 7.39 To 7.34 (m, 6H), 7.27 to 7.19 (m, 5H).
目的化合物(1−57)のガラス転移温度(Tg)は、218℃であった。
[測定機器:Diamond DSC (PERKIN−ELMER社製); 測定条件:冷却速度200℃/Min.、昇温速度10℃/Min.]
The glass transition temperature (Tg) of the target compound (1-57) was 218 ° C.
[Measurement equipment: Diamond DSC (manufactured by PERKIN-ELMER); Measurement conditions: cooling rate 200 ° C / Min., Temperature rising rate 10 ° C / Min.]
<式(1−58)で表される化合物の合成例>
<9−(ナフタレン−2−イル)−10−(7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル)アントラセンの合成>
窒素雰囲気下、第5の中間体化合物である7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル トリフルオロメタンスルホナート2.64g、(10−ナフタレン−2−イル)アントラセン−9−イル)ボロン酸1.92g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(Pd(PPh3)4)0.12g、リン酸カリウム2.13gおよびトルエンとエタノールとの混合溶媒30ml(トルエン/エタノール=9/1(容量比))をフラスコに入れて5分間攪拌した。その後、水3mlを加え3時間還流した。加熱終了後に反応液を冷却し、水を20ml添加して、沈殿をろ過した。沈殿をさらに水とメタノールで洗浄し、目的の式(1−58)で表される化合物の粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでショートカラム精製(溶媒:クロロベンゼン)を行った後、酢酸エチルで洗浄し、クロロベンゼンで再結晶を行い、さらに、昇華精製をして、目的化合物である9−(ナフタレン−2−イル)−10−(7−(10−フェニルアントラセン−9−イル)ナフタレン−2−イル)アントラセン2.4g(収率:70%)を得た。下記「反応9」にそのスキームを示す。
<Synthesis of 9- (naphthalen-2-yl) -10- (7- (10-phenylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl) anthracene>
Under nitrogen atmosphere, the fifth intermediate compound 7- (10-phenylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl trifluoromethanesulfonate 2.64 g, (10-naphthalen-2-yl) anthracene-9- Yl) 1.92 g of boronic acid, 0.12 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ), 2.13 g of potassium phosphate and 30 ml of a mixed solvent of toluene and ethanol (toluene / ethanol = 9/1 (volume ratio)) was placed in a flask and stirred for 5 minutes. Thereafter, 3 ml of water was added and refluxed for 3 hours. After completion of the heating, the reaction solution was cooled, 20 ml of water was added, and the precipitate was filtered. The precipitate was further washed with water and methanol to obtain a crude product of the compound represented by the target formula (1-58). The crude product was subjected to short column purification with silica gel (solvent: chlorobenzene), then washed with ethyl acetate, recrystallized with chlorobenzene, and further purified by sublimation to obtain the target compound 9- (naphthalene-2 -Yl) -10- (7- (10-phenylanthracen-9-yl) naphthalen-2-yl) anthracene (2.4 g, yield: 70%) was obtained. The scheme is shown in “Reaction 9” below.
MSスペクトルおよびNMR測定により目的化合物(1−58)の構造を確認した。
1H−NMR(CDCl3):δ=8.26(dd,2H)、8.11〜8.00(m,5H)、7.95〜7.91(m,1H)、7.87〜7.84(m,4H)、7.77〜7.73(m,6H)、7.66〜7.50(m,8H)、7.39〜7.32(m,8H).
The structure of the objective compound (1-58) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 8.26 (dd, 2H), 8.11 to 8.00 (m, 5H), 7.95 to 7.91 (m, 1H), 7.87 to 7.84 (m, 4H), 7.77-7.73 (m, 6H), 7.66-7.50 (m, 8H), 7.39-7.32 (m, 8H).
目的化合物(1−58)のガラス転移温度(Tg)は、205℃であった。
[測定機器:Diamond DSC (PERKIN−ELMER社製); 測定条件:冷却速度200℃/Min.、昇温速度10℃/Min.]
The glass transition temperature (Tg) of the target compound (1-58) was 205 ° C.
[Measurement equipment: Diamond DSC (manufactured by PERKIN-ELMER); Measurement conditions: cooling rate 200 ° C / Min., Temperature rising rate 10 ° C / Min.]
以下、本発明をさらに詳細に説明するために、本発明の化合物を用いた有機EL素子の実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, in order to describe the present invention in more detail, examples of the organic EL device using the compound of the present invention are shown, but the present invention is not limited thereto.
実施例1および比較例1に係る有機EL素子を作製し、それぞれ1000cd/m2発光時の特性である電圧(V)、EL発光波長(nm)、外部量子効率(%)を測定し、次に2000cd/m2の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間を測定した。 The organic EL elements according to Example 1 and Comparative Example 1 were prepared, and the voltage (V), EL emission wavelength (nm), and external quantum efficiency (%), which are characteristics at the time of 1000 cd / m 2 emission, were measured. In addition, the time for maintaining the luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more when driving at a constant current at a current density at which a luminance of 2000 cd / m 2 is obtained was measured.
なお、発光素子の量子効率には、内部量子効率と外部量子効率とがあるが、発光素子の発光層に電子(または正孔)として注入される外部エネルギーが純粋に光子に変換される割合を示したものが内部量子効率である。一方、この光子が発光素子の外部にまで放出された量に基づいて算出されるものが外部量子効率であり、発光層において発生した光子は、その一部が発光素子の内部で吸収されたりあるいは反射され続けたりして、発光素子の外部に放出されないため、外部量子効率は内部量子効率よりも低くなる。 Note that the quantum efficiency of a light-emitting element includes an internal quantum efficiency and an external quantum efficiency. The ratio of external energy injected as electrons (or holes) into the light-emitting layer of the light-emitting element is converted into photons purely. What is shown is the internal quantum efficiency. On the other hand, the external quantum efficiency is calculated based on the amount of photons emitted to the outside of the light emitting element, and some of the photons generated in the light emitting layer are absorbed inside the light emitting element. The external quantum efficiency is lower than the internal quantum efficiency because it is continuously reflected and is not emitted outside the light emitting element.
外部量子効率の測定方法は次の通りである。アドバンテスト社製電圧/電流発生器R6144を用いて、素子の輝度が1000cd/m2になる電圧を印加して素子を発光させた。TOPCON社製分光放射輝度計SR−2Aを用いて、発光面に対して垂直方向から可視光領域の分光放射輝度を測定した。発光面が完全拡散面であると仮定して、測定した各波長成分の分光放射輝度の値を波長エネルギーで割ってπを掛けた数値が各波長におけるフォトン数である。次いで、観測した全波長領域でフォトン数を積算し、素子から放出された全フォトン数とした。印加電流値を素電荷で割った数値を素子へ注入したキャリア数として、素子から放出された全フォトン数を素子へ注入したキャリア数で割った数値が外部量子効率である。 The external quantum efficiency is measured as follows. A voltage / current generator R6144 manufactured by Advantest Corporation was used to apply a voltage at which the luminance of the element was 1000 cd / m 2 to cause the element to emit light. Using a spectral radiance meter SR-2A manufactured by TOPCON, the spectral radiance in the visible light region was measured from the direction perpendicular to the light emitting surface. Assuming that the light emitting surface is a completely diffusing surface, the value obtained by dividing the measured spectral radiance value of each wavelength component by the wavelength energy and multiplying by π is the number of photons at each wavelength. Next, the number of photons in the entire wavelength region observed was integrated to obtain the total number of photons emitted from the device. The value obtained by dividing the applied current value by the elementary charge is the number of carriers injected into the device, and the number obtained by dividing the total number of photons emitted from the device by the number of carriers injected into the device is the external quantum efficiency.
作製した実施例1および比較例1に係る有機EL素子における、各層の材料構成を下記表1に示す。
表1において、「HI」はN4,N4’−ジフェニル−N4,N4’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン、「NPD」はN,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル、「BD1」はN5,N5,N9,N9,7,7,−ヘキサフェニル−7H−ベンゾ〔c〕フルオレン−5,9−ジアミン、「ET1」は9,10−ジ([2,2’−ビピリジン]−5−イル)アントラセン、化合物(C−1)は9−フェニル−10−(4−フェニルナフタレン−1−イル)−アントラセンであり、以下にそれぞれの化学構造を示す。 In Table 1, “HI” is N 4 , N 4 ′ -diphenyl-N 4 , N 4 ′ -bis (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-[1,1′-biphenyl] -4, 4′-diamine, “NPD” is N, N′-diphenyl-N, N′-dinaphthyl-4,4′-diaminobiphenyl, “BD1” is N 5 , N 5 , N 9 , N 9 , 7, 7 , -Hexaphenyl-7H-benzo [c] fluorene-5,9-diamine, “ET1” is 9,10-di ([2,2′-bipyridin] -5-yl) anthracene, Compound (C-1) Is 9-phenyl-10- (4-phenylnaphthalen-1-yl) -anthracene, and the respective chemical structures are shown below.
<実施例1>
<化合物(1−22)を発光層のホスト材料に用いた素子>
スパッタリングにより180nmの厚さに製膜したITOを150nmまで研磨した、26mm×28mm×0.7mmのガラス基板((株)オプトサイエンス製)を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置(昭和真空(株)製)の基板ホルダーに固定し、HIを入れたモリブデン製蒸着用ボート、NPDを入れたモリブデン製蒸着用ボート、本発明の化合物(1−22)を入れたモリブデン製蒸着用ボート、BD1を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ET1を入れたモリブデン製蒸着用ボート、フッ化リチウム(LiF)が入ったモリブデン製蒸着用ボートおよびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
<Example 1>
<Element Using Compound (1-22) as Host Material for Light-Emitting Layer>
A glass substrate of 26 mm × 28 mm × 0.7 mm (manufactured by Optoscience Co., Ltd.) obtained by polishing ITO deposited to a thickness of 180 nm by sputtering to 150 nm was used as a transparent support substrate. The transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), a molybdenum vapor deposition boat containing HI, a molybdenum vapor deposition boat containing NPD, the compound of the present invention (1 -22) molybdenum deposition boat with BD1, molybdenum deposition boat with BD1, molybdenum deposition boat with ET1, molybdenum deposition boat with lithium fluoride (LiF) and aluminum A tungsten evaporation boat was installed.
透明支持基板のITO膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を5×10−4Paまで減圧し、まず、HIが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚40nmになるように蒸着して正孔注入層を形成し、次いで、NPDが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚20nmになるように蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、化合物(1−22)が入った蒸着用ボートとBD1の入った蒸着用ボートを同時に加熱して膜厚35nmになるように蒸着して発光層を形成した。化合物(1−22)とBD1の重量比がおよそ95対5になるように蒸着速度を調節した。次に、ET1の入った蒸着用ボートを加熱して膜厚15nmになるように蒸着して電子輸送層を形成した。各層の蒸着速度は0.01〜1nm/秒であった。 The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 5 × 10 −4 Pa, first, a vapor deposition boat containing HI was heated to deposit to a film thickness of 40 nm to form a hole injection layer, and then NPD entered. The vapor deposition boat was heated and vapor-deposited to a film thickness of 20 nm to form a hole transport layer. Next, the vapor deposition boat containing the compound (1-22) and the vapor deposition boat containing BD1 were heated at the same time to form a light emitting layer by vapor deposition to a film thickness of 35 nm. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of compound (1-22) to BD1 was approximately 95: 5. Next, the evaporation boat containing ET1 was heated and evaporated to a film thickness of 15 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer was 0.01 to 1 nm / second.
その後、フッ化リチウム(LiF)が入った蒸着用ボートを加熱して膜厚1nmになるように0.01〜0.1nm/秒の蒸着速度で蒸着した。次いで、アルミニウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚100nmになるように0.01〜2nm/秒の蒸着速度でアルミニウムを蒸着することにより陰極を形成し、有機EL素子を得た。 Thereafter, the vapor deposition boat containing lithium fluoride (LiF) was heated and vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.01 to 0.1 nm / second so as to have a film thickness of 1 nm. Next, the evaporation boat containing aluminum was heated to form a cathode by depositing aluminum at a deposition rate of 0.01 to 2 nm / second so as to have a film thickness of 100 nm, thereby obtaining an organic EL element.
ITO電極を陽極、フッ化リチウム/アルミニウム電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は4.1V、外部量子効率は3.5%(波長約458nmの青色発光)であった。また、輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期輝度の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は60時間であった。 Using the ITO electrode as the anode and the lithium fluoride / aluminum electrode as the cathode, measuring the characteristics at 1000 cd / m 2 emission, the drive voltage is 4.1 V, the external quantum efficiency is 3.5% (blue emission with a wavelength of about 458 nm) Met. In addition, as a result of performing a constant current driving test with a current density for obtaining a luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining a luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial luminance was 60 hours.
<比較例1>
<化合物(C−1)を発光層のホスト材料に用いた素子>
発光層のホスト材料である化合物(1−22)を化合物(C−1)に替えた以外は実施例1に準じた方法で有機EL素子を得た。ITO電極を陽極、フッ化リチウム/アルミニウム電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は4.8V、外部量子効率は4.0%(波長約456nmの青色発光)であった。また、輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期輝度の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は40時間であった。
<Comparative Example 1>
<Element Using Compound (C-1) as Host Material for Light-Emitting Layer>
An organic EL device was obtained by the method according to Example 1 except that the compound (1-22), which is the host material of the light emitting layer, was changed to the compound (C-1). Using the ITO electrode as the anode and the lithium fluoride / aluminum electrode as the cathode, the characteristics at 1000 cd / m 2 emission were measured. The drive voltage was 4.8 V and the external quantum efficiency was 4.0% (blue emission with a wavelength of about 456 nm). Met. In addition, as a result of performing a constant current driving test with a current density for obtaining a luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining a luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial luminance was 40 hours.
以上の結果を表2にまとめた。
次に、実施例2〜6および比較例2、3に係る有機EL素子を作製し、それぞれ1000cd/m2発光時の特性である電圧(V)、EL発光波長(nm)、外部量子効率(%)を測定し、次に2000cd/m2の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間を測定した。 Next, organic EL elements according to Examples 2 to 6 and Comparative Examples 2 and 3 were prepared, and voltage (V), EL emission wavelength (nm), external quantum efficiency (characteristics at the time of 1000 cd / m 2 emission), respectively. %), And then the time for maintaining a luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more when driven at a constant current at a current density at which a luminance of 2000 cd / m 2 is obtained was measured.
作製した実施例2〜6および比較例2、3に係る有機EL素子における、各層の材料構成を下記表3に示す。
表3において、「HT」はN4,N4,N4’,N4’−テトラ[1,1’−ビフェニル]−4−イル)−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン、「BD2」は7,7,−ジメチル−N5,N9−ジフェニル−N5,N9−ビス(4−(トリメチルシラニル)フェニル)−7H−ベンゾ〔c〕フルオレン−5,9−ジアミン、「ET2」は4,4’−((2−フェニルアントラセン−9,10−ジイル)ビス(4,1−フェニレン))ジピリジン、「ET3」は2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール、化合物(C−2)は9−(7−([1,1’−ビフェニル]−2−イル)ナフタレン−2−イル)−10−フェニルアントラセン、化合物(C−3)は9−(7−([1,1’−ビフェニル]−3−イル)ナフタレン−2−イル)−10−フェニルアントラセン、そして「Liq」は8-キノリノールリチウムである。以下にそれぞれの化学構造を示す。 In Table 3, “HT” is N 4 , N 4 , N 4 ′ , N 4 ′ -tetra [1,1′-biphenyl] -4-yl)-[1,1′-biphenyl] -4,4 ′. - diamine, "BD2" is 7,7, - dimethyl -N 5, N 9 - diphenyl -N 5, N 9 - bis (4- (trimethylsilanyl) phenyl)-7H-benzo [c] fluorene -5, 9-diamine, “ET2” is 4,4 ′-((2-phenylanthracene-9,10-diyl) bis (4,1-phenylene)) dipyridine, “ET3” is 2- (4- (9,10 -Di (naphthalen-2-yl) anthracen-2-yl) phenyl) -1-phenyl-1H-benzo [d] imidazole, compound (C-2) is 9- (7-([1,1′-biphenyl) ] -2-yl) naphthalen-2-yl) -10-phenylant Sen, compound (C-3) is 9- (7-([1,1′-biphenyl] -3-yl) naphthalen-2-yl) -10-phenylanthracene, and “Liq” is 8-quinolinol lithium is there. Each chemical structure is shown below.
<実施例2>
<化合物(1−22)を発光層のホスト材料に用いた素子>
スパッタリングにより180nmの厚さに製膜したITOを150nmまで研磨した、26mm×28mm×0.7mmのガラス基板((株)オプトサイエンス製)を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置(昭和真空(株)製)の基板ホルダーに固定し、HIを入れたモリブデン製蒸着用ボート、HTを入れたモリブデン製蒸着用ボート、本発明の化合物(1−22)を入れたモリブデン製蒸着用ボート、BD2を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ET2を入れたモリブデン製蒸着用ボート、8−キノリノールリチウム(Liq)を入れたモリブデン製蒸着用ボート、マグネシウムを入れたモリブデン製蒸着用ボートおよび銀を入れたモリブデン製蒸着用ボートを装着した。
<Example 2>
<Element Using Compound (1-22) as Host Material for Light-Emitting Layer>
A glass substrate of 26 mm × 28 mm × 0.7 mm (manufactured by Optoscience Co., Ltd.) obtained by polishing ITO deposited to a thickness of 180 nm by sputtering to 150 nm was used as a transparent support substrate. This transparent supporting substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), a molybdenum vapor deposition boat containing HI, a molybdenum vapor deposition boat containing HT, the compound of the present invention (1 -22) molybdenum vapor deposition boat, BD2 molybdenum vapor deposition boat, ET2 molybdenum vapor deposition boat, 8-quinolinol lithium (Liq) molybdenum vapor deposition boat, magnesium A molybdenum vapor deposition boat and a molybdenum vapor deposition boat containing silver were mounted.
透明支持基板のITO膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を5×10−4Paまで減圧し、まず、HIが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚45nmになるように蒸着して正孔注入層を形成し、次いで、HTが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚20nmになるように蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、化合物(1−22)が入った蒸着用ボートとBD2の入った蒸着用ボートを同時に加熱して膜厚25nmになるように蒸着して発光層を形成した。化合物(1−22)とBD2の重量比がおよそ95対5になるように蒸着速度を調節した。次に、ET2の入った蒸着用ボートを加熱して膜厚25nmになるように蒸着して電子輸送層を形成した。各層の蒸着速度は0.01〜2nm/秒であった。 The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 5 × 10 −4 Pa, and first, a vapor deposition boat containing HI was heated to deposit to a film thickness of 45 nm to form a hole injection layer, and then HT entered. The vapor deposition boat was heated and vapor-deposited to a film thickness of 20 nm to form a hole transport layer. Next, the vapor deposition boat containing the compound (1-22) and the vapor deposition boat containing BD2 were heated at the same time to form a light emitting layer by vapor deposition to a film thickness of 25 nm. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of the compound (1-22) and BD2 was about 95: 5. Next, the evaporation boat containing ET2 was heated and evaporated to a film thickness of 25 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer was 0.01 to 2 nm / second.
その後、Liqが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚1nmになるように0.01〜0.1nm/秒の蒸着速度で蒸着した。次いで、マグネシウムの入ったボートと銀の入ったボートを同時に加熱して膜厚100nmになるように蒸着して陰極を形成した。この時、マグネシウムと銀の原子数比が10対1となるように蒸着速度を調節し、蒸着速度が0.01〜2nm/秒になるようにして有機EL素子を得た。 Thereafter, the evaporation boat containing Liq was heated to deposit at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm / second so as to have a film thickness of 1 nm. Next, a boat containing magnesium and a boat containing silver were heated at the same time and evaporated to a film thickness of 100 nm to form a cathode. At this time, the vapor deposition rate was adjusted so that the atomic ratio of magnesium and silver was 10: 1, and the organic EL device was obtained so that the vapor deposition rate was 0.01 to 2 nm / second.
ITO電極を陽極、Liq/マグネシウム+銀電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は3.47V、外部量子効率は5.6%(波長約462nmの青色発光)であった。また、初期輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期値の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は110時間であった。 Using the ITO electrode as the anode and the Liq / magnesium + silver electrode as the cathode, the characteristics at 1000 cd / m 2 emission were measured. The drive voltage was 3.47 V and the external quantum efficiency was 5.6% (blue emission with a wavelength of about 462 nm). Met. Further, as a result of conducting a constant current driving test with a current density for obtaining an initial luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining the luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial value was 110 hours.
<実施例3>
<化合物(1−57)を発光層のホスト材料に用いた素子>
発光層のホスト材料である化合物(1−22)を化合物(1−57)に替えた以外は実施例2に準じた方法で有機EL素子を得た。ITO電極を陽極、Liq/マグネシウム+銀電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は3.75V、外部量子効率は5.48%(波長約460nmの青色発光)であった。また、初期輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期値の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は75時間であった。
<Example 3>
<Element Using Compound (1-57) as Host Material for Light-Emitting Layer>
An organic EL device was obtained by the method according to Example 2 except that the compound (1-22) which is the host material of the light emitting layer was changed to the compound (1-57). Using the ITO electrode as the anode and the Liq / magnesium + silver electrode as the cathode, the characteristics at 1000 cd / m 2 emission were measured. The drive voltage was 3.75 V and the external quantum efficiency was 5.48% (blue emission with a wavelength of about 460 nm). Met. Further, as a result of conducting a constant current driving test with a current density for obtaining an initial luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining the luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial value was 75 hours.
<比較例2>
<化合物(C−2)を発光層のホスト材料に用いた素子>
発光層のホスト材料である化合物(1−22)を化合物(C−2)に替えた以外は実施例2に準じた方法で有機EL素子を得た。ITO電極を陽極、Liq/マグネシウム+銀電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は4.22V、外部量子効率は5.27%(波長約458nmの青色発光)であった。また、初期輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期値の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は52時間であった。
<Comparative Example 2>
<Element Using Compound (C-2) as Host Material for Light-Emitting Layer>
An organic EL device was obtained by the method according to Example 2 except that the compound (1-22) which was the host material of the light emitting layer was changed to the compound (C-2). Using the ITO electrode as the anode and the Liq / magnesium + silver electrode as the cathode, measuring the characteristics at 1000 cd / m 2 emission, the drive voltage is 4.22 V, the external quantum efficiency is 5.27% (blue emission with a wavelength of about 458 nm) Met. In addition, as a result of conducting a constant current driving test with a current density for obtaining an initial luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining the luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial value was 52 hours.
<実施例4>
<化合物(1−1)を発光層のホスト材料に用いた素子>
スパッタリングにより180nmの厚さに製膜したITOを150nmまで研磨した、26mm×28mm×0.7mmのガラス基板((株)オプトサイエンス製)を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置(昭和真空(株)製)の基板ホルダーに固定し、HIを入れたモリブデン製蒸着用ボート、HTを入れたモリブデン製蒸着用ボート、本発明の化合物(1−1)を入れたモリブデン製蒸着用ボート、BD2を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ET2を入れたモリブデン製蒸着用ボート、Liqを入れたモリブデン製蒸着用ボートおよびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
<Example 4>
<Element Using Compound (1-1) as Host Material for Light-Emitting Layer>
A glass substrate of 26 mm × 28 mm × 0.7 mm (manufactured by Optoscience Co., Ltd.) obtained by polishing ITO deposited to a thickness of 180 nm by sputtering to 150 nm was used as a transparent support substrate. This transparent supporting substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), a molybdenum vapor deposition boat containing HI, a molybdenum vapor deposition boat containing HT, the compound of the present invention (1 -1) molybdenum deposition boat with BD2, molybdenum deposition boat with BD2, molybdenum deposition boat with ET2, molybdenum deposition boat with Liq, and tungsten deposition with aluminum A boat was installed.
透明支持基板のITO膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を5×10−4Paまで減圧し、まず、HIが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚45nmになるように蒸着して正孔注入層を形成し、次いで、HTが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚20nmになるように蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、化合物(1−1)が入った蒸着用ボートとBD2の入った蒸着用ボートを同時に加熱して膜厚25nmになるように蒸着して発光層を形成した。化合物(1−1)とBD2の重量比がおよそ95対5になるように蒸着速度を調節した。次に、ET2の入った蒸着用ボートとLiqの入った蒸着用ボートを同時に加熱して膜厚25nmになるように蒸着して電子輸送層を形成した。ET2とLiqの重量比がおよそ1:1になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は0.01〜2nm/秒であった。 The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 5 × 10 −4 Pa, and first, a vapor deposition boat containing HI was heated to deposit to a film thickness of 45 nm to form a hole injection layer, and then HT entered. The vapor deposition boat was heated and vapor-deposited to a film thickness of 20 nm to form a hole transport layer. Next, the vapor deposition boat containing the compound (1-1) and the vapor deposition boat containing BD2 were heated at the same time to form a light emitting layer by vapor deposition to a film thickness of 25 nm. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of compound (1-1) to BD2 was approximately 95: 5. Next, the evaporation boat containing ET2 and the evaporation boat containing Liq were heated at the same time to form a film having a thickness of 25 nm, thereby forming an electron transport layer. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of ET2 to Liq was approximately 1: 1. The deposition rate of each layer was 0.01 to 2 nm / second.
その後、Liqが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚1nmになるように0.01〜0.1nm/秒の蒸着速度で蒸着した。次いで、アルミニウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚100nmになるように0.01〜2nm/秒の蒸着速度でアルミニウムを蒸着することにより陰極を形成し、有機EL素子を得た。 Thereafter, the evaporation boat containing Liq was heated to deposit at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm / second so as to have a film thickness of 1 nm. Next, the evaporation boat containing aluminum was heated to form a cathode by depositing aluminum at a deposition rate of 0.01 to 2 nm / second so as to have a film thickness of 100 nm, thereby obtaining an organic EL element.
ITO電極を陽極、Liq/アルミニウム電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は3.37V、外部量子効率は5.64%(波長約457nmの青色発光)であった。また、輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期輝度の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は155時間であった。 Using the ITO electrode as the anode and the Liq / aluminum electrode as the cathode, the characteristics at 1000 cd / m 2 emission were measured. The drive voltage was 3.37 V and the external quantum efficiency was 5.64% (blue emission with a wavelength of about 457 nm). It was. In addition, as a result of performing a constant current driving test with a current density for obtaining a luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining a luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial luminance was 155 hours.
<実施例5>
<化合物(1−1)を発光層のホスト材料に用いた素子>
電子輸送層の電子輸送材料である化合物(ET2)を化合物(ET3)に替えた以外は実施例4に準じた方法で有機EL素子を得た。ITO電極を陽極、Liq/アルミニウム電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は3.95V、外部量子効率は5.44%(波長約458nmの青色発光)であった。また、初期輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期値の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は253時間であった。
<Example 5>
<Element Using Compound (1-1) as Host Material for Light-Emitting Layer>
An organic EL device was obtained by a method according to Example 4 except that the compound (ET2), which was an electron transporting material for the electron transport layer, was changed to the compound (ET3). Using the ITO electrode as the anode and the Liq / aluminum electrode as the cathode, the characteristics at 1000 cd / m 2 emission were measured. The drive voltage was 3.95 V and the external quantum efficiency was 5.44% (blue emission with a wavelength of about 458 nm). It was. In addition, as a result of conducting a constant current driving test with a current density for obtaining an initial luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining the luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial value was 253 hours.
<実施例6>
<化合物(1−22)を発光層のホスト材料に用いた素子>
スパッタリングにより180nmの厚さに製膜したITOを150nmまで研磨した、26mm×28mm×0.7mmのガラス基板((株)オプトサイエンス製)を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置(昭和真空(株)製)の基板ホルダーに固定し、HIを入れたモリブデン製蒸着用ボート、HTを入れたモリブデン製蒸着用ボート、本発明の化合物(1−22)を入れたモリブデン製蒸着用ボート、BD2を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ET3を入れたモリブデン製蒸着用ボート、Liqを入れたモリブデン製蒸着用ボートおよびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
<Example 6>
<Element Using Compound (1-22) as Host Material for Light-Emitting Layer>
A glass substrate of 26 mm × 28 mm × 0.7 mm (manufactured by Optoscience Co., Ltd.) obtained by polishing ITO deposited to a thickness of 180 nm by sputtering to 150 nm was used as a transparent support substrate. This transparent supporting substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), a molybdenum vapor deposition boat containing HI, a molybdenum vapor deposition boat containing HT, the compound of the present invention (1 -22) molybdenum deposition boat with BD2, molybdenum deposition boat with BD2, molybdenum deposition boat with ET3, molybdenum deposition boat with Liq, and tungsten deposition with aluminum A boat was installed.
透明支持基板のITO膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を5×10−4Paまで減圧し、まず、HIが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚45nmになるように蒸着して正孔注入層を形成し、次いで、HTが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚20nmになるように蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、化合物(1−22)が入った蒸着用ボートとBD2の入った蒸着用ボートを同時に加熱して膜厚25nmになるように蒸着して発光層を形成した。化合物(1−22)とBD2の重量比がおよそ95対5になるように蒸着速度を調節した。次に、ET3の入った蒸着用ボートを加熱して膜厚25nmになるように蒸着して電子輸送層を形成した。各層の蒸着速度は0.01〜2nm/秒であった。 The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 5 × 10 −4 Pa, and first, a vapor deposition boat containing HI was heated to deposit to a film thickness of 45 nm to form a hole injection layer, and then HT entered. The vapor deposition boat was heated and vapor-deposited to a film thickness of 20 nm to form a hole transport layer. Next, the vapor deposition boat containing the compound (1-22) and the vapor deposition boat containing BD2 were heated at the same time to form a light emitting layer by vapor deposition to a film thickness of 25 nm. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of the compound (1-22) and BD2 was about 95: 5. Next, the evaporation boat containing ET3 was heated and evaporated to a film thickness of 25 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer was 0.01 to 2 nm / second.
その後、Liqが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚1nmになるように0.01〜0.1nm/秒の蒸着速度で蒸着した。次いで、アルミニウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚100nmになるように0.01〜2nm/秒の蒸着速度でアルミニウムを蒸着することにより陰極を形成し、有機EL素子を得た。 Thereafter, the evaporation boat containing Liq was heated to deposit at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm / second so as to have a film thickness of 1 nm. Next, the evaporation boat containing aluminum was heated to form a cathode by depositing aluminum at a deposition rate of 0.01 to 2 nm / second so as to have a film thickness of 100 nm, thereby obtaining an organic EL element.
ITO電極を陽極、Liq/アルミニウム電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は4.69V、外部量子効率は3.67%(波長約458nmの青色発光)であった。また、輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期輝度の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は235時間であった。 Using the ITO electrode as the anode and the Liq / aluminum electrode as the cathode, the characteristics at 1000 cd / m 2 emission were measured. The drive voltage was 4.69 V and the external quantum efficiency was 3.67% (blue emission with a wavelength of about 458 nm). It was. In addition, as a result of conducting a constant current driving test with a current density for obtaining a luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining a luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial luminance was 235 hours.
<比較例3>
<化合物(C−3)を発光層のホスト材料に用いた素子>
発光層のホスト材料である化合物(1−22)を化合物(C−3)に替えた以外は実施例6に準じた方法で有機EL素子を得た。ITO電極を陽極、Liq/アルミニウム電極を陰極として、1000cd/m2発光時の特性を測定すると、駆動電圧は5.03V、外部量子効率は4.42%(波長約457nmの青色発光)であった。また、初期輝度2000cd/m2を得るための電流密度により、定電流駆動試験を実施した結果、初期値の80%(1600cd/m2)以上の輝度を保持する時間は96時間であった。
<Comparative Example 3>
<Element Using Compound (C-3) as Host Material for Light-Emitting Layer>
An organic EL device was obtained by the method according to Example 6 except that the compound (1-22) which was the host material of the light emitting layer was changed to the compound (C-3). Using the ITO electrode as the anode and the Liq / aluminum electrode as the cathode, the characteristics at 1000 cd / m 2 emission were measured. The drive voltage was 5.03 V and the external quantum efficiency was 4.42% (blue emission with a wavelength of about 457 nm). It was. Further, as a result of conducting a constant current driving test with a current density for obtaining an initial luminance of 2000 cd / m 2 , the time for maintaining the luminance of 80% (1600 cd / m 2 ) or more of the initial value was 96 hours.
以上の結果を表4にまとめた。
本発明の好ましい態様によれば、低電圧および素子寿命が優れた有機電界発光素子、それを備えた表示装置およびそれを備えた照明装置などを提供することができる。 According to a preferred aspect of the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescent element having a low voltage and an excellent element lifetime, a display device including the same, a lighting device including the same.
100 有機電界発光素子
101 基板
102 陽極
103 正孔注入層
104 正孔輸送層
105 発光層
106 電子輸送層
107 電子注入層
108 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Organic electroluminescent element 101 Substrate 102
Claims (12)
Ar1およびAr2は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアリールであり、
R1およびR2は、それぞれ独立して、炭素数1〜4のアルキルまたは炭素数3〜6のシクロアルキルであり、mおよびnは、それぞれ独立して、0〜8の整数であり、そして、
式(1)で表される化合物における少なくとも1つの水素が重水素で置換されていてもよい。 2,7-bisanthrylnaphthalene compound represented by the following general formula (1).
Ar 1 and Ar 2 are each independently an optionally substituted aryl,
R 1 and R 2 are each independently alkyl having 1 to 4 carbons or cycloalkyl having 3 to 6 carbons, m and n are each independently an integer from 0 to 8, and ,
At least one hydrogen in the compound represented by the formula (1) may be substituted with deuterium.
R1およびR2は、それぞれ独立して、炭素数1〜4のアルキルであり、mおよびnは、それぞれ独立して、0〜4の整数である、
請求項1に記載の2,7−ビスアントリルナフタレン化合物。 Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, biphenylyl, terphenylyl, quaterphenylyl, naphthyl, phenanthryl, chrysenyl, or triphenylenyl, and are alkyl having 1 to 12 carbons, cycloalkyl having 3 to 12 carbons, or May be substituted with aryl having 6 to 18 carbon atoms,
R 1 and R 2 are each independently alkyl having 1 to 4 carbon atoms, and m and n are each independently an integer of 0 to 4,
The 2,7-bisanthrylnaphthalene compound according to claim 1.
R1およびR2は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはt−ブチルであり、mおよびnは、それぞれ独立して、0または1である、
請求項1または2に記載の2,7−ビスアントリルナフタレン化合物。 Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, 2-biphenylyl, 3-biphenylyl, 4-biphenylyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl or phenanthryl, and are substituted with phenyl, 1-naphthyl or 2-naphthyl You may,
R 1 and R 2 are each independently methyl, isopropyl or t-butyl, and m and n are each independently 0 or 1,
The 2,7-bisanthrylnaphthalene compound according to claim 1 or 2.
mおよびnは0である、
請求項1〜3のいずれかに記載の2,7−ビスアントリルナフタレン化合物。 Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, 2-biphenylyl, 3-biphenylyl, 4-biphenylyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl or phenanthryl, and are substituted with phenyl, 1-naphthyl or 2-naphthyl You may,
m and n are 0,
The 2,7-bisanthrylnaphthalene compound according to any one of claims 1 to 3.
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