JP5789281B2 - 傾斜可能なオーバーヘッドrf誘導源を備えたプラズマリアクタ - Google Patents
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Description
Z(モーター1)=10.2278(−sinα)(cosθ)+5.905(sinα)(sinθ)
Z(モーター2)=10.2278(sinα)(cosθ)+5.905(sinα)(sinθ)
Z(モーター3)=11.81(−sinα)(sinθ)
Claims (14)
- ワークピースを処理するためのプラズマリアクタであって、
チャンバ側壁及びチャンバ天井と、内部にワークピースホルダーを含む処理チャンバエンクロージャと、
前記チャンバ天井の上にあり、RFエンクロージャ側壁を含む導電性RFエンクロージャと、
前記導電性RFエンクロージャ内部にあり、前記導電性RFエンクロージャから分離している浮動支持板と、
前記浮動支持板の下方で前記チャンバ天井の上方の空間内で、前記浮動支持板から吊り下げられた複数のRFプラズマパワーアプリケータと、
前記RFエンクロージャ側壁に対して固定され、前記RFエンクロージャ側壁の周りで離間した複数のアクチュエータであって、前記複数のアクチュエータのうちの各々1つは、(a)モーター駆動の軸方向に可動なアームと、(b)前記軸方向に可動なアームと前記浮動板の各々の部分との間に結合された回転可能なジョイントを含む複数のアクチュエータを含むプラズマリアクタ。 - 前記複数のアクチュエータは、前記RFエンクロージャ側壁の周りに120度の間隔で離間した3つのアクチュエータを構成し、これによって前記アクチュエータは、任意の方位角θで方向づけられた傾斜軸周りに前記浮動支持板を傾斜可能である請求項1記載のプラズマリアクタ。
- 前記複数のアクチュエータの各々1つを制御し、前記傾斜軸の前記方位角θ及び前記傾斜軸周りの傾斜角αの所望の値から前記複数のアクチュエータの軸方向動作を計算するようにプログラミングされた制御装置を更に含む請求項2記載のプラズマリアクタ。
- (a)前記RFエンクロージャ側壁は支持面を含み、(b)前記複数のアクチュエータの各々は、前記支持面上に取り付けられ、前記モーター駆動の軸方向に可動なアームに結合されたモーターモジュールと、前記モーターモジュールと並んで前記モーター駆動の軸方向に可動なアームを支持し、前記モーターモジュールに結合されたレールモジュールを含む請求項1記載のプラズマリアクタ。
- 前記浮動支持板と前記支持面の間に結合されたフレキシブルな導電性RFガスケットリングを更に含む請求項4記載のプラズマリアクタ。
- テスト用ワークピースでのエッチング速度分布を測定するための計測装置を更に含み、前記制御装置は、前記エッチング速度分布からスキューの主軸を推定し、前記傾斜軸を前記スキューの主軸として定義するように更にプログラミングされている請求項3記載のプラズマリアクタ。
- 各々が前記複数のRFプラズマパワーアプリケータのうちの対応する1つに結合している複数のRF電源を更に含み、前記制御装置は、前記複数のRF電源の電力出力レベルを制御し、前記処理チャンバ内のプラズマイオン密度の半径方向分布の均一性を向上させるために前記電力出力レベルを調整するようにプログラミングされる請求項6記載のプラズマリアクタ。
- 前記複数のRFプラズマパワーアプリケータは、複数の同心円状の螺旋導体巻線を含む請求項7記載のプラズマリアクタ。
- 前記RFエンクロージャ側壁は支持面を含む請求項7記載のプラズマリアクタ。
- 前記支持面は、前記RFエンクロージャ側壁から半径方向内側へ、前記浮動支持板の外周部に隣接して延び、前記複数のアクチュエータは前記支持面上に支持される請求項9記載のプラズマリアクタ。
- 前記導電性RFエンクロージャの内部で前記浮動支持板の上方にRFインピーダンス整合装置を更に含み、前記複数のRF電源は前記RFインピーダンス整合装置の夫々のコンポーネントを介して前記複数のRFプラズマパワーアプリケータと接続される請求項7記載のプラズマリアクタ。
- ワークピースを処理するためのプラズマリアクタであって、
チャンバ側壁及びチャンバ天井と、内部にワークピースホルダーを含む処理チャンバエンクロージャと、
前記チャンバ天井の上にあり、RFエンクロージャ側壁を含む導電性RFエンクロージャと、
前記導電性RFエンクロージャ内部にあり、前記導電性RFエンクロージャから分離している浮動支持板と、
前記浮動支持板の下方で前記チャンバ天井の上方の空間内で、前記浮動支持板から吊り下げられた複数のRFプラズマパワーアプリケータと、
前記RFエンクロージャ側壁に対して固定され、前記浮動支持板の外周部に隣接して前記浮動支持板の一部と接続される単一のアクチュエータアセンブリを含み、前記単一のアクチュエータアセンブリは、前記RFエンクロージャ側壁に結合され、ヨーイング軸周りで回転させるためのヨーイング回転ステージと、前記ヨーイング回転ステージと前記浮動支持板の間に結合され、前記ヨーイング軸を横切るローリング軸周りで回転させるためのローリング回転ステージと、前記ヨーイング回転ステージ及び前記ローリング回転ステージを回転させるためのアクチュエータモーターを含むプラズマリアクタ。 - 前記アクチュエータモーターは、ある方位角θで方向づけられた傾斜軸周りに前記浮動支持板を傾斜可能であり、前記プラズマリアクタは、前記アクチュエータモーターを制御し、前記傾斜軸の前記方位角θ及び前記傾斜軸周りの傾斜角αの所望の値から、前記ヨーイング及びローリング回転ステージの動作を計算するようにプログラミングされた制御装置を更に含む請求項12記載のプラズマリアクタ。
- 前記RFエンクロージャ側壁は、前記ヨーイング回転ステージに結合された支持面を含み、前記プラズマリアクタは、前記浮動支持板と前記支持面の間に結合されたフレキシブルな導電性RFガスケットリングを更に含む請求項13記載のプラズマリアクタ。
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KR100291898B1 (ko) * | 1999-04-09 | 2001-06-01 | 윤종용 | 스파터 오염원을 감소시키고 플라즈마에 유도 결합을 향상시키기위한 차폐판의 제조방법 및 플라즈마 식각장치 |
US6507155B1 (en) * | 2000-04-06 | 2003-01-14 | Applied Materials Inc. | Inductively coupled plasma source with controllable power deposition |
JP3462865B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2003-11-05 | 三菱重工業株式会社 | 給電アンテナ及び半導体製造装置 |
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KR100777151B1 (ko) * | 2006-03-21 | 2007-11-16 | 주식회사 디엠에스 | 하이브리드형 플라즈마 반응장치 |
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US7504041B2 (en) * | 2006-05-03 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece in a plasma reactor employing a dynamically adjustable plasma source power applicator |
US7829815B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjustable electrodes and coils for plasma density distribution control |
US8223470B2 (en) * | 2006-10-10 | 2012-07-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method to improve uniformity and reduce local effect of process chamber |
US7732728B2 (en) * | 2007-01-17 | 2010-06-08 | Lam Research Corporation | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
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