JP5788722B2 - Semiconductor device testing apparatus and central punch apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、半導体キャリアフィルム上に実装された半導体デバイスとしての液晶ドライバなどの半導体集積回路が良品であるかまたは不良品であるかを識別する半導体デバイスの試験装置およびこれに用いられる集中パンチ装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device test apparatus for discriminating whether a semiconductor integrated circuit such as a liquid crystal driver as a semiconductor device mounted on a semiconductor carrier film is a non-defective product or a defective product, and a centralized punch device used therefor About.
この種の従来の半導体デバイスの試験装置では、半導体キャリアフィルムとしてのTCP(テープキャリヤパッケージ)デバイスの特徴として、複数の半導体デバイスが並べられてテープ状に実装されており個片にできないため、良品と不良品とが同一テープ上に搭載されているという特徴がある。このため、テープに並べられた複数の半導体デバイスが良品であるかまたは不良品であるかを識別する必要がある。このため、複数の半導体デバイスの良否識別手法として、良品にマークパンチする手法(良品マークパンチ)かまたは、不良デバイスを打抜きする手法を各社採用している。 In this type of conventional semiconductor device test equipment, a characteristic of the TCP (tape carrier package) device as a semiconductor carrier film is that a plurality of semiconductor devices are arranged side by side and mounted in a tape shape and cannot be separated into individual pieces. And defective products are mounted on the same tape. For this reason, it is necessary to identify whether the plurality of semiconductor devices arranged on the tape are non-defective or defective. For this reason, each company employs a method for mark punching a non-defective product (good product mark punch) or a method for punching a defective device as a quality discrimination method for a plurality of semiconductor devices.
特許文献1には、半導体集積回路の試験装置および試験手法として、試験結果によるエラー閾値を算出して、継続試験を実施するか不良デバイスを打抜くかを決定する試験手法が開示されている。 Patent Document 1 discloses a test method for calculating an error threshold based on a test result and determining whether to perform a continuous test or to punch a defective device as a test apparatus and test method for a semiconductor integrated circuit.
図7は、特許文献1に開示されている従来の半導体デバイスの試験装置の要部構成例を示す側面図である。 FIG. 7 is a side view showing a configuration example of a main part of a conventional semiconductor device testing apparatus disclosed in Patent Document 1. In FIG.
図7に示すように、従来の半導体デバイスの試験装置100は、ハンドラー装置110とテスタ120とを有している。 As shown in FIG. 7, a conventional semiconductor device testing apparatus 100 includes a handler apparatus 110 and a tester 120.
ハンドラー装置110は、送り出しリール111a、巻き取りリール111b、テープキャリア112、TCPデバイス(半導体集積回路)112a、テープキャリア巻き取り手段である巻き取り部113、パンチャー114およびハンドラー制御装置115を備えている。
The handler device 110 includes a
テスタ120は、プローブカード121、テストヘッド122およびテスタ制御装置123を備えている。案内ローラ116,117間に、プローブカード121、巻き取り部113およびパンチャー114がこの順に配置されている。また、巻き取り部113は、3つの案内ローラ113a、113bおよび113cを含んでいる。
The tester 120 includes a
ハンドラー制御装置115は、ハンドラー110全体の制御を行う。テスタ制御装置123はテスタ120全体の制御を行う。これらハンドラー制御装置115とテスタ制御装置123とはGPIB(General Purpose Interface Bus:バス規格の一つ)などのインタフェースにより接続されており、相互に制御し合うように構成されている。
The handler control device 115 controls the handler 110 as a whole. The
上記構成により、ハンドラー装置110内の送り出しリール111aにセットされ、複数のTCPデバイス112aがテープ上に搭載されたテープキャリア112は、1デバイス毎に送り出しリール111aより送り出される。送り出されたテープキャリア112上のTCPデバイス112aは、一個づつ、順次に、テスタ120のテストヘッド122上のプローブカード121にセットされる。ハンドラー制御装置115は、TCPデバイス112aがプローブカード121にセットされると、テスタ制御装置123に対してテストスタート信号を出力し、テスタ120はこれを受けて試験を開始し、その試験結果の良否判定結果をハンドラー制御装置115に返す。
With the above configuration, the
この場合、ハンドラー制御装置115において、エラー率算出手段により算出されたエラー率を、記憶部から読み出されたエラー率しきい値とエラー率比較手段で比較し、エラー率比較手段による比較の結果、エラー率算出手段により算出されたエラー率がエラー率しきい値を超えた場合に、試験装置側の接触不良など試験装置側が不調である場合があるので、打ち抜き停止手段が、パンチャー114による半導体集積回路の打ち抜きを停止する信号をパンチャー114に出力する。例えば、テスタ側の接触不良で所定数が連続して不良になる場合に、試験装置を止めて試験装置を再起動した場合に不良ではなくなる場合もあり得る。これによって、停止以後のデバイスを打ち抜くことなく、その後に不良デバイスになって打ち抜かれることを救済すると共に、必要に応じて巻き取り部113の半導体集積回路の再試験を実施して、巻き取り部113内で不良デバイスであったものを救済することもできる。
In this case, in the handler control device 115, the error rate calculated by the error rate calculating unit is compared with the error rate threshold value read from the storage unit by the error rate comparing unit, and the comparison result by the error rate comparing unit is obtained. When the error rate calculated by the error rate calculation means exceeds the error rate threshold, the test apparatus side may be out of order such as a contact failure on the test apparatus side. A signal for stopping the punching of the integrated circuit is output to the
次に、特許文献2には、試験測定前後のTABを画像認識するTAB試験装置が開示されている。
Next,
図8は、特許文献2に開示されている従来のTAB試験装置の要部構成例を示す側面図である。
FIG. 8 is a side view showing a configuration example of a main part of a conventional TAB test apparatus disclosed in
図8に示すように、従来のTAB試験装置200において、供給リール201はテープキャリア202を装着し、収容リール203は電気試験または分類識別されたテープキャリア202を巻き取り、プッシャ204はテープキャリア202を押下することによりTABをICテスタに接触導通させる。スプロケット205aとスプロケット205bは同期して回転することによりテープキャリア202を移送し、パンチユニット206は電気試験の結果によりテープキャリア202のTABに識別穴を開け、またはICチップを打ち抜く。撮像カメラ207は光源208の出射光によるTABの画像を撮像し、画像処理ユニット209は撮像カメラ207による画像データを受信して画像処理し、制御ユニット210は画像処理ユニット209の撮像データが入力され、測定時のTABを位置制御する。撮像カメラ211をテープキャリア202の測定の前段に配置し、撮像カメラ211はTABの画像を撮像し、撮像カメラ211による第1の画像データを画像処理ユニット209に出力する。また、撮像カメラ212をパンチユニット206の後段に配置し、撮像カメラ212はTABの画像を撮像し、撮像カメラ212による第2の画像データを画像処理ユニット209に出力し、第1の画像データをTABの測定可否のデータとして制御ユニット210に格納し、第2の画像データを制御ユニット210に送出し、第1の画像データおよびパンチユニット206の打ち抜き結果と比較照合する。
As shown in FIG. 8, in the conventional
撮像カメラ211,212は、画像認識により、TABの有無、ICチップの有無、マーク穴の有無を精度よく検出する。撮像カメラ211による撮像データは制御ユニット210に格納され、TABの測定時に測定の実行または不実行を指令する。撮像カメラ212による撮像データは撮像カメラ211による撮像データと比較照合またはパンチユニット206の打ち抜き指令と比較照合する。
The
このように、撮像カメラ211,212にてTABを測定前後に画像認識することにより、誤検出を防止することができる。
Thus, erroneous detection can be prevented by recognizing TAB images before and after measurement by the
いずれにせよ、良品/不良品を識別する場合に、良品にマークパンチする良品マークパンチ方式と、不良デバイスに打抜きする不良デバイス打抜き方式とがあるが、良品マークパンチ方式では、直径2mm程度のパンチ金型で良品に穴開け加工を実施するため、打ち抜きバリが発生する虞があり、特に、歩留まりがよい場合、このマークパンチの打ち抜き時間とマークパンチ検出時間が必要となる。一方、不良デバイス打抜き方式では、不良デバイスはICチップを含めてデバイスごと打ち抜きを実施するために、デバイスごと打ち抜いた後では、不良デバイスが壊れて再テストができないばかりか、不良デバイスの救済が全くできない。 In any case, when identifying a good / defective product, there are a good product mark punch method for punching a good product and a defective device punching method for punching a defective device. In the good product mark punch method, a punch with a diameter of about 2 mm is used. Since punching is performed on a non-defective product with a mold, there is a risk of punching burrs. In particular, when the yield is good, this punching time and mark punch detection time are required. On the other hand, in the defective device punching method, since the defective device is punched for each device including the IC chip, after punching for each device, the defective device is broken and cannot be retested. Can not.
特許文献1では、エラー率が所定のエラー率しきい値を超えた場合に、試験装置を停止して、試験装置側の接触不良で所定数が連続して不良になっても、試験装置を停止することでそれ以上、不良デバイスを増やさないことから、ある程度の不良デバイスの救済はできるものの、不良デバイスの救済をより効率よく完全に行うことはできない。 In Patent Document 1, when the error rate exceeds a predetermined error rate threshold, the test device is stopped, and even if the predetermined number continuously becomes defective due to contact failure on the test device side, Since the number of defective devices is not increased further by stopping, the defective devices can be repaired to some extent, but the defective devices cannot be repaired more efficiently and completely.
特許文献2の試験装置では、撮像カメラ211,212にてTABを測定前後に画像認識することにより、誤検出を防止するものの、良品デバイスであるにもかかわらず、データマップ位置ずれによる誤打抜きの可能性もある。
In the test apparatus of
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを更に向上させることができる半導体デバイスの試験装置およびこれに用いられる集中パンチ装置を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-mentioned conventional problems, shortens the handling time during the measurement test, and can also relieve a device once determined to be defective, thereby further improving the yield. It is an object of the present invention to provide a test apparatus and a concentrated punch apparatus used therefor.
本発明の半導体デバイスの試験装置は、半導体キャリアフィルム上に実装された複数の半導体デバイスの良否を識別する半導体デバイスの試験装置であって、該複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置と、該一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、該データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。 A semiconductor device test apparatus according to the present invention is a semiconductor device test apparatus for identifying the quality of a plurality of semiconductor devices mounted on a semiconductor carrier film, and performs a predetermined measurement test on the plurality of semiconductor devices. One or more handler devices, a database in which measurement test results measured by the one or more handler devices are stored as tape map data via a network, and a defective device based on the tape map data of the database It has one or a plurality of concentrated punch devices for punching from a semiconductor carrier film, whereby the above object is achieved.
また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における集中パンチ装置は、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における集中パンチ装置は、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、該不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。 Preferably, the concentrated punching apparatus in the semiconductor device testing apparatus of the present invention compares the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the defective device, and then identifies the defective device as the semiconductor carrier. Punch from film. Preferably, the concentrated punching apparatus in the semiconductor device test apparatus of the present invention is configured to check the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the defective device, and to identify the defective device as the semiconductor carrier. Punch continuously from film.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該不良デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該不良デバイスのアドレス位置を照合する。 Further, preferably, in the semiconductor device test apparatus of the present invention, the collating process between the empty device position in the tape map data and the address data of the defective device is performed by the empty device position closest to the upstream side of the address data of the defective device. Using the tape address data as a reference position, the address position of the defective device from the empty device position is collated.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における空デバイス位置は、半導体キャリアフィルム不良として「デバイスなし状態」で予め打ち抜かれているアドレスデータである。 More preferably, the empty device position in the semiconductor device test apparatus of the present invention is address data punched beforehand in a “no device state” as a semiconductor carrier film defect.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置は、前記半導体キャリアフィルム上に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にICテスタの接触子を接触導通させて該半導体キャリアフィルム内の各半導体デバイスの良否識別の測定試験を行う。 Still preferably, in a semiconductor device test apparatus according to the present invention, the handler device includes a contact of an IC tester that is in contact with a plurality of terminals of the semiconductor device sequentially mounted on the semiconductor carrier film. A measurement test is performed to determine whether each semiconductor device is good or bad.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置において、前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く。 Further preferably, in the semiconductor device testing apparatus of the present invention, the defective device is punched out of the semiconductor carrier film by the central punching device connected to the handler device via the database in the network. .
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の不良デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の不良デバイス検出率を検出した場合に、当該不良デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理する。 Further preferably, the plurality of handler apparatuses in the semiconductor device test apparatus of the present invention are configured to be able to perform a re-measurement test, and are provided with a monitoring control unit that monitors measurement test results obtained from the plurality of handler apparatuses, When a predetermined reference number of defective devices are continuously detected in the measurement test or when a defective device detection rate equal to or greater than a predetermined reference value is detected, the handler apparatus in which the defective device is detected is automatically stopped.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるデータベースのテープマップデータにおける不良品デバイスデータを、前記再測定試験の結果データとしての良品デバイスデータにテープマップ合成して変更する。 Further, preferably, the defective device data in the tape map data of the database in the semiconductor device testing apparatus of the present invention is tape-synthesized and changed to non-defective device data as the result data of the remeasurement test.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置で測定試験した測定試験結果として、良否識別情報の他に複数のランク情報が付加されて前記データベースに前記テープマップデータとして格納される。 Further preferably, as a measurement test result measured by the handler device in the semiconductor device test apparatus of the present invention, a plurality of rank information is added in addition to the pass / fail identification information and stored as the tape map data in the database. .
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における不良デバイスの打ち抜きに代えて、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報の半導体デバイスを残して、それ以外のランク情報の半導体デバイスが、前記集中パンチ装置により前記データベースのテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、該打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープ再編成される。 Further, preferably, instead of punching out a defective device in the semiconductor device test apparatus of the present invention, a semiconductor device having one rank information among the plurality of rank information is left, and a semiconductor device having other rank information is provided. The central punching device is punched on the basis of the tape map data in the database, and all or a part of the punched rank information is reorganized for each rank information.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。 Further preferably, after collating the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the semiconductor device other than the rank information of one of the plurality of rank information in the semiconductor device test apparatus of the present invention. Then, instead of punching the defective device, the semiconductor device other than the one rank information is punched from the semiconductor carrier film by the concentrated punching device. Preferably, while checking the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the semiconductor device other than the rank information of one of the plurality of rank information in the semiconductor device test apparatus of the present invention Instead of punching the defective device, the semiconductor device other than the one rank information is continuously punched from the semiconductor carrier film by the concentrated punch device.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と前記一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレス位置を照合する。 Further preferably, in the semiconductor device testing apparatus according to the present invention, the collation process between the empty device position in the tape map data and the address data of the semiconductor device other than the one rank information is performed by the semiconductor device other than the one rank information. The address position of the semiconductor device other than the one rank information from the empty device position is collated with the tape address data of the empty device position immediately upstream of the address data as the reference position.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置が、前記半導体キャリアフィルム上に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にICテスタの接触子を接触導通させて該半導体キャリアフィルム内の各半導体デバイスの良否識別を含むランク識別の測定試験を行う。 Further preferably, the handler device in the semiconductor device test apparatus of the present invention is configured such that the contact of the IC tester is brought into contact with a plurality of terminals of the semiconductor device sequentially mounted on the semiconductor carrier film, and the inside of the semiconductor carrier film. The rank identification measurement test including the pass / fail identification of each semiconductor device is performed.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置において、前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く。 Further preferably, in the semiconductor device testing apparatus according to the present invention, the semiconductor device other than the one rank information is transferred to the semiconductor carrier by the centralized punching device connected to the handler device via the database in the network. Concentrate and punch from the film.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の所定ランク情報の半導体デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の所定ランク情報半導体デバイスの検出率を検出した場合に、当該所定ランク情報半導体デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理する。 Further preferably, the plurality of handler apparatuses in the semiconductor device test apparatus of the present invention are configured to be able to perform a re-measurement test, and are provided with a monitoring control unit that monitors measurement test results obtained from the plurality of handler apparatuses, In the measurement test, when a predetermined reference number of semiconductor devices having predetermined rank information are detected or when a detection rate of predetermined rank information semiconductor devices equal to or higher than a predetermined reference value is detected, the predetermined rank information semiconductor device is The detected handler device is automatically stopped.
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるデータベースのテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータを、前記再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成して変更する。 Further preferably, the predetermined rank information semiconductor device data in the tape map data of the database in the semiconductor device test apparatus of the present invention is tape-map-combined with another predetermined rank information semiconductor device data as result data of the remeasurement test. To change.
本発明の集中パンチ装置は、複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスまたは所定ランクデバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜くものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The central punch apparatus according to the present invention is a database tape map in which measurement test results measured by one or a plurality of handler apparatuses that perform a predetermined measurement test on a plurality of semiconductor devices are stored as tape map data via a network. A defective device or a predetermined rank device is punched out from the semiconductor carrier film based on the data, and the above object is achieved.
また、好ましくは、本発明の集中パンチ装置において、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の集中パンチ装置において、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。 Preferably, in the centralized punching apparatus of the present invention, after checking the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the defective device or the predetermined rank device, the defective device or the predetermined rank device is Punched from the semiconductor carrier film. Preferably, in the centralized punching apparatus of the present invention, the defective device or the predetermined rank device is checked while checking the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the defective device or the predetermined rank device. Continuously punched from the semiconductor carrier film.
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。 With the above configuration, the operation of the present invention will be described below.
本発明においては、複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置と、一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有している。 In the present invention, one or a plurality of handler apparatuses that perform a predetermined measurement test on a plurality of semiconductor devices, and a measurement test result obtained by performing the measurement test on one or a plurality of handler apparatuses are stored as tape map data via a network. And one or a plurality of central punching devices for punching out defective devices from the semiconductor carrier film based on the tape map data of the database.
これによって、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを更に向上させることが可能となる。 As a result, the handling time during the measurement test can be shortened, and the device once determined to be defective can be remedied, and the yield can be further improved.
以上により、本発明によれば、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となる。このように、測定試験時のハンドリング時間を短縮することができる上、マップデータにランク分けデータを付加することにより良品のランク分けおよび不良デバイスを救済することができる。 As described above, according to the present invention, the handling time during the measurement test can be shortened, and a device that has been determined to be defective can be relieved. In this way, the handling time during the measurement test can be shortened, and the rank classification data and defective devices can be relieved by adding the rank classification data to the map data.
以下に、本発明の半導体デバイスの試験装置の実施形態1について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。 Embodiment 1 of a semiconductor device test apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In addition, each thickness, length, etc. of the structural member in each figure are not limited to the structure to illustrate from a viewpoint on drawing preparation.
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1における半導体デバイスの試験装置の要部構成例を模式的に示す側面図である。図2は、図1のTCPの一部分を示す平面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a side view schematically showing a configuration example of a main part of a semiconductor device test apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing a part of the TCP of FIG.
図1および図2において、本実施形態1の半導体デバイス41の試験装置1では、複数の半導体デバイス41に対して所定の測定試験を行う測定部としてのICテスタ51を含む一または複数のハンドラー装置5と、一または複数のハンドラー装置5で測定試験した試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベース6と、データベース6のテープマップデータに基づいて不良デバイスを半導体キャリアフィルム(COF(Chip On Film)などもあるが、ここではTCP4とする)から打ち抜く一または複数の集中パンチ装置7とを有し、この不良デバイスの打ち抜きによりTCP4に実装された複数の半導体デバイスの良否を識別することができる。
1 and 2, in the test apparatus 1 for the
TCP4(テープキャリヤパッケージ)において、液晶ドライバなどの半導体集積回路(IC)である半導体デバイス41がテープに複数並べられて実装されており、複数の半導体デバイス41にはそれぞれ複数の配線を介して複数の端子42がその周囲にそれぞれ配置されている。測定試験時には、測定部としてのICテスタ51のプローブカードからの複数のプローブが半導体デバイス41毎の所定の各端子42に接触導通されることにより、所定の電圧をTCP4の各端子42に印加して所定範囲の期待値出力が得られるかどうかの測定試験結果に応じて、所定範囲の期待値出力が得られない場合に不良品と判定すると共に、データベース6に測定試験アドレス順に測定結果を記録して、データベース6のTPCデバイスデータから、「デバイスなし」のTCP不良の空デバイス位置との関係を含むテープマップデータを作成する。なお、この場合のTCP不良の空デバイス位置は、ロット毎にユニークである。TCP4は、配線が接続された複数の端子42に対して半導体デバイス41の半導体チップがパッド43にワイヤボンディングなどで接続されて搭載されたものであるが、その半導体チップの搭載前のテープは、パッド43、配線および端子42のカケやその他の損傷などの不良部分は、半導体チップが搭載されないように、TCP不良の空デバイス位置として予め打ち抜かれている。即ち、空デバイス位置とは、TCP不良として「デバイスなし状態」で打ち抜かれているアドレスデータのことである。TCP4の複数の半導体デバイス41の全体の例えば数パーセントほど、TCP不良の空デバイス位置が存在するが、これを利用して測定アドレスの位置決めを補強している。
In TCP4 (tape carrier package), a plurality of
ハンドラー装置5は、供給リール2から供給されたTCP4の半導体デバイス41に対して所定の測定試験をした後に回収リール3にTCP4を巻き取って回収するものであって、TCP4に順次搭載された各半導体デバイス41の複数の端子42にICテスタ51のプローブなどの接触子を接触導通させて、所定電圧を端子42に印加してその出力電流や出力電圧が所定範囲内に収まるかどうかを測定試験することにより、TCP4内の各半導体デバイス41の良否判定試験を順次行っている。
The
ICテスタ51は、半導体デバイス41が液晶ドライバなどのICデバイスの場合に、各半導体デバイス41の所定の端子42に接触子を介して所定電圧が所定タイミングに印加できるように構成されていると共に、各半導体デバイス41の所定の別端子42に接触子を介して出力電流または電圧が出力されるように構成されている。所定の別端子42から接触子を介して入力してきた出力電流または電圧が所定の範囲であるかどうかを検出し、これが所定の範囲から外れている場合に不良デバイスであると判定する。
The
また、ICテスタ51は、半導体デバイス41がLED素子の場合には、各半導体デバイス41の所定の端子42に接触子を介して所定電圧が所定タイミングに印加できるように構成されていると共に、各半導体デバイス41の発光量を検出する撮像素子を含む発光量測定手段が設けられ、発光量測定手段から得られた発光量が所定の基準発光量に達していなければこれを検出して不良デバイスとして判定する。これらの良否判定結果(測定試験結果)は、ICテスタ51内の所定の記録制御部によりネットワークを介してデータベース6に記録制御される。なお、この測定試験は、良否判定の他に、複数ランク分けに判定するように構成することもできる。
In addition, when the
データベース6は、一または複数のハンドラー装置5で良否判定試験をした測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして記録される。このテープマップデータは、空デバイス位置のアドレスデータとTCP4内のテープアドレスデータとの関係が対応可能になっている。
In the
集中パンチ装置7は、データベース6内のテープマップデータに基づいて、このテープマップデータ内の「デバイスなし」の空デバイス位置と測定順のテープアドレスデータとの関係を照合した後に、不良デバイスをTCP4からパンチ金型からなるパンチユニット71を用いてまとめて集中して打ち抜き処理を行う。このように、テープマップデータに良品、不良品情報の他に空デバイス位置(テープ不良でデバイスなし)の情報も付加し、空デバイス位置は、テープロット毎にユニークであり、空デバイス位置をロットID情報として常に照合する。
Based on the tape map data in the
従来は、所定の電圧をTCP4の複数の端子42に印加して所定範囲の期待値出力が得られるかどうかの測定試験を行い、その測定試験結果に応じて、所定範囲の期待値出力が得られない場合に不良デバイスと判定してパンチでTAB4の半導体チップ41ごと打ち抜いていたが、本実施形態1においては、このハンドラー装置5による測定試験時には、試験装置1側の例えば接触不良に起因して連続して不良デバイスが発生する虞もあることから、測定試験時の不良デバイスの打ち抜きを行わずに、測定試験結果データの位置を用いて測定試験後に集中して不良デバイスの打ち抜きを行う。この場合、TCPの不良デバイスの位置を間違えることがないように、TCP不良の空になった空デバイス位置と測定結果データの良否位置との照合を行って、不良デバイスの打ち抜きを精度よく行う。
Conventionally, a predetermined voltage is applied to a plurality of
要するに、本実施形態1では、TCP品で良品識別として使用している良品/不良品パンチ方式の代わりに、ハンドラー装置5とネットワーク接続された別装置の集中パンチ装置7を使用してパンチを実施する。この集中パンチ方式は、テープマップズレの可能性があるので、空デバイス位置(TCP不良の空になった位置)を測定アドレスの良否判定結果と照合することにより、テープマップズレを防止することができる。
In short, in the first embodiment, instead of the non-defective product / defective product punching method used as a good product identification in the TCP product, punching is performed using a
以下、本実施形態1の半導体集積回路の試験装置1の事例について更に具体的に説明する。 Hereinafter, an example of the semiconductor integrated circuit test apparatus 1 according to the first embodiment will be described more specifically.
図3(a)は、従来の場合に、測定試験とパンチを行う複数のハンドラー装置が個別に配置されている様子を示す図、図3(b)は、本実施形態1の半導体集積回路の試験装置1において、図1の測定試験を行う複数のハンドラー装置5とパンチを行う集中パンチ装置7がデータベース6を介してネットワークで接続された様子を示す図である。
FIG. 3A is a diagram showing a state in which a plurality of handler devices for performing a measurement test and punching are individually arranged in the conventional case, and FIG. 3B is a diagram of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment. FIG. 2 is a diagram showing a state in which a plurality of
図3(a)に示すように、従来の場合には、測定試験とパンチを行う複数のハンドラー装置が個別に複数配置され、測定試験の結果、不良デバイスはICチップを含めてデバイスごと打ち抜きされる。 As shown in FIG. 3 (a), in the conventional case, a plurality of handler devices for performing a measurement test and punching are individually arranged, and as a result of the measurement test, defective devices including IC chips are punched for each device. The
一方、図3(b)に示すように、本実施形態1の半導体デバイスの試験装置1において、図1の測定試験を行う複数のハンドラー装置5とパンチを行う集中パンチ装置7がデータベース6を介してネットワークで接続されているため、複数のハンドラー装置5で測定試験だけを行って、試験装置1側の接触不良などに起因する不良デバイスが連続して発生しても、これらを自動的に検出してそのハンドラー装置5を停止処理してもよいし、手動でハンドラー装置5を一時停止処理してもよく、その不良デバイスに対して容易に再試験を行って不良デバイスを救済することができる。その後、集中パンチ装置7でまとめて正確に不良デバイスのICチップ41を含めてTCPデバイスごと打抜くことができる。
On the other hand, as shown in FIG. 3B, in the semiconductor device testing apparatus 1 of the first embodiment, a plurality of
要するに、複数のハンドラー装置5は再測定試験可能に構成されており、複数のハンドラー装置5から得られる測定試験結果(テープマップデータ)を監視する監視制御部(図示せず)が設けられ、測定試験で連続して所定基準数の不良デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の不良デバイス検出率を検出した場合に、当該不良デバイスが検出されたハンドラー装置5を自動停止処理して、その不良デバイスに対して再測定試験を容易に行う。
In short, the plurality of
図4は、図1の集中パンチ装置7でまとめてTCPを打ち抜く場合の、データベース内のTCPデバイスデータとテープマップデータの照合処理について説明するためのデータ図である。
FIG. 4 is a data diagram for explaining a collation process between the TCP device data in the database and the tape map data when TCP is punched together by the
図4に示すように、集中パンチ装置7でまとめてTCPを打ち抜く場合のデータ照合処理は、データベース6内に格納されたTCPデバイスデータと、これに良否判定結果が格納されたテープマップデータとにおいて、「デバイスなし」の空デバイス位置(TCP不良のデバイスが空になった位置)のテープアドレスと不良デバイスのアドレス位置とを対応付けて常に照合することにより、誤打ち抜きを防止することができる。仮に、誤打ち抜きが発生した場合であっても、空デバイス位置から次の空デバイス位置までの区間のみが対象になり、被害が最小限に抑制される。
As shown in FIG. 4, the data collation process when the
この場合のテープマップデータ内の空デバイス位置と不良デバイスのアドレスデータとの照合処理は、その不良デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、その不良デバイスのアドレス位置の当該空デバイス位置からのアドレスを対応付けることにより行う。不良デバイスのアドレス位置の当該空デバイス位置からのアドレスは、不良デバイスのアドレスデータから上流側直近の空デバイス位置の差を求めればよい。 In this case, the matching process between the empty device position in the tape map data and the address data of the defective device is performed by using the tape address data of the empty device position closest to the upstream side of the address data of the defective device as a reference position. This is performed by associating addresses from the empty device position of the address position. For the address from the empty device position of the defective device address position, the difference between the empty device positions closest to the upstream side may be obtained from the address data of the defective device.
次に、測定試験結果として、良否判定だけではなく、ランク情報を付加して不良デバイスを一部救済することができる。これについて図5を用いて説明する。 Next, as a measurement test result, not only pass / fail judgment but also rank information can be added to partially relieve defective devices. This will be described with reference to FIG.
図5は、ランク情報を付加した各ランクデータ毎のデバイスが搭載されたテープを作成する場合を説明する図である。 FIG. 5 is a diagram for explaining a case where a tape on which a device for each rank data to which rank information is added is mounted is created.
図5において、最も左のTCPデバイスデータには、ハンドラー装置5で測定試験した測定試験結果として、良否判定の他にランク情報として、例えば良品Aランク、良品Bランク、不良品Aランクおよび不良品Bランクが付加されてデータベース6にテープマップデータとして格納されている。
In FIG. 5, the leftmost TCP device data includes, as a measurement test result measured by the
この最も左のTCPデバイスデータにランク情報が付与されたテープマップデータ対して、最も左から次の良品Aランクロットデータでは、ランク情報として良品Aランクのみ残してそれ以外のランク情報のTCPデバイス(ICデバイス41および配線を介して複数の端子42)は打ち抜かれている。この良品Aランク品は規格品として打ち抜き部を含むテープの状態で出荷される。
With respect to the tape map data in which rank information is given to the leftmost TCP device data, in the next non-defective A rank lot data from the left, only the non-defective A rank is left as rank information, and other rank information TCP devices ( A plurality of terminals 42) are punched out via the
最も左から3番目の良品Bランクロットデータおよび最も右の不良品Aランクロットデータではそれぞれ個別にテープ編成している。良品Bランク品および不良品Aランク品はそれぞれ別規格品としてテープ状態で出荷される。即ち、良品Bランク品および不良品Aランク品はそれぞれ、図5に示すようにテープに再登載(再ASSY)されて別使用の規格品として出荷される。 The third non-defective B rank lot data and the right most defective A rank lot data from the left are individually tape-knitted. The non-defective product B rank product and the defective product A rank product are each shipped in a tape state as different standard products. That is, each of the non-defective product B rank product and the defective product A rank product is shipped again (re-ASSY) on the tape as shown in FIG.
不良品Aランクは、ICデバイス41が例えば液晶ドライバの場合で4倍速において消費電流値に問題があっても、通常速度では全く問題のない範囲内であれば、使用用途に応じて用いることができる。また、ICデバイス41が例えばLED素子の場合には、発光強度によってランク分けがされ、ランク分けされた各発光強度のLED素子を組み合わせて用いたりしている。
The defective product A rank may be used according to the intended use as long as the
複数のランク情報のうちの一のランク情報(ここでは良品Aランク)を残して、それ以外のランク情報(ここでは、良品Bランク、不良品Aランクおよび不良品Bランク)の半導体デバイスが、集中パンチ装置7によりデータベース6内のテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、その打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部(ここでは、良品Bランクおよび不良品Aランク)の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープに再登載されてテープ再編成される。
The semiconductor device of the rank information (here, good product B rank, defective product A rank and defective product B rank) other than the rank information (here, good product A rank) is left out of a plurality of rank information. The
次に、テープマップデータの再測定試験後のデータ重ね合わせについて説明する。 Next, data superposition after the tape map data re-measurement test will be described.
図6は、再測定試験前のテープマップデータ、テープマップデータの不良品のみを再測定試験した結果を示すテープマップデータ、再測定試験前後のテープマップデータを合成した後のテープマップデータを示す図である。 FIG. 6 shows the tape map data before the re-measurement test, the tape map data showing the result of the re-measurement test of only defective tape map data, and the tape map data after the tape map data before and after the re-measurement test are synthesized. FIG.
測定試験の時点では、不良デバイスをパンチで打ち抜くことがないので、再試験が容易に可能である。試験装置1側の例えば接触不良に起因して連続して不良デバイスが発生したような場合に、図6に示すように、再測定試験前のテープマップデータにおける不良デバイスの再測定試験を行って良品判定となった場合に、その良品判定となったアドレスデータに、「デバイスなし」のアドレス位置と対応して照合しつつ、その対応する再測定試験前のテープマップデータを再測定試験結果に変更する。 At the time of the measurement test, since a defective device is not punched out, a retest can be easily performed. For example, when defective devices are continuously generated due to poor contact on the test apparatus 1 side, as shown in FIG. 6, a re-measurement test of the defective device in the tape map data before the re-measurement test is performed. In the case of a non-defective product judgment, the corresponding tape map data before the re-measurement test is used as the re-measurement test result while matching the address data of the non-defective product with the address position of “no device”. change.
以上により、本実施形態1においては、まず、測定試験の時点で不良デバイスをパンチで打ち抜くことなく、測定試験結果をデータベース6内のテープマップデータとして格納し、テープマップデータ全体または一部を監視して、再測定試験が必要かどうかを自動的に判定してもよいし、または、不良デバイスの数が所定の基準不良率(全体であってもよいし、または、空デバイス位置間であってもよい)を超えた場合や、測定試験で連続して所定数の不良デバイスが検出された場合に、ハンドラー装置5による測定試験を自動停止して、不良デバイスだけを別途、テープマップデータの不良デバイスのアドレス位置に基づいて、「デバイスなし」のアドレス位置と照合しつつ、再測定試験を実施してもよい。
As described above, in the first embodiment, first, the measurement test result is stored as the tape map data in the
次に、図6に示すように、ここでは良否判定であるが、再測定試験前のテープマップデータにおける不良デバイスに対応するデバイスの再測定試験を行って良品判定となった場合に、その良品判定となったアドレスデータに、「デバイスなし」のアドレス位置と照合しつつ、対応する再測定試験前のテープマップデータを変更する。 Next, as shown in FIG. 6, the pass / fail judgment is made here. However, when the re-measurement test of the device corresponding to the defective device in the tape map data before the re-measurement test is performed and the non-defective product is judged, Corresponding tape map data before the re-measurement test is changed while collating the address data determined as “no device” with the address position.
その後、変更したテープマップデータに基づいて、「デバイスなし」のアドレス位置と照合した後に、集中パンチ装置7で不良デバイスを打ち抜く。
Thereafter, based on the changed tape map data, after collating with the address position of “no device”, the defective device is punched out by the
以上によって、ハンドラー装置5とネットワーク接続された別装置の集中パンチ装置7を使用してパンチを実施するため、ハンドラー装置5による測定試験結果を格納したテープマップデータのみ取得してハンドラー装置5ではパンチをしない。このため、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、マップデータ結果を重ね合わせてデータ更新することが可能なため、再測定試験も容易に行うことができて、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを向上させることができる。この場合、別装置で打抜き処理をするため、測定試験時の穴あけ時間(打抜き時間)とそのチック時間を不要とすることができてICテスタ51の稼働率を向上させることができる。テープマップデータを活用して、不良デバイスまたは特定項目不良の再測定試験が可能となる。また、別装置での再測定試験も可能となる。この再測定試験の際には、テープマップデータの重合せを実施する。
As described above, since punching is performed using the
また、従来の表示方式では、良品/不良品識別のみであったが、テープマップ情報の良品,不良品にランク分け情報を付加することで、打抜き、再ASSY後に別規格の良品として救済が可能となる。要するに、テープマップデータを活用して、良品、不良品処理に加えて、テープマップデータ中に、ランク分け用データを付加することにより、ランク分け、例えば良品デバイスのランク分け、例えば不良デバイスの救済(ランク落ち品)が可能となる。 In the conventional display method, only good / defective products were identified, but by adding rank classification information to good and defective tape map information, it can be relieved as a non-defective product after punching and re-assy. It becomes. In short, in addition to non-defective product and defective product processing using tape map data, ranking data is added to the tape map data by adding ranking data, for example, ranking of non-defective devices, for example, repair of defective devices. (Rank fall goods) becomes possible.
さらに、空デバイス(テープ不良でデバイス無し)のアドレス情報もテープマップデータ中に付加して、打ち抜くアドレス位置と空デバイスのアドレス情報との関係もアドレス照合することにより不良デバイスの誤打抜きを防止することができる。仮に、誤打抜きが発生した場合でも、空デバイスから次の空デバイスまでの区間が対象となり、最小限のロス発生に抑制できる。また、集中パンチ装置7ではパンチをまとめて実施するため、各ハンドラ装置5で保有している打抜き金型であるパンチユニット71を不要とすることができて、従来のようにハンドラー装置内のパンチ時に発生するダストを防止することができると共に、打抜き用金型の台数抑制をも図ることができて、管理する打抜き用金型台数を削減することができる。
In addition, address information for empty devices (tape failure and no devices) is also added to the tape map data, and address matching is also performed on the relationship between the address position to be punched out and the address information for the empty device to prevent erroneous device punching. be able to. Even if erroneous punching occurs, the section from the empty device to the next empty device is targeted, and the occurrence of a minimum loss can be suppressed. Further, since the
なお、本実施形態1では、ハンドラー装置5で測定試験した測定試験結果として、良否識別情報の他に複数のランク情報が付加されてデータベース6にテープマップデータとして格納される。この場合に、不良デバイスの打ち抜きに代えて、複数のランク情報のうちの一のランク情報の半導体デバイスを残して、それ以外のランク情報の半導体デバイスが、集中パンチ装置7によりデータベース6のテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープ再編成される場合について説明したが、これに加えて、本実施形態1では特に説明しなかったが、次のように行うことができる。
In the first embodiment, a plurality of rank information is added to the
テープマップデータ内の空デバイス位置と、複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、集中パンチ装置7により、不良デバイスの打ち抜きに代えて、一のランク情報以外の半導体デバイスをTCPから打ち抜くようにすることができる。
After collating the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the semiconductor device other than the rank information of one of the plurality of rank information, instead of punching out the defective device by the
テープマップデータ内の空デバイス位置と一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの照合処理は、一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレス位置を照合することおができる。 The matching process between the empty device position in the tape map data and the address data of the semiconductor device other than the one rank information is performed by using the tape address data of the empty device position closest to the upstream side of the address data of the semiconductor device other than the one rank information. As the reference position, the address position of the semiconductor device other than one rank information from the empty device position can be collated.
ハンドラー装置5が、TCP4に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にICテスタの接触子を接触導通させてTCP4内の各半導体デバイスの良否識別を含むランク識別の測定試験を行うようにすることができる。
The
ハンドラー装置5とネットワーク中のデータベース6を介して接続された集中パンチ装置7により、一のランク情報以外の半導体デバイスをTCP4から集中して打ち抜くようにすることもできる。
A
複数のハンドラー装置5は再測定試験可能に構成されており、複数のハンドラー装置5から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、測定試験で連続して所定基準数の所定ランク情報の半導体デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の所定ランク情報半導体デバイスの検出率を検出した場合に、当該所定ランク情報半導体デバイスが検出されたハンドラー装置5を自動停止処理するように構成することもできる。
The plurality of
データベース6のテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータを、再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成して変更することができる。
The predetermined rank information semiconductor device data in the tape map data of the
以上のように、本発明の好ましい実施形態1を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。 As mentioned above, although this invention has been illustrated using preferable Embodiment 1 of this invention, this invention should not be limited and limited to this Embodiment 1. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range from the description of the specific preferred embodiment 1 of the present invention based on the description of the present invention and the common general technical knowledge. Patents, patent applications, and documents cited herein should be incorporated by reference in their entirety, as if the contents themselves were specifically described herein. Understood.
本発明は、TCP(テープキャリヤパッケージ)に実装された液晶ドライバなどの半導体集積回路が良品であるかまたは不良品であるかを識別する半導体集積回路の試験装置およびこれに用いられる集中パンチ装置の分野において、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを向上させることができる。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit test apparatus for identifying whether a semiconductor integrated circuit such as a liquid crystal driver mounted on a TCP (tape carrier package) is a non-defective product or a defective product, and a concentrated punching device used therefor In the field, it is possible to shorten the handling time at the time of the measurement test, and also to relieve a device once determined to be defective, thereby improving the yield.
1 半導体集積回路の試験装置
2 供給リール
4 TCP(テープキャリヤパッケージ)
41 ICデバイス
42 端子
43 パッド
3 回収リール
5 ハンドラー装置
51 ICテスタ
6 データベース
7 集中パンチ装置
71 パンチユニット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor integrated
41
Claims (12)
該複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う測定部を含む一または複数のハンドラー装置と、該一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、該データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有し、
該集中パンチ装置は、該テープマップデータ内の空デバイス位置と該不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く半導体デバイスの試験装置。 A semiconductor device test apparatus for identifying the quality of a plurality of semiconductor devices mounted on a semiconductor carrier film,
One or a plurality of handler devices including a measurement unit that performs a predetermined measurement test on the plurality of semiconductor devices, and the measurement test results measured by the one or a plurality of handler devices are stored as tape map data via a network. a database that is, the defective devices based on the tape map data of the database have a and one or more centralized punch apparatus for punching from the semiconductor carrier film,
The concentrated punching apparatus is a semiconductor device testing apparatus in which the defective device is punched from the semiconductor carrier film after collating the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the defective device.
前記データベースのテープマップデータにおける不良品デバイスデータが、再測定試験の結果データとしての良品デバイスデータにテープマップ合成されて変更される請求項1に記載の半導体デバイスの試験装置。 The plurality of handler devices are configured to be able to perform a re-measurement test, and a monitoring control unit that monitors measurement test results obtained from the plurality of handler devices is provided, and a predetermined reference number of defective devices continuously in the measurement test. Is detected, or when a defective device detection rate equal to or higher than a predetermined reference value is detected, the handler device in which the defective device is detected is automatically stopped.
2. The semiconductor device testing apparatus according to claim 1, wherein defective device data in the tape map data of the database is changed by tape map synthesis to non-defective device data as result data of a remeasurement test.
前記データベースのテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータが、再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成されて変更される請求項7に記載の半導体デバイスの試験装置。 The plurality of handler devices are configured to be able to perform a re-measurement test, and are provided with a monitoring control unit that monitors the measurement test results obtained from the plurality of handler devices. When a semiconductor device of information is detected or when a detection rate of a predetermined rank information semiconductor device equal to or higher than a predetermined reference value is detected, the handler device in which the predetermined rank information semiconductor device is detected is automatically stopped.
8. The semiconductor device test according to claim 7 , wherein the predetermined rank information semiconductor device data in the tape map data of the database is changed by tape map synthesis to another predetermined rank information semiconductor device data as result data of a remeasurement test. apparatus.
該テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く集中パンチ装置。 Based on tape map data in a database in which measurement test results measured by one or more handler devices that perform predetermined measurement tests on a plurality of semiconductor devices are stored as tape map data via a network. A device for punching a rank device from the semiconductor carrier film,
A central punching apparatus for punching the defective device or the predetermined rank device from the semiconductor carrier film after collating the relationship between the empty device position in the tape map data and the address data of the defective device or the predetermined rank device.
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