JP5773813B2 - 電流検出器およびそれを含む半導体装置 - Google Patents
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Description
特許文献1には、スピンバルブ構造を有するGMR素子およびTMR素子が開示されている。
一方、GMR素子は、非磁性層にCuやRuのような導電性材料を用いて、膜の面に対して平行方向に流れる電流の変化を検出する。
また、TMR素子をはじめとした磁電変換素子をIC(Integrated Circuit)の中に組み込むことにより、ICに流れる電流を検出することができる。
IC内を流れる電流を正確に検出することにより、回路素子の異常動作や故障を検出することが可能となる。また、異常な電流信号の流入を検知するばかりでなく、回路における消費電力を抑制制御することにより、ICの消費電力を低減することも可能になることから、上記電流検出器は多大な効果が期待されている。
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態1について説明する。
図1はこの発明に係る電流検出器10を示す斜視図であり、電流検出部分の磁電変換素子1および検出用電流線11、12と、被検出電流線13、14との関係を拡大して示している。
また、図2はこの発明の実施の形態1に係る電流検出器10の検出回路20の構成例を示すブロック図である。
磁電変換素子1および検出用電流線11、12は、たとえば図2に示す検出回路20に接続されている。なお、図2の検出回路20は、一例に過ぎず、要求に応じて任意の公知回路が適用可能なことは言うまでもない。
出力端子24は、電流検出器10による検出信号(出力信号)を出力し、たとえば演算回路(図示せず)に導入する。
検出回路20(図2)は、磁電変換素子1に接続された検出用電流線11、12を介して、磁電変換素子1の抵抗値を測定する。磁電変換素子1の抵抗値は、磁電変換素子1に印加される磁界強度(電流iに対応)と対応するので、抵抗値を検出回路20で演算することにより、電流iに対応した検出信号を得ることができる。
図3は磁電変換素子1および電流検出器10に印加される磁界φ(発生磁界)を断面図とともに示す説明図である。
たとえば、磁電変換素子1が、TMR素子、スピンバルブGMR素子の場合には、検出磁界方向と平行または反平行方向に、自由層と対向する固定層の磁化が向くように配置すればよい。また、磁電変換素子1が、量子井戸形GMR素子やMR素子の場合には、磁性体の長辺と垂直となるように配置することが好ましい。
図4〜図7は電流検出器10の異なる条件下での発生磁界分布を特性グラフで示す説明図であり、横軸はX軸位置[μm]、縦軸は発生磁界強度[Oe]を示している。
このことは、被検出電流線13の幅Wを大きい値に設定すれば、被検出電流線13と磁電変換素子1との位置がずれた場合であっても、電流検出器としての感度が安定することを示している。
また、この場合、被検出電流線13、14の幅Wをそれぞれ0.12[μm]とし、2本の被検出電流線13、14のそれぞれに0.5[mA]の電流iを流したときに、2本の被検出電流線13、14の間隔dを、0.01[μm]、0.07[μm]、0.10[μm]、0.12[μm]、0.14[μm]、0.36[μm]と、6通りに変化させた場合の磁界分布を示している。
なお、磁電変換素子1の付近の磁界分布が最も緩やかになる最適な間隔dは、被検出電流線13、14の中心位置と磁電変換素子1との距離tに応じて決定される。
また、この場合、4通りのそれぞれについて、検出磁界方向(X軸)の位置に対する磁界強度の依存性を、図5のように、間隔dを変えて計算した結果を重ね合わせたグラフで示している。
たとえば、図8の電流検出器10Aのように、検出用電流線11、12の両方が被検出電流線13、14に対して垂直であってもよく、図9の電流検出器10Bのように、検出用電流線11、12の両方が被検出電流線13、14に対して平行であってもよい。
この場合、検出用電流線11、12が発生する磁界により、被検出電流線13、14の発生する磁界に対して、図8の場合は垂直なバイアス磁界が印加され、図9の場合は平行なバイアス磁界が印加されるので、磁電変換素子1の特性の制御に利用可能である。
これらの例では、検出用電流線11、12と被検出電流線13、14との間の距離tを、たとえば1層の絶縁膜の厚さで規定することができ、制御性が高いので、特に、距離tの値を小さい値に設定する場合に好ましい。
また、図11および図12の電流検出器10D、10Eのように、他方の検出用電流線12が被検出電流線13、14と同じ層に配置されてもよい。
い。
なお、図8〜図12に示す変形例は、それぞれが一例に過ぎず、他の任意の変形例が適用可能なことは言うまでもない。
たとえば、被検出電流線13、14は、同じ形状の2本の金属線のみで構成されてもよい。また、被検出電流線13、14にトランジスタ、ダイオード、キャパシタなどの回路素子が取り付けられる場合には、2本の被検出電流線13、14に対して、各素子を同様に接続して、インピーダンスを実質的に等しくすることが好ましい。
図13は電流検出器10a、10bを含む半導体装置30の構成例を示すブロック図であり、電流検出器10a、10bは、たとえば前述(図1)の電流検出器10に対応している。なお、ここでは、2つの回路ブロック35、36に対応した2つの電流検出器10a、10bを設けた一例を示すが、それぞれ、任意数に設定され得ることは言うまでもない。
切替回路34は、電流検出器10a、10bからの個別のモニタ信号(i1、i2)に基づき、たとえば回路ブロック35、36の故障の有無を判定して、不具合の起こった回路ブロックを代替の回路ブロックと切替える機能を有する。
ここでは、一例として、外付けされる外部デバイスD1、D2(図示せず)に対して電源を供給するための半導体装置30Fを示している。
ここでは、スイッチSW2がオンされ、スイッチSW4がオフされており、外部デバイスD1のみへの給電が有効化された状態を示している。
たとえば、外部デバイスD1が故障した場合には、スイッチSW2をオンからオフに切替えて、外部デバイスD1への電源供給を遮断することができる。また、これと同時に、エラー信号を発生することも可能となる。
被検出電流線15は、増幅回路23Gからの出力電流i3により、外部磁界(右向きの破線矢印参照)を打ち消すような磁界φ3(左向きの破線矢印参照)を発生する。
これにより、電流i3の調節量に応じて、外部磁界の強度を検出することができる。
さらに、2本の被検出電流線13、14の間隔dを適切に設定することにより、磁電変換素子1の近傍の磁界分布が緩やかになるので、被検出電流線13、14と磁電変換素子1との位置ばらつきの影響が小さくなる。
磁電変換素子1は、被検出電流線13、14の中心位置から等距離で、かつ被検出電流線13、14の中心位置で規定される平面から上方または下方に離間配置されている。
これにより、磁電変換素子1の付近の磁界分布がほぼ均一になり、位置ばらつきの影響を受けにくくなるので、高精度に電流iを検出することができる。
また、このとき、被検出電流線15による磁界分布が緩やかなので、外部から印加される磁界を均一に打ち消すことができ、磁界検出の線形性が高くなる。
なお、上記実施の形態1(図1〜図15)では、電流検出器の感度について言及しなかったが、図16のように、高感度の電流検出器10Hと低感度(広い磁界検出範囲)の電流検出器10Lとを並設した半導体装置30Hを構成してもよい。
高感度の電流検出器10Hにおいて、2本の被検出電流線13a、14aの間隔d1は、低感度の電流検出器10Lの被検出電流線13b、14bの間隔d2よりも小さく設定されている。
一方、図16のように、間隔d1、d2を変えることにより、同じ電流iであっても磁電変換素子1a、1bに印加される磁界が互いに異なるように構成した場合には、磁電変換素子1a、1bと被検出電流線との位置バラつきが小さくなるように作製すればよい。
この結果、2つの検出感度を有し、かつばらつきの少ない電流検出器を得ることが可能となる。また、2つの電流検出器10H、10Lの値から、オフセットのリアルタイム補正を行うことが可能である。
H2=A2×ip ・・・(2)
R2=R0+αA2×ip ・・・(4)
したがって、式(3)、式(4)を用いることにより、たとえば温度変化によって基準抵抗値R0の値が変化しても、抵抗値R1、R2の値から電流値ipを高精度に求めることが可能になる。
また、被検出電流線が2本に分かれた部分と、被検出電流線が1本に合流した部分とのそれぞれにTMR素子を配置してもよい。
Claims (1)
- 磁電変換素子と、
前記磁電変換素子の近傍に配置された第1および第2の被検出電流線と、
前記磁電変換素子の抵抗値に応じた出力信号を得るための検出回路と
を備えた電流検出器であって、
前記第1および第2の被検出電流線は、互いにインピーダンスが等しくかつ前記磁電変換素子の近傍において平行配置され、
前記磁電変換素子は、前記第1および第2の被検出電流線の中心位置から等距離で、かつ前記第1および第2の被検出電流線の中心位置で規定される平面から上方または下方に離間配置され、
前記第1および第2の被検出電流線には、それぞれ大きさと向きが等しい電流が流れる複数の電流検出器を有する半導体装置であって、
前記複数の電流検出器は、同一感度を有する前記磁電変換素子が、前記第1および第2の被検出電流線の間隔が異なる位置に配置されることにより、前記電流検出器としての感度が互いに異なることを特徴とする半導体装置。
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