JP5762966B2 - 物体の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法、計測装置、及び、計測システム - Google Patents
物体の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法、計測装置、及び、計測システム Download PDFInfo
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Claims (17)
- 外面と、当該外面に対して反対側に位置する内面と、を備える物体の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法であって、
少なくとも1つの放射線源によって所定波長帯域内で多数の波長を含む低コヒーレンスの放射線ビームを放射する工程と、
少なくとも1つの光学プローブによって前記物体の前記外面へ向けて放射線ビームを方向付ける工程と、
前記少なくとも1つの光学プローブによって前記物体によって反射される放射線ビームを集積する工程と、
少なくとも1つのスペクトル計によって、前記物体に入り込むことなく前記外面によって反射される放射線ビームと、前記物体に入り込んで前記内面によって反射される放射線ビームと、の間の干渉の結果であるスペクトルを分析する工程と、
前記少なくとも1つのスペクトル計によって提供されるスペクトルの関数として前記物体の厚さを計算する工程と、
前記物体の厚さが所定のしきい値より大きい場合に、第一中心値を有する第一波長帯域内にある多数の波長を含む第一放射線ビームを採用する工程と、
前記物体の厚さが所定のしきい値より小さい場合に、前記第一波長帯域の第一中心値より小さい第二中心値を有する第二波長帯域内にある多数の波長を含む第二放射線ビームを採用する工程と、
を備えたことを特徴とする方法。 - 前記物体の厚さが所定のしきい値の近傍の範囲である場合に、前記第一放射線ビームと前記第二放射線ビームとのどちらも採用する工程を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 外面と、当該外面に対して反対側に位置する内面と、を備える物体の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法であって、
少なくとも1つの放射線源によって所定波長帯域内で多数の波長を含む低コヒーレンスの放射線ビームを放射する工程と、
少なくとも1つの光学プローブによって前記物体の前記外面へ向けて放射線ビームを方向付ける工程と、
前記少なくとも1つの光学プローブによって前記物体によって反射される放射線ビームを集積する工程と、
少なくとも1つのスペクトル計によって、前記物体に入り込むことなく前記外面によって反射される放射線ビームと、前記物体に入り込んで前記内面によって反射される放射線ビームと、の間の干渉の結果であるスペクトルを分析する工程と、
前記少なくとも1つのスペクトル計によって提供されるスペクトルの関数として前記物体の厚さを計算する工程と、
前記物体の厚さが所定のしきい値より大きい場合に、第一中心値を有する第一波長帯域に属する放射線のスペクトルを分析するようになっている少なくとも2つのスペクトル計の一方を採用する工程と、
前記物体の厚さが所定のしきい値より小さい場合に、前記第一中心値より小さい第二中心値を有する第二波長帯域に属する放射線のスペクトルを分析するようになっている前記少なくとも2つのスペクトル計の他方を採用する工程と、
を備えたことを特徴とする方法。 - 前記第一波長帯域の第一中心値は、1200nm乃至1400nmであり、
前記第二波長帯域の第二中心値は、700nm乃至900nmである
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記所定のしきい値は、5ミクロン乃至10ミクロンである
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記物体は、機械加工工程の過程で検査されて、
前記2つの異なる放射線ビーム又は前記2つのスペクトル計の、一方又は他方が、前記物体の厚さに応じて採用される
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。 - 単一の放射線源を含む計測装置が採用されている
ことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 2つの個別の独立した装置を採用する、各々が1つのスペクトル計と1つの光学プローブと1つの放射線源とを有する
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記物体は、半導体材料のスライス片である
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法。 - 前記物体は、シリコンのスライス片である
ことを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記放射線ビームは、前記物体の外面に向けて実質的に垂直に方向付けられる
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法。 - 外面(16)と、当該外面(16)に対して反対側に位置する内面(17)と、を有する物体(2)の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための計測装置(23;26;27)であって、
所定帯域内で多数の波長を含む低コヒーレンスの放射線ビーム(I)を放射する少なくとも1つの放射線源(4a;4b;4c、4d;4ef)と、
前記物体(2)に入り込むことなく前記外面(16)によって反射される放射線ビーム(R1)と、前記物体(2)に入り込んで前記内面(17)によって反射される放射線ビーム(R2)と、の間の干渉の結果であるスペクトルを分析するスペクトル計(5a;5c;5e)と、
前記少なくとも1つの放射線源(4a;4b;4c、4d;4ef)と前記スペクトル計(5a;5c;5e)とに光ファイバ(8,10,11)を介して接続されており、前記物体(2)の前記外面(16)へ向けて前記少なくとも1つの放射線源(4a;4b;4c、4d;4ef)によって放射される放射線ビーム(I)を方向付けると共に、前記物体(2)によって反射される放射線ビーム(R)を集積するべく、計測対象の前記物体(2)の前方に配置される少なくとも1つの光学プローブ(6a;6b;6cd;6ef)と、
前記スペクトル計(5a;5c;5e)によって提供されるスペクトルの関数として前記物体(2)の厚さを計算する演算処理装置(18)と、
前記少なくとも1つの光学プローブ(6a;6b;6cd;6ef)に接続される追加スペクトル計(5b;5d;5f)と、
を備え、
前記スペクトル計(5a;5c;5e)は、第一波長帯域内で第一中心値を有する多数の波長を有する反射される放射線ビームの間の干渉の結果であるスペクトルを分析するようになっており、
前記追加スペクトル計(5b;5d;5f)は、第二波長帯域内で第二中心値を有する多数の波長を有する反射される放射線ビームの間の干渉の結果であるスペクトルを分析するようになっている、
ことを特徴とする計測装置(23;26;27)。 - 前記物体(2)の厚さが所定のしきい値より大きい場合に、前記スペクトル計(5a;5c;5e)を起動させ、前記物体(2)の厚さが所定のしきい値より小さい場合に、前記追加スペクトル計(5b;5d;5f)を起動させるコミュテータ(21)を更に備える
ことを特徴とする請求項12に記載の計測装置(23;26;27)。 - 前記少なくとも1つの放射線源は、
第一波長帯域内にある多数の波長を含む放射線ビームを放射するようになっている第一放射線源(4a;4c)と、
第二波長帯域内にある多数の波長を含む放射線ビームを放射するようになっている第二放射線源(4a;4c)と、
を備え、
前記第二波長帯域は、前記第一波長帯域と異なっており、
前記第二中心値は、前記第一波長帯域の第一中心値より小さい
ことを特徴とする請求項12又は13に記載の計測装置(23;26)。 - 前記少なくとも1つの放射線源は、前記第一波長帯域と前記第二波長帯域の波長を含む波長帯域内の放射線ビームを放射するようになっている単一の放射線源(4ef)を有する
ことを特徴とする請求項12又は13に記載の計測装置(27)。 - 少なくとも2つの計測装置(1a、1b)を備えており、
各計測装置(1a、1b)は、1つの放射線源(4a、4b)と、前記スペクトル計(5a)と前記追加スペクトル計(5b)のうちの1つと、
を有している
ことを特徴とする請求項12乃至14のいずれか1項に記載の計測装置(23)。 - 外面(16)と、当該外面(16)に対して反対側に位置する内面(17)と、を有する物体(2)の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための装置(1)であって、 所定帯域内で多数の波長を含む低コヒーレンスの放射線ビーム(I)を放射する放射線源(4)と、
前記物体(2)に入り込むことなく前記外面(16)によって反射される放射線ビーム(R1)と、前記物体(2)に入り込んで前記内面(17)によって反射される放射線ビーム(R2)と、の間の干渉の結果であるスペクトルを分析する少なくとも1つのスペクトル計(5)と、
前記放射線源(4)と前記少なくとも1つのスペクトル計(5)とに光ファイバ(8,10,11)を介して接続されており、前記物体(2)の前記外面(16)へ向けて前記放射線源(4)によって放射される放射線ビーム(I)を方向付けると共に、前記物体(2)によって反射される放射線ビーム(R)を集積するべく、計測対象の前記物体(2)の前方に配置される光学プローブ(6)と、
前記少なくとも1つのスペクトル計(5)によって提供されるスペクトルの関数として前記物体(2)の厚さを評価する演算処理装置(18)と、
を備え、
前記放射線源(4)は、
第一中心値を有する第一波長帯域内にある多数の波長を含む低コヒーレンスの放射線ビームを放射する第一エミッタ(19)と、
前記第一波長帯域の第一中心値より小さい第二中心値を有し、前記第一波長帯域とは異なる第二波長帯域内にある多数の波長を含む低コヒーレンスの放射線ビームを放射する少なくとも1つの第二エミッタ(20)と、
前記物体(2)の厚さに応じて、前記第一エミッタ(19)又は前記第二エミッタ(20)を選択的に採用することができるコミュテータ(21)と、
を有することを特徴とする計測システム(1)。
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